KR830000560Y1

KR830000560Y1 - 전원 언/오프(on/off)시 뮤트(mute) 및 과부하 보호회로

Info

Publication number: KR830000560Y1
Application number: KR2019810007712U
Authority: KR
Inventors: 이재철
Original assignee: 삼성전자공업주식회사; 강진구
Priority date: 1981-11-16
Filing date: 1981-11-16
Publication date: 1983-04-13

Abstract

내용 없음.

Description

전원 언/오프(ON/OFF)시 뮤트(MUTE) 및 과부하 보호회로

도면은 본 고안의 회로도이다.

본 고안은 일반적인 오디오(Audio) 뮤팅(muting) 및 과부하 보호회로에 관한 것으로 오디오 증폭기에 전력이 공급될 때나 차단시 발생되는 잡음제거 및 과부하로부터 스피커를 보호하기 위한 전원언/오프시 뮤트 및 과부하 보호회로에 관한 것이다.

일반적으로 오디오 시스템용 증폭기에서는 예를들면 전력스위치를 켤때면 전력이 최초로 증폭기에 공급되며, 이때 전원전압 상승으로 인하여 증폭기 출력에 순간적인 크릭킹 잡음이 발생한다. 반대로, 전력스위치를 오프시킴으로서 오디오 증폭기에 전원을 차단할 때, 전원전압의 소멸로 인해 증폭기 출력에 순간적인 크릭킹 잡음이 다시 발생한다.

이러한 잡음을 제거하기 위하여 종래에는 전압 과도현상에서 나타나는 이상잡음성분을 전압변동 시정수의 차이를 이용하여 트랜지스터 스위칭회로를 이용한 입출력단을 단락시키므로서 잡음출력이 나타나지 않도록 뮤팅회로가 제안된 바 있으나, 이것은 메인 암프의 출력단에서 나오는 신호로 설치된 뮤팅회로의 잠정저향 때문에 양분되어 신호전달 효율이 나빠지며, 불필요한 전력을 낭비하게 되는등의 문제점을 안고 있었다.

또한 스피커등의 부하가 소트되거나 과부하로 인하여 출력측에 과전류가 흐를때 이를 보호해주는 장치가 종래에는 있었으나, 이들은 개별적인 회로로 분리되어 사용하므로 실용적이 못되었다.

본 고안은 상기와 같은 결점을 해소하고자 안출한것으로, 전원 언/오프시 전압의 과도현상으로 부터 스피커를 보호함은 물론, 스피커등의 부하가 쇼트되고나 과부하로 인하여 출력측에 과부하가 흐를때 이를 보호해 주기위한 회로를 제공하는 것으로 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.

통상의 음성입력신호가 톤암프(T)와 메인암프(MA)를 거쳐 스피커로 출력되는 구성에 있어서, AC입력단자에 다이오드(D), 저항(R₁)을 거쳐 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터에 연결하고, 이의 베이스에는 저항(R₃), 제너다이오드(D₂), 컨덴서(C₂)의 사이에 연결하며, 저항(R₂)을 거쳐서 저항(R₁) 및 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터에 연결하고, 트랜지스터(Q₁) 에미터는 트랜지스터(Q₂) 베이스와 저항(R₅) 사이에 접속하고, 이의 콜렉터에는 저항(R₄)을 거쳐 트랜지스터(Q₃)베이스에 연결하며, 한편으로는 저항(R₃)을 거쳐 전원단자(B-)에 연결하고, 트랜지스터(Q₃)의 콜렉터 출력이 톤암프(T)의 입력단을 차단하도록 연결하며, 저항(R₅), 트랜지스터(Q₂)에미터를 전원단자(B+)에 연결하고, 다이오드(D₁), 저항(R₁) 사이에서 인출한선에 컨덴서(C₁)를 접속하여 접지시키고, 제너다이오드(D₂), 컨덴서(C₂), 트랜지스터(Q₃)의 에미터를 각기 접지하여서 뮤팅회로(A)를 구성하고, 메인암프(MA)의 출력단에 트랜지스터(Q₇)(Q₈)의 베이스를 각기 연결하고, 이 트랜지스터(Q₇)(Q₈) 에미터사이에 직결합한 저항(R₁₃)(R₁₄)을 접속하고, 저항(R₁₃)(R₁₄) 사이에서 인출한선에 스피커를 연결하며, 상기 트랜지스터(Q₇)(Q₈)의 각 에미터에서 인출한선에 저항(R₁₀)(R₁₁)(R₁₂)을 각기 연결하여 트랜지스터(Q₆)의 베이스와 에미터에 연결하고, 이 트랜지스터(Q₆)의 콜렉터에 저항(R₉)을 거쳐, 저항(R₈) 및 트랜지스터(Q₄)의 에미터 및 베이스를 각기 접속하며, 이트랜지스터(Q₄)의 콜렉터는 저항(R₆)(R₇)을 거쳐 트랜지스터(Q₅)의 베이스에 접속하며, 이 트랜지스터(Q₅)의 콜렉터는 뮤팅회로(A)의 트랜지스터(Q₁)베이스에 접속하고, 이 트랜지스터(Q₅)의 메이터는 접지하며, 트랜지스터(Q₇)(Q₈)의 콜렉터는 전원단자(B+)(B-)에 각기 연결하여서 과부하보호회로(B)를 구성하여서 된 것이다.

이와 같은 구성의 본 고안은 전원스위치 언/오프시 뮤팅 동작을 살펴보면, 전원스위치를 언 할시에는 다이오드(D₁), 제너다이오드(D₁), 저항(R₁)(R₂), 트랜지스터(Q₁), 컨덴서(C₁)(C₂)로 구성된 정전압회로에서, 트랜지스터(Q₂)의 베이스전압은 저항(R₂), 컨덴서(C₂)에 의한 시정수에 의하여 서서히 상승하게 되고, 트랜지스터(Q₂)는 베이스 전압이 에미터 전압보다 높아질 때까지 동작(ON)하며, 트랜지스터(Q₃)의 베이스 전위는 "+"전위를 나타내게되어서 트랜지스터(Q₃)는 도통되어 톤암프(T)로 유입되는 입력신호를 차단 시키고 있다가 트랜지스터(Q₂)의 베이스전압이 에미터 전위보다 높아지면서 트랜지스터(Q₂), (Q₃)가 OFF되어 톤암프(T)에 입력되는 신호를 정상적으로 흐르도록 한다.

또한, 전원스위치를 OFF할때는 AC전원이 전원전압(B+)보다 빨리 없어지게 되어 트랜지스터(Q₂)는 언(ON)이 되며, 트랜지스터(Q₃)는 도통되어 톤암프(T)의 입력을 단락시키게 된다.

한편, 스피커에 과부하로 인한 관전류가 흐를때는 트랜지스터(Q₇)(Q₈)에 과전류가 흐르게되고, 이것은 저항(R₁₃), (R₁₄)에 평상시 이상의 전압이 걸기고, 저항(R₁₁) 또한 저항(R₁₃)(R₁₄)에 걸리는 전압이 동일하게 나타나, 트랜지스터(Q₆)가 동작할 수 있는 정도가 되어 트랜지스터(Q₆)가 도통한다.

그러면 트랜지스터(Q₄)의 베이스전위가 저항(R₉)에 의해 전압강하가 생겨 트랜지스터(Q₄)는 도통되고, 이에 의하여 트랜지스터(Q₅)가 동작하게 된다.

트랜지스터(Q₅)가 동작개시함과 동시에 트랜지스터(Q₁)의 베이스 전위가 떨어지게 되며, 트랜지스터(Q₁)의 에메터 전위도 하강하여 트랜지스터(Q₂)가 동작하게 된다. 따라서 트랜지스터(Q₃)의 베이스전위가 상승하면서 트랜지스터(Q₃)가 동작하므로 톤암프(T)의 입력을 단락시키게 되어, 출력트랜지스터(Q₇)(Q₈)의 전류는 자동 감소하게 되어 과부하로 인한 과전류로부터 스피커를 보호하게 되는 것이다.

이와 같은 본 고안은 회로가 극히 간단하면서도 음성신호 전달을 양호하게 하고 전원 언/오프시 발생되는 잡음등을 용이하게 없앨 수 있을 뿐만 아니라 과부하로 인한 과전류로 부터 스피커를 보호할 수 있는 특징을 지닌 것이다.

Claims

전원 언/오프시 톤암프(T)로 입력되는 잡음 신호를 없애기 위하여 다이오드(D), 제너다이오드(D), 컨덴서(C)(C), 트랜지스터(Q), 저항(R₁)(R₂)으로 구성된 정전압회로에 트랜지스터(Q₂), (Q₃)를 결합하여, 상기 트랜지스터(Q₃)가 저항(R₂) 컨덴서(C₂)의 시정수 만큼 동작하여, 음성입력신호를 잠시 단락시켜서 뮤팅동작을 행하며, 과부하로 인해 출력측 트랜지스터(Q₇, Q₈) 사이의 저항(R₃), (R₄)에 과전류에 의한 과전압상태가 검지되었을 때 트랜지스터(Q₃), (Q₄), (Q₅)가 차례로 동작토록하여서 상기 뮤팅동작을 시키므로서 스피커를 과부하로부터 보호함을 특징으로하는 전원 언/오프시 뮤트동작 및 과부하보호 회로.