KR910000754B1 - Television picture tube with aperture mask having recess therein - Google Patents
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- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 텔레비젼 어퍼춰 마스크(aperture mask)의 가시선개구(加視線開口)의 단선(single line)을 나타낸 사시도.1 is a perspective view showing a single line of a visible line opening of a television aperture mask.
제2도는 제1도의 가시선개구의 평면도 또는 콘(cone)측면도.2 is a plan view or cone side view of the visible line opening of FIG.
제3도는 제1도의 가시선개구저면도 또는 경사측면도.3 is a visible line opening bottom view or inclined side view of FIG.
제4도는 텔레비젼수상관의 횡단면도.4 is a cross-sectional view of a television receiver.
제5도는 어퍼춰마스크와 텔레비젼수상관의 부분측면도.5 is a partial side view of the aperture mask and the television receiver.
제6도는 어퍼춰마스크와 텔레비젼튜브의 부분측단면도.6 is a partial side cross-sectional view of an aperture mask and a television tube.
제7도는 다수의 개구를 가진 어퍼춰마스크의 정면개략도.7 is a front schematic view of an aperture mask having a plurality of openings.
제8도는 텔레비젼수상관의 어퍼춰마스크의 다른 예시도(alternate view).8 is another alternate view of the aperture mask of a television receiver.
제9도는 어퍼춰마스크의 중심부개구의 확대콘측면도.9 is an enlarged side view of the central opening of the aperture mask.
제10도는 제9도의 어퍼춰마스크의 확대경사측면도.10 is an enlarged side view of the aperture mask of FIG.
제11도 내지 제15도는 제9도의 절단선에 따라 취한 선택단면도.11 to 15 are cross-sectional views taken along the cutting line of FIG.
제16도는 캐피틀(Capital) H형상에칭기술에 의한 레지스트패턴(resist pattern)도.Fig. 16 is a resist pattern diagram by the Capacitor H shape etching technique.
제17도는 그 어퍼춰마스크의 서로 다른 위치에서 캐피틀 H형상에칭기술에 의한 레지스트패턴도.Fig. 17 is a resist pattern diagram of the capacitive H-etching technique at different positions of the aperture mask.
제18도는 캐피틀 H형상 및 I형상의 에칭기술이 결합함에 따라 얻어진 어퍼춰개구를 제조하는 레지스트패턴도.Fig. 18 is a resist pattern diagram for manufacturing the aperture opening obtained by combining the etching techniques of the capillary H shape and the I shape.
제19도는 어퍼춰의 콘측확대단면도.19 is an enlarged sectional view of the cone side of the aperture.
제20도는 제19도의 어퍼춰경사측 확대단면도.20 is an enlarged cross-sectional view of the aperture inclination side of FIG.
제21도 내지 제25도는 제19도의 절단선에 따라 취한 선택단면도.21 to 25 are selected cross-sectional views taken along the cutting line of FIG.
제26도는 어퍼춰의 콘측의 확대도.Fig. 26 is an enlarged view of the cone side of the aperture.
제27도는 제26도의 어퍼춰의 경사측확대도.FIG. 27 is an enlarged view of the inclination of the aperture of FIG. 26. FIG.
제28도 내지 제32도는 제26도의 절단선에 따라 취한 선택단면도이다.28 to 32 are selected cross-sectional views taken along the cut line of FIG.
* 도면의 주면부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols on the main surface of the drawing
10 : 어퍼춰마스크(aperture mask) 10A : 콘측면(cone side)10: aperture mask 10A: cone side
10B : 경사측면(grade side) 15 : 리세스(recess)10B: grade side 15: recess
11,11A : 단부(edges) 12,12A,12B,12C : 가장자리(edges)11,11A:
14A,16A : 단가장자리(end edges)14A, 16A: end edges
14,16 : 하부절삭면(undercut surface)14,16: undercut surface
T : 어퍼춰마스크의 두께 A : 하부절삭길이T: Thickness of Aperture Mask A: Lower Cutting Length
θ : 합주절삭각 T1 : 잔류재료두께θ: Ensemble cutting angle T1: Residual material thickness
30 : 텔레비젼수상관 31 : 포위체(enclosure)30: Television receiving center 31: Enclosure
33 : 프롱(prong) 34 : 면판33: prong 34: face plate
35 : 접속코일 37 : 편향코일(deflection coil)35: connection coil 37: deflection coil
39 : 면판(face plate) 47 : 개구39
48 : 어퍼춰마스크 40,41,42 : 인스트립(phosphor strip)48:
45 : 콘측면 45A : 리세스(제5도)45:
53,54 : 가장자리표면(edge surfaces) 50 : 타이바(tie bar)53,54: edge surfaces 50: tie bar
50A : 콘측면표면 50B : 경사측면표면50A: cone side surface 50B: inclined side surface
51 : 하부내부표면 52 : 상부내부표면51: lower inner surface 52: upper inner surface
44 : 콘측면표면 45 : 콘측면표면44: cone side surface 45: cone side surface
70 : 어퍼춰마스크 71 : 중심부70: aperture mask 71: center
72 : 중간어퍼춰마스크영역 73 : 주변부72: middle aperture mask area 73: peripheral portion
75 : 개구 또는 어퍼춰75: opening or aperture
81 : 콘측면레지스트패턴(레지스트설편 : resistant tonque)81: cone side resist pattern (resist tongue: resistant tonque)
82 : 경사측면레지스트패턴(resist pattern)82: inclined side resist pattern
84 : 경사측면레지스트패턴 85 : 콘측면에칭레지스트패턴84: inclined side resist pattern 85: cone side etching resist pattern
b : 레지스트설편의 길이 b1,b2 : 오프세트(off set)b: length of resist tongue b1, b2: offset
1c : 개구길이 d : 리세스길이1c: opening length d: recess length
1g : 개구길이 e : 레지스트설편의 길이(내측길이)1g: opening length e: length of resist tongue (inside length)
Wc : 콘너비Wc: Connery
90 : 마스크부분 또는 가시선경계(제11도,제12도)90: mask portion or visible line boundary (figure 11, 12)
70g : 경사측면표면 70c : 콘측면표면70g: sloped surface 70c: cone surface
96 : 타이바표면 100 : 어퍼춰96: tie bar surface 100: aperture
104 : 측면가시선경계 101 : 마스크부분104: side line of sight boundary 101: mask portion
110 : 어퍼춰 102 : 마스크부분110: aperture 102: mask portion
111 : 측면경계표면 107 : 중첩영역111: side boundary surface 107: overlapping area
112 : 단부표면112: end surface
본 발명은 일반적으로 칼라텔레비젼수상관에 관한 것이다. 좀더 자세히 말하면 인스크린(phosphor screen)가까이 위치한 어퍼춰마스크일측에 다수의 가시선개구를 가진 어퍼춰마스크로 구성되어 있는 칼라텔레비젼수상관에 관한 것이다. 종래의 칼라텔레비젼수상관은 다수의 기지의 특허에서와 같이 오래전부터 알려져있다. 종래의 칼라텔레비젼 어퍼춰(aperture) 수상관의 대표적인 것으로는 미국특허 제2,690,518호(발명자 Fyler등)로서 그 수상관의 배면에 위치한 3개의 전자총을 가진 글라스튜브에 대하여 기재되어있다. 이 전자총은 엷은 금속시트로된 텔레비젼어퍼춰마스크 또는 새도우마스크(Shadow mask)에 전자비임을 직사하며, 글라스면판(glass face plate)은 그 수상관의 대향단에 위치되고 또 그 어퍼춰마사크에 인접되어 있다. 그리고 이 글라스판상에는 적색, 청색 및 녹색의 기본적인 3색으로 된 3개의 인도트(phospor dor) 또는 스트립(stripes)이 하나의 그룹으로 구성되어있다. 이 어퍼춰마스크개구는 인도트에 대하여 위치되어 있으므로 각 전자총에서 나온 전자의 마스크의 개구와 결합되어 있는 인도트 또는 인스트립에만 충돌된다.The present invention relates generally to color television water tubes. More specifically, it relates to a color television water pipe composed of an aperture mask having a plurality of visible openings on one side of an aperture mask near a phosphor screen. Conventional color television receivers have long been known as in many known patents. A representative example of a conventional color television aperture tube is US Patent No. 2,690,518 (Inventor Fyler et al.) Which describes a glass tube having three electron guns located on the back of the tube. The electron gun directs the electron beam onto a thin metal sheet TV aperture mask or shadow mask, and a glass face plate is located at the opposite end of the tube and on the aperture mask. Adjacent. On this glass plate are three groups of phospor dors or stripes of three basic colors: red, blue and green. Since the aperture mask opening is located with respect to the indot, it only collides with the indot or instrip engaged with the opening of the mask of the electron from each electron gun.
어퍼춰마스크에는 작은 구멍으로 정밀하게 에칭(etching)되는 문제가 발생되어 이 분야의 기술에서는 어퍼춰마스크의 한표면에 금속을 제거시키는 에칭공정에 대해서 연구개발되고 있다. 유효한 이와같은 처리공정은 이 어퍼춰마스크의 각 부분에서 더 엷은 박편을 구성하도록 하여 이 박편이 더 엷어지므로 엷지않은 박편을 가진 어퍼춰마스크에 대항하여 있는 어퍼춰마스크의 박편에는 더 작은 개구가 정밀하게 에칭될 수 있다. 이와같은 에칭된 어퍼춰마스크에는 대부분의 금속이 제거된 측면을 콘측면(cone side)으로하고 그 대향축을 경사측면으로 한다. 이와같은 결과 에칭된 개구의 형상으로 인하여 그 어퍼춰마스크의 경사측면은 인스크린방향의 콘측면을 가진 전자총쪽으로 위치되어 있다. 칼라텔레비젼수상관으로 사용되는 각종의 어퍼춰마스크에는 미국특허 제3,883,770호(yamada 등)에서와 같은 가느다란 슬롯(slot)를 가진 슬롯마스크가 있다. 이 미국특허 제3,883,770호에는 이 슬롯사이에 위치한 브리지(bridge) 또는 타이바(tie bar)가 있는 일연의 가느다란 슬롯을 나타내고 있어 그 마스크의 구조강도를 제공한다. 이 브리지 또는 타이바는 인스크린에 대향한 콘측면을 가진 전자총과 대향한 어퍼춰마스크의 경사측면상에 위치되어 있다. 또 미국특허 제3,809,945호(발명자 Roeder)에서는 사용에 따라 어퍼춰마스크의 주연상에서 부분적으로 에칭되어 다수의 대립열위치(row)를 추가로 갖게하는 어퍼춰마스크를 나타내고 있어 그 어퍼춰마스크에 중간항복강도(intermediate yield strength)를 제공한다.There is a problem in the aperture mask that is precisely etched into small holes, and the art is researching and developing an etching process for removing metal on one surface of the aperture mask. This effective treatment process allows thinner flakes to be formed in each part of the aperture mask so that the flakes become thinner, so that smaller openings are precisely placed in the flakes of the aperture mask against the aperture mask with the thinner flakes. Can be etched. In such an etched aperture mask, the side from which most of the metal is removed is used as the cone side, and the opposite axis thereof is the inclined side. As a result of this, due to the shape of the etched opening, the inclined side of the aperture mask is positioned toward the electron gun with the cone side in the in-screen direction. Various aperture masks used as color television receivers include slot masks with thin slots as in US Pat. No. 3,883,770 (yamada et al.). This US Pat. No. 3,883,770 shows a series of thin slots with bridges or tie bars located between the slots to provide structural strength of the mask. This bridge or tie bar is located on the inclined side of the aperture mask opposite the electron gun with the cone side facing the in-screen. In addition, U.S. Patent No. 3,809,945 (Inventor Roeder) shows an aperture mask that is partially etched on the periphery of the aperture mask as it is used, thereby allowing the addition of a large number of opposing rows. Provide intermediate yield strength.
또, 종래의 어퍼춰마스크의 다른 종류는 미국특허 제3,787,939호(발명자 Tomita)에 기재되어 있는바, 이 특허에서는 대향측면에서 에칭되는 두 어퍼춰마스크를 나타내고 있다. 이 특허(제1도)에서는 그 어퍼춰마스크의 경사측면의 개구를 통하여 발사된 전자비임의 작동위치를 나타내고 있다. 각 구멍의 형상은 더 큰 직경의 콘의 절단체(frustum)형상으로 인스크린과 인접된 측면상에 있다. 미국특허 제4,168,450호(발명자, Yamuchi등)에서는 어퍼춰마스크를 나타내고 있는바, 이 어퍼춰마스크에는 타이바 또는 브리지가 θ각도로 형성되어있어 브리지의 중심돌출부가 전자비임을 차단하도록 구성되어 있다. 인패턴(phospor pattem)을 커버하는 방법은 미국특허 제3,770,434호(발명자 Law)에 기재되어 있는바, 여기서는 그 어퍼춰마스크의 대향측면상에 코팅재료를 사용하고 있다.Another type of conventional aperture mask is described in US Patent No. 3,787,939 (inventor Tomita), which shows two aperture masks which are etched on opposite sides. This patent (FIG. 1) shows the operating position of the electron beam emitted through the opening of the inclined side of the aperture mask. The shape of each hole is on the side adjacent to the in-screen in the shape of a frustum of larger diameter cones. U.S. Patent No. 4,168,450 (Inventor, Yamuchi, etc.) shows an aperture mask, which has a tie bar or a bridge formed at an angle of θ so that the center projection of the bridge blocks the electron beam. The method for covering the phosphor pattern is described in US Pat. No. 3,770,434 (Inventor Law), where a coating material is used on the opposite side of the aperture mask.
상기 종래의 텔레비젼수상관발명에 있어서, 특히 가느다란 슬롯을 이용한 상기 종래의 발명에 있어서는 전자총과 대향하고 있는 경사측면과, 인스크린과 대향한 콘측면을 가진 어퍼춰마스크를 설치시켜 내부색(inferior color)을 발생하는 전자산란(electron scattering)을 최소화하는 기본공정으로 되어있다. 미국특허 제3,882,347호(발명자 Suzuki등)에서는 가느다란 슬롯이 있는 텔레비젼슬롯마스크가 도시되어 있다.In the conventional television receiver, in particular, in the conventional invention using a narrow slot, an aperture mask having an inclined side facing the electron gun and a cone side facing the in-screen is provided to provide an inferior color. It is a basic process to minimize electron scattering that generates color. U. S. Patent No. 3,882, 347 (inventor Suzuki et al.) Shows a television slot mask with a thin slot.
이 특허의 제4도에서는 글라스면판방향의 확대측면 또는 콘측면과 전자총 방향의 경사측면을 나타내고 있다. 또 이 특허 제2도에서는 타이바(tie bar) 또는 브리지(bridge)를 나타내고 있는바, 이 브리지가 콘측면 보다 경사측면방향으로 대향한 타이바의 넓은 부분을 가진 슬롯단부상에 위치되어 있다. 따라서, 본 발명은 전자총과 대향한 콘측면을 구성시켜 위치한 어퍼춰마스크를 가진 텔레비젼수상관을 구성하며, 가시선개구글 가진 그 어퍼춰마스크는 그 가시선개구경계선을 형성하는 어퍼춰마스크 대향측면의 면상부분에 의해 형성됨을 특징으로 하는 칼라텔레비젼수상관튜브의 개량을 제공한다. 그결과 얻어진 칼라텔레비젼수상관은 종래의 텔레비젼수상관보다 밝기(brightness)와 칼라순도(purity)가 더 우수한다.In FIG. 4 of this patent, the enlarged side surface in the glass surface plate direction or the cone side surface and the inclined side surface in the electron gun direction are shown. This patent also shows a tie bar or bridge, which is located on the slot end with a wider portion of the tie bar facing in the inclined side direction than the cone side. Accordingly, the present invention constitutes a television receiver having an aperture mask formed by forming a cone side facing the electron gun, the aperture mask having a visible line opening on the surface of an aperture mask facing side forming the visible line opening boundary line. It provides an improvement of the color television water tube tube, which is formed by the part. The resulting color television receiver has better brightness and purity than conventional television receivers.
이와같이 본 발명은 전자총에 대향하고 있는 경사측면이나 또는 콘측면을 가진 칼라텔레비젼수상관에 어퍼춰마스크를 부착할 수 있도록 한 것이다. 따라서, 본 발명은 다수의 가시선개구를 가진 어퍼춰마스크를 구비한 칼라텔레비젼수상관을 구성한다. 어 어퍼춰마스크는 가시선개구를 가진 재료시트로 구성되어 있고 이 가시선개구의 일부분은 콘측표면새제에 의해 부분적으로 구성되고 가시선개구단부의 나머지부분은 어퍼춰마스크의 위치에 따라 변화되는 어퍼춰개구의 크기와 형상을 가진 경사측면재에 의해 구성되어있다.As described above, the present invention allows the aperture mask to be attached to the color television water pipe having the inclined side or the cone side facing the electron gun. Accordingly, the present invention constitutes a color television water pipe having an aperture mask having a plurality of visible openings. The aperture mask consists of a sheet of material with visible openings, a portion of which is partly formed by the cone-side surface agent, and the remaining portion of the visible openings is changed according to the position of the aperture mask. It is composed of inclined side members of size and shape.
이하 첨부도면에 따라 본 발명을 구체화하면 다음과 같다.When embodying the present invention according to the accompanying drawings as follows.
제1도, 제2도 및 제3도에서 부호 10은 일반적으로 콘측면(10A)와 경사측면(10B)를 가진 일부분의 칼라텔레비젼의 어퍼춰마스크이다. 콘측면(10A)는 더 큰 개구 또는 리세스(15)가 설정되어 있으므로 콘측으로 하고 경사측면(10B)는 경사측으로 한다. 텔레비젼수상관의 어퍼춰마스크의 대표적인 사용에 있어서 경사측이 전자총과 대향하고 있는 반면에 큰측이 텔레비젼수상관과 대향하고 있다.
이와같은 타입의 위치설정으로 종래의 에칭마스크(etched mask) 대하여 가장좋은 영상을 제공한다. 어퍼춰마스크(10)의 콘측면(10A)와 경사측면(10B)로 구성된 양단부를 가진 가시선개구가 어퍼춰마스크(10)에 위치되어 있다. 어퍼춰마스크(10)의 콘측면(10A)의 평면에 모두 위치한 한쌍의 단부(11)과 (11A) 및 한쌍의 단가장자리(14A)와 (16A)에 의해 콘측면(10A)에 구성된 리세스(15)가 콘측면(10A)에 구성된 리세스(15)가 콘측면(10A)에 위치되어 있다. 단부(11)과 (11A)는 단가장자리(14A)와 (16A)에 연결되어 콘측면(10A)의 평면에서 하나의 폐경계(closed boundary)를 형성한다. 따라서, 단부(11,11A)와 단가장자리(14A 및 16A)가 콘측면(10A)를 가진 리세스(15)의 측벽으로 접합하여 구성한다.This type of positioning provides the best image for a conventional etched mask. A visible line opening having both ends composed of the cone side 10A and the inclined side 10B of the
리세스(15)의 측벽에는 하부절삭면(undercut surface)(14,16)을 갖고있어 이들의 하부절삭면은 각각 단가장자리(14A,16A)에 접속되어 있다. 하부절삭면(14,16)은 콘측면(10A)에서 하방향으로 절삭되고 또 단가장자리(14A와 16A)에서 경사측면(10B)의 외측반경방향으로 절삭되어 있다. 어퍼춰마스크(10)의 두께는 T로 나타내며 일반적으로 0.004"~0.008"의 범위에 있고, 하부절삭길이는 A로 나타낸다. 하부절삭각은 θ로 표시하며, 리세스(15)의 저면을 형성하는 잔류재료의 두께 T1은 어퍼춰마스크(10)의 두께보다 실제로 작다. 제3도(경사측면)에서 그 저면 또는 경사측면(10B)의 평면에 모두 위치한 가장자리(12A,12,12B 및 12C)에 의해 구성된 경사측면(10B)의 가느다란 슬롯을 개략적으로 나타낸 것이다. 가장자리(12 및 12A)는 직선형상인데 반하여 가장자리(12B 및 12C)는 곡면형상이다.The side walls of the
X-X선의 외측개구부는 곡면상의 가장자리(12B 및 12C)를 포함하고 있는 개구부로 구성되어있다. 어퍼춰마스크(10)을 관통하는 가시선개구가 종방향개구를 구성한 가장자리(12A 및 12)와 가시선개구의 황방향부분을 구성한 가장자리(14A 및 16A)에 의해 형성되어있다.The outer opening of the X-X ray is composed of an opening including
경사측면단면도(제3도)에서 가장자리(12 및 12A)도 역시 종방향개구를 구성하고 가장자리(14A 및 16A)는 가시선개구의 횡방향부분을 구성한다. 어퍼춰마스크(10)의 경사측면도가 어퍼춰마스크(10)의 콘측면도와 상이하나 어퍼춰마스크(10)를 관통하는 가시선개구는 동일하다. 두직선 X-X는 가느다란 슬롯의 양단부상에 위치하여있고 가장자리(12A 및 12C)의 직선 섹션과 가장자리(12B 및 12C)의 곡면(Curvature)사이의 분리점을 나타낸다. 이 구체적 실시예에서와 같이, 직선 X-X는 단가장지리(14A와 16A)의 외측면에 위치되어 있으로 어퍼춰마스크(10)의 가시선개구가 거의 구형코너(square corner)를 가진 한세트의 직선형가장자리로 구성되어 있음을 알수 있다.In the oblique side cross section (Fig. 3), the
곡면단(end)은 화학적에칭등의 절삭조작으로 하는데 특징이있다. 따라서, 경사측면(10B)가 가시선개구보다 실제로 더 긴 가느다란 개구를 나타내나, 하부절삭면(14,16)은 단가장자리(14A와 16A)에서 하부로 절삭하는 재료에 의해 형성되며 충분하게 깊숙히 돌출되어 가장자리(12B와 12C)가 어퍼춰마스크(10)를 관통하는 가시선개구의 경계면을 구성되지 않도록 한다.The curved end is characterized by cutting operations such as chemical etching. Thus, while the inclined side 10B exhibits a thinner opening that is actually longer than the visible line opening, the lower cutting surfaces 14, 16 are formed by the material cutting downwards at the
어퍼춰마스크의 가느다란 개구를 형성할 때 에칭처리공정으로 어퍼춰마스크(10)의 리세스(15)를 에칭시킨다. 이 에칭처리공정은 하방향절사면(14와 16)을 가진 리세스(15)를 구성할때까지 계속시키는데 그 특징이 있다. 하부절삭면의 크기 및 형상은 에칭액(etchant)의 량과 에칭시간에 의해 조절할 수 있고 일반적으로 통상의 기술자의 기술에 의해 처리할 수 있다. 일측면에 이레스(15)를 형성한 다음에 그 가느다란 개구가 그 대향측면에서 에칭된다.When forming the narrow opening of the aperture mask, the
필요에 따라 대향면콘측면과 경사측면(10A와 10B)상에 에칭액을 동시에 분무시킴으로써 그 리세스를 에칭시키는 동안에 그 가느다란 개구를 형성시킬 수 있다. 에칭시킨다음, 그 가느다란 슬롯은 제3도에서와 같이 반경방향의 코너(cormer)를 나타낸다. 이 가시선개구를 형상하는 처리공정, 즉 에칭처리공정은 그 에칭액이 두깨 T1의 재료를 통과할때까지 계속한다. 이 에칭액이 침투된후 에칭액을 제거시켜 가장자리(12A,12B,12C 및 12)로 구성된 가느다란 개구로 있도록 하는데 그 특징이 있다. 직선 X-X는 가느다란 개구의 반경방향의 부분으로 에칭작용에 의해 형성된다.If necessary, the thin openings can be formed during etching of the recess by spraying the etching solution on the opposite side cone side and the inclined side surfaces 10A and 10B simultaneously. After etching, the narrow slots exhibit radial corners as in FIG. The process of forming the visible line opening, that is, the etching process continues until the etchant passes through the material of T1. After the etching solution has penetrated, the etching solution is removed so as to have a narrow opening composed of the
제3도는 가느다란 개구의 반경부분가장자리(12B와 12C)가 리세스(15)와 하부절삭면(16)으로 돌출되어 있음을 나타낸다. 따라서, 어퍼춰마스크(10)의 반경코너로서 가장자리(12B와 12C)는 어퍼춰마스크(10)의 가시선개구의 일부분을 형성하지 않는다. 위에서 언급한 제품과 그 방법은 4각형상의 개구에 대해서 기술하였으나 종래의 기술로는 어렵고 불가능한 다른 가시선개구를 구성하기 위하여 위처리방법을 사용할 수 있음은 명백하다.3 shows that the
[실시예 1]Example 1
광투과의 개량을 설명하기 위하여 종래의 텔레비젼어퍼춰마스크를 에칭시켜 평행측면과 원형단부를 가진 가느다란 슬롯을 구성하였다. 이 슬롯의 크기는 다음과 같다.In order to explain the improvement of light transmission, a conventional television aperture mask was etched to form a narrow slot having a parallel side and a circular end. The slot size is as follows.
슬롯의 너비 175.2 마이크로미터(㎛)Slot width 175.2 micrometers (μm)
타이바 너비 145 마이크로미터Tie bar width 145 micrometers
슬롯의 길이 613 마이크로미터(최대크기)Slot length 613 micrometers (maximum size)
이 슬롯을 관통시켜 측정된 광투과는 17.7 단위로 측정되었다. 본 발명에 의해 어퍼춰마스크를 만들어 그 가시선개구를 제1,2 및 3도에 의해 거의 4각형 형상으로 하였다. 이 4각형상의 가시선개구의 크기는 다음과 같다.The light transmission measured through this slot was measured in 17.7 units. The aperture mask was made by this invention, and the visible line opening was made into substantially quadrangular shape by 1st, 2nd and 3rd degree. The size of this four-sided visible line opening is as follows.
슬롯의 너비 174.8 마이크로미터(㎛)Slot width of 174.8 micrometers (μm)
타이바 너비 144 마이크로미터Tie bar width 144 micrometers
슬롯의 길이 614 마이크로미터Slot length 614 micrometers
이 개구를 통과한 투과는 측정결과 18.36 단위 또는 광투과에서 약 4% 증가를 나타내었다. 그러나, 본 발명에 의한 제2어퍼춰마스크에 있어서, 두 구멍의 크기가 정확하게 동일하지 않기 때문에 그 영역의 보상으로 제2어퍼춰마스크는 실제로 약 6.5%의 더 큰 광투과용량을 갖고 있음을 나타내었다. 제4도에서 부호 30은 본 발명의 가시선어퍼춰마스크를 사용한 텔레비젼 수상관의 단면도를 나타낸다.Transmission through this aperture showed an increase of about 4% in 18.36 units or light transmission. However, in the second aperture mask according to the present invention, since the sizes of the two holes are not exactly the same, the compensation of the area indicates that the second aperture mask actually has a larger light transmission capacity of about 6.5%. It was. In Fig. 4,
이 텔리비젼수상관은 텔리비젼셋(set)의 전자를 부착시키는 기체(base)와 프롱(prongs)(33)을 가진 글라스제 포위체(enclosure)(31)로 구성되어있다. 전자비임을 집속(集束)시키는 집속코일(35)는 텔레비젼수상관의 목부분(neck) 외측에 위치하여 전자비임이 어퍼춰마스크(48)의 개구(47)을 관통할때 전자비임은 수렴(converge)한다. 어퍼춰마스크(48)을 통하여 전자비임을 소사(sweep : 接續)하는 편향코일(deflection coil)(37)이 집속코일(35)에 인접되어있다. 어퍼춰마스크(48)은 그 마스크내에 위치한 다수의 가느다란 개구(47)과 같이있다. 인스트립(phosphor strip)(40)이 가느다란 개구(47) 뒷면에 바로 위치하여있다.The television receiver consists of a glass enclosure (31) having a base and prongs (33) to which electrons of the television set are attached. A focusing
3개의 인스트립이 단면도에서 각 개구뒷면에 위치되어 있으나 다만 하나의 인스트립을 이 단면도에서 볼 수 있다. 이 인스트립은 기본적인 칼러, 즉 적색, 청색 및 녹색으로 구성되어 전자에 의하여 여기될 때 텔레비젼수상관(30)의 면판(39)상에 알맞은 칼러를 나타낸다.Three inlets are located behind each opening in the cross section, but only one ins can be seen in this cross section. This instrip consists of a basic color, i.e. red, blue and green, and exhibits a suitable color on the
본 발명에 의한 텔리비젼수상관의 작동을 설명하기 위하여 제5도 및 제6도를 들어 구체적으로 설명한다. 제5도 및 제6도는 각각 텔레비젼어퍼춰마스크와 텔레비젼수상관의 일부분의 평면도와 텔레비젼수상관의 측단면도를 타나낸다. 텔레비젼수상관의 글라스제 포위체 전면포위부분으로 면판은 부호 40,41 및 42를 가진 부호 39로 표시하며, 이들의 부호 40,41 및 42는 어퍼춰마스크(48)에 위치되어있는 가느다란 개구와 종방향으로 평행하게 구성된 적색, 청색 및 녹색의 인스트립으로 표시한다. 제7도는 일연의 가느다란 슬롯을 가진 대표적인 어퍼춰마스크의 슬롯배열을 개략적으로 나타낸 것이다. 전자에 의해 충돌될 때 어느 칼러라도 발색하지 않는 적당한 흑색광흡수 매체가 인스트립(40,41 및 42)사이에 위치되어있다.In order to explain the operation of the television receiver according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6 show a plan view of a part of the television aperture mask and the television receiver and a side cross-sectional view of the television receiver, respectively. The front enclosure of the glass enclosure of the television receiver, the faceplate of which is denoted by
제5도에서 어퍼춰마스크를 부호 48로 표시하며 콘측면(45)가 전자총과 대향되어있고, 경사측면(46)이 면판(34)상에 위치된 인스트립과 대향되어있다. 금속의 대부분을 콘측면(45)에서 제거시켜 리세스(45A)를 구성할 때 이 측면은 콘측면으로 되며 전자총과 대향되어 위치한다. 콘측면이 위치된 종래의 대표적인 어퍼춰마스크는 인측면(phosphor side)과 대향되어있다. 제5도는 경사측면의 가장자리표면(53)과 (54)이 배면방향으로 어떻게 전자를 제한시키는가를 나타낸 것이다. 제6도는 면판을 나타내는 부호 39와 인스트립을 나타내는 부호 40으로된 어퍼춰마스크(48)의 측단면도를 나타낸 것이다.In Fig. 5, the aperture mask is indicated by
어퍼춰마스크(48)은 콘측면(45)상의 개구(45A)와 그 대향측면상의 가느다란 개구로 구성되어 있다. 타이바 또는 브리지는 종래와 같이 인스트립(40)과 대향하여 있는 브리지 또는 타이바와 콘측면(45)에서 경사측면(46)으로 구성되어있는 타이바의 협소한 단부와 같이 위치되어 있다. 제6도는 경사측면의 표면(50B), 콘측면상의 표면(50A), 하부타이바상의 내부표면(510 및 상부타이바(50)상의 상부 내부표면(52)로 구성된 타이바(50)를 나타낸다. 어퍼춰마스크(48)의 가시선개구의 상하부경계가 콘측면의 표면(44)과 상부내부면(52)의 접합으로 하부타이바상의 내부표면(51)과 콘측면의 표면의 접합으로 구성되어 있다. 실제로 일정한 공간을 가지고 위치한 다수의 타이바가 텔레비젼수상관을 따라 위치한 인스트립의 여기(excitation)로 개구가 정확하게 구분이 되도록 구성되어있다.The
어퍼춰마스크가 전자총과 대향한 콘측면을 가질 때 리세스영역의 저면을 구비하여야 하며 이 영역이 가시선개구의 측면과 인접되어 위치되고 충분히 평편하거나 일정한 각도로 구부려져야 하며 따라서 리세스영역의 저면상에 충돌되는 전자비임이 어퍼춰마스크의 가시선개구를 통하여 편향되지 않도록 하는데 주의하여야 한다. 주로 리세스영역의 저면이 이 마스크콘측면의 표면과 평행하게 될 때 가시선개구를 통과하는 산란전자의 편향을 얻지못한다. 또, 전자총과 대향한 어퍼춰마스크의 콘측면을 가지며 가시선개구의 일부를 구성하지 않는 리세스측벽부분이 어퍼춰마스크의 가시선개구에서 충분하게 깊숙히 형성되도록 하여 전자비임의 통로가 어퍼춰마스크의 콘측면 또는 리세스영역측벽에 의해 방해를 받지 않는다. 텔레비젼수상관의 어퍼춰마스크의 다른 실시에를 제8도 내지 제32도에 도시하였다.When the aperture mask has a cone side facing the electron gun, it must have the bottom of the recess area, which is located adjacent to the side of the line of sight opening and bent sufficiently flat or at an angle so that it is on the bottom of the recess area. Care should be taken to ensure that the electron beam colliding with the beam does not deflect through the aperture opening of the aperture mask. Primarily, when the bottom of the recess region is parallel to the surface of this mask cone side, scattering electrons passing through the visible line opening are not obtained. In addition, the recess side wall portion having the cone side of the aperture mask facing the electron gun and not forming part of the visible line opening is formed deep enough at the visible line opening of the aperture mask, so that the passage of the electron beam is formed by the cone of the aperture mask. Unobstructed by side or recess area side walls. Another embodiment of the aperture mask of the television receiver is shown in FIGS.
제8도는 텔레비젼수상관(30)에 부착한 가시선텔레비젼의 어퍼춰마스크(70)의 정면도를 나타낸 것이다. 이 텔레비젼어퍼춰마스크(70)에는 다수의 가느다란 개구(75)를 구성하고 있어 이 개구(75)는 마스크상의 수직열(Vertical rows)로 일정하게 배열되어있다. 부호(71)은 어퍼춰마스크(70)의 중심부이며, 부호(73)은 어퍼춰마스크(70)의 주변부(periphery)이다. 또 부호(72)는 어퍼춰마스크(70)의 영역, 중심부(71)과 주변부(73) 사이의 중간마스크영역이다.8 shows a front view of the
이들의 영역은 어퍼춰개구(75)의 확대부분을 나타내며, 어퍼춰마스크(70)상에서 어퍼춰의 위치에 따르는 어퍼춰의 크기 및 형상변화를 나타낸다. 일반적으로 제8도에 나타낸 가시선마스크는 어퍼춰각각을 포위할 리세스를 갖고 있다. 이 리세스는 마스크표면에 하나의 캐비티(cavity)를 형성하고 있으며, 이 마스크는 엷은 마스크부분보다 더 정밀하고도 정교하게 에칭시킬수 있는 엷은 마스크부분이다. 이 리세스를 구성하고 있는 어퍼춰마스크의 표면은 어퍼춰의 콘측면으로 정밀하고도 정확한 크기와 형상을 가진 어퍼춰개구를 형성하기 위하여 가급적 마그스의 대향면에 평편하고도 평행한 리세스의 저면을 갖는 것이 바람직하다.These areas represent an enlarged portion of the
리세스저면의 엷은 영역에 마스크의 두께가 비교적 균일할 경우 이 엷은영역의 마스크를 통하여 에칭된 개구는 비교적 정밀한 크기와 형상으로 에칭시킬 수 있으므로 최대의 전자투과를 제공할 수 있다. 일반적으로 어퍼춰개구의 크기에 대하여 리세스의 크기를 더 크게하면 어퍼춰의 크기와 형상을 더 정밀하게 에칭시킬 수 있다. 그러나, 리세스가 더 크면 구조적으로 마스크는 더 약하게 된다.When the thickness of the mask is relatively uniform in the thin region of the recess bottom surface, the openings etched through the thin region mask can be etched to a relatively precise size and shape, thereby providing maximum electron transmission. In general, the larger the size of the recess with respect to the size of the aperture opening, the more precisely the size and shape of the aperture can be etched. However, larger recesses make the mask weaker structurally.
결과적으로 본 발명의 목적중 하나는 마스크의 개구의 형상과 크기를 최적화(最適化)하는데 있으며, 동시에, 또 텔레비젼수상관에서 발생하는 온도변화에 의한 변형을 방지할 수 있는 마스크로 유지할 수 있도록 하는데 있다. 본 발명자에 의해 연구한 결과 콘의 크기를 지나치게 하지않고, 또 마스크를 약하게 하지않는 가시선개구를 정밀하게 형성하도록 한 형상을 구성해내는 저면리세스표면을 얻도록 하는 방법은 캐피틀(Capital) H형상기술로 정의되는 기술을 이용하는데 있다. 이 캐피틀 H형상기술에 의해 얻어진 에칭액레지스트패턴의 배치는 제16도 및 제17도에 의해 나타낼 수 있다.As a result, one of the objects of the present invention is to optimize the shape and size of the openings of the mask, and at the same time, to maintain the mask to prevent deformation due to temperature changes occurring in the television water pipe. have. As a result of the study by the present inventors, a method of obtaining a bottom recess surface that forms a shape that precisely forms a visible opening that does not oversize a cone and does not weaken a mask is based on Capital H. It is to use the technology defined by the shape technology. Arrangement of the etching liquid resist pattern obtained by this capillary H-shape technique can be shown by FIG. 16 and FIG.
제16도 및 제17도는 콘측면레지스트패턴을 부호(81)로 표시된 에칭액레지스트패턴의 개략도를 나타낸 것이다. 콘측면에칭액레지스트패턴(81)에 대한 경사측면에칭액레지스트패턴을 설명하기 위하여 경사측면에칭액레지스트패턴(82)를 콘측면레지스트패턴(81)상에 중첩된 파선으로 나타낸 것이다. 경사측면에칭액레지스트패턴(82)가 콘측면레지스트패턴(81)과 동일한 마스크의 측면상에 나타나지 않으나 제16도의 에칭액레지스트패턴의 정합(registration)은 최종 크기와 형상을 가진 어퍼춰를 형성한 에칭액 레지스트패턴사이에서 위치상의 공동작용을 나타낸 것이다.16 and 17 show schematic views of the etching liquid resist pattern in which the cone side resist pattern is denoted by 81. In order to explain the inclined side etching liquid resist pattern with respect to the cone side etching liquid resist
제16도와 제17도에서 길이 b1은 오프세트(off set)길이 또는 콘형상레지스트패턴(81)로 내측으로 구성되어 있고 레지스트 설편(tonque)으로 한다. 콘측면레지스프패턴(81)상의 개구길이는 1c로 표시되며 경사측면 레지스트패턴(82)의 개구길이는 콘너비(Wc)를 가진 1g로 표시한다. 제16도에서와 같이 콘측면상의 에칭액레지스트패턴(81)의 가시형상은 일반적으로 캐피틀 H형상을 가진다.In FIG. 16 and FIG. 17, the length b1 is formed inward by an offset length or a cone-shaped resist
캐피틀 H형상기술을 바람직하게 사용할 경우 어퍼춰마스크영역의 중심에 있는 레지스트설편의 길이(b1)은 최고가 되며 이와같은 길이는 처리재료의 두께, 처리재료의 조성 및 어퍼춰의 바람직한 최종 크기에 따라 결정된다. 일반적으로 캐피틀 H형상기술에 의한 레지스트설편길이(b)는 어퍼춰마스크(70)의 중심에서 반경방향의 외측방향으로 감소된다. 예로서, 제16도에서는 마스크영역중심부(71)에서 비교적 큰 오프세트길이(b1)을 나타내며 반면에 제17도에서는 마스크영역주변부(73)에서 더작은 오프세트길이(b2)를 나타내고 있다.When the capillary H-shape technique is preferably used, the length (b1) of the resist tongue at the center of the aperture mask area is the highest, which depends on the thickness of the processing material, the composition of the processing material, and the desired final size of the aperture. Is determined. In general, the resist tongue length b by the capillary H-shape technique is reduced in the radially outward direction at the center of the
즉 본 발명의 특징중 하나는 큰형상레지스트패턴의 설편이 그 크기가 감소되면 그결과 마스크의 중심에서 반경방향의 외측으로 진행됨에 따라 큰영역의 크기가 증가된다는데 있다. 제16도에서 설명한 캐피틀 H형상기술에 따라 에칭된 어퍼춰의 형상을 설명하기 위하여 제9도 내지 제15도를 도시한다. 제9도는 확대시킨 개구 또는 어퍼춰(75)를 가진 어퍼춰마스크(70)의 일부에 대한 콘측면단면도를 나타내며, 제10도는 어퍼춰마스크(70)의 동일한 위치중심부(71)에서 동일한 어퍼춰(75)의 경사측면단면도를 도시한 것이다. 제9도 및 제10도는 마스크부분(90)으로 구성된 어퍼춰(75)의 가시선 개구배면경계를 나타낸 것이다.That is, one of the characteristics of the present invention is that when the tongue of the large-shaped resist pattern is reduced in size, the size of the large area is increased as it proceeds radially outward from the center of the mask. 9 to 15 illustrate the shape of the aperture etched according to the Capitol H shape technique described in FIG. FIG. 9 shows a cone side cross-sectional view of a portion of the
반면에, 어퍼춰(75)의 가시선개구의 단경계(end boundaries)는 마스크부분(91)로 구성되어 있다. 어퍼춰(75)의 최종크기와 리세스의 형상에 캐피틀 H형상기술이 어떻게 영향을 미치는가를 설명하기 위하여 제11도 내지 제15도를 제공하며 제11도 내지 제15도 제9도의 절단선을 따라 취한 각종의 단면도를 나타낸 것이다.On the other hand, the end boundaries of the visible line opening of the
예로서, 제11도는 어퍼춰(75)의 중심부와 경사측면표면(70g)에서 가시선경계(90)의 형상을 나타내게 하기위하여 선 11-11에 따라 취한 절단된 일부분(Slice)를 나타낸다.By way of example, FIG. 11 shows a cut slice (Slice) taken along line 11-11 to reveal the shape of the line of
부호 d는 경사측면의 표면이 시작되기전 리세스의 길이이며, 어퍼춰마스크(70)의 콘측면표면(70c)까지 상방향의 곡면으로 구성되어 있다.Reference numeral d denotes the length of the recess before the surface of the inclined side starts, and is composed of a curved surface in the upward direction up to the cone side surface 70c of the
선 12-12(제12도)는 사실상 어퍼춰(75)의 단부에서 취한 절단된 일부분(Slice)의 단면도로서 제12도는 리세스 길이 d가 제11도에서 보다 약간 더 작다는 것을 나타낸다.Lines 12-12 (FIG. 12) are actually cross-sectional views of the cut portion Slice taken at the end of
또, 측면의 가시선경계를 구성하는 마스크부분(90)의 어퍼춰(75)의 중심보다 어퍼춰(75)의 단부에서 약간더 넓다.Further, it is slightly wider at the end of the
길이 d가 리세스의 단부에서 단부까지 균일하게 유지시킬 경우 정밀하나 크기와 형상을 가진 에칭된 개구를 형성하기 위한 최적조건을 가질 수 있다는 것을 확인하였다.It has been found that the length d may have optimum conditions for forming etched openings that are precise but of size and shape if kept uniform from end to end of the recess.
그러나 이와 같이 하기 위해서는 마스크를 약화시킬 수 있는 재료를 충분히 제거시킨다.However, to do this, the material sufficient to weaken the mask is sufficiently removed.
결국 텔레비젼수상관의 작동을 방해하는 한지점에 마스크의 약화를 방지하기 위하여 길이 d의 크기를 그 중앙에서 그 단부로 증가시킨다.Eventually the size of length d is increased from its center to its end in order to prevent the weakening of the mask at a point that prevents the operation of the television receiver.
반면에 길이 d의 크기는 마스크에 마스크까지 변화시킬 수 있으며 일반적으로 마스크(70)의 중간지점에 또는 중간지점가까이에 있는 길이 d의 크기는 어퍼춰의 단부에 접근할 때 증가되어 최대로 된다.On the other hand, the size of the length d can vary from mask to mask, and in general, the size of length d near or near the midpoint of the
제11도 및 제12도에서와 같이 상대거리에 있는 길이 d를 조절하거나 유지시키기 위하여 제5도에서와 같이 레지스트패턴을 캐피틀 H 형상기술을 사용한다.To adjust or maintain the length d at a relative distance as in FIGS. 11 and 12, the resist pattern is used to form the cap H shape technique as in FIG.
배면표면은 두 가시선경계만을 구성하고 있으므로 어퍼춰(75)의 단부상에 가시선경계를 구성하는 표면을 나타낸 제13도와 제14도를 제공한다.The back surface comprises only two line boundaries, thus providing FIGS. 13 and 14 showing the surface constituting the line of sight on the end of
제13도는 제9도의 13-13선에 따라 취한 절단된 일부분을 구성한 타이바단면도를 나타낸다.FIG. 13 shows a tie cross-sectional view constituting a cut portion taken along line 13-13 of FIG.
이 타이바영역은 가시선경계의 단부를 구성하는 표면(91)을 가지며, 표면(91)은 어퍼춰마스크(70)의 경사측면표면(70g)상에 위치한 면에 비하여 어퍼처마스크(70)의 콘측면표면(70c)에 위치되어 있다는데 주의하여야 한다.This tie bar region has a
제14도에서와 같이 제9도의 14-14선에 따라 취한 절단된 단면은 어퍼춰(75)의 측면단부에 더 접근될 때 타이바형상이 어떻게 변화되는가를 나타낸 것이다. 그러나 표면(91)은 어퍼춰의 측면단부에 접근할 때 약간 길어지고 경사지게 되어도 어퍼춰(75)의 단부에 콘측면가시선 개구경계를 구성한다. 타이바표면(96)은 경계측면에서 어퍼처를 통하여 볼 때 볼 수 있는 중첩영역이다(제10도).The cut cross-section taken along line 14-14 of FIG. 9 as in FIG. 14 shows how the tie bar shape changes as the side end of the
제15도는 제9도의 15-15선에 따라 취한 절단된 가느다란 콘의 단면도를 나타내며 화살표 a는 어퍼춰단부가 리세스에 대해서 종료되는 지점을 표시한다. 제9도 내지 제15도에서와 같이 가시선개구의 형상과 크기를 규정한 실제경계가 어퍼춰의 일부부에서 다른부분으로 변화되어도 어퍼춰의 가시선개구가 캐피틀 H 형상기술에 의해 비교적 일정하게 되도록 한다.FIG. 15 shows a cross-sectional view of the cut thin cone taken along line 15-15 of FIG. 9 and arrow a indicates the point where the aperture end ends with respect to the recess. As shown in FIGS. 9 to 15, even if the actual boundary defining the shape and size of the visible opening is changed from one part of the aperture to another part, the opening of the visible line of the aperture is relatively constant by the capillary H shape technique. do.
이상으로 캐피틀 H 형상에칭기술의 효과는 마스크의 중심에 위치한 어퍼춰에 대하여 설명하였다. 마스크의 중심에는 전자비임이 일반적으로 어퍼춰마스크에 대하여 직각으로 충돌한다.The effect of the capillary H shape etching technique has been described above with respect to the aperture located at the center of the mask. At the center of the mask, the electron beam generally collides perpendicularly to the aperture mask.
제10도의 경우 마스크의 경사측면에서 볼 수 있는 두 타이바중첩영역이 최저상태로 유지될 수 있을 때 불필요한 전자산란을 최소화할 수 있다는데 주목하여야 한다.In FIG. 10, it should be noted that unnecessary electron scattering can be minimized when the two tie bar overlapping areas visible from the inclined side of the mask can be kept at a minimum.
마스크의 경사측면이 전자총과 대향하여 있을 경우 타이바중첩영역의 크기는 마스크의 중심보다 마스크의 주변(경계)상에서 더 중요하지 않다는 것을 확인하였다.When the inclined side of the mask faces the electron gun, it is confirmed that the size of the tie bar overlapping area is not more important on the periphery of the mask than the center of the mask.
즉, 전자비임이 마스크의 중심보다 주변에서 어퍼춰상의 강도를 더 작게하여 충돌되므로 오프세트영역은 마스크의 중심보다 주변영역에서 더 커지게 되며 동시에 또 예정수준 이하로 전자산란을 유지시킨다.That is, since the electron beam collides with the aperture image smaller at the periphery than the center of the mask, the offset area is larger in the periphery area than the center of the mask and at the same time maintains electron scattering below a predetermined level.
결과적으로 타이바중첩영역은 마스크의 중심보다 주변에서 약간 더 커지게 할 수 있다. 이와 같은 특징은 마스크의 주변에 위치한 어퍼춰상에서 레지스크설편의 길이 b를 감소시킴으로써 얻을 수 있다.As a result, the tie bar overlap area can be made slightly larger in the periphery than the center of the mask. This feature can be obtained by reducing the length b of the resist tongue piece on the aperture located around the mask.
따라서, 본 발명은 어퍼춰마스크(70)의 중심에서 최소의 타이바영역을 제공하고 마스크의 주변에서 타이바 중첩영역을 증가시키도록 하는 구조를 구성한다. 전자비임의 각도가 반경방향의 외측방향으로 진행될 때 변화되므로 전자산란의 가시효과는 타이바중첩영역의 전자편향면이 마스크의 주변방향에서 증가되어도 마스크를 통하여 비교적 일정한 값으로 유지된다. 위와 같은 효과는 여러 가지의 크기를 가진 어퍼취로 얻을 수 있으며 실제적으로는 일단 어퍼춰개구의 크기와 재교의 두께를 안다음 시행착오에 의해 그 크기를 결정할 수 있다는 것을 알 수 있다.Accordingly, the present invention constitutes a structure that provides a minimum tie bar area at the center of the
어퍼춰의 형상과 크기를 더 크게하기 위하여 본 발명자는 위에서 언급한 캐피틀 H 형상기술로 이용할 수 있는 또하나의 보상기술을 제공한다.In order to make the shape and size of the aperture larger, the present inventors provide another compensation technique that can be used with the above-mentioned capital H-shape technique.
본 발명자에 의한 제2의 기술을 캐피틀 I 형상기술이다.The second technique by the present inventors is the Capitol I shape technique.
캐피틀 H 형상기술과 캐피틀 I 형상기술의 결합을 이해하기 위하여 제18도를 제공한다.Figure 18 is provided to understand the combination of the capillary H shape technology and the capillary I shape technology.
제18도는 캐피틀 H 형상기술과 캐피틀 I 형상기술을 결합시킴으로써 얻어지는 콘측면에칭 레지스트패턴(85)를 나타낸 것이다.18 shows the cone side etching resist pattern 85 obtained by combining the capillary H shape technology and the capillary I shape technology.
콘측면에칭 레지스트패턴(85)와 경사측면 레지스트패턴(84)의 관계를 설명하기 위하여 경사측면 레지스트패턴(84)를 파선으로 나타낸다.In order to explain the relationship between the cone side etching resist pattern 85 and the inclined side resist pattern 84, the inclined side resist pattern 84 is shown with a broken line.
제16도와 제18도 사이의 기본적인 차이는 콘레지스트패턴(85)가 내측길이 e만츰 들어간 레지스트설편을 내측으로 구성되어 있는 점이다.The basic difference between FIG. 16 and FIG. 18 is that the resist pattern 85 is formed inside the resist tongue with an inner length e.
캐피틀 H 형상과 I 형상기술은 복합 캐피틀 H와 I 형상기술로 전자총과 대향하여 있는 콘측면을 설치할 경우 사용하는데 가장 효과적으로 할 수 있다. 이 측면레지스트설편길이 e는 마스크의 중심어퍼춰가 가장 크며, 또 마스크의 주변에 위치한 어퍼춰가 감소된다.Capillary H-shape and I-shape techniques are the most effective for use in the installation of the cone side facing the electron gun with the composite cape H and I-shape technology. This side resist tongue length e has the largest central aperture of the mask, and the aperture located around the mask is reduced.
마스크의 중심에는 전자비임이 거의 직각으로 어퍼춰마스크(70)에 충돌하므로 콘의 폭은 최저로 된다.Since the electron beam collides with the
따라서 콘영역은 전자비임이 일정한 각도로 충돌되는 어퍼춰의 단부에서와 같이 어퍼춰마스크의 중심에는 폭을 넓게 할 필요가 없다.Thus, the cone region need not be wide at the center of the aperture mask, such as at the end of the aperture where the electron beam impinges at an angle.
특히 어퍼춰마스크의 콘측면이 전자총과 대향하여 있을 때 이와 같이 된다.This is especially the case when the cone side of the aperture mask faces the electron gun.
어퍼춰상에서 캐피틀 H 형상과 I 형상기술의 결합을 설명하기 위하여 어퍼춰마스크의 중심부(71)에 어퍼춰 형상을 나타낸 제19도 내지 제25도와 어퍼춰마스크의 코너, 주변부(73)에 어퍼춰형상을 나타낸 제26도 내지 제32도를 제공한다.19 to 25 degrees showing the aperture shape in the
제18도에서와 같이, 캐피틀 H 형상과 I 형상기술에 따라 에칭시킨 어퍼춰의 형상을 설명하기 위하여 제19도 내지 제25도를 들어 구체화한다.As in FIG. 18, the shapes of the apertures etched according to the capillary H shape and the I shape technology will be described with reference to FIGS. 19 to 25. FIG.
제19도는 부호 71로 표시된 어퍼춰마스크 위치에서 어퍼춰마스크로 형성된 확대 어퍼춰(100)를 가진 어퍼춰마스크의 콘측면단면도를 나타낸 것이다. 제20도는 어퍼춰마스크(70)의 동일한 위치에 동일한 어퍼춰(100)의 경사측면단면도를 나타낸 것이다.19 shows a cone side cross-sectional view of an aperture mask having an
어퍼춰마스크를 관통하는 가시선개구 또는 경계는 마스크의 대향측면마스크부분에 의해 구성된다.The visible line opening or boundary penetrating the aperture mask is constituted by opposing side mask portions of the mask.
제19도 및 제20도는 마스크부분(101)로 표시된 가시선개구의 배면경계를 나태낸 것이며 동시에 가시선개구의 단부경계는 마스크부분(102)에 의해 구성되고 중첩영역은 부호(107)로 표시되어 있다.19 and 20 show the rear boundary of the visible opening shown by the
리세스의 형상과 어퍼춰(100) 개구의 최종크기로 결합된 캐피틀 H 형상 및 I 형상기술이 어떻게 영향을 미치는가를 설명하기 위하여 제21도 내지 제25도를 들어 설명하며 제19도의 절단선에 따라 표시된 단면형상을 나타낸다.To illustrate how the shape of the recesses and the H-shaped and I-shape techniques combined with the final size of the
예로서, 제21도는 제9도의 21-21선에 따라 취한 절단된 일부분으로 어퍼춰마스크(70)의 가시선경계를 나타낸다.By way of example, FIG. 21 shows the line of sight of
부호 d는 그 표면이 시작되기전 영역의 리세스길이로 어퍼춰마스크의 콘측면표면까지 상방향의 곡면으로 되어있다.Reference numeral d denotes a curved surface in the upward direction up to the cone side surface of the aperture mask at the recess length of the region before the surface starts.
제9도의 22-22선에 따라 취한 절단된 일부분(제22도)은 제21도와 유사한 단면도로 사실상 어퍼춰(100)의 단부이다.The cut portion (FIG. 22) taken along line 22-22 in FIG. 9 is substantially the end of
제22도는 d로 표시된 리세스의 길이는 제21도보다 약간 짧다. 또, 측면가시선경계(104)로 구성된 마스크의 부분은 어퍼춰단부(100)보다 약간 폭이 넓다.FIG. 22 shows that the length of the recess indicated by d is slightly shorter than FIG. In addition, the part of the mask which consists of the side visibility line boundaries 104 is slightly wider than the
반면에 캐피틀 H 형상기술만으로 이와 같이 될 수 있으나 캐피틀 I 형상기술과의 결합으로 어퍼춰(100)의 중심(제21도)에 Y1 크기와 어퍼춰(101)단부에 Y2 크기를 갖는다.On the other hand, it can be like this only by the capillary H-shape technology, but has a Y1 size at the center of the aperture 100 (FIG. 21) and a Y2 size at the end of the
어퍼춰마스크의 중심에 어퍼춰의 콘폭이 감소될 경우 마스크의 중심에서 어퍼춰에 거의 직각인 전자비임에 간섭을 받지않는다.When the aperture width of the aperture is reduced in the center of the aperture mask, it is not disturbed by the electron beam almost perpendicular to the aperture at the center of the mask.
이와 같이 더 적은 콘폭은 어퍼춰마스크의 중심영역에서 허용될 수 있다. 측면표면(101)의 마스크의 경사측면상에 두 개의 어퍼춰(100)의 가시선경계를 구성하며 타이바영역표면(102)는 어퍼춰마스크의 콘측상에 가시선경계를 구성한다.This smaller cone width can be tolerated in the central region of the aperture mask. On the inclined side of the mask of the
제24도에서와 같이 제19도의 24-24선에 따라 취한 단면도는 어퍼춰개구의 일정한 영역에 가시선개구의 경계를 구성하는 중첩영역(107)표면을 가진 어퍼춰의 배면모서리에 더 가까워질 때 타이바형상이 어떻게 변화되는가를 나타낸 것이다.As shown in FIG. 24, the cross-sectional view taken along the 24-24 line of FIG. 19 is closer to the back edge of the aperture having the overlapping
제25도는 제19도의 25-25선에 따라 취한 콘의 폭이 좁은 단면도로서 어퍼춰의 단부가 종료되는 곳을 화살표 a로 표시하며 리세스에 대하여 어떻게 위치되는가를 나타낸 것이다.FIG. 25 is a narrow cross sectional view of the cone taken along line 25-25 of FIG. 19 showing where the end of the aperture ends with an arrow a and showing how it is positioned relative to the recess.
제19도 내지 제25도에서와 같이 캐피틀 H 형상 및 I 형상기술로 어퍼춰를 통과하는 가시선개구는 그 형상을 구헝하는 실제경계가 어퍼춰의 일부분으로 다른 부분으로 변화되어도 동일하게 된다.As shown in Figs. 19 to 25, the visible line opening through the aperture in the capillary H shape and I shape technology is the same even if the actual boundary that forms the shape is changed to another part as part of the aperture.
마스크의 주변에서 어퍼춰형상이 어떻게 변화되는가를 알기 위하여 마스크의 주변의 어퍼춰를 제26도 내지 제32도에서와 같이 확대시켜 도시한다.In order to know how the aperture shape changes around the mask, the aperture around the mask is enlarged as shown in FIGS. 26 to 32.
제26도는 어퍼춰(110)의 콘측면도를 나타내며 제27도는 어퍼춰(110)의 경사측면단면도를 나타낸다. 어퍼춰(110)은 측면경계를 구성하는 측면경계표면(111)과 부호 115로 도시된 중첩영역으로서 단부경계를 구성하는 단부표면(112)를 갖고 있다.FIG. 26 shows a cone side view of the
제28도 및 제29도는 표면(111)의 형상을 나타내며 제30도 및 제31도는 단부경계를 구성하는 타이바표면(112)가 중심에서 외측방향으로 어떻게 변화되는가를 나타낸 것이다.28 and 29 show the shape of the
반면에 제32도는 화살표 a로 표시된 지점에서 종료되는 어퍼춰에 대하여 콘리세스가 어떠한 형상을 하고 있는가를 나타낸 것이다.On the other hand, FIG. 32 shows what shape the recesses have for the aperture ending at the point indicated by the arrow a.
제26도 내지 제32도는 콘측면리세스의 크기 또는 너비를 나타냄과 동시에 서로 다른 개구의 형상이 그 콘측면리세스의 길이에 따라 크기 Y2로 어떻게 거의 균일하게 되는가를 나타낸 것이다.26 to 32 show the size or width of the cone side recess and at the same time show how the shape of the different openings becomes almost uniform in size Y2 along the length of the cone side recess.
즉 반경방향의 외측으로 진행됨에 따라 레지스트설편길이 e가 감소되어 그 콘이 마스크의 주변에 위치한 어퍼춰에서 전체의 너비를 가진다.That is, as it progresses radially outward, the resist tongue length e is reduced so that the cone has the full width at the aperture located around the mask.
전자비임이 거의 90도 이하인 각도로 주변 어퍼춰개구로 직진되어야 하므로 마스크의 주변에서 더 넓은 콘이 유리하다.A wider cone around the mask is advantageous because the electron beam must go straight to the peripheral aperture opening at an angle of almost 90 degrees or less.
이와 같이 마스크의 주변에서 전체너비의 콘은 그 콘의 가장자리가 주변 어퍼춰개구에서 직진된 전자와 간섭되도록 한다.As such, the cone of the full width at the periphery of the mask causes the edge of the cone to interfere with the electrons straight at the peripheral aperture opening.
Claims (10)
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US416,571 | 1982-09-13 | ||
US06/416,571 US4518892A (en) | 1980-05-12 | 1982-09-13 | Television picture tube with aperture mask having recesses therein |
US416.571 | 1982-09-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR840002580A KR840002580A (en) | 1984-07-02 |
KR910000754B1 true KR910000754B1 (en) | 1991-02-06 |
Family
ID=23650483
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
KR8205074A KR910000754B1 (en) | 1982-09-13 | 1982-11-10 | Television picture tube with aperture mask having recess therein |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR910000754B1 (en) |
-
1982
- 1982-11-10 KR KR8205074A patent/KR910000754B1/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR840002580A (en) | 1984-07-02 |
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