KR900004988Y1 - Magnetron control circuit of electronic range - Google Patents
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- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/083—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the ignition at the zero crossing of the voltage or the current
Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 종래의 회로도.1 is a conventional circuit diagram.
제2도는 본 고안의 회로도.2 is a circuit diagram of the present invention.
제3도는 제2도에 따른 각부 파형도.3 is a waveform diagram of each part according to FIG. 2.
제4도는 제로크로싱회로의 출력신호와 실리콘제어 정류기의 턴온가능범위를 나타내는 도면이다.4 is a diagram showing the turn-on range of the output signal of the zero crossing circuit and the silicon controlled rectifier.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 제로크로싱회로 2 : 전원회로1: zero crossing circuit 2: power supply circuit
3 : 충방전회로 4 : 마그네트론구동부제어회로3: charge / discharge circuit 4: magnetron drive part control circuit
5 : 마그네트론구동부 6 : 스위칭부5: magnetron drive unit 6: switching unit
7 : 전압레벨제어부 ZD1, ZD2: 제너다이오드7: Voltage level control part ZD 1 , ZD 2 : Zener diode
TL, TH: 저전압 및 고전압트랜즈 LF : 라인필터T L , T H : Low and high voltage trend LF: Line filter
Q1∼Q6: 트랜지스터 OT : 옵토트라이악Q 1 to Q 6 : Transistor OT: Optotriac
SCR1, SCR2: 실리콘제어정류기 PUT : 프로그래머블 단접합 트랜지스터SCR 1 , SCR 2 : Silicon controlled rectifier PUT: Programmable single junction transistor
본 고안은 전자레인지의 마그네트론구동부 제어회로에 관한 것으로서, 특히 고압트랜스의 소음이 적고, 안정된 전압레벨을 마그네트론에 공급할 수 있도록 된 제로크로싱(Zero-Crossing)을 이용한 마그네트론구동부 제어회로에 관한 것이다.The present invention relates to a control circuit for a magnetron driver of a microwave oven, and more particularly to a magnetron driver control circuit using zero-crossing, which is capable of supplying a stable voltage level to a magnetron with low noise of a high voltage transformer.
일반적으로 전자레인지를 사용하여 식품을 조리함에 있어서는 마그네트론을 구동시켜 발생되는 마이크로파로 조리를 하게 되는바, 즉 전자레인지는 마이크로파에 의한 유전 가열을 이용하기 때문에 안전상 여러 가지 기구 및 회로를 필요로 하게 되며, 특히 마그네트론구동부에 있어서는 안전상 프라이어머리 및 세컨더리모니터스위치들을 구성시켜야 되고, 전원제어용 릴레이와 함께 사용중 및 비사용중임을 나타내는 표시램프 등이 각각 사용된다.In general, when cooking food using a microwave oven, the microwave is produced by driving the magnetron. That is, the microwave oven uses microwave heating by microwaves, and thus requires various devices and circuits for safety. In particular, in the magnetron driving unit, the primary head and the secondary monitor switches should be configured for safety, and an indication lamp indicating that the relay is being used or not used together with the power control relay is used.
제1도는 종래의 이러한 전자레인지의 마그네트론 구동부 제어회로를 도시해 놓은 것인바, 사용자가 식품에 따라 조리온도를 설정하여 놓고, 타이머를 적당한 시간이 되도록 조절한 다음 전원스위치를 온하게 되면 저전압트랜스(TL)의 2차측에 유기된 제3도의 (a)전압이 전원회로(2)의 다이오드(D2)와 콘덴서(C3)를 통하여 반파 정류되어 저항(R4)과 제너다이오드(ZD1)에 인가되고, 인가된 전압은 저항(R4)과 제너다이오드(ZD1)에서 분압되어 파워트랜지스터(Q1)의 베이스로 공급됨과 더불어 다이오드(D2)와 콘덴서(C3)에서 반파정류된 전압은 다이오드(D3)(D4)를 통하여 파워트랜지스터(Q1)의 컬렉터에 인가된다.FIG. 1 illustrates a conventional magnetron driver control circuit of a microwave oven. The user sets a cooking temperature according to a food, adjusts a timer to a suitable time, and then turns on a power switch. The voltage (a) of FIG. 3 induced on the secondary side of T L ) is half-wave rectified through the diode D 2 and the capacitor C 3 of the power supply circuit 2 so that the resistor R 4 and the zener diode Z 1 ) And the applied voltage is divided by the resistor (R 4 ) and the zener diode (ZD 1 ) and supplied to the base of the power transistor (Q 1 ), and the half-wave rectification in the diode (D 2 ) and the capacitor (C 3 ). The voltage is applied to the collector of the power transistor Q 1 through the diode D 3 and D 4 .
이에 따라 전원회로(2)는 안정적인 공급전원(B+)을 공급하게 된다. 여기서 제너다이오드(ZD1)는 파워 트랜지스터(Q1)의 베이스에 안정된 전압을 공급하기 위한 것이다.Accordingly, the power supply circuit 2 supplies a stable supply power (B + ). Here, the zener diode ZD 1 is for supplying a stable voltage to the base of the power transistor Q 1 .
한편 저전압트랜스(TL)의 2차측에 유기되는 교류전원(제3a도)은 제로크로싱회로(1)의 다이오드(D1)에 의해 정류되어 저항(R1)을 통해 프로그래머블단접합 트랜지스터(PUT)의 게이트로 제3도 (b)의 신호로서 인가되고, 저항(R5)과 콘덴서(C4)로 구성된 충방전회로(3)를 통하여 프로그래머블 단접합트랜지스터(PUT)의 애노드측으로 제3도의 (c)신호가 인가되며, 이 충방전회로(3)의 시정수에 의하여 프로그래머블 단접합트랜지스터(PUT)의 게이트측과 에노드측의 파형이 제3도의 (b)와 (c)와 같이 각각 상이하게 인가된다.On the other hand, the AC power source (FIG. 3A) induced on the secondary side of the low voltage transformer T L is rectified by the diode D 1 of the zero crossing circuit 1 and the programmable single junction transistor PUT through the resistor R 1 . Is applied as the signal of FIG. 3 (b) to the anode side of the programmable single-junction transistor (PUT) through a charge / discharge circuit (3) consisting of a resistor (R 5 ) and a capacitor (C 4 ). (c) a signal is applied, and the waveforms of the gate side and the anode side of the programmable single-junction transistor (PUT) are changed as shown in (b) and (c) of FIG. 3 by the time constant of the charge / discharge circuit 3. It is applied differently.
또 에노드측 인가전압(제3도의 (c))이 게이트측 인가전압(제3b도)보다 높을 때에는 프로그래머블 단접합트랜지스터(PUT)가 턴온되어 캐소드측으로 제3도의 (d)신호가 출력되고, 그에 따라 마그네트론구동부 제어회로(4)의 트랜지스터(Q3)가 턴온되며, 이와 상반되게 구동되는 트랜지스터(Q3)가 턴오프되므로 트랜지스터(Q3)의 컬렉터측의 저항(R7)을 통하여 인가되는 공급전원(B+)은 다이오드(D5)를 통하여 실리콘제어정류기(SCR1)를 도통시킨다.When the anode side applied voltage (Fig. 3 (c)) is higher than the gate side applied voltage (Fig. 3b), the programmable single junction transistor (PUT) is turned on to output the signal (d) of Fig. 3 to the cathode side. Accordingly, the transistor Q 3 of the magnetron driver control circuit 4 is turned on, and the transistor Q 3 driven opposite thereto is turned off and applied through the resistor R 7 at the collector side of the transistor Q 3 . The supplied power supply B + conducts the silicon controlled rectifier SCR 1 through the diode D 5 .
제3도의 (e)에는 실리콘제어정류기(SCR1)의 도통구간이 도시되어 있는바, 프로그래머블 단접합트랜지스터(PUT)가 턴온되어 실리콘제어정류기(SCR1)가 도통될 때 전압레벨제어부(7)의 하이레벨 출력이 마그네트론구동부 제어회로(4)에 있는 트랜지스터(Q4)의 베이스에 인가되어 트랜지스터(Q4)가 턴온되고, 이에 따라 마그네트론구동부(5)의 옵토트라이악(OT)이 턴온되어 마그네트론에 고압트랜스(TH) 2차측의 고전압이 인가되므로 마이크로파가 발생되어 조리를 하게 된다.In FIG. 3E, the conduction section of the silicon controlled rectifier SCR 1 is illustrated. When the programmable single junction transistor PUT is turned on to conduct the silicon controlled rectifier SCR 1 , the voltage level controller 7 is connected. Is applied to the base of the transistor Q 4 in the magnetron driver control circuit 4 so that the transistor Q 4 is turned on, thereby turning on the optotriac OT of the magnetron driver 5. Since the high voltage of the secondary side of the high voltage transformer (T H ) is applied to the magnetron, microwaves are generated to cook.
상기한 바와 같이 작용하는 종래의 전자레인지는 제로크로싱회로(1)외 출력신호와 전압레벨제어부의 출력신호가 위상이 일치할 때 고압트랜스(TH)를 여기시킴에 따라 일시에 많은 부하가 걸리게 되어 고압트랜스(TH)에 큰 소음이 발생할 뿐만 아니라, 이를 조절하는 옵토트라이악(OT)에도 큰무리가 따르게 되므로 안정된 전압레벨을 유지할 수 없는 결점이 있었다.In the conventional microwave oven operating as described above, when the output signal other than the zero crossing circuit 1 and the output signal of the voltage level controller are in phase with each other, the high voltage transformer (T H ) excites a high load at a time. Therefore, not only a large noise is generated in the high-voltage transformer (T H ), but also a large group is also followed by the opto-triac (OT) that controls it, so there was a defect that a stable voltage level could not be maintained.
본 고안은 상기한 종래 전자레인지의 마그네트론구동부 제어회로를 개선한 것으로서, 제로크로싱회로의 출력신호와 전압레벨제어부의 출력신호 위상이 서로 상반된 상태에서 마그네트론구동부가 작동되도록 하여 일시에 많은 부하가 걸리지 않게 하므로써 고압트랜스의 소음이 적고, 옵토트라이악이 안정되므로 안정된 전압 레벨을 유지할 수 있는 제로크로싱을 이용한 마그네트론구동부 제어회로를 재공하고자 함에 그 목적이 있다.The present invention is an improvement of the magnetron driver control circuit of the conventional microwave oven, and the magnetron driver is operated in a state where the output signal of the zero crossing circuit and the output signal phase of the voltage level controller are opposite to each other so that a large load is not applied at a time. Therefore, the purpose of the present invention is to provide a magnetron driver control circuit using zero crossing that can maintain a stable voltage level because the noise of the high voltage transformer is low and the opto-triac is stabilized.
이하 본 고안의 구성 및 작용 효과를 예시도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 고안은 제로크로싱회로(1)와 전원회로(2), 충방전회로(3) 및 마그네트론구동부(5)를 구비하고 있는 전자레인지에 있어서, 상기 제로크로싱회로(1)의 출력측에 저항(R6∼R10)과 다이오드(D5), 콘덴서(C5), 실리콘제어정류기(SCR1) 및 트랜지스터(Q2∼Q4)로 구성된 마그네트론구동부 제어회로(4)가 연결되고, 상기 마그네트론구동부 제어회로(4)에는 저항(R15∼R20)과 다이오드(D6)(D7), 제너다이오드(ZD2), 콘덴서(C8), 실리콘제어정류기(SCR2) 및 트랜지스터(Q5)(Q6)로 구성된 스위칭부(6)가 연결됨과 더불어 상기 마그네트론구동부(5)가 연결된 구조로 되어 있다.The present invention is a microwave oven having a zero crossing circuit (1), a power supply circuit (2), a charge and discharge circuit (3) and a magnetron driver 5, the resistance (R) on the output side of the zero crossing circuit (1) 6 ~R 10) and a diode (D 5), a capacitor (C 5), a silicon controlled rectifier (SCR 1) and the transistor (Q 2 ~Q 4) is connected to a magnetron drive control circuit 4 composed of the magnetron driving section The control circuit 4 includes resistors R 15 to R 20 and diodes D 6 (D 7 ), zener diodes (ZD 2 ), capacitors (C 8 ), silicon controlled rectifiers (SCR 2 ) and transistors (Q 5). Q 6 is connected to the switching unit 6 and the magnetron driving unit 5 is connected.
미설명부호 7는 전압레벨제어부, B는 공급전원을 나타낸다.Reference numeral 7 denotes a voltage level controller, and B denotes a power supply.
제2도에는 상기한 구조로 구성된 본 고안의 회로도가 도시되어 있는 바, 사용자가 조리를 하고자 전원스위치를 온하게 되면 제로크로싱회로(1)와 전원회로(2) 및 충방전회로(3)의 작용은 상기한 종래의 전자레인지와 동일하게 동작된다. 즉, 제로크로싱회로(1)의 프로그래머블 관접합트랜지스터(PUT)가 턴온상태일 때 마그네트론구동부 제어회로(4)의 실리콘제어정류기(SCR1)가 도통된다.FIG. 2 shows a circuit diagram of the present invention having the above-described structure. When the user turns on the power switch for cooking, the zero crossing circuit 1, the power supply circuit 2, and the charge / discharge circuit 3 are shown. The operation is the same as that of the conventional microwave oven described above. In other words, when the programmable tube junction transistor PUT of the zero crossing circuit 1 is turned on, the silicon control rectifier SCR 1 of the magnetron driver control circuit 4 is turned on.
반면에 프로그래머블 단접합트랜지스터(PUT)가 턴오프되어 캐소드출력(제3도의 (d))이 없을 때, 제4도의 (b)와 같이 실리콘제어정류기(SCR2)가 도통되고, 실리콘제어정류기(SCR1)는 도통상태가 유지되므로 이때 전압레벨제어부(7)의 출력신호(제4도의 (a))가 하이레벨이 되면 스위칭부(6)의 트랜지스터(Q6)가 턴온되고, 트랜지스터(Q5)가 턴오프되어 공급전원(B+)이 저항(R15)(R9)과 저항(R10)에 의해 분압된 후 트랜지스터(Q4)의 베이스로 인가되므로 트랜지스터(Q4)가 턴온되고, 이에 따라 마그네트론구동부(5)의 옵토트라이악(OT)이 턴온되어 마그네트론에 고압트랜스(TH)의 고전압이 인가되는 것으로 이때 전류는 전압과 위상차가 90°인 최소치가 되어 정확한 제로크로싱의 시점이 일치되어 서어지전류발생이 방지된다.On the other hand, when the programmable single junction transistor (PUT) is turned off and there is no cathode output ((d) in FIG. 3), the silicon controlled rectifier (SCR 2 ) is turned on as shown in (b) of FIG. 4, and the silicon controlled rectifier ( Since the SCR 1 is in the conduction state, when the output signal of the voltage level controller 7 (a in FIG. 4) becomes high level, the transistor Q 6 of the switching unit 6 is turned on and the transistor Q 5) is turned the power supply (B +) is a resistance (R 15 off) (R 9), and therefore applied to the base of the post transistor (Q 4) divided by the resistance (R 10), a transistor (Q 4) are turned on As a result, the optotriac OT of the magnetron driving unit 5 is turned on so that the high voltage of the high voltage transformer T H is applied to the magnetron. At this time, the current becomes a minimum value of 90 ° between the voltage and the phase difference. The timings coincide to prevent surge current generation.
또한 전압레벨제어부(7)의 출력신호(제4도의 (a))가 로우레벨이 되면 트랜지스터(Q6)가 턴오프되고, 트랜지스터(Q5)가 턴온되어 공급전원(B+)이 트랜지스터(Q4)의 베이스에 공급되지 않아 트랜지스터(Q4)가 턴오프되어 마그네트론에 고압트랜스(TH) 2차측의 고전압이 인가되지 않는다.In addition, when the output signal of the voltage level controller 7 (a of FIG. 4) is at the low level, the transistor Q 6 is turned off, and the transistor Q 5 is turned on so that the power supply B + is supplied with the transistor ( Since it is not supplied to the base of Q 4 ), the transistor Q 4 is turned off so that the high voltage of the secondary side of the high voltage transformer T H is not applied to the magnetron.
상기한 바와 같이 작용하는 본 고안은 제로크로싱회로의 출력과 전압레벨제어부의 출력이 상반된 때에 마그네트론구동부가 동작하게 되어 일시에 많은 부하가 걸리지 않게 되므로 고압트랜스의 소음이 적어질 뿐만 아니라 옵토트라이악이 안정되므로 전압레벨이 안정되어 전자레인지의 품질 및 신뢰성이 크게 향상되는 장점이 있다.The present invention, which works as described above, operates when the magnetron driver operates when the output of the zero crossing circuit and the output of the voltage level controller are in opposition, so that the load of the high voltage transformer is not excessively reduced. Since it is stable, the voltage level is stable, and the quality and reliability of the microwave oven are greatly improved.
Claims (1)
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Family Applications (1)
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- 1986-03-07 KR KR2019860002681U patent/KR900004988Y1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
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| KR870015660U (en) | 1987-10-26 |
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