Claims (14)
산화아연을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지고 최소한도 그 일측면을 글리스층에 의해 피복함과 동시에 타측면에 전극을 설치한 전압비직선 저항체에 있어서 상기 글라스층에 산화주석을 함유시킨 것을 특징으로 한다.It is made of a sintered body composed of zinc oxide as a main component, and at least one side is covered with a glycemic layer, and at the same time, a voltage non-linear resistor having electrodes on the other side is characterized by containing tin oxide in the glass layer. .
제1항 기재의 전압비직선 저항체에 있어서, 상기 글라스층이 봉규산연글라스로 이루어지고, 산화주석함유량이 0.4 10중량%임을 특징으로 한다.In the voltage non-linear resistor of claim 1, the glass layer is made of lead silicate lead glass, characterized in that the tin oxide content is 0.4 to 10% by weight.
제1항 기재의 전압비직선 저항체에 있어서, 상기 소결체의 최소한도 그 일측면에 안티몬 산화연 및 규산아연을 주성분으로 하는 고저항층이 미리 설치되어 있으며 상기 고저항층을 두고 상기 글라스층이 피복되는 것을 특징으로 한다.In the voltage non-linear resistor of claim 1, at least one side of the sintered body is provided with a high resistance layer predominantly composed of antimony lead oxide and zinc silicate, and the glass layer is coated with the high resistance layer. It is characterized by.
제1항 기재의 전압비직선 저항체에 있어서, 상기 글라스층의 두께가 30㎛∼1mm임을 특징으로 한다.In the voltage non-linear resistor of claim 1, the thickness of the glass layer is characterized in that 30㎛ ~ 1mm.
제2항 기재의 전압비직선 저항체에 있어서 상기 봉규산연 글라스의 함유량이 하기와 같이 되어 있는 것을 특징으로 한다.The content of the lead-silicate lead glass in the voltage non-linear resistor according to claim 2 is characterized as follows.
산화연 40∼85중량%, 산화붕소, 3∼25중량%, 산화규소 1.5∼25중량%40 to 85 wt% lead oxide, 3 to 25 wt% boron oxide, 1.5 to 25 wt% silicon oxide
제2항 또는 제5항 기재의 전압비직선 저항체에 있어서, 붕규산연 글라스중에 산화아연이 4∼30중량%를 함유시키고 있음을 특징으로 한다.The voltage non-linear resistor according to claim 2 or 5, characterized in that zinc oxide contains 4 to 30% by weight in the borosilicate glass.
제2항 또는 제5항 기재의 전압비적인 저항체에 있어서 붕규산연 글라스중에 산화질코늄이 5∼30중량%함유되어 있음을 특징으로 한다.In the voltage ratio resistor according to claim 2 or 5, it is characterized in that 5 to 30% by weight of nitric oxide is contained in the lead borosilicate glass.
제3항 기재의 전압비직선 저항체에 있어서, 상기 안티몬 산화연과 규산아연의 중량비율이 1 : 1∼16 : 1임을 특징으로 한다.The voltage non-linear resistor according to claim 3, characterized in that the weight ratio of the antimony lead oxide and zinc silicate is 1:1 to 16:1.
제3항 기재의 전압비직선 저항체에 있어서, 상기 고저항층의 두께를 10∼200㎛으로 한 것을 특징으로 한다.In the voltage non-linear resistor according to claim 3, the high resistance layer has a thickness of 10 to 200 µm.
산화아연으로 된 전압비직선 저항체를 만들기 위한 하기와 같이 이루어진 프로세스,The process is as follows to make a voltage non-linear resistor made of zinc oxide,
(1) 산화아연을 주성분으로 하는 분말 혼합물을 소결하여 이것에 의해 소결체를 얻는다.(1) A powder mixture containing zinc oxide as a main component is sintered to thereby obtain a sintered body.
(2) 상기 소결체의 최소한도 측면에 글라스 분말과 상기 글라스분말을 바인드하기 위한 유기 바인더와, 상기 소결체중의 산화아연 보다도 유기바인더와의 반응에 있어서 촉매작용이 큰 금속산화물로 된 페이스트를 부착하고,(2) On the minimum side of the sintered body, a paste of a metal oxide having a catalytic effect in the reaction between the organic binder for binding the glass powder and the glass powder and an organic binder than zinc oxide in the sintered body is attached, ,
(3) 상기 페이스트를 가열하여 상기 페이스트중의 유기 바인더를 연소 제고하고,(3) heating the paste to burn off the organic binder in the paste,
(4) 상기 소결체의 타측면에 전극을 취부한다.(4) An electrode is mounted on the other side of the sintered body.
제10항 기재의 프로세스에 있어서, 상기 소결체의 측면에 고저항층을 소결한 후에 상기 페이스트를 부착하는 것을 특징으로 한다.In the process of claim 10, characterized in that the paste is attached after sintering the high-resistance layer on the side surface of the sintered body.
제10항 기재의 프로세스에 있어서, 금속화합물로서 산화주석을 사용한 것을 특징으로 한다.In the process according to claim 10, tin oxide is used as the metal compound.
제10항 기재의 프로세스에 있어서, 유기바인더로서 에릴센룰로우즈을 사용한 것을 특징으로 한다.In the process according to claim 10, it is characterized in that erythrene cellulose is used as the organic binder.
제10항 기재의 프로세스에 있어서 페이스트를 400∼600℃온도로 녹여붙임을 특징으로 한다.The process of claim 10 is characterized in that the paste is melted at a temperature of 400-600°C.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: Disclosure is based on the original application.