KR920000769Y1 - Over voltage protection circuit - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 본 고안의 실시예 회로도.1 is an embodiment circuit diagram of the present invention.
제2도는 종래의 회로도.2 is a conventional circuit diagram.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
2 : 과전압보호부 R1-R8 : 저항2: overvoltage protection part R1-R8: resistance
C1-C4 : 콘덴서 ZD1 : 제너다이오드C1-C4: Capacitor ZD1: Zener Diode
Q1-Q3 : 트랜지스터Q1-Q3: transistor
본 고안은 텔레비젼의 SMPS(switching mode power supply)를 이용한 전원회로에서 과전압에 의한 부품의 손상을 방지하기 위한 과전압 보호회로에 관한 것이다.The present invention relates to an overvoltage protection circuit for preventing damage to a component due to overvoltage in a power supply circuit using a switching mode power supply (SMPS) of a television.
종래에는 제2도와 같이 SMPS(SP)회로에서 출력되는 출력전압(V1) (V2)이 다이오드(D11) (D12)및 콘덴서(C12) (C14)에 의해 정류 및 평활되어 계전기 (RY11)의 코일(RL)및 접점(RC)에 각각 인가된다. 이때 마이콤에서 픽쳐온신호(PO)가 출력되면 계전기 구동용 트랜지스터(Q11)가 도통되어 계전기(RY11)의 코일(RL)에 전류가 흐르게 되고, 이에 따라 계전기(RY11)의 접점(RC)이 ˝온˝되어 SMPS(SP)의 출력전압 (V2)를 정류 및 평활한 직류전압(V4)이 계전기(RY11)의 접점(RC)을 통해 B+전원으로 출력된다.Conventionally, as shown in FIG. 2, the output voltage V1 (V2) output from the SMPS (SP) circuit is rectified and smoothed by the diodes D11 (D12) and the capacitors C12 (C14) to coil the relay RY11. It is applied to (RL) and contact RC, respectively. At this time, when the picture-on signal PO is output from the microcomputer, the relay driving transistor Q11 is turned on so that a current flows in the coil RL of the relay RY11. As a result, the contact RC of the relay RY11 is closed. The DC voltage V4, which is turned on and rectifies and smoothes the output voltage V2 of the SMPS SP, is output to the B + power supply via the contact RC of the relay RY11.
한편, 이 B+전원은 바이어스저항(R13)및 전압제한용 제너다이오드(ZD11)를 통해 트랜지스터(Q12)의 베이스에 인가되고, 이에 의해 이 트랜지스터 (Q12)가 도통되어 SMPS(SP)의 출력전압(V1)을 정류 및 평활한 직류전압(V3)이 상기의 트랜지스터 (Q12)를 통해 스타트전압(SB+)으로 출력되도록 구성된다. 그러나, 이와 같은 종래의 회로에서는 마이콤의 픽쳐온 신호(PO)에 의해 구동된 계전기(RY11)에 의해 B+전원전압을 출력시킨 상태에서 SMPS(SP)의 1차측 교류전압이 불안정 함에 따라 이 SMPS (SP)의 2차측으로 과전압이 출력될 경우, 이 과전압에 의해 B+전원 및 스타트 전압 (SB+)단자에 연결된 각종 부하소자들이 손상되거나 또는 스타트전압(SB+) 구동을 트랜지스터(Q12)가 파손되는 문제점이 있었다.On the other hand, this B + power supply is applied to the base of the transistor Q12 via the bias resistor R13 and the voltage limiting zener diode ZD11, whereby the transistor Q12 conducts and the output voltage of the SMPS (SP) The rectified and smoothed DC voltage V3 is configured to be output as the start voltage SB + through the transistor Q12. However, in such a conventional circuit, since the primary AC voltage of the SMPS (SP) is unstable while the B + power supply voltage is output by the relay RY11 driven by the picture-on signal PO of the microcomputer, the SMPS ( When an overvoltage is output to the secondary side of SP), the overvoltage damages various load elements connected to the B + power supply and the start voltage (SB +) terminal, or causes the transistor Q12 to break during the start voltage (SB +) driving. there was.
본 고안은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 과전압 보호회로를 구성하여 SMPS(SP)에서 출력되는 과전압으로 부터 B+전원과 스타트전압(SB+)단자를 차단하여 부품의 손상을 방지하도록 고안한 것으로서, 이하 본 고안의 구성 및 작용효과를 첨부도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.The present invention is designed to prevent damage to components by configuring an overvoltage protection circuit to block the B + power supply and the start voltage (SB +) terminal from the overvoltage output from the SMPS (SP). The construction and effect of the design will be described in detail by the accompanying drawings as follows.
SMPS(SP), 이 SMPS(SP)에서 출력되는 출력전압(V1) (V2)을 정류 및 평활시켜 직류전압(V3) (V4)으로 변환시키는 다이오드(D2) (D3)및 콘덴서(C3-C6), 상기 직류전압(V3) (V4)을 입력신호로 하며 마이콤에서 출력하는 픽쳐온신호(PO)에 의해 동작제어되는 계전기구동부)(1), 이 계전기구동부(1)를 통해 출력되는 B+전원전압에 의해 동작제어되어 상기 직류전압(V4)을 스타트 전압(SB+)으로 출력되는 스타트 전압구동부 (3)로 된 회로에 있어서, 상기 계전기 구동부(1)에서 출력되는 B+전원전압을 분압시키는 분압저항(R5) (R6), 이 분압저항(R5) (R6)을 통한 분압전압이 인가되는 콘덴서(C2), 역방향 제너다이오드(ZD1) 및 바이어스저항(R7), 그리고 상기 역방향제너다이오드 (ZD1)의 출력에 의해 동작제어되어 상기 계전기구동부(1)로 입력되는 상기 픽쳐온 신호 (PO)를 접지로 바이패스시키는 트랜지스터(Q2)로 된 과전압보호부(2)가 구비되어 있다.SMPS (SP), diodes (D2) (D3) and capacitors (C3-C6) for rectifying and smoothing the output voltage (V1) (V2) output from this SMPS (SP) and converting them into direct-current voltage (V3) (V4). ), The relay drive unit (1) which is controlled by the picture-on signal (PO) output from the microcomputer as the input signal, and the B + power supply output through the relay drive unit (1). In a circuit comprising a start voltage driver (3) which is operated by a voltage and outputs the DC voltage (V4) as a start voltage (SB +), a voltage divider for dividing the B + power supply voltage output from the relay driver (1). (R5) (R6) of the capacitor (C2), the reverse zener diode (ZD1) and the bias resistor (R7), and the reverse zener diode (ZD1) to which the divided voltage through the voltage divider (R5) and (R6) is applied. The picture-on signal PO input to the relay driving unit 1 by operation control by an output is bypassed to ground. Key is provided with an overvoltage protection unit (2) to the transistor (Q2).
이와 같이 구성되는 본 고안에 있어서, SMPS에서 출력된 출력전압(V1) (V2)이 다이오드(D2) (D3)및 콘덴서(C3-C6)를 통해 정류 및 평활되고, 이렇게 정류 및 평활된 직류전압(V3) (V4)이 계전기 구동부(1)내의 계전기(RY1)의 코일(RL) 및 접점(RC)에 각각 인가된다.In the present invention configured as described above, the output voltage (V1) (V2) output from the SMPS is rectified and smoothed through the diodes (D2) (D3) and the capacitor (C3-C6), and thus the rectified and smoothed DC voltage (V3) (V4) is applied to the coil RL and the contact RC of the relay RY1 in the relay driver 1, respectively.
이때, 상기 직류전압(V4)이 스타트전압구동부(3)내의 트랜지스터(Q3)의 콜렉터에 인가된 상태에서, 마이콤에서 ˝하이˝레벨의 픽쳐온신호(PO)가 출력되어 계전기 구동부(1)내의 바이어스저항(R2)R3)을 통해 계전기 구동용 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되면, 이 트랜지스터(Q1)가 도통되고 이에 따라 계전기(RY1)의 코일(RL)에 전류가 흘러 이 계전기(RY1)가 구동됨으로써 계전기(RY1)의 접점(RC)이 ˝온˝된다. 따라서, 직류전압(V3)이 계전기(RY11)의 접점(RC )을 통해 B+전원으로 출력되는데, 이 B+전원은 스타트전압 구동부(3)내의 바이어스저항(R8) 및 전압제한용 제너다이오드(ZD2)를 통해 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되어 이 트랜지스터(Q3)를 도통시키게 된다. 이에의해 SMPS(SP)의 출력전압(V1)을 정류 및 평활한 직류전압(V4)이 트랜지스터 (Q3)를 통해 스타트전압(SB+)으로 출력되는 정상동작 상태가 된다. 이와같은 상태에서 SMPS(SP) 1차측 교류전압의 불안정한 요인에 의하여 SMPS(SP)의 2차측에 과전압이 유기되어 출력될 경우에는 계전기(RY11)의 접점(RC)을 통해 출력되는 B+전원전압, 즉 과전압이 과전압보호부(2) 내의 분압저항(R5) (R6)에 인가되어 분압되며, 이 분압된 과전압은 제너다이오드(ZD1)의 역방향도통(즉, 왕복)전압보다 높기 때문에 이 제너다이오드(ZD1)가 도통되는데, 이에의해 트랜지스터(Q2)의 베이스로는 이 트랜지스터(Q2)의 베이스-에미터간 도통전압보다 큰 전압이 인가되어 트랜지스터(Q2)가 도통된다.At this time, in the state where the DC voltage V4 is applied to the collector of the transistor Q3 in the start voltage driver 3, the picture-on signal PO of the high level is output from the microcomputer and the relay driver 1 is output. When applied to the base of the relay driving transistor Q1 via the bias resistors R2 and R3, the transistor Q1 is turned on and current flows through the coil RL of the relay RY1, thereby relaying the relay RY1. Is driven, the contact RC of the relay RY1 is turned on. Accordingly, the DC voltage V3 is output to the B + power supply through the contact RC of the relay RY11, which is supplied to the bias resistor R8 and the voltage limiter zener diode ZD2 in the start voltage driver 3. Is applied to the base of the transistor Q3 to conduct the transistor Q3. As a result, the DC voltage V4 rectified and smoothed to the output voltage V1 of the SMPS SP is outputted to the start voltage SB + through the transistor Q3. In such a state, when overvoltage is induced and output to the secondary side of the SMPS SP due to an unstable factor of the primary voltage of the SMPS SP, the B + power supply voltage output through the contact RC of the relay RY11, That is, the overvoltage is applied to the divided resistors R5 and R6 in the overvoltage protection unit 2 to divide the divided voltage, and the divided voltage is higher than the reverse conduction (ie, round trip) voltage of the zener diode ZD1. ZD1 is conducted, whereby a voltage greater than the base-emitter conduction voltage of the transistor Q2 is applied to the base of the transistor Q2 so that the transistor Q2 is conducted.
따라서, 계전기 구동부(1)내의 트랜지스터(Q1)의 베이스가 도통상태의 트랜지스터(Q2)에 의해 접지전위로 되어 픽쳐온신호(PO)가 접지로 흐르게 됨으로써, 트랜지스터(Q1)가 ˝오프˝되고, 이에 의해 계전기(RY1)의 코일(RL)에 전류가 흐르지 않게 됨으로써 이 계전기(RY1)의 접점(RC)이 ˝오프˝되어 B+전원공급이 차단된다. 따라서, 스타트전압 구동부(3)내의 트랜지스터(Q3)의 베이스 전위도 ˝로우˝레벨로 되어 이 트랜지스터(Q3)가 ˝오프˝됨에 따라 스타트전압(SB+)공급도 차단시켜 주게 됨으로써 과전압에 의한 트랜지스터(Q3)의 파손을 방지하게 된다.Therefore, the transistor Q1 is turned off by causing the base of the transistor Q1 in the relay driver 1 to be grounded by the transistor Q2 in the conducting state, and the picture-on signal PO flows to the ground. As a result, no current flows in the coil RL of the relay RY1, so that the contact RC of the relay RY1 is turned off and the B + power supply is cut off. Accordingly, the base potential of the transistor Q3 in the start voltage driver 3 is also at a low level, and as the transistor Q3 is turned off, the start voltage SB + is also cut off, thereby over-pressing the transistor ( Q3) prevents damage.
이와 같이 본 고안은 간단한 회로구성으로 SMPS를 이용한 전원회로에 과전압입력시 출력전원을 차단시켜줌으로써 과전압에 의한 부품의 손상을 방지할 수 있는 유용한 고안이다.In this way, the present invention is a useful circuit that can prevent the damage of the component due to the overvoltage by cutting the output power when the overvoltage input to the power circuit using the SMPS with a simple circuit configuration.
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KR2019880009350U KR920000769Y1 (en) | 1988-06-18 | 1988-06-18 | Over voltage protection circuit |
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KR2019880009350U KR920000769Y1 (en) | 1988-06-18 | 1988-06-18 | Over voltage protection circuit |
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KR900002039U KR900002039U (en) | 1990-01-19 |
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Family Applications (1)
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KR2019880009350U KR920000769Y1 (en) | 1988-06-18 | 1988-06-18 | Over voltage protection circuit |
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- 1988-06-18 KR KR2019880009350U patent/KR920000769Y1/en not_active IP Right Cessation
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