Claims (10)
비트선, 기록용워드선 및 판독용워드선에 상호 접속되어 정보를 기억하고 정보를 제공하기 의한 정보 기억 소자로서, 상기 판독용 워드선에 연결된 하나의 정보기억용 케패시터와, 상기 캐패시터와 비트선상이에 연결되어 비트선상의 정보를 상기 기록용 워드선의 제어신호에 의하여 상기 캐패시터에 연결하고 차단하는 하나의 스위칭 소자와, 상기 캐패시터와 비트선사이에 연결되어 상기 캐패시터에 기억된 정보와 소정의 기준전압을 증폭하여 상기 비트선에 가하는 하나의 증폭를 포함하여 이루어지는 다치 기억소자.An information storage element connected to a bit line, a write word line, and a read word line to store information and provide information, comprising: an information storage capacitor connected to the read word line, the capacitor, and the bit. A switching element connected to a line and connected to and disconnecting information on the bit line from the capacitor by a control signal of the write word line, and information stored in the capacitor and a predetermined reference connected between the capacitor and the bit line. And amplifying a voltage and applying one voltage to the bit line.
제1항에 있어서, 상기 캐패시터는 두개의 전극을 가지고, 상기 스위칭소자는 입력, 출력 및 제어단자를 가지며, 상기 증폭기는 입력, 출력 및 기준단자를 가지고, 상기 캐패시터의 제1전극이 판독용 워드선에 연결되고 제2 전극은 상기 증폭기의 입력단자에 연결되며, 상기 증폭기의 출력단자, 비트선에 연결되고, 상기 증폭기의 기준단자는 기준전압에 연결되며, 상기 스위칭소자의 입력단자는 비트선에 연결되고, 그 출력단자는 상기 캐패시터의 제2전극과 상기 증폭기의 입력단자와의 연결선에 접속되며, 그 제어단자는 기록용 워드선에 연결되어, 상기 비트선의 전압을 상기 캐패시터에 충전시켜 기억시키고, 상기 캐패시터의 충전전압을 소정의 기준전압과 함께 증폭기를 통하여 증폭시켜 기억된 정보를 판독하는 것이 특징인 다치 기억소자.2. The capacitor of claim 1, wherein the capacitor has two electrodes, the switching element has an input, an output and a control terminal, the amplifier has an input, an output and a reference terminal, and the first electrode of the capacitor is a word for reading. A second electrode is connected to an input terminal of the amplifier, an output terminal of the amplifier, a bit line, a reference terminal of the amplifier is connected to a reference voltage, and an input terminal of the switching element is a bit line The output terminal is connected to a connection line between the second electrode of the capacitor and the input terminal of the amplifier, and the control terminal is connected to a word line for writing to charge and store the voltage of the bit line in the capacitor. And the stored voltage is amplified by the amplifier along with a predetermined reference voltage to read the stored information.
제2항에 있어서, 상기 소정의 기준전압은 상기 기록용워드선의 전압과 같은 전압을 사용하는 것이 특징인 다치 기억소자.The multi-value memory device according to claim 2, wherein the predetermined reference voltage uses the same voltage as that of the write word line.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 스위칭소자와 상기 증폭기는 MOS 트랜지스터인 것이 특징인 다치 기억소자.4. The multi-value memory device according to claim 2 or 3, wherein the switching device and the amplifier are MOS transistors.
제4항에 있어서, 상기 스위칭소자와 상기 증폭기는 MOS 트랜지스터는 그 문턱전압이 서로 다른 값을 가지는 것이 특징인 다치 기억소자The multi-value memory device of claim 4, wherein the MOS transistors of the switching device and the amplifier have different threshold voltages.
제2항에 있어서, 정보 기록시에는 기록용 워드선에 연결된 스위칭 소자를 온 시켜 2이상의 전압레벨을 가지는 비트선의 전압을 정보기억용 캐패시터에 기억시키고, 정보 판독시에는 판독용 워드선에 제어전압을 가하여 상기 캐패시터에 기억된 전압의 크기에 따라 비트선에 전달되는 전압의 크기를 2이상의 전압레벨로 감지하여 기억된 정보를 판독하도록 동작시키는 것이 특징인 다치 기억소자3. The information storage capacitor according to claim 2, wherein at the time of information writing, the switching element connected to the writing word line is turned on to store the voltage of the bit line having a voltage level of two or more in the information storage capacitor, and at the time of reading the information, the control voltage at the reading word line. The multi-value memory device is operable to read the stored information by detecting the magnitude of the voltage transmitted to the bit line according to the magnitude of the voltage stored in the capacitor at two or more voltage levels.
제6항에 있어서, 기록시, 상기 비트선의 전압을 "0"과 "1"의 두 단계 전압으로 하고, 판독시 상기 비트선에 나타나는 전압을 두 단계로 구분하여 기억정보를 판단하는 것이 특징인 다치 기억소자7. The memory device according to claim 6, characterized in that the memory information is determined by dividing the voltage of the bit line into two stage voltages of "0" and "1" during writing, and dividing the voltage appearing on the bit line into two stages during reading. Multi-value memory
제1항에 있어서, 장기 비트선을 기록용 비트선과 판독용 비트선으로 분리한 것이 특징인 기억소자The memory device according to claim 1, wherein the long term bit line is divided into a write bit line and a read bit line.
캐패시터에 저장할 정보값을 전하량으로 충전시켰다가 이전하량을 이용하여 저장된 정보값을 판독하는 방법에 있어서, 캐패시터에 저장된 전하량에 의한 전압과 더하여지는 직렬 전압을 캐패시터의 하나의 전극에 가하여 그 합성된 전압을 이용하여 저장된 정보값을 판독하는 것이 특징인 캐패시터에 정보를 저장 및 판독하는 방법.A method of charging an information value to be stored in a capacitor with an amount of charge and then reading a stored information value using a transfer amount, wherein a series voltage, which is added to the voltage by the amount of charge stored in the capacitor, is applied to one electrode of the capacitor, and the synthesized voltage. Storing and reading information in a capacitor which is characterized in that reading the stored information value using.
제10항에 있어서, 판독시, 상기 캐패시터의 전하량을 소멸시키지 않는 것이 특징인 캐패시터에 정보를 저장 및 판독하는 방법.The method of claim 10, wherein during reading, the amount of charge in the capacitor is not destroyed.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.※ Note: This is to be disclosed by the original application.