KR880002963Y1 - Sputtering device - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 기존 장치의 일실시 형태에 따른 구성을 보인 개략도.1 is a schematic view showing a configuration according to an embodiment of an existing apparatus.
제2도는 본 고안 장치의 일실시예에 따른 구성을 보인 개략도.2 is a schematic view showing a configuration according to an embodiment of the present invention device.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 진공조 2 : 스퍼터1: vacuum chamber 2: sputter
3' : 입구 3a' : 출구3 ': entrance 3a': exit
4 : 공급롤 5 : 회수롤4: feed roll 5: recovery roll
6',7',8',9' : 이송로울러 16 : 콘베어벨트6 ', 7', 8 ', 9': Feeding roller 16: Conveyor belt
17 : 공급봉 18 : 홀더17: supply rod 18: holder
19 : 밸브 20 : 회수봉19: valve 20: recovery rod
21 : 홀더 22 : 밸브21: holder 22: valve
본 고안은 자기기록매체 제조용 연속 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 특히 원방형 등의 형상을 갖는 소재에 금속 박막을 연속적으로 스퍼터링 하기 위한 연속 스퍼터링 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a continuous sputtering apparatus for producing a magnetic recording medium, and more particularly, to a continuous sputtering apparatus for continuously sputtering a metal thin film on a material having a rectangular or the like shape.
일반적으로 자기기록매체의 제조에 있어서, 테이프상, 원방형상등의 소재에 자성층, 및 보호증, 하지층, 이면보호층, 윤활층 등을 형성하는 방법에는 이온플레이팅, 증착, 도포 및 스퍼터링 방법등이 사용되고 있으나, 코팅막의 두께를 용이하게 조절하고 그 두께를 균일하게 형성함에 있어서는 상기 방법들 중에서 스퍼터링이 우수하다. 그러나 통상의 스퍼터링은 소재를 진공조에 넣고 일정위치에 고정한 후 진공조 내부를 고진공상태로 유지시킨 상태에서 알곤가스등을 방전시킴으로써 타켓트 재료에 이온충격을 가하여 소재의 면에 코팅시키는 것이므로, 스퍼터링 작업에는 많은 시간이 요구되고 더욱이 재료를 연속으로 코팅시키는 것은 불가능하였다.In general, in the manufacture of a magnetic recording medium, a method of forming a magnetic layer, a protective film, a backing layer, a back protective layer, a lubricating layer, or the like on a tape or a square, or the like, includes ion plating, vapor deposition, coating, and sputtering. Etc. are used, but sputtering is excellent among the above methods in easily adjusting the thickness of the coating film and forming the thickness uniformly. However, sputtering is usually applied to the surface of the material by applying ion shock to the target material by discharging argon gas while keeping the inside of the vacuum chamber in a high vacuum state after placing the material in a vacuum chamber. Much time was required and furthermore it was impossible to continuously coat the material.
따라서 이와 같은 결점을 보완하기 위하여 스퍼터링 장치(이하 "스퍼터"라 칭함)를 진공조 내부에 설치하고 그 진공주 내부에 소재 이송수단을 설치하여 스퍼터와 진공조의 내부를 고진공으로 유지시킨 상태에서 소재를 연속으로 이송시키면서 스퍼터링을 연속으로 행할 수 있게한 연속 스퍼터링 장치가 제안되고 있는 바, 이러한 기존의 연속 스퍼터링 장치는 제1도에 도시한 바와 같이 진공조(1)의 내부에 설치한 스퍼터(2)의 외체(2')양측벽에는 출입구(3)(3a)가 형성되고 스퍼터(2)의 외부 양측에는 공급롤(4)과 회수롤(5)이 착탈가능하게 설치되며 공급롤(4)과 회수롤(5)의 하부에는 수개의 가이드롤(6)(7)(8)(9)이 배설되어 공급롤(4)에서 공급되는 소재필름(T)이 스퍼터(2)의 출입구(3)(3a)를 통하여 회수롤(5)에 회수되도록 되어있다.Therefore, in order to make up for this drawback, a sputtering apparatus (hereinafter referred to as a "sputter") is installed inside the vacuum chamber, and a material conveying means is installed inside the vacuum chamber to keep the material in the state of maintaining the interior of the sputter and the vacuum chamber at high vacuum. A continuous sputtering apparatus has been proposed that allows sputtering to be carried out continuously while continuously transferring such sputtering apparatuses installed in the vacuum chamber 1 as shown in FIG. The entrance (3) (3a) is formed on both side walls of the outer body (2 '), and the supply roll (4) and the recovery roll (5) are detachably installed on both outer sides of the sputter (2) and the supply roll (4) and Several guide rolls 6, 7, 8, and 9 are arranged in the lower part of the recovery roll 5 so that the material film T supplied from the supply roll 4 is provided at the entrance 3 of the sputter 2. It is collect | recovered by the collection roll 5 through 3a.
또한 진공조(1)와 스퍼터(2)의 일측에는 각기 진공펌프에 연결된 진공로(10)(11)가 형성되고 진공조(1)의 진공로(10)에는 밸브(12)가 형성되며, 스퍼터(2)의 상,하부에는 전극(13)(13a)이 상호 대향되게 설치되어 있다.In addition, vacuum chambers 10 and 11 connected to vacuum pumps are formed at one side of the vacuum chamber 1 and the sputter 2, and a valve 12 is formed in the vacuum passage 10 of the vacuum chamber 1, Above and below the sputter 2, electrodes 13 and 13a are provided to face each other.
도면중 미설명 부호 14,15는 타켓트 및 알곤가스 유입용 노즐을 각각 보인 것이다.In the drawings, reference numerals 14 and 15 show targets and nozzles for argon gas inflow, respectively.
이와 같은 기존 연속 스퍼터링 장치에 의하여 소재필름에 박막을 코팅하는 경우에는 진공조(1)의 전방벽에 설치된 도어(도시하지 않음)을 개방하여 코팅할 소재필름이 권취된 공급롤(4)을 착설하고 소재필름이 공급롤(4)에서 스퍼터(2)를 통한 다음 회수롤(5)에 권취되도록 장가하는 동시에 스퍼터(2)내부의 상부전극(13)에는 코팅할 재로료 형성된 타켓트(14)를 고정한 상태에서, 진공조(1)의 내부진공도를 10-3∼10-5Torr로 유지시키고 노즐(15)를 통하여 스퍼터(2)내에 진공도가 10-1∼10-2Torr 가 되도록 알곤가스를 주입시킨 상태에서 공급롤(4)과 회수롤(5)간에 소재필름(T)을 연속으로 이송시키면서 스퍼터(2)내부의 전극(13)(13a)에 고전압을 인가하여 그로우 방전시키면 알곤가스가 전자를 방출하고 이온화되어 음극(13)측의 타켓트(14)에 고속으로 충돌하면 타켓트(14)의 원자가 양측(13a)측으로 비산하여 소재필름(T)위에 코팅되어진다.In the case of coating a thin film on the material film by the conventional continuous sputtering device, a supply roll 4 on which the material film to be coated is opened is opened by opening a door (not shown) installed on the front wall of the vacuum chamber 1. Target material 14 is formed to be coated on the upper electrode 13 inside the sputter 2 while at the same time as the material film is rolled up to the next recovery roll 5 through the sputter 2 in the feed roll (4) In the fixed state, the internal vacuum degree of the vacuum chamber 1 is maintained at 10 -3 to 10 -5 Torr, and the argon gas is maintained at 10 -1 to 10 -2 Torr in the sputter 2 through the nozzle 15. Is applied to the electrodes 13 and 13a in the sputterer 2 while the material film T is continuously transported between the supply roll 4 and the recovery roll 5 in the state of injecting the glow gas. Emits electrons and is ionized to collide with the target 14 on the cathode 13 side at high speed. Atoms of the basket 14 are scattered on both sides 13a and coated on the material film T.
또한, 상기 진공조를 대형으로 하고 그 진공조 내부에 여러기의 스퍼터를 동일 라인(line)상에 직렬로 설치하여 소재필름이 각 스퍼터를 순차적으로 통과시키면서 스퍼터링하면 자기기록 테이프의 다층박막을 형성할 수 있다.In addition, the vacuum chamber is made large and several sputters are installed in series in the same vacuum chamber, so that the material film is sputtered while passing each sputter sequentially to form a multilayer thin film of magnetic recording tape. can do.
그러나, 상기한 바와 같은 기존 스퍼터링 장치는 진공조의 내부에 스퍼터를 설치하고 그 상부에 소재필름의 공급롤과 회수롤을 설치하여 공급롤에서 풀리는 소재필름이 스퍼터를 통과하면서 스퍼터링 된 다음 회수롤에 권취되도록 한 것이므로 원반상 또는 판상 소재에 도포막을 형성하고자 하는 경우에는 적용하지 못하는 문제점이 있었다.However, in the conventional sputtering apparatus as described above, the sputter is installed inside the vacuum chamber, and the supply roll and the recovery roll of the material film are installed on the upper part, and the material film released from the supply roll is sputtered while passing through the sputter and then wound on the recovery roll. Since it is intended to form a coating film on the disk-like or plate-like material there was a problem that can not be applied.
따라서 본 고안의 목적은 기존 연속 스퍼터링 장치에 따르는 문제점을 해소하여 원반상 또는 판상의 소재에 단층 또는 다층 도포막을 연속으로 스퍼터링할 수 있는 연속 스퍼터링 장치를 제공하기 위한 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a continuous sputtering apparatus capable of continuously sputtering a single layer or a multilayer coating film on a disc or plate-like material by solving the problems caused by the existing continuous sputtering apparatus.
이하 이와 같은 본 고안의 일실시예를 첨부한 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in detail with reference to the accompanying drawings an embodiment of the present invention as follows.
제2도에 도시한 바와 같이 진공조(1) 내부에는 스퍼터(2)가 설치되고 그 스퍼터(2)의 양측에는 이송로울러(6')(7')(8')(9')가 설치되며 그들 이송로울러(6')(7')(8')(9')에 의하여 엔드리스 콘베어 벨트(16)가 이송하도록 설치되어 있다.As shown in FIG. 2, a sputter 2 is installed inside the vacuum chamber 1, and transfer rollers 6 ′, 7 ′, 8 ′, and 9 ′ are installed on both sides of the sputter 2. The endless conveyor belt 16 is installed by the transfer rollers 6 ', 7', 8 'and 9'.
상기 콘베어 벨트(16)는 그 상면에 올려지는 원반상 또는 판상소재를 스퍼터(2)의 내부에 이송하기 위한 것이다.The conveyor belt 16 is for conveying a disk-like or plate-like material placed on the upper surface of the sputter 2.
상기 콘베어 벨트(16)는 스퍼터(2)의 입출구(3')(3a')를 통하여 이송하고 스퍼터(2)의 내부에서는 스퍼터(2) 상,하부의 전극(13')(13a')사이를 일정한 속도로 통과하며 콘베어 벨트(16)의 이송속도는 스퍼터링 속도에 의하여 결정된다.The conveyor belt 16 is transported through the inlet and outlet 3 'and 3a' of the sputter 2, and inside the sputter 2 between the electrodes 13 'and 13a' above and below the sputter 2; Pass at a constant speed and the conveying speed of the conveyor belt 16 is determined by the sputtering speed.
상기 진공조(1)의 일측벽 중간부에는 소재공급을 위한 공급봉(17)이 삽탈가능하게 설치되고 공급봉(17)의 내측단부에는 소재홀더(18)가 착설되며 공급봉(17)이 설치된 일측벽에는 밸브(19)가 설치되어 공급봉(17)이 진공조(1)의 외부로 이탈되는 때 외부공기의 유입을 차단하도록 되어 있다.In the middle of one side wall of the vacuum chamber 1, the supply rod 17 for inserting the material is removably installed, and the material holder 18 is installed at the inner end of the supply rod 17, and the supply rod 17 is installed. A valve 19 is installed on one side wall to block the inflow of external air when the supply rod 17 is separated out of the vacuum chamber 1.
상기 공급봉(17)을 진공조(1) 외부로 이탈시킨 상태에서는 다수개의 소재가 공급봉(17)의 소재홀더(18)에 담기어지고 소재가 담기어진 공급봉(17)은 진공조(1)의 내부에 삽입되며 소재홀더(18)가 스퍼터(2)의 입구측 콘베어 벨트(16)상면에 위치한 상태에서 공급봉(17)을 도시한 화살표 방향으로 회전시켜 소재홀더(18)에 담긴 소재를 콘베어 벨트(16)의 상면에 일정간격을 두고 차례로 공급한다.In a state in which the supply rod 17 is separated out of the vacuum chamber 1, a plurality of materials are contained in the material holder 18 of the supply rod 17, and the supply rod 17 in which the materials are contained is a vacuum tank ( 1) The material holder 18 is inserted into the material holder 18 by rotating the supply rod 17 in the direction of the arrow shown in the state where the material holder 18 is located on the inlet side conveyor belt 16 of the sputter 2. The material is sequentially supplied to the upper surface of the conveyor belt 16 at a predetermined interval.
이와 같이 공급된 소재는 콘베어 벨트(16)를 타고 스퍼터(2)의 내부에 이송되며 소재가 양 전극(13')(13a')사이에 위치한 상태에서 전기한 기존의 연속 스퍼터링 장치와 동일한 스퍼터링 공정에 의하여 그의 표면에 타켓트(14)재료가 코딩되어 진다.The material thus supplied is transferred to the inside of the sputter 2 by the conveyor belt 16 and the same sputtering process as the conventional continuous sputtering apparatus which is electricly placed while the material is positioned between the two electrodes 13 'and 13a'. The target 14 material is coded on its surface.
상기 진공조(1)의 타측벽 하단부에는 스퍼터링 되어진 소재를 회수하기 위한 회수봉(20)이 삽탈가능하게 설치되고 회수봉(20)의 내측단부에는 홀더(21)가 착설되어 소재가 로울러(8')를 벗어나면서 자중에 의하여 홀더(2)에 적재된다. 또한 회수봉(20)이 설치된 진공조(1)의 타측벽에도 회수봉(20)이 진공조(1) 외부로 이탈되는 때에 진공도의 저하를 방지하는 밸브(22)가 설치되어 있다.At the lower end of the other side wall of the vacuum chamber 1, a recovery rod 20 for retrieving sputtered material is detachably installed, and a holder 21 is installed at an inner end of the recovery rod 20 so that the material is roller 8. It is loaded on the holder 2 by its own weight while leaving the '). In addition, a valve 22 is provided on the other side wall of the vacuum chamber 1 provided with the recovery rod 20 to prevent a decrease in the degree of vacuum when the recovery rod 20 is separated out of the vacuum chamber 1.
이와 같이 본 고안의 일실시예는 진공조 내부에 콘베어를 설치하고 진공조의 양측벽에 공급봉 및 회수봉을 설치하는 동시에 밸브를 설치하여 고진공도가 유지된 진공조의 진공상태를 크게 저하시키지 않으면서 원반상 또는 판상의 소재를 연속으로 공급하여 스퍼터링하고 회수하게 되므로, 스퍼터링 공정에 작업시간이 절감되고 생산원가가 크게 저하되는 이점이 있다.Thus, one embodiment of the present invention is to install a conveyor inside the vacuum chamber, and to install the supply rod and recovery rods on both side walls of the vacuum chamber at the same time to install a valve without significantly lowering the vacuum state of the vacuum chamber maintained high vacuum Since the sputtering and recovery by continuously supplying the disk-like or plate-like material, there is an advantage that the working time is reduced and the production cost is greatly reduced in the sputtering process.
한편, 상기와 같은 본 고안의 일실시예에 따른 장치를 실시함에 있어서, 진공조를 대형으로 하여 그 진공조 내부에 여러기의 스퍼터를 직렬로 동일 라인에 설치하여 원반상 또는 판형상을 가지는 소재의 다층박막제조에 이용할 수 있으며, 또한 알곤가스 주입수단에 유량계를 부착하여 알곤가스도입을 자동제어할 수도 있다.On the other hand, in the implementation of the apparatus according to an embodiment of the present invention as described above, the material having a disc or plate shape by installing a plurality of sputters in series on the same line in a vacuum chamber in large It can be used for the production of multi-layer thin film, and the argon gas introduction can be controlled automatically by attaching a flowmeter to the argon gas injection means.
이러한 실시예는 다층박막 코팅을 요하는 광학기기 분야에서 효과적으로 이용할 수 있다.Such an embodiment can be effectively used in the field of optics requiring a multilayer thin film coating.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019880009316U KR880002963Y1 (en) | 1985-10-24 | 1988-06-17 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019850007882A KR870004167A (en) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | Continuous Sputtering Device |
| KR2019880009316U KR880002963Y1 (en) | 1985-10-24 | 1988-06-17 | Sputtering device |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019850007882A Division KR870004167A (en) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | Continuous Sputtering Device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880002963Y1 true KR880002963Y1 (en) | 1988-08-23 |
Family
ID=26627535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019880009316U KR880002963Y1 (en) | 1985-10-24 | 1988-06-17 | Sputtering device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR880002963Y1 (en) |
-
1988
- 1988-06-17 KR KR2019880009316U patent/KR880002963Y1/en not_active IP Right Cessation
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