KR850001672Y1 - 텔레비젼의 전자동조튜너 동조전압 공급회로 - Google Patents

텔레비젼의 전자동조튜너 동조전압 공급회로 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

텔레비젼의 전자동조튜너 동조전압 공급회로
제 1 도는 본 고안의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 정전압 회로 2 : 튜너
3 : 밴드 절환회로 R1-R19: 저항
VR1, VR2: 가변저항 C1-C3: 콘덴서
D1-D3: 다이오드 ZD1, ZD2: 제너다이오드
TR1-TR5: 트랜지스터 FET1, FET2: 전계효과 트랜지스터
LB : VHF 로우밴드 전원공급단자 HB : VHF하이밴드 전원공급단자
UB : UHF밴드 전원공급단자 TU : 튜너 동조전압 공급단자
본 고안은 전자동조튜너를 사용하는 텔레비젼 수상기에 있어서, 전자동조튜너의 수신주파수를 결정하는 튜너 동조전압공급단자에 VHF 로우밴드, VHF 하이밴드, UHF 밴드의 각 채널 주파수에 동조되도록 동조전압을 공급하여 전채널의 수신이 가능하도록 한 텔레비젼의 전자 동조튜너 동조전압공급회로에 관한 것이다.
일반적으로 전자동조튜너를 사용한 텔레비젼 수상기에 있어서 튜너 동조전압 공급단자에 인가되는 전압은 수신주파수를 결정하는 전압이 된다. 즉, 동조전압이 증가하면 수신주파수가 증가하고, 동조전압이 감소하면 수신주파수가 감소하게 되는 것이다. 따라서 종래에는 VHF 로우밴드, VHF 하이밴드, UHF 밴드마다 절환스위치를 부착하고, 복잡한 주파수 동조회로와 전압 동조회로를 사용하여 상기의 특성을 만족시켰으나, 이는 부품 소자가 많이 들어 원가상승의 요인이 되고, 구조적으로 대단히 복잡하여 사용하기가 불편할 뿐만 아니라, 소형 제품에 적용하기에 여러 가지 문제점이 뒤따랐다.
본 고안은 이러한 점을 감안하여 밴드 절환회로의 선택에 따라 VHF 로우밴드, VHF 하이밴드, UHF 밴드 전원공급단자에 전원이 공급되면 VHF 로우밴드, VHF 하이밴드 및 UHF 밴드의 각 채널에 해당되는 동조전압이 자동으로 공급되게 간단한 회로를 구성한 것으로 첨부한 도면에 의하여 본 고안의 구조 및 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.
정전압회로(1)의 출력측에 저항(R1), 가변저항(VR1) 및 저항(R2)을 직렬 접속하여 가변저항(VR2)의 중간탭을 콘덴서(C1)와, 트랜지스터(TR3)의 베이스에 접속된 저항(R7)에 접속하고, 트랜지스터(TR3)의 콜렉터는 정전압회로(1)의 출력측에 접속하고, 에미터는 전계효과 트랜지스터(FET1)의 소오스와 밴드 절환회로(3)에 접속한다.
한편, 밴드 절환회로(3)의 출력측에 접속된 튜너(2)의 VHF 로우밴드, VHF 하이밴드 전원공급단자(LB), (HB)는 다이오드(D1) 및 저항(R18)과, 다이오드(D2) 및 저항(R19)을 각각 통하여 저항(R8) 및 트랜지스터(TR1)의 베이스에 접속하여, 트랜지스터(TR1)의 콜렉터를 정전압회로(1)의 출력측에 접속된 저항(R3)과 전계효과 트랜지스터(FET1)의 게이트에 접속된 저항(R4)에 접속하고, 또한 VHF 로우밴드 전원공급단자(LB)는 저항(R17)을 통하여 저항(R16) 및 트랜지스터(TR2)의 베이스에 접속하여, 트랜지스터(TR2)의 콜렉터를 정전압회로(1)의 출력측에 접속된 저항(R5) 및 전계효과 트랜지스터(FET2)의 게이트에 접속하며, 전계효과 트랜지스터(FET1)(FET2)의 소오스와 드레인 사이에 콘덴서(C2) 및 제너다이오드(ZD1)와, 콘덴서(C3) 및 제너다이오드(ZD2)를 각각 접속하여 전계효과 트랜지스터(FET1)의 드레인에 전계효과 트랜지스터(FET2)의 소오스를 접속하고, 전계효과 트랜지스터(FET2)의 드레인은 저항 (R9)과, 트랜지스터(TR4)의 베이스에 접속된 저항(R10)에 접속한다. 그리고 트랜지스터(TR4)의 에미터는 저항(R13)에 접속하고, 콜렉터는 정전압회로(1)의 출력측에 직렬 접속된 다이오드(D3) 및 저항 (R11)와, 트랜지스터(TR5)의 베이스에 접속된 저항(R12)에 접속하며, 트랜지스터(TR5)의 에미터는 저항(R14)을 통하여 정전압회로(1)의 출력측에 접속하고, 콜렉터는 직렬접속된 저항(R1) 및 갸변저항(VR2)과, 튜너(2)의 튜너동조전압공급단자(TU)에 접속하여 구성시킨다. 이와 같이 구성된 본 고안의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.
정전압회로(1)의 출력전압(33V)은 저항(R1), 가변저항(V5R1) 및 저항(R2)으로 분할되어 콘덴서(C1)에 충전되고, 이 콘덴서(C1)의 충전전압은 저항(R7)을 통하여 트랜지스터(TR3)의 베이스에 인가된다.
그런데 가변저항(VR1)을 가변함에 따라 콘덴서(C1)의 충전압이 가변되므로, 가변저항(VR1)을 가변하여 콘덴서(C1)의 충전전압을 상승시킬 경우 이에 따라 트랜지스터(TR3)의 베이스 전압이 상승되어 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압을 상승시킨다. 따라서, 가변저항(VR1)의 센터전압이 가장 낮은 전압부터 가장 높은 전압까지 가변할 동안 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압도 가장 낮은 전압에서 가장 높은 전압까지 변화하게 되므로, 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력 전압을 3등분하여 이 전압으로 튜너(2)의 각 밴드를 절환하게 밴드 절환회로(3)가 구성되어 있다.
즉, 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 가장 낮은 전압부터 가변할 수 있는 최고 전압의 1/3전압까지는 밴드 절환회로(3)에서 튜너(2)의 VHF 로우밴드 전원공간단자(LB)에만 전압이 인가되어 VHF 로우밴드만 수신할 수 있고, 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 가변할 수 있는 최고전압의 1/3 이상에서 2/3이하까지는 튜너(2)의 VHF 하이밴드 전원공급단자(HB)에만 전원이 인가되어 VHF 하이밴드만 수신 가능하고, 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 가변할 수 있는 최고전압의 2/3 이상에서 최고전압까지는 튜너(2)의 UHF 밴드 전원공급단자에만 전원이 인가되어 UHF 밴드만 수신 가능하도록 밴드 절환회로(3)가 구성되어 있다. 지금 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 가변할 수 있는 최고 전압의 1/3 이하이면 상기의 설명에서 처럼 튜너(2)의 VHF 로우밴드 전원공급단자(LB)에 전원이 인가되고 이 VHF 로우밴드 전원 공급단자(LB)에 인가된 전원은 다이오드(D1) 및 저항(R18)과, 저항(R17)을 각각 통하여 트랜지스터(TR1), (TR2)의 베이스에 인가되므로 트랜지스터(TR1), (TR2)는 도통되고, 이에 따라 트랜지스터(TR1)(TR2)의 콜렉터 전위가 낮아져 전계효과 트랜지스터(FET1)(FET2)의 게이트에 저항(R4), (R6)을 각각 통하여 낮은 전압이 인가되므로 전계효과 트랜지스터(FET1)(FET2)는 온된다.
따라서, 전계효과 트랜지스터(FET1)(FET2)의 소오스와 드레인 사이의 전압차는 거의 없게 되어 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압은 거의 그대로 저항(R10)을 통하여 트랜지스터(TR4)의 베이스에 인가되고, 이때 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 상승하면 트랜지스터(TR4)의 베이스에 인가되는 전압도 상승되어 다이오드(D3)와 저항(R11)을 통한 트랜지스터(TR4)의 콜렉터 전류가 상승되므로, 그만큼 트랜지스터(TR5)의 베이스에 인가되는 순방향 바이아스가 증가한다. 이에 따라 트랜지스터(TR5)의 콜렉터 전류가 증가하여 트랜지스터(TR5)의 콜렉터에 접속된 저항(R15) 및 가변저항(VR2)의 양단전압도 증가한다. 이 트랜지스터(TR5)의 콜렉터 전압이 튜너(2)의 튜너 동조전압 공급단자(TU)에 인가되어 VHF 로우는드의 채널을 수신할 수 있게 한다.
이와 같이 가변저항(VR1)의 가변에 의한 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 가장 낮은 전압에서 부터 가변할 수 있는 최고 전압의 1/3까지 상승되어 가면 트랜지스터(TR5)의 콜렉터 전압도 가장 낮은 전압부터 상승되어 튜너(2)의 튜너 동조전압 공급단자(TU)에 인가되므로, VHF로우밴드의 전 채널을 수신할 수 있는 것이다. 즉, 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 가변할 수 있는 가장 낮은 전압일 때에, 튜너 동조전압공급 단자(TU)에 인가되는 전압이 VHF 로우밴드의 가장 낮은 채널(2CH)의 표준 동조전압보다 낮도록 저항(R2)(R15)을 설정하고 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 가변할 수 있는 최고전압의 1/3이 되었을때, 튜너 동조전압 공급단자(TU)에 인가되는 전압이 VHF로우밴드의 가장 높은 채널(6CH)의 표준 동조전압보다 높도록 저항(R11)(R15)을 설정하면,
트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 가변할 수 있는 최고전압의 1/3 이하에서 VHF 로우밴드의 전 채널을 수신할 수가 있는 것이다.
또한, 가변저항(VR1)의 센터전압이 상승하여 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 가변할 수 있고 최고 전압의 1/3 이상이 되면 상기의 설명에서와 같이 튜너(2)의 VHF 하이밴드 전원공급단자(HB)에만 전원이 공급되므로, VHF 하이밴드전원공급단자(HB)에 인가된 전원은 다이오드(D2) 및 저항(R19)을 통하여 트랜지스터(TR1)를 도통시키고, 이에 따라 상기에서와 같이 전개효과 트랜지스터(FET1)는 도통되어 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압은 거의 그대로 전계효과 트랜지스터(FET2)의 소오스에 인가된다. 이때 트랜지스터(TR2)는 바이아스 전원이 인가되지 않아 오프된 상태를 유지하므로 정전압회로(1)의 출력전압(33V)은 저항(R5)(R6)을 통하여 전계효과 트랜지스터(FET2)의 게이트에 역 바이아스 전압으로 인가되어 전계효과 트랜지스터(FET2)를 오프시킨다. 따라서 전계효과 트랜지스터(FET1)를 통한 전류는 제너다이오드(ZD2)를 통하여야 하므로 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압에서 가변할 수 있는 최고전압의 1/3을 제너다이오드(ZD2)의 제너전압으로 하면, 튜너(2)의 VHF하이밴드 전원공급단자(HB)에 전원이 인가되는 동안에 제너다이오드(ZD2)는 온되어 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압보다 제어다이오드(ZD2)의 제너전압만큼 낮은 전압이 저항(R10)을 통하여 트랜지스터(TR4)의 베이스에 인가된다. 결국 트랜지스터(TR3)의 에미터 출력전압이 가변할 수 있는 최고전압의 1/3부터 증가하명 트랜지스터(TR4)의 베이스에 인가되는 전압은 거의 0V에서 증가하기 시작한다. 트랜지스터(TR4)의 베이스에 인가되는 전압이 증가하면 상기의 설명에서와 같이 트랜지스터(TR5)의 베이스에 인가되는 순방향 바이아스가 증가하므로 트랜지스터(TR5)의 콜렉터 전압이 증가하여 튜너(2)의 튜너 동조전압 공급단자(TU)에 인가되는 것이다. 즉, 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압이 가변최고 전압의 1/3이 되어 VHF 하이밴드 전원공급단자(HB)에 전원이 인가될때의 트랜지스터(TR5)의 콜렉터 전압을 VHF 하이밴드 중 가장 낮은 채널(7CH)의 표준 동조 전압이하가 되도록 하고, 가변저항(VR1)의 가변에 의하여 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압이 가변최고 전압의 2/3가 되어 튜너(2)의 UHF 전원공급단자(UB)에 전원이 인가되기 직전의 트랜지스터(TR)의 콜렉터 전압이 VHF 하이밴드 중 가장 높은 채널(13CH)의 표준 동조 전압 이상이 되도록 저항(R11)(R15)을 설정하면 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압이 가변할 수 있는 최고 전압의 1/3에서 2/3까지 변동되는 동안에 VHF 하이밴드의 전 채널을 수신할 수가 있는 것이다.
또한, 가변저항(VR1)의 가변에 의하여 트랜지스터(TR3)의 에미터전압이 가변할 수 있는 최고전압의 2/3이상이 되면, 상기의 설명에서와 같이 튜너(2)의 UHF 밴드 전원 공급단자(UB)에만 전원이 공급되므로, 트랜지스터(TR1)(TR2)의 베이스에 바이아스 전압이 공급되지 않아 트랜지스터(TR1)(TR2)는 오프되고, 이에 따라 전계효과 트랜지스터(FET1)(FET2)도 오프되므로 트랜지스터(TR3)를 통한 전류는 제너다이오드(ZD1)(ZD2)를 통해 흐르게 된다. 따라서 제너다이오드(ZD1)의 제너전압을 제너다이오드(ZD2)의 제너전압과 같이 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압에서 가변될 수 있는 최고 전압의 1/3로 하면 제너다이오드(ZD1)(ZD2)의 제너전압의 합은 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압에서 가변될 수 있는 최고 전압의 2 3가 되므로 튜너(2)의 UHF 밴드 전원공급단자(UB)에 전원이 인가되는 순간에 제너다이오드(ZD1)(ZD2)는 온되고, 이에따라 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압은 제너다이오드(ZD1)(ZD2) 및 저항(R10)을 통하여 트랜지스터(TR4)의 베이스에 인가되고, 이때 가변저항(VR1)을 가변하여 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압이 가변될 수 있는 최고전압의 2/3 이상으로 계속 증가되면, 이에 따라 트랜지스터(TR4)의 베이스에 인가되는 전압도 0V에서 증가하기 시작한다.
따라서, 상기에서와 같이 트랜지스터(TR5)의 콜렉터 전압이 증가하여 튜너(2)의 튜너동조 전압공급 단자(TU)에 인가되므로 UHF 밴드의 전 채널을 수신할 수가 있는 것이다. 즉, 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압이 가변최고 전압의 2/3 이상이 되어 UHF밴드 전원공급단자(UB)에 전원이 인가될 때의 트랜지스터(TR5)의 콜렉터 전압이 UHF밴드 중 가장 낮은 채널(14CH)의 표준 동조전압 이하가 되도록 하고, 가변저항(VR1)의 가변에 의하여 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압이 가변 최고 전압이 되었을 때의 트랜지스터(TR5)의 콜렉터 전압이 UHF 밴드 중 가장 높은 채널(83CH)의 표준 동조전압 이상이 되도록 하면, 트랜지스터(TR3)의 에미터 전압이 가변할 수 있는 최고전압의 2/3에서 최고 전압까지 변동되는 동안에 UHF 밴드의 전 채널을 수신할 수가 있는 것이다.
이상에서와 같이 본 고안은 가변저항(VR1)을 가변함에 따라 VHF 로우밴드, VHF 하이밴드, UHF 밴드의 전 채널에 해당되는 동조전압이 자동으로 공급되므로 사용하기가 대단히 간편하고, 전체 회로구성이 외부 스위칭 소자가 필요없는 간단한 구조이므로 원가가 절감되고 소형의 제품에 적용할 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (1)

  1. 정전압회로(1)를 사용하여 전자동조 튜너(2)에 전원을 공급하는 텔레비젼에 있어서, 정전압회로(1)의 출력측에 접속된 가변저항(VR1)을 저항(R7)을 통하여 트랜지스터(TR3)의 베이스에 접속하여 그의 에미터는 튜너(2)의 밴드를 절환하는 튜너 밴드 절환회로(3)에 접속하고 또한, 트랜지스터(TR3)의 에미터는 전계효과 트랜지스터(FET1)의 소오스에 접속하고, 전계효과 트랜지스터(FET1)의 드레인은 전계효과 트랜지스터(FET2)의 소오스에 접속하며, 튜너(2)의 VHF 로우밴드 전원공급 단자(LB)는 다이오드(D1) 및 저항(R8)과, 저항(R17)을 각각 통하여 트랜지스터(TR1), (TR2)의 베이스에 접속하고, VHF 하이밴드 전원공급단자(HB)는 다이오드(D2) 및 저항(R19)을 통하여 트랜지스터(TR1)의 베이스에 접촉하여, 트랜지스터(TR1), (TR2)의 콜렉터를 저항(R4), (R6)을 각각 통하여 전계효과 트랜지스터(FET1), (FET2)의 게이트에 접속하되, 전계효과 트랜지스터(FET1), (FET2)의 소오스와 드레인 사이에 콘덴서(C2) 및 제너다이오드(ZD1)와 콘덴서(C3) 및 제너다이오드(ZD2)를 각각 접속하며, 전계효과 트랜지스터(FET2)의 드레인을 저항(R10)을 통하여 트랜지스터(TR1)의 베이스에 접속하며, 트랜지스터(TR4)의 콜렉터에 저항(R12)을 통하여 베이스가 접속된 트랜지스터(TR5)의 콜렉터를 튜너 동조전압 공급단자(TU)에 접속하여 구성됨을 특징으로 하는 텔레비젼의 전자동조 튜너 동조전압 공급회로.
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