KR880002323B1 - Measuring equipment of quality of light conductive film - Google Patents

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Abstract

This invention is a characteristic measurement method using a thin layer device with optical conductivity. The secret box (1) is a shieled receptacle in order not to interfere with electromagnetic waves and has adjusting screw frames (3) inside. The adjusting screw (2) supports the insulating plate (4) and the insulating plate can be slid along(5). The lead electrode (7) and the mercury electrode (8) are both in the center of an adjusting plate (4). Transparent glass (10) is fixed in the center of the fixed disk (9).

Description

광도전성 박막소자의 특성 측정방법과 그 장치Method for measuring characteristics of photoconductive thin film element and its device

제1도는 광도전성 박막소자가 사용되는 촬상관의 개략도.1 is a schematic diagram of an imaging tube in which a photoconductive thin film element is used.

제2도는 광도전성 박막의 확대단면도.2 is an enlarged cross-sectional view of a photoconductive thin film.

제3도는 본 발명을 구현하는 측정장치의 측단면도.3 is a side cross-sectional view of a measuring device embodying the present invention.

제4도는 제3도의 주요부를 도시하는 측단면도.4 is a side cross-sectional view showing the main part of FIG.

제5도는 제3도의 다른 주요부를 도시하는 측단면도.FIG. 5 is a side sectional view showing another main part of FIG.

제6도는 제3도 장치에 의해 광도 전성 박막이 전기적으로 접속된 상태를 도시하는 단면도.6 is a cross-sectional view showing a state in which the photoconductive thin film is electrically connected by the third FIG. Device.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 기밀상자 2 : 조절나사1: airtight box 2: adjusting screw

3 : 프레임 4 : 절연지지판3: frame 4: insulation support plate

5 : 지주 7 : 리이드전극5: Shoring 7: Lead electrode

8 : 수은전극 9 : 고정디스크8: mercury electrode 9: fixed disk

72 : 전극봉 73 : 스프링72: electrode 73: spring

83 : 수은83: mercury

본 발명은 광도전성 박막소자의 특성 측정방법과 그 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for measuring characteristics of a photoconductive thin film element and an apparatus thereof.

광도전성 박막소자란 광학상을 전기적 신호로 변환시켜 주는 촬상관에 주로 쓰이는 소자로서 제1도의 도시와 같이 촬상관A의 전면측 훼이스 B에 설치되어 타아케트링과 접속됨으로써 신호 전극으로 동작하는 것이다.A photoconductive thin film element is a device mainly used in an imaging tube for converting an optical image into an electrical signal. As shown in FIG. 1, the photoconductive thin film element is installed on the front face B of the imaging tube A and connected to a target ring to operate as a signal electrode.

이 광도전성 박막소자는 제2도의 도시와 같이 훼이스 B에 투명도 전막 C, 광도전막 D, 황화안티몬층(Sb2S3)E가 차례로 증착된 다층 구조를 갖는다.This photoconductive thin film element has a multilayer structure in which a transparent electrode C, a photoconductive film D, and an antimony sulfide layer (Sb 2 S 3 ) E are sequentially deposited on the face B as shown in FIG.

여기서 황화 안티몬층 E은 기계적 강도가 극히 취약하므로 전극을 접촉시킬 때 손상될 염려가 많았다.Since the antimony sulfide layer E is extremely weak in mechanical strength, there was a high possibility of damage when the electrode is in contact.

그러므로 광도전성 박막소자의 특성을 측정하려면 촬상관으로 제조한 후에야 시험측정이 가능하게 된다.Therefore, in order to measure the characteristics of the photoconductive thin film element, the test measurement is possible only after manufacturing with an imaging tube.

그 결과 새로운 특성의 광도전성 박막소자를 개발하려면 소망의 특성이 얻어질때가지 촬상관으로 만들어야 하는 불편과 비경제적인 면을 감수해야 했다.As a result, developing a new photoconductive thin film device had to bear the inconvenience and uneconomic cost of making an image tube until the desired characteristics were obtained.

본 발명의 목적은 광도전성 박막소자의 특성을 측정하기에 적합한 방법을 제공하여 서상의 문제점을 해결함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method suitable for measuring the characteristics of a photoconductive thin film device to solve the problem of the book.

본 발명의 다른 목적은 광도전성 박막소자를 측정함에 적합한 장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide an apparatus suitable for measuring a photoconductive thin film element.

광도전성 박막소자를 측정하려면 다음 몇가지 유의사항을 관철해야 한다.In order to measure photoconductive thin film devices, a few points should be observed.

1. 외부전자기의 간섭을 방지할 수 있는 시일드 기능을 갖추어야 한다.1. It should be equipped with a shield function to prevent interference of external electronic devices.

2. 측정은 박막의 산화를 방지하기 위하여 진공 분위기에서 수행되어야 한다.2. Measurements should be carried out in a vacuum atmosphere to prevent oxidation of the thin film.

3. 박막에 접촉되는 전극은 박막을 손상시키는 강도를 갖는 것이어서는 안된다.3. The electrodes in contact with the thin film shall not be of such strength as to damage the thin film.

본 발명의 방법은 이에 따라 광도전성 박막 소자를 기밀용기내에 설치하고, 투명도 전막에 리이드 전극을 그리고 황화안티몬층 에는 수은 또는 아말감의 전극(이하 수은 전극이라 칭함)을 접촉시킨 다음 기밀용기 내를 진공화하여 측정 전압을 양 전극간에 인가시켜 행함을 특징으로 한다.According to the method of the present invention, a photoconductive thin film element is installed in an airtight container, a lead electrode is connected to a transparent electrode film, and an electrode of mercury or amalgam (hereinafter referred to as a mercury electrode) is brought into contact with an antimony sulfide layer, and a vacuum is then introduced into the airtight container. And a measurement voltage is applied between both electrodes.

이하 본 발명의 방법을 구현하는 측정장치를 첨부도면 제3도 내지 제6도를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a measuring device for implementing the method of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6.

본 발명의 장치는 제3도의 도시와 같이 구성된다.The apparatus of the present invention is configured as shown in FIG.

기밀상자(1)은 전자기의 간섭을 받지 않도록 시일드된 용기로서 내부에는 한쌍의 조절나사 프레임(3)을 보유한다.The airtight box 1 is a sealed container so as not to be subjected to electromagnetic interference, and has a pair of adjusting screw frames 3 therein.

조절나사(2)는 그 선단부가 절연지지판(4)를 지탱하고 있으며, 절연지지판(4)는 한쌍의 지주(5)를 타고 슬라이드 가능하게 설치 되어 있으나, 각각의 지주(5)에 삽설된 탄발스프링(6)의 탐발력을 받도록 설치된다.The adjusting screw 2 has its tip end supporting the insulated support plate 4, and the insulated support plate 4 is slidably mounted on the pair of struts 5, but the bullets inserted in the respective struts 5 are provided. It is installed to receive the extraction force of the spring (6).

따라서 프레임(3)의 조절나사(2)를 죄어주면 절연지지판(4)는 탄발스프링(6)에 거역해서 지주(5)를 타고 도면의 상측으로 이동하게 되고, 반대로 조절나사(2)를 풀어주면, 탄발 스프링(6)의 탄발력에 의해 절연지지판(4)는 지주(5)의 끝단까지 밀려 내려 오게 된다.Therefore, when the adjusting screw (2) of the frame (3) is tightened, the insulating support plate (4) is moved to the upper side of the drawing by riding the support (5) against the ball spring (6), on the contrary, loosen the adjusting screw (2) In the main surface, the insulating support plate 4 is pushed down to the end of the strut 5 by the elastic force of the spring spring 6.

조절판(4)의 중앙부에는 박막접촉 수단이 되는 리이드 전극(7)과 수은 전극(8)이 삽설되고 이들 양 전극(7)(8)과 마주보는 위치에는 기판 고정 디스크(9)가 착탈 가능하게 설치된다.The lead electrode 7 and the mercury electrode 8 serving as a thin film contact means are inserted in the center portion of the control plate 4, and the substrate fixing disk 9 is detachably attached to a position facing the two electrodes 7, 8. Is installed.

기판 고정 디스크(9)의 중앙에는 투명 유리판(10)이 부착되어 있고, 이 투명 유리판(10)에 대향하여 기판 받침(11)이 착탈 가능하게 부착된다.The transparent glass plate 10 is attached to the center of the board | substrate fixing disk 9, and the board stand 11 is detachably attached so that this transparent glass plate 10 may be opposed.

기판 고정 디스크(9)와 기판받침(11)의 착탈 수단은 적당한 체결구에 의해 행해질 수 있으며 예를 들면 도시한 바와 같이 나사 T에 의해 죄어지는 그립퍼 G에 의해 착탈 가능하게 설치할 수 있다.The means for attaching and detaching the substrate holding disk 9 and the substrate support 11 can be made by means of a suitable fastener and can be detachably installed by a gripper G clamped by a screw T, for example.

기판 고정 디스크(9)는 기밀상자(1)에 대하여 착탈되는 것이나 기판받침(11)은 기판 고정 디스크(9)에 대하여 착탈된다. 전기한 리이드 전극(7)과 수은전극(8)은 그 선단부를 기판받침(11)의 중앙측으로 연장하게 된다.The substrate fixing disk 9 is detachable from the hermetic box 1, but the substrate support 11 is detachable from the substrate fixing disk 9. The lead electrode 7 and the mercury electrode 8 described above extend the tip portion toward the center of the substrate support 11.

리이드 전극(7)은 제4도의 도시와 같이 플랜지(70)을 상단에 형성한 절연관(71)의 중심에 전극봉(72)를 삽입 고착시켜 이루어진 것으로 절연관(71)의 외주에 스프링(73)을 삽설한 채로 절연지지판(4)의 삽입공(40)을 관통하여 너트(74)로써 체결되어 전극봉(72)의 선단에 하중이 가해지면 이를 스프링(73)이 흡수 완충시킬 수 있도록 되어 있다.The lead electrode 7 is formed by inserting and fixing the electrode rod 72 to the center of the insulated tube 71 having the flange 70 formed on the upper side as shown in FIG. 4 and having a spring 73 on the outer circumference of the insulated tube 71. (73) is inserted into the insertion hole 40 of the insulating support plate 4 with the nut inserted therein so that the spring 73 can absorb and cushion the load when the load is applied to the tip of the electrode 72. .

한편, 수은 전극(8)은 제5도의 도시와 같이 중앙이 빈 중공관체(80)에 나사 맞춤으로 진퇴하는 피스톤봉(81)이 삽설된 구조의 것으로 중공관체(80)은 절연지지판(4)에 스프링(82)를 개재하여 나사 맞춤 되어지고 피스톤봉(81)의 상단측에는 수은(83)이 수용된다.Meanwhile, the mercury electrode 8 has a structure in which a piston rod 81 is inserted into and retracted from a hollow hollow tube 80 having an empty center, as shown in FIG. 5, and the hollow tube 80 has an insulating support plate 4. It is screwed through the spring 82 to the upper side of the piston rod 81, mercury 83 is accommodated.

도면의 미설명부호 12는 공지의 진공펌프(도시 생략)와 접속되는 배기관, 부호 13, 14, 15는 각각 한쌍의 조절나사(2)와 수은전극(8)의 피스톤봉(81)을 나사 조절하기 위한 통공이며 16, 17, 18은 이들통공(13)(14)(15)를 폐쇄히 주는 마개를 표시한다.In the drawing, reference numeral 12 denotes an exhaust pipe connected to a known vacuum pump (not shown), and reference numerals 13, 14, and 15 respectively adjust a pair of adjustment screws 2 and piston rods 81 of the mercury electrode 8. 16, 17, 18 indicate the stopper for closing these through holes 13, 14, 15.

상술한 본 발명의 장치에 의해 다층 박막 소자가 측정되는 과정을 설명하면 제6도의 도시와 같다.The process of measuring the multilayer thin film element by the apparatus of the present invention described above is as shown in FIG.

기판 고정 디스크(9)의 투명유리판(10)과 기판받침(11)사이에 박막소자의 훼이스 B를 끼워 지지해 놓는다.The face B of the thin film element is sandwiched between the transparent glass plate 10 and the substrate support 11 of the substrate fixing disk 9.

이때 훼이스 B에 증착되어 있는 박막층은 양전극(7)(8)쪽으로 향하도록 한다.At this time, the thin film layer deposited on the face B is directed toward the positive electrode (7) (8).

그 다음에 통공(13)(15)를 통하여 한쌍의 조절나사(2)를 조작하여 절연지지판(4)를 훼이스 B 측으로 이동시킨다.Then, the pair of adjusting screws 2 are operated through the through holes 13 and 15 to move the insulating support plate 4 to the face B side.

절연지지판(4)를 이동시킴에 따라 리이드 전극(7)은 훼이스 B의 투명도전막 C에 전기적으로 접촉하게 되고, 수은 전극(8)은 주황화 안티몬막 E를 손상치 않을 정도의 최소간격을 유지하여 정지된다.As the insulating support plate 4 is moved, the lead electrode 7 is in electrical contact with the transparent conductive film C of the face B, and the mercury electrode 8 maintains a minimum distance such that it does not damage the antimony sulfide film E. Is stopped.

이와같은 상태가 되도록 하기 위하여 리이드 전극(7)과 수은 전극(8)의 높이는 사전에 조정되어야 할 것이다In order to achieve such a state, the height of the lead electrode 7 and the mercury electrode 8 will have to be adjusted in advance.

다음에 통공(14)를 통하여 수은 전극(8)의 피스톤봉(81)을 회동 진입시켜 선단의 수은(83)을 밀어 내도록 한다.Next, the piston rod 81 of the mercury electrode 8 is rotated through the through hole 14 to push the mercury 83 at the tip.

수은(83)이 피스톤봉(81)에 의해 밀어 올려지면 자체 표면장력으로 인하여 둥글게 포인트를 이루게 되고 이 포인트의 상단면은 박막소자의 황화 안티몬막 E에 전기적으로 접촉하게 되어 리이드 전극(7)과 수은전극(8)사이는 폐로 상태가 된다.When the mercury 83 is pushed up by the piston rod 81, the mercury 83 forms a rounded point due to its surface tension, and the upper end surface of the mercury 83 is in electrical contact with the antimony sulfide film E of the thin film device. The mercury electrodes 8 are closed.

다음에 진공펌프(도시생략)을 구동하여 기밀 상자(1)의 내부를 진공화 함과 아울러 투명유리판(10)의 전방에 측정용 화상 M은 입사해 주고, 리이드전극(7)과 수은전극(8)에 전압을 흘려 넣어 도통시켜 준다.Next, the vacuum pump (not shown) is driven to evacuate the inside of the airtight box 1, and the measurement image M is incident to the front of the transparent glass plate 10, and the lead electrode 7 and the mercury electrode ( Put the voltage in 8) and let it conduct.

주지된 바와 같이 광도전성 박막소자는 광학상을 비쳐주고 전압을 전극양단에 인가하여 주면, 광도전성 박막소자 내부의 비저항(比抵抗)값의 변화에 따라 측정부하 R의 양단간에 전압차가 생기게 된다.As is well known, when the photoconductive thin film device reflects an optical image and a voltage is applied to both electrodes, a voltage difference occurs between both ends of the measurement load R according to a change in the specific resistance value of the inside of the photoconductive thin film device.

이 전압차는 광도전성 박막소자의 특성에 관계되는 데이터가 되기 때문에 이로서 광도전성 박막소자의 특성을 측정할 수 있게 되는 것이다.Since this voltage difference becomes data related to the characteristics of the photoconductive thin film element, the characteristic of the photoconductive thin film element can be measured thereby.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 광도전성 박막 소자를 촬상관의 일부로 구성하여 측정하는 번거루움을 면할 수 있어서 개발에 소요되는 시간과 노력을 줄일 수 있고, 다른 한편으로 광도전성 박막 소자의 품질 검사에 응용하면 촬상관의 불량률을 낮출수 있는 이점을 얻게 된다.As described above, according to the present invention, it is possible to save the time and effort required for developing the photoconductive thin film element as a part of the imaging tube, and to reduce the time and effort required for development. The advantage is that the defect rate of the imaging tube can be lowered.

Claims (2)

전자기를 차폐할수 있는 기밀 상자내에서 광도전성 박막소자의 투명도 전막에 리이드 전극을 접촉시키고, 황화 안티몬층에는 수은 전극의 수은을 접촉시킨 다음, 기밀상자 내부를 진공화하고 양전극간에 측정전류를 인가함에 따라 측정부하의 양단에 생기는 전압차를 검출하여 행함을 특징으로 하는 광도전성 박막 소자의 특성 측정 방법.The lead electrode is brought into contact with the transparent electrode of the photoconductive thin film element in an airtight box capable of shielding electromagnetic, and the mercury of the mercury electrode is brought into contact with the antimony sulfide layer. And detecting the voltage difference generated at both ends of the measurement load. 광도전성 박막소자를 고정시켜 주는 기판 고정 디스크(9)가 기밀상자(1)에 착탈 가능하게 설치되고, 기밀상자(1)의 내부에는 조절나사(2)에 의해 지주(5)를 타고 이동되는 절연지지판(4)가 시설되며, 이 절연지지판(4)의 중앙부에는, 스프링(73)에 의해 전극봉(72)의 상단에 가해지는 하중이 완충될 수 있도록 한 리이드 전극(7)과, 내부에 수용된 수은(83)을 피스톤봉(81)로 밀어 올려 노출 시킬 수 있도록 한 수은 전극(8)이 설치되어서, 양전극(7)(8)의 상단측이 전기한 기판 고정 디스크(9)에 대향 되어짐을 특징으로 하는 광도전성 박막 소자의특성 측정장치.The substrate fixing disk 9 for fixing the photoconductive thin film element is detachably installed in the hermetic box 1, and is moved inside the hermetic box 1 by the holding screw 5 by the adjustment screw 2. An insulating supporting plate 4 is provided, and at the center of the insulating supporting plate 4, there is a lead electrode 7 having a spring 73 to cushion the load applied to the upper end of the electrode 72, and inside The mercury electrode 8 is installed to expose the received mercury 83 by pushing the piston rod 81 so that the upper end side of the positive electrode 7 and 8 is opposed to the substrate fixing disk 9. Characteristic measuring apparatus of the photoconductive thin film element, characterized in that.
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