KR830003237A - 비스페놀 f 고상입자의 제조방법 - Google Patents

비스페놀 f 고상입자의 제조방법 Download PDF

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푸르니르 미셀
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로저 리우프레이스
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

내용 없음

Description

비스페놀 F 고상입자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 액상 및 화학적으로 불활성인 매질 중에 비스페놀―F 소적의 분산액을 70°C 이상에서 생성시키고 거의 분산액상태로 유지하면서 전량을 냉각시켜 비스페놀―F의 고상입자를 석출시킴을 특징으로 하는 공업용 비스페놀 고상입자의 제조방법.
  2. 분산액을 생성시키는 액상매질이 본질적으로 물임을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제1항 기재의 방법.
  3. 액상매질/비스페놀―F의 중량비가 1.6 이상임을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제1항 또는 제2항기재의 방법.
  4. 액상매질/비스페놀―F 중량비가 2이상임을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제3항 기재의 방법.
  5. 처리할 비스페놀―F중의 중생성물의 함량이 9중량% 이상임을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 내지 제4항 기재중의 방법.
  6. 처리할 비스페놀―F중의 중생성물의 함량이 11 내지 20중량%임을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 내지 제5항 기재중의 방법.
  7. 냉각온도가 35°C 미만임을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 내지 제6항 기재중의 방법.
  8. 냉각온도가 15°C 내지 25°C임을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 내지 제7항 기재중의 방법.
  9. 가열온도가 80°C 내지 95°C임을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 내지 제8항 기재 방법.
  10. 특허청구의 범위 제1항 내지 제9항 중의 방법에 의해 제조한 비스페놀―F 입자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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