Claims (10)
집적전압 조절기에 있어서, 일부분의 전류를 싱크하도록 제 1트랜지스터의 에미터에는 저항이 접속되어 있으며, 예정된 온도계수를 갖는 차 전압을 발생하기 위해 다른 전류 밀도에서 작동되는 제 1및 제 2트랜지스터와, 상기 제 2트랜짓스터의 에미터와 회로 노드 사이에 접속된 콜렉터-에미터 선로를 갖는 제 3트렌지스터 및, 상기 예정된 온도계수를 갖는 상기 제 3트랜지스터를 통해 흐르는 전류이며 예정된 크기의 상기 제 2트랜지스터의 에미터로부터의 전류를 상기 제 3트랜지스터가 싱크하도록 상기 제 3틀랜지스터의 베이스에 궤한 신호를 제공하기 위해 상기 제 2트랜지스터에 응답하는 궤환 회로 장치를 포함하는 열 전류 소스 장치와, 상기 제 3트랜지스터를 통해 흐르는 전류의 온도계수에 반대로 변화하고, 예정된 크기 및 온도계수를 갖는 전류의 흐름을 상기 회로 노드에 제공하기 위해 상기 제 3트랜지스터의 에미터와 베이스 사이에 결합된 제 2저항과, 독자적으로 셋트될 수 있는 크기및 온도계수를 갖는 조절된 전압을 양단에 발생하기 위해 상기 제 3트랜지스터와 상기 제 2저항을 통해 흐르는 전류를 합한전류가 흐르도록 상기 회로 노드에 접속된 제 3저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 집적전압 조절기.An integrated voltage regulator comprising: first and second transistors connected to emitters of a first transistor to sink a portion of the current, the first and second transistors being operated at different current densities to generate a difference voltage having a predetermined temperature coefficient; A third transistor having a collector-emitter line connected between the emitter of the second transistor and a circuit node, and a current flowing through the third transistor having the predetermined temperature coefficient and of the second transistor having a predetermined magnitude. A thermal current source device comprising a feedback circuit arrangement responsive to said second transistor for providing a signal trapped at the base of said third transistor for the third transistor to sink current from an emitter; An electric current with a predetermined magnitude and temperature coefficient that changes inversely to the temperature coefficient of the current flowing through the transistor To generate a regulated voltage across the second resistor coupled between the emitter and the base of the third transistor to provide a flow of to the circuit node and a magnitude and a temperature coefficient that can be set independently. And a third resistor connected to the circuit node such that a sum of the current flowing through the third transistor and the second resistor flows.
제 1항에 있어서, 상기 제 3트랜지스터의 베이스를 상기 조절기의 출력에 결합하기 위한 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적전압 조절기.2. The integrated voltage regulator of claim 1, comprising a device for coupling the base of the third transistor to the output of the regulator.
제 2항에 있어서, 상기 제 3트랜지스터의 베이스에 결합되어 상호 접속하면서 상기 제 1트랜지스터의 에미터와 상기 제 1저항 사이에 상호 접속된 제 4저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적전압 조절기.3. The integrated voltage regulator of claim 2, comprising a fourth resistor coupled to the base of the third transistor and interconnected between the emitter of the first transistor and the first resistor.
제 3항에 있어서, 상기 궤환 회로 장치는 상기 제 2트랜지스터의 콜렉터에 접속된 베이스와, 상기 제 3트랜지스터의 베이스와 제 1전력 공급원 컨덕터 사이에 결합된 콜렉터-에미터 선로를 갖는 제 4트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적전압 조절기.4. The feedback circuit arrangement of claim 3, wherein the feedback circuit arrangement comprises: a fourth transistor having a base connected to the collector of the second transistor and a collector-emitter line coupled between the base of the third transistor and the first power supply conductor. Integrated voltage regulator comprising a.
제 4항에있어서, 전류를 제공하기 위해 상기 제 1전력 공급원 컨덕터와 상기 제 1및 제 2트랜지스터의 콜렉터 사이에 결합된 전류 공급원 장치와, 상기 제 1트랜지스터의 코렉터를 베이스에 접속하기 위한 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적전압 조절기.5. The apparatus of claim 4, further comprising: a current source device coupled between the first power source conductor and the collectors of the first and second transistors to provide a current; and an apparatus for connecting the collector of the first transistor to a base. Integrated voltage regulator comprising a.
제 5항에 있어서, 상기 제 1트랜지스터의 에미터 영역은 상기 제 2트랜지스터 에미터 영역의 N배이며, 여기서 N은 양수이고, 상기 궤환 회로 장치가 상기 제 1및 제 2트랜지스터에 의해 도전된 전류를 실질적으로 같게 만드는 것을 특징으로 하는 집적전압 조절기.6. The method of claim 5, wherein the emitter region of the first transistor is N times the second transistor emitter region, where N is positive, and the feedback circuit arrangement is a current conducted by the first and second transistors. An integrated voltage regulator, characterized in that to make substantially the same.
열 전류 공급원에 있어서, 각각의 콜렉터-에미터 도전 선로를 통해 전류를 도전하도록 배열되고, 함께결합된 베이스를.갖는 제 1및 제 2트랜지스터와, 상기 제 2트랜지스터의 에미터에 결합된 콜렉터도전 선로를 갖는 제 3트랜지스터와, 상기 제 1트랜지스터를 통해 전류가 흐르고 또한 제 1저항을 통해 흐르며 상기 전류의 일부는 상기제 2트랜지스터를 통해 흐르고 또한 제 2저항을 통해 흐르도록 배열된 제 1및 제 2저항과, 상기 제 2트렌지스터를 통해 흐르는 전류는 상기 제 1트랜지스터에 흐르는 전류에 대해 비율이 정해지고 이렇게 함으로써 예정된 TC를 갖는 상기 두 트랜지스터 에미터 사이의 차 전압과 조절된 크기 및 상기 예정된 TC를 갖는 상기 제 3트랜지스터의 콜렉터 전류를 발생하며, 상기 제 3트랜지스터가 상기 제 2트랜지스터로부터의 전류를 싱크하도록 도전성이 되게 하기 위한 바이어스 전류를 제공하기 위해 상기 제 2트랜지스터의 콜렉터와 상기 제 3트랜지스터의 베이스 사이에 결합된 궤환 회로 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 열 전류 공급원 .A thermal current source, comprising: a first and a second transistor having bases coupled together and arranged to conduct current through respective collector-emitter conducting lines, and a collector conductive coupled to the emitter of the second transistor. A third transistor having a line and a first and a second arranged such that a current flows through the first transistor and also through a first resistor and a portion of the current flows through the second transistor and also through a second resistor. And the resistance and the current flowing through the second transistor are proportional to the current flowing in the first transistor, thereby reducing the difference between the two transistor emitters having a predetermined TC and the regulated magnitude and the predetermined TC. Generates a collector current of the third transistor, the third transistor having a current from the second transistor In order to provide a bias current to make a current supply to the conductive heat sink, it characterized in that it comprises a feedback circuit device coupled between the base of the third transistor and the collector of the second transistor.
제 7항에 있어서, 상기 제 1및 제 2저항의 상호 접속점이 상기 제 3트랜지스터의 베이스에 접속되고, 상기 궤환 회로 장치는 상기 제 3트랜지스터의 베이스에 결합된 에미터와 제 1전력 공급원 콘덕터에 결합된 콜렉터와 상기 제 2트랜지스터의 콜렉터에 결합된 베이스를 갖는 제 4트랜지스터를 포함하며, 상기 제 4트랜지스터로부터의 예정된 전류를 싱크하기 위해 제 2전력 공급원 컨덕터와 상기 제 4트랜지스터의 에미터 사이에 결합된 회로 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전류 공급원.8. The emitter and first power supply conductor of claim 7, wherein an interconnection point of the first and second resistors is connected to the base of the third transistor, and the feedback circuit arrangement is coupled to the base of the third transistor. A fourth transistor having a collector coupled to the base and a base coupled to the collector of the second transistor, the fourth transistor comprising a second power supply conductor and an emitter of the fourth transistor to sink a predetermined current from the fourth transistor. And a circuit arrangement coupled to the heat current source.
제 8항에 있어서, 상기 제 1트랜지스터의 에미터 영역은 상기 제 2트렌지스터의 에미터 영역보다 N배 만큼 크며 여기서 N은 양수이고, 상기 열 전류 공급언은 상기 제 1트랜지스터의 콜렉터를 그 베이스에 접속하기 위한 제 1도전 장치와, 상기 제 1및 제 2트랜지스터의 콜렉터에 전류를 공급하기 위한 전류 소스 장치 및, 상기 제 3트랜지스터의 에미터를 상기 제 2전역 공급원 컨덕터에 접속하고 그 베이스를 상기 회로의 출력에 접속하기 위한 제 2도전 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전류 공급원.The method of claim 8, wherein the emitter region of the first transistor is N times larger than the emitter region of the second transistor, where N is positive, and the thermal current supply language connects the collector of the first transistor to a base thereof. A first conductive device for connection, a current source device for supplying current to the collectors of the first and second transistors, and an emitter of the third transistor to the second global source conductor and the base of the And a second conductive device for connecting to the output of the circuit.
제 9항에 있어서, 상기 열 전류 공금원은 상기 제 2트랜지스터의 콜렉터에 결합된 베이스와 상기 제 1전력 공급원 컨덕터에 결합된 콜렉터 및 상기 제 4트랜지스터의 베이스에 결합된 에미터를 갖는 제 5트랜지스터를 포함하며, 상기 제 1도전 장치는 상기 제 1트랜지스터의 콜렉터에 결합된 베이스와 상기 제 1전력 공급원 컨덕터에 결합된 콜렉터 및 상기 제 1트랜지스터의 베이스에 결합된 에미터를 갖는 제 5트랜지스터를 포함하고, 상기 제 4트랜지스터의 베이스에 결합된 에미터와 상기 제 1전력 공급원 컨덕터에 결합된 콜렉터 및 상기 제 2트랜지스터의 콜렉터에 결합된 베이스를 갖는 제 6트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전류 공급원.10. The fifth transistor of claim 9, wherein the thermal current source has a base coupled to the collector of the second transistor, a collector coupled to the first power supply conductor, and a fifth transistor having an emitter coupled to the base of the fourth transistor. Wherein the first conductive device comprises a fifth transistor having a base coupled to the collector of the first transistor, a collector coupled to the first power supply conductor, and an emitter coupled to the base of the first transistor. And a sixth transistor having an emitter coupled to the base of the fourth transistor, a collector coupled to the first power supply conductor, and a base coupled to the collector of the second transistor. .
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.