Claims (10)
하기 일반식으로 표시될 수 있으며, 본 명세서의 표1에 나타난 X선 회절을 갖는 것을 특징으로 하는 미공성 갈륨 포스페이트 결정 및 그 치환 유도체.Microporous gallium phosphate crystals and substituted derivatives thereof, which may be represented by the following general formula, and have X-ray diffraction shown in Table 1 of the present specification.
RrGagPpXxO2FfhH2OR r Ga g P p X x O 2 FfhH 2 O
상기식에서, g, p 및 X의 합은 1이며, g는 0.3과 0.5 사이에 포함되는 수치이고, p는 0.3과 0.5사이에 포함되는 수치이며, x는 0과 0.4사이에 포함되는 수치이고, r은 0.01과 0.2사이에 포함되는 수치이며, f는 0.01과 0.2 사이에 포함되는 수치이며, h는 0과 0.5 사이에서 고체의 수화 정도에 따라 변화하며, R은 시클릭아민으로 이루어진 군중에서 선택된 유기 화합물이고, X는 Li, Be, Co, Mg, Mn, Zn, Al, B, Cr, Fe, Ge, Si, Ti, As 그리고 V의 원소로 이루어진 군중에서 선택된 헤테로 원자임.Wherein the sum of g, p and X is 1, g is a number comprised between 0.3 and 0.5, p is a number comprised between 0.3 and 0.5, x is a number comprised between 0 and 0.4, r is a value comprised between 0.01 and 0.2, f is a value comprised between 0.01 and 0.2, h is varied depending on the degree of hydration of the solid between 0 and 0.5, and R is selected from the group consisting of cyclicamines Is an organic compound, X is a hetero atom selected from the group consisting of elements of Li, Be, Co, Mg, Mn, Zn, Al, B, Cr, Fe, Ge, Si, Ti, As and V.
제1항에 있어서, 상기 헤테로 원자 X가 규소인 미공성 갈륨 포스페이트 결정 및 그 치환 유도체.The microporous gallium phosphate crystal according to claim 1, wherein the hetero atom X is silicon and substituted derivatives thereof.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 R이 퀴누클리딘인 미공성 갈륨포스페이트 결정 및 그 치환 유도체.The microporous gallium phosphate crystal according to claim 1 or 2, wherein R is quinuclidin, and a substituted derivative thereof.
a) 물, 최소한 하나의 갈륨원, 최소한 하나의 포스포르원, Li, Be, Co, Mg, Mn, Zn, Al, B, Cr, Fe, Ge, Si, Ti, As 그리고 V로 이루어진 원소군중에서 선택된 최소한 하나의 헤테로원자 X원, 최소한 하나의 유기화합물원, 최소한 하나의 불화음이온을 포함하며 반응시의 pH는 3과 8 사이이고 분자비면에서 다음과 같은 조성식을 갖는 반응성 혼합물을 만드는 단계 ; r'R : Ga2O3: p'P2O5:xXO2: f'F : h'H2O 상기 식에서, r'은 1과 10사이에 포함되는 수치이고, p'는 0.3과 1사이에 포함되는 수치이며, x'는 0과 1.5 사이에 포함되는 수치이고, f'는 0.1과 4사이에 포함되는 수치이며, h는 1과 500 사이에 포함되는 수치이며, R은 시클릭아민으로 이루어진 군중에서 선택된 유기화합물이고, n은 헤테로 원자 x의 산화 정도를 나타냄 ; b) 전술한 반응성 혼합물을 결정 복합체를 얻을때까지 40℃의 상위 가열 온도로 유지하는 단계를 포함하는, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 의한 미공성 갈륨 포스페이트 결정 및 그 치환 유도체의 제조방법.a) a group of elements consisting of water, at least one gallium source, at least one phosphor source, Li, Be, Co, Mg, Mn, Zn, Al, B, Cr, Fe, Ge, Si, Ti, As and V Preparing a reactive mixture comprising at least one hetero atom selected from X, at least one organic compound, and at least one fluoride anion and having a pH between 3 and 8 and having a compositional formula in terms of molecular ratio; r'R: Ga 2 O 3 : p'P 2 O 5 : x XO 2 : f'F: h'H 2 O In the above formula, r 'is a number between 1 and 10, and p' is 0.3 and X 'is between 0 and 1.5, f' is between 0.1 and 4, h is between 1 and 500, and R is cyclic An organic compound selected from the group consisting of amines, n represents the degree of oxidation of hetero atom x; b) maintaining the aforementioned reactive mixture at an upper heating temperature of 40 ° C. until a crystal complex is obtained, the microporous gallium phosphate crystals according to any one of claims 1 to 3 and the substituted derivatives thereof. Manufacturing method.
제4항에 있어서, 상기 a)의 단계에서 전술한 반응성 혼합물의 구성이 분자비면에서 다음과 같이 표시될수 있음을 특징으로 하는 방법 : r'R : Ga2O3: p'P2O5:xXO2: f'F : h'H2O 상기식에서, r'은 1과 10사이에 포함되는 수치이고, p'는 0.5과 1사이에 포함되는 수치이며, x'는 0과 1 사이에 포함되는 수치이고, f'는 0.3과 2사이에 포함되는 수치이며, h'는 30과 100 사이에 포함되는 수치이다.The method of claim 4, wherein the composition of the above-mentioned reactive mixture in the step a) can be represented in terms of molecular weight as follows: r'R: Ga 2 O 3 : p'P 2 O 5 : x XO 2 : f'F: h'H 2 O where r 'is a number between 1 and 10, p' is a number between 0.5 and 1, and x 'is between 0 and 1. It is a numerical value included, f 'is a numerical value contained between 0.3 and 2, and h' is a numerical value contained between 30 and 100.
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 R이 퀴누클리딘임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 4 or 5, wherein R is quinuclidin.
제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 X가 규소임을 특징으로 하는 제조방법.7. The process according to any one of claims 4 to 6, wherein X is silicon.
제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 b)의 단계에서 전술한 반응성 혼합물의 가열 온도를 결정 화합물을 얻을 때까지 40℃ 내지 250℃로 유지시킴을 특징으로 하는 제조방법.The process according to any one of claims 4 to 7, wherein the heating temperature of the reactive mixture described above in step b) is maintained between 40 ° C and 250 ° C until a crystalline compound is obtained.
제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 b)의 단계에서 전술한 반응성 혼합물의 가열온도를 결정화합물을 얻을때까지 60℃ 내지 220℃로 유지시킴을 특징으로 하는 제조방법.The method according to any one of claims 4 to 7, wherein the heating temperature of the reactive mixture described above in step b) is maintained at 60 to 220 ° C until a crystalline compound is obtained.
제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 b)의 단계 후, 고체를 상위 온도 200℃로 하소 처리하는 것을 특징으로 하는 제조방법.10. The process according to claim 4, wherein after the step b), the solid is calcined to an upper temperature of 200 ° C. 11.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.