KR800000740Y1 - Test lead for measuring transistor including checker resistance - Google Patents
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Abstract
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Description
제1도는 사용상태를 표시하는 정면도.1 is a front view showing a state of use.
제2도는 저항이 들어있는 시험측정기를 절개한 사시도.2 is a perspective view of a test instrument containing a resistance incision.
제3도는 저면도.3 is a bottom view.
제4도는 회로도.4 is a circuit diagram.
제5a도, 제5b도는 일반 회로도.5a and 5b are general circuit diagrams.
제6도, 제7도,제8도는 본 고안의 저항이 들어있는 시험 측정기를 사용한 회로도.6, 7, and 8 are circuit diagrams using a test meter containing the resistance of the present invention.
본 고안은 트랜지스터 첵커 저항이 들어있는 측정용 테스트리드에 관한 것으로 전기 테스트 리드를 사용하므로서 내장된 전지(電池)로 인하여 저항을 측정할 수 있는 회로게이면 어느것이나 간단히 트랜지스터의 임피이던스 변환능력을 테스트할 수 있는 것을 특징으로 하는 것이다.The present invention relates to a measurement test lead containing a transistor checker resistor. Any circuit circuit capable of measuring the resistance due to the built-in battery by using an electrical test lead can easily test the impedance conversion capability of the transistor. It can be characterized.
본 고안을 도면에 의하여 설명하면 플러그 2의 부분은 회로계의 + 또는 - 단자에 접속시키게 되는 것이며, 플러그 2를 테스트 접속플러그겸 저항이 들어있는 상자의 손잡이 1단부에 돌설하며(길이 약 20m/m) 타단에 설치한 B 코오드 5는 트랜지스터의 베이스단자에 접속하게 되어있는 집계가 부착되어 있는 코오드로서 일측에 집계 3, 그 반대측은 10ΚΩ∼30ΚΩ로 되어 있는 시험측정용의 베이스 전류조정용 저항 7을 통하여 플러그 2에 접속되어 있으며 또한 C 코오드 6은 트랜지스터의 콜렉터 단자에 접속되는 집계 4가 부착된 코오드로서 일측에 집게 4, 타측은 직접플러그 2에 접속되도록 한 것이다.When the present invention is described with reference to the drawings, the part of plug 2 is to be connected to the + or-terminal of the circuit system. m) The B code 5 installed at the other end is a code with an aggregate attached to the base terminal of the transistor, and the aggregate 3 on one side and the counter current 7 for test measurement having 10 kΩ to 30 kΩ on the opposite side. The C code 6 is connected to plug 2 through C, and the code 4 is connected to the collector terminal of the transistor. The code 4 is connected to the tongs 4 on one side and the plug 2 on the other side.
저항이 들어있는 측정용 테스트 리드가 회로게의 저항 측정렌지에 접속되었을 때의 동작은 다음과 같다.The operation when the test lead with resistance is connected to the resistance measuring range of the circuit is as follows.
제5a도는 일반적 회로계의 저항측정회로를 표시한 것으로 EB는 내부 전지로서 통상 1.5V∼3V, M은 지시계, VR은 영점(0Ω) 조정장치로서 가변저항기, RM은 이 회로의 R1, R2, R3, 지침계 M의 저항, 또는 VR등의 종합된 a, b 단자로부터 본 내부 저항이다.Fig. 5a shows a resistance measuring circuit of a general circuit system, where E B is an internal battery, typically 1.5 V to 3 V, M is an indicator, V R is a zero (0 Ω) adjusting device, and R M is the R of this circuit. 1 , R 2 , R 3 , internal resistance seen from the combined a and b terminals, such as the resistance of the indicator M, or V R.
제5b도는 제5a도의 도면의 +, - 단자에 각각 트랜지스터의 에미터 E와 콜렉터 C와의 접속하였을 때에 상태를 표시하는 것으로서 이 경우 E-C간의 임피이던스에 따라서 전류 IC즉 회로계 오옴 측정회로의 측정전류가 흐르지만 이 크기는 즉 ICE0로서(베이스 개방 콜렉터전류) 거의 영(0)에 가깝다. 따라서 회로계의 지시는 제5c도와 같이 오옴눈금으로 무한대의 위치에 가깝다.FIG. 5B shows the state when the emitter E and the collector C of the transistor are connected to the + and-terminals of FIG. 5A, respectively. In this case, the current I C, that is, the measured current of the circuit-based ohmic measurement circuit according to the impedance between ECs But this magnitude is near zero, i.e. as I CE0 (base open collector current). Therefore, the instruction of the circuit system is close to the position of infinity in the ohmic scale as shown in FIG. 5C.
제6a도는 본 고안의 트랜지스터 첵커 저항이 들어있는 측정용 테스트 리드를 회로계에 접속한 상태로서 즉 트랜지스터의 에미터 E와 회로계의 +단자를 접속하고, 이 고안에 관련된 트랜지스터 첵커로 되는 저항이 들어있는 측정용 테스트 리드의 플러그 2를 회로계의 -단자에 접속하며, 트랜지스터와 콜렉터와 B코오드 5를 각각 접속한다. 이 상태에서는 제5b도와 동일하게 베이스 개방 콜렉터전류 즉 ICE0의 근소한 전류가 흐를 뿐이다.6A shows a state in which a test test lead containing a transistor checker resistor according to the present invention is connected to a circuit system, that is, the emitter E of the transistor and the + terminal of the circuit system are connected to each other, and the resistance of the transistor checker according to the present invention is connected. Connect plug 2 of the measurement test lead included to the negative terminal of the circuit system, and connect the transistor, collector, and B code 5. In this state, the base open collector current, that is, a slight current of I CE0 , flows in the same manner as in FIG. 5B.
그러나, 본 고안에 의한 C코오드 6를 트랜지스터의 베이스에 접속하게 되면 시험측정기의 베이스 전류조정용 저항 7을 통하여 트랜지스터 베이스의 전류가 트랜지스터의 베이스에 미터간에 흘러서 임피이던스 변환작용으로 트랜지스터의 임피이던스가 직류전류 증폭을 (hFE)에 비례적으로 작아져서 회로계의 지시는 증대한다.However, when the C code 6 according to the present invention is connected to the base of the transistor, the current of the transistor base flows between the meters to the base of the transistor through the base current adjusting resistor 7 of the test instrument, and the impedance of the transistor is amplified by the impedance conversion action. Is reduced in proportion to (h FE ) so that the indication of the circuit system increases.
그 비율은 hFE에 비례한다.The ratio is proportional to h FE .
제7도는 PNP트랜지스터 경우의 측정으로서 본 고안의 플러그 2는 NPN트랜지스터의 경우와 반대측의 +단자에 접속하면 된다. B코오드 5는 앞에서와 같이 트랜지스터의 콜렉터에 B코오드 5는 같은 베이스에 접속하여 회로계의 -단자측은 트랜지스터의 에미터에 접속한다.7 is a measurement of the case of a PNP transistor, and plug 2 of the present invention may be connected to the + terminal on the opposite side to that of the NPN transistor. As described above, B code 5 is connected to the collector of the transistor and B code 5 is connected to the same base, and the negative terminal side of the circuit system is connected to the emitter of the transistor.
시험측정기의 베이스 전류 조정용 저항 RB을 통하여 트랜지스터 베이스 전류 IB가 흘러서 트랜지스터의 임피이던스가 직류 전류증폭을 hFE에 비레적으로 작게되며 회로침(回路針)의 지시가 증대하는 원리는 전항 NPN의 경우와 동일하다.The transistor base current I B flows through the base current adjusting resistor R B of the test instrument, so that the impedance of the transistor decreases the DC current amplification to h FE , and the indication of the circuit needle increases. Same as the case.
이와같이 본 고안에 의한 저항이 들어있는 측정용 테스트 리드를 사용하므로써 내장 전지에 의하여 저항을 측정할 수 있는 회로계이면 어느 것이나 간단하게 트랜지스터의 임피이던스 변환능력을 시험할 수가 있다.Thus, by using the measurement test lead containing the resistance of the present invention, any circuit system capable of measuring resistance by an internal battery can easily test the impedance conversion capability of the transistor.
따라서 회로계는 간단하게 트랜지스터 첵커(checker)로 되어 써어비스 능력은 한층 향상된다.Therefore, the circuit system simply becomes a transistor checker, and the service capability is further improved.
트랜지스터 측정의 경우 계산예를 표시하면 제8도에서 EB는 회로계 내장 전지의 전압(공칭치=公稱値) RM은 단자, a, b에서 본 회로계 오옴측정 회로의 내부저항, IC는 회로계 오옴측정회로의 측정전류(RX에 의하여 변한다) RX는 피측정 임피이던스, 이 경우 트랜지스터의 콜렉터에 미터간의 저항으로서 회로계 오옴눈금을 지시하는 치, RB는 본 고안의 시험측정기의 베이스 전류 조정용저항(30K), IB는 트랜지스터 베이스 전류로서 회로계 +, - 단자간의 전압과 RB의 크기로 결정하는 치(値)In the case of transistor measurement, the calculation example is shown. In FIG. 8, E B is the voltage of a battery with a built-in circuit system (nominal value = R), M M is the terminal, and the internal resistance of the circuit ohmic measurement circuit as seen from a and b, I C. the circuit-based ohms (varies with the R X) the measured current of the measuring circuit R X is the measured impedance, Chi, R B to indicate the type ohmic grid to the collector as between the meter resistance circuit in this case, transistor test meter of the subject innovation a base current adjusting resistor (30K), I B + is based, as the transistor base current circuit into a voltage value for determining the size of the R B between the terminals (値)
트랜지스터의 베이스 에미터간의 전압강하를 VBE로 하면If the voltage drop between the base emitter of the transistor is V BE
(1), (2), (3) 식에서In the formulas (1), (2) and (3)
계산에, 회로계 중심눈금 500Ω 내장전지 1.5V × 2 = 3V 제8도의 상태의 회로계의 오옴지시 500Ω라 가정 RB=300ΚΩ로 한다.Calculated, and a circuit-based central grid 500Ω internal battery 1.5V × 2 = 3V claim 8 ohms la instructions 500Ω home R B = 300ΚΩ the circuit system of the degree state.
게루마늄 트랜지스터의 경우 VBE를 0.1V로 하면 hFE≒64, 상기한 바와같이 회로계의 내장전지의 전압은 공칭치(nominal value)로 정하여져 있으며, RM즉 내부저항은 오옴눈금의 중심치이므로 위식에 표시하는 바와같이 회로지시가 표시하는 RX의 오옴치를 판독하게되면 계산예와 같이 대체적인 증폭율의 계산도 구할 수가 있으며, 이 식을 기본으로 하여 미리 눈금판에 눈금을 표시할 수도 있다.In the case of germanium transistor, if V BE is 0.1V, h FE ≒ 64, as described above, the voltage of the built-in battery of the circuit system is defined as a nominal value, and R M, that is, the internal resistance is the center of the ohmic scale. As shown in the above equation, if you read the ohm value of R X indicated by the circuit instruction, you can also calculate the alternative amplification factor as shown in the calculation example. have.
이상과 같이 본 고안에 의한 저항이 들어있는 측정용 테스트 리드를 사용하므로서 내부전지에 의하여 저항을 측정할 수 있는 회로계이면 어느것이나 매우 간단하게 트랜지스터의 임피이던스 변환능력을 시험할 수 있으므로 회로게는 간단하게 트랜지스터 첵커로 되며 써어비스 능력은 한층 향상되는 효과가 있다.As described above, any circuit system capable of measuring the resistance by the internal battery using the test lead containing the resistance according to the present invention can be tested very simply because the impedance conversion capability of the transistor can be tested. It is a transistor checker, and the service capability is further improved.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR800000740Y1 true KR800000740Y1 (en) | 1980-05-30 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR7906447U KR800000740Y1 (en) | 1979-10-25 | 1979-10-25 | Test lead for measuring transistor including checker resistance |
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