Claims (2)
다각형으로 형성된 공구본체(Ⅰ)의 각부상면(角部上面)에 적삭날부재(2)를 설치하여 이루어지며, 전기한 절삭날부재는, 초경합금 등의 고경도 소결체와, 다이아몬드나 입방정계 질화붕소 등을 주성분으로 하여 소결되는 초고경도 소결체를 층형상으로 형성한 것으로, 상기한 초고경도소결체를 전기한 공구본체(1)의 주면(周面)에 향해서 공구본체에 납땜되어 있고, 최소한 전기한 초고경도소결체의 상면에 표면조도가 0.5S 이상 3.0S 이하의 칩브레이커가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 드로우어웨이팁.The red cutting edge member 2 is provided on the upper surface of each part of the tool body I formed by polygon, and the cutting edge member mentioned above is a high hardness sintered compact, such as a cemented carbide, and a diamond or cubic boron nitride. An ultra-high hardness sintered body which is sintered as a main component, etc., is formed in a layered form, and is soldered to the tool body toward the main surface of the tool body 1 in which the ultra-high hardness sintered body is described above. A drawaway tip having a chip breaker having a surface roughness of 0.5 S or more and 3.0 S or less formed on an upper surface of a hardness sintered body.
다각형으로 형성된 공구본체(1)의 각부상면에 절삭날(2)를 설치하여 이루어지며, 전기한 절삭날부재(2)는 초경합금등의 고경도소결체와, 다이아몬드나 입방정계 질화붕소 등을 주성분으로 하여 소결되는 초고경도소결체등을 층형상으로 형성한 것이고, 전기한 초경도소결체를 전기한 공구본체의 주면에 향해서 공구본체에 납땜되어 있고, 최소한 상기한 초경도소결체의 상면에 칩브레이커(5)가 형성되며, 이 칩브레이커(5)의 표면조도는, 그 칩브레이커의 폭에 대하여 절삭날로부터 최소한 5% 이상 50% 이하의 폭부문이 0.8S이하로 형성되고, 그 이외의 부분이 0.5S 이상 3.0S 이하로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 드로우어웨이팁.The cutting edge member 2 is provided on the upper surface of each part of the tool body 1 formed in a polygon, and the cutting edge member 2 is composed of a high hardness sintered body such as cemented carbide and diamond or cubic boron nitride. The ultra-hard sintered body to be sintered to form a layered shape, the super-hard sintered body is soldered to the tool body toward the main surface of the electric tool body, the chip breaker (5) The surface roughness of the chipbreaker 5 is at least 5% and 50% or less in width section from the cutting edge with respect to the width of the chipbreaker, and the other portion is 0.5S or less. A drawaway tip, characterized in that formed in more than 3.0S.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.