KR20240105739A - Data driving circuit, image driving method and sensing method - Google Patents

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Abstract

본 개시의 실시예들은, 데이터 구동 회로, 표시 장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 데이터 구동 회로는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부, 공통 연산 증폭 회로부와 전기적으로 연결되는 공통 센싱 회로부, 공통 연산 증폭 회로부와 전기적으로 연결되는 공통 구동 회로부로 구성됨으로써, 컴팩트한 회로 구조를 가질 수 있다. Embodiments of the present disclosure relate to a data driving circuit, a display device, an image driving method, and a sensing method. More specifically, the data driving circuit is a common operational amplifier circuit where the function of the operational amplifier circuit is changed by a reset signal. , It is possible to have a compact circuit structure by being composed of a common sensing circuit part electrically connected to the common operational amplifier circuit part, and a common driving circuit part electrically connected to the common operational amplifier circuit part.

Figure P1020220188092
Figure P1020220188092

Description

데이터 구동 회로, 표시 장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법{DATA DRIVING CIRCUIT, IMAGE DRIVING METHOD AND SENSING METHOD}Data driving circuit, display device, image driving method, and sensing method {DATA DRIVING CIRCUIT, IMAGE DRIVING METHOD AND SENSING METHOD}

본 개시의 실시 예들은 데이터 구동 회로, 표시 장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법에 관한 것이다. Embodiments of the present disclosure relate to a data driving circuit, a display device, an image driving method, and a sensing method.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등과 같은 다양한 표시 장치가 활용되고 있다. As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms, and in recent years, various display devices such as liquid crystal displays and organic light emitting display devices have been used.

표시 장치는 다수의 데이터 라인, 다수의 게이트 라인 및 다수의 서브 픽셀이 배치된 표시 패널, 다수의 데이터 라인으로 데이터 신호들을 출력하는 데이터 구동 회로, 및 다수의 게이트 라인으로 스캔 신호들을 출력하는 게이트 구동 회로 등을 포함할 수 있다. A display device includes a display panel having multiple data lines, multiple gate lines, and multiple subpixels, a data driving circuit that outputs data signals through multiple data lines, and a gate driver that outputs scan signals through multiple gate lines. It may include circuits, etc.

데이터 구동 회로는 영상을 표시하기 위한 서브 픽셀에 데이터 전압을 공급하기 위한 영상 구동 회로부와 서브 픽셀의 특성치를 센싱하기 위한 센싱 회로부를 포함할 수 있다.The data driving circuit may include an image driving circuit for supplying a data voltage to a sub-pixel for displaying an image and a sensing circuit for sensing characteristic values of the sub-pixel.

전술한 바와 같이 데이터 구동 회로에는 영상 구동 회로부와 센싱 회로부가 별개로 구성되어 배치되기에, 데이터 구동 회로의 크기를 줄이는데 제약이 있다. As described above, in the data driving circuit, the image driving circuit part and the sensing circuit part are configured and arranged separately, so there are limitations in reducing the size of the data driving circuit.

본 개시의 실시예들은 컴팩트한 회로 구조를 갖는 데이터 구동 회로, 표시 장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다. Embodiments of the present disclosure can provide a data driving circuit with a compact circuit structure, a display device, an image driving method, and a sensing method.

본 개시의 실시예들은 회로 구조를 컴팩트하게 구성함에 따라 저전력이 가능한 표시 장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure can provide a display device capable of low power consumption by constructing a compact circuit structure, an image driving method, and a sensing method thereof.

본 개시의 실시예들은 다수의 서브 픽셀이 배치되는 표시 패널, 다수의 서브 픽셀로 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로를 포함하며, 데이터 구동 회로는, 연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부, 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부, 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다. Embodiments of the present disclosure include a display panel on which a plurality of subpixels are arranged, a data driving circuit that supplies a data voltage to the plurality of subpixels, and the data driving circuit includes an operational amplifier where the function of the operational amplifier circuit is reset. It is electrically connected through a common operational amplifier circuit changed by a signal, an output terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit, and an output line, a common sensing circuit for sensing voltage, a non-inverting terminal of the operational amplifier, and the first A display device that is electrically connected through an input line and includes a common driving circuit for supplying voltage can be provided.

본 개시의 실시예들은 기준 전압 라인에 공급되는 기준 전압이 구동 트랜지스터의 게이트 노드인 제1 노드에 공급되고, 공통 라인에 공급되는 영상 구동용 데이터 전압이 구동 트랜지스터의 제2 노드에 공급되는 제1 단계, 제1 노드 및 제2 노드가 플로팅 되는 제2 단계, 구동 트랜지스터에 의해 구동되는 발광 소자가 발광되는 제3 단계를 포함하며, 기준 전압 및 영상 구동용 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로는, 연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부, 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부, 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하며, 제1 단계에서, 공통 구동 회로부는 영상 구동용 데이터 전압을 비 반전 단자로 공급하며, 영상 구동용 데이터 전압은 연산 증폭기의 반전 단자와 전기적으로 연결된 제2 입력 라인을 통해 공통 라인으로 공급되는 표시 장치의 영상 구동 방법을 제공할 수 있다. In embodiments of the present disclosure, the reference voltage supplied to the reference voltage line is supplied to the first node, which is the gate node of the driving transistor, and the image driving data voltage supplied to the common line is supplied to the second node of the driving transistor. A data driving circuit comprising a step, a second step in which the first node and the second node are floated, and a third step in which the light emitting element driven by the driving transistor emits light, and supplies a reference voltage and a data voltage for image driving, A common operational amplifier circuit where the function of the operational amplifier circuit including the operational amplifier is changed by a reset signal, and is electrically connected to the output terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit through an output line, and is electrically connected to the common operational amplifier circuit for sensing voltage. It is electrically connected to the sensing circuit part and the non-inverting terminal of the operational amplifier through a first input line, and includes a common driving circuit part for supplying a voltage. In the first step, the common driving circuit part provides a non-inverting data voltage for image driving. A method of driving an image of a display device can be provided in which the data voltage for image driving is supplied to a common line through a second input line electrically connected to the inverting terminal of an operational amplifier.

본 개시의 실시예들은 기준 전압 라인에 공급되는 기준 전압이 구동 트랜지스터의 게이트 노드인 제1 노드에 공급되고, 공통 라인에 공급되는 센싱 구동용 데이터 전압이 구동 트랜지스터의 제2 노드에 공급되는 초기화 단계, 제2 노드가 플로팅 되어, 제2 노드의 전압이 상승되는 트래킹 단계, 아날로그 디지털 변환부와 공통 라인이 전기적으로 연결되고, 아날로그 디지털 변환부가 공통 라인의 전압을 센싱하는 센싱 단계를 포함하며, 기준 전압 및 센싱 구동용 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로는, 연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부, 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부, 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하며, 초기화 단계에서, 공통 구동 회로부는 센싱 구동용 데이터 전압을 비 반전 단자로 공급하고, 센싱 구동용 데이터 전압은 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 연산 증폭기의 반전 단자와 전기적으로 연결된 제2 입력 라인을 통해 공통 라인으로 공급되며, 센싱 단계에서, 공통 센싱 회로부는 공통 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치의 센싱 방법을 제공할 수 있다. Embodiments of the present disclosure include an initialization step in which the reference voltage supplied to the reference voltage line is supplied to the first node, which is the gate node of the driving transistor, and the sensing driving data voltage supplied to the common line is supplied to the second node of the driving transistor. , a tracking step in which the second node is floating and the voltage of the second node is raised, a sensing step in which the analog-to-digital converter and the common line are electrically connected, and the analog-to-digital converter senses the voltage of the common line, and the reference The data driving circuit that supplies voltage and data voltage for sensing driving includes a common operational amplifier circuit section in which the function of the operational amplifier circuit including an operational amplifier is changed by a reset signal, an output terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit section, and It is electrically connected through an output line, includes a common sensing circuit for sensing the voltage, is electrically connected through a non-inverting terminal of the operational amplifier and a first input line, and includes a common driving circuit for supplying the voltage, and includes an initialization step. In the common driving circuit unit, the data voltage for sensing driving is supplied to the non-inverting terminal, and the data voltage for sensing driving is supplied to the common line through a second input line electrically connected to the inverting terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit part. In the sensing step, the common sensing circuit unit may provide a sensing method for a display device that senses the voltage of a common line.

본 개시의 실시예들은 연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부, 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부, 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하는 데이터 구동 회로를 제공할 수 있다. Embodiments of the present disclosure include a common operational amplifier circuit in which the function of an operational amplifier circuit including an operational amplifier is changed by a reset signal, and the output terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit is electrically connected through an output line, Provides a data driving circuit including a common sensing circuit for sensing voltage, a common driving circuit for supplying voltage, and is electrically connected to the non-inverting terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit through a first input line. can do.

본 개시의 실시예들에 의하면, 기준 전압 라인에 공급되는 기준 전압이 구동 트랜지스터의 게이트 노드인 제1 노드에 공급되고, 공통 라인에 공급되는 센싱 구동용 데이터 전압이 구동 트랜지스터의 제2 노드에 공급되는 전압 초기화 단계, 공통 라인을 통해 전류를 공급받는 연산 증폭기의 출력 단자의 전압이 변동되는 전압 트래킹 단계, 및 아날로그 디지털 변환부와 공통 라인이 전기적으로 연결되고, 아날로그 디지털 변환부가 공통 라인의 전압을 센싱하는 전압 센싱 단계를 포함하며, 기준 전압 및 센싱 구동용 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로는, 연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부, 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부, 및 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하며, 전압 초기화 단계에서, 공통 구동 회로부는 센싱 구동용 데이터 전압을 비 반전 단자로 공급하고, 센싱 구동용 데이터 전압은 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 연산 증폭기의 반전 단자와 전기적으로 연결된 제2 입력 라인을 통해 공통 라인으로 공급되며, 전압 센싱 단계에서, 공통 센싱 회로부는 공통 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치의 센싱 방법을 제공할 수 있다.According to embodiments of the present disclosure, the reference voltage supplied to the reference voltage line is supplied to the first node, which is the gate node of the driving transistor, and the data voltage for sensing driving supplied to the common line is supplied to the second node of the driving transistor. a voltage initialization step, a voltage tracking step in which the voltage of the output terminal of the operational amplifier that receives current through the common line changes, and the analog-to-digital converter and the common line are electrically connected, and the analog-to-digital converter adjusts the voltage of the common line. The data driving circuit, which includes a voltage sensing step and supplies a reference voltage and a data voltage for sensing driving, includes a common operational amplifier circuit section in which the function of the operational amplifier circuit including an operational amplifier is changed by a reset signal, and a common operational amplifier. It is electrically connected through the output terminal of the operational amplifier included in the circuit part and the output line, and is electrically connected through the common sensing circuit part for sensing the voltage, and the non-inverting terminal of the operational amplifier and the first input line, and supplies voltage. In the voltage initialization step, the common driving circuit supplies the sensing driving data voltage to the non-inverting terminal, and the sensing driving data voltage is supplied to the inverting terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit. It is supplied to the common line through an electrically connected second input line, and in the voltage sensing step, the common sensing circuit unit can provide a sensing method for a display device that senses the voltage of the common line.

본 개시의 실시예들에 의하면, 컴팩트한 회로 구조를 갖는 데이터 구동 회로, 표시 장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present disclosure, it is possible to provide a data driving circuit with a compact circuit structure, a display device, an image driving method, and a sensing method.

본 개시의 실시예들에 의하면, 회로 구조를 컴팩트하게 구성함에 따라 저전력이 가능한 표시 장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다.According to embodiments of the present disclosure, a display device capable of low power consumption by configuring a circuit structure compactly, an image driving method thereof, and a sensing method can be provided.

도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 구성도이다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 서브 픽셀의 등가회로이다.
도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 소스 드라이버 집적회로 및 서브 픽셀에 대한 회로도이다.
도 4는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 서브 픽셀의 등가회로이다.
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 소스 드라이버 집적회로 및 서브 픽셀에 대한 회로도이다.
도 6는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 영상 구동 방법의 흐름도이다.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 영상 구동 방법과 관련된 회로도이다.
도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 전압 기반 센싱 방법의 흐름도이다.
도 9는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 전압 기반 센싱 방법에 대한 타이밍도이다.
도 10 내지 도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 전압 기반 센싱 방법과 관련된 회로도이다.
도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 전류 기반 센싱 방법의 흐름도이다.
도 14는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 전류 기반 센싱 방법에 대한 타이밍도이다.
도 15 내지 도 17은 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치의 전류 기반 센싱 방법과 관련된 회로도이다.
1 is a configuration diagram of a display device according to embodiments of the present disclosure.
2 is an equivalent circuit of a subpixel of a display device according to embodiments of the present disclosure.
3 is a circuit diagram of a source driver integrated circuit and a subpixel according to embodiments of the present disclosure.
4 is an equivalent circuit of a subpixel of a display device according to embodiments of the present disclosure.
5 is a circuit diagram of a source driver integrated circuit and a subpixel according to embodiments of the present disclosure.
Figure 6 is a flowchart of an image driving method of a display device according to embodiments of the present disclosure.
7 is a circuit diagram related to an image driving method of a display device according to embodiments of the present disclosure.
Figure 8 is a flowchart of a voltage-based sensing method of a display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 9 is a timing diagram of a voltage-based sensing method of a display device according to embodiments of the present disclosure.
10 to 12 are circuit diagrams related to a voltage-based sensing method of a display device according to embodiments of the present disclosure.
Figure 13 is a flowchart of a current-based sensing method of a display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 14 is a timing diagram of a current-based sensing method of a display device according to embodiments of the present disclosure.
15 to 17 are circuit diagrams related to a current-based sensing method of a display device according to embodiments of the present disclosure.

이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to illustrative drawings. In adding reference numerals to components in each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, in describing the present disclosure, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present disclosure, the detailed description may be omitted. When “comprises,” “has,” “consists of,” etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless “only” is used. When a component is expressed in the singular, it can also include the plural, unless specifically stated otherwise.

또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. Additionally, in describing the components of the present disclosure, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the components are not limited by the term.

구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다. In the description of the positional relationship of components, when two or more components are described as being “connected,” “coupled,” or “connected,” the two or more components are directly “connected,” “coupled,” or “connected.” ", but it should be understood that two or more components and other components may be further "interposed" and "connected," "combined," or "connected." Here, other components may be included in one or more of two or more components that are “connected,” “coupled,” or “connected” to each other.

구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the explanation of temporal flow relationships related to components, operation methods, production methods, etc., for example, temporal precedence relationships such as “after”, “after”, “after”, “before”, etc. Or, when a sequential relationship is described, non-continuous cases may be included unless “immediately” or “directly” is used.

한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다. Meanwhile, when a numerical value or corresponding information (e.g., level, etc.) for a component is mentioned, even if there is no separate explicit description, the numerical value or corresponding information is related to various factors (e.g., process factors, internal or external shocks, It can be interpreted as including the error range that may occur due to noise, etc.).

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다. Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 시스템 구성도이다. 1 is a system configuration diagram of a display device 100 according to embodiments of the present disclosure.

도 1을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 표시 패널(110)과, 표시 패널(110)을 구동하기 위한 구동 회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , a display device 100 according to embodiments of the present disclosure may include a display panel 110 and a driving circuit for driving the display panel 110 .

표시 패널(110)은 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL) 등의 신호 배선들을 포함하고, 다수의 서브 픽셀(SP)을 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 영상이 표시되는 표시 영역(DA)과 영상이 표시되지 않는 비-표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 패널(110)에서, 표시 영역(DA)에는 이미지를 표시하기 위한 다수의 서브 픽셀(SP)이 배치되고, 비-표시 영역(NDA)에는 구동 회로들(120, 130, 140)이 전기적으로 연결되거나 구동 회로들(120, 130, 140)이 실장 될 수 있고, 집적회로 또는 인쇄회로 등이 연결되는 패드부가 배치될 수도 있다. The display panel 110 includes signal lines such as a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL, and may include a plurality of subpixels SP. The display panel 110 may include a display area (DA) where an image is displayed and a non-display area (NDA) where an image is not displayed. In the display panel 110, a plurality of subpixels (SP) for displaying an image are disposed in the display area (DA), and the driving circuits 120, 130, and 140 are electrically connected to the non-display area (NDA). The driving circuits 120, 130, and 140 may be connected or mounted, and a pad portion to which an integrated circuit or printed circuit, etc., may be connected may be disposed.

구동 회로는 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130) 등을 포함할 수 있으며, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하는 컨트롤러(140)를 더 포함할 수 있다. The driving circuit may include a data driving circuit 120 and a gate driving circuit 130, and may further include a controller 140 that controls the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130.

데이터 구동 회로(120)는 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하기 위한 회로로서, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 신호들을 공급할 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하기 위한 회로서, 다수의 게이트 라인(GL)으로 게이트 신호들을 공급할 수 있다. The data driving circuit 120 is a circuit for driving a plurality of data lines DL and can supply data signals to the plurality of data lines DL. The gate driving circuit 130 is a circuit for driving a plurality of gate lines GL and can supply gate signals to the plurality of gate lines GL.

게이트 구동 회로(130)는 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호를 출력하거나 턴-오프 레벨 전압의 게이트 신호를 출력할 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 다수의 게이트 라인(GL)으로 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동할 수 있다.The gate driving circuit 130 may output a gate signal of a turn-on level voltage or a gate signal of a turn-off level voltage according to the control of the controller 140. The gate driving circuit 130 may sequentially drive a plurality of gate lines GL by sequentially supplying a gate signal with a turn-on level voltage to the plurality of gate lines GL.

컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위하여 데이터 제어 신호(DCS)를 데이터 구동 회로(120)에 공급할 수 있다. 컨트롤러(140)는 게이트 구동 회로(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어 신호(GCS)를 게이트 구동 회로(130)에 공급할 수 있다. The controller 140 may supply a data control signal (DCS) to the data driving circuit 120 to control the operation timing of the data driving circuit 120. The controller 140 may supply a gate control signal (GCS) to the gate driving circuit 130 to control the operation timing of the gate driving circuit 130.

컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 구동 회로(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(Data)를 데이터 구동 회로(120)에 공급하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 제어할 수 있다. The controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, converts the input image data input from the outside to fit the data signal format used in the data driving circuit 120, and produces converted image data (Data). can be supplied to the data driving circuit 120, and data driving can be controlled at an appropriate time according to the scan.

컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들(DCS, GCS)을 생성하여 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)로 출력한다. The controller 140 controls the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130, including a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input data enable signal (DE), and a clock signal ( A timing signal such as CLK) is input, various control signals (DCS, GCS) are generated and output to the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130.

컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(120)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터 구동 회로(120)와 함께 통합되어 집적회로로 구현될 수 있다. The controller 140 may be implemented as a separate component from the data driving circuit 120, or may be integrated with the data driving circuit 120 and implemented as an integrated circuit.

데이터 구동 회로(120)는, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터(Data)를 입력 받아 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 구동 회로(120)는 소스 구동 회로라고도 한다. 이러한 데이터 구동 회로(120)는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 시프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 변환부(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. The data driving circuit 120 receives image data Data from the controller 140 and supplies a data voltage to the plurality of data lines DL, thereby driving the plurality of data lines DL. Here, the data driving circuit 120 is also called a source driving circuit. This data driving circuit 120 may include one or more source driver integrated circuits (SDIC). Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, etc. In some cases, each source driver integrated circuit (SDIC) may further include an analog to digital converter (ADC).

예를 들어, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식으로 표시 패널(110)과 연결되거나, 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 또는 칩 온 패널(COP: Chip On Panel) 방식으로 표시 패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현되어 표시 패널(110)과 연결될 수 있다. For example, each source driver integrated circuit (SDIC) is connected to the display panel 110 using Tape Automated Bonding (TAB), Chip On Glass (COG), or Chip On Panel ( It may be connected to the bonding pad of the display panel 110 using a COP (Chip On Panel) method, or may be implemented using a Chip On Film (COF) method and connected to the display panel 110.

게이트 구동 회로(130)는 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식으로 표시 패널(110)과 연결되거나, 칩 온 글래스(COG) 또는 칩 온 패널(COP) 방식으로 표시 패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 칩 온 필름(COF) 방식에 따라 표시 패널(110)과 연결될 수 있다. 또는, 게이트 구동 회로(130)는 GIP (Gate In Panel) 타입으로 표시 패널(110)의 비-표시 영역(NDA)에 형성될 수 있다. The gate driving circuit 130 is connected to the display panel 110 using a tape automated bonding (TAB) method, or is connected to a bonding pad of the display panel 110 using a chip on glass (COG) or chip on panel (COP) method. Pad) or may be connected to the display panel 110 according to the chip-on-film (COF) method. Alternatively, the gate driving circuit 130 may be of the GIP (Gate In Panel) type and may be formed in the non-display area NDA of the display panel 110.

데이터 구동 회로(120)는, 게이트 구동 회로(130)에 의해 특정 게이트 라인(GL)이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터(Data)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급할 수 있다. When a specific gate line (GL) is opened by the gate driving circuit 130, the data driving circuit 120 converts the image data (Data) received from the controller 140 into an analog data voltage to generate a plurality of data lines. It can be supplied as (DL).

데이터 구동 회로(120)는 표시 패널(110)의 일 측(예: 상측 또는 하측)에 연결될 수도 있다. 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라, 데이터 구동 회로(120)는 표시 패널(110)의 양 측(예: 상측과 하측)에 모두 연결되거나, 표시 패널(110)의 4 측면 중 둘 이상의 측면에 연결될 수도 있다. The data driving circuit 120 may be connected to one side (eg, the upper or lower side) of the display panel 110. Depending on the driving method, panel design method, etc., the data driving circuit 120 may be connected to both sides (e.g., upper and lower sides) of the display panel 110, or may be connected to two or more of the four sides of the display panel 110. It may be possible.

게이트 구동 회로(130)는 표시 패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에 연결될 수도 있다. 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라, 게이트 구동 회로(130)는 표시 패널(110)의 양 측(예: 좌측과 우측)에 모두 연결되거나, 표시 패널(110)의 4 측면 중 둘 이상의 측면에 연결될 수도 있다. The gate driving circuit 130 may be connected to one side (eg, left or right) of the display panel 110. Depending on the driving method, panel design method, etc., the gate driving circuit 130 may be connected to both sides (e.g., left and right) of the display panel 110, or may be connected to two or more of the four sides of the display panel 110. It may be possible.

컨트롤러(140)는, 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(140)(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(140)(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있으며, 타이밍 컨트롤러(140)와 다른 제어장치일 수도 있으며, 제어장치 내 회로일 수도 있다. 컨트롤러(140)는, IC (Integrate Circuit), FPGA (Field Programmable Gate Array), ASIC (Application Specific Integrated Circuit), 또는 프로세서(Processor) 등의 다양한 회로나 전자 부품으로 구현될 수 있다. The controller 140 may be a timing controller 140 (Timing Controller) used in typical display technology, or a control device that further performs other control functions including the timing controller 140 (Timing Controller). It may be a control device different from the controller 140, or it may be a circuit within the control device. The controller 140 may be implemented with various circuits or electronic components such as an Integrated Circuit (IC), Field Programmable Gate Array (FPGA), Application Specific Integrated Circuit (ASIC), or Processor.

컨트롤러(140)는 인쇄회로기판, 가요성 인쇄회로 등에 실장되고, 인쇄회로기판, 가요성 인쇄회로 등을 통해 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)와 전기적으로 연결될 수 있다. 컨트롤러(140)는, 미리 정해진 하나 이상의 인터페이스에 따라 데이터 구동 회로(120)와 신호를 송수신할 수 있다. 예를 들어, 인터페이스는 LVDS (Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, EPI 인터페이스, SPI (Serial Peripheral Interface) 등을 포함할 수 있다. 컨트롤러(140)는 하나 이상의 레지스터 등의 기억장소를 포함할 수 있다. The controller 140 may be mounted on a printed circuit board, a flexible printed circuit, etc., and may be electrically connected to the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130 through a printed circuit board, a flexible printed circuit, etc. The controller 140 may transmit and receive signals to and from the data driving circuit 120 according to one or more predetermined interfaces. For example, the interface may include a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) interface, an EPI interface, a Serial Peripheral Interface (SPI), etc. The controller 140 may include a storage location such as one or more registers.

본 실시예들에 따른 표시 장치(100)는, OLED(Organic Light Emitting Diode) 디스플레이, 퀀텀닷(Quantum Dot) 디스플레이, 마이크로 LED (Micro Light Emitting Diode) 디스플레이 등의 자발광 디스플레이일 수 있다. The display device 100 according to the present embodiments may be a self-luminous display such as an Organic Light Emitting Diode (OLED) display, a Quantum Dot display, or a Micro Light Emitting Diode (Micro LED) display.

도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 서브 픽셀(SP)의 등가회로이다. FIG. 2 is an equivalent circuit of a subpixel (SP) of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure.

도 2를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 표시 패널(110)에 배치된 다수의 서브 픽셀(SP) 각각은 발광 소자(ED), 구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT), 센싱 트랜지스터(SENT), 및 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다. 이와 같이, 서브 픽셀(SP)이 3개의 트랜지스터(DRT, SCT, SENT)와 1개의 커패시터(Cst)를 포함하는 경우, 서브 픽셀(SP)은 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조를 갖는다고 한다. Referring to FIG. 2, each of the plurality of subpixels (SP) disposed on the display panel 110 of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure includes a light emitting element (ED), a driving transistor (DRT), and a scan function. It may include a transistor (SCT), a sensing transistor (SENT), and a storage capacitor (Cst). In this way, when the subpixel (SP) includes three transistors (DRT, SCT, SENT) and one capacitor (Cst), the subpixel (SP) is said to have a 3T (Transistor) 1C (Capacitor) structure. .

발광 소자(ED)는 픽셀 전극(PE), 공통 전극(CE), 픽셀 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 위치하는 발광층(EL)을 포함할 수 있다. 여기서, 픽셀 전극(PE)은 각 서브 픽셀(SP)에 배치되며, 공통 전극(CE)은 다수의 서브 픽셀(SP)에 공통으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 픽셀 전극(PE)은 애노드 전극이고, 공통 전극(CE)은 캐소드 전극일 수 있다. 다른 예를 들어, 픽셀 전극(PE)은 캐소드 전극이고, 공통 전극(CE)은 애노드 전극일 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(ED)는 유기발광 다이오드(OLED), 마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode) 또는 퀀텀닷 발광 소자(ED) 등일 수 있다. The light emitting device (ED) may include a pixel electrode (PE), a common electrode (CE), and a light emitting layer (EL) located between the pixel electrode (PE) and the common electrode (CE). Here, the pixel electrode PE may be disposed in each subpixel SP, and the common electrode CE may be commonly disposed in multiple subpixels SP. For example, the pixel electrode (PE) may be an anode electrode, and the common electrode (CE) may be a cathode electrode. For another example, the pixel electrode (PE) may be a cathode electrode, and the common electrode (CE) may be an anode electrode. For example, the light emitting device (ED) may be an organic light emitting diode (OLED), a micro light emitting diode (micro LED), or a quantum dot light emitting device (ED).

구동 트랜지스터(DRT)는 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 트랜지스터로서, 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3) 등을 포함할 수 있다. The driving transistor DRT is a transistor for driving the light emitting device ED and may include a first node N1, a second node N2, and a third node N3.

구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드일 수 있으며, 스캔 트랜지스터(SCT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있으며, 센싱 트랜지스터(SENT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결되고, 발광 소자(ED)의 픽셀 전극(PE)과도 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)는 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동 전압 라인(DVL)과 전기적으로 연결될 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT may be a gate node of the driving transistor DRT and may be electrically connected to the source node or drain node of the scan transistor SCT. The second node (N2) of the driving transistor (DRT) may be a source node or a drain node of the driving transistor (DRT), is electrically connected to the source node or drain node of the sensing transistor (SENT), and is connected to the light emitting element (ED). It can also be electrically connected to the pixel electrode (PE) of . The third node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the driving voltage line DVL that supplies the driving voltage EVDD.

스캔 트랜지스터(SCT)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 연결될 수 있다. 스캔 트랜지스터(SCT)는, 게이트 라인(GL)의 한 종류인 스캔 신호 라인(SCL)에서 공급되는 스캔 신호(SCAN)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되어, 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 간의 연결을 제어할 수 있다. The scan transistor (SCT) is controlled by the scan signal (SCAN) and may be connected between the first node (N1) of the driving transistor (DRT) and the data line (DL). The scan transistor (SCT) is turned on or off according to the scan signal (SCAN) supplied from the scan signal line (SCL), a type of gate line (GL), and is connected to the data line (DL) and the driving transistor ( The connection between the first nodes (N1) of the DRT) can be controlled.

스캔 트랜지스터(SCT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어, 데이터 라인(DL)에서 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전달해줄 수 있다. The scan transistor (SCT) is turned on by the scan signal (SCAN) having a turn-on level voltage, and transmits the data voltage (Vdata) supplied from the data line (DL) to the first node ( It can be passed on to N1).

스캔 트랜지스터(SCT)를 턴-온 시킬 수 있는 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압 또는 로우 레벨 전압일 수 있다. 스캔 트랜지스터(SCT)를 턴-오프 시킬 수 있는 스캔 신호(SCAN)의 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압 또는 하이 레벨 전압일 수 있다. 예를 들어, 스캔 트랜지스터(SCT)가 n 타입 트랜지스터인 경우, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다. 다른 예를 들어, 스캔 트랜지스터(SCT)가 p 타입 트랜지스터인 경우, 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다. The turn-on level voltage of the scan signal (SCAN) that can turn on the scan transistor (SCT) may be a high level voltage or a low level voltage. The turn-off level voltage of the scan signal SCAN that can turn off the scan transistor SCT may be a low level voltage or a high level voltage. For example, when the scan transistor (SCT) is an n-type transistor, the turn-on level voltage may be a high level voltage and the turn-off level voltage may be a low level voltage. For another example, when the scan transistor (SCT) is a p-type transistor, the turn-on level voltage may be a low level voltage and the turn-off level voltage may be a high level voltage.

센싱 트랜지스터(SENT)는 센스 신호(SENSE)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)는, 게이트 라인(GL)의 다른 한 종류인 센스 신호 라인(SENL)에서 공급된 센스 신호(SENSE)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되어, 기준 전압 라인(RVL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2) 간의 연결을 제어할 수 있다. The sensing transistor SENT is controlled by the sense signal SENSE and may be connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL. The sensing transistor (SENT) is turned on or turned off according to the sense signal (SENSE) supplied from the sense signal line (SENL), which is another type of gate line (GL), and is driven with the reference voltage line (RVL). The connection between the second nodes (N2) of the transistor (DRT) can be controlled.

센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 센스 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어, 기준 전압 라인(RVL)에서 공급된 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 전달해줄 수 있다. The sensing transistor (SENT) is turned on by the sense signal (SENSE) having a turn-on level voltage, and connects the reference voltage (Vref) supplied from the reference voltage line (RVL) to the second node of the driving transistor (DRT). You can forward it to (N2).

센싱 트랜지스터(SENT)를 턴-온 시킬 수 있는 센스 신호(SENSE)의 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압 또는 로우 레벨 전압일 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)를 턴-오프 시킬 수 있는 센스 신호(SENSE)의 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압 또는 하이 레벨 전압일 수 있다. 예를 들어, 센싱 트랜지스터(SENT)가 n 타입 트랜지스터인 경우, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다. 다른 예를 들어, 센싱 트랜지스터(SENT)가 p 타입 트랜지스터인 경우, 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다. The turn-on level voltage of the sense signal (SENSE) that can turn on the sensing transistor (SENT) may be a high level voltage or a low level voltage. The turn-off level voltage of the sense signal (SENSE) that can turn off the sensing transistor (SENT) may be a low level voltage or a high level voltage. For example, when the sensing transistor SENT is an n-type transistor, the turn-on level voltage may be a high level voltage and the turn-off level voltage may be a low level voltage. For another example, when the sensing transistor SENT is a p-type transistor, the turn-on level voltage may be a low level voltage and the turn-off level voltage may be a high level voltage.

한편, 표시 장치(100)는 기준 전압 라인(RVL) 및 그라운드(GND) 사이에 형성된 라인 커패시터(Crvl)와, 기준 전압 라인(RVL) 및 아날로그 디지털 변환부(ADC) 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치(SAM)와, 기준 전압 라인(RVL) 및 기준 전압 공급 노드(Nref) 간의 연결을 제어하는 전원 스위치(SPRE)를 더 포함할 수 있다. 전원 공급 장치에서 출력된 기준 전압(Vref)이 기준 전압 공급 노드(Nref)에 공급되고, 전원 스위치(SPRE)를 통해 기준 전압 라인(RVL)에 인가될 수 있다. Meanwhile, the display device 100 includes a line capacitor (Crvl) formed between the reference voltage line (RVL) and the ground (GND), and a sampling switch that controls the connection between the reference voltage line (RVL) and the analog-to-digital converter (ADC). It may further include a power switch (SPRE) that controls the connection between (SAM), the reference voltage line (RVL), and the reference voltage supply node (Nref). The reference voltage (Vref) output from the power supply device is supplied to the reference voltage supply node (Nref) and may be applied to the reference voltage line (RVL) through the power switch (SPRE).

또한, 센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 센스 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 기준 전압 라인(RVL)으로 전달해줄 수 있다. 이에 따라, 기준 전압 라인(RVL)과 그라운드(GND) 사이에 형성된 라인 커패시터(Crvl)가 충전될 수 있다. In addition, the sensing transistor (SENT) is turned on by the sense signal (SENSE) having a turn-on level voltage, so that the voltage (V2) of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) is connected to the reference voltage line ( RVL). Accordingly, the line capacitor Crvl formed between the reference voltage line RVL and the ground GND may be charged.

센싱 트랜지스터(SENT)가 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 기준 전압 라인(RVL)으로 전달해주는 기능은 서브 픽셀(SP)의 특성치를 센싱하기 위한 구동 시 이용될 수 있다. 이 경우, 기준 전압 라인(RVL)으로 전달되는 전압은 서브 픽셀(SP)의 특성치를 산출하기 위한 전압이거나 서브 픽셀(SP)의 특성치가 반영된 전압일 수 있다. The function of the sensing transistor (SENT) to transfer the voltage (V2) of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) to the reference voltage line (RVL) can be used when driving to sense the characteristic value of the subpixel (SP). You can. In this case, the voltage transmitted to the reference voltage line RVL may be a voltage for calculating the characteristic value of the subpixel SP or a voltage reflecting the characteristic value of the subpixel SP.

본 개시에서, 서브 픽셀(SP)의 특성치는 구동 트랜지스터(DRT) 또는 발광 소자(ED)의 특성치일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 및 이동도 등을 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)의 특성치는 발광 소자(ED)의 문턱전압을 포함할 수 있다. In the present disclosure, the characteristic values of the subpixel (SP) may be the characteristic values of the driving transistor (DRT) or the light emitting element (ED). Characteristic values of the driving transistor (DRT) may include threshold voltage and mobility of the driving transistor (DRT). The characteristic value of the light emitting device (ED) may include the threshold voltage of the light emitting device (ED).

구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT) 및 센싱 트랜지스터(SENT) 각각은 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다. 본 개시에서는, 설명의 편의를 위하여, 구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT) 및 센싱 트랜지스터(SENT) 각각은 n타입인 것을 예로 든다. Each of the driving transistor (DRT), scan transistor (SCT), and sensing transistor (SENT) may be an n-type transistor or a p-type transistor. In this disclosure, for convenience of explanation, the driving transistor (DRT), scan transistor (SCT), and sensing transistor (SENT) are each n-type as an example.

스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)에는 양 단의 전압 차이에 해당하는 전하량이 충전되고, 정해진 프레임 시간 동안, 양 단의 전압 차이가 유지되는 역할을 한다. 이에 따라, 정해진 프레임 시간 동안, 해당 서브 픽셀(SP)은 발광할 수 있다. The storage capacitor Cst may be connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. The storage capacitor (Cst) is charged with a charge corresponding to the voltage difference between both ends, and serves to maintain the voltage difference between both ends for a set frame time. Accordingly, the corresponding subpixel SP may emit light during a set frame time.

스토리지 커패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드와 소스 노드(또는 드레인 노드) 사이에 존재하는 내부 커패시터(Internal Capacitor)인 기생 커패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 커패시터(External Capacitor)일 수 있다. The storage capacitor (Cst) is not a parasitic capacitor (e.g. Cgs, Cgd), which is an internal capacitor that exists between the gate node and the source node (or drain node) of the driving transistor (DRT). ) may be an external capacitor intentionally designed outside of the capacitor.

스캔 신호 라인(SCL) 및 센스 신호 라인(SENL)은 서로 다른 게이트 라인(GL)일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센스 신호(SENSE)는 서로 별개의 게이트 신호일 수 있고, 하나의 서브 픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 온-오프 타이밍과 센싱 트랜지스터(SENT)의 온-오프 타이밍은 독립적일 수 있다. 즉, 하나의 서브 픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 온-오프 타이밍과 센싱 트랜지스터(SENT)의 온-오프 타이밍은 동일할 수도 있고 다를 수 있다. The scan signal line (SCL) and the sense signal line (SENL) may be different gate lines (GL). In this case, the scan signal (SCAN) and the sense signal (SENSE) may be separate gate signals, and the on-off timing of the scan transistor (SCT) and the on-off timing of the sensing transistor (SENT) within one subpixel (SP) Off timing can be independent. That is, the on-off timing of the scan transistor (SCT) and the on-off timing of the sensing transistor (SENT) within one subpixel (SP) may be the same or different.

이와 다르게, 스캔 신호 라인(SCL) 및 센스 신호 라인(SENL)은 동일한 게이트 라인(GL)일 수 있다. 즉, 하나의 서브 픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 게이트 노드와 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는 하나의 게이트 라인(GL)에 연결될 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센스 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수 있고, 하나의 서브 픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 온-오프 타이밍과 센싱 트랜지스터(SENT)의 온-오프 타이밍은 동일할 수 있다. Alternatively, the scan signal line (SCL) and the sense signal line (SENL) may be the same gate line (GL). That is, the gate node of the scan transistor (SCT) and the gate node of the sensing transistor (SENT) within one subpixel (SP) may be connected to one gate line (GL). In this case, the scan signal (SCAN) and the sense signal (SENSE) may be the same gate signal, and the on-off timing of the scan transistor (SCT) and the on-off timing of the sensing transistor (SENT) within one subpixel (SP) may be the same.

한편, 기준 전압 라인(RVL)은 하나의 서브 픽셀(SP) 열마다 배치될 수 있다. 이와 다르게, 기준 전압 라인(RVL)은 둘 이상의 서브 픽셀(SP) 열마다 배치될 수도 있다. 기준 전압 라인(RVL)이 둘 이상의 서브 픽셀(SP) 열마다 배치되는 경우, 복수의 서브 픽셀(SP)은 하나의 기준 전압 라인(RVL)으로부터 기준 전압(Vref)을 공급받을 수 있다. Meanwhile, the reference voltage line RVL may be disposed in each subpixel SP column. Alternatively, the reference voltage line RVL may be disposed in each column of two or more subpixels SP. When the reference voltage line RVL is disposed in each column of two or more subpixels SP, the plurality of subpixels SP may receive the reference voltage Vref from one reference voltage line RVL.

도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 소스 드라이버 집적회로(SDIC) 및 서브 픽셀(SP)에 대한 회로도이다. 3 is a circuit diagram of a source driver integrated circuit (SDIC) and a subpixel (SP) according to embodiments of the present disclosure.

표시 패널(110)에는 다수의 서브 픽셀(SP)이 배치될 수 있다. 다수의 서브 픽셀(SP) 각각은 발광 소자(ED), 구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT), 센싱 트랜지스터(SENT), 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 서브 픽셀(SP)은 도 2에 도시된 서브 픽셀(SP)과 동일할 수 있다. 도 2에 도시된 서브 픽셀(SP)과 동일한 특징에 대한 설명은 생략될 수 있다. A plurality of subpixels SP may be disposed on the display panel 110. Each of the plurality of subpixels (SP) may include a light emitting element (ED), a driving transistor (DRT), a scan transistor (SCT), a sensing transistor (SENT), a storage capacitor (Cst), etc. The subpixel SP shown in FIG. 3 may be the same as the subpixel SP shown in FIG. 2 . Description of the same features as the subpixel SP shown in FIG. 2 may be omitted.

데이터 구동 회로(120)는 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)를 포함할 수 있다. 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 다수의 구동 채널(DCH) 및 다수의 센싱 채널(SCH)을 포함할 수 있다. The data driving circuit 120 may include multiple source driver integrated circuits (SDICs). A multiple source driver integrated circuit (SDIC) may include multiple driving channels (DCH) and multiple sensing channels (SCH).

표시 패널(110)에 배치된 다수의 데이터 라인(DL) 각각은 다수의 구동 채널(DCH)과 일대일로 연결될 수 있다. 표시 패널(110)에 배치된 다수의 기준 전압 라인(RVL) 각각은 다수의 센싱 채널(SCH)과 일대일로 연결될 수 있다. Each of the multiple data lines DL disposed on the display panel 110 may be connected one-to-one to multiple driving channels DCH. Each of the plurality of reference voltage lines (RVL) disposed on the display panel 110 may be connected to a plurality of sensing channels (SCH) on a one-to-one basis.

도 3을 참조하면, 다수의 서브 픽셀(SP) 중 어느 하나의 서브 픽셀(SP)을 확인할 수 있으며, 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC) 중 어느 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)를 확인할 수 있다. 하나의 서브 픽셀(SP)은 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 데이터 라인(DL)은 구동 채널(DCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. 기준 전압 라인(RVL)은 센싱 채널(SCH)과 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 3, any one subpixel (SP) among the plurality of subpixels (SP) can be confirmed, and any one source driver integrated circuit (SDIC) among the plurality of source driver integrated circuits (SDICs) can be confirmed. there is. One subpixel (SP) may be electrically connected to one source driver integrated circuit (SDIC). That is, the data line DL may be electrically connected to the driving channel DCH. The reference voltage line (RVL) may be electrically connected to the sensing channel (SCH).

소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 다수의 영상 구동 회로부(DB)와 다수의 센싱 회로부(SB)를 포함할 수 있다. 다수의 영상 구동 회로부(DB)는 다수의 구동 채널(DCH)과 일대일로 연결될 수 있다. 다수의 센싱 회로부(SB)는 다수의 센싱 채널(SCH)과 일대일로 연결될 수 있다. The source driver integrated circuit (SDIC) may include a plurality of image driving circuit units (DB) and a plurality of sensing circuit units (SB). Multiple image driving circuit units (DB) may be connected one-to-one with multiple driving channels (DCH). Multiple sensing circuit units (SB) may be connected one-to-one with multiple sensing channels (SCH).

영상 구동 회로부(DB)는 시프트 레지스터부(SR), 래치부(Latch), 디지털 아날로그 변환부(DAC), 출력 버퍼(BUF)를 포함할 수 있다. The image driving circuit unit (DB) may include a shift register unit (SR), a latch unit (Latch), a digital-to-analog converter (DAC), and an output buffer (BUF).

시프트 레지스터부(SR)는 래치 펄스를 래치부(Latch)에 포함되는 복수의 래치들에 순차적으로 출력할 수 있다. The shift register unit (SR) may sequentially output latch pulses to a plurality of latches included in the latch unit (Latch).

래치부(Latch)는 래치 펄스에 응답하여 입력 데이터를 순차적으로 저장할 수 있다. The latch unit (Latch) can sequentially store input data in response to latch pulses.

디지털 아날로그 변환부(DAC)는 래치부(Latch)로부터 출력된 입력 데이터를 아날로그 형태의 전압으로 변환시킬 수 있다. The digital-to-analog converter (DAC) can convert input data output from the latch into an analog voltage.

출력 버퍼(BUF)는 연산 증폭기(AMP_D)를 포함하는 버퍼 회로일 수 있다. 즉, 출력 버퍼(BUF)는 이득이 1인 유닛 게인 버퍼의 기능을 갖는 연산 증폭기 회로일 수 있다. The output buffer (BUF) may be a buffer circuit including an operational amplifier (AMP_D). That is, the output buffer BUF may be an operational amplifier circuit that functions as a unit gain buffer with a gain of 1.

연산 증폭기(AMP_D)는 비 반전 단자(+), 반전 단자(-), 출력 단자(Vout_D)를 포함할 수 있다. 연산 증폭기(AMP_D)의 비 반전 단자(+)는 디지털 아날로그 변환부(DAC)와 전기적으로 연결될 수 있다. 연산 증폭기(AMP_D)의 반전 단자(-)는 출력 단자(Vout_D)와 전기적으로 연결될 수 있다. 연산 증폭기(AMP_D)의 출력 단자(Vout_D)는 구동 채널(DCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. The operational amplifier (AMP_D) may include a non-inverting terminal (+), an inverting terminal (-), and an output terminal (Vout_D). The non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_D) may be electrically connected to the digital-to-analog converter (DAC). The inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_D) may be electrically connected to the output terminal (Vout_D). The output terminal (Vout_D) of the operational amplifier (AMP_D) may be electrically connected to the driving channel (DCH).

센싱 회로부(SB)는 전류 적분기(CI), 샘플 앤 홀드(S/H), 스케일러(Scalar) 및 아날로그 디지털 변환부(ADC)를 포함할 수 있다. The sensing circuit unit (SB) may include a current integrator (CI), sample and hold (S/H), scaler, and analog-to-digital converter (ADC).

전류 적분기(CI)는 연산 증폭기(AMP_CI), 피드백 커패시터(Cfb), 리셋 스위치(SRST)를 포함할 수 있다. The current integrator (CI) may include an operational amplifier (AMP_CI), a feedback capacitor (Cfb), and a reset switch (SRST).

연산 증폭기(AMP_CI)의 비 반전 단자(+)에는 기준 전압(Vref)이 공급될 수 있다. 연산 증폭기(AMP_CI)의 반전 단자(-)는 센싱 채널(SCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. 연산 증폭기(AMP_CI)의 출력 단자(Vout_CI)는 샘플 앤 홀드(S/H)와 전기적으로 연결될 수 있다. A reference voltage (Vref) may be supplied to the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_CI). The inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_CI) may be electrically connected to the sensing channel (SCH). The output terminal (Vout_CI) of the operational amplifier (AMP_CI) may be electrically connected to the sample and hold (S/H).

연산 증폭기(AMP_CI)의 반전 단자(-)와 연산 증폭기(AMP_CI)의 출력 단자(Vout_CI) 사이에는 피드백 커패시터(Cfb)와 리셋 스위치(SRST)가 전기적으로 연결될 수 있다. A feedback capacitor (Cfb) and a reset switch (SRST) may be electrically connected between the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_CI) and the output terminal (Vout_CI) of the operational amplifier (AMP_CI).

리셋 스위치(SRST)는 리셋 신호(RST)에 의해 회로 간의 연결을 제어할 수 있다. The reset switch (SRST) can control the connection between circuits by the reset signal (RST).

리셋 스위치(SRST)에 회로를 연결하기 위한 리셋 신호(RST)가 인가되고 비 반전 단자(+)에 기준 전압(Vref)가 인가될 수 있다. 이 경우, 피드백 커패시터(Cfb)에 충전된 전압을 초기화 시킬 수 있다. A reset signal (RST) for connecting the circuit to the reset switch (SRST) may be applied, and a reference voltage (Vref) may be applied to the non-inverting terminal (+). In this case, the voltage charged in the feedback capacitor (Cfb) can be initialized.

샘플 앤 홀드(S/H)는 전류 적분기(CI)로부터 출력된 센싱 전압을 샘플링 및 홀드할 수 있다. 도 3에는 도시되지 않았으나, 샘플 앤 홀드(S/H)는 샘플링 스위치(SAM)를 포함할 수 있다. 샘플링 스위치(SAM)는 기준 전압 라인(RVL) 및 아날로그 디지털 변환부(ADC) 간의 연결을 제어할 수 있다. Sample and hold (S/H) can sample and hold the sensing voltage output from the current integrator (CI). Although not shown in FIG. 3, sample and hold (S/H) may include a sampling switch (SAM). The sampling switch (SAM) can control the connection between the reference voltage line (RVL) and the analog-to-digital converter (ADC).

스케일러(Scalar)는 샘플 앤 홀드(S/H) 회로로부터 샘플링된 센싱 전압인 샘플링 값을 아날로그 디지털 변환부(ADC)의 동작 범위 내로 크기를 조절할 수 있다. The scaler can adjust the size of the sampling value, which is the sensing voltage sampled from the sample and hold (S/H) circuit, within the operating range of the analog-to-digital converter (ADC).

아날로그 디지털 변환부(ADC)는 스케일러(Scalar)로부터 크기가 조절된 샘플링 값을 디지털 형식으로 변환시킬 수 있다. The analog-to-digital converter (ADC) can convert the size-adjusted sampling value from the scaler into a digital format.

전술한 바와 같이 영상 구동 회로부(DB)와 센싱 회로부(SB)는 각각 별개의 구성으로 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 배치될 수 있다. 영상 구동 회로부(DB)와 센싱 회로부(SB)가 소스 드라이버 집적회로(SDIC) 내부에 각각 배치됨에 따라, 데이터 구동 회로(120)의 크기를 줄이는데 제약이 있다. As described above, the image driving circuit unit (DB) and the sensing circuit unit (SB) may each be arranged in separate configurations in the source driver integrated circuit (SDIC). As the image driving circuit (DB) and the sensing circuit (SB) are each disposed inside the source driver integrated circuit (SDIC), there are limitations in reducing the size of the data driving circuit 120.

이에, 본 개시의 실시예들은 컴팩트한 회로 구조를 갖는 데이터 구동 회로(120), 표시 장치(100), 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다. 이하에서 상세히 설명하도록 한다. Accordingly, embodiments of the present disclosure can provide a data driving circuit 120, a display device 100, an image driving method, and a sensing method having a compact circuit structure. This will be explained in detail below.

도 4는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 서브 픽셀(SP)의 등가회로이다. FIG. 4 is an equivalent circuit of a subpixel (SP) of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure.

도 4를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 표시 패널(110)에 배치된 다수의 서브 픽셀(SP) 각각은 발광 소자(ED), 구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT), 센싱 트랜지스터(SENT), 및 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, each of the plurality of subpixels (SP) disposed on the display panel 110 of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure includes a light emitting element (ED), a driving transistor (DRT), and a scan function. It may include a transistor (SCT), a sensing transistor (SENT), and a storage capacitor (Cst).

발광 소자(ED)는 픽셀 전극(PE), 공통 전극(CE), 픽셀 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 위치하는 발광층(EL)을 포함할 수 있다. 여기서, 픽셀 전극(PE)은 각 서브 픽셀(SP)에 배치되며, 공통 전극(CE)은 다수의 서브 픽셀(SP)에 공통으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 픽셀 전극(PE)은 애노드 전극이고, 공통 전극(CE)은 캐소드 전극일 수 있다. 다른 예를 들어, 픽셀 전극(PE)은 캐소드 전극이고, 공통 전극(CE)은 애노드 전극일 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(ED)는 유기발광 다이오드(OLED), 마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode) 또는 퀀텀닷 발광 소자(ED) 등일 수 있다. The light emitting device (ED) may include a pixel electrode (PE), a common electrode (CE), and a light emitting layer (EL) located between the pixel electrode (PE) and the common electrode (CE). Here, the pixel electrode PE may be disposed in each subpixel SP, and the common electrode CE may be commonly disposed in multiple subpixels SP. For example, the pixel electrode (PE) may be an anode electrode, and the common electrode (CE) may be a cathode electrode. For another example, the pixel electrode (PE) may be a cathode electrode, and the common electrode (CE) may be an anode electrode. For example, the light emitting device (ED) may be an organic light emitting diode (OLED), a micro light emitting diode (micro LED), or a quantum dot light emitting device (ED).

구동 트랜지스터(DRT)는 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 트랜지스터로서, 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3) 등을 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드일 수 있으며, 스캔 트랜지스터(SCT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있으며, 센싱 트랜지스터(SENT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결되고, 발광 소자(ED)의 픽셀 전극(PE)과도 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)는 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동 전압 라인(DVL)과 전기적으로 연결될 수 있다. The driving transistor DRT is a transistor for driving the light emitting device ED and may include a first node N1, a second node N2, and a third node N3. The first node N1 of the driving transistor DRT may be a gate node of the driving transistor DRT and may be electrically connected to the source node or drain node of the scan transistor SCT. The second node (N2) of the driving transistor (DRT) may be a source node or a drain node of the driving transistor (DRT), is electrically connected to the source node or drain node of the sensing transistor (SENT), and is connected to the light emitting element (ED). It can also be electrically connected to the pixel electrode (PE) of . The third node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the driving voltage line DVL that supplies the driving voltage EVDD.

스캔 트랜지스터(SCT)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 연결될 수 있다. 스캔 트랜지스터(SCT)는, 게이트 라인(GL)의 한 종류인 스캔 신호 라인(SCL)에서 공급되는 스캔 신호(SCAN)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되어, 기준 전압 라인(RVL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 간의 연결을 제어할 수 있다. The scan transistor SCT is controlled by the scan signal SCAN and may be connected between the first node N1 of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL. The scan transistor (SCT) is turned on or off according to the scan signal (SCAN) supplied from the scan signal line (SCL), a type of gate line (GL), and is connected to the reference voltage line (RVL) and the driving transistor. The connection between the first nodes (N1) of (DRT) can be controlled.

스캔 트랜지스터(SCT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어, 기준 전압 라인(RVL)에서 공급된 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전달해줄 수 있다. The scan transistor (SCT) is turned on by the scan signal (SCAN) having a turn-on level voltage, and connects the reference voltage (Vref) supplied from the reference voltage line (RVL) to the first node of the driving transistor (DRT). You can forward it to (N1).

스캔 트랜지스터(SCT)를 턴-온 시킬 수 있는 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압 또는 로우 레벨 전압일 수 있다. 스캔 트랜지스터(SCT)를 턴-오프 시킬 수 있는 스캔 신호(SCAN)의 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압 또는 하이 레벨 전압일 수 있다. 예를 들어, 스캔 트랜지스터(SCT)가 n 타입 트랜지스터인 경우, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다. 다른 예를 들어, 스캔 트랜지스터(SCT)가 p 타입 트랜지스터인 경우, 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다. The turn-on level voltage of the scan signal (SCAN) that can turn on the scan transistor (SCT) may be a high level voltage or a low level voltage. The turn-off level voltage of the scan signal SCAN that can turn off the scan transistor SCT may be a low level voltage or a high level voltage. For example, when the scan transistor (SCT) is an n-type transistor, the turn-on level voltage may be a high level voltage and the turn-off level voltage may be a low level voltage. For another example, when the scan transistor (SCT) is a p-type transistor, the turn-on level voltage may be a low level voltage and the turn-off level voltage may be a high level voltage.

센싱 트랜지스터(SENT)는 센스 신호(SENSE)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 공통 라인(CL) 사이에 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)는, 게이트 라인(GL)의 다른 한 종류인 센스 신호 라인(SENL)에서 공급된 센스 신호(SENSE)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되어, 공통 라인(CL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2) 간의 연결을 제어할 수 있다. The sensing transistor (SENT) is controlled by the sense signal (SENSE) and may be connected between the second node (N2) of the driving transistor (DRT) and the common line (CL). The sensing transistor (SENT) is turned on or off depending on the sense signal (SENSE) supplied from the sense signal line (SENL), which is another type of gate line (GL), and is connected to the common line (CL) and the driving transistor. The connection between the second node (N2) of (DRT) can be controlled.

센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 센스 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어, 공통 라인(CL)에서 공급된 전압(Vcl)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 전달해줄 수 있다. 공통 라인(CL)에서 공급된 전압(Vcl)은 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata) 또는 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)일 수 있다. The sensing transistor (SENT) is turned on by the sense signal (SENSE) having a turn-on level voltage, and applies the voltage (Vcl) supplied from the common line (CL) to the second node (N2) of the driving transistor (DRT). ) can be passed on. The voltage (Vcl) supplied from the common line (CL) may be a data voltage (Vref-Vdata) for image driving or a data voltage (Vref-Vsen) for sensing driving.

센싱 트랜지스터(SENT)를 턴-온 시킬 수 있는 센스 신호(SENSE)의 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압 또는 로우 레벨 전압일 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)를 턴-오프 시킬 수 있는 센스 신호(SENSE)의 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압 또는 하이 레벨 전압일 수 있다. 예를 들어, 센싱 트랜지스터(SENT)가 n 타입 트랜지스터인 경우, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다. 다른 예를 들어, 센싱 트랜지스터(SENT)가 p 타입 트랜지스터인 경우, 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다. The turn-on level voltage of the sense signal (SENSE) that can turn on the sensing transistor (SENT) may be a high level voltage or a low level voltage. The turn-off level voltage of the sense signal (SENSE) that can turn off the sensing transistor (SENT) may be a low level voltage or a high level voltage. For example, when the sensing transistor SENT is an n-type transistor, the turn-on level voltage may be a high level voltage and the turn-off level voltage may be a low level voltage. For another example, when the sensing transistor SENT is a p-type transistor, the turn-on level voltage may be a low level voltage and the turn-off level voltage may be a high level voltage.

라인 커패시터(Ccl)는 공통 라인(CL) 및 그라운드(GND) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The line capacitor (Ccl) may be electrically connected between the common line (CL) and the ground (GND).

또한, 센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 센스 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 공통 라인(CL)으로 전달해줄 수 있다. 이에 따라, 공통 라인(CL)과 그라운드(GND) 사이에 형성된 라인 커패시터(Ccl)가 충전될 수 있다. In addition, the sensing transistor SENT is turned on by the sense signal SENSE having a turn-on level voltage, and the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT is connected to the common line CL. ) can be delivered. Accordingly, the line capacitor Ccl formed between the common line CL and the ground GND may be charged.

센싱 트랜지스터(SENT)가 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 공통 라인(CL)으로 전달해주는 기능은 서브 픽셀(SP)의 특성치를 센싱하기 위한 구동 시 이용될 수 있다. 이 경우, 공통 라인(CL)으로 전달되는 전압은 서브 픽셀(SP)의 특성치를 산출하기 위한 전압이거나 서브 픽셀(SP)의 특성치가 반영된 전압일 수 있다. The function of the sensing transistor (SENT) to transfer the voltage (V2) of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) to the common line (CL) can be used when driving to sense the characteristic value of the subpixel (SP). there is. In this case, the voltage transmitted to the common line CL may be a voltage for calculating the characteristic value of the subpixel SP or a voltage reflecting the characteristic value of the subpixel SP.

본 개시에서, 서브 픽셀(SP)의 특성치는 구동 트랜지스터(DRT) 또는 발광 소자(ED)의 특성치일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 및 이동도 등을 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)의 특성치는 발광 소자(ED)의 문턱전압을 포함할 수 있다. In the present disclosure, the characteristic values of the subpixel (SP) may be the characteristic values of the driving transistor (DRT) or the light emitting element (ED). Characteristic values of the driving transistor (DRT) may include threshold voltage and mobility of the driving transistor (DRT). The characteristic value of the light emitting device (ED) may include the threshold voltage of the light emitting device (ED).

구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT) 및 센싱 트랜지스터(SENT) 각각은 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다. 본 개시에서는, 설명의 편의를 위하여, 구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT) 및 센싱 트랜지스터(SENT) 각각은 n타입인 것을 예로 든다. Each of the driving transistor (DRT), scan transistor (SCT), and sensing transistor (SENT) may be an n-type transistor or a p-type transistor. In this disclosure, for convenience of explanation, the driving transistor (DRT), scan transistor (SCT), and sensing transistor (SENT) are each n-type as an example.

스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)에는 양 단의 전압 차이에 해당하는 전하량이 충전되고, 정해진 프레임 시간 동안, 양 단의 전압 차이가 유지되는 역할을 한다. 이에 따라, 정해진 프레임 시간 동안, 해당 서브 픽셀(SP)은 발광할 수 있다. The storage capacitor Cst may be connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. The storage capacitor (Cst) is charged with a charge corresponding to the voltage difference between both ends, and serves to maintain the voltage difference between both ends for a set frame time. Accordingly, the corresponding subpixel SP may emit light during a set frame time.

스토리지 커패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드와 소스 노드(또는 드레인 노드) 사이에 존재하는 내부 커패시터(Internal Capacitor)인 기생 커패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 커패시터(External Capacitor)일 수 있다. The storage capacitor (Cst) is not a parasitic capacitor (e.g. Cgs, Cgd), which is an internal capacitor that exists between the gate node and the source node (or drain node) of the driving transistor (DRT). ) may be an external capacitor intentionally designed outside of the capacitor.

스캔 신호 라인(SCL) 및 센스 신호 라인(SENL)은 서로 다른 게이트 라인(GL)일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센스 신호(SENSE)는 서로 별개의 게이트 신호일 수 있고, 하나의 서브 픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 온-오프 타이밍과 센싱 트랜지스터(SENT)의 온-오프 타이밍은 독립적일 수 있다. 즉, 하나의 서브 픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 온-오프 타이밍과 센싱 트랜지스터(SENT)의 온-오프 타이밍은 동일할 수도 있고 다를 수 있다. The scan signal line (SCL) and the sense signal line (SENL) may be different gate lines (GL). In this case, the scan signal (SCAN) and the sense signal (SENSE) may be separate gate signals, and the on-off timing of the scan transistor (SCT) and the on-off timing of the sensing transistor (SENT) within one subpixel (SP) Off timing can be independent. That is, the on-off timing of the scan transistor (SCT) and the on-off timing of the sensing transistor (SENT) within one subpixel (SP) may be the same or different.

이와 다르게, 스캔 신호 라인(SCL) 및 센스 신호 라인(SENL)은 동일한 게이트 라인(GL)일 수 있다. 즉, 하나의 서브 픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 게이트 노드와 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는 하나의 게이트 라인(GL)에 연결될 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센스 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수 있고, 하나의 서브 픽셀(SP) 내 스캔 트랜지스터(SCT)의 온-오프 타이밍과 센싱 트랜지스터(SENT)의 온-오프 타이밍은 동일할 수 있다. Alternatively, the scan signal line (SCL) and the sense signal line (SENL) may be the same gate line (GL). That is, the gate node of the scan transistor (SCT) and the gate node of the sensing transistor (SENT) within one subpixel (SP) may be connected to one gate line (GL). In this case, the scan signal (SCAN) and the sense signal (SENSE) may be the same gate signal, and the on-off timing of the scan transistor (SCT) and the on-off timing of the sensing transistor (SENT) within one subpixel (SP) may be the same.

공통 회로부(CB)는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 배치될 수 있다. The common circuit (CB) may be placed in a source driver integrated circuit (SDIC).

공통 회로부(CB)는 공통 라인(CL)과 전기적으로 연결될 수 있다. The common circuit portion (CB) may be electrically connected to the common line (CL).

공통 회로부(CB)는 공통 라인(CL)으로 전압을 공급할 수 있다. 예를 들어, 프레임 영상을 구동하기 위한 영상 구동 기간 동안, 프레임 영상을 표현하기 위한 전압이 공급될 수 있다. 다른 예시로서, 서브 픽셀(SP)의 특성치를 센싱하기 위한 센싱 구동 기간 동안, 서브 픽셀(SP)의 특성치를 센싱하기 위한 전압이 공급될 수 있다. 공통 회로부(CB)는 전압을 공급하기 위해, 시프트 레지스터부(SR), 래치부(Latch), 디지털 아날로그 변환부(DAC) 등의 회로를 포함할 수 있다. The common circuit unit (CB) can supply voltage to the common line (CL). For example, during an image driving period for driving a frame image, a voltage for expressing the frame image may be supplied. As another example, during a sensing drive period for sensing the characteristic value of the subpixel SP, a voltage for sensing the characteristic value of the subpixel SP may be supplied. The common circuit unit (CB) may include circuits such as a shift register unit (SR), a latch unit (Latch), and a digital-to-analog converter (DAC) to supply voltage.

공통 회로부(CB)는 공통 라인(CL)의 전압을 센싱할 수 있다. 예를 들어, 전술한 전압의 센싱은 서브 픽셀(SP)의 특성치를 센싱하기 위한 센싱 구동 기간 동안 진행될 수 있다. 공통 회로부(CB)는 공통 라인(CL)의 전압을 센싱하기 위해, 샘플 앤 홀드(S/H), 스케일러(Scalar) 및 아날로그 디지털 변환부(ADC) 등의 회로를 포함할 수 있다. The common circuit unit (CB) can sense the voltage of the common line (CL). For example, the above-mentioned voltage sensing may be performed during a sensing drive period for sensing the characteristic value of the subpixel SP. The common circuit unit (CB) may include circuits such as sample and hold (S/H), scaler, and analog-to-digital converter (ADC) to sense the voltage of the common line (CL).

이하에서는 공통 회로부(CB)의 회로 구성을 상세히 설명하도록 한다. Below, the circuit configuration of the common circuit unit (CB) will be described in detail.

도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 소스 드라이버 집적회로(SDIC) 및 서브 픽셀(SP)에 대한 회로도이다. 5 is a circuit diagram of a source driver integrated circuit (SDIC) and a subpixel (SP) according to embodiments of the present disclosure.

표시 패널(110)에는 다수의 서브 픽셀(SP)이 배치될 수 있다. 다수의 서브 픽셀(SP) 각각은 발광 소자(ED), 구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT), 센싱 트랜지스터(SENT), 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다. 도 5에 도시된 다수의 서브 픽셀(SP)은 도 4에 도시된 서브 픽셀(SP)과 동일할 수 있다. A plurality of subpixels SP may be disposed on the display panel 110. Each of the plurality of subpixels (SP) may include a light emitting element (ED), a driving transistor (DRT), a scan transistor (SCT), a sensing transistor (SENT), a storage capacitor (Cst), etc. The plurality of subpixels SP shown in FIG. 5 may be the same as the subpixels SP shown in FIG. 4 .

데이터 구동 회로(120)는 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)를 포함할 수 있다. 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 다수의 공통 채널(CCH) 및 다수의 기준 전압 채널(VCH)을 포함할 수 있다. The data driving circuit 120 may include multiple source driver integrated circuits (SDICs). Multiple source driver integrated circuits (SDICs) may include multiple common channels (CCH) and multiple reference voltage channels (VCH).

표시 패널(110)에 배치된 다수의 기준 전압 라인(RVL) 각각은 다수의 기준 전압 채널(VCH)과 일대일로 연결될 수 있다. 표시 패널(110)에 배치된 다수의 공통 라인(CL) 각각은 다수의 공통 채널(CCH)과 일대일로 연결될 수 있다. Each of the plurality of reference voltage lines (RVL) disposed on the display panel 110 may be connected to a plurality of reference voltage channels (VCH) in a one-to-one relationship. Each of the common lines CL disposed on the display panel 110 may be connected to a plurality of common channels CCH on a one-to-one basis.

기준 전압 라인(RVL)은 기준 전압 채널(VCH)와 전기적으로 연결될 수 있다. 기준 전압(Vref)는 기준 전압 채널(VCH)을 통해 데이터 구동 회로(120)로부터 기준 전압 라인(RVL)로 공급될 수 있다. The reference voltage line (RVL) may be electrically connected to the reference voltage channel (VCH). The reference voltage Vref may be supplied from the data driving circuit 120 to the reference voltage line RVL through the reference voltage channel VCH.

공통 라인(CL)은 공통 채널(CCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. 공통 라인(CL)과 그라운드(GND) 사이에는 라인 커패시터(Ccl)가 형성될 수 있다. 공통 라인(CL)의 전압은 공통 채널(CCH)을 통해 데이터 구동 회로(120)으로 전달될 수 있다. The common line (CL) may be electrically connected to the common channel (CCH). A line capacitor (Ccl) may be formed between the common line (CL) and the ground (GND). The voltage of the common line CL may be transmitted to the data driving circuit 120 through the common channel CCH.

도 5를 참조하면, 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC) 중 어느 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)를 확인할 수 있다. Referring to FIG. 5, one source driver integrated circuit (SDIC) among a plurality of SDICs can be identified.

다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC) 각각은 공통 회로부(CB), 공통 채널(CCH), 기준 전압 채널(VCH)을 포함할 수 있다. 공통 회로부(CB)는 공통 채널(CCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. 기준 전압(Vref)은 기준 전압 채널(VCH)을 통해 기준 전압 라인(RVL)로 출력될 수 있다. Each of the multiple source driver integrated circuits (SDICs) may include a common circuit (CB), a common channel (CCH), and a reference voltage channel (VCH). The common circuit unit (CB) may be electrically connected to the common channel (CCH). The reference voltage Vref may be output to the reference voltage line RVL through the reference voltage channel VCH.

공통 회로부(CB)는 공통 연산 증폭 회로부(CAB), 공통 센싱 회로부(CSB), 및 공통 구동 회로부(CDB)를 포함할 수 있다. The common circuit (CB) may include a common operational amplifier circuit (CAB), a common sensing circuit (CSB), and a common driving circuit (CDB).

공통 연산 증폭 회로부(CAB)는 연산 증폭기(AMP_C), 피드백 커패시터(Cfb), 리셋 스위치(SRST)를 포함할 수 있다. The common operational amplifier circuit (CAB) may include an operational amplifier (AMP_C), a feedback capacitor (Cfb), and a reset switch (SRST).

공통 연산 증폭 회로부(CAB)는 리셋 스위치(SRST)의 제어에 따라 이득이 1인 유닛 게인 버퍼의 기능을 수행할 수 있다. 또한 공통 연산 증폭 회로부(CAB)는 리셋 스위치(SRST)의 제어에 따라 전류 적분기(Current Integrator)의 기능을 수행할 수 있다. The common operational amplifier circuit (CAB) can perform the function of a unit gain buffer with a gain of 1 under the control of the reset switch (SRST). Additionally, the common operational amplifier circuit (CAB) can perform the function of a current integrator under the control of the reset switch (SRST).

연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)는 제1 입력 라인(IL1)을 통해 공통 구동 회로부(CDB)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연결 스위치(CST1)는 제1 입력 라인(IL1)과 공통 구동 회로부(CDB) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연결 스위치(CST1)는 제1 연결 제어 신호(CCS1)를 공급받아 전압의 공급을 여부를 제어할 수 있다. The non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common driving circuit unit (CDB) through the first input line (IL1). The first connection switch CST1 may be electrically connected between the first input line IL1 and the common driving circuit unit CDB. The first connection switch (CST1) receives the first connection control signal (CCS1) and can control whether or not to supply voltage.

연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)는 제2 입력 라인(IL2)을 통해 공통 채널(CCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 연결 스위치(CST2)는 제2 입력 라인(IL2)과 공통 채널(CCH) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 연결 스위치(CST2)는 제2 연결 제어 신호(CCS2)를 공급받아 전압의 공급을 여부를 제어할 수 있다. The inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common channel (CCH) through the second input line (IL2). The second connection switch CST2 may be electrically connected between the second input line IL2 and the common channel CCH. The second connection switch (CST2) can receive the second connection control signal (CCS2) and control whether or not to supply voltage.

연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)는 제3 입력 라인(IL3)을 통해 공통 채널(CCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 연결 스위치(CST3)는 제3 입력 라인(IL3)과 공통 채널(CCH) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 연결 스위치(CST3)는 제3 연결 제어 신호(CCS3)를 공급받아 전압의 공급을 여부를 제어할 수 있다. The non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common channel (CCH) through the third input line (IL3). The third connection switch CST3 may be electrically connected between the third input line IL3 and the common channel CCH. The third connection switch (CST3) receives the third connection control signal (CCS3) and can control whether or not to supply voltage.

연산 증폭기(AMP_C)의 출력 단자(Vout_C)는 출력 라인(OL)을 통해 공통 센싱 회로부(CSB)와 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 연산 증폭기(AMP_C)의 출력 단자(Vout_C)는 샘플 앤 홀드(S/H)와 전기적으로 연결될 수 있다. The output terminal (Vout_C) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common sensing circuit section (CSB) through the output line (OL). That is, the output terminal (Vout_C) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the sample and hold (S/H).

연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)와 연산 증폭기(AMP_C)의 출력 단자(Vout_C) 사이에는 피드백 커패시터(Cfb)가 전기적으로 연결될 수 있다. 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)와 연산 증폭기(AMP_C)의 출력 단자(Vout_C) 사이에는 리셋 스위치(SRST)가 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)와 연산 증폭기(AMP_C)의 출력 단자(Vout_C) 사이에서 피드백 커패시터(Cfb)와 리셋 스위치(SRST)는 병렬로 연결될 수 있다. A feedback capacitor Cfb may be electrically connected between the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C) and the output terminal (Vout_C) of the operational amplifier (AMP_C). A reset switch (SRST) may be electrically connected between the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C) and the output terminal (Vout_C) of the operational amplifier (AMP_C). That is, the feedback capacitor Cfb and the reset switch SRST may be connected in parallel between the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C) and the output terminal (Vout_C) of the operational amplifier (AMP_C).

리셋 스위치(SRST)는 리셋 신호(RST)에 의해 반전 단자(-)와 출력 단자(Vout_C) 간의 연결을 제어할 수 있다. The reset switch (SRST) can control the connection between the inverting terminal (-) and the output terminal (Vout_C) by using the reset signal (RST).

공통 센싱 회로부(CSB)는 공통 라인(CL)의 전압을 센싱하는 기능을 수행할 수 있다. The common sensing circuit unit (CSB) may perform a function of sensing the voltage of the common line (CL).

공통 센싱 회로부(CSB)는 공통 라인(CL)의 전압을 센싱하기 위해, 샘플 앤 홀드(S/H), 스케일러(Scalar) 및 아날로그 디지털 변환부(ADC)를 포함할 수 있다. The common sensing circuit unit (CSB) may include a sample and hold (S/H), a scaler, and an analog-to-digital converter (ADC) to sense the voltage of the common line (CL).

샘플 앤 홀드(S/H)는 출력 라인(OL)을 통해 공통 연산 증폭 회로부(CAB)의 출력을 전달받을 수 있다. 샘플 앤 홀드(S/H)는 공통 연산 증폭 회로부(CAB)로부터 출력된 센싱 전압을 샘플링 및 홀드할 수 있다. Sample and hold (S/H) can receive the output of the common operational amplifier circuit (CAB) through the output line (OL). Sample and hold (S/H) can sample and hold the sensing voltage output from the common operational amplifier circuit (CAB).

도 5에는 도시되지 않았으나, 샘플 앤 홀드(S/H)는 샘플링 스위치(SAM)를 포함할 수 있다. 샘플링 스위치(SAM)가 제어됨에 따라, 공통 라인(CL)의 전압은 아날로그 디지털 변환부(ADC)로 공급될 수 있다. 즉, 공통 라인(CL)의 전압을 센싱하기 위한 특정 시점에서 샘플링 스위치(SAM)에는 턴-온 신호가 공급될 수 있으며, 그에 따라 공통 라인(CL)의 전압은 아날로그 디지털 변환부(ADC)로 공급될 수 있다. 도 12 및 도 16을 참조하면, 샘플링 스위치(SAM)에 턴-온 신호가 공급되어, 공통 라인(CL)의 전압이 아날로그 디지털 변환부(ADC)로 공급될 수 있는 등가회로를 확인할 수 있다. 공통 라인(CL)의 전압을 센싱하기 위한 특정 시점이 아닌 경우, 샘플링 스위치(SAM)에는 턴-오프 신호가 공급될 수 있다. Although not shown in FIG. 5, sample and hold (S/H) may include a sampling switch (SAM). As the sampling switch (SAM) is controlled, the voltage of the common line (CL) can be supplied to the analog-to-digital converter (ADC). In other words, a turn-on signal may be supplied to the sampling switch (SAM) at a specific point in time to sense the voltage of the common line (CL), and accordingly the voltage of the common line (CL) is converted to the analog-to-digital converter (ADC). can be supplied. Referring to Figures 12 and 16, an equivalent circuit in which a turn-on signal is supplied to the sampling switch (SAM) and the voltage of the common line (CL) can be supplied to the analog-to-digital converter (ADC) can be confirmed. When it is not a specific time to sense the voltage of the common line CL, a turn-off signal may be supplied to the sampling switch SAM.

스케일러(Scalar)는 샘플 앤 홀드(S/H)로부터 샘플링된 센싱 전압인 샘플링 값을 아날로그 디지털 변환부(ADC)의 동작 범위 내로 크기를 조절할 수 있다. 아날로그 디지털 변환부(ADC)는 센싱이 가능한 전압 범위(Range)가 제한적일 수 있기에, 스케일러(Scalar)는 센싱 전압의 크기를 조절하여 아날로그 디지털 변환부(ADC)로 공급할 수 있다. The scaler can adjust the size of the sampling value, which is the sensing voltage sampled from sample and hold (S/H), within the operating range of the analog-to-digital converter (ADC). Since the analog-to-digital converter (ADC) may have a limited voltage range that can be sensed, a scaler can adjust the size of the sensing voltage and supply it to the analog-to-digital converter (ADC).

아날로그 디지털 변환부(ADC)는 스케일러(Scalar)로부터 크기가 조절된 샘플링 값을 디지털 형식으로 변환시킬 수 있다. 아날로그 디지털 변환부(ADC)는 디지털 값으로 변환된 센싱 전압을 컨트롤러(140)로 공급할 수 있다. 이후 컨트롤러(140)는 디지털 값으로 변환된 센싱 전압을 토대로 서브 픽셀(SP)의 특성치를 판단할 수 있다. The analog-to-digital converter (ADC) can convert the size-adjusted sampling value from the scaler into a digital format. The analog-to-digital converter (ADC) can supply the sensing voltage converted to a digital value to the controller 140. Thereafter, the controller 140 may determine the characteristic value of the subpixel (SP) based on the sensing voltage converted to a digital value.

공통 구동 회로부(CDB)는 공통 라인(CL)으로 전압을 공급하는 기능을 수행할 수 있다. The common driving circuit unit (CDB) may perform the function of supplying voltage to the common line (CL).

공통 구동 회로부(CDB)는 공통 라인(CL)으로 전압을 공급하기 위해, 시프트 레지스터부(SR), 래치부(Latch), 디지털 아날로그 변환부(DAC)를 포함할 수 있다. The common driving circuit unit (CDB) may include a shift register unit (SR), a latch unit (Latch), and a digital-to-analog converter (DAC) to supply voltage to the common line CL.

시프트 레지스터부(SR)는 래치 펄스를 래치부(Latch)에 포함되는 복수의 래치들에 순차적으로 출력할 수 있다. The shift register unit (SR) may sequentially output latch pulses to a plurality of latches included in the latch unit (Latch).

래치부(Latch)는 래치 펄스에 응답하여 입력 데이터를 순차적으로 저장할 수 있다. The latch unit (Latch) can sequentially store input data in response to latch pulses.

디지털 아날로그 변환부(DAC)는 래치부(Latch)로부터 출력된 입력 데이터를 아날로그 형태의 전압으로 변환시킬 수 있다. 디지털 아날로그 변환부(DAC)로부터 출력된 전압은 제1 입력 라인(IL1)을 통해 비 반전 단자(+)로 전달될 수 있다. The digital-to-analog converter (DAC) can convert input data output from the latch into an analog voltage. The voltage output from the digital-to-analog converter (DAC) may be transmitted to the non-inverting terminal (+) through the first input line (IL1).

디지털 아날로그 변환부(DAC)로부터 출력된 전압은 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata) 또는 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)일 수 있다. The voltage output from the digital-to-analog converter (DAC) may be a data voltage for image driving (Vref-Vdata) or a data voltage for sensing driving (Vref-Vsen).

디지털 아날로그 변환부(DAC)와 제1 입력 라인(IL1) 사이에는 제1 연결 스위치(CST1)가 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연결 스위치(CST1)는 제1 연결 제어 신호(CCS1)를 공급받을 수 있다. 그에 따라 제1 연결 스위치(CST1)는 디지털 아날로그 변환부(DAC)로부터 출력되는 전압의 공급을 여부를 제어할 수 있다. A first connection switch (CST1) may be electrically connected between the digital-to-analog converter (DAC) and the first input line (IL1). The first connection switch (CST1) may receive the first connection control signal (CCS1). Accordingly, the first connection switch (CST1) can control whether or not to supply the voltage output from the digital-to-analog converter (DAC).

전술한 바와 같이 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC) 각각은 공통 회로부(CB)를 포함할 수 있으며, 공통 회로부(CB)로 영상 구동 및 센싱 구동을 할 수 있다. As described above, each of the multiple source driver integrated circuits (SDICs) may include a common circuit section (CB), and image driving and sensing may be performed using the common circuit section (CB).

즉, 본 개시의 실시예들은 컴팩트한 회로 구조를 갖는 데이터 구동 회로(120), 표시 장치(100), 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다. 이하에서는 도 6 및 도 7을 참조하여 표시 장치(100)의 영상 구동 방법을 상세히 설명하도록 한다. 또한 도 8 내지 도16을 참조하여 표시 장치(100)의 센싱 방법을 상세히 설명하도록 한다. That is, embodiments of the present disclosure can provide a data driving circuit 120, a display device 100, an image driving method, and a sensing method having a compact circuit structure. Hereinafter, the image driving method of the display device 100 will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7 . Additionally, the sensing method of the display device 100 will be described in detail with reference to FIGS. 8 to 16 .

도 6는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 영상 구동 방법의 흐름도이다. 도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 영상 구동 방법과 관련된 회로도이다. FIG. 6 is a flowchart of an image driving method of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure. FIG. 7 is a circuit diagram related to an image driving method of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure.

도 6를 참조하면, 표시 장치(100)의 영상 구동 방법은 전압 공급 단계(S610), 플로팅 단계(S620), 발광 단계(S630)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6 , the image driving method of the display device 100 may include a voltage supply step (S610), a floating step (S620), and a light emission step (S630).

전압 공급 단계(S610)는 기준 전압 라인(RVL)에 공급되는 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)에 공급되고, 공통 라인(CL)에 공급되는 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)이 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 공급되는 단계일 수 있다. In the voltage supply step (S610), the reference voltage (Vref) supplied to the reference voltage line (RVL) is supplied to the first node (N1), which is the gate node of the driving transistor (DRT), and the image supplied to the common line (CL) This may be a stage in which the driving data voltage (Vref-Vdata) is supplied to the second node (N2) of the driving transistor (DRT).

기준 전압(Vref)은 일정한 크기의 전압일 수 있다. 기준 전압(Vref)은 기준 전압 채널(VCH)을 통해 기준 전압 라인(RVL)으로 공급될 수 있다. The reference voltage (Vref) may be a voltage of a certain magnitude. The reference voltage Vref may be supplied to the reference voltage line RVL through the reference voltage channel VCH.

스캔 트랜지스터(SCT)의 게이트 노드에는 스캔 트랜지스터(SCT)를 턴-온 상태로 스위칭하기 위한 스캔 신호(SCAN)가 공급될 수 있다. A scan signal (SCAN) for switching the scan transistor (SCT) to the turn-on state may be supplied to the gate node of the scan transistor (SCT).

즉, 스캔 트랜지스터(SCT)는 턴-온 상태로 스위칭 될 수 있기에, 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)에 공급될 수 있다. That is, since the scan transistor (SCT) can be switched to the turn-on state, the reference voltage (Vref) can be supplied to the first node (N1), which is the gate node of the driving transistor (DRT).

영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)은 영상 패턴에 따라 가변 되는 전압일 수 있다. 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)은 공통 구동 회로부(CDB)로부터 출력되어 비 반전 단자(+)로 공급할 수 있다. 즉, 공통 구동 회로부(CDB)는 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)을 출력할 수 있다. The image driving data voltage (Vref-Vdata) may be a voltage that varies depending on the image pattern. The image driving data voltage (Vref-Vdata) can be output from the common driving circuit unit (CDB) and supplied to the non-inverting terminal (+). That is, the common driving circuit unit (CDB) can output the image driving data voltage (Vref-Vdata).

도 7을 참조하면, 제1 연결 스위치(CST1)에는 전압 또는 전류 패스를 형성하기 위한 제1 연결 제어 신호(CCS1)를 공급받아, 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)는 제1 입력 라인(IL1)을 통해 공통 구동 회로부(CDB)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 연결 스위치(CST2)에는 전압 또는 전류 패스를 형성하기 위한 제2 연결 제어 신호(CCS2)를 공급받아, 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)는 제2 입력 라인(IL2)을 통해 공통 채널(CCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 연결 스위치(CST3)에는 전압 또는 전류를 차단하기 위한 제3 연결 제어 신호(CCS3)를 공급받아, 제3 입력 라인(IL3)으로는 전류가 흐르지 않고 전압이 공급되지 않을 수 있다. Referring to FIG. 7, the first connection switch (CST1) is supplied with the first connection control signal (CCS1) to form a voltage or current path, and the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) is the first input. It may be electrically connected to the common driving circuit unit (CDB) through the line IL1. The second connection switch (CST2) is supplied with a second connection control signal (CCS2) to form a voltage or current path, and the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C) is common through the second input line (IL2). It can be electrically connected to the channel (CCH). The third connection switch CST3 may receive a third connection control signal CCS3 for blocking voltage or current, so that no current flows and no voltage is supplied to the third input line IL3.

한편, 도 7을 참조하면, 전압 공급 단계(S610)에서, 리셋 스위치(SRST)에는 리셋 신호(RST)가 인가될 수 있으며, 그에 따라 반전 단자(-)와 출력 단자(Vout_C)는 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 공통 연산 증폭 회로부(CAB)는 이득이 1인 유닛 게인 버퍼의 기능을 갖는 연산 증폭기 회로일 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 7, in the voltage supply step (S610), a reset signal (RST) may be applied to the reset switch (SRST), and accordingly, the inverting terminal (-) and the output terminal (Vout_C) may be electrically connected. You can. That is, the common operational amplifier circuit (CAB) may be an operational amplifier circuit that functions as a unit gain buffer with a gain of 1.

도 7을 참조하면, 공통 연산 증폭 회로부(CAB)가 버퍼 회로 기능을 갖는 회로로 구성되기에, 비 반전 단자(+)로 공급된 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)은 반전 단자(-)로 공급될 수 있다. 반전 단자(-)로 공급된 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)은 공통 채널(CCH)를 통해 공통 라인(CL)으로 공급될 수 있다. Referring to FIG. 7, since the common operational amplifier circuit (CAB) is composed of a circuit with a buffer circuit function, the image driving data voltage (Vref-Vdata) supplied to the non-inverting terminal (+) is connected to the inverting terminal (-). can be supplied. The image driving data voltage (Vref-Vdata) supplied to the inverting terminal (-) may be supplied to the common line (CL) through the common channel (CCH).

전압 공급 단계(S610)에서, 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드에는 센싱 트랜지스터(SENT)를 턴-온 상태로 스위칭하기 위한 센스 신호(SENSE)가 공급될 수 있다. In the voltage supply step (S610), a sense signal (SENSE) for switching the sensing transistor (SENT) to the turn-on state may be supplied to the gate node of the sensing transistor (SENT).

즉, 센싱 트랜지스터(SENT)는 턴-온 상태로 스위칭 될 수 있기에, 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)은 제2 노드(N2)로 공급될 수 있다. That is, since the sensing transistor (SENT) can be switched to the turn-on state, the image driving data voltage (Vref-Vdata) can be supplied to the second node (N2).

다시 말해 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)에 공급될 수 있으며, 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)은 제2 노드(N2)로 공급될 수 있다. In other words, the reference voltage (Vref) can be supplied to the first node (N1), which is the gate node of the driving transistor (DRT), and the data voltage (Vref-Vdata) for image driving can be supplied to the second node (N2). there is.

이는 스토리지 커패시터(Cst)의 양단에 공급되는 전압과 동일할 수 있다. 즉, 스토리지 커패시터(Cst)에는 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)과 기준 전압(Vref)의 전위차에 해당하는 전압(Vdata)이 저장될 수 있으며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압(Vdata)을 이용하여 영상을 표현할 수 있다. This may be the same as the voltage supplied to both ends of the storage capacitor (Cst). That is, a voltage (Vdata) corresponding to the potential difference between the image driving data voltage (Vref-Vdata) and the reference voltage (Vref) can be stored in the storage capacitor (Cst), and the voltage (Vdata) stored in the storage capacitor (Cst) You can express an image using .

플로팅 단계(S620)는 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)가 플로팅 되는 단계 일 수 있다. The floating step (S620) may be a step in which the first node (N1) and the second node (N2) are floated.

플로팅 단계(S620)에서, 스캔 트랜지스터(SCT)의 게이트 노드에는 스캔 트랜지스터(SCT)를 턴-오프 상태로 스위칭하기 위한 스캔 신호(SCAN)가 공급될 수 있으며, 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드에는 센싱 트랜지스터(SENT)를 턴-오프 상태로 스위칭하기 위한 센스 신호(SENSE)가 공급될 수 있다. In the floating step (S620), a scan signal (SCAN) for switching the scan transistor (SCT) to the turn-off state may be supplied to the gate node of the scan transistor (SCT), and the gate node of the sensing transistor (SENT) may be supplied. A sense signal (SENSE) may be supplied to switch the sensing transistor (SENT) to the turn-off state.

그에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 플로팅 상태가 될 수 있다. 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)가 플로팅 됨에 따라, 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 간의 전위차(Vdata)가 유지되면서 구동 트랜지스터 게이트 노드인 제1 노드(N1)와 소스 노드인 제2 노드(N2)의 전압이 동반 상승될 수 있다. Accordingly, the first node N1 of the driving transistor DRT and the second node N2 of the driving transistor DRT may be in a floating state. As the first node (N1) and the second node (N2) are floating, the potential difference (Vdata) between the first node (N1) and the second node (N2) is maintained and the first node (N1), which is the driving transistor gate node, is maintained. The voltage of the second node N2, which is the source node, may increase simultaneously.

발광 단계(S630)는 구동 트랜지스터에 의해 구동되는 발광 소자가 발광되는 단계 일 수 있다. The light emission step (S630) may be a step in which a light emitting device driven by a driving transistor emits light.

제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)의 전압은 상승하다가 발광 소자(ED)로 전류를 공급할 수 있는 전압 상태가 되면, 발광 단계(S630)가 진행될 수 있다. When the voltage of the first node N1 and the second node N2 increases and reaches a voltage state capable of supplying current to the light emitting device ED, the light emitting step (S630) may proceed.

발광 단계(S630)에서, 발광 소자(ED)로 전류가 공급되어 발광 소자(ED)는 발광할 수 있다. In the light emission step (S630), current is supplied to the light emitting device ED so that the light emitting device ED can emit light.

발광 단계(S630)에서, 발광 소자(ED)의 발광에 따라 서브 픽셀(SP)에 의해 표현되는 휘도는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)의 전압 차이(Vdata)에 대응되는 휘도일 수 있다. In the light emission step (S630), the luminance expressed by the subpixel SP according to the light emission of the light emitting device ED is the luminance corresponding to the voltage difference Vdata between the first node N1 and the second node N2. It can be.

도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 전압 기반 센싱 방법의 흐름도이다. 도 9는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 전압 기반 센싱 방법에 대한 타이밍도이다. 도 10 내지 도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 전압 기반 센싱 방법과 관련된 회로도이다. FIG. 8 is a flowchart of a voltage-based sensing method of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure. FIG. 9 is a timing diagram of a voltage-based sensing method of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure. 10 to 12 are circuit diagrams related to a voltage-based sensing method of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure.

이하에서는 도 8을 참조하여 표시 장치(100)의 센싱 방법을 간략히 설명한 후, 도 9 내지 도 12를 참조하여 표시 장치(100)의 센싱 방법을 상세히 설명하도록 한다. Below, the sensing method of the display device 100 will be briefly described with reference to FIG. 8 and then the sensing method of the display device 100 will be described in detail with reference to FIGS. 9 to 12.

도 8을 참조하면, 표시 장치(100)의 센싱 방법은 초기화 단계(S810), 트래킹 단계(S820), 센싱 단계(S830)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8, the sensing method of the display device 100 may include an initialization step (S810), a tracking step (S820), and a sensing step (S830).

초기화 단계(S810)는 기준 전압 라인(RVL)에 공급되는 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)에 공급되고, 공통 라인(CL)에 공급되는 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)이 구동 트랜지스터의 제2 노드(N2)에 공급되는 단계일 수 있다. In the initialization step (S810), the reference voltage (Vref) supplied to the reference voltage line (RVL) is supplied to the first node (N1), which is the gate node of the driving transistor (DRT), and the sensing drive is supplied to the common line (CL). This may be a stage in which the data voltage (Vref-Vsen) is supplied to the second node (N2) of the driving transistor.

트래킹 단계(S820)는 제2 노드(N2)가 플로팅 되어, 제2 노드(N2)의 전압이 상승되는 단계일 수 있다. 트래킹 단계(S820)에서, 제2 연결 스위치(CST2) 및 제3 연결 스위치(CST3)에는 턴-오프 신호가 공급될 수 있다. 그에 따라 공통 라인(CL)으로는 전압이 공급되지 않을 수 있다. 공통 라인(CL)에 전압이 공급되지 않음에 따라 제2 노드(N2)로 전압이 공급되지 않을 수 있다. 즉, 제2 노드(N2)는 플로팅 상태가 될 수 있다. The tracking step (S820) may be a step in which the second node (N2) is floating and the voltage of the second node (N2) is increased. In the tracking step (S820), a turn-off signal may be supplied to the second connection switch (CST2) and the third connection switch (CST3). Accordingly, voltage may not be supplied to the common line CL. As voltage is not supplied to the common line CL, voltage may not be supplied to the second node N2. That is, the second node N2 may be in a floating state.

센싱 단계(S830)는 아날로그 디지털 변환부(ADC)와 공통 라인(CL)이 전기적으로 연결되고, 아날로그 디지털 변환부(ADC)가 공통 라인(CL)의 전압을 센싱하는 단계일 수 있다. 센싱 단계(S830)에서, 샘플링 스위치(SAM)에는 턴-온 신호가 공급될 수 있으며, 그에 따라 공통 라인(CL)의 전압은 아날로그 디지털 변환부(ADC)로 공급될 수 있다. The sensing step (S830) may be a step in which the analog-to-digital converter (ADC) and the common line (CL) are electrically connected and the analog-to-digital converter (ADC) senses the voltage of the common line (CL). In the sensing step (S830), a turn-on signal may be supplied to the sampling switch (SAM), and accordingly, the voltage of the common line (CL) may be supplied to the analog-to-digital converter (ADC).

도 9을 참조하면, 센싱 구동 기간은 각각 초기화 기간(Tinit), 트래킹 기간(Ttrack) 및 센싱 기간(Tsen)을 포함할 수 있다. 초기화 기간(Tinit)은 초기화 단계(S810)에 대응되며, 트래킹 기간(Ttrack)은 트래킹 단계(S820)에 대응되고, 센싱 기간(Tsen)은 센싱 단계(S830)에 대응될 수 있다.Referring to FIG. 9, the sensing driving period may include an initialization period (Tinit), a tracking period (Ttrack), and a sensing period (Tsen). The initialization period (Tinit) may correspond to the initialization step (S810), the tracking period (Ttrack) may correspond to the tracking step (S820), and the sensing period (Tsen) may correspond to the sensing step (S830).

도 9을 참조하면, 초기화 기간(Tinit)은 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)를 초기화하는 기간일 수 있다. 초기화 기간(Tinit) 동안, 스캔 트랜지스터(SCT) 및 센싱 트랜지스터(SENT)가 턴-온 될 수 있다. Referring to FIG. 9, the initialization period (Tinit) may be a period for initializing the first node (N1) and the second node (N2) of the driving transistor (DRT). During the initialization period (Tinit), the scan transistor (SCT) and the sensing transistor (SENT) may be turned on.

초기화 기간(Tinit) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)의 전압(V1)은 기준 전압(Vref)으로 초기화될 수 있으며, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)으로 초기화될 수 있다. During the initialization period (Tinit), the voltage (V1) of the first node (N1) of the driving transistor (DRT) may be initialized to the reference voltage (Vref), and the voltage of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) (V2) can be initialized to the data voltage (Vref-Vsen) for sensing driving.

도 9를 참조하면, 초기화 기간(Tinit) 동안 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)을 공급하기 위하여 제1 연결 스위치(CST1) 내지 제3 연결 스위치(CST3)는 다음과 같이 제어될 수 있다. Referring to FIG. 9 , in order to supply data voltages Vref-Vsen for sensing driving during the initialization period Tinit, the first to third connection switches CST1 to CST3 may be controlled as follows.

도 9를 참조하면, 초기화 기간(Tinit) 동안, 제1 연결 스위치(CST1)에는 턴-온 신호가 공급될 수 있다. 도 10을 참조하면, 제1 연결 스위치(CST1)에는 전압 또는 전류 패스를 형성하기 위한 제1 연결 제어 신호(CCS1)가 공급될 수 있다. 그에 따라 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)는 제1 입력 라인(IL1)을 통해 공통 구동 회로부(CDB)와 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 9, during the initialization period (Tinit), a turn-on signal may be supplied to the first connection switch (CST1). Referring to FIG. 10, a first connection control signal (CCS1) for forming a voltage or current path may be supplied to the first connection switch (CST1). Accordingly, the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common driving circuit unit (CDB) through the first input line (IL1).

도 9를 참조하면, 초기화 기간(Tinit) 동안, 제2 연결 스위치(CST2)에는 턴-온 신호가 공급될 수 있다. 도 10을 참조하면, 제2 연결 스위치(CST2)에는 전압 또는 전류 패스를 형성하기 위한 제2 연결 제어 신호(CCS2)가 공급될 수 있다. 그에 따라 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)는 제2 입력 라인(IL2)을 통해 공통 채널(CCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 9, during the initialization period (Tinit), a turn-on signal may be supplied to the second connection switch (CST2). Referring to FIG. 10, a second connection control signal (CCS2) for forming a voltage or current path may be supplied to the second connection switch (CST2). Accordingly, the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common channel (CCH) through the second input line (IL2).

도 9를 참조하면, 초기화 기간(Tinit) 동안, 제3 연결 스위치(CST3)에는 턴-오프 신호가 공급될 수 있다. 도 10을 참조하면, 제3 연결 스위치(CST3)에는 전압 또는 전류를 차단하기 위한 제3 연결 제어 신호(CCS3)가 공급될 수 있다. 그에 따라 제3 입력 라인(IL3)으로는 전류가 흐르지 않고 전압이 공급되지 않을 수 있다. Referring to FIG. 9, during the initialization period (Tinit), a turn-off signal may be supplied to the third connection switch (CST3). Referring to FIG. 10, a third connection control signal (CCS3) for blocking voltage or current may be supplied to the third connection switch (CST3). Accordingly, current may not flow and voltage may not be supplied to the third input line IL3.

도 10을 참조하면, 기준 전압(Vref)은 기준 전압 채널(VCH)을 통해 기준 전압 라인(RVL)로 공급될 수 있다. 기준 전압(Vref)은 일정한 크기의 전압일 수 있다. Referring to FIG. 10, the reference voltage Vref may be supplied to the reference voltage line RVL through the reference voltage channel VCH. The reference voltage (Vref) may be a voltage of a certain magnitude.

스캔 트랜지스터(SCT)의 게이트 노드에는 스캔 트랜지스터(SCT)를 턴-온 상태로 스위칭하기 위한 스캔 신호(SCAN)가 공급될 수 있다. A scan signal (SCAN) for switching the scan transistor (SCT) to the turn-on state may be supplied to the gate node of the scan transistor (SCT).

즉, 스캔 트랜지스터(SCT)는 턴-온 상태로 스위칭 될 수 있기에, 기준 전압(Vref)은 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)로 공급될 수 있다. That is, since the scan transistor (SCT) can be switched to the turn-on state, the reference voltage (Vref) can be supplied to the first node (N1), which is the gate node of the driving transistor (DRT).

센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 공통 구동 회로부(CDB)로부터 출력되어 비 반전 단자(+)로 공급될 수 있다. 즉, 공통 구동 회로부(CDB)는 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)을 비 반전 단자(+)로 공급할 수 있다. The data voltage (Vref-Vsen) for sensing driving may be output from the common driving circuit (CDB) and supplied to the non-inverting terminal (+). That is, the common driving circuit unit (CDB) can supply the sensing driving data voltage (Vref-Vsen) to the non-inverting terminal (+).

한편, 도 9를 참조하면 초기화 기간(Tinit) 동안, 리셋 스위치(SRST)에는 턴-온 신호를 공급될 수 있다. 도 10을 참조하면, 초기화 기간(Tinit) 동안, 리셋 스위치(SRST)에는 턴-온 신호인 리셋 신호(RST)가 인가될 수 있으며, 그에 따라 반전 단자(-)와 출력 단자(Vout_C)는 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 공통 연산 증폭 회로부(CAB)는 이득이 1인 유닛 게인 버퍼의 기능을 갖는 연산 증폭기 회로일 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 9, a turn-on signal may be supplied to the reset switch SRST during the initialization period Tinit. Referring to FIG. 10, during the initialization period (Tinit), a reset signal (RST), which is a turn-on signal, may be applied to the reset switch (SRST), and accordingly, the inverting terminal (-) and the output terminal (Vout_C) may be electrically connected to each other. It can be connected to . That is, the common operational amplifier circuit (CAB) may be an operational amplifier circuit that functions as a unit gain buffer with a gain of 1.

도 10을 참조하면, 공통 연산 증폭 회로부(CAB)가 버퍼 회로 기능을 갖는 회로로 구성되기에, 비 반전 단자(+)로 공급된 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 반전 단자(-)로 공급될 수 있다. 반전 단자(-)로 공급된 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 공통 채널(CCH)를 통해 공통 라인(CL)으로 공급될 수 있다. Referring to FIG. 10, since the common operational amplifier circuit (CAB) is composed of a circuit with a buffer circuit function, the sensing driving data voltage (Vref-Vsen) supplied to the non-inverting terminal (+) is connected to the inverting terminal (-). can be supplied. The sensing driving data voltage (Vref-Vsen) supplied to the inverting terminal (-) may be supplied to the common line (CL) through the common channel (CCH).

센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드에는 센싱 트랜지스터(SENT)를 턴-온 상태로 스위칭하기 위한 센싱 신호(SENSE)가 공급될 수 있다. A sensing signal (SENSE) for switching the sensing transistor (SENT) to the turn-on state may be supplied to the gate node of the sensing transistor (SENT).

즉, 센싱 트랜지스터(SENT)는 턴-온 상태로 스위칭 될 수 있기에, 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 공급될 수 있다. That is, since the sensing transistor (SENT) can be switched to the turn-on state, the sensing driving data voltage (Vref-Vsen) can be supplied to the second node (N2) of the driving transistor (DRT).

다시 말해 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)에 공급될 수 있으며, 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 제2 노드(N2)로 공급될 수 있다. 센싱 데이터 전압(Vsen)일 수 있다. In other words, the reference voltage (Vref) can be supplied to the first node (N1), which is the gate node of the driving transistor (DRT), and the data voltage (Vref-Vsen) for sensing driving can be supplied to the second node (N2). there is. It may be a sensing data voltage (Vsen).

도 9을 참조하면, 트래킹 기간(Ttrack)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 반영할 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 부스팅(Boosting)시키는 기간일 수 있다. Referring to FIG. 9, the tracking period (Ttrack) is the driving transistor (DRT) until the voltage (V2) of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) reflects the characteristic value or change in characteristic value of the driving transistor (DRT). ) may be a period of boosting the voltage (V2) of the second node (N2).

트래킹 기간(Ttrack) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 기준 전압(Vref)을 갖는 정전압 상태이지만, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 상승하다가 포화될 수 있다. During the tracking period (Ttrack), the first node (N1) of the driving transistor (DRT) is in a constant voltage state with the reference voltage (Vref), but the voltage (V2) of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) increases. If you do this, you may become saturated.

도 9를 참조하면, 트래킹 기간(Ttrack) 동안 제2 노드(N2)를 플로팅 상태(Floating)로 제어하기 위하여 제1 연결 스위치(CST1) 내지 제3 연결 스위치(CST3)는 다음과 같이 제어될 수 있다. Referring to FIG. 9, in order to control the second node (N2) to a floating state during the tracking period (Ttrack), the first connection switch (CST1) to the third connection switch (CST3) can be controlled as follows. there is.

도 9를 참조하면, 트래킹 기간(Ttrack) 동안 동안, 제1 연결 스위치(CST1)에는 턴-온 신호가 공급될 수 있다. 도 11을 참조하면, 제1 연결 스위치(CST1)에는 전압 또는 전류 패스를 형성하기 위한 제1 연결 제어 신호(CCS1)가 공급될 수 있다. 그에 따라 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)는 제1 입력 라인(IL1)을 통해 공통 구동 회로부(CDB)와 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 9, a turn-on signal may be supplied to the first connection switch CST1 during the tracking period Ttrack. Referring to FIG. 11 , a first connection control signal (CCS1) for forming a voltage or current path may be supplied to the first connection switch (CST1). Accordingly, the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common driving circuit unit (CDB) through the first input line (IL1).

도 9를 참조하면, 트래킹 기간(Ttrack) 동안 동안, 제2 연결 스위치(CST2)에는 턴-오프 신호가 공급될 수 있다. 도 11을 참조하면, 제2 연결 스위치(CST2)에는 전압 또는 전류 패스를 형성하기 위한 제2 연결 제어 신호(CCS2)가 공급될 수 있다. 그에 따라 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)는 제2 입력 라인(IL2)을 통해 공통 채널(CCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 9, a turn-off signal may be supplied to the second connection switch CST2 during the tracking period Ttrack. Referring to FIG. 11, a second connection control signal (CCS2) for forming a voltage or current path may be supplied to the second connection switch (CST2). Accordingly, the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common channel (CCH) through the second input line (IL2).

도 9를 참조하면, 트래킹 기간(Ttrack) 동안 동안, 제3 연결 스위치(CST3)에는 턴-오프 신호가 공급될 수 있다. 도 11을 참조하면, 제3 연결 스위치(CST3)에는 전압 또는 전류를 차단하기 위한 제3 연결 제어 신호(CCS3)가 공급될 수 있다. 그에 따라 제3 입력 라인(IL3)으로는 전류가 흐르지 않고 전압이 공급되지 않을 수 있다. Referring to FIG. 9, a turn-off signal may be supplied to the third connection switch CST3 during the tracking period Ttrack. Referring to FIG. 11, a third connection control signal (CCS3) for blocking voltage or current may be supplied to the third connection switch (CST3). Accordingly, current may not flow and voltage may not be supplied to the third input line IL3.

도 11을 참조하면, 트래킹 기간(Ttrack)에서는, 공통 라인(CL)에 전압이 공급되지 않음에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅(Floating)될 수 있다. 공통 라인(CL)에 전압을 공급하지 않는 실시예는 다양할 수 있다. 예를 들어, 도 11을 참조하면, 제2 연결 스위치(CST2) 및 제3 연결 스위치(CST3)에 턴-오프 신호가 공급됨에 따라, 제2 연결 스위치(CST2) 및 제3 연결 스위치(CST3)가 개방 상태(open)가 되어 제2 노드(N2)가 플로팅(Floating)될 수 있다. 다른 예시로서, 디지털 아날로그 변환부(DAC)를 통해 전압 공급을 중단할 수도 있다. 또 다른 예시로서, 제1 연결 스위치(CST1)에 턴-오프 신호를 공급함에 따라, 디지털 아날로그 변환부(DAC)로부터 공급되는 전압은 제1 입력 라인(IL1)을 통해 공급되지 않을 수 있다. 즉, 제2 노드(N2)를 플로팅 상태(Floating)로 제어하기 위한 방법에는 제한이 없다. Referring to FIG. 11 , during the tracking period Ttrack, as voltage is not supplied to the common line CL, the second node N2 of the driving transistor DRT may be floating. Embodiments in which voltage is not supplied to the common line CL may vary. For example, referring to FIG. 11, as a turn-off signal is supplied to the second connection switch (CST2) and the third connection switch (CST3), the second connection switch (CST2) and the third connection switch (CST3) becomes open and the second node N2 may be floating. As another example, voltage supply may be stopped through a digital-to-analog converter (DAC). As another example, as the turn-off signal is supplied to the first connection switch (CST1), the voltage supplied from the digital-to-analog converter (DAC) may not be supplied through the first input line (IL1). That is, there is no limit to the method for controlling the second node N2 to a floating state.

제2 노드(N2)가 플로팅 상태(Floating)가 됨에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승하게 된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 계속 상승하는 것이 아니라, 상승하다가 그 상승 폭이 줄어들어 결국은 포화(Saturation) 된다. As the second node N2 becomes floating, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT increases. The voltage (V2) of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) does not continue to rise, but increases, and then the amount of increase decreases, eventually reaching saturation.

도 9을 참조하면, 센싱 기간(Tsen)은 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 기간일 수 있다. Referring to FIG. 9, the sensing period Tsen may be a period for sensing the characteristic value of the driving transistor DRT.

센싱 기간(Tsen) 동안, 아날로그 디지털 변환부(ADC: Analog-to-Digital Converter)는 공통 라인(CL)의 전압을 센싱할 수 있다. 여기서, 공통 라인(CL)의 전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)과 대응될 수 있고, 공통 라인(CL)에 형성된 라인 커패시터(Ccl)의 충전 전압과 대응될 수 있다. During the sensing period (Tsen), an analog-to-digital converter (ADC) may sense the voltage of the common line (CL). Here, the voltage of the common line CL may correspond to the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT, and may correspond to the charging voltage of the line capacitor Ccl formed in the common line CL. It can be.

도 9를 참조하면, 센싱 기간(Tsen) 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하기 위하여 제1 연결 스위치(CST1) 내지 제3 연결 스위치(CST3)는 다음과 같이 제어될 수 있다. Referring to FIG. 9 , in order to sense the characteristic value of the driving transistor DRT during the sensing period Tsen, the first to third connection switches CST1 to CST3 may be controlled as follows.

도 9를 참조하면, 센싱 기간(Tsen) 동안, 제1 연결 스위치(CST1)에는 턴-오프 신호가 공급될 수 있다. 도 12를 참조하면, 제1 연결 스위치(CST1)에는 전압 또는 전류를 차단하기 위한 제1 연결 제어 신호(CCS1)가 공급될 수 있다. 그에 따라 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)는 제1 입력 라인(IL1)을 통해 공통 구동 회로부(CDB)와 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. Referring to FIG. 9, a turn-off signal may be supplied to the first connection switch CST1 during the sensing period Tsen. Referring to FIG. 12, a first connection control signal (CCS1) for blocking voltage or current may be supplied to the first connection switch (CST1). Accordingly, the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) may not be electrically connected to the common driving circuit unit (CDB) through the first input line (IL1).

도 9를 참조하면, 센싱 기간(Tsen) 동안, 제2 연결 스위치(CST2)에는 턴-오프 신호가 공급될 수 있다. 도 12를 참조하면, 제2 연결 스위치(CST2)에는 전압 또는 전류 패스를 형성하기 위한 제2 연결 제어 신호(CCS2)가 공급될 수 있다. 그에 따라 제2 입력 라인(IL2)으로는 전류가 흐르지 않고 전압이 공급되지 않을 수 있다. Referring to FIG. 9 , a turn-off signal may be supplied to the second connection switch CST2 during the sensing period Tsen. Referring to FIG. 12, a second connection control signal (CCS2) for forming a voltage or current path may be supplied to the second connection switch (CST2). Accordingly, current may not flow and voltage may not be supplied to the second input line IL2.

도 9를 참조하면, 센싱 기간(Tsen) 동안, 제3 연결 스위치(CST3)에는 턴-온 신호가 공급될 수 있다. 도 12를 참조하면, 제3 연결 스위치(CST3)에는 전압 또는 전류 패스를 형성하기 위한 제3 연결 제어 신호(CCS3)가 공급될 수 있다. 그에 따라 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(+)는 제3 입력 라인(IL3)을 통해 공통 채널(CCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 9, a turn-on signal may be supplied to the third connection switch CST3 during the sensing period Tsen. Referring to FIG. 12, a third connection control signal (CCS3) for forming a voltage or current path may be supplied to the third connection switch (CST3). Accordingly, the inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common channel (CCH) through the third input line (IL3).

공통 채널(CCH)과 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(+)가 전기적으로 연결되기에, 공통 라인(CL)의 전압 또는 전류는 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(+)로 공급될 수 있다. 리셋 스위치(SRST)에는 리셋 신호(RST)가 인가될 수 있으며, 그에 따라 반전 단자(-)와 출력 단자(Vout_C)는 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 공통 연산 증폭 회로부(CAB)는 이득이 1인 유닛 게인 버퍼의 기능을 갖는 연산 증폭기 회로일 수 있다. 공통 연산 증폭 회로부(CAB)가 버퍼 회로 기능을 갖는 회로로 구성되기에, 비 반전 단자(+)로 공급된 전압은 반전 단자(-)로 공급될 수 있다. 반전 단자(-)로 공급된 전압은 출력 라인(OL)을 통해 공통 센싱 회로부(CSB)로 공급될 수 있다. Since the common channel (CCH) and the inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) are electrically connected, the voltage or current of the common line (CL) can be supplied to the inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C). . A reset signal (RST) may be applied to the reset switch (SRST), and accordingly, the inverting terminal (-) and the output terminal (Vout_C) may be electrically connected. That is, the common operational amplifier circuit (CAB) may be an operational amplifier circuit that functions as a unit gain buffer with a gain of 1. Since the common operational amplifier circuit (CAB) is composed of a circuit with a buffer circuit function, the voltage supplied to the non-inverting terminal (+) can be supplied to the inverting terminal (-). The voltage supplied to the inverting terminal (-) may be supplied to the common sensing circuit section (CSB) through the output line (OL).

즉, 센싱 기간(Tsen) 동안, 아날로그 디지털 변환부(ADC: Analog-to-Digital Converter)는 공통 라인(CL)의 전압을 센싱할 수 있다. That is, during the sensing period (Tsen), an analog-to-digital converter (ADC) may sense the voltage of the common line (CL).

트래킹 기간(Ttrack)은 제2 노드(N2)가 포화될 정도의 기간 동안 진행될 수 있다. 이 경우, 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 센싱 데이터 전압(Vsen)과 문턱전압(Vth)의 차이(Vsen-Vth) 또는 센싱 데이터 전압(Vsen)과 문턱전압 편차(ΔVth)의 차이(Vsen-ΔVth)에 해당할 수 있다. 제2 노드(N2)의 전압은 아날로그 디지털 변환부(ADC)에 의해 디지털 값인 센싱 전압으로 변환될 수 있다. 이후 컨트롤러(140)는 디지털 값으로 변환된 센싱 전압을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 특성치를 판단할 수 있다. The tracking period (Ttrack) may last long enough for the second node (N2) to be saturated. In this case, the voltage (V2) of the second node (N2) is the difference between the sensing data voltage (Vsen) and the threshold voltage (Vth) (Vsen-Vth) or the difference between the sensing data voltage (Vsen) and the threshold voltage deviation (ΔVth) It may correspond to (Vsen-ΔVth). The voltage of the second node N2 may be converted into a sensing voltage, which is a digital value, by an analog-to-digital converter (ADC). Thereafter, the controller 140 may determine the threshold voltage (Vth) characteristic value of the driving transistor (DRT) based on the sensing voltage converted to a digital value.

한편, 트래킹 기간(Ttrack)은 제2 노드(N2)가 포화되지 않을 정도로 짧은 기간 동안 진행될 수도 있다. 이 경우, 제2 노드(N2)의 전압(V2) 및 트래킹 기간(Ttrack)이 진행된 기간을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 특성치를 판단할 수 있다. 제2 노드(N2)의 전압은 아날로그 디지털 변환부(ADC)에 의해 디지털 값인 센싱 전압으로 변환될 수 있다. 이후 컨트롤러(140)는 디지털 값으로 변환된 센싱 전압을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도의 특성치를 판단할 수 있다. Meanwhile, the tracking period (Ttrack) may be short enough to prevent the second node (N2) from being saturated. In this case, the mobility characteristic value of the driving transistor DRT can be determined based on the voltage V2 of the second node N2 and the duration of the tracking period Ttrack. The voltage of the second node N2 may be converted into a sensing voltage, which is a digital value, by an analog-to-digital converter (ADC). Thereafter, the controller 140 may determine the mobility characteristic value of the driving transistor (DRT) based on the sensing voltage converted to a digital value.

도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 전류 기반 센싱 방법의 흐름도이다. 도 14는 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 전류 기반 센싱 방법에 대한 타이밍도이다. 도 15 내지 도 17은 본 개시의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 전류 기반 센싱 방법과 관련된 회로도이다. FIG. 13 is a flowchart of a current-based sensing method of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure. FIG. 14 is a timing diagram of a current-based sensing method of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure. 15 to 17 are circuit diagrams related to a current-based sensing method of the display device 100 according to embodiments of the present disclosure.

이하에서는 도 13을 참조하여 표시 장치(100)의 센싱 방법을 간략히 설명한 후, 도 14 내지 도 17을 참조하여 표시 장치(100)의 센싱 방법을 상세히 설명하도록 한다. Below, the sensing method of the display device 100 will be briefly described with reference to FIG. 13 and then the sensing method of the display device 100 will be described in detail with reference to FIGS. 14 to 17.

도 13을 참조하면, 표시 장치(100)의 센싱 방법은 전압 초기화 단계(S1310), 전압 트래킹 단계(S1320), 전압 센싱 단계(S1330)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13, the sensing method of the display device 100 may include a voltage initialization step (S1310), a voltage tracking step (S1320), and a voltage sensing step (S1330).

전압 초기화 단계(S1310)는 전류 기반 센싱 방법을 구동하기 위하여 전압이 제어되는 단계일 수 있다. 초기화 단계(S1310)에서, 기준 전압 라인(RVL)에 공급되는 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)에 공급되고, 공통 라인(CL)에 공급되는 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)이 구동 트랜지스터의 제2 노드(N2)에 공급되는 단계일 수 있다. 초기화 단계(S1310)에서, 피드백 커패시터(Cfb)의 양단은 전기적으로 연결되어, 피드백 커패시터(Cfb)가 초기화될 수 있다. The voltage initialization step (S1310) may be a step in which voltage is controlled to drive a current-based sensing method. In the initialization step (S1310), the reference voltage (Vref) supplied to the reference voltage line (RVL) is supplied to the first node (N1), which is the gate node of the driving transistor (DRT), and the sensing signal supplied to the common line (CL) This may be a stage in which the driving data voltage (Vref-Vsen) is supplied to the second node (N2) of the driving transistor. In the initialization step (S1310), both ends of the feedback capacitor Cfb are electrically connected, so that the feedback capacitor Cfb can be initialized.

전압 트래킹 단계(S1320)는 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 구동 전류(Id)가 흐름에 따라 출력 단자(Vout_C)의 전압이 변동되는 단계일 수 있다. 전압 트래킹 단계(S1320)에서 공통 연산 증폭 회로부(CAB)는 리셋 스위치(SRST)의 제어에 따라 전류 적분기(Current Integrator)의 기능을 수행하는 회로로 구성될 수 있다. 공통 연산 증폭 회로부(CAB)가 전류 적분기(Current Integrator)의 기능을 수행함에 따라, 공통 연산 증폭 회로부(CAB)에 구동 전류(Id)가 공급될 경우 출력 단자(Vout_C)의 전압은 전압 크기가 감소하여 전압 크기가 변동될 수 있다. The voltage tracking step (S1320) may be a step in which the voltage of the output terminal (Vout_C) changes as the driving current (Id) flows through the driving transistor (DRT). In the voltage tracking step (S1320), the common operational amplifier circuit (CAB) may be configured as a circuit that performs the function of a current integrator under the control of the reset switch (SRST). As the common operational amplifier circuit (CAB) performs the function of a current integrator, when the driving current (Id) is supplied to the common operational amplifier circuit (CAB), the voltage at the output terminal (Vout_C) decreases. Therefore, the voltage magnitude may change.

전압 센싱 단계(S1330)는 샘플링 스위치(SAM)에 턴-온 신호가 공급되어 출력 단자(Vout_C)의 전압이 센싱되는 단계일 수 있다. 출력 단자(Vout_C)의 전압은 전압 트래킹 단계(S1320) 동안 감소될 수 있으며, 출력 단자(Vout_C)의 전압은 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)에서 출력 단자 센싱 전압(Vo_sen)으로 감소될 수 있다. The voltage sensing step (S1330) may be a step in which a turn-on signal is supplied to the sampling switch (SAM) and the voltage of the output terminal (Vout_C) is sensed. The voltage of the output terminal (Vout_C) may be reduced during the voltage tracking step (S1320), and the voltage of the output terminal (Vout_C) may be reduced from the data voltage for sensing driving (Vref-Vsen) to the output terminal sensing voltage (Vo_sen). there is.

도 14를 참조하면, 센싱 구동 기간은 각각 전압 초기화 기간(Ti), 전압 트래킹 기간(Tt) 및 전압 센싱 기간(Ts)을 포함할 수 있다. 전압 초기화 기간(Ti)은 전압 초기화 단계(S1310)에 대응되며, 전압 트래킹 기간(Tt)은 전압 트래킹 단계(S1320)에 대응되고, 전압 센싱 기간(Ts)은 전압 센싱 단계(S1330)에 대응될 수 있다. Referring to FIG. 14, the sensing driving period may include a voltage initialization period (Ti), a voltage tracking period (Tt), and a voltage sensing period (Ts), respectively. The voltage initialization period (Ti) corresponds to the voltage initialization step (S1310), the voltage tracking period (Tt) corresponds to the voltage tracking step (S1320), and the voltage sensing period (Ts) corresponds to the voltage sensing step (S1330). You can.

도 14을 참조하면, 전압 초기화 기간(Ti)은 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)를 초기화하는 기간일 수 있다. 전압 초기화 기간(Ti) 동안, 스캔 트랜지스터(SCT) 및 센싱 트랜지스터(SENT)가 턴-온 될 수 있다. Referring to FIG. 14, the voltage initialization period Ti may be a period for initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. During the voltage initialization period (Ti), the scan transistor (SCT) and the sensing transistor (SENT) may be turned on.

전압 초기화 기간(Ti) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)의 전압(V1)은 기준 전압(Vref)으로 초기화될 수 있으며, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)으로 초기화될 수 있다. During the voltage initialization period Ti, the voltage V1 of the first node N1 of the driving transistor DRT may be initialized to the reference voltage Vref, and the voltage V1 of the second node N2 of the driving transistor DRT may be initialized to the reference voltage Vref. The voltage V2 may be initialized to the data voltage (Vref-Vsen) for sensing driving.

도 14를 참조하면, 전압 초기화 기간(Ti) 동안 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)을 공급하기 위하여 제1 연결 스위치(CST1) 내지 제3 연결 스위치(CST3)는 다음과 같이 제어될 수 있다. Referring to FIG. 14, in order to supply data voltages (Vref-Vsen) for sensing driving during the voltage initialization period (Ti), the first connection switch (CST1) to the third connection switch (CST3) may be controlled as follows. .

도 14를 참조하면, 전압 초기화 기간(Ti) 동안, 제1 연결 스위치(CST1)에는 턴-온 신호가 공급될 수 있다. 도 15를 참조하면, 제1 연결 스위치(CST1)에는 전압 또는 전류 패스를 형성하기 위한 제1 연결 제어 신호(CCS1)가 공급될 수 있다. 그에 따라 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)는 제1 입력 라인(IL1)을 통해 공통 구동 회로부(CDB)와 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 14, during the voltage initialization period Ti, a turn-on signal may be supplied to the first connection switch CST1. Referring to FIG. 15, a first connection control signal (CCS1) for forming a voltage or current path may be supplied to the first connection switch (CST1). Accordingly, the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common driving circuit unit (CDB) through the first input line (IL1).

도 14를 참조하면, 전압 초기화 기간(Ti) 동안, 제2 연결 스위치(CST2)에는 턴-온 신호가 공급될 수 있다. 도 15를 참조하면, 제2 연결 스위치(CST2)에는 전압 또는 전류 패스를 형성하기 위한 제2 연결 제어 신호(CCS2)가 공급될 수 있다. 그에 따라 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)는 제2 입력 라인(IL2)을 통해 공통 채널(CCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 14, during the voltage initialization period Ti, a turn-on signal may be supplied to the second connection switch CST2. Referring to FIG. 15, a second connection control signal (CCS2) for forming a voltage or current path may be supplied to the second connection switch (CST2). Accordingly, the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected to the common channel (CCH) through the second input line (IL2).

도 14를 참조하면, 전압 초기화 기간(Ti) 동안, 제3 연결 스위치(CST3)에는 턴-오프 신호가 공급될 수 있다. 도 15를 참조하면, 제3 연결 스위치(CST3)에는 전압 또는 전류를 차단하기 위한 제3 연결 제어 신호(CCS3)가 공급될 수 있다. 그에 따라 제3 입력 라인(IL3)으로는 전류가 흐르지 않고 전압이 공급되지 않을 수 있다. Referring to FIG. 14, during the voltage initialization period Ti, a turn-off signal may be supplied to the third connection switch CST3. Referring to FIG. 15, a third connection control signal (CCS3) for blocking voltage or current may be supplied to the third connection switch (CST3). Accordingly, current may not flow and voltage may not be supplied to the third input line IL3.

도 15를 참조하면, 기준 전압(Vref)은 기준 전압 채널(VCH)을 통해 기준 전압 라인(RVL)로 공급될 수 있다. 기준 전압(Vref)은 일정한 크기의 전압일 수 있다. Referring to FIG. 15, the reference voltage Vref may be supplied to the reference voltage line RVL through the reference voltage channel VCH. The reference voltage (Vref) may be a voltage of a certain magnitude.

스캔 트랜지스터(SCT)의 게이트 노드에는 스캔 트랜지스터(SCT)를 턴-온 상태로 스위칭하기 위한 스캔 신호(SCAN)가 공급될 수 있다. A scan signal (SCAN) for switching the scan transistor (SCT) to the turn-on state may be supplied to the gate node of the scan transistor (SCT).

즉, 스캔 트랜지스터(SCT)는 턴-온 상태로 스위칭 될 수 있기에, 기준 전압(Vref)은 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)로 공급될 수 있다. That is, since the scan transistor (SCT) can be switched to the turn-on state, the reference voltage (Vref) can be supplied to the first node (N1), which is the gate node of the driving transistor (DRT).

센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 공통 구동 회로부(CDB)로부터 출력되어 비 반전 단자(+)로 공급될 수 있다. 즉, 공통 구동 회로부(CDB)는 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)을 비 반전 단자(+)로 공급할 수 있다. The data voltage (Vref-Vsen) for sensing driving may be output from the common driving circuit (CDB) and supplied to the non-inverting terminal (+). That is, the common driving circuit unit (CDB) can supply the sensing driving data voltage (Vref-Vsen) to the non-inverting terminal (+).

한편, 도 14를 참조하면 전압 초기화 기간(Ti) 동안, 리셋 스위치(SRST)에는 턴-온 신호를 공급될 수 있다. 도 15를 참조하면, 전압 초기화 기간(Ti) 동안, 리셋 스위치(SRST)에는 리셋 신호(RST)가 인가될 수 있으며, 그에 따라 반전 단자(-)와 출력 단자(Vout_C)는 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 공통 연산 증폭 회로부(CAB)는 이득이 1인 유닛 게인 버퍼의 기능을 갖는 연산 증폭기 회로일 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 14, a turn-on signal may be supplied to the reset switch SRST during the voltage initialization period Ti. Referring to FIG. 15, during the voltage initialization period Ti, a reset signal RST may be applied to the reset switch SRST, and the inverting terminal (-) and the output terminal (Vout_C) may be electrically connected accordingly. . That is, the common operational amplifier circuit (CAB) may be an operational amplifier circuit that functions as a unit gain buffer with a gain of 1.

도 15를 참조하면, 공통 연산 증폭 회로부(CAB)가 버퍼 회로 기능을 갖는 회로로 구성되기에, 비 반전 단자(+)로 공급된 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 반전 단자(-)로 공급될 수 있다. 반전 단자(-)로 공급된 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 공통 채널(CCH)를 통해 공통 라인(CL)으로 공급될 수 있다. Referring to FIG. 15, since the common operational amplifier circuit (CAB) is composed of a circuit with a buffer circuit function, the sensing driving data voltage (Vref-Vsen) supplied to the non-inverting terminal (+) is connected to the inverting terminal (-). can be supplied. The sensing driving data voltage (Vref-Vsen) supplied to the inverting terminal (-) may be supplied to the common line (CL) through the common channel (CCH).

센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드에는 센싱 트랜지스터(SENT)를 턴-온 상태로 스위칭하기 위한 센싱 신호(SENSE)가 공급될 수 있다. A sensing signal (SENSE) for switching the sensing transistor (SENT) to the turn-on state may be supplied to the gate node of the sensing transistor (SENT).

즉, 센싱 트랜지스터(SENT)는 턴-온 상태로 스위칭 될 수 있기에, 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 공급될 수 있다. That is, since the sensing transistor (SENT) can be switched to the turn-on state, the sensing driving data voltage (Vref-Vsen) can be supplied to the second node (N2) of the driving transistor (DRT).

다시 말해 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)에 공급될 수 있으며, 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 제2 노드(N2)로 공급될 수 있다. 센싱 데이터 전압(Vsen)일 수 있다. In other words, the reference voltage (Vref) can be supplied to the first node (N1), which is the gate node of the driving transistor (DRT), and the data voltage (Vref-Vsen) for sensing driving can be supplied to the second node (N2). there is. It may be a sensing data voltage (Vsen).

도 15를 참조하면, 전압 초기화 기간(Ti) 동안, 리셋 스위치(SRST)에는 턴-온 신호인 리셋 신호(RST)가 인가될 수 있으며, 그에 따라 반전 단자(-)와 출력 단자(Vout_C)는 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 반전 단자(-)와 출력 단자(Vout_C)의 전압은 동일해질 수 있다. 피드백 커패시터(Cfb)는 반전 단자(-) 및 출력 단자(Vout_C) 사이에 전기적으로 연결어 있다. 반전 단자(-)와 출력 단자(Vout_C)가 전기적으로 연결됨에 따라, 피드백 커패시터(Cfb)의 양단의 전압 차이는 0이될 수 있다. 즉, 피드백 커패시터(Cfb)는 초기화될 수 있다. Referring to FIG. 15, during the voltage initialization period (Ti), a reset signal (RST), which is a turn-on signal, may be applied to the reset switch (SRST), and accordingly, the inverting terminal (-) and the output terminal (Vout_C) Can be electrically connected. That is, the voltage of the inverting terminal (-) and the output terminal (Vout_C) can be the same. The feedback capacitor (Cfb) is electrically connected between the inverting terminal (-) and the output terminal (Vout_C). As the inverting terminal (-) and the output terminal (Vout_C) are electrically connected, the voltage difference between both ends of the feedback capacitor (Cfb) can be 0. That is, the feedback capacitor Cfb can be initialized.

도 14를 참조하면, 전압 트래킹 기간(Tt)은 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 구동 전류(Id)가 흐름에 따라 출력 단자(Vout_C)의 전압이 변동되는 기간일 수 있다. Referring to FIG. 14, the voltage tracking period (Tt) may be a period in which the voltage of the output terminal (Vout_C) changes as the driving current (Id) flows through the driving transistor (DRT).

도 14를 참조하면, 제1 연결 스위치(CST1) 내지 제3 연결 스위치(CST3)의 제어 상태는 전압 초기화 기간(Ti)의 상태가 전압 트래킹 기간(Tt)까지 유지될 수 있다. Referring to FIG. 14, the control state of the first to third connection switches CST1 to CST3 may be maintained in the voltage initialization period Ti until the voltage tracking period Tt.

제1 연결 스위치(CST1) 내지 제3 연결 스위치(CST3)는 공통 연산 증폭 회로부(CAB)가 전류 적분기(Current Integrator)로 구성되도록 제어될 수 있다. 제1 연결 스위치(CST1)에는 턴-온 신호가 공급됨에 따라 디지털 아날로그 변환부(DAC)는 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 연결 스위치(CST2)에는 턴-온 신호가 공급됨에 따라 공통 라인(CL)과 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)는 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 연결 스위치(CST2)에는 턴-오프 신호가 공급됨에 따라, 공통 라인(CL)과 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)는 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. The first connection switch (CST1) to the third connection switch (CST3) may be controlled so that the common operational amplifier circuit (CAB) is configured as a current integrator. As the turn-on signal is supplied to the first connection switch (CST1), the digital-to-analog converter (DAC) may be electrically connected to the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C). As the turn-on signal is supplied to the second connection switch (CST2), the common line (CL) and the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C) may be electrically connected. As the turn-off signal is supplied to the second connection switch CST2, the common line CL and the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier AMP_C may not be electrically connected.

도 16을 참조하면, 전압 트래킹 기간(Tt) 동안, 리셋 스위치(SRST)에는 턴-오프 신호인 리셋 신호(RST)가 인가될 수 있으며, 그에 따라 반전 단자(-)와 출력 단자(Vout_C)는 전기적으로 연결되지 않은 상태가 될 수 있다. 이때, 공통 연산 증폭 회로부(CAB)는 전류 적분기(Current Integrator)의 기능을 수행하는 회로로 될 수 있다. Referring to FIG. 16, during the voltage tracking period (Tt), a reset signal (RST), which is a turn-off signal, may be applied to the reset switch (SRST), and accordingly, the inverting terminal (-) and the output terminal (Vout_C) It may be electrically disconnected. At this time, the common operational amplifier circuit (CAB) may be a circuit that performs the function of a current integrator.

구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 구동 전류(Id)는 공통 라인(CL)을 통해 공통 연산 증폭 회로부(CAB)로 공급될 수 있다. 구동 전류(Id)는 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)로 공급될 수 있다. 공통 연산 증폭 회로부(CAB)는 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)를 통해 전류를 공급받을 수 있으며, 전류가 공급됨에 따라 출력 노드(Vout_C)의 전압은 소정의 전압에서 시간이 흐를수록 전압이 감소되어 변동될 수 있다. The driving current (Id) flowing through the driving transistor (DRT) may be supplied to the common operational amplifier circuit (CAB) through the common line (CL). The driving current (Id) may be supplied to the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C). The common operational amplifier circuit (CAB) can receive current through the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C), and as current is supplied, the voltage at the output node (Vout_C) changes from a predetermined voltage to a voltage that increases over time. This may decrease and change.

도 14를 참조하면, 전압 트래킹 기간(Tt) 동안, 출력 단자(Vout_C)의 전압은 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)에서 출력 단자 센싱 전압(Vo_sen)으로 감소될 수 있다. 출력 단자 센싱 전압(Vo_sen)의 크기는 구동 트랜지스터(DRT)의 소자 특성에 따라 변동될 수 있다. Referring to FIG. 14, during the voltage tracking period (Tt), the voltage of the output terminal (Vout_C) may be reduced from the sensing driving data voltage (Vref-Vsen) to the output terminal sensing voltage (Vo_sen). The size of the output terminal sensing voltage (Vo_sen) may vary depending on the device characteristics of the driving transistor (DRT).

도 14를 참조하면, 전압 센싱 기간(Ts)은 출력 단자(Vout_C)의 전압이 센싱되는 기간일 수 있다. Referring to FIG. 14, the voltage sensing period (Ts) may be a period in which the voltage of the output terminal (Vout_C) is sensed.

전압 센싱 기간(Ts) 동안, 아날로그 디지털 변환부(ADC: Analog-to-Digital Converter)는 공통 라인(CL)의 전압을 센싱할 수 있다. 여기서, 공통 라인(CL)의 전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)과 대응될 수 있고, 공통 라인(CL)에 형성된 라인 커패시터(Ccl)의 충전 전압과 대응될 수 있다. During the voltage sensing period (Ts), an analog-to-digital converter (ADC) may sense the voltage of the common line (CL). Here, the voltage of the common line CL may correspond to the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT, and may correspond to the charging voltage of the line capacitor Ccl formed in the common line CL. It can be.

전압 센싱 기간(Ts) 동안, 샘플링 스위치(SAM)에 턴-온 신호가 공급될 수 있다. 샘플링 스위치(SAM)에 턴-온 신호가 공급됨에 따라, 출력 단자(Vout_C)의 전압은 아날로그 디지털 변환부(ADC)로 공급될 수 있다. 샘플링 스위치(SAM)에 턴-온 신호가 공급되어 출력 단자(Vout_C)의 전압은 아날로그 디지털 변환부(ADC)로 공급되는 것을 “전압 센싱”이라 부를 수 있다. During the voltage sensing period (Ts), a turn-on signal may be supplied to the sampling switch (SAM). As the turn-on signal is supplied to the sampling switch (SAM), the voltage of the output terminal (Vout_C) can be supplied to the analog-to-digital converter (ADC). When a turn-on signal is supplied to the sampling switch (SAM) and the voltage at the output terminal (Vout_C) is supplied to the analog-to-digital converter (ADC), it can be called “voltage sensing.”

출력 단자(Vout_C)의 전압은 아날로그 디지털 변환부(ADC)에 의해 디지털 값인 센싱 전압으로 변환될 수 있다. 이후 컨트롤러(140)는 디지털 값으로 변환된 센싱 전압을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 판단할 수 있다. The voltage of the output terminal (Vout_C) can be converted into a sensing voltage, which is a digital value, by an analog-to-digital converter (ADC). Thereafter, the controller 140 may determine the characteristic value of the driving transistor (DRT) based on the sensing voltage converted to a digital value.

도 13 내지 도 17을 통해 전술한 전류 기반 센싱 방법의 원리를 설명하도록 한다. The principle of the above-described current-based sensing method will be explained through FIGS. 13 to 17.

전압 초기화 기간(Ti) 동안, 다수의 서브 픽셀(SP)은 모두 동일한 전압으로 초기화 된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)의 전압(V1)은 기준 전압(Vref)으로 초기화될 수 있으며, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)으로 초기화될 수 있다. During the voltage initialization period Ti, the multiple subpixels SP are all initialized to the same voltage. The voltage V1 of the first node N1 of the driving transistor DRT may be initialized to the reference voltage Vref, and the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT may be used for sensing driving. It can be initialized with the data voltage (Vref-Vsen).

만약 모든 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치가 동일하다면, 구동 트랜지스터(DRT)를 통해서는 동일한 구동 전류(Id)가 흐르게 된다. 그러나, 다수의 서브 픽셀(SP) 각각에 포함되는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치는 소자의 제조 공정 오차, 소자의 구동 시간 등에 따라 달라질 수 있다. 그렇기에 다수의 서브 픽셀(SP)이 동일한 전압으로 초기화되었더라도, 소자의 특성에 따라서 구동 전류(Id)의 크기가 다르다. 즉, 소정의 시간 동안 흐르는 구동 전류(Id)가 다를 것이기에, 전압 트래킹 기간(Tt) 동안 변동되는 출력 단자(Vout_C)의 전압 정도는 다르게 된다. If the characteristic values of all driving transistors (DRT) are the same, the same driving current (Id) flows through the driving transistors (DRT). However, the characteristic values of the driving transistor (DRT) included in each of the plurality of subpixels (SP) may vary depending on device manufacturing process errors, device driving time, etc. Therefore, even if multiple subpixels (SP) are initialized to the same voltage, the size of the driving current (Id) is different depending on the characteristics of the device. That is, since the driving current (Id) flowing for a predetermined time will be different, the voltage level of the output terminal (Vout_C) that changes during the voltage tracking period (Tt) will be different.

소정의 시간 대비 변동되는 출력 단자(Vout_C)의 전압 정도를 토대로 하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 판단할 수 있다. 이를 전류 기반 센싱 방법이라 할 수 있다. The characteristic value of the driving transistor (DRT) can be determined based on the voltage level of the output terminal (Vout_C) that changes compared to a predetermined time. This can be called a current-based sensing method.

이상에서 설명한 본 개시의 실시예들에 의하면, 컴팩트한 회로 구조를 갖는 데이터 구동 회로, 표시 장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments of the present disclosure described above, a data driving circuit, a display device, an image driving method, and a sensing method having a compact circuit structure can be provided.

본 개시의 실시예들에 의하면, 회로 구조를 컴팩트하게 구성함에 따라 저전력이 가능한 표시 장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present disclosure, a display device capable of low power consumption by configuring a circuit structure compactly, an image driving method thereof, and a sensing method can be provided.

이상에서 설명한 본 개시의 실시예들을 간략하게 설명하면 아래와 같다. The embodiments of the present disclosure described above are briefly described as follows.

본 개시의 실시예들에 의하면, 다수의 서브 픽셀(SP)이 배치되는 표시 패널(110); 및 상기 다수의 서브 픽셀(SP)로 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로(120)를 포함하며, 상기 데이터 구동 회로(120)는, 연산 증폭기(AMP_C)를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호(RST)에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부(CAB); 상기 공통 연산 증폭 회로부(CAB)에 포함되는 상기 연산 증폭기(AMP_C)의 출력 단자(Vout_C)와 출력 라인(OL)을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부(CSB); 및 상기 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)와 제1 입력 라인(IL1)을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부(CDB)를 포함하는 표시 장치(100)를 제공할 수 있다. According to embodiments of the present disclosure, a display panel 110 on which a plurality of subpixels SP is disposed; and a data driving circuit 120 that supplies a data voltage to the plurality of subpixels (SP), wherein the function of the operational amplifier circuit including an operational amplifier (AMP_C) is to signal a reset signal. Common operational amplifier circuitry (CAB) changed by (RST); a common sensing circuit unit (CSB) electrically connected to the output terminal (Vout_C) of the operational amplifier (AMP_C) included in the common operational amplifier circuit unit (CAB) through an output line (OL) and for sensing a voltage; and a display device 100 electrically connected to the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) through a first input line (IL1) and including a common driving circuit (CDB) for supplying a voltage. can do.

상기 공통 연산 증폭 회로부(CAB)는, 상기 제1 입력 라인(IL1)과 전기적으로 연결되는 반전 단자(-), 상기 제1 입력 라인(IL1)과 다른 제2 입력 라인(IL2)과 전기적으로 연결되는 상기 비 반전 단자(+) 및 상기 출력 라인(OL)과 전기적으로 연결되는 상기 출력 단자(Vout_C)를 포함하는 연산 증폭기(AMP_C); 상기 제2 입력 라인(IL2)과 상기 출력 라인(OL) 사이에 전기적으로 연결된 피드백 커패시터(Cfb); 및 상기 제2 입력 라인(IL2)과 상기 출력 라인(OL) 사이에 전기적으로 연결된 리셋 스위치(SRST)를 포함할 수 있다. The common operational amplifier circuit unit (CAB) has an inverting terminal (-) electrically connected to the first input line (IL1) and a second input line (IL2) that is different from the first input line (IL1). an operational amplifier (AMP_C) including the non-inverting terminal (+) and the output terminal (Vout_C) electrically connected to the output line (OL); a feedback capacitor (Cfb) electrically connected between the second input line (IL2) and the output line (OL); and a reset switch (SRST) electrically connected between the second input line (IL2) and the output line (OL).

상기 리셋 스위치(SRST)는 상기 리셋 신호(RST)에 의해 제어될 수 있다. The reset switch (SRST) may be controlled by the reset signal (RST).

상기 공통 구동 회로부(CDB)는, 래치 펄스를 래치부(Latch)에 포함되는 복수의 래치들에 순차적으로 출력하는 시프트 레지스터부(SR); 상기 래치 펄스에 응답하여 입력 데이터를 순차적으로 저장하는 상기 래치부(Latch); 및 상기 래치부(Latch)로부터 출력된 상기 입력 데이터를 아날로그 형태의 전압으로 변환하는 디지털 아날로그 변환부(DAC)를 포함할 수 있다. The common driving circuit unit (CDB) includes a shift register unit (SR) that sequentially outputs latch pulses to a plurality of latches included in the latch unit (Latch); The latch unit sequentially stores input data in response to the latch pulse; And it may include a digital-to-analog converter (DAC) that converts the input data output from the latch into an analog voltage.

상기 공통 센싱 회로부(CSB)는, 상기 공통 연산 증폭 회로부(CAB)로부터 출력된 센싱 전압을 샘플링 및 홀드하는 샘플 앤 홀드 회로(S/H); 상기 샘플링된 센싱 전압인 샘플링 값을 아날로그 디지털 변환부(ADC)의 동작 범위 내로 크기를 조절하는 스케일러(Scalar); 및 상기 스케일러(Scalar)로부터 크기가 조절된 샘플링 값을 디지털 형식으로 변환하는 상기 아날로그 디지털 변환부(ADC)를 포함할 수 있다. The common sensing circuit unit (CSB) includes a sample and hold circuit (S/H) that samples and holds the sensing voltage output from the common operational amplifier circuit unit (CAB); A scaler that adjusts the size of the sampling value, which is the sampled sensing voltage, within the operating range of an analog-to-digital converter (ADC); And it may include the analog-to-digital converter (ADC) that converts the size-adjusted sampling value from the scaler into a digital format.

상기 데이터 구동 회로(120)는, 상기 제1 입력 라인(IL1)과 다른 제2 입력 라인(IL2)과 전기적으로 연결되는 공통 채널(CCH); 및 상기 공통 채널(CCH)과 다른 채널이며, 기준 전압(Vref)이 출력되는 기준 전압 채널(VCH)을 포함할 수 있다. The data driving circuit 120 includes a common channel (CCH) electrically connected to a second input line (IL2) different from the first input line (IL1); and a reference voltage channel (VCH), which is a different channel from the common channel (CCH) and outputs a reference voltage (Vref).

상기 표시 패널(110)은, 다수의 공통 라인(CL); 다수의 기준 전압 라인(RVL); 및 상기 다수의 공통 라인(CL) 및 상기 다수의 기준 전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결되는 상기 다수의 서브 픽셀(SP)을 포함하며, 상기 다수의 서브 픽셀(SP)은 제1 공통 라인(CL) 및 제1 기준 전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결되는 제1 서브 픽셀(SP)을 포함하며, 제1 공통 라인(CL)은 상기 공통 채널(CCH)과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 기준 전압 라인(RVL)은 상기 기준 전압 채널(VCH)과 전기적으로 연결될 수 있다. The display panel 110 includes a plurality of common lines CL; Multiple reference voltage lines (RVL); and a plurality of sub-pixels (SP) electrically connected to the plurality of common lines (CL) and the plurality of reference voltage lines (RVL), wherein the plurality of sub-pixels (SP) are connected to a first common line ( CL) and a first subpixel (SP) electrically connected to a first reference voltage line (RVL), the first common line (CL) is electrically connected to the common channel (CCH), and the first The reference voltage line (RVL) may be electrically connected to the reference voltage channel (VCH).

상기 다수의 서브 픽셀(SP) 각각은, 발광 소자를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT); 상기 기준 전압 라인(RVL)과 상기 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결된 스캔 트랜지스터(SCT); 상기 공통 라인(CL)과 상기 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 센싱 트랜지스터(SENT); 및 상기 제1 노드(N1)와 상기 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. Each of the plurality of subpixels (SP) includes a driving transistor (DRT) for driving a light emitting device; a scan transistor (SCT) electrically connected between the reference voltage line (RVL) and a first node (N1), which is a gate node of the driving transistor (DRT); a sensing transistor (SENT) electrically connected between the common line (CL) and a second node (N2) of the driving transistor (DRT); and a storage capacitor (Cst) electrically connected between the first node (N1) and the second node (N2).

본 개시의 실시예들에 의하면, 기준 전압 라인(RVL)에 공급되는 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)에 공급되고, 공통 라인(CL)에 공급되는 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)이 상기 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 공급되는 제1 단계(S610); 상기 제1 노드(N1) 및 상기 제2 노드(N2)가 플로팅 되는 제2 단계(S620); 및 상기 구동 트랜지스터(DRT)에 의해 구동되는 발광 소자가 발광되는 제3 단계(S630)를 포함하며, 상기 기준 전압(Vref) 및 상기 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)을 공급하는 데이터 구동 회로(120)는, 연산 증폭기(AMP_C)를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호(RST)에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부(CAB); 상기 공통 연산 증폭 회로부(CAB)에 포함되는 상기 연산 증폭기(AMP_C)의 출력 단자(Vout_C)와 출력 라인(OL)을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부(CSB); 및 상기 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)와 제1 입력 라인(IL1)을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부(CDB)를 포함하며, 상기 제1 단계(S610)에서, 상기 공통 구동 회로부(CDB)는 상기 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)을 상기 비 반전 단자(+)로 공급하며, 상기 영상 구동용 데이터 전압(Vref-Vdata)은 상기 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)와 전기적으로 연결된 제2 입력 라인(IL2)을 통해 상기 공통 라인(CL)으로 공급되는 표시 장치(100)의 영상 구동 방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present disclosure, the reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL is supplied to the first node N1, which is the gate node of the driving transistor DRT, and is supplied to the common line CL. A first step (S610) in which the image driving data voltage (Vref-Vdata) is supplied to the second node (N2) of the driving transistor (DRT); A second step (S620) in which the first node (N1) and the second node (N2) are floated; and a third step (S630) in which the light emitting element driven by the driving transistor (DRT) emits light, and a data driving circuit that supplies the reference voltage (Vref) and the image driving data voltage (Vref-Vdata). 120 is a common operational amplifier circuit section (CAB) in which the function of the operational amplifier circuit including the operational amplifier (AMP_C) is changed by the reset signal (RST); a common sensing circuit unit (CSB) electrically connected to the output terminal (Vout_C) of the operational amplifier (AMP_C) included in the common operational amplifier circuit unit (CAB) through an output line (OL) and for sensing a voltage; and a common driving circuit unit (CDB) electrically connected to the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) through a first input line (IL1) and for supplying a voltage, wherein the first step (S610) ), the common driving circuit unit (CDB) supplies the image driving data voltage (Vref-Vdata) to the non-inverting terminal (+), and the image driving data voltage (Vref-Vdata) is supplied to the operational amplifier ( A method of driving an image of the display device 100 supplied to the common line CL through the second input line IL2 electrically connected to the inverting terminal (-) of AMP_C) can be provided.

본 개시의 실시예들에 의하면, 기준 전압 라인(RVL)에 공급되는 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)에 공급되고, 공통 라인(CL)에 공급되는 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)이 상기 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 공급되는 초기화 단계(S810); 상기 제2 노드(N2)가 플로팅 되어, 상기 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승되는 트래킹 단계(S820); 및 아날로그 디지털 컨버터와 상기 공통 라인(CL)이 전기적으로 연결되고, 상기 아날로그 디지털 컨버터가 상기 공통 라인(CL)의 전압을 센싱하는 센싱 단계(S830)를 포함하며, 상기 기준 전압(Vref) 및 상기 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)을 공급하는 데이터 구동 회로(120)는, 연산 증폭기(AMP_C)를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호(RST)에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부(CAB); 상기 공통 연산 증폭 회로부(CAB)에 포함되는 상기 연산 증폭기(AMP_C)의 출력 단자(Vout_C)와 출력 라인(OL)을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부(CSB); 및 상기 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)와 제1 입력 라인(IL1)을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부(CDB)를 포함하며, 상기 초기화 단계(S810)에서, 상기 공통 구동 회로부(CDB)는 상기 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)을 상기 비 반전 단자(+)로 공급하고, 상기 센싱 구동용 데이터 전압(Vref-Vsen)은 상기 공통 연산 증폭 회로부(CAB)에 포함되는 상기 연산 증폭기(AMP_C)의 반전 단자(-)와 전기적으로 연결된 제2 입력 라인(IL2)을 통해 상기 공통 라인(CL)으로 공급되며, 상기 센싱 단계(S830)에서, 상기 공통 센싱 회로부(CSB)는 상기 공통 라인(CL)의 전압을 센싱하는 표시 장치(100)의 센싱 방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present disclosure, the reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL is supplied to the first node N1, which is the gate node of the driving transistor DRT, and is supplied to the common line CL. An initialization step (S810) in which the sensing driving data voltage (Vref-Vsen) is supplied to the second node (N2) of the driving transistor (DRT); A tracking step (S820) in which the second node (N2) is floating and the voltage (V2) of the second node (N2) is increased; And a sensing step (S830) in which an analog-to-digital converter and the common line (CL) are electrically connected, and the analog-to-digital converter senses the voltage of the common line (CL), wherein the reference voltage (Vref) and the The data driving circuit 120 that supplies the data voltage (Vref-Vsen) for sensing driving is a common operational amplifier circuit (CAB) in which the function of the operational amplifier circuit including the operational amplifier (AMP_C) is changed by the reset signal (RST). ); a common sensing circuit unit (CSB) electrically connected to the output terminal (Vout_C) of the operational amplifier (AMP_C) included in the common operational amplifier circuit unit (CAB) through an output line (OL) and for sensing a voltage; and a common driving circuit unit (CDB) electrically connected to the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) through a first input line (IL1) and for supplying a voltage, and in the initialization step (S810) In, the common driving circuit unit (CDB) supplies the sensing driving data voltage (Vref-Vsen) to the non-inverting terminal (+), and the sensing driving data voltage (Vref-Vsen) is supplied to the common operational amplifier circuit unit. It is supplied to the common line (CL) through a second input line (IL2) electrically connected to the inverting terminal (-) of the operational amplifier (AMP_C) included in (CAB), and in the sensing step (S830), the The common sensing circuit unit (CSB) can provide a sensing method for the display device 100 to sense the voltage of the common line (CL).

본 개시의 실시예들에 의하면, 연산 증폭기(AMP_C)를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호(RST)에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부(CAB); 상기 공통 연산 증폭 회로부(CAB)에 포함되는 상기 연산 증폭기(AMP_C)의 출력 단자(Vout_C)와 출력 라인(OL)을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부(CSB); 및 상기 공통 연산 증폭 회로부(CAB)에 포함되는 상기 연산 증폭기(AMP_C)의 비 반전 단자(+)와 제1 입력 라인(IL1)을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부(CDB)를 포함하는 데이터 구동 회로(120)를 제공할 수 있다. According to embodiments of the present disclosure, a common operational amplifier circuit unit (CAB) in which the function of an operational amplifier circuit including an operational amplifier (AMP_C) is changed by a reset signal (RST); a common sensing circuit unit (CSB) electrically connected to the output terminal (Vout_C) of the operational amplifier (AMP_C) included in the common operational amplifier circuit unit (CAB) through an output line (OL) and for sensing a voltage; and a common driving circuit (CDB) electrically connected to the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier (AMP_C) included in the common operational amplifier circuit (CAB) through the first input line (IL1), and for supplying a voltage. ) can be provided.

상기 공통 연산 증폭 회로부(CAB)는, 상기 제1 입력 라인(IL1)과 전기적으로 연결되는 반전 단자(-), 상기 제1 입력 라인(IL1)과 다른 제2 입력 라인(IL2)과 전기적으로 연결되는 상기 비 반전 단자(+) 및 상기 출력 라인(OL)과 전기적으로 연결되는 상기 출력 단자(Vout_C)를 포함하는 연산 증폭기(AMP_C); 상기 제2 입력 라인(IL2)과 상기 출력 라인(OL) 사이에 전기적으로 연결된 피드백 커패시터(Cfb); 및 상기 제2 입력 라인(IL2)과 상기 출력 라인(OL) 사이에 전기적으로 연결된 리셋 스위치(SRST)를 포함할 수 있다. The common operational amplifier circuit unit (CAB) has an inverting terminal (-) electrically connected to the first input line (IL1) and a second input line (IL2) that is different from the first input line (IL1). an operational amplifier (AMP_C) including the non-inverting terminal (+) and the output terminal (Vout_C) electrically connected to the output line (OL); a feedback capacitor (Cfb) electrically connected between the second input line (IL2) and the output line (OL); and a reset switch (SRST) electrically connected between the second input line (IL2) and the output line (OL).

데이터 구동 회로(120)는 상기 제2 입력 라인(IL2)과 전기적으로 연결되는 공통 채널(CCH); 상기 공통 채널(CCH)과 다른 채널이며, 기준 전압(Vref)이 출력되는 기준 전압 채널(VCH) 포함할 수 있다. The data driving circuit 120 includes a common channel (CCH) electrically connected to the second input line (IL2); It is a different channel from the common channel (CCH) and may include a reference voltage channel (VCH) through which a reference voltage (Vref) is output.

본 개시의 실시예들에 의하면, 기준 전압 라인에 공급되는 기준 전압이 구동 트랜지스터의 게이트 노드인 제1 노드에 공급되고, 공통 라인에 공급되는 센싱 구동용 데이터 전압이 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드에 공급되는 전압 초기화 단계, 상기 공통 라인을 통해 전류를 공급받는 연산 증폭기의 출력 단자의 전압이 변동되는 전압 트래킹 단계, 및 아날로그 디지털 변환부와 상기 공통 라인이 전기적으로 연결되고, 상기 아날로그 디지털 변환부가 상기 공통 라인의 전압을 센싱하는 전압 센싱 단계를 포함하며, 상기 기준 전압 및 상기 센싱 구동용 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로는, 상기 연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부, 상기 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 상기 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부, 및 상기 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하며, 상기 전압 초기화 단계에서, 상기 공통 구동 회로부는 상기 센싱 구동용 데이터 전압을 상기 비 반전 단자로 공급하고, 상기 센싱 구동용 데이터 전압은 상기 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 상기 연산 증폭기의 반전 단자와 전기적으로 연결된 제2 입력 라인을 통해 상기 공통 라인으로 공급되며, 상기 전압 센싱 단계에서, 상기 공통 센싱 회로부는 상기 공통 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치의 센싱 방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present disclosure, the reference voltage supplied to the reference voltage line is supplied to the first node, which is the gate node of the driving transistor, and the sensing driving data voltage supplied to the common line is supplied to the second node of the driving transistor. A supply voltage initialization step, a voltage tracking step in which the voltage of the output terminal of the operational amplifier that receives current through the common line changes, and an analog-to-digital converter and the common line are electrically connected, and the analog-to-digital converter is electrically connected to the common line. A data driving circuit comprising a voltage sensing step of sensing the voltage of a common line, and supplying the reference voltage and the data voltage for the sensing drive, wherein the function of the operational amplifier circuit including the operational amplifier is changed by a reset signal. A common operational amplifier circuit unit, electrically connected to the output terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit unit through an output line, a common sensing circuit unit for sensing a voltage, and a non-inverting terminal and a first input of the operational amplifier It is electrically connected through a line and includes a common driving circuit for supplying a voltage, and in the voltage initialization step, the common driving circuit supplies the data voltage for the sensing drive to the non-inverting terminal, and The data voltage is supplied to the common line through a second input line electrically connected to the inverting terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit unit, and in the voltage sensing step, the common sensing circuit unit determines the voltage of the common line. A sensing method of a display device that senses can be provided.

이상의 설명은 본 개시의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 개시의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 개시에 개시된 실시예들은 본 개시의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 개시의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.The above description is merely an illustrative explanation of the technical idea of the present disclosure, and those skilled in the art will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present disclosure. In addition, the embodiments disclosed in this disclosure are not intended to limit the technical idea of the present disclosure, but rather to explain them, and therefore the scope of the technical idea of the present disclosure is not limited by these embodiments.

100: 표시 장치
110: 표시 패널
120: 데이터 구동 회로
130: 게이트 구동 회로
140: 컨트롤러
100: display device
110: display panel
120: data driving circuit
130: Gate driving circuit
140: controller

Claims (14)

다수의 서브 픽셀이 배치되는 표시 패널; 및
상기 다수의 서브 픽셀로 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로를 포함하며,
상기 데이터 구동 회로는,
연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부;
상기 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 상기 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부; 및
상기 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하는 표시 장치.
A display panel on which a plurality of subpixels are arranged; and
It includes a data driving circuit that supplies data voltage to the plurality of subpixels,
The data driving circuit is,
a common operational amplifier circuit unit in which the function of an operational amplifier circuit including an operational amplifier is changed by a reset signal;
a common sensing circuit unit electrically connected to an output terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit unit through an output line, and configured to sense a voltage; and
A display device electrically connected to a non-inverting terminal of the operational amplifier through a first input line and including a common driving circuit for supplying a voltage.
제1항에 있어서,
상기 공통 연산 증폭 회로부는,
상기 제1 입력 라인과 전기적으로 연결되는 반전 단자, 상기 제1 입력 라인과 다른 제2 입력 라인과 전기적으로 연결되는 상기 비 반전 단자 및 상기 출력 라인과 전기적으로 연결되는 상기 출력 단자를 포함하는 연산 증폭기;
상기 제2 입력 라인과 상기 출력 라인 사이에 전기적으로 연결된 피드백 커패시터; 및
상기 제2 입력 라인과 상기 출력 라인 사이에 전기적으로 연결된 리셋 스위치를 포함하는 표시 장치.
According to paragraph 1,
The common operational amplifier circuit unit,
An operational amplifier including an inverting terminal electrically connected to the first input line, the non-inverting terminal electrically connected to a second input line different from the first input line, and the output terminal electrically connected to the output line. ;
a feedback capacitor electrically connected between the second input line and the output line; and
A display device including a reset switch electrically connected between the second input line and the output line.
제2항에 있어서,
상기 리셋 스위치는 상기 리셋 신호에 의해 제어되는 표시 장치.
According to paragraph 2,
A display device wherein the reset switch is controlled by the reset signal.
제1항에 있어서,
상기 공통 구동 회로부는,
래치 펄스를 래치부에 포함되는 복수의 래치들에 순차적으로 출력하는 시프트 레지스터부;
상기 래치 펄스에 응답하여 입력 데이터를 순차적으로 저장하는 상기 래치부; 및
상기 래치부로부터 출력된 상기 입력 데이터를 아날로그 형태의 전압으로 변환하는 디지털 아날로그 변환부를 포함하는 표시 장치.
According to paragraph 1,
The common driving circuit unit,
a shift register unit sequentially outputting latch pulses to a plurality of latches included in the latch unit;
the latch unit sequentially storing input data in response to the latch pulse; and
A display device comprising a digital-to-analog converter that converts the input data output from the latch unit into an analog voltage.
제1항에 있어서,
상기 공통 센싱 회로부는,
상기 공통 연산 증폭 회로부로부터 출력된 센싱 전압을 샘플링 및 홀드하는 샘플 앤 홀드;
상기 샘플링된 센싱 전압인 샘플링 값을 아날로그 디지털 변환부의 동작 범위 내로 크기를 조절하는 스케일러; 및
상기 스케일러로부터 크기가 조절된 샘플링 값을 디지털 형식으로 변환하는 상기 아날로그 디지털 변환부를 포함하는 표시 장치.
According to paragraph 1,
The common sensing circuit unit,
Sample and hold for sampling and holding the sensing voltage output from the common operational amplifier circuit unit;
A scaler that adjusts the size of the sampling value, which is the sampled sensing voltage, within the operating range of the analog-to-digital converter; and
A display device comprising the analog-to-digital converter that converts the size-adjusted sampling value from the scaler into a digital format.
제1항에 있어서,
상기 데이터 구동 회로는,
상기 제1 입력 라인과 다른 제2 입력 라인과 전기적으로 연결되는 공통 채널; 및
상기 공통 채널과 다른 채널이며, 기준 전압이 출력되는 기준 전압 채널을 포함하는 표시 장치.
According to paragraph 1,
The data driving circuit is,
a common channel electrically connected to the first input line and another second input line; and
A display device including a reference voltage channel that is different from the common channel and outputs a reference voltage.
제6항에 있어서,
상기 표시 패널은,
다수의 공통 라인;
다수의 기준 전압 라인; 및
상기 다수의 공통 라인 및 상기 다수의 기준 전압 라인과 전기적으로 연결되는 상기 다수의 서브 픽셀을 포함하며,
상기 다수의 서브 픽셀은 제1 공통 라인 및 제1 기준 전압 라인과 전기적으로 연결되는 제1 서브 픽셀을 포함하며,
제1 공통 라인은 상기 공통 채널과 전기적으로 연결되며,
상기 제1 기준 전압 라인은 상기 기준 전압 채널과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
According to clause 6,
The display panel is,
Multiple common lines;
Multiple reference voltage lines; and
It includes the plurality of subpixels electrically connected to the plurality of common lines and the plurality of reference voltage lines,
The plurality of subpixels include a first subpixel electrically connected to a first common line and a first reference voltage line,
A first common line is electrically connected to the common channel,
The first reference voltage line is electrically connected to the reference voltage channel.
제7항에 있어서,
상기 다수의 서브 픽셀 각각은,
발광 소자를 구동하기 위한 구동 트랜지스터;
상기 기준 전압 라인과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 노드인 제1 노드 사이에 전기적으로 연결된 스캔 트랜지스터;
상기 공통 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 센싱 트랜지스터; 및
상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 커패시터를 포함하는 표시 장치.
In clause 7,
Each of the plurality of subpixels,
A driving transistor for driving a light emitting device;
a scan transistor electrically connected between the reference voltage line and a first node that is the gate node of the driving transistor;
a sensing transistor electrically connected between the common line and a second node of the driving transistor; and
A display device including a storage capacitor electrically connected between the first node and the second node.
기준 전압 라인에 공급되는 기준 전압이 구동 트랜지스터의 게이트 노드인 제1 노드에 공급되고, 공통 라인에 공급되는 영상 구동용 데이터 전압이 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드에 공급되는 제1 단계;
상기 제1 노드 및 상기 제2 노드가 플로팅 되는 제2 단계; 및
상기 구동 트랜지스터에 의해 구동되는 발광 소자가 발광되는 제3 단계를 포함하며,
상기 기준 전압 및 상기 영상 구동용 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로는,
연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부;
상기 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 상기 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부; 및
상기 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하며,
상기 제1 단계에서,
상기 공통 구동 회로부는 상기 영상 구동용 데이터 전압을 상기 비 반전 단자로 공급하며, 상기 영상 구동용 데이터 전압은 상기 연산 증폭기의 반전 단자와 전기적으로 연결된 제2 입력 라인을 통해 상기 공통 라인으로 공급되는 표시 장치의 영상 구동 방법.
A first step in which the reference voltage supplied to the reference voltage line is supplied to the first node, which is the gate node of the driving transistor, and the image driving data voltage supplied to the common line is supplied to the second node of the driving transistor;
A second step in which the first node and the second node are floated; and
A third step in which the light emitting element driven by the driving transistor emits light,
The data driving circuit that supplies the reference voltage and the image driving data voltage,
A common operational amplifier circuit unit in which the function of an operational amplifier circuit including an operational amplifier is changed by a reset signal;
a common sensing circuit unit electrically connected to an output terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit unit through an output line, and configured to sense a voltage; and
It is electrically connected to the non-inverting terminal of the operational amplifier through a first input line and includes a common driving circuit for supplying a voltage,
In the first step,
The common driving circuit unit supplies the image driving data voltage to the non-inverting terminal, and the image driving data voltage is supplied to the common line through a second input line electrically connected to the inverting terminal of the operational amplifier. How to drive video on a device.
기준 전압 라인에 공급되는 기준 전압이 구동 트랜지스터의 게이트 노드인 제1 노드에 공급되고, 공통 라인에 공급되는 센싱 구동용 데이터 전압이 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드에 공급되는 초기화 단계;
상기 제2 노드가 플로팅 되어, 상기 제2 노드의 전압이 상승되는 트래킹 단계; 및
아날로그 디지털 변환부와 상기 공통 라인이 전기적으로 연결되고, 상기 아날로그 디지털 변환부가 상기 공통 라인의 전압을 센싱하는 센싱 단계를 포함하며,
상기 기준 전압 및 상기 센싱 구동용 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로는,
연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부;
상기 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 상기 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부; 및
상기 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하며,
상기 초기화 단계에서,
상기 공통 구동 회로부는 상기 센싱 구동용 데이터 전압을 상기 비 반전 단자로 공급하고, 상기 센싱 구동용 데이터 전압은 상기 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 상기 연산 증폭기의 반전 단자와 전기적으로 연결된 제2 입력 라인을 통해 상기 공통 라인으로 공급되며,
상기 센싱 단계에서,
상기 공통 센싱 회로부는 상기 공통 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치의 센싱 방법.
An initialization step in which the reference voltage supplied to the reference voltage line is supplied to the first node, which is the gate node of the driving transistor, and the sensing driving data voltage supplied to the common line is supplied to the second node of the driving transistor;
A tracking step in which the second node floats and the voltage of the second node increases; and
An analog-to-digital converter and the common line are electrically connected, and a sensing step in which the analog-to-digital converter senses the voltage of the common line,
The data driving circuit that supplies the reference voltage and the data voltage for sensing driving,
a common operational amplifier circuit unit in which the function of an operational amplifier circuit including an operational amplifier is changed by a reset signal;
a common sensing circuit unit electrically connected to an output terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit unit through an output line, and configured to sense a voltage; and
It is electrically connected to the non-inverting terminal of the operational amplifier through a first input line and includes a common driving circuit for supplying a voltage,
In the initialization step,
The common driving circuit unit supplies the sensing driving data voltage to the non-inverting terminal, and the sensing driving data voltage is supplied through a second input line electrically connected to the inverting terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit part. It is supplied to the common line through,
In the sensing step,
A sensing method for a display device in which the common sensing circuit unit senses the voltage of the common line.
연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부;
상기 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 상기 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부; 및
상기 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 상기 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하는 데이터 구동 회로.
a common operational amplifier circuit unit in which the function of an operational amplifier circuit including an operational amplifier is changed by a reset signal;
a common sensing circuit unit electrically connected to an output terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit unit through an output line, and configured to sense a voltage; and
A data driving circuit electrically connected to a non-inverting terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit unit through a first input line, and including a common driving circuit unit for supplying a voltage.
제11항에 있어서,
상기 공통 연산 증폭 회로부는,
상기 제1 입력 라인과 전기적으로 연결되는 반전 단자, 상기 제1 입력 라인과 다른 제2 입력 라인과 전기적으로 연결되는 상기 비 반전 단자 및 상기 출력 라인과 전기적으로 연결되는 상기 출력 단자를 포함하는 연산 증폭기;
상기 제2 입력 라인과 상기 출력 라인 사이에 전기적으로 연결된 피드백 커패시터; 및
상기 제2 입력 라인과 상기 출력 라인 사이에 전기적으로 연결된 리셋 스위치를 포함하는 데이터 구동 회로.
According to clause 11,
The common operational amplifier circuit unit,
An operational amplifier including an inverting terminal electrically connected to the first input line, the non-inverting terminal electrically connected to a second input line different from the first input line, and the output terminal electrically connected to the output line. ;
a feedback capacitor electrically connected between the second input line and the output line; and
A data driving circuit including a reset switch electrically connected between the second input line and the output line.
제12항에 있어서,
상기 제2 입력 라인과 전기적으로 연결되는 공통 채널;
상기 공통 채널과 다른 채널이며, 기준 전압이 출력되는 기준 전압 채널을 포함하는 데이터 구동 회로.
According to clause 12,
a common channel electrically connected to the second input line;
A data driving circuit that is different from the common channel and includes a reference voltage channel through which a reference voltage is output.
기준 전압 라인에 공급되는 기준 전압이 구동 트랜지스터의 게이트 노드인 제1 노드에 공급되고, 공통 라인에 공급되는 센싱 구동용 데이터 전압이 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드에 공급되는 전압 초기화 단계;
상기 공통 라인을 통해 전류를 공급받는 연산 증폭기의 출력 단자의 전압이 변동되는 전압 트래킹 단계; 및
아날로그 디지털 변환부와 상기 공통 라인이 전기적으로 연결되고, 상기 아날로그 디지털 변환부가 상기 공통 라인의 전압을 센싱하는 전압 센싱 단계를 포함하며,
상기 기준 전압 및 상기 센싱 구동용 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로는,
상기 연산 증폭기를 포함하는 연산 증폭기 회로의 기능이 리셋 신호에 의해 변경되는 공통 연산 증폭 회로부;
상기 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 상기 연산 증폭기의 출력 단자와 출력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 센싱하기 위한 공통 센싱 회로부; 및
상기 연산 증폭기의 비 반전 단자와 제1 입력 라인을 통해 전기적으로 연결되며, 전압을 공급하기 위한 공통 구동 회로부를 포함하며,
상기 전압 초기화 단계에서,
상기 공통 구동 회로부는 상기 센싱 구동용 데이터 전압을 상기 비 반전 단자로 공급하고, 상기 센싱 구동용 데이터 전압은 상기 공통 연산 증폭 회로부에 포함되는 상기 연산 증폭기의 반전 단자와 전기적으로 연결된 제2 입력 라인을 통해 상기 공통 라인으로 공급되며,
상기 전압 센싱 단계에서,
상기 공통 센싱 회로부는 상기 공통 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치의 센싱 방법.
A voltage initialization step in which the reference voltage supplied to the reference voltage line is supplied to a first node, which is the gate node of the driving transistor, and the sensing driving data voltage supplied to the common line is supplied to the second node of the driving transistor;
A voltage tracking step in which the voltage of the output terminal of the operational amplifier that receives current through the common line changes; and
An analog-to-digital converter and the common line are electrically connected, and the analog-to-digital converter includes a voltage sensing step of sensing the voltage of the common line,
The data driving circuit that supplies the reference voltage and the data voltage for sensing driving,
a common operational amplifier circuit unit in which the function of the operational amplifier circuit including the operational amplifier is changed by a reset signal;
a common sensing circuit unit electrically connected to an output terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit unit through an output line, and configured to sense a voltage; and
It is electrically connected to the non-inverting terminal of the operational amplifier through a first input line and includes a common driving circuit for supplying a voltage,
In the voltage initialization step,
The common driving circuit unit supplies the sensing driving data voltage to the non-inverting terminal, and the sensing driving data voltage is supplied through a second input line electrically connected to the inverting terminal of the operational amplifier included in the common operational amplifier circuit part. It is supplied to the common line through,
In the voltage sensing step,
A sensing method for a display device in which the common sensing circuit unit senses the voltage of the common line.
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