KR830000469Y1 - Signal conversion circuit - Google Patents

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KR830000469Y1
KR830000469Y1 KR2019790007006U KR790007006U KR830000469Y1 KR 830000469 Y1 KR830000469 Y1 KR 830000469Y1 KR 2019790007006 U KR2019790007006 U KR 2019790007006U KR 790007006 U KR790007006 U KR 790007006U KR 830000469 Y1 KR830000469 Y1 KR 830000469Y1
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diode
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KR2019790007006U
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쯔도무 니이무라
쿄오이찌 무라가미
아끼라 야마고시
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이와마 가즈오
소니 가부시끼 가이샤
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Abstract

내용 없음.No content.

Description

신호변환 회로Signal conversion circuit

제1도는 종래의 기술에 의한 신호 변환 회로의 접속도.1 is a connection diagram of a signal conversion circuit according to the prior art.

제2도는 본 고안에 의한 신호변환회로의 접속도.2 is a connection diagram of a signal conversion circuit according to the present invention.

제3도는 본 고안에 의한 제2도의 신호변환 회로를 이득 제어회로에 사용한 일예를 도시한 도면.3 is a view showing an example in which the signal conversion circuit of FIG. 2 according to the present invention is used for a gain control circuit.

본 고안은 싱글앤디드 입력신호(single ended inpnt signal)를 차동출력 신호로 변환하는 신호변환 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a signal conversion circuit for converting a single ended input signal to a differential output signal.

이러한 종류의 공지의 신호변환 회로는 차폭증폭기를 구성하는 한쌍의 트랜지스터의 베이스에 직류 바이어스를 공급함과 동시에 상기 트랜지스터의 일방의 베이스를 접지에 교류 결합하고, 상기 트랜지스터의 타방의 베이스에 신호전압을 가하여, 이들 트랜지스터들의 콜렉터들에서 차동출력을 얻고 있다. 그러나, 이같은 공지의 구성에 있어서는 바이어스 회로를 필요로 하고 있기 때문에 회로구성이 복잡하고 전원전압을 유효하게 이용할 수 없다.Known signal conversion circuits of this kind supply a direct current bias to the bases of the pair of transistors constituting the differential amplifier, alternating one base of the transistors to ground, and applying a signal voltage to the other base of the transistors. The differential output is obtained from the collectors of these transistors. However, in such a known configuration, since a bias circuit is required, the circuit configuration is complicated and the power supply voltage cannot be effectively used.

따라서, 바이어스 회로가 필요없으며 전원 전압을 유효하게 이용하게한 종래 기술에 따른 제1도의 회로 구성이 제안된다.Therefore, the circuit configuration of FIG. 1 according to the prior art which does not require a bias circuit and makes effective use of the power supply voltage is proposed.

제1도에 있어서, 직렬로 접속된 한쌍의 다이오드(1) 및 (2)는 트랜지스터(3)의 베이스-에미터 회로와 다이오드(4)로 형성된 또 다른 직렬회로와 병렬로 접속된다. 또한 정전류를 발생하는 전류원이 트랜지스터(3)의 베이스와 다이오드(1)의 애노우드와의 접속점에 접속된다. 여기서 전류원이란 부하의 변동에 무관한 일정한 출력전류를 발생하는 회로를 의미한다. 물론, 전류원으로 부터 발생된 전류의 레벨은 각종 매개 변수에 따라 결정되는데, 예로서 필요에 따라 적당한 제어신호, 조정가능한 회로소자, 등등으로 제어될 수 있다. 전형적인 전류원은 바이어스형 트랜지스터의 콜렉터-에미터 회로로 구성된다. 다이오드(4)는 트랜지스터(5)의 베이스-에미터 회로와 병렬로 접속된다. 또한, 도시하지 않았지만, 적당한 동작원이 제공되어 전류원을 활성화시키며 트랜지스터(3), (5)에 동작전압을 공급한다.In FIG. 1, a pair of diodes 1 and 2 connected in series are connected in parallel with a base-emitter circuit of the transistor 3 and another series circuit formed of the diode 4. In addition, a current source for generating a constant current is connected to a connection point between the base of the transistor 3 and the anode of the diode 1. Here, the current source means a circuit that generates a constant output current regardless of the load variation. Of course, the level of current generated from the current source is determined in accordance with various parameters, for example, can be controlled with appropriate control signals, adjustable circuit elements, etc. as required. A typical current source consists of a collector-emitter circuit of a biased transistor. The diode 4 is connected in parallel with the base-emitter circuit of the transistor 5. In addition, although not shown, a suitable operating source is provided to activate the current source and supply the operating voltage to the transistors 3 and 5.

이후, 제1도에 도시한 회로의 동작에 대해 설명한다. 전류원이 정전류 2I0를 공급한다고 가정하고, 또한 트랜지스터(3), (5)의 에미터 영역 및 다이오드(1), (2), (4)의 등가 에미터 영역들이 동일한 면적을 갖는다고 가정할때, 제각기 다이오드의 양단간 전압강하 및 제각기 트랜지스터의 양단간 베이스 에미터 전압 강하는 동일하게 Vbe로 된다. 또한 제각기 트랜지스터의 베이스-에미터 임피던스 및 제각기 다이오드의 다이오드 임피던스도 모두 동일하게 된다.The operation of the circuit shown in FIG. 1 will now be described. Assume that the current source supplies a constant current 2I 0 , and also assume that the emitter regions of transistors 3, 5 and the equivalent emitter regions of diodes 1, 2, 4 have the same area. At this time, the voltage drop across the diodes and the base emitter voltage drops across the transistors are equal to V be . Also, the base-emitter impedance of each transistor and diode impedance of each diode are the same.

이같은 구성에 있어, 입력 신호가 없을 때에는전류원으로 부터의 전류가 상기 두개의 병렬접속된 직렬회로들간에서 동등하게 분배된다. 따라서, 다이오드(1), (2)를 통해 전류 I0가 흐르며 또한 동일한 전류 I0가 트랜지스터(3)의 콜렉터-에미터 회로를 통하여, 그리고 다이오드(4)를 통해 흐른다.In such a configuration, in the absence of an input signal, the current from the current source is equally distributed between the two paralleled series circuits. Thus, current I 0 flows through diodes 1 and 2 and the same current I 0 also flows through the collector-emitter circuit of transistor 3 and through diode 4.

다음, 입력신호 is가 트랜지스터(3)의 에미터와 다이오드(4)의 접속점에 공급될 경우를 생각한다. 이때, 트랜지스터(3)의 콜렉터 전류가(I0-i1)으로 변한다고 가정하면, 키르히호프의 법칙을 생각해 보므로써, 다이오드(4)를 통해 전류 I0-i1+is가 흐르게 됨을 알수 있다. 이때 다이오드(4)의 양단간 전압이 트랜지스터(5)의 에미터 전압과 동등함을 생각해 보므로써, 트랜지스터(5)의 에미터 전류가 다이오드(4)를 통해 흐르는 전류와 동등함을 알수 있다. 이 경우, 트랜지스터(5)의 베이스 전류를 무시하면, 트랜지스터(5)의 콜렉터 전류는 에미터 전류와 같게 되고 또한, 다이오드(4)를 통해 흐르는 전류와 같게 됨을 알 수 있다. 즉 트랜지스터(5)의 콜렉터 전류가 I0-i1+is로 됨을 알 수 있다.Next, consider a case where the input signal i s is supplied to the connection point of the emitter of the transistor 3 and the diode 4. In this case, assuming that the collector current of the transistor 3 changes to (I 0 -i 1 ), considering the Kirchhoff's law, the current I 0 -i 1 + i s flows through the diode 4. Able to know. At this time, considering that the voltage across the diode 4 is equal to the emitter voltage of the transistor 5, it can be seen that the emitter current of the transistor 5 is equivalent to the current flowing through the diode (4). In this case, ignoring the base current of the transistor 5, it can be seen that the collector current of the transistor 5 becomes equal to the emitter current and also equal to the current flowing through the diode 4. In other words, it can be seen that the collector current of the transistor 5 becomes I 0 -i 1 + i s .

또한, 다이오드(1)의 양단간의 순방향 전압강하는 Vbe1다이오드(2)의 양단간 순방향 전압강하는 Vbe2트랜지스터(3)의 양단간 베이스-에미터 전압은 Vbe3, 그리고 다이오드(4)의 양단간 순방향 전압 강하는 Vbe4로 표현된다. 이때 제1도로 부터, (Vbe1+Vbe2)=(Vbe3+Vbe4)의 관계를 알 수 있는데 반도체의 기본 이론을 고찰해 볼때 In addition, the forward voltage drop between both ends of the diode 1 is the forward voltage drop between both ends of the V be1 diode 2, the base-emitter voltage between both ends of the V be2 transistor 3 is V be3 , and the forward between both ends of the diode 4. The voltage drop is expressed as V be4 . At this time, the relationship of (V be1 + V be2 ) = (V be3 + V be4 ) can be seen from the first road.

(k : 몰쯔만 상수, T : 켈빈절대온도, q : 전자의 전하, I : 다이오드 또는 트랜지스터를 통해 흐르는 전류, Is: 역포화 전류)이므로, 상기 (Vbe1+Vbe2)=(Vbe3+Vbe4)의 관계로 부터(k: Maltzmann constant, T: Kelvin absolute temperature, q: charge of electrons, I: current flowing through a diode or transistor, I s : reverse saturation current), so that (V be1 + V be2 ) = (V be3) From the relationship of + V be4 )

임을 알수 있는데, 이 관계로 부터 I0 2=(I0-i1)(I0-i1+is)이므로,을 구할 수 있다. 이때, 상기의 관계는의 조건이 만족될때와 같이 간단히 되어, 트랜지스터(3)의 콜렉터 출력전류 I0-i1로 되고 트랜지스터(5)의 콜렉터 출력전류 I0-i1+is로 된다.From this relationship, I 0 2 = (I 0 -i 1 ) (I 0 -i 1 + i s ), Can be obtained. At this time, the The relationship of When the condition of is satisfied As shown in FIG. 1, the collector output current I 0 -i 1 of the transistor 3 is And the collector output current I 0 -i 1 + i s of the transistor (5) It becomes

따라서, 상술한 바로 부터 알수 있듯이, 종래의 기술에 따른 제1도의 회로에 의한 한쌍의 차동출력 신호는의 조건이 성립하지 않을때에는 왜곡되므로, 이같은 난점을 해결하기 위해서는 대단히 큰 정전류 I0를 발생하는 전류원을 준비해야만 하는데, 이것은 제1도의 회로를 집적회로로 구성한 경우에는 실현 불가능하다. 또한, 선택적으로의 조건을 만족시키기 위해서 신호전류 is를 극히 낮은 값으로 제한하여야만 하는데 이것은 일반적으로 바람직하지 못하다.Therefore, as can be seen from the foregoing, the pair of differential output signals by the circuit of FIG. If the condition is not satisfied, it is distorted. Therefore, in order to solve such a problem, a current source generating a very large constant current I 0 must be prepared, which is not feasible when the circuit of FIG. Also, optionally The signal current i s must be limited to an extremely low value in order to satisfy the condition of, which is generally undesirable.

따라서, 이와 같은 난점을 해결하기 위해 본 고안에 따른 제2도의 회로가 제안되었다.Therefore, the circuit of FIG. 2 according to the present invention has been proposed to solve this difficulty.

제2도에 있어서, 다이오드(6) 및 (7)로 형성된 제1 직렬회로는 다이오드(10)와 트랜지스터(9)의 콜렉터-에미터 회로로 형성된 제2 직렬회로와 병렬로 결합된다. 트랜지스터(9)의 베이스-에미터 회로는 다이오드(7)와 병렬로 접속된다. 전류원(8)은 다이오드(6), (10)의 애노우드들의 접속점에 접속되어 병렬접속의 직렬회로들에 정전류를 공급한다. 전류원(8)은 제1도에 대해 설명된 형태로 되어도 좋다.In FIG. 2, the first series circuit formed of the diodes 6 and 7 is coupled in parallel with the second series circuit formed of the collector-emitter circuits of the diode 10 and the transistor 9. The base-emitter circuit of the transistor 9 is connected in parallel with the diode 7. The current source 8 is connected to the connection points of the anodes of the diodes 6 and 10 to supply a constant current to the series circuits of the parallel connection. The current source 8 may be in the form described with respect to FIG.

다이오드(6)과 (7)의 접속점, 즉, 다이오드(6)의 캐소드와 다이오드(7)의 애노우드간의 접속점은 트랜지스터(9)의 베이스및 출력 트랜지스터(12)의 베이스에 접속된다. 필요에 따라, 트랜지스터(12)의 베이스-에미터 회로와 병렬로 접속된 베이스-에미터 회로들을 가진 다른 출력 트랜지스터들, 즉, 도면에(12')로 도시된 바와 같은 트랜지스터들을 준비할 수도 있다. 그러나, 여기서는 단일출력 트랜지스터(12)만에 대해 설명한다. 또 다른 출력 트랜지스터(13)의 베이스는 트랜지스터(9)의 콜렉터에 접속되며, 또한 다이오드(10)의 캐소드에도 접속된다. 트랜지스터(13)는 트랜지스터(9)의 에미터와 공통접속인 에미터를 갖는다.The connection point of the diodes 6 and 7, that is, the connection point between the cathode of the diode 6 and the anode of the diode 7, is connected to the base of the transistor 9 and the base of the output transistor 12. If desired, other output transistors with base-emitter circuits connected in parallel with the base-emitter circuit of transistor 12 may be prepared, i.e., transistors as shown at 12 'in the figure. . However, only the single output transistor 12 is described here. The base of the further output transistor 13 is connected to the collector of the transistor 9 and also to the cathode of the diode 10. The transistor 13 has an emitter in common connection with the emitter of the transistor 9.

본 기술분야에 종사하는 사람들은 필요에 따라 다이오드(6), (7), (10)을 베이스 및 콜렉터가 공통 접속되는 다이오 접속형 트랜지스터로 형성할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 예시된 회로를 집적회로로 구성할 수도 있음을 알 수 있다. 본 예서는 보여지고 있지 않지만 전력 공급회로가 준비되어 트랜지스터들 및 전류원(8)에 동작전위를 공급함을 알 필요가 있다.Those skilled in the art can see that diodes 6, 7 and 10 can be formed as a diode connected transistor in which the base and the collector are commonly connected as necessary. In addition, it can be seen that the illustrated circuit may be configured as an integrated circuit. Although this example is not shown, it is necessary to know that the power supply circuit is prepared to supply the operating potential to the transistors and the current source 8.

트랜지스터(9), (12), (13)의 에미터 영역들 및 다이오드(6), (7), (10)의 등가에미터 영역들이 모두 동등하다고 가정하고, 또한 회로를 공통의 반도체 칩상에 집적회로로서 구성한다고 가정한다. 이 경우, 입력 신호가 인가되지 않을때에는, 전류원(8)으로 부터의 전류가 병렬접속의 직렬회로들간에 분배된다. 따라서, 다이오드(6), (7)에 대한 전류가 I0로 되며, 다이오드(10) 및 트랜지스터(9)의 콜렉터-에미터 회로를 통해 흐르는 전류도 I0로 된다.Assume that the emitter regions of transistors 9, 12, and 13 and the equivalent emitter regions of diodes 6, 7, and 10 are all equivalent, and the circuit is placed on a common semiconductor chip. Assume that it is configured as an integrated circuit. In this case, when no input signal is applied, the current from the current source 8 is distributed between the series circuits of the parallel connection. Thus, the currents for diodes 6 and 7 become I 0 , and the current flowing through the collector-emitter circuits of diode 10 and transistor 9 also becomes I 0 .

이와는 달리, 입력신호 is가 다이오드(6)과 (7)의 접속됨에 인가되어, 다이오드(6)를 통해 흐르는 전류를 I0-i1의 레벨로 감소시킨다고 하면, 키르히호프의 법칙에 의해 다이오드(7)를 통해 흐르는 전류가 I0-i1+is로 됨을 알 수 있다. 트랜지스터(9)의 베이스-에미터 전압은 다이오드(7)의 양단간 순방향 전압 강도와 동등하다.On the contrary, if the input signal i s is applied to the connection of the diodes 6 and 7 to reduce the current flowing through the diode 6 to the level of I 0 -i 1 , according to Kirchhoff's law It can be seen that the current flowing through (7) becomes I 0 -i 1 + i s . The base-emitter voltage of the transistor 9 is equal to the forward voltage intensity across the diode 7.

따라서, 트랜지스터(9)의 에미터 전류는 다이오드(7)의 순방향 다이오드 전류 I0-i1+is와 동등하다. 이때, 트랜지스터(13)의 베이스 전류를 무시하면, 다이오드(10)를 통해 흐르는 전류는 트랜지스터(9)에 에미터 전류와 동등한 I0-i1+is로 된다. 이 경우, 트랜지스터(12)의 베이스-에미터 회로는 트랜지스터(9)의 베이스-에미터 회로와 병렬로 접속되어 있나 때문에 트랜지스터(12)의 에미터 전류는 트랜지스터(9)의 에미터 전류 I0-i1+is와 동등한데, 이때, 트랜지스터(12)의 베이스 전류를 무시한다고 가정하면, 트랜지스터(12)의 콜렉터 전류가 에미터전류와 동등한 I0-i1+is로 됨을 알 수 있다. 이때, 전류원(8)으로부터 다이오드(6)과 (10)의 애노우드들에 대해 공급되는 전류들의 합은 2I0인 것을 생각하면, 제2도로 부터, (I0-i1)+(I0-i1+is)=2I0의 관계를 알 수 있고, 이 관계로 부터임을 알아낼 수 있다. 따라서 트랜지스터(12)의 콜렉터 전류 I0-i1+is으로 된다.Thus, the emitter current of the transistor 9 is equivalent to the forward diode current I 0 -i 1 + i s of the diode 7. At this time, if the base current of the transistor 13 is ignored, the current flowing through the diode 10 becomes I 0 -i 1 + i s equivalent to the emitter current in the transistor 9. In this case, the base-emitter circuit of the transistor 12 is connected in parallel with the base-emitter circuit of the transistor 9 so that the emitter current of the transistor 12 is the emitter current I 0 of the transistor 9. Equivalent to -i 1 + i s , where assuming that the base current of transistor 12 is ignored, the collector current of transistor 12 becomes I 0 -i 1 + i s, which is equivalent to the emitter current. have. At this time, considering that the sum of the currents supplied from the current source 8 to the anodes of the diodes 6 and 10 is 2I 0 , from the second degree, (I 0 -i 1 ) + (I 0 -i 1 + i s ) = 2I 0 , and from this relationship To find out. Thus, collector current I 0 -i 1 + i s of transistor 12 is Becomes

또한, 다이오드(10)와 트랜지스터(13)의 베이스-에미터 회로의 직렬회로가 다이오드(6)과 (7)의 직렬회로에 병렬접속되는 관계로 부터, 제2도에서 (Vbe6+Vbe7)=(Vbe10+Vbe13)의 관계를 알 수 있는데 제1도에 대해 적용한 반도체 이론을 여기에도 적용하면, 상기 단계로 부터의 관계를 알 수 있고, 이 관계로부터 Ix를 구하면임을 알 수 있다.In addition, since the series circuit of the base-emitter circuit of the diode 10 and the transistor 13 is connected in parallel to the series circuit of the diodes 6 and 7 in Fig. 2, (V be6 + V be7). You can see the relationship of == (V be10 + V be13 ). If you apply the semiconductor theory applied to FIG. If we know the relationship of, and I x from this relationship It can be seen that.

이상, 상술한 바로 부터 트랜지스터(13)의 출력전류 Ix로 되고, 트랜지스터(12)의 출력전류 I0-i1+is로 됨을 알 수 있다. 즉, 본 고안에 따른 제2도의 회로는 종래의 기술에 따른 조건와 무관하므로 제1도에 의한 조건가 성립되지 않아도 본 고안에 따라 구성된 제2도의 회로에 의한 차동 출력 신호에는 왜곡이 발생하지 않게 된다. 또한, 이와 같이의 조건을 만족시킬 필요가 없으므로, 전류원(8)이 큰 정전류를 발생할 필요가 없다. 게다가, 바이어스 회로가 필요없으므로 구성을 간단히 할 수 있음과 동시에 전원을 유효하게 이용할 수 있고 비교적 작은 동작 전위만을 필요로 하는 전력 공급회로를 사용할 수 있다.From the foregoing, the output current I x of the transistor 13 is And output current I 0 -i 1 + i s of transistor 12 is It can be seen that. That is, the circuit of FIG. 2 according to the present invention is a condition according to the prior art. As it is irrelevant to Even if is not established, the distortion is not generated in the differential output signal by the circuit of FIG. In this way, Since it is not necessary to satisfy the condition of, the current source 8 does not need to generate a large constant current. In addition, since the bias circuit is not required, the configuration can be simplified, the power supply can be effectively used, and a power supply circuit requiring only a relatively small operating potential can be used.

이외에도, 제2도에 도시한 바와 같이 트랜지스터(12)와 베이스를 공통으로 하는 복수개의 출력취출용 트랜지스터를 설치하고, 제2도에는 도시하지 않았지만, 트랜지스터(13)와 베이스를 공통으로 하는 복수개의 출력취출용 트랜지스터를 설치하여 복수개의 차동출력 전류를 얻는 경우에도 차동출력 신호들의 진폭이 감쇄되지 않는다.In addition, as shown in FIG. 2, a plurality of output take-out transistors having the same base as the transistor 12 and the base are provided. Although not shown in FIG. Even when a plurality of differential output currents are obtained by providing an output extracting transistor, the amplitudes of the differential output signals are not attenuated.

따라서, 본 발명의 구성은 한개의 싱글엔디드 신호 전류를 복수개의 차동출력 전류로 변화하는 경우에도 매우 유용하다는 장점이 있다.Therefore, the configuration of the present invention has an advantage that it is very useful even when one single-ended signal current is changed into a plurality of differential output currents.

제3도는 본 고안에 의한 신호 변환회로를 적용한 이득 제어회로를 도시한 것으로, 신호 전압원(14)은 저항기(15) 및 콘덴서(반드시 설치하지 않아도 좋은)를 통해 다이오드(6)과 (7)의 접속점에 접속된다. 신호전압원(14)으로 부터의 신호전압 Vi는 저항(15) 및 입력 임피던스에 의해 신호전류 Zi로 변환된다. 또한, 신호 변환회로의 일방의 출력 트랜지스터(12)의 콜렉터는 트랜지스터(17)의 에미터와 접속되며, 타방의 출력 트랜지스터(13)의 콜렉터는 트랜지스터(18)의 에미터와 접속된다. 트랜지스터(17) 및 (17)의 베이스에는 공통의 바이어스 전압된(19)이 접속된다.3 shows a gain control circuit to which the signal conversion circuit according to the present invention is applied. The signal voltage source 14 is connected to the diodes 6 and 7 through the resistor 15 and the capacitor (not necessarily installed). It is connected to the connection point. The signal voltage Vi from the signal voltage source 14 is converted into the signal current Zi by the resistor 15 and the input impedance. The collector of one output transistor 12 of the signal conversion circuit is connected to the emitter of the transistor 17, and the collector of the other output transistor 13 is connected to the emitter of the transistor 18. A common bias voltage 19 is connected to the bases of the transistors 17 and 17.

한쌍의 트랜지스터(20), (21)로 구성된 차동증폭기의 에미터 공통접속점에는 2I1의 정전류원(22)이 접속된다. 트랜지스터(20)의 베이스는 트랜지스터(17)의 에미터에 접속되며, 트랜지스터(21)의 베이스는 트랜지스터(18)의 에미터에 접속된다. 또한 트랜지스터(20), (21)의 콜렉터들에는 제각기 부하저항(23), (24)이 접속되며, 트랜지스터(21)의 콜렉터나 출력단자(25)로서 도출된다. 트랜지스터(12) 및 (13)의 콜렉터 전류로 인해 트랜지스터(20) 및 (21)의 콜렉터 전류가 제각기 (I1-IX) 및 (I1+IX)으로 변한다고 가정하고, 트랜지스터(17), (18), (20), (21)의 베이스-에미터간의 전압 강하를 제각기 Vbe17, Vbe18, Vbe20, Vbe21로 가정하면 제3도로 부터, (Vbe17+Vbe20)=(Vbe18+Vbe21)의 관계를 알 수 있으며, 이 관계로 부터의 관계를 얻어서 이 관계로 부터 ix를 구하면이다. 따라서 저항(24)의 값을 R24로 할때 출력전압 V0는 V0=R24 임을 알 수 있다.A constant current source 22 of 2I 1 is connected to the emitter common connection point of the differential amplifier composed of a pair of transistors 20 and 21. The base of transistor 20 is connected to the emitter of transistor 17, and the base of transistor 21 is connected to the emitter of transistor 18. Further, load resistors 23 and 24 are connected to the collectors of the transistors 20 and 21, respectively, and are derived as collectors or output terminals 25 of the transistors 21 and 21, respectively. Collector currents of transistors 12 and 13 And Suppose that the collector currents of transistors 20 and 21 change to (I 1 -I X ) and (I 1 + I X ), respectively, and transistors 17, 18, 20, and ( the base of 21), assuming the voltage drop across the emitter to respective V be17, V be18, V be20, V be21 claim from 3 degrees, (V be17 + V be20) = know the relationship between the (V be18 + V be21) Can be from this relationship If we get the relationship of and get i x from this relationship to be. Therefore, when the value of the resistor 24 is set to R 24 , the output voltage V 0 is V 0 = R 24. It can be seen that.

한편 입력 임피던스 Zi는Meanwhile, input impedance Zi

인데 이때,이면 상기 입력 임피던스 Zi는로 간단히 된다.In this case, If the input impedance Zi is Is simplified to

(여기서,이며, re는 트랜지스터 트랜지스터들의 에미터 저항이다).(here, Re is the emitter resistance of the transistor transistors).

이때, 저항기(15)의 값을 R15로 하면, 신호전류 is이므로 상기 출력전압 V0로 된다.At this time, if the value of the resistor 15 is set to R 15 , the signal current i s is Since the output voltage V 0 is It becomes

따라서, 상기 출력전압 V0의 식로 부터 명백히 알 수 있듯이, 이득제어, 즉, 출력신호 전압 V0의 이들은 전류원(8) 및 (22)중의 하나 또는 모두를 변화시켜, 이에 따라 I0또는 I1의 크기를 변화시키므로써 행할수 있는데 제3도의 이득제어 회로에 사용되는 전류원(8), (22)을 비교적 높은 저항값을 가진 저항으로 제각기 간단히 구성할 수 있다는 장점이 있으며, 제3도로 부터 알 수 있듯이, 본 고안에 따른 신호변화회로를 사용하여 싱글앤디드 입력신호를 한쌍의 차동출력 신호들로 변환하므로, 바이어스 전압 및 바이어스 전압회로망이 필요치 않아, 회로 구성이 간단하고 비교적 값싼 간단한 전력공급 회로를 사용할 수 있으며, 바이어스 전압을 제공하는데 고동작전압이 필요치 않게 된다는 장점이 있다. 또한 상기 이득결정식(16)의 분모가 매개변수을 갖는 것으로 부터 알 수 있듯이, 본 고안을 이득제어회로에 적용했을때에는 이득제어에 대한 에미터 저항 re의 영향이 저감 즉, 예로서로 됨을 알 수 있다.Therefore, the expression of the output voltage V 0 As can be seen clearly from the above, gain control, i.e., of the output signal voltage V 0 , can be done by changing one or both of the current sources 8 and 22 and thus changing the magnitude of I 0 or I 1 . There is an advantage that each of the current source (8), (22) used in the gain control circuit of Figure 3 can be simply configured with a resistor having a relatively high resistance value, as can be seen from Figure 3, the signal according to the present invention By using a change circuit, the single-ended input signal is converted into a pair of differential output signals, which eliminates the need for a bias voltage and a bias voltage network, so that a simple circuit configuration and a relatively inexpensive power supply circuit can be used. There is an advantage that no high operating voltage is required to provide. In addition, the denominator of the gain determination formula (16) is a parameter As can be seen from the above, when the present invention is applied to a gain control circuit, the influence of the emitter resistance re on the gain control is reduced, i.e. It can be seen that.

본 고안의 변형은 본 고안의 정신 및 범주를 벗어나지 않는 범위에서 가능하다. 예로서, 실시예에 사용된 다이오드들은 다이오드 접속형 트랜지스터로 형성될 수 있으며, 트랜지스터들을 상술한 방식으로 동작할 수 있는 어떤 적당한 형태를 취할 수도 있다. 또한 본 고안의 실시예들은 집적회로로 구성될 수도 있다.Modifications of the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the present invention. By way of example, the diodes used in the embodiments may be formed of diode-connected transistors, and may take any suitable form in which the transistors can be operated in the manner described above. In addition, embodiments of the present invention may be configured as an integrated circuit.

Claims (1)

신호변환 회로에 있어서, 다이오드(6)과 (7)로 구성된 제1 직렬회로와 다이오드(10)와 트랜지스터(9)의 콜렉터-에미터 회로로 구성된 제2 직렬회로를 병렬로 접속하되, 상기 제1 직렬회로와 상기 제2 직렬회로에 정전류가 공급되게끔 다이오드(6)과 (10)의 접속점에 전류원(8)을 접속하고 상기 다이오드(7)와 상기 트랜지스터의 베이스-에미터 회로가 병렬로 접속되게끔 상기 트랜지스터(9)의 베이스를 상기 다이오드(6)과 (10)의 접속점에 접속하며, 신호전류를 공급하는 신호원(11)을 상기 다이오드(6)과 (11)의 접속점에 접속하고, 신호원(11)으로부터 공급되는 신호의 함수인 한쌍의 차동 신호를 출력하는 출력트랜지스터(12) 및(13)을 상기 다어오드(6)과 (7)의 접속점 및 트랜지스터(9)의 콜렉터에 제각기 접속하여 구성한 것을 특징으로 하는 신호변환회로.In the signal conversion circuit, a first series circuit composed of the diodes 6 and 7 and a second series circuit composed of the collector-emitter circuits of the diode 10 and the transistor 9 are connected in parallel. The current source 8 is connected to the connection point of the diodes 6 and 10 so that a constant current is supplied to the first series circuit and the second series circuit, and the base-emitter circuit of the diode 7 and the transistor are connected in parallel. The base of the transistor 9 is connected to the connection point of the diodes 6 and 10 so as to be connected, and the signal source 11 for supplying the signal current is connected to the connection point of the diodes 6 and 11. And the output transistors 12 and 13 for outputting a pair of differential signals which are a function of the signal supplied from the signal source 11, and the connection points of the diodes 6 and 7 and the collector of the transistor 9 And a signal conversion circuit configured to be connected to each other.
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