KR20240099550A - 표시장치 - Google Patents
표시장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20240099550A KR20240099550A KR1020220180971A KR20220180971A KR20240099550A KR 20240099550 A KR20240099550 A KR 20240099550A KR 1020220180971 A KR1020220180971 A KR 1020220180971A KR 20220180971 A KR20220180971 A KR 20220180971A KR 20240099550 A KR20240099550 A KR 20240099550A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- connector
- electrode
- layer
- light
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 448
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 25
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 20
- 101100168695 Coffea arabica CS3 gene Proteins 0.000 description 16
- 101100329510 Coffea canephora MTL2 gene Proteins 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- 101000641959 Homo sapiens Villin-1 Proteins 0.000 description 12
- 102100033419 Villin-1 Human genes 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 101100028920 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) cfp gene Proteins 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 101150057198 ESL1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101150022494 GLG1 gene Proteins 0.000 description 6
- 102100034223 Golgi apparatus protein 1 Human genes 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 101000874179 Homo sapiens Syndecan-1 Proteins 0.000 description 5
- 101000692109 Homo sapiens Syndecan-2 Proteins 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 102100035721 Syndecan-1 Human genes 0.000 description 5
- 102100026087 Syndecan-2 Human genes 0.000 description 5
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 101100175448 Arabidopsis thaliana GIL1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100351264 Candida albicans (strain SC5314 / ATCC MYA-2876) PDC11 gene Proteins 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 102100023303 Germ cell-less protein-like 1 Human genes 0.000 description 4
- 101000830085 Homo sapiens Germ cell-less protein-like 1 Proteins 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100336288 Mus musculus Nr3c1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101150050255 PDC1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101150110652 PDC2 gene Proteins 0.000 description 4
- 101150040763 PDC3 gene Proteins 0.000 description 4
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100100081 Oryza sativa subsp. japonica TPP3 gene Proteins 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 108010039203 Tripeptidyl-Peptidase 1 Proteins 0.000 description 2
- 102100034197 Tripeptidyl-peptidase 1 Human genes 0.000 description 2
- 102100040411 Tripeptidyl-peptidase 2 Human genes 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 108010039189 tripeptidyl-peptidase 2 Proteins 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 206010039740 Screaming Diseases 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
Abstract
본 발명의 표시장치는, 제1 개구 영역 및 제2 개구 영역을 포함하는 분할 구조물, 각각이 제1 전극 및 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자, 및 상기 분할 구조물 상에 배치되는 감지 전극을 포함하고, 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극은 각각 상기 제1 개구 영역 및 상기 제2 개구 영역 내에 배치되고, 상기 감지 전극은 상기 분할 구조물에 중첩하는 메쉬 라인을 포함하고, 상기 메쉬 라인의 폭은 상기 분할 구조물의 폭보다 작거나 같다.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 상세하게는 센싱 감도가 향상된 표시장치에 관한 것이다.
일반적으로 사용자에게 영상을 제공하는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비젼 등의 전자기기는 영상을 표시하기 위한 표시장치를 포함한다. 표시장치는 영상을 생성하고, 생성된 영상을 표시 화면을 통해 사용자에게 제공한다.
표시장치는 영상을 생성하는 표시층 및 외부 입력을 감지하기 위한 감지층을 포함한다. 표시층은 영상을 생성하기 위한 복수 개의 화소들을 포함하고, 감지층은 외부 입력을 감지하기 위한 복수 개의 감지 전극들을 포함한다.
감지 전극들과 표시층 사이에 노이즈가 발생되는 경우, 감지 전극들에 제공된 구동 신호들은 왜곡되어 감지층의 센싱 감도에 영향을 미칠 수 있다. 이에 따라, 감지 전극들과 표시층 사이의 노이즈 저감 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 일 목적은, 잔상 불량이 개선되고 수명이 향상된 표시층을 제공함에 있어서, 센싱 감도가 향상된 감지층을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 표시장치는, 제1 개구 영역 및 제2 개구 영역을 포함하는 분할 구조물; 각각이 제1 전극 및 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자; 및 상기 분할 구조물 상에 배치되는 감지 전극을 포함하고, 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극은 각각 상기 제1 개구 영역 및 상기 제2 개구 영역 내에 배치되고, 상기 감지 전극은 상기 분할 구조물에 중첩하는 메쉬 라인을 포함하고, 상기 메쉬 라인의 폭은 상기 분할 구조물의 폭보다 작거나 같다.
상기 감지 전극은, 제1 방향으로 연장된 제1 감지 전극; 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며 상기 제1 감지 전극과 절연 교차되는 제2 감지 전극을 포함하고, 상기 제1 감지 전극의 상기 메쉬 라인은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 연장된 제1 메쉬 라인으로 정의되고, 상기 제2 감지 전극의 상기 메쉬 라인은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 연장된 제2 메쉬 라인으로 정의되는 것을 특징으로 할 수 있다.
평면 상에서, 상기 제1 메쉬 라인은 상기 분할 구조물의 일부 영역의 형상과 동일하고, 상기 제2 메쉬 라인은 상기 분할 구조물의 다른 일부 영역의 형상과 동일한 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극과 각각 전기적으로 연결되는 트랜지스터들을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 트랜지스터들 중 상기 제1 발광 소자와 전기적으로 연결된 트랜지스터와 접속되는 제1 구동 접속부 및 상기 제1 구동 접속부와 평면 상에서 이격되며 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극과 접속되는 제1 발광 접속부를 포함하는 제1 연결 배선; 및 상기 트랜지스터들 중 상기 제2 발광 소자와 전기적으로 연결된 트랜지스터와 접속되는 제2 구동 접속부 및 상기 제2 구동 접속부와 평면 상에서 이격되며 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극과 접속되는 제2 발광 접속부를 포함하는 제2 연결 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 발광 소자는 제1 색 광을 방출하는 제1 발광부를 정의하고, 상기 제1 발광 접속부는 상기 제1 발광부와 평면 상에서 이격되고, 상기 제1 발광부 및 상기 제1 발광 접속부는 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인 중 적어도 하나에 의해 적어도 일부가 에워 쌓이는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 제1 발광 접속부 및 상기 제2 발광 접속부와 인접한 부분에서 절곡된 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 제1 발광 접속부 및 상기 제2 발광 접속부 중 어느 하나를 사이에 두고 서로 마주하는 부분을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 제1 발광 접속부 및 상기 제2 발광 접속부 사이에서 서로 이격되어 마주하는 부분을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 감지 전극은 상기 제1 방향으로 배열된 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 감지 패턴들 사이에 배치되는 제1 중간 패턴을 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 제2 방향으로 배열된 제2 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 사이에 배치되는 제2 중간 패턴을 포함하며, 상기 제1 감지 패턴들, 상기 제1 중간 패턴, 및 상기 제2 감지 패턴들은 서로 동일 층 상에 배치되고, 상기 제2 중간 패턴은 상기 제2 감지 패턴들과 다른 층 상에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 중간 패턴 각각이 상기 제1 메쉬 라인으로 구성되고, 상기 제2 감지 패턴들 각각이 상기 제2 메쉬 라인으로 구성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 감지 패턴들 각각의 외곽을 구성하는 상기 제1 메쉬 라인의 외곽 부분은 상기 제1 발광 접속부의 일부 또는 상기 제2 발광 접속부의 일부를 에워싸는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 분할 구조물 상에 배치되며 순차적으로 적층된 제1 절연층, 제2 절연층, 및 제3 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 감지 패턴들, 상기 제1 중간 패턴, 및 상기 제2 감지 패턴들은 상기 제2 절연층 상에 배치되며 상기 제3 절연층에 의해 커버되고, 상기 제2 중간 패턴은 상기 제1 절연층 상에 배치되며 상기 제2 절연층에 의해 커버되고, 상기 제2 감지 패턴들과 상기 제2 중간 패턴은 상기 제2 절연층이 관통된 컨택홀을 통해 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
제1-1 연결 배선, 제1-2 연결 배선, 및 제2-1 연결 배선을 더 포함하고, 상기 제1 발광 소자는 상기 제2 발광 소자를 사이에 두고 상기 제2 방향으로 이격 배치된 제1-1 발광 소자 및 제1-2 발광 소자를 포함하며, 상기 제1-1 연결 배선은 상기 제1-1 발광 소자와 접속되는 제1-1 발광 접속부를 포함하고, 상기 제1-2 연결 배선은 상기 제1-2 발광 소자와 접속되는 제1-2 발광 접속부를 포함하고, 상기 제2-1 연결 배선은 상기 제2 발광 소자와 접속되는 제2-1 발광 접속부를 포함하고, 상기 제1-1 발광 접속부 및 상기 제1-2 발광 접속부는 상기 제2-1 발광 접속부를 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1-1 발광 소자는 제1 색 광을 제공하는 제1-1 발광부를 정의하고, 상기 제1-2 발광 소자는 상기 제1 색 광을 제공하는 제1-2 발광부를 정의하며, 상기 제2 발광 소자는 상기 제1 색 광과 다른 색을 갖는 제2 색 광을 제공하는 제2-1 발광부를 정의하며, 상기 제1-1 발광부 및 상기 제1-2 발광부는 상기 제2-1 발광부를 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격되고, 상기 제1-1 발광 접속부는 상기 제1-1 발광부로부터 상기 제2 방향으로 이격되고, 상기 제1-2 발광 접속부는 상기 제1-2 발광부로부터 상기 제2 방향의 반대 방향으로 이격된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 메쉬 라인의 일부는 상기 제1-1 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이에 배치되고, 상기 제2 메쉬 라인의 일부는 상기 제1-2 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 메쉬 라인의 일부 및 상기 제2 메쉬 라인의 일부는 상기 제1-1 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이에서 서로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 감지 전극은 상기 제1 방향으로 배열된 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 감지 패턴들 사이에 배치된 제1 중간 패턴을 포함하고, 상기 제1 중간 패턴은 상기 제1 방향으로 연장된 제1 중간 라인 및 상기 제1 방향으로 연장되며 상기 제1 중간 라인과 상기 제2 방향에서 마주하는 제2 중간 라인을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 중간 라인은 상기 제1-1 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이를 가로지르고, 상기 제2 중간 라인은 상기 제1-2 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이를 가로지르는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 감지 전극은 상기 제2 방향으로 배열된 제2 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 사이에 배치되는 제2 중간 패턴을 포함하고, 상기 제2 중간 패턴은 상기 제2 방향으로 연장되며 상기 제1 중간 라인 및 상기 제2 중간 라인과 절연 교차되는 브릿지 라인을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1-2 발광 소자와 상기 제1 방향에서 이격된 제3-1 발광 소자; 상기 제2 발광 소자와 상기 제1 방향에서 이격된 제4 발광 소자; 상기 제1-1 발광 소자와 상기 제1 방향에서 이격되며 상기 제4 발광 소자를 사이에 두고 상기 제3-1 발광 소자와 상기 제2 방향에서 이격된 제3-2 발광 소자; 상기 제3-1 발광 소자와 접속되는 제3-1 발광 접속부를 포함하는 제3-1 연결 배선; 상기 제4 발광 소자와 접속되는 제2-2 발광 접속부를 포함하는 제2-2 연결 배선; 및 상기 제3-2 발광 소자와 접속되는 제3-2 발광 접속부를 포함하는 제3-2 연결 배선을 더 포함하고, 상기 제3-2, 제2-2, 및 제3-1 발광 접속부들은 각각 상기 제1-1, 제2-1, 및 제1-2 발광 접속부들과 상기 제1 방향에서 이격되며, 상기 제3-1 발광 접속부는 상기 제2-2 발광 접속부를 사이에 두고 상기 제3-2 발광 접속부와 상기 제2 방향에서 이격되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1-1 및 제1-2 발광 소자들은 제1 색 광을 제공하는 제1-1 및 제1-2 발광부들을 각각 정의하고, 상기 제2 및 제4 발광 소자는 상기 제1 색 광과 다른 색을 갖는 제2 색 광을 제공하는 제2-1 및 제2-2 발광부들을 각각 정의하며, 상기 제3-1 및 제3-2 발광 소자들은 상기 제1 색 광 및 상기 제2 색 광과 다른 색을 갖는 제3 색 광을 제공하는 제3-1 및 제3-2 발광부들을 각각 정의하고, 상기 제1-1 발광부 및 상기 제1-2 발광부는 상기 제2-1 발광부를 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격되며, 상기 제3-1 발광부 및 상기 제3-2 발광부는 상기 제2-2 발광부를 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격되고, 상기 제1-1, 제2-1, 및 제1-2 발광부들은 각각 상기 제3-2, 제2-2, 및 제3-1 발광부들과 상기 제1 방향에서 각각 이격되고, 상기 제1-1 및 제3-2 발광 접속부들은 각각 상기 제1-1 및 제3-2 발광부들로부터 상기 제2 방향으로 이격되고, 상기 제1-2 및 제3-1 발광 접속부들은 각각 상기 제1-2 및 제3-2 발광부들로부터 상기 제2 방향의 반대 방향으로 이격되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 메쉬 라인의 일부는 상기 제1-1 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이와 상기 제3-2 발광 접속부 및 상기 제2-2 발광 접속부 사이를 가로지르며, 상기 제2 메쉬 라인의 일부는 상기 제1-2 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이 또는 상기 제3-1 발광 접속부 및 상기 제2-2 발광 접속부 사이를 가로지르는 것을 특징으로 할 수 있다.
평면 상에서 바라볼 때, 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극 사이에서, 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인 각각은 일 방향으로 연장되고, 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 일 방향에서 서로 마주하는 것을 특징으로 할 수 있다.
평면 상에서 바라볼 때, 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극을 사이에 두고 이격되어 마주하는 것을 특징으로 할 수 있다.
평면 상에서 바라볼 때, 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극 사이에서, 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인 각각은 일 방향으로 연장되고, 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 일 방향과 교차하는 방향에서 서로 마주하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 분할 구조물은 상기 제1 메쉬 라인과 중첩하는 제1 분할 구조물 및 상기 제2 메쉬 라인과 중첩하며 상기 제1 분할 구조물과 이격된 제2 분할 구조물을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 분할 구조물 상에 배치되고, 상기 제2 전극과 동일 물질을 포함하며, 전원 라인과 전기적으로 연결된 더미 도전 패턴을 더 포함하고, 상기 분할 구조물의 외측면의 적어도 일부는 상기 분할 구조물의 내측면보다 작은 내각을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 분할 구조물의 상기 외측면의 적어도 일부는 95도 이하의 내각을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 및 상기 분할 구조물을 커버하는 봉지층을 더 포함하고, 상기 감지 전극은 상기 봉지층 상에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 표시장치는, 트랜지스터들; 상기 트랜지스터들 상에 배치된 발광 소자들; 상기 트랜지스터들 및 상기 발광 소자들을 각각 연결하는 연결 배선들; 제1 방향으로 연장되는 제1 감지 전극; 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며 상기 제1 감지 전극과 절연 교차하는 제2 감지 전극을 포함하며, 상기 연결 배선들 각각은, 상기 트랜지스터들 중 대응되는 트랜지스터와 접속되는 구동 접속부; 및 상기 구동 접속부와 평면 상에서 이격되며, 상기 발광 소자들 중 대응되는 발광 소자와 접속되는 발광 접속부를 포함하고, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 상기 연결 배선들의 상기 발광 접속부들 중 서로 인접한 발광 접속부들 사이에서 서로 이격된다.
본 발명에 따르면, 잔상 불량이 개선되고 수명이 향상된 표시층을 제공함과 동시에, 센싱 감도가 향상된 감지층을 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 감지 전극들은 트랜지스터에 연결된 발광 소자의 전극과 중첩되지 않도록 배치하거나 발광 소자의 전극과 중첩되는 부분이 최소화될 수 있도록 배치함에 따라, 발광 소자의 전극에 인가되는 가변 전압의 영향을 최소화할 수 있다.
본 발명에 따른 표시층은 발광 소자의 전극과 트랜지스터를 연결하는 연결 배선을 포함하며, 연결 배선은 트랜지스터와 접속되는 구동 접속부 및 발광 소자의 전극과 접속되며 구동 접속부와 평면 상에서 이격된 발광 접속부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 서로 교차 배열되는 제1 감지 전극들 및 제2 감지 전극들의 경계 영역은 발광 접속부에 인접하도록 배치됨에 따라, 발광 접속부에서의 전기장 변화의 영향을 최소화할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, 표시층과의 노이즈가 저감된 감지 전극들을 포함함에 따라, 센싱 감도가 향상된 감지층이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 블럭도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도들이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도들이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도들이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4a의 I-I'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지층의 평면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성들의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도이다.
도 8a 및 도 8b는 도 7의 II-II'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도이다.
도 10은 도 9의 III-III'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도이다.
도 12는 도 11의 IV-IV'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 평면도이다.
도 14a 및 도 14b는 도 13의 V-V'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도들이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도들이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도들이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도들이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4a의 I-I'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지층의 평면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성들의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도이다.
도 8a 및 도 8b는 도 7의 II-II'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도이다.
도 10은 도 9의 III-III'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도이다.
도 12는 도 11의 IV-IV'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 평면도이다.
도 14a 및 도 14b는 도 13의 V-V'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수 개의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "상에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 블럭도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치(DD)는 표시 패널(DP), 패널 구동부(SDC, EDC, DDC), 전원 공급부(PWS), 및 타이밍 제어부(TC)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 표시 패널(DP)은 발광형 표시 패널로 설명된다. 발광형 표시 패널은 유기 발광 표시 패널, 무기 발광 표시 패널 또는 퀀텀닷 발광 표시 패널을 포함할 수 있다. 후술하는 실시예에서는 유기 발광 표시 패널을 예로 들어 상세히 설명한다. 패널 구동부는 스캔 구동부(SDC), 발광 구동부(EDC) 및 데이터 구동부(DDC)를 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 스캔 라인들(GWL1~GWLn, GCL1~GCLn, GIL1~GILn, GBL1~GBLn, GRL1~GRLn), 발광 라인들(ESL1~ESLn), 및 데이터 라인들(DL1~DLm)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 스캔 라인들(GWL1~GWLn, GCL1~GCLn, GIL1~GILn, GBL1~GBLn, GRL1~GRLn), 발광 라인들(ESL1~ESLn), 및 데이터 라인들(DL1~DLm)에 연결되는 복수의 화소들을 포함할 수 있다. (단, m, n은 1보다 큰 정수)
예를 들어, 제i 수평 라인(또는, 제i 화소행) 및 제j 수직 라인(또는, 제j 화소열)에 위치하는 화소(PXij, 단, i, j는 1보다 큰 정수)는 i번째 제1 스캔 라인(또는 기입 스캔 라인, GWLi), i번째 제2 스캔 라인(또는 보상 스캔 라인, GCLi), i번째 제3 스캔 라인(또는 제1 초기화 스캔 라인, GILi), i번째 제4 스캔 라인(또는 제2 초기화 스캔 라인, GBLi), i번째 제5 스캔 라인(또는 리셋 스캔 라인, GRLi), j번째 데이터 라인(DLj), 및 i번째 발광 라인(ESLi)에 연결될 수 있다.
화소(PXij)는 복수의 발광 소자, 복수의 트랜지스터 및 복수의 커패시터를 포함할 수 있다. 화소(PXij)는 전원 공급부(PWS)를 통해 제1 전원 전압(VDD), 제2 전원 전압(VSS), 제3 전원 전압(또는 기준 전압, VREF), 제4 전원 전압(또는 제1 초기화 전압, VINT1), 제5 전원 전압(또는 제2 초기화 전압, VINT2), 및 제6 전원 전압(또는 보상 전압, VCOMP)을 공급받을 수 있다.
제1 전원 전압(VDD) 및 제2 전원 전압(VSS)은 발광 소자에 전류가 흘러 발광이 될 수 있도록 그 전압 값이 설정된다. 예를 들어, 제1 전원 전압(VDD)은 제2 전원 전압(VSS)보다 높은 전압으로 설정될 수 있다.
제3 전원 전압(VREF)은 화소(PXij)에 포함된 구동 트랜지스터의 게이트를 초기화하기 위한 전압일 수 있다. 제3 전원 전압(VREF)은 데이터 신호와의 전압차를 이용하여 소정의 계조를 구현하는데 이용될 수 있다. 이를 위하여, 제3 전원 전압(VREF)은 데이터 신호의 전압 범위 내의 소정 전압으로 설정될 수 있다.
제4 전원 전압(VINT1)은 화소(PXij)에 포함된 커패시터를 초기화하기 위한 전압일 수 있다. 제4 전원 전압(VINT1)은 제3 전원 전압(VREF)보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 제4 전원 전압(VINT1)은 제3 전원 전압(VREF)과 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 차이보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다.
제5 전원 전압(VINT2)은 화소(PXij)에 포함된 발광 소자의 캐소드를 초기화하기 위한 전압일 수 있다. 제5 전원 전압(VINT2)은 제1 전원 전압(VDD)이나 제4 전원 전압(VINT1)보다 낮은 전압으로 설정되거나 제3 전원 전압(VREF)과 유사 또는 동일한 전압으로 설정될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 제5 전원 전압(VINT2)은 제1 전원 전압(VDD)과 유사 또는 동일한 전압으로 설정될 수도 있다.
제6 전원 전압(VCOMP)은 구동 트랜지스터의 문턱 전압 보상 시 구동 트랜지스터로 소정의 전류를 공급할 수 있다.
한편, 도 1에서는 전원 공급부(PWS)에서 제1 내지 제6 전원 전압들(VDD, VSS, VREF, VINT1, VINT2, VCOMP)이 모두 공급되는 것으로 도시되었지만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1 전원 전압(VDD), 및 제2 전원 전압(VSS)은 화소(PXij)의 구조와 무관하게 모두 공급되며, 제3 전원 전압(VREF), 제4 전원 전압(VINT1), 제5 전원 전압(VINT2), 및 제6 전원 전압(VCOMP)들 중 적어도 하나의 전압은 화소(PXij)의 구조에 대응하여 공급되지 않을 수도 있다.
본 발명의 실시예에서 화소(PXij)에 연결되는 신호선들은 화소(PXij)의 회로 구조에 대응하여 다양하게 설정될 수 있다.
스캔 구동부(SDC)는 타이밍 제어부(TC)로부터 제1 제어 신호(SCS)를 수신하고, 제1 제어 신호(SCS)에 기초하여 제1 스캔 라인들(GWL1~GWLn), 제2 스캔 라인들(GCL1~GCLn), 제3 스캔 라인들(GIL1~GILn), 제4 스캔 라인들(GBL1~GBLn), 및 제5 스캔 라인들(GRL1~GRLn) 각각으로 스캔 신호를 공급할 수 있다.
스캔 신호는 스캔 신호를 공급받는 트랜지스터들이 턴-온될 수 있는 전압으로 설정될 수 있다. 예를 들어, P-타입 트랜지스터에 공급되는 스캔 신호는 논리 로우 레벨로 설정될 수 있고, N-타입 트랜지스터에 공급되는 스캔 신호는 논리 하이 레벨로 설정될 수 있다. 이하, "스캔 신호가 공급된다"의 의미는, 스캔 신호가 이에 의해 제어되는 트랜지스터를 턴-온 시키는 논리 레벨로 공급되는 것으로 이해될 수 있다.
도 1에서는 설명의 편의를 위해, 스캔 구동부(SDC)가 단일 구성인 것으로 도시 되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 따라 제1 스캔 라인들(GWL1~GWLn), 제2 스캔 라인들(GCL1~GCLn), 제3 스캔 라인들(GIL1~GILn), 제4 스캔 라인들(GBL1~GBLn), 및 제5 스캔 라인들(GRL1~GRLn) 각각으로 스캔 신호를 공급하기 위하여 복수의 스캔 구동부들이 포함될 수 있다.
발광 구동부(EDC)는 제2 제어 신호(ECS)에 기초하여 발광 라인들(ESL1~ESLn)로 발광 신호를 공급할 수 있다. 예를 들어, 발광 신호는 발광 라인들(ESL1~ESLn)로 순차적으로 공급될 수 있다.
본 발명의 발광 라인들(ESL1~ESLn)에 연결된 트랜지스터들은 N-타입 트랜지스터로 구성될 수 있다. 이때, 발광 라인들(ESL1~ESLn)로 공급되는 발광 신호는 게이트 오프 전압으로 설정될 수 있다. 발광 신호를 수신하는 트랜지스터들은 발광 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온 상태로 설정될 수 있다.
제2 제어 신호(ECS)는 발광 시작 신호 및 클럭 신호들을 포함하고, 발광 구동부(EDC)는 클럭 신호들을 이용하여 펄스 형태의 발광 시작 신호를 순차적으로 쉬프트 하여 펄스 형태의 발광 신호를 순차적으로 생성 및 출력하는 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있다.
데이터 구동부(DDC)는 타이밍 제어부(TC)로부터 제3 제어 신호(DCS) 및 영상 데이터(RGB)를 수신할 수 있다. 데이터 구동부(DDC)는 디지털 형식의 영상 데이터(RGB)를 아날로그 데이터 신호(즉, 데이터 신호)로 변환할 수 있다. 데이터 구동부(DDC)는 제3 제어 신호(DCS)에 대응하여 데이터 라인들(DL1~DLm)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
제3 제어 신호(DCS)는 유효 데이터 신호의 출력을 지시하는 데이터 인에이블 신호, 수평 시작 신호, 데이터 클럭 신호등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 데이터 구동부(DDC)는 데이터 클럭 신호에 동기하여 수평 시작 신호를 쉬프트시켜 샘플링 신호를 생성하는 쉬프트 레지스터, 샘플링 신호에 응답하여 영상 데이터(RGB)를 래치하는 래치, 래치된 영상 데이터(예를 들어, 디지털 형태의 데이터)를 아날로그 형태의 데이터 신호들로 변환하는 디지털-아날로그 컨버터(또는, 디코더), 및 데이터 신호들을 데이터 라인들(DL1~DLm)에 출력하는 버퍼들(또는, 증폭기들)을 포함할 수 있다.
전원 공급부(PWS)는 화소(PXij)의 구동을 위한 제1 전원 전압(VDD), 제2 전원 전압(VSS), 제3 전원 전압(VREF)을 표시 패널(DP)로 공급할 수 있다. 또한, 전원 공급부(PWS)는 제4 전원 전압(VINT1), 제5 전원 전압(VINT2), 및 제6 전원 전압(VCOMP) 중 적어도 하나의 전압을 표시 패널(DP)로 공급할 수 있다.
일례로, 전원 공급부(PWS)는 제1 전원 전압(VDD), 제2 전원 전압(VSS), 제3 전원 전압(VREF), 제4 전원 전압(VINT1), 제5 전원 전압(VINT2), 및 제6 전원 전압(VCOMP) 각각을 도시되지 않은 제1 전원 라인(VDL, 도 2a 참조), 제2 전원 라인(VSL, 도 2a 참조), 제3 전원 라인(또는 기준 전압 라인, VRL, 도 2a 참조), 제4 전원 라인(또는 제1 초기화 전압 라인, VIL1, 도 2a 참조), 제5 전원 라인(또는 제2 초기화 전압 라인, VIL2, 도 2a 참조), 및 제6 전원 라인(또는 보상 전압 라인, VCL, 도 2a 참조)을 경유하여 표시 패널(DP)로 공급할 수 있다.
전원 공급부(PWS)는 전원 관리 집적 회로로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
타이밍 제어부(TC)는 입력 영상 데이터(IRGB), 동기 신호(Sync, 예를 들어, 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 등), 데이터 인에이블 신호(DE) 및 클럭 신호 등에 기초하여, 제1 제어 신호(SCS), 제2 제어 신호(ECS), 제3 제어 신호(DCS), 및 제4 제어 신호(PCS)를 생성할 수 있다. 제1 제어 신호(SCS)는 스캔 구동부(SDC)로 공급되고, 제2 제어 신호(ECS)는 발광 구동부(EDC)로 공급되며, 제3 제어 신호(DCS)는 데이터 구동부(DDC)로 공급되고, 제4 제어 신호(PCS)는 전원 공급부(PWS)로 공급될 수 있다. 타이밍 제어부(TC)는 표시 패널(DP) 내 화소(PXij)의 배열에 대응하여 입력 영상 데이터(IRGB)를 재정렬하여 영상 데이터(RGB)(또는, 프레임 데이터)를 생성할 수 있다.
한편, 스캔 구동부(SDC), 발광 구동부(EDC), 데이터 구동부(DDC), 전원 공급부(PWS), 및/또는 타이밍 제어부(TC)는 표시 패널(DP)에 직접 형성되거나, 별도의 구동칩 형태로 제공되어 표시 패널(DP)에 연결될 수 있다. 또한, 스캔 구동부(SDC), 발광 구동부(EDC), 데이터 구동부(DDC), 전원 공급부(PWS), 및 타이밍 제어부(TC) 중 적어도 2개는 하나의 구동칩으로 제공될 수도 있다. 예를 들어, 데이터 구동부(DDC) 및 타이밍 제어부(TC)는 하나의 구동칩으로 제공될 수도 있다.
이상에서, 도 1을 참조하여 일 실시예에 따른 표시장치(DD)를 설명하였으나, 본 발명의 표시장치는 이에 제한되지 않는다. 화소의 구성에 따라 신호 라인들이 더 추가되거나, 생략될 수 있다. 또한, 하나의 화소와 신호 라인들의 연결관계도 변경될 수 있다. 신호 라인들 중 어느 하나가 생략되는 경우 다른 신호 라인이 생략된 신호 라인을 대체할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도들이다. 도 2a 및 도 2b에는 i번째 제1 스캔 라인(GWLi, 이하 제1 스캔 라인)에 연결되고 j번째 데이터 라인(DLj, 이하 데이터 라인)에 연결된 화소(PXij, PXij-1)의 등가 회로도들을 예시적으로 도시하였다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 화소(PXij)는 발광 소자(LD) 및 화소 구동부(PDC)를 포함한다. 발광 소자(LD)는 제1 전원 라인(VDL)과 화소 구동부(PDC)에 접속된다.
화소 구동부(PDC)는 복수의 스캔 라인들(GWLi, GCLi, GILi, GBLi, GRLi), 데이터 라인(DLj), 발광 라인(ESLi), 및 복수의 전원 전압 라인들(VDL, VSL, VIL1, VIL2, VRL, VCL)에 연결될 수 있다. 화소 구동부(PDC)는 제1 내지 제8 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8), 제1 커패시터(C1), 및 제2 커패시터(C2)를 포함할 수 있다. 이하 제1 내지 제8 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8) 각각이 모두 N-타입인 경우를 예로 들어 설명한다. 다만, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 제1 내지 제8 트랜지스터들(T1~T8) 중에서 일부는 N-타입 트랜지스터이고, 나머지들은 P-타입 트랜지스터일 수도 있고, 제1 내지 제8 트랜지스터들(T1~T8) 각각이 P-타입 트랜지스터일 수도 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 트랜지스터(T1)의 게이트는 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제2 노드(N2)에 연결되고 제2 전극은 제3 노드(N3)에 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여 제1 전원 라인(VDL)으로부터 발광 소자(LD)를 경유하여 제2 전원 라인(VSL)으로 흐르는 구동 전류(ILD)를 제어할 수 있다. 이때, 제1 전원 전압(VDD)은 제2 전원 전압(VSS)에 비해 높은 전위를 갖는 전압으로 설정될 수 있다.
본 명세서에서 "트랜지스터와 신호라인 또는 트랜지스터와 트랜지스터 사이에 전기적으로 연결된다"는 것은 "트랜지스터의 소스, 드레인, 게이트가 신호 라인과 일체의 형상을 갖거나, 연결전극을 통해서 연결된 것"을 의미한다.
제2 트랜지스터(T2)는 기입 스캔 라인(GWLi)에 연결된 게이트, 데이터 라인(DLj)에 연결된 제1 전극, 및 제1 노드(N1)에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 기입 스캔 라인(GWLi)을 통해 전달되는 기입 스캔 신호(GW)에 응답하여 제1 노드(N1)에 데이터 신호(DATA)를 공급할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 기입 스캔 라인(GWLi)으로 기입 스캔 신호(GW)가 공급될 때 턴-온 되어 데이터 라인(DLj)과 제1 노드(N1)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 노드(N1)와 기준 전압 라인(VRL) 사이에 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 기준 전압 라인(VRL)을 통해 기준 전압(VREF)을 수신하고, 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극은 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 본 실시예에서 제3 트랜지스터(T3)의 게이트는 i번째 제5 스캔 라인(GRLi, 이하 제5 스캔 라인)을 통해 리셋 스캔 신호(GR)를 수신할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 리셋 스캔 라인(GRLi)에 리셋 스캔 신호(GR)가 공급되면 턴-온 되어 제1 노드(N1)에 기준 전압(VREF)을 제공할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제3 노드(N3)와 제1 초기화 전압 라인(VIL1) 사이에 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극은 제3 노드(N3)에 연결되고, 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극은 제1 초기화 전압(VINT1)을 제공하는 제1 초기화 전압 라인(VIL1)에 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제1 초기화 트랜지스터로 지칭될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트는 i번째 제3 스캔 라인(GILi, 이하 제3 스캔 라인)을 통해 제1 초기화 스캔 신호(GI)를 수신할 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제1 초기화 스캔 라인(GILi)으로 제1 초기화 스캔 신호(GI)가 공급될 때 턴-온 되어 제1 초기화 전압(VINT1)을 제3 노드(N3)로 공급할 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 보상 전압 라인(VCL)과 제2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 제1 전극은 보상 전압 라인(VCL)을 통해 보상 전압(VCOMP)을 수신하고, 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극은 제2 노드(N2)에 접속되어 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트는 i번째 제2 스캔 라인(GCLi, 이하 제2 스캔 라인)을 통해 보상 스캔 신호(GC)를 수신할 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 보상 스캔 라인(GCLi)에 보상 스캔 신호(GC)가 공급되면 턴-온 되어 제2 노드(N2)에 보상 전압(VCOMP)을 제공할 수 있고, 보상 구간 동안 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이 보상될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)와 발광 소자(LD) 사이에 연결될 수 있다. 구체적으로, 제6 트랜지스터(T6)의 게이트는 i번째 발광 라인(ESLi, 이하 발광 라인)을 통해 발광 신호(EM)를 수신할 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극은 제4 노드(N4)를 통해 발광 소자(LD)의 캐소드에 연결되고, 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극은 제2 노드(N2)를 통해 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 제1 발광 제어 트랜지스터로 지칭될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 발광 라인(ESLi)에 발광 신호(EM)가 공급되면, 턴-온 되어 발광 소자(LD)와 제1 트랜지스터(T1)를 전기적으로 연결할 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 제2 전원 라인(VSL)과 제3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극은 제3 노드(N3)를 통해 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 연결되고, 제7 트랜지스터(T7)의 제2 전극은 제2 전원 라인(VSL)을 통해 제2 전원 전압(VSS)을 수신할 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 게이트는 발광 라인(ESLi)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 제2 발광 제어 트랜지스터로 지칭될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 발광 라인(ESLi)에 발광 신호(EM)가 공급되면, 턴-온 되어 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제2 전원 라인(VSL)을 전기적으로 연결한다.
한편, 본 실시예에서, 제6 트랜지스터(T6)와 제7 트랜지스터(T7)는 동일한 발광 라인(ESLi)에 연결되어 동일한 발광 신호(EM)를 통해 턴-온되는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제6 트랜지스터(T6)와 제7 트랜지스터(T7)는 서로 구별되는 다른 신호들에 의해 독립적으로 턴-온될 수도 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 구동부(PDC)에 있어서, 제6 트랜지스터(T6)와 제7 트랜지스터(T7) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.
제8 트랜지스터(T8)는 제2 초기화 전압 라인(VIL2)과 제4 노드(N4) 사이에 연결될 수 있다. 즉, 제8 트랜지스터(T8)는 i번째 제4 스캔 라인(GBLi, 이하 제4 스캔 라인)에 연결된 게이트, 제2 초기화 전압 라인(VIL2)에 연결된 제1 전극, 및 제4 노드(N4)에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)는 제2 초기화 트랜지스터로 지칭될 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)는 제2 초기화 스캔 라인(GBLi)을 통해 전달되는 제2 초기화 스캔 신호(GB)에 응답하여 발광 소자(LD)의 캐소드와 대응되는 제4 노드(N4)에 제2 초기화 전압(VINT2)을 공급할 수 있다. 발광 소자(LD)의 캐소드는 제2 초기화 전압(VINT2)에 의해 초기화될 수 있다.
한편, 본 실시예에서 제2 내지 제8 트랜지스터들(T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8) 중 일부는 동일한 스캔 신호를 통해 동시에 턴-온 될 수 있다. 예를 들어, 제8 트랜지스터(T8)와 제5 트랜지스터(T5)는 동일한 스캔 신호를 통해 동시에 턴-온 될 수 있다. 예를 들어, 제8 트랜지스터(T8)와 제5 트랜지스터(T5)는 동일한 보상 스캔 신호(GC)에 의해 동작될 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)와 제5 트랜지스터(T5)는 동일한 보상 스캔 신호(GC)에 의해 동시에 온/오프될 수 있다. 이 경우, 보상 스캔 라인(GCLi)과 제2 초기화 스캔 라인(GBLi)은 실질적으로 단일의 스캔 라인으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 발광 소자(LD)의 캐소드 초기화와 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 보상이 동일한 타이밍에 이루어질 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
또한, 본 발명에 따르면, 발광 소자(LD)의 캐소드 초기화와 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 보상이 동일한 전원 전압의 인가로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 보상 전압 라인(VCL)과 제2 초기화 전압 라인(VIL2)이 실질적으로 단일의 전원 전압 라인으로 제공될 수 있다. 이 경우, 하나의 전원 전압으로 캐소드 초기화 동작과 구동 트랜지스터의 보상 동작이 진행될 수 있어, 구동부 설계가 단순화될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에서, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 커패시터(C1)는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이에 배치될 수 있다. 제1 커패시터(C1)는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3)의 차전압을 저장할 수 있다. 제1 커패시터(C1)는 스토리지 커패시터로 지칭될 수 있다.
제2 커패시터(C2)는 제3 노드(N3)와 제2 전원 라인(VSL) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 제2 커패시터(C2)의 일 전극은 제2 전원 전압(VSS)을 공급 받는 제2 전원 라인(VSL)에 연결되고 제2 커패시터(C2)의 타 전극은 제3 노드(N3)에 연결될 수 있다. 제2 커패시터(C2)는 제2 전원 전압(VSS)과 제2 노드(N2) 사이의 전압차에 대응하는 전하를 저장할 수 있다. 제2 커패시터(C2)는 홀드 커패시터로 지칭될 수 있다. 제2 커패시터(C2)는 제1 커패시터(C1)와 비교하여 높은 저장 용량을 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 커패시터(C2)는 제1 노드(N1)의 전압 변화에 대응하여 제3 노드(N3)의 전압 변화를 최소화할 수 있다.
본 실시예에서, 발광 소자(LD)는 제4 노드(N4)를 통해 화소 구동부(PDC)와 연결될 수 있다. 발광 소자(LD)는 제1 전원 라인(VDL)에 연결된 애노드와 이에 대향되는 캐소드를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 발광 소자(LD)는 캐소드를 통해 화소 구동부(PDC)와 연결될 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 화소(PXij)에 있어서, 발광 소자(LD)와 화소 구동부(PDC)가 연결되는 접속 노드는 제4 노드(N4)일 수 있고, 제4 노드(N4)는 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극과 발광 소자(LD)의 캐소드 사이의 접속 노드와 대응될 수 있다. 이에 따라, 제4 노드(N4) 전위는 실질적으로 발광 소자(LD)의 캐소드 전위와 대응될 수 있다.
구체적으로, 발광 소자(LD)의 애노드는 제1 전원 라인(VDL)에 연결되어 정전압인 제1 전원 전압(VDD)이 인가되고, 캐소드는 제6 트랜지스터(T6)를 통해 제1 트랜지스터(T1)에 연결될 수 있다. 즉, 제1 내지 제8 트랜지스터들(T1~T8)이 N-타입 트랜지스터인 본 실시예에서, 구동 트랜지스터인 제1 트랜지스터(T1)의 소스에 대응되는 제3 노드(N3)의 전위는 발광 소자(LD)의 특성에 의해 직접적인 영향을 받지 않을 수 있다. 따라서, 발광 소자(LD)의 열화가 발생되더라도 화소 구동부(PDC)를 구성하는 트랜지스터들, 특히 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압(Vgs)에 미치는 영향이 감소될 수 있다. 즉, 발광 소자(LD)의 열화에 따른 구동 전류의 변화량이 감소될 수 있어, 사용 시간 증가에 따른 표시 패널의 잔상 불량이 감소되고 수명이 향상될 수 있다.
또는, 도 2b에 도시된 바와 같이, 화소(PXij-1)는 2 개의 트랜지스터들(T1, T2) 및 1 개의 커패시터(C1)를 포함하는 화소 구동부(PDC-1)를 포함할 수도 있다. 화소 구동부(PDC-1)는 발광 소자(LD), 기입 스캔 라인(GWLi), 데이터 라인(DLj), 및 제2 전원 라인(VSL)에 연결될 수 있다. 도 2b에 도시된 화소 구동부(PDC-1)는 도 2a에 도시된 화소 구동부(PDC)에서 제3 내지 제8 트랜지스터들(T3~T8)과 제2 커패시터(C2)가 생략된 것에 대응될 수 있다.
제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2) 각각은 N-타입 또는 P-타입일 수 있다. 본 실시예에서, 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2) 각각은 N-타입 트랜지스터인 경우로 예시적으로 설명한다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)에 연결된 게이트, 제2 노드(N2)에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 제2 노드(N2)는 제1 전원 라인(VDL) 측에 접속되는 노드일 수 있고, 제3 노드(N3)는 제2 전원 라인(VSL) 측에 접속되는 노드일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제2 노드(N2)를 통해 발광 소자(LD)에 연결되고 제3 노드(N3)를 통해 제2 전원 라인(VSL)에 연결된다. 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터일 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 기입 스캔 라인(GWLi)을 통해 기입 스캔 신호(GW)를 수신하는 게이트, 데이터 라인(DLj)에 연결된 제1 전극, 및 제1 노드(N1)에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 기입 스캔 라인(GWLi)을 통해 전달되는 기입 스캔 신호(GW)에 응답하여 제1 노드(N1)에 데이터 신호(DATA)를 공급할 수 있다.
커패시터(C1)는 제1 노드(N1)에 연결된 전극과 제3 노드(N3)에 연결된 전극을 포함할 수 있다. 커패시터(C1)는 제1 노드(N1)에 전달된 데이터 신호(DATA)를 저장할 수 있다.
발광 소자(LD)는 애노드와 캐소드를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 발광 소자(LD)의 애노드는 제 1 전원 라인(VDL)과 연결되고, 캐소드는 제2 노드(N2)를 통해 화소 구동부(PDC-1)와 연결된다. 본 실시예에서, 발광 소자(LD)의 캐소드는 제1 트랜지스터(T1)와 연결될 수 있다. 발광 소자(LD)는 화소 구동부(PDC-1)의 제1 트랜지스터(T1)에 흐르는 전류량에 대응하여 발광할 수 있다.
제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)이 N-타입 트랜지스터인 본 실시예에서, 발광 소자(LD)의 캐소드와 화소 구동부(PDC-1)가 접속되는 제2 노드(N2)는 제1 트랜지스터(T1)의 드레인과 대응될 수 있다. 즉, 발광 소자(LD)에 의한 제1 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압(Vgs)의 변화를 방지할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(LD)의 열화에 따른 구동 전류의 변화량이 감소될 수 있어, 사용 시간 증가에 따른 표시 패널의 잔상 불량이 감소되고 수명이 향상될 수 있다.
한편, 도 2a 및 도 2b에는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 구동부들(PDC, PDC-1)에 대한 회로를 도시한 것이고 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은 발광 소자(LD)의 캐소드와 연결되는 회로라면 트랜지스터들의 수나 배치 관계, 커패시터의 수나 배치 관계는 다양하게 설계될 수 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도들이다. 도 3a 및 도 3b 각각에는 일부 구성들을 생략하여 도시하였고, 설명의 편의 상 표시 패널(DP)에 실장된 일부 구성들을 함께 도시하였다.
도 3a를 참조하면, 일 실시예의 표시 패널(DP)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(NDA, 또는, 비표시 영역)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 발광부들(EP)을 포함할 수 있다.
발광부들(EP)은 화소들(PXij, 도 1 참조)에 의해 각각 발광되는 영역들일 수 있다. 구체적으로, 발광부들(EP) 각각은 후술하는 발광 개구부(OP-E, 도 5a 참조)와 대응될 수 있다.
주변 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 인접하여 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 주변 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 가장자리를 에워싸는 형상으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고 주변 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 일측에 배치되거나, 또는 생략될 수도 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
본 실시예에서, 스캔 구동부(SDC) 및 데이터 구동부(DDC)는 표시 패널(DP)에 실장될 수 있다. 일 실시예에서, 스캔 구동부(SDC)는 표시 영역(DA)에 배치되고, 데이터 구동부(DDC)는 주변 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 스캔 구동부(SDC)는 표시 영역(DA)에 배치된 복수의 발광부들(EP) 중 적어도 일부와 평면상에서 중첩할 수 있다. 스캔 구동부(SDC)가 표시 영역(DA)에 배치됨에 따라, 스캔 구동부가 주변 영역에 배치된 종래의 표시 패널에 비해 주변 영역(NDA) 면적이 감소할 수 있고, 베젤이 얇은 표시장치를 용이하게 구현할 수 있다.
한편, 도 3a에 도시된 바와 달리 스캔 구동부(SDC)는 서로 구분되는 2 개의 부분들로 제공될 수도 있다. 2 개의 스캔 구동부(SDC)는 표시 영역(DA)의 중심을 사이에 두고 좌우로 이격되어 배치될 수 있다. 또는, 스캔 구동부(SDC)는 2 개 이상의 더 많은 수로 제공될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
한편, 도 3a는 표시 패널의 일 예를 도시한 것이고, 데이터 구동부(DDC)는 표시 영역(DA)에 배치될 수도 있다. 이때, 표시 영역(DA)에 배치된 발광부들(EP) 중 일부는 데이터 구동부(DDC)와 평면상에서 중첩될 수도 있다.
일 실시예에서, 데이터 구동부(DDC)는 표시 패널(DP)로부터 독립된 별도의 구동칩 형태로 제공되어 표시 패널(DP)에 연결될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 설명한 것이고, 데이터 구동부(DDC)는 표시 패널(DP)을 구성하도록 스캔 구동부(SDC)와 동일 공정에서 형성될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 표시 패널(DP)은 제1 방향(DR1)에 대응하는 길이가 제2 방향(DR2)에 대응하는 길이보다 긴 형태일 수도 있다. 본 실시예에서, 표시 패널(DP)은 복수의 스캔 구동부들(SDC1, SDC2)을 포함할 수 있다. 스캔 구동부들(SDC1, SDC2)은 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되어 배치된 제1 스캔 구동부(SDC1) 및 제2 스캔 구동부(SDC2)를 포함하는 것으로 예시적으로 도시되었다.
제1 스캔 구동부(SDC1)는 스캔 라인들(GL1~GLn) 중 일부와 연결되고 제2 스캔 구동부(SDC2)는 스캔 라인들(GL1~GLn) 중 다른 일부와 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 스캔 구동부(SDC1)는 스캔 라인들(GL1~GLn) 중 홀수 번째 스캔 라인들에 연결되고 제2 스캔 구동부(SDC2)는 스캔 라인들(GL1~GLn) 중 짝수 번째 스캔 라인들에 연결될 수 있다.
도 3b에는 용이한 설명을 위해 데이터 라인들(DL1~DLm)의 패드들(PD)을 도시하였다. 패드들(PD)은 데이터 라인들(DL1~DLm)의 끝단 들에 정의될 수 있다. 데이터 라인들(DL1~DLm)은 패드들(PD)을 통해 데이터 구동부(DDC, 도 3a 참조)에 접속될 수 있다.
본 발명에 따르면, 패드들(PD)은 주변 영역(NDA) 중 표시 영역(DA)을 사이에 두고 이격되는 위치에 분할되어 배열될 수 있다. 예를 들어, 패드들(PD) 중 일부는 상측, 즉 스캔 라인들(GL1~GLn) 중 첫 번째 스캔 라인(GL1)에 인접하는 측에 배치되고, 패드들(PD) 중 다른 일부는 하측, 즉 스캔 라인들(GL1~GLn) 중 마지막 번째 스캔 라인(GLn)에 인접하는 측에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 홀수 번째 데이터 라인들에 연결된 패드들(PD)은 상측에 배치되고, 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 짝수 번째 데이터 라인들에 연결된 패드들(PD)은 하측에 배치될 수 있다.
도시되지 않았으나, 표시 패널(DP)은 상측에 배치된 패드들(PD)과 접속되는 복수의 상측 데이터 구동부들 및/또는 하측에 배치된 패드들(PD)과 접속되는 복수의 하측 데이터 구동부들을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 설명한 것이고, 표시 패널(DP)은 상측에 배치된 패드들(PD)과 접속되는 하나의 상측 데이터 구동부 및/또는 하측에 배치된 패드들(PD)과 접속되는 하나의 하측 데이터 구동부를 포함할 수도 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 패드들(PD)은 표시 패널(DP)의 일측에만 배치되어 단일의 데이터 구동부에 접속될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
또한, 도 3a에서 상술한 바와 같이, 도 3b에서의 표시 패널(DP)도 스캔 구동부 및/또는 데이터 구동부가 표시 영역(DA)에 배치될 수 있고, 이에 따라 표시 영역(DA)에 배치된 발광부들 중 일부는 스캔 구동부 및/또는 데이터 구동부와 평면상에서 중첩될 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도들이다. 도 4a에는 2행 2열의 총 4 개의 발광 유닛들(UT11, UT12, UT21, UT22)이 배치된 영역을 도시하였고, 도 4b는 도 4a에 도시된 일부 영역을 확대하여 도시하였다. 도 4c는 도 4a에 도시된 구성 중 일부 구성을 생략하거나 강조하여 도시하였다. 이하, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여, 발광 유닛들(UT11, UT12, UT21, UT22)에 대해 자세히 설명한다.
제1 행(Rk) 발광부들은 제1 행 제1 열 발광 유닛(UT11)과 제1 행 제2 열 발광 유닛(UT12)을 구성하는 발광부들(EP1, EP2, EP3)을 포함하고, 제2 행(Rk+1) 발광부들은 제2 행 제1 열 발광 유닛(UT21)과 제2 행 제2 열 발광 유닛(UT22)을 구성하는 발광부들(EP1, EP2, EP3)을 포함한다. 도 4a 내지 도 4c에는 표시 패널(DP, 도 1 참조)의 구성들 중 분할 구조물(SPR), 분할 구조물(SPR)에 의해 구획되는 영역 내에 배치된 복수의 발광부들(EP1, EP2, EP3), 연결 배선들(CN1, CN2, CN3), 애노드(EL1, 또는 제1 전극), 및 캐소드들(EL2_1, EL2_2, EL2_3, 또는 제2 전극들)을 도시하였다.
발광부들(EP1, EP2, EP3) 각각은 발광 소자(LD, 도 2a 또는 도 2b 참조)에 의해 방출되는 광이 표시되는 영역들을 정의할 수 있고, 표시 패널(DP, 도 1 참조)에서 표시되는 영상을 구성하는 유닛에 대응될 수 있다.
발광부들(EP1, EP2, EP3)은 제1 발광부(EP1), 제2 발광부(EP2), 및 제3 발광부(EP3)를 포함할 수 있다. 제1 발광부(EP1), 제2 발광부(EP2), 및 제3 발광부(EP3)는 서로 상이한 색의 광들을 표시할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광부(EP1)는 적색 광을 표시하고, 제2 발광부(EP2)는 청색 광을 표시하고, 제3 발광부(EP3)는 녹색 광을 표시할 수 있으나, 색의 조합이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 각각의 발광부들(EP1, EP2, EP3) 중 적어도 둘 이상은 동일한 색의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광부들(EP1, EP2, EP3) 모두 청색 광을 방출하거나, 모두 백색 광을 방출할 수도 있다.
한편, 발광부들(EP1, EP2, EP3) 중 제2 발광부(EP2)는 제1 방향(DR1)에서 서로 이격된 2 개의 서브 발광부들(EP21, EP22)을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제2 발광부(EP2)는 다른 발광부들(EP1, EP3)처럼 일체의 형상을 가진 1 개의 패턴으로 제공될 수도 있고, 다른 발광부들(EP1, EP3) 중 적어도 어느 하나가 서브 발광부들을 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
본 실시예에서, 제1 행(Rk) 발광부들은 제1 행 제1 열 발광 유닛(UT11)과 제1 행 제2 열 발광 유닛(UT12)이 반복 배열된 형태의 발광부들로 구성되고, 제2 행(Rk+1) 발광부들은 제2 행 제1 열 발광 유닛(UT21)과 제2 행 제2 열 발광 유닛(UT22)이 반복 배열된 형태의 발광부들로 구성될 수 있다. 제2 행(Rk+1) 발광부들은 실질적으로 제1 행(Rk) 발광부들이 제1 방향(DR1)으로 쉬프트된 형태의 발광부들(EP1, EP2, EP3)로 구성될 수 있다. 즉, 제1 행 제1 열 발광 유닛(UT11)과 제2 행 제2 열 발광 유닛(UT22)은 서로 동일한 형상의 발광부들(이하, 제1-1, 제2-1, 및 제3-1 발광부들(EP1a, EP2a, EP3a)로 지칭함)로 구성되고, 제1 행 제2 열 발광 유닛(UT12)과 제2 행 제1 열 발광 유닛(UT21)은 서로 동일한 발광부들(이하, 제1-2, 제2-2, 및 제3-2 발광부들(EP1b, EP2b, EP3b)로 지칭함)로 구성될 수 있다.
도 4b에는 제1 행(Rk)에 배치된 두 개의 발광 유닛들을 확대하여 도시하였다. 각 발광 유닛에는 제1 방향(DR1)에서 이격된 제1 발광부(EP1a, EP1b) 및 제3 발광부(EP3a, EP3b)를 포함하고, 제1 및 제3 발광부들(EP1a, EP1b, EP3a, EP3b)과 제2 방향(DR2)에서 이격된 제2 발광부(EP2a, EP2b)가 배치될 수 있다. 제1 행 제1 열 및 제2 행 제2 열 발광 유닛들(UT11, UT22) 각각의 제2-1 발광부(EP2a)는 제1-1 발광부(EP1a) 대비 제3-1 발광부(EP3a)와 더 마주하도록 배치되고, 제1 행 제2 열 및 제2 행 제1 열 발광 유닛들(UT12, UT21) 각각의 제2-2 발광부(EP2b)는 제3-2 발광부(EP3b) 대비 제1-2 발광부(EP1b)와 더 마주하도록 배치될 수 있다. 즉, 동일 행 및 동일 열 내에서 제3 발광부(EP3a)와 더 마주하도록 배치되는 제2 발광부(EP2a)와 제1 발광부(EP1b)와 더 마주하도록 배치되는 제2 발광부(EP2b)가 반복하여 배열될 수 있다.
도 4b에는 용이한 설명을 위해, 제1 행(Rk)에 배치된 두 개의 발광 유닛들에 포함된 복수의 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a, EL2_1b, EL2_2b, EL2_3b), 복수의 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a, PDC1b, PDC2b, PDC3b), 및 복수의 연결 배선들(CN1a, CN2a, CN3a, CN1b, CN2b, CN3b)을 도시하였다.
캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a, EL2_1b, EL2_2b, EL2_3b)은 분할 구조물(SPR)에 의해 서로 분리되어 전기적으로 단선될 수 있다. 분할 구조물(SPR)에는 복수 개의 개구 영역들(OP)이 정의되며, 각 개구 영역(OP)마다 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a, EL2_1b, EL2_2b, EL2_3b)이 분리되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a, EL2_1b, EL2_2b, EL2_3b)의 배치 및 형상은 분할 구조물(SPR)의 개구 영역들(OP)의 배치 및 형상에 대응될 수 있다.
분할 구조물(SPR)에는 제1-1 내지 제3-1 개구 영역들(OP1a, OP2a, OP3a) 및 제1-2 내지 제3-2 개구 영역들(OP1b, OP2b, OP3b)이 정의될 수 있다.
제1-1 내지 제3-1 개구 영역들(OP1a, OP2a, OP3a) 내에는 각각 제1-1 내지 제3-1 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a)이 분리되어 배치되어, 제1-1 내지 제3-1 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a)을 각각 포함하는 제1-1 내지 제3-1 발광 소자들(LD1a, LD2a, LD3a) 또한 제1-1 내지 제3-1 개구 영역들(OP1a, OP2a, OP3a)에 대응되어 배치되는 것으로 볼 수 있다. 제1-1 내지 제3-1 발광 소자들(LD1a, LD2a, LD3a)은 각각 제1-1 내지 제3-1 발광부들(EP1a, EP2a, EP3a)을 제공할 수 있다.
제1-2 내지 제3-2 개구 영역들(OP1b, OP2b, OP3b) 내에는 각각 제1-2 내지 제3-2 캐소드들(EL2_1b, EL2_2b, EL2_3b)이 분리되어 배치되어, 제1-2 내지 제3-2 캐소드들(EL2_1a, EL2_2b, EL2_3b)을 각각 포함하는 제1-2 내지 제3-2 발광 소자들(LD1b, LD2b, LD3b) 또한 제1-2 내지 제3-2 개구 영역들(OP1b, OP2b, OP3b)에 대응되어 배치되는 것으로 볼 수 있다. 제1-2 내지 제3-2 발광 소자들(LD1b, LD2b, LD3b)은 각각 제1-2 내지 제3-2 발광부들(EP1b, EP2b, EP3b)을 제공할 수 있다. 본 명세서에서, 제2-1 발광 소자(LD2a) 및 제2-2 발광 소자(LD2b)는 각각 제2 발광 소자 및 제4 발광 소자로 지칭될 수 있다.
일 발광 유닛은 제1-1 내지 제3-1 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a)을 각각 포함하는 제1-1 내지 제3-1 발광 소자들(LD1a, LD2a, LD3a), 제1-1 내지 제3-1 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a), 및 제1-1 내지 제3-1 연결 배선들(CN1a, CN2a, CN3a)을 포함할 수 있다. 인접한 다른 일 발광 유닛은 제1-2 내지 제3-2 캐소드들(EL2_1b, EL2_2b, EL2_3b)을 각각 포함하는 제1-2 내지 제3-2 발광 소자들(LD1b, LD2b, LD3b), 제1-2 내지 제3-2 화소 구동부들(PDC1b, PDC2b, PDC3b), 및 제1-2 내지 제3-2 연결 배선들(CN1b, CN2b, CN3b)을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 발광 유닛의 개수 및 배열은 다양하게 설계될 수 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1-1 내지 제3-1 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a) 및 제1-2 내지 제3-2 화소 구동부들(PDC1b, PDC2b, PDC3b)은 각각 제1-1 내지 제3-1 발광부들(EP1a, EP2a, EP3a)을 구성하는 제1-1 내지 제3-1 발광 소자들(LD1a, LD2a, LD3a) 및 제1-2 내지 제3-2 발광부들(EP1b, EP2b, EP3b)을 구성하는 제1-2 내지 제3-2 발광 소자들(LD1b, LD2b, LD3b)에 연결된다. 본 명세서에서 "연결된다"는 물리적으로 직접 접촉하여 연결된 경우뿐만 아니라 전기적으로 연결된 경우도 포함한다.
본 실시예에서, 제1-1 내지 제3-2 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a, PDC1b, PDC2b, PDC3b) 각각은 도 2a 또는 도 2b에서 상술한 트랜지스터들을 포함할 수 있고, 제1-1 내지 제3-2 발광부들(LD1a, LD2a, LD3a, LD1b, LD2b, LD3b)의 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a, EL2_1b, EL2_2b, EL2_3b)은 각각 제1-1 내지 제3-2 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a, PDC1b, PDC2b, PDC3b) 내 트랜지스터들 중 대응되는 트랜지스터와 연결될 수 있다.
도 4b에 도시된 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a, PDC1b, PDC2b, PDC3b)이 평면상으로 정의되는 각각의 영역은, 화소의 발광 소자(LD, 도 2a 또는 도 2b 참조)를 구동하기 위한 회로(PDC, 도 2a 또는 도 2b 참조)를 구성하는 트랜지스터 및 커패시터 소자들이 반복하여 배열되는 유닛에 대응될 수 있다. 본 실시예에서, 제1-1, 제3-1, 및 제2-1 화소 구동부들(PDC1a, PDC3a, PDC2a)은 제2 방향(DR2)을 따라 순차적으로 배치되고, 제1-2, 제3-2, 및 제2-2 화소 구동부들(PDC1b, PDC3b, PDC2b) 또한 제2 방향(DR2)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a, PDC1b, PDC2b, PDC3b)의 배치 위치는 발광부들(EP1a, EP2a, EP3a, EP1b, EP2b, EP3b)의 위치나 형상과 독립적으로 설계될 수 있다.
예를 들어, 제1-1 내지 제3-1 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a)은 분할 구조물(SPR)의 제1-1 내지 제3-1 개구 영역들(OP1a, OP2a, OP3a), 즉, 제1-1 내지 제3-1 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a)이 배치된 위치와 상이한 위치에 배치되거나, 제1-1 내지 제3-1 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a)의 형상과 상이한 형상의 면적을 갖도록 설계될 수 있다. 또는, 제1-1 내지 제3-1 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a)은 제1-1 내지 제3-1 발광부들(EP1a, EP2a, EP3a)이 존재하는 위치에 각각 중첩하도록 배치되고 분할 구조물(SPR)의 제1-1 내지 제3-1 개구 영역들(OP1a, OP2a, OP3a), 예를 들어, 제1-1 내지 제3-1 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a)과 유사한 형태의 면적을 갖는 형상으로 설계될 수도 있다.
본 실시예에서, 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a, PDC1b, PDC2b, PDC3b) 각각은 직사각형 형상으로 도시되고, 발광부들(EP1a, EP2a, EP3a, EP1b, EP2b, EP3b)은 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a, PDC1b, PDC2b, PDC3b)과 상이한 형태로 배열되고, 캐소드들(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a, EL2_1b, EL2_2b, EL2_3b)은 발광부들(EP1a, EP2a, EP3a, EP1b, EP2b, EP3b)과 중첩하는 위치에 각각 배치되되 비정형 형상으로 도시되었다.
이에 따라, 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1-1 화소 구동부(PDC1a)는 제1-1 발광부(EP1a), 제3-1 발광부(EP3a), 및 인접하는 다른 발광 유닛과도 부분적으로 중첩하는 위치에 배치될 수 있다. 제3-1 화소 구동부(PDC3a)는 제1-1 발광부(EP1a), 제2-1 발광부(EP2a), 및 제3-1 발광부(EP3a)와 중첩하는 위치에 배치될 수 있다. 제2-1 화소 구동부(PDC2a)는 제2-1 발광부(EP2a)와 중첩하는 위치에 배치될 수 있다. 제1-2 내지 제3-2 화소 구동부들(PDC1b, PDC2b, PDC3b) 또한 제1-1 내지 제1-3 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a)과 유사하게 배치될 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 화소 구동부들(PDC1a, PDC2a, PDC3a, PDC1b, PDC2b, PDC3b)의 위치는 발광부들(EP1a, EP2a, EP3a, EP1b, EP2b, EP3b)로부터 독립적으로 다양한 형태 및 배열로 설계될 수 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
연결 배선들(CN)은 복수로 제공되어 서로 이격되어 배치될 수 있다. 연결 배선들(CN) 각각은 화소 구동부(PDC, 도 2a 또는 도 2b 참조)와 발광 소자(LD, 도 2a 또는 도 2b 참조)를 연결할 수 있다. 구체적으로, 연결 배선들(CN) 각각은 발광 소자(LD, 도 2a 또는 도 2b 참조)가 화소 구동부(PDC, 도 2a 또는 도 2b 참조)에 연결된 노드(도 2a의 N4 또는 도 2b의 N2 참조)와 대응될 수 있다.
연결 배선들(CN) 각각은 제1 접속부(CE, 이하 발광 접속부) 및 제2 접속부(CD, 이하 구동 접속부)를 포함할 수 있다. 발광 접속부(CE)는 연결 배선(CN)의 일 측에 제공되고 구동 접속부(CD)는 연결 배선(CN)의 타 측에 제공될 수 있다. 일 연결 배선(CN)에 포함된 발광 접속부(CE) 및 구동 접속부(CD)는 평면 상에서 이격되어 배치될 수 있다.
구동 접속부(CD)는 연결 배선(CN) 중 화소 구동부(PDC, 도 2a 또는 도 2b 참조)와 접속되는 부분일 수 있다. 본 실시예에서, 구동 접속부(CD)는 화소 구동부(PDC, 도 2a 또는 도 2b 참조)를 구성하는 트랜지스터의 일 전극과 접속된다. 구체적으로, 구동 접속부(CD)는 도 2a에 도시된 제6 트랜지스터(T6)의 드레인이나 도 2b에 도시된 제1 트랜지스터(T1)의 드레인에 접속될 수 있다. 이에 따라, 구동 접속부(CD)의 위치는 화소 구동부(PDC, 도 2a 또는 도 2b 참조) 중 연결 배선(CN)과 물리적으로 연결되는 트랜지스터(도 5a의 TR 참조)의 위치와 대응될 수 있다.
발광 접속부(CE)는 연결 배선(CN) 중 발광 소자(LD, 도 2a 또는 도 2b 참조)와 접속되는 부분일 수 있다. 본 실시예에서, 발광 접속부(CE)에서 연결 배선(CN)은 캐소드(EL2_1a, EL2_2a, EL2_3a, EL2_1b, EL2_2b, EL2_3b)와 접속될 수 있다.
일 발광 유닛은 복수의 연결 배선들(CN)을 포함할 수 있고, 연결 배선들(CN)은 제1 연결 배선(CN1), 제2 연결 배선(CN2), 및 제3 연결 배선(CN3)을 포함할 수 있다. 제1 연결 배선(CN1)은 제1 발광부(EP1)를 형성하는 제1 발광 소자(LD1)와 제1 화소 구동부(PDC1)를 연결하고, 제2 연결 배선(CN2)은 제2 발광부(EP2)를 형성하는 제2 발광 소자(LD2)와 제2 화소 구동부(PDC2)를 연결하고, 제3 연결 배선(CN3)은 제3 발광부(EP3)를 형성하는 제3 발광 소자(LD3)와 제3 화소 구동부(PDC3)를 연결한다. 구체적으로, 제1 내지 제3 연결 배선들(CN1, CN2, CN3)은 제1 내지 제3 발광 소자들(LD1, LD2, LD3)에 각각 포함된 제1 내지 제3 캐소드들(EL2_1, EL2_2, EL2_3)과 제1 내지 제3 화소 구동부들(PDC1, PDC2, PDC3)을 각각 연결한다.
제1 연결 배선(CN1)은 제1 화소 구동부(PDC1)와 접속된 제1 구동 접속부(CD1) 및 제1 캐소드(EL2_1)와 접속된 제1 발광 접속부(CE1)를 포함할 수 있다. 제2 연결 배선(CN2)은 제2 화소 구동부(PDC2)와 접속된 제2 구동 접속부(CD2) 및 제2 캐소드(EL2_2)와 접속된 제2 발광 접속부(CE2)를 포함할 수 있다. 제3 연결 배선(CN3)은 제3 화소 구동부(PDC3)와 접속된 제3 구동 접속부(CD3) 및 제3 캐소드(EL2_3)와 접속된 제3 발광 접속부(CE3)를 포함할 수 있다.
일 발광 유닛에는 복수의 구동 접속부들(CD)이 배치될 수 있고, 구동 접속부들(CD)은 제1 구동 접속부(CD1), 제2 구동 접속부(CD2), 및 제3 구동 접속부(CD3)를 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 구동 접속부들(CD1, CD2, CD3)은 제1 방향(DR1)을 따라 정렬될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 내지 제3 구동 접속부들(CD1, CD2, CD3)은 각각 제1 내지 제3 화소 구동부들(PDC1, PDC2, PDC3)을 구성하는 접속 트랜지스터들의 위치와 대응될 수 있다. 접속 트랜지스터는 일 화소에 있어서, 화소 구동부(PDC, 도 2a 또는 도 2b 참조)와 발광 소자(LD, 도 2a 또는 도 2b 참조)가 접속되는 접속 노드를 일 전극으로 포함하는 트랜지스터일 수 있고, 예를 들어, 도 2a의 제6 트랜지스터(T6) 또는 도 2b의 제1 트랜지스터(T1)와 대응될 수 있다. 본 발명에 따르면, 화소 구동부를 발광부의 형상이나 크기, 발광 색에 관계없이 모든 화소들에 대해 동일하게 설계함으로써, 공정이 단순화되고 비용이 절감될 수 있다.
일 발광 유닛에는 복수의 발광 접속부들(CE)이 배치될 수 있고, 발광 접속부들(CE)은 제1 발광 접속부(CE1), 제2 발광 접속부(CE2), 및 제3 발광 접속부(CE3)를 포함할 수 있다. 제1 발광 접속부(CE1), 제2 발광 접속부(CE2), 및 제3 발광 접속부(CE3)는 각각 제1 구동 접속부(CD1), 제2 구동 접속부(CD2), 및 제3 구동 접속부(CD3)와 평면 상에서 이격하여 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 제1 내지 제3 발광 접속부들(CE1, CE2, CE3)은 발광부들(EP1, EP2, EP3)과 평면상에서 비 중첩하는 위치에 정의될 수 있다. 연결 배선(CN)의 발광 접속부(CE)는 발광 소자(LD, 도 2a 또는 도 2b 참조)가 접속되는 부분이고 팁부(TIP, 도 5a 참조)가 정의되는 부분이므로, 발광 개구부(OP-E, 도 5a 참조)와 비 중첩하는 위치에 제공된다. 즉, 분할 구조물(SPR)의 개구 영역들(OP)은 평면상에서 발광부들(EP1, EP2, EP3)로부터 돌출된 영역들을 포함하며, 발광 접속부들(CE1, CE2, CE3)은 돌출된 영역들 내에 제공될 수 있다. 따라서, 캐소드들(EL2_1, EL2_2, EL2_3)은 개구 영역들(OP)의 돌출된 영역들에 대응하여 돌출된 형상을 가질 수 있고, 돌출된 부분을 통해 발광 접속부들(CE1, CE2, CE3)이 배치된 위치에서 연결 배선들(CN1, CN2, CN3)과 접속될 수 있다. 따라서, 발광부의 발광 면적을 감소시키지 않으면서 연결 배선과 접속될 수 있는 발광 접속부가 제공될 수 있다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 제1-1 내지 제3-1 개구 영역들(OP1a, OP2a, OP3a) 및 제1-2 내지 제3-2 개구 영역들(OP1b, OP2b, OP3b) 각각은 일부 돌출된 영역을 포함할 수 있다. 제1-1 내지 제3-1 개구 영역들(OP1a, OP2a, OP3a)의 돌출된 영역들에는 각각 제1-1 연결 배선(CN1a)의 제1-1 발광 접속부(CE1a), 제2-1 연결 배선(CN2a)의 제2-1 발광 접속부(CE2a), 및 제3-1 연결 배선(CN3a)의 제3-1 발광 접속부(CE3a)가 배치될 수 있다. 제1-2 내지 제3-2 개구 영역들(OP1b, OP2b, OP3b)의 돌출된 영역들에는 각각 제1-2 연결 배선(CN1b)의 제1-2 발광 접속부(CE1b), 제2-2 연결 배선(CN2b)의 제2-2 발광 접속부(CE2b), 및 제3-2 연결 배선(CN3b)의 제3-2 발광 접속부(CE3b)가 배치될 수 있다.
제1-1 발광 접속부(CE1a)는 제1-1 발광부(EP1a)로부터 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치되고, 제1-2 발광 접속부(CE1b)는 제1-2 발광부(EP1b)로부터 제2 방향(DR2)의 반대 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 제2-1 발광 접속부(CE2a)는 제2-1 발광부(EP2a)로부터 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배치되고, 제2-2 발광 접속부(CE2b)는 제2-2 발광부(EP2b)로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 제3-1 발광 접속부(CE3a)는 제3-1 발광부(EP3a)로부터 제2 방향(DR2)의 반대 방향으로 이격되어 배치되고, 제3-2 발광 접속부(CE3b)는 제3-2 발광부(EP3b)로부터 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 발광 접속부들(CE)은 서로 인접하게 배치되어, 컨택 그룹들(CG)을 이루며 배치될 수 있다. 컨택 그룹들(CG)은 제1 서브 그룹들(G1) 및 제2 서브 그룹들(G2)을 포함할 수 있다.
제1-1 개구 영역(OP1a) 및 제1-2 개구 영역(OP1b)은 제2-1 개구 영역(OP2a) 사이에 배치되어, 제1-1 개구 영역(OP1a)의 돌출부 및 제1-2 개구 영역(OP1b)의 돌출부 각각이 제2-1 개구 영역(OP2a)의 돌출부를 향해 돌출되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 일 발광 유닛에 배치된 제1-1 발광 접속부(CE1a) 및 제2-1 발광 접속부(CE2a)와 이에 인접한 발광 유닛에 배치된 제1-2 발광 접속부(CE1b)는 제2 방향(DR2)에서 배열되도록 제공되며, 제1 서브 그룹(G1)을 제공할 수 있다.
제3-2 개구 영역(OP3b) 및 제3-1 개구 영역(OP3a)은 제2-2 개구 영역(OP2b) 사이에 배치되어, 제3-2 개구 영역(OP3b)의 돌출부 및 제3-1 개구 영역(OP3a)의 돌출부 각각이 제2-2 개구 영역(OP2b)의 돌출부를 향해 돌출되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 일 발광 유닛에 배치된 제3-2 발광 접속부(CE3b) 및 제2-2 발광 접속부(CE2b)와 이에 인접한 발광 유닛에 배치된 제3-1 발광 접속부(CE3a)는 제2 방향(DR2)에서 배열되도록 제공되며, 제2 서브 그룹(G2)을 제공할 수 있다.
본 실시예에서, 제2 행 제1 열 발광 유닛(UT21)에 배치되는 연결 배선들(CN-c)의 형상 및 배열 형태는 제1 행 제2 열 발광 유닛(UT12)에 배치되는 제1-2 내지 제3-2 연결 배선들(CN1b, CN2b, CN3b)과 동일할 수 있다. 마찬가지로, 제2 행 제2 열 발광 유닛(UT22)에 배치되는 연결 배선들(CN-d)의 형상 및 배열 형태는 제1 행 제1 열 발광 유닛(UT11)에 배치되는 제1-1 내지 제3-1 연결 배선들(CN1a, CN2a, CN3a)과 동일할 수 있다. 제2 행(Rk+1)에서의 발광 접속부들(CE)의 배열은 제1 행(Rk)에서의 발광 접속부들(CE)의 배열이 제2 방향(DR2)으로 쉬프트되어 제공된 것일 수 있다.
이에 따라, 도 4a에 도시된 바와 같이, 제1 서브 그룹들(G1) 및 제2 서브 그룹들(G2)은 행 방향 및 열 방향 각각에서 교번하여 배열될 수 있다. 인접한 제1 서브 그룹(G1) 및 제2 서브 그룹(G2)은 제2 방향(DR2)에서 마주하며 배치될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 발광 접속부들(CE)이 컨택 그룹(CG)을 이루며 서로 인접하게 배치됨으로써, 발광부의 발광 면적으로 활용할 수 있는 영역이 넓어질 수 있어, 발광부의 설계 자유도가 향상되고 발광부의 발광 면적을 넓게 확보할 수 있다.
도 4c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극(EL1, 이하 애노드)은 복수의 발광부들(EP1, EP2, EP3)에 공통으로 제공될 수 있다. 즉, 애노드(EL1)는 일체의 형상으로 제공되어 발광부들(EP1, EP2, EP3)이나 분할 구조물(SPR)과 중첩하여 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 애노드(EL1)에는 제1 구동 전압(VDD, 도 1 참조)이 인가되고 모든 발광부들(EP1, EP2, EP3)에 공통된 전압이 제공될 수 있다. 애노드(EL1)는 주변 영역(NDA)에서 제1 구동 전압(VDD, 도 1 참조)을 제공하는 제1 전원 라인(VDL, 도 2a 참조)과 접속되거나, 표시 영역(DA)에서 제1 전원 라인(VDL, 도 2a 참조)과 접속될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
한편, 본 실시예에 따른 애노드(EL1)에는 복수의 개구부들(OP-EL1)이 정의될 수 있고, 개구부들(OP-EL1)은 애노드(EL1) 층을 관통할 수 있다. 개구부들(OP-EL1)은 발광부들(EP)과는 비 중첩하는 위치에 배치될 수 있으며, 대체로 분할 구조물(SPR)과 중첩하는 위치에 정의될 수 있다. 개구부들(OP-EL1)은 애노드(EL1) 하측에 배치되는 유기층, 예를 들어 후술하는 제6 절연층(60, 도 5a 참조)으로부터 발생되는 가스의 배출을 용이하게 할 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(DP, 도 1 참조) 제조 과정에서 발광 소자의 하부에 배치된 유기층의 가스를 충분히 배출시킬 수 있고, 제조 이후에 유기층으로부터 배출되는 가스가 감소되어 발광 소자(LD, 도 2a 또는 도 2b 참조)가 열화되는 속도를 감소시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 발광 소자와 화소 구동부 사이에 연결 배선을 포함함으로써, 발광부들의 배열이나 형상은 변경하지 않고 캐소드 형상만을 변경하여도 발광 소자를 화소 구동부에 용이하게 접속시킬 수 있다. 이에 따라, 화소 구동부의 배치에 대한 설계 자유도가 향상될 수 있고, 표시 패널의 발광부 면적 또는 해상도를 용이하게 증가시킬 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 도 4a의 I-I'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도이다.
일 실시예의 표시 패널(DP)은 표시층(DPL) 및 표시층(DPL) 상에 배치된 감지층(ISL)을 포함할 수 있다. 표시층(DPL)은 베이스층(BS), 구동 소자층(DDL), 발광 소자층(LDL), 및 봉지층(ECL)을 포함할 수 있다. 구동 소자층(DDL)은 베이스층(BS) 상에 배치된 복수의 절연층들(10, 20, 30, 40, 50), 절연층들(10, 20, 30, 40, 50) 사이에 배치된 복수의 도전 패턴들과 반도체 패턴들을 포함할 수 있다. 도전 패턴들과 반도체 패턴들은 절연층들(10, 20, 30, 40, 50) 사이에 배치되어 화소 구동부(PDC)를 구성할 수 있다. 도 5a에는 용이한 설명을 위해 하나의 발광부가 배치된 영역 중 어느 일 영역의 단면을 도시하였다.
베이스층(BS)은 화소 구동부(PDC)가 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BS)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 베이스층(BS)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수도 있다.
베이스층(BS)은 다층구조를 가질 수 있다. 베이스층(BS)은 제1 고분자 수지층, 상기 제1 고분자 수지층 위에 배치된 실리콘 옥사이드(SiOx)층, 상기 실리콘 옥사이드층 위에 배치된 아몰퍼스 실리콘(a-Si)층, 및 상기 아몰퍼스 실리콘층 위에 배치된 제2 고분자 수지층을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 옥사이드층 및 상기 아몰퍼스 실리콘층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다.
상기 고분자 수지층은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 고분자 수지층은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 퍼릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "~~계" 수지는 "~~"의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
표시 패널(DP)은 베이스층(BS) 상에 배치되는 절연층들이나 도전층들 및 반도체층들 각각은 코팅 및 증착 등의 방식으로 형성될 수 있다. 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정들을 통해 유기층, 무기층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝되어 절연층에 홀이 형성되거나, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등이 형성될 수 있다.
구동 소자층(DDL)은 베이스층(BS) 상에 순차적으로 적층된 제1 내지 제5 절연층들(10, 20, 30, 40, 50) 및 화소 구동부(PDC)를 포함할 수 있다. 도 5a에는 화소 구동부(PDC) 중 하나의 트랜지스터(TR)와 2 개의 커패시터들(C1, C2)을 도시하였다. 트랜지스터(TR)는 연결 배선(CN)을 통해 발광 소자(LD)에 접속되는 트랜지스터, 즉 발광 소자(LD)의 캐소드(EL2)와 대응되는 노드(도 2a의 N4 또는 도 2b의 N2)에 접속되는 접속 트랜지스터와 대응되고, 구체적으로 도 2a의 제6 트랜지스터(T6)나 도 2b의 제1 트랜지스터(T1)와 대응될 수 있다. 한편, 도시되지 않았으나, 화소 구동부(PDC)를 구성하는 다른 트랜지스터들은 도 5a에 도시된 트랜지스터(TR, 이하 접속 트랜지스터)와 동일한 구조를 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 설명한 것이고 화소 구동부(PDC)를 구성하는 다른 트랜지스터들은 접속 트랜지스터(TR)와 상이한 구조를 가질 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 절연층(10)은 베이스층(BS) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층으로 도시되었다. 한편, 후술하는 절연층들은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 제1 절연층(10)은 하부 도전층(BCL)을 커버하는 것일 수 있다. 즉, 표시 패널(DP)은 접속 트랜지스터(TR)의 하부에 접속 트랜지스터(TR)에 중첩하게 배치된 하부 도전층(BCL)을 더 포함할 수 있다. 하부 도전층(BCL)은 베이스층(BS)의 분극 현상으로 인한 전기 퍼텐셜(Electric potential)이 접속 트랜지스터(TR)에 영향을 미치는 것을 차단할 수 있다. 또한, 하부 도전층(BCL)은 하부 도전층(BCL) 하부에서 접속 트랜지스터(TR)로 입사하는 광을 차단할 수 있다. 하부 도전층(BCL)과 베이스층(BS) 사이에는 무기 배리어층 및 버퍼층 중 적어도 하나가 더 배치될 수도 있다.
하부 도전층(BCL)은 반사형 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하부 도전층(BCL)은 티타늄(Ti), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 및 구리(Cu) 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 하부 도전층(BCL)은 소스 전극 패턴(W1)을 통해 접속 트랜지스터(TR)의 소스(또는, 반도체 패턴(SP)의 소스 영역(SR))와 연결될 수 있다. 이 경우, 하부 도전층(BCL)은 접속 트랜지스터(TR)의 소스와 동기화될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 하부 도전층(BCL)은 접속 트랜지스터(TR)의 게이트(또는, 게이트 전극(GE))에 접속되어 게이트와 동기화될 수도 있다. 또는, 하부 도전층(BCL)은 다른 전극에 연결되어 독립적으로 정전압 또는 펄스 신호를 인가 받을 수 있다. 또는, 하부 도전층(BCL)은 다른 도전 패턴으로부터 고립된(isolated) 형태로 구비될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 도전층(BCL)은 다양한 실시 형태로 제공될 수 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
접속 트랜지스터(TR)는 제1 절연층(10) 상에 배치된다. 접속 트랜지스터(TR)는 반도체 패턴(SP)과 게이트 전극(GE)을 포함할 수 있다. 반도체 패턴(SP)은 제1 절연층(10) 상에 배치될 수 있다. 반도체 패턴(SP)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO), 아연 산화물(ZnO) 또는 인듐 산화물(In2O3) 등의 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘, 저온다결정실리콘, 또는 다결정실리콘을 포함할 수도 있다.
제2 절연층(20)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴(SP)을 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제2 절연층(20)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.
반도체 패턴(SP)은 전도성 정도에 따라 구분되는 소스 영역(SR), 드레인 영역(DR), 및 채널 영역(CR, 또는 액티브 영역)을 포함할 수 있다. 채널 영역(CR)은 평면상에서 게이트 전극(GE)과 중첩하는 부분일 수 있다. 소스 영역(SR) 및 드레인 영역(DR)은 채널 영역(CR)을 사이에 두고 이격된 부분일 수 있다. 반도체 패턴(SP)이 산화물 반도체인 경우, 소스 영역(SR)과 드레인 영역(DR) 각각은 환원된 영역일 수 있다. 이에 따라, 소스 영역(SR)과 드레인 영역(DR)은 채널 영역(CR)에 비해 상대적으로 높은 환원 금속 함유율을 가진다. 또는, 반도체 패턴(SP)이 다결정 실리콘인 경우, 소스 영역(SR)과 드레인 영역(DR) 각각은 높은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
소스 영역(SR)과 드레인 영역(DR)은 채널 영역(CR)에 비해 상대적으로 높은 전도성을 가질 수 있다. 소스 영역(SR)는 접속 트랜지스터(TR)의 소스 전극과 대응되고 드레인 영역(DR)은 접속 트랜지스터(TR)의 드레인 전극과 대응될 수 있다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 복수의 도전 패턴들(W1, W2, CPE1, CPE2, CPE3) 중 소스 전극 패턴(W1) 및 드레인 전극 패턴(W2)이 더 구비될 수 있고, 소스 전극 패턴(W1) 및 드레인 전극 패턴(W2)은 각각 접속 트랜지스터(TR)의 소스 영역(SR) 및 드레인 영역(DR)에 각각 접속될 수 있다. 구체적으로, 별도의 소스 전극 패턴(W1)과 드레인 전극 패턴(W2)은 각각 화소 구동부(PDC)를 구성하는 라인들 중 하나와 일체로 형성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
게이트 전극(GE)은 제2 절연층(20) 상에 배치된다. 게이트 전극(GE)은 접속 트랜지스터(TR)의 게이트에 대응될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 반도체 패턴(SP) 상에 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 게이트 전극(GE)은 반도체 패턴(SP) 하측에 배치될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
게이트 전극(GE)은 티타늄(Ti), 은(Ag), 몰리브데늄(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 또는 이들의 합금 등을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
복수의 도전 패턴들(W1, W2, CPE1, CPE2, CPE3) 중 제1 커패시터 전극(CPE1)과 제2 커패시터 전극(CPE2)은 제1 커패시터(C1)를 구성한다. 제1 커패시터 전극(CPE1)과 제2 커패시터 전극(CPE2)은 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)을 사이에 두고 이격될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 커패시터 전극(CPE1)과 하부 도전층(BCL)은 일체의 형상을 가질 수도 있다. 또한, 제2 커패시터 전극(CPE2)과 게이트 전극(GE)은 일체의 형상을 가질 수도 있다.
제3 절연층(30) 상에는 제3 커패시터 전극(CPE3)이 배치될 수 있다. 제3 커패시터 전극(CPE3)은 제3 절연층(30)을 사이에 두고 제2 커패시터 전극(CPE2)과 이격되며 평면상에서 중첩할 수 있다. 제3 커패시터 전극(CPE3)은 제2 커패시터 전극(CPE2)과 제2 커패시터(C2)를 구성할 수 있다.
제3 커패시터 전극(CPE3) 상에는 제4 절연층(40)이 배치될 수 있다.
제4 절연층(40) 상에는 소스 전극 패턴(W1) 및 드레인 전극 패턴(W2)이 배치될 수 있다. 소스 전극 패턴(W1)은 제1 컨택홀(CNT1)을 통해서 접속 트랜지스터(TR)의 소스 영역(SR)에 연결될 수 있으며, 소스 전극 패턴(W1)과 반도체 패턴(SP)의 소스 영역(SR)은 접속 트랜지스터(TR)의 소스로 기능할 수 있다. 드레인 전극 패턴(W2)은 제2 컨택홀(CNT2)을 통해서 접속 트랜지스터(TR)의 드레인 영역(DR)에 연결될 수 있으며, 드레인 전극 패턴(W2)과 반도체 패턴(SP)의 드레인 영역(DR)은 접속 트랜지스터(TR)의 드레인으로 기능할 수 있다.
소스 전극 패턴(W1) 및 드레인 전극 패턴(W2) 상에는 제5 절연층(50)이 배치될 수 있다. 제5 절연층(50) 상에 연결 배선(CN)이 배치될 수 있다. 연결 배선(CN)은 접속 트랜지스터(TR)와 발광 소자(LD)를 연결한다. 연결 배선(CN)은 화소 구동부(PDC)와 발광 소자(LD)를 연결하는 접속 노드일 수 있다. 즉, 연결 배선(CN)은 도 2a에 도시된 제4 노드(N4)와 대응되거나, 도 2b에 도시된 제2 노드(N2)와 대응될 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 설명한 것이고, 연결 배선(CN)은 발광 소자(LD)와 접속될 수 있다면, 화소 구동부(PDC)의 설계에 따라 화소 구동부(PDC)를 구성하는 소자들 중 다양한 소자와의 연결 노드로 정의될 수 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
연결 배선(CN)은 3층 구조를 가질 수 있다. 구체적으로, 연결 배선(CN)은 제3 방향(DR3)을 따라 순차적으로 적층된 제1 층(L1), 제2 층(L2), 및 제3 층(L3)을 포함할 수 있다.
제1 및 제3 층들(L1, L3) 각각은 제2 층(L2)에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 제1 및 제3 층들(L1, L3)은 서로 동일한 물질을 포함하고, 제2 층(L2)은 제1 및 제3 층들(L1, L3) 각각과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 제2 층의 식각률(etch rate)은 제1 및 제3 층들(L1, L3) 각각의 식각률(etch rate)보다 클 수 있다. 즉, 제2 층(L2)은 제1 및 제3 층들(L1, L3) 각각에 대하여 식각 선택비가 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제3 층들(L1, L3) 각각은 티타늄(Ti)을 포함하고, 제2 층(L2)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 제1 내지 제3 층들(L1, L2, L3)의 물질은 어느 하나의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
제3 층(L3)의 측면은 제2 층(L2)의 측면으로부터 외측으로 돌출될 수 있다. 즉, 제2 층(L2)의 측면은 제3 층(L3)의 측면에 비해 내측에 배치되어 언더컷 형상 또는 오버행 구조를 가질 수 있다. 연결 배선(CN)의 팁부(TIP)는 제3 층(L3) 중 제2 층(L2)에 비해 돌출된 부분에 의해 정의될 수 있다.
구동 소자층(DDL)과 발광 소자층(LDL) 사이에는 제6 절연층(60)이 배치될 수 있다. 제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 상에 배치되어 연결 배선(CN)을 커버한다. 제5 절연층(50) 및 제6 절연층(60) 각각은 유기층일 수 있다. 예를 들어, 제5 절연층(50) 및 제6 절연층(60) 각각은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
제6 절연층(60)에는 연결 배선(CN)의 적어도 일부를 노출시키는 제1 컨택 개구부(OP1-C)가 정의될 수 있다. 구체적으로, 팁부(TIP)가 정의된 제3 층(L3)의 측면 및 이에 인접한 제1 및 제2 층들(L1, L2) 각각의 측면이 제6 절연층(60)으로부터 노출될 수 있다.
연결 배선(CN)은 제5 절연층(50)을 관통하여 접속 트랜지스터(TR)에 연결되고 제6 절연층(60)으로부터 노출된 일부를 통해 발광 소자층(LDL)의 발광 소자(LD)에 연결될 수 있다. 즉, 연결 배선(CN)은 접속 트랜지스터(TR)와 발광 소자(LD)를 연결한다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)에 있어서, 제6 절연층(60)은 생략될 수도 있고 복수로 제공될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제6 절연층(60) 상에는 발광 소자층(LDL)이 배치될 수 있다. 발광 소자층(LDL)은 화소 정의막(PDL), 발광 소자(LD), 및 분할 구조물(SPR)을 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 유기층일 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 화소 정의막(PDL)은 광을 흡수하는 성질을 가질 수 있으며, 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 블랙의 색상을 가질 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 차광 특성을 갖는 차광패턴에 해당할 수 있다.
화소 정의막(PDL)에는 관통하는 개구부(OP-E, 이하 발광 개구부)가 정의될 수 있다. 발광 개구부(OP-E)는 복수로 제공되어 발광 소자들마다 대응되어 배치될 수 있다. 발광 개구부(OP-E)는 발광 소자(LD)의 모든 구성들이 중첩하는 영역이며 실질적으로 발광 소자(LD)에 의해 발광되는 광이 표시되는 영역일 수 있다. 이에 따라, 상술한 발광부(EP, 도 3a 참조)의 형상은 실질적으로 발광 개구부(OP-E)의 평면상에서의 형상과 대응될 수 있다.
본 실시예에서, 화소 정의막(PDL)에는 제1 컨택 개구부(OP1-C)와 대응되는 제2 컨택 개구부(OP2-C)가 정의될 수 있다. 제2 컨택 개구부(OP2-C)는 발광 개구부(OP-E)와 이격될 수 있다. 제2 컨택 개구부(OP2-C)의 평면적은 제1 컨택 개구부(OP1-C)의 평면적보다 크거나 동일할 수 있다. 팁부(TIP)가 정의된 제3 층(L3)의 측면 및 이에 인접한 제1 및 제2 층들(L1, L2) 각각의 측면은 화소 정의막(PDL)으로부터 노출될 수 있다.
발광 소자(LD)는 제1 전극(EL1), 중간층(IML), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)은 반 투과성, 투과성, 또는 반사 전극일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 전극(EL1)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 파라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사층과, 반사층 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 포함할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO), 아연 산화물(ZnO) 또는 인듐 산화물(In2O3), 및 알루미늄 도핑된 아연 산화물(AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1 전극(EL1)은 ITO/Ag/ITO의 적층 구조물을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 전극(EL1)은 발광 소자(LD)의 애노드(anode)일 수 있고, 도 4c에서 전술한 애노드(EL1)에 대응될 수 있다. 즉, 제1 전극(EL1)은 제1 전원 라인(VDL, 도 2a 참조)과 접속될 수 있고 제1 구동 전압(VDD, 도 2a 참조)을 수신할 수 있다. 제1 전극(EL1)은 표시 영역(DA, 도 3a 참조) 내에서 제1 전원 라인(VDL, 도 2a 참조)과 접속되거나, 주변 영역(NDA, 도 3a 참조)에서 제1 전원 라인(VDL, 도 2a 참조)과 접속될 수 있다. 후자의 경우, 제1 전원 라인(VDL, 도 2a 참조)은 주변 영역(NDA, 도 3a 참조)에 배치되고 제1 전극(EL1)은 주변 영역(NDA, 도 3a 참조)까지 연장된 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에서, 제1 전극(EL1)은 발광 개구부(OP-E)에 중첩하고 분할 구조물(SPR)에 비 중첩하는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않는다. 화소의 제1 전극들은 일체의 형상을 갖고 일부 영역에서 개구부들이 정의된 메쉬 또는 격자 형상을 가질 수도 있다. 즉, 복수의 발광 소자들 각각의 제1 전극(EL1)에 동일한 제1 구동 전압(VDD, 도 2a 참조)이 인가될 수 있다면 제1 전극(EL1)의 형상은 다양하게 제공될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
중간층(IML)은 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된다. 중간층(IML)은 발광층(EML) 및 기능층(FNL)을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 발광 소자(LD)는 다양한 구조의 중간층(IML)을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 예를 들어, 기능층(FNL)은 복수의 층들로 제공되거나, 발광층(EML)을 사이에 두고 이격된 2 이상의 층들로 제공될 수 있다. 또는, 발명의 일 실시예에서, 기능층(FNL)은 생략될 수도 있다.
발광층(EML)은 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이의 전위차에 대응하는 에너지를 흡수하여 발광할 수 있다. 발광층(EML)은 유기 발광 물질을 포함하는 실시예로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고 발광층(EML)은 무기 발광 물질을 포함하거나, 유기 발광 물질과 무기 발광 물질의 혼합층으로 제공될 수도 있다.
발광층(EML)은 발광 개구부(OP-E)와 중첩하여 배치될 수 있다. 본 실시예에서 발광층(EML)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EML)이 발광부들(EP, 도 3a 참조) 각각에 분리되어 형성된 경우, 발광층(EML)은 레드, 그린, 블루 중 적어도 어느 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(EML)은 인접하는 발광부들(EP, 도 3a 참조)에 공통으로 제공된 일체의 형상을 가질 수도 있다. 이 경우, 발광층(EML)은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다. 한편, 발광층(EML)은 기능층(FNL)과 동일한 형상을 가질 수 있고 기능층(FNL)과 층 경계의 한정 없이 일체의 형상을 가진 중간층(IML)으로 제공될 수도 있다.
기능층(FNL)은 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 기능층(FNL)은 제1 전극(EL1)과 발광층(EML) 사이에 배치되거나, 제2 전극(EL2)과 발광층(EML) 사이에 배치될 수 있다. 또는, 제1 전극(EL1)과 발광층(EML) 사이 및 제2 전극(EL2)과 발광층(EML) 사이에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 발광층(EML)은 기능층(FNL) 내에 삽입된 것으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 기능층(FNL)은 발광층(EML)과 제1 전극(EL1) 사이에 배치된 층, 및/또는 발광층(EML)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 층을 포함할 수 있고, 각각 복수로 구비될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
기능층(FNL)은 전하의 이동을 제어할 수 있다. 기능층(FNL)은 정공 주입/수송 물질 및/또는 전자 주입/수송 물질을 포함할 수 있다. 기능층(FNL)은 전자 저지층, 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층, 및 전하 생성층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 전극(EL2)은 중간층(IML) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 상술한 바와 같이, 도 2a의 제4 노드(N4) 또는 도 2b의 제2 노드(N2)를 통해 화소 구동부(PDC)와 접속된다. 본 실시예에서, 제2 전극(EL2)은 연결 배선(CN)을 통해 접속 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결될 수 있다.
연결 배선(CN)은 구동 접속부(CD) 및 발광 접속부(CE)를 포함할 수 있다. 도 5a에는 용이한 설명을 위해 구동 접속부(CD)와 발광 접속부(CE)를 도시하고, 구동 접속부(CD)와 발광 접속부(CE)를 연결하는 연결 배선(CN)의 나머지 일부분은 생략하여 도시하였다.
구동 접속부(CD)는 연결 배선(CN) 중 화소 구동부(PDC)와 접속되는 부분이고 실질적으로 접속 트랜지스터(TR)와 접속되는 부분일 수 있다. 본 실시예에서, 구동 접속부(CD)는 제5 절연층(50)을 관통하여 접속 트랜지스터(TR)의 드레인 전극 패턴(W2)을 통해 반도체 패턴(SP)의 드레인 영역(DR)에 접속된다
발광 접속부(CE)는 연결 배선(CN) 중 발광 소자(LD)와 접속되는 부분일 수 있다. 연결 배선(CN)의 일측은 제6 절연층(60)의 제1 컨택 개구부(OP1-C) 및 화소 정의막(PDL)의 제2 컨택 개구부(OP2-C)에 의해 노출될 수 있다. 발광 접속부(CE)는 제6 절연층(60) 및 화소 정의막(PDL)으로부터 노출된 영역에 정의되고, 제2 전극(EL2)이 직접 접속되는 부분일 수 있다. 구체적으로, 제2 전극(EL2)은 제6 절연층(60)으로부터 노출된 제2 층(L2)의 측면에 접촉될 수 있다.
화소 정의막(PDL) 상에는 중간층(IML)이 배치될 수 있다. 중간층(IML)은 화소 정의막(PDL)의 제2 컨택 개구부(OP2-C)에 의해 노출된 제6 절연층(60)의 일부 영역 상에도 배치될 수 있다. 또한, 중간층(IML)은 제6 절연층(60)의 제1 컨택 개구부(OP1-C)에 의해 노출된 연결 배선(CN)의 일부 영역 상에도 배치될 수 있다.
중간층(IML)은 제5 절연층(50)의 상면을 따라 배치된 일 단과 연결 배선(CN)의 팁부(TIP)의 상면을 따라 배치된 타 단을 포함할 수 있다. 즉, 단면상으로 보면, 중간층(IML)은 발광 접속부(CE)가 정의된 영역에서 팁부(TIP)를 기준으로 하여 부분적으로 연결이 끊어진 형상일 수 있다. 다만, 평면상으로 보면, 중간층(IML)은 분할 구조물(SPR)에 의해 폐-라인으로 정의된 영역 내에서 전체적으로 연결된 일체의 형상일 수 있다.
제2 전극(EL2)은 제5 절연층(50)의 상면을 따라 배치된 제2 전극(EL2)의 일 단과 연결 배선(CN)의 팁부(TIP)의 상면을 따라 배치된 타 단을 포함할 수 있다. 즉, 단면상으로 보면, 제2 전극(EL2)은 발광 접속부(CE)가 정의된 영역에서 팁부(TIP)를 기준으로 하여 부분적으로 연결이 끊어진 형상일 수 있다. 다만, 평면상으로 보면, 제2 전극(EL2)은 분할 구조물(SPR)에 의해 폐-곡선으로 정의된 영역 내에서 전체적으로 연결된 일체의 형상일 수 있다.
제2 전극(EL2)의 일 단은 제2 층(L2)의 측면을 따라 배치되어 제2 층(L2)의 측면에 접촉할 수 있다. 구체적으로, 제2 전극(EL2)과 중간층(IML)의 증착 각도의 차이를 통해, 팁부(TIP)에 의해 중간층(IML)으로부터 노출된 제2 층(L2)의 측면에 제2 전극(EL2)이 접촉하도록 형성할 수 있다. 즉, 중간층(IML)에 대한 별도의 패터닝 공정 없이 제2 전극(EL2)이 연결 배선(CN)에 접속될 수 있고, 이에 따라, 발광 소자(LD)가 연결 배선(CN)을 통해 화소 구동부(PDC)와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에서, 분할 구조물(SPR)은 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 분할 구조물(SPR)은 유기물, 메탈, 투명 전극 중 적어도 하나를 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제2 전극(EL2) 및 중간층(IML)은 오픈 마스크를 통해 복수의 화소들에 공통으로 증착하여 형성될 수 있다. 이때, 제2 전극(EL2)은 분할 구조물(SPR)에 의해 분할되어, 제2 전극(EL2)은 각 발광부들(EP, 도 3a 참조)마다 분할된 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 전극(EL2)은 인접하는 화소들마다 전기적으로 독립될 수 있다.
분할 구조물(SPR)는 역테이퍼 형상을 가질 수 있다. 즉, 화소 정의막(PDL)의 상면(또는, 분할 구조물(SPR)의 하면)과 분할 구조물(SPR)의 내측면(IS)이 이루는 내각(θ1)은 둔각일 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 분할 구조물(SPR)이 각각의 화소마다 제2 전극(EL2) 전기적으로 단선시킬 수 있다면, 화소 정의막(PDL)의 상면과 분할 구조물(SPR)의 내측면(IS)이 이루는 내각(θ1)은 다양하게 설정될 수 있다.
분할 구조물(SPR)은 유기물을 포함하여 절연성을 가질 수 있다. 분할 구조물(SPR)에 의해서 증착층, 즉, 중간층(IML) 및 제2 전극(EL2)이 단선될 수 있다. 중간층(IML) 및 제2 전극(EL2)은 분할 구조물(SPR)에 의해서 인접한 발광 소자에 포함된 중간층(IML) 및 제2 전극(EL2)으로부터 분할될 수 있다.
분할 구조물(SPR)에 의해, 증착층에는 서로 이격된 단부들이 형성될 수 있다. 일 단부는 분할 구조물(SPR)로부터 이격되어 화소 정의막(PDL)에 위치하고, 다른 일 단부는 분할 구조물(SPR)의 내측면(IS)을 커버할 수 있다. 한편, 상기 이격된 단부들은 전기적 단선을 이루는 것을 의미할 수 있다. 즉, 증착층에 이격된 단부들이 형성되지 않고 물리적으로 연결된다 하더라도, 분할 구조물(SPR)의 내측면(IS)을 따라 형성된 증착층의 두께가 얇게 형성되어, 화소 정의막(PDL)에 위치한 증착층과 분할 구조물(SPR)의 내측면(IS)에 배치된 증착층 사이에 전기적 연결이 이루어지지 않는다면, 증착층은 분할 구조물(SPR)에 의해 분할된 것으로 볼 수 있다.
분할 구조물(SPR) 상에는 제1 더미 패턴층(UP1) 및 제2 더미 패턴층(UP2)이 배치될 수 있다.
제1 더미 패턴층(UP1)은 분할 구조물(SPR)의 상면(US) 및 내측면(IS) 상에 배치될 수 있다. 제1 더미 패턴층(UP1)은 중간층(IML)과 동일 물질을 포함할 수 있다. 제1 더미 패턴층(UP1)은 중간층(IML)을 공통적으로 형성할 때, 분할 구조물(SPR)에 의해 중간층(IML)으로부터 분리된 잔여물에 해당할 수 있다.
제2 더미 패턴층(UP2)은 제2 전극(EL2)과 동일 물질을 포함할 수 있다. 제2 더미 패턴층(UP2)은 제2 전극(EL2)을 공통적으로 형성할 때, 분할 구조물(SPR)에 의해 제2 전극(EL2)으로부터 분리된 잔여물에 해당할 수 있다.
본 발명에 따르면, 마스크를 통한 별도의 패터닝 공정이 없더라도, 제2 전극(EL2) 및 중간층(IML)의 형성 공정 시, 분할 구조물(SPR)의 측면(IS)에 제2 전극(EL2)이나 중간층(IML)이 형성되지 않거나 얇게 형성됨으로써, 각 화소별로 용이하게 분할될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제2 전극(EL2)과 중간층(IML)이 단선될 수 있다면, 분할 구조물(SPR)의 형상은 다양하게 변경될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
봉지층(ECL)은 화소 정의막(PDL) 상에 배치되어 분할 구조물(SPR)을 커버할 수 있다. 봉지층(ECL)은 순차적으로 적층된 제1 무기층(IL1), 유기층(OL), 및 제2 무기층(IL2)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 봉지층(ECL)은 복수의 무기층들 및 유기층들을 추가로 더 포함할 수도 있다.
제1 및 제2 무기층들(IL1, IL2)은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(LDL)을 보호하고, 유기층(OL)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(LDL)을 보호할 수 있다. 제1 및 제2 무기층들(IL1, IL2)은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층(OL)은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
감지층(ISL)은 외부 입력을 감지한다. 본 실시예에서, 감지층(ISL)은 연속된 공정을 통해 봉지층(ECL) 상에 형성될 수 있다. 이때, 감지층(ISL)은 봉지층(ECL) 상에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. '직접 배치된다'는 것은 감지층(ISL)과 봉지층(ECL) 사이에 다른 구성 요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 감지층(ISL)과 봉지층(ECL) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD, 도 1 참조)에 있어서, 감지층(ISL)은 별도로 형성된 후 제공될 수도 있고, 접착 부재를 통해 봉지층(ECL)과 결합될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 감지층(ISL)에 대해 자세한 설명은 도 6a 내지 도 12를 참조하여 후술하도록 한다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 용이한 설명을 위해 도 5b에는 도 5a와 대응되는 영역의 단면도를 도시하였다. 이하, 도 1 내지 도 5a에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 5b에 도시된 표시 패널(DP-1)은 도 5a에 도시된 표시 패널(DP)과 비교하여 캡핑 패턴(CPP)을 더 포함할 수 있다. 캡핑 패턴(CPP)은 제6 절연층(60) 상에 배치될 수 있다. 또한, 캡핑 패턴(CPP)은 제6 절연층(60)의 제1 컨택 개구부(OP1-C)에 의해 노출된 연결 배선(CN)의 일부 영역 상에도 배치될 수 있다. 캡핑 패턴(CPP)은 연결 배선(CN)과 중첩하여 배치될 수 있으며, 구체적으로 발광 접속부(CE) 및/또는 팁부(TIP)와 중첩하여 배치될 수 있다.
또한, 도 5b에 도시된 바와 같이, 단면상으로 보면, 캡핑 패턴(CPP)은 발광 접속부(CE)가 정의된 영역에서 팁부(TIP)를 기준으로 하여 부분적으로 연결이 끊어진 형상일 수 있다. 다만, 평면상으로 보면, 캡핑 패턴(CPP)은 분할 구조물(SPR)에 정의된 개구 영역들(OP, 도 4a 참조)내에서 전체적으로 연결된 일체의 형상일 수 있다. 한편, 부분적으로 연결이 끊어진 캡핑 패턴(CPP)의 일 단부는 연결 배선(CN)의 제2 층(L2)의 측면에 접촉할 수 있고, 캡핑 패턴(CPP)의 다른 일 단부는 연결 배선(CN)의 제3 층(L3)의 상부에 배치되어 팁부(TIP)를 커버할 수 있다.
캡핑 패턴(CPP)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제2 전극(EL2)은 캡핑 패턴(CPP)을 통해 연결 배선(CN)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 연결 배선(CN)의 제2 층(L2)의 측면에 캡핑 패턴(CPP)이 접촉하고 이후 제2 전극(EL2)이 캡핑 패턴(CPP)에 접촉하여 모두 전기적으로 연결될 수 있다. 캡핑 패턴(CPP)은 연결 배선(CN)의 제2 층(L2)에 비해 상대적으로 외측에 배치되고, 제2 전극(EL2)은 제2 층(L2)의 측면 대신 캡핑 패턴(CPP)에 접속되는 것만으로 제2 층(L2)과 전기적으로 연결될 수 있어, 연결 배선(CN)과 제2 전극(E2) 사이의 접속이 보다 용이하게 이루어질 수 있다.
또한, 캡핑 패턴(CPP)은 연결 배선(CN)의 제2 층(L2)에 비해 상대적으로 낮은 반응성을 가진 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캡핑 패턴(CPP)은 구리(Cu), 은(Ag), 투명 도전성 산화물 등을 포함할 수 있다. 상대적으로 낮은 반응성을 가진 캡핑 패턴(CPP)에 의해서 연결 배선(CN)의 제2 층(L2)의 측면이 보호됨에 따라, 제2 층(L2)에 포함된 물질의 산화를 방지할 수 있다. 또한, 제1 전극(EL1)을 패터닝하는 식각 공정 중에 제1 전극(EL1) 층에 포함되어 있던 은(Ag) 성분이 환원되어 불량을 유발하는 입자로 잔여하는 현상을 방지할 수도 있다.
일 실시예에서, 캡핑 패턴(CPP)은 제1 전극(EL1)과 동일한 공정을 통해 형성되고 제1 전극(EL1)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 설명한 것이고, 캡핑 패턴(CPP)은 제1 전극(EL1)과 다른 공정을 통해 형성될 수도 있고 다른 물질을 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지층의 평면도이다. 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성들의 단면도이다. 도 6b에는 봉지층(ECL) 및 감지층(ISL)의 단면을 개략적으로 도시하였다.
도 6a를 참조하면, 일 실시예의 감지층(ISL)은 감지 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)으로 구분될 수 있다. 감지 영역(AA)은 외부 입력을 감지하는 영역으로 도 3a의 표시 영역(DA)과 중첩할 수 있다.
감지층(ISL)은 감지 전극(TE), 트래이스 배선들(TL1, TL2, TL3), 센서 패드부(TPP1, TPP2, TPP3)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 감지 전극(TE)은 제1 감지 전극(TE1) 및 제2 감지 전극(TE2)을 포함할 수 있다.
제1 감지 전극(TE1)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다. 제1 감지 전극(TE1)은 복수로 구비되어, 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 감지 전극들(TE1) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 복수의 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제1 감지 패턴들(SP1) 사이에 배치되는 제1 중간 패턴들(BP1)을 포함할 수 있다.
제2 감지 전극(TE2)은 제1 감지 전극(TE1)과 전기적으로 절연되며, 제1 감지 전극(TE1)으로부터 독립적으로 구동될 수 있다. 제2 감지 전극(TE2)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다. 제2 감지 전극(TE2)은 복수로 구비되어 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 제2 감지 전극들(TE2)은 제1 감지 전극들(TE1)과 절연 교차되어 배치될 수 있다. 제2 감지 전극들(TE2) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 복수의 제2 감지 패턴들(SP2) 및 제2 감지 패턴들(SP2) 사이에 배치되는 제2 중간 패턴들(BP2)을 포함할 수 있다.
감지층(ISL)은 제1 감지 전극들(TE1)과 제2 감지 전극들(TE2)이 서로 상이한 전기적 신호를 수신하는 상호 정전 용량 방식으로 구동되거나, 제1 감지 전극들(TE1)과 제2 감지 전극들(TE2)이 동일한 전기적 신호를 수신하는 자기 정전 용량 방식으로 구동될 수 있다. 또는, 감지층(ISL)은 제1 감지 전극들(TE1)과 제2 감지 전극들(TE2) 각각의 저항 변화를 통해 외부 입력을 감지하는 저항막 방식으로 구동될 수도 있다. 감지층(ISL)은 제1 감지 전극들(TE1)과 제2 감지 전극들(TE2)을 통해 외부 입력을 감지할 수 있다면 다양한 방식으로 구동될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
트래이스 배선들(TL1, TL2, TL3)은 제1 감지 전극들(TE1) 중 대응되는 제1 감지 전극에 연결된 제1 트래이스 배선들(TL1, TL2), 및 제2 감지 전극들(TE2) 중 대응되는 제2 감지 전극에 연결된 제2 트래이스 배선들(TL3)을 포함할 수 있다.
제1 트래이스 배선들(TL1, TL2)은 제1-1 트래이스 배선들(TL1) 및 제1-2 트래이스 배선들(TL2)을 포함할 수 있다. 제1-1 트래이스 배선들(TL1)은 제1 감지 전극들(TE1) 중 상단에 배치된 제1 감지 전극들(TE1)의 대응되는 일단에 연결되고, 제1-2 트래이스 배선들(TL2)은 제1 감지 전극들(TE1) 중 하단에 배치된 제1 감지 전극들(TE1)의 대응되는 타단에 연결될 수 있다. 제2 트래이스 배선들(TL3)은 제2 감지 전극들(TE2)의 대응되는 일단에 연결될 수 있다. 트래이스 배선들(TL1, TL2, TL3)은 각각 센서 패드부들(TPP1, TPP2, TPP3) 내의 대응되는 센서 패드들과 연결될 수 있다.
트래이스 배선들(TL1, TL2, TL3)과 감지 전극들(TE1, TE2)의 연결 관계는 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상으로 연결될 수 있으며, 어느 하나로 한정되지 않는다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 실시예에 따른 감지층(ISL)은 복수의 도전층들(MTL1, MTL2)과 복수의 감지 절연층들(TIL1, TIL2, TIL3)을 포함할 수 있다. 감지 절연층들(TIL1, TIL2, TIL3)은 봉지층(ECL) 상에 순차적으로 적층된 제1 내지 제3 감지 절연층들(TIL1, TIL2, TIL3)을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 감지 절연층들(TIL1, TIL2, TIL3)을 구성하는 절연층의 개수는 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 감지 절연층(TIL1)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는, 제1 감지 절연층(TIL1)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 제1 감지 절연층(TIL1)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
도전층들(MTL1, MTL2)은 제1 도전층(MTL1)과 제2 도전층(MTL2)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(MTL1)은 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치되며 제2 감지 절연층(TIL2)에 의해 커버되고, 제2 도전층(MTL2)은 제2 감지 절연층(TIL2) 상에 배치되며 제3 감지 절연층(TIL3)에 의해 커버될 수 있다. 제2 도전층(MTL2) 중 일부는 제2 감지 절연층(TIL2)에 형성된 컨택홀을 통해 제1 도전층(MTL1)과 접속될 수 있다. 도전층들(MTL1, MTL2) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 또는 인듐아연주석산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그 밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
제1 도전층(MTL1)과 제2 도전층(MTL2) 각각은 투명 도전성 산화물을 포함할 수도 있고, 불투명한 도전 물질로 형성된 메탈 메쉬 형상을 가질 수도 있다. 제1 도전층(MTL1)과 제2 도전층(MTL2)은 발광 소자층(LDL, 도 5a 및 도 5b 참조)에 의해 생성된 광에 의해 표시되는 영상의 시인성이 저하되지 않는다면 다양한 재료 및 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 감지 전극(TE1) 및 제2 감지 전극(TE2)에 포함된 구성들은 제1 도전층(MTL1) 및 제2 도전층(MTL2) 중 어느 하나에 포함될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 감지 전극(TE1)의 제1 감지 패턴들(SP1)과 제1 중간 패턴들(BP1) 및 제2 감지 전극(TE2)의 제2 감지 패턴들(SP2)은 동일 층 상에 배치되고, 제2 감지 전극(TE2)의 제2 중간 패턴들(BP2)은 제1 감지 전극(TE1)의 제1 감지 패턴들(SP1)과 제1 중간 패턴들(BP1) 및 제2 감지 전극(TE2)과 다른 층 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 감지 패턴들(SP1), 제1 중간 패턴들(BP1), 및 제2 감지 패턴들(SP2)은 제2 도전층(MTL2)에 포함되고, 제2 중간 패턴들(BP2)은 제1 도전층(MTL1)에 포함될 수 있다.
트래이스 배선들(TL1, TL2, TL3)은 제1 도전층(MTL1) 및 제2 도전층(MTL2) 중 적어도 어느 한 층에 포함될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전층(MTL1) 및 제2 도전층(MTL2) 중 어느 하나에만 포함되는 한 층으로 제공되거나, 제1 도전층(MTL1) 및 제2 도전층(MTL2) 모두에 포함되는 두 층으로 제공될 수 있으며, 어느 하나로 한정되지 않는다.
제2 감지 절연층(TIL2) 및 제3 감지 절연층(TIL3) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또는, 제2 감지 절연층(TIL2) 및 제3 감지 절연층(TIL3) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도이다. 도 8a 및 도 8b는 도 7의 II-II'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 단면도이다. 도 9는 도 7의 AA' 영역을 확대한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 평면도이다. 도 10은 도 9의 III-III'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 단면도이다.
도 7에는, 발광부들(EP), 분할 구조물(SPR), 및 감지 전극들(TE)을 도시하였다. 설명의 편의 상 발광 접속부들(CE)도 함께 도시하였다. 발광부들(EP), 분할 구조물(SPR), 및 발광 접속부들(CE)에 관한 설명은 도 4a 내지 도 5b에서 전술한 설명이 동일하게 적용될 수 있다. 도 9는 도 7의 일부 영역을 확대한 것이다. 이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여, 발광부들(EP) 및 발광 접속부들(CE)과 감지 전극들(TE)의 배치 관계를 설명한다.
우선, 도 7을 참조하면, 감지 전극들(TE) 각각은 메쉬 라인(MSL1, MSL2)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 감지 전극들(TE)은 제1 감지 전극(TE1) 및 제2 감지 전극(TE2)을 포함할 수 있다. 제1 감지 전극들(TE1) 각각의 메쉬 라인은 제1 메쉬 라인(MSL1)으로 정의될 수 있다. 제1 메쉬 라인(MSL1)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 라인들로 이루어질 수 있다. 제2 감지 전극들(TE2) 각각의 메쉬 라인은 제2 메쉬 라인(MSL2)으로 정의될 수 있다. 제2 메쉬 라인(MSL2)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 라인들로 이루어질 수 있다.
본 실시예에서, 제1 감지 전극들(TE1) 각각의 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제1 중간 패턴들(BP1)은 일체의 형상으로 구성될 수 있고, 제1 메쉬 라인(MSL1)은 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제1 중간 패턴들(BP1)을 구성할 수 있다. 제2 감지 전극들(TE2) 각각의 제2 감지 패턴들(SP2)과 제2 중간 패턴들(BP2)은 서로 다른 층 상에 배치되며, 제2 메쉬 라인(MSL2)은 제2 감지 전극들(TE2) 중 제2 감지 패턴들(SP2)을 구성할 수 있다. 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 제2 도전층(MTL2, 도 6b 참조)에 포함된 것일 수 있다.
하나의 제1 감지 전극(TE1)에 포함된 제1 메쉬 라인(MSL1)은 전체적으로 제1 방향(DR1)으로 연장된 메쉬 형상을 가지며, 하나의 제2 감지 전극(TE2)에 포함된 제2 메쉬 라인(MSL2)은 전체적으로 제2 방향(DR2)으로 연장된 메쉬 형상을 가질 수 있다.
본 발명에서, 메쉬 라인(MSL1, MSL2)은 평면 상에서 분할 구조물(SPR)에 중첩하도록 배치될 수 있다. 평면 상에서, 제1 메쉬 라인(MSL1)은 전체적으로 분할 구조물(SPR)에 중첩하여 배치되고, 제2 메쉬 라인(MSL2)은 전체적으로 분할 구조물(SPR)에 중첩하여 배치될 수 있다.
평면 상에서, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 분할 구조물(SPR)에 중첩하는 영역 내에서 서로 이격하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 평면 상에서, 제1 메쉬 라인(MSL1)은 분할 구조물(SPR)에 중첩하는 영역 중 일부 영역에 배치되고, 제2 메쉬 라인(MSL2)은 분할 구조물(SPR)에 중첩하는 영역 중 제1 메쉬 라인(MSL1)이 배치된 영역을 제외한 다른 일부 영역에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 메쉬 라인(MSL1)은 분할 구조물(SPR)의 일부 영역의 형상과 동일하고, 제2 메쉬 라인(MSL2)은 분할 구조물(SPR)의 다른 일부 영역의 형상과 동일할 수 있다. 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 발광부들(EP및 발광 접속부들(CE)과 비-중첩할 수 있다.
일 발광 소자(LD, 도 5a 참조)에 정의된 발광부(EP) 및 상기 일 발광 소자(LD, 도 5a 참조)와 접속되는 발광 접속부(CE)는 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)의 적어도 일부에 의해 적어도 일부가 에워 쌓일 수 있다. 구체적으로, 일 발광 소자(LD, 도 5a 참조)에 정의된 발광부(EP) 및 상기 일 발광 소자(LD, 도 5a 참조)와 접속되는 발광 접속부(CE)는 배치되는 위치에 따라, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 중 어느 하나에 의해 전부 에워 쌓일 수 있고, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 중 어느 하나에 의해 적어도 일부가 에워 쌓일 수 있으며, 또는, 제1 메쉬 라인(MSL1)에 의해 일부 영역이 에워 쌓이고 제2 메쉬 라인(MSL2)에 의해 다른 일부 영역이 에워 쌓일 수 있다. 발광부(EP)와 비-중첩한 발광 접속부(CE)가 배치될 수 있도록, 분할 구조물(SPR)은 발광부(EP)로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 개구 영역들(OP, 도 4a 참조)을 제공함에 따라, 발광 접속부(CE)가 배치되는 영역에서 절곡된 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 또한 발광 접속부(CE)와 인접한 영역에서 일부 절곡된 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제2 도전층(MTL2, 도 6b 참조)이 표시층(DPL, 도 5a 참조) 상에 배치되더라도, 발광부들(EP)로부터 제공되는 광의 영향을 미치지 않을 수 있고, 출광 효율을 감소시키지 않는 표시장치(DD, 도 1 참조)를 제공할 수 있다.
도 7에는 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 각각이 교차 부분에서 라운드진 형상을 갖는 것을 예시적으로 도시하였다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 라운드진 부분 없이 수직을 이루는 테두리를 가지며 교차될 수 있다.
도 7 내지 도 8b를 참조하면, 본 발명에서, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 각각의 폭(W-M)은 단면 상에서 분할 구조물(SPR)의 폭(W-S)과 동일하거나 작을 수 있다. 본 명세서에서, 분할 구조물(SPR)의 폭(W-S)은 분할 구조물(SPR)의 최대 폭을 의미할 수 있다. 도 7 및 8a에는 단면 상에서 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 각각의 폭(W-M)이 분할 구조물(SPR)의 폭(W-S)과 동일한 것을 예시적으로 도시하였고, 도 8b에는 단면 상에서 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 각각의 폭(W-M)이 분할 구조물(SPR)의 폭(W-S)보다 작은 것을 예시적으로 도시하였다.
제2 중간 패턴들(BP2)은 브릿지 라인들(BL)을 포함할 수 있다. 브릿지 라인들(BL)은 제1 중간 패턴들(BP1)과 절연 교차될 수 있다. 브릿지 라인들(BL) 또한 분할 구조물(SPR)에 중첩하고, 단면 상에서 브릿지 라인들(BL) 각각의 폭(W-M 참고)은 분할 구조물의 폭(W-S)과 동일하거나 작을 수 있다. 마찬가지로, 도 8a에는 단면 상에서 브릿지 라인(BL)의 폭(W-M 참고)이 분할 구조물(SPR)의 폭(W-S)과 동일한 것을 예시적으로 도시하였고, 도 8b에는 단면 상에서 브릿지 라인(BL)의 폭(W-M 참고)이 분할 구조물(SPR)의 폭(W-S)보다 작은 것을 예시적으로 도시하였다.
도 8a 및 도 8b에는 제1 및 제2 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)과 브릿지 라인(BL)이 서로 동일한 폭(W-M)을 갖는 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 제1 및 제2 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)과 브릿지 라인(BL)은 서로 다른 폭을 가질 수도 있다.
본 발명에 따르면, 제1 감지 전극들(TE1) 및 제2 감지 전극들(TE2)은 분할 구조물(SPR)에 중첩하고 분할 구조물(SPR)보다 작거나 같은 폭을 갖도록 제공됨에 따라, 제1 감지 전극들(TE1) 및 제2 감지 전극들(TE2)은 발광 소자들(LD) 각각의 제2 전극(EL2)과 비-중첩하거나 제2 전극(EL2)과 중첩하는 면적을 최소화할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 전극(EL2)은 접속 트랜지스터(TR)에 전기적으로 연결되어, 영상 신호에 따라 가변되는 전압을 인가 받을 수 있다. 즉, 발광 소자(LD)의 상측에 배치된 제2 전극(EL2)에 가변 전압이 인가됨에 따라, 감지 전극들(TE1, TE2) 중 제2 전극(EL2)과 중첩하여 배치된 면적이 넓어질수록, 감지 전극들(TE1, TE2)은 제2 전극(EL2)에 인가되는 가변 전압의 영향을 받아, 노이즈를 발생 또는 증가시킬 수 있다.
한편, 본 발명에 따르면, 제1 감지 전극들(TE1) 및 제2 감지 전극들(TE2)을 발광 소자(LD)의 제2 전극(EL2)과 비-중첩하거나 제2 전극(EL2)과 중첩하는 면적이 최소화 되도록 배치함에 따라, 제2 전극(EL2)에 인가되는 가변 전압의 영향을 최소화할 수 있어, 제1 감지 전극들(TE1) 및 제2 감지 전극들(TE2)에 발생되는 노이즈를 제거 또는 저감할 수 있다.
본 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 발광 접속부들(CE)이 컨택 그룹들(CG1, CG2)을 이루며 인접하게 배치될 수 있다. 일 컨택 그룹(CG1, CG2)은 발광 접속부들(CE) 중 제2 방향(DR2)을 따라 정렬되며 인접하게 배치된 발광 접속부들(CE)을 포함할 수 있다.
컨택 그룹들(CG1, CG2)은 제1 컨택 그룹들(CG1) 및 제2 컨택 그룹들(CG2)을 포함할 수 있다. 제1 컨택 그룹들(CG1)은 제1-1 서브 그룹들(G11) 및 제2-1 서브 그룹들(G21)을 포함하고, 제2 컨택 그룹들(CG2)은 제1-2 서브 그룹들(G12) 및 제2-2 서브 그룹들(G22)을 포함할 수 있다.
도 9는 제1 컨택 그룹들(CG1) 중 하나의 제1-1 서브 그룹(G11) 및 하나의 제2-1 서브 그룹(G21)과 제2 컨택 그룹들(CG2) 중 하나의 제1-2 서브 그룹(G12) 및 하나의 제2-2 서브 그룹(G22)이 배치된 부분을 확대하여 도시한 것으로, 이하 도 9를 참조하여, 제1 및 제2 컨택 그룹들(CG1, CG2)과 제1 및 제2 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)의 배치 관계를 자세히 설명한다.
도 7 및 도 9를 참조하면, 제1 감지 전극들(TE1)과 제2 감지 전극들(TE2)은 제1 컨택 그룹들(CG1)에 인접한 부분에서 서로 절연 교차될 수 있다.
제1 컨택 그룹(CG1)은 제1-1 서브 그룹(G11) 및 제2-1 서브 그룹(G21)을 포함할 수 있다. 제1-1 서브 그룹(G11)은 제2 방향(DR2)을 따라 이격 배열된 제1-1 발광 접속부(11a), 제2-1 발광 접속부(21a), 및 제1-2 발광 접속부(12a)를 포함할 수 있다. 즉, 제1-1 발광 접속부(11a) 및 제1-2 발광 접속부(12a)는 제2-1 발광 접속부(21a)를 사이에 두고 제2 방향(DR2)에서 이격될 수 있다. 제2-1 서브 그룹(G21)은 제2 방향(DR2)을 따라 이격 배열된 제3-2 발광 접속부(32a), 제2-2 발광 접속부(22a), 및 제3-1 발광 접속부(31a)를 포함할 수 있다. 즉, 제3-1 발광 접속부(31a) 및 제3-2 발광 접속부(32a)는 제2-2 발광 접속부(22a)를 사이에 두고 제2 방향(DR2)에서 이격될 수 있다.
서로 인접한 제1-1 서브 그룹(G11) 및 제2-1 서브 그룹(G21)은 제1 방향(DR1)에서 마주할 수 있다. 구체적으로, 제1-1 서브 그룹(G11) 내의 제1-1, 제2-1, 및 제1-2 발광 접속부들(11a, 21a, 12a)은 각각 제2-1 서브 그룹(G21) 내의 제3-2, 제2-2, 및 제3-1 발광 접속부들(32a, 22a, 31a)과 제1 방향(DR1)에서 마주할 수 있다. 도 9에서의 제1 컨택 그룹(CG1) 내 제1-1 내지 제3-2 발광 접속부들(11a, 21a, 31a, 12a, 22a, 32a)은 각각 도 4b에서 상술한 제1-1 내지 제3-2 발광 접속부들(CE1a, CE2a, CE3a, CE1b, CE2b, CE3b)과 대응될 수 있다.
제1 감지 전극들(TE1)은 제1 감지 패턴들(SP1) 및 인접한 제1 감지 패턴들(SP1) 사이에 배치되는 제1 중간 패턴(BP1)을 포함하며, 제1 중간 패턴(BP1)은 제1 감지 패턴들(SP1)과 일체의 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 제1 중간 패턴(BP1)은 제1 컨택 그룹(CG1)에 인접하게 배치될 수 있다.
제1 중간 패턴(BP1)은 제1 중간 라인(AL1) 및 제2 중간 라인(AL2)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 중간 패턴(BP1)을 구성하는 제1 메쉬 라인(MSL1)은 제1 중간 라인(AL1) 및 제2 중간 라인(AL2)으로 정의될 수 있다. 제1 중간 라인(AL1) 및 제2 중간 라인(AL2) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장되고 제2 방향(DR2)에서 서로 이격될 수 있다.
제1 중간 라인(AL1)은 제1-1 서브 그룹(G11) 내에서 제1-1 발광 접속부(11a) 및 제2-1 발광 접속부(21a) 사이를 가로지르며 연장되고, 제2-1 서브 그룹(G21) 내에서 제3-2 발광 접속부(32a) 및 제2-2 발광 접속부(22a) 사이를 가로지르며 연장될 수 있다.
제2 중간 라인(AL2)은 제1-1 서브 그룹(G11) 내에서 제1-2 발광 접속부(12a) 및 제2-1 발광 접속부(21a) 사이를 가로지르며 연장되고, 제2-1 서브 그룹(G21) 내에서 제3-1 발광 접속부(31a) 및 제2-2 발광 접속부(22a) 사이를 가로지르며 연장될 수 있다.
제1 중간 라인(AL1) 및 제2 중간 라인(AL2) 사이에는 제1-1 서브 그룹(G11) 내의 제2-1 발광 접속부(21a) 및 제2-1 서브 그룹(G21) 내의 제2-2 발광 접속부(22a)가 배치될 수 있다.
제1 중간 패턴(BP1)이 인접한 발광 접속부들(CE) 사이를 가로지르도록 배치됨에 따라, 제1 감지 전극(TE1)은 분할 구조물(SPR)의 개구 영역(OP, 도 4a 참조) 중 제2-1 발광부(EP2a, 도 4b 참조)로부터 제1 방향(DR1)으로 돌출된 영역 및 제2-2 발광부(EP2b, 도 4b 참조)로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 돌출된 영역을 따라 연장될 수 있다. 이에 따라, 제1 감지 전극(TE1)과 제2 감지 전극(TE2)이 교차되는 영역에서, 제1 감지 전극(TE1)이 차지하는 면적을 줄일 수 있어, 동일 층에 위치한 제2 감지 패턴(SP2)이 배치될 수 있는 면적을 보다 넓힐 수 있다.
제2 감지 전극들(TE2)은 제2 감지 패턴들(SP2) 및 제2 감지 패턴들(SP2) 사이에 배치되는 제2 중간 패턴(BP2)을 포함하며, 제2 중간 패턴(BP2)은 제2 감지 패턴들(SP2)과 다른 층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 중간 패턴(BP2)은 제1 컨택 그룹(CG1)에 인접하게 배치될 수 있다. 일 예시로, 제2 중간 패턴(BP2)은 제1-1 서브 그룹(G11) 및 제2-1 서브 그룹(G21) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 제2 중간 패턴(BP2)은 제1-1 서브 그룹(G11) 및 제2-1 서브 그룹(G21) 사이를 가로지르며 제2 방향(DR2)으로 연장된 브릿지 라인(BL)을 포함할 수 있다. 브릿지 라인(BL)은 평면 상에서 제1 중간 라인(AL1) 및 제2 중간 라인(AL2)과 교차되어 배치되나, 제2 중간 패턴(BP2)은 제1 중간 패턴(BP1)과 서로 다른 층 상에 배치됨에 따라, 제1 중간 라인(AL1) 및 제2 중간 라인(AL2)과 절연 교차되도록 배치될 수 있다.
한편, 도 7 및 도 9는 제2 중간 패턴(BP2)의 평면 상에서의 형상 및 배치를 예시적으로 도시한 것으로, 제2 중간 패턴(BP2)은 인접한 제2 감지 패턴들(SP2)과 접속되어 인접한 제2 감지 패턴들(SP2)을 연결할 수 있다면, 분할 구조물(SPR)의 연장 방향을 따라 다양한 형상으로 연장될 수 있다.
도 10을 참조하면, 제2 중간 패턴(BP2)은 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치되며 제2 감지 절연층(TIL2)에 의해 커버되고, 제1 중간 패턴(BP1)은 제2 감지 절연층(TIL2) 상에 배치되며 제3 감지 절연층(TIL3)에 의해 커버될 수 있다. 이에 따라, 제1 중간 패턴(BP1)과 제2 중간 패턴(BP2)은 제2 감지 절연층(TIL2)에 의해 절연되어 교차될 수 있다. 제2 중간 패턴(BP2)은 제2 감지 절연층(TIL2)을 관통하여 형성된 컨택홀(CNT-I)을 통해 제2 감지 패턴들(SP2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 제2 중간 패턴(BP2)이 제2 감지 절연층(TIL2) 상에 배치되며 제3 감지 절연층(TIL3)에 의해 커버되고, 제1 감지 패턴들(SP1), 제1 중간 패턴(BP1), 및 제2 감지 패턴들(SP2)이 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치되며 제2 감지 절연층(TIL2)에 의해 커버될 수 있다. 즉, 제2 중간 패턴(BP2)이 제2 도전층(MTL2, 도 6b 참조)에 포함되고, 제1 감지 패턴들(SP1), 제1 중간 패턴(BP1), 및 제2 감지 패턴들(SP2)이 제1 도전층(MTL1, 도 6b 참조)에 포함될 수도 있다.
다시 도 7 및 도 9를 참조하면, 본 실시예에서는, 평면 상에서 바라볼 때, 발광부들(EP) 중 인접한 발광부들 사이(또는, 제2 전극들(EL2_1, EL2_2, EL2_3, 도 4b 참조) 중 인접한 제2 전극들 사이)에 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 중 하나의 메쉬 라인만이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 일 발광부(EP)의 일부는 제1 메쉬 라인(MSL1)에 의해 에워 쌓이고, 상기 일 발광부(EP)의 다른 일부는 제2 메쉬 라인(MSL2)에 에워 쌓일 수 있다. 서로 인접한 제1 및 제2 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)은 일 발광부(EP)를 사이에 두고 마주하는 부분을 포함할 수 있다.
또한, 평면 상에서 바라볼 때, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 인접한 발광부들(EP) 사이(또는, 인접한 제2 전극들(EL2_1, EL2_2, EL2_3, 도 4b 참조) 사이)에서 서로 이격되어 마주하는 부분(PP)을 포함할 수 있다. 상기 인접한 발광부들(EP) 사이에서 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 각각이 단절될 수 있고, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 각각의 단절된 부분이 서로 마주할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)은 상기 인접한 발광부들(EP) 사이에서 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 연장 방향인 제1 방향(DR1)에서 서로 마주할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 제2 컨택 그룹들(CG2)에 인접하여 서로 이격되어 마주하는 부분(QQ)을 포함할 수 있다.
제2 컨택 그룹(CG2)은 제1-2 서브 그룹(G12) 및 제2-2 서브 그룹(G22)을 포함할 수 있다. 제1-2 서브 그룹(G12)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 제1-1 발광 접속부(11b), 제2-1 발광 접속부(21b), 및 제1-2 발광 접속부(12b)를 포함할 수 있다. 제2-2 서브 그룹(G22)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 제3-2 발광 접속부(32b), 제2-2 발광 접속부(22b), 및 제3-1 발광 접속부(31b)를 포함할 수 있다. 도 9에서의 제2 컨택 그룹(CG2) 내 제1-1 내지 제3-2 발광 접속부들(11b, 21b, 31b, 12b, 22b, 32b)은 각각 도 4b에서 상술한 제1-1 내지 제3-2 발광 접속부들(CE1a, CE2a, CE3a, CE1b, CE2b, CE3b)과 대응될 수 있다. 즉, 본 실시예에서, 도 4b에서 상술한 컨택 그룹들(CG)은 위치에 따라, 일부는 도 9에서의 제1 컨택 그룹(CG1)에 대응될 수도 있고, 다른 일부는 제2 컨택 그룹(CG2)에 대응될 수도 있다.
본 실시예에서, 제1 감지 패턴들(SP1) 각각의 외곽을 구성하는 제1 메쉬 라인(MSL1)의 외곽 부분은 제2 컨택 그룹(CG2)에 포함된 발광 접속부들(CE)의 일부를 에워쌀 수 있다.
일 예시로, 상기 제1 메쉬 라인(MSL1)의 외곽 부분은 제1-2 서브 그룹(G12) 내의 제1-1 발광 접속부(11b) 및 제2-2 서브 그룹(G22) 내의 제3-2 발광 접속부(32b) 각각을 에워싸는 부분을 포함할 수 있고, 이는 제2 방향(DR2)에 대하여 가장 외측을 구성하는 부분에 대응될 수 있다. 도 9에는 하나의 제1 감지 패턴(SP1)의 일 측만을 확대하여 도시한 것으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 방향(DR2)에서 대향되는 타 측에서는, 제1-2 서브 그룹(G12) 내의 제1-2 발광 접속부(12b) 및 제2-2 서브 그룹(G22) 내의 제3-1 발광 접속부(31b) 각각의 일부를 에워쌀 수 있다.
본 실시예에서, 제2 감지 패턴들(SP2) 각각의 외곽을 구성하는 제2 메쉬 라인(MSL2)의 외곽 부분은 제2 컨택 그룹(CG2)에 포함된 발광 접속부들(CE)의 다른 일부를 에워쌀 수 있다.
일 예시로, 상기 제2 메쉬 라인(MSL2)의 외곽 부분은 제1-2 서브 그룹(G12) 내의 제1-2 발광 접속부(12b) 및 제2-2 서브 그룹(G22) 내의 제3-1 발광 접속부(31b) 각각의 일부를 에워싸는 부분을 포함할 수 있고, 이는 제1 방향(DR1)에 대하여 가장 외측을 구성하는 부분들에 대응될 수 있다. 도 9에는 하나의 제2 감지 패턴들(SP2)의 일 측을 확대하여 도시한 것으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 방향(DR2)에서 대향되는 타 측에서는, 제1-2 서브 그룹(G12) 내의 제1-1 발광 접속부(11b) 및 제2-2 서브 그룹(G22) 내의 제3-2 발광 접속부(32b) 각각의 일부를 에워쌀 수 있다.
이에 따라, 본 실시예에 따르면, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 제2 컨택 그룹(CG2)에 인접한 영역에서, 제2-1 발광 접속부(21b) 또는 제2-2 발광 접속부(22b)를 사이에 두고 서로 제2 방향(DR2)에서 마주할 수 있다. 즉, 제2 컨택 그룹(CG2)에 인접한 영역에서, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)의 이격 부분, 또는, 경계 부분이 형성될 수 있다.
제2 컨택 그룹(CG2) 내의 인접한 6개의 발광 접속부들(CE)에서는 서로 다른 값을 가지며 실시간으로 가변되는 전압들이 제2 전극들(EL2, 도 8a 참조)에 각각 제공됨에 따라, 전기장 변화가 비교적 크게 발생될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)의 이격 부분, 또는, 경계 부분을 제2 컨택 그룹(CG2) 내에 제공함에 따라, 제2 컨택 그룹(CG2) 내에는 제1 감지 전극(TE1) 및 제2 감지 전극(TE2)의 외곽 부분이 배치되어, 센싱 감도 변화에 대한 영향을 최소화할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 표시층(DDL, 도 8a 참조)과의 노이즈가 저감된 감지 전극들(TE1, TE2)이 제공될 수 있어, 잔상 불량이 개선되고 수명이 향상된 표시층(DDL, 도 8a 참조)을 제공함과 동시에 센싱 감도가 향상된 표시장치(DD, 도 1 참조)를 제공할 수 있다.
한편, 도 7 및 도 9에 도시한 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)의 형상 및 배치는 어느 하나의 실시예로 한정되는 것은 아니며, 서로 이격되며 교차 배열되는 제1 감지 전극들(TE1) 및 제2 감지 전극들(TE2)이 제공될 수 있고, 분할 구조물(SPR)에 중첩하도록 제공될 수 있다면 다양하게 변형될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역 내의 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 확대 평면도이다. 도 12는 도 11의 IV-IV'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도이다.
도 11에는, 발광부들(EP), 분할 구조물(SPR), 및 감지 전극들(TE)을 도시하였다. 설명의 편의 상 발광 접속부들(CE)도 함께 도시하였다. 이하, 도 11 및 도 12를 참조하여, 발광부들(EP) 및 발광 접속부들(CE)과 감지 전극들(TE)의 평면 상에서의 배치 관계를 설명한다.
본 실시예에서는, 발광부들(EP) 중 인접한 발광부들 사이(또는, 제2 전극들(EL2_1, EL2_2, EL2_3, 도 4b 참조) 중 인접한 제2 전극들 사이)에 복수 개의 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)이 배치될 수 있다. 인접한 발광부들(EP) 사이(또는, 인접한 제2 전극들(EL2_1, EL2_2, EL2_3, 도 4b 참조) 사이)에 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)이 모두 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 발광부들(EP) 각각은 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2) 중 어느 하나의 메쉬 라인에 의해 모두 에워 쌓일 수 있다. 이에 따라, 서로 인접한 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 인접한 발광부들(EP) 사이에서 직접 마주할 수 있다. 예를 들어, 제1 감지 전극(TE1)의 외곽을 이루는 제1 메쉬 라인(MSL1)의 외곽 부분은 모두 제2 감지 패턴(SP2)의 외곽을 이루는 제2 메쉬 라인(MSL2)의 외곽 부분과 직접 마주할 수 있다. 또한, 인접한 발광부들(EP) 사이에서 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)이 단절되어, 단절된 부분들이 서로 마주하는 부분을 포함하지 않을 수 있다.
일 실시예에서, 인접한 발광부들(EP) 사이에서 마주하는 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 서로 분리된 분할 구조물들(SPR1, SPR2) 상에 각각 배치될 수 있다. 즉, 분할 구조물(SPR1, SPR2)은 제1 메쉬 라인(MSL1)과 중첩하는 제1 분할 구조물(SPR1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)과 중첩하는 제2 분할 구조물(SPR2)을 포함하며, 제1 분할 구조물(SPR1)과 제2 분할 구조물(SPR2)은 분리되어 제공될 수 있다. 평면 상에서, 제1 메쉬 라인(MSL1)의 형상은 제1 분할 구조물(SPR1)의 적어도 일부 영역의 형상과 동일하고, 제2 메쉬 라인(MSL2)의 형상은 제2 분할 구조물(SPR2)의 적어도 일부 영역의 형상과 동일할 수 있다.
제1 메쉬 라인(MSL1)과 중첩하는 분할 구조물(SPR1)과 제2 메쉬 라인(MSL2)과 중첩하는 분할 구조물(SPR2)을 별도로 제공함에 따라, 제1 및 제2 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)이 마주하는 부분에서 제2 전극(EL2)과 동일 물질을 포함하는 제2 더미 패턴층(UP2)과의 커플링 노이즈가 발생되는 것을 저감할 수 있다.
발광 접속부들(CE)은 컨택 그룹들(CG1, CG2)을 이루며 인접하게 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 컨택 그룹들(CG1, CG2)은 제1 컨택 그룹들(CG1) 및 제2 컨택 그룹들(CG2)을 포함할 수 있다. 제1 컨택 그룹들(CG1)은 제1-1 서브 그룹(G11) 및 제2-1 서브 그룹(G21)을 포함하고, 제2 컨택 그룹들(CG2)은 제1-2 서브 그룹(G12) 및 제2-2 서브 그룹(G22)을 포함하며, 도 9에서 상술한 제1-1 서브 그룹(G11), 제2-1 서브 그룹(G21), 제1-2 서브 그룹(G12), 및 제2-2 서브 그룹(G22)에 관한 설명은 도 11에도 유사하게 적용될 수 있다.
본 실시예에 따른 제2 메쉬 라인(MSL2)은, 도 9에서 상술한 실시예 대비, 제1 컨택 그룹(CG1) 내의 제2-1 발광 접속부(21a), 제2-2 발광 접속부(22a), 제1-1 발광 접속부(11a), 및 제1-2 발광 접속부(12a) 각각을 더 에워싸도록, 제1 감지 전극(TE1)의 외곽을 따라 연장되어 제공될 수 있다. 이에 따라, 제1 컨택 그룹(CG1) 내의 인접한 발광 접속부들(CE) 사이에서, 제1 중간 라인(AL1) 및 제2 중간 라인(AL2) 각각과 제2 메쉬 라인(MSL2)은 연장 방향과 교차하는 방향에서 마주할 수 있다.
본 실시예에 따른 제2 메쉬 라인(MSL2)은, 도 9에서 상술한 실시예 대비, 제2 컨택 그룹(CG2) 내의 제2-1 발광 접속부(21b) 및 제2-2 발광 접속부(22b) 각각을 더 에워싸도록, 제1 감지 전극(TE1)의 외곽을 따라 연장되어 제공될 수 있다. 이에 따라, 제2 컨택 그룹(CG2) 내의 인접한 발광 접속부들(CE) 사이에서, 제1 메쉬 라인(MSL1)과 제2 메쉬 라인(MSL2)은 연장 방향과 교차하는 방향에서 마주할 수 있다.
이에 따라, 제1 감지 전극(TE1)과 제2 감지 전극(TE2)은 비교적 가까운 거리 내에서 경계를 형성할 수 있고, 일 예시로 제2 감지 전극(TE2)의 센싱 영역이 제1 감지 전극(TE1)의 센싱 영역과 더 인접하는 영역까지 확장될 수 있다. 따라서, 제1 감지 전극(TE1) 및 제2 감지 전극(TE2)의 경계 부분에서 센싱 감도가 향상될 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 제2 감지 전극(TE2)의 제1 방향(DR1)에 대한 양 끝단들은 제2 방향(DR2)으로 연장된 제2 메쉬 라인(MSL2)으로 이루어질 수 있다. 도 7에서 상술한 실시예에서는 제2 감지 전극들(TE2)이 단절된 끝 단들을 포함하여, 인접한 제2 감지 전극들(TE2)의 제2 메쉬 라인들(MSL2)이 연장 방향에서 마주하는 반면, 본 실시예에서는 인접한 제2 감지 전극들(TE2)의 끝단들을 이루는 제2 메쉬 라인들(MSL2)은 연장 방향의 교차 방향에서 마주하도록 배치될 수 있다. 따라서, 인접한 제2 감지 전극들(TE2) 또한 비교적 가까운 거리 내에서 경계를 형성함에 따라, 제2 감지 전극들(TE2)의 센싱 영역들은 서로 인접해지도록 확장될 수 있고, 인접한 제2 감지 전극들(TE2)의 경계 부분에서 센싱 감도가 향상될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따르면, 제1 감지 전극들(TE1) 및 제2 감지 전극들(TE2)이 센싱할 수 있는 영역이 넓어짐에 따라, 센싱 감도가 보다 더 향상된 표시장치(DD, 도 1 참조)가 제공될 수 있다.
한편, 도 11에는 제1 감지 패턴(SP1)의 내측을 이루는 제1 메쉬 라인(MSL1)과 제1 감지 패턴(SP1)의 외곽을 이루는 제1 메쉬 라인(MSL1)이 서로 다른 폭을 갖고, 제2 감지 패턴(SP2)의 내측을 이루는 제2 메쉬 라인(MSL2)과 제2 감지 패턴(SP2)의 외곽을 이루는 제2 메쉬 라인(MSL2)이 서로 다른 폭을 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 전체적으로 동일한 폭을 가질 수도 있다.
도 13는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성들을 도시한 평면도이다. 도 14a 및 도 14b는 도 13의 V-V'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 도시한 확대 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성을 도시한 평면도이다. 도 13에는 복수의 전원 라인들(VDL, VSL, VIL1, VIL2, VRL), 분할 구조물(SPR), 및 제2 더미 패턴층(UP2)의 일부를 확대하여 도시한 것이다.
도 13을 참조하면, 표시 패널(DP)에 필요한 여러 정전압이 제공되는 복수의 전원 라인들(VDL, VSL, VIL1, VIL2, VRL)은 주변 영역(NDA)을 경유할 수 있다. 복수의 전원 전압 라인들(VDL, VSL, VIL1, VIL2, VRL)은 표시 패널(DP) 전반에 배치된 화소들(PXij, 도 1 참조)로 전압을 제공하기 위해, 표시 영역(DA) 내에서 메쉬(mesh) 구조를 가질 수 있다.
복수의 전원 전압 라인들(VDL, VSL, VIL1, VIL2, VRL)은 제1 전원 라인(VDL), 제2 전원 라인(VSL), 제1 초기화 전압 라인(VIL1), 제2 초기화 전압 라인(VIL2), 및 기준 전압 라인(VRL)을 포함할 수 있다
본 실시예에서, 제1 전원 라인(VDL)은 제1 배선부(WP1), 제2 배선부(WP2), 제3 배선부(WP3), 및 제4 배선부(WP4)를 포함할 수 있다.
제1 배선부(WP1)는 표시 영역(DA)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배치되고, 제2 배선부(WP2)는 표시 영역(DA)으로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 배선부(WP1) 및 제2 배선부(WP2) 각각은 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수의 패턴들을 포함할 수 있다
제3 배선부(WP3)는 표시 영역(DA)으로부터 제2 방향(DR2)의 반대 방향으로 이격되어 배치되고, 제4 배선부(WP4)는 표시 영역(DA)으로부터 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제3 배선부(WP3) 및 제4 배선부(WP4) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제2 전원 라인(VSL)은 제5 배선부(WP5) 및 제6 배선부(WP6)를 포함할 수 있다.
제5 배선부(WP5)는 표시 영역(DA)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배치되고, 제6 배선부(WP6)는 표시 영역(DA)으로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 제5 배선부(WP5) 및 제6 배선부(WP6) 각각은 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수의 패턴들을 포함할 수 있다.
제1 초기화 전압 라인(VIL1), 제2 초기화 전압 라인(VIL2), 및 기준 전압 라인(VRL) 각각은 표시 영역(DA)과 제1 및 제2 전원 라인들(VDL, VSL) 사이에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 라인들을 포함할 수 있다.
다만, 제1 전원 라인(VDL), 제2 전원 라인(VSL), 제1 초기화 전압 라인(VIL1), 제2 초기화 전압 라인(VIL2), 및 기준 전압 라인(VRL)의 배치는 이에 한정되는 것은 아니며, 주변 영역(NDA) 내의 타 배선들의 설계, 표시 영역(DA) 및 주변 영역(NDA)의 형상/배치에 따라 다양하게 변경 가능하다.
패드들(PD)은 제1 방향(DR1)을 따라 주변 영역(NDA)의 끝 단에 인접하게 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 패드들(PD)의 일부는 주변 영역(NDA)의 상측 끝단에 인접하게 배치되고 패드들(PD)의 나머지 일부는 주변 영역(NDA)의 하측 끝단에 인접하게 배치될 수 있다. 다만, 패드들(PD)의 배치는 이에 한정되는 것은 아니며, 패드들(PD)은 주변 영역(NDA)의 일측 끝단에만 인접하게 배치될 수도 있다.
도 13에는 분할 구조물(SPR)은 외곽을 이루는 부분만 간략하게 도시하였다. 도 13에 도시된 분할 구조물(SPR) 중 외곽을 이루는 부분은 주변 영역(NDA)과 중첩하는 부분일 수 있으며, 도 4a에서 전술한 발광 유닛에 포함되는 부분을 제외한 나머지 부분에 대응될 수 있다. 일 실시예에서, 분할 구조물(SPR)의 외곽은 사각 형상을 이룰 수 있다.
도 13에는 제2 더미 패턴층(UP2) 중 주변 영역(NDA)에 배치된 부분만 간략하게 도시하였다. 본 발명에 따르면, 제2 더미 패턴층(UP2)은 제1 전원 라인(VDL) 및 제2 전원 라인(VSL) 중 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제2 더미 패턴층(UP2)은 제1 전원 라인(VDL)으로부터 제1 전원 전압(VDD, 도 1 참조)을 인가 받을 수 있고, 또는, 제2 더미 패턴층(UP2)은 제2 전원 라인(VSL)으로부터 제2 전원 전압(VSS, 도 1 참조)을 인가 받을 수 있다. 이때, 제2 더미 패턴층(UP2)은 더미 도전 패턴으로 지칭될 수 있다.
일 실시예에서, 주변 영역(NDA)에 배치된 제2 더미 패턴층(UP2)은 평면 상에서 바라볼 때 분할 구조물(SPR)의 외곽으로부터 제1 전원 라인(VDL)까지 연장될 수 있다. 이때, 제2 더미 패턴층(UP2)은 제1 전원 라인(VDL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 한편, 이에 한정되지 않고, 제2 더미 패턴층(UP2)은 제2 전원 라인(VSL)까지만 연장될 수도 있고, 이때, 제2 더미 패턴층(UP2)은 제2 전원 라인(VSL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 14a 및 도 14b는 표시 영역(DA) 및 주변 영역(NDA)의 경계 부분에서의 단면을 도시한 것이다.
도 14a를 참조하면, 제1 전원 라인(VDL)은 제4 절연층(40) 상에 배치될 수 있다. 제1 전원 라인(VDL)은 제5 절연층(50)에 정의된 컨택홀(CNT_P)에 의해 적어도 일부가 제5 절연층(50)으로부터 노출될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 전원 라인(VDL)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수도 있다. 또는, 제1 전원 라인(VDL)은 제4 절연층(40) 상에 배치된 라인과 제5 절연층(50) 상에 배치된 라인을 모두 포함하며, 두 라인들은 제4 절연층(40)을 관통하는 컨택홀에 의해 전기적으로 연결되어 제공될 수도 있다.
제2 방향(DR2)에서 바라본 단면 상에서, 제1 전극(EL1)은 표시 영역(DA)에서부터 제1 전원 라인(VDL)(예를 들어, 제3 배선부(WP3))까지 연장되어, 컨택홀(CNT_P)을 통해 제1 전원 라인(VDL)에 접속될 수 있다.
표시 패널(DP)은 더미 절연층(PDL-D)을 더 포함할 수 있다. 더미 절연층(PDL-D)은 제1 전원 라인(VDL)과 접속되는 제1 전극(EL1)의 끝단 부분을 커버할 수 있다.
분할 구조물(SPR)의 외측면(OS)과 하면(LS)이 이루는 내각(θ2)은 분할 구조물(SPR)의 내측면(IS)과 하면(LS)이 이루는 내각(θ1)과 상이할 수 있다. 외측면(OS)과 하면(LS)이 이루는 내각(θ2)은 내측면(IS)과 하면(LS)이 이루는 내각(θ1)보다 작을 수 있다. 일 실시예에서, 분할 구조물(SPR)의 외측면(OS)과 하면(LS)이 이루는 내각(θ2)은 95도 이하일 수 있다.
따라서, 분할 구조물(SPR)의 내측면(IS) 상에 배치된 제1 더미 패턴층(UT1)의 끝단은 인접한 중간층(IML)과 전기적 단선이 이루어지는 반면, 분할 구조물(SPR)의 외측면(OS) 상에 배치된 제1 더미 패턴층(UT1)은 외측면(OS)을 따라 분할 구조물(SPR)의 외측까지 연장될 수 있다.
제2 더미 페턴층(UP2)도 제1 더미 패턴층(UT1)과 유사하게 형성될 수 있다. 즉, 분할 구조물(SPR)의 내측면(IS) 상에 배치된 제2 더미 페턴층(UP2)의 끝단은 인접한 제2 전극(EL2)과 전기적 단선이 이루어지는 반면, 분할 구조물(SPR)의 외측면(OS) 상에 배치된 제2 더미 페턴층(UP2)은 외측면(OS)을 따라 분할 구조물(SPR)의 외측까지 연장될 수 있다. 제2 더미 페턴층(UP2)은 주변 영역(NDA)에서 제1 전극(EL1)과 접촉될 수 있다. 제2 더미 패턴층(UP2)은 제1 전원 라인(VDL)에 접속된 제1 전극(EL1)을 통해 제1 전원 전압(VDD, 도 1 참조)을 인가 받을 수 있다.
도 14b를 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 더미 패턴층(UP2)은 외측면(OS)으로부터 제1 전원 라인(VDL)까지 연장되어, 컨택홀(CNT_P)을 통해 제1 전원 라인(VDL)과 접촉되어 제1 전원 라인(VDL)에 접속될 수 있다. 이를 통해, 제2 더미 패턴층(UP2)은 제1 전원 전압(VDD, 도 1 참조)을 인가 받을 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제2 더미 패턴층(UP2)에 정전압이 인가되어, 제2 더미 패턴층(UP2)은 분할 구조물(SPR) 상에서 플로팅 상태로 제공되지 않을 수 있다. 이를 통해, 발광 소자(LD)에 도달하는 제2 더미 패턴층(UP2)의 전기적 간섭이 최소화되어, 발광 소자(LD)의 구동 전류의 오차를 저감할 수 있다. 발광 소자(LD)의 전기적 신뢰도가 개선됨에 따라, 화질 불량이 감소된 표시 패널(DP)이 제공될 수 있다. 또한, 감지층(ISL, 도 5a 참조)에 도달하는 제2 더미 패턴층(UP2)의 전기적 간섭도 최소화되어, 감지 신뢰도가 개선된 표시 패널(DP)이 제공될 수 있다.
한편, 도 13 내지 도 14b에는, 제2 더미 패턴층(UP2)이 제1 전원 라인(VDL)과 전기적으로 연결되는 것을 예시적으로 도시한 것으로, 제2 더미 패턴층(UP2)은 제2 전원 라인(VSL)과 전기적으로 연결될 수도 있고, 또는, 제1 초기화 전압 라인(VIL1), 제2 초기화 전압 라인(VIL2), 및 기준 전압 라인(VRL) 중 어느 하나와 전기적으로 연결될 수도 있다. 즉, 제2 더미 패턴층(UP2)은 정전압을 인가 받을 수 있으면, 연결되는 전압 라인의 종류는 어느 하나의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD: 표시장치
DPL: 표시층
SPR: 세퍼레이터 ISL: 감지층
TE1: 제1 감지 전극 TE2: 제2 감지 전극
MSL1: 제1 메쉬 라인 MSL2: 제2 메쉬 라인
CN: 연결 배선 CD: 구동 접속부
CE: 발광 접속부 CG: 컨택 그룹들
SPR: 세퍼레이터 ISL: 감지층
TE1: 제1 감지 전극 TE2: 제2 감지 전극
MSL1: 제1 메쉬 라인 MSL2: 제2 메쉬 라인
CN: 연결 배선 CD: 구동 접속부
CE: 발광 접속부 CG: 컨택 그룹들
Claims (31)
- 제1 개구 영역 및 제2 개구 영역을 포함하는 분할 구조물;
각각이 제1 전극 및 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자; 및
상기 분할 구조물 상에 배치되는 감지 전극을 포함하고,
상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극은 각각 상기 제1 개구 영역 및 상기 제2 개구 영역 내에 배치되고,
상기 감지 전극은 상기 분할 구조물에 중첩하는 메쉬 라인을 포함하고,
상기 메쉬 라인의 폭은 상기 분할 구조물의 폭보다 작거나 같은 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 감지 전극은,
제1 방향으로 연장된 제1 감지 전극; 및
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며 상기 제1 감지 전극과 절연 교차되는 제2 감지 전극을 포함하고,
상기 제1 감지 전극의 상기 메쉬 라인은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 연장된 제1 메쉬 라인으로 정의되고,
상기 제2 감지 전극의 상기 메쉬 라인은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 연장된 제2 메쉬 라인으로 정의되는 표시장치. - 제2 항에 있어서,
평면 상에서, 상기 제1 메쉬 라인은 상기 분할 구조물의 일부 영역의 형상과 동일하고, 상기 제2 메쉬 라인은 상기 분할 구조물의 다른 일부 영역의 형상과 동일한 표시장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극과 각각 전기적으로 연결되는 트랜지스터들을 더 포함하는 표시장치. - 제4 항에 있어서,
상기 트랜지스터들 중 상기 제1 발광 소자와 전기적으로 연결된 트랜지스터와 접속되는 제1 구동 접속부 및 상기 제1 구동 접속부와 평면 상에서 이격되며 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극과 접속되는 제1 발광 접속부를 포함하는 제1 연결 배선; 및
상기 트랜지스터들 중 상기 제2 발광 소자와 전기적으로 연결된 트랜지스터와 접속되는 제2 구동 접속부 및 상기 제2 구동 접속부와 평면 상에서 이격되며 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극과 접속되는 제2 발광 접속부를 포함하는 제2 연결 배선을 더 포함하는 표시장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 발광 소자는 제1 색 광을 방출하는 제1 발광부를 정의하고,
상기 제1 발광 접속부는 상기 제1 발광부와 평면 상에서 이격되고,
상기 제1 발광부 및 상기 제1 발광 접속부는 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인 중 적어도 하나에 의해 적어도 일부가 에워 쌓이는 표시장치. - 제4 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 제1 발광 접속부 및 상기 제2 발광 접속부와 인접한 부분에서 절곡된 형상을 갖는 표시장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 제1 발광 접속부 및 상기 제2 발광 접속부 중 어느 하나를 사이에 두고 서로 마주하는 부분을 포함하는 표시장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 제1 발광 접속부 및 상기 제2 발광 접속부 사이에서 서로 이격되어 마주하는 부분을 포함하는 표시장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 감지 전극은 상기 제1 방향으로 배열된 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 감지 패턴들 사이에 배치되는 제1 중간 패턴을 포함하고,
상기 제2 감지 전극은 상기 제2 방향으로 배열된 제2 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 사이에 배치되는 제2 중간 패턴을 포함하며,
상기 제1 감지 패턴들, 상기 제1 중간 패턴, 및 상기 제2 감지 패턴들은 서로 동일 층 상에 배치되고,
상기 제2 중간 패턴은 상기 제2 감지 패턴들과 다른 층 상에 배치되는 표시장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 중간 패턴 각각이 상기 제1 메쉬 라인으로 구성되고, 상기 제2 감지 패턴들 각각이 상기 제2 메쉬 라인으로 구성되는 표시장치. - 제11 항에 있어서,
상기 제1 감지 패턴들 각각의 외곽을 구성하는 상기 제1 메쉬 라인의 외곽 부분은 상기 제1 발광 접속부의 일부 또는 상기 제2 발광 접속부의 일부를 에워싸는 표시장치. - 제10 항에 있어서,
상기 분할 구조물 상에 배치되며 순차적으로 적층된 제1 절연층, 제2 절연층, 및 제3 절연층을 더 포함하고,
상기 제1 감지 패턴들, 상기 제1 중간 패턴, 및 상기 제2 감지 패턴들은 상기 제2 절연층 상에 배치되며 상기 제3 절연층에 의해 커버되고,
상기 제2 중간 패턴은 상기 제1 절연층 상에 배치되며 상기 제2 절연층에 의해 커버되고,
상기 제2 감지 패턴들과 상기 제2 중간 패턴은 상기 제2 절연층이 관통된 컨택홀을 통해 연결되는 표시장치. - 제2 항에 있어서,
제1-1 연결 배선, 제1-2 연결 배선, 및 제2-1 연결 배선을 더 포함하고,
상기 제1 발광 소자는 상기 제2 발광 소자를 사이에 두고 상기 제2 방향으로 이격 배치된 제1-1 발광 소자 및 제1-2 발광 소자를 포함하며,
상기 제1-1 연결 배선은 상기 제1-1 발광 소자와 접속되는 제1-1 발광 접속부를 포함하고, 상기 제1-2 연결 배선은 상기 제1-2 발광 소자와 접속되는 제1-2 발광 접속부를 포함하고, 상기 제2-1 연결 배선은 상기 제2 발광 소자와 접속되는 제2-1 발광 접속부를 포함하고,
상기 제1-1 발광 접속부 및 상기 제1-2 발광 접속부는 상기 제2-1 발광 접속부를 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격된 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제1-1 발광 소자는 제1 색 광을 제공하는 제1-1 발광부를 정의하고, 상기 제1-2 발광 소자는 상기 제1 색 광을 제공하는 제1-2 발광부를 정의하며, 상기 제2 발광 소자는 상기 제1 색 광과 다른 색을 갖는 제2 색 광을 제공하는 제2-1 발광부를 정의하며,
상기 제1-1 발광부 및 상기 제1-2 발광부는 상기 제2-1 발광부를 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격되고,
상기 제1-1 발광 접속부는 상기 제1-1 발광부로부터 상기 제2 방향으로 이격되고, 상기 제1-2 발광 접속부는 상기 제1-2 발광부로부터 상기 제2 방향의 반대 방향으로 이격된 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 라인의 일부는 상기 제1-1 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이에 배치되고, 상기 제2 메쉬 라인의 일부는 상기 제1-2 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이에 배치되는 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 라인의 일부 및 상기 제2 메쉬 라인의 일부는 상기 제1-1 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이에서 서로 이격되어 배치되는 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 감지 전극은 상기 제1 방향으로 배열된 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 감지 패턴들 사이에 배치된 제1 중간 패턴을 포함하고,
상기 제1 중간 패턴은 상기 제1 방향으로 연장된 제1 중간 라인 및 상기 제1 방향으로 연장되며 상기 제1 중간 라인과 상기 제2 방향에서 마주하는 제2 중간 라인을 포함하는 표시장치. - 제18 항에 있어서,
상기 제1 중간 라인은 상기 제1-1 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이를 가로지르고, 상기 제2 중간 라인은 상기 제1-2 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이를 가로지르는 표시장치. - 제18 항에 있어서,
상기 제2 감지 전극은 상기 제2 방향으로 배열된 제2 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 사이에 배치되는 제2 중간 패턴을 포함하고,
상기 제2 중간 패턴은 상기 제2 방향으로 연장되며 상기 제1 중간 라인 및 상기 제2 중간 라인과 절연 교차되는 브릿지 라인을 포함하는 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제1-2 발광 소자와 상기 제1 방향에서 이격된 제3-1 발광 소자;
상기 제2 발광 소자와 상기 제1 방향에서 이격된 제4 발광 소자;
상기 제1-1 발광 소자와 상기 제1 방향에서 이격되며 상기 제4 발광 소자를 사이에 두고 상기 제3-1 발광 소자와 상기 제2 방향에서 이격된 제3-2 발광 소자;
상기 제3-1 발광 소자와 접속되는 제3-1 발광 접속부를 포함하는 제3-1 연결 배선;
상기 제4 발광 소자와 접속되는 제2-2 발광 접속부를 포함하는 제2-2 연결 배선; 및
상기 제3-2 발광 소자와 접속되는 제3-2 발광 접속부를 포함하는 제3-2 연결 배선을 더 포함하고,
상기 제3-2, 제2-2, 및 제3-1 발광 접속부들은 각각 상기 제1-1, 제2-1, 및 제1-2 발광 접속부들과 상기 제1 방향에서 이격되며, 상기 제3-1 발광 접속부는 상기 제2-2 발광 접속부를 사이에 두고 상기 제3-2 발광 접속부와 상기 제2 방향에서 이격되는 표시장치. - 제21 항에 있어서,
상기 제1-1 및 제1-2 발광 소자들은 제1 색 광을 제공하는 제1-1 및 제1-2 발광부들을 각각 정의하고, 상기 제2 및 제4 발광 소자는 상기 제1 색 광과 다른 색을 갖는 제2 색 광을 제공하는 제2-1 및 제2-2 발광부들을 각각 정의하며, 상기 제3-1 및 제3-2 발광 소자들은 상기 제1 색 광 및 상기 제2 색 광과 다른 색을 갖는 제3 색 광을 제공하는 제3-1 및 제3-2 발광부들을 각각 정의하고,
상기 제1-1 발광부 및 상기 제1-2 발광부는 상기 제2-1 발광부를 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격되며, 상기 제3-1 발광부 및 상기 제3-2 발광부는 상기 제2-2 발광부를 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격되고, 상기 제1-1, 제2-1, 및 제1-2 발광부들은 각각 상기 제3-2, 제2-2, 및 제3-1 발광부들과 상기 제1 방향에서 각각 이격되고,
상기 제1-1 및 제3-2 발광 접속부들은 각각 상기 제1-1 및 제3-2 발광부들로부터 상기 제2 방향으로 이격되고, 상기 제1-2 및 제3-1 발광 접속부들은 각각 상기 제1-2 및 제3-2 발광부들로부터 상기 제2 방향의 반대 방향으로 이격되는 표시장치. - 제21 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 라인의 일부는 상기 제1-1 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이와 상기 제3-2 발광 접속부 및 상기 제2-2 발광 접속부 사이를 가로지르며,
상기 제2 메쉬 라인의 일부는 상기 제1-2 발광 접속부 및 상기 제2-1 발광 접속부 사이 또는 상기 제3-1 발광 접속부 및 상기 제2-2 발광 접속부 사이를 가로지르는 표시장치. - 제2 항에 있어서,
평면 상에서 바라볼 때, 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극 사이에서, 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인 각각은 일 방향으로 연장되고, 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 일 방향에서 서로 마주하는 표시장치. - 제2 항에 있어서,
평면 상에서 바라볼 때, 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극을 사이에 두고 이격되어 마주하는 표시장치. - 제2 항에 있어서,
평면 상에서 바라볼 때, 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 전극 사이에서, 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인 각각은 일 방향으로 연장되고, 상기 제1 메쉬 라인 및 상기 제2 메쉬 라인은 상기 일 방향과 교차하는 방향에서 서로 마주하는 표시장치. - 제26 항에 있어서,
상기 분할 구조물은 상기 제1 메쉬 라인과 중첩하는 제1 분할 구조물 및 상기 제2 메쉬 라인과 중첩하며 상기 제1 분할 구조물과 이격된 제2 분할 구조물을 포함하는 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 분할 구조물 상에 배치되고, 상기 제2 전극과 동일 물질을 포함하며, 전원 라인과 전기적으로 연결된 더미 도전 패턴을 더 포함하고,
상기 분할 구조물의 외측면의 적어도 일부는 상기 분할 구조물의 내측면보다 작은 내각을 갖는 표시장치. - 제28 항에 있어서,
상기 분할 구조물의 상기 외측면의 적어도 일부는 95도 이하의 내각을 갖는 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 및 상기 분할 구조물을 커버하는 봉지층을 더 포함하고,
상기 감지 전극은 상기 봉지층 상에 배치되는 표시장치. - 트랜지스터들;
상기 트랜지스터들 상에 배치된 발광 소자들;
상기 트랜지스터들 및 상기 발광 소자들을 각각 연결하는 연결 배선들;
제1 방향으로 연장되는 제1 감지 전극; 및
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며 상기 제1 감지 전극과 절연 교차하는 제2 감지 전극을 포함하며,
상기 연결 배선들 각각은,
상기 트랜지스터들 중 대응되는 트랜지스터와 접속되는 구동 접속부; 및
상기 구동 접속부와 평면 상에서 이격되며, 상기 발광 소자들 중 대응되는 발광 소자와 접속되는 발광 접속부를 포함하고,
상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 상기 연결 배선들의 상기 발광 접속부들 중 서로 인접한 발광 접속부들 사이에서 서로 이격되는 표시장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US18/389,876 US20240215352A1 (en) | 2022-12-21 | 2023-12-20 | Display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240099550A true KR20240099550A (ko) | 2024-07-01 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20240016032A1 (en) | Display panel and manufacturing method for the same | |
| KR20240099550A (ko) | 표시장치 | |
| KR20240065626A (ko) | 표시패널 | |
| EP4362639A1 (en) | Display panel | |
| EP4362638A1 (en) | Display panel | |
| KR20240104280A (ko) | 표시패널 | |
| US20240215352A1 (en) | Display device | |
| CN118284214A (zh) | 显示装置 | |
| KR20240056868A (ko) | 표시 패널 및 표시 장치 | |
| KR20240099541A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20240105588A (ko) | 표시 패널 및 표시 장치 | |
| US20240221619A1 (en) | Display panel and display device | |
| EP4362641A1 (en) | Display panel and method of manufacturing display panel | |
| KR20240057510A (ko) | 표시 패널 | |
| US20240211080A1 (en) | Display device | |
| US20240237441A9 (en) | Display panel and method of manufacturing display panel | |
| KR20240062175A (ko) | 표시패널 | |
| KR20240065576A (ko) | 표시패널 | |
| US20240237419A9 (en) | Display panel and display device | |
| US20240233649A9 (en) | Display panel | |
| US20240237422A9 (en) | Display panel | |
| KR20240056897A (ko) | 표시 패널 | |
| US20240215325A1 (en) | Display panel | |
| KR20240057503A (ko) | 표시 패널 | |
| CN118284229A (zh) | 显示装置 |