KR20240089776A - Ultrasonic systems and devices with improved acoustic properties - Google Patents

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KR20240089776A
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토마스 타터
드레이크 겐터
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엑소 이미징, 인크.
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Abstract

이미징 시스템 및 디바이스에 의해 생성되는 음향 이미징 아티팩트가 시스템 또는 디바이스에 다중싱크 매체를 포함시키는 것에 의해 감소되거나 제거될 수 있다. 다중싱크 재료는 이미징 시스템 또는 디바이스의 음향 반사 컴포넌트와 이미징 시스템 또는 디바이스의 초음파 트랜스듀서 사이에 배치될 수 있다. 열 전도성이고 음향 비전도성인 다중싱크 매체를 포함시키는 것은 이미징 시스템 및 디바이스 내에서의 열 관리를 유지하거나 개선시키면서 음향 이미징 아티팩트를 감소시킬 수 있다.Acoustic imaging artifacts produced by imaging systems and devices can be reduced or eliminated by including multisync media in the system or device. The multi-sync material may be disposed between the acoustically reflective component of the imaging system or device and the ultrasonic transducer of the imaging system or device. Incorporating a multi-sink medium that is thermally conductive and acoustically non-conductive can reduce acoustic imaging artifacts while maintaining or improving thermal management within imaging systems and devices.

Description

개선된 음향 특성을 갖는 초음파 시스템 및 디바이스Ultrasound systems and devices with improved acoustic properties

초음파 이미징은 의료 및 비파괴 검사에 널리 사용되는 기술이다. 초음파 시스템 및 디바이스는 전형적으로 음향 에너지를 생성하여 전송 축을 따라 음향적으로 이질적인 타깃 물질로 전송하고 타깃 물질로부터 반사되는 음향 에너지를 검출하여 음향파 전송 축을 따라 이미지를 생성할 수 있는 초음파 트랜스듀서를 포함한다. 전송된 음향 에너지파가 제1 음향 임피던스(Z1)를 갖는 타깃 물질의 제1 부분과 제2 음향 임피던스(Z2)를 갖는 타깃 물질의 제2 부분 사이의 계면을 만날 때 전송된 음향 에너지의 부분적 또는 전체적 반사가 발생할 수 있다. 반사된 음향 에너지파의 진폭을 결정하는 데 사용될 수 있는 반사 계수(R)는 수학식 1을 사용하여 계산될 수 있다:Ultrasound imaging is a widely used technology in medical and non-destructive testing. Ultrasound systems and devices typically include an ultrasonic transducer capable of generating acoustic energy and transmitting it along the transmission axis to an acoustically heterogeneous target material and detecting the acoustic energy reflected from the target material to generate an image along the acoustic wave transmission axis. do. of the transmitted acoustic energy when the transmitted acoustic energy wave encounters an interface between a first portion of the target material having a first acoustic impedance (Z 1 ) and a second portion of the target material having a second acoustic impedance (Z 2 ) Partial or total reflection may occur. The reflection coefficient (R), which can be used to determine the amplitude of the reflected acoustic energy wave, can be calculated using equation 1:

그렇지만, 초음파 시스템 및 디바이스의 성능은 초음파 프로브 트랜스듀서 및/또는 초음파 스캔의 타깃 물질의 주변 환경(immediate environment) 내의 음향 잡음 소스에 의해 부정적인 영향을 받을 수 있다. 초음파 에너지파가 2개 이상의 평행 음향 반사체 사이에서 반사될 때 반향(reverberation(reverb)) 아티팩트가 발생할 수 있다. 일부 경우에, 평행 음향 반사체를 포함하는 타깃 물질에서의 반향 아티팩트의 유해한 효과는 음향파가 타깃 물질로 전송되는 각도를 변경하는 것에 의해 줄어들 수 있다. 그렇지만, 이러한 전략은 평행 음향 반사체에 대해 초음파 트랜스듀서의 각도를 변경하는 것이 가능할 때에만 이용될 수 있다. 전송된 초음파(ultrasonic waves)의 입사각이 쉽게 변경되지 않는 음향 잡음 소스로 인해 반향 아티팩트가 발생하는 상황을 해결해야 할 필요성이 오랫동안 지속되었으며 해결되지 않았다.However, the performance of ultrasound systems and devices can be negatively affected by acoustic noise sources within the immediate environment of the ultrasound probe transducer and/or the target material of the ultrasound scan. Reverberation artifacts may occur when ultrasonic energy waves reflect between two or more parallel acoustic reflectors. In some cases, the deleterious effects of reverberation artifacts in target materials containing parallel acoustic reflectors can be reduced by changing the angle at which acoustic waves are transmitted to the target material. However, this strategy can only be used when it is possible to change the angle of the ultrasonic transducer with respect to the parallel acoustic reflector. There has been a long-standing and unresolved need to address situations where echo artifacts arise from acoustic noise sources where the angle of incidence of transmitted ultrasonic waves does not easily change.

초음파 스캔 타깃(예를 들면, 타깃 물질) 외부의 소스로 인해 발생하는 초음파 이미징 아티팩트는, 예를 들어, 이러한 장애를 해결하기 위한 초음파 디바이스 또는 시스템의 설계에 대한 조정이 상당한 성능 절충 및 설계 타협을 수반할 수 있기 때문에, 고유한 문제를 야기할 수 있다. 초음파 스캐닝 디바이스 내에서의 음향 반향으로 인해 발생하는 아티팩트와 관련하여 초음파 스캔 성능을 개선시킬 수 있는 시스템, 디바이스 및 방법이 본 명세서에 설명되어 있다. 다양한 양태들에서, 시스템, 디바이스 및 방법은 초음파 스캔 품질에 대한 음향 반향의 영향을 줄이면서 또한 열 관리 제약, 비용 제약 및/또는 프로브 기하학적 구조(probe geometry) 제약에 관련된 상충되는 설계 제약들을 극복할 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 일부 실시예들은 (예를 들면, 초음파 시스템 또는 디바이스의 음향 반사 컴포넌트로부터의) 초음파 시스템 또는 디바이스의 초음파 트랜스듀서의 음향 격리를 개선시키면서 동시에 이 시스템 또는 디바이스의 프로브 내에서의 열 전도를 개선시킬 수 있는 다중싱크 매체(multisink medium)(예를 들면, 주입 가능한 다중싱크 매체(400))를 포함한다.Ultrasound imaging artifacts resulting from sources external to the ultrasound scan target (e.g., target material), for example, may result in significant performance trade-offs and design compromises for which adjustments to the design of the ultrasound device or system to address these disturbances may occur. Because it can entail, it can cause unique problems. Described herein are systems, devices, and methods that can improve ultrasound scanning performance with respect to artifacts resulting from acoustic reflections within an ultrasound scanning device. In various aspects, systems, devices, and methods can reduce the impact of acoustic reflections on ultrasound scan quality while also overcoming conflicting design constraints related to thermal management constraints, cost constraints, and/or probe geometry constraints. You can. For example, some embodiments described herein may improve the acoustic isolation of an ultrasound transducer of an ultrasound system or device (e.g., from acoustically reflecting components of the ultrasound system or device) while simultaneously improving the acoustic isolation of the probe of the system or device. It includes a multisink medium (e.g., injectable multisink medium 400) that can improve heat conduction therein.

다양한 양태들에서, 이미징 디바이스는: 집적 회로 기판; 집적 회로 기판과 접촉하는 다중싱크 매체; 및 집적 회로 기판에 결합되는 하나 이상의 MEM(microelectromechanical) 초음파 트랜스듀서를 포함한다. 일부 경우에, 이미징 디바이스는 히트싱크를 더 포함한다. 일부 경우에, 히트싱크는 금속을 포함한다. 일부 경우에, 금속은 알루미늄이다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 히트싱크와 접촉한다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 하나 이상의 MEM 트랜스듀서와 히트싱크 사이에 적어도 부분적으로 배치된다. 일부 경우에, 디바이스는 집적 회로 기판에 결합된 하우징을 더 포함한다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 하우징과 접촉한다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 하나 이상의 MEM 트랜스듀서와 하우징 사이에 적어도 부분적으로 배치된다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 주입 가능하다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 29g/min의 유량(flow rate)을 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 40g/min의 유량을 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 1.5W/mK(Watts per meter-Kelvin)의 열전도율(thermal conductivity)을 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 3.7W/mK(Watts per meter-Kelvin)의 열전도율을 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 6.4W/mK(Watts per meter-Kelvin)의 열전도율을 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 0.5mm의 두께를 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 1.0mm의 두께를 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 1.5mm의 두께를 갖는다. 일부 경우에, 이미징 디바이스는 배킹 재료(backing material)를 더 포함한다. 일부 경우에, 배킹 재료는 배킹 라미네이트(backing laminate)를 포함한다.In various aspects, an imaging device includes: an integrated circuit board; A multi-sync medium in contact with an integrated circuit board; and one or more microelectromechanical (MEM) ultrasonic transducers coupled to the integrated circuit board. In some cases, the imaging device further includes a heat sink. In some cases, the heat sink includes metal. In some cases, the metal is aluminum. In some cases, multi-sink media is in contact with a heat sink. In some cases, a multi-sink medium is at least partially disposed between one or more MEM transducers and a heat sink. In some cases, the device further includes a housing coupled to an integrated circuit board. In some cases, multi-sink media is in contact with the housing. In some cases, the multisync medium is at least partially disposed between one or more MEM transducers and the housing. In some cases, multi-sink media is injectable. In some cases, the multisink media has a flow rate of at least 29 g/min. In some cases, the multisink media has a flow rate of at least 40 g/min. In some cases, the multi-sink media has a thermal conductivity of at least 1.5 Watts per meter-Kelvin (W/mK). In some cases, the multi-sink media has a thermal conductivity of at least 3.7 Watts per meter-Kelvin (W/mK). In some cases, the multi-sink media has a thermal conductivity of at least 6.4 Watts per meter-Kelvin (W/mK). In some cases, the multi-sink media has a thickness of at least 0.5 mm. In some cases, the multi-sink media has a thickness of at least 1.0 mm. In some cases, the multi-sink media has a thickness of at least 1.5 mm. In some cases, the imaging device further includes a backing material. In some cases, the backing material includes a backing laminate.

추가 양태들에서, 이미징 디바이스를 제조하는 방법은: 이미징 디바이스의 제1 컴포넌트를 집적 회로 기판에 결합시키는 것에 의해 내부 공동을 형성하는 단계; 하나 이상의 MEM(microelectromechanical) 초음파 트랜스듀서를 집적 회로 기판에 결합시키는 단계; 및 내부 공동에 다중싱크 매체를 주입하는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 제1 컴포넌트는 음향 반사 재료를 포함한다. 일부 경우에, 제1 컴포넌트는 집적 회로 보드에 직접 결합된다. 일부 경우에, 제1 컴포넌트는 히트싱크이다. 일부 경우에, 히트싱크는 금속을 포함한다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 히트싱크와 접촉한다. 일부 경우에, 제1 컴포넌트는 하우징을 포함한다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 하우징과 접촉한다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 하나 이상의 MEM 트랜스듀서와 제1 컴포넌트 사이에 적어도 부분적으로 배치된다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 주입 가능하다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 29g/min의 유량을 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 40g/min의 유량을 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 1.5W/mK(Watts per meter-Kelvin)의 열전도율을 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 3.7W/mK(Watts per meter-Kelvin)의 열전도율을 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 적어도 6.4W/mK(Watts per meter-Kelvin)의 열전도율을 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 주입 후 적어도 0.5mm의 두께를 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 주입 후 적어도 1.0mm의 두께를 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 주입 후 적어도 1.5mm의 두께를 갖는다. 일부 경우에, 이 방법은 배킹 재료를 집적 회로 기판에 결합시키는 단계를 더 포함한다. 일부 경우에, 배킹 재료는 배킹 라미네이트를 포함한다. 일부 경우에, 배킹 재료는 제1 컴포넌트와 하나 이상의 MEM 초음파 트랜스듀서 사이에 적어도 부분적으로 배치된다.In further aspects, a method of manufacturing an imaging device includes: forming an internal cavity by coupling a first component of the imaging device to an integrated circuit board; Coupling one or more microelectromechanical (MEM) ultrasonic transducers to an integrated circuit board; and injecting the multi-sink medium into the internal cavity. In some cases, the first component includes an acoustically reflective material. In some cases, the first component is coupled directly to the integrated circuit board. In some cases, the first component is a heatsink. In some cases, the heat sink includes metal. In some cases, multi-sink media is in contact with a heat sink. In some cases, the first component includes a housing. In some cases, multi-sink media is in contact with the housing. In some cases, a multisync medium is at least partially disposed between one or more MEM transducers and the first component. In some cases, multi-sink media is injectable. In some cases, the multisink media has a flow rate of at least 29 g/min. In some cases, the multisink media has a flow rate of at least 40 g/min. In some cases, the multi-sink media has a thermal conductivity of at least 1.5 Watts per meter-Kelvin (W/mK). In some cases, the multi-sink media has a thermal conductivity of at least 3.7 Watts per meter-Kelvin (W/mK). In some cases, the multi-sink media has a thermal conductivity of at least 6.4 Watts per meter-Kelvin (W/mK). In some cases, the multisink media has a thickness of at least 0.5 mm after injection. In some cases, the multisink media has a thickness of at least 1.0 mm after injection. In some cases, the multisink media has a thickness of at least 1.5 mm after injection. In some cases, the method further includes bonding the backing material to the integrated circuit board. In some cases, the backing material includes a backing laminate. In some cases, a backing material is at least partially disposed between the first component and one or more MEM ultrasonic transducers.

예시적인 실시예들을 제시하는 이하의 상세한 설명 및 첨부 도면을 참조함으로써 본 주제의 특징 및 장점에 대한 더 나은 이해가 얻어질 것이다:
도 1은 실시예들에 따른, 다중싱크 매체를 포함할 수 있는 이미징 디바이스의 블록 다이어그램을 도시한다.
도 2는 실시예들에 따른, 다중싱크 매체를 포함할 수 있는 이미징 디바이스의 개략적인 다이어그램을 도시한다.
도 3은 실시예들에 따른, 이미징 디바이스의 내부 컴포넌트들의 개략적인 다이어그램을 도시한다.
도 4는 실시예들에 따른, 이미징 디바이스의 내부 컴포넌트들의 대안 구성의 개략적인 다이어그램을 도시한다.
도 5는 실시예들에 따른, 이미징 디바이스의 내부 컴포넌트들의 제2 대안 구성의 개략적인 다이어그램을 도시한다.
도 6은 실시예들에 따른, 이미징 디바이스의 내부 컴포넌트들의 제3 대안 구성의 개략적인 다이어그램을 도시한다.
도 7a는 실시예들에 따른, 알루미늄 배킹을 사용하고 다중싱크 매체를 사용하지 않는 테스트 타깃 물질의 초음파 스캔을 도시한다.
도 7b는 실시예들에 따른, 동일한 스캔 설정으로 다중싱크 매체를 사용하는 도 7a의 테스트 타깃 물질의 초음파 스캔을 도시한다.
도 7c는 실시예들에 따른, 동일한 스캔 설정으로 에어 배킹(air backing)을 사용하고 다중싱크 매체를 사용하지 않는 도 7a의 테스트 타깃 물질의 초음파 스캔을 도시한다.
도 8a는 실시예들에 따른, 0.5 밀리미터 두께를 갖는 다중싱크 매체를 사용하는 테스트 타깃 물질의 초음파 스캔을 도시한다.
도 8b는 실시예들에 따른, 동일한 스캔 설정으로 1.0 밀리미터 두께를 갖는 다중싱크 매체를 사용하는 도 8a의 테스트 타깃 물질의 초음파 스캔을 도시한다.
도 8c는 실시예들에 따른, 동일한 스캔 설정으로 에어 배킹을 사용하고 다중싱크 매체를 사용하지 않는 도 8a의 테스트 타깃 물질의 초음파 스캔을 도시한다.
도 9a는 실시예들에 따른, 0.5 밀리미터 두께를 갖는 다중싱크 매체(400)를 사용하는 테스트 타깃 물질의 초음파 스캔을 도시한다.
도 9b는 실시예들에 따른, 동일한 스캔 설정으로 1.0 밀리미터 두께를 갖는 다중싱크 매체를 사용하는 도 9a의 테스트 타깃 물질의 초음파 스캔을 도시한다.
도 9c는 실시예들에 따른, 동일한 스캔 설정으로 에어 배킹을 사용하고 다중싱크 매체를 사용하지 않는 도 9a의 테스트 타깃 물질의 초음파 스캔을 도시한다.
도 10은 실시예들에 따른, 컴퓨팅 시스템의 블록 다이어그램을 도시한다.
A better understanding of the features and advantages of the subject matter will be obtained by reference to the following detailed description and accompanying drawings, which set forth exemplary embodiments:
1 shows a block diagram of an imaging device that may include multisync media, according to embodiments.
2 shows a schematic diagram of an imaging device that may include multisync media, according to embodiments.
Figure 3 shows a schematic diagram of internal components of an imaging device, according to embodiments.
Figure 4 shows a schematic diagram of an alternative configuration of internal components of an imaging device, according to embodiments.
Figure 5 shows a schematic diagram of a second alternative configuration of internal components of an imaging device, according to embodiments.
Figure 6 shows a schematic diagram of a third alternative configuration of internal components of an imaging device, according to embodiments.
FIG. 7A shows an ultrasonic scan of a test target material using an aluminum backing and no multi-sink media, according to embodiments.
FIG. 7B shows an ultrasound scan of the test target material of FIG. 7A using multi-sync media with the same scan settings, according to embodiments.
FIG. 7C shows an ultrasonic scan of the test target material of FIG. 7A using air backing and no multisync media with the same scan settings, according to embodiments.
FIG. 8A shows an ultrasound scan of a test target material using a multi-sink medium with a thickness of 0.5 millimeters, according to embodiments.
FIG. 8B shows an ultrasonic scan of the test target material of FIG. 8A using a multi-sync medium with 1.0 millimeter thickness with the same scan settings, according to embodiments.
FIG. 8C shows an ultrasonic scan of the test target material of FIG. 8A using air backing and no multi-sync media with the same scan settings, according to embodiments.
FIG. 9A shows an ultrasound scan of a test target material using a multi-sink medium 400 with a thickness of 0.5 millimeters, according to embodiments.
FIG. 9B shows an ultrasound scan of the test target material of FIG. 9A using a multi-sync medium with a 1.0 millimeter thickness with the same scan settings, according to embodiments.
FIG. 9C shows an ultrasonic scan of the test target material of FIG. 9A using air backing and no multi-sync media with the same scan settings, according to embodiments.
10 shows a block diagram of a computing system, according to embodiments.

초음파 이미징 응용 분야에서 개선된 음향 및 열 관리를 위한 시스템, 디바이스 및 방법이 본 명세서에 개시되어 있다. 초음파 이미징 시스템과 디바이스를 구성하는 기하학적 구조와 재료는, 열 관리 및 음향 아티팩트의 감소를 포함하여, 다수의 잠재적으로 상충되는 설계 제약들을 유발할 수 있다. 이미징 시스템 또는 디바이스의 온도에 민감한 전자 컴포넌트(예를 들면, 초음파 이미징 시스템 또는 디바이스의 프로브 헤드)로부터의 열 전달이 전형적으로 기존 기기에서는 전자 컴포넌트에 의해 생성되는 열의 통로로서 역할하는 열 전도성 금속 히트싱크를 통합하는 것에 의해 처리된다. 안타깝게도, 금속 히트싱크는 초음파 디바이스의 트랜스듀서(예를 들면, 초음파 프로브 헤드의 트랜스듀서)에 의해 생성되는 초음파 에너지(예를 들면, 초음파 파형 또는 패턴)가 디바이스의 본체를 통해 뒤로 이동하여 금속 히트싱크(및/또는 초음파 에너지를 반사할 수 있는 다른 컴포넌트)에서 반사되어 디바이스의 검출 트랜스듀서로 되돌아오는 것으로 인해 생길 수 있는, 반향 아티팩트를 포함한 음향 아티팩트를 생성할 수 있다. 한편, 이미징 시스템 또는 디바이스의 내부 공동 또는 공간에 존재할 수 있는 공기와 같은 많은 음향 절연 재료들은 열 에너지를 효율적으로 전도하지 못하여, 초음파 프로브 헤드 내의 프로세서 및 집적 회로와 같은 이미징 시스템 또는 디바이스의 열에 민감한 내부 컴포넌트로부터 열의 전도의 전반적인 효율성을 감소시킨다. 본 명세서에 설명된 바와 같이, 열 에너지를 효율적으로 전도하고 동시에 음향 에너지(예를 들면, 초음파 에너지)를 흡수하거나 소산시킬 수 있는 물질(예를 들면, 세라믹 입자를 포함하는 실리콘계 페이스트 또는 퍼티)을 포함할 수 있는 다중싱크 매체(400)는 이미징 트랜스듀서의 열 관리 및 음향 격리(acoustic isolation)를 동시에 개선시키기 위해 이미징 시스템 및 디바이스에 통합될 수 있다. 많은 경우에, 주입 가능하거나 성형 가능한 페이스트 또는 퍼티 형태로 사용될 수 있는 다중싱크 매체(400)는 이미징 시스템 또는 디바이스(예를 들면, 초음파 프로브 헤드)에서의 불규칙한 형상의 공동, 갭 또는 공간을 쉽게 채울 수 있어, (예를 들면, 전기 컴포넌트로부터, 음향 아티팩트를 생성할 가능성 외에도, 이러한 공동, 갭 및 공간을 채우기 위해 쉽게 제조되지 않을 수 있는, 금속 히트싱크 또는 하우징으로의) 열 유속(heat flux)을 위한 더 큰 단면적을 제공하여 음향 반사 재료의 보다 밀접하고/하거나 완전한 윤곽 형성(contouring)(예를 들면, 음향 격리)을 가능하게 할 수 있다.Disclosed herein are systems, devices, and methods for improved acoustic and thermal management in ultrasound imaging applications. The geometries and materials that make up ultrasound imaging systems and devices can introduce a number of potentially conflicting design constraints, including thermal management and reduction of acoustic artifacts. Heat transfer from temperature-sensitive electronic components of an imaging system or device (e.g., the probe head of an ultrasound imaging system or device) is typically achieved in conventional devices by a thermally conductive metal heatsink that acts as a conduit for the heat generated by the electronic components. It is processed by integrating. Unfortunately, metal heatsinks allow ultrasonic energy (e.g., an ultrasound wave or pattern) generated by an ultrasound device's transducer (e.g., a transducer in an ultrasound probe head) to travel back through the body of the device and heat the metal. Acoustic artifacts, including reverberation artifacts, may be created due to reflections from the sink (and/or other components that can reflect ultrasonic energy) back to the device's detection transducer. On the other hand, many acoustically insulating materials, such as air, that may be present in the internal cavities or spaces of an imaging system or device do not conduct heat energy efficiently, resulting in heat-sensitive internals of the imaging system or device, such as processors and integrated circuits within the ultrasound probe head. Reduces the overall efficiency of heat conduction from the component. As described herein, a material (e.g., a silicone-based paste or putty containing ceramic particles) that can efficiently conduct thermal energy and simultaneously absorb or dissipate acoustic energy (e.g., ultrasonic energy) is used. Multi-sync media 400 may be integrated into imaging systems and devices to simultaneously improve thermal management and acoustic isolation of the imaging transducer. In many cases, multisink media 400, which may be used in the form of an injectable or moldable paste or putty, can easily fill irregularly shaped cavities, gaps, or spaces in an imaging system or device (e.g., an ultrasound probe head). heat flux (e.g. from electrical components, to metal heatsinks or housings that may not be easily fabricated to fill these cavities, gaps and spaces, in addition to the potential for creating acoustic artifacts) may enable closer and/or more complete contouring (e.g., acoustic isolation) of the acoustically reflective material.

본 명세서에 설명된 바와 같이, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 초음파 에너지를 (예를 들면, 초음파 파형 또는 초음파 파형 그룹 또는 패턴의 형태로) 전송 및/또는 수신하도록 구성된 하드웨어 및/또는 소프트웨어를 포함할 수 있다. 많은 경우에, 타깃 물질(예를 들면, 타깃 조직)의 전부 또는 일부의 이미지는 이미징 디바이스 또는 시스템, 예를 들어, 본 명세서에 설명된 이미징 디바이스 또는 시스템의 초음파 트랜스듀서에 의한 초음파 에너지(예를 들면, 초음파 파형 또는 초음파 파형 패턴)의 처리 및/또는 분석에 의해 생성될 수 있다. 일부 경우에, 본 개시의 실시예들은 이미징 디바이스 및 시스템, 예를 들어, MEM(microelectromechanical system) 초음파 트랜스듀서를 포함하는 비침습적 초음파 이미징 디바이스 및 시스템에 관련될 수 있다. 일부 경우에, 초음파 트랜스듀서는 MUT(예를 들면, 단일 다이어프램(diaphragm) 또는 멤브레인(membrane)을 갖는 트랜스듀서 유닛(예를 들면, "픽셀"))를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 초음파 시스템 또는 디바이스는 하나로서 함께 기능하도록 그룹화된 복수의 트랜스듀서 유닛들을 포함할 수 있는 트랜스듀서 요소를 포함한다. 일부 경우에, 초음파 트랜스듀서가 수신된 초음파 에너지(예를 들면, 수신된 초음파 파형 또는 패턴)를 전기 신호 또는 패턴으로 변환할 수 있다. 일부 경우에, 초음파 디바이스 또는 시스템은 수신된 초음파 파형 또는 패턴으로부터 트랜스듀서에 의해 생성되는 전기 신호 또는 패턴을 타깃 물질의 전부 또는 일부의 이미지로 변환하도록 구성될 수 있다.As described herein, imaging system or device 100 includes hardware and/or software configured to transmit and/or receive ultrasound energy (e.g., in the form of an ultrasound waveform or group or pattern of ultrasound waves). can do. In many cases, an image of all or a portion of a target material (e.g., target tissue) is obtained by using ultrasound energy (e.g., For example, an ultrasound waveform or an ultrasound waveform pattern) may be generated by processing and/or analysis. In some cases, embodiments of the present disclosure may relate to imaging devices and systems, such as non-invasive ultrasound imaging devices and systems that include microelectromechanical system (MEM) ultrasound transducers. In some cases, an ultrasound transducer may include a MUT (e.g., a transducer unit (e.g., “pixel”) with a single diaphragm or membrane). In some cases, an ultrasound system or device includes a transducer element that may include a plurality of transducer units grouped to function together as one. In some cases, an ultrasonic transducer can convert received ultrasonic energy (e.g., a received ultrasonic waveform or pattern) into an electrical signal or pattern. In some cases, an ultrasound device or system may be configured to convert an electrical signal or pattern generated by a transducer from a received ultrasound waveform or pattern into an image of all or part of a target material.

도 1에 도시된 바와 같이, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 트랜스듀서(102)를 포함할 수 있다. 이미징 시스템 또는 디바이스(100)의 트랜스듀서(102)는 하나 이상의 트랜스듀서 요소(104)(예를 들면, 예를 들어, 어레이로 배열된, 복수의 트랜스듀서 요소들)를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)의 트랜스듀서(102)는 복수의 트랜스듀서 요소들(104)을 포함할 수 있다. 트랜스듀서 요소(104)는 복수의 트랜스듀서 유닛들을 포함할 수 있으며, 그 각각은 pMUT(piezoelectric micromachined ultrasound transducer) 또는 cMUT(capacitive micromachined ultrasound transducer)를 포함할 수 있다. pMUT 또는 cMUT는, 예를 들면, 타깃 물질의 이미징에서, 광음향(photo-acoustic) 또는 초음파 원리에 기초하여 작동할 수 있다. 트랜스듀서 요소(102) 또는 그 일부(예를 들면, 트랜스듀서 유닛)는 생물학적 조직(예를 들면, 인간 또는 동물의 뼈, 혈류, 및/또는 기관(들)을 포함함) 및/또는 다른 물질 또는 질량체(mass)를 포함할 수 있는 타깃 물질을 통해 전파되는 초음파 압력파(예를 들면, 초음파 에너지)를 생성하는 데 사용될 수 있다. 트랜스듀서 요소(102) 또는 그 일부(예를 들면, 트랜스듀서 유닛)는 (예를 들면, 타깃 물질의 일부로부터 반사된) 초음파 에너지를 수신하는 데 사용될 수 있다. 많은 경우에, 트랜스듀서 요소(102) 또는 그 일부는 수신된 초음파 에너지를 전기 신호로 변환하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 신호(예를 들면, 초음파 파형 또는 패턴)를 타깃 물질(예를 들면, 신체 또는 그 일부) 내로 전송하고 타깃 물질(예를 들면, 신체 또는 그 일부)로부터 반사 신호(reflected signal)(예를 들면, 초음파 파형 또는 패턴)를 수신할 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스는 초음파 에너지(예를 들면, 하나 이상의 초음파 파형 또는 패턴을 포함함)를 동시에 전송 및 수신하도록 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1 , imaging system or device 100 may include transducer 102 . Transducer 102 of imaging system or device 100 may include one or more transducer elements 104 (e.g., a plurality of transducer elements, e.g., arranged in an array). In some cases, transducer 102 of imaging system or device 100 may include a plurality of transducer elements 104. Transducer element 104 may include a plurality of transducer units, each of which may include a piezoelectric micromachined ultrasound transducer (pMUT) or a capacitive micromachined ultrasound transducer (cMUT). The pMUT or cMUT may operate based on photo-acoustic or ultrasonic principles, for example in imaging target materials. Transducer element 102 or a portion thereof (e.g., a transducer unit) may include biological tissue (e.g., human or animal bone, bloodstream, and/or organ(s)) and/or other material. Alternatively, it may be used to generate ultrasonic pressure waves (e.g., ultrasonic energy) that propagate through a target material, which may include a mass. Transducer element 102 or a portion thereof (e.g., a transducer unit) may be used to receive ultrasonic energy (e.g., reflected from a portion of a target material). In many cases, transducer element 102, or a portion thereof, may be configured to convert received ultrasonic energy into an electrical signal. In some cases, imaging system or device 100 transmits a signal (e.g., an ultrasound waveform or pattern) into a target material (e.g., a body or part thereof) and ) may receive a reflected signal (eg, an ultrasonic waveform or pattern). In some cases, an imaging system or device may be configured to simultaneously transmit and receive ultrasound energy (eg, including one or more ultrasound waveforms or patterns).

pMUT 또는 cMUT와 같은 트랜스듀서(또는 복수의 트랜스듀서들)는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 제조 프로세스를 활용하는 방법에서, 기판(260) 상에 효율적으로 형성될 수 있다. 종래의 트랜스듀서(예를 들면, 전통적인 벌크 압전(PZT) 트랜스듀서)와 비교하여, pMUT 트랜스듀서 요소 및 픽셀은 반도체 기판(260)(예를 들면, 집적 회로 기판) 상에 제작될 수 있는데, 이는 덜 부피가 크며, 제조 비용이 덜 들고, 덜 복잡할 수 있으며, 전통적인 PZT 트랜스듀서 기판보다 더 높은 성능의 전자/트랜스듀서 상호 연결을 가질 수 있다. 많은 경우에, pMUT를 포함하는 이미징 시스템 및 디바이스(100)는 작동 주파수의 더 큰 유연성을 가능하게 할 수 있고 더 높은 품질의 이미지를 생성할 수 있다.A transducer (or multiple transducers), such as a pMUT or cMUT, can be efficiently formed on substrate 260, for example, in a method utilizing a semiconductor wafer fabrication process. Compared to conventional transducers (e.g., traditional bulk piezoelectric (PZT) transducers), pMUT transducer elements and pixels can be fabricated on a semiconductor substrate 260 (e.g., an integrated circuit board). It is less bulky, less expensive to manufacture, can be less complex, and can have higher performance electronic/transducer interconnects than traditional PZT transducer substrates. In many cases, imaging systems and devices 100 that include a pMUT can enable greater flexibility in operating frequency and can produce higher quality images.

일부 경우에, 기판(260)(예를 들면, 집적 회로 기판)은 반도체 웨이퍼를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 반도체 웨이퍼는 길이가 6인치, 8인치, 12인치, 6 내지 8인치, 8 내지 12인치, 6 내지 12인치, 6인치 미만, 또는 12인치 초과일 수 있다. 일부 경우에, 반도체 웨이퍼는 실리콘 기판 상에 하나 이상의 실리콘 이산화물(SiO2)층을 형성하는 것에 의해 제조될 수 있다. 반도체 웨이퍼의 제조에서의 추가 처리는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 집적 회로 기판(260)에 결합될 전자 컴포넌트를 위한 상호연결부(interconnect) 및 본드 패드로서 역할하는 금속층 또는 경로의 추가(예를 들면, 퇴적 또는 에칭 프로세스를 포함함)를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 집적 회로 기판(260)에 공동이 에칭될 수 있다.In some cases, substrate 260 (e.g., an integrated circuit substrate) may include a semiconductor wafer. In some cases, the semiconductor wafer may be 6 inches, 8 inches, 12 inches, 6 to 8 inches, 8 to 12 inches, 6 to 12 inches, less than 6 inches, or more than 12 inches in length. In some cases, semiconductor wafers may be manufactured by forming one or more silicon dioxide (SiO 2 ) layers on a silicon substrate. Additional processing in the fabrication of semiconductor wafers may include, for example, the addition of metal layers or paths (e.g., including deposition or etching processes). In some cases, cavities may be etched into integrated circuit substrate 260.

이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 트랜스듀서의 작동, 전송되는 초음파 파형 또는 패턴의 형성, 및/또는 (예를 들면, 타깃 물질 또는 그 일부로부터) (예를 들면, 반사된) 초음파 에너지를 수신할 시에 트랜스듀서에 의해 생성되는 전자 신호의 처리를 위한 전자 장치를 포함할 수 있는 ASIC(application specific integrated circuit)을 포함할 수 있다. 일부 경우에, ASIC은 하나 이상의 송신 드라이버, (예를 들면, 이미징될 물체(object) 또는 물질로부터 다시 반사된 후 트랜스듀서에 의해 수신되었을 수 있는, 수신된 초음파 에너지(예를 들면, 에코 신호)에 대응하는 전기 에너지를 처리하기 위한 감지 회로, 및/또는 이미징 시스템 또는 디바이스(100)의 기능과 연관된 다른 동작을 제어하기 위한 다른 처리 회로를 포함할 수 있다. 일부 경우에, ASIC은 기판(260)(예를 들면, 반도체 웨이퍼 집적 회로 기판과 같은 반도체 웨이퍼) 상에 형성될 수 있다. 일부 경우에, ASIC은, 예를 들어, 기생 손실(parasitic loss)을 감소시키기 위해, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)의 트랜스듀서(예를 들면, pMUT 또는 cMUT) 요소 또는 픽셀에 근접하게 위치할(예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100) 내에 배치될) 수 있다. 예를 들어, ASIC은 트랜스듀서(예를 들면, 트랜스듀서 요소 어레이)로부터 50 마이크로미터 이하에 위치할 수 있다. ASIC은 이미징 시스템 또는 디바이스(100)의 기판(260)(예를 들면, 반도체 웨이퍼 집적 회로 기판)에 직접 결합될 수 있다. 일부 경우에, ASIC은 이미징 시스템 또는 디바이스(100)의 트랜스듀서가 직접 결합되는 것과 동일한 집적 회로 기판(260)(예를 들면, 반도체 웨이퍼 기판)에 직접 결합된다. 예를 들어, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)의 트랜스듀서는, 예를 들어 저온 압전 재료 스퍼터링 및/또는 ASIC과 호환되는 다른 저온 처리를 사용하여, ASIC이 제조되는 집적 회로 기판(260)에 결합될 수 있다. 일부 경우에, ASIC은 (예를 들면, 적층 웨이퍼 대 웨이퍼 상호 연결(stacked wafer-to-wafer interconnection)을 통해) 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 트랜스듀서에 직접 결합되는 집적 회로 기판(260)(예를 들면, 반도체 웨이퍼 기판)에 간접적으로 결합된다. 예를 들어, ASIC은 트랜스듀서에 간접적으로 결합되는 제1 집적 회로 기판(260)에 직접 결합될 수 있다(예를 들면, 여기서 제1 집적 회로 기판은 트랜스듀서에 직접 결합되는 제2 집적 회로 기판(260)에 직접 결합된다). 일부 경우에, ASIC(또는 ASIC에 결합되는 집적 회로 기판(260))은 100 마이크로미터 미만만큼 트랜스듀서 요소 또는 어레이(또는 트랜스듀서 요소 또는 어레이에 결합되는 반도체 웨이퍼 기판(260))로부터 공간적으로 분리될 수 있다. 일부 경우에, ASIC은 pMUT 트랜스듀서(예를 들면, pMUT 요소를 포함함)에 비해 유사하거나 동일한 풋프린트(footprint)를 가질 수 있다. ASIC은 상호연결부를 통해 트랜스듀서에 결합될 수 있다.Imaging system or device 100 may operate a transducer, form a transmitted ultrasound waveform or pattern, and/or receive ultrasound energy (e.g., reflected) (e.g., from a target material or portion thereof). It may include an application specific integrated circuit (ASIC) that may include an electronic device for processing an electronic signal generated by the transducer. In some cases, the ASIC may be configured to include one or more transmit drivers (e.g., the received ultrasonic energy (e.g., echo signal) that may have been received by the transducer after being reflected back from the object or material to be imaged). In some cases, the ASIC may include sensing circuitry for processing corresponding electrical energy, and/or other processing circuitry for controlling other operations associated with the functionality of the imaging system or device 100. ) (e.g., a semiconductor wafer, such as a semiconductor wafer integrated circuit substrate). In some cases, an ASIC may be formed on an imaging system or device (e.g., to reduce parasitic losses). For example, the ASIC may be located in proximity to a transducer (e.g., pMUT or cMUT) element or pixel of 100 (e.g., disposed within imaging system or device 100). For example, the ASIC may be located no more than 50 micrometers from the transducer element array) and may be coupled directly to the substrate 260 (e.g., a semiconductor wafer integrated circuit substrate) of the imaging system or device 100. In some cases, the ASIC is coupled directly to the same integrated circuit board 260 (eg, a semiconductor wafer substrate) to which the transducers of the imaging system or device 100 are directly coupled. Alternatively, the transducer of device 100 may in some cases be coupled to integrated circuit board 260 on which the ASIC is fabricated, such as using low temperature piezoelectric material sputtering and/or other low temperature processing compatible with the ASIC. , the ASIC is an integrated circuit board 260 that is directly coupled to the transducer of the imaging system or device 100, 200, 250 (e.g., via a stacked wafer-to-wafer interconnection). It is indirectly coupled to (for example, a semiconductor wafer substrate). For example, the ASIC may be directly coupled to a first integrated circuit board 260 that is indirectly coupled to the transducer (e.g., where the first integrated circuit board is directly coupled to the transducer) is directly coupled to (260)). In some cases, the ASIC (or integrated circuit substrate 260 coupled to the ASIC) is spatially separated from the transducer element or array (or semiconductor wafer substrate 260 coupled to the transducer element or array) by less than 100 micrometers. It can be. In some cases, the ASIC may have a similar or identical footprint compared to the pMUT transducer (e.g., containing a pMUT element). ASICs can be coupled to transducers through interconnects.

이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 하나 이상의 트랜스듀서(104)(예를 들면, 하나 이상의 트랜스듀서 요소 또는 픽셀)는 특정 주파수 및 대역폭으로(또는 주파수 범위 내에서 및 대역폭 범위 내에서) 초음파 신호(예를 들면, 초음파 압력파 또는 파형 패턴의 형태의, 예를 들면, 초음파 에너지)를 전송하거나 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 트랜스듀서(104)(또는 트랜스듀서 요소 어레이)는, 예를 들어, 제1 중심 주파수(및 제1 대역폭) 및 하나 이상의 추가적인 중심 주파수(하나 이상의 대응하는 추가적인 대역폭을 가짐)를 포함하는, 복수의 주파수들 및 대역폭들에서 신호(예를 들면, 초음파 압력파 또는 파형 패턴 형태의, 예를 들면, 초음파 에너지)를 전송하거나 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 트랜스듀서(104)(예를 들면, 트랜스듀서 어레이, 요소 또는 픽셀)는 0.1 메가헤르츠(MHz) 내지 100MHz(예를 들면, 0.1MHz 내지 1.8MHz, 1.8MHz 내지 5.1MHz, 또는 5.1MHz 초과)의 중심 주파수를 갖는 초음파 신호를 방출(예를 들면, 전송)하거나 수신할 수 있다. 일부 경우에, 초음파 신호(예를 들면, 초음파 파형, 패턴 또는 압력파)는 하나 이상의 송신 채널(108)을 이용하여 트랜스듀서 어레이(102)의 하나 이상의 트랜스듀서(예를 들면, 트랜스듀서 요소(104) 또는 픽셀 그룹)를 하나 이상의 트랜스듀서가 응답하는 주파수의 전압 펄스로 구동하는 것에 의해 생성될 수 있다. 많은 경우에, 이는, 예를 들어, 타깃 물질 또는 그 일부의 이미징이 요망될 때, 트랜스듀서 요소(104)로부터 타깃 물질을 향해 초음파 파형이 방출(예를 들면, 전송)되도록 할 수 있다. 일부 경우에, 초음파 파형은 이미징 디바이스의 하나 이상의 대응하는 트랜스듀서 요소로부터 전송되는 하나 이상의 초음파 압력파를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 여기서 압력파는 동시에 또는 실질적으로 동시에 전송된다. (본 명세서에 설명된 바와 같이, 예를 들면, 파형 또는 패턴의 형태로, 예를 들면, 트랜스듀서에 의해 타깃 물질을 향해 전송되는) 초음파 에너지는 타깃 물질을 향해, 타깃 물질 내로 및/또는 타깃 물질을 통해 이동할 수 있다. 많은 경우에, 전송된 초음파 에너지의 전부 또는일부가 트랜스듀서(102)로 다시 반사될 수 있다. 많은 경우에, 예를 들면, 타깃 물질 또는 그 일부로부터, 트랜스듀서(102)로 다시 반사되는 초음파 에너지는 트랜스듀서(102)에 의해 수신될 수 있다. (예를 들면, 트랜스듀서(102)로 다시 반사된 후) 트랜스듀서(102)에 의해 수신되는 초음파 에너지는 트랜스듀서(102)에서 압전 효과를 통해 전기 에너지(예를 들면, 전기 신호)로 변환될 수 있다. 하나 이상의 수신 채널(110)은 (예를 들면, 초음파 에너지를 전기 신호로 변환한 결과로서) 트랜스듀서(102)에 의해 생성되는 전기 에너지를 수집할 수 있다. 일부 경우에, 하나 이상의 수신 채널(110)은 전기 에너지를 처리할 수 있다. 일부 경우에, 트랜스듀서(102)에 의해 생성되는(예를 들면, 그리고 수신 채널(110)에 의해 수집되는) 전기 에너지는, 예를 들면, 디스플레이될 수 있는 이미지의 생성을 포함할 수 있는 처리를 위해, 컴퓨팅 시스템 또는 디바이스(112)로 전송될 수 있다.One or more transducers 104 (e.g., one or more transducer elements or pixels) of an imaging system or device 100, 200, 250 may be configured to operate at a particular frequency and bandwidth (or within a range of frequencies and within a range of bandwidths). It may be configured to transmit or receive an ultrasonic signal (e.g., ultrasonic energy in the form of an ultrasonic pressure wave or wave pattern). In some cases, transducer 104 (or array of transducer elements) includes, for example, a first center frequency (and a first bandwidth) and one or more additional center frequencies (with one or more corresponding additional bandwidths). may be configured to transmit or receive a signal (e.g., ultrasonic energy in the form of an ultrasonic pressure wave or wave pattern) at a plurality of frequencies and bandwidths. In some cases, transducer 104 (e.g., a transducer array, element, or pixel) has a frequency range of 0.1 megahertz (MHz) to 100 MHz (e.g., 0.1 MHz to 1.8 MHz, 1.8 MHz to 5.1 MHz, or 5.1 MHz). Ultrasonic signals may be emitted (e.g., transmitted) or received with a center frequency of greater than MHz. In some cases, an ultrasound signal (e.g., an ultrasound waveform, pattern, or pressure wave) is transmitted to one or more transducers (e.g., transducer elements (e.g., transducer elements) of the transducer array 102 using one or more transmission channels 108. 104) or a group of pixels) may be generated by driving a voltage pulse at a frequency to which one or more transducers respond. In many cases, this may cause an ultrasound waveform to be emitted (e.g., transmitted) from the transducer element 104 toward a target material, for example, when imaging of the target material or portion thereof is desired. In some cases, the ultrasonic waveform may include one or more ultrasonic pressure waves transmitted from one or more corresponding transducer elements of the imaging device, for example, where the pressure waves are transmitted simultaneously or substantially simultaneously. Ultrasonic energy (transmitted toward the target material, e.g., by a transducer, in the form of a wave or pattern, as described herein) is directed toward, into and/or toward the target material. Can move through matter. In many cases, all or part of the transmitted ultrasound energy may be reflected back to transducer 102. In many cases, ultrasonic energy reflected back to transducer 102 may be received by transducer 102, for example, from a target material or portion thereof. Ultrasonic energy received by the transducer 102 (e.g., after being reflected back to the transducer 102) is converted into electrical energy (e.g., an electrical signal) through the piezoelectric effect in the transducer 102. It can be. One or more receiving channels 110 may collect electrical energy generated by transducer 102 (e.g., as a result of converting ultrasonic energy to an electrical signal). In some cases, one or more receiving channels 110 may process electrical energy. In some cases, the electrical energy generated by transducer 102 (e.g., and collected by receive channel 110) may be processed, which may include, for example, generating an image that can be displayed. For, it may be transmitted to the computing system or device 112.

이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)는 제어기를 포함할 수 있는 제어 회로(106)를 포함할 수 있다. 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 제어 회로(106)는 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 하나 이상의 트랜스듀서 요소(102) 또는 트랜스듀서 유닛을 제어(예를 들면, 작동)하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 제어 회로(106)는 트랜스듀서 요소(104)로 다시 반사되는 초음파 에너지(예를 들면, 초음파 압력파를 포함함)를 수신하고 수신된 초음파 에너지에 기초하여 전기 신호를 생성하도록 트랜스듀서 요소(104)를 작동시키도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 제어 회로(106)는 하나 이상의 송신 채널(108) 및 하나 이상의 수신 채널(110)을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 제어 회로는 빔포밍(beamforming) 회로를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 제어 회로(106)는 ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field programmable gate array), 시스템 온 칩, 프로세서, 메모리(예를 들면, 비일시적 메모리 및/또는 또는 일시적 메모리), 전압원, 전류원, 하나 이상의 증폭기(예를 들면, 하나 이상의 연산 증폭기), 하나 이상의 디지털-아날로그 변환기, 및/또는 하나 이상의 아날로그-디지털 변환기를 포함한다. 일부 경우에, 트랜스듀서(104)는 (예를 들면, 본 명세서에 설명된 송신 채널의) 하나 이상의 송신 드라이버 회로 및/또는 (예를 들면, 수신 채널의) 저잡음 증폭기에 결합될 수 있다. 일부 경우에, 송신 채널은 송신 드라이버를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 수신 채널은 하나 이상의 저잡음 증폭기를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 송신 채널 및 수신 채널은 각각, 예를 들면, 특정 트랜스듀서 요소 및 트랜스듀서 요소 세트가 활성화되거나, 비활성화되거나, 저전력 모드로 전환(put in)될 수 있게 하기 위한 다중화 및 주소 제어 회로를 포함할 수 있다.Imaging system or device 100, 200, 250 may include control circuitry 106, which may include a controller. The control circuit 106 of the imaging system or device 100, 200, 250 controls (e.g., operates) one or more transducer elements 102 or transducer units of the imaging system or device 100, 200, 250. ) can be configured to. In some cases, control circuitry 106 may be configured to receive ultrasonic energy (e.g., including ultrasonic pressure waves) reflected back to transducer element 104 and generate an electrical signal based on the received ultrasonic energy. It may be configured to actuate the deducer element 104. In some cases, the control circuitry 106 of the imaging system or device 100, 200, 250 may include one or more transmit channels 108 and one or more receive channels 110. In some cases, the control circuit may include beamforming circuitry. In some cases, the control circuit 106 may include an application specific integrated circuit (ASIC), a field programmable gate array (FPGA), a system-on-chip, a processor, memory (e.g., non-transitory memory and/or transient memory), and a voltage source. , a current source, one or more amplifiers (e.g., one or more operational amplifiers), one or more digital-to-analog converters, and/or one or more analog-to-digital converters. In some cases, transducer 104 may be coupled to one or more transmit driver circuits (e.g., in the transmit channel described herein) and/or low noise amplifiers (e.g., in the receive channel). In some cases, a transmit channel may include a transmit driver. In some cases, the receive channel may include one or more low noise amplifiers. In some cases, the transmit and receive channels each have multiplexing and address control circuitry, for example, to enable specific transducer elements and sets of transducer elements to be activated, deactivated, or put into low-power modes. may include.

본 명세서에 설명된 바와 같이, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)는 컴퓨팅 시스템(112)(예를 들면, 컴퓨팅 디바이스(112))을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 컴퓨팅 시스템 또는 디바이스는 프로세서, 메모리(예를 들면, 비일시적 메모리 및/또는 일시적 메모리), 통신 회로(예를 들면, 무선 또는 유선 통신 포트 및/또는 통신 모듈), 배터리 및/또는 디스플레이를 포함할 수 있다. 컴퓨팅 시스템 또는 디바이스(112)는 제어 회로(106) 및/또는 하나 이상의 트랜스듀서 요소, 픽셀 또는 어레이(102)와 통합(예를 들면, 그에 결합)될 수 있다. 일부 경우에, 컴퓨팅 시스템 또는 디바이스(112)는, 예를 들어, 단일 SoC(system on a chip)로서, 단일 기판(260)(예를 들면, 칩)에 결합되거나, 동일한 하우징 내에 배치되는 복수의 컴포넌트들(예를 들면, 제어 회로, 트랜스듀서 및/또는 다중싱크 매체(400)와 같은, 본 명세서에 설명된 컴포넌트들)을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 컴퓨팅 시스템 또는 디바이스(112)는 제어 회로, 트랜스듀서 및/또는 다중싱크 매체(400)에 결합되지만 물리적으로 분리될 수 있다(예를 들면, 그와 동일한 칩 상에 또는 그와 동일한 하우징 내에 위치하지 않음).As described herein, imaging system or device 100, 200, 250 may include computing system 112 (eg, computing device 112). In some cases, a computing system or device may include a processor, memory (e.g., non-transitory memory and/or transient memory), communication circuitry (e.g., wireless or wired communication ports and/or communication modules), a battery, and/or May include a display. Computing system or device 112 may be integrated with (e.g., coupled to) control circuitry 106 and/or one or more transducer elements, pixels, or arrays 102. In some cases, computing system or device 112 may be coupled to a single substrate 260 (e.g., a chip), for example, as a single system on a chip (SoC), or may be comprised of multiple devices disposed within the same housing. may include components (e.g., components described herein, such as control circuitry, transducers, and/or multisync media 400). In some cases, the computing system or device 112 of the imaging system or device 100, 200, 250 may be coupled to the control circuitry, transducer, and/or multisync medium 400, but may be physically separate (e.g. e.g., not located on the same chip or within the same housing).

일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스는 요구된 이미지 품질을 유지하면서 동시에 이미징 디바이스의 온도 한계를 초과하지 않고 전력 손실(power dissipation)을 제어하는 방식으로 발사(firing)(예를 들면, 트랜스듀서 요소로부터 타깃 물질을 향해, 타깃 물질 내로 또는 타깃 물질을 통해 초음파 파형의 전송)를 전송하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 송신 및/또는 수신 채널의 수 또는 패턴은, 예를 들어 전력 소비를 감소시키고/시키며 디바이스에서의 과열 위험을 감소시키기 위해 (예를 들면, 제어 회로(106)에 의해) 동적으로 제어될 수 있다. 일부 경우에, 작동 중인 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 송신 채널(108)의 수 및/또는 수신 채널(110)의 수가 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 작동 내내 일정하다. 일부 경우에, 작동 중인 송신 채널의 수가 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 작동 내내 일정하지 않다. 예를 들어, N 열과 M 행을 갖는 2차원 공간 어레이로 배열된(예를 들면, 직교 행과 열로 배열되거나 비대칭(또는 엇갈린) 직선 어레이(rectilinear array)로 배열된) 트랜스듀서 요소(104)를 갖는 이미징 시스템은 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 트랜스듀서 어레이의 작동 동안 내내 또는 임의의 시점에서 최대(as many as) N개의 송신 채널 및/또는 수신 채널, 최대 M개의 송신 채널 및/또는 수신 채널, 최대 N x M개의 송신 채널 및/또는 수신 채널을 이용할 수 있다. 예를 들어, 트랜스듀서 요소(104)의 서브세트는 주어진 초음파 스캔 또는 초음파 스캔의 일부에 사용될 수 있다. 일부 경우에, 트랜스듀서 요소는 송신 채널(108)과 수신 채널(110) 둘 모두에 결합될 수 있다. 예를 들어, 트랜스듀서 요소(104)는 초음파 펄스를 생성하여 전송하고 이어서, 예를 들면, 반사된 초음파 에너지를 전기 에너지로 변환하는 것에 의해, 해당 펄스의 에코를 검출하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 복수의 트랜스듀서들(104)은 동일한 하나 이상의 송신 채널(108) 및/또는 동일한 하나 이상의 수신 채널(110)에 결합될 수 있다. 일부 경우에, 트랜스듀서들(104) 각각은 상이한 송신 채널(108) 및/또는 상이한 수신 채널(110)에 결합될 수 있다. 일부 경우에, 트랜스듀서 요소들(104) 중 일부 또는 전부는 송신 채널(108) 또는 수신 채널(110) 중 하나에 결합될 수 있지만 둘 모두에 결합되지는 않을 수 있다.In some cases, an imaging system or device may be configured to fire (e.g., from a transducer element) in a manner that controls power dissipation without exceeding the temperature limits of the imaging device while maintaining the required image quality. may be configured to transmit (transmission of an ultrasonic waveform toward, into, or through the target material). In some cases, the number or pattern of transmit and/or receive channels can be dynamically adjusted (e.g., by control circuitry 106), for example, to reduce power consumption and/or reduce the risk of overheating in the device. It can be controlled. In some cases, the number of transmit channels 108 and/or the number of receive channels 110 of an operating imaging system or device 100, 200, 250 is constant throughout operation of the imaging system or device 100, 200, 250. do. In some cases, the number of operational transmission channels is not constant throughout operation of the imaging system or device 100, 200, 250. For example, transducer elements 104 arranged in a two-dimensional spatial array having N columns and M rows (e.g., arranged in orthogonal rows and columns or in an asymmetric (or staggered) rectilinear array). An imaging system having up to (as many as) N transmit channels and/or receive channels, up to M transmit channels and at any time throughout or at any time during the operation of the transducer array of the imaging system or device (100, 200, 250). /or receive channels, up to N x M transmit channels and/or receive channels can be used. For example, a subset of transducer elements 104 may be used for a given ultrasound scan or portion of an ultrasound scan. In some cases, the transducer element may be coupled to both the transmit channel 108 and the receive channel 110. For example, the transducer element 104 may be configured to generate and transmit an ultrasonic pulse and then detect an echo of that pulse, for example, by converting the reflected ultrasonic energy into electrical energy. In some cases, multiple transducers 104 may be coupled to the same one or more transmit channels 108 and/or the same one or more receive channels 110. In some cases, each of the transducers 104 may be coupled to a different transmit channel 108 and/or a different receive channel 110. In some cases, some or all of the transducer elements 104 may be coupled to either the transmit channel 108 or the receive channel 110, but not both.

본 명세서에 설명된 바와 같이, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)는, 예를 들어 열 관리를 개선시키고/시키며 이미징 아티팩트(예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 음향 반사 컴포넌트로 인해 생기는 반향 아티팩트)를 감소시키기 위해, (예를 들면, 송신 및/또는 수신 채널의 동적 제어를 갖거나 갖지 않는 시스템 및 디바이스(100)에서) 다중싱크 매체(400)를 포함할 수 있다.As described herein, an imaging system or device (100, 200, 250) may, for example, improve thermal management and/or reduce imaging artifacts (e.g., To reduce echo artifacts resulting from acoustic reflective components), a multisync medium 400 may be included (e.g., in systems and devices 100 with or without dynamic control of transmit and/or receive channels). You can.

도 2는 일부 실시예들에 따른, 선택적으로 조정 가능한 특징을 갖는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 개략적인 다이어그램이다. 이미징 디바이스(200, 250)는, 단지 예로서, 도 1의 이미징 디바이스(100)와 유사할 수 있다. 이미징 디바이스(100, 200, 250)는 초음파 의료용 프로브를 포함할 수 있다.2 is a schematic diagram of an imaging device 100, 200, 250 with selectively adjustable features, according to some embodiments. Imaging devices 200, 250 may be similar to imaging device 100 of FIG. 1, by way of example only. Imaging devices 100, 200, and 250 may include ultrasound medical probes.

도 2에 도시된 바와 같이, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250) 또는 그 일부(예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 프로브)는, 예를 들면, 트랜스듀서(202) 및 연관된 전자 장치를 수용할 수 있는, 하우징(231)(예를 들면, 핸드헬드 케이싱(handheld casing))을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250) 또는 그 일부(예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 프로브)는, 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250) 또는 그 일부의 하나 이상의 컴포넌트에 전력을 공급하기 위해, 배터리(238)를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250) 또는 그 일부는, 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 선택적으로 기판(260)(예를 들면, 실리콘 웨이퍼 집적 회로 웨이퍼) 상에 제작되는(예를 들면, 그에 결합되는), 2D 어레이로 배열되는 pMUT 트랜스듀서 요소를 사용하여 2차원(2D) 및/또는 3차원(3D) 이미징을 할 수 있는 휴대용 이미징 디바이스를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 하나 이상의 트랜스듀서(예를 들면, 트랜스듀서 어레이)는, 예를 들면, 본 명세서에 설명된 바와 같이, 트랜스듀서 작동의 파라미터를 제어하는 데 도움을 줄 수 있는 ASIC(application specific integrated circuit)(106)에 (예를 들면, 직접 또는 간접적으로) 결합될 수 있다. 도 2에 명시적으로 도시도시되어 있지 않지만, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250) 또는 그 일부는 (예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이)는 다중싱크를 포함할 수 있으며, 이 다중싱크는 하우징 내에, 예를 들어, 트랜스듀서(및/또는 ASIC, 및/또는 집적 회로 기판(260)과 같은 기판(260))와 히트싱크, 하우징, 또는 도 2에 도시된 하나 이상의 추가적인 컴포넌트 중 하나 이상 사이에 배치될 수 있다.As shown in Figure 2, the imaging system or device 100, 200, 250 or a portion thereof (e.g., a probe of the imaging system or device 100, 200, 250) may include, for example, a transducer ( 202) and a housing 231 (e.g., a handheld casing) that can accommodate an associated electronic device. In some cases, imaging system or device 100, 200, 250 or a portion thereof (e.g., a probe of imaging system or device 100, 200, 250) may be configured to, for example, as shown in FIG. , may include a battery 238 , for example, to power one or more components of the imaging system or device 100 , 200 , 250 or portions thereof. In some cases, the imaging system or device 100, 200, 250, or a portion thereof, is optionally positioned on a substrate 260 (e.g., a silicon wafer integrated circuit wafer), e.g., as shown in FIG. A portable imaging device capable of two-dimensional (2D) and/or three-dimensional (3D) imaging using pMUT transducer elements fabricated in (e.g., coupled to) a 2D array. there is. In some cases, one or more transducers (e.g., a transducer array) may be configured with an application specific integrated circuit (ASIC) that can help control parameters of transducer operation, for example, as described herein. circuit) 106 (e.g., directly or indirectly). Although not explicitly shown in FIG. 2, the imaging system or device 100, 200, 250, or a portion thereof (e.g., as shown in FIG. 2) may include multiple syncs. Multiple sinks may be placed within a housing, for example, a transducer (and/or ASIC, and/or substrate 260, such as integrated circuit board 260) and a heat sink, housing, or one or more additional components shown in FIG. It can be placed between one or more of:

도 2에 도시된 바와 같이, 이미징 디바이스(100, 200, 250)는 하나 이상의 트랜스듀서(202)를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 하나 이상의 트랜스듀서(202)는, 예를 들어, 하나 이상의 트랜스듀서 요소 어레이를 포함할 수 있으며, 여기서 트랜스듀서(202)는 초음파 에너지(예를 들면, 초음파 압력파)를 전송 및/또는 수신하도록 구성될 수 있다.As shown in FIG. 2 , imaging devices 100 , 200 , 250 may include one or more transducers 202 . In some cases, one or more transducers 202 may include, for example, an array of one or more transducer elements, where transducers 202 transmit ultrasonic energy (e.g., ultrasonic pressure waves) and /or may be configured to receive.

일부 경우에, 이미징 디바이스(100, 200, 250)는, 예를 들면, 트랜스듀서(202)와 타깃 물질(예를 들면, 초음파 에너지가 이미징 디바이스(100, 200, 250)에 의해 전송되어 통과하는 인체 또는 다른 질량체 또는 조직) 사이의 임피던스 매칭 인터페이스로서 역할하는 코팅층(222)을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 코팅층(222)은, 예를 들면, 원하는 초점 거리와 일치하는 곡률로 설계될 때, 렌즈일 수 있거나 렌즈로서 기능할 수 있다. 일부 경우에, 예를 들면, 코팅층(222)과 타깃 물질의 표면의 계면에서의 임피던스 매칭을 개선시키기 위해, 사용자는 코팅층(222)을 타깃 물질의 표면에 접촉시키기 전에 타깃 물질의 표면(예를 들면, 생체의 피부)에 겔을 도포할 수 있다. 일부 경우에, 본 명세서에 설명된 바와 같은 임피던스 매칭은 (예를 들면, 타깃 물질 내로의 투과 동안 또는 타깃 물질로부터 반사된 음향 에너지의 수신 동안) 코팅층(222)과 타깃 물질의 표면의 계면에서의 음향 에너지의 전도를 개선시킬 수 있고 음향 에너지의 (예를 들면, 진폭의) 손실을 감소시킬 수 있다. 코팅층(222)은, 예를 들면, 트랜스듀서(202)(예를 들면, 평평한 트랜스듀서(202) 어레이)로부터 신체로 그리고 그 반대로 음향 신호의 전송을 최대화하기 위해, 평평한 층일 수 있다. 일부 실시예들에서, 코팅층(222)은 트랜스듀서(202)에서 생성될 음향 압력파의 파장의 1/4(예를 들면, 25%)과 동일한 두께를 가질 수 있다.In some cases, the imaging device 100, 200, 250 may, for example, connect the transducer 202 to a target material (e.g., through which ultrasound energy is transmitted by the imaging device 100, 200, 250). It may include a coating layer 222 that serves as an impedance matching interface between the human body or other masses or tissues. In some cases, coating layer 222 may be or function as a lens, for example, when designed with a curvature that matches a desired focal length. In some cases, for example, to improve impedance matching at the interface of coating layer 222 and the surface of the target material, the user may contact the surface of the target material (e.g. For example, the gel can be applied to the skin of a living body. In some cases, impedance matching as described herein may occur at the interface of the coating layer 222 and the surface of the target material (e.g., during transmission into or reception of acoustic energy reflected from the target material). Conduction of acoustic energy can be improved and losses (e.g., amplitude) of acoustic energy can be reduced. Coating layer 222 may be a flat layer, for example, to maximize transmission of acoustic signals from transducer 202 (e.g., a flat transducer 202 array) to the body and vice versa. In some embodiments, coating layer 222 may have a thickness equal to one quarter (eg, 25%) of the wavelength of the acoustic pressure wave to be generated in transducer 202.

이미징 디바이스(100, 200, 250)는 제어 회로(106)를 포함할 수 있다. 제어 회로(106)는, 예를 들면, 하나 이상의 트랜스듀서(202)를 제어하기 위한 하나 이상의 프로세서를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 제어 회로(106)는 ASIC(application-specific integrated circuit) 또는 ASIC 칩을 포함한다. 일부 경우에, ASIC 또는 ASIC 칩이 하나 이상의 프로세서를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제어 회로(106)는, 예를 들어 적층 구성에서, 예를 들면, 범프를 통해, 하나 이상의 트랜스듀서(102)에 결합될 수 있다. 일부 경우에, 제어 회로는, 예를 들어 결함에 대해 픽셀을 테스트하고/하거나 스캐닝 모드를 변경하거나 트랜스듀서(102)의 작동을 조정하려는 요망에 기초하여, 송신 채널(108) 및/또는 수신 채널(110)의 작동을 (예를 들어, 선택적으로) 작동시키고/시키거나 조정하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 이미징 디바이스(100, 200, 250)는, 예를 들면, 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 하나 이상의 컴포넌트를 제어하기 위한, 하나 이상의 프로세서(226)를 포함할 수 있다. 하나 이상의 프로세서(226)는 (예를 들면, 제어 회로(106)와 협력하여 또는 독립적으로) 하나 이상의 트랜스듀서 요소의 작동을 제어하고, (예를 들면, 트랜스듀서 요소에 의해 수신되는 반사된 초음파 에너지에 기초하여) 전기 신호를 처리하고/하거나, (예를 들면, 컴퓨팅 디바이스(112)와 같은 컴퓨팅 디바이스의 하나 이상의 프로세서에 의해 이미징되는 타깃 물질 또는 그 일부의 이미지를 복원시키기 위한) 신호를 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 하나 이상의 프로세서(226)는 이미징 디바이스(100, 200, 250)와 연관된 다른 처리 기능을 수행하도록 구성될 수 있다. 프로세서(들)(226)는 임의의 유형의 프로세서(들)로서 구체화될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서(226)는 단일 또는 다중 코어 프로세서(들), 단일 또는 다중 소켓 프로세서(들), 디지털 신호 프로세서(들), 그래픽 프로세서(들), 신경 네트워크 컴퓨터 엔진(들), 이미지 프로세서(들), 마이크로컨트롤러(들), FPGA(field programmable gate array)(들), 또는 다른 프로세서/제어 회로(들)로서 구체화될 수 있다.Imaging devices 100, 200, 250 may include control circuitry 106. Control circuitry 106 may include one or more processors to control one or more transducers 202, for example. In some cases, control circuitry 106 includes an application-specific integrated circuit (ASIC) or ASIC chip. In some cases, an ASIC or ASIC chip may include one or more processors. In some embodiments, control circuitry 106 may be coupled to one or more transducers 102, for example via a bump, for example in a stacked configuration. In some cases, the control circuitry may be configured to control the transmit channel 108 and/or receive channel, for example, based on a desire to test pixels for defects, change scanning modes, or adjust the operation of transducer 102. It may be configured to (e.g., selectively) operate and/or adjust the operation of 110. In some cases, imaging device 100, 200, 250 may include one or more processors 226, for example, to control one or more components of imaging device 100, 200, 250. One or more processors 226 (e.g., in conjunction with or independently of control circuitry 106) control the operation of one or more transducer elements (e.g., reflected ultrasound waves received by the transducer elements). process electrical signals (based on energy) and/or generate signals (e.g., to restore an image of a target material or portion thereof imaged by one or more processors of a computing device, such as computing device 112). It can be configured to do so. In some cases, one or more processors 226 may be configured to perform other processing functions associated with imaging devices 100, 200, 250. Processor(s) 226 may be embodied as any type of processor(s). For example, one or more processors 226 may include single or multiple core processor(s), single or multiple socket processor(s), digital signal processor(s), graphics processor(s), neural network computer engine(s), It may be embodied as an image processor(s), microcontroller(s), field programmable gate array (FPGA)(s), or other processor/control circuit(s).

이미징 디바이스(100, 200, 250)는 (예를 들면, 신호를 처리/컨디셔닝하기 위한) AFE(Analog Front End)를 포함할 수 있는 회로(들)(228)를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 아날로그 프런트 엔드(228)는 제어 회로(106) 및, 프로세서(226)와 같은, 이미징 디바이스의 다른 컴포넌트와 인터페이싱하도록 구성된 임의의 회로 또는 회로들로서 구체화될 수 있다. 예를 들어, 아날로그 프런트 엔드(228)는, 예를 들면, 하나 이상의 디지털-아날로그 변환기, 하나 이상의 아날로그-디지털 변환기, 및/또는 하나 이상의 증폭기를 포함할 수 있다.Imaging devices 100, 200, 250 may include circuit(s) 228, which may include an Analog Front End (AFE) (e.g., for processing/conditioning signals). In some cases, analog front end 228 may be embodied as any circuit or circuits configured to interface with other components of the imaging device, such as control circuitry 106 and processor 226. For example, analog front end 228 may include, for example, one or more digital-to-analog converters, one or more analog-to-digital converters, and/or one or more amplifiers.

이미징 디바이스(100, 200, 250)는, 예를 들어 도 3, 도 4, 도 5 및 도 6에 예시된 바와 같이, 다중싱크 매체(400) 및/또는 (예를 들면, 트랜스듀서(202)에 의해 생성되어 회로(228)를 향해 전파되는 음향 에너지를 흡수하기 위한) 음향 흡수체층(230)을 포함할 수 있다. 다중싱크 매체(400)(및 일부 경우에, 음향 흡수체층)는 역방향으로 방출되는(예를 들면, 코팅층(222)로부터 멀어지는 방향으로 트랜스듀서(202)에 의해 방출되는) 초음파 에너지를 흡수할 수 있으며, 그렇지 않았으면 이는 반사되어 (예를 들면, 잔향 아티팩트와 같은 아티팩트(들)의 생성을 통해) 이미지의 품질을 방해할 수 있다. 예를 들어, (예를 들면, 기판(260) 상에 장착될 수 있는) 트랜스듀서(들)(202)는 다중싱크 매체(400)와 접촉할 수 있다(예를 들면, 여기서 다중싱크 매체(400)는 트랜스듀서 어레이(202)의 전부 또는 일부와, 하우징(231), 히트싱크(268), 배킹 라미네이트 및/또는 음향 흡수체(230)와 같은, 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 다른 컴포넌트의 전부 또는 일부 사이에 적어도 부분적으로 배치된다). 일부 경우에, 트랜스듀서(들)(202)는 기판(260) 상에 장착되고 (예를 들면, 하나 이상의 접착제층(262)을 통해) 음향 흡수체층(230)에 결합될 수 있으며, 선택적으로 배킹 라미네이트(예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이, 알루미늄 배킹 라미네이트 또는 텅스텐 배킹 라미네이트와 같은, 금속 반사체)를 갖는다.Imaging devices 100, 200, 250 may include multisync media 400 and/or (e.g., transducer 202), as illustrated, e.g., in FIGS. 3, 4, 5, and 6. It may include an acoustic absorber layer 230 (for absorbing acoustic energy generated by and propagating toward the circuit 228). The multi-sink media 400 (and in some cases, the acoustic absorber layer) can absorb ultrasonic energy emitted in a reverse direction (e.g., emitted by the transducer 202 in a direction away from the coating layer 222). which may otherwise be reflected and disrupt the quality of the image (e.g., through the creation of artifact(s) such as reverberation artifacts). For example, transducer(s) 202 (e.g., which may be mounted on substrate 260) may be in contact with multi-sync medium 400 (e.g., where multi-sync medium ( 400) includes all or part of the transducer array 202 and other components of the imaging device 100, 200, 250, such as the housing 231, heat sink 268, backing laminate, and/or acoustic absorber 230. is at least partially placed between all or some of the components). In some cases, transducer(s) 202 may be mounted on substrate 260 and coupled to acoustic absorber layer 230 (e.g., via one or more adhesive layers 262), optionally It has a backing laminate (e.g., a metal reflector, such as an aluminum backing laminate or a tungsten backing laminate, as shown in Figure 3).

본 명세서에 설명된 바와 같이, 다중싱크 매체(400)는 이미징 시스템 및 디바이스(100, 200, 250)에 포함시키기에 고유하게 유리한 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 다중싱크 매체(400)는 열 전도성 및 음향 비전도성(예를 들면, 초음파 에너지 흡수성(absorptive) 또는 소산성(dissipative)) 둘 모두일 수 있다. 많은 경우에, 종종 양호한 열 전도를 나타내지 않는 음향 흡수층(230)이 종종 음향 반사성인 하나 이상의 히트싱크(268)와 함께 이미징 디바이스(100, 200, 250)에 가장 잘 사용될 수 있다. 다중싱크 매체(400)는 또한 변형 가능하거나 유동 가능(예를 들면, 주입 가능 또는 성형 가능)할 수 있으며, 이는 다중싱크 매체(400)가 이미징 디바이스(100, 200, 250) 내의 공동, 갭 또는 공간(270)에 채워질 수 있게 하여, (예를 들면, 코팅층(266) 및/또는 타깃 물질과 반대 방향으로 배치된) 트랜스듀서(202) 후방의 컴포넌트의 보다 광범위한 음향 격리를 가능하게 하고 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 열에 민감한 컴포넌트와 외부 컴포넌트(예를 들면, 하우징(231)) 및/또는 (예를 들면, 히트싱크(268)와 같은) 음향 반사성일 수 있는 열 전도성 컴포넌트 사이의 보다 큰 접촉 면적(예를 들면, 열 유속(thermal flux)을 위한 단면적)을 가능하게 한다. 예를 들어, 다중싱크 매체(400)는, 패드, 라미네이트 또는 필름을 포함할 수 있고, 예를 들면, 음향 반사 컴포넌트 주위의 공동, 갭 또는 공간(270) 내로 주입 가능하지 않거나 성형 가능하지 않거나 유동 가능하지 않을 수 있는 음향 흡수체층(230)보다 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 음향 반사 컴포넌트를 더 완벽하게 둘러싸는 것을 가능하게 할 수 있다. 다중싱크 매체(400)가 도 3, 도 5 또는 도 6에 명시적으로 도시되어 있지는 않지만, (예를 들면, 도 3, 도 5 및 도 6에 도시된 것과 같은) 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 다중싱크 매체(400) 하나 이상의 공동, 갭 또는 공간(270)이 다중싱크 매체(400)로 부분적으로 또는 완전히 채워질 수 있으며 본 명세서에 설명되거나 본 출원의 도면에 묘사된 일부 또는 모든 음향 흡수체층(230) 및/또는 히트싱크(268)가 다중싱크 매체(400)로 대체될 수 있는 것이 고려된다.As described herein, multisync medium 400 may have characteristics that are uniquely advantageous for inclusion in imaging systems and devices 100, 200, and 250. For example, the multi-sink medium 400 may be both thermally conductive and acoustically non-conductive (eg, absorptive or dissipative of ultrasonic energy). In many cases, an acoustically absorbing layer 230, which often does not exhibit good thermal conductivity, may be best used in imaging devices 100, 200, 250 in conjunction with one or more heatsinks 268, which are often acoustically reflective. Multisink medium 400 may also be deformable or flowable (e.g., injectable or moldable), which allows multisink medium 400 to form a cavity, gap, or shape within imaging device 100, 200, 250. fills the space 270, allowing for more extensive acoustic isolation of components behind the transducer 202 (e.g., disposed opposite to the coating layer 266 and/or the target material) and the imaging device. between the thermally sensitive component of (100, 200, 250) and an external component (e.g., housing 231) and/or a thermally conductive component that may be acoustically reflective (e.g., heat sink 268). Allows for a larger contact area (e.g. cross-sectional area for thermal flux). For example, multisink media 400 may include pads, laminates, or films that are not injectable, moldable, or flowable, for example, into cavities, gaps, or spaces 270 around the acoustic reflective component. This may make it possible to surround the acoustically reflective component of the imaging device 100, 200, 250 more completely than the acoustical absorber layer 230, which may not be possible. Although multisync media 400 is not explicitly shown in FIGS. 3, 5, or 6, imaging devices 100, 200 (e.g., as shown in FIGS. 3, 5, and 6) One or more cavities, gaps or spaces 270 of the multi-sync medium 400 (250) may be partially or completely filled with the multi-sync medium 400 and may produce any or all of the acoustic properties described herein or depicted in the drawings of this application. It is contemplated that absorber layer 230 and/or heat sink 268 may be replaced with multi-sink media 400.

일부 경우에, 이미징 디바이스(100, 200, 250)는 다중싱크 매체(400) 및 음향 흡수체층(230)(및 선택적으로, 배킹 라미네이트)을 포함한다. 도 3은 음향 흡수체층(230) 및 배킹 라미네이트(232)(예를 들면, 알루미늄 배킹 또는 텅스텐 반사체와 같은 금속 배킹)를 묘사하지만, 이들 컴포넌트 중 하나 또는 둘 모두는 생략되거나 (예를 들면, 다중싱크 매체(400)에 의해) 대체될 수 있으며, 예를 들어, 여기서 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 다른 컴포넌트(예를 들면, 다중싱크 매체(400))는 트랜스듀서(202)로부터 코팅층(222)으로부터 멀어지는 방향으로의 초음파의 전송을 실질적으로 방지한다. 예를 들어, 이미징 디바이스(100, 200, 250)는, 예를 들면, 도 4, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 음향 흡수체층(230) 없이 그리고, 선택적으로, 배킹 라미네이트 없이 다중싱크 매체(400)를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 예를 들면, 배킹 라미네이트(232) 대신에 다중싱크 매체(400)를 사용하는 것은 제조를 단순화하고/하거나 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 컴포넌트 비용을 감소시킬 수 있다.In some cases, imaging devices 100, 200, 250 include multisync media 400 and acoustic absorber layer 230 (and optionally a backing laminate). 3 depicts an acoustic absorber layer 230 and a backing laminate 232 (e.g., an aluminum backing or a metal backing such as a tungsten reflector), but one or both of these components may be omitted (e.g., multiple sync medium 400), for example, wherein other components of imaging device 100, 200, 250 (e.g., multi-sink medium 400) may be replaced by a coating layer from transducer 202. Substantially prevents transmission of ultrasonic waves in a direction away from 222. For example, the imaging devices 100, 200, 250 may be configured as a multi-sync device without an acoustic absorber layer 230 and, optionally, without a backing laminate, as shown, for example, in FIGS. 4, 5, and 6. It may include a medium 400. In some cases, for example, using multisink media 400 instead of backing laminate 232 may simplify manufacturing and/or reduce component cost of imaging devices 100, 200, 250.

도 3은 음향 흡수층(230)을 포함하는 이미징 디바이스(250)의 실시예를 도시한다. 본 명세서에 설명된 바와 같이, 이미징 디바이스(250)는 다중싱크 매체(400)를 포함할 수 있는데, 예를 들면, 여기서 다중싱크 매체는 공동(270) 내에 배치되고(예를 들면, 공동(270)을 부분적으로 또는 완전히 채우고) 및/또는 여기서 다중싱크 매체는 배킹 라미네이트(232), 접착제층(262) 및/또는 음향 흡수체층(230) 중 하나 이상을 대체한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 명세서에 설명된 초음파 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200)의 일부일 수 있는 이미징 디바이스(250)는, 렌즈일 수 있거나 렌즈로서 기능할 수 있는, 코팅층(222)을 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 코팅층(222)은 ASIC(106)에 (예를 들면, 직접) 결합될 수 있는 MEM(microelectromechanical) 트랜스듀서(들)(202)로서 이미징 디바이스(250)의 원위 단부에 더 가깝게 위치할 수 있다. 제어 회로를 포함할 수 있는 ASIC(106)은 기판(260)(예를 들면, 인쇄 회로 기판(PCB)과 같은 집적 회로 기판)에 결합될 수 있다. ASIC(106)은 배터리(238), 메모리(236), 통신 회로(232), 프로세서(226), AFE(228) 및/또는 포트(234)를 포함할 수 있는 이미징 디바이스(250)의 일부 또는 모든 전자 컴포넌트를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 이미징 디바이스(250)의 컴포넌트(예를 들면, 코팅층(222), 트랜스듀서(202), ASIC(106) 및/또는 기판(260))는 하나 이상의 접착제층(262), 흡수체층(230) 및/또는 텅스텐 반사체와 같은 반사체를 포함할 수 있는 배킹 라미네이트(232) 상에 놓일 수 있거나 그에 직접 또는 간접적으로 결합될 수 있다.3 shows an embodiment of an imaging device 250 that includes a sound absorbing layer 230. As described herein, imaging device 250 may include a multisync medium 400, e.g., where the multisync medium is disposed within cavity 270 (e.g., cavity 270 ) and/or wherein the multi-sink media replaces one or more of the backing laminate 232, adhesive layer 262, and/or acoustic absorber layer 230. As shown in FIG. 3 , imaging device 250, which may be part of an ultrasound imaging system or device 100, 200 described herein, includes a coating layer 222, which may be or function as a lens. It can be included. As shown in FIG. 3 , coating layer 222 is coupled to the distal end of imaging device 250 as microelectromechanical (MEM) transducer(s) 202 that can be coupled (e.g., directly) to ASIC 106. It can be located closer to . ASIC 106, which may include control circuitry, may be coupled to substrate 260 (e.g., an integrated circuit board, such as a printed circuit board (PCB)). ASIC 106 may be part of or Can contain any electronic component. In some cases, components of imaging device 250 (e.g., coating layer 222, transducer 202, ASIC 106, and/or substrate 260) include one or more adhesive layers 262, an absorber layer, 230 and/or a backing laminate 232, which may include a reflector such as a tungsten reflector.

도 4에 도시된 바와 같이, 다중싱크 매체(400)는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 하나 이상의 공동, 갭 또는 공간(270) 내에 배치될 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 하나 이상의 공동, 갭 또는 공간(270)(예를 들면, 도 5 또는 도 6에 도시된 공동(270))의 전부 또는 일부를 채울 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 하우징(231)과 히트싱크(268) 사이에 배치될 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 하우징(231)과 접촉할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 하나 이상의 히트싱크(268)와 접촉할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 하나 이상의 히트싱크(268)와 기판(260)(예를 들면, 인쇄 회로 기판을 포함할 수 있음) 사이에 배치될 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 기판(260)과 접촉할 수 있다. 도 4에는 접촉된 상태로 도시되어 있지 않지만, 다중싱크 매체(400)는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 ASIC(106)(예를 들면, 제어 회로를 포함함)과 히트싱크(268) 또는 하우징(231) 사이에 배치될 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 트랜스듀서(202)(예를 들면, 트랜스듀서 어레이, 요소 또는 픽셀)와 히트싱크(268) 또는 하우징(231) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 6에 도시된 이미징 디바이스(250)의 공동(270)이 다중싱크 매체(400)로 부분적으로 또는 완전히 채워질 수 있고 하나 이상의 음향 흡수체층(230) 및/또는 하나 이상의 접착제층(262) 및/또는 하나 이상의 배킹 라미네이트가 다중싱크 매체(400)와 접촉할 수 있다는 것이 이해된다.As shown in FIG. 4 , multisync medium 400 may be disposed within one or more cavities, gaps, or spaces 270 of imaging devices 100 , 200 , 250 . In some cases, multisync medium 400 may be connected to one or more cavities, gaps, or spaces 270 of imaging device 100, 200, 250 (e.g., cavity 270 shown in Figures 5 or 6). You can fill in all or part of it. In some cases, multi-sink media may be disposed between housing 231 and heat sink 268. In some cases, multisync media may contact housing 231 of imaging device 100, 200, 250. In some cases, multi-sink media may contact one or more heatsinks 268 of imaging devices 100, 200, 250. In some cases, multi-sink media 400 is disposed between one or more heat sinks 268 of imaging devices 100, 200, 250 and a substrate 260 (e.g., which may include a printed circuit board). It can be. In some cases, multisync medium 400 may contact substrate 260 of imaging device 100, 200, 250. Although not shown in contact in FIG. 4 , multisync media 400 may be connected to heatsink 268 and ASIC 106 (e.g., including control circuitry) of imaging devices 100, 200, 250. Alternatively, it may be placed between the housings 231. In some cases, multi-sync medium 400 may be used to connect transducers 202 (e.g., transducer arrays, elements, or pixels) and heatsinks 268 or housings 231 of imaging devices 100, 200, 250. It can be placed in between. In some embodiments, cavity 270 of imaging device 250 shown in FIG. 6 may be partially or completely filled with multisync media 400 and one or more acoustic absorber layers 230 and/or one or more adhesives. It is understood that layer 262 and/or one or more backing laminates may be in contact with multisink media 400.

도 3, 도 4, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 다양한 실시예들에 따르면, 히트싱크(268) 및/또는 하우징은 이미징 디바이스(250)의 기판 위에 놓이거나 그에 직접 결합될 수 있다. 일부 경우에, 이러한 구성은 다중싱크 매체(400)가 배치될 수 있는 하나 이상의 공동, 갭 또는 공간(270)을 제공할 수 있다. 일부 경우에, 이러한 구성은 히트싱크(268) 및/또는 기판(260)이 (예를 들면, 다중싱크 매체(400)가 아니라) 이미징 디바이스(250)의 하나 이상의 컴포넌트를 기계적으로 지지할 수 있게 한다.3, 4, 5, and 6, according to various embodiments, heat sink 268 and/or housing may be placed on or directly coupled to the substrate of imaging device 250. . In some cases, such configurations may provide one or more cavities, gaps, or spaces 270 in which multi-sink media 400 may be placed. In some cases, such configurations allow heatsink 268 and/or substrate 260 to mechanically support one or more components of imaging device 250 (e.g., rather than multisink media 400). do.

일부 경우에, 이미징 디바이스(100, 200, 250)는, 예를 들면, (예를 들면, 포트(234) 또는 무선 트랜시버를 통해) 제어 신호를 포함한 데이터를, 예를 들어, 컴퓨팅 디바이스와 같은 외부 디바이스와 통신하기 위한 통신 유닛(232)을 포함할 수 있다. 이미징 디바이스(100, 200, 250)는, 예를 들어, 이미징 디바이스의 컴포넌트(예를 들면, 프로세서 및/또는 트랜스듀서)의 작동을 위한 데이터 및/또는 명령어들을 저장하기 위한 메모리(236)(예를 들면, 비일시적 메모리)를 포함할 수 있다. 메모리(236)는 본 명세서에 설명된 기능을 수행할 수 있는 (예를 들면, 본 명세서에 설명된 바와 같은) 휘발성 또는 비휘발성 메모리 또는 데이터 저장소로서 구체화될 수 있다. 일부 경우에, 메모리(236)는, 운영 체제, 애플리케이션, 프로그램, 라이브러리 및/또는 드라이버와 같은, 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 작동 동안 이용될 수 있는 다양한 데이터 및 소프트웨어를 저장할 수 있다.In some cases, imaging devices 100, 200, 250 may transmit data, including control signals (e.g., via port 234 or a wireless transceiver) to an external device, e.g., a computing device. It may include a communication unit 232 for communicating with the device. Imaging devices 100, 200, 250, for example, may include memory 236 (e.g. For example, non-transitory memory) may be included. Memory 236 may be embodied as volatile or non-volatile memory or data storage (e.g., as described herein) capable of performing the functions described herein. In some cases, memory 236 may store various data and software that may be used during operation of imaging devices 100, 200, 250, such as operating systems, applications, programs, libraries and/or drivers.

일부 경우에, 이미징 디바이스(100, 200, 250)는, 예를 들면, 트랜스듀서, 프로세서 및/또는 메모리와 같은 이미징 디바이스의 하나 이상의 컴포넌트에 전력을 제공하기 위한, 배터리(238)를 포함할 수 있다. 배터리(238)는 무선 또는 유선 충전 회로일 수 있는 배터리 충전 회로를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 이미징 디바이스(100, 200, 250)는 소모된 배터리 충전량(battery charge)을 나타내는 게이지를 포함할 수 있으며 이 게이지는 개선된 배터리 수명을 위해 전력 관리를 최적화하도록 이미징 디바이스를 구성하는 데 사용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에 따르면, 이미징 디바이스(100, 200, 250)는 외부 전원(예를 들면, 전기 벽면 콘센트(electrical wall outlet)로부터 이미징 디바이스에 전력을 공급하기 위한 플러그)에 의해 전력을 공급받을 수 있다.In some cases, imaging device 100, 200, 250 may include a battery 238, for example, to provide power to one or more components of the imaging device, such as a transducer, processor, and/or memory. there is. Battery 238 may include a battery charging circuit, which may be a wireless or wired charging circuit. According to some embodiments, imaging devices 100, 200, 250 may include a gauge indicating battery charge consumed, which gauge may be used to configure the imaging device to optimize power management for improved battery life. Can be used to configure. Additionally or alternatively, according to some embodiments, imaging device 100, 200, 250 may be connected to an external power source (e.g., a plug to power the imaging device from an electrical wall outlet). Power can be supplied by

다양한 실시예들에서, 이미징 디바이스(100, 200, 250)는 상이한 적합한 폼 팩터를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 트랜스듀서(202)를 포함하는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 일부는 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 나머지 부분으로부터 바깥쪽으로 연장될 수 있다. 이미징 디바이스(100, 200, 250)는 볼록 어레이 프로브, 미세-볼록 어레이 프로브, 선형 어레이 프로브, 질내 프로브(endovaginal probe), 직장 내 프로브(endorectal probe), 수술용 프로브(surgical probe) 또는 수술 중 프로브(intraoperative probe)와 같은 임의의 적합한 초음파 의료용 프로브로서 구체화될 수 있다.In various embodiments, imaging devices 100, 200, 250 may include different suitable form factors. In some embodiments, a portion of imaging device 100, 200, 250 that includes transducer 202 may extend outward from the remaining portion of imaging device 100, 200, 250. Imaging devices 100, 200, 250 may be used as convex array probes, micro-convex array probes, linear array probes, endovaginal probes, endorectal probes, surgical probes, or intraoperative probes. It may be embodied as any suitable ultrasound medical probe, such as an intraoperative probe.

도 7a 내지 도 7c는 (예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 트랜스듀서와, 히트싱크, 금속 배킹 또는 하우징과 같은, 하나 이상의 추가적인 컴포넌트 사이에) 다중싱크 매체(400)를 통합시키는 것이 스캔 품질 및 스캔 아티팩트에 미치는 영향을 도시한다. 도 7a는 테스트 타깃 물질(핀 타깃, 와이어 타깃 및 낭종(cyst)을 포함함)의 스캔을 도시하며, 여기서 금속 배킹(이 경우에, 알루미늄 배킹)은 (예를 들면, ASIC 및 트랜스듀서와 같은 전자 컴포넌트로부터의 최대 열 전달을 제공하기 위해) 활용되는 (예를 들면, 접착제를 통해) 이미징 디바이스(100, 200, 250)의 집적 회로 기판(260)에 결합된다. 스캔은 상당한 잔향 아티팩트를 보여주며; 워시아웃(washout)으로 인해 테스트 물질 타깃 또는 특징을 구별할 수 없다. 도 7b는 동일한 스캔 설정을 사용한 동일한 테스트 타깃 물질의 스캔을 보여주며, 여기서 전자 컴포넌트(집적 회로 기판(260)을 포함함)와 알루미늄 히트싱크 사이에 다중싱크 매체(400)가 활용된다. 스캔은 반향 아티팩트가 거의 또는 전혀 없이 테스트 물질에서의 모든 타깃 및 특징의 명확한 특징을 보여준다. 도 7c는 동일한 스캔 설정을 사용한 동일한 테스트 타깃 물질의 스캔의 도시하는 스캔을 보여주며, 여기서 전자 컴포넌트(집적 회로 기판(260)을 포함함)와 알루미늄 히트싱크 사이에 에어 배킹이 활용된다. 스캔은 반향 아티팩트가 거의 또는 전혀 없이 테스트 물질에서의 모든 타깃 및 특징의 명확한 특징을 보여준다.7A-7C show a multi-sync medium 400 (e.g., between a transducer of an imaging system or device 100, 200, 250 and one or more additional components, such as a heat sink, metal backing, or housing). shows the effect of incorporating on scan quality and scan artifacts. Figure 7A shows a scan of a test target material (including a pin target, a wire target, and a cyst), where a metal backing (in this case an aluminum backing) is present in the test target material (e.g., ASIC and transducer). It is coupled to the integrated circuit board 260 of the imaging device 100, 200, 250 (e.g., via an adhesive) utilized (to provide maximum heat transfer from the electronic components). The scan shows significant reverberation artifacts; Washout makes test material targets or features indistinguishable. Figure 7b shows a scan of the same test target material using the same scan settings, where a multi-sink medium 400 is utilized between the electronic components (including the integrated circuit board 260) and an aluminum heatsink. The scan shows clear characterization of all targets and features in the test material with little or no echo artifacts. FIG. 7C shows an illustrative scan of the same test target material using the same scan settings, where an air backing is utilized between the electronic components (including integrated circuit board 260) and an aluminum heatsink. The scan shows clear characterization of all targets and features in the test material with little or no echo artifacts.

도 8a 내지 도 8c는 (예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 트랜스듀서와, 히트싱크, 금속 배킹 또는 하우징과 같은, 하나 이상의 추가적인 컴포넌트 사이에) 다양한 두께의 다중싱크 매체(400)를 통합시키는 것이 스캔 품질 및 스캔 아티팩트에 미치는 영향을 도시한다. 도 8a는 이미징 디바이스의 집적 회로 기판(260)과 알루미늄 히트싱크 사이에 배치된 0.5mm의 두께를 갖는 다중싱크 매체(400)를 포함하는 이미징 디바이스(100)를 사용하여 5.1MHz의 중심 주파수에서 테스트 타깃 물질(핀 타깃, 와이어 타깃 및 낭종을 포함함)의 스캔을 도시한다. 스캔은 이미지에 약간의 반향 아티팩트 줄무늬(reverberation artifact striation)만이 있는 명확하게 구별 가능한 테스트 물질 타깃 및 특징을 보여준다. 이들 결과는 (예를 들면, 도 7a에 도시된 바와 같은) 다중싱크 매체(400)를 사용하지 않은 스캔 결과에 비해 상당한 개선을 보여준다. 도 8b는 다중싱크 매체(400)의 두께가 1.0mm인 것을 제외하고 동일한 스캔 설정 및 기기 조건을 사용하는 동일한 테스트 물질의 스캔을 보여준다. 스캔은 도 8a에 도시된 스캔 결과에 비해 상당한 개선을 보여주며, 다중싱크 매체(400)의 두께가 증가된 결과, 잔향 아티팩트가 거의 또는 전혀 없는 테스트 물질에서의 모든 타깃 및 특징의 명확한 특징을 갖는 이미지가 얻어진다. 도 8c는 다중싱크 매체(400)가 에어 배킹(예를 들면, 다중싱크 매체(400)로 채워진 갭 대신에 이미징 디바이스(100)의 트랜스듀서와 히트싱크 사이의 공기로 채워진 갭)으로 대체되는 것을 제외하고 동일한 스캔 설정 및 기기 조건을 사용하는 동일한 테스트 물질의 스캔을 보여준다. 스캔은 도 8b에 도시된 결과와 유사한 결과를 보여 주며, 테스트 물질에서의 모든 타깃 및 특징의 명확한 특징이 이미지에서 명백하고 반향 아티팩트가 거의 또는 전혀 없다. 전체적으로, 이들 결과는 0.5mm 이하의 다중싱크 매체(400) 두께로도 초음파 스캔 품질을 개선(예를 들면, 잔향 아티팩트를 감소)시키는 데 충분하고, 최소(as little as) 1.0mm의 다중싱크 매체(400)의 두께에서 품질이 (예를 들면, 내부 음향 반사 및 잔향 아티팩트의 감소의 결과로서) 이상적인 조건으로 개선된다는 것을 보여준다. 이들 결과는 1.5mm(예를 들면, +/-0.25mm)의 다중싱크 매체(400) 두께로도 중간 범위 또는 높은 중심 주파수의 임의의 스캔 조건으로부터의 모든 반향 아티팩트를 감쇠하거나 제거하는 데 충분하다는 것을 암시한다.8A-8C illustrate multiple sink media of various thicknesses (e.g., between a transducer of an imaging system or device 100, 200, 250 and one or more additional components, such as a heat sink, metal backing, or housing). Shows the effect of incorporating 400 on scan quality and scan artifacts. FIG. 8A shows a test at a center frequency of 5.1 MHz using an imaging device 100 comprising a 0.5 mm thick multi-sink medium 400 disposed between the imaging device's integrated circuit board 260 and an aluminum heatsink. Shown are scans of target material (including pin targets, wire targets, and cysts). The scan shows clearly distinguishable test material targets and features with only slight reverberation artifact striation in the image. These results show a significant improvement over scan results without multisync media 400 (e.g., as shown in Figure 7A). Figure 8b shows a scan of the same test material using the same scan settings and instrument conditions except that the thickness of the multisync media 400 is 1.0 mm. The scan shows a significant improvement over the scan results shown in Figure 8A, with a clear characterization of all targets and features in the test material with little or no reverberation artifacts as a result of the increased thickness of the multi-sync medium 400. An image is obtained. FIG. 8C shows that the multisink medium 400 is replaced with an air backing (e.g., an air-filled gap between the transducer and the heatsink of the imaging device 100 instead of the gap filled with the multisink medium 400). Except it shows a scan of the same test material using the same scan settings and instrument conditions. The scan shows results similar to those shown in Figure 8b, with clear features of all targets and features in the test material evident in the image and little to no echo artifacts. Overall, these results show that multi-sync media 400 thicknesses of less than 0.5 mm are sufficient to improve ultrasound scan quality (e.g., reduce reverberation artifacts), and that multi-sync media thicknesses of as little as 1.0 mm are sufficient to improve ultrasound scan quality (e.g., reduce reverberation artifacts). It is shown that at a thickness of 400 the quality improves to ideal conditions (e.g., as a result of reduction of internal acoustic reflections and reverberation artifacts). These results demonstrate that a multi-sink media 400 thickness of 1.5 mm (e.g., +/-0.25 mm) is sufficient to attenuate or eliminate all echo artifacts from any scan condition in the mid-range or high center frequencies. implies that

도 9a 내지 도 9c는 보다 낮은 중심 주파수를 갖는 스캔을 사용하여, (예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 트랜스듀서와, 히트싱크, 금속 배킹 또는 하우징과 같은, 하나 이상의 추가적인 컴포넌트 사이에) 다양한 두께의 다중싱크 매체(400)를 통합시키는 것이 스캔 품질 및 스캔 아티팩트에 미치는 영향을 도시한다. 도 9a는 이미징 디바이스의 집적 회로 기판(260)과 알루미늄 히트싱크 사이에 배치된 0.5mm의 두께를 갖는 다중싱크 매체(400)를 포함하는 이미징 디바이스(100)를 사용하여 1.8MHz의 중심 주파수에서 테스트 타깃 물질(핀 타깃, 와이어 타깃 및 낭종을 포함함)의 스캔을 도시한다. 스캔은 이미지에 약간의 반향 아티팩트 줄무늬만이 있는 명확하게 구별 가능한 테스트 물질 타깃 및 특징을 보여준다. 이들 결과는 (예를 들면, 도 7a에 도시된 바와 같은) 다중싱크 매체(400)를 사용하지 않은 스캔 결과에 비해 상당한 개선을 보여준다. 도 9b는 다중싱크 매체(400)의 두께가 1.0mm인 것을 제외하고 동일한 스캔 설정 및 기기 조건을 사용하는 동일한 테스트 물질의 스캔을 보여준다. 스캔은 도 9a에 도시된 스캔 결과에 비해 상당한 개선을 보여주며, 다중싱크 매체(400)의 두께가 증가된 결과, 잔향 아티팩트가 거의 또는 전혀 없는 테스트 물질에서의 모든 타깃 및 특징의 명확한 특징을 갖는 이미지가 얻어진다. 도 9c는 다중싱크 매체(400)가 에어 배킹(예를 들면, 다중싱크 매체(400)로 채워진 갭 대신에 이미징 디바이스(100)의 트랜스듀서와 히트싱크 사이의 공기로 채워진 갭)으로 대체되는 것을 제외하고 동일한 스캔 설정 및 기기 조건을 사용하는 동일한 테스트 물질의 스캔을 보여준다. 스캔은 도 9b에 도시된 결과와 유사한 결과를 보여 주며, 테스트 물질에서의 모든 타깃 및 특징의 명확한 특징이 이미지에서 명백하고 반향 아티팩트가 거의 또는 전혀 없다. 전체적으로, 이들 결과는 0.5mm 이하의 다중싱크 매체(400) 두께로도 초음파 스캔 품질을 개선(예를 들면, 잔향 아티팩트를 감소)시키는 데 충분하고, 최소 1.0mm의 다중싱크 매체(400)의 두께에서 품질이 (예를 들면, 내부 음향 반사 및 잔향 아티팩트의 감소의 결과로서) 이상적인 조건으로 개선된다는 것을 보여준다. 이들 결과는 1.5mm(예를 들면, +/-0.25mm)의 다중싱크 매체(400) 두께로도 낮은 중심 주파수의 임의의 스캔 조건으로부터의 모든 반향 아티팩트를 감쇠하거나 제거하는 데 충분하다는 것을 암시한다.9A-9C use scans with lower center frequencies to scan one or more components (e.g., a transducer, a heat sink, a metal backing, or housing) of an imaging system or device 100, 200, 250. The effect of incorporating multi-sink media 400 of various thicknesses (among additional components) is shown on scan quality and scan artifacts. FIG. 9A shows a test at a center frequency of 1.8 MHz using an imaging device 100 comprising a 0.5 mm thick multi-sink medium 400 disposed between the imaging device's integrated circuit board 260 and an aluminum heatsink. Shown are scans of target material (including pin targets, wire targets, and cysts). The scan shows clearly distinguishable test material targets and features with only slight echo artifact streaks in the image. These results show a significant improvement over scan results without multisync media 400 (e.g., as shown in Figure 7A). Figure 9b shows a scan of the same test material using the same scan settings and instrument conditions except that the thickness of the multisync media 400 is 1.0 mm. The scan shows a significant improvement over the scan results shown in Figure 9A, with a clear characterization of all targets and features in the test material with little or no reverberation artifacts as a result of the increased thickness of the multi-sync medium 400. An image is obtained. 9C illustrates that the multisink medium 400 is replaced with an air backing (e.g., an air-filled gap between the transducer and the heatsink of the imaging device 100 instead of the gap filled with the multisink medium 400). It shows a scan of the same test material, except that it uses the same scan settings and instrument conditions. The scan shows results similar to those shown in Figure 9b, with clear features of all targets and features in the test material evident in the image and little to no echo artifacts. Overall, these results show that a multi-sync media 400 thickness of less than 0.5 mm is sufficient to improve ultrasound scan quality (e.g., reduce reverberation artifacts), and a multi-sync media 400 thickness of at least 1.0 mm. shows that the quality improves to ideal conditions (e.g. as a result of reduction of internal acoustic reflections and reverberation artifacts). These results suggest that a multi-sync media 400 thickness of 1.5 mm (e.g., +/-0.25 mm) is sufficient to attenuate or eliminate all echo artifacts from any scan condition at low center frequencies. .

트랜스듀서transducer

일부 경우에, 본 문서에 설명된 시스템, 디바이스 또는 방법은 하나 이상의 pMUT(piezoelectric micromachine ultrasound transducer)를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 본 문서에 설명된 시스템, 디바이스 또는 방법은 하나 이상의 cMUT(capacitive micromachine ultrasonic transducer)를 포함할 수 있다. pMUT(piezoelectric micromachine ultrasound transducer)는 반도체 웨이퍼(예를 들면, 인쇄 회로 기판(PCB))와 같은 기판(260) 상에 형성될 수 있다. 반도체 기판(260) 상에 구성된 pMUT 요소는 보다 부피가 큰(bulkier) 압전 재료를 갖는 부피가 큰(bulky) 종래의 트랜스듀서보다 더 작은 크기 프로파일을 제공할 수 있다. 일부 경우에, pMUT는 또한 제조 비용이 보다 저렴할 수 있고/있거나 초음파 디바이스 또는 시스템의 트랜스듀서와 추가적인 전자 장치 사이의 덜 복잡하고 더 높은 성능의 상호 연결을 가능하게 할 수 있다.In some cases, the systems, devices, or methods described herein may include one or more piezoelectric micromachine ultrasound transducers (pMUTs). In some cases, the systems, devices, or methods described herein may include one or more capacitive micromachine ultrasonic transducers (cMUTs). A piezoelectric micromachine ultrasound transducer (pMUT) may be formed on a substrate 260, such as a semiconductor wafer (eg, printed circuit board (PCB)). A pMUT element constructed on a semiconductor substrate 260 can provide a smaller size profile than bulky conventional transducers with bulkier piezoelectric materials. In some cases, pMUTs may also be less expensive to manufacture and/or enable less complex, higher performance interconnections between the transducer and additional electronics of an ultrasound device or system.

pMUT 및/또는 cMUT를 포함할 수 있는 MUT(micromachine ultrasound transducer)는 다이어프램(예를 들면, 예를 들어, 멤브레인 가장자리에서, 이미징 디바이스 내부의 하나 이상의 부분(예를 들면, 초음파 프로브)에 부착되는 얇은 멤브레인을 포함할 수 있다. 대조적으로, 전통적인 벌크 압전(PZT) 요소는 전형적으로 단일 고체 재료 피스(solid piece of material)로 구성된다. 이러한 전통적인 PZT 초음파 시스템 및 디바이스는, 예를 들어, 적절한 간격으로 PZT 초음파 시스템 및 디바이스를 구성하는 PZT 또는 세라믹 재료를 절단하고 장착하는 데 큰 정밀도가 필요하기 때문에, 제조 비용이 많이 들 수 있다. 추가적으로, 전통적인 PZT 초음파 시스템 및 디바이스는 PZT 시스템 및 디바이스의 송신/수신 전자 장치의 임피던스에 비해 훨씬 더 높은 트랜스듀서 임피던스를 가질 수 있으며, 이는 성능에 부정적인 영향을 미칠 수 있다.A micromachine ultrasound transducer (MUT), which may include a pMUT and/or cMUT, is a diaphragm (e.g., a thin transducer attached to one or more portions of the interior of the imaging device (e.g., an ultrasound probe), e.g., at a membrane edge). In contrast, traditional bulk piezoelectric (PZT) elements typically consist of a single solid piece of material, for example, at appropriate intervals. Additionally, traditional PZT ultrasonic systems and devices can be expensive to manufacture because great precision is required to cut and mount the PZT or ceramic materials that make up the PZT ultrasonic systems and devices. The transducer impedance can be much higher compared to the impedance of the electronic device, which can have a negative impact on performance.

일부 경우에, 하나 이상의 트랜스듀서 요소(104)는 특정 주파수 또는 대역폭(예를 들면, 여기서 대역폭은 중심 주파수와 연관됨)의 신호를 전송 및/또는 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 하나 이상의 트랜스듀서 요소는 추가적인 중심 주파수 및 대역폭의 신호를 전송 및/또는 수신하도록 추가로 구성될 수 있다. 이러한 다중 주파수 트랜스듀서 요소(104)는 다중 모드 요소(multi-modal element)(104)라고 지칭될 수 있으며, 일부 실시예들에서, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)의 대역폭을 확장하는 데 사용될 수 있다. 트랜스듀서 요소 또는 픽셀(104)은 적합한 중심 주파수, 예를 들면, 0.1 메가헤르츠(MHz) 내지 100MHz의 초음파 에너지(예를 들면, 초음파 파형, 패턴 또는 압력파)를 방출(예를 들면, 전송) 및/또는 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 트랜스듀서 또는 픽셀(104)은 0.1MHz 내지 1MHz, 0.1MHz 내지 1.8MHz, 0.1MHz 내지 3.5MHz, 0.1MHz 내지 5.1MHz, 0.1MHz 내지 10MHz, 0.1MHz 내지 25MHz, 0.1MHz 내지 50MHz, 0.1MHz 내지 100MHz, 1MHz 내지 1.8MHz, 1MHz 내지 3.5MHz, 1MHz 내지 5.1MHz, 1MHz 내지 10MHz, 1MHz 내지 25MHz, 1MHz 내지 50MHz, 1MHz 내지 100MHz, 1.8MHz 내지 3.5MHz, 1.8MHz 내지 5.1MHz, 1.8MHz 내지 10MHz, 1.8MHz 내지 25MHz, 1.8MHz 내지 50MHz, 1.8MHz 내지 100MHz, 3.5MHz 내지 5.1MHz, 3.5MHz 내지 10MHz, 3.5MHz 내지 25MHz, 3.5MHz 내지 50MHz, 3.5MHz 내지 100MHz, 5.1MHz 내지 10MHz, 5.1MHz 내지 25MHz, 5.1MHz 내지 50MHz, 5.1MHz 내지 100MHz, 10MHz 내지 25MHz, 10MHz 내지 50MHz, 10MHz 내지 100MHz, 25MHz 내지 50MHz, 25MHz 내지 100MHz, 또는 50MHz 내지 100MHz의 중심 주파수의 초음파 에너지를 전송하거나 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 트랜스듀서 또는 픽셀(104)은 0.1MHz, 1MHz, 1.8MHz, 3.5MHz, 5.1MHz, 10MHz, 25MHz, 50MHz, 또는 100MHz의 중심 주파수의 초음파 에너지를 전송하거나 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 트랜스듀서 또는 픽셀(104)은 적어도 0.1MHz, 1MHz, 1.8MHz, 3.5MHz, 5.1MHz, 10MHz, 25MHz, 50MHz, 또는 100MHz의 중심 주파수의 초음파 에너지를 전송하거나 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 트랜스듀서 또는 픽셀(104)은 최대(at most) 0.1MHz, 1MHz, 1.8MHz, 3.5MHz, 5.1MHz, 10MHz, 25MHz, 50MHz, 또는 100MHz의 중심 주파수의 초음파 에너지를 전송하거나 수신하도록 구성될 수 있다.In some cases, one or more transducer elements 104 may be configured to transmit and/or receive signals of a particular frequency or bandwidth (e.g., where the bandwidth is associated with a center frequency). In some cases, one or more transducer elements may be further configured to transmit and/or receive signals of additional center frequencies and bandwidths. This multi-frequency transducer element 104 may be referred to as a multi-modal element 104 and, in some embodiments, may be used to extend the bandwidth of the imaging system or device 100. . The transducer element or pixel 104 emits (e.g., transmits) ultrasonic energy (e.g., an ultrasonic waveform, pattern, or pressure wave) at a suitable center frequency, e.g., 0.1 megahertz (MHz) to 100 MHz. and/or may be configured to receive. In some cases, transducer or pixel 104 has a frequency range of 0.1 MHz to 1 MHz, 0.1 MHz to 1.8 MHz, 0.1 MHz to 3.5 MHz, 0.1 MHz to 5.1 MHz, 0.1 MHz to 10 MHz, 0.1 MHz to 25 MHz, 0.1 MHz to 50 MHz, 0.1MHz to 100MHz, 1MHz to 1.8MHz, 1MHz to 3.5MHz, 1MHz to 5.1MHz, 1MHz to 10MHz, 1MHz to 25MHz, 1MHz to 50MHz, 1MHz to 100MHz, 1.8MHz to 3.5MHz, 1.8MHz to 5.1MHz, 1.8MHz to 10 MHz, 1.8 MHz to 25 MHz, 1.8 MHz to 50 MHz, 1.8 MHz to 100 MHz, 3.5 MHz to 5.1 MHz, 3.5 MHz to 10 MHz, 3.5 MHz to 25 MHz, 3.5 MHz to 50 MHz, 3.5 MHz to 100 MHz, 5.1 MHz to 10 MHz, 5.1 Configured to transmit or receive ultrasonic energy with a center frequency of MHz to 25 MHz, 5.1 MHz to 50 MHz, 5.1 MHz to 100 MHz, 10 MHz to 25 MHz, 10 MHz to 50 MHz, 10 MHz to 100 MHz, 25 MHz to 50 MHz, 25 MHz to 100 MHz, or 50 MHz to 100 MHz. It can be. In some cases, the transducer or pixel 104 may be configured to transmit or receive ultrasonic energy with a center frequency of 0.1 MHz, 1 MHz, 1.8 MHz, 3.5 MHz, 5.1 MHz, 10 MHz, 25 MHz, 50 MHz, or 100 MHz. In some cases, the transducer or pixel 104 may be configured to transmit or receive ultrasonic energy with a center frequency of at least 0.1 MHz, 1 MHz, 1.8 MHz, 3.5 MHz, 5.1 MHz, 10 MHz, 25 MHz, 50 MHz, or 100 MHz. . In some cases, the transducer or pixel 104 is configured to transmit or receive ultrasonic energy at a center frequency of at most 0.1 MHz, 1 MHz, 1.8 MHz, 3.5 MHz, 5.1 MHz, 10 MHz, 25 MHz, 50 MHz, or 100 MHz. It can be configured.

다중싱크 매체(400)Multi-sync media (400)

본 명세서에 설명된 이미징 디바이스 또는 시스템(예를 들면, 초음파 이미징 디바이스 또는 시스템)은 다중싱크 매체(400)를 포함할 수 있다. 다중싱크 매체(400)는 음향 비전도성(acoustically nonconductive)(예를 들면, 초음파 에너지를 전도하지 않음)일 수 있다. 다중싱크 매체(400)는 음향 비반사성(acoustically nonreflective)(예를 들면, 초음파 에너지를 반사하지 않음)일 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 다중싱크 매체(400)는 음향 에너지(예를 들면, 초음파 에너지)의 전도 및/또는 반사를 부분적으로 또는 완전히 억제할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 음향 에너지(예를 들면, 초음파 에너지)를 부분적으로 또는 완전히 흡수하거나 소산시킬 수 있다. 다중싱크 매체(400)는 열 전도성일 수 있다. 다중싱크 매체(400)는 열 전도성이면서 음향 비전도성인 물질을 포함할 수 있다.An imaging device or system described herein (e.g., an ultrasound imaging device or system) may include a multi-sync medium 400. The multi-sink medium 400 may be acoustically nonconductive (eg, does not conduct ultrasonic energy). The multi-sync medium 400 may be acoustically nonreflective (eg, does not reflect ultrasonic energy). For example, in some embodiments, multisync medium 400 may partially or completely inhibit conduction and/or reflection of acoustic energy (e.g., ultrasonic energy). In some cases, multi-sync medium 400 may partially or completely absorb or dissipate acoustic energy (e.g., ultrasonic energy). Multi-sink media 400 may be thermally conductive. The multi-sink medium 400 may include a material that is both thermally conductive and acoustically non-conductive.

많은 경우에, 다중싱크 매체(400)는 입사 초음파 파형 또는 패턴의 일부 또는 모든 에너지를 흡수할 수 있다(예를 들면, 음향 비전도성). 예를 들어, 다중싱크 매체(400)는 입사 초음파 파형 또는 패턴의 에너지를 감소시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 많은 경우에, 다중싱크 매체(400)는 본 명세서에 설명된 이미징 디바이스 또는 시스템의 초음파 트랜스듀서에 의해 생성되는 입사 음향 에너지의 전부 또는 일부를 흡수할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는, 예를 들어, 타깃 물질 또는 그 일부 이외의 물질로부터 이미징 디바이스 또는 시스템의 트랜스듀서를 향해 반사되는 음향 에너지(예를 들면, 이미징 디바이스 또는 시스템의 일부를 포함하는 음향 반사 재료로부터 반사되는 음향 에너지)의 전송을 감소시키기 위해, 이미징 디바이스 또는 시스템의 하우징(231), 히트싱크(268) 및/또는 기판(260)과 같은 음향 반사 재료와 초음파 트랜스듀서 사이에 배치된다. 일부 경우에, 금속을 포함하는 물질은 음향 반사성일 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)에는 금속이 없을 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)에는 금속 산화물이 없을 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 다중싱크 매체(400)는 금속 입자(예를 들면, 알루미늄 입자)를 포함하지 않을 수 있다.In many cases, multisync medium 400 may absorb some or all of the energy of an incident ultrasound waveform or pattern (eg, be acoustically non-conductive). For example, the multi-sync medium 400 may include a material that can reduce the energy of an incident ultrasound waveform or pattern. In many cases, multisync medium 400 may include a material that can absorb all or a portion of the incident acoustic energy produced by an ultrasonic transducer of an imaging device or system described herein. In some cases, multi-sync medium 400 may absorb acoustic energy (e.g., a portion of an imaging device or system) that is reflected toward a transducer of an imaging device or system, for example, from a material other than the target material or a portion thereof. between the ultrasonic transducer and acoustically reflective material, such as the housing 231, heatsink 268, and/or substrate 260 of the imaging device or system, to reduce transmission of acoustic energy reflected from the acoustically reflective material comprising is placed in In some cases, materials containing metals may be acoustically reflective. In some cases, multi-sink media 400 may be metal-free. In some cases, multi-sink media 400 may be free of metal oxides. For example, in some embodiments, multi-sink media 400 may not include metal particles (eg, aluminum particles).

다중싱크 매체(400)는 페이스트 또는 퍼티를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 필러를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 테이프, 시트 또는 필름을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 패드를 포함할 수 있다.The multi-sink medium 400 may include paste or putty. In some cases, multi-sync media 400 may include filler. In some cases, multi-sync media 400 may include tape, sheet, or film. In some cases, the multi-sync medium 400 may include a pad.

일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 엘라스토머를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다중싱크 매체(400)는 실리콘 엘라스토머 또는 실리콘계 엘라스토머를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 실리콘 엘라스토머 또는 실리콘계 엘라스토머는 바람직한 변형성 특성(예를 들면, 실온에서 유동 및/또는 주입 또는 압출되는 능력)과 (예를 들면, 실리콘의 열전도율로 인해 발생할 수 있는) 높은 열전도율의 높은 특성을 겸비할 수 있다. 다중싱크 매체(400)는 초음파 에너지의 전파를, 적어도 부분적으로, 억제할 수 있는 재료를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 초음파 에너지를, 적어도 부분적으로, 흡수할 수 있는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다중싱크 매체(400)는 세라믹 재료를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 세라믹으로 채워진(ceramic-filled) 실리콘 엘라스토머(또는 세라믹으로 채워진 실리콘계 엘라스토머)를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 다중싱크 매체(400)의 벌크 내에 분산되는(dispersed) 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다중싱크 매체(400)는 세라믹 입자를 포함하는 실리콘 엘라스토머를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 세라믹 입자를 포함하는 실리콘계 엘라스토머는 페이스트 또는 퍼티일 수 있다.In some cases, multi-sink media 400 may include an elastomer. For example, the multi-sink medium 400 may include silicone elastomer or silicone-based elastomer. In some cases, silicone elastomers or silicone-based elastomers are characterized by desirable deformability properties (e.g., the ability to flow and/or pour or extrude at room temperature) and high thermal conductivity (e.g., which may result from the thermal conductivity of silicone). It can be combined with The multi-sync medium 400 may include a material capable of suppressing, at least partially, the propagation of ultrasonic energy. In some cases, multi-sink medium 400 may include a material capable of absorbing, at least partially, ultrasonic energy. For example, the multi-sink medium 400 may include a ceramic material. In some cases, the multi-sink medium 400 may include ceramic-filled silicone elastomer (or ceramic-filled silicone-based elastomer). In some cases, multi-sink media 400 may include particles dispersed within the bulk of multi-sink media 400. For example, the multi-sink medium 400 may include silicone elastomer containing ceramic particles. In some cases, the silicone-based elastomer containing ceramic particles may be a paste or putty.

일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 (예를 들면, 실온에서) 변형 가능하거나 유동 가능할 수 있다. 실온에서 변형 가능하거나 유동 가능한(예를 들면, 실온에서 주입 가능한) 다중싱크 매체(400)는 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250) 내의(예를 들면, 이미징 디바이스 또는 시스템의 히트싱크를 완전히 또는 부분적으로 둘러싸는 공동과 같은 이미징 디바이스 또는 시스템의 프로브 내의 공동 내의) 불규칙한 형상의 기하학적 구조를 채우는 데 유용할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250) 또는 그 일부의 공동, 갭 또는 공간(270)에 주입될 수 있다(예를 들면, 여기서 다중싱크 매체(400)는 히트싱크 및/또는 인쇄 회로 기판과 접촉한다). 일부 실시들예에서, 다중싱크 매체(400)는 (예를 들면, 이미징 디바이스 또는 시스템 프로브의 히트싱크 및/또는 인쇄 회로 기판과 접촉하게) 이미징 디바이스 또는 시스템 또는 그 일부에 추가될 수 있다. 예를 들어, 다중싱크 매체(400)는 (예를 들면, 실온에서) 주입 가능하거나 성형 가능할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 25g/min(grams per minute) 내지 45g/min의 유량을 가질 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 25g/min 내지 30g/min, 25g/min 내지 35g/min, 25g/min 내지 40g/min, 25g/min 내지 45g/min, 30g/min 내지 35g/min, 30g/min 내지 40g/min, 30g/min 내지 45g/min, 35g/min 내지 40g/min, 35g/min 내지 45g/min, 또는 40g/min 내지 45g/min의 유량을 가질 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 25g/min, 30g/min, 35g/min, 40g/min, 또는 45g/min의 유량을 가질 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 적어도 25g/min, 적어도 30g/min, 적어도 35g/min, 적어도 40g/min, 적어도 45g/min의 유량을 가질 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 최대 30g/min, 최대 35g/min, 최대 40g/min, 또는 최대 45g/min의 유량을 가질 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 비뉴턴 점도(non-Newtonian viscosity)(예를 들면, 전단 담화(shear thinning) 특성을 가짐)를 갖는다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 시간 의존적 점도(예를 들면, 요변성(thixotropic) 특성을 가짐)를 갖는다. 일부 경우에, 엘라스토머이거나 엘라스토머를 포함하는 다중싱크 매체(400)는 변형 가능하거나 유동 가능할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 엘라스토머인 다중싱크 매체(400)는 주입가능하거나 성형 가능할 수 있다.In some cases, multisink media 400 may be deformable or flowable (e.g., at room temperature). The multisink medium 400, which is deformable or flowable at room temperature (e.g., injectable at room temperature), may be used to completely heat the heatsink of an imaging system or device (100, 200, 250). or within a cavity within a probe of an imaging device or system, such as a partially surrounding cavity. In some cases, multisync medium 400 may be implanted into a cavity, gap, or space 270 of an imaging system or device 100, 200, 250, or a portion thereof (e.g., where multisync medium 400 ) is in contact with the heat sink and/or printed circuit board). In some embodiments, multisync media 400 may be added to an imaging device or system or portion thereof (e.g., in contact with a heatsink and/or a printed circuit board of an imaging device or system probe). For example, multisink media 400 may be injectable (e.g., at room temperature) or moldable. In some cases, the multi-sink medium 400 may have a flow rate of 25 grams per minute (g/min) to 45 g/min. In some cases, multi-sink media 400 may have a flow rate of 25 g/min to 30 g/min, 25 g/min to 35 g/min, 25 g/min to 40 g/min, 25 g/min to 45 g/min, 30 g/min to 35 g/min. , 30 g/min to 40 g/min, 30 g/min to 45 g/min, 35 g/min to 40 g/min, 35 g/min to 45 g/min, or 40 g/min to 45 g/min. In some cases, multi-sink media 400 may have a flow rate of 25 g/min, 30 g/min, 35 g/min, 40 g/min, or 45 g/min. In some cases, the multi-sink medium 400 may have a flow rate of at least 25 g/min, at least 30 g/min, at least 35 g/min, at least 40 g/min, or at least 45 g/min. In some cases, multi-sink media 400 may have a flow rate of up to 30 g/min, up to 35 g/min, up to 40 g/min, or up to 45 g/min. In some cases, multisink media 400 has non-Newtonian viscosity (e.g., has shear thinning properties). In some cases, multisink media 400 has a time-dependent viscosity (e.g., has thixotropic properties). In some cases, the multi-sink media 400, which is or includes an elastomer, may be deformable or flowable. For example, in some embodiments, multisink media 400, which is an elastomer, may be injectable or moldable.

일부 경우에, 변형 가능하거나 유동 가능한(예를 들면, 주입 가능하거나 성형 가능한) 다중싱크 매체(400)는 그렇지 않았으면 열 전달을 개선시키기가 쉽지 않거나 잠재적으로 가능하지 않을 이미징 시스템 또는 이미징 디바이스의 일부에서 열 전달이 개선되도록 할 수 있다. 예를 들어, 이미징 시스템 및 이미징 디바이스 또는 그 일부(예를 들면, 초음파 트랜스듀서 프로브), 특히 전체 치수가 감소되거나 소형화되는 것으로부터 이득을 보는 것에서의(예를 들면, 핸드헬드 초음파 트랜스듀서 프로브 헤드에서의) 열 전달은 전통적인 히트싱크(예를 들면, 알루미늄 히트싱크 블록과 같은 금속 히트싱크)에 의해 종종 용이하게 되는데, 이 전통적인 히트싱크는 이미징 시스템 또는 디바이스의 다른 잠재적으로 열에 민감한 컴포넌트에 의해 지지되거나, 그에 부착되거나, 그와 접촉하거나 또는 근접하지만 그와 접촉하지는 않을 수 있으며, 별도로 제작될 필요가 있어, 이미징 시스템이나 디바이스 또는 그 일부에 (예를 들면, 공기가 채워진) 공동, 갭 또는 공간이 발생할 가능성이 있거나 필요하게 될 수 있다. 이러한 공동, 갭 또는 공간은 (예를 들면, 가스, 예를 들면, 공기와 같은 열 절연체로 채워지는 경우) 이미징 시스템 또는 이미징 디바이스 내에서의 열 전달을 감소시킬 수 있다. 전통적인 히트싱크(예를 들면, 알루미늄 히트싱크 블록과 같은 금속 히트싱크)는 이러한 공동, 갭 또는 공간을 채우도록 쉽게 제작되지 않을 수 있다. 따라서, 이미징 시스템 또는 디바이스의 공동, 갭 또는 공간의 전부 또는 일부에 성형, 압착, 주입, 변형 또는 다른 방식으로 순응(conform)되도록 허용될 수 있는 다중싱크 매체(400)를 포함시키는 것은 전통적인 열 전달 컴포넌트가 점유하지 않을 수 있는 이미징 시스템 및 디바이스의 영역에서의 열 전달을 개선시킬 수 있다. 일부 경우에, (예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스 내에 배치되거나 그의 공동, 갭 또는 공간(270) 내에 배치되는) 다중싱크는 0.5(밀리미터)mm 내지 2.0mm의 두께를 가질 수 있다. 일부 경우에, (예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스 내에 배치되거나 그의 공동, 갭 또는 공간(270) 내에 배치되는) 다중싱크는 0.5 밀리미터(mm) 내지 0.8mm, 0.5mm 내지 1.0mm, 0.5mm 내지 1.3mm, 0.5mm 내지 1.5mm, 0.5mm 내지 1.7mm, 0.5mm 내지 2mm, 0.8mm 내지 1.0mm, 0.8mm 내지 1.3mm, 0.8mm 내지 1.5mm, 0.8mm 내지 1.7mm, 0.8mm 내지 2mm, 1.0mm 내지 1.3mm, 1.0mm 내지 1.5mm, 1.0mm 내지 1.7mm, 1.0mm 내지 2.0mm, 1.3mm 내지 1.5mm, 1.3mm 내지 1.7mm, 1.3mm 내지 2mm, 1.5mm 내지 1.7mm, 1.5mm 내지 2.0mm, 또는 1.7mm 내지 2.0mm의 두께를 가질 수 있다. 일부 경우에, (예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스 내에 배치되거나 그의 공동, 갭 또는 공간(270) 내에 배치되는) 다중싱크는 0.5mm, 0.8mm, 1.0mm, 1.3mm, 1.5mm, 1.7mm, 또는 2.0mm의 두께를 가질 수 있다. 일부 경우에, (예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스 내에 배치되거나 그의 공동, 갭 또는 공간(270) 내에 배치되는) 다중싱크는 적어도 0.5mm, 적어도 0.8mm, 적어도 1.0mm, 적어도 1.3mm, 적어도 1.5mm, 적어도 1.7mm, 또는 적어도 2.0mm의 두께를 가질 수 있다. 일부 경우에, (예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스 내에 배치되거나 그의 공동, 갭 또는 공간(270) 내에 배치되는) 다중싱크는 최대 0.8mm, 최대 1.0mm, 최대 1.3mm, 최대 1.5mm, 최대 1.7mm, 또는 최대 2.0mm의 두께를 가질 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 다중싱크 매체가 적어도 1.0mm 또는 적어도 1.5mm의 두께를 가질 때, 잔향 아티팩트는 초음파 스캔으로부터 완전히 제거될 수 있으며, 일부 경우에, 허용 오차는 +/-0.25mm이다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)를 제조하는 방법은 이미징 시스템 또는 디바이스의 하나 이상의 공동, 갭 또는 공간(270)을 부분적으로 또는 완전히 채우도록 다중싱크 매체(400)를 주입하거나 성형하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)에는 완전히 캡처된 가장자리가 제공될 수 있다(예를 들면, 여기서, 예를 들어 주입될 때 다중싱크 매체(400)의 누출(seepage)을 방지하기 위해, 이미징 시스템 또는 디바이스의 하나 이상의 공동, 갭 또는 공간(270)의 가장자리는 결합될 때 함께 밀봉된다). 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)에는 이미징 시스템 또는 디바이스의 하나 이상의 공동, 갭 또는 공간(270) 내로 다중싱크 매체(400)를 주입하는 것을 용이하게 하기 위해 (예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스의 하나 이상의 히트싱크를 통해) 하나 이상의 주입 포트가 제공될 수 있다. 일부 경우에, 주입 포트는 하우징 또는 히트싱크의 측면을 통해 (예를 들어, 기판(260)과 히트싱크 사이의 본딩을 방해하지 않기 위해, 예를 들면, 히트싱크의 외부 측면으로부터 이미징 시스템 또는 디바이스의 공동, 갭 또는 공간에 개방된 히트싱크의 내부 측면으로) 제공된다. 일부 경우에, 예를 들면, 히트싱크가 기판에 본딩될 때 공동, 갭 또는 공간 내에 다중싱크 매체(400)를 포획(entrap)하기 위해, 히트싱크와 기판 또는 하우징과 기판이 결합/본딩되기 전에 다중싱크 매체(400)가 이미징 디바이스 또는 시스템에 추가될 수 있다.In some cases, the deformable or flowable (e.g., injectable or moldable) multisink medium 400 may be used as part of an imaging system or imaging device for which it would otherwise be difficult or potentially impossible to improve heat transfer. Heat transfer can be improved. For example, imaging systems and imaging devices or parts thereof (e.g., ultrasonic transducer probes), especially those that benefit from reduced or miniaturized overall dimensions (e.g., handheld ultrasonic transducer probe heads) heat transfer is often facilitated by a traditional heatsink (e.g., a metal heatsink such as an aluminum heatsink block), which is supported by other potentially heat-sensitive components of the imaging system or device. may be located on, attached to, in contact with, or proximate to but not in contact with, and may need to be manufactured separately to form a cavity, gap, or space (e.g., filled with air) in the imaging system or device or portion thereof. This may be possible or necessary. These cavities, gaps, or spaces (eg, if filled with a thermal insulator such as a gas, eg, air) can reduce heat transfer within the imaging system or imaging device. Traditional heatsinks (eg, metal heatsinks such as aluminum heatsink blocks) may not be easily fabricated to fill these cavities, gaps or spaces. Accordingly, the inclusion of a multi-sink medium 400, which may be molded, pressed, injected, deformed, or otherwise allowed to conform to all or part of a cavity, gap, or space of an imaging system or device, may provide a method for traditional heat transfer. It can improve heat transfer to areas of the imaging system and device that may not be occupied by components. In some cases, a multisink (eg, disposed within an imaging system or device or within a cavity, gap or space 270 thereof) may have a thickness of 0.5 (millimeter) mm to 2.0 mm. In some cases, multiple sinks (e.g., disposed within or within a cavity, gap or space 270 of an imaging system or device) have a thickness of 0.5 millimeters (mm) to 0.8 mm, 0.5 mm to 1.0 mm, 0.5 mm to 0.5 mm. 1.3mm, 0.5mm to 1.5mm, 0.5mm to 1.7mm, 0.5mm to 2mm, 0.8mm to 1.0mm, 0.8mm to 1.3mm, 0.8mm to 1.5mm, 0.8mm to 1.7mm, 0.8mm to 2mm, 1.0 mm to 1.3mm, 1.0mm to 1.5mm, 1.0mm to 1.7mm, 1.0mm to 2.0mm, 1.3mm to 1.5mm, 1.3mm to 1.7mm, 1.3mm to 2mm, 1.5mm to 1.7mm, 1.5mm to 2.0 mm, or may have a thickness of 1.7 mm to 2.0 mm. In some cases, the multisync (e.g., disposed within the imaging system or device or within a cavity, gap or space 270 thereof) may be 0.5 mm, 0.8 mm, 1.0 mm, 1.3 mm, 1.5 mm, 1.7 mm, Alternatively, it may have a thickness of 2.0mm. In some cases, the multisync (e.g., disposed within the imaging system or device or within a cavity, gap or space 270 thereof) has a width of at least 0.5 mm, at least 0.8 mm, at least 1.0 mm, at least 1.3 mm, or at least 1.5 mm. mm, at least 1.7 mm, or at least 2.0 mm. In some cases, multiple syncs (e.g., disposed within an imaging system or device or within a cavity, gap, or space 270 thereof) may be up to 0.8 mm, up to 1.0 mm, up to 1.3 mm, up to 1.5 mm, up to 1.7 mm. mm, or up to 2.0 mm thick. In some cases, when the multi-sync medium of the imaging system or device 100, 200, 250 has a thickness of at least 1.0 mm or at least 1.5 mm, reverberation artifacts can be completely eliminated from the ultrasound scan, and in some cases, are acceptable. The error is +/-0.25mm. In some cases, a method of manufacturing an imaging system or device (100, 200, 250) includes injecting multisync medium (400) to partially or completely fill one or more cavities, gaps, or spaces (270) of the imaging system or device. It may include the step of forming or molding. In some cases, the imaging system or device 100, 200, 250 may be provided with a fully captured edge (e.g., where a seepage of the multisync medium 400 when injected, for example) may be provided. To prevent this, the edges of one or more cavities, gaps or spaces 270 of the imaging system or device are sealed together when joined). In some cases, the imaging system or device (100, 200, 250) is equipped with a device (e.g., , one or more injection ports may be provided (through one or more heat sinks of the imaging system or device). In some cases, the injection port may be inserted through a side of the housing or heatsink (e.g., from the exterior side of the heatsink, so as not to disturb the bonding between the substrate 260 and the heatsink). (with the inner side of the heat sink open to a cavity, gap or space). In some cases, before the heat sink and substrate or housing and substrate are combined/bonded, for example, to entrap the multi-sink media 400 within a cavity, gap or space when the heat sink is bonded to the substrate. Multisync media 400 may be added to the imaging device or system.

일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 열 전도성일 수 있다. 예를 들어, 다중싱크 매체(400)는 2W/mK(Watts per meter-Kelvin) 내지 7W/mK의 열전도율을 가질 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 2W/mK 내지 2.3W/mK, 2W/mK 내지 2.5W/mK, 2W/mK 내지 3W/mK, 2W/mK 내지 3.7W/mK, 2W/mK 내지 4W/mK, 2W/mK 내지 5W/mK, 2W/mK 내지 5.5W/mK, 2W/mK 내지 6W/mK, 2W/mK 내지 6.4W/mK, 2W/mK 내지 7W/mK, 2.3W/mK 내지 2.5W/mK, 2.3W/mK 내지 3W/mK, 2.3W/mK 내지 3.7W/mK, 2.3W/mK 내지 4W/mK, 2.3W/mK 내지 5W/mK, 2.3W/mK 내지 5.5W/mK, 2.3W/mK 내지 6W/mK, 2.3W/mK 내지 6.4W/mK, 2.3W/mK 내지 7W/mK, 2.5W/mK 내지 3W/mK, 2.5W/mK 내지 3.7W/mK, 2.5W/mK 내지 4W/mK, 2.5W/mK 내지 5W/mK, 2.5W/mK 내지 5.5W/mK, 2.5W/mK 내지 6W/mK, 2.5W/mK 내지 6.4W/mK, 2.5W/mK 내지 7W/mK, 3W/mK 내지 3.7W/mK, 3W/mK 내지 4W/mK, 3W/mK 내지 5W/mK, 3W/mK 내지 5.5W/mK, 3W/mK 내지 6W/mK, 3W/mK 내지 6.4W/mK, 3W/mK 내지 7W/mK, 3.7W/mK 내지 4W/mK, 3.7W/mK 내지 5W/mK, 3.7W/mK 내지 5.5W/mK, 3.7W/mK 내지 6W/mK, 3.7W/mK 내지 6.4W/mK, 3.7W/mK 내지 7W/mK, 4W/mK 내지 5W/mK, 4W/mK 내지 5.5W/mK, 4W/mK 내지 6W/mK, 4W/mK 내지 6.4W/mK, 4W/mK 내지 7W/mK, 5W/mK 내지 5.5W/mK, 5W/mK 내지 6W/mK, 5W/mK 내지 6.4W/mK, 5W/mK 내지 7W/mK, 5.5W/mK 내지 6W/mK, 5.5W/mK 내지 6.4W/mK, 5.5W/mK 내지 7W/mK, 6W/mK 내지 6.4W/mK, 6W/mK 내지 7W/mK, 또는 6.4W/mK 내지 7W/mK의 열전도율을 가질 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 2W/mK, 2.3W/mK, 2.5W/mK, 3W/mK, 3.7W/mK, 4W/mK, 5W/mK, 5.5W/mK, 6W/mK, 6.4W/mK 또는 7W/mK의 열전도율을 가질 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 적어도 2W/mK, 적어도 2.3W/mK, 적어도 2.5W/mK, 적어도 3W/mK, 적어도 3.7W/mK, 적어도 4W/mK, 적어도 5W/mK, 적어도 5.5W/mK, 적어도 6W/mK, 적어도 6.4W/mK, 또는 적어도 7.0W/mK의 열전도율을 가질 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 최대 2.3W/mK, 최대 2.5W/mK, 최대 3W/mK, 최대 3.7W/mK, 최대 4W/mK, 최대 5W/mK, 최대 5.5W/mK, 최대 6W/mK, 최대 6.4W/mK 또는 최대 7W/mK의 열전도율을 가질 수 있다. 일부 경우에, 매트릭스 재료의 선택은 다중싱크 매체(400)가 열 전도성인지 여부를 결정할 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)가 실리콘 엘라스토머 또는 실리콘계 엘라스토머를 포함할 때 다중싱크 매체(400)는 열 전도성일 수 있다. 열 전도성인 다중싱크 매체(400)는 이미징 디바이스 또는 이미징 시스템에서 열 전달을 개선시킬 수 있다. 예를 들어, (예를 들면, 집적 회로(예를 들면, ASIC), 프로세서 및/또는 트랜스듀서 요소와 같은 이미징 디바이스 또는 이미징 시스템의 컴포넌트와 접촉하는) 다중싱크 매체(400)는 (예를 들면, 작동 동안) 열을 생성할 수 있고/있거나 과도한 열에 민감할 수 있는(예를 들면, 과도한 열이 있을 때 과열되며, 성능 저하를 경험하고/하거나, 작동이 중단될 수 있는) 하나 이상의 컴포넌트로부터의 열을 전달하는 데 도움을 줄 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는, 이미징 시스템 또는 이미징 디바이스의 히트싱크 및/또는 하우징 또는 케이싱과 같은, 이미징 시스템 또는 이미징 디바이스의 다른 열 전도성 컴포넌트와 접촉하는 것에 의해 열 전달을 용이하게 할 수 있다. 일부 경우에, 열 전도성인 히트싱크가, 예를 들면, (예를 들면, 이미징 시스템 또는 이미징 디바이스의 하나 이상의 열에 민감한 컴포넌트로부터의) 열 전달을 개선시키기 위해, 이미징 시스템이나 이미징 디바이스 또는 그 일부의 공동, 갭 또는 공간에 위치하거나 배치되거나 주입되거나 퇴적될 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스의 공동, 갭 또는 공간은 이미징 시스템 또는 디바이스를 제조하는 데 사용되는 방법으로 인해 생길 수 있거나, 시스템 또는 디바이스의 제1 컴포넌트를 시스템 또는 디바이스의 제2 컴포넌트로부터 전기적 또는 기계적으로 격리시키는 데 도움을 주도록 시스템 또는 디바이스의 설계에 포함될 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템이나 이미징 디바이스 또는 그 일부의 공동, 갭 또는 공간에 위치하거나, 배치되거나, 주입되거나 퇴적되는 다중싱크는 그렇지 않았으면 공동, 갭 또는 공간에 위치할 컴포넌트 또는 재료(예를 들면, 공기와 같은 가스)를 대체할 수 있으며, 예를 들면, 여기서 대체된 컴포넌트 또는 재료는 다중싱크 매체(400)보다 낮은 열 전도성을 갖는다. 예를 들어, 이미징 시스템 또는 디바이스의 공동, 갭 또는 공간을 다중싱크 매체(400)로 채우는 것은 열 전도성이 낮은 컴포넌트 또는 재료(예를 들면, 공기)를 대체할 수 있고 시스템 또는 디바이스 내에서의 열 전달을 증가시킬 수 있으며, 이는 이미징 시스템 또는 이미징 디바이스의 과열 또는 열 관련 성능 저하의 위험을 감소시킬 수 있다. 일부 경우에, 다중싱크 매체(400)는 열 전도성(예를 들면, 본 명세서에 설명됨)이면서 음향 비전도성(예를 들면, 음향 절연성)인데, 그 이유는 많은 열 전도성 재료들(예를 들면, 알루미늄 히트싱크)이, 예를 들어, 열 전도성 물질의 초음파 반사 경향의 존재로 인해 발생하는 음향 반향의 결과로서, 초음파 스캐닝 동안 아티팩트를 유발할 수 있기 때문이다.In some cases, multisink media 400 may be thermally conductive. For example, the multi-sink medium 400 may have a thermal conductivity of 2 W/mK (Watts per meter-Kelvin) to 7 W/mK. In some cases, the multi-sync medium 400 has a power output of 2 W/mK to 2.3 W/mK, 2 W/mK to 2.5 W/mK, 2 W/mK to 3 W/mK, 2 W/mK to 3.7 W/mK, and 2 W/mK to 2 W/mK. 4W/mK, 2W/mK to 5W/mK, 2W/mK to 5.5W/mK, 2W/mK to 6W/mK, 2W/mK to 6.4W/mK, 2W/mK to 7W/mK, 2.3W/mK to 2.5W/mK, 2.3W/mK to 3W/mK, 2.3W/mK to 3.7W/mK, 2.3W/mK to 4W/mK, 2.3W/mK to 5W/mK, 2.3W/mK to 5.5W /mK, 2.3 W/mK to 6 W/mK, 2.3 W/mK to 6.4 W/mK, 2.3 W/mK to 7 W/mK, 2.5 W/mK to 3 W/mK, 2.5 W/mK to 3.7 W/mK, 2.5W/mK to 4W/mK, 2.5W/mK to 5W/mK, 2.5W/mK to 5.5W/mK, 2.5W/mK to 6W/mK, 2.5W/mK to 6.4W/mK, 2.5W/ mK to 7W/mK, 3W/mK to 3.7W/mK, 3W/mK to 4W/mK, 3W/mK to 5W/mK, 3W/mK to 5.5W/mK, 3W/mK to 6W/mK, 3W/ mK to 6.4W/mK, 3W/mK to 7W/mK, 3.7W/mK to 4W/mK, 3.7W/mK to 5W/mK, 3.7W/mK to 5.5W/mK, 3.7W/mK to 6W/ mK, 3.7W/mK to 6.4W/mK, 3.7W/mK to 7W/mK, 4W/mK to 5W/mK, 4W/mK to 5.5W/mK, 4W/mK to 6W/mK, 4W/mK to 6.4W/mK, 4W/mK to 7W/mK, 5W/mK to 5.5W/mK, 5W/mK to 6W/mK, 5W/mK to 6.4W/mK, 5W/mK to 7W/mK, 5.5W/ mK to 6W/mK, 5.5W/mK to 6.4W/mK, 5.5W/mK to 7W/mK, 6W/mK to 6.4W/mK, 6W/mK to 7W/mK, or 6.4W/mK to 7W/ It can have a thermal conductivity of mK. In some cases, the multisync medium 400 has 2W/mK, 2.3W/mK, 2.5W/mK, 3W/mK, 3.7W/mK, 4W/mK, 5W/mK, 5.5W/mK, 6W/mK. , may have a thermal conductivity of 6.4W/mK or 7W/mK. In some cases, multisync medium 400 has a power output of at least 2 W/mK, at least 2.3 W/mK, at least 2.5 W/mK, at least 3 W/mK, at least 3.7 W/mK, at least 4 W/mK, at least 5 W/mK, at least It may have a thermal conductivity of 5.5 W/mK, at least 6 W/mK, at least 6.4 W/mK, or at least 7.0 W/mK. In some cases, multi-sync media 400 can provide up to 2.3 W/mK, up to 2.5 W/mK, up to 3 W/mK, up to 3.7 W/mK, up to 4 W/mK, up to 5 W/mK, up to 5.5 W/mK, It can have a thermal conductivity of up to 6 W/mK, up to 6.4 W/mK, or up to 7 W/mK. In some cases, the choice of matrix material may determine whether the multisink media 400 is thermally conductive. In some cases, multisink media 400 may be thermally conductive when it includes a silicone elastomer or silicone-based elastomer. The thermally conductive multisink medium 400 can improve heat transfer in an imaging device or imaging system. For example, multisync medium 400 (e.g., in contact with a component of an imaging device or imaging system, such as an integrated circuit (e.g., ASIC), processor, and/or transducer element) may be configured to (e.g. , from one or more components that may generate heat (during operation) and/or may be sensitive to excessive heat (e.g., may overheat, experience reduced performance, and/or fail in the presence of excessive heat). It can help transfer heat. In some cases, multisink media 400 may facilitate heat transfer by contacting other thermally conductive components of the imaging system or imaging device, such as the heatsink and/or housing or casing of the imaging system or imaging device. You can. In some cases, a heat sink that is thermally conductive may be added to the imaging system or imaging device or portion thereof, for example, to improve heat transfer (e.g., from one or more thermally sensitive components of the imaging system or imaging device). It may be located, disposed, injected or deposited into a cavity, gap or space. In some cases, cavities, gaps, or spaces in an imaging system or device may result from the method used to manufacture the imaging system or device, or may electrically or disconnect a first component of the system or device from a second component of the system or device. May be included in the design of a system or device to assist in mechanical isolation. In some cases, a multisink that is located, disposed, injected or deposited into a cavity, gap or space of an imaging system or imaging device or portion thereof may contain components or materials that would otherwise be located in the cavity, gap or space (e.g. , a gas such as air), for example, where the replaced component or material has a lower thermal conductivity than the multi-sink medium 400. For example, filling cavities, gaps, or spaces of an imaging system or device with multisink media 400 can replace components or materials with low thermal conductivity (e.g., air) and reduce heat within the system or device. Transmission can be increased, which can reduce the risk of overheating or heat-related performance degradation of the imaging system or imaging device. In some cases, multisink media 400 is both thermally conductive (e.g., as described herein) and acoustically non-conductive (e.g., acoustically insulating) because it contains many thermally conductive materials (e.g. , aluminum heatsinks) may cause artifacts during ultrasonic scanning, for example, as a result of acoustic reflections arising due to the presence of ultrasonic reflection tendencies in thermally conductive materials.

배킹층Backing layer

본 명세서에 설명된 이미징 시스템 또는 디바이스(100)(예를 들면, 초음파 이미징 시스템 또는 디바이스(100))는 배킹층(232)(예를 들면, 배킹 라미네이트)을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 예를 들어, 흡수체층(230) 및/또는 다중싱크 매체(400)를 포함하는 배킹층(232)(예를 들면, 배킹 라미네이트)은, 예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100) 내에서의 초음파 에너지의 반향으로 인해 생길 수 있는 반향 아티팩트를 감소시키기 위해 이미징 시스템 또는 디바이스(100)에 추가(예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)의 프로브 내부에 배치)될 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 다중싱크 매체(400) 및 배킹층(232)을 포함할 수 있다. 배킹층(232)(예를 들면, 배킹 라미네이트)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 배킹 라미네이트(232)는 텅스텐 반사체를 포함할 수 있다. 일부 경우에, 일부 경우에 배킹층(232)의 일부를 포함할 수 있는 흡수체층(230)은 금속 폼(metal foam)(예를 들면, 구리 폼(copper foam))을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 배킹층(예를 들면, 배킹 라미네이트)은 알루미늄 배킹을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 배킹층은 (예를 들면, 배킹층의 컴포넌트들을 함께 및/또는 기판(260) 및/또는 히트싱크(268)와 같은 이미징 시스템 또는 디바이스(100, 200, 250)의 하나 이상의 컴포넌트에 결합시키기 위해 하나 이상의 접착제층(262)을 포함할 수 있다.The imaging system or device 100 described herein (e.g., ultrasound imaging system or device 100) may include a backing layer 232 (e.g., a backing laminate). In some cases, for example, a backing layer 232 (e.g., a backing laminate) comprising absorber layer 230 and/or multi-sink media 400 may be used to form, for example, an imaging system or device 100. ) may be added to the imaging system or device 100 (e.g., placed inside a probe of the imaging system or device 100) to reduce echo artifacts that may result from reflection of ultrasonic energy within the probe. In some cases, imaging system or device 100 may include multi-sync media 400 and backing layer 232. Backing layer 232 (eg, backing laminate) may include metal. For example, backing laminate 232 may include a tungsten reflector. In some cases, absorber layer 230, which in some cases may include a portion of backing layer 232, may include metal foam (eg, copper foam). In some cases, the backing layer (eg, backing laminate) may include an aluminum backing. In some cases, the backing layer (e.g., together with the components of the backing layer and/or one or more components of the imaging system or device 100, 200, 250, such as substrate 260 and/or heat sink 268) It may include one or more adhesive layers 262 for bonding to.

컴퓨팅 시스템computing system

도 10을 참조하면, 디바이스로 하여금 본 개시의 정적 코드 스케줄링을 위한 양태들 및/또는 방법론들 중 임의의 하나 이상을 수행하거나 실행하게 하기 위해 명령어 세트가 실행될 수 있는 컴퓨터 시스템(1000)(예를 들면, 처리 또는 컴퓨팅 시스템)을 포함하는 예시적인 머신을 묘사하는 블록 다이어그램이 도시되어 있다. 도 10에서의 컴포넌트들은 단지 예일뿐이며 임의의 하드웨어, 소프트웨어, 내장된 논리 컴포넌트 또는 특정 실시예들을 구현하는 2개 이상의 이러한 컴포넌트의 조합의 사용 또는 기능의 범위를 제한하지 않는다.10, a computer system 1000 (e.g., computer system 1000) on which a set of instructions can be executed to cause a device to perform or execute any one or more of the aspects and/or methodologies for static code scheduling of the present disclosure. A block diagram depicting an example machine including a processing or computing system (e.g., a processing or computing system) is shown. The components in FIG. 10 are examples only and do not limit the scope of use or functionality of any hardware, software, embedded logic component, or combination of two or more such components to implement particular embodiments.

컴퓨터 시스템(1000)은 버스(1040)를 통해 서로 통신하고 다른 컴포넌트들과 통신하는 하나 이상의 프로세서(1001), 메모리(1003) 및 저장소(1008)를 포함할 수 있다. 버스(1040)는 또한 디스플레이(1032), 하나 이상의 입력 디바이스(1033)(예를 들어, 키패드, 키보드, 마우스, 스타일러스 등을 포함할 수 있음), 하나 이상의 출력 디바이스(1034), 하나 이상의 저장 디바이스(1035) 및 다양한 유형적 저장 매체(1036)를 연결(link)할 수 있다. 이들 요소 모두는 직접 또는 하나 이상의 인터페이스 또는 어댑터를 통해 버스(1040)와 인터페이싱할 수 있다. 예를 들어, 다양한 유형적 저장 매체(1036)는 저장 매체 인터페이스(1026)를 통해 버스(1040)와 인터페이싱할 수 있다. 컴퓨터 시스템(1000)은 하나 이상의 집적 회로(IC), 인쇄 회로 기판(PCB), 모바일 핸드헬드 디바이스(예컨대, 모바일 전화 또는 PDA), 랩톱 또는 노트북 컴퓨터, 분산 컴퓨터 시스템, 컴퓨팅 그리드 또는 서버를 포함하지만 이에 제한되지 않는 임의의 적합한 물리적 형태를 가질 수 있다.Computer system 1000 may include one or more processors 1001, memory 1003, and storage 1008 that communicate with each other and other components via bus 1040. Bus 1040 also includes a display 1032, one or more input devices 1033 (which may include, e.g., a keypad, keyboard, mouse, stylus, etc.), one or more output devices 1034, and one or more storage devices. (1035) and various tangible storage media (1036) can be linked. All of these elements may interface with bus 1040 directly or through one or more interfaces or adapters. For example, various tangible storage media 1036 may interface with bus 1040 via storage media interface 1026. Computer system 1000 includes one or more integrated circuits (ICs), printed circuit boards (PCBs), mobile handheld devices (e.g., mobile phones or PDAs), laptops or notebook computers, distributed computer systems, computing grids, or servers. It may have any suitable physical form, but is not limited thereto.

컴퓨터 시스템(1000)은 기능을 수행하는 하나 이상의 프로세서(들)(1001)(예를 들면, 중앙 처리 유닛(CPU), 범용 그래픽 처리 유닛(GPGPU), 또는 양자 처리 유닛(QPU))를 포함한다. 프로세서(들)(1001)는 명령어, 데이터 또는 컴퓨터 주소의 임시 로컬 저장을 위한 캐시 메모리 유닛(1002)을 선택적으로 포함한다. 프로세서(들)(101)는 컴퓨터 판독 가능 명령어의 실행을 보조하도록 구성된다. 컴퓨터 시스템(1000)은 프로세서(들)(1001)가 메모리(1003), 저장소(1008), 저장 디바이스(1035), 및/또는 저장 매체(1036)와 같은 하나 이상의 유형적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 구체화된 비일시적 프로세서 실행 가능 명령어를 실행한 결과로서 도 10에 묘사된 컴포넌트들에 대한 기능을 제공할 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 특정 실시예들을 구현하는 소프트웨어를 저장할 수 있고, 프로세서(들)(1001)는 소프트웨어를 실행할 수 있다. 메모리(1003)는 하나 이상의 다른 컴퓨터 판독 가능 매체(예컨대, 대용량 저장 디바이스(들)(1035, 1036))로부터 또는 네트워크 인터페이스(1020)와 같은 적합한 인터페이스를 통해 하나 이상의 다른 소스로부터 소프트웨어를 판독할 수 있다. 소프트웨어는 프로세서(들)(1001)로 하여금 본 명세서에 설명되거나 예시된 하나 이상의 프로세스 또는 하나 이상의 프로세스의 하나 이상의 단계를 수행하게 할 수 있다. 이러한 프로세스 또는 단계를 수행하는 것은 메모리(1003)에 저장된 데이터 구조를 정의하고 소프트웨어에 의해 지시된 대로 데이터 구조를 수정하는 것을 포함할 수 있다.Computer system 1000 includes one or more processor(s) 1001 (e.g., a central processing unit (CPU), general purpose graphics processing unit (GPGPU), or quantum processing unit (QPU)) to perform functions. . Processor(s) 1001 optionally includes a cache memory unit 1002 for temporary local storage of instructions, data, or computer addresses. Processor(s) 101 are configured to assist in the execution of computer-readable instructions. Computer system 1000 may have processor(s) 1001 embodied in one or more tangible computer-readable storage media, such as memory 1003, storage 1008, storage devices 1035, and/or storage media 1036. As a result of executing non-transitory processor-executable instructions, the functionality of the components depicted in FIG. 10 may be provided. A computer-readable medium may store software implementing certain embodiments, and processor(s) 1001 may execute the software. Memory 1003 may be capable of reading software from one or more other computer-readable media (e.g., mass storage device(s) 1035, 1036) or from one or more other sources via a suitable interface, such as network interface 1020. there is. Software may cause processor(s) 1001 to perform one or more processes or one or more steps of one or more processes described or illustrated herein. Performing these processes or steps may include defining data structures stored in memory 1003 and modifying the data structures as directed by software.

메모리(1003)는 랜덤 액세스 메모리 컴포넌트(예를 들면, RAM(1004))(예를 들면, 정적 RAM(SRAM), 동적 RAM(DRAM), 강유전성 랜덤 액세스 메모리(FRAM), 상변화 랜덤 액세스 메모리(PRAM) 등), 판독 전용 메모리 컴포넌트(예를 들면, ROM(1005)), 및 이들의 임의의 조합을 포함하지만 이에 제한되지 않는 다양한 컴포넌트(예를 들면, 머신판독 가능 매체)를 포함할 수 있다. ROM(1005)은 프로세서(들)(1001)에 단방향으로 데이터 및 명령어를 전달하는 역할을 할 수 있고, RAM(1004)은 프로세서(들)(1001)와 양방향으로 데이터 및 명령어를 전달하는 역할을 할 수 있다. ROM(1005) 및 RAM(1004)은 아래에 설명된 임의의 적합한 유형적 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함할 수 있다. 일 예에서, 예컨대, 시동(start-up) 동안, 컴퓨터 시스템(1000) 내의 요소들 사이에서 정보를 전송하는 데 도움을 주는 기본 루틴을 포함하는 기본 입/출력 시스템(1006)(BIOS)이 메모리(1003)에 저장될 수 있다.Memory 1003 may include random access memory components (e.g., RAM 1004) (e.g., static RAM (SRAM), dynamic RAM (DRAM), ferroelectric random access memory (FRAM), phase change random access memory ( PRAM), etc.), read-only memory components (e.g., ROM 1005), and any combinations thereof. . The ROM 1005 may serve to transmit data and instructions unidirectionally to the processor(s) 1001, and the RAM 1004 may serve to transmit data and instructions bidirectionally to the processor(s) 1001. can do. ROM 1005 and RAM 1004 may include any suitable tangible computer-readable medium described below. In one example, a basic input/output system 1006 (BIOS) includes basic routines that help transfer information between elements within the computer system 1000, such as during start-up. It can be stored in (1003).

고정식 저장소(1008)는, 선택적으로 저장소 제어 디바이스(1007)를 통해, 프로세서(들)(1001)에 양방향으로 연결된다. 고정식 저장소(1008)는 추가적인 데이터 저장 용량을 제공하며 본 명세서에 설명된 임의의 적합한 유형적 컴퓨터 판독 가능 매체를 또한 포함할 수 있다. 저장소(1008)는 운영 체제(1009), 실행 파일(들)(1010), 데이터(1011), 애플리케이션들(1012)(애플리케이션 프로그램들) 등을 저장하는 데 사용될 수 있다. 저장소(1008)는 광학 디스크 드라이브, 솔리드 스테이트 메모리 디바이스(예를 들면, 플래시 기반 시스템), 또는 이들 중 임의의 것의 조합을 또한 포함할 수 있다. 저장소(1008) 내의 정보는, 적절한 경우에, 메모리(1003)에 가상 메모리로서 통합될 수 있다.Stationary storage 1008 is bi-directionally coupled to processor(s) 1001, optionally via storage control device 1007. Non-stationary storage 1008 provides additional data storage capacity and may also include any suitable tangible computer-readable medium described herein. Storage 1008 may be used to store operating system 1009, executable file(s) 1010, data 1011, applications 1012 (application programs), etc. Storage 1008 may also include an optical disk drive, a solid-state memory device (eg, a flash-based system), or a combination of any of these. Information in storage 1008 may, where appropriate, be incorporated into memory 1003 as virtual memory.

일 예에서, 저장 디바이스(들)(1035)는 저장 디바이스 인터페이스(1025)를 통해 (예를 들면, 외부 포트 커넥터(도시되지 않음)를 통해) 컴퓨터 시스템(1000)과 제거 가능하게 인터페이싱될 수 있다. 특히, 저장 디바이스(들)(1035) 및 연관된 머신 판독 가능 매체는 컴퓨터 시스템(1000)을 위한 머신 판독 가능 명령어, 데이터 구조, 프로그램 모듈 및/또는 다른 데이터의 비휘발성 및/또는 휘발성 저장을 제공할 수 있다. 일 예에서, 소프트웨어는 저장 디바이스(들)(1035)의 머신 판독 가능 매체 내에, 완전히 또는 부분적으로, 상주할 수 있다. 다른 예에서, 소프트웨어는 프로세서(들)(1001) 내에, 완전히 또는 부분적으로, 상주할 수 있다.In one example, storage device(s) 1035 may be removably interfaced with computer system 1000 (e.g., via an external port connector (not shown)) via storage device interface 1025. . In particular, storage device(s) 1035 and associated machine-readable media may provide non-volatile and/or volatile storage of machine-readable instructions, data structures, program modules and/or other data for computer system 1000. You can. In one example, software may reside, completely or partially, within a machine-readable medium of storage device(s) 1035. In another example, software may reside, completely or partially, within processor(s) 1001.

버스(1040)는 다양한 서브시스템들을 연결시킨다. 여기서, 버스에 대한 언급은, 적절한 경우, 공통 기능을 제공하는 하나 이상의 디지털 신호 라인을 포함할 수 있다. 버스(1040)는 다양한 버스 아키텍처 중 임의의 것을 사용하는 메모리 버스, 메모리 컨트롤러, 주변기기 버스, 로컬 버스 및 이들의 임의의 조합을 포함하지만 이에 제한되지 않는 여러 유형의 버스 구조 중 임의의 것일 수 있다. 제한이 아닌 예로서, 이러한 아키텍처는 ISA(Industry Standard Architecture) 버스, EISA(Enhanced ISA) 버스, MCA(Micro Channel Architecture) 버스, VLB(Video Electronics Standards Association local bus), PCI(Peripheral Component Interconnect) 버스, PCI-X(PCI-Express) 버스, AGP(Accelerated Graphics Port) 버스, HTX(HyperTransport) 버스, SATA(serial advanced technology attachment) 버스, 및 이들의 조합을 포함한다.Bus 1040 connects various subsystems. References herein to a bus may, where appropriate, include one or more digital signal lines providing a common function. Bus 1040 may be any of several types of bus structures, including, but not limited to, memory buses, memory controllers, peripheral buses, local buses, and any combination thereof using any of a variety of bus architectures. By way of example and not limitation, these architectures include the Industry Standard Architecture (ISA) bus, Enhanced ISA (EISA) bus, Micro Channel Architecture (MCA) bus, Video Electronics Standards Association local bus (VLB), Peripheral Component Interconnect (PCI) bus, It includes a PCI-Express (PCI-X) bus, an Accelerated Graphics Port (AGP) bus, a HyperTransport (HTX) bus, a serial advanced technology attachment (SATA) bus, and combinations thereof.

컴퓨터 시스템(1000)은 입력 디바이스(1033)를 또한 포함할 수 있다. 일 예에서, 컴퓨터 시스템(1000)의 사용자는 입력 디바이스(들)(1033)을 통해 컴퓨터 시스템(1000)에 명령 및/또는 다른 정보를 입력할 수 있다. 입력 디바이스(들)(1033)의 예는 영숫자 입력 디바이스(예를 들면, 키보드), 포인팅 디바이스(예를 들면, 마우스 또는 터치패드), 터치패드, 터치 스크린, 멀티 터치 스크린, 조이스틱, 스타일러스, 게임 패드, 오디오 입력 디바이스(예를 들면, 마이크로폰, 음성 응답 시스템 등), 광학 스캐너, 비디오 또는 정지 이미지 캡처 디바이스(예를 들면, 카메라), 및 이들의 임의의 조합을 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 일부 실시예들에서, 입력 디바이스는 Kinect, Leap Motion 등이다. 입력 디바이스(들)(1033)는 직렬, 병렬, 게임 포트, USB, FIREWIRE, THUNDERBOLT 또는 이들의 임의의 조합을 포함하지만 이에 제한되지 않는 다양한 입력 인터페이스(1023) 중 임의의 것(예를 들면, 입력 인터페이스(1023))을 통해 버스(1040)와 인터페이싱될 수 있다.Computer system 1000 may also include input device 1033. In one example, a user of computer system 1000 may input commands and/or other information into computer system 1000 through input device(s) 1033. Examples of input device(s) 1033 include alphanumeric input devices (e.g., keyboards), pointing devices (e.g., mice or touchpads), touchpads, touch screens, multi-touch screens, joysticks, styluses, and games. Including, but not limited to, pads, audio input devices (e.g., microphones, voice response systems, etc.), optical scanners, video or still image capture devices (e.g., cameras), and any combinations thereof. In some embodiments, the input device is Kinect, Leap Motion, etc. Input device(s) 1033 may be any of a variety of input interfaces 1023 (e.g., input It may be interfaced with the bus 1040 through an interface 1023).

특정 실시예들에서, 컴퓨터 시스템(1000)이 네트워크(1030)에 연결될 때, 컴퓨터 시스템(1000)은 네트워크(1030)에 연결된 다른 디바이스, 구체적으로는 모바일 디바이스 및 엔터프라이즈 시스템, 분산 컴퓨팅 시스템, 클라우드 저장 시스템, 클라우드 컴퓨팅 시스템 등과 통신할 수 있다. 컴퓨터 시스템(1000)과의 통신은 네트워크 인터페이스(1020)를 통해 송신될 수 있다. 예를 들어, 네트워크 인터페이스(1020)는 네트워크(1030)로부터 하나 이상의 패킷(예컨대, IP(Internet Protocol) 패킷)의 형태의 들어오는 통신(예컨대, 다른 디바이스로부터의 요청 또는 응답)을 수신할 수 있고, 컴퓨터 시스템(1000)은 들어오는 통신을 처리를 위해 메모리(1003)에 저장할 수 있다. 컴퓨터 시스템(100)은 유사하게 하나 이상의 패킷의 형태의 나가는 통신(예컨대, 다른 디바이스에 대한 요청 또는 응답)을 메모리(1003)에 저장하고 네트워크 인터페이스(1020)로부터 네트워크(1030)로 전달할 수 있다. 프로세서(들)(1001)는 처리를 위해 메모리(1003)에 저장된 이들 통신 패킷에 액세스할 수 있다.In certain embodiments, when computer system 1000 is connected to network 1030, computer system 1000 can connect to other devices connected to network 1030, specifically mobile devices and enterprise systems, distributed computing systems, and cloud storage. It can communicate with systems, cloud computing systems, etc. Communications with computer system 1000 may be transmitted via network interface 1020. For example, network interface 1020 may receive incoming communications (e.g., a request or response from another device) in the form of one or more packets (e.g., Internet Protocol (IP) packets) from network 1030; Computer system 1000 may store incoming communications in memory 1003 for processing. Computer system 100 may similarly store outgoing communications in the form of one or more packets (e.g., a request or response to another device) in memory 1003 and forward them from network interface 1020 to network 1030. Processor(s) 1001 may access these communication packets stored in memory 1003 for processing.

네트워크 인터페이스(1020)의 예는 네트워크 인터페이스 카드, 모뎀, 및 이들의 임의의 조합을 포함하지만 이에 제한되지는 않는다. 네트워크(1030) 또는 네트워크 세그먼트(1030)의 예는 분산 컴퓨팅 시스템, 클라우드 컴퓨팅 시스템, WAN(wide area network)(예를 들면, 인터넷, 엔터프라이즈 네트워크), LAN(local area network)(예를 들면, 사무실, 건물, 캠퍼스 또는 다른 상대적으로 작은 지리적 공간과 연관된 네트워크), 전화 네트워크, 2대의 컴퓨팅 디바이스 간의 직접 연결, 피어-투-피어 네트워크, 및 이들의 임의의 조합을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 네트워크(1030)와 같은 네트워크는 유선 및/또는 무선 통신 모드를 이용할 수 있다. 일반적으로, 임의의 네트워크 토폴로지가 사용될 수 있다.Examples of network interfaces 1020 include, but are not limited to, network interface cards, modems, and any combinations thereof. Examples of networks 1030 or network segments 1030 include distributed computing systems, cloud computing systems, wide area networks (WANs) (e.g., the Internet, enterprise networks), local area networks (LANs) (e.g., office , a network associated with a building, campus, or other relatively small geographic space), a telephone network, a direct connection between two computing devices, a peer-to-peer network, and any combination thereof. A network, such as network 1030, may utilize wired and/or wireless communication modes. In general, any network topology can be used.

정보 및 데이터는 디스플레이(1032)를 통해 디스플레이될 수 있다. 디스플레이(1032)의 예는 CRT(cathode ray tube), LCD(liquid crystal display), TFT-LCD(thin film transistor liquid crystal display), PMOLED(passive-matrix OLED) 또는 AMOLED(active-matrix OLED) 디스플레이와 같은 OLED(organic liquid crystal display), 플라스마 디스플레이 및 이들의 임의의 조합을 포함하지만 이에 제한되지는 않는다. 디스플레이(1032)는 버스(1040)를 통해 프로세서(들)(1001), 메모리(1003) 및 고정식 저장소(1008)는 물론, 입력 디바이스(들)(1033)와 같은 다른 디바이스와 인터페이싱할 수 있다. 디스플레이(1032)는 비디오 인터페이스(1022)를 통해 버스(1040)에 연결되고, 디스플레이(1032)와 버스(1040) 사이의 데이터 전송은 그래픽 제어(1021)를 통해 제어될 수 있다. 일부 실시예들에서, 디스플레이는 비디오 프로젝터이다. 일부 실시예들에서, 디스플레이는 VR 헤드셋과 같은 머리 장착형 디스플레이(HMD)이다. 추가 실시예들에서, 적합한 VR 헤드셋은, 비제한적인 예로서, HTC Vive, Oculus Rift, Samsung Gear VR, Microsoft HoloLens, Razer OSVR, FOVE VR, Zeiss VR One, Avegant Glyph, Freefly VR 헤드셋 등을 포함한다. 또 다른 실시예들에서, 디스플레이는 본 명세서에 개시된 것과 같은 디바이스들의 조합이다.Information and data may be displayed via display 1032. Examples of displays 1032 include cathode ray tube (CRT), liquid crystal display (LCD), thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD), passive-matrix OLED (PMOLED), or active-matrix OLED (AMOLED) displays. Such as organic liquid crystal display (OLED), plasma display, and any combination thereof. Display 1032 may interface with other devices, such as processor(s) 1001, memory 1003, and fixed storage 1008, as well as input device(s) 1033 via bus 1040. Display 1032 is connected to bus 1040 through video interface 1022, and data transfer between display 1032 and bus 1040 can be controlled through graphics control 1021. In some embodiments, the display is a video projector. In some embodiments, the display is a head mounted display (HMD), such as a VR headset. In further embodiments, suitable VR headsets include, but are not limited to, HTC Vive, Oculus Rift, Samsung Gear VR, Microsoft HoloLens, Razer OSVR, FOVE VR, Zeiss VR One, Avegant Glyph, Freefly VR headsets, etc. . In still other embodiments, the display is a combination of devices such as those disclosed herein.

디스플레이(1032)에 더하여, 컴퓨터 시스템(1000)은 오디오 스피커, 프린터, 저장 디바이스, 및 이들의 임의의 조합을 포함하지만 이에 제한되지 않는 하나 이상의 다른 주변 출력 디바이스(1034)를 포함할 수 있다. 이러한 주변 출력 디바이스는 출력 인터페이스(1024)를 통해 버스(1040)에 연결될 수 있다. 출력 인터페이스(1024)의 예는 직렬 포트, 병렬 연결, USB 포트, FIREWIRE 포트, THUNDERBOLT 포트 및 이들의 임의의 조합을 포함하지만 이에 제한되지는 않는다.In addition to display 1032, computer system 1000 may include one or more other peripheral output devices 1034, including but not limited to audio speakers, printers, storage devices, and any combination thereof. These peripheral output devices may be connected to bus 1040 through output interface 1024. Examples of output interfaces 1024 include, but are not limited to, serial ports, parallel connections, USB ports, FIREWIRE ports, THUNDERBOLT ports, and any combination thereof.

추가적으로 또는 대안으로서, 컴퓨터 시스템(1000)은 본 명세서에 설명되거나 예시된 하나 이상의 프로세스 또는 하나 이상의 프로세스의 하나 이상의 단계를 실행하기 위해 소프트웨어 대신에 또는 소프트웨어와 함께 작동할 수 있는, 회로에 고정 배선되거나 달리 구체화되는 로직의 결과로서 기능을 제공할 수 있다. 본 개시에서 소프트웨어에 대한 언급은 로직을 포괄할 수 있고, 로직에 대한 언급은 소프트웨어를 포괄할 수 있다. 더욱이, 컴퓨터 판독 가능 매체에 대한 언급은 실행을 위한 소프트웨어를 저장하는 회로(예컨대, IC), 실행을 위한 로직을 구체화하는 회로, 또는, 적절한 경우, 둘 모두를 포함할 수 있다. 본 개시는 하드웨어, 소프트웨어 또는 둘 모두의 임의의 적절한 조합을 포함한다.Additionally or alternatively, computer system 1000 may be hardwired in circuitry, capable of operating instead of or in conjunction with software to execute one or more processes or one or more steps of one or more processes described or illustrated herein. Functionality can be provided as a result of logic that is otherwise specified. In this disclosure, reference to software may include logic, and reference to logic may include software. Moreover, reference to a computer-readable medium may include circuitry (e.g., IC) storing software for execution, circuitry embodying logic for execution, or both, as appropriate. This disclosure includes hardware, software, or any suitable combination of both.

해당 기술 분야의 통상의 기술자는 본 명세서에 개시된 실시예들과 관련하여 설명된 다양한 예시적인 논리 블록, 모듈, 회로, 및 알고리즘 단계가 전자 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 둘 모두의 조합으로서 구현될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 하드웨어와 소프트웨어의 이러한 상호교환성을 명확히 예시하기 위해, 다양한 예시적인 컴포넌트, 블록, 모듈, 회로, 및 단계가 일반적으로 그의 기능 면에서 위에서 설명되었다.Those skilled in the art will recognize that the various illustrative logical blocks, modules, circuits, and algorithm steps described in connection with the embodiments disclosed herein may be implemented as electronic hardware, computer software, or a combination of both. you will understand To clearly illustrate this interchangeability of hardware and software, various illustrative components, blocks, modules, circuits, and steps have been described above generally in terms of their functionality.

본 명세서에 개시된 실시예들과 관련하여 설명된 다양한 예시적인 논리 블록, 모듈, 및 회로는, 본 명세서에서 설명된 기능을 수행하도록 설계된, 범용 프로세서, DSP(digital signal processor), ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field programmable gate array), 또는 다른 프로그래밍 가능 로직 디바이스, 개별 게이트 또는 트랜지스터 로직, 개별 하드웨어 컴포넌트, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현되거나 수행될 수 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수 있지만, 대안에서, 프로세서는 임의의 종래의 프로세서, 제어기, 마이크로컨트롤러, 또는 상태 머신일 수 있다. 프로세서는 또한 컴퓨팅 디바이스들의 조합, 예를 들면, DSP와 마이크로프로세서의 조합, 복수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 결합된 하나 이상의 마이크로프로세서, 또는 임의의 다른 이러한 구성으로서 구현될 수 있다.Various example logical blocks, modules, and circuits described in connection with the embodiments disclosed herein include general-purpose processors, digital signal processors (DSPs), and application specific integrated circuits (ASICs) designed to perform the functions described herein. circuit), a field programmable gate array (FPGA), or other programmable logic device, individual gate or transistor logic, individual hardware components, or any combination thereof. A general-purpose processor may be a microprocessor, but in the alternative, the processor may be any conventional processor, controller, microcontroller, or state machine. A processor may also be implemented as a combination of computing devices, such as a combination of a DSP and a microprocessor, a plurality of microprocessors, one or more microprocessors combined with a DSP core, or any other such configuration.

본 명세서에서 개시된 실시예들과 관련하여 설명되는 방법 또는 알고리즘의 단계들은 하드웨어로 직접, 하나 이상의 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈로, 또는 이 둘의 조합으로 구체화될 수 있다. 소프트웨어 모듈은 RAM 메모리, 플래시 메모리, ROM 메모리, EPROM 메모리, EEPROM 메모리, 레지스터, 하드 디스크, 이동식 디스크, CD-ROM, 또는 해당 기술 분야에서 알려진 임의의 다른 형태의 저장 매체에 상주할 수 있다. 예시적인 저장 매체는, 프로세서가 저장 매체로부터 정보를 판독하고 저장 매체에 정보를 기입할 수 있도록, 프로세서에 결합된다. 대안으로, 저장 매체가 프로세서에 통합될 수 있다. 프로세서 및 저장 매체가 ASIC에 존재할 수 있다. ASIC은 사용자 단말에 존재할 수 있다. 대안으로, 프로세서 및 저장 매체는 사용자 단말에 개별 컴포넌트로서 존재할 수 있다.The steps of the method or algorithm described in connection with the embodiments disclosed herein may be embodied directly in hardware, as a software module executed by one or more processors, or a combination of the two. Software modules may reside in RAM memory, flash memory, ROM memory, EPROM memory, EEPROM memory, registers, hard disk, removable disk, CD-ROM, or any other form of storage medium known in the art. An exemplary storage medium is coupled to the processor such that the processor can read information from and write information to the storage medium. Alternatively, a storage medium may be integrated into the processor. The processor and storage media may reside in an ASIC. ASIC may exist in the user terminal. Alternatively, the processor and storage medium may exist as separate components in the user terminal.

본 명세서에서의 설명에 따르면, 적합한 컴퓨팅 디바이스는, 비제한적인 예로서, 서버 컴퓨터, 데스크톱 컴퓨터, 랩톱 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 핸드헬드 컴퓨터, 인터넷 기기, 모바일 스마트폰 및 태블릿 컴퓨터를 포함한다. 또한, 해당 기술 분야의 통상의 기술자는 선택적인 컴퓨터 네트워크 연결을 갖춘 선택된 텔레비전, 비디오 플레이어 및 디지털 음악 플레이어가 본 명세서에 설명된 시스템에 사용하기에 적합하다는 것을 인식할 것이다. 다양한 실시예에서, 적합한 태블릿 컴퓨터는 해당 기술 분야의 통상의 기술자에게 알려진 북릿(booklet) 구성, 슬레이트(slate) 구성 및 컨버터블 구성(convertible configuration)을 갖는 태블릿 컴퓨터를 포함한다.In accordance with the description herein, suitable computing devices include, but are not limited to, server computers, desktop computers, laptop computers, notebook computers, handheld computers, Internet devices, mobile smartphones, and tablet computers. Additionally, those skilled in the art will recognize that selected televisions, video players, and digital music players with optional computer network connections are suitable for use in the systems described herein. In various embodiments, suitable tablet computers include tablet computers with booklet configurations, slate configurations, and convertible configurations known to those skilled in the art.

일부 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스는 실행 가능한 명령어를 수행하도록 구성된 운영 체제를 포함한다. 운영 체제는, 예를 들어, 디바이스의 하드웨어를 관리하고 애플리케이션 실행을 위한 서비스를 제공하는, 프로그램 및 데이터를 포함하는, 소프트웨어이다. 해당 기술 분야의 통상의 기술자는 적합한 서버 운영 체제가, 비제한적인 예로서, FreeBSD, OpenBSD, NetBSD®, Linux, Apple® Mac OS X Server®, Oracle® Solaris®, Windows Server®, 및 Novell® NetWare®를 포함한다는 것을 인식할 것이다. 해당 기술 분야의 통상의 기술자는 적합한 개인용 컴퓨터 운영 체제가, 비제한적인 예로서, Microsoft® Windows®, Apple® Mac OS X®, UNIX®, 및 GNU/Linux®와 같은 UNIX 유사(UNIX-like) 운영 체제를 포함한다는 것을 인식할 것이다. 일부 실시예들에서, 운영 체제는 클라우드 컴퓨팅에 의해 제공된다. 해당 기술 분야의 통상의 기술자는 또한 적합한 모바일 스마트폰 운영 체제가, 비제한적인 예로서, Nokia® Symbian® OS, Apple® iOS®, Research In Motion® BlackBerry OS®, Google® Android®, Microsoft® Windows Phone® OS, Microsoft® Windows Mobile® OS, Linux®, 및 Palm® WebOS®를 포함한다는 것을 인식할 것이다.In some embodiments, a computing device includes an operating system configured to perform executable instructions. An operating system is software, including programs and data, that manages the device's hardware, for example, and provides services for running applications. Those skilled in the art will recognize that suitable server operating systems include , but are not limited to , FreeBSD, OpenBSD, NetBSD ® , Linux , Apple ® Mac OS You will recognize that it includes ® . Those skilled in the art will recognize that suitable personal computer operating systems include, but are not limited to, UNIX-like, such as Microsoft ® Windows ® , Apple ® Mac OS X ® , UNIX ® , and GNU/Linux ® You will recognize that it includes an operating system. In some embodiments, the operating system is provided by cloud computing. Those skilled in the art will also know that suitable mobile smartphone operating systems include, but are not limited to, Nokia ® Symbian ® OS, Apple ® iOS ® , Research In Motion ® BlackBerry OS ® , Google ® Android ® , Microsoft ® Windows It will be recognized that this includes Phone ® OS, Microsoft ® Windows Mobile ® OS, Linux ® , and Palm ® WebOS ® .

응용 분야Application field

일부 경우에, 본 명세서에 설명된 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 (예를 들면, 비침습적) 의료 이미징, 쇄석술, 치료 중재(therapeutic intervention)를 위한 국소 조직 가열, 고강도 집속 초음파(highly intensive focused ultrasound)(HIFU) 수술 및/또는 파이프(또는 스피커 및 마이크로폰 어레이)에서의 비의료 용도 흐름 측정에 사용될 수 있다. 일부 경우에, 본 명세서에 설명된 이미징 시스템 또는 디바이스는, 예를 들어 도플러 모드 이미징을 사용하여, 동맥 및/또는 정맥ㅔ서의 유체 흐름(예를 들면, 혈류)의 방향 및/또는 속도를 결정하는 데 사용될 수 있다. 일부 경우에, 본 명세서에 설명된 이미징 시스템 또는 디바이스는 조직 강성을 측정하는 데 사용될 수 있다.In some cases, the imaging system or device 100 described herein may be used for (e.g., non-invasive) medical imaging, lithotripsy, localized tissue heating for therapeutic intervention, and highly intensive focused ultrasound. ) (HIFU) can be used for flow measurements in surgery and/or non-medical applications in pipes (or speaker and microphone arrays). In some cases, an imaging system or device described herein determines the direction and/or velocity of fluid flow (e.g., blood flow) in an artery and/or vein, for example, using Doppler mode imaging. can be used to In some cases, the imaging system or device described herein can be used to measure tissue stiffness.

일부 경우에, 본 명세서에 설명된 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 1차원 이미징(예를 들면, A-스캔 이미징)을 수행하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 본 명세서에 설명된 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 2차원 이미징(예를 들면, B-스캔 이미징)을 수행하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 본 명세서에 설명된 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 3차원 이미징(예를 들면, C-스캔 이미징)을 수행하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 본 명세서에 설명된 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 도플러 이미징을 수행하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에, 본 명세서에 설명된 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 선형 모드(linear mode) 또는 섹터 모드(sector mode)를 포함한 상이한 모드로(예를 들면, 모드들 간에) 전환될 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 프로그램 제어 하에서(예를 들면, 사용자에 의해) 전자적으로 구성될 수 있다.In some cases, the imaging system or device 100 described herein may be configured to perform one-dimensional imaging (eg, A-scan imaging). In some cases, the imaging system or device 100 described herein may be configured to perform two-dimensional imaging (eg, B-scan imaging). In some cases, the imaging system or device 100 described herein may be configured to perform three-dimensional imaging (eg, C-scan imaging). In some cases, the imaging system or device 100 described herein may be configured to perform Doppler imaging. In some cases, the imaging system or device 100 described herein can switch to (eg, between) different modes, including linear mode or sector mode. In some cases, imaging system or device 100 may be electronically configured under program control (eg, by a user).

많은 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)(예를 들면, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)의 프로브)는 휴대용일 수 있다. 예를 들어, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 하나 이상의 트랜스듀서 요소, 픽셀 또는 어레이, ASIC, 제어 회로 및/또는 컴퓨팅 디바이스를 수용할 수 있는 핸드헬드 케이싱을 포함(예를 들면, 하우징 내에 수용)할 수 있다. 일부 경우에, 이미징 시스템 또는 디바이스(100)는 배터리를 포함할 수 있다.In many cases, imaging system or device 100 (eg, probes of imaging system or device 100) may be portable. For example, imaging system or device 100 includes a handheld casing that can accommodate (e.g., housed within a housing) one or more transducer elements, pixels or arrays, ASICs, control circuitry, and/or computing devices. can do. In some cases, imaging system or device 100 may include a battery.

특정 정의specific definition

달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술 용어는 본 주제가 속하는 해당 기술 분야의 통상의 기술자에 의해 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다.Unless otherwise defined, all technical terms used in this specification have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which this subject matter belongs.

본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용되는 바와 같이, 단수 형태("한(a, an)", 및 "그(the)")는, 문맥이 명확히 달리 지시하지 않는 한, 복수의 지시 대상들(plural references)을 포함한다. 본 명세서에서의 "또는(or)"에 대한 임의의 언급은, 달리 언급되지 않는 한, "및/또는(and/or)"을 포괄하는 것으로 의도된다.As used in this specification and the appended claims, the singular forms (“a, an,” and “the”) refer to plural referents (“a, an,” and “the”) unless the context clearly dictates otherwise. Includes plural references). Any reference to “or” herein is intended to encompass “and/or” unless otherwise stated.

본 명세서 전반에 걸쳐 "일부 실시예들", "추가 실시예들", 또는 "특정 실시예"에 대한 언급은 해당 실시예와 관련하여 설명되는 특정 특징, 구조, 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 곳에서의 문구 "일부 실시예들에서" 또는 "추가 실시예들에서" 또는 "특정 실시예에서"의 출현들이 모두 반드시 동일한 실시예를 지칭하지는 않는다. 게다가, 특정의 특징, 구조, 또는 특성이 하나 이상의 실시예에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다.References throughout this specification to “some embodiments,” “additional embodiments,” or “a specific embodiment” refer to at least one embodiment in which a particular feature, structure, or characteristic described in connection with that embodiment is present. means included in. Accordingly, the appearances of the phrases “in some embodiments” or “in further embodiments” or “in a particular embodiment” in various places throughout this specification are not necessarily all referring to the same embodiment. Moreover, specific features, structures, or characteristics may be combined in any suitable way in one or more embodiments.

본 주제의 바람직한 실시예들이 본 명세서에 도시되고 설명되었지만, 그러한 실시예들이 단지 예로서 제공된다는 것이 해당 기술 분야의 통상의 기술자에게는 명백할 것이다. 본 주제를 벗어나지 않으면서 수많은 변형, 변경, 및 대체가 이제 해당 기술 분야의 통상의 기술자에게 안출될 것이다. 본 명세서에서 설명되는 본 주제의 실시예들에 대한 다양한 대안이 본 주제를 실시하는 데 이용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.Although preferred embodiments of the subject matter have been shown and described herein, it will be apparent to those skilled in the art that such embodiments are provided by way of example only. Numerous variations, modifications, and substitutions will now occur to those skilled in the art without departing from the present subject matter. It should be understood that various alternatives to the embodiments of the subject matter described herein may be used in practicing the subject matter.

Claims (41)

이미징 디바이스로서,
집적 회로 기판;
상기 집적 회로 기판과 접촉하는 다중싱크 매체; 및
상기 집적 회로 기판에 결합되는 하나 이상의 MEM(microelectromechanical) 초음파 트랜스듀서
를 포함하는, 이미징 디바이스.
As an imaging device,
integrated circuit board;
a multi-sync medium in contact with the integrated circuit board; and
One or more microelectromechanical (MEM) ultrasonic transducers coupled to the integrated circuit board.
Including, an imaging device.
제1항에 있어서, 히트싱크를 더 포함하는, 이미징 디바이스.2. The imaging device of claim 1, further comprising a heat sink. 제2항에 있어서, 상기 히트싱크는 금속을 포함하는 것인, 이미징 디바이스.3. The imaging device of claim 2, wherein the heat sink comprises metal. 제3항에 있어서, 상기 금속은 알루미늄인 것인, 이미징 디바이스.4. The imaging device of claim 3, wherein the metal is aluminum. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 상기 히트싱크와 접촉하는 것인, 이미징 디바이스.5. The imaging device of any one of claims 2-4, wherein the multi-sink medium is in contact with the heat sink. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 상기 하나 이상의 MEM 트랜스듀서와 상기 히트싱크 사이에 적어도 부분적으로 배치되는 것인, 이미징 디바이스.6. The imaging device of any preceding claim, wherein the multi-sink medium is at least partially disposed between the one or more MEM transducers and the heat sink. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 디바이스는 상기 집적 회로 기판에 결합되는 하우징을 더 포함하는 것인, 이미징 디바이스.7. The imaging device of any preceding claim, wherein the device further comprises a housing coupled to the integrated circuit board. 제7항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 상기 하우징과 접촉하는 것인, 이미징 디바이스.8. The imaging device of claim 7, wherein the multi-sync medium is in contact with the housing. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 상기 하나 이상의 MEM 트랜스듀서와 상기 하우징 사이에 적어도 부분적으로 배치되는 것인, 이미징 디바이스.9. The imaging device of claim 7 or 8, wherein the multisync medium is at least partially disposed between the one or more MEM transducers and the housing. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 주입 가능한 것인, 이미징 디바이스.10. The imaging device of any one of claims 1 to 9, wherein the multisync medium is injectable. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 29g/min의 유량을 갖는 것인, 이미징 디바이스.11. The imaging device of any one of claims 1 to 10, wherein the multi-sink media has a flow rate of at least 29 g/min. 제11항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 40g/min의 유량을 갖는 것인, 이미징 디바이스.12. The imaging device of claim 11, wherein the multi-sink media has a flow rate of at least 40 g/min. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 1.5W/mK(Watts per meter-Kelvin)의 열전도율을 갖는 것인, 이미징 디바이스.13. The imaging device of any one of claims 1 to 12, wherein the multi-sync medium has a thermal conductivity of at least 1.5 Watts per meter-Kelvin (W/mK). 제13항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 3.7W/mK(Watt per meter-Kelvin)의 열전도율을 갖는 것인, 이미징 디바이스.The imaging device of claim 13, wherein the multi-sync medium has a thermal conductivity of at least 3.7 Watt per meter-Kelvin (W/mK). 제13항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 6.4W/mK(Watts per meter-Kelvin) 이상의 열전도율을 갖는 것인, 이미징 디바이스.The imaging device of claim 13, wherein the multi-sync medium has a thermal conductivity of at least 6.4 Watts per meter-Kelvin (W/mK). 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 0.5mm의 두께를 갖는 것인, 이미징 디바이스.16. The imaging device of any one of claims 1 to 15, wherein the multi-sync medium has a thickness of at least 0.5 mm. 제16항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 1.0mm의 두께를 갖는 것인, 이미징 디바이스.17. The imaging device of claim 16, wherein the multi-sync medium has a thickness of at least 1.0 mm. 제17항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 1.5mm의 두께를 갖는 것인, 이미징 디바이스.18. The imaging device of claim 17, wherein the multi-sync medium has a thickness of at least 1.5 mm. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 배킹 재료를 더 포함하는, 이미징 디바이스.19. The imaging device of any preceding claim, further comprising a backing material. 제19항에 있어서, 상기 배킹 재료는 배킹 라미네이트를 포함하는 것인, 이미징 디바이스.20. The imaging device of claim 19, wherein the backing material comprises a backing laminate. 이미징 디바이스를 제조하는 방법으로서,
상기 이미징 디바이스의 제1 컴포넌트를 집적 회로 기판에 결합시키는 것에 의해 내부 공동을 형성하는 단계;
하나 이상의 MEM(microelectromechanical) 초음파 트랜스듀서를 상기 집적 회로 기판에 결합시키는 단계; 및
상기 내부 공동에 다중싱크 매체를 주입하는 단계
를 포함하는, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.
A method of manufacturing an imaging device, comprising:
forming an internal cavity by coupling a first component of the imaging device to an integrated circuit board;
coupling one or more microelectromechanical (MEM) ultrasonic transducers to the integrated circuit board; and
Injecting a multi-sink medium into the internal cavity
A method of manufacturing an imaging device, comprising:
제21항에 있어서, 상기 제1 컴포넌트는 음향 반사 재료를 포함하는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.22. The method of claim 21, wherein the first component comprises an acoustically reflective material. 제21항 또는 제22항에 있어서, 상기 제1 컴포넌트는 상기 집적 회로 보드에 직접 결합되는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.23. The method of claim 21 or 22, wherein the first component is coupled directly to the integrated circuit board. 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 컴포넌트는 히트싱크인 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.24. The method of any one of claims 21-23, wherein the first component is a heat sink. 제24항에 있어서, 상기 히트싱크는 금속을 포함하는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.25. The method of claim 24, wherein the heat sink comprises metal. 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 상기 히트싱크와 접촉하는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.26. The method of any one of claims 23-25, wherein the multisink media is in contact with the heatsink. 제21항에 있어서, 상기 제1 컴포넌트는 하우징을 포함하는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.22. The method of claim 21, wherein the first component includes a housing. 제27항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 상기 하우징과 접촉하는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.28. The method of claim 27, wherein the multisync medium is in contact with the housing. 제21항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 상기 하나 이상의 MEM 트랜스듀서와 상기 제1 컴포넌트 사이에 적어도 부분적으로 배치되는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.29. The method of any one of claims 21-28, wherein the multisync medium is at least partially disposed between the one or more MEM transducers and the first component. 제21항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 주입 가능한 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.30. The method of any one of claims 21-29, wherein the multisync medium is injectable. 제21항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 29g/min의 유량을 갖는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.31. The method of any one of claims 21-30, wherein the multisink media has a flow rate of at least 29 g/min. 제31항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 40g/min의 유량을 갖는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.32. The method of claim 31, wherein the multi-sink media has a flow rate of at least 40 g/min. 제21항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 1.5W/mK(Watts per meter-Kelvin)의 열전도율을 갖는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.33. The method of any one of claims 21 to 32, wherein the multi-sink medium has a thermal conductivity of at least 1.5 Watts per meter-Kelvin (W/mK). 제33항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 3.7W/mK(Watts per meter-Kelvin)의 열전도율을 갖는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.34. The method of claim 33, wherein the multi-sync medium has a thermal conductivity of at least 3.7 Watts per meter-Kelvin (W/mK). 제33항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 적어도 6.4W/mK(Watts per meter-Kelvin)의 열전도율을 갖는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.34. The method of claim 33, wherein the multi-sink medium has a thermal conductivity of at least 6.4 Watts per meter-Kelvin (W/mK). 제21항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 주입 후 적어도 0.5mm의 두께를 갖는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.36. The method of any one of claims 21-35, wherein the multisink media has a thickness of at least 0.5 mm after injection. 제36항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 주입 후 적어도 1.0mm의 두께를 갖는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.37. The method of claim 36, wherein the multi-sink media has a thickness of at least 1.0 mm after implantation. 제36항에 있어서, 상기 다중싱크 매체는 주입 후 적어도 1.5mm의 두께를 갖는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.37. The method of claim 36, wherein the multi-sink media has a thickness of at least 1.5 mm after implantation. 제21항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서, 배킹 재료를 상기 집적 회로 기판에 결합시키는 단계를 더 포함하는, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.39. The method of any one of claims 21-38, further comprising bonding a backing material to the integrated circuit board. 제39항에 있어서, 상기 배킹 재료는 배킹 라미네이트를 포함하는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.40. The method of claim 39, wherein the backing material comprises a backing laminate. 제39항 또는 제40항에 있어서, 상기 배킹 재료는 상기 제1 컴포넌트와 상기 하나 이상의 MEM 초음파 트랜스듀서 사이에 적어도 부분적으로 배치되는 것인, 이미징 디바이스를 제조하는 방법.41. The method of claim 39 or 40, wherein the backing material is at least partially disposed between the first component and the one or more MEM ultrasonic transducers.
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