KR830002593B1

KR830002593B1 - Coin checker

Info

Publication number: KR830002593B1
Application number: KR1019800001251A
Authority: KR
Inventors: 씨. 디비에스 로날드
Original assignee: 가에이 트레이드 앤드 디벨로포멘트 캄파니 리미티드; 리차드 반 베르겐
Priority date: 1980-03-26
Filing date: 1980-03-26
Publication date: 1983-11-16
Also published as: KR830002292A

Abstract

내용 없음.No content.

Description

Coin checker

제1도는 본 발명의 동전 검사장치의 측면도.1 is a side view of the coin inspection device of the present invention.

제2도는 비철 가짜동전을 거절하기 위한 제1도 전기적 시스템의 회로도.2 is a circuit diagram of the FIG. 1 electrical system for rejecting non-ferrous fake coins.

제3도는 철 및 비철 가짜동전을 거절하기 위한 제1도의 다른 실시예의 회로도.3 is a circuit diagram of another embodiment of FIG. 1 for rejecting ferrous and non-ferrous fake coins.

제4도는 본 발명의 동전 검사장치의 다른 실시예의 측면도.4 is a side view of another embodiment of the coin inspection device of the present invention.

제5도는 철 및 비철 가짜동전을 거절하기 위한 제4도 전기적 시스템의 회로도.5 is a circuit diagram of the FIG. 4 electrical system for rejecting ferrous and non-ferrous fake coins.

제6도 및 제7도는 제5도 회로에서 나타나는 파형의 그래프.6 and 7 are graphs of waveforms appearing in the FIG. 5 circuit.

본 발명은 동전 검사장치에 관한 것으로, 특히 동전처럼 생긴 금속덩이 슬러그(slug), 가짜 동전 등으로부터 진짜동전을 구별하기 위한 동전 검사장치에 관한 것이다.The present invention relates to a coin inspection device, and more particularly, to a coin inspection device for distinguishing a real coin from a metal-like slug (slug), fake coins and the like.

최근에 다양한 동전 투입식 자동판매기가 대중 목적으로 도입되고 있으며, 집을 떠난 사람들은 그들 스스로 자동판매기로 부터 상당수의 제품을 제공 받고 써어비스를 제공 받을 수 있다.Recently, various coin-operated vending machines have been introduced for public purposes, and those who have left their homes can receive a number of products and services from themselves.

동전투입식 전화기, 캔디 및 소다기게, 핀볼 및 기타 게임기계와 레코드 플레이어가 지난 30년간 이용되어 왔다. 집에 인접한 사람들일지라도 동전투입식 세탁기와 건조기를 수년간 사용하였다. 지난 수년간 동전에 의하여 작동되는 기계는 뜨거운 식품, 찬식품, 뜨거운 음료, 찬음료, 우표 스탬프, 담배, 구두닦이 장치, 차 세척 써비스, 어린이 및 성인을 위한 장난감 승마장치 및 많은 다른 종류의 써비스를 제공하여 왔다. 주차미터도 대중적으로 사용되고 있고 동전이나 토큰으로 요금을 받기 위한 지하철 회전식 십자문에도 이용되고 왔다.Coin-operated phones, candy and soda crabs, pinballs and other game machines and record players have been in use for the past 30 years. Even people close to home have used coin operated washing machines and dryers for years. Over the years, coin operated machines have been providing hot foods, cold foods, hot drinks, cold drinks, stamp stamps, tobacco, shoe polishers, car wash services, toy riding devices for children and adults and many other kinds of services. come. Parking meters are also widely used and have been used in the subway crossroads to collect fare in coins or tokens.

따라서 동전투입식 기계의 소유자수가 증가하고 있으며, 가짜동전, 슬러그를 이용하는 사람에 의한 손실도 증가하고 있다. 동전투입식 기계에 슬러그, 가짜동전 등을 사용하는 대개의 사람들은 도둑이 아니며,“이들을 버리겠다”는 단순한 시도라도 할 수 있다. 그러나, 동기야 어떻든지간에 동전투입식 기계에 가짜동전, 원반체, 와샤 외국동전, 모든 형태의 슬러그의 사용으로 인한 재정적 손실이 증대되고 있다. 그러므로 이러한 기계에 진짜동전을 사용하지 않는 사람에 의하여 발생되는 재정적 손실로부터 동전투입식 기계의 소유자를 보호할 필요가 있다.Therefore, the number of owners of coin-operated machines is increasing, and the loss of fake coins and slugs is also increasing. Most people who use slugs, fake coins, etc. on coin-operated machines are not thieves, but can simply try to “drop them out”. However, whatever the motives, financial losses are increasing due to the use of fake coins, discs, washers, and all types of slugs on coin operated machines. Therefore, there is a need to protect owners of coin operated machines from financial losses caused by people who do not use real coins on such machines.

본 발명의 기본 목적은 진짜동전만을 허용하고 모든 가짜동전은 거절하는 새롭고 개량된 동전검사 장치를 제공하는데 있다.It is a primary object of the present invention to provide a new and improved coin inspection device which allows only real coins and rejects all fake coins.

본 발명의 다른 목적은 동전의 형태, 크기, 금속 함량 및 새로운 동전 또는 낡은 동전에 관계없이 진짜 동전만을 허용하고 가짜동전은 거절하는 동전검사 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a coin inspection device that accepts only real coins and rejects fake coins, regardless of the shape, size, metal content of coins and new or old coins.

본 발명의 목적은 간단한 구조로 되어있고 고속으로 효과적 및 정확하게 작동하며 동전과의 전기적 접촉을 요하지 않는 동전검사 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a coin inspection device which has a simple structure, operates efficiently and accurately at high speed, and does not require electrical contact with coins.

본 발명의 다른 목적은 동전투입식기계에 편리하게 장착할 수 있는 동전검사 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a coin inspection device that can be conveniently mounted on a coin-operated machine.

본 발명의 또 다른 목적은 철이거나 비철에 관계없이 모든 가짜동전을 전자적으로 거절하므로서 영구자석이나 기타 제거 장치의 필요성을 배제한 동전검사 장치를 제공하는데 있다.Still another object of the present invention is to provide a coin inspection device that eliminates the need for permanent magnets or other removal devices by electronically rejecting all fake coins regardless of ferrous or non-ferrous metals.

본 발명의 다른 목적은 단일 제어로 광범위한 동전을 허용 또는 거절하므로서 적어도 2개의 상이한 전압레벨을 사전에 설정할 필요성이 없는 동전검사 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a coin inspection device which does not need to set at least two different voltage levels in advance by allowing or rejecting a wide range of coins with a single control.

본 발명의 또 다른 목적은 감도를 높이기 위하여 발진회로 내에 전계효과 트랜지스터를 사용한 동전검사장치를 제공하는데 있다.Still another object of the present invention is to provide a coin inspection device using a field effect transistor in an oscillation circuit in order to increase the sensitivity.

본 발명의 또 다른 목적은 제작 및 조작이 경제적인 동전검사 장치를 제공하는데 있다.Still another object of the present invention is to provide a coin inspection device, which is economical to manufacture and operate.

진짜동전은 정확한 양의 손실을 발진기회로의 탱크회로에 유도하고, 동, 청동, 알루미늄, 납 등과 같은 비철 가짜 동전들은 진짜 동전보다 상당히 작은 손실을 탱크회로에 유도하는 한편, 강철이나 철같은 슬러그는 진짜동전 보다 큰 손실을 탱크회로 내에 발생시킨다.Real coins induce the correct amount of losses in the tank circuit of the oscillator circuit, and non-ferrous fake coins such as copper, bronze, aluminum, and lead induce significantly less losses in the tank circuit than real coins, while slugs such as steel or iron More losses than real coins are generated in the tank circuit.

본 발명 장치의 작동은 예컨대 25퍼센트 은화 같은 진짜 미국 동전을 발진기 탱크회로내 유도코일의 자계내에 주입하였을 때, 이러한 동전은 손실을 탱크회로내에 유발시켜 탱크회로의 양호도 Q값을 통상 사용되는 비철 슬러그와 기타 가짜동전 보다 큰 범위로 감소시키고 철로 된 슬러그보다 작은 범위로 감소시킨다는 사실을 예상할 수 있다.The operation of the apparatus of the present invention is such that when a real American coin, such as 25 percent silver, is injected into the magnetic field of the induction coil in the oscillator tank circuit, such a coin causes a loss in the tank circuit so that the good Q value of the tank circuit is normally used. It can be expected to reduce to larger ranges than slugs and other fake coins and to smaller ranges than steel slugs.

그러므로 예컨대 어떤 금속물이 발진기 탱크회로의 자계내에 주입되었을 때 와류로 인한 회로내에 유도된 손실은 발진기 출력신호의 진폭을 감소시킨다. 진짜동전은 대게의 비철 가짜동전에 의하여 발생되는 것보다 큰 손실을 발생시키고 철로 된 슬러그보다 작은 손실을 발생시킨다. 발진기의 출력신호의 진폭감소는 진짜동전이 비철 가짜동전 보다는 크고 철로된 슬러그 보다는 작다. 이러한 원리가 진짜동전만을 검사하여 허용될 수 있도록 본 발명의 장치에 사용된다.Thus, for example, when a metal is injected into the magnetic field of the oscillator tank circuit, losses induced in the circuit due to vortices reduce the amplitude of the oscillator output signal. Real coins generate larger losses than those produced by most non-ferrous fake coins and smaller losses than steel slugs. The amplitude reduction of the oscillator's output signal is larger than that of non-ferrous fake coins and smaller than steel slugs. This principle is used in the device of the present invention so that only genuine coins can be examined and accepted.

본 발명에 따른 진짜동전을 슬러그, 가짜동전 등으로부터 구별하기 위한 검사장치는 탱크회로의 손실에 따라 발진회로에 의하여 발생되는 신호의 진폭을 변화시키기 위한 인덕턴스 및 캐피시턴스 수단을 포함한 공진 탱크회로를 가진 발진회로를 포함한다. 동전방향지시 수단이 동전, 슬러그, 가짜동전을 예정된 장소로 유도하며, 공진 탱크회로의 인덕턴스수단은 동전 방향지시수단과 밀접하게 배치시키므로서 손실이 동전의 금속함량에 의하여 결정되어 동전방향지시 수단을 통과한다. 동전방향지시 수단내의 방향 절환수단은 제어신호의 진환에 따라 동전을 선택적으로 허용 또는 거절한다. 발진기 회로의 공진 탱크회로의 공진탱크 회로의 방향절환 수단 사이에 결합된 제어수단은 발진회로에 의하여 발생된 신호를 방향절환 수단에 대한 제어신호로 전환시키므로서 예정된 범위내의 진폭을 가진 발진회로에 의하여 발생된 신호는 동전을 허용하도록 방향 절환수단을 제어하고, 상기 범위에서 벗어난 진폭을 가진 발진회로에 의하여 발생된 신호는 가짜동전을 거절하도록 방향절환 수단을 제어한다. 동전방향지시 수단으로 부터 예정된 장소로 연장된 안내수단은 허용된 동전을 방향절환 수단으로 부터 한 위치로 유도하고 거절된 슬러그, 가짜 동전 등은 방향절환 수단으로 부터 다른 위치로 유도한다.An inspection apparatus for distinguishing real coins from slugs, fake coins, and the like according to the present invention includes a resonant tank circuit including inductance and capacitance means for changing the amplitude of a signal generated by the oscillation circuit according to the loss of the tank circuit. It includes an oscillating circuit having a. Coin direction indicating means guides coins, slugs, and fake coins to the intended place. Inductance means of the resonant tank circuit is placed close to coin direction indicating means, so that the loss is determined by the metal content of the coin. To pass. The direction switching means in the coin direction indicating means selectively accepts or rejects coins according to the change of the control signal. The control means coupled between the redirection tank means of the resonant tank circuit of the oscillator circuit converts the signal generated by the oscillator circuit into a control signal for the redirection means, by means of an oscillator circuit having an amplitude within a predetermined range. The generated signal controls the direction switching means to allow coins, and the signal generated by the oscillating circuit having an amplitude outside the above range controls the direction switching means to reject fake coin. The guide means extending from the coin direction indicating means to the intended place guides the allowed coins from the direction changing means to one position, and rejected slugs, fake coins, etc. are directed to the other position from the direction changing means.

제어수단은 증폭범위를 변화시키기 위한 가변수단을 포함한다.The control means includes variable means for changing the amplification range.

방향절환 수단은 이동 가능하게 착설된 부재, 에너지화의 조건에 따라 상기 부재를 선택적으로 이동시키기 위한 솔레노이드와 솔레노이드에 연결되고 제어전극을 갖는 전자스위칭 소자로 구성되고, 제어수단이 전자스위칭소자의 제어전극에 접속된다. 전자스위칭 소자는 솔레노이드에 연결되고 제어전극을 갖는 다이리스터(thyristor)로 구성될 수 있으며, 제어수단은 다이리스터가 작동되는 전류의 변화에 따라 진폭범위를 변화시키기 위하여 제어전극에 연결된 전위차계로 구성된다.The direction switching means is composed of a member which is installed so as to be movable, a solenoid for selectively moving the member according to the condition of energyization, and an electronic switching element connected to the solenoid and having a control electrode, and the control means controls the electronic switching element. Connected to the electrode. The electronic switching element may be composed of a thyristor connected to the solenoid and having a control electrode, and the control means may be composed of a potentiometer connected to the control electrode in order to change the amplitude range according to the change of the current in which the driistor is operated. .

또한 제어수단은 예정된 진폭범위의 최대진폭이 발진회로에 의하여 발생된 신호에 의하여 초과되었을 때 전자 스위칭소자의 작동을 방지하기 위하여 전위차계에 접속된 초과수단을 포함한다.The control means also includes an excess means connected to the potentiometer to prevent the operation of the electronic switching element when the maximum amplitude of the predetermined amplitude range is exceeded by the signal generated by the oscillation circuit.

제어수단에 있어서 이러한 초과수단은 전위차계와 전자스위칭 소자의 제어전극 사이의 접속부 내의 공통접에 연결되고 제어 전극을 갖는 스위칭 소자와, 제2전자 스위칭 소자의 제어전극과 발진회로에 의하여 발생된 신호의 진폭에 해당하는 전압을 갖는 접상이에 연결된 제노 다이오드로 구성되어 발진회로에 의하여 발생된 신호의 진폭에 해당하는 전압이 제너다이오드를 그 도전 상태로 항복되게 하는 예정된 진폭 범위의 최대진폭에 해당하는 크기 이상으로 초과할 때에 제2전자 스위칭 소자를 작동케하므로서 전자 스위칭 소자를 작동시키기 위하여 전자차계와 전자 스위칭 소자의 제어전극 사이의 공동점에서 충분한 전압이 증감되는 것을 방지한다.In the control means, the excess means is connected to a common junction in the connection between the potentiometer and the control electrode of the electronic switching element and has a switching element having a control electrode, and a signal generated by the control electrode and the oscillation circuit of the second electronic switching element. A magnitude corresponding to the maximum amplitude of a predetermined amplitude range consisting of a xenodiode connected to a junction with a voltage corresponding to amplitude, so that the voltage corresponding to the amplitude of the signal generated by the oscillating circuit causes the zener diode to yield to its conductive state. The above operation is prevented from increasing or decreasing sufficient voltage at the common point between the electromagnetic field meter and the control electrode of the electronic switching element by operating the second electronic switching element by operating the second electronic switching element.

본 발명의 다른 실시예에서, 발진회로는 소오스-드레인 회로(source-drain circuit)와 게이트단자를 가진 전계효과 트랜지스터로 구성된다. 공진탱크 회로가 소오스-드 레인회로에 연결되고 정상적인 부(負) 바이어스 전압이 전계효과 트랜지스터의 정상발전 작용에 의하여 게이트 단자에 발생되므로 부 바이어스 전압은 소오스-드 레인회로를 흐르는 전류의 크기를 자동적으로 제한한다.In another embodiment of the present invention, the oscillation circuit is composed of a source-drain circuit and a field effect transistor having a gate terminal. Since the resonant tank circuit is connected to the source-drain circuit and the normal negative bias voltage is generated at the gate terminal by the normal power generation of the field effect transistor, the negative bias voltage automatically determines the magnitude of the current flowing through the source-drain circuit. Restrict to

공진탱트 회로의 인덕턴스 수단과 공진탱크회로는 각각 공인 양호도 값을 가지며 인덕턴스 수단의 부근을 통과하는 동전 등은 인덕턴스 수단의 양호도를 감소시켜 발진효과를 저하시키고 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에서 부바이어스 전압이 감소되게 하며, 인덕턴스 수단의 부근을 통과하는 진짜동전은 공진탱크 회로의 양호도를 발진이 완전히 중지되는 범위까지 감소시킨다.The inductance means and the resonant tank circuit of the resonant tank circuit each have a recognized goodness value, and coins, etc., passing through the vicinity of the inductance means reduce the goodness of the inductance means, thereby reducing the oscillation effect and the negative bias at the gate terminal of the field effect transistor. The voltage is reduced and the real coin passing near the inductance means reduces the goodness of the resonant tank circuit to the extent that oscillation is completely stopped.

제어수단은 전계효과 트랜지스터의 소오스-드레인회로와 직렬로 연결된 저항을 포함하므로서 전계효과 트랜지스터를 통한 전류의 변화가 저항을 통한 전압강하의 형태로 나타나고 게이트 단자에서의 부 바이어스 전압의 감소는 전계효과 트랜지스터가 순간적으로 보다 강하게 작동되게 하여 저항을 통한 비례적인 저압강하가 일어나게 한다. 이 저항은 방향절환 수단에 연결되어 있다.The control means includes a resistor connected in series with the source-drain circuit of the field effect transistor so that the change of current through the field effect transistor appears in the form of a voltage drop through the resistor, and the reduction of the negative bias voltage at the gate terminal results in the field effect transistor. Is momentarily more intense, causing a proportional low drop through the resistor. This resistance is connected to the direction switching means.

방향절환 수단은 이동 가능하게 착설된 가동부재, 이 가동부재를 그 에너지화 조건에 따라 허용 위치로 이동시키기 위한 허용 솔레노이드, 이 허용 솔레노이드에 연결된 다이리스터와, 저항을 다이리스터에 연결한 트랜지스터 증폭 수단으로 구성되어 진짜 동전이 공진 탱크회로의 인덕턴스 수단부근을 통과할 때에 다이리스터가 작동하여 동전이 안내수단을 통하여 허용장소로 향하도록 가동부재를 허용 위치로 이동되게 허용 솔레노이드를 활성화 한다.The direction switching means includes a movable member mounted to be movable, a permissible solenoid for moving the movable member to a permissible position according to its energizing condition, a thyristor connected to the permissible solenoid, and a transistor amplifying means for connecting a resistor to the dyister. When the real coin passes near the inductance means of the resonant tank circuit, the thyristors are activated to activate the allowable solenoid to move the movable member to the allowable position such that the coin is directed to the allowable position via the guide means.

방향절환 수단은 또한 그 에너지하의 조건에 따라 가동부재를 거절위치로 이동시키기 위한 거절솔레노이드, 저항을 거절 솔레노이드에 연결한 부가적인 트랜지스터 증폭수단과, 이 부가적인 트랜지스터 증폭수단의 작동을 제어하기 위하여 이 부가적인 트랜지스터 증폭수단에 연결된 전위차계 수단으로 구성되어 공진탱크회로의 인덕턴스 수단에 근접 통과하는 진짜동전에 의하여 저항을 통하여 나타난 전압은 부가적 트랜지스터 증폭수단을 통하여 거절 솔레노이드를 에니지화 시키도록 강하되고, 공진탱크 회로의 인덕턴스 수단에 근접 통과하는 철로 된 물질같은 가짜 동전은 진짜 동전에 의하여 발생된 것보다 큰 전압이 저항을 통하여 나타나며 안내수단을 통하여 이 가짜동전을 다른 장소로 향하도록 가동부재를 거절위치로 이동되게 거절솔레노이드를 에니지화 한다.The direction switching means may also be used to control the operation of the additional transistor amplifying means, which further comprises a rejection solenoid for moving the movable member to the rejection position according to the conditions under its energy, an additional transistor amplifying the resistance to the rejection solenoid, and The voltage represented by the resistor, which is composed of a potentiometer means connected to the additional transistor amplification means and passes through the inductance means of the resonant tank circuit, is lowered to animate the rejection solenoid through the additional transistor amplification means. Counterfeit coins, such as iron material, which pass close to the inductance means of the tank circuit, exhibit a voltage greater than that generated by the real coin through the resistance, and through the guide means the moving member is turned to the rejected position to direct the fake coin to another location. Refuse to be moved Animate the nose.

발전회로에 있어서 공진탱크 회로의 캐패시턴스 수단은 증폭범위를 변화시키기 위하여 공진탱크 회로의 인덕 스 수단에 병렬로 연결된 가변 캐패시터를 포함한다.In the power generation circuit, the capacitance means of the resonant tank circuit includes a variable capacitor connected in parallel to the inductance means of the resonant tank circuit in order to change the amplification range.

본 발명에 따라, 진짜동전을 가짜 동전으로부터 구별하는 방법은 동전을 인덕턴스에 근접 통과시켜 동전, 가짜동전 등의 금속 함량에 따라 발진회로에 의하여 발생된 신호의 진폭을 변화시키므로서 발진회로의 공진탱크 회로 손실을 변화시키는 단계, 발진회로에 의하여 발생된 신호를 예정된 범위내에 있을 때에는 허용 동전임을 나타내고 예정된 범위를 벗어나 있을 때에는 거절한 동전임을 나타내는 진폭을 갖는 제어신호로 전환시키는 단계와, 인덕턴스를 통과한 동전을 제어신호의 진폭에 따라 허용장소 또는 거절장소로 선택적으로 향하게 하는 단계로 구성된다. 진폭 범위는 가변적으로 결정된다.According to the present invention, a method of distinguishing a real coin from a fake coin is to pass the coin close to the inductance and change the amplitude of the signal generated by the oscillation circuit according to the metal content of the coin, the fake coin, and so on. Varying the circuit loss, converting the signal generated by the oscillation circuit into a control signal having an amplitude indicating that it is a permitted coin when within a predetermined range and rejecting a coin when outside the predetermined range; And selectively directing the coin to the allowable or rejected location according to the amplitude of the control signal. The amplitude range is variably determined.

본 발명을 첨부도면에 의거하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the present invention in more detail based on the accompanying drawings as follows.

제1도의 장치는 상단부가 수직이 되도로 위치하고 예컨대 아크릴 같은 적당한 합성 또는 플라스틱 등의 어떤 적당한 전기적 철연물질로 구성되는 슈트(chute)(12)를 포함한다. 슈트(12)의 진짜 또는가짜동전(11)등이 투입될 수 있도록 직사각형 단면을 갖는다. 동전(11)은 슈트(12)의 상단부로 투입된다. 슈트(12)는그중간이 약 90°로 만곡되어 있으며 약간 하향 경사진 수평부분(14)을 갖는다.The apparatus of FIG. 1 comprises a chute 12, with the upper end positioned vertically and composed of any suitable electrically ferrous material such as, for example, a suitable synthetic or plastic such as acrylic. It has a rectangular cross section so that the real or fake coin 11 of the chute 12 can be input. The coin 11 is put into the upper end of the chute 12. The chute 12 has a horizontal portion 14 that is curved about 90 ° in the middle and slightly inclined downward.

진짜 또는 가짜 동전들은 슈트(12)의 상단에 삽입되어 슈트의 수직부분을 통하여 수평부분(14)으로 떨어진 다음 수평부분의 우측단부를 향하여 좌측부분으로부터 우측부분으로 구른다.Genuine or fake coins are inserted at the top of the chute 12 to fall through the vertical part of the chute to the horizontal part 14 and then roll from the left part to the right part toward the right end of the horizontal part.

개구(17)가 슈트(12)의 수평부분(14)의 하측에 형성되어 있으며 가동부재인“플래퍼(flapper)”(16)가 이에 이동가능하게 착설되고 부분적으로 개구(17)를 가로질러 연장되어 있다. 플래퍼(16)는 이하 상세히 설명되는 바와 같은 적당한 솔레노이드에 의하여 제어되는데, 솔레노이드가 에너지화 또는 작동할 때 플래퍼가 개구(17)를 패쇄하여 동전이 우측의 허용슈트(19)를 향하여 슈트(12)의 수평부분(14)의 하측으로 계속 굴러내려간다. 그러나 솔레노이드가 작동치 않을 때에 플래퍼(16)는 솔레노이드에 의하여 작동되지 않고 개구(17)로부터 벗어어나 동전이 개구를 통하여 거절슈트(16)로 떨어지도록 되어있다. 허용된 동전이 슈트(19)의 우측단부를 통하여 굴러갈 때 이 동전이 마이크로 스위치 SW₁의 작동암(arm)을 작동시킨다. 마이크로 스위치 SW와 작동은 제1도의 회로로서 이후 상세히 설명될 것이다.An opening 17 is formed below the horizontal portion 14 of the chute 12 and a movable member “flapper” 16 is movably mounted thereto and partially extends across the opening 17. It is. The flapper 16 is controlled by a suitable solenoid as described in detail below, where the flapper closes the opening 17 when the solenoid energizes or actuates so that the coin 12 faces the allowable chute 19 on the right side. It continues to roll below the horizontal portion 14 of the. However, when the solenoid is not actuated, the flapper 16 is not actuated by the solenoid and is released from the opening 17 so that the coin falls through the opening into the reject chute 16. When the allowed coin rolls through the right end of the chute 19, this coin actuates the arm of the micro switch SW ₁ . The operation with the micro switch SW will be described later in detail as the circuit of FIG.

본 발명의 전기적 시스템은 진짜 동전과 진짜가 아닌 비철 동전을 구별하는 기능을 가진 제2도에 도시된 회로로 구성된다. 본 발명의 각 실시예에서, 전기적 시스템은 발진회로와 제어회로로 구성된다. 발진회로와 제어회로는 제1도에서 블럭(15)으로서 표시되었다. 제어회로는 제1도에서 점선(15a)으로 보인 바와 같이 플래퍼(16)에 연결되고 이 플래퍼는 상술한 바와 같이 방향절환 기능을 갖는다. 플래퍼(16)의 작동은 이후 설명되는 바와 같은 방법으로 제어된다.The electrical system of the present invention consists of the circuit shown in FIG. 2 with the function of distinguishing between real coins and non-real coins. In each embodiment of the present invention, the electrical system consists of an oscillation circuit and a control circuit. The oscillation circuit and the control circuit are shown as block 15 in FIG. The control circuit is connected to the flapper 16 as shown by dashed line 15a in FIG. 1, which has a direction switching function as described above. The operation of the flapper 16 is controlled in a manner as described later.

제2도의 실시예에서, 발진회로는 슈트(12)(제1도)의 수직 부분에 권취된 인덕턴스 코일 L₁과, 병렬연결된 가변 캐패시터 C₂로 구성된 공진 탭크회로 L₁, C₂를 갖는다. 발진회로는 트랜지스터 Q₁를 가지며 공진탱크회로가 이 트랜지스터의 콜렉터에 연 된다. 발진회로는 공진탱크 회로에 의하여 결정된 무선주파수 RF를 가진 AC출력신호를 발생하는 자려 진형 RF 발진기이다. 트랜지스터 Q₁은 NPN형이나, 회로의구성이 긍지의 방법에 따라 변경된다면 PNP형 트랜지스터가 사용될 수 있다.In the embodiment of FIG. 2, the oscillation circuit has resonant tap circuits L ₁ and C ₂ composed of an inductance coil L ₁ wound in a vertical portion of the chute 12 (FIG. 1) and a variable capacitor C ₂ connected in parallel. The oscillation circuit has a transistor Q ₁ and a resonant tank circuit is connected to the collector of this transistor. The oscillator circuit is a self-producing RF oscillator for generating an AC output signal having a radio frequency RF determined by the resonant tank circuit. Transistor Q ₁ is an NPN type, but a PNP type transistor can be used if the configuration of the circuit is changed in accordance with a known method.

저항 R₁과 R₂는 전압전원 B+과 접지단자 사이에 직렬로 연결되어 있다. 이들 저항 R₁과 R₂의 접합점은 베이스에 적당한 바이어스 전압을 인가하기 위하여 트랜지스터 Q₁의 베이스에 연결된다. 캐패시터 C₁과 C₃는 감결합 캐패시터로서 작용한다. 캐패시터 C₁은 직렬로 연결된 저항 R₁과 R₂의 양단에 연결되어 있다. 캐패시터 C₃는 트랜지스터 Q₁의 베이스와 접지점 사이에 연결된다. 전위차계 VR₁는 트랜지스터 Q₁의 에미터에 연결되어 출력신호의 진폭을 조절한다. 발진이 계속되도록 하는 궤환이 트랜지스터 Q₁의 콜렉터와 에미터사이에 연결된 캐패시터 C₄에 의하여 이루어진다.Resistors R ₁ and R ₂ are connected in series between the voltage supply B + and the ground terminal. The junction of these resistors R ₁ and R ₂ is connected to the base of transistor Q ₁ to apply an appropriate bias voltage to the base. Capacitors C ₁ and C ₃ act as decoupling capacitors. Capacitor C ₁ is connected across the resistors R ₁ and R ₂ in series. Capacitor C ₃ is connected between the base of transistor Q ₁ and the ground point. Potentiometer VR ₁ is connected to the emitter of transistor Q ₁ to adjust the amplitude of the output signal. The feedback that causes the oscillation to continue is made by a capacitor C ₄ connected between the collector and the emitter of transistor Q ₁ .

트랜지스터 Q₁의 발진회로에 의하여 발생된 출력신호는 캐패시터 C₅를 통하여 다이오드 D₁의 캐소우드에 결합되고 여기에서 이 신호는 정 바이어스 전압의 형태로 나타난다. 캐패시터 C₅는 다이오드 D₁과 직렬로 연결되고 여기에서 정 바이어스 전압이 나타난다. 캐패시터 C₅는 트랜지스터 Q₁의콜렉터와 접지점 사이에서 다이오드 D₁과 직렬로 연결되어 있다. 저항 R₃는 캐패시터 C₅와 다이오드 D₁의 연결점과 트랜지스터 Q₂의 베이스 사이에 연결된다. 정 바이어스 전압이 저항 R₃을 통하여 트랜지스터 Q₂의 베이스에 인가된다. 바이어스 전압은 정전압이며 이는 NPN형 랜지스트터 Q₂가 충분히 도통될 수 있는 충분한 진폭을 가지므로서 상기 트랜지스터의 콜렉터저항 R₄를 통한 전압강하가 콜렉터 전압을 충분히 제로(zero)가 되도록 한다.The output signal generated by the oscillating circuit of transistor Q ₁ is coupled to the cathode of diode D ₁ via capacitor C ₅ , where it is represented in the form of a positive bias voltage. Capacitor C ₅ is connected in series with diode D ₁ , where the positive bias voltage appears. Capacitor C ₅ is connected in series with diode D ₁ between the collector of transistor Q ₁ and the ground point. Resistor R ₃ is connected between the connection point of capacitor C ₅ and diode D ₁ and the base of transistor Q ₂ . A positive bias voltage is applied to the base of transistor Q ₂ through resistor R ₃ . The bias voltage is a constant voltage so that the voltage drop through the collector resistor R ₄ of the transistor is sufficiently zero so that the NPN type transistor Q ₂ is sufficiently conductive.

트랜지스터 Q₂의 에미터는 접지되어 있다. 트랜지스터 Q₂의 콜렉터는 캐패시터 C₆를 통하여 실리콘 제어정류기, 반도체 제어정류기, 다이리스터 SCR₁의 게이트 또는 제어전극에 연결되어 있다. 제어정류기 SCR₁의 제어전극은 그 트리거 한계를 결정하는 접지된 전위차계 VR₂에 연결되어 있다. 실리콘 제어정류기 SCR₁의 애노우드는 직렬로 연결된 솔레노이드 SL₂의 권선과 마이크로 스위치 SW₁를 통하여 정전압전원 B+류 연결된다. 솔레노이드 SL₂는 플래퍼(16)(제1도)에 기계적으로 연결되어 상기 플래퍼가 실리콘제어 정기에 SCR₁의 작동할 때에만 동전이 허용되도록 작동되게 한다.The emitter of transistor Q ₂ is grounded. The collector of transistor Q ₂ is connected via a capacitor C ₆ to a silicon controlled rectifier, a semiconductor controlled rectifier, a gate of the thyristor SCR ₁ or a control electrode. The control electrode of the control rectifier SCR ₁ is connected to a grounded potentiometer VR ₂ which determines its trigger limit. The anode of the silicon controlled rectifier SCR ₁ is connected to the constant voltage power supply B + through the winding of the solenoid SL ₂ connected in series and the micro switch SW ₁ . The solenoid SL ₂ is mechanically connected to the flapper 16 (FIG. 1) so that the flapper is allowed to operate only when the flapper is operated in the SCR ₁ during the silicon control routine.

만약 제어정류기 SCR₁이 트리거되는 경우 이미 언급된 바와 같이 허용된 동진에 의하여 작동되는 마이크로 스위치 SW₁에 의하여 리세트(reset)된다. 통상적으로 마이크로 스위치 SW₁는 제2도에서 보인 바와 같이 실리콘 제어정류기 SCR₁의 애노우드회로에서 폐쇄되어 있어 상기 제어정류기가 그 비전도상태로 절환되게하고 마이크로 스위치가 작동할 때에 리세트된다. 따라서 마이크로 스위치 SW₁는 회로의 작동을 허용하고 다음 작동을 위하여 회로를 리세트시키는 기능을 갖는다.If the control rectifier SCR ₁ is triggered, it is reset by the microswitch SW _{1 which} is operated by permitted oscillation as already mentioned. Micro switch SW ₁ is normally closed in the anode circuit of silicon controlled rectifier SCR ₁ as shown in FIG. 2, causing the control rectifier to switch to its non-conductive state and reset when the micro switch is activated. The micro switch SW ₁ thus has the function of allowing the operation of the circuit and resetting the circuit for the next operation.

진짜이든 가짜이든간에 동전이 슈트(12)를 통하여 통과할 때에 이 동전이 공진탱크회로 L₁, C₂의 인덕턴스코일 L₁을 통과하므로서 탱크회로의 양호도(Q)를 감소시키고 발진기 출력신호의 진폭을 감소시킨다. 출력신호에 이러한 진폭의 감소는 트렌지스터 Q₂의 콜렉터 전압을 B+전압까지 상승시킨다. 이들 동전들이 인덕턴스 코일 L₁을 통하여 낙하할 때에 트랜지스터 Q₂의 콜렉터에서 발생된 정펄스는 캐패시터 C₆를 통하여 실리콘 제어정류기 SCR₁의 게이트로 보내어진다.When the coin passes through the chute 12, whether real or fake, the coin passes through the inductance coil L ₁ of the resonant tank circuits L ₁ and C ₂ , thereby reducing the goodness of the tank circuit Q and reducing the oscillator output signal. Reduce the amplitude This reduction in amplitude in the output signal raises the collector voltage of transistor Q _{2 to} the voltage B +. When these coins fall through inductance coil L ₁ , the positive pulse generated at the collector of transistor Q ₂ is sent to the gate of silicon controlled rectifier SCR ₁ through capacitor C ₆ .

실리콘 제어정류기 SCR₁의 트리거 레벨은 전위차게 VR₂에 의하여 고정된다. 따라서 특별히 예정된 한게치 이상으로 진짜 동전에 의하여 탱크회로 L₁, C₂에서 유도된 손실만이 실리콘 제어정류기 SCR₁를 트리거 또는 작동토록 트랜지스터 Q₂의 콜렉터에서 충분한 진폭의 정벌스가 발생되도록 하여 플래퍼(16))제1도)를 작동토록 솔레로이드 SL₂를 작동케 한다.The trigger level of the silicon controlled rectifier SCR ₁ is fixed by the potential difference VR ₂ . Therefore, only losses induced in the tank circuit L ₁ , C ₂ by a real coin above the specially-prescribed thresholds will cause the silicon control rectifier SCR ₁ to trigger or actuate a sufficient amplitude of convolutions in the collector of transistor Q ₂ so that the flapper ( 16) Activate the solenoid SL ₂ to operate 1).

가짜동전에 의하여 발생된 손실은 솔레로이드 SL₂를 작동시키는데에 불충분하여 플래퍼(16)가 작동되지 않도록 한다. 제2도의 회로에서, 예를 들어 철 또는 강철로 된 슬러그는 탱크회로 L₁, C₂에서 진짜동전보다 큰 손실을 발생케 한다. 이러한 슬러그는 실리콘 제어정류기 SCR₁을 트리거시키는데 충분한 진폭의 펄스가 트랜지스터 Q₂의 콜렉터에서 발생되게 하므로서 플래퍼(16)를 작동토록 솔레노이드 SL₂를 작동케 한다.The loss caused by the fake coin is insufficient to operate the solenoid SL _{2 so} that the flapper 16 does not operate. In the circuit of FIG. ₂ , slugs, for example iron or steel, cause greater losses than real coins in the tank circuits L ₁ , C ₂ . This slug causes solenoid SL ₂ to operate flapper 16 by causing a pulse of amplitude sufficient to trigger silicon controlled rectifier SCR ₁ to be generated at the collector of transistor Q ₂ .

제2도의 회로는 이러한 가짜동전이 허용슈트(19)(제1도)로 안내되는 결점을 가지므로 영구자석 또는 다른 자기수단이 철로된 모든 슬러그를 거절슈트(18)(제1도)로 끌어당길 수 있도록 설치된어 본 발명 장치가 철로 된 슬러그는 거절되도록 할 수 있다. 제3도의 회로가 제2도 회로의 결점을 해소할 수 있도록 사용될 수 있다. 제2도 제어회로의 동일한 발진회로와 부품이 제3도의 제어회로에 사용되었다. 따라서 캐패시터 C₆와, 제3도에서는 도시하지 않았으나 캐패시터 C₆이전의 제2도 회로가 포함된다. 제3도의 회로는 철 또는 비철의 가짜동전으로부터 진짜동전을 구별할 수 있는 기능을 갖는다.The circuit of FIG. 2 has the drawback that these fake coins are guided to the allowable chute 19 (FIG. 1), so that all slugs with permanent magnets or other magnetic means are drawn to the reject chute 18 (FIG. 1). Installed so that the slug made of the present invention can be rejected. The circuit of FIG. 3 can be used to eliminate the drawbacks of the FIG. 2 circuit. The same oscillation circuit and components of the FIG. 2 control circuit were used in the control circuit of FIG. Thus, capacitor C ₆ and FIG. 2 circuit before capacitor C ₆ , although not shown in FIG. 3, are included. The circuit of FIG. 3 has a function of distinguishing real coins from fake coins of ferrous or non-ferrous metals.

제3도의 회로에 있어서, 솔레로이드 SL₃는 약 50볼트의 전압을 갖는 교류전원(20)에 연결되어 있다. 이 솔레노이드 SL₃에는 캐퍼시터 C₇가 병렬로 연결되어 있다. 트랜지스터 Q₂의 콜렉터는 커플링 캐패시터 C₆와 이에 직렬로 연결된 저항 R₅을 통하여 실리콘 제어정류기 SCR₁의 게이트에 연결되어 있다. 전위카게 VR₂에는 캐패시터 C₈가 병렬로 연결되어 있다. 저항 R₅과 전위차게 VR₂사이의 접속점은 다이오드 D₂를 통하여 제2실리콘 제어정류기 SCR₂의 에노우드와 저항 R₇에 연결되어 있다. 제2제어정류기 SCR₂는 저항 R₇과 직렬로 연결되어 있으며, 이 저항은 DC 전압전원의 양극단자와 접지된 상기 제어정류기의 캐소우드에 연결되어 있다. 다이오드 D₂의 캐소우드는 저항 R₇과 제어정류기 SCR₂사이에 연결되어 있다.In the circuit of FIG. 3, the solenoid SL ₃ is connected to an AC power supply 20 having a voltage of about 50 volts. Capacitor C ₇ is connected in parallel with this solenoid SL ₃ . The collector of transistor Q ₂ is connected to the gate of silicon controlled rectifier SCR ₁ via coupling capacitor C ₆ and a resistor R ₅ in series with it. Kage potential VR ₂ has a capacitor C ₈ is connected in parallel. The connection point between the resistor R ₅ and the potential difference VR ₂ is connected via the diode D ₂ to the anode and the resistor R ₇ of the second silicon controlled rectifier SCR ₂ . The second control rectifier SCR ₂ is connected in series with a resistor R ₇ , which is connected to the positive terminal of the DC voltage power supply and to the cathode of the control rectifier grounded. The cathode of diode D ₂ is connected between resistor R ₇ and control rectifier SCR ₂ .

제2제어정류기 SCR₂의 게이트 전극은 접지된 저항 R₆에 연결되어 있으며, 제너다이오드 DZ를 통하여 커플링 캐패시터 C₆와 저항 R₅사이에 연결되어 있다. 저항 R₅과 전위차게 VR₂사이의 접속점은 부호 X로 표시되어 있고 캐패시터 C₆와 저항 R₅사이의 접속점은 Y로 표시되어 있다.The gate electrode of the second control rectifier SCR ₂ is connected to the grounded resistor R _{6 and} is connected between the coupling capacitor C ₆ and the resistor R ₅ through the zener diode DZ. The connection point between the resistor R ₅ and the potential difference VR ₂ is indicated by the symbol X and the connection point between the capacitor C ₆ and the resistor R ₅ is indicated by the Y.

저항 R₅과 캐패시터 C₈는 저항용량 RC 회로만으로서의 기능을 가지며 이는 이 회로의 시정수에 의하여 결정된 시간만큼 점 X에서의 전압발생을 지연시키도록 작용한다. 재너다이오드 DZ는 진짜 동전에 의하여 발생된 전압보다 약간 높게 선택된 항복 전압을 갖는다. 본 발명의 제어회로에 있어서는 1.2볼트의 재너다이오드가 선택되었다. 트리거 감도 제어전위차게 VR₂는 실리콘 제어정류기 SCR₁의 예정된 한계전압 이상의 펄스가 제어회로에 존재할 때에만 작동될 수 있도록 조절되어 있다. 비철 슬러그 또는 가짜동전에 의하여 발생된 펄스는 실리콘 제어정류기 SCR₁을 트리거시키에 충분한 진폭에 이르지 못하므로 비철 슬러그 또는 가짜동전은 거절된다.Resistor R ₅ and capacitor C ₈ function only as a resistive capacitor RC circuit, which acts to delay the generation of voltage at point X by a time determined by the time constant of this circuit. The zener diode DZ has a breakdown voltage selected slightly higher than the voltage generated by the real coin. In the control circuit of the present invention, a 1.2 volt zener diode was selected. Trigger sensitivity control potential VR ₂ is regulated so that it can only be activated when a pulse above the predetermined threshold voltage of the silicon controlled rectifier SCR ₁ is present in the control circuit. Pulses generated by non-ferrous slugs or fake coins do not reach an amplitude sufficient to trigger the silicon controlled rectifier SCR ₁ , so non-ferrous slugs or fake coins are rejected.

인덕런스 코일 L₁의 부근을 통과하는 진짜동전에 의하여 발생된 감도제어 전위차게 VR₂를 통한 전압은 제2도의 실시예에서 보인 바와 같이 실리콘 제어정류기 SCR₁를 트리거시키고 솔레노이드 SL₃를 에너지화 시킬 수 있는 적당한 진폭을 가지며 1.2볼트 이하인 약 1볼트이다. 가짜 동전이 인덕턴스 L₁의 부근을 통과할 때에 감도제어 전위차게 VR₂를 통하여 발생된 전압은 허용될 수 있는 최대전압 범위, 예를 들어 1.2볼트를 초과하므로 제너다이오드 DZ를 항복되게 한다. 따라서 제너다이오드 DZ를 통하여 흐르는 전류는 저항 R₆를 통하여 전압이 발생되게 하고 제2실리콘 제어정류기 SCR₂를 작동되게 한다. 이는 점 X에서의 전압이 실리콘제어 정류기 SCR₁을 작동시키기는 적당한 크기까지 이르기전에 이루어진다.The voltage through the sensitivity control potential difference VR ₂ generated by the real coin passing near the inductance coil L ₁ triggers the silicon controlled rectifier SCR ₁ and energizes the solenoid SL ₃ as shown in the embodiment of FIG. It is about 1 volt with a proper amplitude of about 1.2 volts or less. When a fake coin passes near the inductance L ₁ , the voltage generated through the sensitivity control potential difference VR ₂ exceeds the maximum allowable voltage range, for example 1.2 volts, causing the zener diode DZ to yield. Thus, the current flowing through the zener diode DZ causes a voltage to be generated through the resistor R ₆ and to operate the second silicon controlled rectifier SCR ₂ . This is done before the voltage at point X reaches an appropriate size to operate the silicon controlled rectifier SCR ₁ .

제2실리콘 제어정류기 SCR₂의 작동되는 순간 실리콘 제어정류기 SCR₁과 다이오드 D₂를 통하여 전류가 흐르므로 제2실리콘 제어정류기 SCR₂는 실리콘 제어정류기 SCR₁의 게이트 또는 제어전극이 접지전위, 즉 0전위로 유지되게 한다. 따라서 철로 된 가짜동전에 의하여 발생된 초과전압 펄스로서는 실리콘 제어정류기 SCR₁를 작동시킬 수가 없다. 저항 R₇의 저항치는 게이트 신호가 없는 경우 제2실리콘 제어정류기 SCR₂를 도전상태로 유지하는데 불충분한 전류가 제2실리콘 제어정류기 SCR₂를 통하여 흐르게하는 값이다. 따라서 제2제2실리콘 제어정류기 SCR₂의 회로를 스스로 리셋팅된다.A second silicon controlled rectifiers so that the current through the operating moment of silicon controlled rectifier SCR ₁ and diode D _2, the SCR ₂ to flow a second silicon controlled rectifier SCR ₂ is a gate or control electrode is the ground potential of the silicon controlled rectifier SCR _1, i.e. 0 To remain at a potential. Therefore, the silicon-controlled rectifier SCR ₁ cannot be operated with the overvoltage pulse generated by the iron fake coin. The resistance value of the resistor R ₇ is a value that causes an insufficient current to flow through the second silicon control rectifier SCR ₂ to maintain the second silicon control rectifier SCR ₂ in a conductive state when there is no gate signal. Therefore, the circuit of the _second second silicon control rectifier SCR ₂ is reset by itself.

제4도의 실시예는 대체로 제1도와 유사하다. 슈트(21)가 거의 수직으로 배치되고 아크릴과 같은 적당한합성수지로 된 전기적 절연체로 구성된다. 슈트(21)는 그 상단으로 동전을 투입하기 위한동전투입구(22)가 형성되어 있다. 이 슈트(21)는 진짜동전 또는 가짜동전 등을 예정된 위치(23)로 안내하는 동전 방향 지시기로서의 기능을 갖는다.The embodiment of FIG. 4 is generally similar to FIG. The chute 21 is arranged almost vertically and consists of an electrical insulator made of a suitable synthetic resin such as acrylic. The chute 21 has a coin inlet 22 for injecting coins into the upper end thereof. The chute 21 has a function as a coin direction indicator for guiding a real coin or a fake coin to a predetermined position 23.

이후 상세히 설명되는 바와 같이 발진회로 중에 공진탱크 회로의 인덕턴스코일 L₅₁이 슈트(21)의 둘레에 권취되어 있다. 동전투입구(22)로 삽입된 동전은 인덕턴스코일 L₂을 통하여 슈트(21)의 하측으로 하강하여 이 인덕턴스코일 L₂에 손실이 발생되게 한다. 이후 상세히 언급된 바와 같이 솔레노이드에 의하여 그 위치가 제어되는 가동부재로 구성된 방향절환 스위치(24)는 위치(23)의 슈트(21)내에 이동가능하게 착설되어있다. 솔레노이드의 제어하에 방향절환 스위치(24)는 제어회로에 의하여 발생된 제어신호에 따라 선택적으로 동전을 허용 또는 거절한다.As described in detail below, an inductance coil L ₅₁ of the resonant tank circuit is wound around the chute 21 in the oscillation circuit. The coin inserted into the coin input port 22 is lowered to the lower side of the chute 21 via the inductor L ₂ causes a loss in the inductor L _2. As will be mentioned later in detail, the directional switch 24 composed of the movable member whose position is controlled by the solenoid is movably mounted in the chute 21 of the position 23. Under the control of the solenoid, the directional switch 24 selectively accepts or rejects coins in accordance with a control signal generated by the control circuit.

안내부가 위치(23)에서 슈트(21)로부터 연장되어 있다. 이 안내부는 가짜 동전을 거절지역(도시하지 않았음)으로 향하게 하는 거트절슈(25)와, 진짜동전을 허용지역(도시하지 않았음)으로 향하게 하는 허용슈트(26)로 구성된다. 방향 절환스위치(24)가 제4도에서 보인 위치에 있을 때에 이는 가짜동전(27)을 거절 슈트(25)로 향하게 한다. 방향절환 스위치(24)가 제4도에서 보인 위치의 반대위치에 있을 때에 이는 진짜동전(28)을 허용슈트(26)로 향하게 한다. 거절슈트(25)와 허용슈트(26)는 슈트(21)과 같은 재질로 구성되는 것이 좋다. 마이크로스 위치 SW₂는 허용슈트(26)내에 배설되어 있으며 이후 설명되는 바와 같은 기능을 갖는다.The guide extends from the chute 21 at position 23. This guide consists of a gut cut shoe 25 for directing a fake coin to a rejection zone (not shown), and a allowance chute 26 for directing a real coin to a tolerance zone (not shown). When the directional switch 24 is in the position shown in FIG. 4, this causes the fake coin 27 to face the reject chute 25. When the directional switch 24 is in the opposite position to the position shown in FIG. 4, this causes the true coin 28 to be directed to the permissible chute 26. The reject chute 25 and the allowable chute 26 may be made of the same material as the chute 21. The microswitch SW ₂ is disposed in the allowance chute 26 and has a function as described later.

제4도 실시예의 전기적인 시스템은 제5도에서 보인 회로로 구성되고 이는 철 또는 비철로 된 가짜동전으로부터 진짜동전을 구별하는 기능을 갖는다.The electrical system of the FIG. 4 embodiment consists of the circuit shown in FIG. 5, which has the function of distinguishing a real coin from a fake coin of ferrous or non-ferrous.

제5도의 실시예에서, 발진회로는 슈트(21)(제4도)에 권취된 인덕턴스코일 L₅₁과 병렬연결된 캐패시터 C₅₂로 구성된 공진탱크회로 L₅₁, C₅₂를 갖는다. 발진회로는 공진된 콜피츠 발진기로서 그 공진탱크회로 L₅₁, C₅₂와 연결된 전계효과 트랜지스터 FET₁를 갖는다.In the embodiment of FIG. 5, the oscillation circuit has resonant tank circuits L ₅₁ and C ₅₂ composed of a capacitor C ₅₂ connected in parallel with an inductance coil L ₅₁ wound on the chute 21 (FIG. 4). The oscillation circuit is a resonant Colpitts oscillator and has a field effect transistor FET ₁ connected to its resonant tank circuits L ₅₁ and C ₅₂ .

전계효과 트랜지스터는 공지의 전자적인 소자로서 소위 단일극 트랜지스터로 불리워지는 것이다. 전계효과 트랜지스터는 캐리어 주입만으로는 작동치 않으므로 통상의 트랜지스터가 아니다. 이는 저감도 P형 반도체물질로 된 링으로 중앙 에둘러싸인 비교적 고감도의 P형 반도체 물질로 된 전형적인 채널로 구성되어 있다. 채널의 양단은 오옴접촉되어 있고 게이트라 불리는 P형 반도체 링은 단일 오옴접촉 되어있는 전류는 외부 수단에 의하여 채널의 양단사이에서 흐르고 게이트는 채널의 입력단에 대하여 역바이어스된다. 이는 전압이 상승될 때에 베리어영역이 고저항 영역으로 확산되는 고저 저항 영역사이의 역바이어스형 p-n접합의 특성인 것이다. 따라서 게이트상에서 증가된 전압은 소위 핀치-오프(pinch-off)전압이라 불리는 어떠한 전압치에서 채널을 통하여 흐르는 전류가 차단될 때까지 채널을 보다 더 제한하게 될 것이다. 이러한 게이트 전압의 변화는 피치-오프전압 이하의 전압일 때에 채널전류를 번화시킬 것이다. 이러한 장치는 통상의 트랜지스터에 비하여 입력 임피던스가 높다. 그 특성은 5극진 공관의 특성과 유사하다. 그리고 그주파수범위는 양호한 드리프트 트랜지스터의 주파수 범위보다 좁다.Field effect transistors are known electronic devices and are called single-pole transistors. Field effect transistors are not conventional transistors because they do not work only by carrier injection. It consists of a typical channel of relatively high sensitivity P-type semiconductor material surrounded by a ring of low-sensitivity P-type semiconductor material. Both ends of the channel are in ohmic contact and a P-type semiconductor ring, called a gate, has a single ohmic contact and current flows between both ends of the channel by external means and the gate is reverse biased with respect to the input end of the channel. This is a characteristic of the reverse biased p-n junction between the high and low resistance regions where the barrier region diffuses into the high resistance region when the voltage is increased. Thus, the increased voltage on the gate will further limit the channel until the current flowing through the channel is interrupted at any voltage value called the pinch-off voltage. This change in gate voltage will bust the channel current when the voltage is below the pitch-off voltage. Such devices have a higher input impedance than conventional transistors. Its characteristics are similar to those of the five-pole construction. And its frequency range is narrower than that of a good drift transistor.

캐패시터 C₆₀와 저항 R₅₁은 DC 전압전원 B+의 양극 단자와 접지전위의 음극단자 사이에 직렬로 연결되어 있다. 전계효과 트랜지스터 FET₁의 게이트는 캐패시터 C₆₀와저항 R₅₁사이에 연결되어 있다. 탱크회로 L₅₁, C₅₂는 소오스-드레인 전극에 연결되어 있다. 전계효과 트랜지스터 FET₁의 드레인 전극은 캐패시터 C₅₃를 통하여 접지전위에 결합된다. 캐패시터 C₅₁은 직렬연결된 전계효과 트랜지스터 FET₁과 공진탱크회로 L₅₁, C₅₂에 대하여 병렬연결되어 있다.Capacitor C ₆₀ and resistor R ₅₁ are connected in series between the positive terminal of DC voltage supply B + and the negative terminal of ground potential. The gate of the field effect transistor FET ₁ is connected between capacitor C ₆₀ and resistor R ₅₁ . Tank circuits L ₅₁ and C ₅₂ are connected to a source-drain electrode. The drain electrode of the field effect transistor FET ₁ is coupled to ground potential through capacitor C ₅₃ . Capacitor C ₅₁ is connected in parallel to the field effect transistor FET ₁ in series and the resonant tank circuits L ₅₁ and C ₅₂ .

전계효과 트랜지스터 FET₁의 정상적인 발진작용에 의하여 그 게이트 단자에는 부바이어가 걸린다. 이부바이어스는 전계효과 트랜지스터 FET₁의 소오스-드레인 회로를 따라 흐르는 전류의 양을 자동적으로 제한한다. RF쵸크 RFC₁는 공진회로 L₅₁, C₅₂와 DC 전압전원 +의 양극단자 사이에 연결되어 있다. 상기 전계효과 트랜지스터를 통한 모든 전류의 변화는 전압강하의 형태로 나타난다.Due to the normal oscillation action of the field effect transistor FET ₁ , a sub-bias is applied to the gate terminal thereof. This bias automatically limits the amount of current flowing along the source-drain circuit of the field effect transistor FET ₁ . RF choke RFC ₁ is connected between the resonant circuits L ₅₁ , C ₅₂ and the positive terminal of the DC voltage supply +. All current changes through the field effect transistor appear in the form of a voltage drop.

진짜 또는 가짜동전 등이 동전투입구(22)(제4도)로 투입되어 공진회로의 인덕턴스 코일 L₅₂를 통과할 때에 이는 상기 인덕턴스 코일의 양호도 Q를 감소시켜 인덕턴소 코일의 손실을 증가시키고 그 효율을 감소시키므로서 발진효율을 저하시킨다. 이러한 발진효율의 감소는 전계효과 트랜지스터의 부바이어스를 감소시키므로서 전계효과 트랜지스터가 순간적으로 강하게 작동되게 한다.When real or fake coins are introduced into the coin inlet 22 (FIG. 4) and pass through the inductance coil L ₅₂ of the resonant circuit, this decreases the goodness Q of the inductance coil to increase the loss of the inductance coil. It reduces the oscillation efficiency while reducing the efficiency. This reduction in oscillation efficiency reduces the sub-bias of the field effect transistor, allowing the field effect transistor to operate momentarily strongly.

감응코일을 가로질러 고정된 캐패시터는 임계적인 무선주파스 조정과정을 피하고 용이하게 제작하기 위하여 사용된다. 이 고정 캐패시터 C₅₂는 지정된 동전이 사용될 수 있도록 정확한 Q 댐핑(Q. damping)량을 도입하기 위하여 선택된다. 제5도에서 보인 값은 현재 통용되고 있는 아이젠하우어 샌드위치달라 동전을 사용하기 위한 것이다. 실버 마이카 캐패시터 C₅₁, C₅₂, C₅₃가 회로의 온도 및 주파수 안정도를 자가시키기 위하여 선택되었다. 이들의 용량은 이 회로가 MHz, 전형적으로 880MHz에 가깝게 발진하도록 선택되었다. 1MHz이하, 예를 들어 500KHz의 주파수에서 철로 된 동전에 의한 손실을 증가되고 비철로 된 동전에 의한 손실은 감소되는 경향이 있다. 그러나 1MHz이상, 예를 들어 1-5MHz의 주파수에서는 철로 된 동전에 의한 손실은 오히려 감소되고 비철로 된 동전은 상승하는 경향이 있다. 이러한 효과의 전환점이 되는 주파수는 1MHz이다. 따라서 이러한 전환점에 가까운 작동 주파수는 모든 동전의 적당한 구별을 위하여서는 필수적인 것이다.Capacitors fixed across the sensitive coil are used to avoid critical radio frequency adjustments and to facilitate fabrication. This fixed capacitor C ₅₂ is chosen to introduce the correct Q. damping amount so that the designated coin can be used. The value shown in Figure 5 is to use the current Eisenhower Sandwich Coal. Silver mica capacitors C ₅₁ , C ₅₂ , C ₅₃ were chosen to self-circulate the temperature and frequency stability of the circuit. Their capacity was chosen so that the circuit oscillated close to MHz, typically 880 MHz. At frequencies below 1 MHz, for example 500 KHz, losses by iron coins tend to increase and losses by non-ferrous coins tend to decrease. However, at frequencies above 1 MHz, for example 1-5 MHz, losses by iron coins are rather reduced and non-ferrous coins tend to rise. The frequency of the turning point of this effect is 1 MHz. Therefore, the operating frequency close to this turning point is essential for proper discrimination of all coins.

제5도에서 보인 이 회로의 다른 특징은 L₅₁(28 A.W.G를 이중층의 형태로 50회 권취된)구조와 함께 C₅₂용량과 L₅₁인덕턴스의 선택된 비율로 L₅₁를 통과하는 모든 도전성 물체에 대하여 주파수가 상승되게 하는 점이다. 이러한 효과를 보다 상세히 설명하면, 유도코일에 대하여 코아(동전 또는 슬러그)를 부가하므로서 그 인덕턴스가 증가되어 그 공진주파수가 낮아져 주파수가 떨어지는 원인 되는 것이다. 이미 언급된 조건에 의하여, 선택된 작동주파수에 부가하여 L₅₁를 통과하는 동전 또는 슬러그는 유도코일의 권취수를 짧게한 것과 같은 작용을 하므로서 그 인덕턴스를 감소시켜 주파수를 상승시키는 원인이 된다. 이러한 효과는 완전히 별개의 효과이며 상기 언급된 양호도 Q 손실효과와 일치한다. 또한 이 효과는 물질의 함량보다는 동전의 크기에 따라 보다 크게 좌우된다.Another characteristic of this circuit shown in FIG. 5 is the L ₅₁ (28 AWG wound 50 times in the form of a double layer) with all the conductive objects passing through L ₅₁ at a selected ratio of C ₅₂ capacity and L ₅₁ inductance. The point is to raise the frequency. To explain this effect in more detail, by adding a core (coin or slug) to the induction coil, its inductance is increased and the resonance frequency is lowered, causing the frequency to drop. Under the conditions already mentioned, coins or slugs passing through L ₅₁ in addition to the selected operating frequency act like shortening the number of turns of the induction coil, reducing the inductance and causing the frequency to rise. This effect is a completely separate effect and is consistent with the goodness Q loss effect mentioned above. This effect also depends more on the size of the coin than on the content of the substance.

이러한 효과를 Q 손실효과와 관련하여 이용하기 위하여, 수동적인 공진회로 L₅₂, C₆₁가 동전감지코일 L₅₁에는 직접 전기적으로 연결되지는 않으나 이에 근접하여 설치된다. 이 회로는 요구된 동전이 상기 감지코일을 통과할 때에 발진이 일어날 수 있는 주파수에서 공진토록 조절된다. 이 주파수에 이르렀을 때에 L₅₂, C₆₁는 발진기로부터 에너지를 흡수하여 발진진폭을 감소시켜 Q 손실에 의한 진폭 감소율을 높인다. Q 손실이 주로 재질의 함량에 기인하고 주파수 상승이 주로 동전의 크기에 따라 좌우될 때에 이와 같은 방법으로 양측의 효과를 조합하므로서 동전의 크기와 재질의 함량을 동시에 체크할 수 있는 매우 간단하고 효과적인 장치가 제공될 수 있는 것이다.In order to use this effect in relation to the Q loss effect, passive resonant circuits L ₅₂ , C ₆₁ are provided in close proximity but not directly electrically connected to the coin detection coil L ₅₁ . This circuit is adjusted to resonate at the frequency at which oscillation can occur when the required coin passes through the sense coil. When this frequency is reached, L ₅₂ and C ₆₁ absorb energy from the oscillator to reduce the oscillation amplitude, increasing the amplitude reduction rate due to Q loss. Very simple and effective device to check coin size and material content simultaneously by combining both effects in this way when Q loss is mainly due to material content and frequency rise mainly depends on coin size Can be provided.

트리거회로는 다음과 같이 작동한다. C₅₅, D₅₁, R₅₄, D₅₄, VR₅₂, C₅₇및 R₅₅는 1CIA의 핀 1상에 정 DC전압을 정류하도록 작봉하는 다이오드 펌프회로를 형성한다. 이 DC전압은 전적으로 발진작용에 따라 좌우되며 모든 발진진폭의 감소는 1CIA의 핀 1에서 동일하게 감소된 CD전압을 발생한다. 가변저항 VR₅₂은 다이오드 펌프회로의 출력측에 연결되어 그 효율에 영향을 주면 1CIA 핀 1에서 발생된 DC전압이 가변되게 한다. C₅₄, R₅₂, V₅₃, VR₅₁, D₅₂, C₅₆및 R₅₃은 1C1C의 핀 8에서 독립적으로 조절가능한 DC전압을 발생하는 유사한 다이오드 펌프회로를 구성한다. 이 회로에 있어서, 각 소자의 값은 핀 1에서 발생된 전압보다 핀 8에서 약간 높은 전압을 발생토록 선택된다.The trigger circuit works as follows. C ₅₅ , D ₅₁ , R ₅₄ , D ₅₄ , VR ₅₂ , C ₅₇ and R ₅₅ form a diode pump circuit which is enclosed to rectify a constant DC voltage on pin 1 of the 1CIA. This DC voltage depends entirely on the oscillation behavior, and any reduction in oscillation amplitude results in an equally reduced CD voltage at pin 1 of the 1CIA. The variable resistor VR ₅₂ is connected to the output side of the diode pump circuit, which affects its efficiency, causing the DC voltage generated at 1CIA pin 1 to vary. C ₅₄ , R ₅₂ , V ₅₃ , VR ₅₁ , D ₅₂ , C ₅₆ and R ₅₃ constitute a similar diode pump circuit that generates an independently adjustable DC voltage at pin 8 of 1C1C. In this circuit, the value of each device is selected to generate a voltage slightly higher at pin 8 than the voltage generated at pin 1.

1C1A, 1C1B, 1C1C, 1C1D는 CMOS 싱글 패키지 콰드 2입력 NOR게이트 (Motorola형 NC14001B)이다.The 1C1A, 1C1B, 1C1C, and 1C1D are CMOS single-package quad two-input NOR gates (Motorola NC14001B).

1C1A와 1C1B는 다음과 같은 방법으로 100msec의 원-쇼트(one-shot) 펄스 발생기를 구성하도록 연결된다.The 1C1A and 1C1B are connected to form a 100msec one-shot pulse generator in the following way.

이는 정확한 입력조건이 전원전압의 약 50%에 해당하는 레벨에 이르렀을 때에 출력상태에 변경시키는 CMOS논리 게이트의 특성이다. 이 특성의 잇점은 매우 정확한 전압레벨 검파기를 원-쇼트 회로에 결합시켜 취할 수 있다. 1C1의 핀 1상에서 정 DC레벨은 VR₅₂에 의하여 전형적인 3-8V 레벨상의 한점에 고정된다. 1C1의 핀 8상의 DC레벨은 VR₅₁에 의하여 1보다 약간 높은 레벨, 전형적으로 레벨에 고정된다.This is a characteristic of the CMOS logic gate that changes to the output state when the correct input condition reaches a level corresponding to about 50% of the power supply voltage. The advantage of this feature is that a very accurate voltage level detector can be combined with the one-short circuit. On pin 1 of 1C1, the positive DC level is fixed to a point on a typical 3-8V level by VR ₅₂ . The DC level on pin 8 of 1C1 is fixed to a level slightly higher than 1, typically level, by VR ₅₁ .

이러한 조건하에서 핀 1은 HIGH가 되고 동시에 핀 3은 LOW가 되며 이 LOW는 C₅₈에 의하여 핀 5로 부터 차단된다. 핀 5는 R₅₆에 의하여 HIGH가 유지되어 핀 4가 LOW가 되게한다.Under these conditions, pin 1 goes HIGH and at the same time pin 3 goes LOW, which is blocked from pin 5 by C ₅₈ . Pin 5 is held high by R ₅₆ causing pin 4 to be low.

동일한 조건이 전형적으로 150msec의 약간 긴 시간을 갖는 유사한 원-쇼트 레벨검파기로서 작용하는 1C1C 및 1C1D예도 존재한다.There are also examples of 1C1C and 1C1D in which the same conditions act as similar one-short level detectors, which typically have a slightly longer time of 150 msec.

핀 8이 HIGH(4-2V)가 되어 핀 10이 LOW가 되계 하고 이 LOW는 C₅₉에 의하여 핀 12와 13으로부터 차단된다. R₅₇은 핀 12와 13이 HIGH가 되게하여 핀 11이 LOW가 되계 한다.Pin 8 goes high (4-2V), so pin 10 goes low, and this low is disconnected from pins 12 and 13 by C ₅₉ . R ₅₇ forces pins 12 and 13 high, bringing pin 11 low.

진짜동전이 L₅₁를 통과할 때에 발진회로의 출력은 떨어져 다이오드 펌프회로가 낮은 DC 레벨의 전압을 발생케한다. 1C1A의 핀 1상의 전압은 약 2.9V로 강하되고 이미 언급된 바와 같이 CMOS게이트는 6V전원으로 작동시에 이를 LOW로 알 것이다. 따라서 이때에 1C1C의 핀 8상의 전압은 동일한 비율로 강하하여 3.3V에 이를 것이나 아직은 전원전압의 50% 이상이 되므로 핀 8은 HOGH가 유지되어 1C1C 또는 1C1D에서의 출력변화는 일어나지 않는다.When real coins pass through L ₅₁ , the output of the oscillator circuit drops, causing the diode pump circuit to generate a low DC level voltage. The voltage on pin 1 of 1C1A drops to about 2.9V and, as already mentioned, the CMOS gate will know it as LOW when operating from a 6V supply. Therefore, at this time, the voltage on pin 8 of 1C1C will drop to the same ratio and reach 3.3V, but it is still more than 50% of the power supply voltage.

순간적으로 핀 1이 LOW가 되면 핀 3은 동시에 양입력이 LOW가 될 것이므로 HIGH 될 것이다. 핀 3이 HIGH가 되었을 때에 핀 5는 R₅₆를 통하여 이미 HIGH가 되어 있으므로 핀 3은 C₅₆을 통하여 핀 5에 영향을 주지 아니한다.If pin 1 momentarily goes low, pin 3 will go high because both inputs will go low at the same time. When pin 3 goes high, pin 5 is already high through R ₅₆ , so pin 3 does not affect pin 5 through C ₅₆ .

동전이 L₅₂를 통과해 버리고 발진이 정상상태로 돌아왔을 때에 1C1의 핀 1상의 전압은 HIGH 상태로 복구되어 그 출력(핀 3)이 원래의 LOW상태로 되돌아가게 한다. 이 LOW는 C₅₈의 충전시간(100msec)동안 LOW가 유지되는 핀 5에 C₅₈를 통하여 결합된다. 이 시간동안 핀 4가 HIGH가 될 것이다.When the coin passes through L ₅₂ and the oscillation returns to normal, the voltage on pin 1 of 1C1 returns to the HIGH state, causing its output (pin 3) to return to its original LOW state. This LOW is coupled via C ₅₈ to pin 5 where LOW is maintained during C ₅₈ charge time (100 msec). During this time, pin 4 will go HIGH.

OI1은 발광다이오드(LED)로 구성되고 광학적으로 광저항 전지에 연결된 포토-아이솔레이터(62)(VACTEC TYPE VTC-5C1)이다. 발광 다이오드가 에너지화 되었을 때에 이는 광전지를 조사하여 그 저항을 낮춘다.OI1 is a photo-isolator 62 (VACTEC TYPE VTC-5C1) composed of light emitting diodes (LEDs) and optically coupled to a photoresist cell. When the light emitting diode is energized, it lowers its resistance by irradiating a photocell.

1C1B의 핀 4이 100msec동안 HIGH가 되었을 때에 이는 동일시간동안 포토-아이솔레이터를 작동시킨다. 이 포토-아이솔레이터의 광전지는 트라이악(63)의 게이트 회로에 연결되어 광전지의 저항이 낮아졌을 때에 50V AC가 허용 솔레노이드 L₅₃에 인가된다.When pin 4 of 1C1B goes HIGH for 100msec, it activates the photo-isolator for the same time. The photovoltaic cell of this photo-isolator is connected to the gate circuit of the triac 63 so that 50V AC is applied to the allowable solenoid L ₅₃ when the resistance of the photocell is lowered.

100msec의 시간주기는 동전이 감지코일 L₅₁을 통과하여 허용장소로 낙하하는데 소요되는 시간이다.The time period of 100 msec is the time taken for the coin to fall through the detection coil L ₅₁ and fall to the allowable place.

만약 구리, 황동 또는 다른 비철로 된 동전이 L₅₁를 통하여 낙하는 경우 IC1의 핀 1에서의 전압강하가 원쇼트로 트리거 되는데 충분한 크기가 되지 못한다. 이와 같은 경우 허용 솔레노이드 L₅₃은 그대로 작동치 않을 것이며 슬러그가 허용장소로 낙하하는 것을 방지할 것이다.If a copper, brass or other nonferrous coin falls through L ₅₁ , the voltage drop on pin 1 of IC1 is not large enough to trigger a one-shot. In this case the permissible solenoid L ₅₃ will not operate as is and will prevent the slug from falling into the permissible place.

전압이 크게 강하되게 하는 철로 된 슬러그가 L₅₁를 통하여 삽입되는 경우 1C1A와 1C1B는 진짜 동전때와 마찬가지로 원-쇼트될 것이나 핀 6이 HIGH가 되므로서 핀 4가 HIGH가 되는 것을 방지할 것이다. 이러한 억제신호는 허용 원-쇼트회로를 트리거시키는데 대단히 큰 전압강하를 요구하는 것을 제외하고는 허용 원-쇼트회로와 동일한 방법으로 작동하는 1C1C-1C1D로 부터 유도된다.If a steel slug is inserted through L ₅₁ that causes the voltage to drop significantly, 1C1A and 1C1B will be short-circuit like a true coin, but will prevent pin 4 from going high as pin 6 goes high. This suppression signal is derived from 1C1C-1C1D, which operates in the same way as the allowed one-short circuit except that a very large voltage drop is required to trigger the allowed one-short circuit.

상기 회로는 허용가능한 진폭만을 받아들이는데 대단히 효과적인 전압 윈도우(voltage window)를 구성한다.The circuit constitutes a voltage window that is very effective at accepting only allowable amplitudes.

이와 같이 본 발명의 장치는 진짜동전의 형태, 크기, 금속함량 및 새것이건 낡은 것이건간에 관계없이, 그리고 가짜 동전의 형태, 크기 및 새것이건 낡은 것이건간에 관계없이 진짜 동전만을 허용하며 가짜 동전은 모두 거절하는 것이다. 본 발명의 장치는 첨 또는 비철로 된 가짜동전은 모두 거절하므로서 영구자석이나 다른 제거장치를 필요로 하지 않는다. 또한 본 발명의 장치는 구조가 간단하며 매우 빠른 속도로 효율적이고 효과적이며 신뢰가능하게 작동하고 동전과 전기적인 접촉이 이루어지지 않는 것이다. 본 발명의 장치는 매우 간단하고 경제적으로 구성될 수 있으며 간편히 동전투입장치 등에 결합하여 장치의 작동에 전혀 지장을 주지 아니하고 진짜 동전만을 허용할 수 있도록 한 것이다. 또한 본 발명의 장치는 진짜동전이면그 마모상태에 관계없이 이를 허용하며, 진짜동전에 의한 탱크회로에서 발생된 손실과 구별되는 발진기의 공진 탱크회로에서 손실을 발생케하는 물질이 함유된 모든 가짜동전은 거절하도록 되어 있다. 단일제어로 여러 동전을 허용하거나 거절하며, 한 실시예에서는 감도를 높이기 위하여 발진회로에 전계효과 트랜지스터가 이용된다.As such, the device of the present invention allows only real coins, regardless of the shape, size, metal content of the real coins and whether they are new or old, and whether they are new, old or fake. It is all rejected. The device of the present invention rejects any fake or non-ferrous coins and does not require permanent magnets or other removal devices. In addition, the device of the present invention is simple in structure, works very efficiently, effectively and reliably at a very high speed, and has no electrical contact with the coin. The device of the present invention can be configured very simply and economically and is simply combined with a coin injection device to allow only genuine coins without any disruption to the operation of the device. In addition, the apparatus of the present invention, if it is a real coin, permits it regardless of its wear state, and all fake coins containing a substance causing a loss in the resonant tank circuit of the oscillator which is distinguished from the loss generated in the tank circuit by the real coin. Is to refuse. A single control allows or rejects multiple coins, and in one embodiment a field effect transistor is used in the oscillator circuit to increase sensitivity.

Claims

A coin inspection device for distinguishing real coins from fake coins, comprising: a oscillating circuit having a resonant tank circuit and comprising a single inductance and capacitance means for varying the amplitude of the generated signal according to the loss of the tank circuit; In order to guide the fake coin to the predetermined place, it includes a vertical side part and a part inclined downward from the horizontal. The inductance means of the resonant tank circuit has coin direction indicating means disposed in the coin box and the area, and coins according to the amplitude of the control signal. And a direction switching means disposed in said coin direction indicating means for selectively allowing or rejecting, said direction switching means being a movable member, a vanity solenoid for moving this movable member to an allowable position in accordance with an energy condition, and a gate circuit. Photovoltaic cell with triac and light emitting diode optically connected Coin inspection apparatus, characterized in that consisting of a photo-isolenoid having.