KR20240075173A - Touch driving device for drving touch panel - Google Patents

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KR20240075173A
KR20240075173A KR1020220156889A KR20220156889A KR20240075173A KR 20240075173 A KR20240075173 A KR 20240075173A KR 1020220156889 A KR1020220156889 A KR 1020220156889A KR 20220156889 A KR20220156889 A KR 20220156889A KR 20240075173 A KR20240075173 A KR 20240075173A
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김경환
이덕환
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주식회사 엘엑스세미콘
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Abstract

일 실시예는 터치패널을 구동하는 터치구동기술에 관한 것으로서, 각 터치전극의 반응전류를 복사한 전류를 합하여 공통성분전류를 생성하고 이러한 공통성분전류를 각 터치전극의 반응전류에 차감하여 센싱전류를 생성함으로써 터치전극에 대한 노이즈의 영향을 최소화시키는 기술을 제공한다.One embodiment relates to a touch driving technology that drives a touch panel, where a common component current is generated by adding currents copied from the reaction current of each touch electrode, and this common component current is subtracted from the reaction current of each touch electrode to create a sensing current. Provides technology to minimize the impact of noise on touch electrodes by generating .

Description

터치패널을 구동하는 터치구동장치{TOUCH DRIVING DEVICE FOR DRVING TOUCH PANEL}Touch driving device that drives the touch panel {TOUCH DRIVING DEVICE FOR DRVING TOUCH PANEL}

본 실시예는 터치패널을 구동하는 터치구동기술에 관한 것이다.This embodiment relates to touch driving technology for driving a touch panel.

터치패널에 근접하거나 터치패널을 터치하는 외부 오브젝트를 인식하는 기술을 터치구동기술이라고 한다.Technology that recognizes external objects that are close to or touching the touch panel is called touch drive technology.

터치패널은 평면상에서 디스플레이패널과 같은 위치에 놓이게 되는데, 이에 따라, 사용자들은 디스플레이패널의 영상을 보면서 터치패널로 사용자조작신호를 입력할 수 있게 된다.The touch panel is placed in the same position as the display panel on the plane, allowing users to input user operation signals through the touch panel while viewing the image on the display panel.

이러한 사용자조작신호 발생방법은 그 이전의 다른 사용자조작신호 입력방식-예를 들어, 마우스 입력방식이나 키보드 입력방식-에 비해 놀라운 사용자 직관성을 제공해 준다.This method of generating user manipulation signals provides surprising user intuition compared to other previous user manipulation signal input methods - for example, mouse input methods or keyboard input methods.

이러한 장점에 따라, 디스플레이패널을 포함하고 있는 다양한 전자장치들에 터치구동기술이 적용되고 있다.According to these advantages, touch driving technology is being applied to various electronic devices including display panels.

터치구동장치는 터치패널에 배치되는 터치전극으로 구동신호를 공급하고 터치전극에 형성되는 반응신호를 수신하여 터치패널에 대한 외부 오브젝트의 터치 혹은 근접을 센싱할 수 있다.The touch driving device can sense the touch or proximity of an external object to the touch panel by supplying a driving signal to a touch electrode disposed on the touch panel and receiving a response signal formed in the touch electrode.

한편, 전술한 사용자의 편의성을 위해 터치패널과 디스플레이패널은 근접하여 위치하게 되는데, 이에 따라, 터치전극과 디스플레이전극 사이에 기생캐패시터가 형성되게 된다. 그리고, 이러한 기생캐패시터를 통해 디스플레이패널의 노이즈가 터치전극에 영향을 미칠 수 있다.Meanwhile, for the convenience of the user as described above, the touch panel and the display panel are located close to each other, and accordingly, a parasitic capacitor is formed between the touch electrode and the display electrode. Additionally, noise from the display panel may affect the touch electrode through these parasitic capacitors.

이러한 배경에서, 본 실시예의 목적은, 일 측면에서, 터치전극에 대한 노이즈의 영향을 최소화시키는 기술을 제공하는 것이다. 다른 측면에서, 본 실시예의 목적은, 디스플레이패널의 노이즈가 터치패널에 미치는 영향을 최소화시키는 기술을 제공하는 것이다. 또 다른 측면에서, 본 실시예의 목적은, 복수의 터치전극들에 공통적으로 영향을 미치는 공통 노이즈의 영향을 최소화시키는 기술을 제공하는 것이다. 또 다른 측면에서, 본 실시예의 목적은, 터치센싱을 위한 채널회로에 사용되는 전하적분기에서 옵셋성분을 제거하여 적분캐패시터의 용량을 최소화시키는 기술을 제공하는 것이다. 또 다른 측면에서, 본 실시예의 목적은, 터치전극들을 그룹화하고 각 그룹단위로 터치유무를 판단할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.Against this background, the purpose of this embodiment is, in one aspect, to provide a technology for minimizing the influence of noise on a touch electrode. In another aspect, the purpose of this embodiment is to provide a technology that minimizes the effect of display panel noise on the touch panel. In another aspect, the purpose of this embodiment is to provide a technique for minimizing the influence of common noise that commonly affects a plurality of touch electrodes. In another aspect, the purpose of this embodiment is to provide a technology to minimize the capacity of the integrating capacitor by removing the offset component in the charge integrator used in the channel circuit for touch sensing. In another aspect, the purpose of this embodiment is to provide a technology that can group touch electrodes and determine the presence or absence of touch for each group.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 실시예는, 터치전극의 반응전류에 대응되는 센싱전류에서 공통성분전류를 차감하여 센싱신호를 생성하는 채널회로들; 및 각 채널회로의 상기 반응전류를 복사한 복사전류들을 합하여 상기 공통성분전류를 생성하는 공통성분전류회로를 포함하는 터치구동장치를 제공한다. In order to achieve the above-described object, in one aspect, the present embodiment includes channel circuits that generate a sensing signal by subtracting a common component current from a sensing current corresponding to a reaction current of a touch electrode; and a common component current circuit that generates the common component current by summing radiated currents obtained by copying the reaction current of each channel circuit.

다른 측면에서, 본 실시예는, 터치전극의 반응전류에 대응되는 센싱전류를 입력단으로 전달받는 전하적분기를 포함하고, 상기 전하적분기의 출력전압으로 센싱신호를 생성하며, 상기 전하적분기의 입력단으로 공통성분전류가 더 전달되는 채널회로들; 및 각 채널회로의 상기 반응전류를 복사한 복사전류들을 합하여 상기 공통성분전류를 생성하는 공통성분전류회로를 포함하는 터치구동장치를 제공한다. In another aspect, this embodiment includes a charge integrator that receives a sensing current corresponding to the reaction current of the touch electrode to an input terminal, generates a sensing signal with an output voltage of the charge integrator, and uses a common input terminal of the charge integrator. Channel circuits through which component currents are further transmitted; and a common component current circuit that generates the common component current by summing radiated currents obtained by copying the reaction current of each channel circuit.

이상에서 설명한 바와 같이 본 실시예에 의하면, 터치전극에 대한 노이즈의 영향을 최소화시킬 수 있다. 그리고, 본 실시예에 의하면, 디스플레이패널의 노이즈가 터치패널에 미치는 영향을 최소화시킬 수 있다. 그리고, 본 실시예에 의하면, 복수의 터치전극들에 공통적으로 영향을 미치는 공통 노이즈의 영향을 최소화시킬 수 있다. 그리고, 본 실시예에 의하면, 터치센싱을 위한 채널회로에 사용되는 전하적분기에서 옵셋성분을 제거하여 적분캐패시터의 용량을 최소화시킬 수 있다. 그리고, 본 실시예에 의하면, 터치전극들을 그룹화하고 각 그룹단위로 터치유무를 판단할 수 있는 기술을 제공할 수 있다.As described above, according to this embodiment, the influence of noise on the touch electrode can be minimized. And, according to this embodiment, the influence of noise of the display panel on the touch panel can be minimized. And, according to this embodiment, the influence of common noise that commonly affects a plurality of touch electrodes can be minimized. And, according to this embodiment, the capacity of the integrating capacitor can be minimized by removing the offset component from the charge integrator used in the channel circuit for touch sensing. And, according to this embodiment, it is possible to provide a technology that can group touch electrodes and determine the presence or absence of touch for each group.

도 1은 일 실시예에 따른 디스플레이장치의 구성도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 디스플레이패널이 LCD(Liquid Crystal Display)패널로 구성되는 경우의 일 예시 구성도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 디스플레이패널이 OLED(Organic Light Emitting Diode)패널로 구성되는 경우의 일 예시 구성도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 디스플레이패널이 인셀타입패널일 때의 기생캐패시터 형성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 터치구동장치의 구성도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 터치구동장치의 제1예시 구성도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 터치구동장치의 제2예시 구성도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 터치구동장치의 제2예시에서 I-V컨버터가 전하적분기로 구현된 예시를 나타내는 도면이다.1 is a configuration diagram of a display device according to an embodiment.
Figure 2 is an example configuration diagram when a display panel according to an embodiment is composed of an LCD (Liquid Crystal Display) panel.
Figure 3 is an example configuration diagram when a display panel according to an embodiment is composed of an OLED (Organic Light Emitting Diode) panel.
Figure 4 is a diagram for explaining the formation of a parasitic capacitor when the display panel according to one embodiment is an in-cell type panel.
Figure 5 is a configuration diagram of a touch driving device according to an embodiment.
Figure 6 is a first example configuration diagram of a touch driving device according to an embodiment.
Figure 7 is a second example configuration diagram of a touch driving device according to an embodiment.
FIG. 8 is a diagram showing an example in which the IV converter is implemented as a charge integrator in a second example of a touch driving device according to an embodiment.

도 1은 일 실시예에 따른 디스플레이장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a display device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 디스플레이장치(100)는 디스플레이패널(111), 터치패널(112), 데이터구동장치(120), 게이트구동장치(130), 터치구동장치(140) 및 데이터처리장치(150) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the display device 100 includes a display panel 111, a touch panel 112, a data driving device 120, a gate driving device 130, a touch driving device 140, and a data processing device 150. ), etc. may be included.

디스플레이패널(111)에는, 데이터구동장치(120)와 연결되는 복수의 데이터라인(DL)이 형성되고, 게이트구동장치(130)와 연결되는 복수의 게이트라인(GL)이 형성될 수 있다. 또한, 디스플레이패널(111)에는 복수의 데이터라인(DL)과 복수의 게이트라인(GL)의 교차 지점에 대응되는 다수의 화소(P)가 정의될 수 있다. In the display panel 111, a plurality of data lines DL connected to the data driving device 120 may be formed, and a plurality of gate lines GL connected to the gate driving device 130 may be formed. Additionally, a plurality of pixels (P) corresponding to intersection points of a plurality of data lines (DL) and a plurality of gate lines (GL) may be defined in the display panel 111.

각 화소(P)에는 제1전극(예를 들어, 소스전극 또는 드레인전극)이 데이터라인(DL)과 연결되고, 게이트전극이 게이트라인(GL)과 연결되며, 제2전극(예를 들어, 드레인전극 또는 소스전극)이 디스플레이전극과 연결되는 트랜지스터가 형성될 수 있다.In each pixel (P), a first electrode (e.g., source electrode or drain electrode) is connected to the data line (DL), a gate electrode is connected to the gate line (GL), and a second electrode (e.g., A transistor in which a drain electrode or source electrode) is connected to a display electrode may be formed.

디스플레이패널(111)의 일측-상측 혹은 하측-으로 터치패널(112)이 위치할 수 있고, 터치패널(112)에는, 복수의 터치전극(TE)이 배치될 수 있다.The touch panel 112 may be located on one side - the upper or lower side - of the display panel 111, and a plurality of touch electrodes (TE) may be disposed on the touch panel 112.

디스플레이패널(111)과 터치패널(112)은 서로 분리되어 위치할 수 있다. 예를 들어, 별도의 공정에 따라 형성되는 터치패널(112)이 디스플레이패널(111) 상에 부착되는 방식으로 패널이 제작될 수 있다. 애드온(add-on)타입으로 알려진 패널이 이러한 패널의 일 예시이다.The display panel 111 and the touch panel 112 may be positioned separately from each other. For example, the panel may be manufactured in such a way that the touch panel 112, which is formed according to a separate process, is attached to the display panel 111. A panel known as an add-on type is an example of such a panel.

데이터구동장치(120)는 디지털이미지를 디스플레이패널(111)의 각 화소에 표시하기 위해 데이터라인(DL)으로 데이터신호를 공급한다.The data driving device 120 supplies a data signal to the data line DL to display a digital image in each pixel of the display panel 111.

이러한 데이터구동장치(120)는 적어도 하나의 데이터드라이버집적회로를 포함할 수 있는데, 이러한 적어도 하나의 데이터드라이버집적회로는, 테이프 오토메이티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 디스플레이패널(111)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 디스플레이패널(111)에 직접 형성될 수도 있으며, 경우에 따라서, 디스플레이패널(111)에 집적화되어 형성될 수도 있다. 또한, 데이터구동장치(120)는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.This data driving device 120 may include at least one data driver integrated circuit, and the at least one data driver integrated circuit may be a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG: It may be connected to the bonding pad of the display panel 111 using a Chip On Glass method, or may be formed directly on the display panel 111. In some cases, it may be formed by being integrated into the display panel 111. . Additionally, the data driving device 120 may be implemented in a chip on film (COF: Chip On Film) method.

게이트구동장치(130)는 각 화소에 위치하는 트랜지스터를 턴온 혹은 턴오프시키기 위해 게이트라인(GL)으로 스캔신호를 순차적으로 공급한다.The gate driving device 130 sequentially supplies scan signals to the gate line GL to turn on or off the transistors located in each pixel.

이러한 게이트구동장치(130)는, 구동 방식에 따라서, 도 1에서와 같이 디스플레이패널(111)의 한 측에만 위치할 수도 있고, 2개로 나누어져 디스플레이패널(111)의 양측에 위치할 수도 있다. Depending on the driving method, this gate driving device 130 may be located on only one side of the display panel 111 as shown in FIG. 1, or may be divided into two and located on both sides of the display panel 111.

또한, 게이트구동장치(130)는, 적어도 하나의 게이트드라이버집적회로를 포함할 수 있는데, 이러한 적어도 하나의 게이트드라이버집적회로는, 테이프 오토메이티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 디스플레이패널(111)의 본딩 패드에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 디스플레이패널(111)에 직접 형성될 수도 있으며, 경우에 따라서, 디스플레이패널(111)에 집적화되어 형성될 수도 있다. 또한, 게이트구동장치(130)는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.Additionally, the gate driving device 130 may include at least one gate driver integrated circuit, and the at least one gate driver integrated circuit may be manufactured using a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) method. It may be connected to the bonding pad of the display panel 111, or may be implemented as a GIP (Gate In Panel) type and formed directly on the display panel 111. In some cases, it may be formed by being integrated into the display panel 111. . Additionally, the gate driving device 130 may be implemented using a chip on film (COF: Chip On Film) method.

터치구동장치(140)는 터치전극(TE)으로 터치구동신호를 공급하고 터치구동신호에 대한 반응전류를 수신할 수 있다. 그리고, 터치구동장치(140)는 반응전류에 따라 터치패널(112)에 대한 외부 오브젝트의 터치 혹은 근접을 센싱할 수 있다.The touch driving device 140 may supply a touch driving signal to the touch electrode (TE) and receive a reaction current for the touch driving signal. Additionally, the touch driving device 140 can sense the touch or proximity of an external object to the touch panel 112 according to the reaction current.

도 1에서 디스플레이장치(100)에는 하나의 터치구동장치(140)가 위치한 것으로 도시되어 있으나, 디스플레이장치(100)는 둘 이상의 터치구동장치(140)를 포함할 수도 있다. In FIG. 1 , one touch driving device 140 is shown in the display device 100, but the display device 100 may include two or more touch driving devices 140.

한편, 디스플레이장치(100)는 터치전극(TE)을 통해 정전용량의 변화를 감지함으로써 오브젝트의 근접 혹은 터치를 인식하는 정전식 터치방식을 채용할 수 있다.Meanwhile, the display device 100 may adopt a capacitive touch method that recognizes the proximity or touch of an object by detecting changes in capacitance through the touch electrode (TE).

이러한 정전식 터치방식은, 일 예로, 상호 정전용량(뮤추얼 캐패시턴스) 터치방식과 자체 정전용량(셀프 캐패시턴스) 터치 방식으로 나눌 수 있다. For example, this capacitive touch method can be divided into a mutual capacitance (mutual capacitance) touch method and a self-capacitance (self-capacitance) touch method.

정전식 터치방식의 한 종류인 상호 정전용량 터치방식은, 구동전극으로 터치구동신호를 공급하고 구동전극과 정전용량으로 커플링된 센싱전극으로부터 반응전류를 수신하여 터치패널에 대한 터치 혹은 근접을 센싱할 수 있다. 이러한 상호 정전용량 터치방식에서는, 손가락, 펜 등의 오브젝트의 근접 혹은 터치에 따라 센싱전극에서 센싱되는 값이 달라지는데, 상호 정전용량 터치방식은 이러한 센싱전극에서의 센싱값을 이용하여 터치 유무, 터치 좌표 등을 검출한다.The mutual capacitance touch method, a type of capacitive touch method, senses touch or proximity to the touch panel by supplying a touch drive signal to a driving electrode and receiving a reaction current from a sensing electrode capacitively coupled to the driving electrode. can do. In this mutual capacitance touch method, the value sensed by the sensing electrode changes depending on the proximity or touch of an object such as a finger or pen, and the mutual capacitance touch method uses the sensed value from these sensing electrodes to determine the presence or absence of touch and touch coordinates. Detect etc.

정전식 터치방식의 다른 한 종류인 자체 정전용량 터치방식은, 터치전극으로 터치구동신호를 공급한 후 다시 해당 터치전극을 센싱한다. 자체 정전용량 터치방식에서는, 구동전극과 센싱전극이 구분되지 않는다. 이러한 자체 정전용량 터치방식에서는, 손가락, 펜 등의 오브젝트의 근접 혹은 터치에 따라 해당 터치전극에서 센싱되는 값이 달라지는데, 자체 정전용량 터치방식은 이러한 센싱값을 이용하여 터치 유무, 터치 좌표 등을 검출한다.The self-capacitance touch method, which is another type of capacitive touch method, supplies a touch driving signal to a touch electrode and then senses the touch electrode again. In the self-capacitance touch method, the driving electrode and the sensing electrode are not differentiated. In this self-capacitance touch method, the value sensed by the touch electrode varies depending on the proximity or touch of an object such as a finger or pen. The self-capacitance touch method uses these sensing values to detect the presence or absence of touch, touch coordinates, etc. do.

디스플레이장치(100)는, 전술한 2가지의 정전식 터치방식(상호 정전용량 터치방식, 자체 정전용량 터치방식) 중 하나를 채용할 수 있다. 다만, 본 명세서에서는, 설명의 편의를 위해, 자체 정전용량 터치방식이 채용된 것으로 가정하여 실시예를 설명한다.The display device 100 may adopt one of the two capacitive touch methods described above (mutual capacitance touch method, self-capacitance touch method). However, in this specification, for convenience of explanation, the embodiment will be described assuming that a self-capacitance touch method is adopted.

디스플레이장치(100)는 표시구간과 터치구간을 구분하여 터치전극(TE)을 구동할 수 있다. 일 예로서, 디스플레이장치(100)의 터치구동장치(140)는 데이터신호를 공급하는 구간에서는 터치전극(TE)의 전체 또는 일부로 터치구동신호를 인가하지 않을 수 있다.The display device 100 can drive the touch electrode (TE) by distinguishing between a display section and a touch section. As an example, the touch driving device 140 of the display device 100 may not apply a touch driving signal to all or part of the touch electrode (TE) during a section in which a data signal is supplied.

또한 디스플레이장치(100)는 표시구간과 터치구간을 구분하지 않고 터치전극(TE)을 구동할 수 있다. 일 예로서, 디스플레이장치(100)의 터치구동장치(140)는 데이터신호를 공급하는 구간에서 터치전극(TE)의 전체 또는 일부로 구동신호를 인가할 수 있다.Additionally, the display device 100 can drive the touch electrode (TE) without distinguishing between the display section and the touch section. As an example, the touch driving device 140 of the display device 100 may apply a driving signal to all or part of the touch electrode (TE) in a section where a data signal is supplied.

데이터처리장치(150)는 데이터구동장치(120), 게이트구동장치(130) 및 터치구동장치(140)로 각종 제어신호를 공급할 수 있다. 데이터처리장치(150)는 각 타이밍에 맞게 데이터구동장치(120)가 각 화소(P)로 데이터신호를 공급하도록 제어하는 데이터제어신호(DCS: Data Control Signal)를 전송하거나, 게이트구동장치(130)로 게이트제어신호(GCS: Gate Control Signal)를 전송하거나, 터치구동장치(140)로 센싱신호를 전송할 수 있다. 데이터처리장치(150)는 타이밍컨트롤러(T-Con: Timing Controller)이거나, 타이밍컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어기능도 더 수행할 수 있다.The data processing device 150 can supply various control signals to the data driving device 120, the gate driving device 130, and the touch driving device 140. The data processing device 150 transmits a data control signal (DCS: Data Control Signal) that controls the data driving device 120 to supply data signals to each pixel (P) according to each timing, or the gate driving device 130 ), a gate control signal (GCS) can be transmitted, or a sensing signal can be transmitted to the touch driving device 140. The data processing device 150 may be a timing controller (T-Con) or may perform other control functions including a timing controller.

한편, 터치전극(TE)가 주변 전극 사이에는 기생캐패시터가 형성될 수 있다. 디스플레이패널(111)과 터치패널(112)이 근접하여 위치하는 경우, 이러한 기생캐패시터의 크기는 더 커질 수 있다. 그리고, 기생캐패시터의 크기가 커질 수록 터치패널(112)로 유입되는 노이즈의 크기는 커질 수 있다.Meanwhile, a parasitic capacitor may be formed between the touch electrode (TE) and the peripheral electrodes. When the display panel 111 and the touch panel 112 are located close to each other, the size of this parasitic capacitor may become larger. And, as the size of the parasitic capacitor increases, the size of noise flowing into the touch panel 112 may increase.

도 2는 일 실시예에 따른 디스플레이패널이 LCD(Liquid Crystal Display)패널로 구성되는 경우의 일 예시 구성도이다.Figure 2 is an example configuration diagram when a display panel according to an embodiment is composed of an LCD (Liquid Crystal Display) panel.

도 2를 참조하면, 패널(110a)은 TFT(thin film transistor)기판(210), 공통전극층(220), 액정층(230) 및 컬러필터층(240)을 포함하는 디스플레이패널층과 터치전극(TE)을 포함하는 터치패널층으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 2, the panel 110a includes a display panel layer including a thin film transistor (TFT) substrate 210, a common electrode layer 220, a liquid crystal layer 230, and a color filter layer 240, and a touch electrode (TE). ) may be composed of a touch panel layer containing.

TFT기판(210)에는 화소에 배치되는 트랜지스터 및 화소전극이 배치될 수 있고, 공통전극층(220)에는 공통전극이 배치될 수 있다. TFT기판(210)과 공통전극층(220)을 합쳐 디스플레이전극층이라고 부를 수 있다.A transistor and a pixel electrode disposed in a pixel may be disposed on the TFT substrate 210, and a common electrode may be disposed on the common electrode layer 220. The TFT substrate 210 and the common electrode layer 220 can be combined and called a display electrode layer.

디스플레이전극층에는 디스플레이전극-게이트라인, 데이터라인, 공통전극 등-이 배치될 수 있다. 그리고, 디스플레이전극층과 터치전극(TE) 사이에는 액정층(230) 및/또는 컬러필터층(240) 등이 개재될 수 있는데, 이러한 액정층(230) 및/또는 컬러필터층(240)으로 인해 디스플레이전극과 터치전극(TE) 사이에 기생캐패시터가 형성될 수 있다.Display electrodes - gate lines, data lines, common electrodes, etc. - may be disposed on the display electrode layer. In addition, a liquid crystal layer 230 and/or a color filter layer 240 may be interposed between the display electrode layer and the touch electrode (TE). The liquid crystal layer 230 and/or the color filter layer 240 may cause the display electrode A parasitic capacitor may be formed between the touch electrode (TE) and the touch electrode (TE).

터치전극(TE)에 형성되는 터치구동신호는 이러한 기생캐패시터에 의해 영향을 받을 수 있다. 터치패널층에는 복수의 터치전극(TE)이 배치될 수 있는데, 복수의 터치전극(TE)은 기생캐패시터를 통해 디스플레이패널층으로부터 공통적으로 노이즈를 전달받을 수 있다. 일 실시예에 따른 터치구동장치는 복수의 터치전극(TE)에서의 반응전류를 총합하여 공통적인 노이즈성분을 인식하고 공통적인 노이즈성분을 반응전류에서 제외시킴으로써 터치전극(TE)에 대한 노이즈의 영향을 최소화시킬 수 있다.The touch driving signal formed on the touch electrode (TE) may be affected by this parasitic capacitor. A plurality of touch electrodes (TE) may be disposed on the touch panel layer, and the plurality of touch electrodes (TE) may commonly receive noise from the display panel layer through a parasitic capacitor. A touch driving device according to an embodiment recognizes common noise components by summing the reaction currents from a plurality of touch electrodes (TE) and excludes the common noise components from the reaction current to determine the effect of noise on the touch electrodes (TE). can be minimized.

도 3은 일 실시예에 따른 디스플레이패널이 OLED(Organic Light Emitting Diode)패널로 구성되는 경우의 일 예시 구성도이다.Figure 3 is an example configuration diagram when a display panel according to an embodiment is composed of an OLED (Organic Light Emitting Diode) panel.

도 3을 참조하면, 패널(110b)은 TFT기판(310), 유기발광물질층(320), 캐소드전극층(330) 및 절연층(340)을 포함하는 디스플레이패널층과 터치전극(TE)을 포함하는 터치패널층으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 3, the panel 110b includes a display panel layer including a TFT substrate 310, an organic light emitting material layer 320, a cathode electrode layer 330, and an insulating layer 340, and a touch electrode (TE). It may be composed of a touch panel layer.

TFT기판(310)에는 화소에 배치되는 트랜지스터 및 애노드전극이 배치될 수 있고, 유기발광물질층(320)에는 전기에너지에 의해 발광하는 유기발광물질이 배치될 수 있다. 그리고, 캐소드전극층(330)에는 OLED로 기저전압을 공급하는 캐소드전극이 배치될 수 있다. TFT기판(310), 유기발광물질층(320), 캐소드전극층(330)을 합쳐 디스플레이전극층이라고 부를 수 있다.A transistor and an anode electrode disposed in a pixel may be disposed on the TFT substrate 310, and an organic light emitting material that emits light by electrical energy may be disposed on the organic light emitting material layer 320. Additionally, a cathode electrode that supplies a base voltage to the OLED may be disposed on the cathode electrode layer 330. The TFT substrate 310, the organic light emitting material layer 320, and the cathode electrode layer 330 can be combined and called a display electrode layer.

디스플레이전극층에는 디스플레이전극-게이트라인, 데이터라인, 애노드전극, 캐소드전극 등-이 배치될 수 있다. 그리고, 디스플레이전극층과 터치전극(TE) 사이에는 절연층(340) 등이 개재될 수 있는데, 이러한 절연층(340)으로 인해 디스플레이전극과 터치전극(TE) 사이에 기생캐패시터(Cp)가 형성될 수 있다.Display electrodes - gate lines, data lines, anode electrodes, cathode electrodes, etc. - may be disposed on the display electrode layer. In addition, an insulating layer 340 may be interposed between the display electrode layer and the touch electrode (TE). Due to this insulating layer 340, a parasitic capacitor (Cp) may be formed between the display electrode and the touch electrode (TE). You can.

터치전극(TE)에 형성되는 터치구동신호는 이러한 기생캐패시터(Cp)에 의해 영향을 받을 수 있다. 터치패널층에는 복수의 터치전극(TE)이 배치될 수 있는데, 복수의 터치전극(TE)은 기생캐패시터를 통해 디스플레이패널층으로부터 공통적으로 노이즈를 전달받을 수 있다. 일 실시예에 따른 터치구동장치는 복수의 터치전극(TE)에서의 반응전류를 총합하여 공통적인 노이즈성분을 인식하고 공통적인 노이즈성분을 반응전류에서 제외시킴으로써 터치전극(TE)에 대한 노이즈의 영향을 최소화시킬 수 있다.The touch driving signal formed on the touch electrode (TE) may be affected by this parasitic capacitor (Cp). A plurality of touch electrodes (TE) may be disposed on the touch panel layer, and the plurality of touch electrodes (TE) may commonly receive noise from the display panel layer through a parasitic capacitor. A touch driving device according to an embodiment recognizes common noise components by summing the reaction currents from a plurality of touch electrodes (TE) and excludes the common noise components from the reaction current to determine the effect of noise on the touch electrodes (TE). can be minimized.

한편, 디스플레이패널과 터치패널은 일부의 구성을 공유하는 인셀(incell)타입패널을 구성할 수 있다.Meanwhile, the display panel and the touch panel can form an incell type panel that shares some configurations.

도 4는 일 실시예에 따른 디스플레이패널이 인셀타입패널일 때의 기생캐패시터 형성을 설명하기 위한 도면이다.Figure 4 is a diagram for explaining the formation of a parasitic capacitor when the display panel according to one embodiment is an in-cell type panel.

도 4를 참조하면, 터치전극(TE)은 디스플레이패널 내에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 4, the touch electrode (TE) may be located within the display panel.

디스플레이패널이 LCD패널인 경우, 공통전압이 공급되는 공통전극이 터치전극(TE)으로 사용될 수 있다. 그리고, 디스플레이패널이 OLED패널인 경우, 기저전압이 공급되는 캐소드전극이 터치전극(TE)으로 사용될 수 있다.When the display panel is an LCD panel, a common electrode supplied with a common voltage can be used as a touch electrode (TE). Also, when the display panel is an OLED panel, the cathode electrode to which the base voltage is supplied can be used as a touch electrode (TE).

터치전극(TE)이 디스플레이패널 내에 위치하는 경우, 터치전극(TE)과 게이트라인(GL) 사이에 제1기생캐패시터(Cpa)가 형성되고, 터치전극(TE)과 데이터라인(DL) 사이에 제2기생캐패시터(Cpb)가 형성될 수 있다.When the touch electrode (TE) is located in the display panel, a first parasitic capacitor (Cpa) is formed between the touch electrode (TE) and the gate line (GL), and a first parasitic capacitor (Cpa) is formed between the touch electrode (TE) and the data line (DL). A second parasitic capacitor (Cpb) may be formed.

이러한 제1기생캐패시터(Cpa) 및 제2기생캐패시터(Cpb)의 크기-캐패시턴스 크기-는 온셀타입의 패널보다 훨씬 클 수 있다.The size of the first parasitic capacitor (Cpa) and the second parasitic capacitor (Cpb) - the capacitance size - may be much larger than that of the on-cell type panel.

복수의 터치전극(TE)은 기생캐패시터를 통해 디스플레이패널층으로부터 공통적으로 노이즈를 전달받을 수 있다. 일 실시예에 따른 터치구동장치는 복수의 터치전극(TE)에서의 반응전류를 총합하여 공통적인 노이즈성분을 인식하고 공통적인 노이즈성분을 반응전류에서 제외시킴으로써 터치전극(TE)에 대한 노이즈의 영향을 최소화시킬 수 있다.A plurality of touch electrodes (TE) may commonly receive noise from the display panel layer through a parasitic capacitor. A touch driving device according to an embodiment recognizes common noise components by summing the reaction currents from a plurality of touch electrodes (TE) and excludes the common noise components from the reaction current to determine the effect of noise on the touch electrodes (TE). can be minimized.

도 5는 일 실시예에 따른 터치구동장치의 구성도이다.Figure 5 is a configuration diagram of a touch driving device according to an embodiment.

도 5를 참조하면, 터치구동장치(140)는 복수의 채널회로들(510a ~ 510n) 및 공통성분전류회로(520) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the touch driving device 140 may include a plurality of channel circuits 510a to 510n and a common component current circuit 520.

각 채널회로(510a ~ 510n)는 터치전극(TEa ~ TEn)으로 터치구동신호(STXa ~ STXn)를 공급할 수 있다. 그리고, 각 채널회로(510a ~ 510n)는 터치전극(TEa ~ TEn)으로부터 터치구동신호(STXa ~ STXn)에 대한 반응신호를 수신할 수 있다. 여기서, 반응신호는 전류의 형태를 가질 수 있고, 반응전류(SRXa ~ SRXn)로 호칭될 수 있다.Each channel circuit (510a to 510n) can supply touch driving signals (STXa to STXn) to touch electrodes (TEa to TEn). Additionally, each channel circuit (510a to 510n) may receive a response signal for the touch drive signals (STXa to STXn) from the touch electrodes (TEa to TEn). Here, the reaction signal may have the form of a current and may be referred to as reaction currents (SRXa to SRXn).

그리고, 각 채널회로(510a ~ 510n)는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 이용하여 센싱신호를 생성하고 센싱신호를 디지털데이터(SDa ~ SDn)로 변환할 수 있다.In addition, each channel circuit (510a ~ 510n) can generate a sensing signal using the reaction current (SRXa ~ SRXn) and convert the sensing signal into digital data (SDa ~ SDn).

터치구동장치(140)는 디지털데이터(SDa ~ SDn)를 MCU(Main Control Unit)와 같은 계산장치로 송신할 수 있다. 그리고, MCU는 디지털데이터(SDa ~ SDn)를 이용하여 터치패널에 대한 터치좌표를 생성할 수 있다. 실시예에 따라서는 터치구동장치(140)가 계산을 할 수 있는 프로세서를 내장하고 있으면서 이러한 프로세서를 이용하여 터치좌표를 생성할 수도 있다.The touch driving device 140 can transmit digital data (SDa to SDn) to a calculation device such as a main control unit (MCU). Additionally, the MCU can generate touch coordinates for the touch panel using digital data (SDa to SDn). Depending on the embodiment, the touch driving device 140 may have a built-in processor capable of calculation and may generate touch coordinates using this processor.

한편, 반응전류에는 공통노이즈가 포함되어 있을 수 있다. 일 실시예에 따른 터치구동장치는 공통노이즈의 영향을 최소화시키기 위해 각 채널회로(510a ~ 510n)에서의 반응전류를 합쳐서 공통성분전류를 인식할 수 있다. 예를 들어, 인접한 복수의 터치전극들은 동일한 노이즈에 영향을 받을 수 있는데, 이때, 각 터치전극의 반응전류에는 동일한 노이즈에 의한 노이즈전류가 공통적으로 포함되어 있을 수 있다. 각 터치전극의 반응전류를 총합한 후 평균을 구하거나 그 총합을 일정 비율로 조정하면 그 값은 노이즈전류의 크기와 유사할 수 있다. 일 실시예에 따른 터치구동장치는 이러한 방식으로 공통성분전류를 구하고 이러한 공통성분전류를 반응전류에서 차감시켜 각 터치전극에 대한 공통 노이즈의 영향을 최소화시킬 수 있다.Meanwhile, the reaction current may include common noise. The touch driving device according to one embodiment may recognize the common component current by summing the reaction currents in each channel circuit (510a to 510n) to minimize the influence of common noise. For example, a plurality of adjacent touch electrodes may be affected by the same noise. In this case, the reaction current of each touch electrode may commonly include a noise current caused by the same noise. If the reaction current of each touch electrode is totaled and then averaged or the total is adjusted to a certain ratio, the value may be similar to the size of the noise current. The touch driving device according to one embodiment can minimize the influence of common noise on each touch electrode by obtaining the common component current in this manner and subtracting this common component current from the reaction current.

각 채널회로(510a ~ 510n)는 공통성분전류회로(520)로부터 공통성분전류(CMC)를 전달받을 수 있다. 그리고, 각 채널회로(510a ~ 510n)는 반응전류(SRXa ~ SRXn)에서 공통성분전류(CMC)를 차감하여 센싱신호를 생성할 수 있다.Each channel circuit 510a to 510n can receive a common component current (CMC) from the common component current circuit 520. Additionally, each channel circuit (510a to 510n) can generate a sensing signal by subtracting the common component current (CMC) from the reaction current (SRXa to SRXn).

공통성분전류회로(520)는 각 채널회로(510a ~ 510n)의 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사한 복사전류들(MRCa ~ MRCn)을 합하여 공통성분전류를 생성할 수 있다. 예를 들어, 복사전류들(MRCa ~ MRCn)은 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 일정 비율로 복사한 전류일 수 있다. 구체적으로, 복사전류들(MRCa ~ MRCn)은 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 일정 비율로 감소시켜 복사한 전류일 수 있다. 합산되는 채널회로의 개수가 N개인 경우, 복사전류들(MRCa ~ MRCn)은 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 1/N보다 작은 비율로 복사한 전류일 수 있다.The common component current circuit 520 can generate a common component current by adding the radiation currents (MRCa to MRCn) obtained by copying the reaction currents (SRXa to SRXn) of each channel circuit (510a to 510n). For example, the radiation currents (MRCa to MRCn) may be currents that radiate the reaction currents (SRXa to SRXn) at a certain rate. Specifically, the radiation currents (MRCa to MRCn) may be currents radiated by reducing the reaction currents (SRXa to SRXn) at a certain rate. When the number of channel circuits to be added is N, the radiation currents (MRCa to MRCn) may be currents obtained by copying the reaction currents (SRXa to SRXn) at a ratio less than 1/N.

각 채널회로(510a ~ 510n)는 터치전극들(TEa ~ TEn)을 동시에 센싱할 수 있다. 혹은 각 채널회로(510a ~ 510n)와 연결되는 터치전극들(TEa ~ TEn)은 인접하게 위치할 수 있다. 터치전극들(TEa ~ TEn)은 가로방향으로 인접하게 배치될 수 있고, 세로방향으로 인접하게 배치될 수 있다.Each channel circuit (510a to 510n) can simultaneously sense the touch electrodes (TEa to TEn). Alternatively, the touch electrodes (TEa to TEn) connected to each channel circuit (510a to 510n) may be located adjacent to each other. The touch electrodes TEa to TEn may be arranged adjacent to each other in the horizontal direction and adjacent to each other in the vertical direction.

도 6은 일 실시예에 따른 터치구동장치의 제1예시 구성도이다.Figure 6 is a first example configuration diagram of a touch driving device according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 터치구동장치(600)는 복수의 채널회로들(610a ~ 610n)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the touch driving device 600 may include a plurality of channel circuits 610a to 610n.

각 채널회로(610a ~ 610n)는 터치전극(TEa ~ TEn)으로 터치구동신호(STXa ~ STXn)를 공급할 수 있다.Each channel circuit (610a to 610n) can supply touch driving signals (STXa to STXn) to touch electrodes (TEa to TEn).

각 채널회로(610a ~ 610n)는 터치구동신호(STXa ~ STXn)를 공급하기 위한 아날로그프론트엔드(AFE : Analog Front End)회로를 포함할 수 있다.Each channel circuit (610a ~ 610n) may include an analog front end (AFE) circuit for supplying touch drive signals (STXa ~ STXn).

AFE회로는 증폭기(611a ~ 611n)를 포함할 수 있다. 증폭기(611a ~ 611n)의 일 입력단(N2a ~ N2n)으로 터치구동신호(STXa ~ STXn)가 공급될 수 있다. 터치구동신호(STXa ~ STXn)는 고전압과 저전압이 교번하는 PWM(Pulse Width Modulation)파형을 가질 수 있다.The AFE circuit may include amplifiers 611a to 611n. Touch drive signals (STXa to STXn) may be supplied to one input terminal (N2a to N2n) of the amplifiers (611a to 611n). The touch drive signals (STXa to STXn) may have a PWM (Pulse Width Modulation) waveform in which high and low voltages alternate.

증폭기(611a ~ 611n)의 일 입력단(N2a ~ N2n)으로 입력되는 터치구동신호(STXa ~ STXn)는 증폭기(611a ~ 611n)의 동작원리에 따라 다른 입력단(N1a ~ N1n)에서 동일한 파형으로 나타날 수 있다.The touch drive signal (STXa ~ STXn) input to one input terminal (N2a ~ N2n) of the amplifier (611a ~ 611n) may appear in the same waveform at the other input terminal (N1a ~ N1n) depending on the operating principle of the amplifier (611a ~ 611n). there is.

증폭기(611a ~ 611n)의 다른 입력단(N1a ~ N1n)은 제1스위치(SW1a ~ SW1n)를 통해 터치전극(TEa ~ TEn)과 연결될 수 있는데, 제1스위치(SW1a ~ SW1n)가 턴온되면 증폭기(611a ~ 611n)의 다른 입력단(N1a ~ N1n)에 나타나는 터치구동신호(STXa ~ STXn)가 터치전극(TEa ~ TEn)으로 공급될 수 있다.Other input terminals (N1a to N1n) of the amplifiers (611a to 611n) can be connected to the touch electrodes (TEa to TEn) through the first switches (SW1a to SW1n). When the first switches (SW1a to SW1n) are turned on, the amplifier ( The touch drive signals (STXa to STXn) appearing at the other input terminals (N1a to N1n) of 611a to 611n may be supplied to the touch electrodes (TEa to TEn).

터치전극(TEa ~ TEn)으로 터치구동신호(STXa ~ STXn)가 공급되면 터치전극(TEa ~ TEn)에 형성되는 캐패시턴스에 따라 반응전류(SRXa ~ SRXn)가 다르게 나타날 수 있다. 예를 들어, 외부 오브젝트가 터치전극(TEa ~ TEn)에 근접하면 터치전극(TEa ~ TEn)의 캐패시턴스가 커지게 되는데, 이때, 반응전류(SRXa ~ SRXn)의 크기도 커질 수 있다.When touch drive signals (STXa to STXn) are supplied to the touch electrodes (TEa to TEn), the reaction current (SRXa to SRXn) may appear differently depending on the capacitance formed in the touch electrodes (TEa to TEn). For example, when an external object approaches the touch electrodes (TEa to TEn), the capacitance of the touch electrodes (TEa to TEn) increases. In this case, the size of the reaction current (SRXa to SRXn) may also increase.

증폭기(611a ~ 611n)의 다른 입력단(N1a ~ N1n)은 출력단(N3a ~ N3n)과 연결될 수 있는데, 이러한 연결에 따라 터치전극(TEa ~ TEn)의 반응전류(SRXa ~ SRXn)는 출력단(N3a ~ N3n)으로 전달되게 된다.Other input terminals (N1a ~ N1n) of the amplifiers (611a ~ 611n) can be connected to the output terminals (N3a ~ N3n). According to this connection, the reaction current (SRXa ~ SRXn) of the touch electrodes (TEa ~ TEn) is connected to the output terminals (N3a ~ N3n). It is transmitted to N3n).

실질적으로 증폭기(611a ~ 611n)의 출력부분에는 전류를 공급하기 위한 제1전류회로(612a ~ 612n)가 포함될 수 있는데, 제1전류회로(612a ~ 612n)는 반응전류(SRXa ~ SRXn)에 해당되는 전류를 생성할 수 있다.In practice, the output portion of the amplifier (611a to 611n) may include first current circuits (612a to 612n) for supplying current, and the first current circuits (612a to 612n) correspond to the reaction currents (SRXa to SRXn). A current can be generated.

각 채널회로(610a ~ 610n)에는 제1전류회로(612a ~ 612n)에 흐르는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하는 제2전류회로(613a ~ 613n)가 포함될 수 있다.Each channel circuit (610a to 610n) may include second current circuits (613a to 613n) that copy the reaction currents (SRXa to SRXn) flowing in the first current circuits (612a to 612n).

제2전류회로(613a ~ 613n)는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하여 센싱전류를 생성할 수 있다.The second current circuits 613a to 613n can generate sensing current by copying the reaction currents (SRXa to SRXn).

각 채널회로(610a ~ 610n)는 제1전하적분기(617a ~ 617n)를 포함할 수 있다. 제1전하적분기(617a ~ 617n)의 입력단(N4a ~ N4n)으로는 센싱전류가 전달될 수 있다. 그리고, 센싱전류는 제1전하적분기(617a ~ 617n)에 적분되면서 전압형태의 센싱신호로 변환될 수 있다.Each channel circuit (610a to 610n) may include a first charge integrator (617a to 617n). Sensing current may be transmitted to the input terminals (N4a to N4n) of the first charge integrators (617a to 617n). Additionally, the sensing current may be converted into a sensing signal in the form of a voltage by being integrated into the first charge integrators 617a to 617n.

각 채널회로(610a ~ 610n)에는 제1전류회로(612a ~ 612n)에 흐르는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하는 제3전류회로(614a ~ 614n)가 포함될 수 있다.Each channel circuit (610a to 610n) may include a third current circuit (614a to 614n) that copies the reaction currents (SRXa to SRXn) flowing in the first current circuits (612a to 612n).

제3전류회로(614a ~ 614n)는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하여 복사하여 복사전류를 생성할 수 있다.The third current circuits 614a to 614n can generate radiation current by copying the reaction currents (SRXa to SRXn).

공통성분전류회로(620)는 제3전류회로(614a ~ 614n)에서 복사된 복사전류들을 하나의 전류경로를 통해 합칠 수 있다. 그리고, 합쳐진 복사전류들이 합쳐져서 형성된 공통성분전류를 제1전하적분기(617a ~ 617n)의 입력단(N4a ~ N4n)으로 전달할 수 있다.The common component current circuit 620 can combine the radiation currents copied from the third current circuits 614a to 614n through one current path. And, the common component current formed by combining the combined radiation currents can be transmitted to the input terminals (N4a to N4n) of the first charge integrators (617a to 617n).

센싱전류와 복사전류는 반대 극성을 가질 수 있는데, 이에 따라, 제1전하적분기(617a ~ 617n)는 센싱전류에서 공통성분전류를 차감하여 적분할 수 있게 된다. 그리고, 이렇게 생성된 제1전하적분기(617a ~ 617n)의 출력전압은 센싱신호로 사용될 수 있다.The sensing current and the radiation current may have opposite polarities. Accordingly, the first charge integrators 617a to 617n can integrate the common component current by subtracting the common component current from the sensing current. And, the output voltage of the first charge integrators 617a to 617n generated in this way can be used as a sensing signal.

센싱전류는 증폭기(611a ~ 611n)의 출력단(N3a ~ N3n)에 형성되는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사한 전류이고, 복사전류도 증폭기(611a ~ 611n)의 출력단(N3a ~ N3n)에 형성되는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사한 전류일 수 있다. 제2전류회로(613a ~ 613n)는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 공급하는 제1전류회로(612a ~ 612n)와 전류 방향이 반대가 되도록 전류를 복사하여 센싱전류를 생성할 수 있고, 제3전류회로(614a ~ 614n)는 제1전류회로(612a ~ 612n)와 전류 방향이 동일하도록 전류를 복사하여 복사전류를 생성할 수 있다.The sensing current is a current that copies the reaction current (SRXa ~ SRXn) formed at the output terminals (N3a ~ N3n) of the amplifiers (611a ~ 611n), and the radiated current is also formed at the output terminals (N3a ~ N3n) of the amplifiers (611a ~ 611n). It may be a current that copies the reaction current (SRXa ~ SRXn). The second current circuits (613a to 613n) can generate a sensing current by copying the current so that the current direction is opposite to that of the first current circuits (612a to 612n) that supply the reaction currents (SRXa to SRXn), and the third current circuit (613a to 613n) can generate a sensing current. The current circuits 614a to 614n may generate a radiation current by copying the current so that the current direction is the same as that of the first current circuits 612a to 612n.

제2전류회로(613a ~ 613n)와 제3전류회로(614a ~ 614n)는 전류의 복사 비율이 서로 다를 수 있다. 제2전류회로(613a ~ 613n)는 제1비율로 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하여 센싱전류를 생성할 수 있고, 제3전류회로(614a ~ 614n)는 제2비율로 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하여 복사전류를 생성할 수 있다. 여기서, 제1비율이 제2비율보다 높을 수 있다.The second current circuits 613a to 613n and the third current circuits 614a to 614n may have different current radiation ratios. The second current circuits (613a to 613n) can generate a sensing current by copying the reaction current (SRXa to SRXn) at a first rate, and the third current circuits (614a to 614n) can generate a sensing current by copying the reaction current (SRXa to SRXn) at a second rate. ~ SRXn) can be copied to generate radiation current. Here, the first ratio may be higher than the second ratio.

각 채널회로(610a ~ 610n)의 제1전하적분기(617a ~ 617n)는 다른 증폭기(615a ~ 615n)를 포함할 수 있다. 다른 증폭기(615a ~ 615n)의 일 입력단(N4a ~ N4n)이 제1전하적분기(617a ~ 617n)의 입력단으로 사용될 수 있다. 그리고, 다른 증폭기(615a ~ 615n)의 일 입력단(N4a ~ N4n)과 출력단(N6a ~ N6n) 사이에 적분캐패시터(CI1a ~ CI1n)가 배치될 수 있고, 다른 증폭기(615a ~ 615n)의 다른 입력단(N5a ~ N5n)으로 참조전압(VREF)이 공급될 수 있다. 적분캐패시터(CI1a ~ CI1n)에는 병렬적으로 리셋스위치(SW2a ~ SW2n)가 배치될 수 있다.The first charge integrators (617a to 617n) of each channel circuit (610a to 610n) may include other amplifiers (615a to 615n). One input terminal (N4a ~ N4n) of another amplifier (615a ~ 615n) may be used as an input terminal of the first charge integrator (617a ~ 617n). Additionally, an integrating capacitor (CI1a to CI1n) may be disposed between one input terminal (N4a to N4n) and an output terminal (N6a to N6n) of another amplifier (615a to 615n), and another input terminal of another amplifier (615a to 615n) ( A reference voltage (VREF) can be supplied to N5a ~ N5n). Reset switches (SW2a to SW2n) may be placed in parallel with the integration capacitors (CI1a to CI1n).

각 채널회로(610a ~ 610n)에서 센싱전류에서 공통성분전류가 차감된 전류가 제1전하적분기(617a ~ 617n)에 적분되기 때문에 적분캐패시터(CI1a ~ CI1n)의 용량이 작아질 수 있다.Since the current in which the common component current is subtracted from the sensing current in each channel circuit (610a to 610n) is integrated into the first charge integrators (617a to 617n), the capacity of the integration capacitors (CI1a to CI1n) may be reduced.

각 채널회로(610a ~ 610n)에는 센싱신호를 디지털데이터로 변환하는 아날로그-디지털-컨버터들(616a ~ 616n)이 배치되고, 이러한 디지털 데이터에 따라 터치좌표가 생성될 수 있다.Analog-to-digital converters 616a to 616n that convert the sensing signal into digital data are disposed in each channel circuit (610a to 610n), and touch coordinates can be generated according to this digital data.

그리고, 각 채널회로(610a ~ 610n)는 터치전극(TEa ~ TEn)으로 터치구동신호(STXa ~ STXn)를 공급하고, 터치전극(TEa ~ TEn)으로부터 터치구동신호(STXa ~ STXn)에 대한 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 수신하는 셀프 캐패시턴스 방식으로 터치전극(TEa ~ TEn)을 센싱할 수 있다.Additionally, each channel circuit (610a to 610n) supplies touch drive signals (STXa to STXn) to the touch electrodes (TEa to TEn), and responds to the touch drive signals (STXa to STXn) from the touch electrodes (TEa to TEn). Touch electrodes (TEa to TEn) can be sensed using a self-capacitance method that receives current (SRXa to SRXn).

도 7은 일 실시예에 따른 터치구동장치의 제2예시 구성도이다.Figure 7 is a second example configuration diagram of a touch driving device according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 터치구동장치(700)는 복수의 채널회로들(710a ~ 710n)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the touch driving device 700 may include a plurality of channel circuits 710a to 710n.

각 채널회로(710a ~ 710n)는 터치전극(TEa ~ TEn)으로 터치구동신호(STXa ~ STXn)를 공급할 수 있다.Each channel circuit (710a to 710n) can supply touch driving signals (STXa to STXn) to touch electrodes (TEa to TEn).

각 채널회로(710a ~ 710n)는 터치구동신호(STXa ~ STXn)를 공급하기 위한 아날로그프론트엔드(AFE : Analog Front End)회로를 포함할 수 있다.Each channel circuit (710a to 710n) may include an analog front end (AFE) circuit for supplying touch drive signals (STXa to STXn).

AFE회로는 증폭기(711a ~ 711n)를 포함할 수 있다. 증폭기(711a ~ 711n)의 일 입력단(N2a ~ N2n)으로 터치구동신호(STXa ~ STXn)가 공급될 수 있다. 터치구동신호(STXa ~ STXn)는 고전압과 저전압이 교번하는 PWM(Pulse Width Modulation)파형을 가질 수 있다.The AFE circuit may include amplifiers 711a to 711n. Touch drive signals (STXa to STXn) may be supplied to one input terminal (N2a to N2n) of the amplifiers (711a to 711n). The touch drive signals (STXa to STXn) may have a PWM (Pulse Width Modulation) waveform in which high and low voltages alternate.

증폭기(711a ~ 711n)의 일 입력단(N2a ~ N2n)으로 입력되는 터치구동신호(STXa ~ STXn)는 증폭기(711a ~ 711n)의 동작원리에 따라 다른 입력단(N1a ~ N1n)에서 동일한 파형으로 나타날 수 있다.The touch drive signal (STXa ~ STXn) input to one input terminal (N2a ~ N2n) of the amplifier (711a ~ 711n) may appear in the same waveform at the other input terminal (N1a ~ N1n) depending on the operating principle of the amplifier (711a ~ 711n). there is.

증폭기(711a ~ 711n)의 다른 입력단(N1a ~ N1n)은 제1스위치(SW1a ~ SW1n)를 통해 터치전극(TEa ~ TEn)과 연결될 수 있는데, 제1스위치(SW1a ~ SW1n)가 턴온되면 증폭기(711a ~ 711n)의 다른 입력단(N1a ~ N1n)에 나타나는 터치구동신호(STXa ~ STXn)가 터치전극(TEa ~ TEn)으로 공급될 수 있다.Other input terminals (N1a to N1n) of the amplifiers (711a to 711n) can be connected to the touch electrodes (TEa to TEn) through the first switches (SW1a to SW1n). When the first switches (SW1a to SW1n) are turned on, the amplifier ( The touch drive signals (STXa to STXn) appearing at the other input terminals (N1a to N1n) of 711a to 711n may be supplied to the touch electrodes (TEa to TEn).

터치전극(TEa ~ TEn)으로 터치구동신호(STXa ~ STXn)가 공급되면 터치전극(TEa ~ TEn)에 형성되는 캐패시턴스에 따라 반응전류(SRXa ~ SRXn)가 다르게 나타날 수 있다. 예를 들어, 외부 오브젝트가 터치전극(TEa ~ TEn)에 근접하면 터치전극(TEa ~ TEn)의 캐패시턴스가 커지게 되는데, 이때, 반응전류(SRXa ~ SRXn)의 크기도 커질 수 있다.When touch drive signals (STXa to STXn) are supplied to the touch electrodes (TEa to TEn), the reaction current (SRXa to SRXn) may appear differently depending on the capacitance formed in the touch electrodes (TEa to TEn). For example, when an external object approaches the touch electrodes (TEa to TEn), the capacitance of the touch electrodes (TEa to TEn) increases. In this case, the size of the reaction current (SRXa to SRXn) may also increase.

증폭기(711a ~ 711n)의 다른 입력단(N1a ~ N1n)은 출력단(N3a ~ N3n)과 연결될 수 있는데, 이러한 연결에 따라 터치전극(TEa ~ TEn)의 반응전류(SRXa ~ SRXn)는 출력단(N3a ~ N3n)으로 전달되게 된다.Other input terminals (N1a ~ N1n) of the amplifiers (711a ~ 711n) can be connected to the output terminals (N3a ~ N3n). According to this connection, the reaction current (SRXa ~ SRXn) of the touch electrodes (TEa ~ TEn) is connected to the output terminals (N3a ~ N3n). It is transmitted to N3n).

실질적으로 증폭기(711a ~ 711n)의 출력부분에는 전류를 공급하기 위한 제1전류회로(712a ~ 712n)가 포함될 수 있는데, 제1전류회로(712a ~ 712n)는 반응전류(SRXa ~ SRXn)에 해당되는 전류를 생성할 수 있다.In practice, the output portion of the amplifier (711a to 711n) may include first current circuits (712a to 712n) to supply current, and the first current circuits (712a to 712n) correspond to the reaction currents (SRXa to SRXn). A current can be generated.

각 채널회로(710a ~ 710n)에는 제1전류회로(712a ~ 712n)에 흐르는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하는 제2전류회로(713a ~ 713n)가 포함될 수 있다.Each channel circuit (710a to 710n) may include second current circuits (713a to 713n) that copy the reaction currents (SRXa to SRXn) flowing in the first current circuits (712a to 712n).

제2전류회로(713a ~ 713n)는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하여 센싱전류를 생성할 수 있다.The second current circuits 713a to 713n can generate sensing current by copying the reaction currents (SRXa to SRXn).

각 채널회로(710a ~ 710n)는 제1전하적분기(717a ~ 717n)를 포함할 수 있다. 제1전하적분기(717a ~ 717n)의 입력단(N4a ~ N4n)으로는 센싱전류가 전달될 수 있다. 그리고, 센싱전류는 제1전하적분기(717a ~ 717n)에 적분되면서 전압형태의 센싱신호로 변환될 수 있다.Each channel circuit (710a to 710n) may include a first charge integrator (717a to 717n). Sensing current may be transmitted to the input terminals (N4a to N4n) of the first charge integrators (717a to 717n). Additionally, the sensing current may be converted into a sensing signal in the form of a voltage by being integrated into the first charge integrators 717a to 717n.

각 채널회로(710a ~ 710n)에는 제1전류회로(712a ~ 712n)에 흐르는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하는 제3전류회로(714a ~ 714n)가 포함될 수 있다.Each channel circuit (710a to 710n) may include a third current circuit (714a to 714n) that copies the reaction currents (SRXa to SRXn) flowing in the first current circuits (712a to 712n).

제3전류회로(714a ~ 714n)는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하여 복사하여 복사전류를 생성할 수 있다.The third current circuits 714a to 714n can generate radiation current by copying the reaction currents SRXa to SRXn.

공통성분전류회로는 복사전류들을 합친 전류를 전압으로 변환하는 I-V컨버터(720)를 포함할 수 있다. 그리고, 공통성분전류회로는 센싱전류의 경로와 연결되는 저항(R)에 I-V컨버터(720)에서 출력하는 전압을 공급하여 공통성분전류가 센싱전류의 경로에 합쳐지도록 할 수 있다.The common component current circuit may include an I-V converter 720 that converts the current sum of the radiation currents into voltage. In addition, the common component current circuit can supply the voltage output from the I-V converter 720 to the resistor (R) connected to the path of the sensing current so that the common component current is combined with the path of the sensing current.

각 채널회로(710a ~ 710n)에서 복사된 복사전류들은 하나의 전류경로로 합쳐지면서 통합전류를 형성할 수 있는데, I-V컨버터(720)는 통합전류를 전압으로 변환할 수 있다. 그리고, I-V컨버터(720)의 출력과 제1전하적분기(717a ~ 717n)의 입력단이 저항(R)으로 연결될 수 있는데, 이러한 연결에 따라 센싱전류에서 공통성분전류가 차감될 수 있다.The radiated currents copied from each channel circuit (710a ~ 710n) can be combined into one current path to form an integrated current, and the I-V converter 720 can convert the integrated current into a voltage. Additionally, the output of the I-V converter 720 and the input terminal of the first charge integrators 717a to 717n may be connected with a resistor (R), and the common component current may be subtracted from the sensing current according to this connection.

이렇게 생성된 제1전하적분기(717a ~ 717n)의 출력전압은 센싱신호로 사용될 수 있다.The output voltage of the first charge integrators 717a to 717n generated in this way can be used as a sensing signal.

센싱전류와 복사전류는 동일한 극성을 가질 수 있다.Sensing current and radiation current may have the same polarity.

센싱전류는 증폭기(711a ~ 711n)의 출력단(N3a ~ N3n)에 형성되는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사한 전류이고, 복사전류도 증폭기(711a ~ 711n)의 출력단(N3a ~ N3n)에 형성되는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사한 전류일 수 있다. 제2전류회로(713a ~ 713n)는 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 공급하는 제1전류회로(712a ~ 712n)와 전류 방향이 반대가 되도록 전류를 복사하여 센싱전류를 생성할 수 있고, 제3전류회로(714a ~ 714n)도 제1전류회로(712a ~ 712n)와 전류 방향이 반대가 되도록 전류를 복사하여 복사전류를 생성할 수 있다.The sensing current is a copy of the reaction current (SRXa ~ SRXn) formed at the output terminals (N3a ~ N3n) of the amplifier (711a ~ 711n), and the radiated current is also formed at the output terminal (N3a ~ N3n) of the amplifier (711a ~ 711n). It may be a current that copies the reaction current (SRXa ~ SRXn). The second current circuits (713a to 713n) can generate a sensing current by copying the current so that the current direction is opposite to that of the first current circuits (712a to 712n) that supply the reaction currents (SRXa to SRXn), and the third The current circuits 714a to 714n can also generate a radiation current by copying the current so that the current direction is opposite to that of the first current circuits 712a to 712n.

제2전류회로(713a ~ 713n)와 제3전류회로(714a ~ 714n)는 전류의 복사 비율이 서로 다를 수 있다. 제2전류회로(713a ~ 713n)는 제1비율로 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하여 센싱전류를 생성할 수 있고, 제3전류회로(714a ~ 714n)는 제2비율로 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 복사하여 복사전류를 생성할 수 있다. 여기서, 제1비율이 제2비율보다 높을 수 있다.The second current circuits 713a to 713n and the third current circuits 714a to 714n may have different current radiation ratios. The second current circuits (713a to 713n) can generate a sensing current by copying the reaction current (SRXa to SRXn) at a first rate, and the third current circuits (714a to 714n) can generate a sensing current by copying the reaction current (SRXa to SRXa) at a second rate. ~ SRXn) can be copied to generate radiation current. Here, the first ratio may be higher than the second ratio.

각 채널회로(710a ~ 710n)의 제1전하적분기(717a ~ 717n)는 다른 증폭기(715a ~ 715n)를 포함할 수 있다. 다른 증폭기(715a ~ 715n)의 일 입력단(N4a ~ N4n)이 제1전하적분기(717a ~ 717n)의 입력단으로 사용될 수 있다. 그리고, 다른 증폭기(715a ~ 715n)의 일 입력단(N4a ~ N4n)과 출력단(N6a ~ N6n) 사이에 적분캐패시터(CI1a ~ CI1n)가 배치될 수 있고, 다른 증폭기(715a ~ 715n)의 다른 입력단(N5a ~ N5n)으로 참조전압(VREF)이 공급될 수 있다. 적분캐패시터(CI1a ~ CI1n)에는 병렬적으로 리셋스위치(SW2a ~ SW2n)가 배치될 수 있다.The first charge integrators (717a to 717n) of each channel circuit (710a to 710n) may include other amplifiers (715a to 715n). One input terminal (N4a ~ N4n) of another amplifier (715a ~ 715n) may be used as an input terminal of the first charge integrator (717a ~ 717n). Additionally, an integrating capacitor (CI1a to CI1n) may be disposed between one input terminal (N4a to N4n) and an output terminal (N6a to N6n) of another amplifier (715a to 715n), and another input terminal of another amplifier (715a to 715n) ( A reference voltage (VREF) can be supplied to N5a ~ N5n). Reset switches (SW2a to SW2n) may be placed in parallel with the integration capacitors (CI1a to CI1n).

각 채널회로(710a ~ 710n)에서 센싱전류에서 공통성분전류가 차감된 전류가 제1전하적분기(717a ~ 717n)에 적분되기 때문에 적분캐패시터(CI1a ~ CI1n)의 용량이 작아질 수 있다.Since the current in which the common component current is subtracted from the sensing current in each channel circuit (710a to 710n) is integrated into the first charge integrators (717a to 717n), the capacity of the integration capacitors (CI1a to CI1n) may be reduced.

각 채널회로(710a ~ 710n)에는 센싱신호를 디지털데이터로 변환하는 아날로그-디지털-컨버터들(716a ~ 716n)이 배치되고, 이러한 디지털 데이터에 따라 터치좌표가 생성될 수 있다.Analog-to-digital converters (716a to 716n) that convert the sensing signal into digital data are disposed in each channel circuit (710a to 710n), and touch coordinates can be generated according to this digital data.

그리고, 각 채널회로(710a ~ 710n)는 터치전극(TEa ~ TEn)으로 터치구동신호(STXa ~ STXn)를 공급하고, 터치전극(TEa ~ TEn)으로부터 터치구동신호(STXa ~ STXn)에 대한 반응전류(SRXa ~ SRXn)를 수신하는 셀프 캐패시턴스 방식으로 터치전극(TEa ~ TEn)을 센싱할 수 있다.Additionally, each channel circuit (710a to 710n) supplies touch drive signals (STXa to STXn) to the touch electrodes (TEa to TEn), and responds to the touch drive signals (STXa to STXn) from the touch electrodes (TEa to TEn). Touch electrodes (TEa to TEn) can be sensed using a self-capacitance method that receives current (SRXa to SRXn).

한편, 터치구동장치(700)는 I-V컨버터(720)의 출력전압을 이용하여 채널회로들(710a ~ 710n)과 연결되는 터치전극들(TEa ~ TEn)을 하나의 그룹으로 센싱할 수 있다. 구체적으로, 터치구동장치(700)는 I-V컨버터(720)의 출력전압에 대응되는 대면적 센싱신호를 디지털데이터로 변환하는 아날로그-디지털-컨버터(730)를 더 포함할 수 있다. 그리고, 아날로그-디지털-컨버터(730)에서 생성되는 디지털데이터에 따라 채널회로들(710a ~ 710n)과 연결되는 터치전극들(TEa ~ TEn)의 그룹에 대한 터치유무가 판단될 수 있다.Meanwhile, the touch driving device 700 can sense the touch electrodes (TEa to TEn) connected to the channel circuits (710a to 710n) as one group using the output voltage of the I-V converter 720. Specifically, the touch driving device 700 may further include an analog-to-digital converter 730 that converts a large-area sensing signal corresponding to the output voltage of the I-V converter 720 into digital data. Additionally, the presence or absence of touch on the group of touch electrodes (TEa to TEn) connected to the channel circuits (710a to 710n) can be determined according to the digital data generated in the analog-to-digital-converter (730).

도 8은 일 실시예에 따른 터치구동장치의 제2예시에서 I-V컨버터가 전하적분기로 구현된 예시를 나타내는 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating an example in which the I-V converter is implemented as a charge integrator in a second example of a touch driving device according to an embodiment.

도 8을 참조하면, I-V컨버터는 제2전하적분기(820)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the I-V converter may include a second charge integrator 820.

제2전하적분기(820)의 입력단으로 복사전류들이 전달되고, 출력이 저항(R)과 연결될 수 있다.Radiation currents are transmitted to the input terminal of the second charge integrator 820, and the output may be connected to the resistor (R).

제1전하적분기(717a ~ 717n)와 제2전하적분기(820)는 동일한 참조전압(VREF)을 사용함으로써 옵셋을 효율적으로 제거할 수 있다.The first charge integrators 717a to 717n and the second charge integrator 820 can efficiently remove offset by using the same reference voltage VREF.

이상에서 설명한 바와 같이 본 실시예에 의하면, 터치전극에 대한 노이즈의 영향을 최소화시킬 수 있다. 그리고, 본 실시예에 의하면, 디스플레이패널의 노이즈가 터치패널에 미치는 영향을 최소화시킬 수 있다. 그리고, 본 실시예에 의하면, 복수의 터치전극들에 공통적으로 영향을 미치는 공통 노이즈의 영향을 최소화시킬 수 있다. 그리고, 본 실시예에 의하면, 터치센싱을 위한 채널회로에 사용되는 전하적분기에서 옵셋성분을 제거하여 적분캐패시터의 용량을 최소화시킬 수 있다. 그리고, 본 실시예에 의하면, 터치전극들을 그룹화하고 각 그룹단위로 터치유무를 판단할 수 있는 기술을 제공할 수 있다.As described above, according to this embodiment, the influence of noise on the touch electrode can be minimized. And, according to this embodiment, the influence of noise of the display panel on the touch panel can be minimized. And, according to this embodiment, the influence of common noise that commonly affects a plurality of touch electrodes can be minimized. And, according to this embodiment, the capacity of the integrating capacitor can be minimized by removing the offset component from the charge integrator used in the channel circuit for touch sensing. And, according to this embodiment, it is possible to provide a technology that can group touch electrodes and determine the presence or absence of touch for each group.

본 실시예에 의한 터치구동장치는 회로의 구성이 간단하여 다각형 터치패널의 대응에 유리할 수 있다.The touch driving device according to this embodiment has a simple circuit configuration, which can be advantageous for responding to polygonal touch panels.

Claims (20)

터치전극의 반응전류에 대응되는 센싱전류에서 공통성분전류를 차감하여 센싱신호를 생성하는 채널회로들; 및
각 채널회로의 상기 반응전류를 복사한 복사전류들을 합하여 상기 공통성분전류를 생성하는 공통성분전류회로
를 포함하는 터치구동장치.Channel circuits that generate a sensing signal by subtracting the common component current from the sensing current corresponding to the reaction current of the touch electrode; and
A common component current circuit that generates the common component current by summing the radiation currents obtained by copying the reaction current of each channel circuit.
A touch driving device including a. 제1항에 있어서,
상기 채널회로는 증폭기를 포함하고,
상기 증폭기의 일 입력단으로 터치구동신호가 공급되고, 상기 증폭기의 다른 입력단이 상기 제1터치전극 및 출력단과 연결되며,
상기 복사전류는 상기 출력단 전류를 복사한 전류인 터치구동장치.According to paragraph 1,
The channel circuit includes an amplifier,
A touch driving signal is supplied to one input terminal of the amplifier, and the other input terminal of the amplifier is connected to the first touch electrode and the output terminal,
The copy current is a touch driving device that is a copy of the output terminal current. 제1항에 있어서,
상기 센싱전류와 상기 복사전류는 반대 극성을 가지는 터치구동장치.According to paragraph 1,
A touch driving device wherein the sensing current and the radiation current have opposite polarities. 제3항에 있어서,
상기 채널회로는 전하적분기를 포함하고,
상기 센싱전류와 상기 공통성분전류는 상기 전하적분기의 입력단으로 전달되고, 상기 전하적분기의 출력전압이 상기 센싱신호로 사용되는 터치구동장치.According to paragraph 3,
The channel circuit includes a charge integrator,
The sensing current and the common component current are transmitted to the input terminal of the charge integrator, and the output voltage of the charge integrator is used as the sensing signal. 제1항에 있어서,
상기 공통성분전류회로는,
상기 복사전류들을 합친 전류를 전압으로 변환하는 I-V컨버터를 포함하고, 상기 센싱전류의 경로와 연결되는 저항에 상기 전압을 공급하여 상기 공통성분전류가 상기 경로에 합쳐지도록 하는 터치구동장치.According to paragraph 1,
The common component current circuit is,
A touch driving device comprising an IV converter that converts the sum of the radiation currents into a voltage, and supplying the voltage to a resistor connected to the path of the sensing current so that the common component current is combined into the path. 제5항에 있어서,
상기 I-V컨버터는 전하적분기를 포함하고,
상기 복사전류들을 합친 전류는 상기 전하적분기의 입력단으로 전달되고, 상기 전하적분기의 출력전압이 상기 저항으로 공급되는 터치구동장치.According to clause 5,
The IV converter includes a charge integrator,
A touch driving device in which the sum of the radiation currents is transmitted to the input terminal of the charge integrator, and the output voltage of the charge integrator is supplied to the resistor. 제5항에 있어서,
상기 I-V컨버터의 출력전압을 이용하여 상기 채널회로들과 연결되는 터치전극들을 하나의 그룹으로 센싱하는 그룹센싱회로를According to clause 5,
A group sensing circuit that senses the touch electrodes connected to the channel circuits as a group using the output voltage of the IV converter. 제1항에 있어서,
상기 복사전류는 상기 반응전류를 일정 비율로 감소시켜 복사한 전류인 터치구동장치. According to paragraph 1,
A touch driving device wherein the radiation current is a current copied by reducing the reaction current at a certain rate. 터치전극의 반응전류에 대응되는 센싱전류를 입력단으로 전달받는 전하적분기를 포함하고, 상기 전하적분기의 출력전압으로 센싱신호를 생성하며, 상기 전하적분기의 입력단으로 공통성분전류가 더 전달되는 채널회로들; 및
각 채널회로의 상기 반응전류를 복사한 복사전류들을 합하여 상기 공통성분전류를 생성하는 공통성분전류회로
를 포함하는 터치구동장치.Channel circuits that include a charge integrator that receives a sensing current corresponding to the reaction current of the touch electrode to an input terminal, generates a sensing signal with an output voltage of the charge integrator, and further transmits a common component current to the input terminal of the charge integrator. ; and
A common component current circuit that generates the common component current by summing the radiation currents obtained by copying the reaction current of each channel circuit.
A touch driving device including a. 제9항에 있어서,
상기 전하적분기는 증폭기를 포함하고,
상기 증폭기의 일 입력단이 상기 전하적분기의 입력단으로 사용되고, 상기 증폭기의 일 입력단과 출력단 사이에 적분캐패시터가 배치되며, 상기 증폭기의 다른 입력단으로 참조전압이 공급되는 터치구동장치.According to clause 9,
The charge integrator includes an amplifier,
A touch driving device in which one input terminal of the amplifier is used as an input terminal of the charge integrator, an integrating capacitor is disposed between one input terminal and an output terminal of the amplifier, and a reference voltage is supplied to the other input terminal of the amplifier. 제9항에 있어서,
상기 반응전류가 복사되어 상기 센싱전류가 생성되고, 상기 반응전류가 복사되어 상기 복사전류가 생성되되, 상기 센싱전류와 상기 복사전류는 반대 극성을 가지는 터치구동장치.According to clause 9,
A touch driving device in which the reaction current is copied to generate the sensing current, and the reaction current is copied to generate the radiation current, wherein the sensing current and the radiation current have opposite polarities. 제11항에 있어서,
각 채널회로에서 복사된 상기 복사전류들은 하나의 전류경로로 합쳐지면서 상기 공통성분전류를 형성하고, 상기 공통성분전류는 각 채널회로의 상기 전하적분기의 입력단으로 전달되는 터치구동장치.According to clause 11,
The radiated currents copied from each channel circuit are combined into one current path to form the common component current, and the common component current is transmitted to the input terminal of the charge integrator of each channel circuit. 제9항에 있어서,
상기 공통성분전류회로는 I-V컨버터를 포함하고,
각 채널회로에서 복사된 상기 복사전류들은 하나의 전류경로로 합쳐지면서 통합전류를 형성하고,
상기 I-V컨버터는 상기 통합전류를 전압으로 변환하며,
상기 I-V컨버터의 출력과 상기 전하적분기의 입력단이 저항으로 연결되는 터치구동장치.According to clause 9,
The common component current circuit includes an IV converter,
The radiated currents copied from each channel circuit are combined into one current path to form an integrated current,
The IV converter converts the integrated current into voltage,
A touch driving device in which the output of the IV converter and the input terminal of the charge integrator are connected with a resistor. 제13항에 있어서,
상기 센싱전류와 상기 복사전류는 동일한 극성을 가지는 터치구동장치.According to clause 13,
A touch driving device wherein the sensing current and the radiation current have the same polarity. 제14항에 있어서,
상기 공통성분전류회로는 다른 전하적분기를 포함하고,
상기 다른 전하적분기의 입력단으로 상기 복사전류들이 전달되고, 상기 다른 전하적분기의 출력이 상기 저항으로 연결되는 터치구동장치.According to clause 14,
The common component current circuit includes another charge integrator,
A touch driving device in which the radiation currents are transmitted to the input terminal of the other charge integrator, and the output of the other charge integrator is connected to the resistor. 제15항에 있어서,
상기 전하적분기와 상기 다른 전하적분기는 동일한 참조전압을 사용하는 터치구동장치.According to clause 15,
A touch driving device wherein the charge integrator and the other charge integrator use the same reference voltage. 제13항에 있어서,
상기 공통성분전류회로에는 상기 I-V컨버터의 출력전압에 대응되는 대면적 센싱신호를 디지털데이터로 변환하는 아날로그-디지털-컨버터가 배치되고, 상기 디지털데이터에 따라 상기 채널회로들과 연결되는 터치전극들의 그룹에 대한 터치유무가 판단되는 터치구동장치.According to clause 13,
An analog-to-digital converter is disposed in the common component current circuit to convert a large-area sensing signal corresponding to the output voltage of the IV converter into digital data, and a group of touch electrodes connected to the channel circuits according to the digital data. A touch driving device that determines the presence or absence of a touch. 제9항에 있어서,
상기 반응전류가 제1비율로 복사되어 상기 센싱전류가 생성되고, 상기 반응전류가 상기 제1비율과 다른 제2비율로 복사되어 상기 복사전류가 생성되는 터치구동장치.According to clause 9,
A touch driving device in which the reaction current is copied at a first rate to generate the sensing current, and the reaction current is copied at a second rate different from the first rate to generate the radiation current. 제9항에 있어서,
각 채널회로에는 상기 센싱신호를 디지털데이터로 변환하는 아날로그-디지털-컨버터들이 배치되고, 상기 디지털데이터에 따라 터치좌표가 생성되는 터치구동장치.According to clause 9,
A touch driving device in which analog-to-digital converters are arranged in each channel circuit to convert the sensing signal into digital data, and touch coordinates are generated according to the digital data. 제9항에 있어서,
각 채널회로는 상기 터치전극으로 터치구동신호를 공급하고, 상기 터치전극으로부터 상기 터치구동신호에 대한 상기 반응전류를 수신하는 셀프 캐패시턴스 방식으로 상기 터치전극을 센싱하는 터치구동장치.According to clause 9,
A touch driving device that senses the touch electrode using a self-capacitance method in which each channel circuit supplies a touch driving signal to the touch electrode and receives the reaction current for the touch driving signal from the touch electrode.
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