KR820001208Y1 - Time switch - Google Patents
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- H03K17/296—Time-programme switches providing a choice of time-intervals for executing more than one switching action and automatically terminating their operation after the programme is completed
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
도면은 본 고안의 실시예를 표시하는 회로도.Figure is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
본 고안은 센서스윗치를 부설한 타임스윗치에 관한 것이다.The present invention relates to a time switch installed a sensor switch.
타임스윗치의 동작용으로는 구조접점 스윗치가 사용되어 왔었다.Structural contact switches have been used for the operation of time switches.
이러한 접점스윗치를 사용하면 접점의 개폐시에 아이크가 발생하므로 잡음의 주원인이 되고 또한 타임스윗치의 수명이 짧아진다는 결점이 있다.The use of such a contact switch has a drawback that the main cause of noise and shorten the life of the time switch because the ike occurs when opening and closing the contact.
따라서 타임스윗치에는 무접점 회로식의 센서스윗치를 사용하는 것이 적합하지만 종래의 센서스윗치는 구조가 복잡하고 집적회로등의 값비싼 부품을 요구하므로 타임스윗치에 전용하기에는 비경제적이다.Therefore, it is suitable to use a sensor switch of a contactless circuit type for the time switch, but the conventional sensor switch is not economical to be dedicated to the time switch because the structure is complicated and requires expensive components such as integrated circuits.
본 고안의 목적은 간단한 구조로 이루어진 고감도의 센서스윗치를 부설한 타임스윗치를 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a time switch with a high sensitivity sensor switch made of a simple structure.
이하 본고안은 첨부한 도면에 따라 실시예로서 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 고안은 도면에 표시한 바와 같이 4개의 다이오드를 브러지시킨 공지의 정류회로(1)와, 제1사이리스터(S1) 및 게이트전류 바이어스를 위하여 2개의 트랜지시터를 다알링톤 접속시킨 조합트랜지스터의 스윗칭회로와, 제2 사이리스터(S2) 및 게이트전류 바이어스용 조합트랜지스터(3)의 터치-온회로, 그리고 제3사이리스터(S3)와 게이트전류 바이어스용 트랜지스터(4)의 터치-오프회로와 스윗칭회로에 충전전압을 방전하는 전해콘덴서(5)에 병렬 접속되어 방전시간을 제어하는 저항(6), 가변저항(7) 및 저항(8)으로 이루어진 시간 제어회로로 구성되어 있으며 각각의 사이리스터(S1)(S2)(S3)의 게이트와 캐소오드사이에는 턴-오프 바이어스용 저항(9),(10),(11)이 각각 접속되어 있다.The present invention, as shown in the drawing, a known rectifier circuit (1) with four diodes brushed, a combination transistor in which the first thyristor (S 1 ) and two transistors are connected to Darlington for the gate current bias. Switching circuit, touch-on circuit of second thyristor S 2 and combination transistor 3 for gate current bias, and touch-off of third thyristor S 3 and gate current bias transistor 4 It is composed of a time control circuit composed of a resistor (6), a variable resistor (7) and a resistor (8) for controlling the discharge time in parallel with the electrolytic capacitor (5) for discharging the charging voltage in the circuit and the switching circuit. The turn-off bias resistors 9, 10, and 11 are connected between the gate and the cathode of the thyristor S 1 , S 2 , and S 3 , respectively.
제1 사이리스터(S1)의 애노오드와 캐소오드는 각각 정류회로(1) 양단에 접속되어 있으며 조합트랜지스터(2)의 에미터는 저항(12)을 경유하여 정류회로(1)의 1차측에 바이어스되는 한편, 저항(13)을 경유하여 정류회로(1)의 2차측에 접속되고 콜렉터는 제1사이리스터(S1)의 게이트에 접속되며 한편으로는 마일러콘덴서(14)를 경유하여 정류회로(1)의 2차측으로 접지됨과 아울러 베이스는 저항(15)을 경유하여 전해 콘덴서(5)의 일차측과 제2사이리스터(S2)의 캐소오드와의 접점에 접속되어 있다.The anode and cathode of the first thyristor S 1 are respectively connected across the rectifier circuit 1 and the emitter of the combination transistor 2 is biased to the primary side of the rectifier circuit 1 via the resistor 12. On the other hand, it is connected to the secondary side of the rectifying circuit 1 via the resistor 13 and the collector is connected to the gate of the first thyristor S 1 , and on the other hand, via the mylar capacitor 14. The ground is connected to the secondary side of 1) and the base is connected to the contact between the primary side of the electrolytic capacitor 5 and the cathode of the second thyristor S 2 via the resistor 15.
정류회로(1)의 1차측과 2차측 사이에서 전해 콘덴서(5)와 직렬 접속된 제2사이리스터(S2)의 게이트에는 조합트랜지스터(3)의 에미터가 접속되고, 콜렉터는 정류회로(1)의 1차측에 저항(16)을 게재하여 접속되며 베이스는 저항(17)과 콘덴서(18)를 점유하여 터치-온 단자에 접속되어 있다.An emitter of the combination transistor 3 is connected to the gate of the second thyristor S 2 connected in series with the electrolytic capacitor 5 between the primary side and the secondary side of the rectifier circuit 1, and the collector is connected to the rectifier circuit 1. The resistor 16 is connected to the primary side of the circuit and the base is connected to the touch-on terminal by occupying the resistor 17 and the capacitor 18.
전해 콘덴서(5)의 양단에는 저항(6), 가변저항(7) 및 이것에 직렬 접속된 저항(8) 그리고 제3 사이리스터(S3)가 차례로 병렬 접속되어 있고, 제3 사이리스터(S3)의 게이트에는 트랜지스터(4)의 에미터가, 그리고 애노오드에는 콜렉터가 각각 접속되어 있으며 베이스는 저항(19), 콘덴서(20)를 경유하여 터치-오프단자에 접속되어 있다.Electrolytic and both terminals of the capacitor 5 is provided with a resistance (6), the variable resistor 7, and this series-resistor (8) and a third thyristor connection (S 3) is in turn connected in parallel to the third thyristor (S 3) An emitter of the transistor 4 is connected to the gate of the transistor, and a collector is connected to the anode, respectively, and a base thereof is connected to the touch-off terminal via the resistor 19 and the capacitor 20.
도면의 미설명부호(21)(22)는 각각 잡음발생 45db이하로 하기위한 잡음소거용 콘덴서와 코일이며 (23)은 과부하 보호저항, (24)는 평활 콘덴서이다.In the drawing, reference numerals 21 and 22 are noise canceling capacitors and coils for noise generation of 45 d b or less, respectively, 23 is an overload protection resistor, and 24 is a smoothing capacitor.
다음에 본 고안 회로의 작용효과를 설명한다.Next, the effect of the circuit of the present invention will be described.
전원과 부하를 연결한 상태에서 제1 사이리스터(S1)는 비도통이므로 부하는 작동하지 않고 평활 콘덴서(24)의 양단에는 최대 전압이 가해져서 제2 사이리스터(S2)와 조합트랜지스터(3)에는 전압이 인가된다.Since the first thyristor S 1 is non-conducting while the power and the load are connected, the load does not operate and a maximum voltage is applied to both ends of the smoothing capacitor 24 so that the second thyristor S 2 and the combined transistor 3 are connected. Voltage is applied.
그러니 제2 사이리스터(S2)역시 비되통상태이며 이때 조합트랜지스터(3)의 베이스에 펄스를 바이어스하면 예컨대 사용자가 터치-온 단자에 손을 대면 조합트랜지스터(3)의베이스에 펄스를 바이어스하면 예컨데 사용자가 터치-온 단자에 손을 대면 조합트랜지스터(3)는 동작하여 제2 사이리스터(S2)의 게이트에 전류를 인가인다.Therefore, the second thyristor S 2 is also in a non-converted state. At this time, if the user biases the pulse of the base of the combination transistor 3, for example, when the user touches the touch-on terminal, the pulse of the base of the combination transistor 3 is biased. When the user touches the touch-on terminal, the combination transistor 3 operates to apply a current to the gate of the second thyristor S 2 .
이로인하여 제2사이리스터(S2)는 통전상태로 되어 부하가 작동함과 아울러 전해 콘덴서(5)는 충전되여 또한 조합트랜지스터(2)의 베이스에도 저항(15)을 경유하여 바이어스되어 제1사이리스의 (S1)의 게이트되어 전류를 인가한다.As a result, the second thyristor S 2 is energized, the load is operated, the electrolytic capacitor 5 is charged, and is also biased via the resistor 15 to the base of the combination transistor 2, thereby allowing the first thyristor S 2 to be energized. Is gated at (S 1 ) and applies a current.
터치-온 단자에의 펄스공급이 중단되며 예컨데 사용자가 터치-온 단자에서 손을떼면 조합트랜지스터(3)의 바이어스는 점차 감소되고 저항(10)을 통해 바이어스되므로 제2 사이리스터(S2)의 캐소오드와 게이트는 등가전압으로 되어 턴-오프됨과 동시에 전해 콘덴서(5)는 방전을 시작하여 조합트랜지스터(2)의 베이스에 계속 바이어스 해주므로서 제1 사이리스터(S1)는 통전상태를 유지한다.The pulse supply to the touch-on terminal is interrupted. For example, when the user releases the touch-on terminal, the bias of the combination transistor 3 is gradually reduced and biased through the resistor 10, so that the casing of the second thyristor S 2 is reduced. The electrode and the gate are turned off at the equivalent voltage, and at the same time, the electrolytic capacitor 5 starts discharging and continuously biases the base of the combination transistor 2, so that the first thyristor S 1 maintains an energized state.
전해콘덴서(5)의 방전시간은 가변저항(7)으로 조절되어 일정시간이 지나면 조합트랜지스터(2)의 베이스에 가해지는 바이어스는 점차 감소되어 종국에는 0으로 된다.The discharge time of the electrolytic capacitor 5 is controlled by the variable resistor 7, so that after a certain time, the bias applied to the base of the combination transistor 2 gradually decreases and eventually becomes zero.
따라서 제1 사이리스터(S1)는 그 게이트와 케소오드가 등가전압으로 되어 턴-오프되므로 부는하 소등된다.Accordingly, the first thyristor S 1 is turned off because the gate and the cathode are turned off at the equivalent voltage.
부하 작동시간은 가변저항으로 조절되는 것이나 지정시간전에 소등하기 위하여 터치-오프단자에 펄스를 가하면 트랜지스터(4)가 바이어스되어 제3 사이리스터(S3)가 도통되므로 전해 콘덴서(5)는 지정시간전에 제3 사이리스터(S3)에 의해 방전되며 이것에 의해 제1 사이리스터(S1)는 비도통상태로 되므로 부하는 즉시 소등되어진다.The load operating time is controlled by a variable resistor, but if a pulse is applied to the touch-off terminal to turn off before the specified time, the transistor 4 is biased and the third thyristor S 3 is conducted so that the electrolytic capacitor 5 The third thyristor S 3 is discharged, whereby the first thyristor S 1 is in a non-conductive state, and the load is turned off immediately.
본 고알에 있어서 터치-온, 터치-오프단자의 감도는 저항(17)과, 콘덴서(18) 트리고 저항(19)과 콘덴서(20)에 의해 고감도로 되어지며 또한 감전예방과 절연내력을 높일 수 있는 효과도 있다.In this goal, the sensitivity of the touch-on and touch-off terminals is made high by the resistor 17, the capacitor 18, the trigo resistor 19 and the capacitor 20, and the electric shock prevention and insulation strength can be enhanced. There is also an effect.
이와같이 본 고안은 트랜지스터의 베이스에 펄스를 가하여 사이리스트의 게이트에 전류를 바이어스하도록 구성해서 터치 감도가 우수한 무접점 회로식 센서스윗치를 제공할 수 있으므로 종래의 접점식 스윗치에서 볼수 있는 결점을 근본적으로 해결할 수 있음과 동시에 타임스윗치의 동작상태가 양호하다는 등의 이점을 얻을 수 있는 매우 실용적인 고인이다.As such, the present invention can provide a contactless circuit sensor switch having excellent touch sensitivity by applying a pulse to the base of the transistor to bias the current in the gate of the silist, thereby fundamentally solving the defects found in the conventional contact switch. In addition, it is a very practical deceased that can obtain advantages such as good operation of the time switch.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019810003343U KR820001208Y1 (en) | 1981-05-09 | 1981-05-09 | Time switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019810003343U KR820001208Y1 (en) | 1981-05-09 | 1981-05-09 | Time switch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR820001208Y1 true KR820001208Y1 (en) | 1982-06-05 |
Family
ID=19221734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019810003343U KR820001208Y1 (en) | 1981-05-09 | 1981-05-09 | Time switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR820001208Y1 (en) |
-
1981
- 1981-05-09 KR KR2019810003343U patent/KR820001208Y1/en active
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