KR920007015Y1 - Function key display turning lights circuit of vtr - Google Patents

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KR920007015Y1 KR2019880004811U KR880004811U KR920007015Y1 KR 920007015 Y1 KR920007015 Y1 KR 920007015Y1 KR 2019880004811 U KR2019880004811 U KR 2019880004811U KR 880004811 U KR880004811 U KR 880004811U KR 920007015 Y1 KR920007015 Y1 KR 920007015Y1
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김정호
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삼성전자 주식회사
안시환
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B33/00—Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
    • G11B33/10—Indicating arrangements; Warning arrangements

Abstract

내용 없음.No content.

Description

VTR의 기능키 표시등 점멸회로VTR function key indicator flashes

제1도는 본 고안의 회로도.1 is a circuit diagram of the present invention.

제2도는 VTR의 기능키를 도시한 부분 사시도.2 is a partial perspective view showing a function key of a VTR.

제3도는 VTR의 기능키의 일측면도.3 is a side view of a function key of the VTR.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

가 : 빛 검출부 나 : 전원스위칭부A: Light detector B: Power switch

다 : 전원공급제어부 라 : 표시등 점멸부C: Power supply control part D: Indicator blinking part

Cds : 광도전소자 SCR : 실리콘제어 정류소자Cds: Photoconductive Device SCR: Silicon Controlled Rectifier

TR1-TR3: 트랜지스터 LED1-LEDN: 발광다이오드TR 1 -TR 3 : Transistor LED 1 -LED N : Light Emitting Diode

R1-RN: 저항 D1,D2: 다이오드R 1 -R N : Resistor D 1 , D 2 : Diode

본 고안은 VTR의 기능키 표시등 점멸회로에 관한 것으로, 특히 광도전소자를 이용해 빛을 감지하여 주위의 밝기에 따라 표시등이 자동으로 점등 및 소등되도록 함으로써 어두운 곳에서도 VTR의 기능키(Function Key)를 작동시킬수 있도록 한 VTR의 기능키 표시등 점멸회로에 관한 것이다.The present invention relates to a flashing circuit of the function key indicator of the VTR. In particular, the light is sensed using a photoconductive element and the indicator is automatically turned on and off according to the brightness of the surroundings. The function key indicator flashes on the VTR to enable the operation.

종래의 VTR에 있어서, VTR을 사용하는 장소가 밝은 곳인 경우는 기능키를 선택하여 VTR을 작동시키는 것이 용이했으나 밤이나 어두운 실내에서 VTR을 작동시킬 경우는 VTR내부에 기능키 표시등이 없었기 때문에 기능키가 보이지 않아 VTR을 작동시키기 어려운 결점이 있었으며 어두운 곳에서 작동시키기 위해서는 불을 켜 주위를 밝게한 뒤 VTR을 작동시켜야 하는 번거로움이 있었다.In the conventional VTR, when the VTR is used in a bright place, it is easy to select the function key to operate the VTR. However, when operating the VTR at night or in a dark room, there is no function key indicator inside the VTR. It was difficult to operate the VTR because it was not visible, and to operate it in a dark place, it was troublesome to turn on the light to brighten the surroundings and then operate the VTR.

본 고안은 이러한 점을 감안하여, VTR의 기능키 내부에 표시등을 설치한 뒤 광도전 소자를 이용해 주위의 밝고 어두움을 감지하고 이에 따라 실리콘 제어정류소자의 게이트에 인가되는 전압이 조절되도록 함으로써 상기 실리콘 제어정류소자가 동작하여 기능키의 표시등을 점등 및 소등시켜 어두운 곳에서도 VTR의 기능키를 쉽게 선택하여 작동시킬수 있게 안출한 것으로, 이를 첨부한 도면에 의하여 설명하면 다음과 같다.In view of this, the present invention provides a light control inside the function key of the VTR, and then detects the bright and dark surroundings using a photoconductive element and adjusts the voltage applied to the gate of the silicon controlled rectifier accordingly. The rectifier element operates to turn on and off the indicator of the function key so that the user can easily select and operate the function key of the VTR even in a dark place, which will be described with reference to the accompanying drawings.

제1도는 본 고안의 회로도를 도시한 것으로 광도전소자(Cds)로 구성되어 주위의 밝기에 따라 저항값이 달라지는 빛 검출부(가)는 스위칭용 트랜지스터(TR1)(TR2), 저항(R2)(R3), 다이오드(D1)로 구성되어 스위칭동작을 함으로써 전원공급을 조절하는 전원스위칭부(나)에 연결하고 상기 전원스위칭부(나)는 스위칭용 트랜지스터(TR3), 저항(R1)(R4)(R5), 다이오드(D2), 실리콘제어정류소자(SCR)로 구성되어 상기 전원스위칭부(나)의 스위칭동작에 따라 실리콘 제어정류소자(SCR)가 동작하여 전원공급을 제어하는 전원 공급제어부(다)에 연결하며 상기 전원공급 제어부(다)는 발광다이오드(LED1-LEDN)와 저항(R6-RN)으로 구성되어 상기 전원공급제어부(다)의 출력에 따라 상기 발광다이오드(LED1-LEDN)가 발광되도록 하는 표시등 점멸부(라)에 연결하여 구성한 것이다.FIG. 1 is a circuit diagram of the present invention. The light detecting unit (a), which is composed of photoconductive elements (Cds) and whose resistance value varies depending on the brightness of the surroundings, has a switching transistor (TR 1 ) (TR 2 ) and a resistor (R). 2 ) (R 3 ) and a diode (D 1 ) is connected to the power switching unit (B) for controlling the power supply by switching operation and the power switching unit (B) is a switching transistor (TR 3 ), a resistor (R 1 ) (R 4 ) (R 5 ), diode (D 2 ) and silicon controlled rectifier (SCR), and the silicon controlled rectifier (SCR) operates according to the switching operation of the power switching unit (b). The power supply control unit (C) is composed of a light emitting diode (LED 1 -LED N ) and a resistor (R 6 -R N ) to the power supply control unit (C). ) configured to connect to the light flashing part (d) in which the light-emitting diode (LED 1 -LED N) that emits light in response to the output of Will.

상기와같이 구성된 본 고안의 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the present invention configured as described above in detail.

본 고안은 제2도와 제3도에서 도시한 바와같이 VTR의 기능키 내부에 표시등을 설치하여 광도전소자(Cds)에 의해 감지되는 주위의 밝기에 따라 자동으로 상기 표시등이 동작되도록 한 것으로 우선 VTR을 사용하는 장소가 밝은 곳이어서 빛검출부(가)의 광도전소자(Cds)가 받는 빛의 양이 많아지게 되면 빛을 많이 받을수록 자유전자가 증가하여 저항값이 감소되는 상기 광도전소자(Cds)의 특성 때문에 상기 광도전소자(Cds)의 저항값은 현저히 감소하게된다.According to the present invention, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, an indicator light is installed inside a function key of the VTR to automatically operate the indicator light according to the ambient brightness detected by the photoconductive element Cds. Since the place where the light is used is bright and the amount of light received by the photoconductive device Cds of the light detector increases, the more the light is received, the more free electrons increase and the resistance value decreases. ), The resistance value of the photoconductive element Cds is significantly reduced.

그러므로, 전원입력단자(Vcc)로부터 인가되는 전원은 저항(R1)과 다이오드(D1)를 통해 전원스위칭부(나)의 저항(R2)과 트랜지스티(TR1)의 에미터단자로 각각 인가되고 상기 저항(R2)을 통해 인가된 전원이 저항값이 작은 상기 광도전소자(Cds)로 인가되므로 상기 트랜지스터(TR1)의 베이스단자측에는 전압이 거의 걸리지 않게되며 이로인해 상기트랜지스터(TR1)의 베이스단자에 로우신호가 인가되어 상기 트랜지스터(TR1)가 온되므로 전원이 상기 트랜지스터(TR1)를 거쳐 트랜지스터(TR2)의 베이스단자로 인가되어 상기 트랜지스터(TR2)가 온되게 된다.Therefore, the power applied from the power input terminal Vcc is the emitter terminal of the resistor R 2 and the transistor TR 1 of the power switching unit B through the resistor R 1 and the diode D 1 . Power is applied to the photoconductive element Cds having a small resistance value because the power applied through the resistor R 2 is applied to the base terminal side of the transistor TR 1 , so that the voltage is hardly applied to the transistor. a low signal to the base terminal of the (TR 1) is applied to the transistor (TR 1) is turned on, so power is applied to the base terminal of the transistor (TR 2) of the transistor (TR 2) via the transistor (TR 1) Will be on.

상기와같은 전원 스위칭부(b)의 스위칭동작에 의해 전류가 저항(R1)과 다이오드(D1)를 거치고 트랜지스터(TR1)의 에미터와 베이스, 트랜지스터(TR2)의 콜렉터와 에미터측을 통해 접지로 흐르게 되므로 전원공급제어부(다)의 트랜지스터(TR3)의 베이스 단자측에는 전압이 거의 걸리지 않게되어 로우신호가 저항(R4)과 다이오(D2)를 통해 상기 트랜지스터(TR3)의 베이스단자로 인가되고 상기 로우신호에 의해 상기 트랜지스터(TR3)가 오프되므로 실리콘 제어정류단자(SCR)의 게이트단자에는 로우신호가 인가되어 상기 실리콘제어정류소자(SCR)가 오프되며 상기 전원공급제어부(다)의 실리콘 제어정류소자(SCR)가 오프됨에 따라 표시등 점멸부(라)로의 전원공급이 차단되므로 상기 표시등 점멸부(라)의 발광다이오드(LED1-LEDN)에는 로우신호가 인가되고 이로인해 기능키 표시등인 상기 발광다이오드(LED1-LEDN)는 발광하지 않게 된다.The collector and the emitter of the emitter and the base, the transistor (TR 2) of the current by the switching operation of the power switching unit (b) resistance (R 1) and the diode undergoes a (D 1) the transistor (TR 1), such as the teocheuk the so flow to the ground power supply control section (C) of the transistor (TR 3), the transistor is not the base terminal voltage is almost caught side low signal through a resistance (R 4) and a diode (D 2) of the (TR 3) through Since the transistor TR 3 is applied to the base terminal of the transistor and the transistor TR 3 is turned off by the low signal, a low signal is applied to the gate terminal of the silicon control rectifying terminal SCR to turn off the silicon control rectifying element SCR. As the silicon control rectifier (SCR) of the controller (C) is turned off, the power supply to the indicator flasher (D) is cut off. Therefore, a low signal is applied to the light emitting diodes (LED 1 -LED N ) of the indicator flasher (D). Is authorized and As a result, the light emitting diodes LED 1 to LED N which are function key indicators do not emit light.

반대로 VTR을 사용하는 장소가 어두운 곳이어서 빛검출부(가)의 광도전소자(Cds)가 받는 빛의 양이 적어지게 되면 상기 광도전 소자(Cds)의 측성에 의해 상기 광도전소자(Cds)의 저항값은 수 MΩ까지 현저히 증가하게 된다.On the contrary, when the place where the VTR is used is dark and the amount of light received by the photoconductive element Cds of the light detecting unit decreases, the photoconductive element Cds may be The resistance value increases significantly to several MΩ.

따라서 전원입력단자(Vcc)로부터 인가되는 전원이 저항(R1)과 전원스위칭부(나)의 다이오드(D1)와 저항(R2)을 통해 빛 검출부(가)에 인가되더라도 상기 광도전 소자(Cds)의 저항값이 너무커 상기 광도전소자(Cds)를 통해서는 전류가 흐르지 못하게되므로 상기 전원스위칭부(나)의 트랜지스터(TR1)의 베이스단자에는 하이신호가 인가되고 상기 하이신호에 의해 상기 트랜지스터(TR1)가 오프되므로 로우신호가 트랜지스티(TR2)의 베이스단자에 인가되어 상기 트랜지스터(TR2)도 오프된다.Therefore, power input terminal (Vcc), the diode of the supply voltage the resistance (R 1) and the power switching unit (B) is from (D 1) and the resistance applied even if the photoconductive element to the light detecting unit (a) through (R 2) Since the resistance value of Cds is too large to prevent current from flowing through the photoconductive element Cds, a high signal is applied to the base terminal of the transistor TR 1 of the power switching unit B, and a high signal is applied to the high signal. by the transistor (TR 1) off since a low signal is applied to the base terminal of the transitional stitcher (TR 2) it is also off the transistor (TR 2).

상기와 같이 전원스위칭부(나)의 트랜지스터(TR1)(TR2)가 모두 오프됨에 따라 상기 다이오드(D1)의 애노도(ANODE)측의 전압이 상기 전원스위칭부(나)로는 인가되지 못하므로 전원공급 제어부(다)의 저항(R1)을 통해 인가된 전원은 통해 트랜지스터(TR3)의 베이스단자로 인가되고 상기 하이신호에 의해 상기 트랜지스터(TR3)가 온되므로 전원이 상기 트랜지스터(TR3)를 통해 실리콘제어정류소자(SCR)의 게이트단자로 인가되며 이로인해 상기 실리콘제어정류소자(SCR)가 도통되므로 전원이 상기 실리콘 제어정류소자(SCR)를 통해 표시등점멸부(라)로 인가된다.As described above, as the transistors TR 1 and TR 2 of the power switching unit B are all turned off, the voltage of the anode ANODE side of the diode D 1 is not applied to the power switching unit B. not because the power supply control unit (C) resistance of the supply voltage via (R 1) is applied over the base terminal of the transistor (TR 3), so by the high signal to the transistor (TR 3) on the power is the transistor of (TR 3 ) is applied to the gate terminal of the silicon control rectifying element (SCR), which causes the silicon control rectifying element (SCR) to conduct, so that power is supplied through the silicon control rectifying element (SCR). Is applied.

따라서 상기 표시등 점멸부(라)에 인가된 하이신호에 의해 제3도에서 도시한 바와같이 기능키 내부에 설치된 발광다이오드(LED1-LEDN)는 발광하게 되고 상기와같이 기능키 표시등이 점등됨으로써 어두운 곳에서도 VTR을 쉽게 작동시킬수 있게 된다.Therefore, as shown in FIG. 3, the light emitting diode (LED 1 -LED N ) installed inside the function key emits light by the high signal applied to the indicator blinking part (d), and the function key indicator lights up as described above. This makes it easy to operate the VTR in the dark.

이상에서와 같이 본 고안은 VTR의 기능키 내부에 표시등을 설치한 뒤 주위의 밝기에 따라 자동으로 상기표시등이 점등 및 소등되도록 함으로써 밤이나 어두운 실내에서는 자동으로 상기 표시등이 켜져 어두운 곳에서의 사용을 용이하게 하는 효과가 있으며 이로 인해 제품을 고급화시키는 효과가 있는 것이다.As described above, the present invention installs an indicator light inside the function key of the VTR and automatically turns the indicator light on and off according to the brightness of the surroundings. It has the effect of facilitating and this has the effect of upgrading the product.

Claims (2)

주위의 밝기에 따라 저항값이 달라짐으로써 주위의 밝고 어두움을 감지한 빛 검출부(가)와 상기 빛 검출부(가)의 저항값에 따라 스위칭되어 전원공급을 조절하는 전원스위칭부(나)와 상기 전원스위칭부(나)의 스위칭동작에 의해 실리콘 제어정류소자가 동작하여 전원공급을 제어하는 전원공급제어부(다)와 상기 전원공급제어부(다)의 출력에 따라 기능키 표시등이 점등 및 소등되는 표시등 점멸부(라)로 구성되어 주위의 밝기에 따라 자동으로 표시등이 점등 및 소등됨으로써 어두운 곳에서의 사용을 용이하게 한 것을 특징으로 하는 VTR의 기능키 표시등 점멸회로.As the resistance value varies depending on the brightness of the surroundings, the light detecting unit (a) that detects the bright and dark surroundings is switched according to the resistance value of the light detecting unit (a), and the power switching unit (b) and the power supply for controlling the power supply. The silicon control rectifier operates by the switching operation of the switching unit (b), and the indicator light on and off of the function key indicator is turned on according to the output of the power supply control unit (C) and the power supply control unit (C) to control the power supply. A function key indicator blinking circuit of a VTR, comprising: a (d) unit, which facilitates use in a dark place by automatically turning on and off an indicator in accordance with ambient brightness. 제1항에 있어서, 상기 빛 검출부(가)는 광도전소자(Cds)로 구성되어 밝은 곳에서는 상기 광도전소자(Cds)의 저항값이 감소되고 어두운 곳에서는 상기 저항값이 현저히 증가하는 것으로 특징으로 하는 VTR의 기능키 표시등 점멸회로.The method of claim 1, wherein the light detector (A) is composed of a photoconductive element (Cds) is characterized in that the resistance value of the photoconductive element (Cds) in the bright place is reduced and the resistance value is significantly increased in the dark place. VTR function key indicator flashes.
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