KR900007381B1 - Electromagnetic heating cooker - Google Patents
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Abstract
Description
제1도로부터 제3a도 내지 3d도까지는 본 발명의 제1실시예를 도시한 도면으로서,3A to 3D show a first embodiment of the present invention.
제1도는 일반적인 블록도.1 is a general block diagram.
제2도는 주요 부분의 블록도2 is a block diagram of the main part
제3a도 내지 제3d도는 전력원 전압 변화와 주파수 변화를 설명하기 위한 그래프.3A to 3D are graphs for explaining a power source voltage change and a frequency change.
제4도는 제1도와 대응하여 본 발명의 제2실시예를 도시한 일반적인 블록도.4 is a general block diagram illustrating a second embodiment of the present invention corresponding to FIG.
제5도는 인버터의 전력과 가열될 물건에 작용하는 반발력간의 관계를 도시한 그래프.5 is a graph showing the relationship between the power of the inverter and the repulsive force acting on the object to be heated.
제6도로부터 제8a도 내지 8d도까지는 본 발명의 제3실시예를 도시한 도면으로서,6 to 8a to 8d show a third embodiment of the present invention.
제6도는 일반적인 블록도.6 is a general block diagram.
제7도는 주요 부분의 블록도.7 is a block diagram of the main part.
제8a도 내지 8d도는 전력원 전압 변화와 주파수 변화를 설명하기 위한 그래프8A to 8D are graphs for explaining the power source voltage change and the frequency change.
제9도는 제6도에 대응하여 본 발명의 제4실시예를 도시한 일반적인 블록도.FIG. 9 is a general block diagram showing a fourth embodiment of the present invention corresponding to FIG.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : DC 전력원 2 : AC 전력원1: DC power source 2: AC power source
3 : 초우크 코일 4 : 전파 정류기3: choke coil 4: full-wave rectifier
6 : 공진회로 7 : 유도코일6 resonant circuit 7 induction coil
10, 11 : 트랜지스터 12 : 인버터10, 11: transistor 12: inverter
13 : 인버터 제어기 19 : 전력 변화 회로13: inverter controller 19: power change circuit
20 : 상태 결정회로 21 : F-V 변환기20: state determination circuit 21: F-V converter
22 : 샘플-홀드 회로 26 : 기준값 설정회로22: sample-hold circuit 26: reference value setting circuit
32 : 비교기 33 : 전력 제어회로32: comparator 33: power control circuit
35 : 용기.35: courage.
본 발명은 조리 기구나 용기의 바람직하지 못한 상태를 방지할 수 있는 전자기 유도 가열장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 말하면 전자기 유도를 발생된 와동 전류 손실에 따라 조리 용기와 같은 가열될 물건을 가열시키기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electromagnetic induction heating apparatus capable of preventing an undesired state of a cooking utensil or a container, and more particularly, to induce electromagnetic induction to heat an object to be heated such as a cooking vessel according to a vortex current loss generated. Relates to a device.
종래의 유도 가열장치에 있어서, 조리 용기와 같은 가열될 물건이 위치할 상단 플레이트아래로 유도 가열코일이 구성된다. 고주파 전류가 인버터에 의해 유도 가열 코일에 공급되어, 고주파 자계가 그것을 통하여 와동 전류가 유동하도록 조리 용기에 인가됨으로써, 조리 용기를 가열시킨다.In a conventional induction heating apparatus, an induction heating coil is constructed under an upper plate on which an object to be heated, such as a cooking vessel, is to be placed. The high frequency current is supplied to the induction heating coil by the inverter, and the high frequency magnetic field is applied to the cooking vessel so that the vortex current flows through it, thereby heating the cooking vessel.
이러한 형태의 유도 가열장치에 있어서, 유도 가열 코일을 통하여 흐르는 전류가 조리 용기를 통하여 흐르는 와동 전류에 대해 반대의 위상을 갖기 때문에, 조리 용기는 반발 효과를 받는다. 조리 용기가 철과 같은 자성 물질로 구성될 경우, 조리 용기는 코일로부터의 자계에 의해 발생된 자기력으로 끌어 당겨지며, 그 결과로서 조리용기에 작용하는 반발력이 감소된다.In this type of induction heating apparatus, the cooking vessel receives a repulsion effect because the current flowing through the induction heating coil has a phase opposite to the vortex current flowing through the cooking vessel. When the cooking vessel is made of a magnetic material such as iron, the cooking vessel is attracted to the magnetic force generated by the magnetic field from the coil, and as a result, the repulsive force acting on the cooking vessel is reduced.
그러나, 조리 용기가 알루미늄(Al)과 같은 비자성 물질로 구성될 경우, 자기력으로 인한 인력이 작아진다. Al 조리 용기가 작은 특성 투과성 및 표면 저항을 갖기 때문에, 큰 와동 전류가 철 조리 용기와 같게 유도 가열 코일에 관련한 입력 저항을 형성하도록 Al 용기를 통하여 유동되어야 한다. 따라서, Al 조리 용기에 작용하는 반발력이 바람직하지 않게 증가한다. 그 결과로서, Al 용기 및 그 안에 저장된 가열될 물질의 전체 무게가 작을 경우, 용기는 종종 상단 플레이트로부터 플로우팅된다. 이 상태가 변하지 않은채 놔둬질 경우, 가열 효율이 상당히 감소되고 양호한 유도 가열이 수행될 수 없다. 최악의 경우, 용기가 상단 플레이트를 따라서 이동된다.However, when the cooking vessel is made of a nonmagnetic material such as aluminum (Al), the attraction force due to the magnetic force becomes small. Since the Al cooking vessel has a small characteristic permeability and surface resistance, a large vortex current must flow through the Al vessel to form an input resistance with respect to the induction heating coil like the iron cooking vessel. Therefore, the repulsive force acting on the Al cooking vessel increases undesirably. As a result, when the total weight of the Al container and the material to be heated therein is small, the container is often floated from the top plate. If this state is left unchanged, the heating efficiency is considerably reduced and good induction heating cannot be performed. In the worst case, the vessel is moved along the top plate.
제5도는 인버터의 전력 [W]과 용기에 작용하는 반발력 [g]간의 관계를 도시한 것이다. 이 경우에서, 용기는 Al로 형성되고, 유도 가열 코일의 감긴횟수는 80회이며, 주파수는 50KHz이고, 용기와 가열 코일간의 거리는 6mm이다. 제5도로부터 볼수 있듯이, 반발력은 인버터의 전력과 비례하여 증가된다. 더욱 구체적으로 말하면, 출력이 증가함에 따라서, 용기가 상단 플레이트로부터 플로우팅하기 쉽다.5 shows the relationship between the power [W] of the inverter and the repulsive force [g] acting on the vessel. In this case, the vessel is formed of Al, the number of turns of the induction heating coil is 80 times, the frequency is 50 KHz, and the distance between the vessel and the heating coil is 6 mm. As can be seen from FIG. 5, the repulsive force is increased in proportion to the power of the inverter. More specifically, as the output increases, the container is likely to float from the top plate.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 용기가 상단 플레이트로부터 플로우팅되는 지의 여부를 검출하기 위해 검출 메카니즘이 필요하다. 예를들어 검출 기술에 있어서, 호올요소나 탐지 코일과 같은 자력 선속밀도에서의 변화를 검출하기 위한 검출요소가 사용될 수 있다. 이 경우에서, 자력 선속 밀도의 변화는 종종 검출 요소의 위치에 따라서 검출될 수 없어서 부족한 검출 신뢰도를 야기한다. 이 기술에 있어서, 검출될 자력 선속 밀도가 인버터의 전력에 따라서 변하기 때문에, 검출회로 구성이 복잡해진다.In order to solve the above problem, a detection mechanism is required to detect whether the container is floating from the top plate. For example, in a detection technique, a detection element for detecting a change in magnetic flux flux density such as a hool element or a detection coil may be used. In this case, the change in the magnetic flux flux density can often not be detected depending on the position of the detection element, resulting in insufficient detection reliability. In this technique, since the magnetic flux density to be detected varies depending on the power of the inverter, the detection circuit configuration is complicated.
따라서, 본 발명의 목적은 가열될 물건과 그 안에서 조리될 물질의 전체 무게가 작고 그 물건이 유도 가열 코일로부터의 반발력에 의해 상단 플레이트로부터 플로우팅될 경우, 신뢰성있고도 비교적 쉽게 방지할 수 있는 바와 같이, 조리기구나 용기의 바람직하지 못한 상태를 방지할 수 있는 신규의 개선된 전자기 유도 가열 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide reliable and relatively easy prevention when the total weight of the object to be heated and the material to be cooked therein is small and the object is floated from the top plate by the repulsive force from the induction heating coil. Similarly, it is to provide a novel and improved electromagnetic induction heating apparatus capable of preventing undesirable conditions of cookware or vessels.
본 발명에 의하면, 조리기구나 용기의 바람직하지 못한 상태를 방지할 수 있는 전자기 유도 가열 장치가 구성되어 있는데, 이 장치는, 조리기구나 용기와 같은 가열될 물건을 배치시키기 위한 상단 플레이트와, 상단 플레이트 아래에 구성된 유도 가열 코일 및 이 코일에 연결된 공진 커패시터를 구비하는 공진회로와, 공진회로에 고주파 전력을 공급하여 유도 가열 코일로부터 고주파 자계를 발생시키고 가열될 물건에 와동 전류를 유도하기 위한 인버터 회로를 갖는 인버터 수단과, 인버터 회로로부터의 고주파 전력과 이 고조파 전력에 따라서 가열될 물건에 작용하는 반발력과 관계에 따라서 인버터 전력 레벨 제어 데이타를 출력시키고, 인버터 전력 레벨 제어 데이타가 인버터 회로로부터의 고주파 전력의 레벨을 제어하여 가열될 물건이 반발력으로 인하여 상단 플레이트의 위치 표면으로부터 플로우팅하는 것을 방지할 수 있는 데이타인 인버터 전력 레벨 제어 데이타 발생수단과, 제어 데이타 발생 수단으로 부터의 인버터 전력 레벨 제어 데이타를 인버터 회로로 피드백시키기 위한 제어수단을 구비한다.According to the present invention, there is provided an electromagnetic induction heating apparatus capable of preventing an undesired state of a cookware or a container, which includes a top plate for placing an object to be heated, such as a cookware or a container, and a bottom plate. A resonant circuit having an induction heating coil configured to and a resonant capacitor connected to the coil, and an inverter circuit for supplying high frequency power to the resonant circuit to generate a high frequency magnetic field from the induction heating coil and inducing a vortex current to an object to be heated. The inverter power level control data is output in accordance with the inverter means and the high frequency power from the inverter circuit and the repulsive force acting on the object to be heated according to the harmonic power, and the inverter power level control data is the level of the high frequency power from the inverter circuit. To control the object to be heated Inverter power level control data generating means, which is data which can prevent floating from the position surface of the upper plate, and control means for feeding back the inverter power level control data from the control data generating means to the inverter circuit. .
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.
제1도 내지 3도를 참조하여, 이제 본 발명의 제1실시예가 설명되겠다. 제1도를 참조하면, 참조부호(1)는 DC 전력원을 나타낸다. 전력원(1)은 AC 전력원(2)에 초우크 코일(3), 전파 정류기(4) 및 평활 커패시터(5)를 연결시킴으로써 이루어진다. 참조부호(6)는 가열될 물건을 가열시키기 위한 유도코일(7)과 공진 커패시터(8)로 구성된 공진회로를 나타낸다. 유도코일(7)은 상단 플레이트(9)의 하측 표면 아래에 구성되어가열될 물건을 거기에 배치시킨다. 참조 부호들(10,11)은 제1 및 제2스위칭 트랜지스터를 나타낸다. 트랜지스터들(10,11)은 공진회로(6)에 연결되어, 제1도에 도시된 바와같이 인버터(12)를 구성한다. 참조부호(13)는 인버터 제어기를 나타낸다. 제어기(13)는 인버터 구동회로(14), 위상 검출회로(15) 및, 전압 제어식발진기(VCO)(l5-1)를 갖는다. 인버터 구동회로(14)는 번갈아 스위칭 트랜지스터(10,11)를 온/오프시킨다. 위상 검출회로(15)는 공진회로(6)내의 계기용 변성기(16)로부터의 출력을 수신하여, VCO(15-1)를 통하여 제어 인버터 구동회로(14)를 피드백시킨다. 더욱 구체적으로 말하면, 인버터 구동회로(14)는 위상 비교 출력에 따라서 VCO(15-1)로부터의 발진 출력에 근거하여 트랜지스터(10,11)의 온/오프 타이밍을 제어하며, 이에의해 인버터(12)의 출력 주파수를 제어한다. 결국, 공진회로(6)는 공진상태가 가열될 물건을 위해 설정될 주파수(공진 주파수)를 유지시키도록 제어된다.1 to 3, a first embodiment of the present invention will now be described. Referring to FIG. 1, reference numeral 1 denotes a DC power source. The power source 1 is made by connecting the
제5도에 도시된 바와같이, 소정의 기간동안 인버터(12)의 전력을 변화시켜, 나중에 설명되듯이 인버터 전력과 조리용기에 대한 반발력과의 관계를 따라서 인버터 전력 레벨 제어 데이타를 생성하는 전력 변화 회로가 참조부호(19)로 표시되어 있다. 전력 변화 회로(19)로부터의 출력은 스위칭 싸이리스터(l8)의 게이트전극에 연결된다. 스위칭 싸이리스터(18)의 주전극은 제1도에 도시된 바와같이 DC 전력원(1)에 연결된다. 전력 변화 회로(19)는 전력 온시 주어진 기간동안 싸이리스터(18)의 게이트를 위상제어하여, DC 전력원(1)으로부터의 출력전압을 변화시켜서, 소정 기간의 시간동안 인버터(12)의 전력을 저전력으로부터 고전력으로 변화시킨다. 전력 변화 회로(19)는 인버터(12)의 전력을 저전력으로 설정할 때 하이(HIGH)레벨 샘플링 타이밍 신호 st를 상태 결정회로(20)에 출력시킨다. 결정회로(20)는 변성기(16)를 통하여 공진 회로(6)의 공진주파수를 검출하여, 인버터 전력 레벨 제어 데이타 및 그 검출 결과에 따라서 출력 에러 검출 신호 S를 생성한다.As shown in FIG. 5, the power change that changes the power of the
제2도에서 상태 결정회로(20)가 상세히 도시되어 있다. 참조부호(2l)는 변형기(16)로부터의 출력에 따라서 공진회로(6)의 공진주파수를 검출하여, 이 검출된 주파수를 전압으로 변환시키는 F-V 변환기를 나타낸다. F-V 변환기(21)는 검출될 주파수를 연산증폭기(23)의 비반전 입력단자(+) 및 또한 비교기(32)(이후 설명됨)의 반전 단자(-)에 공급한다. 샘플-홀드 회로(22)는 연산증폭기(23), 아날로그 스위치(24) 및, 메모리 커패시터(25)를 갖는다. 아날로그 스위치(24)의 게이트 단자는 회로(19)가 저전력 제어모드에 있을때 전력 변화 회로(19)로부터 하이 레벨 샘플링 타이밍 신호 St를 수신한다. 메모리 커패시터(25)는 회로(19)가 저전력 제어모드에 있을 때 샘플-홀드 전압 Vs로서 공진회로(6)의 공진주파수 f, 즉 초기 주파수 f0에 대응하는 출력전압 Vp 성분을 샘플링 및 홀링시킨다. 참조부호(26)는 연산증폭기(27), 다이오드(28)및, 저항(29,30,31)을 구비하는, 기준값 설정 회로를 나타낸다. 기준값 설정회로(26)는 샘플-홀드 전압 Vs로부터 기준전압 Vk를 감하는 것에 의해 얻어진 초기 설정 전압 Vh를 출력시킨다. 기준전압 Vk는 저항(30,31)의 전압 제산비로 다이오드(28)의 정방향 바이어스 전압을 제산함으로써 얻어진 전압이다. 기준전압 Vh는 코일(7)로부터의 반발력으로 인한 상단 플레이트(9)로부터 가열될 물건의 플로우팅에 의해 발생된 공진회로(6)의 공진주파수에서의 변화에 대한 소정의 값 fs(제3도참조)에 대응하는 값으로 설정된다. 회로(26)로부터 출력된 초기 설정 전압 Vh는 비교기(32)의 비반전 입력단자(+)에 공급된다. 비교기(32)의 반전 단자(-)는 F-V 변환기(21)로부터 검출전압 Vp를 수신한다.In FIG. 2, the
그러므로, 검출 전압 Vp가 초기 설정전압 Vh보다 더 높을 경우, 다시 말하면 주파수 변화에 대응하는 전압 변화(Vs-Vp)가 소정의 값 fs에 대응하는 기준전압 Vk이하일 경우, 비교기(32)는 로우(LOW)레벨신호를 출력시킨다. 검출전압 Vp가 초기 설정 전압 Vh보다 더 낮은 경우, 다시 말하면 주파수 변화에 대응하는 전압 변화(Vs-Vp)가 소정의 값 fs에 대응하는 기준 전압 Vk를 초과할 경우, 비교기(32)는 하이레벨 에러 검출 신호 Se를 출력시켜 그것을 전력 제어회로(33)에 공급한다. 전력 제어 회로(33)가 신호 Se를 수신할 경우, 그것은 스위칭 싸이리스터(18)를 강제로 오프시켜 인버터(12)의 전력 출력을 중단시킨다.Therefore, when the detected voltage Vp is higher than the initial set voltage Vh, that is, when the voltage change Vs-Vp corresponding to the frequency change is equal to or less than the reference voltage Vk corresponding to the predetermined value f s , the comparator 32 is low. Outputs the (LOW) level signal. When the detected voltage Vp is lower than the initial voltage Vh, that is, when the voltage change Vs-Vp corresponding to the frequency change exceeds the reference voltage Vk corresponding to the predetermined value f s , the comparator 32 is high. The level error detection signal Se is output and supplied to the power control circuit 33. When the power control circuit 33 receives the signal Se, it forcibly turns off the switching
상기 구성의 효과가 이제 설명되겠다. 가열될 물건으로서 조리 용기(35)가 철로 형성된 한 예가 제3a도 및 3b도를 참조하여 설명되겠다. 제3a도 및 3b도에는 인버터(12)의 전력 변화 및 공진회로(6)의 주파수변화가 도시되어 있다. 가열될 물건으로서 용기(35)가 상단 플레이트(9)상에 위치한 후, 전력 변화 회로(19)는 전력 스위치나 용기(35)의 상태를 검출하기 위한 스위치(둘다 도시 생략)를 온 할시에 싸이리스터(18)를 위상 제어하여, 소정 기간의 시간동안 인버터(l2)를 저전력 모드로 설정한다. 따라서, 공진회로(6)는 용기(35)에 대응하는 공진주파수 f로 설정된다(f=1/2(2π+), 여기서 L은 유도 코일(7)의 인덕턴스, C는 커패시터(8)의 커패시턴스). 이때, 전력 변화 회로(19)로부터의 샘플링 타이밍 신호 St는 상태 결정회로(20)의 아날로그 스위치(24)에 공급된다.The effect of the above configuration will now be described. An example in which the
결국, 저전력 모드에서 공진회로(6)의 공진주파수 f, 즉 초기전압 f0에 대응하는 샘플-홀드 전압 Vs는 회로(20)의 샘플-홀드 회로(22)에 의해 샘플링 및 홀딩된다. 기준전압 Vk(주파수 변화에 대한 소정의 값 fs에 대응함)는 샘플-홀드 전압 Vs로부터 감산되어, 초기 설정 전압 Vh를 결정한다. 전압 Vh에 대응하는 주파수가 제3B도에서 foo으로 지시되어 있다. 인버터(12)의 전력 모드가 저전력 모드로부터 고전력 모드로 전력 변화 회로(l9)에 의해 연속적으로 변화될 경우, 코일(7)로부터 용기(35)로의 반발력이 증가한다. 용기(35)가 철로 형성될 경우, 그 무게는 크고, 용기(35)는 자성물질로 이루어진다. 그러므로, 코일(7)로부터 용기(35)로의 인력이 증가된다. 결국, 반발력은 인력에 의해 상쇄되고, 가상적으로 작아진다. 용기(35)는 따라서 고정된 상태로 상단 플레이트(9)상에 위치한 대로 있다. 이 경우에 있어서, 공진회로(6)의 공진주파수는 제3b도에 도시된 바와같이 공진주파수 f1까지 감소한다. 그러나, 주파수 변화는 작다. 그러므로, 변화 f1은 소정의 값 foo보다 더 크고, 따라서 주파수 변화(fo-f1)는 소정의 값 fs이하이다. 결정회로(20)에서의 검출전압 Vp는 초기 설정 전압 Vh보다 더 높다. 결국, 비교기(32)의 출력단자는 결정회로(20)에의해 로우레벨에서 유지된다. 이 상태에서, 에러 검출신호 Se가 출력되지는 않는다.As a result, the resonant frequency f of the
제3c도 및 3d도를 참조하여, 용기(35)가 알루미늄과 같은 비교적 작은 무게를 갖고 비자성체인 물질로 이루어진 한예가 설명되겠다. 이 경우에 있어서, 인버터(12)가 전력 변화 회로(19)에 의해 저전력 모드로 세트될때의 공진 주파수가 fo'로 지시되어 있다. 이 경우에서 샘플-홀드 전압이 Vs'로 주어진다면, 초기설정 전압은 전압 Vs'로부터 기준전압 Vk를 감하는 것에 의해 얻어진 전압 Vh'이다. 초기 설정 전압 Vh'에 대응하는 주파수는 주파수 foo'로 주어진다. 이 경우에서, 인버터(l2)의 전력모드가 전력 변화 회로(19)에 의해 저전력 모드로부터 고전력 모드로 변화될 경우, 코일(7)로부터의 반발력은 상술된 제5도로부터 볼수 있듯이 증가한다. 코일(7)로부터 A1과 같은 비자성 물질로 형성된 용기(35)로의 인력은 작아지고, 용기(35)와 그안에서 조리될 물질의 전체 무게에 따라서 용기(35)가 플로우팅 될 수 있다. 그러나, 이 경우에 있어서 용기(35)가 플로우팅될 경우 용기(35)와 유도코일(7)간의 틈이 증가되는데, 즉 자력 선속 누설이 커지게 되고 코일(7)의 인덕턴스 L이 증가된다. 그 결과로서, 공진 주파수의 변화(fo'-f2)가 제3D에서 소정의 값 fs를 초과한다(foo'>f2). 결국, 결정회로(20)에서의 검출전압 Vp'는 초기 설정 전압 Vh'보다 더 작게되고, 에러 검출신호 Se가 출력된다. 따라서, 용기(35)가 플로우팅 상태에 있다는 것이 검출된다. 에러 검출신호 Se는 전력제어회로(33)에 공급된다. 전력제어회로(33)는 강제적으로 스위칭 싸이리스터(18)를 오프시키고 인버터(12)로부터의 전력 출력을 중단시킨다.Referring to FIGS. 3C and 3D, an example will be described in which the
용기(35)가 철이나 A1로 구성될 경우 용기(35)는 상단 플레이트(9)상의 적절한 위치로부터 시프트된다고 가정하자. 이 경우에 있어서, 자력 선속 누설이 커지게 되고 인덕턴스 L이 또한 증가된다. 그러므로, 용기(35)의 적절하지 않은 위치가 검출될 수 있다.Assume that the
이 실시예에 의하면, 용기(35)에 대한 반발력과 인버터 출력간의 관계에 따르는 인버터 전력 레벨 제어 데이타를 생성하기 위해, 저전력 모드로부터 고전력 모드로 인버터(l2)의 출력모드를 변화시키기 위한 전력변화 회로(19)가 구성된다. 또한 결정회로(20)는 공진회로(6)의 공진주파수를 검출하고, 변화(fo-f1, fo'-f2)가 소정의 값(fs)을 초과할 경우의 에러 검출신호 Se를 출력시킨다. 이들 회로 성분들을 가지고서, 공진회로(6)의 공진주파수에서의 변화 정도가 인버터(12)의 전력모드에서의 변화가 상당히 커지는데, 즉 조리 용기에 대한 반발력이 그것을 플로우팅하기에 충분히 크고, 에러 검출신호 Se가 발생된다. 그 결과로서, 용기(35)가 상단 플레이트(9)로부터 플로우팅 상태에서 있는지의 여부가 신뢰성있고도 쉽게 검출될 수있고, 용기(35)의 적절하지 않은 위치가 또한 검출될 수 있다. 검출결과에 따라서, 인버터(l2)의 전력출력은 용기가 풀로우팅하는 것을 막도륵 중단된다. 본 장치는 용기(35)가 상단 플레이트(9)를 따라서 이동되는것을 막을 수 있고, 유도 가열 조리기는 가열조리 불가능 상태에서 사용되는 것으로부터 방지될 수 있다. 인버터(12)의 전력레벨은 다음의 실시예에서와 같이 용기의 무게 검출 데이타에 따라서 제어될 수 있다. 따라서, 신뢰가능한 가열 조리가 수행될 수 있다.According to this embodiment, a power change circuit for changing the output mode of the inverter l2 from the low power mode to the high power mode in order to generate inverter power level control data in accordance with the relationship between the repulsive force on the
제4도에는 본 발명의 제2실시예가 도시되어 있다. 제2실시예에서의 동일 참조부호는 제1도에서의 동일부분을 나타낸다. 제1 및 제2실시예(제1도 및 제4도)간의 차이점이 이하 설명되겠다. 참조부호(36)는 인버터(12) 대신에 사용되는 인버터를 나타내는데, 이 인버터는 유도코일(37) 및 공진 커패시터(38)로 이루어지는 공진회로(39)를 구비한다. 제1 및 제2스위칭 트랜지스터 대신에, 하나의 스위칭 트랜지스터(40) 및덤퍼 다이오드(41)가 구성된다. 제2실시예에 있어서, 공진 커패시터(38)의 단자전압은 계기용 변성기를 구성하는것 없이 위상검출회로(42)에 출력되고, 위상차가 출력전압의 변화에 따라서 검출된다. 인버터 제어회로(45)를 위상검출회로(42)와 함께 구성하는 인버터 구동회로(46)는 스위칭 트랜지스터(40)를 제어한다.4 shows a second embodiment of the present invention. Like reference numerals in the second embodiment denote like parts in FIG. The difference between the first and second embodiments (FIGS. 1 and 4) will be described below.
이 실시예에서는, 제1실시예에서와는 다르게 인버터의 전력모드가 공진주파수의 변화를 검출하고 인버터전력레벨 제어 데이타를 얻기 위해 소정기간의 시간동안 저전력 모드로부터 고전력 모드로 바뀌지는 않는다. 더욱 구체적으로 말하면, 이 실시예에서는 용기(35)의 무게나 그것에 대한 반발력이 소정기간의 시간동안 센서(44)에 의해 검출된다. 제5도에 도시된 바와같이, 상태 결정 메모리(43)는 조리 용기에 대한 반발력과 인버터 전력간의 관계에 따른 인버터 전력 제어 레벨 데이타를 미리 기억한다. 전력 제어회로(47)는 센서(44)로부터의 용기 무게나 반발력 검출 데이타에 따른 결정 메모리(43)로부터 판독된 인버터 전력 레벨제어 데이타에 따라서 인버터 구동회로(46)를 제어한다.In this embodiment, unlike in the first embodiment, the power mode of the inverter does not change from the low power mode to the high power mode for a predetermined period of time in order to detect a change in the resonance frequency and obtain inverter power level control data. More specifically, in this embodiment, the weight of the
제2실시예에 의하면, 인버터 전력 레벨 제어데이타는 인버터(36)의 전력과 용기(35)에 대한 반발력간의 관계에 따라서 메모리(43)에 미리 기억된다. 인버터 전력 레벨 제어데이타는 용기(35)의 무게 데이타 또는 센서(44)로부터의 반발력 검출 데이타에 따라서 메모리(43)로부터 판독되어 인버터(36)의 전력을 제어한다. 그러므로, 이 실시예에서 용기의 무게 및 그 당시 인버터 전력에 의해 발생된 용기에 대한 반발력이 균형을 이루어, 용기가 플로우팅 하는 것을 방지할수 있는 적절한 인버터 전력이 항상 제공될수 있다.According to the second embodiment, the inverter power level control data is stored in advance in the
본 발명의 제3실시예가 제6도 내지 8도를 참조하여 이제 설명되겠다. 제6도에서, 참조부호(101)는 DC전력원을 나타낸다. DC 전력원(101)은 AC 전력원(102)에 초우크 코일(103), 전파정류기(l04)및, 평활 커패시터(105)를 연결시킴으로써 구성된다. 참조부호(106)는 가열될 물건을 가열시키기 위한 유도코일(107)과 공진 커패시터(108)로 이루어진 공진회로를 나타낸다.A third embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS. 6 to 8. In Fig. 6,
유도 코일(107)은 가열될 물건을 위치시키기 위한 상단 플레이트(109)의 하측 표면아래에 구성된다. 참조부호들(110,111)은 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터를 나타낸다. 트랜지스터들(110,111)은 제6도에 도시된바와 같이 인버터(112)를 구성하기 위해 공진회로(106)에 연결된다. 참조부호(113)는 인버터 제어기를 나타낸다. 제어기(113)는 인버터 구동회로(114), 위상검출회로(115) 및, 전압 제어식 발진기(VCO)(115-1)를 갖는다. 인버터 구동회로(114)는 번갈아 스위칭 트랜지스터들(l10,111)을 온/오프 시킨다. 위상검출회로(115)는 공진회로(106)내의 계기용 변성기(l16)로 부터의 출력을 수신하여, 인버터 구동회로(114)를 VCO(115-1)를 통하여 피드백 제어한다. 더욱 구체적으로 말하면, 인버터 구동회로(114)는 위상 비교 출력에 따라서 VCO(115-1)로 부터의 발진출력에 따른 트랜지스터(110,111)의 온/오프 타이밍을 제어하여, 이에의해 인버터(112)의 출력 주파수를 제어한다. 그 결과로서, 공진희로(106)는 가열될 물건을 위해 공진상태가 설정되는 주파수(공진 주파수)를 유지하도록 제어된다.Induction coil 107 is configured below the lower surface of the
참조부호(119)는 인버터(112)에 공급될 DC 전력원(l01)의 전력원 전압으로서 출력 전압을 변화시키기 위한 전압 변화 회로를 나타낸다. 전압 변화 회로(119)는 주기적으로 발진기회로(120)로부터의 발진신호에 따라서 스위칭 싸이리스터(118)및 게이트 전극을 위상 제어한다. 스위칭 싸이리스터(118)는 제6도에 도시된바와 같이 DC 전력원(101)에 연결된다. 전압 변화회로(119)는 발진기회로(120)로부터 공급된 소정의 주기 T1(제8a도 내지 8d도 참조)을 갖는 발진신호에 따라서 주기적으로 기능을 한다. 더욱 구체적으로 말하면, 전압 변화회로(119)는 각 주기 T1동안 소정의 기능시간 T2(제8a도 내지 8d도 참조)시 스위칭 싸이리스터(118)에 공급된 게이트 신호의 출력 주기 및 출력기간을 변화시켜, 이에의해 싸이리스터(118)의 온/오프 시간 간격을 변화시킨다. 따라서, 인버터(112)에 공급된 전력원 전압은 로우 전압 V1로 부터 하이전압 V2로 바뀌게 된다. 전압 변화회로(117)가 저전압 V1 제어모드로 설정될 경우, 게이트신호 출력회로(119)는 제1실시예에서와 동일한 상태결정회로(121)에 하이레벨 샘플링 타이밍 신호 St를 출력시킨다. 결정회로(121)는 제1실시예와 동일한 방식으로 인버터 전력 레벨 제어데이타를 얻기 위해 계기용 변성기(116)로부터의 출력에 따른 공진회로(106)의 공진주파수 f의 변화를 주기적으로 또는 연속적으로 검출한다. 따라서, 정상검출신호 Sn이나 에러 검출신호 Se가 출력된다.
제7도에는 상태결정회로(121)가 상세히 도시되어 있다. 참조부호(122)는 계기용 변성기(116)의 출력으로부터 공진회로(106)의 공진주파수 f를 검출하여 그것을 전압으로 변환시키는 F-V변환기를 나타낸다. F-V변환기(122)는 샘플-홀드회로(123)의 연산증폭기(124)의 비반전 입력단자(+)에 검출된 주파수에 대응하는 검출전압 Vp를 공급하고, 그것을 비교기(133)(이후에 설명됨)의 반전 단자(-)에 공급한다. 샘플-홀드회로(123)는 연산증폭기(124), 아날로그 스위치(125) 및, 메모리 커패시터(126)를 갖는다. 아날로그 스위치(125)의 게이트 단자는 회로(119)가 저전압 제어모드로 설정될 경우 전압 변화회로(119)로부터 샘플링 타이밍 신호 St를 수신한다. 메모리 커패시터(126)는 샘플-홀드 전압 Vs와 같이 저전압 제어모드에 회로(119)가 있을 경우 공진회로(106)의 공진 주파수 f, 즉 초기 주파수 fo에 대응하는 출력전압 Vp성분을 발생시킨다 참조부호(127)는 기준값 설정회로를 나타낸다. 기준값 설정회로(127)는 연산증폭기(128), 다이오드(129) 및, 저항(130,131,132)을 구비한다. 기준값 설정회로(127)는 연산증폭기(128)의 비반전 입력단자(+)에 공급된 샘플-홀드 전압 Vs로 부터 저항(130 내지 132)에 의해 결정된 기준전압 Vk를 감산하여, 초기 설정전압 Vh를 출력시킨다.7 shows the
기준전압 Vk는 가열될 물건이 상단 플레이트(109)로 부터 플로우팅 되게끔 발생된 공진회로(106)의 공진주파수(제8a도 내지 8d)의 변화 fs에 대응하는 전압치에서 설정된다. 설정회로(127)로 부터 출력된 초기 설정전압 Vh는 비교기(133)의 비반전 입력단자(+)에 공급된다. 비교기(133)의 반전단자(-)는 F-V변환기(122)로 부터의 출력전압 Vp를 수신한다. 그러므로, 출력전압 Vp가 초기 설정전압 Vh보다 더 높다면,비교기(133)는 전압 제어회로(134)에 로우레벨 정상 검출신호 Sn을 출력시킨다. 출력전압 Vp가 전압 Vh보다 낮을 경우, 비교기(133)는 제어회로(134)에 에러 검출신호 Se를 출력시킨다. 전압제어회로(134)는 정상검출신호 Sn을 수신할 경우 스위칭 싸이리스터(118)를 제어하여, 고전압 모드로 인버터(112)를 설정시키도록 인버터(112)에 고전압 V2를 공급한다. 회로(134)가 에러검출신호 Se를 수신할 경우에는, 회로(l34)는 싸이리스터(l18)를 제어하여 저전압 모드로 인버터(112)가 설정되도록 인버터(112)에 저전압 V1을 공급한다.The reference voltage Vk is set at a voltage value corresponding to the change fs of the resonant frequency (Figs. 8A to 8D) of the resonant circuit 106 generated so that the object to be heated floats from the
상기 구성의 효과가 이제 설명되겠다. 가열될 물건으로서 조리용기(135)가 철로 형성된 한 예가 제8a도 및 8b도를 참조하여 설명되겠다. 제8a도 및 8b도에는 인버터(112)의 전력원 전압의 변화와 그와 함께 연관된 공진회로(106)의 주파수 변화가 도시되어 있다. 가열될 물건으로서 용기(135)가 상단 플레이트(109)상에 위치한 후에, 전압변화회로(119)는 전력원 전압으로서 저전압 V1을 인버터(112)에 공급하여 발진회로(120)로부터의 소정의 기간 T1의 발진신호에 따라서 소정기간의 시간동안 저전력 모드로 인버터(112)를 설정한다. 따라서, 인버터(l12)에 있어서 용기(135)에 대응하는 공진회로(106)의 공진주파수 f가(f=1/ (2π.), 여기서 L은 유도코일(107)의 인덕턴스, C는 커패시터(108)의 커패시턴스)으로 설정된다. 이때, 전압변화회로(119)로부터의 샘플링 타이밍신호 St가 결정회로(121)에 공급된다. 그 결과로서, 공진회로(106)의 공진주파수 f, 즉 초기조파수 f0에 대응하는 샘플-홀드 전압 Vs가 결정회로(121)의 샘플-홀드회로(123)에 의해 샘플링 및 홀딩된다. 기준전압 Vk(주파수 변화 fs에 대응함)는 샘플-홀드 전압 Vs로부터 감산되어, 이에의해 초기설정 전압 Vh를 결정한다. 초기 설정전압 Vh에 대응하는 주파수(소정값)는 제8b도에서 f00로 주여진다. 인버터(112)에 공급된 전력원 전압이 전압변화회로(119)에 의해 저전압 V1로 부터 고전압 V2로 바뀔때, 용기(135)에 대한 반발력이 증가된다.The effect of the above configuration will now be described. An example in which the
그러나, 용기(135)가 철로 이루어질 경우, 그 무게는 크며 용기는 자성물질로 이루어진다. 그러므로, 용기(135)에 대한 인력이 증가된다. 그 결과로서, 반발력이 인력에 의해 상쇄되고 작게 감소된다. 따라서, 용기(135)는 정상상태로 상단 플레이트(109)상에 위치한채로 나눠진다. 공진회로(106)의 공진주파수 f가 주파수 f1로 감소될지라도, 제8b도에 도시된 바와 같이 변화 f1은 소정값 f00보다 더 크다. 더욱 구체적으로 말하면, 이 상태에서 결정회로(121)의 출력 전압 Vp는 초기 설정전압 Vh보다 더 높다. 그 결과로서, 비교기(133)의 출력단자는 결정회로(121)에 의해 로우 레벨에서 유지된다. 이 상태에 있어서, 정상 검출신호 Sn이 출력되어 전압제어회로(134)에 공급된다. 제어회로(134)는 인버터(l12)에 고전압 V2를 공급하기 위해 싸이리스터(118)를 제어하여, 인버터(112)를 고전력 모드로 설정한다. 이 방식에 있어서, 전력원 전압이 최적화된다. 용기(135)의 위치상태 검출은 발진기회로(120)로 부터의 발진신호에 따라서 조리중에 주기적으로 수행된다.However, when the
사용자가 조리될 물질을 용기(135)안에 넣거나 그 안에서 그 물질을 뒤섞을 경우, 용기(135)는 적절한 위치로부터 시프트될수 있다. 이 경우에, 자력 선속 누설이 증가되며, 유도 코일(107)의 인덕턴스 L이 증가된다. 그 결과로서, 공진회로(106)의 공진주파수 f가 감소되고, 유도가열 효율이 저하될수 있다. 용기(135)가 이러한 방식으로 제8a도 및 8b도의 시간 T3에서 시프트된다고 하자. 시간 T3후에, 전압변화회로(119)가 주기적으로 기능을 하므로, 인버터(112)에 대한 전력원 전압이 그로인하여 저전압 V1로 감소되고, 그때 저전압 V1은 고전압 V2로 바뀐다. 이러한 전압변화시, 제8b도에 도시된 바와 같이 공진회로(106)의 공진주파수 f가 소정의 값으로서 주파수 f00이하의 f2로 감소될 경우, 공진주파수 f2에 대응하는 출력전압 Vp는결정회로(121)의 주파수 f00에 대응하는 초기 설정전압 Vh보다 더 작아진다. 그러므로, 에러검출신흐 Se가 출력된다. 이러한 방식에서, 용기(135)가 적절한 위치로부터 시프트된 것이 검출된다. 에러 검출신호 Se는 전압제어회로(134)에 공급된다. 제어회로(134)는 인버터(112)에 공급된 전력원 전압으로서 저전압 V1을 공급하도록 스위칭 싸이리스터(118)를 제어하여, 저전력 모드로 인버터(112)를 설정한다. 이 방식에서, 전력원 전압이 최적화되고 공진주파수 f는 증가되며, 따라서 양호한 가열효율을 얻는다. 용기(135)가 초기에 적절한 위치로부터 시프트된다면, 이것은 유사하게 검출되고, 전력원 전압이 제어된다.When a user puts a substance to be cooked into or stirs the substance in the
용기(135)가 A1물질로 이루어지고, 무게가 작고 특정 투과율을 갖는 한예가 제8c도 및 8d도를 참조하여 설명되겠다. 이 경우에서, 인버터(112)에 인가된 전력원 전압이 저전압 V1에 공징주파수 f는 f0'로 지시되고, 초기 설정전압 Vh에 대응하는 주파수(소정값)는 주파수 f00'으로서 주어진다. 이 경우에 있어서, 상술된 제5도로부터 볼수 있듯이, 전력원 전압이 저전압 V1로부터 고전압 V2로 바꿜경우, 용기(135)에 대한반발력이 증가된다. 용기(135)에 대한 인력이 감소되므로, 용기(135) 및 그안의 내용물의 총 무게에 따라서 용기(135)가 플로우팅될수 있다. 이 경우에, 용기(135)와 유도코일(107)간의 간격이 플로우팅으로 인해 증가되고, 따라서 자력 선속 누설이 증가된다. 그러므로, 유도코일(107)의 인덕턴스 L이 증가된다. 그 결과로서, 공진회로(106)의 공진주파수 f가 제8b도의 공진주파수 f2(소정의 값으로서의 주파수 f00' 이하임)로현저하게 감소되고, 결정회로(121)의 검출전압 Vp는 설정전압 Vh보다 더 작아진다. 따라서, 에러검출신호 Se가 출력된다. 이러한 방식에 있어서, 용기(135)가 플로우팅 상태에 있다는 것이 검출된다. 에러검출신호 Se가 전압제어회로(134)에 공급된다. 이신호에 따라서, 제어회로(134)는 스위칭 싸이리스터(118)를 제어하머, 인버터(112)에 공급된 전력원 전압을 저전압 V1로 설정한다. 따라서, 인버터(112)에 인가된 전력원 전압이 최적화된다. 이러한 방식에 있어서, 용기(135)의 플로우팅이 방지될수 있고 공진주파수 f가 증가되며, 이에의해 양호한 가열 효율을 얻는다.An example in which the
제8c도 및 8d도의 시간 T4에서, 가열될 새로운 물질이 용기(135)내에 설정되게끔 용기(135)의 전체 무게가 증가된다고 하자. 달리 말하면, 인버터(112)에 공급된 전력원 전압이 고전력 모드로 인버터(112)를 설정하기 위해 고전압 V2로 바뀔지라도 용기(135)는 플로우팅되지 않는다고 하자. 이 경우에 있어서, 전압변화회로(119)가 시간 T4후에 기능을 할경우, 용기(135)의 위치상태가 검출될수 있다. 더욱 구체적으로 말하면, 전력원 전압이 저전압 V1로 감소된 후에 고전압 V2로 바꿜경우, 공진회로(106)의 공진주파수 f는 제8d도에 도시된 바와 같이 주파수 f4로 감소된다. 그때 검출된 공진주파수 f4는 소정의 주파수 f00'보다 더높다. 그 결과로서, 결정회로(121)는 정상검출신호 Sn을 출력시키고, 그것을 전압제어회로(134)에 공급한다. 제어회로(134)는 인버터(112)에 전력원 전압으로서 고전압 V2를 공급하도록 스위칭 싸이리스터(118)를 제어하며, 인버터(112)를 고전력 모드로 설정한다. 따라서, 전력원 전압은 용기(135)의 상태에 따라서 최적화된다.Assume that at time T4 in FIGS. 8C and 8D, the overall weight of the
이 실시예에 의하면, 인버터 제어기(113)가 제1실시예와 동일한 방식으로 인버터 전력 레벨 제어데이타를 얻기 위해, 공진회로(106)가 용기(135)에 관련한 공진상태로 설정되도록 인버터(1l2)의 출력주파수를 피드백 제어하기 위해 구성된다. 따라서, 용기(135)의 위치상태가 변할지라도, 공진회로(106)는 정상적으로 공진되도록 제어된다. 전압변화회로(119)는 전력원 전압을 저전압 V1에서 고정압 V2로 변화시키기도록 구성되어, 저전력 모드의 인버터(112)를 고전력 모드로 주기적으로 설정한다. 게다가, 상태 결정회로(l21)가 구성된다. 결정회로(12l)는 전압 변화시 공진회로(106)의 공진주파수 f를 검출한다. 저전압 V1의 경우에서 초기 주파수로 부터의 변화가 소정값을 초과할 경우, 결정회로(121)는 정상 검출신호 Sn을 출력시키고, 만일 그렇지 않을 경우 에러 검출신호 Se를 출력시킨다. 따라서, 이 실시예의 장치가 정상 검출신호 Sn이나 에러검출신호 Se를 출력시키기 때문에, 용기(135)가 상단 플레이트(109)로부터 플로우팅되거나 적절한 위치에 위치하는 저의 여부가 신뢰성있고도 쉽게 검출될수 있다. 전압변화회로(119)가 주기적으로 상기 검출을 수행하도록 주기적으로 동작되므로, 인버터(112)에 인가된 전력원 전압이 그 검출결과에 따라서 제어되어 인버터(112)의 전력레벨을 제어한다. 용기(135)가 그 물질이나 무게에 따라서 플로우팅될 경우, 용기(135)의 플로우팅을 방지할수 있는 적절한 전력원 전압이 인버터(112)에 공급될수 있다. 용기(135)가 상단플레이트(109)상의 적절한 위치로부터 시프트될 경우, 적절한 전력원 전압(저전압 V1)이 공진주파수 f를 증가시키도록 인버터(112)에 공급될수 있다. 그러므로, 조리가 항상 안정되게 수행될수 있다.According to this embodiment, in order for the inverter controller 113 to obtain the inverter power level control data in the same manner as in the first embodiment, the
제9도에는 본 발명의 제4실시예가 도시되어 있으며, 제9도에서의 동일 참조부호는 제3실시예에서와 동일 부분을 나타낸다. 제6도와의 차이점만이 이하 설명되겠다. 참조부호(136)는 인버터(112)대신에 사용되는 인버터를 나타내며, 이 인버터는 유도코일(137) 및 공진 커패시터(138)로 이루어지는 공진회로(139)를 구비한다. 하나의 스위칭 트랜지스터(140) 및 덤퍼 다이오드(141)가 제1및 제2스위칭 트랜지스터(110,111)대신에 구성된다. 커패시터(138)의 단자 전압은 계기용 변성기를 구성하는것 없이 위상검출회로(142)에 출력된다. 출력 전압의 변화에 따라서 위상차가 검출된다. 전압변화회로(144)는 주기적인 동작을 위한 발진기 회로를 포함한다. 인버터 구동회로(146)는 전압 제어식 발진기(VCO)를 포함하는 위상검출회로(142)와 함께 피드백 제어회로(145)를 구성한다. 구동회로(146)는 스위칭 트랜지스터(140)를 제어한다. 전압제어회로(147)는 센서(144)로 부터의 주기적인 용기 무게나 반발력 검출 데이타에 따라서, 용기(135)의 무게나 반발력에 대응하고 결정메모리(143)로부터 판독된 인버터 전력레벨 제어데이타에 근거하여 인버터 구동회로(146)를 제어한다.9 shows a fourth embodiment of the present invention, wherein like reference numerals in FIG. 9 denote the same parts as in the third embodiment. Only the differences from FIG. 6 will be described below.
상술된 바와 같은 본 발명에 의하면, 가열될 물건이 상단 플레이트로 부터 플로우팅될 경우가 신뢰성있고도 쉽게 방지될수 있다.According to the present invention as described above, the case where the object to be heated is floated from the top plate can be reliably and easily prevented.
제3실시예에서와는 달리 이 실시예에서는, 인버터의 전력모드가 인버터 절력레벨 제어데이타를 얻기 위해, 공진주파수의 변화를 검출하도록 저전력 모드로부터 고전력 모드로 주기적으로 바뀌지는 않는다. 더욱 구체적으로 말하면, 이 실시예에서 용기(135)의 무게나 그에대한 반발력이 센서(l44)에 의해 주기적으로 검출된다. 제5도에 도시된 바와 같이, 상태 결정 메모리(143)는 인버터 전력과 조리용기에 대한 반발력간의관계에, 따른 인버터 전력 제어 레벨 데이타를 미리 기억한다. 전압제어회로(147)는 센서(l44)로 부터의 주기적인 용기 무게나 반발력 검출데이타에 따라서, 용기(135)의 무게나 반발력에 대응하고 결정메모리(143)로 부터 판독된 인버터 전력 레벨 제어데이타에 근거하여 인버터 구동회로(146)를 제어한다. 제4실시예에서, 제2실시예와 동일한 효과가 제공될수 있다.Unlike in the third embodiment, in this embodiment, the power mode of the inverter is not periodically changed from the low power mode to the high power mode to detect a change in the resonance frequency in order to obtain inverter power level control data. More specifically, in this embodiment, the weight of the
상술된 바와 같은 본 발명에 의하면, 가열될 물건이 상단 플레이트로부터 플로우팅될 경우가 신뢰성있고도 쉽게 방지될수 있다.According to the present invention as described above, the case where the object to be heated is floated from the top plate can be reliably and easily prevented.
본 발명은 상기 실시예들로 한정되지 않으며, 다음과 같이 수정될수 있다. 스위칭 싸이리스터(18,118)대신에 전파정류기(4,104)의 복수의 다이오드가 스위칭 싸이리스터로 대체될수 있다. 전력 변화회로 및 전압변화회로가 저항의 변화에 따라서 각각 전력 및 전압을 변화시킬수 있다. 상기 결정회로가 인버터 제어회로의 VCO의 출력 주파수에 따른 공진회로의 공진주파수를 검출할수 있다. 이 경우에서, F-V변환기(21,122)가 제1및 제3실시예에서의 결정회로(20,121)로부터 생략될수 있다. 결정회로는 주파수가 펄스변환되는 만큼의 펄스수로 공진주파수를 검출할수 있다. 전력 변화회로 및 전압변화 회로의 전력변화 및 전압변화는 계단식일수 있다. 또한, 전력제어회로 및 전압제어회로의 제어전력 및 제어전압은 다양한 레벨로 바뀔수있다.The present invention is not limited to the above embodiments and may be modified as follows. Instead of the switching
제1및 제3실시예에서, 전력변화회로(19) 및 출력제어회로(33)와, 전압변화회로(119), 전압제어회로(134) 및 발진회로(120)는 각각 마이크로프로세서(CPU)(17,117)로 대체될수 있다.In the first and third embodiments, the power change circuit 19 and the output control circuit 33, the
여러가지 다른 변화 및 수정이 본 발명의 사상 및 범위내에서 이루어질수 있다.Many other changes and modifications may be made within the spirit and scope of the invention.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019870005145A KR900007381B1 (en) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | Electromagnetic heating cooker |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019870005145A KR900007381B1 (en) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | Electromagnetic heating cooker |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880013513A KR880013513A (en) | 1988-12-21 |
KR900007381B1 true KR900007381B1 (en) | 1990-10-08 |
Family
ID=19261609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019870005145A KR900007381B1 (en) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | Electromagnetic heating cooker |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR900007381B1 (en) |
-
1987
- 1987-05-25 KR KR1019870005145A patent/KR900007381B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR880013513A (en) | 1988-12-21 |
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