KR820000957B1

KR820000957B1 - 전원 장치

Info

Publication number: KR820000957B1
Application number: KR8201537A
Authority: KR
Inventors: 다까아끼 마사기; 도오루 모리오까
Original assignee: 이우에 가오루; 산요덴기 가부시기가이샤
Priority date: 1978-02-27
Filing date: 1982-04-07
Publication date: 1982-05-29

Abstract

내용 없음.

Description

전원 장치

제1도는 본 발명 전원장치의 제1실시예 회로도.

제2도는 그 인버어터의 출력 파형도.

제3도는 각부 파형도.

제4도는 동 제2실시예 회로도.

제5도 및 제6도는 제4도의 콜렉터 전류 파형도.

제7도는 동 콘덴서의 전압 파형도.

제8도는 본 발명의 제3실시예 회로도.

제9도는 인버어터 부하회로의 변형회로도.

제10도는 제9도에 있어서 전원전압 변동에 대한 충전전류의 변동 특성도.

제11도 및 제12도는 인버어터 부하를 축전지의 충전회로로 할때의 상이한 과충전 방지회로도.

제13도는 제12도에 있어서의 축전지의 충전전압 파형도.

제14도는 본 발명 원출원(78-488호)의 참고 예시도.

제15도는 노이즈 특성도.

본원은 특허출원 78-488호(1978.2.27)의 분할출원으로서 상기 전원장치에서 본 발명 전원장치의 실시예의 회로도를 제1도에 의하여 설명하면, 다이오우드(D₃)(D₄)를 각각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 에미터 콜렉터에 역방향으로 설치한 것을 특징으로 한다.

이렇게 하여 다이오우드(D₃)(D₄)가 없을 때의 2차 코일(L₂)의 + 반파출력 파형은 제2a도가 정상적인데 대해, 제2b도와 같이 펄스형상부(9)를 가지고, 이 펄스 형상부에 의해 출력파형이 변형됨과 동시에 트랜스(T)에서 저주파 진동음이 발생한다.

그래서 트랜지스터는 예를들면(Q₂)의 베이스, 에미터간 전압(VB_E)의 파형을 조사하면, 제3a도에 표시한 것이다.

이 트랜지스터(Q₂)의 베이스 전류(I_B), 콜렉터 전류(I_C) 및 에미터전류(I_E)의 각 파형은 동도 (b)(f)(g)와 같이 되는 점에서, 트랜지스터(Q₂)의 도통 기간은 동도 (a)중의 (W)이다.

그러나 동도 (a)에서 베이스전류(I_B)의 동작개시부(10)에 따라서 전압(VB_E)이 +가 되지만, 파선부(11)와 같이 +를 유지하지 않고 요부(12)를 나타낸다.

이 요부(12)에 기인해서 전술한 펄스 형상부(9)가 되는 것으로 생각된다.

트랜지스터(Q₂)가 차단에서 도통 상태로 절환되면, 1차 코일(L₁)에는 점(1)에서 점(2)의 방향으로 전류가 흐르려고 하나, 그전에 트랜지스터(Q₁)의 도통으로 1차코일(L₁)에는 점(2)에서 점(1)의 방향으로 통전되고 있었으므로, 그 역기전력에 의해 트랜지스터(Q₂)의 도통에도 불구하고 1차 코일전류(L₁)는 동도 (h)에 표시한 바와같이 -(13) 점(2)에서 점(1)의 방향으로 흐른다.

콘덴서(C₅)의 전류(I_C5), 저항(R₅)의 전류(IR₅)및 베이스저항(R₂)의 전류(IR₂)가 각각 동도 (c)(d)(e)에 표시한 파형인 것을 고려하면, 상기 -(13)의 전류는 콘덴서 (5) 및 저항(R₅)의 병렬회로, 귀환코일(L₄)을 개재해서 트랜지스터(Q₂)의 베이스에서 콜렉터에 흐르고, 이것에 의해 상기 -(13)의 전류가 트랜지스터(Q₂)의 에미터·콜렉터를 개재해서 흐르는 것으로 생각된다.

이 때문에 트랜지스터(Q₂)는 역방향으로 전류가 흐르는 소위 역트랜지스터가 되고, 베이스 에미터간 전압(VB_E)이 요부(12)를 갖는 것으로 생각된다.

따라서 도통하려고 하는 트랜지스터(Q₂)를 역기전력에 의해 차단하기 때문에 펄스형상부(9)가 생기는 것으로 생각된다.

그래서 1차코일(L₁)에 생기는 역기전력을 다이오우드(D₄)에 의해 트랜지스터(Q₂)에서 바이패스 시키고, 그 에미터. 콜렉터간에 흐르지 않게한 바, 2차코일(L₂)의 출력 파형은 제2a도에 표시한 것이 되고, 펄스 형상부(9)가 나타나지 않게 되므로, 출력파형의 변형도 없고, 또 트랜스(T)로 부터의 저주파 진동음이 없어진다.

이때의 트랜지스터(Q₂)의 베이스, 에미터간 전압(VB_E)의 파형은 제3i도에 표시한 것이되고, 다이오우드(D₄)의 전류(ID₄)는 동도 (j)에 표시한 것이었다.

이상 트랜지스터의 한쪽(Q₂)에 관련하여 설명하였으나 다른쪽(Q₁)에 대하여도 마찬가지이다.

따라서 한쌍의 트랜지스터(Q₁)과 (Q₂)의 절환시에 발생하는 상기 1차 코일의 역기전력이 상기 트랜지스터에 역방향으로 흐르므로서 생기는 상기 출력의 파형변형 및 이것에 기인하는 상기 트랜스의 진동음을 상기 트랜지스터의 에미터. 콜렉터 간에 역방향에 다이오우드를 접속 하므로서 해소할 수가 있다.

또한 제4도는 동 변형예를 표시한 것으로, 각 귀환코일(L₃)(L₄)의 일단은 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 베이스에 접속되고 있으며, 그 타단은 각각 베이스 저항(R₁)(R₂) 및 베이스 콘덴서(C₇)(C₈)로 되어 있는 시정수 직렬회로(14)(15)를 개재하여 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 에미터에 접속되어서 베이스 바이어스 회로를 구성한다. 각 베이스 바이어스 회로의 귀환코일(L₃)(L₄)과 시정수직렬회로(14)(15)의 각 접속점(16)(17)과 중간접속점(1) 사이에는 각각 콘덴서(C₄)(C₅) 및 저항(R₄)(R₅)의 병렬 회로가 삽입되어 있다.

도면중(R₇)(R₈)의 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 베이스. 에미터 간에 접속되는 저항으로서 베이스 콘덴서(C₇)(C₈)의 방전용 및 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 베이스. 에미터 간의 역내압 저감용이다. 이 저항(R₇)(R₈) 대신에 다이오우드를 사용하여도 된다. (F)는 노이즈 필터회로이다.

그래서 한쪽의 트랜지스터 예를들면(Q₂)가 도통하면 제5도에 표시한 바와 같이 그 콜렉터전류(I_C)가 흘러, 콜렉터전류(I_C)가 없어지기 직전에 트랜스(T)의 코어(CO)가 자기포화 상태가 되어 제5도중 점선(18)으로 표시한 피이크전류(I_C′)가 흐른다.

그 피이크 때문에 분할 콘덴서(C₂)의 전압(VC₂)은 급격히 강하해서 전압(VC′₂)이 된다.

이 전압 변화시의 트랜지스터(Q₂)의 베이스 전압의 변동분(ΔV)은, 콘덴서(C₅)가 없을 때에는,

가 되고, 그 변동분(ΔV)이 작으므로 트랜지스터(Q₂)의 베이스 전류를 급격히 감소하는데에 이르지 못하고, 제5도에 표시한 피이크전류(IC′)가 생긴다. 여기서 (R₂)(R₅)는 저항(R₂)(R₅)의 저항치이다.

이에 대해 콘덴서(C₅)를 갖출때에는, 이 콘덴서가 전압(VC₅)에 충전되어 있으므로 분할콘덴서(C₂)가 1차코일(L₁)을 개재해서 방전할 때, 트랜지스터(Q₂)의 베이스 전압의 변동분(ΔV′)은,

ΔV′=(VC₂-VC₅)-(VC′₂-VC₅)=VC₂-VC′₂

로 되고, 이 변동분(ΔV′)는 (ΔV)보다 크고, 트랜지스터(T₂)의 베이스 전류를 감소시킬 수가 있어 콜렉터 전류(I_C)는 피이크 특성을 갖지않는 제5도의 실선특성(19)이 된다.

이 점은 다른쪽의 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터전류에 대하여도 마찬가지로서 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 전류부담 및 발열을 경감할 수 있다. 상술한 바와같이 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 콜렉터전류(I_C)는 제5도에 표시한 피이크 특성을 갖지않는 특성(19)이 있으나, 그 차단시점(t)은 각 트랜지스터의 전류증폭율(β)의 대소에 따라 다르다. 즉, 제6도에 표시한 바와 같이 전류증폭율이 큰 트랜지스터의 차단점(20)에 대해, 전류증폭율이 작은 트랜지스터의 차단점(21)은 빠른시점이고, 전류증폭율이 다른 트랜지스터의 도통 기간의 차(Δt)가 생겨, 인버어터 출력이 정·부 대칭이 되지 않는다.

제4도에 있어서, 한쌍의 트랜지스터의 한쪽(Q₁)이 다른쪽(Q₂)의 전류증폭율 보다 작다고 하면, 전류 증폭율이 작은 쪽의 트랜지스터(Q₁)의 베이스 스위치 전압이 다른쪽(Q₂)의 그것에 비해 크고, 이 때문에 한쪽의 트랜지스터(Q₁)에 대응하는 쪽의 분할콘덴서(C₁)의 전압(VC₁)은 다른쪽의 분할콘덴서(C₂)의 전압(VC₂)보다 커진다.

이 때문에 각 트랜지스터의 베이스 바이어스 회로에 설치한 시정수직렬 회로(14)(15)의 시정수가 같을 때에도 그 공급전압(VC₁)(VC₂)이 다르므로, 각 베이스콘덴서(C₇)(C₈)의 전압(VC₇)(VC₈)은 각각 제7도에 표시한 특성을 가지고, 도면중의 전압(VC′₇)에 대응된 베이스 전압에 의해 한쪽의 트랜지스터(Q₁)가 차단되고 마찬가지로 전압(VC′₈)에 대응하는 베이스 전압에 의해 트랜지스터(Q₂)가 차단한다. 따라서 전류증폭율이 다른 경우에도 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 도통기간이 대략 동일하게 되고, 각 트랜지스터의 온도상승의 불균형이 적어진다.

다음에 제8도는 본 발명의 변형예를 표시한 것으로, 각 베이스 저항(R₁)(R₂)에 각각 콘덴서(C₉)(C₁₀)를 병렬로 접속한 것을 특징으로 한다.

이들 콘덴서(C₉)(C₁₀)는, 베이스저항(R₁)(R₂), 귀환코일(L₃)(L₄) 및 저항(R₄)(R₅)과 함께 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 대칭적 바이어스회로(7)(8)를 구성한다.

또 저항(R₄)(R₅)은 베이스 저항(R₁)(R₂)으로 직류 출력단(5)(6)에 접속되는 직렬회로를 구성하고, 전력손실을 작게하기 위해 저항(R₄)(R₅)의 저항치는 베이스저항(R₁)(R₂)의 그것에 비해 크게되어 있다.

그래서 콘덴서(C₉)(C₁₀)가 없을 때에는, 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 베이스·에미터간의 바이어스는 각 베이스 저항(R₁)(R₂) 및 저항(R₄)(R₅)의 직렬회로의 분압과 귀환코일(L₃)(L₄)의 유기전압만으로 정해지기 때문에 트랜지스터의 차단기간이 짧아지는 경향이 되고, 소망하는 발진 주파수를 정하기 어렵게 된다.

이에 대해 콘덴서(C₉)(C₁₁)를 설치 할 때에는, 각 귀환코일(L₃)(L₄)의 유기전압에 의해 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 베이스. 에미터를 개재하여 콘덴서(C₉)C₁₀)가 충전되어, 그 충전 전하가 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 차단후, 베이스 저항(C₉)(C₁₀)을 개재해서 방전하여 소정전압으로 저하할 때까지 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)를 차단 상태로 유지한다.

이 콘덴서(C₉)(C₁₀)를 설치하는 대신에 점선으로 표시한 바와 같이 콘덴서(C₄)(C₅)를 저항(R₄)(R₅)에 병렬로 접속하므로서, 각 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 차단기간을 조정할 수 있으나, 이 경우에는 저항(R₄)(R₅)의 저항치가 베이스저항(R₁)(R₂)의 그것에 비해 크기 때문에, 콘덴서(C₄)(C₅)로서 큰 내압의 것을 사용하지 않으면 안되고, 고가로 됨과 동시에 콘덴서의 치수가 크게되는 결점이 있다. 이와 같이 각 베이스 저항에 콘덴서를 병렬로 접속하면, 각 트랜지스터의 바이어스회로가 대칭적으로 되어, 인버어터 출력을 대칭파형에 근접시킬 수 있음과 동시에 상기 콘덴서에 의해 각 트랜지스터의 차단기단을 정할수가 있고 인버어터의 발진 주파수를 정하기 쉽게된다.

또한 상기 콘덴서를 상기 저항에 병렬 접속한 경우에 비해 베이스 저항에 병렬 접속할 경우, 콘덴서의 내압 및 치수를 작게할 수가 있고, 염가인 인버어터를 제공할 수가 있다.

다음에 제9도는 2차 코일(L₂)의 부하회로(L)의 변형예를 표시한 것으로, 2차코일(L₂)의 양단은 각각 베이스·에미터간을 단락한 평면형 트랜지스터(Q₃)(Q₄)의 베이스·콜렉터 접합을 순방향에 개재해서 축전지(B) 및 직류모우터(M)의 일단에 접속되고, 축전지(B) 및 직류모우터(M)의 각 타단은 제1, 제2의 스위치 접점(22)(23)에 접속된다.

또 2차코일(L₂)의 중간랩(24)은 제3스위치 접점(25)에 접속되어 2차 코일(L₂)의 일단은 한류저항(R₆)을 개재해서 제4스위치 접점(26)에 접속된다. (27)은 스위치 단락편으로서, 직류모우터(M)를 사용할때에는 실선위치에 절환되어, 상용전원의 접속시에는 중간랩(24)을 개재해서 트랜지스터(Q₃)(Q₄)의 베이스·콜렉터로 전파정류되어 인버어터의 1/2 출력 전압의 전자정류출력으로 모우터(M)를 구동함과 동시에 축전지(B)를 충전한한다.

한편 직류모우터(M)를 사용하지 않을 때에는 스위치 단락편(27)은 점선위치에 절환되어, 축전지(B)는 2차 코일(L₂)의 전출력 전압의 반파전류 출력으로 충전된다. 이 종류의 부하회로는 제4도에 표시한 바와같이 발진트랜스(T)의 2차 코일(L₂)의 양단은 각각 다이오우드(D₁)(D₂)을 개재해서 축전지(B)의 일단에 접속되고, 그 타단은 한류저항(R₆)을 개재해서 2차코일(L₂)의 중간랩(24)에 접속되고, 축전지(B)의 양단은 스위치접편(27)을 개재해서 직류모우터(M)에 접속되어, 스위치 접편(27)의 오프시 한류저항(R₆)이 단락된다. 따라서 축전지(B)는 인버어터회로(28)의 2차 코일(L₂)의 1/2 출력전압의 전파 정류출력으로 충전되게 되는 것이다.

그래서 이 종류의 발진트랜스(T)의 2차코일(L₂)의 권회수가 극히 적으므로(예를들면 10턴), 특히 종래장치에 있어서는 인버어터회로(28)의 1/2 출력 전압으로 축전지를 충전하기 때문에 그 한류저항(R₆)의 값도 작어서 상용 전원 전압의 변동에 따른 축전지 충전 전류의 변동이 제10도(X)에 표시한바와 같이 큰 결점이 있다.

이에 대해 제9도의 실시예에 있어서는, 2차 코일(L₂)에 나타나는 인버어터 전출력전압으로 축전지(B)를 충전하기 때문에, 그 한류저항(R₆)의 값이 종래 장치의 한류저항(R₆)의 그것에 비해 크므로(수배) 제10도(Y)에 표시한바와 같이 상용전원전압의 변동에 대한 축전지 충전 전류의 변동이 작아진다.

다음에 종래 장치의 다이오우드(D₁)(D₂)의 구조는 외부리이드선의 양단 내부에 페릿이 직접 접속되어 있으며, 그 파괴는 외부리이드선 사이가 온이되는 것보다 오프가 되는 가능성이 크고, 직류모우터(M) 또는 축전지(B)의 단락시 2차 코일(L₂)에 큰 단락전류가 계속흘러 인버어터회로 부품이 발화할 염려가 있다.

이에 대해 제9도의 실시예에 있어서는 다이오우드 대신에 평면형 트랜지스터(Q₁)(Q₂)를 사용하여 그 베이스·콜렉터 접합의 정류특성을 이용하는 것으로서, 또 평면형 트랜지스터의 구조는 외부리이드선과 페릿과의 사이에 30 미크론 정도의 본딩와이어(내부 리이드선)가 접속되어 있으며, 트랜지스터의 콜렉터 전류의 용량은 와이어에 의해서 규제된다.

따라서 직류모우터(M) 또는 축전지(B)의 단락시에 2차 코일(L₂)에 흐르는 커다란 단락전류로 본딩와이어가 용단되어, 인버어터회로 부품의 발화사고를 방지할 수 있다.

또한, 트랜지스터의 베이스·에미터 접합은 보통 다이오우드와 마찬가지로 생각되고 있으나, 그 VEBO(베이스 개방시의 베이스·에미터간 전압)이 낮으므로, 2차 코일(L₂)의 유기전압이 클 때에는 사용할 수 없는 염려가 있어, 이점을 제거하기 위해 트랜지스터의 베이스·콜렉터 접합을 사용한다.

이와 같이 하여 상용전원 전압의 변동에 대한 충전 전류의 변동을 작게할 수 있다.

또 그 정류기로서 다이오우드 대신에 평면형 트랜지스터의 베이스·콜렉터 접합을 사용하므로, 직류모우터 또는 축전지의 단락시, 이 트랜지스터의 외부리이드선과 페릿 사이에 접속되어 있는 본딩화이어가 용단해서 인버어터회로에 부하 단락에 의한 커다란 전류가 흐르는 것을 저지할 수 있고, 또 베이스·에미터 접합이 아니라 베이스·콜렉터 접합을 사용하기 때문에 그 정격을 높일 수가 있다.

다음에 제11도는 가포화트랜스(T)의 2차코일(L₂)의 부하회로(L)를 축전지(B)의 충전회로로 할 때에 축전지(B)의 충전전압이 소정 충전전압에 도달하면, 인버어터회로(28)의 작동을 제어하려고 하는 것이다.

즉, 축전지(B)의 양단에는 저항(R₉)과 정전압소자(DZ)의 직렬회로와, 축전지(B)가 충전되어가서 그 전지충전량이 소정치가 될 때를 검출하는 검출회로(DE)가 병렬 접속되어 있으며, 소정의 전지 충전량의 검출로서는 전지충전량에 대응하는 전지전압이 정전압소자(DZ)에 의한 기준전압에 달하는 점을 검출한다.

오퍼레이션앰프로된 검출회로(DE)의 출력단에는 스위치소자(Q₅)를 폐로하는 작동소자(D₅)가 설치되어 있다. 실시예에에서는 스위치소자(Q₅)로서 광트랜스터, 작동소자(D₅)로서 발광 다이오우드를 사용하고 있으며, 양자는 포오트 카브터로 결합되어 있다.

그래서 충전되어서 전지 전압이 상승되어 정전압소자(DZ)의 기준전압에 달하면, 검출회로(DE)의 출력에 의해 작동소자(D₅)로서의 발광 다이오드가 점등하여, 그 빛을 받어서 스위치소자(Q₅)로서의 광트랜지스터가 도통한다.

따라서 트랜지스터(Q₂)의 베이스·에미터간이 단락되므로서, 귀환 코일(L₄)에 유기되는 전압은 트랜지스터(Q₂)의 베이스·에미터에 인가되지 않게 되므로, 이 트랜지스터(Q₂)는 차단하게 되는 것이다.

또 이 트랜지스터(Q₂)의 차단에 의해, 분할콘덴서(C₁)의 충전회로가 차단되므로서, 이 분할콘덴서(C₂)가 충전되지 않게되어, 트랜지스터(Q₁)의 도통이 없어진다.

이 때문에 인버어터의 발진이 정지하여, 전지의 충전을 정지한다. 따라서 제11도의 실시예에 의하면, 한쪽의 트랜지스터를 차단하므로서 인버어터의 발진을 정지할 수가 있고, 그 발진 정치기구는 한쌍의 트랜지스터를 직접 차단하는 것에 비해 간단하게 되고, 하아프브리지형 인버어터를 전지의 충전장치에 사용하는 것에 의한 충전전류의 증대를 유효하게 이용할 수가 있으며, 전지를 급속 충전할 수 있다.

제12도는 제11도의 변형예로서, 콘덴서(C₄)(C₅)에는 각각 다른 콘덴서(C₁₁)(C₁₂)가 자각 스위치소자(Q₆)(Q₇)를 개재해서 병렬 접속되어 있다.

또한 전지(8)의 양단에는 저항 (R₉)과 정전압소자(DZ)의 직렬회로와, 전지(B)가 충전되어 가고 그 전지 충전량이 소정치가 될 때를 검출하는 검출회로(DE)가 병렬 접속되어 있으며, 소정의 전지충전량의 검출로서는 전지충전량에 대응된 전지전압이 정전압소자(DZ)에 의한 기준 전압에 단하는 점을 검출한다.

오퍼레이션 앰프로된 검출회로(DE)의 출력단에는 스위치소자(Q₆)(Q₇)를 폐로하는 작동소자(D₅)(D₆)가 설치되어 있다. 실시예에서는 스위치소자(Q₆)(Q₇)로서 광트랜지스터, 작동소자(D₅)(D₆)로서발광 다이오우드를 사용하고 있다.

그래서 충전되어서 전지전압이 상승되어 정전압소자(DZ)의 기준전압에 달하면, 검출회로(DE)의 출력에 의해 작동소자(D₅)(D₆)로서의 발광다이오우드가 점등하여, 그 빛을 받어서 스위치소자(Q₆)(Q₇)로서의 광트랜지스터가 도통한다.

따라서 콘덴서(C₁₁)(C₁₂)는 각각 콘덴서(C₄)(C₅)에 병렬 접속되어, 콘덴서(C₄)와 (C₁₁),(C₅)와 (C₁₂)와 합성용량이 커진다. 이들의 콘덴서는 1차 코일(L₁)의 역기전력에 의해, 각각 귀환코일(L₃)(L₄) 및 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 베이스·콜렉터를 개재해서 충전된다.

콘덴서(C₅) 및 (C₁₂)에 눈을 돌려 설명하면, 트랜지스터(Q₁)가 온, (Q₂) 오프상태에서, (Q₁)이 오프, (Q₂)가 온으로 전환될 때, 1차 코일(L₁)의 역기전력에 의해, 콘덴서(C₅)(C₁₂)는 귀환코일(L₄) 및 트랜지스터(Q₂)의 베이스·콜렉터를 개재해서 충전된다. 이때의 콘덴서와 용량은 콘덴서(C₁₂)를 접속하지 않을 때의 그것에 비해 크므로 온이 되려고 하는 트랜지스터(Q₂)의 역바이어스 기간이 길어진다.

직류출력단(5)의 전과 정류출력의 파고치가 커질때에 그 트랜지스터(Q₂)의 베이스·에미터간이 순바이어스된다.

이 때문에 트랜지스터(Q₂)의 도통기간은 전파 정류출력의 파고치가 높을 때이고, 콘덴서(C₁₁)(C₁₂)가 없을때의 다이오우드(D₁)(D₂)의 출력이 제13도에서 점선으로 표시한 포락선(29)임에 비해, 동도면중 기간(30)만이 되어, 보족충전이 된다.

따라서 제12도의 실시예에 의하면 축전지의 소정의 충전상태에 달하는 것을 검출해서 콘덴서 용량를 증대하여 트랜지스터의 역 바이어스 기간을 설정하고, 트랜지스터의 온 기간을 짧게해서, 금속충전으로 절환하도록 하였으므로, 하아프브리지형 인버어터를 사용한 전지의 충전장치의 사용 범위를 넓힐 수 있다.

마지막으로 제14도에 있어서의(C₁₃)은 노이즈흡수등 콘덴서로서 그 일단(7)은 전지(B)의 위장통 혹은 모우터(M)의 케이스등의 표면적이 큰금 속케이스에 접속되어, 타단(8)은 전파 전류회로(D)의 정류 출력단 즉, 직류출력단(5) 또는 (6)에 접속된다.

이 콘덴서(C₁₃)는 트랜스(T)의 1차측과 2차측과차측과를 직류적으로는 분리하고, 교류적으로 결합하는 것으로서, 1차코일(L₁)에 나타나는 노이즈가 2차코일(L₂)을 개재해서 전지(B)의 의장통중에 전달되나, 의장통의 노이즈는 이 콘덴서(C₁₃)에 의해 트랜스(T)의 1차측에 흡수된다.

덧붙여서 실험에 의하면 제15도에 표시한 바와 같이 콘덴서(C₁₃)가 없을 때에는 특성(X)인데 대해 콘덴서(C₁₃)를 설치할 때에는 특성(Y)이고, 노이즈를 수데시벨 저감할 수가 있었다.

이와 같이 인버어터 부하로서 또한 표면적이 큰 전지의 의장통과, 혹은 모우터케이스등의 금속케이스와 인버어터 입력측의 상용전원의 정류출력단과 사이에 노이즈 흡수용 콘덴서를 부착하였으므로, 인버어터의 입출력측을 직류적으로 분리해서 노이즈를 흡수할 수가 있고, 또한 커다란 전지충전전류를 얻을 수가 있다.

이상과 같이 본 발명에 의하면, 하아프브리지형 인버어터의 한쌍의 트랜지스터의 바이어스회로를 대칭으로 하기 때문에 동작이 안정된 전원장치가 얻어지고, 또 한쌍의 트랜지스터를 상호성 트랜지스터로 구성하므로서 상기 바이어스 회로의 대칭화와 연관해서 동작이 한층 안정되고, 효율이 좋은 전원장치가 얻어진다.

또 본 발명에 의하면 소형이고 상대적으로 큰 출력이 얻어지므로, 전기면도기등의 가반식 전기기기의 전원장치에 가장 적합한 것이다.

Claims

트랜지스터의 에미터와 콜렉터 사이에는, 트랜스의 2차 코일에 나타나는 출력파형의 정형용 다이오우드를 에미터·콜렉터의 역방향에 갖추고 베이스 저항은 각각 베이스 콘덴서를 직렬로 하거나 각각 병렬로 다른 콘덴서를 갖추고 트랜스의 2차 코일은 평면형 트랜지스터의 베이스 콜렉터 전압을 개재하여 직류부하에 접속되고 트랜스의 2차 코일 출력으로 충전되는 축전지의 소정충전 전압에 따라서 한쪽의 트랜지스터의 베이스·에미터 간을 단락하고 또한 소정충전 상태에 따라서 콘덴서의 용량을 증대시키고 트랜스의 2차 코일 출력으로 급전되는 부하의 금속 케이스와 직류 전원단과의 사이에 노이즈흡수용 콘덴서를 삽입하여서 되는 전원장치.