KR860003343Y1 - A device for protecting surge voltage of magnetron in electronic range - Google Patents

A device for protecting surge voltage of magnetron in electronic range Download PDF

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KR860003343Y1
KR860003343Y1 KR2019840013158U KR840013158U KR860003343Y1 KR 860003343 Y1 KR860003343 Y1 KR 860003343Y1 KR 2019840013158 U KR2019840013158 U KR 2019840013158U KR 840013158 U KR840013158 U KR 840013158U KR 860003343 Y1 KR860003343 Y1 KR 860003343Y1
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Description

전자레인지 마그네트론의 서어지 전압방지장치Surge voltage suppressor of microwave magnetron

제1도는 본 고안의 비교를 위한 종래의 마그네트론 내부 구조도.1 is a conventional magnetron internal structure for comparison of the present invention.

제2도는 제1도에서 2차 전자방출상태를 보인 개략도.2 is a schematic view showing a secondary electron emission state in FIG.

제3도는 본 고안의 단면도.3 is a cross-sectional view of the present invention.

제4도는 본 고안의 작용을 보인 개략도.4 is a schematic view showing the operation of the present invention.

제5도는 본 고안의 사시도.5 is a perspective view of the present invention.

본 고안은 전자레인지의 마그네트론 특히 필라멘트의 2차 전자방출에 의한 서어지(SURGE) 전압방지 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a surge voltage suppression device by magnetron, especially filament secondary electron emission of a microwave oven.

일반적으로 가정용 전자레인지(마이크로파오븐)의 경우는 마그네트론의 동작시작에 필라멘트와 애노드(양극)간에 약 4kV의 고전압을 인가하면 필라멘트로부터 열전자의 방출이 일어나는데, 이때 필라멘트의 상단 및 하단 근처에서 방출되는 전자들은 필라멘트를 지지하는 상·하 지지판이 내면부에 충돌하여 상·하 지지판간에 2차 전자방출을 유발시킨다.In general, in the microwave oven (microwave oven), when a high voltage of about 4 kV is applied between the filament and the anode (anode) at the start of the operation of the magnetron, the release of hot electrons from the filament occurs, and the electrons emitted near the top and bottom of the filament The upper and lower support plates supporting the filaments collide with the inner surface portion, causing secondary electron emission between the upper and lower support plates.

이러한 2차 전자방출은 마그네트론의 동작시작시 서어지 전압을 유발시켜 마그네트론의 수명을 단축시키는 원인이 되고 있다.This secondary electron emission causes a surge voltage at the start of the operation of the magnetron, causing a shortening of the life of the magnetron.

이러한 종래 마그네트론의 구성 및 작용상태를 제1도 및 제2도로 도시한 것과 같다.The configuration and working state of the conventional magnetron are as shown in FIGS. 1 and 2.

마그네트론의 애노드(1) 내부에 설치된 상·하부 지지판(3)(4) 사이에 나선형 필라멘트(2)를 설치하고 상·하부 지지판(3)(4)의 내면에는 원환상의 지르코늄(Zr)판(5)(6)을 접착시킨 구성으로 되어 있다.A spiral filament 2 is provided between the upper and lower support plates 3 and 4 provided inside the anode 1 of the magnetron, and an annular zirconium (Zr) plate is formed on the inner surface of the upper and lower support plates 3 and 4. (5) and (6) are bonded together.

이러한 종래 마그네트론에서 필라멘트(2)와 애노드(1) 간에 약 4kV의 고전압이 인가되면 필라멘트(2)로부터 애노드(1) 방향으로 열전자의 방출이 일어난다.In this conventional magnetron, when a high voltage of about 4 kV is applied between the filament 2 and the anode 1, hot electrons are emitted from the filament 2 toward the anode 1.

이때 필라멘트(2)의 상단 및 하단 근처에서 방출되는 전자들은 제2도와 같이 상·하 지지판(3)(4)의 내면으로부터 화살표시 방향으로 2차 전자방출(A)(B)(C)을 유발시킨다.At this time, the electrons emitted near the upper and lower ends of the filament 2, the secondary electron emission (A) (B) (C) in the direction of the arrow from the inner surface of the upper and lower support plates (3) (4) as shown in FIG. Cause.

이들 2차 전자방출은 1차 전자방출(H)들과 간섭을 일으키기도 하고, 상부 지지판(3)으로부터 수직상으로 방출된 2차전자(B)들과, 하부 지지판(4)에서 상방으로 방출되는 2차전자(C)들이 서로 상대쪽 지지판에 충돌하면서 양쪽 지지판(3)(4)간에 일종의 진동하는 전류를 형성하므로 마그네트론의 동작시작시에 서어지 전압을 유발시키고 결과적으로 마그네트론의 수명을 단축시키는 원인이 되게 하는 것이다.These secondary electron emission also interferes with the primary electron emission (H), the secondary electrons (B) emitted vertically from the upper support plate (3), and upwardly emitted from the lower support plate (4) Since secondary electrons C collide with each other on the support plate to form a kind of vibrating current between both support plates 3 and 4, a surge voltage is generated at the start of the operation of the magnetron and consequently shortens the life of the magnetron. It is to cause it.

위와 같은 서어지 전압유발을 억제하기 위해, 종래에는 상·하 지지판(3)(4) 내면에 원환상의 얇은 지르코늄판(5)(6)을 브레이징하여 2차 전자방출(A)(B)(C)을 억제하는 방법이 널리 쓰이고 있다. 왜냐하면 지르코늄(Zr)을 2차 전자방출 계수가 낮은 재료이기 때문에 상·하 지지판(3)(4)간에 2차 전자방출(B)(C)을 거의 시키지 않기 때문이다.In order to suppress the surge voltage induced as described above, the secondary electron emission (A) (B) by brazing the annular thin zirconium plate (5) (6) on the inner surface of the upper and lower support plates (3) (4) conventionally The method of suppressing (C) is widely used. Because zirconium (Zr) is a material having a low secondary electron emission coefficient, the secondary electron emission (B) (C) is hardly made between the upper and lower support plates (3) and (4).

그러나 지르코늄판을 상·하 지지판(3)(4)에 고착하려면 각 지지판과 최소한 6개의 용접점을 갖어야 하며 융접시 지르코늄판이 옆으로 미끄러지지 않도록 하는 별도의 지그(Jig)가 있어야 하며 또한 지르코늄판(5)(6)의 열팽창계)수가 1.4×10-5/℃로 상·하 지지판(3)(4)의 재질인 몰리브덴의 열팽창계수(5.5×10-6/℃) 보다 큰 관계로 지속적인 마그네트론의 사용시 열변형을 받기 쉬운 등의 단점이 있다.However, to fix the zirconium plate to the upper and lower support plates (3) and (4), each supporting plate must have at least six welding points, and there must be a separate jig to prevent the zirconium plate from sliding sideways when welding. The thermal expansion coefficient of (5) (6) is 1.4 × 10 −5 / ° C., which is higher than the thermal expansion coefficient of molybdenum (5.5 × 10 −6 / ° C.), which is the material of the upper and lower support plates (3) and (4). When using magnetron, there are disadvantages such as being susceptible to heat deformation.

본 고안은 이러한 종래의 문제점을 시정 보완하기 위해 개량 고안된 것으로 이를 첨부도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The present invention has been devised to improve and correct the above problems, and will be described in detail by the accompanying drawings as follows.

마그네트론의 앤노드(1) 내부에 상·하부 지지판(3)(4)을 설치하여 그 사이에 나선형 필라멘트(2)를 설치하고 상·하부 지지판(3)(4)의 내면부에 각각 원환상의 지르코늄판(5)(6)을 착접시킨 것에 있어서 평판형의 상부 지지판(3)의 외연부(7)를 하방으로 절곡형성하여 내면의형 요구(8)를 갖게 하고 하부 지지판(4)의 상면에는 2차 전자방출억제용 몰리브덴 금속분말층(9)을 형성하여서 된 것이다.Upper and lower support plates (3) and (4) are provided inside the magnetron's anode (1), and spiral filaments (2) are provided therebetween, respectively, in the annular shape of the upper and lower support plates (3) and (4). In contacting the zirconium plate (5) (6) of the inner surface of the flat upper plate (3) (7) is bent downward to form This is because the molybdenum metal powder layer 9 for secondary electron emission suppression is formed on the upper surface of the lower support plate 4.

본 고안의 몰리브덴 금속분말층(9)에서 몰리브덴입자의 크기는 0.5-3μm이다. 왜냐하면 0.5μm 보다 적은 입자들로 형성된 모리브덴 분말층에서는 기공율이 줄어들며 3μm 보다 큰 입자들로서는 균일한 분말층을 형성하기가 어렵기 때문이다. 이때 분말층의 두께는 2차전자방출 억제능력, 작업성, 대량생산의 가능성들을 고려하여 10μm 이상으로 하는 것이 좋다.In the molybdenum metal powder layer 9 of the present invention, the size of the molybdenum particles is 0.5-3 μm. This is because the porosity is reduced in the molybdenum powder layer formed of particles smaller than 0.5 μm, and it is difficult to form a uniform powder layer with particles larger than 3 μm. In this case, the thickness of the powder layer may be 10 μm or more in consideration of secondary electron emission suppressing ability, workability, and possibility of mass production.

위에서 언급한 입자크기와 두께를 갖는 몰리브덴 분말층(9)은 1300℃ 정도에서 베이킹(Baking)하므로서 하부 지지판(4)에 고착되는 것이다.The molybdenum powder layer 9 having the particle size and thickness mentioned above is fixed to the lower support plate 4 by baking at about 1300 ° C.

이와 같이 된 본 고안은 상부 지지판(3)의 외연부(7)를 하방으로 절곡시켜 내측에 하향 테이피 요구(8)로 형성하므로서 하부 지지판(4)과의 관계에서 평행이 안되게 하였기 때문에 하부 지지판(4)으로부터 수직상으로 방출되는 2차전자(C)가 있다 하더라도 상부 지지판(3)의 기하학적 개량구조에 의해 2차 전자방출의 진로가 제4도의 "D"방향으로 굴절 전환되고 필라멘트(2)의 상단 근처에서 상부지지판(3)을 향하여 수직상으로 방출되는 전자(E)로 2차전자 방출의 전로가 굴절되어 "F"와 같이 바뀌게 되어 상·하부 지지판(3)(5)간에 진동 전류가 유발되는 것을 방지할 수 있게 된다.The present invention, as described above, bends the outer periphery portion 7 of the upper support plate 3 downwardly so as to form a downward taper request 8 therein so that the lower support plate 4 is not parallel in relation to the lower support plate 4. Even if there are secondary electrons C emitted vertically from (4), the path of secondary electron emission is deflected in the "D" direction of FIG. 4 by the geometric improvement structure of the upper support plate 3, and the filament 2 Near the top of the upper side of the upper support plate (3) to the electron (E) is emitted vertically, the path of the secondary electron emission is refracted and changed to "F" to vibrate between the upper and lower support plates (3) (5) It is possible to prevent the current from being induced.

또한 하부 지지판(4)에는 몰리브덴 금속분말층(9)을 형성하므로서 하부 지지판(4)에 수직상으로 입사되는 2차 전자방출(B)은 몰리브덴 금속분말층(9) 내부의 기공들에 의해 구속 흡수되어 강도가 약해지며 미처 흡수되지 않은 미약한 2차 전자방출(C)과 필라멘트(2)의 상단 근처에서 상부 지지판(3)에 쏘아지는 2차 전자방출(E)은 그 진로가 "D"와 같이 바뀌게 되어 상·하 지지판(3)(4)간에 진동 전류가 유발되는 것을 방지할 수 있어 마그네트론 동작시작시 서어지 전압이 생기지 않게 되며 결과적으로 긴 수명을 갖는 마그네트워크 마그네트론을 제공할 수 있고 몰리브덴 분말층(9)과 지지판이 같은 금속재질이므로 장시간 사용시에도 변형을 받지 않는 효과가 있는 것이다.In addition, since the molybdenum metal powder layer 9 is formed on the lower support plate 4, the secondary electron emission B incident perpendicularly to the lower support plate 4 is constrained by pores inside the molybdenum metal powder layer 9. The weak secondary electron emission C absorbed and weakened and not absorbed, and the secondary electron emission E emitted to the upper support plate 3 near the upper end of the filament 2 have a path of "D". The vibration current is prevented from being generated between the upper and lower support plates 3 and 4 so that surge voltage is not generated at the start of the magnetron operation, and as a result, a magnet magnetron having a long lifetime can be provided. Since the molybdenum powder layer 9 and the support plate are made of the same metal, there is an effect of not being deformed even when used for a long time.

Claims (1)

마그네트론의 애노드(1) 내부에 상·하부 지지판(3)(4)을 설치하여 그 사이에 나선형 필라멘트(2)를 설치하고 상·하부 지지판(3)(4)의 내면부에 각각 원환상의 지르코늄판(5)(6)을 착접시킨 것에 있어서, 평판형의 상부 지지판(3)의 외연부(7)를 하방으로 절곡형성하여 내면에형 요구(8)를 갖게 하고 하부 지지판(4)의 상면에는 2차 전자방출억제를 몰리브덴금속분말층(9)을 형성하여서 된 전자레인지 마그네트론의 서어지 전압방지 장치.Upper and lower support plates (3) and (4) are provided inside the anode (1) of the magnetron, and spiral filaments (2) are provided therebetween, and each of the upper and lower support plates (3) and (4) has an annular shape. In contacting the zirconium plates 5 and 6, the outer edge 7 of the flat upper support plate 3 is bent downward to form an inner surface. A surge voltage suppressor for a microwave magnetron having a mold request (8) and forming a molybdenum metal powder layer (9) to suppress secondary electron emission on the upper surface of the lower support plate (4).
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