KR810000179B1 - 점등관의 가동전극 제조방법 - Google Patents

점등관의 가동전극 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

점등관의 가동전극 제조방법
제1도는 종래의 소형 점등관의 구조도.
제2도는 본 발명의 제조방법으로 전처리 공정이 끝난 바이메탈 금속판을 확대한 단면도.
제3도는 본 발명의 제조방법으로 전처리 한 것을 전사방사 물질로 합금층을 처리한 바이메탈 금속판을 확대한 단면도.
제4도는 본 발명의 제조방법으로 합금층을 처리하는 단면도.
제5도는 본 발명의 제조방법으로 처리된 바이메탈을 가등전극으로 절단 형성한 단면도.
종래의 소형 점등관은 초자관(1)과 도입선(2)의 바이메탈 금속을 전기 용접하여 가동전극(3)으로 하고, 반대 방향으로 고정전극(4)를 설치하여, 적당량의 알곤깨스(8)을 봉입한 소형 점등관이다.
이 점등관을 사용전압 100볼트에서 동작시키기 위하여 전자 방사물질로 알카리토 금속의 일종인 바륨을 사용한다.
금속바륨은 공기중에서 맹열히 산화하기 때문에 질화물인 질화바륨(Ba(N3)2)을 사용하며, 이 질화물은 점등관 제조 공정중의 배기공정에서 열을 가할 때 금속 바륨과 질소 깨스로 분해되고 이때의 질소 깨스는 배기장치의 진공 품푸에 의하여 배기가 되고 금속 바륨은 초자관(1)의 내면에 박막 형태로 남아 있어서 사용전압 100볼트에서 동작이 가능하게 된다. 초자관(1)의 체적은 직경 7미리×길이 28미리 정도로 원통형 점등관보다 소형으로 제작되어 있어서, 수명이 짧은 것은 주지의 사실이다. 또한 전자방사물질로 화학적인 질화물(AZIDE)이 사용되기 때문에, 그 취급은 위험물 취급에 속하고 종종 사고가 발생하는 것도 주지의 사실이다. 또한 제조공정중에 불량이 많이 발생하는 것도 주지의 사실이다. 이것은 질화바륨의 분해온도가 섭씨 180도 부터 섭씨 250도 사이에서 분해하기 때문에 초자관(1)을 봉지 작업할 때 열 전도에 의하여 대기중에서 일부 분해하여 산화물 또는 수산화물의 화학적인 변화가 되기 때문이다.
이러한 상태의 점등관은 전자 방사 밀도가 극히 적으므로 사용 전압 100볼트 내외에서 형광등을 점등시키지 못한다.
또한 이러한 소형 점등관은 원통형 점등관보다 수배정도 소형이기 때문에 전기적 특성이 양호하지 못하다. 즉 형광등을 점등 시킬 때 고정전극(4)와 바이메탈 가동전극(3) 사이에 방전에 의하여 접점 부분에 용착하는 현상이 일어나기 때문에 이로 인하여 형광 등의 수명을 짧게하고 계속 용착되어 있는 상태 일때는 형광등 기구의 안정기가 고부화로 인하여 발열하여 화재의 원인도 된다. 전자방사 물질로 질화물 바륨이 사용되기 때문에 작업자의 전문적인 취급과 고도의 숙련을 필요로 하고 특히 배기 공정에서는 더욱 그러하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점이 발생하는 화학물질인 알카리 토금속의 질화바륨을 사용하지 아니하고 원소 주기율표의 탄타니드 겨래의 탄탄늄 금속과 동의 합금으로 형성하여 바이메탈 가동전극(3)의 표면에 합금층으로 부착된 것을 특징으로 한다. 종래의 질화바륨의 사용 방법은 질화물을 증류수와 혼합하여 바이메탈 가동전극(3)에 도포하여 공기중에서 수분을 건조하여 초자체(1)과 봉지 작업하여 배기 공정중에서 열을 가하여 전술한 바와 같이 사용하나 본 발명은 제2도와 같이 바이메탈 금속(5)를 제1도의 도입선(2)에 용접하기 전에 란탄늄 금속과 동과 합금하기 위하여 제2도의 바이메탈 금속판(5)에 적당한 두께의 전기 동도금층(6)을 만든다. 이것을 전처리 공정이라 한다. 그리고 제4도에서 전기도금 도어 있는 바이메탈 금속판(10)을 화석(LIGHTER FLINT)의 분말(9)와 혼합하여 가열통(12)에 불활성 깨스(11)의 분위기 속에서 혹은 진공중에서 섭씨 450도에서 섭씨 550도 정도로 열을 가하면 제2도의 바이메탈 금속(5)의 표면에 전기동도금 되어 있는 동(6)과 제4도의 화석 분말(9) 속에 고함량 되어있는 란탄늄과 용이하게 이온치환 되어 적당한 비율의 합금이 생기고, 이 합금이 제3도의 바이메탈금속(5) 표면에 단단히 부착되어 있는 합금층이(7) 형성된다. 이러한 합금층(7)이 형성된 제3도의 바이메탈 금속판을 제5도와 같이 절단형성하여, 제1도의 소형 점등관에 사용하면 합금층(7)이 본 발명의 제조방법으로 제작된 전자방사 물질의 표면층으로 형성되어 있는 바이메탈 금속 가동전극(3)으로 작용하며 사용전압 100볼트 내외에서 용이하게 동작한다.
본 발명에 사용되는 화석분말(9)는 원소의 주기율표에서 판타니드 겨래에 속하는 밋슈메탈을 주성분으로 하여 만들어진 것인데 그 물리 조성은 다음과 같다. 중량적으로 Ce 45-52%, La 23-30%, Nd 13-15%, Pr 4-5%, Fe 3-5%의 밋슈메탈 금속에 순철을 중량적으로 7-10% 정도넣고 탈산제로 마그네슘을 2-3%와 약간의 알미늄 금속이나 아연으로 조성된 금속의 합금이다 이러한 화석을 사용하는 이유는 밋슈메탈 속에 고함량되어 있는 란탄늄 금속의 전자방사 물질로 작용하기 때문이다.
본 발명으로 제조된 소형 정등관은 점등관 제조 공정중의 봉지작업 공정중에서 제1도의 초차체(1)과 도입선(2)와 봉지 작업 중에서 열 전도에 의하여 바이메탈 가동전극(3)이 일부 산화된다 하여도, 금속합금이기 때문에 그 표면만 산화가 된다.
이 산화막은 점등관 제조 공정 중에서 에이칭 공정에서 용이하게 탈락이 되어 사용전압 100볼트 내외에서 형광등을 양호하게 동작시킨다. 또한 란탄늄 금속과 동 합금은 전기의 스파크를 제거시키는 작용으로 인하여 종래의 점등관에서 발생되는 접점 부분의 방전으로 인한 용착 형상이 전혀 없어, 정확하게 형광등을 점등 시키는 효과가 있다.
종래의 질화바륨의 점등관은 금속바륨이 박막으로 초자관(1)의 내부에 남아 있음으로 그 평균 수명이 짧으나 본 발명의 제조방법으로 제작된 관은 합금층(7)에 다량 함량되어 있는 란탄늄 금속이 점등중 방전으로 전부 확산 될 때까지 사용할수 있음으로 그 평균 수명은 질화바륨의 점등관 보다 수배 정도가 길다. 따라서, 제1도와 같이 종래의 점등관 구조에 제3도와 같이 란탄늄, 금속과 동의 합금층(7)로 제작된 것을 특징으로 하는 점등관의 자동전극의 제조 방법이다.

Claims (1)

  1. 점등관 내부의 바이메탈 가동전극(3)을 동(6)으로 전처리한후 가열통(12)에 넣고 화석의 분말(9)와 불활성 분위기(11)에서 가열하여 가동전극(3)의 표면에 전자 방사 합금층(7)을 제조하는 것을 특징으로 한 점등관의 가동전극 제조방법.
KR1019800004522A 1980-11-27 1980-11-27 점등관의 가동전극 제조방법 KR810000179B1 (ko)

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