KR910001427Y1 - Oscillating circuit - Google Patents
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Abstract
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Description
도면은 본 고안의 일실시예를 도시한 회로도이다.Figure is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
OSC : 여진 회호 TR : 발진용 트랜지스터OSC: Excitation signal TR: Oscillation transistor
10 : 공진 회로 LCF : 로우커트필터10: resonant circuit LCF: low cut filter
D : 가변용량 다이오드D: variable capacitance diode
본 고안은 발진 회로, 예컨대 UHF 대나 VHF대의 FM 방송 신호의 수신을 가능케하는 라디오 수신기의 국부 발진 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a local oscillation circuit of a radio receiver which enables the reception of an oscillating circuit such as an FM broadcast signal of a UHF band or a VHF band.
일반적으로 라디오 수신기의 국부 발진 회로는 발진용 트랜지스터의 콜랙터와 발진 주파수를 바꾸는 직렬접속의 가변 용량소자 및 패딩 콘덴서에 인덕터 코일을 병렬 접속하여 구성한 공진 회로를 콘덴서로 커플링하고, 또 공진회로와 접지 사이에는 접지 저항을 접속하고 있다. 그리고, 공진 회로와 발진용 트랜지스터의 베이스 사이에는 커플링 콘덴서를 접속하고 있다.In general, a local oscillation circuit of a radio receiver couples a resonant circuit formed by connecting an inductor coil in parallel to a collector of an oscillation transistor and a variable capacitance element and a padding capacitor of series connection which change oscillation frequency, and a resonant circuit and A grounding resistor is connected between grounds. A coupling capacitor is connected between the resonance circuit and the base of the oscillation transistor.
이러한 종래의 발진 회로는 공진 회로의 가변 저항 용량 소자에의 인가 전압을 변화시킴으로써, 가변 용량소자의 용량을 변화시키고, 이것에 의하여 국부 발진 회로의 발진 주파수를 바꾸고 있었다.In such a conventional oscillation circuit, the capacitance of the variable capacitor is changed by changing the voltage applied to the variable resistive capacitor of the resonance circuit, thereby changing the oscillation frequency of the local oscillation circuit.
상기한 종래의 국부 발진 회로의 경우, 콘덴서와 저항 소자등, 회로 소자의 정수를 정하는 설계에 있어서, 공진 회로와 접지 사이에 접속된 저항은 공진 회르의 임피던스를 높아지게 하고, 공진 회로의 선택도를 Q에 영향을 주지 않을 정도의 크기, 예컨대 수 ㏀으로 설정하고 있었다.In the case of the conventional local oscillation circuit described above, in the design for determining the constants of circuit elements such as a capacitor and a resistance element, the resistance connected between the resonance circuit and the ground increases the impedance of the resonance circuit and increases the selectivity of the resonance circuit. The size was set so as not to affect Q, for example, several microseconds.
또한, 발진용 트랜지스터의 콜렉터와 공진 회로 사이의 커플링 콘덴서의 용량은, 공진 회로와 발진용 트랜지스터의 베이스 사이의 커플링 콘덴서의 용량에 비하여 충분한 크기, 예컨대 0.01-0.1 μF 정도로 설계하고 있었다. 그 결과 발진용 트랜지스터의 콜렉터 측에 있어서의 커플링 콘덴서와 저항으로 구성되는 로우커트필터는 통상 20-200Hz 정도의 커트오프 주파수로 되어 있다. 이와같은 종래의 국부 발진 회로로 발진시키면, 예컨대 트랜지스터의 콜렉터에 이른바 1/f 노이즈(저주파 성분)가 발생하는데 이 1/f 노이즈는 콜렉터와 공진 회로 사이의 로우커트필터로는 억압되지 않고, 공진 회로의 가변 용량 다이오드에 인가되어, 그 동조 전압을 변동시킨다. 따라서, 국부 발진 주파수의 S/N의 열화를 초래하고 있다.In addition, the capacitance of the coupling capacitor between the collector of the oscillation transistor and the resonance circuit was designed to have a sufficient size, for example, 0.01-0.1 μF, compared to the capacitance of the coupling capacitor between the resonance circuit and the base of the oscillation transistor. As a result, the low cut filter composed of the coupling capacitor and the resistor on the collector side of the oscillation transistor has a cutoff frequency of about 20-200 Hz. When oscillating with such a conventional local oscillation circuit, for example, so-called 1 / f noise (low frequency component) is generated in the collector of the transistor, and this 1 / f noise is not suppressed by the low cut filter between the collector and the resonant circuit. It is applied to the variable capacitor diode of the circuit to vary its tuning voltage. Therefore, the S / N of the local oscillation frequency is deteriorated.
본 고안은 상기의 결점을 제거시킨 것으로서, 발진용 트랜지스터의 콜렉터에 발생하는 1/f노이즈등이 공진회로의 가변 용량 소자에 인가되지 않도록 하여 국부 발진 주파수의 S/N를 개선한 것이다.The present invention eliminates the above drawbacks and improves the S / N of the local oscillation frequency by preventing 1 / f noise or the like generated in the collector of the oscillation transistor from being applied to the variable capacitor of the resonant circuit.
본 고안의 발진 회로는, 발진 주파수를 생성하는 여진 회로의 발진용 트랜지스터의 콜렉터와 발진 주파수를 결정하는 공진 회로와의 사이를 콘덴서에 의하여 커플링하고, 이 콘덴서와 상기 공진 회로와의 접속점을 접지하는 접지 저항 및 상기 콘덴서로 구성되는 로우 커트필터의 커트오프 주파수를 가청 주파수대 이상으로 설정함으로써. 상기 발전기의 발진 주파수가 상기 발진용 트랜지스터의 콜렉터에 발생하는 노이즈에 변조를 받지 않도록 한 것이다.In the oscillation circuit of the present invention, a capacitor is coupled between a collector of an oscillation transistor for generating an oscillation frequency and a resonance circuit for determining an oscillation frequency by a capacitor, and the connection point between the capacitor and the resonance circuit is grounded. By setting the cut-off frequency of the low cut filter comprised of the ground resistance and the said condenser to more than an audible frequency band. The oscillation frequency of the generator is such that it is not modulated by noise generated in the collector of the oscillation transistor.
발진용 트랜지스터의 콜렉터와 공진 회로 사이를 커플링 하는 콘덴서와 거기에 이 콘덴서와 공진 회로와의 접속점을 접지 사이에 접속한 접지 저항에 의하여 구성한 로우 커트 필터는 가청 주파수대 이상의 충분히 높은 커트오프 주파수를 가지고, 발진용 트랜지스터의 콜렉터에 나타나는 노이즈가 공진 회로의 가변 용량 다이오드에 인가되지 않도록 하여 S/N을 개선한다.The low cut filter constituted by a capacitor coupled between the collector of the oscillation transistor and the resonant circuit and a grounding resistor connected between the capacitor and the resonant circuit between the grounds has a sufficiently high cutoff frequency above the audible frequency band. S / N is improved by preventing noise appearing in the collector of the oscillation transistor from being applied to the variable capacitor diode of the resonant circuit.
이하, 본 고안의 일실시예에 대하여, 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도면에서, OSC는 여진 회로인데, 이 여진 회로 OSC는 에미터가 접지된 발진용 트랜지스터(TR), 이 트랜지스터(TR)의 베이스와 접지 사이 및 콜렉터와 접지 사이에 각각 접속된 귀환용 콘덴서(C1),(C2), 트랜지스터(TR)의 콜렉터와 베이스 사이의 직류 바이어스용 저항(R1), 트랜지스터(TR)의 콜렉터와 전원 +B간의 부하 저항 R2로 구성되어 있다. (10)은 공진 회로이고. 이 공진 회로(10)는 직렬 접속의 가변 용량 다이오드(D)와 패딩 콘덴서(C3)에 대하여 동조 코일(L)을 병렬 접속하여 구성하고 있다. 공진회로(10)의 일단은 커플링 콘덴서(C4)를 개재하여, 여진 회로 OSC의 발진용 트랜지스터(TR)의 콜렉터에 접속되어 있다. 또,공진 회로(10)의 상기 일단은 접지용 저항(R3)을 개재하여 접지하고 있다. 공진 회로(10)의 타단은 커플링콘덴서(C5)를 개재하여 여진 회로(OSC)의 발진용 트랜지스터(TR)의 베이스에 접속되어 있다, (11)은 동조전압이 인가되는 입력 단자이고, 이 입력 단자(11)는 입력 저항(R4)을 개재하여 공진회로(10)의 가변용량 다이오드(D)와 패딩 콘덴서(C3)간의 접슥점에 접속되어 있다.In the figure, OSC is an excitation circuit, which is an oscillation transistor TR having an emitter grounded, a feedback capacitor C connected between the base and ground of the transistor TR and between the collector and ground, respectively. 1 ), (C 2 ), the resistor R 1 for direct current bias between the collector and base of the transistor TR, and the load resistance R 2 between the collector of the transistor TR and the power supply + B. 10 is a resonant circuit. The resonant circuit 10 is configured by connecting the tuning coil L in parallel with the variable capacitance diode D and the padding capacitor C 3 in series connection. One end of the resonant circuit 10 is connected to the collector of the oscillation transistor TR of the excitation circuit OSC via the coupling capacitor C 4 . The one end of the resonant circuit 10 is grounded via a grounding resistor R 3 . The other end of the resonant circuit 10 is connected to the base of the oscillation transistor TR of the excitation circuit OSC via the coupling capacitor C 5 , and 11 is an input terminal to which a tuning voltage is applied. The input terminal 11 is connected to the contact point between the variable capacitor diode D and the padding capacitor C 3 of the resonant circuit 10 via the input resistor R 4 .
공진 회로(10) 및 여진 회로(OSC) 사이에 접속한 커플링 콘덴서(C4)와, 공진 회로(10) 및 커플링콘덴서(C4)의 접슥점과 접지 사이에 접속한 접지 저항(R3)은 로우커트 필터(LCF)를 구성하고 있다. 이 로우커트 필터(LCF)의 커트 오프 주파수는 가청 주파수대의 수배, 예컨대 3-10배 정도가 되는 곳에 설정한다. 이때, 커플링 콘덴서(C4)와 커플링 큰덴서(C4)와의 관계는 C4 C의 관계로 한다.Coupling capacitor C 4 connected between resonant circuit 10 and excitation circuit OSC, and grounding resistor R connected between the contact point of resonant circuit 10 and coupling capacitor C 4 and ground. 3 ) constitutes a low cut filter (LCF). The cut-off frequency of this low cut filter LCF is set to several times, for example, about 3-10 times of an audible frequency band. At this time, the relationship between the coupling capacitor (C 4) and coupling a large condenser (C 4) is C4 Let's assume C relationship.
또, 접지 저항(R3)은 커플링 콘덴서(C4)를 개재하어 발진용 트랜지스터(TR)의 콜렉터 부하가 되는데. 이것을 경감하기 때문에 그 하한이 제한된다, 저항(R3)은 최저 주파수측의 발진 안정의 균형도 있어 약 10K-100㏀정도가 좋다.In addition, the ground resistor R 3 is a collector load of the oscillation transistor TR via the coupling capacitor C 4 . Since the lower limit is limited, the resistance (R 3 ) has a balance of oscillation stability on the lowest frequency side, and is preferably about 10K-100 Hz.
입력 단자(11)의 입력 동조 전압을 변화시키면, 이에 수반하여 가변 용량 다이오드(D)의 용량이 변화한다. 이 변화는 공진 회로(10)의 공진 주파수를 바꾸어 국부 발진 회로의 발진 주파수를 바꾼다. 그런데, 전술한 발진용 트랜지스터(TR) 의 콜렉터에 나타나는 노이즈는 가청 주파수대에 있다. 발진용 트랜지스터(TR) 의 콜렉터에 발생한 이 노이즈는 로우커프 필터 LCF가 가청 주파수 대보다 충분히 높은 커트 오프 주파수를 가지므로 거기에는 억압되지만, 공진 회로(10)의 가변용량 다이오드(D)에는 인가되지 않는다. 즉, 로우커트 필터 LCF는 가변용량 다이오드(D)로부터 발진용 트랜지스터(TR)의 콜렉터에 대해서는 고주파 대역에서 충분한 로우임피던스를 나타내는데, 발진용 트랜지스터의 콜렉터에서 가변 용량 다이오드(D)를 보았을때 가청 대역에서 충분히 하이 임피던스를 나타내고 있다. 이것에 의하여 발진용 트랜지스터(TR)의 콜렉터에 발생한 노이즈를 가변 용량 다이오드(D)에 인가하지 않고 S/N의 개선이 가능하다.When the input tuning voltage of the input terminal 11 is changed, the capacitance of the variable capacitor diode D changes with this. This change changes the oscillation frequency of the local oscillation circuit by changing the resonance frequency of the resonance circuit 10. By the way, the noise which appears in the collector of the oscillation transistor TR mentioned above exists in an audible frequency band. This noise generated in the collector of the oscillation transistor TR is suppressed therein because the low cuff filter LCF has a cutoff frequency sufficiently higher than the audible frequency band, but is not applied to the variable capacitance diode D of the resonant circuit 10. . That is, the low cut filter LCF exhibits a sufficient low impedance in the high frequency band from the variable capacitance diode D to the collector of the oscillation transistor TR. When the variable capacitance diode D is viewed from the collector of the oscillation transistor D, the audible band is applied. Indicates a sufficiently high impedance. As a result, the S / N can be improved without applying noise generated in the collector of the oscillation transistor TR to the variable capacitor diode D. FIG.
이상 기재한 바와같이, 본 고안의 발진 회로에 의하면, 발진용 트렌지스터에 발생하는 노이즈에 의한 S/N의 열화를 방지할 수 있다.As described above, according to the oscillation circuit of the present invention, deterioration of S / N due to noise generated in the oscillation transistor can be prevented.
Claims (2)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP1986157096U JPS6364139U (en) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019870017513U KR910001427Y1 (en) | 1986-10-14 | 1987-10-14 | Oscillating circuit |
Country Status (2)
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1986
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- 1987-10-14 KR KR2019870017513U patent/KR910001427Y1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
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| KR880008835U (en) | 1988-06-30 |
| JPS6364139U (en) | 1988-04-27 |
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