KR20240080595A - Blended polyimide film and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 85℃, 85%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.003 이하인 폴리이미드 필름을 제공한다.The present invention provides a polyimide film having a dielectric constant (Dk) of 3.5 or less and a dielectric loss factor (Df) of 0.003 or less, measured at 10 GHz after being left for 24 hours in an environment of 85°C and 85%RH.

Description

블렌딩된 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법{Blended polyimide film and manufacturing method thereof}Blended polyimide film and manufacturing method thereof}

본 발명은 고온, 다습 환경 하에서 우수한 저유전 특성 및 기계적 강도를 가지는 블렌딩된 폴리이미드 필름 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a blended polyimide film having excellent low dielectric properties and mechanical strength under a high temperature and high humidity environment and a method of manufacturing the same.

폴리이미드(polyimide, PI)는 강직한 방향족 주쇄와 함께 화학적 안정성이 매우 우수한 이미드 고리를 기초로 하여, 유기 재료들 중에서도 최고 수준의 내열성, 내약품성, 전기 절연성, 내화학성, 내후성을 가지는 고분자 재료이다.Polyimide (PI) is a polymer material that has the highest level of heat resistance, chemical resistance, electrical insulation, chemical resistance, and weather resistance among organic materials, based on an imide ring with a rigid aromatic main chain and excellent chemical stability. am.

특히, 뛰어난 절연특성, 즉 낮은 유전율과 같은 우수한 전기적 특성으로 전기, 전자, 광학 분야 등에 이르기까지 고기능성 고분자 재료로 각광받고 있다.In particular, it is attracting attention as a highly functional polymer material in the electrical, electronic, and optical fields due to its excellent electrical properties such as excellent insulating properties and low dielectric constant.

최근, 전자제품이 경량화, 소형화되어 감에 따라 집적도가 높고 유연한 박형 회로기판이 활발히 개발되고 있다.Recently, as electronic products become lighter and smaller, highly integrated, flexible thin circuit boards are being actively developed.

이러한 박형 회로기판은 우수한 내열성, 내저온성 및 절연특성을 가지면서도 굴곡이 용이한 폴리이미드 필름 상에 금속박을 포함하는 회로가 형성되어 있는 구조가 많이 활용되는 추세이다. These thin circuit boards tend to have a structure in which a circuit including metal foil is formed on a polyimide film that has excellent heat resistance, low temperature resistance, and insulation characteristics and is easy to bend.

이러한 박형 회로기판으로는 연성금속박적층판이 주로 사용되고 있고, 한 예로, 금속박으로 얇은 구리판을 사용하는 연성동박적층판(Flexible Copper Clad Laminate, FCCL)이 포함된다. 그 밖에도 폴리이미드를 박형 회로기판의 보호 필름, 절연 필름 등으로 활용하기도 한다.Flexible metal clad laminates are mainly used as such thin circuit boards, and an example includes Flexible Copper Clad Laminate (FCCL), which uses a thin copper plate as a metal foil. In addition, polyimide is also used as a protective film and insulating film for thin circuit boards.

한편, 최근 전자 기기에 다양한 기능들이 내재됨에 따라 상기 전자기기에 빠른 연산 속도와 통신 속도가 요구되고 있으며, 이를 충족하기 위해 고주파로 고속 통신이 가능한 박형 회로기판이 개발되고 있다.Meanwhile, as various functions have recently become embedded in electronic devices, fast calculation and communication speeds are required for the electronic devices, and to meet these requirements, thin circuit boards capable of high-speed communication at high frequencies are being developed.

고주파 고속 통신의 실현을 위하여, 고주파에서도 전기 절연성을 유지할 수 있는 높은 임피던스(impedance)를 가지는 절연체가 필요하다. 임피던스는 절연체에 형성되는 주파수 및 유전상수(dielectric constant; Dk)와 반비례 관계가 성립하므로, 고주파에서도 절연성을 유지하기 위해서는 유전상수가 가능한 낮아야 한다.In order to realize high-frequency, high-speed communication, an insulator with high impedance that can maintain electrical insulation even at high frequencies is needed. Since impedance is inversely proportional to the frequency and dielectric constant (Dk) formed in the insulator, the dielectric constant must be as low as possible to maintain insulation even at high frequencies.

그러나, 통상의 폴리이미드의 경우 유전 특성이 고주파 통신에서 충분한 절연성을 유지할 수 있을 정도로 우수한 수준은 아닌 실정이다.However, in the case of conventional polyimide, the dielectric properties are not excellent enough to maintain sufficient insulation in high-frequency communication.

또한, 절연체가 저유전 특성을 지닐수록 박형 회로기판에서 바람직하지 않은 부유 용량(stray capacitance)과 노이즈의 발생을 감소시킬 수 있어, 통신 지연의 원인을 상당부분 해소할 수 있는 것으로 알려져 있다.In addition, it is known that the lower the dielectric properties of the insulator, the less likely it is to generate undesirable stray capacitance and noise in thin circuit boards, thereby eliminating many of the causes of communication delays.

따라서, 저유전 특성의 폴리이미드가 박형 회로기판의 성능에 무엇보다 중요한 요인으로 인식되고 있는 실정이다.Therefore, polyimide with low dielectric properties is recognized as an important factor in the performance of thin circuit boards.

특히, 고주파 통신의 경우 필연적으로 폴리이미드를 통한 유전 손실(dielectric dissipation)이 발생하게 되는데. 유전 손실율(dielectric dissipation factor; Df)은 박형 회로기판의 전기 에너지 낭비 정도를 의미하고, 통신 속도를 결정하는 신호 전달 지연과 밀접하게 관계되어 있어, 폴리이미드의 유전 손실율을 가능한 낮게 유지하는 것도 박형 회로기판의 성능에 중요한 요인으로 인식되고 있다.In particular, in the case of high-frequency communication, dielectric loss inevitably occurs through polyimide. Dielectric dissipation factor (Df) refers to the degree of electrical energy wasted in a thin circuit board and is closely related to the signal transmission delay that determines the communication speed, so keeping the dielectric dissipation factor of polyimide as low as possible is also important for thin circuit boards. It is recognized as an important factor in the performance of the board.

또한, 폴리이미드 필름에 습기가 많이 포함될수록 유전상수가 커지고 유전 손실율이 증가한다. 폴리이미드 필름의 경우 우수한 고유의 특성으로 인하여 박형 회로기판의 소재로서 적합한 반면, 극성을 띄는 이미드기에 의해 습기에 상대적으로 취약할 수 있으며, 이로 인해 절연 특성이 저하될 수 있다.Additionally, the more moisture contained in the polyimide film, the greater the dielectric constant and the higher the dielectric loss rate. In the case of polyimide film, while it is suitable as a material for thin circuit boards due to its excellent inherent properties, it may be relatively vulnerable to moisture due to the polar imide group, which may deteriorate its insulating properties.

따라서, 고온 또는 다습한 환경 하에서도 폴리이미드 특유의 기계적 특성을 일정 수준으로 유지하면서, 저유전 특성을 유지할 수 있는 폴리이미드 필름의 개발이 필요한 실정이다.Therefore, there is a need to develop a polyimide film that can maintain low dielectric properties while maintaining the mechanical properties unique to polyimide at a certain level even under high temperature or high humidity environments.

대한민국 공개특허공보 제10-2021-0055230호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2021-0055230

이에 상기와 같은 문제를 해결하고자, 고온, 다습 환경 하에서도 우수한 저유전 및 향상된 기계적 강도를 겸비한 블렌딩된 폴리이미드 필름 및 그 제조방법을 제공하는 데 목적이 있다.Accordingly, in order to solve the above problems, the purpose of the present invention is to provide a blended polyimide film that has excellent low dielectric constant and improved mechanical strength even under a high temperature and high humidity environment and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시형태는, 85℃, 85%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.003 이하인 폴리이미드 필름을 제공한다.One embodiment of the present invention for achieving the above object has a dielectric constant (Dk) of 3.5 or less and a dielectric loss factor (Df) of 0.003 or less, measured at 10 GHz after being left for 24 hours in an environment of 85°C and 85%RH. A polyimide film is provided.

본 발명의 다른 일 실시형태는 본원의 폴리이미드 필름을 포함하는 다층 필름을 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a multilayer film including the polyimide film of the present disclosure.

본 발명의 또 다른 일 실시형태는 본원의 폴리이미드 필름; 및 전기전도성의 금속박;을 포함하는 연성금속박적층판을 제공한다.Another embodiment of the present invention is the polyimide film of the present application; and an electrically conductive metal foil. It provides a flexible metal foil laminate including a.

본 발명의 또 다른 일 실시형태는 본원의 연성금속박적층판을 포함하는 전자 부품을 제공한다.Another embodiment of the present invention provides an electronic component including the flexible metal clad laminate of the present application.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 특정 성분 및 특정 조성비로 이루어진 폴리아믹산 용액을 이미드화하여 제조되는 폴리이미드 필름은 고온, 다습 환경 하에서도 우수한 저유전 특성 및 기계적 강도를 유지하여, 이러한 특성들이 요구되는 다양한 분야, 특히 연성금속박적층판 등의 전자 부품 등에 유용하게 적용될 수 있다.As described above, the polyimide film of the present invention, manufactured by imidizing a polyamic acid solution composed of specific components and a specific composition ratio, maintains excellent low dielectric properties and mechanical strength even under high temperature and high humidity environments, and these properties are required. It can be usefully applied to various fields, especially electronic components such as flexible metal clad laminates.

이하에서, 본 발명의 실시 형태를 보다 상세하게 설명한다.Below, embodiments of the present invention will be described in more detail.

이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to this, the terms or words used in this specification and claims should not be construed as limited to their usual or dictionary meanings, and the inventor should appropriately define the concept of terms in order to explain his or her invention in the best way. It must be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle of definability.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예의 구성은 본 발명의 가장 바람직한 하나의 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 존재할 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the configuration of the embodiments described in this specification is only one of the most preferred embodiments of the present invention and does not represent the entire technical idea of the present invention, so various equivalents and modifications that can replace them at the time of filing the present application It should be understood that examples may exist.

본 명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 구성 요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 구성 요소, 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this specification, singular expressions include plural expressions, unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise,” “comprise,” or “have” are intended to designate the presence of implemented features, numbers, steps, components, or a combination thereof, and are intended to indicate the presence of one or more other features or It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of numbers, steps, components, or combinations thereof.

본 명세서에서 양, 농도, 또는 다른 값 또는 파라미터가 범위, 바람직한 범위 또는 바람직한 상한 값 및 바람직한 하한 값의 열거로서 주어지는 경우, 범위가 별도로 개시되는 지에 상관없이 임의의 한 쌍의 임의의 위쪽 범위 한계치 또는 바람직한 값 및 임의의 아래쪽 범위 한계치 또는 바람직한 값으로 형성된 모든 범위를 구체적으로 개시하는 것으로 이해되어야 한다.When amounts, concentrations, or other values or parameters are given herein as ranges, preferred ranges, or enumerations of upper preferred values and lower preferred values, any pair of upper range limits or It is to be understood that the preferred values and any lower range limits or all ranges formed from the preferred values are specifically disclosed.

수치 값의 범위가 범위가 본 명세서에서 언급될 경우, 달리 기술되지 않는다면, 그 범위는 그 종점 및 그 범위 내의 모든 정수와 분수를 포함하는 것으로 의도된다. 본 발명의 범주는 범위를 정의할 때 언급되는 특정 값으로 한정되지 않는 것으로 의도된다.When a range of numerical values is stated herein, unless otherwise stated, the range is intended to include the endpoints and all integers and fractions within the range. The scope of the invention is not intended to be limited to the specific values recited when defining the scope.

본 명세서에서 "이무수물산"은 그 전구체 또는 유도체를 포함하는 것으로 의도되는데, 이들은 기술적으로는 이무수물산이 아닐 수 있지만, 그럼에도 불구하고 디아민과 반응하여 폴리아믹산을 형성할 것이며, 이 폴리아믹산은 다시 폴리이미드로 변환될 수 있다.As used herein, “dianhydride acid” is intended to include precursors or derivatives thereof, which may not technically be dianhydride acids, but which will nonetheless react with diamines to form polyamic acids, which in turn will form polyamic acids. It can be converted to mead.

본 명세서에서 "디아민"은 그의 전구체 또는 유도체를 포함하는 것으로 의도되는데, 이들은 기술적으로는 디아민이 아닐 수 있지만, 그럼에도 불구하고 디안하이드라이드와 반응하여 폴리아믹산을 형성할 것이며, 이 폴리아믹산은 다시 폴리이미드로 변환될 수 있다.As used herein, “diamine” is intended to include precursors or derivatives thereof, which may not technically be diamines, but which will nonetheless react with dianhydride to form polyamic acids, which in turn will form polyamic acids. It can be converted to mead.

본 명세서에서 수치범위를 나타내는 "a 내지 b" 및 "a~b"에서 "내지" 및 “~”는 ≥ a이고 ≤ b으로 정의한다.In this specification, “a to b” and “a to b” that indicate numerical ranges, “to” and “~” are defined as ≥ a and ≤ b.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 85℃, 85%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.003 이하일 수 있다.The polyimide film according to the present invention may have a dielectric constant (Dk) of 3.5 or less and a dielectric loss factor (Df) of 0.003 or less as measured at 10 GHz after being left for 24 hours in an environment of 85°C and 85%RH.

예를 들어, 85℃, 85%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 측정된 유전 상수가 3.13 이상, 3.49 이하이고, 유전손실율 0.0026 이상, 0.0029 이하일 수 있다.For example, the dielectric constant measured after being left for 24 hours in an environment of 85°C and 85%RH may be 3.13 or more and 3.49 or less, and the dielectric loss rate may be 0.0026 or more and 0.0029 or less.

즉, 본원의 폴리이미드 필름은 고온 및 다습한 환경 하에서도 우수한 저유전 특성을 유지할 수 있다.In other words, the polyimide film of the present application can maintain excellent low dielectric properties even under high temperature and high humidity environments.

일 구현예에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(p-phenylenebis(trimellitate anhydride), TAHQ) 및 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(3,3, 4,4 -biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA)를 포함하는 이무수물산 성분과 m-톨리딘(m-tolidine)을 포함하는 디아민 성분을 포함하는 폴리아믹산 용액을 이미드화 반응시켜 얻어질 수 있다.In one embodiment, the polyimide film is composed of 1,4-phenylenebis(trimellitate monoester) dianhydride (p-phenylenebis(trimellitate anhydride), TAHQ) and biphenyltetracarboxylic dianhydride (3 It can be obtained by imidizing a polyamic acid solution containing a dianhydride component containing , 3, 4,4 -biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and a diamine component containing m-tolidine (m-tolidine).

상기 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)로부터 유래된 폴리이미드 사슬은 전하이동착체(CTC: Charge transfer complex)라고 명명된 구조, 즉, 전자주게(electron donnor)와 전자받게(electron acceptor)가 서로 근접하게 위치하는 규칙적인 직선 구조를 가지게 되고 분자간 상호 작용(intermolecular interaction)이 강화될 수 있다.The polyimide chain derived from biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) has a structure named charge transfer complex (CTC), that is, an electron donor and an electron acceptor. has a regular straight structure located close to each other, and intermolecular interaction can be strengthened.

이러한 구조는 수분과의 수소결합을 방지하는 효과가 있으므로, 흡습율을 낮추는데 영향을 주어 폴리이미드 필름의 흡습성을 낮추는 효과를 극대화할 수 있다.Since this structure has the effect of preventing hydrogen bonding with moisture, it has an effect on lowering the moisture absorption rate and can maximize the effect of lowering the hygroscopicity of the polyimide film.

폴리이미드 필름이 적절한 탄성과 흡습율을 동시에 만족하기 위해서는 이무수물산의 함량비가 특히 중요하다. 예를 들어, 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)의 함량비가 감소할수록 상기 CTC 구조로 인한 낮은 흡습율을 기대하기 어려워질 수 있다.In order for a polyimide film to simultaneously satisfy appropriate elasticity and moisture absorption, the content ratio of dianhydride is particularly important. For example, as the content ratio of biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) decreases, it may become difficult to expect a low moisture absorption rate due to the CTC structure.

또한, 상기 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물은 에스테르(ester) 결합을 포함하고 있어서, 폴리이미드 필름의 저유전 특성의 향상에 기여할 수 있다. In addition, the 1,4-phenylenebis(trimellitic acid monoester) dianhydride contains an ester bond, so it can contribute to improving the low dielectric properties of the polyimide film.

한편, 상기 m-톨리딘은 특히 소수성을 띄는 메틸기를 가지고 있어서 폴리이미드 필름의 저흡습 특성에 기여할 수 있다.Meanwhile, the m-tolidine has a particularly hydrophobic methyl group, so it can contribute to the low moisture absorption characteristics of the polyimide film.

흡습율은, 재료에 포함된 수분량을 나타내는 비율로서, 일반적으로 흡습율이 높을 때 유전상수 및 유전 손실율이 증가하는 것으로 알려져 있다.Moisture absorption rate is a ratio that represents the amount of moisture contained in a material, and it is generally known that when the moisture absorption rate is high, the dielectric constant and dielectric loss rate increase.

수증기 등이 폴리이미드 필름에 흡습된 상태에서 물은 액체 상태로 존재하게 되는데, 이러한 경우, 폴리이미드 필름의 유전상수와 유전 손실율은 비약적으로 높아질 수 있다.When water vapor or the like is absorbed into the polyimide film, water exists in a liquid state. In this case, the dielectric constant and dielectric loss rate of the polyimide film can increase dramatically.

즉, 미량의 수분 흡습만으로도 폴리이미드 필름의 유전상수와 유전 손실율은 급변할 수 있다.In other words, the dielectric constant and dielectric loss rate of a polyimide film can drastically change with just a small amount of moisture absorption.

따라서, 폴리이미드 필름의 저흡습 특성의 향상을 통하여 폴리이미드 필름의 저유전 특성을 향상시킬 수 있으므로, 본원의 폴리이미드 필름의 이무수물산 성분 및 디아민 성분은 폴리이미드 필름의 저유전 및 저흡습 특성에 기여할 수 있다.Therefore, the low dielectric properties of the polyimide film can be improved by improving the low moisture absorption properties of the polyimide film, and the dianhydride component and diamine component of the polyimide film of the present application contribute to the low dielectric and low moisture absorption properties of the polyimide film. You can contribute.

일 구현예에 있어서 본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 상기 이무수물산 성분의 총함량 100 몰%를 기준으로 상기 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ)의 몰%에 대한 상기 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)의 몰%의 비(상기 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)의 몰%/1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ)의 몰%)가 1.5 이상, 2.9 이하일 수 있다.In one embodiment, the polyimide film according to the present invention has a mole percentage of 1,4-phenylenebis(trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ) based on 100 mole% of the total content of the dianhydride component. The ratio of the mole percent of the biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) to (the mole percent of the biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) / 1,4-phenylenebis (trimellitic acid monoester) ) The mole percent of dianhydride (TAHQ) may be 1.5 or more and 2.9 or less.

상기 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)의 함량이 과다 또는 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ)의 함량이 과소하여 상기 몰비를 상회하는 경우, 폴리이미드 필름의 저유전 특성이 저하될 수 있다.If the content of biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) is excessive or the content of 1,4-phenylenebis(trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ) is too low and exceeds the molar ratio, poly The low dielectric properties of the mid film may deteriorate.

반대로, 상기 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)의 함량이 과소 또는 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ)의 함량이 과다하여 상기 몰비를 하회하는 경우, 폴리이미드 필름의 기계적 강도가 저하될 수 있다.Conversely, when the content of biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) is too low or the content of 1,4-phenylenebis(trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ) is too high and the molar ratio is lower than the molar ratio. , the mechanical strength of the polyimide film may decrease.

일 구현예에 있어서, 본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 입자상 폴리머를 상기 폴리이미드 필름 총 중량 100 중량%를 기준으로, 10 중량% 이상, 40 중량% 이하 포함할 수 있다.In one embodiment, the polyimide film according to the present invention may contain 10% by weight or more and 40% by weight or less of particulate polymer based on 100% by weight of the total weight of the polyimide film.

상기 입자상 폴리머는 불소계 폴리머 또는 액정 폴리머(liquid crystal polymer, LCP)일 수 있다. The particulate polymer may be a fluorine-based polymer or liquid crystal polymer (LCP).

상기 불소계 폴리머는 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오르에틸렌-헥사플루오르프로필렌 공중합체(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체(ETFE), 테트라플루오로에틸렌- 클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(TFE/CTFE) 및 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(ECTFE)로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상이 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The fluorine-based polymer is polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), and ethylene-tetrafluoroethylene copolymer. One or more types selected from the group consisting of polymer (ETFE), tetrafluoroethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (TFE/CTFE), and ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE) may be used. It is not limited.

바람직하게는, 상기 불소계 폴리머는 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA)일 수 있다.Preferably, the fluorine-based polymer may be polytetrafluoroethylene (PTFE) or tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA).

상기 입자상 폴리머가 본원의 함량 범위를 상회하는 경우 유전 특성이 개선될 수 있으나, 폴리이미드 필름의 기계적 특성이 저하될 수 있고, 본원의 함량 범위를 하회하는 경우 폴리이미드 필름의 저유전 특성이 저하될 수 있다.If the particulate polymer exceeds the content range of the present application, the dielectric properties may be improved, but the mechanical properties of the polyimide film may deteriorate, and if the particulate polymer is below the content range of the present application, the low dielectric properties of the polyimide film may deteriorate. You can.

또한, 본원의 폴리이미드 필름에 포함되는 입자상 폴리머는 그 평균 입자 지름은 15 μm이하이고 유리전이온도 또는 융점이 100℃ 이상일 수 있다.Additionally, the particulate polymer included in the polyimide film of the present application may have an average particle diameter of 15 μm or less and a glass transition temperature or melting point of 100°C or more.

일 구현예에 있어서, 본원에 따른 폴리이미드 필름의 흡습율은 0.4 % 이하이고, 인장강도는 150 MPa 이상일 수 있다.In one embodiment, the moisture absorption rate of the polyimide film according to the present application may be 0.4% or less, and the tensile strength may be 150 MPa or more.

예를 들어, 상기 흡습율은 0.28% 이상, 0.38% 이하이고, 상기 인장강도는 158MPa 이상, 199 MPa 이하일 수 있다.For example, the moisture absorption rate may be 0.28% or more and 0.38% or less, and the tensile strength may be 158 MPa or more and 199 MPa or less.

한편, 본원에 따른 폴리이미드 필름의 23℃ 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.002 이하이며, 23℃ 환경 하에서 24시간 방치 후 28GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.0029 이하이며, 23℃ 환경 하에서 24시간 방치 후 40GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.0029 이하일 수 있다.On the other hand, the polyimide film according to the present invention has a dielectric constant (Dk) of 3.5 or less, a dielectric loss factor (Df) of 0.002 or less measured at 10 GHz after being left for 24 hours in a 23°C environment, and a dielectric loss factor (Df) of 0.002 or less at 28GHz after being left for 24 hours in a 23°C environment. The dielectric constant (Dk) measured at 40 GHz is 3.5 or less, and the dielectric loss factor (Df) is 0.0029 or less. This may be less than 0.0029.

예를 들어, 23℃/50%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전상수(Dk)가 3.13 이상, 3.49 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.0014 이상, 0.00178 이하일 수 있다.For example, after being left for 24 hours in a 23°C/50%RH environment, the dielectric constant (Dk) measured at 10 GHz may be 3.13 or more and 3.49 or less, and the dielectric loss factor (Df) may be 0.0014 or more and 0.00178 or less.

또한, 23℃ 환경 하에서 24시간 방치 후 28GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.13 이상, 3.49 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.00254 이상, 0.00285 이하일 수 있고, 23℃ 환경 하에서 24시간 방치 후 40GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.13 이상, 3.49 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.00257 이상, 0.00288 이하일 수 있다.In addition, the dielectric constant (Dk) measured at 28GHz after being left for 24 hours in a 23℃ environment may be 3.13 or more and 3.49 or less, and the dielectric loss factor (Df) may be 0.00254 or more and 0.00285 or less, and after being left for 24 hours in a 23℃ environment, the dielectric constant (Dk) may be 3.13 or more and 3.49 or less. The dielectric constant (Dk) measured in may be 3.13 or more and 3.49 or less, and the dielectric loss factor (Df) may be 0.00257 or more and 0.00288 or less.

즉, 본원의 폴리이미드 필름은 23℃/50%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전상수와 85℃, 85%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 상수에 차이가 없어서 주위의 온도 및 습도 변화에도 불구하고 저유전상수 특성을 유지할 수 있다.In other words, the polyimide film of the present invention has no difference between the dielectric constant measured at 10GHz after being left for 24 hours in an environment of 23℃/50%RH and the dielectric constant measured at 10GHz after being left for 24 hours in an environment of 85℃/85%RH. Low dielectric constant characteristics can be maintained despite changes in temperature and humidity.

이러한 본원의 폴리이미드 필름의 저유전상수 특성은 측정 시 주파수가 변하여도 변화없이 유지되었다.The low dielectric constant characteristic of the polyimide film of the present invention was maintained without change even when the frequency changed during measurement.

또한, 본원의 폴리이미드 필름은 85℃, 85%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 손실율이 23℃/50%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 손실율에 비하여 증가하지만, 여전히 0.003 이하의 저유전손실 특성을 나타낼 수 있다.In addition, the polyimide film of the present invention has a dielectric loss rate measured at 10GHz after being left for 24 hours in an environment of 85°C and 85%RH, but increases compared to the dielectric loss rate measured at 10GHz after being left for 24 hours in an environment of 23°C/50%RH. It can still exhibit low dielectric loss characteristics of 0.003 or less.

예를 들어, 본원의 폴리이미드 필름은 85℃, 85%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 손실율은 23℃/50%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 손실율에 비하여 90% 이하(예를 들어, 60% 이상, 86% 이하)의 범위에서 높아질 수 있지만, 여전히 0.003 이하의 저유전손실 특성을 나타낼 수 있다.For example, the dielectric loss rate of the polyimide film of the present invention measured at 10 GHz after being left for 24 hours in an environment of 85°C and 85%RH is 90% higher than the dielectric loss rate measured at 10 GHz after being left for 24 hours in an environment of 23°C/50%RH. % or less (e.g., 60% or more, 86% or less), but can still exhibit low dielectric loss characteristics of 0.003 or less.

한편, 본원의 폴리이미드 필름은 23℃/50%RH 환경 하에서 24시간 방치 후, 28GHz 및 40GHz에서 측정된 유전 손실율이 23℃/50%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 손실율에 비하여 증가하지만, 여전히 0.003 이하의 저유전손실 특성을 나타낼 수 있다.On the other hand, the polyimide film of the present invention has a dielectric loss rate measured at 28GHz and 40GHz after being left for 24 hours in a 23℃/50%RH environment compared to the dielectric loss rate measured at 10GHz after being left for 24 hours in a 23℃/50%RH environment. Although it increases, it can still exhibit low dielectric loss characteristics of 0.003 or less.

이와 관련하여, 흡습율, 인장강도, 유전율 및 유전 손실율을 모두 만족하는 본원의 폴리이미드 필름의 경우, 연성금속박적층판용 절연 필름으로 활용 가능할 뿐만 아니라, 제조된 연성금속박적층판이 10 GHz 이상의 고주파로 신호를 전송하는 전기적 신호 전송 회로로 사용되더라도, 그것의 절연 안정성이 확보될 수 있고, 신호 전달 지연도 최소화할 수 있다.In this regard, in the case of the polyimide film of the present invention, which satisfies all moisture absorption, tensile strength, dielectric constant and dielectric loss rate, not only can it be used as an insulating film for flexible metal clad laminates, but also the manufactured flexible metal clad laminates transmit signals at high frequencies of 10 GHz or more. Even when used as an electrical signal transmission circuit, its insulation stability can be ensured and signal transmission delay can be minimized.

일 구현예에 있어서, 본원의 폴리이미드 필름은 랜덤 또는 블록 공중합체일 수 있다.In one embodiment, the polyimide film of the present disclosure may be a random or block copolymer.

한편, 본원의 폴리이미드 필름을 제조를 위한 폴리아믹산의 제조는 예를 들어,Meanwhile, the production of polyamic acid for producing the polyimide film of the present application is, for example,

(1) 디아민 성분 전량을 용매 중에 넣고, 그 후 이무수물산 성분을 디아민 성분과 실질적으로 등몰이 되도록 첨가하여 중합하는 방법(1) A method of polymerizing the entire amount of the diamine component in a solvent and then adding the dianhydride component in substantially equimolar amounts to the diamine component.

(2) 이무수물산 성분 전량을 용매 중에 넣고, 그 후 디아민 성분을 이무수물산 성분과 실질적으로 등몰이 되도록 첨가하여 중합하는 방법(2) A method of polymerizing the entire amount of the dianhydride component in a solvent, and then adding the diamine component in substantially equimolar amounts to the dianhydride component.

(3) 디아민 성분 중 일부 성분을 용매 중에 넣은 후, 반응 성분에 대해서 이무수물산 성분 중 일부 성분을 약 95~105 몰%의 비율로 혼합한 후, 나머지 디아민 성분을 첨가하고 이에 연속해서 나머지 이무수물산 성분을 첨가하여, 디아민 성분 및 이무수물산 성분이 실질적으로 등몰이 되도록 하여 중합하는 방법(3) After adding some of the diamine components into the solvent, mixing some of the dianhydride components in a ratio of about 95 to 105 mol% with respect to the reaction components, adding the remaining diamine components, and then adding the remaining dianhydride components continuously. A method of polymerizing by adding components so that the diamine component and dianhydride component are substantially equimolar.

(4) 이무수물산 성분을 용매 중에 넣은 후, 반응 성분에 대해서 디아민 화합물 중 일부 성분을 95~105 몰%의 비율로 혼합한 후, 다른 이무수물산 성분을 첨가하고 계속되어 나머지 디아민 성분을 첨가하여, 디아민 성분 및 이무수물산 성분이 실질적으로 등몰이 되도록 하여 중합하는 방법(4) After adding the dianhydride component into the solvent, mixing some components of the diamine compound in a ratio of 95 to 105 mol% with respect to the reaction components, adding another dianhydride component, and then adding the remaining diamine component, A method of polymerizing the diamine component and the dianhydride component in substantially equal moles.

(5) 용매 중에서 일부 디아민 성분과 일부 이무수물산 성분을 어느 하나가 과량이도록 반응시켜, 제1 조성물을 형성하고, 또 다른 용매 중에서 일부 디아민 성분과 일부 이무수물산 성분을 어느 하나가 과량이도록 반응시켜 제2 조성물을 형성한 후, 제1, 제2 조성물들을 혼합하고, 중합을 완결하는 방법으로서, 이 때 제1 조성물을 형성할 때 디아민 성분이 과잉일 경우, 제 2조성물에서는 이무수물산 성분을 과량으로 하고, 제1 조성물에서 이무수물산 성분이 과잉일 경우, 제2 조성물에서는 디아민 성분을 과량으로 하여, 제1, 제2 조성물들을 혼합하여 이들 반응에 사용되는 전체 디아민 성분과 이무수물산 성분이 실질적으로 등몰이 되도록 하여 중합하는 방법 등을 들 수 있다.(5) reacting some diamine components and some dianhydride components in a solvent so that either one is in excess to form a first composition, and reacting some diamine components with some dianhydride components in another solvent so that any one is in excess, to form a first composition. 2 After forming the composition, the first and second compositions are mixed and polymerization is completed. In this case, if the diamine component is excessive when forming the first composition, the dianhydride component is added in excess in the second composition. When the dianhydride component is excessive in the first composition, the diamine component is excessive in the second composition, and the first and second compositions are mixed so that the total diamine component and dianhydride component used in these reactions are substantially equal. A method of polymerizing the molar mass may be included.

다만, 상기 중합 방법이 이상의 예들로만 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 내지 제2 폴리아믹산의 제조는 공지된 어떠한 방법을 사용할 수 있음은 물론이다.However, the polymerization method is not limited to the above examples, and of course, any known method can be used for producing the first and second polyamic acids.

일 구현예에서, 본 발명에 따른 폴리이미드 필름의 제조방법은, 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA) 및 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ)을 포함하는 이무수물산 성분과, m-톨리딘(mTB)을 포함하는 디아민 성분을 중합하여 폴리아믹산 용액을 제조하는 단계 및 상기 폴리아믹산 용액을 이미드화하는 단계를 포함한다.In one embodiment, the method for producing a polyimide film according to the present invention includes biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and 1,4-phenylenebis(trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ). It includes preparing a polyamic acid solution by polymerizing a dianhydride component containing a dianhydride component and a diamine component containing m-tolidine (mTB), and imidizing the polyamic acid solution.

특히, 상기 이무수물산 성분의 총함량 100 몰%를 기준으로 상기 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ)의 몰%에 대한 상기 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)의 몰%(상기 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)의 몰%/1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ)의 몰%)가 1.5 이상, 2.9 이하일 수 있다.In particular, the biphenyltetracarboxylic dianhydride relative to the mole percent of the 1,4-phenylenebis(trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ) based on 100 mole% of the total content of the dianhydride component. The mole percent of (BPDA) (the mole percent of biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA)/the mole percent of 1,4-phenylenebis(trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ)) is 1.5 or more. , may be 2.9 or less.

상기 이무수물산 성분과 디아민 성분을 정해진 순서대로 반응시켜서 공중합하여 폴리이미드 필름을 제조할 수 있다.A polyimide film can be manufactured by reacting the dianhydride component and the diamine component in a predetermined order and copolymerizing them.

또한, 상기 폴리이미드 제조방법에서 10 중량% 이상 40 중량% 이하의 입자상 폴리머를 상기 폴리아믹산 용액에 첨가하고 교반하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 입자상 폴리머는 불소계 폴리머 또는 액정 폴리머(LCP)일 수 있다. Additionally, the polyimide production method may include adding 10% by weight to 40% by weight of particulate polymer to the polyamic acid solution and stirring. The particulate polymer may be a fluorine-based polymer or liquid crystal polymer (LCP).

본 발명에서는, 상기와 같은 폴리아믹산의 중합 방법은 임의(random) 중합 방식일 수 있고, 상기와 같은 과정으로 제조된 본 발명의 폴리아믹산으로부터 제조된 폴리이미드 필름은 인장강도를 높이고 흡습율, 유전 상수 및 유전 손실율을 낮추는 효과를 극대화시키는 측면에서 바람직하게 적용될 수 있다.In the present invention, the polymerization method of the polyamic acid as described above may be a random polymerization method, and the polyimide film manufactured from the polyamic acid of the present invention manufactured through the above process increases the tensile strength, moisture absorption rate, and dielectric strength. It can be preferably applied in terms of maximizing the effect of lowering the constant and dielectric loss rate.

다만, 상기 중합 방법은 앞서 설명한 고분자 사슬 내의 반복단위의 길이가 상대적으로 짧게 제조되므로, 이무수물산 성분으로부터 유래되는 폴리이미드 사슬이 가지는 각각의 우수한 특성을 발휘하기에는 한계가 있을 수 있다. 따라서, 본 발명에서 특히 바람직하게 이용될 수 있는 폴리아믹산의 중합 방법은 블록 중합 방식일 수 있다.However, since the above polymerization method produces a relatively short length of the repeating unit in the polymer chain described above, there may be limitations in demonstrating each of the excellent properties of the polyimide chain derived from the dianhydride component. Therefore, the polymerization method of polyamic acid that can be particularly preferably used in the present invention may be a block polymerization method.

한편, 폴리아믹산을 합성하기 위한 용매는 특별히 한정되는 것은 아니고, 폴리아믹산을 용해시키는 용매이면 어떠한 용매도 사용할 수 있지만, 아미드계 용매인 것이 바람직하다.On the other hand, the solvent for synthesizing polyamic acid is not particularly limited, and any solvent can be used as long as it dissolves polyamic acid, but it is preferable that it is an amide-based solvent.

상기 폴리이미드 필름의 제조방법에 따라 제조된 폴리이미드 필름은 흡습율이 0.4 % 이하이고, 인장강도가 150 MPa 이상이면서, 23℃/50%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 측정된 유전상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.002 이하일 수 있다. The polyimide film manufactured according to the polyimide film manufacturing method has a moisture absorption rate of 0.4% or less, a tensile strength of 150 MPa or more, and a dielectric constant (Dk) measured after being left for 24 hours in an environment of 23°C/50%RH. may be 3.5 or less, and the dielectric loss factor (Df) may be 0.002 or less.

특히, 상기 폴리이미드 필름의 제조방법에 따라 제조된 폴리이미드 필름의 흡습율이 0.4 % 이하이고, 인장강도가 150 MPa 이상이며, 85℃, 85%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 측정된 유전상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.003 이하일 수 있다.In particular, the polyimide film manufactured according to the polyimide film manufacturing method has a moisture absorption rate of 0.4% or less, a tensile strength of 150 MPa or more, and a dielectric constant ( Dk) may be 3.5 or less, and dielectric loss factor (Df) may be 0.003 or less.

본 발명에 따른 일구현예에 있어서, 상기 폴리이미드 필름을 포함하는 다층 필름, 상기 폴리이미드 필름과 열가소성 수지층을 포함하는 다층 필름 및 상기 폴리이미드 필름과 전기전도성의 금속박을 포함하는 연성금속박적층판을 제공한다.In one embodiment according to the present invention, a multilayer film including the polyimide film, a multilayer film including the polyimide film and a thermoplastic resin layer, and a flexible metal clad laminate including the polyimide film and an electrically conductive metal foil. to provide.

상기 열가소성 수지층은, 예를 들어 열가소성 폴리이미드 수지층 등이 적용될 수 있다.The thermoplastic resin layer may be, for example, a thermoplastic polyimide resin layer.

사용하는 금속박으로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 전자 기기 또는 전기 기기용도에 본 발명의 연성금속박적층판을 이용하는 경우에는, 예를 들면 구리 또는 구리 합금, 스테인레스강 또는 그의 합금, 니켈 또는 니켈 합금(42 합금도 포함함), 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하는 금속박일 수 있다.There is no particular limitation on the metal foil to be used, but when using the flexible metal clad laminate of the present invention for electronic or electrical equipment, for example, copper or copper alloy, stainless steel or its alloy, nickel or nickel alloy (42 alloy) Also included), may be a metal foil containing aluminum or aluminum alloy.

일반적인 연성금속박적층판에서는 압연 동박, 전해 동박이라는 구리박이 많이 사용되며, 본 발명에서도 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 이들 금속박의 표면에는 방청층, 내열층 또는 접착층이 도포되어 있을 수도 있다.In general flexible metal clad laminates, copper foils such as rolled copper foil and electrolytic copper foil are widely used, and can also be preferably used in the present invention. Additionally, a rust-prevention layer, a heat-resistant layer, or an adhesive layer may be applied to the surface of these metal foils.

본 발명에서 상기 금속박의 두께에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 그 용도에 따라서 충분한 기능을 발휘할 수 있는 두께이면 된다.In the present invention, the thickness of the metal foil is not particularly limited, and may be sufficient to provide sufficient function depending on the intended use.

본 발명에 따른 연성금속박적층판은, 상기 폴리이미드 필름의 일면에 금속박이 라미네이트되어 있거나, 상기 폴리이미드 필름의 일면에 열가소성 폴리이미드를 함유하는 접착층이 부가되어 있고, 상기 금속박이 접착층에 부착된 상태에서 라미네이트되어있는 구조일 수 있다. The flexible metal clad laminate according to the present invention has metal foil laminated on one side of the polyimide film, or an adhesive layer containing thermoplastic polyimide is added to one side of the polyimide film, and the metal foil is attached to the adhesive layer. It may be a laminated structure.

한편, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 연성금속박적층판을 전기적 신호 전송 회로로서 포함하는 전자 부품일 수 있다. 상기 전기적 신호 전송 회로는, 적어도 2 GHz의 고주파, 상세하게는 적어도 5 GHz의 고주파, 더욱 상세하게는 적어도 10 GHz의 고주파로 신호를 전송하는 전자 부품일 수 있다. Meanwhile, according to one embodiment of the present invention, it may be an electronic component including the flexible metal clad laminate as an electrical signal transmission circuit. The electrical signal transmission circuit may be an electronic component that transmits a signal at a high frequency of at least 2 GHz, specifically at a high frequency of at least 5 GHz, and more specifically at a high frequency of at least 10 GHz.

상기 전기적 신호 전송손실에 영향을 주는 폴리이미드 필름의 높은 흡습성을 제어하여 10GHz 이상의 주파수에서 전송손실 최적화를 구현할 수 있다.By controlling the high hygroscopicity of the polyimide film, which affects the electrical signal transmission loss, optimization of transmission loss can be achieved at a frequency of 10 GHz or higher.

상기 전자 부품은 예를 들어, 휴대 단말기용 통신 회로, 컴퓨터용 통신 회로, 또는 우주 항공용 통신회로일 수 있으나 이것으로 한정되는 것은 아니다.The electronic component may be, for example, a communication circuit for a portable terminal, a communication circuit for a computer, or a communication circuit for aerospace, but is not limited thereto.

이하, 발명의 구체적인 실시예를 통해, 발명의 작용 및 효과를 보다 상술하기로 한다. 다만, 이러한 실시예는 발명의 예시로 제시된 것에 불과하며, 이에 의해 발명의 권리범위가 정해지는 것은 아니다.Hereinafter, the operation and effects of the invention will be described in more detail through specific examples of the invention. However, these examples are merely presented as examples of the invention, and the scope of the invention is not determined by them.

제조예(폴리이미드 필름의 제조)Production example (production of polyimide film)

교반기 및 질소 주입·배출관을 구비한 500 ㎖ 반응기에 질소를 주입시키면서 DMF을 투입하고 반응기의 온도를 30℃로 설정한 후, 이무수물산 성분으로 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ) 및 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)의 몰비를 1:1.5~2.9로 조절하여 투입하고 디아민 성분으로 m-톨리딘(m-tolidine)을 투입하여 완전히 용해된 것을 확인하였다. DMF was added while nitrogen was injected into a 500 ml reactor equipped with a stirrer and nitrogen injection/discharge pipes, the temperature of the reactor was set to 30°C, and 1,4-phenylenebis (trimellitic acid monoester) was added as the dianhydride component. The molar ratio of dianhydride (TAHQ) and biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was adjusted to 1:1.5~2.9, and m-tolidine was added as a diamine component to ensure complete dissolution. Confirmed.

이후, 질소 분위기하에서 40 ℃로 반응기의 온도를 올려 가열하면서 120분간 교반을 계속하여 폴리아믹산을 제조하였다.Afterwards, the temperature of the reactor was raised to 40°C under a nitrogen atmosphere and stirring was continued for 120 minutes while heating to prepare polyamic acid.

이렇게 제조한 폴리아믹산에 입자상 폴리머의 함량을 조절하여 추가하고 교반하여 분산시켰고, 촉매 및 탈수제의 함량을 조절하여 첨가시켜서 폴리이미드 전구체 조성물을 준비한 후, 스핀 코터를 이용하여 유리 기판에 탈포된 폴리이미드 전구체 조성물을 도포하였다. 이후 질소 분위기 하 120℃의 온도에서 30 분 동안 건조하여 겔 필름을 제조하고, 상기 겔 필름을 450℃까지 2 ℃/분의 속도로 승온하고, 450℃에서 60 분 동안 열처리하고, 30℃까지 2 ℃/분의 속도로 냉각하여 폴리이미드 필름을 수득하였다.The content of the particulate polymer was added to the polyamic acid prepared in this way and dispersed by stirring. A polyimide precursor composition was prepared by adjusting the content of the catalyst and dehydrating agent, and then the polyimide was degassed on a glass substrate using a spin coater. The precursor composition was applied. Afterwards, a gel film was prepared by drying at a temperature of 120°C for 30 minutes under a nitrogen atmosphere, the gel film was heated to 450°C at a rate of 2°C/min, heat treated at 450°C for 60 minutes, and heated to 30°C for 2 minutes. A polyimide film was obtained by cooling at a rate of °C/min.

실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 4Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4

앞서 설명한 제조예에 의해 제조하되, 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 입자상 폴리머의 함량을 조절하여, 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 4의 폴리이미드 필름을 제조하였다.The polyimide films of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4 were manufactured according to the manufacturing example described above, but by adjusting the content of the particulate polymer as shown in Table 1 below.

입자상 폴리머particulate polymer 함량
(중량%)
content
(weight%)
실시예1Example 1 LCPLCP 1010 실시예2Example 2 LCPLCP 2020 실시예3Example 3 LCPLCP 3030 실시예4Example 4 LCPLCP 4040 실시예5Example 5 PTFEPTFE 1010 실시예6Example 6 PTFEPTFE 2020 실시예7Example 7 PTFEPTFE 3030 실시예8Example 8 PFAPFA 1010 실시예9Example 9 PFAPFA 2020 실시예10Example 10 PFAPFA 3030 비교예1Comparative Example 1 LCPLCP 5050 비교예2Comparative example 2 PTFEPTFE 5050 비교예3Comparative example 3 PFAPFA 5050 비교예4Comparative example 4 -- 00

실시예 1 내지 실시예 10 및 비교예 1 내지 4에서 각각 제조한 폴리이미드 필름에 대하여 인장강도 및 흡습율을 측정하여 하기 표 2에 나타내었다.The tensile strength and moisture absorption rate of the polyimide films prepared in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4 were measured and shown in Table 2 below.

또한, 실시예 1 내지 실시예 10 및 비교예 1 내지 4에서 각각 제조한 폴리이미드 필름에 대하여 유전율(Dk) 및 유전손실율(Df)을 측정하여 하기 표 3에 나타내었다.In addition, the dielectric constant (Dk) and dielectric loss factor (Df) of the polyimide films prepared in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4 were measured and are shown in Table 3 below.

인장강도(MPa)Tensile strength (MPa) 흡습율(%)Moisture absorption rate (%) 실시예1Example 1 199199 0.380.38 실시예2Example 2 186186 0.360.36 실시예3Example 3 173173 0.340.34 실시예4Example 4 159159 0.320.32 실시예5Example 5 194194 0.360.36 실시예6Example 6 177177 0.330.33 실시예7Example 7 158158 0.290.29 실시예8Example 8 194194 0.360.36 실시예9Example 9 177177 0.320.32 실시예10Example 10 159159 0.280.28 비교예1Comparative Example 1 146146 0.300.30 비교예2Comparative example 2 123123 0.220.22 비교예3Comparative Example 3 120120 0.210.21 비교예4Comparative Example 4 212212 0.500.50

23℃/50%, 24h
(10GHz)
23℃/50%, 24h
(10GHz)
23℃/50%, 24h
(28GHz)
23℃/50%, 24h
(28GHz)
23℃/50%, 24h
(40GHz)
23℃/50%, 24h
(40GHz)
85℃/85%, 24h
(10GHz)
85℃/85%, 24h
(10GHz)
DkDk DfDf DkDk DfDf DkDk DfDf DkDk DfDf 실시예1Example 1 3.493.49 0.001700.00170 3.493.49 0.002800.00280 3.493.49 0.002830.00283 3.493.49 0.00290.0029 실시예2Example 2 3.343.34 0.001600.00160 3.343.34 0.002710.00271 3.343.34 0.002750.00275 3.343.34 0.00280.0028 실시예3Example 3 3.313.31 0.001500.00150 3.313.31 0.002630.00263 3.313.31 0.002660.00266 3.313.31 0.00270.0027 실시예4Example 4 3.213.21 0.001400.00140 3.213.21 0.002540.00254 3.213.21 0.002570.00257 3.213.21 0.00260.0026 실시예5Example 5 3.433.43 0.001780.00178 3.433.43 0.002850.00285 3.433.43 0.002880.00288 3.433.43 0.00290.0029 실시예6Example 6 3.283.28 0.001750.00175 3.283.28 0.002820.00282 3.283.28 0.002860.00286 3.283.28 0.00290.0029 실시예7Example 7 3.143.14 0.001700.00170 3.143.14 0.002790.00279 3.143.14 0.002840.00284 3.143.14 0.00280.0028 실시예8Example 8 3.433.43 0.001750.00175 3.433.43 0.002810.00281 3.433.43 0.002840.00284 3.433.43 0.00280.0028 실시예9Example 9 3.283.28 0.001700.00170 3.283.28 0.002800.00280 3.283.28 0.002840.00284 3.283.28 0.00280.0028 실시예10Example 10 3.133.13 0.001650.00165 3.133.13 0.002740.00274 3.133.13 0.002770.00277 3.133.13 0.00270.0027 비교예1Comparative Example 1 3.133.13 0.001300.00130 3.133.13 0.002430.00243 3.133.13 0.002480.00248 3.133.13 0.00250.0025 비교예2Comparative example 2 2.842.84 0.001650.00165 2.842.84 0.002750.00275 2.842.84 0.002800.00280 3.343.34 0.00270.0027 비교예3Comparative Example 3 2.832.83 0.001600.00160 2.832.83 0.002720.00272 2.832.83 0.002760.00276 3.313.31 0.00260.0026 비교예4Comparative Example 4 3.583.58 0.001820.00182 3.583.58 0.002900.00290 3.583.58 0.002950.00295 3.433.43 0.00320.0032

제조된 폴리이미드 필름의 인장강도, 흡습율, 유전율(Dk) 및 유전손실율(Df)의 측정 방법은 하기와 같다.The method of measuring the tensile strength, moisture absorption, dielectric constant (Dk), and dielectric loss factor (Df) of the produced polyimide film is as follows.

(1) 인장강도 측정(1) Tensile strength measurement

만능 재료 시험기(모델명 Instron 5564, Instron 사)를 이용하여 ASTM D1708 에 제시된 방법으로 샘플의 인장강도를 측정하였다.The tensile strength of the sample was measured using a universal materials tester (model name: Instron 5564, Instron) using the method specified in ASTM D1708.

(2) 흡습율 측정(2) Moisture absorption rate measurement

폴리이미드 필름의 시험편(폭 4cmХ길이 25cm)을 2매 준비하고, 80℃에서 1시간 건조시켰다. 건조 후 즉시 23℃%RH의 항온 항습실에 넣고, 24시간 이상 방치하고, 그 전후의 중량 변화로부터 다음 식에 의해 구하였다.Two test pieces of polyimide film (4 cm wide, 25 cm long) were prepared and dried at 80°C for 1 hour. After drying, it was immediately placed in a constant temperature and humidity room at 23°C%RH, left for more than 24 hours, and calculated from the weight change before and after using the following equation.

흡습율(중량%)=[(흡습 후 중량-건조 후 중량)/건조 후 중량]Х100Moisture absorption rate (% by weight) = [(Weight after moisture absorption - Weight after drying)/Weight after drying] Х100

(3) 유전율 측정(3) Dielectric constant measurement

유전율(Dk)은 Keysight사의 SPDR 측정기를 사용하여 23℃/50%RH 환경 하에서 폴리이미드 필름을 24시간 방치 후 10 GHz, 28 GHz 및 40 GHz에서의 유전율을 측정하였다.The dielectric constant (Dk) was measured at 10 GHz, 28 GHz, and 40 GHz after leaving the polyimide film in an environment of 23°C/50%RH for 24 hours using an SPDR meter from Keysight.

또한, 85℃, 85%RH 환경 하에서 폴리이미드 필름을 24시간 방치 후 10 GHz에서의 유전율을 측정하였다.In addition, the dielectric constant at 10 GHz was measured after the polyimide film was left in an environment of 85°C and 85%RH for 24 hours.

(4) 유전 손실율 측정(4) Dielectric loss rate measurement

유전 손실율(Df)은 Keysight사의 ENA(Vector Network Analyzer)를 사용하여 공동공진법(SPDR)으로 24 시간 동안 23℃환경 하에서 폴리이미드 필름을 24시간 방치 후 10 GHz, 28 GHz 및 40 GHz에서의 유전 손실율을 측정하였다.Dielectric loss factor (Df) was measured at 10 GHz, 28 GHz, and 40 GHz after leaving the polyimide film in an environment of 23°C for 24 hours using the cavity resonance method (SPDR) using Keysight's ENA (Vector Network Analyzer). The loss rate was measured.

또한, 85℃, 85%RH 환경 하에서 폴리이미드 필름을 24시간 방치 후 10 GHz에서의 유전 손실율을 측정하였다.In addition, the dielectric loss rate at 10 GHz was measured after the polyimide film was left in an environment of 85°C and 85%RH for 24 hours.

상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 10에 따라 제조된 폴리이미드 필름은 인장강도가 150MPa 이상, 흡습율이 0.4% 이하였다.As shown in Table 2, the polyimide films manufactured according to Examples 1 to 10 of the present invention had a tensile strength of 150 MPa or more and a moisture absorption rate of 0.4% or less.

상기 표 3에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 10의 폴리이미드 필름은23℃환경 하에서 24시간 방치 후 10 GHz에서 측정된 3.5 이하의 유전 상수(Dk), 0.0020 이하의 유전손실율(Df) 특성을 구현할 뿐만 아니라, 고온(85℃), 다습(85%) 환경 하에서도 24시간 방치 후 10 GHz에서 측정된 3.5 이하의 유전 상수(Dk), 0.0030 이하의 유전손실율(Df) 특성을 구현하여 저유전 특성이 우수하였다. As shown in Table 3, the polyimide films of Examples 1 to 10 of the present invention had a dielectric constant (Dk) of 3.5 or less and a dielectric loss factor (Df) of 0.0020 or less measured at 10 GHz after being left for 24 hours in a 23°C environment. ) characteristics, as well as a dielectric constant (Dk) of 3.5 or less and a dielectric loss factor (Df) of 0.0030 or less measured at 10 GHz after being left for 24 hours even in a high temperature (85℃) and high humidity (85%) environment. Therefore, the low-dielectric properties were excellent.

또한, 본 발명의 실시예 1 내지 10의 폴리이미드 필름은 23℃환경 하에서 24시간 방치 후 28 GHz에서 측정된 3.5 이하의 유전 상수(Dk), 0.0029 이하의 유전손실율(Df) 특성을 구현할 수 있었고, 23℃환경 하에서 24시간 방치 후 40 GHz에서 측정된 3.5 이하의 유전 상수(Dk), 0.0029 이하의 유전손실율(Df) 특성을 구현할 수 있었다.In addition, the polyimide films of Examples 1 to 10 of the present invention were able to achieve dielectric constant (Dk) of 3.5 or less and dielectric loss factor (Df) of 0.0029 or less measured at 28 GHz after being left for 24 hours in a 23°C environment. , after being left for 24 hours in a 23°C environment, it was possible to achieve dielectric constant (Dk) of 3.5 or less and dielectric loss factor (Df) of 0.0029 or less measured at 40 GHz.

반면, 비교예 1 내지 3의 폴리이미드 필름의 유전 상수(Dk) 및 유전손실율(Df)이 실시예 1 내지 10의 폴리이미드 필름과 유사하다고 하더라도 인장강도가 150 MPa 미만에 해당하였다. On the other hand, even though the dielectric constant (Dk) and dielectric loss factor (Df) of the polyimide films of Comparative Examples 1 to 3 were similar to those of the polyimide films of Examples 1 to 10, the tensile strength was less than 150 MPa.

즉, 비교예 1 내지 3의 폴리이미드 필름은 실시예 1 내지 10의 폴리이미드 필름 대비 과량의 입자상 폴리머가 사용되어 인장강도가 낮은 값을 가지는 것으로 측정되었다. 이를 통해, 입자상 폴리머의 함량이 본원의 범위를 초과하는 경우 폴리이미드 필름의 기계적 특성이 저하된다는 사실을 확인할 수 있었다. That is, the polyimide films of Comparative Examples 1 to 3 were measured to have lower tensile strengths than the polyimide films of Examples 1 to 10 due to the use of an excessive amount of particulate polymer. Through this, it was confirmed that the mechanical properties of the polyimide film deteriorated when the content of the particulate polymer exceeded the range specified herein.

한편, 비교예 4와 같이, 입자상 폴리머를 사용하지 않는 경우, 흡습율이 높아지는 동시에, 유전 상수 및 유전손실율이 높아져서, 저유전 특성이 저하되었다.On the other hand, as in Comparative Example 4, when the particulate polymer was not used, the moisture absorption rate increased, the dielectric constant and dielectric loss rate increased, and the low dielectric properties deteriorated.

이러한 측정 결과는 유전 특성 및 기계적 특성이 적정한 수준으로 조절되기 위해서는, 본 발명에서 선택되는 함량 범위로 입자상 폴리머를 포함하는 것이 바람직하다는 것을 시사한다.These measurement results suggest that in order to control the dielectric properties and mechanical properties to an appropriate level, it is preferable to include the particulate polymer in the content range selected in the present invention.

이로부터, 실시예 1 내지 10의 폴리이미드 필름들은 우수한 저유전율 특성 및 기계적 특성을 겸비하여 전자 부품에 실제로 적용되기에는 적합할 것으로 예상할 수 있었다.From this, it could be expected that the polyimide films of Examples 1 to 10 had excellent low dielectric constant properties and mechanical properties and were therefore suitable for actual application to electronic components.

이상 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 상기 내용을 바탕을 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.Although the present invention has been described with reference to embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to make various applications and modifications based on the above contents within the scope of the present invention.

Claims (11)

85℃, 85%RH 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.003 이하인,
폴리이미드 필름.
The dielectric constant (Dk) measured at 10 GHz after being left for 24 hours in an 85°C, 85%RH environment is 3.5 or less and the dielectric loss factor (Df) is 0.003 or less.
Polyimide film.
제1항에 있어서,
상기 폴리이미드 필름은 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ) 및 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)를 포함하는 이무수물산 성분과 m-톨리딘(m-tolidine)을 포함하는 디아민 성분을 포함하는 폴리아믹산 용액을 이미드화 반응시켜 얻어진,
폴리이미드 필름.
According to paragraph 1,
The polyimide film is composed of a dianhydride component including 1,4-phenylenebis(trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ) and biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and m-tolidine (m Obtained by imidizing a polyamic acid solution containing a diamine component containing -tolidine),
Polyimide film.
제2항에 있어서,
상기 이무수물산 성분의 총함량 100 몰%를 기준으로 상기 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ)의 몰%에 대한 상기 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)의 몰%의 비(상기 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드(BPDA)의 몰%/1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ)의 몰%)가 1.5 이상, 2.9 이하인,
폴리이미드 필름.
According to paragraph 2,
The biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) relative to the mole percent of the 1,4-phenylenebis(trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ) based on 100 mol% of the total content of the dianhydride component. ) mole % ratio (mol % of biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA)/mol % of 1,4-phenylenebis(trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ)) is 1.5 or more. , which is 2.9 or less,
Polyimide film.
제2항에 있어서,
입자상 폴리머를 상기 폴리이미드 필름 총 중량 100 중량%를 기준으로, 10 중량% 이상, 40 중량% 이하 포함하는,
폴리이미드 필름.
According to paragraph 2,
Containing 10% by weight or more and 40% by weight or less of particulate polymer based on 100% by weight of the total weight of the polyimide film,
Polyimide film.
제4항에 있어서,
상기 입자상 폴리머는 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오르에틸렌-헥사플루오르프로필렌 공중합체(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체(ETFE), 테트라플루오로에틸렌- 클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(TFE/CTFE), 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(ECTFE) 및 액정 폴리머(LCP)로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는,
폴리이미드 필름.
According to paragraph 4,
The particulate polymer is polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), and ethylene-tetrafluoroethylene copolymer. At least one selected from the group consisting of polymer (ETFE), tetrafluoroethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (TFE/CTFE), ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE), and liquid crystal polymer (LCP) Including,
Polyimide film.
제1항에 있어서,
흡습율이 0.4 % 이하이고,
인장강도가 150 MPa 이상인,
폴리이미드 필름.
According to paragraph 1,
The moisture absorption rate is less than 0.4%,
A tensile strength of 150 MPa or more,
Polyimide film.
제1항에 있어서,
23℃ 환경 하에서 24시간 방치 후 10GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.002 이하이며,
23℃ 환경 하에서 24시간 방치 후 28GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.0029 이하이며,
23℃ 환경 하에서 24시간 방치 후 40GHz에서 측정된 유전 상수(Dk)가 3.5 이하이고, 유전손실율(Df)이 0.0029 이하인,
폴리이미드 필름.
According to paragraph 1,
The dielectric constant (Dk) measured at 10 GHz after being left for 24 hours in a 23°C environment is 3.5 or less, and the dielectric loss factor (Df) is 0.002 or less.
After being left for 24 hours in a 23°C environment, the dielectric constant (Dk) measured at 28GHz is 3.5 or less, and the dielectric loss factor (Df) is 0.0029 or less.
The dielectric constant (Dk) measured at 40 GHz after being left for 24 hours in a 23°C environment is 3.5 or less and the dielectric loss factor (Df) is 0.0029 or less.
Polyimide film.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 폴리이미드 필름을 포함하는,
다층 필름.
Comprising the polyimide film of any one of claims 1 to 7,
Multilayer film.
제8항에 있어서,
열가소성 수지층을 추가로 포함하는,
다층 필름.
According to clause 8,
Additionally comprising a thermoplastic resin layer,
Multilayer film.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 폴리이미드 필름; 및
전기전도성의 금속박;을 포함하는,
연성금속박적층판.
The polyimide film of any one of claims 1 to 7; and
Containing: electrically conductive metal foil;
Flexible metal foil laminate.
제10항에 따른 연성금속박적층판을 포함하는,
전자 부품.
Containing a flexible metal clad laminate according to paragraph 10,
Electronic parts.
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