KR20240106659A

KR20240106659A - Fluid supply apparatus and substrate processing apparatus including the same

Info

Publication number: KR20240106659A
Application number: KR1020220189639A
Authority: KR
Inventors: 이영훈; 최용현; 김기봉; 임의상
Original assignee: 세메스 주식회사
Filing date: 2022-12-29
Publication date: 2024-07-08

Abstract

본 발명의 기술적 사상은, 유체가 이동하는 경로를 제공하고 상기 유체의 유량을 조절하도록 구성된 제1 밸브, 및 상기 유체의 파라미터를 측정하도록 구성된 제1 센서를 포함하고 전단 공급 라인; 상기 전단 공급 라인과 연결되고, 상기 전단 공급 라인을 통과한 상기 유체가 이동하는 경로를 제공하는 후단 공급 라인; 상기 후단 공급 라인과 연결되고 상기 후단 공급 라인을 통과한 상기 유체를 공정 챔버에 공급하는 최후단 공급 라인; 및 상기 후단 공급 라인 및 상기 최후단 공급 라인 사이에 배치되고, 상기 후단 공급 라인을 통과하는 상기 유체에 포함된 이물질을 걸러내도록 구성된 필터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유체 공급 장치를 제공한다.The technical idea of the present invention is to provide a path through which a fluid moves and to include a first valve configured to control a flow rate of the fluid, and a first sensor configured to measure a parameter of the fluid, including a front-end supply line; a rear-end supply line connected to the front-end supply line and providing a path along which the fluid passing through the front-end supply line moves; a rear end supply line connected to the rear end supply line and supplying the fluid passing through the rear end supply line to a process chamber; and a filter disposed between the rear end supply line and the last end supply line, and configured to filter out foreign substances contained in the fluid passing through the rear end supply line.

Description

Fluid supply apparatus and substrate processing apparatus including the same}

본 발명은 유체 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 고압 유체가 공급되는 유체 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a fluid supply device and a substrate processing device including the same, and more specifically, to a fluid supply device that supplies high-pressure fluid and a substrate processing device including the same.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조한다. 구체적으로, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 상부면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다.Generally, semiconductor devices are manufactured from a substrate such as a wafer. Specifically, semiconductor devices are manufactured by forming fine circuit patterns on the upper surface of a substrate by performing a deposition process, photolithography process, etching process, etc.

상기의 공정들을 수행하면서 상기 회로 패턴이 형성된 기판의 상부면에 각종 이물질이 부착되므로, 상기 공정들 사이에 기판 상의 이물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다.Since various foreign substances adhere to the upper surface of the substrate on which the circuit pattern is formed while performing the above processes, a cleaning process to remove foreign substances on the substrate is performed between the above processes.

세정 공정은 케미칼을 기판에 공급하여 기판 상의 이물질을 제거하는 케미칼 처리, 순수를 기판에 공급하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 처리, 그리고 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하는 건조 처리를 포함한다.The cleaning process includes chemical treatment to remove foreign substances on the substrate by supplying chemicals to the substrate, rinsing treatment to remove chemicals remaining on the substrate by supplying pure water to the substrate, and drying treatment to remove pure water remaining on the substrate. do.

이때, 기판의 처리를 위해 고압의 유체가 사용될 수 있는데, 고압 유체에 의해 발생한 파티클이 기판 처리가 진행되는 챔버 내로 유입되는 문제가 발생한다.At this time, high-pressure fluid may be used to process the substrate, but a problem occurs in which particles generated by the high-pressure fluid flow into the chamber where substrate processing is performed.

본 발명의 기술적 사상이 해결하려는 과제는, 공정 챔버로 이물질이 유입 되는 것을 방지하는 유체 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the technical idea of the present invention is to provide a fluid supply device that prevents foreign substances from entering a process chamber and a substrate processing device including the same.

또한, 본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있다.In addition, the problem to be solved by the technical idea of the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other problems can be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명은 기술적 과제를 이루기 위하여, 다음과 같은 유체 공급 장치를 제공한다. In order to achieve the technical problem, the present invention provides the following fluid supply device.

본 발명에 따른 유체 공급 장치는, 유체가 이동하는 경로를 제공하고 상기 유체의 유량을 조절하도록 구성된 제1 밸브, 및 상기 유체의 파라미터를 측정하도록 구성된 제1 센서를 포함하고 전단 공급 라인; 상기 전단 공급 라인과 연결되고, 상기 전단 공급 라인을 통과한 상기 유체가 이동하는 경로를 제공하는 후단 공급 라인; 상기 후단 공급 라인과 연결되고 상기 후단 공급 라인을 통과한 상기 유체를 공정 챔버에 공급하는 최후단 공급 라인; 및 상기 후단 공급 라인 및 상기 최후단 공급 라인 사이에 배치되고, 상기 후단 공급 라인을 통과하는 상기 유체에 포함된 이물질을 걸러내도록 구성된 필터;를 포함하는 것을 특징으로 한다.A fluid supply device according to the present invention includes a first valve configured to provide a path for fluid to move and regulate a flow rate of the fluid, and a first sensor configured to measure a parameter of the fluid, and includes a front-end supply line; a rear-end supply line connected to the front-end supply line and providing a path along which the fluid passing through the front-end supply line moves; a rear end supply line connected to the rear end supply line and supplying the fluid passing through the rear end supply line to a process chamber; and a filter disposed between the rear end supply line and the last end supply line, and configured to filter out foreign substances contained in the fluid passing through the rear end supply line.

예시적인 실시예들에서, 상기 후단 공급 라인에서 분기되고, 상기 필터에 의해 걸러진 이물질이 배출되는 경로를 제공하는 배출 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, it may further include a discharge line branched from the rear supply line and providing a path through which foreign substances filtered by the filter are discharged.

예시적인 실시예들에서, 상기 전단 공급 라인의 끝단에 배치되고, 상기 전단 공급 라인을 통과한 유체의 역류를 방지하도록 구성된 체크 밸브, 및 상기 후단 공급 라인에서 분기되고, 상기 필터에 의해 걸러진 이물질이 배출되는 경로를 제공하는 배출 라인을 더 포함하고, 상기 배출 라인은 배출 밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, a check valve disposed at an end of the upstream supply line and configured to prevent backflow of fluid passing through the upstream supply line, and a check valve branched from the downstream supply line and removing foreign matter filtered by the filter. It further includes a discharge line providing a discharge path, and the discharge line includes a discharge valve.

예시적인 실시예들에서, 상기 배출 밸브의 개폐를 조절하도로 구성된 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 공정 챔버에 유체가 공급되는 횟수에 기초하여, 상기 배출 밸브를 개방하는 것을 특징으로 한다.In example embodiments, the method further includes a controller configured to regulate opening and closing of the discharge valve, wherein the controller opens the discharge valve based on the number of times fluid is supplied to the process chamber.

예시적인 실시예들에서, 상기 최후단 공급 라인은 상기 유체가 이동하는 배관 외에 다른 부품을 포함하지 않는 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, the last-stage supply line is characterized in that it does not include any parts other than the pipe through which the fluid moves.

본 발명은 기술적 과제를 이루기 위하여, 다음과 같은 기판 처리 장치를 제공한다. In order to achieve the technical problem, the present invention provides the following substrate processing apparatus.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 배치되고, 상기 기판을 지지하도록 구성된 지지대; 상기 공정 챔버 내부로 초임계 유체를 공급하는 초임계 유체 공급부; 및 상기 초임계 유체를 상기 공정 챔버 외부로 배출하는 배출부를 포함하고, 상기 초임계 유체 공급부는, 상기 초임계 유체가 이동하는 경로를 제공하고 상기 초임계 유체의 유량을 조절하도록 구성된 제1 밸브 및 상기 초임계 유체의 파라미터를 측정하도록 구성된 제1 센서를 포함하는 전단 공급 라인, 상기 전단 공급 라인과 연결되고, 상기 전단 공급 라인을 통과한 상기 초임계 유체가 이동하는 경로를 제공하는 후단 공급 라인, 상기 후단 공급 라인 및 공정 챔버 각각에 연결된 최후단 공급 라인, 및 상기 후단 공급 라인과 상기 최후단 공급 라인 사이에 배치된 필터를 포함하고, 상기 필터는 상기 후단 공급 라인을 통과하는 상기 초임계 유체에 포함된 이물질을 걸러내도록 구성되고, 상기 최후단 공급 라인은 상기 초임계 유체가 이동하는 배관 외에 다른 부품을 포함하지 않는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber having a space therein for processing a substrate; a support disposed inside the process chamber and configured to support the substrate; a supercritical fluid supply unit that supplies supercritical fluid into the process chamber; and a discharge unit discharging the supercritical fluid to the outside of the process chamber, wherein the supercritical fluid supply unit provides a path along which the supercritical fluid moves and a first valve configured to control the flow rate of the supercritical fluid. A front-end supply line including a first sensor configured to measure the parameters of the supercritical fluid, a rear-end supply line connected to the front-end supply line and providing a path along which the supercritical fluid passing through the front-end supply line moves, a rear-end supply line connected to each of the rear-end supply line and the process chamber, and a filter disposed between the rear-end supply line and the rear-end supply line, wherein the filter is configured to filter the supercritical fluid passing through the rear-end supply line. It is configured to filter out contained foreign substances, and the last supply line is characterized in that it does not include any other parts other than the pipe through which the supercritical fluid moves.

예시적인 실시예들에서, 상기 전단 공급 라인의 끝단에 배치되고, 상기 전단 공급 라인을 통과한 유체의 역류를 방지하도록 구성된 체크 밸브, 및 상기 후단 공급 라인에서 분기되고, 상기 필터에 의해 걸러진 이물질이 배출되는 경로를 제공하는 배출 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, a check valve disposed at an end of the upstream supply line and configured to prevent backflow of fluid passing through the upstream supply line, and a check valve branched from the downstream supply line and removing foreign matter filtered by the filter. It is characterized in that it further includes a discharge line that provides a discharge path.

예시적인 실시예들에서, 상기 배출 라인에는 배출 밸브가 형성되고, 상기 필터에 의해 걸러진 이물질의 양에 기초하여 상기 배출 밸브의 개폐를 조절하는 제어기를 더 포함하며, 상기 이물질의 양은 상기 제1 센서에 의해 측정되는 유체의 압력에 기초하여 측정하는 것을 특징으로 한다.In exemplary embodiments, a discharge valve is formed in the discharge line, and further includes a controller that adjusts opening and closing of the discharge valve based on the amount of foreign matter filtered by the filter, and the amount of foreign matter is determined by the first sensor. It is characterized in that the measurement is based on the pressure of the fluid measured by.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 배치되고, 상기 기판을 지지하도록 구성된 지지대; 상기 공정 챔버 내부로 초임계 유체를 공급하는 초임계 유체 공급부; 및 상기 초임계 유체를 상기 공정 챔버 외부로 배출하는 배출부를 포함하고, 상기 초임계 유체 공급부는, 상기 초임계 유체가 이동하는 경로를 제공하고 상기 초임계 유체의 유량을 조절하도록 구성된 제1 밸브 및 상기 초임계 유체의 파라미터를 측정하도록 구성된 제1 센서를 포함하는 전단 공급 라인, 상기 전단 공급 라인과 연결되고, 상기 전단 공급 라인을 통과한 상기 초임계 유체가 이동하는 경로를 제공하는 후단 공급 라인, 상기 후단 공급 라인 및 공정 챔버 각각에 연결된 최후단 공급 라인, 및 상기 후단 공급 라인과 상기 최후단 공급 라인 사이에 배치된 필터를 포함하고, 상기 필터는 상기 후단 공급 라인을 통과하는 상기 초임계 유체에 포함된 이물질을 걸러내도록 구성되고, 상기 전단 공급 라인의 끝단에는 상기 이물질을 포함한 상기 초임계 유체의 역류를 방지하는 체크 밸브가 형성되며, 상기 최후단 공급 라인은 상기 초임계 유체가 이동하는 배관 외에 다른 부품을 포함하지 않고, 상기 필터에 의해 걸러진 상기 이물질은 상기 후단 공급 라인에서 분기되고 배출 밸브를 포함하는 배출 라인을 통해 배출되며, 상기 배출 밸브의 개폐를 조절하고, 상기 이물질의 양에 기초하여 상기 배출 밸브를 조절하도록 구성된 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber having a space therein for processing a substrate; a support disposed inside the process chamber and configured to support the substrate; a supercritical fluid supply unit that supplies supercritical fluid into the process chamber; and a discharge unit discharging the supercritical fluid to the outside of the process chamber, wherein the supercritical fluid supply unit provides a path along which the supercritical fluid moves and a first valve configured to control the flow rate of the supercritical fluid. A front-end supply line including a first sensor configured to measure the parameters of the supercritical fluid, a rear-end supply line connected to the front-end supply line and providing a path along which the supercritical fluid passing through the front-end supply line moves, a rear-end supply line connected to each of the rear-end supply line and the process chamber, and a filter disposed between the rear-end supply line and the rear-end supply line, wherein the filter is configured to filter the supercritical fluid passing through the rear-end supply line. It is configured to filter out foreign substances contained therein, and a check valve is formed at the end of the front supply line to prevent backflow of the supercritical fluid containing the foreign substances, and the last supply line is in addition to the pipe through which the supercritical fluid moves. Not including other parts, the foreign matter filtered by the filter is branched from the downstream supply line and discharged through a discharge line including a discharge valve, and adjusts the opening and closing of the discharge valve based on the amount of the foreign matter. Characterized in that it further includes a controller configured to regulate the discharge valve.

본 발명의 기술적 사상에 의한 유체 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는, 필터와 체크 밸브의 위치 최적화하고 이물질을 배출하는 배출 라인을 추가로 포함할 수 있다. The fluid supply device according to the technical idea of the present invention and the substrate processing device including the same may further include a discharge line for optimizing the positions of the filter and check valve and discharging foreign substances.

이에 따라, 공정 챔버로 유입되는 이물질이 감소되고 궁극적으로 반도체 소자의 수율이 향상될 수 있다.Accordingly, foreign substances flowing into the process chamber can be reduced and ultimately the yield of the semiconductor device can be improved.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 구성도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to example embodiments.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of the supercritical device of FIG. 1.
Figure 3 is a configuration diagram schematically showing an embodiment of a substrate processing device according to the technical idea of the present invention.
Figure 4 is a configuration diagram schematically showing an embodiment of a substrate processing device according to the technical idea of the present invention.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same components in the drawings, and duplicate descriptions thereof are omitted.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to example embodiments.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기를 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일 방향을 따라 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 1 includes an index module 10, a processing module 20, and a controller. According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 may be arranged along one direction.

이하, X축 방향은 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치되는 방향을 나타내고, Y축 방향은 상부에서 바라볼 때, X축 방향과 수직한 방향을 나타내며, Z축 방향은 상기 X축 방향 및 Y축 방향에 수직인 방향일 수 있다. 다시 말해, Z축 방향은 X-Y 평면에 수직한 방향일 수 있다.Hereinafter, the X-axis direction represents the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged, the Y-axis direction represents a direction perpendicular to the It may be in a direction perpendicular to the axial direction and the Y-axis direction. In other words, the Z-axis direction may be perpendicular to the X-Y plane.

또한, 이하에서 제1 수평 방향, 제2 수평 방향, 및 수직 방향은 다음과 같이 이해될 수 있다. 제1 수평 방향은 X축 방향으로 이해될 수 있고, 제2 수평 방향은 Y축 방향으로 이해될 수 있으며, 수직 방향은 Z축 방향으로 이해될 수 있다.Additionally, hereinafter, the first horizontal direction, the second horizontal direction, and the vertical direction may be understood as follows. The first horizontal direction can be understood as the X-axis direction, the second horizontal direction can be understood as the Y-axis direction, and the vertical direction can be understood as the Z-axis direction.

인덱스 모듈(10)에는 기판(W)이 수납된 용기(80)가 제공될 수 있다. 용기(80)는 복수개가 제공될 수 있다. 인덱스 모듈(10)은 용기(80)에 보관된 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납할 수 있다.The index module 10 may be provided with a container 80 in which the substrate W is stored. A plurality of containers 80 may be provided. The index module 10 may transfer the substrate W stored in the container 80 to the processing module 20 and store the substrate W that has been processed in the processing module 20 into the container 80. .

인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 포함할 수 있다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)과 제1 수평 방향(X)으로 이격될 수 있다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 배치될 수 있다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2 수평 방향(Y)을 따라 배치될 수 있다.The index module 10 may include a load port 12 and an index frame 14. Based on the index frame 14, the load port 12 may be spaced apart from the processing module 20 in the first horizontal direction (X). The container 80 containing the substrates W may be placed in the load port 12. A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be arranged along the second horizontal direction (Y).

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.The container 80 may be an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP). Container 80 may be placed in load port 12 by an operator or a transfer means such as an overhead transfer, overhead conveyor, or automatic guided vehicle.

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 제2 수평 방향(Y)으로 연장되는 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140)을 따라 이동할 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 제1 수평 방향(X)에 따른 전진 및 후진 이동이 가능하고, 수직 방향(Z)을 축으로 한 회전과 수직 방향(Z)에 따른 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 서로 수직 방향(Z)으로 이격되어 제공될 수 있다. 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.An index robot 120 is provided in the index frame 14. A guide rail 140 extending in the second horizontal direction (Y) is provided within the index frame 14, and the index robot 120 can move along the guide rail 140. The index robot 120 includes a hand 122 on which a substrate (W) is placed, and the hand 122 is capable of moving forward and backward along the first horizontal direction (X) and about the vertical direction (Z). It can be provided to enable one rotation and movement along the vertical direction (Z). A plurality of hands 122 may be provided, and may be provided spaced apart from each other in the vertical direction (Z). Hands 122 can move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 장치(300), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500)를 포함할 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무는 공간을 제공할 수 있다. 액 처리 장치(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정 장치일 수 있다. 초임계 장치(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정 장치일 수 있다. 반송 장치(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500) 간에 기판(W)을 반송하도록 구성될 수 있다.The processing module 20 may include a buffer unit 200, a transfer device 300, a liquid processing device 400, and a supercritical device 500. The buffer unit 200 may provide a space where the substrate W brought into the processing module 20 and the substrate W taken out from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing device 400 may be a liquid processing device that processes the substrate W by supplying liquid onto the substrate W. The supercritical device 500 may be a drying process device that removes liquid remaining on the substrate W. The transfer device 300 may be configured to transfer the substrate W between the buffer unit 200, the liquid processing device 400, and the supercritical device 500.

반송 장치(300)는 길이 방향이 제1 수평 방향(X)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 초임계 장치(500)는 복수개가 제공될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 초임계 장치(500)는 반송 장치(300)의 제2 수평 방향(Y)에 따른 측면과 인접하여 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 장치(300)의 제1 수평 방향(X) 측 일단에 위치할 수 있다.The transfer device 300 may be provided in a longitudinal direction in the first horizontal direction (X). The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer device 300. A plurality of liquid processing devices 400 and supercritical devices 500 may be provided. The liquid processing device 400 and the supercritical device 500 may be disposed adjacent to the side of the transfer device 300 along the second horizontal direction (Y). The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer device 300 in the first horizontal direction (X).

예시적인 실시예들에 따르면, 액 처리 장치(400)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되고, 초임계 장치(500)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 장치(400)들은 초임계 장치(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다.According to exemplary embodiments, the liquid processing devices 400 are disposed on both sides of the conveying device 300, the supercritical devices 500 are disposed on both sides of the conveying device 300, and the liquid processing devices 400 They may be placed closer to the buffer unit 200 than the supercritical devices 500.

반송 장치(300)는 반송 로봇(320)을 포함할 수 있다. 반송 장치(300)는 제1 수평 방향(X)으로 연장되는 가이드 레일(340)을 더 포함할 수 있다. 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 제1 수평 방향(X)을 따라 이동할 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 수직 방향(Z)을 축으로 한 회전, 그리고 수직 방향(Z)에 따른 이동이 가능하도록 구성될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되도록 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer device 300 may include a transfer robot 320 . The transfer device 300 may further include a guide rail 340 extending in the first horizontal direction (X). The transfer robot 320 may move along the first horizontal direction (X) on the guide rail 340. The transfer robot 320 includes a hand 322 on which a substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the vertical direction Z, and moves along the vertical direction Z. It can be configured to make this possible. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 can move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 포함할 수 있다. 버퍼(220)는 복수개가 제공될 수 있다. 버퍼(220)들은 수직 방향(Z)을 따라 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방되도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 장치(300)와 마주보는 면일 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 may include a buffer 220 on which the substrate W is placed. A plurality of buffers 220 may be provided. The buffers 220 may be arranged to be spaced apart from each other along the vertical direction (Z). The buffer unit 200 may be configured to have open front and rear faces. In some embodiments, the front side may be a side facing the index module 10, and the back side may be a side facing the transfer device 300. The index robot 120 may access the buffer unit 200 through the front, and the transfer robot 320 may approach the buffer unit 200 through the rear.

도 2는 도 1의 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of the supercritical device of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거하도록 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 기판(W) 상에 잔존하는 액은 이소프로필 알코올(IPA)일 수 있다. 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 기판 상에 공급하여 기판(W) 상의 IPA를 초임계 유체에 용해시켜 기판(W)으로부터 IPA를 제거할 수 있다.Referring to FIG. 2, the supercritical device 500 may be configured to remove liquid on the substrate W using a supercritical fluid. According to exemplary embodiments, the liquid remaining on the substrate W may be isopropyl alcohol (IPA). The supercritical device 500 may supply supercritical fluid to the substrate, dissolve the IPA on the substrate W in the supercritical fluid, and remove the IPA from the substrate W.

초임계 장치(500)는 공정 챔버(520), 유체 공급부(560), 지지대(580), 및 배출부(550)를 포함할 수 있다. 공정 챔버(520)는 내부에 기판(W)이 처리되는 공간이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 공정 챔버(520)는 세정 공정이 수행되는 처리공간(502)을 제공할 수 있다. 공정 챔버(520)는 상부 하우징(522)과 하부 하우징(524)을 포함할 수 있다. 상부 하우징(522)은 하부 하우징(524)의 상부에 배치될 수 있다. 상부 하우징(522)과 하부 하우징(524)이 서로 결합되어 상기 처리공간(502)이 제공될 수 있다. The supercritical device 500 may include a process chamber 520, a fluid supply unit 560, a support unit 580, and a discharge unit 550. The process chamber 520 may have a space formed therein where the substrate W is processed. According to example embodiments, the process chamber 520 may provide a processing space 502 in which a cleaning process is performed. Process chamber 520 may include an upper housing 522 and a lower housing 524. The upper housing 522 may be disposed on top of the lower housing 524. The processing space 502 may be provided by combining the upper housing 522 and the lower housing 524 with each other.

상부 하우징(522)은 그 위치가 고정되고, 하부 하우징(524)은 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 수직 방향(Z)에 따라 구동할 수 있다. 하부 하우징(524)이 상부 하우징(522)으로부터 이격되면 처리공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출될 수 있다. 반대로, 공정 진행시에는 하부 하우징(524)이 상부 하우징(522)에 밀착되어 처리공간(502)이 외부로부터 밀폐될 수 있다. 공정 챔버(520)의 벽 내부에는 히터(570)가 제공될 수 있다. 히터(570)는 공정 챔버(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 공정 챔버(520)의 처리공간(502)을 가열할 수 있다. The upper housing 522 is fixed in position, and the lower housing 524 can be driven along the vertical direction (Z) by a driving member 590 such as a cylinder. When the lower housing 524 is spaced apart from the upper housing 522, the processing space 502 is opened, and at this time, the substrate W can be brought in or out. Conversely, during the process, the lower housing 524 may be in close contact with the upper housing 522, thereby sealing the processing space 502 from the outside. A heater 570 may be provided inside the wall of the process chamber 520. The heater 570 may heat the processing space 502 of the process chamber 520 so that the fluid supplied into the internal space of the process chamber 520 remains in a supercritical state.

지지대(580)는 공정 챔버(520)의 처리공간(502) 내에서 기판(W)을 지지하도록 구성될 수 있다. 공정 챔버(520)의 처리공간(502)으로 반입된 기판(W)은 지지대(580) 상에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 기판(W)은 패턴이 형성된 면이 상부를 향하도록 지지대(580) 상에 배치될 수 있다.The support 580 may be configured to support the substrate W within the processing space 502 of the process chamber 520. The substrate W brought into the processing space 502 of the process chamber 520 may be placed on the support 580. According to some embodiments, the substrate W may be placed on the support 580 with the surface on which the pattern is formed facing upward.

유체 공급부(560)는 공정 챔버(520)의 처리공간(502)으로 기판 처리를 위한 유체를 공급할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 유체 공급부(560)는 메인 공급 라인(562), 상부 공급 라인(564) 그리고 하부 공급 라인(566)을 포함할 수 있다.The fluid supply unit 560 may supply fluid for substrate processing to the processing space 502 of the process chamber 520. In some embodiments, fluid supply 560 may include a main supply line 562, an upper supply line 564, and a lower supply line 566.

상부 공급 라인(564)과 하부 공급 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기되어 제공된 공급 라인일 수 있다. 상부 공급 라인(564)은 상부 하우징(522)의 중앙에 결합될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 하부 공급 라인(566)은 하부 하우징(524)의 중앙에 결합될 수 있다.The upper supply line 564 and the lower supply line 566 may be supply lines branched from the main supply line 562. The upper supply line 564 may be coupled to the center of the upper housing 522. In some embodiments, lower supply line 566 may be coupled to the center of lower housing 524.

배출부(550)는 기판(W)의 처리가 완료된 후 잔존하는 유체가 외부로 배출되는 경로를 제공할 수 있다. 배출부(550)는 하부 하우징(524)과 연결될 수 있다. 공정 챔버(520)의 처리공간(502) 내의 초임계 유체는 배출부(550)를 통해서 공정 챔버(520)의 외부로 배출될 수 있다.The discharge unit 550 may provide a path through which the remaining fluid is discharged to the outside after processing of the substrate W is completed. The discharge unit 550 may be connected to the lower housing 524. The supercritical fluid in the processing space 502 of the process chamber 520 may be discharged to the outside of the process chamber 520 through the discharge unit 550.

도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 구성도이다. 도 3의 기판 처리 장치(1000)는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 초임계 장치(500)와 대응될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1000)는 초임계 장치(500)에 한정되지 않으며 고압 유체가 챔버로 제공되는 장치이면 족하다. 즉, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 처리에 고압 유체가 사용되는 장치이면 족하다. 또한, 도 3에서는 편의를 위하여 공정 챔버(1200) 내에 제공된 구성요소들을 생략한다Figure 3 is a configuration diagram schematically showing an embodiment of a substrate processing device according to the technical idea of the present invention. The substrate processing apparatus 1000 of FIG. 3 may correspond to the supercritical apparatus 500 described with reference to FIGS. 1 and 2 . Additionally, the substrate processing device 1000 is not limited to the supercritical device 500, and any device in which high-pressure fluid is provided to the chamber is sufficient. That is, the substrate processing apparatus 1000 is sufficient as a device that uses high-pressure fluid to process the substrate W. Additionally, in FIG. 3, components provided in the process chamber 1200 are omitted for convenience.

도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 공정 챔버(1200), 및 유체 공급부(1100)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the substrate processing apparatus 1000 may include a process chamber 1200 and a fluid supply unit 1100.

공정 챔버(1200)는 기판의 처리 공정이 수행되는 챔버일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 공정 챔버(1200)는 상기 처리 공정에 고압의 유체가 사용되는 챔버일 수 있다. 공정 챔버(1200) 내에는 지지대가 제공될 수 있다. 지지대는 공정 챔버(1200) 내에서 기판을 지지하도록 구성될 수 있다.The process chamber 1200 may be a chamber in which a substrate processing process is performed. According to example embodiments, the process chamber 1200 may be a chamber in which high-pressure fluid is used in the processing process. A support may be provided within the process chamber 1200. The support may be configured to support the substrate within the process chamber 1200.

유체 공급부(1100)는 공정 챔버(1200)로 유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 유체 공급부(1100)가 공정 챔버(1200)로 공급하는 유체는 고압의 유체를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 유체 공급부(1100)는 공정 챔버(1200)로 초임계 유체를 공급할 수 있다.The fluid supply unit 1100 may be configured to supply fluid to the process chamber 1200. According to example embodiments, the fluid supplied by the fluid supply unit 1100 to the process chamber 1200 may include high-pressure fluid. In some embodiments, the fluid supply unit 1100 may supply supercritical fluid to the process chamber 1200.

유체 공급부(1100)는 전단 공급 라인(1110), 후단 공급 라인(1120), 및 최후단 공급 라인(1140)을 포함할 수 있다. 전단 공급 라인(1110)은 유체 저장부와 연결되어 유체가 이동하는 경로를 제공하도록 구성될 수 있다. 전단 공급 라인(1110)은 제1 밸브(1111), 히터(1113), 및 제1 센서(1115)를 포함할 수 있다.The fluid supply unit 1100 may include a front-end supply line 1110, a rear-end supply line 1120, and a rear-end supply line 1140. The front-end supply line 1110 may be connected to the fluid storage unit and configured to provide a path through which fluid moves. The front end supply line 1110 may include a first valve 1111, a heater 1113, and a first sensor 1115.

제1 밸브(1111)는 전단 공급 라인(1110)을 통과하는 유체의 유량을 조절하도록 구성될 수 있다. 제1 밸브(1111)는 개폐를 통해 상기 유체가 전단 공급 라인(1110)을 통과하거나, 통과하지 못하도록 조절할 수 있다.The first valve 1111 may be configured to adjust the flow rate of fluid passing through the front-end supply line 1110. The first valve 1111 can be opened and closed to control the fluid to pass through or not pass through the front-end supply line 1110.

제1 밸브(1111)는 복수개가 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 밸브(1111)는 히터(1113) 전단, 및 후단에 각각 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 제1 밸브(1111)는 유체의 유량 조절이 필요한 곳에 제공될 수 있다.A plurality of first valves 1111 may be provided. For example, the first valve 1111 may be provided at the front and rear ends of the heater 1113, respectively. However, it is not limited to this, and the first valve 1111 may be provided where control of the flow rate of fluid is required.

제1 센서(1115)는 전단 공급 라인(1110)을 통과하는 유체의 파라미터를 측정하도록 구성될 수 있다. 상기 파라미터는 유체의 압력, 온도, 유량 등을 의미할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면 제1 센서(1115)는 압력 센서(1115p), 및 온도 센서(1115t)를 포함할 수 있다. 압력 센서(1115p)는 전단 공급 라인(1110)을 통과하는 유체의 압력을 측정하도록 구성될 수 있으며, 온도 센서(1115t)는 전단 공급 라인(1110)을 통과하는 유체의 온도를 측정하도록 구성될 수 있다.The first sensor 1115 may be configured to measure parameters of fluid passing through the front end feed line 1110. The parameters may refer to fluid pressure, temperature, flow rate, etc. According to example embodiments, the first sensor 1115 may include a pressure sensor 1115p and a temperature sensor 1115t. The pressure sensor 1115p may be configured to measure the pressure of the fluid passing through the front-end supply line 1110, and the temperature sensor 1115t may be configured to measure the temperature of the fluid passing through the front-end supply line 1110. there is.

전단 공급 라인(1110)은 체크 밸브(1117)를 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 체크 밸브(1117)는 전단 공급 라인(1110)의 끝단에 제공될 수 있다. 상기 끝단은 전단 공급 라인(1110)과 후단 공급 라인(1120)이 연결되는 지점과 인접한 지점일 수 있다. 체크 밸브(1117)는 전단 공급 라인(1110)의 다른 부품들, 예를 들어 제1 밸브(1111), 및 제1 센서(1115)보다 후단 공급 라인(1120)에 가깝게 제공될 수 있다. 따라서, 전단 공급 라인(1110)을 통과하는 유체는 체크 밸브(1117)를 통과한 후 후단 공급 라인(1120)으로 공급되며, 이때, 체크 밸브(1117)를 통과한 유체는 후단 공급 라인(1120)에 공급되기 전까지 다른 부품들을 통과하지 않을 수 있다.The front end supply line 1110 may further include a check valve 1117. According to exemplary embodiments, a check valve 1117 may be provided at the end of the front end supply line 1110. The end may be a point adjacent to the point where the front-end supply line 1110 and the back-end supply line 1120 are connected. The check valve 1117 may be provided closer to the rear-end supply line 1120 than other parts of the front-end supply line 1110, such as the first valve 1111 and the first sensor 1115. Therefore, the fluid passing through the front-end supply line 1110 passes through the check valve 1117 and then is supplied to the rear-end supply line 1120. At this time, the fluid passing through the check valve 1117 is supplied to the rear-end supply line 1120. It may not pass through other parts until it is supplied to .

체크 밸브(1117)는 유체를 한쪽 방향으로만 흐르게 하고 반대 방향으로는 흐르지 못하도록 하는 밸브일 수 있다. 즉, 유체의 역류를 방지하는 밸브일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 체크 밸브(1117)는 스윙형, 리프트형을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The check valve 1117 may be a valve that allows fluid to flow in only one direction and prevents fluid from flowing in the opposite direction. In other words, it may be a valve that prevents backflow of fluid. According to example embodiments, the check valve 1117 may include a swing type or a lift type, but is not limited thereto.

체크 밸브(1117)가 전단 공급 라인(1110)의 끝단에 설치됨에 따라, 후술할 바와 같이 필터(1150)에 의해 걸러진 이물질이 다시 전단 공급 라인(1110)으로 유입되어 전단 공급 라인에 제공된 부품들, 예를 들어, 제1 밸브(1111), 제1 센서(1115)에 확산되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 체크 밸브(1117)는 전단 공급 라인(1110)에 제공된 상기 부품들이 이물질의 역류에 의해 오염되거나 파손되는 것을 방지할 수 있다.As the check valve 1117 is installed at the end of the front-end supply line 1110, foreign matter filtered by the filter 1150 flows back into the front-end supply line 1110, as will be described later, and the parts provided in the front-end supply line, For example, it can be prevented from spreading to the first valve 1111 and the first sensor 1115. Accordingly, the check valve 1117 can prevent the parts provided in the front-end supply line 1110 from being contaminated or damaged by reverse flow of foreign substances.

후단 공급 라인(1120)은 전단 공급 라인(1110), 및 최후단 공급 라인(1140) 각각에 연결될 수 있다. 후단 공급 라인(1120)은 전단 공급 라인(1110)을 통과한 유체가 이동하는 경로를 제공할 수 있다.The rear end supply line 1120 may be connected to the front end supply line 1110 and the last end supply line 1140, respectively. The rear-end supply line 1120 may provide a path along which the fluid passing through the front-end supply line 1110 moves.

필터(1150)는 후단 공급 라인(1120)의 끝단에 제공될 수 있다. 필터(1150)는 후단 공급 라인(1120)과 최후단 공급 라인(1140) 사이에 배치될 수 있다. 필터(1150)를 기준으로 후단 공급 라인(1120)과 최후단 공급 라인(1140)이 정의될 수 있다.The filter 1150 may be provided at the end of the downstream supply line 1120. The filter 1150 may be disposed between the rear end supply line 1120 and the last end supply line 1140. A rear-end supply line 1120 and a last-stage supply line 1140 may be defined based on the filter 1150.

필터(1150)는 후단 공급 라인(1120)을 통과하는 유체 내에 포함된 이물질을 제거하도록 구성될 수 있다. 필터(1150)는 상기 이물질이 최후단 공급 라인(1140)으로 공급되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 필터(1150)는 후단 공급 라인(1120)을 통과하는 유체 내에 포함된 이물질을 걸러낼 수 있다. The filter 1150 may be configured to remove foreign substances contained in the fluid passing through the rear supply line 1120. The filter 1150 can prevent the foreign substances from being supplied to the last supply line 1140. For example, the filter 1150 may filter out foreign substances contained in the fluid passing through the rear supply line 1120.

이물질은 파티클을 포함하며, 상기 파티클은, 유체가 전단 공급 라인(1110)을 통과하면서 제1 밸브(1111), 제1 센서(1115) 등의 부품들과 마찰하면서 발생한 오염 물질일 수 있다. 특히, 고압의 유체가 전단 공급 라인(1110)을 따라 이동하는 경우, 상기 고압의 유체는 상기 부품들과 마찰을 발생시키거나 상기 부품들을 용해하여 다수의 오염 물질을 발생시킬 수 있다.Foreign substances include particles, and the particles may be contaminants generated when fluid passes through the front-end supply line 1110 and rubs against parts such as the first valve 1111 and the first sensor 1115. In particular, when high-pressure fluid moves along the front-end supply line 1110, the high-pressure fluid may generate friction with the parts or dissolve the parts, thereby generating a number of contaminants.

전단 공급 라인(1110)을 통과한 유체에는 상기 이물질이 포함될 수 있으며, 상기 이물질을 포함한 유체는 그대로 후단 공급 라인(1120)으로 공급된다. 후단 공급 라인(1120)을 통과하는 유체는 필터(1150)로 유입되는데, 이때 상기 유체에 포함된 이물질은 필터(1150)에 의해 걸러질 수 있다. 따라서, 최후단 공급 라인(1140)에는 이물질이 제거된 유체가 공급될 수 있다.The fluid passing through the front-end supply line 1110 may contain the foreign substances, and the fluid containing the foreign substances is supplied to the rear-end supply line 1120 as is. The fluid passing through the rear supply line 1120 flows into the filter 1150, and at this time, foreign substances contained in the fluid can be filtered by the filter 1150. Accordingly, fluid from which foreign substances have been removed can be supplied to the last supply line 1140.

예시적인 실시예들에 따르면, 필터(1150)는 평강판이 슬릿 상으로 배관에 설치된 형상일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 필터(1150)는 스크린 필터를 포함할 수 있다. 상기 스크린 필터는 예를 들어, 원통상의 스크린을 설치한 회전스크린, 드럼스크린 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 삼각형의 단면을 갖는 웨지 와이어 스크린 필터(wedge wire screen filter)를 포함할 수 있다.According to exemplary embodiments, the filter 1150 may have a shape in which a flat steel plate is installed in a pipe with a slit. According to example embodiments, filter 1150 may include a screen filter. The screen filter may include, for example, a rotating screen equipped with a cylindrical screen, a drum screen, etc., but is not limited thereto, and may include a wedge wire screen filter having a triangular cross-section. You can.

예시적인 실시예들에 따르면, 유체 공급부(1100)는 후단 공급 라인(1120)에서 분기된 배출 라인(1130)을 더 포함할 수 있다. 배출 라인(1130)은 필터(1150)에 의해 걸리진 이물질이 외부로 배출되는 경로를 제공할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면 배출 라인(1130)은 필터(1150)의 전단에 형성될 수 있다. 따라서, 필터(1150)에 의해 걸리진 이물질이 다른 부품들로 유입되기 전에 배출될 수 있다. According to example embodiments, the fluid supply unit 1100 may further include a discharge line 1130 branched from the rear end supply line 1120. The discharge line 1130 may provide a path through which foreign substances caught by the filter 1150 are discharged to the outside. According to example embodiments, the discharge line 1130 may be formed in front of the filter 1150. Accordingly, foreign matter caught by the filter 1150 can be discharged before flowing into other parts.

배출 라인(1130)에는 배출 밸브(1132)가 형성될 수 있다. 배출 밸브(1132)는 배출 라인(1130)을 통과하는 유체의 유량을 조절하도록 구성될 수 있다. 배출 밸브(1132)가 닫힌 상태일 경우, 전단 공급 라인(1110)을 통과하는 유체는 후단 공급 라인(1120), 및 최후단 공급 라인(1140)을 따라 공정 챔버(1200)로 제공되고, 배출 밸브(1132)가 열린 상태일 경우, 후단 공급 라인(1120)에 잔존하는 이물질은 배출 라인(1130)을 따라 배출될 수 있다. 이때, 전단 공급 라인(1110)을 통과하는 유체가 배출 라인(1130)을 따라 배출되는 것을 방지하기 위해 제1 밸브(1111)는 닫힌 상태로 전환될 수 있다.A discharge valve 1132 may be formed in the discharge line 1130. Discharge valve 1132 may be configured to regulate the flow rate of fluid passing through discharge line 1130. When the discharge valve 1132 is closed, the fluid passing through the front-end supply line 1110 is provided to the process chamber 1200 along the rear-end supply line 1120 and the last-end supply line 1140, and the discharge valve When (1132) is in the open state, foreign substances remaining in the rear supply line (1120) can be discharged along the discharge line (1130). At this time, the first valve 1111 may be switched to a closed state to prevent the fluid passing through the front-end supply line 1110 from being discharged along the discharge line 1130.

또한, 배출 밸브(1132)가 열린 상태일 때, 발생하는 압력에 의해 필터(1150) 전단에 잔존하는 이물질들은 잔존 유체에 포함된 상태로 배출 라인(1130)으로 이동돼 외부로 배출될 수 있다.Additionally, when the discharge valve 1132 is in an open state, foreign substances remaining in the front of the filter 1150 may be moved to the discharge line 1130 in the remaining fluid and discharged to the outside due to the pressure generated.

최후단 공급 라인(1140)은 공정 챔버(1200)와 연결될 수 있다. 최후단 공급 라인(1140)을 통과하는 유체는 공정 챔버(1200)로 공급될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 최후단 공급 라인(1140)에는 유체가 이동하는 배관 외에 다른 부품들이 형성되지 않을 수 있다. 즉, 최후단 공급 라인(1140)에는 밸브, 센서 등이 제공되지 않을 수 있다. 따라서, 필터(1150)는 공정 챔버(1200)로 유체가 유입되기 전 마지막으로 통과하는 부품일 수 있다.The last supply line 1140 may be connected to the process chamber 1200. Fluid passing through the last supply line 1140 may be supplied to the process chamber 1200. According to exemplary embodiments, no other parts other than the pipe through which fluid moves may be formed in the last supply line 1140. That is, valves, sensors, etc. may not be provided in the last-stage supply line 1140. Accordingly, the filter 1150 may be the last component that fluid passes through before flowing into the process chamber 1200.

결국, 본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치(1000)는 유체 공급부(1100)의 최후단에 형성된 필터(1150)를 포함함에 따라 공정 챔버(1200)로 이물질이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 필터(1150)를 통과한 유체는 곧바로 공정 챔버(1200)로 유입되므로 이물질 추가적으로 발생하지 않을 수 있다.Ultimately, the substrate processing apparatus 1000 according to the technical idea of the present invention includes a filter 1150 formed at the last end of the fluid supply unit 1100, thereby preventing foreign substances from flowing into the process chamber 1200. Additionally, since the fluid that has passed through the filter 1150 flows directly into the process chamber 1200, additional foreign substances may not be generated.

또한, 전단 공급 라인(1110)의 끝단에 형성된 체크 밸브(1117)는 필터(1150)에 의해 걸러진 이물질이 다시 전단 공급 라인(1110)으로 역확산 되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 전단 공급 라인(1110)에 형성된 제1 밸브(1111), 제1 필터(1150) 등의 부품들을 보호할 수 있다.Additionally, the check valve 1117 formed at the end of the front-end supply line 1110 can prevent foreign substances filtered by the filter 1150 from back-diffusion into the front-end supply line 1110. Accordingly, components such as the first valve 1111 and the first filter 1150 formed in the front-end supply line 1110 can be protected.

그리고, 후단 공급 라인(1120)으로부터 분기된 배출 라인(1130)을 포함함에 따라, 필터(1150)에 의해 걸러진 이물질이 후단 공급 라인(1120)에 쌓이지 않고 외부로 배출될 수 있다. 이에 따라, 필터(1150)가 이물질에 의해 막히거나 손상되는 것을 방지할 수 있다.In addition, as it includes a discharge line 1130 branched from the rear end supply line 1120, foreign substances filtered by the filter 1150 can be discharged to the outside without accumulating in the rear end supply line 1120. Accordingly, the filter 1150 can be prevented from being clogged or damaged by foreign substances.

도 4는 본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 구성도이다. 이하에서는 도 4의 기판 처리 장치(1001)와 도 3의 기판 처리 장치(1000)의 중복된 내용은 생략하고 차이점을 위주로 설명하도록 한다. Figure 4 is a configuration diagram schematically showing an embodiment of a substrate processing device according to the technical idea of the present invention. Hereinafter, overlapping content between the substrate processing apparatus 1001 of FIG. 4 and the substrate processing apparatus 1000 of FIG. 3 will be omitted and the differences will be mainly explained.

도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1001)는 공정 챔버(1200), 및 유체 공급부(1101)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the substrate processing apparatus 1001 may include a process chamber 1200 and a fluid supply unit 1101.

유체 공급부(1101)는 전단 공급 라인(1110), 후단 공급 라인(1120), 및 최후단 공급 라인(1140)을 포함할 수 있다. 전단 공급 라인(1110)은 제1 밸브(1111), 히터(1113), 제1 센서(1115), 및 체크 밸브(1117)를 포함할 수 있다. 필터(1150)는 후단 공급 라인(1120), 및 최후단 공급 라인(1140) 사이에 배치될 수 있다. 유체 공급부(1101)는 배출 밸브(1132)를 포함하는 배출 라인(1130)을 더 포함할 수 있다.The fluid supply unit 1101 may include a front end supply line 1110, a rear end supply line 1120, and a rear end supply line 1140. The front-end supply line 1110 may include a first valve 1111, a heater 1113, a first sensor 1115, and a check valve 1117. The filter 1150 may be disposed between the rear end supply line 1120 and the last end supply line 1140. The fluid supply unit 1101 may further include a discharge line 1130 including a discharge valve 1132.

유체 공급부(1101)는 제어기(1190)를 더 포함할 수 있다. 제어기(1190)는 배출 밸브(1132)를 조절하도록 구성될 수 있다. 제어기(1190)가 배출 밸브(1132)를 열린 상태로 전환하는 신호를 생성하면, 배출 밸브(1132)는 열린 상태로 전환될 수 있다. 이때, 필터(1150)에 의해 걸러진 이물질은 배출 라인(1130)을 따라 외부로 배출될 수 있다. 또한, 제어기(1190)가 배출 밸브(1132)를 닫힘 상태로 전환하는 신호를 생성하면, 배출 밸브(1132)는 닫힌 상태로 전환될 수 있다. 이때, 전단 공급 라인(1110)을 통과하는 유체는 모두 후단 공급 라인(1120)을 통해 최후단 공급 라인(1140)으로 공급될 수 있다. 즉 전단 공급 라인(1110)을 통과하는 유체가 배출 라인(1130)을 통해 외부로 배출되는 것을 차단할 수 있다.The fluid supply unit 1101 may further include a controller 1190. Controller 1190 may be configured to regulate discharge valve 1132. If the controller 1190 generates a signal to transition the discharge valve 1132 to the open state, the discharge valve 1132 may transition to the open state. At this time, foreign substances filtered by the filter 1150 may be discharged to the outside along the discharge line 1130. Additionally, if the controller 1190 generates a signal that switches the discharge valve 1132 to the closed state, the discharge valve 1132 may transition to the closed state. At this time, all fluid passing through the front-end supply line 1110 may be supplied to the last-stage supply line 1140 through the rear-end supply line 1120. That is, the fluid passing through the front-end supply line 1110 can be blocked from being discharged to the outside through the discharge line 1130.

예시적인 실시예들에 따르면, 제어기(1190)는 공정 챔버(1200)로 유체가 공급되는 횟수에 따라 배출 밸브(1132)의 개폐를 조절할 수 있다. 예를 들어, 제어기(1190)는 유체 공급부(1101)를 통해 공정 챔버(1200)로 유체가 5회 공급된 후, 배출 밸브(1132)를 열어 필터(1150)에 의해 걸러진 이물질을 배출 라인(1130)으로 공급할 수 있다. According to example embodiments, the controller 1190 may control the opening and closing of the discharge valve 1132 according to the number of times fluid is supplied to the process chamber 1200. For example, after the fluid is supplied to the process chamber 1200 through the fluid supply unit 1101 five times, the controller 1190 opens the discharge valve 1132 to remove foreign substances filtered by the filter 1150 through the discharge line 1130. ) can be supplied.

상기 공급 횟수는 필터(1150)에 의해 걸러지는 이물질의 양을 측정하여 최적화된 횟수로 설정할 수 있다.The supply number can be set to an optimized number by measuring the amount of foreign substances filtered by the filter 1150.

예시적인 실시예들에 따르면, 제어기(1190)는 필터(1150)에 의해 걸러진 이물질의 양을 기초로 배출 밸브(1132)의 개폐를 조절하여, 상기 이물질이 배출 라인(1130)으로 배출되도록 할 수 있다. 상기 이물질의 양은 예를 들어, 유체 공급부(1101)를 통과하는 유체의 압력, 진동 등에 의해 측정될 수 있으며, 또는, 필터(1150)에 형성된 카메라 등을 통해 이물질의 양을 측정할 수도 있다.According to example embodiments, the controller 1190 may adjust the opening and closing of the discharge valve 1132 based on the amount of foreign matter filtered by the filter 1150 to discharge the foreign matter into the discharge line 1130. there is. The amount of the foreign matter may be measured, for example, by the pressure or vibration of the fluid passing through the fluid supply unit 1101, or the amount of the foreign matter may be measured through a camera provided in the filter 1150.

유체의 압력에 의해 이물질의 양을 측정할 시, 상기 압력은 전단 공급 라인(1110)에 제공된 압력 센서(1115p)에 의해 측정될 수 있다. 이물질의 양이 일정 수치를 초과하여 배관을 막는 경우, 유체의 압력이 상승할 수 있고 전단 공급 라인(1110)을 통과하는 유체의 압력도 상승할 수 있다. 따라서, 상기 압력 센서(1115p)의 압력을 측정하여 이물질의 양을 예측하고 배출 밸브(1132)를 열어 이물질을 외부로 배출할 수 있다.When measuring the amount of foreign matter by the pressure of the fluid, the pressure may be measured by the pressure sensor 1115p provided in the front-end supply line 1110. If the amount of foreign matter exceeds a certain level and blocks the pipe, the pressure of the fluid may increase and the pressure of the fluid passing through the front end supply line 1110 may also increase. Therefore, the amount of foreign matter can be predicted by measuring the pressure of the pressure sensor 1115p and the foreign matter can be discharged to the outside by opening the discharge valve 1132.

상기 제어기(1190)는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제어기(1190)는 워크 스테이션 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터 등의 컴퓨팅 장치를 포함할 수 있다. 제어기(1190)는 단순 컨트롤러, 마이크로 프로세서, CPU, GPU 등과 같은 복잡한 프로세서, 소프트웨어에 의해 구성된 프로세서, 전용 하드웨어 도는 펌웨어를 포함할 수도 있다. 제어기(1190)는, 예를 들어, 범용 컴퓨터 또는 DSP(Digital Signal Process), FPGA(Field Programmable Gate Array) 및 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 등과 같은 애플리케이션 특정 하드웨어에 의해 구현될 수 있다. 제어기(1190)는 하나 이상의 프로세서에 의해 판독되고 실행될 수 있는 기계 판독 가능 매체 상에 저장된 명령들로서 구현될 수 있다. 여기서, 기계 판독 가능 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨팅 장치)에 의해 판독 가능한 형태로 정보를 저장 및/또는 전송하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계 판독 가능 매체는 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 자기 디스크 저장 매체, 광학 저장 매체, 플래시 메모리 장치들, 전기적, 광학적, 음향적 또는 다른 형태의 전파 신호(예컨대, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 및 기타 임의의 신호를 포함할 수 있다.The controller 1190 may be implemented as hardware, firmware, software, or any combination thereof. For example, the controller 1190 may include a computing device such as a workstation computer, desktop computer, laptop computer, or tablet computer. The controller 1190 may include a simple controller, a complex processor such as a microprocessor, CPU, GPU, etc., a processor configured by software, dedicated hardware, or firmware. The controller 1190 may be implemented, for example, by a general-purpose computer or application-specific hardware such as a digital signal processor (DSP), field programmable gate array (FPGA), and application specific integrated circuit (ASIC). Controller 1190 may be implemented as instructions stored on a machine-readable medium that can be read and executed by one or more processors. Here, machine-readable media may include any mechanism for storing and/or transmitting information in a form readable by a machine (e.g., computing device). For example, machine-readable media may include read only memory (ROM), random access memory (RAM), magnetic disk storage media, optical storage media, flash memory devices, electrical, optical, acoustic, or other forms of radio signals ( For example, carrier waves, infrared signals, digital signals, etc.) and other arbitrary signals.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As above, exemplary embodiments have been disclosed in the drawings and specification. Although embodiments have been described in this specification using specific terminology, this is only used for the purpose of explaining the technical idea of the present disclosure and is not used to limit the meaning or scope of the present disclosure described in the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and other equivalent embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present disclosure should be determined by the technical spirit of the attached claims.

1100: 유체 공급부, 1110: 전단 공급 라인, 1111: 제1 밸브, 1113: 히터, 1115: 제1 센서, 1115p: 압력 센서, 1115t: 온도 센서, 1117, 체크 밸브, 1120 후단 공급 라인, 1130: 배출 라인, 1132: 배출 밸브, 1140: 최후단 공급 라인, 1150: 필터, 1200: 공정 챔버,1100: fluid supply, 1110: front-end supply line, 1111: first valve, 1113: heater, 1115: first sensor, 1115p: pressure sensor, 1115t: temperature sensor, 1117, check valve, 1120 rear-end supply line, 1130: discharge Line, 1132: Discharge valve, 1140: Outlet supply line, 1150: Filter, 1200: Process chamber,

Claims

a front-end supply line comprising a first valve configured to provide a path for fluid to move and to regulate a flow rate of the fluid, and a first sensor configured to measure a parameter of the fluid;
a rear-end supply line connected to the front-end supply line and providing a path along which the fluid passing through the front-end supply line moves;
a rear end supply line connected to the rear end supply line and supplying the fluid passing through the rear end supply line to a process chamber; and
A filter disposed between the rear end supply line and the last end supply line, and configured to filter out foreign substances contained in the fluid passing through the rear end supply line.

According to paragraph 1,
A fluid supply device disposed at an end of the front-end supply line and further comprising a check valve configured to prevent backflow of fluid passing through the front-end supply line.

According to paragraph 1,
The fluid supply device further includes a discharge line branched from the rear supply line and providing a path through which foreign substances filtered by the filter are discharged.

According to paragraph 1,
A check valve disposed at an end of the front-end supply line and configured to prevent backflow of fluid passing through the front-end supply line, and
It further includes a discharge line branched from the rear supply line and providing a path through which foreign substances filtered by the filter are discharged,
A fluid supply device, wherein the discharge line includes a discharge valve.

According to paragraph 4,
Further comprising a controller configured to control opening and closing of the discharge valve,
The controller opens the discharge valve based on the number of times fluid is supplied to the process chamber.

According to paragraph 1,
A fluid supply device, characterized in that the last supply line does not include any other parts other than the pipe through which the fluid moves.

A process chamber having a space therein for processing a substrate;
a support disposed inside the process chamber and configured to support the substrate;
a supercritical fluid supply unit that supplies supercritical fluid into the process chamber; and
It includes a discharge unit that discharges the supercritical fluid to the outside of the process chamber,
The supercritical fluid supply unit,
A front-end supply line including a first valve configured to provide a path along which the supercritical fluid moves and adjust a flow rate of the supercritical fluid, and a first sensor configured to measure a parameter of the supercritical fluid, the front-end supply line and A rear-end supply line that is connected and provides a path along which the supercritical fluid passing through the front-end supply line moves, a rear-end supply line connected to each of the rear-end supply line and the process chamber, and the rear-end supply line and the rear-end supply. Contains filters placed between the lines,
The filter is configured to filter out foreign substances contained in the supercritical fluid passing through the downstream supply line,
The final supply line is a substrate processing device characterized in that it does not include any other parts other than the pipe through which the supercritical fluid moves.

In clause 7,
A check valve disposed at an end of the front-end supply line and configured to prevent backflow of fluid passing through the front-end supply line, and
The substrate processing apparatus further includes a discharge line branched from the rear supply line and providing a path through which foreign substances filtered by the filter are discharged.

According to clause 8,
A discharge valve is formed in the discharge line,
It further includes a controller that regulates opening and closing of the discharge valve based on the amount of foreign matter filtered by the filter,
A substrate processing apparatus, characterized in that the amount of the foreign matter is measured based on the pressure of the fluid measured by the first sensor.

A process chamber having a space therein for processing a substrate;
a support disposed inside the process chamber and configured to support the substrate;
a supercritical fluid supply unit that supplies supercritical fluid into the process chamber; and
It includes a discharge unit that discharges the supercritical fluid to the outside of the process chamber,
The supercritical fluid supply unit,
A front-end supply line including a first valve configured to provide a path along which the supercritical fluid moves and adjust a flow rate of the supercritical fluid, and a first sensor configured to measure a parameter of the supercritical fluid, the front-end supply line and A rear-end supply line that is connected and provides a path along which the supercritical fluid passing through the front-end supply line moves, a rear-end supply line connected to each of the rear-end supply line and the process chamber, and the rear-end supply line and the rear-end supply. Contains filters placed between the lines,
The filter is configured to filter out foreign substances contained in the supercritical fluid passing through the downstream supply line,
A check valve is formed at the end of the front supply line to prevent backflow of the supercritical fluid containing the foreign substances,
The last supply line does not include any other parts other than the pipe through which the supercritical fluid moves,
The foreign matter filtered by the filter branches off from the downstream supply line and is discharged through a discharge line including a discharge valve,
The substrate processing apparatus further comprises a controller configured to control opening and closing of the discharge valve and adjusting the discharge valve based on the amount of the foreign matter.