KR890008433Y1 - 위성 방송 수신장치의 챈널선국회로 - Google Patents

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KR890008433Y1 KR2019860010906U KR860010906U KR890008433Y1 KR 890008433 Y1 KR890008433 Y1 KR 890008433Y1 KR 2019860010906 U KR2019860010906 U KR 2019860010906U KR 860010906 U KR860010906 U KR 860010906U KR 890008433 Y1 KR890008433 Y1 KR 890008433Y1
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Abstract

내용 없음.

Description

위성 방송 수신장치의 챈널선국회로
제1도는 본 고안의 회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 챈널선택 스위치 집적회로 2 : 챈널 선택키부
3 : 동조 전압메모리부 4 : 멀티바이브 레이터회로
5 : 동조전압출력부 VR1∼VR24: 가변저항
Q1∼Q7: 트랜지스터 SW1, SW2: 챈널엎/다운스위치
B1, B2: 공급전압
본 고안은 위성방송 수신장치의 챈널선국회로에 관한 것으로, 특히 챈널 선택 스위치 집적회로의 챈널 선택스위치 단자를 2중으로 사용하여 챈널 선택스위치 단자가 12개 설치되어 있는 챈널 선택스위치 집적회로 1개를 가지고 서도 24개의 챈널을 선국할 수 있도록 된 위성방송 수신장치의 챈널 선국 회로에 관한 것이다.
일반적으로 위성방송 수신장치의 챈널수는 24개로 되어 있어서 이 24개의 챈널을 직접 선택하기 위해서는 24개의 챈널 선택키가 위성방송 수신 장치 세트 외부에 나와 있어야 되는바, 이렇게 될 경우에는 챈널 선택키가 24개 있어야만 되기 때문에 외관상 매우 복잡하게 된다.
이 복잡함을 해결하기 위하여 요즈음에는 챈널엎키와 챈널다운 키 2개를 가지고 해당챈널을 선국하고 있는 방식이 소개되어 있으나, 이러한 챈널엎키와 챈널 다운키를 사용한 위성 방송 수신 장치에서는 24개의 챈널을 선국하기 위해 챈널 선택스위치 단자가 12개인 챈널 선택스위칭 집적회로(예컨데 텔레비젼 수상기에 사용되는 챈널 선택 스위치 집적회로)를 2개 접속시켜 사용하고 있기 때문에 회로가 복잡해지게 됨은 물론 제조원가가 높아지게 된다는 단점이 있다.
본 고안은 상기한 종래 위성 방송 수신 장치의 챈널 선국회로를 개선하기 위해 고안된 것으로서, 챈널 선택 스위치단자를 2중으로 사용함으로서 챈널 선택스우치단자가 12개 있는 챈널 선택 스위치 집적회로 하나로 24개의 챈널을 선국할 수 있도록 된 위성방송 수신 장치의 챈널 선국 회로를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
이하 본 고안의 구성 및 작용, 효과를 예시도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안은 챈널 선택 스위치 집적회로(1)와, 상기 챈널 선택 스위치 집적회로(1)의 챈널 선택 스위치 단자(S1∼S12)를 로우 레벨 또는 하이 레벨 상태로 하는 챈널 엎/다은 스위치 (SW1)(SW2)로 구성된 채널 선택 키부(2), 각 챈널에 해당하는 동조 전압이 셋팅되어 있는 가변 저항(VR1∼VR24)과 다이오드(D1-D24)로 구성된 동조 전압 메모리부(3), 상기 챈널 선택 스위치 접적회로(1)에 있는 단자(P)의 레벨 상태에 따라 트랜지스터(Q2)(Q3)를 턴온/턴오프 시키도록 저항(R1∼R13)과 다이오드(D27)(D28)및 트랜지스터(Q4∼Q7)로 구성된 멀티바이브레이터 회로(4)및 상기 트랜지스트(Q2)(Q3)의 턴온/턴오프에 따라 선택된 챈널에 해당하는 상기 동조 전압 메모리부(3)의 동조전압에 비례한 전압을 출력하는 동조 전압 출력부(5)를 구비한 구조로 되어 있다.
이런 구조에서 상기 가변저항(VR1∼VR24)의 저항치는 모두 틀리게 설정되어 있다.
미 설명 부호 B1, B2는 공급전원을 나타낸다.
제1도는 본 고안의 회로도로서, 챈널 선택 스위치 집적회로(1)는 사용자가 챈널을 선국함을 따라 챈널 선책 스위치 단자 (S∼S12)중 선택된 한단자만 로우 레벨 상태로, 나머지 단자는 하이레벨 상태로 되고, 단자 (P)는 로우챈널(제1챈널∼제12챈널) 상태에서 하이 챈널 (제13챈널∼제24챈널)이 선국되거나 하이 챈널 상태에서 로우 챈널이 선국될때 일정기간 로우 레벨 상태로 되는 집적회로인바, 즉 사용자에 의해 최초 전원이 공급되면 챈널 선택스위치 단자 (S1)만이 로우 레벨로 되고 나머지 챈널 선택스위치 단자(S2∼S12)는 하이 레벨로 되며, 이 상태에서 챈널 선택키부(2)의 챈널엎 스위치(SW1)를 누름에 따라 챈널 선택 스위치 단자(S1∼S12)는 S2→S3→--- S12→S1→---순으로 순차적으로 로우 레벨로 되고, 챈널 다운 스위치(SW2)를 누름에 따라 S12→S11→--- S1→S12→---순으로 순차적으로 로우 레벨이 된다.
또한, 챈널엎/다운 스위치 (SW1)(SW2)를 누른 상태로 계속 있으면 예컨데 0.5초 (임의로 설정할 수 있는 시간) 간격으로 상기한 순서로 선택 스위치 단자(S1∼S12)가 순차적으로 로우 레벨로 되고, 만일에 챈널 엎/다운 스위치(SW1)(SW2)를 누르고 0.5초 이내에 놓게 되면 챈널엎/다운 스위치(SW1)(SW2)를 눌렀을 때 로우 레벨로 선택된 챈널 선택 스위치 단자의 상태가 그대로 유지된다.
따라서 사용자는 선택하고자 하는 채널이 선국될때 까지 챈널엎/다운 스위치 (SW1)(SW2)를 계속 누르고 있거나 챈널엎/다운 스위치(SW1)(SW2)를 여러번 눌러 챈널을 선국하게 되는 바, 최초 전원이 인가되면 챈널 선택 스위치 집적회로(1)의 챈널 선택 스위치 단자(S1)가 상술한 것처럼 로우 레벨로 되고, 나면지 챈널 스위치 단자(S2∼S12)는 하이 레벨로 되어 공급 전원 (B1)에 의해 동조 전압 메모리부 (3)의 가변 저항(VR1)에는 제1챈널을 선국할 수 있는 동조 전압이, 또한 가변 저항(VR13)에도 제13채널을 선국할 수 있는 동조 전압이 셋팅 된다.
한편, 이때에는 챈널 선택 스위치 집적회로(1)의 단자(P)가 하이레벨 로 되어 멀티바이브 레이터회로(4)의 트랜지스터 (Q6)(Q7)가 턴온되고, 그에 따라 공급전원(B2)에 의한 전류가 저항 (R5)(R6)과 트랜지스터(Q6)를 접지로, 또한 저항 (R9)(R10)과 트랜지스터 (Q7)를 통해 접지로 각각 흐르게 되어 저항(R6)(R10)에는 전압 강하가 발생되는데, 본 회로에서는 저항(R6)값이 저항 (R10)값보다 작게 설정되어 있기 때문에 저항 (R6)과 병렬로 연결된 저항(R7)에 흐르는 전류에 의한 전압도 낮으므로 트랜지스터 (Q5)의 바이어스 전압이 낮게 되는바, 이 전압은 트랜지스터(Q5)를 턴온시킬 수 없는 낮은 전압이므로 트랜지스터(Q5)는 턴오프 되고, 저항 (R10)에 걸리는 전압은 높으며 이에 따라 저항(R8)을 통해 트랜지스터 (Q4)에 걸리는 바이어스 전압도 높게 되어 트랜지스터(Q4)는 턴온된다.
그에 따라 단자 (A)가 로우 레벨로되어 트랜지스터(Q2)는 턴오프되고, 단자 (B)가 하이 레벨되어 트랜지스터(Q3)가 턴온되므로 동조 전압 메모리부 (3)의 가변저항 (VR1)에 의해 셋팅되어 있는 제1챈널을 선국할 수있는 동조 전압에 비례한 전압이 트랜지스터 (Q2)의 켈렉터측에 걸리게 되며, 이 트랜지스터 (Q2)의 컬렉터 전압이 다이오드(D25)를 통해 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되므로 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되는 전압값에 따른 에미터 전류가 저항 (R1)을 통해 흐르게 된다.
그에 따라 동조 전압 출력부 (5)에서 출력되는 동조 전압 (VT)은 그 값에 제1챈널을 선국할 수 있는 값으로서 출력되어 제1챈널이 선택된다.
즉, 최초 전원이 인가되면 챈널 선택 스위치 집적회로 (1)의 챈널 선택 스위치 단자(S1)가 로우 레벨로 되고, 트랜지스터(Q2)가 턴오프, 트랜지스터(Q3)가 턴온 되므로 동조 전압 메모리부(3)에 있는 가변 저항 (VR1)의 영향을 받아 트래너지스터 (Q1)에 베이스로 유입되는 전류치가 정해지며, 이러한 전류에 의해 정해지는 트랜지스터(Q1)에 에미터 출력 전류가 저항(R1)에 흐르게 된다.
그에 따라 동조 전압 출력부(5)에서 출력되는 동조 전압(VT)은 제1채널을 선국할 수 있는 값으로 되어 제1챈널이 선국된다.
즉, 트랜지스터 (Q1)의 베이스로 유입되는 전류는 가변 저항(VR1)의 값에 의해 정해지며, 이러한 전류치에 의해 저항 (R1)으로 흐르는 전류치가 정해지므로 결국 가변저항 (VR1)의 저항 설정치가 제1챈널 선국용 저항치로 된다.
이 상태에서 사용자는 챈널 선택 키부(2)의 챈널엎/다운 스위치 (SW1)(SW2)를 눌러 선국하고자 하는 챈널을 선국하는바, 예컨대데 챈널엎/다운 스위치 (SW1)(SW2)를 눌러 챈널 선택 스위치 단지 (S11)가 로우 레벨로 되면 상기한 초기 전원 인가시와 마찬가지로 트랜지스터 (Q2)가 턴오프, 트랜지스터 (Q3)가 턴온 상태로 있게 되어 동조 전압 메모리부 (3)의 가변저항 (VR11)에 의해 셋팅되어 있는 제11챈널을 선국할 수 있는 동조 전압에 비례한 전류가 동조 전압 출력부 (5)의 저항 (R1)에 흐르게 된다.
그에 따라 동조 전압 출력부(5)에서 출력되는 동조전압(VT)은 제11채널을 선국할 수 있는 값으로서 출력되므로 제11챈널이 선국된다.
한편, 로우 챈널(제1챈널∼제12챈널)에서 하이 챈널 (제13챈널∼제24챈널)로 바뀔 때나 하이 챈널에서 로우 챈널로 변환될때에는 챈널 선택 스위치 단자(S1∼S12)에는 로우 챈널선국용 가변 저항 하나와 하이 챈널선국용 가변 저항 하나가 각각 연결되어 있고, 단자(P)가 일정기간 동안 로우 레벨로 되는 바, 로우 챈널이 선국되어 있는 상태에서 하이 챈널로 변환 될때는 챈널 선택 스위치 집적회로 (1)의 단자 (P)가 로우 레벨로 됨에 따라 멀리바이 브레이터회로(4)의 트랜지스터 (Q6)(Q7)가 턴오프 되고, 그에 따라 로우 챈널이 선국되어 있는 상태에서 하이 레벨인 트랜지스터 (Q5)의 컬렉터 단자(B)전압에 의해 저항 (R10)과 다이오드 (D28)를 통해 트랜지스터(Q5)의 베이스에 바이어스가 걸리게 되어 트랜지스터 (Q5)가 턴온된다.
이에 따라 트랜지스터 (Q5)의 컬렉터 단자 (B)는 로우 레벨로 되고, 이 단자(B)가 로우 레벨로 됨에 따라 트랜지스터(Q4)는 턴오프 되어 트랜지스터 (Q4)의 컬렉터 단자 (A)는 하이레벨로 된다.
단자(A)가 하이레벨, 단자(B)가 로우 레벨로 됨에 따라 트랜지스터 (Q2)가 턴온, 트랜지스터(Q3)가 턴오프되므로 동조 전압 메모리부 (3)에 있는 하이 챈널 선국용 가변저항 (VR13∼VR24)중 해당 가변 저항에 의해 셋팅되어 있는 동조 전압에 비례한 전류가 동조 전압 출력부(5)의 저항(R1)에 흐르게 된다.
그에 따라 동저 전압 출력부(5)에서 출력되는 동조 전압 (VT)은 해당 하이 챈널을 선국할 수 있는 값으로서 출력되므로 해당 하이 챈널이 선국된다.
이와는 달리 하이 챈널이 선국되어 있는 상태에서 로우 챈널로 변환 될 경우에는 상기한 로우 챈널이 선국되어 있는 상태에서 하이 챈널로 변환되는 경우와 마찬가지로 동작되는데, 다만 멀티바이 브레이터 회로(4)의 동작에 의해 트랜지스터 (Q2)가 턴오프되고, 트랜지스터 (Q3)가 턴온 되므로 동조 전압 메모리부 (3)에 있는 로우 챈널 선국용 가변저항 (VR1∼VR12)중 해당 가변저항에 의해 셋팅 되어 있는 동조 전압에 비례한 전류가 동조 전압 출력부(5)의 저항(R1)에 흐르게 된다.
그에 따라 동조 전압 출력부(5)에서 출력되는 동조 전압 (VT)은 해당 로우 챈널을 선국할 수 있는 값으로서 출력되므로 해당 로우 챈널이 선국된다.
상기한 바와 같이 작용하는 본 고안은 챈널 선택 스위치 단자가 12개인 챈널 선택 스위치 집적회로 하나를 사용하여 챈널 엎/다운 스위치로 24개의 챈널을 선국할 수 있게 되므로 24개의 챈널을 선국하기 위해 챈널 선택 스위치 단자가 12개인 챈널 선택 스위치 집적회로 2개를 접속 사용하는 복잡성이나 불편함이 없으므로 경제적인 장점이 있다.

Claims (1)

  1. 챈널 선택 스위치 집적회로(1)와, 상기 챈널 선택 스위치 집적회로(1)의 챈널 선택 스위치 단자 (S1∼S12)중 한 챈널 선택 스위치 단자를 로우 레벨 상태로 하는 챈널 엎/다운 스위치 (SW1)(SW2)로 구성된 챈널 선택키부(2)와, 각 챈널에 해당하는 동조 전압이 셋팅되어 있는 가변 저항(VR1∼VR24)과 다이오드 (D1∼D24)로 구성된 동조 전압 메모리부 (3), 상기 챈널 선택 스위치 집적회로 (1)에 있는 단자 (P)의 레벨 상태에 따라 트랜지스터(Q2)(Q3)를 턴온/턴오프 시키도록 저항 (R4∼R13)과 다이오드(D27)(D28)및 트랜지스터 (Q4∼Q7)로 구성된 멀티바이브레이터 회로 (4) 및, 상기 트랜지스터 (Q2)(Q3)의 턴온/턴오프에 따라 선국된 챈널에 해당하는 상기 동조 전압 메모리부 (3)의 동조 전압에 비례한 전압을 출력하는 동조 전압 출력부(5)를 구비하여, 챈널 선택 스위치 단자가 12개인 챈널 선택 스위치 집적회로 하나를 사용해서 24개의 챈널을 선국할 수 있음을 특징으로 하는 위성 방송 수신 장치의 챈널 선국 회로.
KR2019860010906U 1986-07-25 1986-07-25 위성 방송 수신장치의 챈널선국회로 KR890008433Y1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040006588A (ko) * 2002-07-12 2004-01-24 주식회사 태멘시스템 전자식 인버터의 모터기동전류 감소장치

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