KR20240110885A - Jigs for clamps and cleaning devices - Google Patents

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히로시 하마시마
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교세라 가부시키가이샤
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Abstract

본 개시의 클램프용 지그는 지주부와, 상기 지주부의 일방의 단부에 위치하고 있고 기판의 외주부를 파지하기 위한 파지부와, 지주부의 타방의 단부에 위치하고 있고 지주부를 지지하기 위한 기부를 포함하고, 파지부는 탄화규소 또는 산화지르코늄을 주성분으로 하는 세라믹스로 이루어지는 본체와, 상기 본체의 선단에 위치하는, 본체보다 열전도율이 낮은 제 1 단열층을 구비해서 이루어진다.The clamp jig of the present disclosure includes a support part, a grip part located at one end of the support part for gripping the outer periphery of the substrate, and a base located at the other end of the support part for supporting the support part, and the gripping part includes: The unit includes a main body made of ceramics containing silicon carbide or zirconium oxide as a main component, and a first heat insulating layer located at the tip of the main body and having a lower thermal conductivity than the main body.

Description

클램프용 지그 및 세정 장치Jigs for clamps and cleaning devices

본 발명은 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이(LCD)용 기판 등의 기판을 파지하기 위한 클램프용 지그 및 이것을 사용한 세정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a clamp jig for holding a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal display (LCD) substrate, and a cleaning device using the same.

종래, 기판을 소정의 약액이나 순수 등의 세정액에 의해 세정하여, 기판에 부착된 파티클, 유기 오염물, 금속 불순물 등의 콘타미네이션, 에칭 처리 후의 폴리머 등을 제거하기 위해서 세정 장치가 사용되고 있다.Conventionally, a cleaning device is used to clean a substrate with a cleaning liquid such as a predetermined chemical solution or pure water to remove particles, organic contaminants, contamination such as metal impurities attached to the substrate, and polymer after etching treatment.

이러한 세정 장치를 포함하는 액 처리 장치로서, 특허문헌 1에는 기판을 수평으로 유지하는 유지 수단을 구비하고, 이 유지 수단이 기판의 끝면을 유지하는 파지부를 갖는 액 처리 장치가 개시되어 있다. 기판을 수평으로 유지하는 유지 수단으로서, 특허문헌 2에서는 기판을 위로부터 압박하는 클램퍼가 제안되고, 클램퍼의 재질이 탄화규소인 것이 기재되어 있다.As a liquid processing device including such a cleaning device, Patent Document 1 discloses a liquid processing device including holding means for holding a substrate horizontally, and the holding means having a grip portion for holding the end surface of the substrate. As a holding means for holding the substrate horizontally, Patent Document 2 proposes a clamper that presses the substrate from above, and describes that the material of the clamper is silicon carbide.

특허문헌 3에서는, 기판과 접하는 접촉면측에 레지스트 재료의 부착을 억제하는 부착 방지층(도전층)을 갖는 환상의 클램프 지그가 제안되어 있다. 그리고, 클램프의 재료로서 알루미나가, 부착 방지층으로서 DLC(Diamond Like Carbon)막이 각각 예시되어 있다.Patent Document 3 proposes a circular clamp jig having an anti-adhesion layer (conductive layer) on the contact surface side in contact with the substrate to suppress adhesion of the resist material. In addition, alumina is exemplified as a material for the clamp, and a DLC (Diamond Like Carbon) film is exemplified as an anti-adhesion layer.

일본 특허 제5726686호 공보Japanese Patent No. 5726686 Publication 일본 특허공개 평4-130627호 공보Japanese Patent Publication No. 4-130627 일본 특허공개 2014-154866호 공보Japanese Patent Publication No. 2014-154866

본 개시의 클램프용 지그는 지주부와, 상기 지주부의 일방의 단부에 위치하고 있고 기판의 외주부를 파지하기 위한 파지부와, 지주부의 타방의 단부에 위치하고 있고 지주부를 지지하기 위한 기부를 포함하고, 파지부는 탄화규소 또는 산화지르코늄을 주성분으로 하는 세라믹스로 이루어지는 본체와, 상기 본체의 선단에 위치하는, 본체보다 열전도율이 낮은 제 1 단열층을 구비해서 이루어진다.The clamp jig of the present disclosure includes a support part, a grip part located at one end of the support part for gripping the outer periphery of the substrate, and a base located at the other end of the support part for supporting the support part, and the gripping part includes: The unit includes a main body made of ceramics containing silicon carbide or zirconium oxide as a main component, and a first heat insulating layer located at the tip of the main body and having a lower thermal conductivity than the main body.

본 개시에 의한 세정 장치는 상기 클램프용 지그를 포함한다.The cleaning device according to the present disclosure includes the clamp jig.

도 1은 본 개시의 일 실시형태에 의한 클램프용 지그를 장착한 세정 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2a는 도 1에 나타내는 클램프용 지그와 클램프용 지그의 회전판에의 부착 상태를 나타내는 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 있어서의 A부의 일례를 나타내는 확대도이다.
도 2c는 도 2b에 나타낸 A부를 상면으로 본 확대도이다.
도 3a는 본 개시의 일 실시형태에 있어서의 본체와 제 1 단열층의 경계 부분을 나타내는 모식적인 확대 단면도이다.
도 3b는 본 개시의 일 실시형태에 있어서의 본체와 제 2 단열층의 경계 부분을 나타내는 모식적인 확대 단면도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시형태에 의한 클램프 지그의 단면을 연마, 에칭해서 얻어지는 면을 나타내는 현미경 사진이다.1 is a schematic diagram showing the schematic configuration of a cleaning device equipped with a clamp jig according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 2A is a cross-sectional view showing the clamp jig shown in FIG. 1 and the attachment state of the clamp jig to the rotating plate.
FIG. 2B is an enlarged view showing an example of portion A in FIG. 2A.
FIG. 2C is an enlarged view of part A shown in FIG. 2B as seen from the top.
3A is a schematic enlarged cross-sectional view showing the boundary portion between the main body and the first heat insulating layer in one embodiment of the present disclosure.
3B is a schematic enlarged cross-sectional view showing the boundary portion between the main body and the second heat insulating layer in one embodiment of the present disclosure.
Figure 4 is a micrograph showing a surface obtained by polishing and etching the cross section of a clamp jig according to an embodiment of the present disclosure.

이하, 본 개시의 클램프용 지그를 도 1 및 2에 의거해서 상세하게 설명한다. 도 1은, 본 개시의 일 실시형태에 의한 클램프용 지그(22)를 장착한 세정 장치(30)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.Hereinafter, the clamp jig of the present disclosure will be described in detail based on FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a schematic diagram showing the schematic configuration of a cleaning device 30 equipped with a clamp jig 22 according to an embodiment of the present disclosure.

도 1에 나타내는 세정 장치(30)는 하우징(1)과, 하우징(1)의 내부에 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이(LCD)용 기판 등의 다양한 기판(W)을 세정하기 위한 공간을 제공하는 챔버(2)를 구비하고 있다.The cleaning device 30 shown in FIG. 1 includes a housing 1 and a chamber ( 2) is provided.

하우징(1)은 하우징(1)으로 기판(W)을 반입하거나, 하우징(1)으로부터 기판(W)을 반출하거나 하기 위한 제 1 창부(3)를 갖고 있고, 제 1 창부(3)는 제 1 셔터(4)에 의해 개폐된다. 반송 암(5)은 기판(W)을 탑재하고, 제 1 창부(3)를 통해서 하우징(1)으로 기판(W)을 반입하거나, 하우징(1)으로부터 기판(W)을 반출하거나 한다.The housing 1 has a first window 3 for loading the substrate W into the housing 1 or unloading the substrate W from the housing 1, and the first window 3 has the first window 3. 1 Opened and closed by the shutter (4). The transfer arm 5 mounts the substrate W, and carries the substrate W into the housing 1 through the first window 3 or unloads the substrate W from the housing 1.

제 1 창부(3)는 기판(W)의 반입출 시 이외, 제 1 셔터(4)에 의해 폐쇄되어 있다. 제 1 셔터(4)는 하우징(1)의 내부에 설치되어, 하우징(1)의 내부에서 제 1 창부(3)를 개폐하도록 되어 있다.The first window 3 is closed by the first shutter 4 except when loading or unloading the substrate W. The first shutter 4 is installed inside the housing 1 to open and close the first window 3 from the inside of the housing 1.

챔버(2)는 챔버(2)로 기판(W)을 반입하거나, 챔버(2)로부터 기판(W)을 반출하거나 하기 위한 제 2 창부(6)를 갖고 있고, 제 2 창부(6)는 제 2 셔터(7)에 의해 개폐된다. 반송 암(5)은 제 2 창부(6)를 통해서 챔버(2) 내로 진입 혹은 챔버(2)로부터 퇴출하여, 챔버(2)의 내부에 설치된 회전 척(8)에 대하여 기판(W)의 수수를 행하도록 되어 있다.The chamber 2 has a second window 6 for loading the substrate W into the chamber 2 or unloading the substrate W from the chamber 2, and the second window 6 is the second window 6. 2 It is opened and closed by the shutter (7). The transfer arm 5 enters or exits the chamber 2 through the second window 6, and transfers the substrate W to the rotary chuck 8 installed inside the chamber 2. It is supposed to be done.

제 2 셔터(7)는 챔버(2)의 내부에 설치되고, 챔버(2)의 내부에서 제 2 창부(6)를 개폐하도록 되어 있다.The second shutter 7 is installed inside the chamber 2 and is designed to open and close the second window 6 from the inside of the chamber 2.

챔버(2) 내에 질소 등의 건조 가스를 공급하는 가스 공급부(9)가 챔버(2)의 천판에 설치되어 있다. 가스 공급부(9)는 회전 척(8)에 유지된 기판(W)에 공급된 약액의 증발에 의한 챔버(2) 내의 충만을 방지하기 위해서 건조 가스를 하향으로 공급한다. 건조 가스가 하향으로 공급되면, 기판(W)의 표면에 오염물인 워터마크가 생기기 어려워진다.A gas supply unit 9 that supplies dry gas such as nitrogen into the chamber 2 is installed on the top plate of the chamber 2. The gas supply unit 9 supplies dry gas downward to prevent filling of the chamber 2 due to evaporation of the chemical solution supplied to the substrate W held in the rotating chuck 8. When the dry gas is supplied downward, it becomes difficult for watermarks, which are contaminants, to appear on the surface of the substrate W.

챔버(2) 내에는 기판(W)을 수용하는 처리 컵(10)과, 처리 컵(10) 내에서 기판(W)을 유지하는 회전 척(8)과, 기판(W)의 이면으로부터 떨어져 위치하는 언더 플레이트(11)와, 기판(W)의 표면으로부터 떨어져 위치하는 탑 플레이트(16)가 설치되어 있다.Inside the chamber 2, there is a processing cup 10 that accommodates the substrate W, a rotating chuck 8 that holds the substrate W within the processing cup 10, and is positioned away from the back surface of the substrate W. An under plate 11 positioned above the surface of the substrate W and a top plate 16 positioned away from the surface of the substrate W are provided.

처리 컵(10)은 상부에 경사부를, 저부에 드레인(10a)을 각각 구비하고 있다. 처리 컵(10)의 경사부가 형성된 상부가 회전 척(8)에 유지된 기판(W)보다 상방에 위치하는 위치(도 1에서는 실선으로 나타내어지는 위치이다. 이하 「처리 위치」라고 기재하는 경우가 있다.)와, 상부가 회전 척(8)에 유지된 기판(W)보다 하측의 위치(도 1에서는 2점 쇄선으로 나타내어지는 위치이다. 이하 「퇴피 위치」라고 기재하는 경우가 있다.) 사이에서 승강 가능하게 되어 있다.The treatment cup 10 has an inclined portion at the top and a drain 10a at the bottom. The position where the inclined portion of the processing cup 10 is formed is located above the substrate W held by the rotary chuck 8 (the position indicated by a solid line in FIG. 1. Hereinafter referred to as “processing position”) ) and a position lower than the substrate W whose upper part is held by the rotary chuck 8 (this is the position indicated by the two-dot chain line in FIG. 1. It may hereinafter be referred to as the “retracted position”). It is possible to go up and down.

처리 컵(10)은 반송 암(5)과 회전 척(8) 사이에서 기판(W)을 수수하는 경우, 반송 암(5)의 진입이나 퇴출을 방해하지 않도록 퇴피 위치에 유지된다. 한편, 회전 척(8)에 유지된 기판(W)을 세정하는 경우, 처리 컵(10)은 처리 위치에 유지된다. 처리 위치에 유지된 처리 컵(10)은 기판(W)에 공급된 세정액의 주위로의 비산을 방지하고, 또한 기판(W)의 세정에서 사용된 세정액을 드레인(10a)으로 유도한다. 드레인(10a)은 세정액 회수 라인과 배기 덕트에 접속되어 있다. 드레인(10a)은 처리 컵(10) 내에서 발생하는 미스트 등을 폐기하거나, 챔버(2) 내의 세정액을 회수하거나 하도록 되어 있다.When transferring the substrate W between the transfer arm 5 and the rotary chuck 8, the processing cup 10 is held in the retracted position so as not to interfere with the entry or exit of the transfer arm 5. Meanwhile, when cleaning the substrate W held in the rotating chuck 8, the processing cup 10 is maintained in the processing position. The processing cup 10 held in the processing position prevents the cleaning liquid supplied to the substrate W from scattering to the surroundings, and also guides the cleaning liquid used in cleaning the substrate W to the drain 10a. The drain 10a is connected to the cleaning liquid recovery line and the exhaust duct. The drain 10a is used to dispose of mist or the like generated within the processing cup 10 or to recover the cleaning liquid within the chamber 2.

회전 척(8)은 원판 형상의 회전판(12)과, 회전판(12)과 접속된 원통 형상의 원통체(13)를 갖는다. 기판(W)을 지지하는 지지구와 기판(W)을 고정하는 클램프용 지그(22)가 회전판(12)의 외주부에 부착되어 있다. 지지구는 원주 방향을 따라 적어도 3개소에 등간격으로 배치되고, 기판(W)을 이면측으로부터 지지한다. 클램프용 지그(22)는 원주 방향을 따라 복수 개소, 예를 들면 적어도 3개소에 등간격으로 배치되고, 기판(W)을 외주면측으로부터 고정한다. 원통체(13)의 외주면에는 벨트(14)가 감겨 있다. 벨트(14)를 제 1 모터(15)에 의해 종동시킴으로써 원통체(13) 및 회전판(12)을 회전시켜, 클램프용 지그(22)에 의해 고정된 기판(W)을 회전시킬 수 있다.The rotating chuck 8 has a disk-shaped rotating plate 12 and a cylindrical body 13 connected to the rotating plate 12. A supporter for supporting the substrate W and a clamp jig 22 for fixing the substrate W are attached to the outer periphery of the rotating plate 12. The supports are arranged at equal intervals at at least three locations along the circumferential direction and support the substrate W from the back side. The clamp jig 22 is arranged at equal intervals at a plurality of places, for example, at least three places along the circumferential direction, and fixes the substrate W from the outer peripheral surface side. A belt 14 is wound around the outer peripheral surface of the cylindrical body 13. By driving the belt 14 by the first motor 15, the cylindrical body 13 and the rotating plate 12 can be rotated, and the substrate W fixed by the clamp jig 22 can be rotated.

언더 플레이트(11)는 회전판(12)의 중앙부 및 원통체(13) 내를 관통하는 제 1 축체(24)에 접속되어 있다. 제 1 축체(24)는 제 1 수평판(25)에 고정되어 있고, 제 1 수평판(25)은 제 1 축체(24)와 함께, 에어 실린더 등의 제 1 승강 기구(26)에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 언더 플레이트(11) 및 제 1 축체(24)에는 약액이나 순수 등의 세정액이나 건조 가스를 기판(W)을 향해서 공급하는 제 1 유로(23)가 형성되어 있다.The under plate 11 is connected to the central portion of the rotating plate 12 and the first shaft body 24 penetrating the inside of the cylindrical body 13. The first shaft 24 is fixed to the first horizontal plate 25, and the first horizontal plate 25 is raised and lowered together with the first shaft 24 by a first lifting mechanism 26 such as an air cylinder. It is possible. A first flow path 23 is formed in the underplate 11 and the first shaft 24 to supply a cleaning liquid such as a chemical solution or pure water or a dry gas toward the substrate W.

챔버(2)의 천판 근방에 위치하는 원판 형상의 탑 플레이트(16)는 원통 형상의 제 2 축체(17)의 하단(下端)에 접속되어 있다. 탑 플레이트(16)는 제 2 수평판(18)에 설치된 제 2 모터(19)에 의해 회전 가능하게 되어 있다. 제 2 축체(17)는 제 2 수평판(18)의 하면에 회전 가능하게 지지되어 있다. 이 제 2 수평판(18)은 챔버(2)의 천판에 고정된 에어 실린더 등의 제 2 승강 기구(20)에 의해 연직 방향으로 승강할 수 있다. 탑 플레이트(16)와 제 2 축체(17)의 각각의 내부에는 모두 축 방향을 따라 약액이나 순수 등의 세정액이나 건조 가스를 공급하는 제 2 유로(21)가 형성되어 있다.The disc-shaped top plate 16 located near the top plate of the chamber 2 is connected to the lower end of the cylindrical second shaft body 17. The top plate 16 is rotatable by a second motor 19 installed on the second horizontal plate 18. The second shaft body 17 is rotatably supported on the lower surface of the second horizontal plate 18. This second horizontal plate 18 can be raised and lowered in the vertical direction by a second lifting mechanism 20 such as an air cylinder fixed to the top plate of the chamber 2. A second flow path 21 is formed inside each of the top plate 16 and the second shaft body 17 along the axial direction to supply a cleaning liquid such as a chemical liquid or pure water or a dry gas.

회전 척(8)과 반송 암(5) 사이에서 기판(W)을 수수하는 경우, 탑 플레이트(16)는 반송 암(5)과 충돌하지 않도록 챔버(2)의 천판에 가까운 위치에 유지된다. 기판(W)의 표면(상면)을 세정하는 경우, 탑 플레이트(16)는 클램프용 지그(22)에 유지된 기판(W)의 표면에 근접하는 위치로 강하되고, 세정액 등은 제 2 유로(21)를 통해서 기판(W)을 향해서 공급된다. 세정 후, 기판(W)을 향해서 순수 등을 공급하여, 세정액 등을 흘려보내기 위한 린스 처리를 행한다. 그 후, 기판(W)을 회전시킴으로써 기판(W)에 부착된 순수 등을 원심력에 의해 건조한다.When transferring the substrate W between the rotary chuck 8 and the transfer arm 5, the top plate 16 is maintained in a position close to the top plate of the chamber 2 so as not to collide with the transfer arm 5. When cleaning the surface (upper surface) of the substrate W, the top plate 16 is lowered to a position close to the surface of the substrate W held by the clamp jig 22, and the cleaning liquid, etc. flows through the second flow path ( It is supplied toward the substrate (W) through 21). After cleaning, pure water or the like is supplied to the substrate W, and a rinsing process is performed to drain the cleaning liquid or the like. Thereafter, by rotating the substrate W, pure water or the like attached to the substrate W is dried by centrifugal force.

기판(W)의 표리면(상하면)을 동시에 세정하는 경우에는, 상기 서술한 기판(W)의 표면의 세정과 동시에, 언더 플레이트(11) 및 제 1 유로(23)를 이용해서 기판(W)의 이면을 세정한다. 이 기판(W)의 이면의 세정 방법으로서는, 예를 들면 우선 언더 플레이트(11)를 기판(W)의 이면에 근접시킨다. 다음으로, 제 1 유로(23)로부터 기판(W)과 언더 플레이트(11) 사이에 약액을 공급해서 약액층을 형성한다. 소정 시간 유지해서 약액 처리를 행하고, 계속해서 기판(W)과 언더 플레이트(11) 사이에 제 1 유로(23)로부터 순수 등을 공급해서 약액을 흘려보내 린스 처리를 행한다. 다음으로, 제 1 유로(23)로부터 기판(W)과 언더 플레이트(11) 사이에 건조 가스를 공급하면서, 기판(W)을 고속 회전시켜서 건조하는 방법이 이용된다.In the case of simultaneously cleaning the front and back surfaces (upper and lower surfaces) of the substrate W, simultaneously with the cleaning of the surface of the substrate W described above, the substrate W is cleaned using the under plate 11 and the first flow path 23. Clean the back side. As a method of cleaning the back side of the substrate W, for example, first, the under plate 11 is brought close to the back side of the substrate W. Next, a chemical liquid is supplied between the substrate W and the underplate 11 from the first flow path 23 to form a chemical liquid layer. The chemical treatment is performed by holding for a predetermined time, and then pure water or the like is supplied from the first flow path 23 between the substrate W and the underplate 11 to flow the chemical solution to perform the rinsing treatment. Next, a method of drying the substrate W by rotating it at high speed while supplying dry gas between the substrate W and the underplate 11 from the first flow path 23 is used.

약액은, 예를 들면 농질산, 염산, SPM(Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture(황산과 과산화수소수의 혼합액)), 암모니아 과산화수소 혼합물(APM)과 같은 암모니아계 약액, 희석 불산(DHF)과 같은 불산계 약액, 황산 과산화수소 혼합물(SPM)과 같은 황산계 약액 등의 수용액, 인산 수용액, 수산화나트륨 수용액 등이다.Chemical solutions include, for example, concentrated nitric acid, hydrochloric acid, SPM (Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture), ammonia-based chemical solutions such as ammonia hydrogen peroxide mixture (APM), hydrofluoric acid-based chemicals such as diluted hydrofluoric acid (DHF), These include aqueous solutions such as sulfuric acid-based chemical solutions such as sulfuric acid and hydrogen peroxide mixture (SPM), aqueous phosphoric acid solutions, and aqueous sodium hydroxide solutions.

기판(W)이 클램프용 지그(22)에 유지된 후에 기판(W)을 세정한다. 이때, 처리 컵(10)을 상승시킨 후, 사용된 약액이나 순수 등이 드레인(10a)으로부터 배출되도록 한다.After the substrate W is held in the clamp jig 22, the substrate W is cleaned. At this time, after raising the treatment cup 10, the used chemical solution or pure water is discharged from the drain 10a.

기판(W)의 세정이 종료했을 때, 처리 컵(10) 및 언더 플레이트(11)를 강하시킨다. 탑 플레이트(16)를 상승시킨 상태에서 기판(W)을 클램프용 지그(22)로부터 지지구로 옮긴다. 다음으로, 제 1 셔터(4)와 제 2 셔터(7)를 개방하여, 반송 암(5)을 챔버(2) 내로 진입시킨다. 이 상태에서, 앞서 설명한 반송 암(5)으로부터 회전 척(8)으로 기판(W)을 옮기는 순서와는 반대의 순서에 의해, 기판(W)을 회전 척(8)으로부터 반송 암(5)으로 옮기고, 기판(W)을 세정 장치(30)로부터 반출한다.When cleaning of the substrate W is completed, the processing cup 10 and the under plate 11 are lowered. With the top plate 16 raised, the substrate W is transferred from the clamp jig 22 to the support tool. Next, the first shutter 4 and the second shutter 7 are opened to allow the transfer arm 5 to enter the chamber 2. In this state, the substrate W is transferred from the rotary chuck 8 to the transfer arm 5 in an order opposite to the order of transferring the substrate W from the transfer arm 5 to the rotary chuck 8 described above. After moving, the substrate W is taken out from the cleaning device 30 .

다음으로, 클램프용 지그(22)와 클램프용 지그(22)의 회전판(12)에의 부착 상태에 대해서 설명한다.Next, the clamp jig 22 and the state of attachment of the clamp jig 22 to the rotating plate 12 will be described.

도 2a는, 도 1에 나타내는 클램프용 지그(22)와 클램프용 지그(22)의 회전판(12)에의 부착 상태를 나타내는 단면도이며, 도 2b는 도 2a의 A부의 일례를 나타내는 확대도이며, 도 2c는 도 2b에 나타낸 A부를 상면으로 본 확대도이다.FIG. 2A is a cross-sectional view showing the clamp jig 22 shown in FIG. 1 and the attachment state of the clamp jig 22 to the rotating plate 12, and FIG. 2B is an enlarged view showing an example of portion A of FIG. 2A. 2c is an enlarged view of part A shown in FIG. 2b as seen from the top.

클램프용 지그(22)는 상하 방향으로 신장하는 지주부(22a)와, 지주부(22a)의 상부인 일방의 단부에 접속되어서 기판(W)의 외주부에 접촉하는 파지부(22b)와, 지주부(22a)의 하부인 타방의 단부에 위치하고 지주부(22a)를 지지하기 위한 기부(22e)를 포함한다. 파지부(22b)는 지주부(22a)측에 위치하는 기단부(22c)와 기단부(22c)에 접속하는 선단부(22d)를 포함한다. 선단부(22d)는 기판(W)의 외주부에 접촉하는 부분이 클로 형상이다. 기부(22e)는 지주부(22a)의 하측으로부터 지주부(22a)에 접속하고, 지주부(22a)를 지지하고 있다. 기부(22e)는 클램프용 지그(22)의 폭 방향을 따라 관통 구멍(22f)을 구비하고 있다.The clamp jig 22 includes a support portion 22a extending in the vertical direction, a holding portion 22b connected to one end of the upper portion of the support portion 22a and in contact with the outer periphery of the substrate W, and a support portion 22b that extends in the vertical direction. It is located at the other end of the lower part of the main part 22a and includes a base 22e for supporting the support part 22a. The gripping portion 22b includes a proximal end 22c located on the support portion 22a side and a distal end 22d connected to the proximal end 22c. The portion of the distal end 22d that contacts the outer periphery of the substrate W is claw-shaped. The base 22e is connected to the support portion 22a from the lower side of the support portion 22a and supports the support portion 22a. The base 22e is provided with a through hole 22f along the width direction of the clamp jig 22.

선단부(22d)는 기판(W)의 외주부에 대향하고, 기판(W)의 표리면의 엣지를 경사지게 상방 및 경사지게 하방으로부터 끼워 넣는 대향면(22g)을 갖고 있다. 기판(W)은 이 대향면(22g)에 의해 형성되는 홈에 끼워져 유지된다.The tip portion 22d faces the outer periphery of the substrate W and has an opposing surface 22g that sandwiches the edges of the front and back surfaces of the substrate W from obliquely upward and obliquely downward. The substrate W is held by fitting into the groove formed by this opposing surface 22g.

선단부(22d)는 각 클램프용 지그(22)의 폭 방향으로 서로 떨어져 형성되어 있다(도 2c 참조). 선단부(22d)가 1개소만인 경우, 선단부(22d)가 기판(W)에 형성된 노치의 부분을 유지하게 되면, 기판(W)의 유지가 불안정해질 우려가 있지만, 떨어진 2개소의 선단부(22d)에 의해, 기판(W)에 형성된 노치의 위치에 관계없이, 기판(W)을 확실하게 유지할 수 있다.The tip portions 22d are formed apart from each other in the width direction of each clamp jig 22 (see Fig. 2C). In the case where there is only one tip portion 22d, if the tip portion 22d holds the part of the notch formed in the substrate W, there is a risk that the holding of the substrate W may become unstable. However, if the tip portion 22d is held at two separate locations, ), the substrate W can be reliably maintained regardless of the position of the notch formed on the substrate W.

압압(押壓) 부재(27)를 상방으로 이동시켜 기부(22e)의 볼록 형상부를 회전판(12)에 압박하면, 스프링(28)이 수축하여 클램프용 지그(22) 전체가 원기둥 형상의 제 3 축체(29)를 회전 중심으로 해서 회전한다. 이때, 선단부(22d)는 회전판(12)의 외측으로 이동한다. 한편, 압압 부재(27)를 하방으로 이동시키면 스프링(28)이 신장하여 선단부(22d)가 회전판(12)의 내측으로 이동하도록, 클램프용 지그(22) 전체가 제 3 축체(29)를 회전 중심으로 해서 회전한다. 이렇게, 압압 부재(27)와 스프링(28)은 선단부(22d)의 위치를 조절하는 기능을 갖는다. 상기 서술한 클램프용 지그(22)는 기부(22e)를 갖는 클램프용 지그이지만, 기부(22e)는 없어도 된다.When the pressing member 27 is moved upward and the convex portion of the base 22e is pressed against the rotating plate 12, the spring 28 is contracted and the entire clamp jig 22 is cylindrical. It rotates with the shaft body 29 as the rotation center. At this time, the tip portion 22d moves to the outside of the rotating plate 12. On the other hand, when the pressing member 27 is moved downward, the spring 28 expands and the entire clamp jig 22 rotates the third shaft body 29 so that the tip portion 22d moves inside the rotating plate 12. It rotates around the center. In this way, the pressing member 27 and the spring 28 have the function of adjusting the position of the tip portion 22d. The clamp jig 22 described above is a clamp jig having a base 22e, but the base 22e may be omitted.

파지부(22b)의 적어도 선단부(22d)는, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 탄화규소 또는 산화지르코늄을 주성분으로 하는 세라믹스로 이루어지는 본체(22b1)와, 상기 본체(22b1)의 기판(W)의 외주부에 대향하는 대향면(22g)에 형성된 제 1 단열층(32)을 구비한다. 제 1 단열층(32)은 본체(22b1)보다 열전도율이 낮다.As shown in FIG. 2B, at least the tip portion 22d of the gripping portion 22b includes a main body 22b1 made of ceramics containing silicon carbide or zirconium oxide as a main component, and an outer peripheral portion of the substrate W of the main body 22b1. It is provided with a first heat insulating layer 32 formed on the opposing surface 22g facing. The first heat insulating layer 32 has lower thermal conductivity than the main body 22b1.

이렇게 제 1 단열층(32)을 기판(W)과의 대향면(22g)에 형성함으로써, 고온의 미스트화된 세정액으로 기판을 세정할 때에 기판 내의 열이 산일하는 것이 억제되기 때문에, 기판 내의 위치에 따른 온도차가 작아져 세정 불균일을 저감할 수 있다.By forming the first heat insulating layer 32 on the surface 22g opposite to the substrate W in this way, dissipation of heat within the substrate is suppressed when the substrate is cleaned with a high-temperature misted cleaning liquid, so that As the resulting temperature difference becomes smaller, cleaning unevenness can be reduced.

여기서, 본체(22b1)의 열전도율은, 예를 들면 3W/(m·K) 이상 200W/(m·K) 이하이다. 본체(22b1)의 열전도율은 JIS R 1611:2010에 준거해서 구하면 좋다. 본체(22b1)가 작아 JIS R 1611:2010에 기재된 시료를 제작할 수 없는 경우, 본체(22b1)와 지주부(22a)를 형성하는 세라믹스의 주성분이 동일한 경우에 한해 지주부(22a)의 적어도 일부를 열전도율 측정용 시료로 하면 좋다.Here, the thermal conductivity of the main body 22b1 is, for example, 3 W/(m·K) or more and 200 W/(m·K) or less. The thermal conductivity of the main body 22b1 can be obtained based on JIS R 1611:2010. When the main body 22b1 is small and the sample described in JIS R 1611:2010 cannot be manufactured, at least part of the support portion 22a is used as long as the main components of the ceramics forming the main body 22b1 and the support portion 22a are the same. It can be used as a sample for measuring thermal conductivity.

또한, 도 2c에 나타내는 바와 같이, 파지부(22b)의 적어도 선단부(22d)는 적어도 대향면(22g)측의 양측면에, 본체(22b)보다 열전도율이 낮은 제 2 단열층(33)을 구비하는 것이 좋다. 이것에 의해, 기판 내의 열이 산일하는 것을 보다 억제할 수 있다. 제 2 단열층(33)은 양측면 중 어느 일방에 형성하기만 해도 좋다.In addition, as shown in FIG. 2C, at least the tip portion 22d of the gripping portion 22b is provided with a second heat insulating layer 33 having a lower thermal conductivity than the main body 22b, at least on both sides of the opposing surface 22g. good night. As a result, dissipation of heat within the substrate can be further suppressed. The second insulating layer 33 may be formed on either one of both sides.

제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33)은 동일한 주성분 또는 상이한 주성분으로 형성할 수 있다. 동일한 주성분으로 형성하는 경우에는 제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33)을 동시에 형성하는 것이 바람직하다.The first insulating layer 32 and the second insulating layer 33 may be formed of the same main component or different main components. When forming with the same main component, it is preferable to form the first heat insulating layer 32 and the second heat insulating layer 33 simultaneously.

상기한 바와 같이, 본체(22b1)는 탄화규소 또는 산화지르코늄을 주성분으로 하는 세라믹스로 이루어진다. 본 명세서에 있어서 「세라믹스의 주성분」이란, 세라믹스를 구성하는 성분의 합계 100질량% 중 80질량% 이상을 차지하는 성분이며, 특히 90질량% 이상이어도 좋다.As described above, the main body 22b1 is made of ceramics containing silicon carbide or zirconium oxide as a main component. In this specification, the “main component of ceramics” refers to a component that accounts for 80% by mass or more of the total 100% by mass of the components constituting ceramics, and may be particularly 90% by mass or more.

구성하는 성분은 CuKα선을 이용한 X선 회절 장치에 의해 동정할 수 있다. 각 성분의 함유량은, 예를 들면 ICP(Inductively Coupled Plasma) 발광 분광 분석 장치 또는 형광 X선 분석 장치에 의해 구할 수 있다.The constituent components can be identified using an X-ray diffraction device using CuKα rays. The content of each component can be determined by, for example, an ICP (Inductively Coupled Plasma) emission spectrometer or a fluorescence X-ray analyzer.

본체(22b1)가 탄화규소를 주성분으로 하는 세라믹스로 형성되는 경우, 기타 성분으로서, 붕소나 유리 탄소를 포함하고 있어도 좋다. 선단부(22d)가 산화지르코늄을 주성분으로 하는 세라믹스로 형성되는 경우, 기타 성분으로서, 마그네슘, 규소 및 칼슘의 산화물을 포함하고 있어도 좋다.When the main body 22b1 is formed of ceramics containing silicon carbide as a main component, it may contain boron or free carbon as other components. When the tip portion 22d is formed of ceramics containing zirconium oxide as a main component, it may contain oxides of magnesium, silicon, and calcium as other components.

파지부(22b)의 적어도 선단부(22d)가 탄화규소 또는 산화지르코늄을 주성분으로 하는 세라믹스로 형성되어 있으면, 얻어지는 클램프용 지그(22)는 내식성이 우수하여, 기판(W)의 세정액으로서 농질산이나 수산화나트륨 등의 산이나 알칼리를 사용해도 장기간에 걸쳐서 사용할 수 있다.If at least the tip portion 22d of the grip portion 22b is formed of ceramics containing silicon carbide or zirconium oxide as a main component, the resulting clamp jig 22 has excellent corrosion resistance and can be used as a cleaning liquid for the substrate W such as concentrated nitric acid or hydroxide. It can be used over a long period of time even when using acids or alkalis such as sodium.

지주부(22a)와 파지부(22b)는 각각 형성되어 있어도 좋고, 일체적으로 형성되어 있어도 좋다. 특히, 일체적으로 형성되어 있으면, 기판(W)을 반복 클램프해 세정해도, 유리나 수지로 형성된 접합층이 존재하지 않기 때문에, 지주부(22a)와 파지부(22b)의 경계를 기점으로 해서 각각이 분리될 우려가 없다. 「일체적으로 형성한다」란, 지주부(22a)와 파지부(22b)를 접합해서 형성하는 것이 아니고, 성형, 절삭, 소성 및 연삭에 의해 일체 형성품으로 하여, 클램프용 지그(22)를 얻는 것을 의미한다.The support portion 22a and the holding portion 22b may be formed separately or may be formed integrally. In particular, if formed integrally, even if the substrate W is repeatedly clamped and cleaned, there is no bonding layer formed of glass or resin, so the boundary between the support portion 22a and the holding portion 22b is used as the starting point. There is no fear of it being separated. “Integrally formed” means that the clamping jig 22 is not formed by joining the support portion 22a and the gripping portion 22b, but is formed as an integral product by molding, cutting, firing, and grinding. means getting

또한, 파지부(22b)를 구성하는 기단부(22c)와 선단부(22d)도 마찬가지로 각각 형성되어 있어도 좋고, 일체적으로 형성되어 있어도 좋다.Additionally, the base end portion 22c and the tip portion 22d that constitute the grip portion 22b may be formed separately or integrally.

제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33) 중 적어도 어느 하나는 열전도율이 1W/ (m·K) 이하(단, 0W/(m·K)를 제외한다.)인 것이 좋다. 이것에 의해, 상기한 바와 같이, 기판(W) 내의 열이 클램프용 지그(22)에 산일하기 어려워지므로, 기판(W) 내의 온도의 균일화가 촉진된다.At least one of the first insulating layer 32 and the second insulating layer 33 preferably has a thermal conductivity of 1 W/(m·K) or less (except 0 W/(m·K)). As a result, as described above, it becomes difficult for the heat within the substrate W to dissipate into the clamp jig 22, thereby promoting uniformity of the temperature within the substrate W.

제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33)의 각 열전도율은 다음과 같이 해서 구할 수 있다. 플래시법, 또는 JIS R 1689:2018의 파인세라믹스 박막의 열확산율 측정 방법-펄스 광 가열 서모리플렉턴스법(Determination of thermal diffusivity of fine ceramic films by pulsed light heating thermoreflectance method)에 준한 측정 방법을 이용하여, 제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33) 각각의 열확산율 α를 측정한다. 제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33)의 각각의 열전도율은 측정한 각각의 열확산율 α에 각각의 비열 S와 밀도 D를 곱한 값이다.Each thermal conductivity of the first heat insulating layer 32 and the second heat insulating layer 33 can be obtained as follows. Flash method, or using a measurement method based on JIS R 1689:2018's Determination of thermal diffusivity of fine ceramic films by pulsed light heating thermoreflectance method. , the thermal diffusion coefficient α of each of the first heat insulating layer 32 and the second heat insulating layer 33 is measured. The thermal conductivity of each of the first and second insulating layers 32 and 33 is the value obtained by multiplying each measured thermal diffusivity α by each specific heat S and density D.

제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33) 중 적어도 어느 하나는 주성분이 DLC, 산화지르코늄 또는 질화규소인 것이 좋다. 어느 성분도 농질산이나 수산화나트륨에 대한 내식성이 높으므로, 이들을 포함하는 세정액에 노출되어도 장기간에 걸쳐서 사용할 수 있다. 제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33)은 후술하는 바와 같은 플라스마 이온 주입법에 의해 형성할 수 있지만, 플라스마 CVD(화학 기상 증착)법 등에 의해서도 형성할 수 있다.At least one of the first and second insulating layers 32 and 33 preferably has a main component of DLC, zirconium oxide, or silicon nitride. Since all components have high corrosion resistance to concentrated nitric acid and sodium hydroxide, they can be used for a long period of time even when exposed to a cleaning solution containing these. The first heat insulating layer 32 and the second heat insulating layer 33 can be formed by a plasma ion implantation method as described later, but can also be formed by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method or the like.

본 명세서에 있어서 「제 1 단열층(32)의 주성분」이란, 제 1 단열층(32)의 주성분이 DLC인 경우, 라만 분광 스펙트럼에 있어서, 파수가 1500∼1640cm-1의 범위인 G 밴드와, 파수가 1300∼1400cm-1의 범위인 D 밴드가 관측되는 경우를 말한다. 라만 분광 스펙트럼에 있어서, 1500∼1640cm-1에 존재하는 피크 중 가장 강도가 강한 피크 강도를 HG, 파수가 1300∼1400cm-1의 범위에 존재하는 피크 중 가장 강도가 높은 피크 강도를 HD로 했을 때, HG>HD이면 좋다. 이 관계를 만족하고 있으면, 제 1 단열층(32)의 치밀성을 유지할 수 있다.In this specification, "the main component of the first heat insulating layer 32" means that, when the main component of the first heat insulating layer 32 is DLC, in the Raman spectroscopic spectrum, the G band with a wave number in the range of 1500 to 1640 cm -1 and the wave number This refers to the case where the D band in the range of 1300 to 1400 cm -1 is observed. In the Raman spectroscopic spectrum, when the highest intensity peak intensity among the peaks existing in the range of 1500 to 1640 cm -1 is HG, and the highest intensity peak intensity among the peaks existing in the wavenumber range of 1300 to 1400 cm -1 is HD. , it is good if HG>HD. If this relationship is satisfied, the density of the first heat insulating layer 32 can be maintained.

「제 1 단열층(32)의 주성분」이란, 제 1 단열층(32)의 주성분이 산화지르코늄 또는 질화규소인 경우, 제 1 단열층(32)을 구성하는 성분의 합계 100질량% 중 80질량% 이상을 차지하는 성분이며, 특히 90질량% 이상이어도 좋다. 제 1 단열층(32)의 주성분이 산화지르코늄 또는 질화규소인 경우, 각 성분의 함유량은 이온 산란 분석 장치를 이용해서 구할 수 있다.“Main component of the first heat insulating layer 32” means, when the main component of the first heat insulating layer 32 is zirconium oxide or silicon nitride, it accounts for 80% by mass or more of the total 100% by mass of the components constituting the first heat insulating layer 32. It is a component, and in particular, it may be 90% by mass or more. When the main component of the first heat insulating layer 32 is zirconium oxide or silicon nitride, the content of each component can be determined using an ion scattering analyzer.

「제 2 단열층(33)의 주성분」의 정의에 대해서도 「제 1 단열층(32)의 주성분」의 정의와 동일하고, 주성분을 구하는 방법도 동일하다.The definition of “main component of the second heat insulating layer 33” is the same as the definition of “main component of the first heat insulating layer 32,” and the method for determining the main component is also the same.

특히, 제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33) 중 적어도 어느 하나는 주성분이 DLC일 때, 수소 및 규소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 좋다. 수소나 규소의 함유량에 의해, 제 1 단열층(32)이나 제 2 단열층(33)의 열전도율을 조정할 수 있다. 수소나 규소는, 예를 들면 플라스마 이온 주입법에 의해 DLC막을 제작할 때에 함유시킬 수 있다.In particular, when the main component of at least one of the first and second insulating layers 32 and 33 is DLC, it is preferable to include at least one of hydrogen and silicon. The thermal conductivity of the first heat insulating layer 32 and the second heat insulating layer 33 can be adjusted depending on the hydrogen or silicon content. Hydrogen and silicon can be contained when producing a DLC film by, for example, plasma ion implantation.

제 1 단열층(32)을 구성하는 성분의 합계 100질량%에 포함되는 수소의 함유량은 20at% 이상 30at% 이하인 것이 좋다. 제 1 단열층(32)을 구성하는 성분의 합계 100질량%에 포함되는 규소의 함유량은 0.2질량% 이상 4.5질량% 이하인 것이 좋다. 제 2 단열층(33)에 대해서도 마찬가지이다.The content of hydrogen contained in a total of 100% by mass of the components constituting the first heat insulating layer 32 is preferably 20 at% or more and 30 at% or less. The content of silicon contained in a total of 100 mass% of the components constituting the first heat insulating layer 32 is preferably 0.2 mass% or more and 4.5 mass% or less. The same applies to the second heat insulating layer 33.

제 1 단열층(32)의 주성분이 DLC이며, 수소 및 규소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 경우, 이들 원소의 함유량은 X선 광전자 분광 분석 장치를 이용해서 구하면 좋다.When the main component of the first heat insulating layer 32 is DLC and contains at least one of hydrogen and silicon, the content of these elements may be determined using an X-ray photoelectron spectroscopic analysis device.

제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33) 중 적어도 어느 하나의 주성분이 산화지르코늄일 때, 이들 각 층의 밀도를 조정함으로써 열전도율을 제어할 수 있다. 열전도율을 낮게 하기 위해서는 층의 밀도를 낮게 하면 좋다.When the main component of at least one of the first and second heat insulating layers 32 and 33 is zirconium oxide, the thermal conductivity can be controlled by adjusting the density of each layer. In order to lower the thermal conductivity, it is better to lower the density of the layer.

제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33) 중 적어도 어느 하나의 주성분이 질화규소일 때도 밀도를 조정하면 좋다.Even when the main component of at least one of the first heat insulating layer 32 and the second heat insulating layer 33 is silicon nitride, the density may be adjusted.

밀도를 구하기 위해서는, 먼저 X선 회절 장치를 이용하여, 반사 X선 강도와 입사 X선 강도의 비로부터 X선 반사율을 산출해서 X선 반사율 곡선을 구한다. 이 X선 반사율 곡선을 박막 종합 해석 소프트웨어((주)리가쿠제 GlobalFit)로 해석함으로써 밀도를 구할 수 있다.To determine the density, first, using an X-ray diffraction device, calculate the X-ray reflectance from the ratio of the reflected X-ray intensity and the incident X-ray intensity to obtain an The density can be obtained by analyzing this X-ray reflectance curve with thin film comprehensive analysis software (GlobalFit, manufactured by Rigaku Co., Ltd.).

제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33) 중 적어도 어느 하나는 반도전성을 갖는 것이 좋다. 이것에 의해, 급격한 정전기 방전이 발생하고, 제 1 단열층(32)을 향해서 전류가 순시에 흘러도, 반도전성을 갖는 층을 통해서 전하를 서서히 방출할 수 있으므로, 파지부(22b)가 파손되기 어려워진다. 제 1 단열층(32) 및 제 2 단열층(33) 중 적어도 어느 하나에 반도전성을 부여하기 위해서는, DLC를 주성분으로 하는 경우, 그래파이트의 골격 구조 SP2 결합에 대한 다이아몬드의 골격 구조 SP3 결합의 비율을 적게 조정하면 좋다. 산화지르코늄 또는 질화규소를 주성분으로 하는 경우, 탄소 또는 규소를 도프하고, 제 1 단열층(32)을 구성하는 성분의 합계 100질량%에 포함되는 이들 원소의 함유량이 0.2질량% 이상 4.5질량%가 되도록 하면 좋다. 제 2 단열층(33)에 대해서도 마찬가지이다. At least one of the first insulating layer 32 and the second insulating layer 33 preferably has semiconductivity. As a result, even if a rapid electrostatic discharge occurs and a current instantly flows toward the first heat insulating layer 32, the charge can be gradually discharged through the semiconductive layer, making it difficult for the holding portion 22b to be damaged. . In order to impart semiconductivity to at least one of the first insulating layer 32 and the second insulating layer 33, when DLC is the main component, the ratio of the SP 3 bond in the skeletal structure of diamond to the SP 2 bond in the skeletal structure of graphite is determined. It is better to adjust it less. In the case of using zirconium oxide or silicon nitride as the main component, doping with carbon or silicon is performed so that the content of these elements included in the total 100% by mass of the components constituting the first heat insulating layer 32 is 0.2% by mass or more and 4.5% by mass. good night. The same applies to the second heat insulating layer 33.

본 명세서에 있어서 「반도전성」이란, 20±2℃에 있어서의 표면저항값이 104∼1011Ω인 것을 의미한다. 표면저항값은, 예를 들면 표면저항계(예를 들면, 히오키 덴키(주)제, 하이테스터 3127-10)를 이용해서 측정하면 좋다.In this specification, “semiconductivity” means that the surface resistance value at 20 ± 2°C is 10 4 to 10 11 Ω. The surface resistance value can be measured using, for example, a surface resistance meter (e.g., HiTester 3127-10, manufactured by Hioki Denki Co., Ltd.).

도 3a는, 본체(22b1)와 제 1 단열층(32)의 경계 부분을 나타내는 모식적인 확대 단면도이다. 도 3a에 나타내는 바와 같이, 제 1 단열층(32)은 본체(22b1)의 제 1 단열층(32)과의 대향면에 오목부(34)(제 1 오목부)를 갖고 있고, 오목부(34)로부터 제 1 단열층(32)의 두께 방향으로 신장하는 제 1 공극부(35a)를 구비한다. 상기 제 1 공극부(35a)의 선단은 제 1 단열층(32) 내에서 폐색되어 있는 것이 좋다. 이것에 의해, 승온 및 강온을 반복해도 잔류 응력의 축적을 억제할 수 있음과 아울러, 제 1 공극부(35a)가 외부에 연통하고 있지 않기 때문에, 제 1 공극부(35a) 내에 있는 파티클이 제 1 단열층(32)의 외부로 배출되지 않는다. 또한, 제 1 공극부(35a)에 의해 제 1 단열층(32)의 단열 효과도 향상된다.FIG. 3A is a schematic enlarged cross-sectional view showing the boundary portion between the main body 22b1 and the first heat insulating layer 32. As shown in FIG. 3A, the first heat insulating layer 32 has a recessed portion 34 (first recessed portion) on the surface opposite to the first heat insulating layer 32 of the main body 22b1, and the recessed portion 34 It is provided with a first void portion 35a extending in the thickness direction of the first heat insulating layer 32. The tip of the first gap 35a is preferably closed within the first heat insulating layer 32. As a result, the accumulation of residual stress can be suppressed even if the temperature is repeatedly raised and lowered, and since the first gap 35a is not in communication with the outside, the particles in the first gap 35a are 1 It is not discharged to the outside of the insulation layer (32). Additionally, the insulating effect of the first insulating layer 32 is also improved by the first gap 35a.

여기서 오목부(34)란, 본체(22b1)의 제 1 단열층(32)과의 대향면 상에서 개구하는 기공, 입계상 등을 말하고, 제 1 단열층(32)이 형성되기 전에 있어서는, 오목부(34)를 형성하는 표면은 본체(22b1)의 표면의 일부이다. 이러한 오목부(34)는, 예를 들면 본체의 표면을 연마하거나 해서 형성할 수 있다. Here, the concave portion 34 refers to a pore, grain boundary, etc. that opens on the surface opposite to the first insulating layer 32 of the main body 22b1, and before the first insulating layer 32 is formed, the concave portion 34 ) is a part of the surface of the main body 22b1. This concave portion 34 can be formed, for example, by polishing the surface of the main body.

제 1 공극부(35a)는, 예를 들면 제 1 단열층(32)을 본체(22b1)의 대향면에 플라스마 이온 주입법, 플라스마 CVD법 등에 의해 제작하는 경우에 형성할 수 있다. 제 1 단열층(32)의 두께 방향을 따라 단면으로 본 제 1 공극부(35a)의 폭은 오목부(34)측보다 제 1 단열층(32)의 표면측 쪽이 좁아도 좋다. 이러한 구성일 경우, 제 1 단열층(32)이 기판(W)의 파지를 반복함으로써 그 두께가 감소하여 제 1 공극부(35a)의 선단이 개구해도, 오목부(34)측보다 제 1 단열층(32)의 표면측 쪽의 폭이 넓을 때보다, 제 1 공극부(35a) 내에 있는 파티클이 제 1 단열층(32) 밖으로 배출되기 어렵다.The first void 35a can be formed, for example, when the first heat insulating layer 32 is produced on the opposing surface of the main body 22b1 by a plasma ion implantation method, a plasma CVD method, or the like. The width of the first void 35a when viewed in cross section along the thickness direction of the first heat insulating layer 32 may be narrower on the surface side of the first heat insulating layer 32 than on the concave portion 34 side. In this configuration, even if the thickness of the first insulating layer 32 is reduced by repeating the gripping of the substrate W and the tip of the first void 35a is opened, the first insulating layer ( It is more difficult for particles in the first void 35a to be discharged out of the first heat insulating layer 32 than when the width of the surface side of 32) is wider.

또한, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 제 1 단열층(32)과 마찬가지로, 제 2 단열층(33)에 대해서도, 본체(22b1)의 제 2 단열층(33)과의 대향면에 오목부(34)(제 2 오목부)를 갖고 있고, 상기 오목부(34)로부터 제 2 단열층(33)의 두께 방향으로 신장하는 제 2 공극부(35b)를 구비한다. 상기 제 2 공극부(35b)의 선단은 제 2 단열층(33) 내에서 폐색되어 있는 것이 좋다. 이것에 의해, 제 1 단열층(32)과 마찬가지의 효과를 발휘할 수 있다. 본체(22b1)를 형성하는 세라믹스의 상대 밀도는 96% 이상 99% 이하이면 좋고, 특히 96.7% 이상 98.8% 이하인 것이 좋다. 이 상대 밀도는 세라믹스의 이론 밀도에 대한 내마모성 부재의 겉보기 밀도의 백분율이다. 본체(22b1)의 겉보기 밀도는 JIS R 1634:1998에 준거해서 구하면 좋다.Furthermore, as shown in FIG. 3B, similarly to the first heat insulating layer 32, the second heat insulating layer 33 also has a concave portion 34 (second) on the surface opposite to the second heat insulating layer 33 of the main body 22b1. 2 concave portion) and a second gap 35b extending from the concave portion 34 in the thickness direction of the second heat insulating layer 33. The tip of the second void 35b is preferably closed within the second heat insulating layer 33. Thereby, the same effect as that of the first heat insulating layer 32 can be achieved. The relative density of the ceramics forming the main body 22b1 may be 96% or more and 99% or less, and particularly preferably 96.7% or more and 98.8% or less. This relative density is the percentage of the apparent density of the wear-resistant member relative to the theoretical density of the ceramics. The apparent density of the main body 22b1 can be obtained based on JIS R 1634:1998.

세라믹스를 구성하는 주성분이 탄화규소이며, 주성분 이외의 성분이 탄화붕소인 경우, 함유량이 각각 a질량% 및 b질량%라고 하면, 탄화규소 및 탄화붕소의 각각의 이론 밀도의 값(탄화규소=3.21g/㎤, 탄화붕소=2.52g/㎤)을 이용하여, 이하의 식(1)에 의해 세라믹스의 이론 밀도(T.D)를 구할 수 있다.When the main component constituting the ceramics is silicon carbide and the components other than the main component are boron carbide, assuming the contents are a mass % and b mass %, respectively, the values of the theoretical densities of silicon carbide and boron carbide (silicon carbide = 3.21 Using g/cm3, boron carbide = 2.52 g/cm3), the theoretical density (T.D) of ceramics can be obtained using the following equation (1).

T.D=1/(0.01×(a/3.21+b/2.52)) ···(1)T.D=1/(0.01×(a/3.21+b/2.52))···(1)

예를 들면, 세라믹스를 구성하는 성분의 함유량이, 탄화규소가 99.6질량%이며, 탄화붕소가 0.4질량%일 때에는, 식(1)을 이용해서 계산하면, 세라믹스의 이론 밀도(T.D)는 3.21g/㎤가 된다. 이 이론 밀도(T.D)에 대한 세라믹스의 겉보기 밀도의 백분율이 상대 밀도이다.For example, when the content of the components constituting the ceramics is 99.6% by mass of silicon carbide and 0.4% by mass of boron carbide, when calculated using equation (1), the theoretical density (T.D) of the ceramics is 3.21g. It becomes /㎤. The percentage of the apparent density of the ceramics to this theoretical density (T.D) is the relative density.

본체(22b1)는 도 4에 나타내는 바와 같이, 폐기공(40)을 복수 갖고, 이웃하는 폐기공(40)의 무게중심 간 거리의 평균값(A)으로부터 폐기공(40)의 원 상당 지름의 평균값(B)을 뺀 값(C)이 50㎛ 이상 170㎛ 이하인 것이 좋다. 즉, 값(C)이 50㎛ 이상이면 기공률이 감소하고, 강성이 향상되므로, 휘기 어려워진다. 또한, 값(C)이 170㎛ 이하이면, 이웃하는 폐기공(40)에 의해 단열 효과가 높아짐과 아울러, 마이크로크랙이 생겨도 폐기공(40)에 의해 마이크로크랙의 진전이 억제되므로, 내열충격성이 향상된다.As shown in FIG. 4, the main body 22b1 has a plurality of closed holes 40, and the average value of the equivalent circle diameter of the closed holes 40 is calculated from the average value A of the distance between the centers of gravity of the adjacent closed holes 40. It is good that the value (C) minus (B) is 50㎛ or more and 170㎛ or less. That is, if the value (C) is 50㎛ or more, the porosity decreases and the rigidity improves, making it difficult to bend. In addition, if the value (C) is 170 ㎛ or less, the thermal insulation effect increases due to the adjacent closed pores 40, and even if microcracks occur, the development of microcracks is suppressed by the closed pores 40, so thermal shock resistance is low. It improves.

폐기공(40)의 원 상당 지름은 이하의 방법으로 구할 수 있다. 먼저, 디지털 마이크로스코프를 사용해서 본체(22b1)의 단면을 연마(필요에 따라서, 연마 후에 에칭)한 면을 200배의 배율로 관찰하고, 예를 들면 면적이 1.768㎟(가로 방향의 길이가 1.36mm, 세로 방향의 길이가 1.3mm)가 되는 범위를 CCD 카메라로 촬영하여, 관찰상을 얻는다. 화상 해석 소프트로서 예를 들면 「A상군(ver 2.52)」(등록상표, 아사히 카세이 엔지니어링(주)제, 또한 이후에 화상 해석 소프트 「A상군」이라고 기재한 경우, 아사히 카세이 엔지니어링(주)제의 화상 해석 소프트를 나타내는 것으로 한다.)을 이용하여, 관찰상 내의 각 폐기공(40)의 원 상당 지름을 입자 해석이라는 방법으로 구하면 좋다. 이 방법의 설정 조건으로서는, 예를 들면 화상의 명암을 나타내는 지표인 문턱값을 156, 명도를 암, 소도형 제거 면적을 20㎛2, 잡음 제거 필터를 없음으로 하면 좋다. 관찰상의 밝기에 따라서 문턱값은 조정하면 좋고, 명도를 암, 2치화의 방법을 수동으로 하고, 소도형 제거 면적을 20㎛2 및 잡음 제거 필터를 없음으로 한 후에, 관찰상에 나타나는 마커가 폐기공(40)의 형상과 일치하도록 문턱값을 조정하면 좋다.The equivalent circular diameter of the waste hole 40 can be obtained by the following method. First, using a digital microscope, the polished (if necessary, etched after polishing) cross section of the main body 22b1 is observed at a magnification of 200 times, and the area is, for example, 1.768 mm2 (the length in the horizontal direction is 1.36 mm). mm, the vertical length is 1.3 mm) is photographed with a CCD camera to obtain an observation image. As image analysis software, for example, "A Image Analysis Software (ver 2.52)" (registered trademark, manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd., and later referred to as image analysis software "A Image Analysis Software", manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd. The equivalent circle diameter of each closed pore 40 in the observation image may be obtained by a method called particle analysis using image analysis software. As setting conditions for this method, for example, the threshold value, which is an indicator of the brightness of the image, should be set to 156, the brightness should be set to dark, the small pattern removal area should be set to 20 ㎛ 2 , and the noise removal filter should be set to none. The threshold value can be adjusted according to the brightness of the observation, the brightness is set to dark, the binarization method is set manually, the small object removal area is set to 20㎛2 , and the noise removal filter is set to none, then the marker that appears on the observation is discarded. It is good to adjust the threshold value to match the shape of the ball 40.

상기 서술한 방법으로 구한, 폐기공(40)의 원 상당 지름의 평균값은, 예를 들면 3㎛ 이상 25㎛ 이하이다.The average value of the equivalent circle diameter of the closed pores 40 obtained by the method described above is, for example, 3 μm or more and 25 μm or less.

폐기공(40)의 무게중심 간 거리는 이하의 방법으로 구할 수 있다. 폐기공(40)의 원 상당 지름을 구하기 위해서 촬영한 관찰상을 대상으로 하여, 화상 해석 소프트로서 예를 들면 「A상군」을 이용해서 분산도 계측의 무게중심 간 거리법이라는 방법으로 폐기공(40)의 무게중심 간 거리를 구하면 좋다. 이 방법의 설정 조건으로서는, 폐기공(40)의 원 상당 지름을 구한 설정 조건과 동일하다.The distance between the centers of gravity of the waste holes 40 can be obtained by the following method. Using the observation image taken to determine the equivalent circle diameter of the closed pore 40, for example, "A image group" as image analysis software, the closed pore ( It is good to find the distance between the centers of gravity in 40). The setting conditions for this method are the same as the setting conditions for determining the equivalent circular diameter of the closed hole 40.

상기 서술한 방법으로 구한, 폐기공(40)의 무게중심 간 거리의 평균값은, 예를 들면 53㎛ 이상 195㎛ 이하이다.The average value of the distance between the centers of gravity of the closed pores 40 obtained by the method described above is, for example, 53 μm or more and 195 μm or less.

또한, 폐기공(40)의 무게중심 간 거리의 첨도 Ku는 0.3 이상 4 이하인 것이 좋다. 즉, 첨도 Ku가 0.3 이상이면, 폐기공(40)의 무게중심 간 거리의 편차가 작아지므로, 국부적으로 기계적 특성이 낮은 부분이 적어진다. 첨도 Ku가 4 이하이면, 서로 극단적으로 떨어진 폐기공(40)이 존재하지 않게 되므로 더욱 내열충격성이 향상된다.In addition, the kurtosis Ku of the distance between the centers of gravity of the closed holes 40 is preferably 0.3 or more and 4 or less. In other words, if the kurtosis Ku is 0.3 or more, the deviation of the distance between the centers of gravity of the closed pores 40 decreases, so the number of areas with low mechanical properties locally decreases. If the kurtosis Ku is 4 or less, the closed pores 40 that are extremely distant from each other do not exist, and thus the thermal shock resistance is further improved.

여기서, 첨도 Ku란, 분포의 피크와 꼬리가 정규 분포로부터 얼마나 상이한지를 나타내는 지표(통계량)이며, 첨도 Ku>0일 경우 날카로운 피크와 길고 두꺼운 꼬리를 갖는 분포가 되고, 첨도 Ku=0일 경우 정규 분포가 되고, 첨도 Ku<0일 경우 분포는 둥그스름한 피크와 짧고 가는 꼬리를 갖는 분포가 된다.Here, kurtosis Ku is an indicator (statistic) that indicates how different the peak and tail of the distribution are from the normal distribution. If kurtosis Ku > 0, the distribution has a sharp peak and a long, thick tail, and if kurtosis Ku = 0, the distribution is normal. It becomes a distribution, and if kurtosis Ku<0, the distribution becomes a distribution with a round peak and a short, thin tail.

폐기공(40)의 원 상당 지름의 첨도 Ku는 Excel(등록상표, Microsoft Corporation)에 구비되어 있는 함수 Kurt를 이용해서 구하면 좋다.The kurtosis Ku of the equivalent circle diameter of the closed hole 40 can be obtained using the function Kurt provided in Excel (registered trademark, Microsoft Corporation).

제 1 단열층(32)은 개기공(36)을 복수 갖고, 이웃하는 개기공(36)의 무게중심 간 거리의 평균값(F)으로부터 개기공(36)의 원 상당 지름의 평균값(G)을 뺀 값(H)이 상기 값(C)보다 큰 것이 좋다. 이것에 의해, 제 1 단열층(32)에는 개기공(36)이 성기게 점재한 상태가 되므로, 개기공(36)의 내부에서 발생하는 파티클을 저감할 수 있다. 파티클이 저감하면, 기판(W)에의 파티클 부착이 억제된다.The first insulating layer 32 has a plurality of open pores 36, and the average value (G) of the equivalent circle diameter of the open pores 36 is subtracted from the average value (F) of the distance between the centers of gravity of neighboring open pores (36). It is better that the value (H) is greater than the above value (C). As a result, the open pores 36 are sparsely dotted in the first heat insulating layer 32, and thus particles generated inside the open pores 36 can be reduced. When the number of particles is reduced, adhesion of particles to the substrate W is suppressed.

값(H)과 값(C)의 차는, 예를 들면 2㎛ 이상 10㎛ 이하이다.The difference between the value (H) and the value (C) is, for example, 2 μm or more and 10 μm or less.

제 1 단열층(32)에 포함되는 개기공(36)의 무게중심 간 거리 및 원 상당 지름은 이하의 방법으로 구할 수 있다. 먼저, 디지털 마이크로스코프를 사용해서 제 1 단열층(32)의 표면을 200배의 배율로 관찰하고, 예를 들면 면적이 1.768㎟(가로 방향의 길이가 1.36mm, 세로 방향의 길이가 1.3mm)가 되는 범위를 CCD 카메라로 촬영하여 관찰상을 얻는다. 이 후의 순서는 값(C)을 구한 순서와 동일하다.The distance between the centers of gravity and the equivalent circle diameter of the open pores 36 included in the first heat insulating layer 32 can be obtained by the following method. First, the surface of the first heat insulating layer 32 is observed at a magnification of 200 times using a digital microscope, and the area is, for example, 1.768 mm2 (the horizontal length is 1.36 mm and the vertical length is 1.3 mm). Observation images are obtained by photographing the covered area with a CCD camera. The order after this is the same as the order in which the value (C) was obtained.

또한, 제 1 단열층(32)과 마찬가지로 제 2 단열층(33)도 개기공(36)을 복수 갖고, 이웃하는 상기 개기공의 무게중심 간 거리의 평균값(J)으로부터 상기 개기공의 원 상당 지름의 평균값(K)을 뺀 값(L)이 상기 값(C)보다 큰 것이 좋다. 이것에 의해, 제 1 단열층(32)과 마찬가지의 효과가 있다.In addition, like the first insulating layer 32, the second insulating layer 33 also has a plurality of open pores 36, and the circle equivalent diameter of the open pores is calculated from the average value (J) of the distance between the centers of gravity of the adjacent open pores. It is better that the value (L) minus the average value (K) is greater than the above value (C). This has the same effect as the first heat insulating layer 32.

값(J)과 값(C)의 차는, 예를 들면 2㎛ 이상 10㎛ 이하이다. 제 2 단열층(33)에 포함되는 개기공의 무게중심 간 거리 및 원 상당 지름은 이하의 방법으로 구할 수 있다. 먼저, 디지털 마이크로스코프를 사용해서 제 2 단열층(33)의 표면을 200배의 배율로 관찰하고, 예를 들면 면적이 1.768㎟(가로 방향의 길이가 1.36mm, 세로 방향의 길이가 1.3mm)가 되는 범위를 CCD 카메라로 촬영하여 관찰상을 얻는다. 이 후의 순서는 값(C)을 구한 순서와 동일하다.The difference between the value (J) and the value (C) is, for example, 2 μm or more and 10 μm or less. The distance between the centers of gravity and the equivalent circle diameter of the open pores included in the second heat insulating layer 33 can be obtained by the following method. First, the surface of the second heat insulating layer 33 is observed at a magnification of 200 times using a digital microscope, and the area is, for example, 1.768 mm2 (the horizontal length is 1.36 mm and the vertical length is 1.3 mm). Observation images are obtained by photographing the covered area with a CCD camera. The order after this is the same as the order in which the value (C) was obtained.

또한, 제 1 단열층(32)이나 제 2 단열층(33)에 포함되는 개기공의 윤곽이 식별하기 어려운 경우 수㎛ 정도 연마해도 좋다.Additionally, if the outline of the open pores included in the first insulating layer 32 or the second insulating layer 33 is difficult to discern, it may be polished to a level of several micrometers.

도 4에 나타내는 바와 같이, 본체(22b1)는 탄화규소를 주성분으로 하는 조립상(粗粒狀) 결정 입자(41) 및 미립상 결정 입자(42)를 갖는다. 미립상 결정 입자(42)의 원 상당 지름의 평균값(M)은 폐기공(40)의 원 상당 지름의 평균값(B)보다 작다. 조립상 결정 입자(41)는 면적이 1000㎛2 이상인 결정 입자이며, 미립상 결정 입자(42)는 원 상당 지름이 8㎛ 이하인 결정 입자이다. 원 상당 지름이 8㎛를 초과하고 면적이 1000㎛2 미만인 결정 입자가 존재해도 되는 것은 말할 필요도 없다.As shown in Fig. 4, the main body 22b1 has coarse-grained crystal grains 41 and fine-grained crystal grains 42 containing silicon carbide as a main component. The average value (M) of the equivalent circle diameter of the fine crystal particles 42 is smaller than the average value (B) of the equivalent circle diameter of the closed pores 40. The coarse-grained crystal particles 41 are crystal particles with an area of 1000 μm 2 or more, and the fine-grained crystal particles 42 are crystal particles with an equivalent circle diameter of 8 μm or less. It goes without saying that crystal particles having an equivalent circle diameter exceeding 8 μm and an area of less than 1000 μm 2 may exist.

특히, 미립상 결정 입자(42)의 원 상당 지름의 평균값(M)과, 폐기공(40)의 원 상당 지름의 평균값(B)의 차가 5㎛ 이상이면 좋다.In particular, it is good if the difference between the average value (M) of the equivalent circle diameters of the fine crystal particles 42 and the average value (B) of the equivalent circle diameters of the closed pores 40 is 5 μm or more.

미립상 결정 입자(42)의 원 상당 지름의 평균값(M)은, 예를 들면 1㎛ 이상 6㎛ 이하이다. 폐기공(40)의 원 상당 지름의 평균값(B)은, 예를 들면 8㎛ 이상 30㎛ 이하이다. 미립상 결정 입자(42)의 원 상당 지름은, 예를 들면 면적이 2.67×10-2㎟(가로 방향의 길이가 191㎛, 세로 방향의 길이가 140㎛)의 에칭된 면을 대상으로 하여, 화상 해석 소프트(예를 들면, 미타니 쇼지(주)제, Win ROOF)를 이용해 해석함으로써 얻을 수 있다. 해석함에 있어서, 원 상당 지름의 역치는 0.21㎛로 하고, 0.21㎛ 미만의 입경은 원 상당 지름의 평균값(B) 산출의 대상으로는 하지 않는다. 에칭은 수산화나트륨 및 질산칼륨이 1:1의 질량비로 이루어지는 가열 용융된 용액에, 관찰 대상으로 하는 면이 미리 연마되어 있는 본체(221b)를 20초 침지하면 좋다. 본체(22b1)는 미립상 결정 입자(42)와 함께 조립상 결정 입자(41)를 갖고, 조립상 결정 입자(41)의 면적은 6면적% 이상 15면적% 이하인 것이 좋다. 조립상 결정 입자(41)가 6면적% 이상이면, 열충격에 의해 미세한 크랙이 생겨도, 조립상 결정 입자(41)에 의해 크랙의 진전을 억제할 수 있다. 조립상 결정 입자(41)가 15면적% 이하이면, 강도, 강성, 파괴 인성 등의 기계적 특성을 높게 할 수 있다.The average value (M) of the equivalent circle diameter of the fine crystal particles 42 is, for example, 1 μm or more and 6 μm or less. The average value (B) of the equivalent circle diameter of the closed pores 40 is, for example, 8 μm or more and 30 μm or less. The equivalent circle diameter of the fine crystal particles 42 is, for example, an etched surface with an area of 2.67 × 10 -2 mm2 (the horizontal length is 191 μm and the vertical length is 140 μm). It can be obtained by analysis using image analysis software (for example, Win ROOF, manufactured by Mitani Shoji Co., Ltd.). In the analysis, the threshold value of the equivalent circle diameter is set to 0.21 ㎛, and particle diameters less than 0.21 ㎛ are not subject to calculation of the average value (B) of the equivalent circle diameter. For etching, the main body 221b, whose surface to be observed is previously polished, is immersed in a heated molten solution containing sodium hydroxide and potassium nitrate in a mass ratio of 1:1 for 20 seconds. The main body 22b1 has coarse-grained crystal particles 41 together with fine-grained crystal particles 42, and the area of the coarse-grained crystal particles 41 is preferably 6 area% or more and 15 area% or less. If the coarse-grained crystal particles 41 are 6 area% or more, even if fine cracks occur due to thermal shock, the growth of the cracks can be suppressed by the coarse-grained crystal particles 41. If the coarse crystal grains 41 are 15 area% or less, mechanical properties such as strength, rigidity, and fracture toughness can be increased.

상기 조립상 결정 입자(41)는 입자 내 기공(43)을 포함하는 것이 좋다. 조립상 결정 입자(41)가 입자 내 기공(43)을 포함하고 있으면, 고온 환경하에서 조립상 결정 입자(41)에 생기는 열응력이 입자 내 기공(43)에 의해 완화되기 쉬우므로, 내열충격성이 향상된다. 조립상 결정 입자(41)가 입자 내 기공(43)을 포함하는지 여부는 상기 서술한 방법에 의해 에칭된 면을 관찰함으로써 확인할 수 있다.The coarse-grained crystal particles 41 preferably include pores 43 within the particles. If the coarse-grained crystal particles 41 contain intra-particle pores 43, the thermal stress generated in the coarse-grained crystal particles 41 in a high-temperature environment is likely to be relieved by the intra-particle pores 43, thereby improving thermal shock resistance. . Whether the coarse-grained crystal particles 41 contain intra-particle pores 43 can be confirmed by observing the surface etched by the method described above.

본체(221b)가 조대상 결정 입자(41)를 포함하고, 또한 조대상 결정 입자(41)가 에칭면에 관찰되는 경우에는, 에칭면에는 조대상 결정 입자(41)의 단면이 노출되어 있다. 에칭면에 관찰되는 조대상 결정 입자(41)가 입자 내 기공(43)을 포함하고 있는 경우에는, 입자 내 기공(43)은 에칭면에 관찰되는 조대상 결정 입자(41)에 오목부로서 관찰되기 때문에, 오목부인 입자 내 기공(43)과 그 이외를 식별할 수 있다. 또한, 에칭면을 광학현미경으로 관찰한 경우에는 입자 내 기공(43)은 입자 내 기공(43) 이외의 영역보다 어둡게 관찰되거나, 패여 관찰되거나 하므로, 입자 내 기공(43)을 확인할 수 있다.When the main body 221b includes coarse target crystal particles 41 and the coarse target crystal particles 41 are observed on the etched surface, the cross section of the coarse target crystal particles 41 is exposed on the etched surface. When the coarse-grained crystal grains 41 observed on the etched surface contain intra-particle pores 43, the intra-particle pores 43 are observed as concave portions in the coarse-grained crystal grains 41 observed on the etched surface. Therefore, it is possible to distinguish between the pores 43 within the particle, which are concave parts, and others. Additionally, when the etched surface is observed with an optical microscope, the pores 43 within the particle are observed to be darker than areas other than the pores 43 within the particle or are observed to be hollow, so the pores 43 within the particle can be confirmed.

다음으로, 본 개시에 의한 클램프용 지그(22)의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하의 설명에서는, 지주부(22a), 파지부(22b) 및 기부(22e)가, 탄화규소 또는 산화지르코늄을 주성분으로 하는 세라믹스로 이루어지는 본체(22b1)와 일체로 형성되어 있는 것으로 한다.Next, an example of a method for manufacturing the clamp jig 22 according to the present disclosure will be described. In the following description, it is assumed that the support portion 22a, the grip portion 22b, and the base portion 22e are formed integrally with the main body 22b1 made of ceramics containing silicon carbide or zirconium oxide as a main component.

먼저, 탄화규소를 주성분으로 하는 과립을, 예를 들면 다음의 순서로 조제한다. 탄화규소 분말로서, 조립상 분말 및 미립상 분말을 준비하고, 이온 교환수와, 필요에 따라서 분산제를 볼 밀 또는 비즈 밀에 의해 40∼60시간 분쇄 혼합해서 슬러리로 한다. 본체에 포함되는 조립상 결정 입자(41)의 면적이 6면적% 이상 15면적% 이하로 하기 위해서는, 예를 들면 미립상 분말을 85질량% 이상 94질량% 이하로 하고, 조립상 분말을 6질량% 이상 15질량% 이하로 하면 좋다. 분쇄 혼합한 후의 미립상 분말 및 조립상 분말의 각각의 입경의 범위는 0.4㎛ 이상 4㎛ 이하 및 11㎛ 이상 34㎛ 이하이다.First, granules containing silicon carbide as a main ingredient are prepared, for example, in the following procedure. As silicon carbide powder, coarse-grained powder and fine-granulated powder are prepared, and pulverized and mixed with ion-exchanged water and, if necessary, a dispersant using a ball mill or bead mill for 40 to 60 hours to form a slurry. In order to make the area of the coarse-grained crystal particles 41 contained in the main body from 6 to 15% by mass, for example, the fine granular powder is set to 85% by mass to 94% by mass, and the granular powder is set to 6% by mass or more. It is good to keep it below 15% by mass. The particle size ranges of the fine granular powder and the granular powder after grinding and mixing are 0.4 μm to 4 μm and 11 μm to 34 μm.

조립상 결정 입자(41)가 입자 내 기공(43)을 포함하는 클램프용 지그(22)를 얻기 위해서는 미리 공극을 포함하는 조립상 분말을 사용하면 좋다.In order to obtain the clamp jig 22 in which the coarse-grained crystal grains 41 contain pores 43 within the grain, it is good to use coarse-grained powder that previously contains pores.

다음으로, 얻어진 슬러리에, 탄화붕소 분말 및 비정질상의 탄소 분말 또는 페놀 수지로 이루어지는 소결 조제와, 바인더를 첨가해서 혼합한 후, 분무 건조함으로써 주성분이 탄화규소로 이루어지는 과립을 얻는다. 바인더로서는, 예를 들면 아크릴 에멀션, 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌옥사이드 등을 들 수 있다.Next, a sintering aid made of boron carbide powder, amorphous carbon powder or phenol resin, and a binder are added to the obtained slurry, mixed, and then spray dried to obtain granules whose main component is silicon carbide. Examples of the binder include acrylic emulsion, polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, and polyethylene oxide.

제 1 단열층(32)이 제 1 공극부(35a)를 구비하고, 제 1 공극부(35a)의 선단이 제 1 단열층(32) 내에서 폐색되는 클램프용 지그(22)를 얻기 위해서는, 상기 슬러리에 수지 비즈로 이루어지는 소수성의 기공 형성제 및 이 기공 형성제를 분산시키는 기공 분산제를 바인더와 함께 첨가해서 소결 후의 본체의 대향면에 개기공이 미리 존재하기 쉬워지도록 하면 좋다.In order to obtain a clamp jig 22 in which the first insulating layer 32 has a first gap 35a and the tip of the first gap 35a is closed within the first insulating layer 32, the slurry A hydrophobic pore-forming agent made of resin beads and a pore-dispersing agent that disperses the pore-forming agent may be added together with a binder to facilitate the presence of open pores in advance on the opposing surface of the main body after sintering.

상기 값(C)이 50㎛ 이상 170㎛ 이하인 클램프용 지그(22)를 얻기 위해서는, 예를 들면 기공 형성제의 함유량을 탄화규소의 분말 100질량부에 대하여 1.2질량부 이상 1.38질량부 이하로 하고, 그 평균 입경(D50)을 36㎛ 이상 45㎛ 이하, 특히 40㎛ 이상 45㎛ 이하로 하면 좋다.In order to obtain the clamp jig 22 with the above value (C) of 50 ㎛ or more and 170 ㎛ or less, for example, the content of the pore forming agent is set to 1.2 parts by mass or more and 1.38 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of silicon carbide powder. , the average particle diameter (D 50 ) should be 36 ㎛ or more and 45 ㎛ or less, especially 40 ㎛ or more and 45 ㎛ or less.

폐기공(40)의 무게중심 간 거리의 첨도 Ku가 0.3 이상 4 이하인 클램프용 지그(22)를 얻기 위해서는, 평균 입경(D50)이, 예를 들면 42.5㎛ 이상 44.5㎛ 이하인 기공 형성제를 사용하면 좋다.In order to obtain the clamp jig 22 in which the kurtosis Ku of the distance between the centers of gravity of the closed pores 40 is 0.3 or more and 4 or less, a pore forming agent having an average particle diameter (D 50 ) of, for example, 42.5 μm or more and 44.5 μm or less is used. It's good to do it.

기공 분산제는 기공 형성제를 분산시키는 것이며, 예를 들면 카르복실산염, 술폰산염, 황산에스테르염, 인산에스테르염 등의 음이온 계면활성제이다. 음이온 계면활성제가 기공 형성제에 흡착함으로써 기공 형성제는 슬러리 중에 용이하게 습윤, 침투하고, 또한 음이온 계면활성제가 갖는 친수기의 전하 반발에 의해 기공 형성제의 응집이 더욱 억제되기 때문에, 기공 형성제가 슬러리 중에 응집하지 않고 충분히 분산될 수 있다. 음이온 계면활성제는 기공 형성제를 슬러리에 습윤, 침투시키는 효과가 높다.The pore dispersing agent disperses the pore forming agent and is, for example, an anionic surfactant such as carboxylic acid salt, sulfonate salt, sulfuric acid ester salt, or phosphoric acid ester salt. As the anionic surfactant adsorbs to the pore-forming agent, the pore-forming agent easily wets and penetrates into the slurry, and aggregation of the pore-forming agent is further suppressed by charge repulsion of the hydrophilic group of the anionic surfactant, so the pore-forming agent is absorbed into the slurry. It can be sufficiently dispersed without agglomerating in the body. Anionic surfactants are highly effective in wetting and penetrating the pore forming agent into the slurry.

기공 분산제는 기공 형성제 100질량부에 대하여 0.14질량부 이상 0.24질량부 이하 첨가하면 좋다.The pore dispersant may be added in an amount of 0.14 parts by mass or more and 0.24 parts by mass or less per 100 parts by mass of the pore former.

이어서, 얻어진 과립을 성형형에 충전하고, 예를 들면 49MPa 이상 147MPa 정도의 압력으로 가압해서 성형체를 얻는다. 그리고, 400∼600℃에서 탈지하고, 이 탈지체를, 아르곤 등의 불활성 가스의 감압 분위기 중 1800℃ 이상 2200℃ 이하의 온도에서 3시간 이상 6시간 이하 유지함으로써 소결체를 얻는다.Next, the obtained granules are filled into a mold and pressurized at a pressure of, for example, 49 MPa or more to about 147 MPa to obtain a molded body. Then, degreasing is performed at 400 to 600°C, and the degreased body is maintained at a temperature of 1800°C or higher and 2200°C or lower in a reduced pressure atmosphere of an inert gas such as argon for 3 hours or more and 6 hours or less to obtain a sintered body.

이어서, 얻어진 소결체에 있어서, 선단부(22d)의 본체(22b1)의 대향면(22g)에 상당하는 부분에 연마 가공을 실시한다. 연마 가공은, 예를 들면 버프 연마를 들 수 있다. 버프의 기재는 한정되지 않고, 예를 들면 펠트, 면대체(綿帶體), 목면대체 등을 들 수 있다. 연마제로서는, 예를 들면 다이아몬드 분말, 그린 카보런덤(GC) 분말 등을 들 수 있다. 이들 연마제를 유지(油脂)류에 첨가하여, 페이스트 상태로 사용하면 좋다.Next, in the obtained sintered body, polishing is performed on the portion of the tip portion 22d corresponding to the opposing surface 22g of the main body 22b1. Polishing processing includes, for example, buff polishing. The base material of the buff is not limited, and examples include felt, cotton substitute, cotton substitute, etc. Examples of abrasives include diamond powder, green carborundum (GC) powder, and the like. These abrasives can be added to oils and fats and used in a paste state.

연마제의 평균 입경은, 예를 들면 0.5㎛ 이상 6㎛ 이하이다. 기재의 외경은 150mm이며, 그 회전 속도는, 예를 들면 28m/분 이상 170m/분 이하이다. 연마 시간은, 예를 들면 0.5분 이상 5분 이하이다.The average particle size of the abrasive is, for example, 0.5 μm or more and 6 μm or less. The outer diameter of the base material is 150 mm, and its rotation speed is, for example, 28 m/min or more and 170 m/min or less. The polishing time is, for example, 0.5 minutes or more and 5 minutes or less.

이어서, 연마 가공을 실시한 소결체에 있어서, 본체(22b1)의 기판(W)의 대향면(22g)에 상당하는 부분에 제 1 단열층(32)을 형성한다. 제 1 단열층(32)이 DLC를 주성분으로 하는 경우는, 예를 들면 이하의 순서에 의해 형성된다.Next, in the sintered body subjected to polishing processing, the first heat insulating layer 32 is formed in a portion corresponding to the opposing surface 22g of the substrate W of the main body 22b1. When the first heat insulating layer 32 contains DLC as a main component, it is formed, for example, by the following procedures.

먼저, 플라스마 처리 용기 내의 소정 위치에 소결체를 배치하고, 배기한 후, 아르곤 가스, 질소 가스 등의 비산화성 가스 분위기 중 또는 고진공 중에서 소결체를 100℃∼450℃로 가열한다. 이어서, 비산화성 가스 분위기 중 또는 불활성 가스 분위기 중에서 소결체에 고주파 전력과 부의 바이어스 전압을 급전해서 방전 플라스마를 발생시켜, 본체(221b)의 대향면(22g)에 상당하는 부분을 이온 조사한다. 이 이온 조사에 의해, 대향면(22g)에 상당하는 부분의 산화 피막이나 부착물을 제거할 수 있다. 그리고, 플라스마 처리 용기 내에 DLC막 형성용 원료 가스를 공급해서 방전 플라스마를 발생시켜, 본체(221b)의 대향면(22g)에 상당하는 부분에 DLC를 주성분으로 하는 제 1 단열층(32)을 형성한다. DLC막 형성용 원료 가스는, 예를 들면 메탄, 아세틸렌, 톨루엔 등의 탄화수소 가스이며, 필요에 따라서 수소를 첨가해도 좋다. 또한, 제 1 단열층(32)과 동시에 제 2 단열층(33)을 형성해도 좋다.First, the sintered body is placed at a predetermined position in the plasma treatment container, and after being evacuated, the sintered body is heated to 100°C to 450°C in a non-oxidizing gas atmosphere such as argon gas or nitrogen gas or in a high vacuum. Next, high-frequency power and negative bias voltage are supplied to the sintered body in a non-oxidizing gas atmosphere or an inert gas atmosphere to generate discharge plasma, and the portion corresponding to the opposing surface 22g of the main body 221b is irradiated with ions. By this ion irradiation, the oxide film and deposits on the portion corresponding to the opposing surface 22g can be removed. Then, the raw material gas for forming the DLC film is supplied into the plasma processing container to generate a discharge plasma, and the first heat insulating layer 32 containing DLC as a main component is formed in a portion corresponding to the opposing surface 22g of the main body 221b. . The raw material gas for forming the DLC film is, for example, a hydrocarbon gas such as methane, acetylene, and toluene, and hydrogen may be added as needed. Additionally, the second heat insulating layer 33 may be formed simultaneously with the first heat insulating layer 32.

값(H)이나 값(L)이 값(C)보다 큰 클램프용 지그(22)를 얻기 위해서는, 제 1 단열층(32)이나 제 2 단열층(33)의 밀도를 높게 함으로써, 대향면 상에 있는 개기공을 최대한 DLC로 충전하도록 하면 좋다. 상기 밀도는 강도비(HD/HG)와 부의 상관이 있기 때문에, 강도비(HD/HG)가 작아지도록, 대향면 주변의 플라스마 밀도가 높아지도록 성막 조건을 조정하면 좋다.In order to obtain the clamp jig 22 in which the value (H) or value (L) is greater than the value (C), the density of the first insulating layer 32 or the second insulating layer 33 is increased, so that the It is best to recharge Gaegong with DLC as much as possible. Since the density has a negative correlation with the intensity ratio (HD/HG), the film formation conditions may be adjusted so that the intensity ratio (HD/HG) is reduced and the plasma density around the opposing surface is increased.

제 1 단열층(32) 및/또는 제 2 단열층(33)으로서, DLC 대신에, 산화지르코늄 또는 질화규소를 주성분으로 하는 경우는 CVD(화학기상증착) 처리해서 형성하면 좋다.The first heat insulating layer 32 and/or the second heat insulating layer 33 may be formed by CVD (chemical vapor deposition) treatment when zirconium oxide or silicon nitride is used as the main component instead of DLC.

본 개시의 클램프용 지그(22)의 본체(22b1)가 산화지르코늄을 주성분으로 하는 세라믹스로 형성되는 경우, 산화지르코늄의 분말은, 산화지르코늄의 분말이 88∼99몰%와, 안정화제로서 산화이트륨(Y2O3), 산화세륨(CeO2), 산화마그네슘(MgO), 산화네오디뮴(Nd2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3) 및 산화칼슘(CaO)에서 선택되는 적어도 1종의 분말이 1∼12몰%로 이루어지는 혼합 분말, 또는 안정화제를 첨가해서 공침법에 의해 생성된 산화지르코늄의 분말이어도 좋다.When the main body 22b1 of the clamp jig 22 of the present disclosure is formed of ceramics containing zirconium oxide as a main component, the zirconium oxide powder contains 88 to 99 mol% of zirconium oxide and yttrium oxide as a stabilizer. (Y 2 O 3 ), cerium oxide (CeO 2 ), magnesium oxide (MgO), neodymium oxide (Nd 2 O 3 ), dysprosium oxide (Dy 2 O 3 ), and at least one type selected from calcium oxide (CaO). The powder may be a mixed powder of 1 to 12 mol%, or a zirconium oxide powder produced by coprecipitation with the addition of a stabilizer.

그리고, 칭량한 각 분말과 용매인 물을 진동 밀, 비즈 밀, 샌드 밀, 아지테이터 밀이나 볼 밀 등에 넣어서 혼합 분쇄해 슬러리를 얻는다. 다음으로, 슬러리에 바인더를 소정량 첨가하고, 분무 건조 장치에 의해 건조시켜서 과립을 얻는다.Then, each weighed powder and water as a solvent are placed in a vibrating mill, bead mill, sand mill, agitator mill, ball mill, etc. and mixed and pulverized to obtain a slurry. Next, a predetermined amount of binder is added to the slurry and dried using a spray dryer to obtain granules.

과립을 성형형에 충전하고, 상기와 마찬가지로 해서 성형체를 얻고, 이것을 탈지, 소성해서 소결체를 얻는다. 구체적으로, 소성은 대기 분위기 중, 1350℃ 이상 1550℃ 이하의 온도에서 3시간 이상 6시간 이하 유지하면 좋다. 다음으로, 상기와 마찬가지로 하여, 본체(22b1)의 기판(W)의 대향면(22g)에 상당하는 부위에 제 1 단열층(32)을, 또한 측면에 제 2 단열층(33)을 형성한다.The granules are filled into a mold, a molded body is obtained in the same manner as above, and this is degreased and fired to obtain a sintered body. Specifically, firing may be maintained in an air atmosphere at a temperature of 1350°C or higher and 1550°C or lower for 3 hours or more and 6 hours or less. Next, in the same manner as above, the first heat insulating layer 32 is formed on the portion corresponding to the opposing surface 22g of the substrate W of the main body 22b1, and the second heat insulating layer 33 is formed on the side surface.

상기 서술한 제조 방법으로 얻어진 클램프용 지그(22)는 우수한 내식성을 갖는 세라믹스로 형성되어 있다. 따라서, 본 개시에 의한 클램프용 지그(22)는, 예를 들면 세정 장치(30) 등의 부재로서, 장기간에 걸쳐서 계속적으로 사용할 수 있다. 또한, 클램프용 지그(22)의 파지부(22b)의 적어도 선단부(22d)는 기판(W)의 외주부에 대향하는 대향면(22g)에 제 1 단열층(32)을 구비하고 있으므로, 기판(W) 내의 위치에 따른 온도차가 작아져, 기판(W)의 표면에 생기는 세정 불균일을 저감할 수 있다.The clamp jig 22 obtained by the above-described manufacturing method is made of ceramics having excellent corrosion resistance. Therefore, the clamp jig 22 according to the present disclosure can be used continuously over a long period of time, for example, as a member of the cleaning device 30 or the like. In addition, since at least the tip portion 22d of the gripping portion 22b of the clamp jig 22 is provided with the first heat insulating layer 32 on the opposing surface 22g facing the outer peripheral portion of the substrate W, the substrate W ), the temperature difference depending on the position within the surface becomes smaller, and cleaning unevenness occurring on the surface of the substrate W can be reduced.

이상, 본 개시의 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 개시는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 개시의 범위 내에서 다양한 변경이나 개선이 가능하다.Although the embodiments of the present disclosure have been described above, the present disclosure is not limited to the above embodiments, and various changes and improvements are possible within the scope of the present disclosure.

1: 하우징 2: 챔버
3: 제 1 창부 4: 제 1 셔터
5: 반송 암 6: 제 2 창부
7: 제 2 셔터 8: 회전 척
9: 가스 공급부 10: 처리 컵
10a: 드레인 11: 언더 플레이트
12: 회전판 13: 원통체
14: 벨트 15: 제 1 모터
16: 탑 플레이트 17: 제 2 축체
18: 제 2 수평판 19: 제 2 모터
20: 제 2 승강 기구 21: 제 2 유로
22: 클램프용 지그 22a: 지주부
22b: 파지부 22b1: 본체
22c: 기단부 22d: 선단부
22e: 기부 22f: 관통 구멍
22g: 대향면 22j: 접속면
23: 제 1 유로 24: 제 1 축체
25: 제 1 수평판 26: 제 1 승강 기구
27: 압압 부재 28: 스프링
29: 제 3 축체 30: 세정 장치
32: 제 1 단열층 33: 제 2 단열층
34: 오목부 35a: 제 1 공극부
35b: 제 2 공극부 36: 개기공
40: 폐기공 41: 조립상 결정 입자
42: 미립상 결정 입자 43: 입자 내 기공
W: 기판1: Housing 2: Chamber
3: 1st window 4: 1st shutter
5: Return arm 6: Second harlot
7: second shutter 8: rotation chuck
9: gas supply section 10: processing cup
10a: drain 11: under plate
12: rotating plate 13: cylindrical body
14: belt 15: first motor
16: Top plate 17: Second shaft
18: second horizontal plate 19: second motor
20: second lifting mechanism 21: second flow path
22: Jig for clamp 22a: Holding part
22b: gripping portion 22b1: main body
22c: proximal end 22d: distal end
22e: base 22f: through hole
22g: opposing surface 22j: connecting surface
23: 1st Euro 24: 1st Axis
25: first horizontal plate 26: first lifting mechanism
27: pressure member 28: spring
29: third shaft 30: cleaning device
32: first insulating layer 33: second insulating layer
34: concave portion 35a: first void portion
35b: second pore 36: open pore
40: closed pores 41: coarse-grained crystal particles
42: fine crystalline particles 43: pores within the particles
W: substrate

Claims (15)

지주부와,
상기 지주부의 일방의 단부에 위치하고 있고, 기판의 외주부를 파지하기 위한 파지부와,
상기 지주부의 타방의 단부에 위치하고 있고, 상기 지주부를 지지하기 위한 기부를 포함하고,
상기 파지부는 탄화규소 또는 산화지르코늄을 주성분으로 하는 세라믹스로 이루어지는 본체와, 상기 본체의 선단에 위치하는, 상기 본체보다 열전도율이 낮은 제 1 단열층을 구비하고 있는 클램프용 지그.With the holding department,
a gripping portion located at one end of the supporting portion and configured to grip an outer peripheral portion of the substrate;
It is located at the other end of the support portion and includes a base for supporting the support portion,
A jig for a clamp, wherein the holding portion has a main body made of ceramics containing silicon carbide or zirconium oxide as a main component, and a first insulating layer located at the tip of the main body and having a lower thermal conductivity than the main body. 제 1 항에 있어서,
상기 파지부의 어느 하나의 측면의 적어도 대향면측에 상기 본체보다 열전도율이 낮은 제 2 단열층을 구비하고 있는 클램프용 지그.According to claim 1,
A clamp jig comprising a second heat insulating layer having a lower thermal conductivity than the main body on at least the opposite side of one side of the grip portion. 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 단열층 및 상기 제 2 단열층 중 적어도 어느 하나는 열전도율이 0W/(m·K)를 초과하고 1W/(m·K) 이하인 클램프용 지그.According to claim 2,
A jig for a clamp, wherein at least one of the first and second insulating layers has a thermal conductivity of more than 0W/(m·K) and less than or equal to 1W/(m·K). 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 단열층 및 상기 제 2 단열층 중 적어도 어느 하나는 주성분이 DLC, 산화지르코늄 또는 질화규소인 클램프용 지그.According to claim 2 or 3,
A jig for a clamp wherein at least one of the first and second insulating layers has a main component of DLC, zirconium oxide, or silicon nitride. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 단열층 및 상기 제 2 단열층 중 적어도 어느 하나는 주성분이 DLC이며, 수소 및 규소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 클램프용 지그.According to claim 2 or 3,
A jig for a clamp wherein at least one of the first and second insulating layers has a main component of DLC and contains at least one of hydrogen and silicon. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 단열층 및 상기 제 2 단열층 중 적어도 어느 하나는 반도전성을 갖는 클램프용 지그.The method according to any one of claims 2 to 5,
A clamp jig wherein at least one of the first and second insulating layers has semiconductivity. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대향면은 제 1 오목부를 갖고 있고, 상기 제 1 단열층은 상기 제 1 오목부로부터 두께 방향으로 신장하는 제 1 공극부를 구비하고, 상기 제 1 공극부의 선단은 상기 제 1 단열층 내에서 폐색되어 있는 클램프용 지그.The method according to any one of claims 1 to 6,
The opposing surface has a first concave portion, and the first heat insulating layer has a first void portion extending in the thickness direction from the first concave portion, and the tip of the first void portion is closed within the first heat insulating layer. Jig for clamp. 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 측면은 제 2 오목부를 갖고 있고, 상기 제 2 단열층은 상기 제 2 오목부로부터 두께 방향으로 신장하는 제 2 공극부를 구비하고, 상기 제 2 공극부의 선단은 상기 제 2 단열층 내에서 폐색되어 있는 클램프용 지그.The method according to any one of claims 2 to 7,
The side surface has a second concave portion, and the second heat insulating layer has a second void portion extending in the thickness direction from the second concave portion, and the tip of the second void portion is a clamp that is closed within the second heat insulating layer. Dragon jig. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 본체는 폐기공을 복수 갖고, 이웃하는 상기 폐기공의 무게중심 간 거리의 평균값(A)으로부터 상기 폐기공의 원 상당 지름의 평균값(B)을 뺀 값(C)이 50㎛ 이상 170㎛ 이하인 클램프용 지그.The method according to any one of claims 1 to 8,
The main body has a plurality of closed pores, and the value (C) obtained by subtracting the average value (B) of the equivalent circle diameter of the closed pores from the average value (A) of the distance between the centers of gravity of the neighboring closed pores is 50 ㎛ or more and 170 ㎛ or less. Jig for clamp. 제 9 항에 있어서,
상기 폐기공의 무게중심 간 거리의 첨도 Ku가 0.3 이상 4 이하인 클램프용 지그.According to clause 9,
A clamp jig in which the kurtosis Ku of the distance between the centers of gravity of the waste holes is 0.3 or more and 4 or less. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 본체는 조립상 결정 입자를 갖고, 상기 조립상 결정 입자의 면적은 6면적% 이상 15면적% 이하인 클램프용 지그.The method according to any one of claims 1 to 10,
A jig for a clamp wherein the main body has coarse-grained crystal particles, and the area of the coarse-grained crystal particles is 6 area% or more and 15 area% or less. 제 11 항에 있어서,
상기 조립상 결정 입자는 입자 내 기공을 포함하는 클램프용 지그.According to claim 11,
A jig for a clamp in which the coarse-grained crystal particles include pores within the particles. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 단열층은 개기공을 복수 갖고, 이웃하는 상기 개기공의 무게중심 간 거리의 평균값(F)으로부터 상기 개기공의 원 상당 지름의 평균값(G)을 뺀 값(H)이 상기 값(C)보다 큰 클램프용 지그.The method according to any one of claims 9 to 12,
The first insulating layer has a plurality of open pores, and the value (H) obtained by subtracting the average value (G) of the equivalent circle diameter of the open pores from the average value (F) of the distance between the centers of gravity of the neighboring open pores is the value (C) ) for clamps larger than that. 제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 단열층은 개기공을 복수 갖고, 이웃하는 상기 개기공의 무게중심 간 거리의 평균값(J)으로부터 상기 개기공의 원 상당 지름의 평균값(K)을 뺀 값(L)이 상기 값(C)보다 큰 클램프용 지그.The method according to any one of claims 9 to 13,
The second heat insulating layer has a plurality of open pores, and the value (L) obtained by subtracting the average value (K) of the equivalent circular diameters of the open pores from the average value (J) of the distance between the centers of gravity of the neighboring open pores is the value (C) ) for clamps larger than that. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 클램프용 지그를 포함하는 세정 장치.A cleaning device comprising the clamp jig according to any one of claims 1 to 14.
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