KR900005698A - 비선형 공진스위치 및 콘버터 - Google Patents

비선형 공진스위치 및 콘버터 Download PDF

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KR900005698A
KR900005698A KR1019890012641A KR890012641A KR900005698A KR 900005698 A KR900005698 A KR 900005698A KR 1019890012641 A KR1019890012641 A KR 1019890012641A KR 890012641 A KR890012641 A KR 890012641A KR 900005698 A KR900005698 A KR 900005698A
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마이클 죤 덴튼
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Abstract

내용 없음

Description

비선형 공진스위치 및 콘버터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 콘버터의 일반화된 비선형 공진스위치의 개략회로도,
제2도는 제1도의 회로에 사용된 리액터에서의 코어자속 대전류의 설명도,
제3도는 제1도회로의 이상적인 경우에 대한 회로인덕턴스대 스위치전류의 설명도.

Claims (11)

  1. 자기코어(30)상에 1차권선(28)과 2차권선(32)을 가지는 자기코어(30)를 포함하는 비선형리액터 ; 커패시터(26)와 병렬로 연결된 다이오드(36) ; 반도체 스위치수단(22) ; 및 반도체 스위치수단의 스위칭을 타이밍하기 위한 타이밍수단(40) ; 을 포함하는 비선형 공진스위치에 있어서, 낮은 1차권선전류에서 자기코어(30)를 포화하고 높은 1차 권선전류에서 불포화를 허용하는 포화수단 ; 공진탱크회로에 직렬로 연결된 반도체 스위치수단과 상기 1차권선(28) 및 커패시터(26)를 포함하는 공진탱크회로를 구성하는 것으로, 피이크탱크 회로전류가 그의 불포화상태에서 비선형리액터의 인턱턴스에 의해 감쇄되는 1차회로 ; 반도체 스위치수단(22)을 통하는 전류가 영 일때 탱크공진에 관련한 반도체 스위치수단(22)의 스위치를 위한 스위칭을 타이밍하여 스이칭효율을 적정화 하는 타이밍수단(40) ; 및 2차권선(32)과 작렬인 다이오드(36) 및 커패시터(26)조합을 구성하는 2차회로 ; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 비선형 공진스위치.
  2. 제1항에 있어서, 포화수단은 2차권선(32)과 실질적으로 소정의 피이크값이하의 1차전류에 대하여 코어포화를 달성하기에 충분한 레벨에서 실질적으로 일정한 2차전류를 유지하기 위한 수단(34,38)을 포함하는 비선형 공진스위치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 포화수단은 보조권선(34)과 실질적으로 소정의 피이크값이하의 1차전류에 대하여 코어포화를 달성하기에 충분한 레벨에서 실질적으로 일정한 바이어스전류를 공급하기 위한 수단(38)을 포함하는 비선형 공진스위치.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 반도체 스위치수단은 반파 공진스위치 동작을 실행하기 위해 스위치전도에 대하여 반대방향으로의 전류를 저지하도록 설치된 다이오드(56)와 직렬인 FET(54)를 포함하는 비선형 공진스위치.
  5. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 반도체 스위치수단은 전파 공진스위치 동작을 실행하기 위해 스위치전도에 대하여 반대방향으로의 전류를 전도하도록 설치된 다이오드(56)와 직렬인 FET(54)를 포함하는 비선형 공진스위치.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한항에 있어서, 공진 탱크회로는 1차단자(12)에 직렬로 연결된 인덕터(24,28)와 커패시터(26)를 포함하되 상기 1차권선(28)와 적어도 인덕터의 일부를 형성하고, 2차회로는 2차단자(16)에 직렬로 연결된 상기 2차권선(32)와 커패시터(26)를 포함하는 1,2차단자(12,16)를 가지는 비선형 공진스위치.
  7. 입력원(14)과 출력커패시터(18) ; 자기코어상에 1차권선(28)과 2차권선(32)을 가지는 자기코어(30)를 포함하는 비선형리액터 ; 탱크버패시터(26)와 병렬인 다이오드(36) ; 반도체 스위치수단(22,54,56) ; 및 반도체 스위치수단을 스위칭하기 위한 타이밍수단(40) ; 을 포함하는, 한쌍의 에너지장치를 포함하는 비선형 공진스위치 콘버터에 있어서, 낮은 1차 권선전류에서 자기코어(30)를 포화하고, 높은 1차권선전류에서 불포화하기 위한 포화수단 ; 반도체 스위치수단(22,54,56)과 적어도 상기 에너지장치의 1차측일단에 직렬로 연결되는 인덕터(24,28)와 탱크커패시터(26)를 포함하는 공진탱크회로를 포홈하되 상기 1차권선(28)은 적어도 인덕터의 일부를 형성함으로써, 피이크탱크 회로전류가 그의 불포화상태에서 비선형리액터의 인덕턴스에 의해 감쇄되는 1차회로 ; 에너지장치의 2차측밀단에 직렬로 연결되는 상기 2차권선(32), 필터인덕터(18) 및 상기 탱크커패시터(26)를 포함하는 2차회로 ; 및 반도체 스위치수단을 통하는 전류가 영일때 반도체 스위치수단을 스위치하여, 스위칭효율을 적정화하는 타이밍수단 ; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 비선형 공진스위치 콘버터.
  8. 제7항에 있어서, 포화수단은 2차권선(32)과 실질적으로 소정의 피이크값이하의 1차전류에 대하여 코어포화를 달성하기 충분한 레벨에서 실질적으로 일정한 2차전류를 유지하기 위한 수단(34,38)을 포함하는 비선형공진 스위치 콘버터.
  9. 제7항 내지 제8항에 있어서, 포화수단은 보조권선(34)과 실질적으로 소정의 피이크값이하의 1차전류에 대하여 코어포화를 달성하기에 충분한 레벨에서 실질적으로 일정한 바이어스전류를 공급하기 위한 수단(38)을 포함하는 비선형공진 스위치 콘버터.
  10. 제7항 내지 제9항중 어느 한항에 있어서, 반도체 스위치수단은 반파공진 스위치동작을 실행하기 위해 스위치전도에 대하여 반대방향으로의 전류를 저지하도록 설치된 다이오드(56)와 직렬인 FET(54)를 포함하는 비선형공진 스위치 콘버터.
  11. 제7항 내지 제9항중 어느 한항에 있어서, 반도체 스위칭수단은 전파공진 스위치동작을 실행하기 위해 스위치전도에 대하여 반대방향으로의 전류를 전도하도록 설치된 다이오드(56)와 병렬인 FET(54)를 포함하는 비선형 공진스위치 콘버터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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