KR860001742Y1 - 에피택셜장치 - Google Patents

에피택셜장치 Download PDF

Info

Publication number
KR860001742Y1
KR860001742Y1 KR2019860008872U KR860008872U KR860001742Y1 KR 860001742 Y1 KR860001742 Y1 KR 860001742Y1 KR 2019860008872 U KR2019860008872 U KR 2019860008872U KR 860008872 U KR860008872 U KR 860008872U KR 860001742 Y1 KR860001742 Y1 KR 860001742Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bell jar
metal
quartz
base
quartz bell
Prior art date
Application number
KR2019860008872U
Other languages
English (en)
Inventor
요시히꼬 미야자끼
다이잔 고또오
요시조오 고미야마
고오떼이 이와다
Original Assignee
도오시바 기까이 가부시기가이샤
이이무라 가즈오
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP17939382U external-priority patent/JPS5983032U/ja
Priority claimed from JP58205194A external-priority patent/JPS6097622A/ja
Application filed by 도오시바 기까이 가부시기가이샤, 이이무라 가즈오 filed Critical 도오시바 기까이 가부시기가이샤
Priority to KR2019860008872U priority Critical patent/KR860001742Y1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR860001742Y1 publication Critical patent/KR860001742Y1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08Reaction chambers; Selection of materials therefor

Abstract

내용 없음.

Description

에피택셜장치
제1도 및 제2도는 종래의 에피택셜장치의 종단면도.
제2a도는 제2도의 원으로 표시한 부분(A)의 확대도.
제3도는 본원 고안에 의한 에피택셜장치의 한 실시예를 나타내는 종단면도.
제3a도는 제3도의 원으로 표시한부분(B)의 확대도.
제4도는 본원 고안에 의한 에피택셜장치의 다른 실시예를 나타내는 종단면도.
제5도는 본원 고안에 의한 에피택셜장치의 또 다른 실시예를 나타내는 종단면도.
제6도는 본원 고안에 의한 금속벨쟈에 링부재를 연결시킨 걸림부재의 한 실시예를 나타내는 부분확대 종단면도.
본원 고안은 고주파전기나 적외선 등에 의하여 가열되는 서셉터(suscepta)의 주위에 기밀실을 형성하고, 이 서셉터상에 얹어 놓은 기판의 표면상에 반도체물질의 에피택셜박막을 기상성장시키기 위한 에피택셜장치에 관한 것으로, 특히 기밀실을 형성하기 위한 벨쟈(bell jar) 및 기대(基臺)부분의 개량에 관한 것이다.
제1도 및 제2도에 종래의 전형적인 에피택셜장치를 나타내고 있으며, 이들은 종형(팬케이크형이라고도 한다)의 에피택셜장치를 나타내고 있다. 제1도에 있어서, 석영제의 벨쟈(3)(이하 석영벨쟈라고 한다)는 기대(1)상에 놓여 있으며, 상기 기대는 통상 0링과 갖은 시일부재(2)를 끼워 스텐레스강판으로 구성되어 있다. 상기 석영 벨쟈(3)와 기대(1)에 의해 기밀실(4)을 형성하며, 노즐(7)은 이 노즐(7)주위에 장착된 기판(6)이 회전 가능하게 배열되며, 기판(6)이 놓이는 서셉터(5)와 기대(1)를 통하여 수직으로 세워져 있다. 상기서셉터(5)는 이 서셉터(5) 밑에 위치한 고주파유도 가열코일(8)에 의하여 가열된다. 그리고 배기관(9)은 상기 기대(1)에 접속되어 있다. 클리인벤치(cle anbench)(10)는 상기 에피택셜장치를 둘러 싸도록 위치하고 있다. 상기 기밀실(4)은 석영벨쟈(3)에 의하여 형성되어 있으므로 상기 서셉터(5)로부터 나오는 복사열은 상기 석영벨쟈(3)를 통하여 외부로 방출되며, 따라서 열효율이 좋지 않은 동시에, 방출된 열은 작업자에게도 위험하다. 뿐만 아니라, 석영벨쟈(3)는 그 자체가 어떠한 외부 충격에 의하여 파손되기 쉽다.
또, 상기종래의 에피택셜장치에 있어서는 상기 클리인벤치(10)가 석영벨쟈(3)를 통한 복사열에 의하여 비교적 고온으로 가열되므로 상기 장치를 둘러싸고 있는 클리인벤치(10)의 측판을 냉각시키지 않으면 안된다.
제2도는 스텐레스강제의 벨쟈(11)를 상기 기대(1)상에 얹어 놓은 종래의 에피택셜장치를 나타낸다. 석영벨쟈(14)는 상기 스텐레스벨쟈(11)의 안쪽에 위치하며, 스텐레스벨쟈(11)(제2a도)의 하부 끝부분에 고정된 복수개의(3개이상이 바람직하다)스크류형 지지편(13)에 의하여 지지되어 있다. 그리고 냉각관(12)은 상기 스텐레스벨쟈 (11)외부로 복사열이 방출되는 것을 방지하기 위하여 스텐레스벨쟈(11)의 외부면에 배설되어 있다. 이리하여 제1도에 도시된 에피택셜장치의 결점은 제2도에 도시된 장치에 의하여 제거될 수 있다. 그러나 제2도에 도시된 에피택셜장치에 있어서는 석영벨쟈 (14)와 스텐레스벨쟈(11) 사이의 공간이 상기 반응실(4)과 통하고 있으며, 석영벨쟈 (14)는 지지편(13)에 의하여 스텐레스벨쟈(11)의 몇군데에서 지지되어 있기 때문에, 노즐(7)에서 공급된 상기 반응실(4) 내의 반응가스는 상기 공간으로 유입되고, 따라서 이 내부에서 반응물질을 발생시킨다. 상기 결점을 방지하기 위하여 상기스텐레스벨쟈 (11)에는 공급구(15)가 설치되어 있다. 이 공급구를 통하여 고순도의 수소가스와 같은 퍼어지가스(purge gas)가 상기 에피택셜장치의 운전중 상기 공급간에 공급되지 않으면 안된다. 따라서 제2도에 도시된 종래의 에피택셜장치는 그다지 만족스러운 장치가 되지 못하였다.
따라서 본원 고안의 목적은 종래의 에피택셜장치의 결함을 해소하고, 걸림부재에 의하여 석영벨쟈와 걸어 맞출 수 있는 석영벨쟈 및 금속벨쟈를 포함하는 개량된 에피택셜장치를 제공하는 데 있다.
본원 고안에 의하면, 기밀반응실내에 설치된 서셉터상에 얹혀 있는 기판상에 반도체물질의 에피택셜박막층을 형성하는 에피택셜장치를 제공한다. 그리고 상기 장치는 기대와 이 기대상에 장착된 석영 벨쟈에 의하여 반응실을 형성하도록 구성되어 있다. 그리고 금속벨쟈를 에워싸도록 석영벨쟈 바깥쪽에 배설되어 있으며, 걸림부재는 상기 금속벨쟈와 석영벨쟈를 분리 가능하게 결합시키기 위하여 금속벨쟈에 작동 가능하게 접속되어 있다.
첨부 도면에 따라 본원 고안을 상세히 설명하면 아래와 같다. 제3도에는 본원 고안에 의한 에피택셜장치의 한 실시예가 도시되어 있으며, 제1도 및 제2도의 부분과 동 일부분에는 동일번호를 붙여, 앞에 설명한 번호는 설명을 생략하며, 동도면에서 하단에 플랜지부(16a)가 형성된 석영벨쟈(16)는 0링(2)을 통하여 기대(1)에 얹혀 있고, 이리하여 그 사이에 기밀반응실(4)을 형성한다. 상기 석영벨쟈(16)는, 2중 구조의 금속, 예를 들면 스텐레스강제의 벨쟈(18)에 의하여 둘러싸여 있다. 상기 금속벨쟈(18)는 상기 2중 구조에 의하여 형성된 내부공간에 냉각수를 유통시킴으로써 냉각시킬 수 있다. 금속벨쟈(18)의 내면은 복사열의 흡수로 인한 열손실을 최저로 하기 위하여 거울면연마 또는 적외선 반사막의 코팅에 의하여 처리되어 있다. 상기 금속벨쟈(18)에는 스프링 또는 0링과 같은 탄성체(19)를 통하여 석영벨쟈(16)의 플랜지부(16a)상에 얹혀진 플랜지부(18a)가 설치되어 있다.
핸들(20a)을 갖춘 일반적으로 스크류형의 복수 개의 걸림부재(20)는 상기 금속벨쟈(18)의 플랜지부(18a)의 원주상의 몇군데에 부착되어 있으며, 따라서 걸림부 재(20)는 이 걸림부재(20)를 앞뒤로 움직임으로써 석영벨쟈(16)의 외주면상에 형성된 돌출부(21)에 걸어 맞출 수 있다. 상기 걸림부재(20)의 상기 걸림상태의 상세는 제 3a도에 도시되어 있다. 다른 방법으로는 상기 돌출부(21) 대신에 석영벨쟈(16)상에 홈을 형성할 수도 있다. 상기 걸림상태에서, 석영벨쟈(16)는 금속벨쟈(18)가 가동 또는 상승할 때, 이와 함께 움직이거나 상승 가능하다. 복수개의 통풍구(22)는 상기 두 벨쟈 (16),(18) 사이의 공간이 주위 대기와 통하도록 금속 벨쟈(18)의 주면상에 형성된다.
복수개의 클램핑부재(17)는 기대(1)상에 배설되며, 제3a도에 상세히 도시된 바와 같이, 상기 각 클램프부재(17)는 두 부분으로 되어 있으며, 그중 한 부분은 상기 기대(1)에 고정된 하단을 가진 수직부(17a)이며 다른 부분은 힌지수단에 의하여 회전 가능하고, 수압수단에 의하여 운전 가능하게 이루어진 수직부(17a)의 상단에 연결된 수평부(17b)로 되어 있다. 상기클램프부재(17)의 수평부(17b)를 회전시킴으로써 금속벨쟈(18)의 플랜지부(18a)의 상부 표면에서 벗겨질 수 있게 되어 있다. 상기 걸림 및 클램프 상태하에서 석영벨쟈(16)는 상기 반응실(4)을 완전히 밀폐하기 위하여 플랜지부(18a)와 탄성체(19)에 의하여 기대(1)를 향해서 아랫쪽으로 누르는 힘을 받는다.
제3도의 에피택셜장치의 운전에 대하여 다음과 같이 기술한다.
에피택셜장치를 분해할필요가 있을 때, 처음에 클램프부재(17)를 금속벨쟈(18 )의 플랜지부(18a)의 상부표면에서 분리하고, 다음에 이를 금속벨쟈(18)에 접속된 승강기구에 의하여, 예를 들면 수압실린더수단(24)에 의해서 들어 올린다. 상기 운전중, 걸림부재(20)는 석영벨쟈(16)의 돌출부(21)의 하부면과 걸려 있으며, 이리하여 석영벨쟈(16)를 금속벨쟈(18)와 함께 들어 올리며, 따라서 반응실(4)은 개방된다. 기판(6 )을 서셉터(5)상에 반출입한 후에 금속벨쟈(18)는 석영벨쟈(16)와 함께 승강기구(24 )를 구동시킴으로써 하강되며, 기대(1)상에 놓여 고정된다. 그리고 클램프부재(17)는 탄성체(19) 및 0링(2)에 의하여 금속벨쟈(18)의 플랜지부(18a)와 걸리도록 작동되고 상기 플랜지부(18a)를 클램프한다. 석영벨쟈(16)가 상기탄성체(19)를 통해 아랫쪽으로 누르는 힘을 받으므로 상기 플랜지부(16a)가 고르게 형성되지 않아도 원주면에서 비교적 동등하게 누르는 힘을 받는다. 이리하여 반응실(4)은 완전히 밀폐되고, 따라서 노즐(7)에서 나오는 반응가스 또는 퍼어지가스는 상기 반응실(4)에서 누출되지 않으며, 대기로는 물론 석영벨쟈(16)와 금속벨쟈(18) 사이의 공간(S)으로도 새어나가지 않는다. 그러므로 상기공간(S)으로 퍼어지가스를 공급할 필요가 없으며, 금속벨쟈(18)의 안쪽과 석영벨쟈(16)의 바깥쪽은 완전히 영향을 받지 않는다. 금속벨쟈(18) 안쪽 표면의 적외선 반사막에 의한 코팅 또는 거울면 연마는 복사열에 양호한 반사율을 장시간 높게 유지한다.
석영벨쟈(16)의 바깥쪽의 금속벨쟈(18)는 석영벨쟈(16)를 보호하며, 또 주위 대기의 온도상승을 금속벨쟈(18) 내에 냉각수를 유통시켜서 방지할 수 있다. 반응실 (4)내의 온도변화에 의하여 발생한 공간(S) 내의 공기의 팽창 또는 수축은 상기공간(S )과 상기 주위 대기가 통하는 통풍구(22)를 설치하여 억제할 수 있다.
석영벨쟈(16)를 교환 또는 청소할 필요가 있을 때, 금속벨쟈(18)는 석영벨쟈(1 6)의 돌출부(21)에서 걸림부재(20)를 분리하기 위하여 상기 핸들부(20a)를 조작함으로써 걸림부재(20)를 후퇴시켜 석영벨쟈(16)로부터 분리된다. 그리고 금속벨쟈(18)를 들어올린다. 이리하여 금속벨쟈(18)만이 용이하고 안전하게 들어올려지며, 석영벨쟈( 16)는 용이하게 교환 또는 청소할 수 있다. 이 조작은 걸림상태하에서 벨쟈(16),(18)가 처음에 다른 기대(도시하지 않음)에서 교환된 후에도 실시할 수 있다.
제 4도는 본원 고안 에피택셜장치의 다른 실시예를 나타내는 것으로, 기대(1)는 상기 반응실(4)내에 서셉터(5)의 높이와 겅의 동등한 깊이를 가진 저부(1a)를 형성할 수 있게 구성되며, 석영벨쟈(16)는 기대(1)상에 시일부재(2)에 의하여 상기 저부(1a)의 가장자리부(1b)에 놓여 고정된다. 상기 저부(1a)는 상기 반응실(4)의 기대를 구성한다. 본 실시예에 의하면, 벨쟈(16),(18)가 제 3도에 도시된 것보다 높이가 낮게 구성될 수 있기 때문에, 반응실(4) 내에서 서셉터(5)위의 기판(6)을 반출입할 때 벨쟈의 들어올리는 양을 감소시킬 수 있다. 물론 저부(1a)의 깊이는 이 저부(1a)안쪽 또는 가열코일(8)의 제어 또는 조정부를 청소할 수 있는 범위내에서 임의로 결정할 수 있다. 냉각쟈킷(23)은 저부(1a)의 벽부(1c)에 위치시킬 수 있고, 또 석영 또는 금속원통체(25 )는 상기벽부(1c)에 반응가스로 인하여 이 물질의 퇴적을 방지하기 위하여 상기 벽부(1c)에 분리가능하게 부착되어 있다.
제5도는 본원 고안에 의한 에피택셜장치의 다른 실시예를 나타내는 것으로, 여기에서 제1도 내지 제4도에 나타낸 것과 동일한 부분에는 동일번호가 붙어 있으므로 설명을 생략하며, 제5도에 있어서 스텐레스강과 같은 금속제의 링부재(26)가 시일부재( 28)에 의하여 석영벨쟈(16)의 플랜지부(16a)의 하부면에 기밀하게 위치하고 있다. 링부재(26)는 복수개의 부울트(27)에 의하여 금속벨쟈(18)의 플랜지부(18a)에 분리 가능하게 고정되며, 예를들면 금속벨쟈(18)의 몇군데의 원주상에 고정되어 있다. 이리하여 플랜지부(16a), 예를 들면 석영벨쟈(16)는 탄성체(19)와 시일부재(28)에 의하여 링부재(26)와 금속벨쟈의 플랜지부(18a)사이에 기밀하게 고정될 수 있다. 시일부재( 29)로서 바람직한 것은 0링으로 링부재(26)와 기대(1) 사이에 개재되어 있다. 복수개의 클램프부재(17)는 금속벨쟈(18)의 플랜지부(18a)를 아랫쪽으로 클램프 및 누르는 힘을 가하기 위하여 기대(1)에 고정되어 있으며, 이리하여 반응실(4)을 기밀하게 밀패시킨다.
제5도의 실시예에 의하면, 상기 반응실(4)을 개방하기 위하여 통상의 조작이 필요할 때, 금속벨쟈(18)는 석영벨쟈(16)와 함께 들어올리며, 이때에 링부재(26)도 이링부재(26)와 석영벨쟈(16)의 플랜지부(16a) 사이에 개재된 시일부재(28)와 함께 들어올린다. 따라서 시일부재(28)는 일에의한 파손이 적어지며, 벨쟈를 자주 개폐하더라도 기밀상태는 장시간 안전되게 유지될 수 있다.시일부재(29)는 금속제링부재(26) 내에 형성된유로에 냉각액을 유통시킴으로써 냉각시킬 수 있으며, 이리하여 시일부재(29)가 바람직하지 못한 열효과에 의하여 링부재(26)에 고착되는 것을 방지 할 수 있다. 시일부재(28),(29)를 보다 더안전하게 보호하기 위하여 금속 또는 세라믹보호 원통체(39)를 기대(1)상의 석영벨쟈(16) 안쪽에 설치할 수 있고, 이리하여 시일부재 또는 석영벨쟈의 하부가 복사열에 의하여 과열되는 것을 방지할 수 있다. 상기보호원통체(39)에는 홈을 통하여 상기 보호부재(39)에 의해 둘러싸인 공간으로 상기 보호부재(39)의 바깥쪽에 있는 가열반응 가스를 자유로이 유통시키기 위하여 기대(1) 사이의 가장자리부에 몇 개의 홈이 설치되어 있다.
상기 금속벨쟈(18)에는 효과적으로 석영벨쟈(16)를 냉각시키기 위하여 두 벨쟈(16),(18) 사이의 공간(S)내에 질소가스(N2) 또는 공기와 같은 냉각가스를 순환시키기 위하여 그 외주면에 가스유입공(31)과 유출공(32)이 설치될 수 있다. 노즐(7)에서 분출되는 반응가스용 운반가스로서 수소 가스가 일반적으로 사용되기 때문에, 에피택셜장치의 조작중 석영벨쟈의 파손의 경우에 폭발을 방지하기 위하여 냉각가스로서 공기보다 N2가스를 이용하는 것이 좋다. 제5도에 도시된 에피택셜장치에 있어서, 제2도의 장치와 상이한 점은 벨쟈(16),(18) 사이의 공간(S)의 반응실(4)의 내부와 통하지 않으며, 따라서 비교적 저순도의 냉각가스 N2또는 공기를 경제적으로 이용할 수 있는 것이다. 또, 냉각가스유통은 반응실(4) 내의 반응가스의 유통과는 영향을 받지 않기 때문에 냉각가스량은 요구되는 냉각정도에 의하여 자유로 조정할 수 있으며, 따라서 석영벨쟈(16)의 온도상승은 저온도로 효과적으로 억제 가능하다. 또한 석영벨쟈(16)의 내면의 반응물질의 부착도 효과적으로 방지할 수 있다. 제5도의 실시예에 있어서, 시일부재( 28)가 석영벨쟈(16)에 고착되거나 석영벨쟈(16)가 열에 의하여 파손되는 것을 방지하기 위하여 가스유입공(31)과 가스유출공(32)을 석영벨쟈(16)의 외주면의 비교적 하부 및 비교적 상부의 위치에 각각 배열시킬 수 있다. 그러나 다른예(도시되지 않음)에 있어서, 가스유입공을 석영벨쟈(16)의 비교적 상부 위치에, 그리고 가스유출공은 비교적 하부 위치에 배치하는 경우도 있으며, 사용 반응가스의 종류에 따라 반응물질의 석영벨쟈의 내면의 상부에서 부착하기 쉬운 경우, 즉 석영벨쟈의 내부면의 비교적 상부 위치에서 반응물질이 부착되는 악영향을 방지할 필요가 있을 경우에 이 방법이 좋다. 또, 가스유입공은 상기 실시예의 효과를 달성하기 위하여 석영벨쟈의 비교적 상부 및 하부의 두 위치에 배열시킬 수 있고, 가스유출공 상부 및 하부 가스유입공 사이의 중간 위치에 배열시킬 수 있다. 상기와 같이 가스유입공 및 유출공의 수나 위치는 반응가스의 반응실에서의 유통에 관계없이 경우에 따라 임의로 선택할 수 있다.
가스유입공, 유출공(31),(32) 및 보호원통체(39)는 상기 실시예에 적용하는 것이 바람직하며, 제4도의 기대(1)도 제5도의 실시예에 적용할 수 있다. 또, 상기 실시예에 있어서, 기대(1)는 하나의 부재로 구성되지만, 수개의 부재 특히 제4도의 실시예와 같이 구성할 수도 있다.
제6도는 제5도에 도시된 링부재(26)와 금속벨쟈(18) 사이의 걸림 또는 연결기구의 다른 실시예로서, 여기서는 보울트(27a)는 축회전할 수 있게 핀(33)에 의하여 링부재(26)에 부착되어 있다. 홈(34)은 상기 보울트(27a)의 상부를 수납하기 위하여 금속벨쟈(18)의 플랜지부(18a)상에 형성되어 있다. 링부재(26)의 상부와 금속 벨쟈(18)의 플랜지부(18a)의 하부 사이의 거리 ℓ는 시일부재(28)의 밀폐상태를 효과적으로 달성할 수 있는 적당한 위치에 보울트(27a) 위의 로크너트(35),(36)를 사전에 고정시킴으로써 세트된다. 상기로크너트(35),(36)가 세트된후에, 즉 거리 ℓ가 세트된 후에 상기 보울트(27a)의 상부에 끼운 너트(37)는 로크너트(36),(37) 사이에 금속벨쟈(18)의 플랜지부(18a)를 고정시키도록 나사로 이루어져 있다. 거리 ℓ를 결정하기 위하여 상기와 같이 로크너트를 사용하지 않고 링부재(26)와 금속벨쟈(18)사이에 스페이서를 교대로 개재시킬 수 있다. 링부재(26)와 금속벨쟈(18)사이의 거리를 사전에 세트시킴으로써 석영벨쟈(16)의 플랜지부(16a)와 시일부재(28)는 금속벨쟈(18)의 중량에 의하여 파손되거나 과동하게 변형되는 것을 방지할 수 있다. 제 6도의 연결기구를 사용하는 경우, 클램프부재(17)는 효과적으로 석영벨쟈(16)의 밀폐효과를 달성하기 위하여 아랫쪽으로 누르는 힘을 가하기 위해 상기 클램프를 링부재(26)의 상부면과 걸어 맞출 수 있다. 물론 보울트(27a)와 같은 연결기구는 금속벨쟈(18)의 플랜지부 (18a)의 원주상 위치에 수개가 배열되어 있다.

Claims (10)

  1. 기밀반응실에 배설된 서셉터 위에 얹어 놓은 기판에 반도체물질의 에피택셜박막층이 형성되는 에피택셜장치에 있어서, 기대(基臺)와, 상기 기대상에 장착되어 반응실을 형성하는 석영벨쟈와.
    상기 석영벨쟈의 바깥쪽에 배설되어 상기 석영벨쟈를 둘러싸는 금속벨쟈와, 상기 금속벨쟈와 상기 석영벨쟈를 결합, 분리할 수 있도록 상기 금속벨쟈에 작동 가능하게 접속되어 있는 걸림부재와, 그 하단에 플랜지부를 형성하여, 이 플랜지부가 그 사이에 탄성체를 개재시켜 상기 금속벨쟈에 의하여 상기 기대를 향해서 아래쪽으로 누르는 힘을 받도록 되어 있는 상기 석영벨쟈로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에피택셜장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 걸림부재는 상기 금속벨쟈에 이동 가능하게 설치되며, 이 걸림부재가 상기금속벨쟈의 내면쪽으로 돌출하며, 상기 돌출단은 상기 석영벨쟈의 외면쪽에 형성된 돌출부와 걸릴 수 있게 이루어지는 것을 특징으로 하는 에피택셜장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 걸림부재는 상기 석영벨쟈의 플랜지부의 하면측에 위치하며 기밀하게 결합하기 위하여 상기 석영벨쟈의 플랜지부를 그 사이에 개재시켜 상기 금속벨쟈에 분리할 수 있도록 부착된 링부재이며, 이 링부재 개재시켜 상기 기대와 상기 석영벨쟈에 의하여 반응실을 형성하는 것을 특징으로 하는 에피택셜장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속벨쟈와 상기 링부재는 이 링부재와 상기 석영벨쟈의 플랜지부 사이에 개재되는 시일부재를 기밀하게 유지하기 위하여 소정 거리로 그 사이에 스페이서를 개재시켜 서로 고정시키는 것을 특징으로 하는 에피택셜장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 링부재는 시일부재를 통하여 상기 기대를 향해서 아랫쪽으로 누르는 힘을 받아 기밀반응실을 형성하는 것을 특징으로 하는 에피택셜장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 링부재는 내부에 냉각유체를 유통시키는 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 에피택셜장치.
  7. 제1항에 있어서, 최소한 한개 이상의 가스유입공과 최소한 한개 이상의 유출공이 상기 금속벨쟈의 주면에 배설되어 상기 금속 및 석영벨쟈 사이의 공간에 냉각가스를 순환시켜 상기 석영벨쟈를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 에피텍셜장치.
  8. 제1항에 있어서, 보호원통체는 상기 석영벨쟈의 안쪽의 기대 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 에피택셜장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기대는 상기 반응실의 기대를 구성하는 저부를 가지며, 상기 석영벨쟈는 상기저부의 가장자리부에 있는 상기 기대상에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 에피택셜장치.
  10. 제9항에 있어서, 보호원통체는 상기 저부의 측벽에 분리할 수 있도록 부착되는 것을 특징으로 하는 에피택셜장치.
KR2019860008872U 1982-11-27 1986-06-24 에피택셜장치 KR860001742Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019860008872U KR860001742Y1 (ko) 1982-11-27 1986-06-24 에피택셜장치

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17939382U JPS5983032U (ja) 1982-11-27 1982-11-27 縦型エピタキシヤル装置
JP57-179393 1982-11-27
JP58205194A JPS6097622A (ja) 1983-11-01 1983-11-01 エピタキシヤル装置
JP58-205194 1983-11-01
KR1019830005579 1983-11-25
KR2019860008872U KR860001742Y1 (ko) 1982-11-27 1986-06-24 에피택셜장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019830005579 Division 1982-11-27 1983-11-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR860001742Y1 true KR860001742Y1 (ko) 1986-07-31

Family

ID=27474886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019860008872U KR860001742Y1 (ko) 1982-11-27 1986-06-24 에피택셜장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR860001742Y1 (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4641603A (en) Epitaxial growing apparatus
US5207573A (en) Heat processing apparatus
US5994675A (en) Semiconductor processing furnace heating control system
US5947718A (en) Semiconductor processing furnace
US5846073A (en) Semiconductor furnace processing vessel base
EP0474251B1 (en) Thermal reactor for processing semiconductor wafers and a method of operating such a reactor
US5493987A (en) Chemical vapor deposition reactor and method
KR880000472B1 (ko) 화학 증착 장치 및 방법
US6307184B1 (en) Thermal processing chamber for heating and cooling wafer-like objects
KR100443415B1 (ko) 열처리장치
KR100347162B1 (ko) 열처리장치
US5908292A (en) Semiconductor processing furnace outflow cooling system
KR100286284B1 (ko) 열처리장치
KR100280692B1 (ko) 열처리장치 및 열처리방법
US5370371A (en) Heat treatment apparatus
US3860222A (en) Cooling system for vacuum furnaces
US5904478A (en) Semiconductor processing furnace heating subassembly
US6228174B1 (en) Heat treatment system using ring-shaped radiation heater elements
EP0715342B1 (en) Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same
KR100353499B1 (ko) 급속 열처리(rtp) 시스템용 팽창성 엘라스토머 요소
EP1097470B1 (en) Infra-red transparent thermal reactor cover member
KR860001742Y1 (ko) 에피택셜장치
US4189129A (en) Apparatus for protecting parts in heating and cooling processing cycles thereof
US8610033B1 (en) Rapid thermal process reactor utilizing a low profile dome
WO1998039609A1 (en) Semiconductor processing furnace

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19950619

Year of fee payment: 10

EXPY Expiration of term