KR20240067753A - Coating type high temperature electrostatic chuck - Google Patents

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KR20240067753A
KR20240067753A KR1020220169188A KR20220169188A KR20240067753A KR 20240067753 A KR20240067753 A KR 20240067753A KR 1020220169188 A KR1020220169188 A KR 1020220169188A KR 20220169188 A KR20220169188 A KR 20220169188A KR 20240067753 A KR20240067753 A KR 20240067753A
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electrostatic chuck
type high
dielectric layer
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KR1020220169188A
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김영곤
박재혁
한병준
이남희
임종우
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주식회사 이에스티
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Abstract

본 개시는 코팅 타입 고온 정전척에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼나 글래스를 척킹하는 표면에서의 코팅 타입 고온 정전척을 제공하는데 있다. 이를 위해 본 개시는 상부 영역에 제공되는 히팅 라인과 하부 영역에 제공되는 쿨링 라인을 갖는 베이스 부재; 및 상기 베이스 부재 상에 코팅된 제1유전층과, 상기 제1유전층 상에 제공되는 전극층과, 상기 제1유전층 및 상기 전극층 상에 코팅된 제2유전층으로 이루어진 지지 부재를 포함하고, 상기 베이스 부재는 상기 히팅 라인과 상기 쿨링 라인 사이에 수평 방향으로 배열된 다수의 제1캐비티 및 상기 다수의 제1캐비티 사이에 제공되는 제1격벽으로 이루어져 상기 지지 부재의 열 균일도를 향상시키는 제1열 차단 영역을 더 포함하는, 코팅 타입 고온 정전척을 제공한다.The present disclosure relates to a coating-type high-temperature electrostatic chuck, and the technical problem to be solved is to provide a coating-type high-temperature electrostatic chuck on a surface for chucking a wafer or glass. To this end, the present disclosure includes a base member having a heating line provided in the upper region and a cooling line provided in the lower region; and a support member consisting of a first dielectric layer coated on the base member, an electrode layer provided on the first dielectric layer, and a second dielectric layer coated on the first dielectric layer and the electrode layer, wherein the base member A first heat blocking area that improves heat uniformity of the support member and includes a plurality of first cavities arranged in a horizontal direction between the heating line and the cooling line and a first partition provided between the plurality of first cavities. Additionally, a coating type high temperature electrostatic chuck is provided.

Description

코팅 타입 고온 정전척{Coating type high temperature electrostatic chuck}Coating type high temperature electrostatic chuck}

본 개시(disclosure)는 코팅 타입 고온 정전척에 관한 것이다.This disclosure relates to a coating type high temperature electrostatic chuck.

최근 반도체 장치와 LCD, OLED, FPD 산업 등 디스플레이 산업이 급격한 발전을 거듭하고 있다. 이러한 발전 속도는 반도체 메모리의 고집적화, 디스플레이 장치의 대면적화를 의미하고 있기 때문에 이들을 제조하는 장비 역시 고기능, 대면적화가 요구되고 있다.Recently, the display industry, including semiconductor devices, LCD, OLED, and FPD industries, is experiencing rapid development. Because this pace of development means higher integration of semiconductor memories and larger areas of display devices, the equipment that manufactures them is also required to be highly functional and large-area.

일반적으로, 정전척(electrostatic chuck)은 반도체 및/또는 디스플레이 제조 장비의 진공 챔버 내부에서 웨이퍼나 글래스 패널을 일정한 위치에 고정시키기 위해 사용되는 것으로, 종래에는 기판을 고정하기 위하여 진공 흡착 방식 등이 사용되었으나, 최근 들어서는 대부분 정전척에 의해 그 내부에서 발생되는 정전기력에 의해 웨이퍼나 글래스 패널을 흡착하여 잡아주는 역할을 한다. 즉, 정전척은 전극층에서 정전기를 발생시켜 기판을 수평 상태로 고정시킬 수 있도록 구성되며, 이는 반도체 웨이퍼나 디스플레이용 글래스 패널의 사이즈가 증가할수록 정전척의 크기나 면적도 증가하고 있다.Generally, an electrostatic chuck is used to fix a wafer or glass panel in a certain position inside a vacuum chamber of semiconductor and/or display manufacturing equipment. Conventionally, a vacuum adsorption method is used to fix a substrate. However, recently, most electrostatic chucks play the role of adsorbing and holding wafers or glass panels by the electrostatic force generated inside them. In other words, the electrostatic chuck is configured to generate static electricity in the electrode layer to fix the substrate in a horizontal state. As the size of the semiconductor wafer or display glass panel increases, the size and area of the electrostatic chuck also increase.

한편, 정전척은 히팅 라인 및 쿨링 라인을 함께 갖출 수 있는데, 히팅 라인 및 쿨링 라인의 부조화로 인해, 척 표면의 열 균일도가 낮은 문제가 있었다. 일례로, 척 표면의 온도가 영역에 따라 대략 480℃ 내지 560℃ 정도로서, 온도에 민감한 증착 및/또는 식각 공정에서 영역마다 품질 차이가 발생하는 문제가 있었다.Meanwhile, an electrostatic chuck may be equipped with both a heating line and a cooling line, but there was a problem of low heat uniformity on the chuck surface due to mismatch between the heating line and the cooling line. For example, since the temperature of the chuck surface is approximately 480°C to 560°C depending on the region, there was a problem of quality differences between regions in temperature-sensitive deposition and/or etching processes.

이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.The above-described information disclosed in the background technology of this invention is only for improving understanding of the background of the present invention, and therefore may include information that does not constitute prior art.

본 개시에 따른 해결하고자 하는 과제는 웨이퍼나 글래스를 척킹하는 표면에서의 코팅 타입 고온 정전척을 제공하는데 있다.The problem to be solved according to the present disclosure is to provide a coating-type high-temperature electrostatic chuck on the surface for chucking a wafer or glass.

본 개시에 따른 코팅 타입 고온 정전척은 상부 영역에 제공되는 히팅 라인과 하부 영역에 제공되는 쿨링 라인을 갖는 베이스 부재; 및 상기 베이스 부재 상에 코팅된 제1유전층과, 상기 제1유전층 상에 제공되는 전극층과, 상기 제1유전층 및 상기 전극층 상에 코팅된 제2유전층으로 이루어진 지지 부재를 포함하고, 상기 베이스 부재는 상기 히팅 라인과 상기 쿨링 라인 사이에 수평 방향으로 배열된 다수의 제1캐비티 및 상기 다수의 제1캐비티 사이에 제공되는 제1격벽으로 이루어져 상기 지지 부재의 열 균일도를 향상시키는 제1열 차단 영역을 더 포함한다.A coating-type high-temperature electrostatic chuck according to the present disclosure includes a base member having a heating line provided in an upper region and a cooling line provided in a lower region; and a support member consisting of a first dielectric layer coated on the base member, an electrode layer provided on the first dielectric layer, and a second dielectric layer coated on the first dielectric layer and the electrode layer, wherein the base member A first heat blocking area that improves heat uniformity of the support member and includes a plurality of first cavities arranged in a horizontal direction between the heating line and the cooling line and a first partition provided between the plurality of first cavities. Includes more.

일부 예들에서, 상기 제1캐비티는 내부에 단열재 또는 금속-세라믹 복합체(MMC)가 충진되거나, 또는 상기 제1캐비티는 상면 또는 하면에 YSZ(Yttria-stabilized zirconia) 또는 Al2TiO5가 코팅되거나, 또는 YSZ 또는 Al2TiO5 플레이트가 결합될 수 있다.In some examples, the first cavity is filled with an insulating material or metal-ceramic composite (MMC), or the first cavity is coated with YSZ (Yttria-stabilized zirconia) or Al 2 TiO 5 on the upper or lower surface, or Alternatively, YSZ or Al 2 TiO 5 plates may be combined.

일부 예들에서, 상기 제1격벽의 수직 라인과 상기 히팅 라인의 수직 라인은 이격될 수 있다.In some examples, the vertical line of the first partition and the vertical line of the heating line may be spaced apart.

일부 예들에서, 상기 제1격벽의 수직 라인과 상기 히팅 라인의 수직 라인은 일치할 수 있다.In some examples, a vertical line of the first partition wall and a vertical line of the heating line may coincide.

일부 예들에서, 상기 제1캐비티는 상기 쿨링 라인과 상기 히팅 라인이 사이에 제공되는 동시에, 상기 쿨링 라인의 사이사이에도 제공될 수 있다.In some examples, the first cavity may be provided between the cooling line and the heating line, and may also be provided between the cooling lines.

일부 예들에서, 상기 제1열 차단 영역의 두께는 상기 베이스 부재의 두께 대비 1% 내지 30%일 수 있다.In some examples, the thickness of the first heat blocking area may be 1% to 30% of the thickness of the base member.

일부 예들에서, 상기 베이스 부재는 제2열 차단 영역을 더 포함하고, 상기 제2열 차단 영역은 상기 제1열 차단 영역과 상기 쿨링 라인 사이에 수평 방향으로 배열된 다수의 제2캐비티 및 상기 다수의 제2캐비티 사이에 제공되는 제2격벽을 포함하고, 상기 제2캐비티는 내부에 단열재 또는 금속-세라믹 복합체(MMC)가 충진되거나, 또는 상기 제2캐비티는 상면 또는 하면에 YSZ(Yttria-stabilized zirconia) 또는 Al2TiO5가 코팅되거나, 또는 YSZ 또는 Al2TiO5 플레이트가 결합될 수 있다.In some examples, the base member further includes a second heat blocking area, wherein the second heat blocking area includes a plurality of second cavities arranged in a horizontal direction between the first heat blocking area and the cooling line and the plurality of second cavities. and a second partition wall provided between the second cavities, wherein the second cavity is filled with an insulating material or metal-ceramic composite (MMC), or the second cavity is filled with YSZ (Yttria-stabilized material) on the upper or lower surface. zirconia) or Al 2 TiO 5 may be coated, or YSZ or Al 2 TiO 5 plates may be combined.

일부 예들에서, 상기 제2격벽의 수직 라인과 상기 제1격벽의 수직 라인은 이격될 수 있다.In some examples, the vertical line of the second partition wall and the vertical line of the first partition wall may be spaced apart.

일부 예들에서, 상기 제2격벽의 수직 라인과 상기 제1격벽의 수직 라인은 일치할 수 있다.In some examples, the vertical line of the second partition wall and the vertical line of the first partition wall may coincide.

일부 예들에서, 상기 제2열 차단 영역의 두께는 상기 베이스 부재의 두께 대비 1% 내지 30%일 수 있다.In some examples, the thickness of the second heat blocking area may be 1% to 30% of the thickness of the base member.

일부 예들에서, 상기 제1유전층은 상기 베이스 부재 상에 상압 플라즈마 스프레이 방식으로 직접 코팅되어 제공될 수 있다.In some examples, the first dielectric layer may be provided by being directly coated on the base member using an atmospheric pressure plasma spray method.

일부 예들에서, 상기 제2유전층은 상기 전극층 및 상기 제1유전층 상에 상압 플라즈마 스프레이 방식으로 직접 코팅되어 제공될 수 있다.In some examples, the second dielectric layer may be provided by being directly coated on the electrode layer and the first dielectric layer using an atmospheric pressure plasma spray method.

본 개시에 따른 코팅 타입 고온 정전척은 상부 영역에 제공되는 히팅 라인과 하부 영역에 제공되는 쿨링 라인을 갖는 베이스 부재; 및 상기 베이스 부재 상에 코팅된 제1유전층과, 상기 제1유전층 상에 제공되는 전극층과, 상기 제1유전층 및 상기 전극층 상에 코팅된 제2유전층으로 이루어진 지지 부재를 포함하고, 상기 전극층은 티타늄 또는 티타늄텅스텐을 포함할 수 있다.A coating-type high-temperature electrostatic chuck according to the present disclosure includes a base member having a heating line provided in an upper region and a cooling line provided in a lower region; and a support member consisting of a first dielectric layer coated on the base member, an electrode layer provided on the first dielectric layer, and a second dielectric layer coated on the first dielectric layer and the electrode layer, wherein the electrode layer is made of titanium. Alternatively, it may contain titanium tungsten.

본 개시는 베이스 부재 중에서 쿨링 라인을 갖는 하부 영역과 히팅 라인을 갖는 상부 영역의 사이에 열 차단 영역(예를 들면, 다수의 캐비티와 격벽으로 이루어짐)이 더 제공됨으로써, 히팅 라인 위의 지지 부재가 갖는 열 균일도가 향상될 수 있고, 하부 영역과 상부 영역의 설정 온도를 유지하는데 소비되는 에너지를 절감할 수 있는 고온 정전척을 제공할 수 있다.The present disclosure further provides a heat blocking area (e.g., consisting of a plurality of cavities and partitions) between the lower area having a cooling line and the upper area having a heating line in the base member, so that the support member above the heating line is further provided. It is possible to provide a high-temperature electrostatic chuck that can improve thermal uniformity and save energy consumed in maintaining the set temperature of the lower and upper regions.

또한, 본 개시는 고온 환경에서도 휘지 않고 평탄도가 우수한 대면적 코팅 타입 고온 정전척을 제공할 수 있다. 일부 예들에서, 본 개시는 베이스 부재와 지지 부재 사이의 열팽창 계수에 대한 표준편차가 대략 0.01% 내지 대략 10%의 범위를 갖도록 베이스 부재와 지지 부재의 구조 및/또는 재료가 제공됨으로써, 대략 150℃ 내지 대략 800℃의 고온 환경에서, 베이스 부재와 지지 부재가 바이메탈과 유사하게 휘지 않게 되고, 이에 따라 평탄도가 우수한 대면적 코팅 타입 고온 정전척을 제공할 수 있다.Additionally, the present disclosure can provide a large-area coated type high-temperature electrostatic chuck that does not bend even in a high-temperature environment and has excellent flatness. In some examples, the present disclosure provides structures and/or materials for the base member and the support member such that the standard deviation for the coefficient of thermal expansion between the base member and the support member ranges from approximately 0.01% to approximately 10%, thereby providing a temperature range of approximately 150°C. In a high temperature environment of about 800°C, the base member and the support member do not bend similarly to a bimetal, and thus a large-area coated type high-temperature electrostatic chuck with excellent flatness can be provided.

도 1은 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척을 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척의 제조 방법을 도시한 개략도이다.
도 3은 본 개시에 따른 다른 예시적 코팅 타입 고온 정전척을 도시한 단면도이다.
도 4는 비교예 및 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척에서 열 해석 이미지 등을 도시한 표이다.
도 5는 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척을 도시한 단면도이다.
도 6은 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척을 도시한 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing an exemplary coating-type high-temperature electrostatic chuck according to the present disclosure.
2A to 2D are schematic diagrams showing a method of manufacturing an exemplary coating-type high-temperature electrostatic chuck according to the present disclosure.
3 is a cross-sectional view showing another exemplary coating type high temperature electrostatic chuck according to the present disclosure.
FIG. 4 is a table showing thermal analysis images, etc. of a comparative example and an exemplary coating-type high-temperature electrostatic chuck according to the present disclosure.
Figure 5 is a cross-sectional view showing an exemplary coating type high temperature electrostatic chuck according to the present disclosure.
Figure 6 is a cross-sectional view showing an exemplary coating type high temperature electrostatic chuck according to the present disclosure.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 개시들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The present disclosure is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is limited to the following examples. It is not limited. Rather, these embodiments are provided to make the disclosure more faithful and complete, and to fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art.

또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.In addition, in the drawings below, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation, and the same symbols refer to the same elements in the drawings. As used herein, the term “and/or” includes any one and all combinations of one or more of the listed items. In addition, the meaning of "connected" in this specification refers not only to the case where member A and member B are directly connected, but also to the case where member C is interposed between member A and member B to indirectly connect member A and member B. do.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise, include)" 및/또는 "포함하는(comprising, including)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terms used herein are used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. As used herein, the singular forms include the plural forms unless the context clearly indicates otherwise. Additionally, when used herein, “comprise, include,” and/or “comprising, including” refer to mentioned features, numbers, steps, operations, members, elements, and/or groups thereof. It specifies presence and does not exclude the presence or addition of one or more other shapes, numbers, movements, members, elements and/or groups.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various members, parts, regions, layers and/or parts, these members, parts, regions, layers and/or parts are limited by these terms. It is obvious that this cannot be done. These terms are used only to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Accordingly, a first member, component, region, layer or portion described below may refer to a second member, component, region, layer or portion without departing from the teachings of the present invention.

"하부(beneath)", "아래(below)", "낮은(lower)", "상부(above)", "위(upper)"와 같은 공간에 관련된 용어가 도면에 도시된 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 용이한 이해를 위해 이용될 수 있다. 이러한 공간에 관련된 용어는 본 발명의 다양한 공정 상태 또는 사용 상태에 따라 본 발명의 용이한 이해를 위한 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예를 들어, 도면의 요소 또는 특징이 뒤집어지면, "하부" 또는 "아래"로 설명된 요소 또는 특징은 "상부" 또는 "위에"로 된다. 따라서, "아래"는 "상부" 또는 "아래"를 포괄하는 개념이다.Space-related terms such as “beneath,” “below,” “lower,” “above,” and “upper” are used to refer to an element or feature shown in a drawing. It can be used to facilitate understanding of other elements or features. These space-related terms are for easy understanding of the present invention according to various process states or usage states of the present invention, and are not intended to limit the present invention. For example, if an element or feature in a drawing is turned over, an element or feature described as “bottom” or “below” becomes “top” or “above.” Therefore, “below” is a concept encompassing “top” or “below.”

도 1에 도시된 예에서, 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(100)은 베이스 부재(110) 및 지지 부재(120)를 포함할 수 있다.In the example shown in FIG. 1 , an exemplary coating type high temperature electrostatic chuck 100 according to the present disclosure may include a base member 110 and a support member 120 .

베이스 부재(110)는 하부 영역(112)과, 하부 영역(112) 상에 제공되는 상부 영역(114)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 하부 영역(112)에는 다수의 쿨링 라인(111)이 소정 피치를 가지며 제공될 수 있고, 상부 영역(114)에는 히팅 라인(113)이 소정 피치를 가지며 제공될 수 있다. 쿨링 라인(111)에는 쿨링 매체가 흘러 베이스 부재(110)의 하부 영역(112)을 소정 온도까지 쿨링시킬 수 있고, 히팅 라인(113)에는 전류가 흘러 베이스 부재(110)의 상부 영역(114)을 소정 온도까지 히팅시킬 수 있다. 일부 예들에서, 히팅 라인(113)은 니켈-크롬 열선과, 이를 감싸는 절연체로 이루어질 수 있다. 비록 도 1의 단면 상태에서는 쿨링 라인(111) 및 히팅 라인(113)이 다수개로 도시되어 있으나, 실질적인 평면 상태에서는 하나의 소용돌이 또는 나선 형태로 제공될 수 있다.The base member 110 may include a lower region 112 and an upper region 114 provided on the lower region 112. In some examples, a plurality of cooling lines 111 may be provided in the lower area 112 with a predetermined pitch, and heating lines 113 may be provided in the upper area 114 with a predetermined pitch. A cooling medium flows through the cooling line 111 to cool the lower region 112 of the base member 110 to a predetermined temperature, and current flows through the heating line 113 to cool the upper region 114 of the base member 110. Can be heated to a predetermined temperature. In some examples, the heating line 113 may be made of a nickel-chromium heating wire and an insulator surrounding it. Although the cooling line 111 and the heating line 113 are shown as multiple in the cross-sectional state of FIG. 1, in a substantially flat state, they may be provided in the form of a single vortex or spiral.

일부 예들에서, 베이스 부재(110)는 순수 티타늄 또는 티타늄 합금으로 제공될 수 있다. 순수 티타늄 및/또는 티타늄 합금의 경우 열팽창 계수(Thermal Expansion Coefficient, 단위는 m/m℃)는 대략 7 x 10-6 내지 대략 11 x 10-6일 수 있고, 알루미늄의 경우 열팽창 계수는 23 x 10-6일 수 있다.In some examples, base member 110 may be provided from pure titanium or titanium alloy. For pure titanium and/or titanium alloy, the thermal expansion coefficient (unit: m/m℃) may be approximately 7 x 10 -6 to approximately 11 x 10 -6 , and for aluminum, the thermal expansion coefficient may be 23 x 10. It could be -6 .

지지 부재(120)는 베이스 상에 본딩층없이 직접 제공될 수 있다. 일부 예들에서, 지지 부재(120)는 제1유전층(121), 전극층(123) 및 제2유전층(122)을 포함할 수 있다. 제1유전층(121)은 베이스 부재(110) 상에 본딩층없이 직접 코팅되어 제공될 수 있다. 전극층(123)은 제1유전층(121) 상에 제공될 수 있다. 제2유전층(122)은 제1유전층(121) 및 전극층(123) 상에 코팅되어 제공될 수 있다.The support member 120 may be provided directly without a bonding layer on the base. In some examples, support member 120 may include a first dielectric layer 121, an electrode layer 123, and a second dielectric layer 122. The first dielectric layer 121 may be provided by coating directly on the base member 110 without a bonding layer. The electrode layer 123 may be provided on the first dielectric layer 121. The second dielectric layer 122 may be provided by being coated on the first dielectric layer 121 and the electrode layer 123.

일부 예들에서, 제1유전층(121)은 베이스 부재(110) 상에 상압 플라즈마 스프레이 방식으로 직접 코팅되어 제공될 수 있다. 일부 예들에서, 제2유전층(122)은 전극층(123) 및 제1유전층(121) 상에 상압 플라즈마 스프레이 방식으로 직접 코팅될 수 있다. 일부 예들에서, 상압 플라즈마 스프레이 방식 외에 에어로졸 데포지션, 아크 스프레이, 고속 산소연료 스프레이, 콜드 스프레이 또는 플레임 스프레이의 방식이 이용될 수 있다.In some examples, the first dielectric layer 121 may be provided by being directly coated on the base member 110 using an atmospheric pressure plasma spray method. In some examples, the second dielectric layer 122 may be coated directly on the electrode layer 123 and the first dielectric layer 121 using an atmospheric pressure plasma spray method. In some examples, in addition to the atmospheric pressure plasma spray method, aerosol deposition, arc spray, high-velocity oxyfuel spray, cold spray, or flame spray may be used.

일부 예들에서, 제1,2유전층(121,122)중 적어도 하나는 세라믹으로 제공될 수 있다. 일부 예들에서, 제1,2유전층(121,122)중 적어도 하나는 지르코니아(ZrO2), 산화베릴륨(BeO), 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 실리콘카바이드(SiC), 질화실리콘(Si3N4) 또는 티탄산알루미늄(Al2TiO5)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 제1,2유전층(121,122)중 적어도 하나는 산화이트륨(Y2O3) 또는 산불화이트륨(YOF)을 포함할 수 있다.In some examples, at least one of the first and second dielectric layers 121 and 122 may be made of ceramic. In some examples, at least one of the first and second dielectric layers 121 and 122 is zirconia (ZrO2), beryllium oxide (BeO), aluminum oxide (Al2O3), aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC), or silicon nitride (Si3N4). Alternatively, it may include aluminum titanate (Al2TiO5). In some examples, at least one of the first and second dielectric layers 121 and 122 may include yttrium oxide (Y2O3) or yttrium oxide (YOF).

일부 예들에서, 지르코니아의 열팽창 계수는 대략 11 x 10-6이다. 일부 예들에서, 산화베릴륨의 열팽창 계수는 대략 8 x 10-6이다. 일부 예들에서, 산화알루미늄의 열팽창 계수는 대략 7.3 x 10-6이다. 일부 예들에서, 질화알루미늄의 열팽창 계수는 대략 4.4 x 10-6이다. 일부 예들에서, 실리콘카바이드의 열팽창 계수는 대략 3.7 x 10-6이다. 일부 예들에서, 질화알루미늄의 열팽창 계수는 대략 3.4 x 10-6이다. 일부 예들에서, 티탄산알루미늄의 열팽창 계수는 대략 1 x 10-6이다. 일부 예들에서, 산화이트륨 및 산불화이트륨의 열팽창 계수는 대략 10 내지 대략 10.5 x 10-6이다.In some examples, the coefficient of thermal expansion of zirconia is approximately 11 x 10 -6 . In some examples, the coefficient of thermal expansion of beryllium oxide is approximately 8 x 10 -6 . In some examples, the coefficient of thermal expansion of aluminum oxide is approximately 7.3 x 10 -6 . In some examples, the coefficient of thermal expansion of aluminum nitride is approximately 4.4 x 10 -6 . In some examples, the coefficient of thermal expansion of silicon carbide is approximately 3.7 x 10 -6 . In some examples, the coefficient of thermal expansion of aluminum nitride is approximately 3.4 x 10 -6 . In some examples, the coefficient of thermal expansion of aluminum titanate is approximately 1 x 10 -6 . In some examples, the coefficient of thermal expansion of yttrium oxide and yttrium bicarbonate is from approximately 10 to approximately 10.5 x 10 -6 .

일부 예들에서, 전극층(123)은 티타늄(Ti), 티타늄텅스텐(TiW) 또는 티타늄을 포함하는 전도성 세라믹을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 전극층(123)은 제1유전층(121) 상에 티타늄 및/또는 티타늄텅스텐을 스퍼터링, 무전해 도금 또는 전해 도금과 같은 다양한 방식으로 제공할 수 있다. 일부 예들에서, 전극층(123)은 제1유전층(121) 상에 티타늄을 포함하는 도전성 세라믹을 스프레이 또는 코팅과 같은 방식으로 제공하여 제1유전층(121) 및 제2유전층(122)과의 적합성을 향상시킬 수 있다.In some examples, the electrode layer 123 may include titanium (Ti), titanium tungsten (TiW), or a conductive ceramic containing titanium. In some examples, the electrode layer 123 may be provided with titanium and/or titanium tungsten on the first dielectric layer 121 in various ways, such as sputtering, electroless plating, or electrolytic plating. In some examples, the electrode layer 123 is provided with a conductive ceramic containing titanium on the first dielectric layer 121 in a manner such as spraying or coating to ensure compatibility with the first dielectric layer 121 and the second dielectric layer 122. It can be improved.

일부 예들에서, 베이스 부재(110) 및/또는 지지 부재(120)는 디스플레이용 글래스를 위한 것일 경우 상부에서 보았을 때 대략 사각 형태로 제공될 수 있고 반도체용 웨이퍼를 위한 것일 경우 상부에서 보았을 때 대략 원 형태로 제공될 수 있다.In some examples, the base member 110 and/or support member 120 may be provided in a substantially square shape when viewed from the top when used for display glass or approximately circular when viewed from the top when used as a semiconductor wafer. It can be provided in the form

일부 예들에서, 정전척이 디스플레이 제조용으로 이용될 경우, 지지 부재(120)중 한변의 길이는 대략 400mm 내지 대략 3500mm일 수 있다. 일부 예들에서, 정전척이 반도체 제조용으로 이용될 경우, 지지 부재(120)의 직경은 대략 100mm 내지 대략 400mm일 수 있다.In some examples, when an electrostatic chuck is used for display manufacturing, the length of one side of the support member 120 may be approximately 400 mm to approximately 3500 mm. In some examples, when the electrostatic chuck is used for semiconductor manufacturing, the diameter of support member 120 may be approximately 100 mm to approximately 400 mm.

일부 예들에서, 정전척은 대략 150℃ 내지 대략 800℃의 온도 범위에서 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 베이스 부재(110)와 지지 부재(120) 사이의 열팽창 계수의 표준편차(standard deviation)는 대략 0.01% 내지 대략 10%일 수 있다. 따라서, 정전척의 사용 온도인 대략 150℃ 내지 대략 800℃의 범위에서, 베이스 부재(110)와 지지 부재(120) 사이의 열팽창 계수 차이로 인한 휨 현상이 최소화될 수 있고, 이에 따라 고온 환경에서 정전척의 평평도가 우수하게 유지될 수 있다.In some examples, electrostatic chucks may be used in a temperature range of approximately 150°C to approximately 800°C. In some examples, the standard deviation of the coefficient of thermal expansion between base member 110 and support member 120 may be approximately 0.01% to approximately 10%. Therefore, in the range of approximately 150°C to approximately 800°C, which is the operating temperature of the electrostatic chuck, the bending phenomenon due to the difference in thermal expansion coefficient between the base member 110 and the support member 120 can be minimized, and thus electrostatic discharge in a high temperature environment. Excellent flatness of the chuck can be maintained.

일부 예들에서, 베이스 부재(110)가 순수 티타늄(CTE: 8.6)으로 제공되고, 지지 부재(120)를 구성하는 제1,2유전층(121,122)이 산화베릴륨(CTE: 8)으로 제공될 경우, CTE의 표준편차는 대략 0.4%일 수 있다. 일부 예들에서, 베이스 부재(110)가 순수 티타늄(CTE: 8.6)으로 제공되고, 지지 부재(120)를 구성하는 제1,2유전층(121,122)이 산화알루미늄(CTE: 7.3)으로 제공될 경우, CTE의 표준편차는 대략 0.9%일 수 있다. In some examples, when the base member 110 is provided as pure titanium (CTE: 8.6) and the first and second dielectric layers 121 and 122 constituting the support member 120 are provided as beryllium oxide (CTE: 8), The standard deviation of CTE may be approximately 0.4%. In some examples, when the base member 110 is provided as pure titanium (CTE: 8.6) and the first and second dielectric layers 121 and 122 constituting the support member 120 are provided as aluminum oxide (CTE: 7.3), The standard deviation of CTE may be approximately 0.9%.

일부 예들에서, 베이스 부재(110)가 티타늄 합금(CTE: 9.4)으로 제공되고, 지지 부재(120)를 구성하는 제1,2유전층(121,122)이 산화베릴륨(CTE: 8)으로 제공될 경우, CTE의 표준편차는 대략 1%일 수 있다. 일부 예들에서, 베이스 부재(110)가 티타늄 합금(CTE: 9.4)으로 제공되고, 지지 부재(120)를 구성하는 제1,2유전층(121,122)이 산화알루미늄(CTE: 7.3)으로 제공될 경우, CTE의 표준편차는 대략 1.5%일 수 있다. In some examples, when the base member 110 is provided as a titanium alloy (CTE: 9.4) and the first and second dielectric layers 121 and 122 constituting the support member 120 are provided as beryllium oxide (CTE: 8), The standard deviation of CTE may be approximately 1%. In some examples, when the base member 110 is provided as titanium alloy (CTE: 9.4) and the first and second dielectric layers 121 and 122 constituting the support member 120 are provided as aluminum oxide (CTE: 7.3), The standard deviation of CTE may be approximately 1.5%.

일부 예들에서, 베이스 부재(110)가 티타늄 합금(CTE: 9.4)으로 제공되고, 지지 부재(120)를 구성하는 제1,2유전층(121,122)이 산화이트륨(CTE: 10)으로 제공될 경우, CTE의 표준편차는 대략 1.9%일 수 있다.In some examples, when the base member 110 is provided as titanium alloy (CTE: 9.4) and the first and second dielectric layers 121 and 122 constituting the support member 120 are provided as yttrium oxide (CTE: 10), The standard deviation of CTE may be approximately 1.9%.

이와 같이 하여, 본 개시에 따른 정전척은 대략 150℃ 내지 대략 800℃의 고온 환경에서 사용되어도, 베이스 부재(110)와 지지 부재(120) 사이의 열팽창 계수의 표준편차가 대략 2%보다 작기 때문에, 휨 현상이 거의 일어나지 않고 우수한 평탄도를 유지할 수 있다.In this way, even if the electrostatic chuck according to the present disclosure is used in a high temperature environment of approximately 150°C to approximately 800°C, the standard deviation of the thermal expansion coefficient between the base member 110 and the support member 120 is less than approximately 2%. , bending phenomenon rarely occurs and excellent flatness can be maintained.

종래와 같이 베이스 부재(110)가 알루미늄(CTE: 23)으로 제공되고, 지지 부재(120)를 구성하는 제1,2유전층(121,122)이 산화알루미늄(CTE: 7.3)으로 제공될 경우, CTE의 표준편차는 대략 11%이다. 이 경우, 정전척이 상술한 고온 환경에서 사용될 경우, 베이스 부재(110)와 지지 부재(120) 사이의 CTE 차이로 인해 휨 현상이 크게 발생하고, 따라서 평탄도가 나빠져 디스플레이용 글래스 또는 반도체용 웨이퍼를 정전척이 강한 힘으로 고정할 수 없게 된다.As in the prior art, when the base member 110 is made of aluminum (CTE: 23) and the first and second dielectric layers 121 and 122 constituting the support member 120 are made of aluminum oxide (CTE: 7.3), the CTE of The standard deviation is approximately 11%. In this case, when the electrostatic chuck is used in the above-described high-temperature environment, a large bending phenomenon occurs due to the difference in CTE between the base member 110 and the support member 120, and thus the flatness deteriorates, resulting in glass for displays or wafers for semiconductors. The electrostatic chuck cannot be fixed with strong force.

한편, 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(100)은 베이스 부재(110)가 지지 부재(120)의 열 균일도를 향상시키는 제1열 차단 영역(130)을 더 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 열 차단 영역은 격리(isolation) 영역, 차단 영역, 분리 영역 또는 고립 영역을 포함하거나 이로 지칭될 수 있다.Meanwhile, in the exemplary coating-type high-temperature electrostatic chuck 100 according to the present disclosure, the base member 110 may further include a first heat blocking area 130 that improves heat uniformity of the support member 120. In some examples, a thermal barrier region may include or be referred to as an isolation region, blocking region, isolation region, or isolation region.

상술한 바와 같이, 베이스 부재(110)는 하부 영역(112)에 다수의 쿨링 라인(111)이 제공되고, 상부 영역(114)에 다수의 히팅 라인(113)이 제공되는데, 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113)의 사이에 제1열 차단 영역(130)이 추가적으로 제공될 수 있다.As described above, the base member 110 is provided with a plurality of cooling lines 111 in the lower region 112 and a plurality of heating lines 113 in the upper region 114. The cooling lines 111 A first heat blocking area 130 may be additionally provided between the heating line 113 and the heating line 113.

예들에서, 제1열 차단 영역(130)은 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113)에 평행하게 제공될 수 있다. 일부 예들에서, 제1열 차단 영역(130)은 수평 방향으로 배열된 다수의 제1캐비티(131)와 다수의 제1캐비티(131) 사이에 개재된 제1격벽(132)을 포함할 수 있다. 비록 도 1의 단면 상태에서는 제1열 차단 영역(130)이 다수개의 제1캐비티(131) 및 다수의 제1격벽(132)로 도시되어 있으나, 실질적인 평면 상태에서는 하나의 제1캐비티(131) 및 하나의 제1격벽(132)이 소용돌이 또는 나선 형태로 제공될 수 있다. In examples, the first heat blocking area 130 may be provided parallel to the cooling line 111 and the heating line 113. In some examples, the first heat blocking area 130 may include a plurality of first cavities 131 arranged in a horizontal direction and a first partition wall 132 interposed between the plurality of first cavities 131. . Although the first heat blocking area 130 is shown as a plurality of first cavities 131 and a plurality of first partitions 132 in the cross-sectional state of FIG. 1, in a substantially planar state, there is only one first cavity 131. And one first partition 132 may be provided in a swirl or spiral shape.

일부 예들에서, 제1격벽(132)은 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113)을 간접적으로(본개시(1) 참조) 또는 직접적으로(본개시(2) 참조) 연결할 수 있다. 일부 예들에서, 제1격벽(132) 역시 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113)에 평행하게 제공될 수 있다. In some examples, the first partition 132 may connect the cooling line 111 and the heating line 113 indirectly (see this disclosure (1)) or directly (see this disclosure (2)). In some examples, the first partition 132 may also be provided parallel to the cooling line 111 and the heating line 113.

일례로, 본개시(1)에 도시된 바와 같이, 제1격벽(132)의 수직 라인과 히팅 라인(113)[및/또는 쿨링 라인(111)]의 수직 라인은 상호간 이격될 수 있다. 다르게 설명하면, 제1격벽(132)의 위치와 히팅 라인(113)[및/또는 쿨링 라인(111)]의 위치가 수직 방향으로 중첩되지 않고, 이에 따라 히팅 라인(113)과 쿨링 라인(111)의 상호간 이격 거리가 최대한 멀게 된다.For example, as shown in this disclosure (1), the vertical line of the first partition 132 and the vertical line of the heating line 113 (and/or cooling line 111) may be spaced apart from each other. In other words, the position of the first partition 132 and the position of the heating line 113 (and/or the cooling line 111) do not overlap in the vertical direction, and accordingly, the heating line 113 and the cooling line 111 ) The distance between each other is as far as possible.

일례로, 쿨링 라인(111)이 8개가 구비되고, 히팅 라인(113) 역시 7개가 구비된다면, 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113)을 연결하는 제1격벽(132) 역시 7개가 구비될 수 있다. 일부 예들에서, 제1열 차단 영역(130)의 구성 요소인 다수의 제1캐비티(131)는 제1격벽(132)의 갯수와 같을 수 있다.For example, if eight cooling lines 111 are provided and seven heating lines 113 are also provided, seven first partition walls 132 connecting the cooling lines 111 and the heating lines 113 will also be provided. You can. In some examples, the number of first cavities 131 that are components of the first heat blocking area 130 may be equal to the number of first partition walls 132 .

일례로, 본개시(2)에 도시된 바와 같이, 제1격벽(132)의 수직 라인과 히팅 라인(113)[및/또는 쿨링 라인(111)]의 수직 라인은 상호간 일치할 수 있다. 다르게 설명하면, 제1격벽(132)의 위치와 히팅 라인(113)[및/또는 쿨링 라인(111)]의 위치가 수직 방향으로 중첩될 수 있고, 이에 따라 히팅 라인(113)과 쿨링 라인(111)의 상호간 이격 거리가 최대한 가깝게 된다.For example, as shown in this disclosure (2), the vertical line of the first partition 132 and the vertical line of the heating line 113 (and/or cooling line 111) may coincide with each other. Explained differently, the position of the first partition 132 and the position of the heating line 113 (and/or cooling line 111) may overlap in the vertical direction, and accordingly, the heating line 113 and the cooling line ( 111) The distance between each other is as close as possible.

일례로, 쿨링 라인(111)이 7개가 구비되고, 히팅 라인(113) 역시 7개가 구비된다면, 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113)을 연결하는 제1격벽(132) 역시 7개가 구비될 수 있다. 일부 예들에서, 제1열 차단 영역(130)의 구성 요소인 다수의 제1캐비티(131)는 제1격벽(132)의 갯수보다 1개 많을 수 있다.For example, if seven cooling lines 111 are provided and seven heating lines 113 are also provided, seven first partition walls 132 connecting the cooling lines 111 and the heating lines 113 will also be provided. You can. In some examples, the number of first cavities 131 that are components of the first heat blocking area 130 may be one more than the number of first partitions 132 .

일부 예들에서, 제1열 차단 영역(130)[또는 제1캐비티(131) 및/또는 제1격벽(132)]의 두께는 베이스 부재(110)의 전체 두께 대비 대략 1% 내지 대략 30%일 수 있다. 제1열 차단 영역(130)의 두께가 대략 1%보다 작을 경우 열 차단 효과가 미약하여 하부 영역(112)과 상부 영역(114)의 각 설정 온도를 유지하는데 많은 에너지가 필요하다. 제1열 차단 영역(130)의 두께가 대략 30%보다 두꺼울 경우 열 차단 효과가 우수하나, 베이스 부재(110)의 두께가 증가되어 전체 시스템 두께 및 무게가 증가할 수 있다.In some examples, the thickness of the first heat blocking area 130 (or first cavity 131 and/or first partition 132) is approximately 1% to approximately 30% of the total thickness of the base member 110. You can. If the thickness of the first heat blocking region 130 is less than approximately 1%, the heat blocking effect is weak and a lot of energy is required to maintain each set temperature of the lower region 112 and the upper region 114. If the thickness of the first heat blocking area 130 is thicker than approximately 30%, the heat blocking effect is excellent, but the thickness of the base member 110 increases, which may increase the overall system thickness and weight.

이와 같이 하여, 본 개시는 베이스 부재(110) 중에서 쿨링 라인(111)을 갖는 하부 영역(112)과 히팅 라인(113)을 갖는 상부 영역(114)의 사이에 열 차단 영역(130)(예를 들면, 다수의 제1캐비티(131)와 격벽(132)으로 이루어짐)이 더 제공됨으로써, 히팅 라인(113) 위의 지지 부재(120)가 갖는 열 균일도가 향상될 수 있다. 더불어, 하부 영역(112)과 상부 영역(114)의 설정 온도를 유지하는데 소비되는 에너지도 절감할 수 있다.In this way, the present disclosure provides a heat shielding area 130 (for example, For example, by further providing a plurality of first cavities 131 and partition walls 132, the heat uniformity of the support member 120 on the heating line 113 can be improved. In addition, energy consumed to maintain the set temperature of the lower region 112 and the upper region 114 can be reduced.

도 2a 내지 도 2d는 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(100)의 제조 방법을 도시한 개략도이다. 2A to 2D are schematic diagrams showing a method of manufacturing an exemplary coating-type high-temperature electrostatic chuck 100 according to the present disclosure.

도 2a는 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(100)의 제조 초기 단계를 도시한 것이다. 하부 영역(112)에 다수의 쿨링 라인(111)이 구비되고, 상부 영역(114)에 다수의 히팅 라인(113)이 구비되며, 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113)의 사이에 제1열 차단 영역(130)이 구비된 베이스 부재(110)가 제공될 수 있다. 일부 예들에서, 베이스 부재(110)는 순수 티타늄 또는 티타늄 합금으로 제공될 수 있다.FIG. 2A illustrates the initial stages of manufacturing an exemplary coating-type high-temperature electrostatic chuck 100 according to the present disclosure. A plurality of cooling lines 111 are provided in the lower area 112, a plurality of heating lines 113 are provided in the upper area 114, and a first heating line is provided between the cooling line 111 and the heating line 113. A base member 110 provided with a heat blocking area 130 may be provided. In some examples, base member 110 may be provided from pure titanium or titanium alloy.

도 2b는 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(100)의 제조 후기 단계를 도시한 것이다. 베이스 부재(110) 상에 제1유전층(121)이 직접 코팅될 수 있다. 일부 예들에서, 산화알루미늄 파우더를 상압 플라즈마 스프레이 방식으로 베이스 부재(110) 상에 코팅할 수 있다. 이에 따라, 베이스 부재(110)와 제1유전층(121)의 사이에 본딩층이 존재하지 않고, 베이스 부재(110) 상에 직접 제1유전층(121)이 제공될 수 있다. 도면중 미설명 부호 150은 파우더 스프레이 노즐이다.FIG. 2B illustrates a later stage of manufacturing an exemplary coated type high temperature electrostatic chuck 100 according to the present disclosure. The first dielectric layer 121 may be directly coated on the base member 110. In some examples, aluminum oxide powder may be coated on the base member 110 using an atmospheric pressure plasma spray method. Accordingly, there is no bonding layer between the base member 110 and the first dielectric layer 121, and the first dielectric layer 121 can be provided directly on the base member 110. In the drawing, an unexplained reference numeral 150 is a powder spray nozzle.

도 2c는 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(100)의 제조 후기 단계를 도시한 것이다. 제1유전층(121) 상에 전극층(123)이 제공될 수 있다. 전극층(123) 역시 도금 방식 또는 상술한 다양한 스프레이 방식으로 제공될 수 있다. 전극층(123)은 텅스텐(W) 및/또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다.FIG. 2C illustrates a later stage of manufacturing an exemplary coated type high temperature electrostatic chuck 100 according to the present disclosure. An electrode layer 123 may be provided on the first dielectric layer 121. The electrode layer 123 may also be provided by a plating method or the various spray methods described above. The electrode layer 123 may include tungsten (W) and/or titanium (Ti).

도 2d는 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(100)의 제조 후기 단계를 도시한 것이다. 제1유전층(121) 및 전극층(123) 상에 제2유전층(122)이 직접 코팅될 수 있다. 일부 예들에서, 산화알루미늄 파우더를 상압 플라즈마 스프레이 방식으로 제1유전층(121) 및 전극층(123) 상에 코팅할 수 있다. 여기서, 제1유전층(121), 전극층(123) 및 제2유전층(122)이 지지 부재(120)로 정의 또는 지칭될 수 있다.FIG. 2D illustrates a later stage of manufacturing an exemplary coated type high temperature electrostatic chuck 100 according to the present disclosure. The second dielectric layer 122 may be directly coated on the first dielectric layer 121 and the electrode layer 123. In some examples, aluminum oxide powder may be coated on the first dielectric layer 121 and the electrode layer 123 using an atmospheric pressure plasma spray method. Here, the first dielectric layer 121, the electrode layer 123, and the second dielectric layer 122 may be defined or referred to as the support member 120.

이와 같이, 베이스 부재(110)는 티타늄을 포함하고, 지지 부재(120)는 산화알루미늄을 포함함으로써, 베이스 부재(110)와 지지 부재(120)의 열팽창 계수의 표준편차가 대략 2%보다 작게 되고, 따라서 대략 150℃ 내지 대략 800℃의 고온 환경에서 정전척이 사용되어도, 베이스 부재(110)와 지지 부재(120)의 휨 현상이 거의 일어나지 않고 우수한 평탄도를 유지하게 된다. 따라서, 정전척에 의한 글래스 또는 웨이퍼의 고정력이 우수하게 유지될 수 있다.In this way, the base member 110 includes titanium and the support member 120 includes aluminum oxide, so that the standard deviation of the thermal expansion coefficient of the base member 110 and the support member 120 is less than approximately 2%. Therefore, even when the electrostatic chuck is used in a high temperature environment of approximately 150°C to approximately 800°C, bending of the base member 110 and the support member 120 rarely occurs and excellent flatness is maintained. Therefore, the fixing force of the glass or wafer by the electrostatic chuck can be maintained excellently.

또한, 베이스 부재(110)에 제1열 차단 영역(130)(예를 들면, 다수의 제1캐비티(131)와 격벽(132)으로 이루어짐)이 더 제공됨으로써, 히팅 라인(113) 위의 지지 부재(120)가 갖는 열 균일도가 향상될 수 있고, 베이스 부재(110) 중 하부 영역(112)과 상부 영역(114)의 설정 온도를 유지하는데 소비되는 에너지를 절감할 수 있다.In addition, a first heat blocking area 130 (for example, consisting of a plurality of first cavities 131 and a partition 132) is further provided on the base member 110, thereby providing support on the heating line 113. The heat uniformity of the member 120 can be improved, and the energy consumed to maintain the set temperature of the lower region 112 and the upper region 114 of the base member 110 can be reduced.

일부 예들에서, 하부 영역(112)은 쿨링 라인(111)으로 인해 대략 60℃의 온도로 유지될 수 있고, 상부 영역(114)은 히팅 라인(113)으로 인해 대략 600℃의 온도로 유지될수 있다. 그런데, 하부 영역(112)과 상부 영역(114)이 직접 연결되어 있으면, 상호간 열 에너지가 교환됨으로써, 하부 영역(112) 및 상부 영역(114)의 설정 온도를 각각 유지하기 위해 더 많은 에너지가 투입할 필요가 있다.In some examples, lower region 112 may be maintained at a temperature of approximately 60°C due to cooling lines 111 and upper region 114 may be maintained at a temperature of approximately 600°C due to heating lines 113. . However, if the lower region 112 and the upper region 114 are directly connected, heat energy is exchanged between them, so more energy is input to maintain the set temperature of the lower region 112 and the upper region 114, respectively. Needs to be.

그러나, 상술한 바와 같이 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113) 사이에 열 차단 영역(130)이 개재되면, 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113)의 사이에서 열 에너지의 흐름이 차단되어, 하부 영역(112) 및 상부 영역(114)의 설정 온도를 각각 유지하기 위한 에너지를 덜 투입할 수 있다.However, as described above, when the heat blocking area 130 is interposed between the cooling line 111 and the heating line 113, the flow of heat energy is blocked between the cooling line 111 and the heating line 113. , less energy can be input to maintain the set temperatures of the lower region 112 and the upper region 114, respectively.

일부 예들에서, 제1열 차단 영역(130)은 상술한 바와 같이 제1캐비티(131) 및 제1격벽(132)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 제1캐비티(131)에 충진된 단열재(예를 들면, 에어로겔, 펄라이트, 발포 유리, 미네랄울, 글래스울 등) 또는 제1캐비티(131)에 충진된 금속-세라믹 복합체(MMC: Metal Matrix Composite)를 더 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 제1캐비티(131)의 상면 및/또는 하면에 열전도율이 낮은 YSZ(Yttria-stabilized zirconia), Al2TiO5가 코팅되거나 또는 YSZ 또는 Al2TiO5플레이트가 결합될 수 있다.In some examples, the first heat blocking area 130 may include the first cavity 131 and the first partition 132 as described above. In some examples, an insulating material (e.g., airgel, perlite, foamed glass, mineral wool, glass wool, etc.) filled in the first cavity 131 or a metal-ceramic composite (MMC: Metal Matrix Composite) may be further included. In some examples, the upper and/or lower surfaces of the first cavity 131 may be coated with Yttria-stabilized zirconia (YSZ), Al 2 TiO 5 , which has low thermal conductivity, or a YSZ or Al 2 TiO 5 plate may be combined.

도 3은 본 개시에 따른 다른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(200)을 도시한 단면도이다.Figure 3 is a cross-sectional view showing another exemplary coating type high temperature electrostatic chuck 200 according to the present disclosure.

도 3에 도시된 예에서, 본 개시에 따른 다른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(200)은 제2열 차단 영역(230)을 더 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 제2열 차단 영역(230)은 베이스 부재(110)에 제공될 수 있으며, 제1열 차단 영역(130)과 쿨링 라인(111) 사이에 수평 방향으로 제공될 수 있다. 일부 예들에서, 제2열 차단 영역(230) 역시 제1열 차단 영역(130)과 상기 쿨링 라인(111) 사이에 수평 방향으로 다수의 제2캐비티(231) 및 다수의 제2격벽(232)이 제공되어 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 제2캐비티(231)에 충진된 단열재(예를 들면, 에어로겔, 펄라이트, 발포 유리, 미네랄울, 글래스울 등) 또는 제2캐비티(231)에 충진된 금속-세라믹 복합체(MMC: Metal Matrix Composite)를 더 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 제2캐비티(231)의 상면 및/또는 하면에 열전도율이 낮은 YSZ(Yttria-stabilized zirconia)가 코팅되거나 또는 YSZ 또는 Al2TiO5 플레이트가 결합될 수 있다. 일부 예들에서, 제2격벽(232) 역시 제1열 차단 영역(130)과 쿨링 라인(111)을 간접적으로 또는 직접적으로 연결할 수 있다.In the example shown in FIG. 3 , another exemplary coating type high temperature electrostatic chuck 200 according to the present disclosure may further include a second heat blocking region 230 . In some examples, the second heat blocking area 230 may be provided on the base member 110 and may be provided in a horizontal direction between the first heat blocking area 130 and the cooling line 111. In some examples, the second heat blocking area 230 also includes a plurality of second cavities 231 and a plurality of second partition walls 232 in the horizontal direction between the first heat blocking area 130 and the cooling line 111. This can be provided and implemented. In some examples, an insulating material (e.g., airgel, perlite, foamed glass, mineral wool, glass wool, etc.) filled in the second cavity 231 or a metal-ceramic composite (MMC: Metal Matrix Composite) may be further included. In some examples, Yttria-stabilized zirconia (YSZ), which has low thermal conductivity, may be coated on the upper and/or lower surfaces of the second cavity 231, or YSZ or Al 2 TiO 5 plates may be combined. In some examples, the second partition 232 may also connect the first heat blocking area 130 and the cooling line 111 indirectly or directly.

일부 예들에서, 제2열 차단 영역(230)은 제1열 차단 영역(130)과 쿨링 라인(111)에 평행하게 제공될 수 있다. 일부 예들에서, 비록 도 3의 단면 상태에서는 제2열 차단 영역(230)이 다수개의 제2캐비티(231) 및 다수의 제2격벽(232)으로 도시되어 있으나, 실질적인 평면 상태에서는 하나의 제2캐비티(231) 및 하나의 제2격벽(232)이 소용돌이 또는 나선 형태로 제공될 수 있다.In some examples, the second heat blocking area 230 may be provided parallel to the first heat blocking area 130 and the cooling line 111. In some examples, although the second heat blocking area 230 is shown as a plurality of second cavities 231 and a plurality of second partitions 232 in the cross-sectional state of FIG. 3, in a substantially planar state, it has one second heat blocking region 230. The cavity 231 and one second partition wall 232 may be provided in a swirl or spiral shape.

일부 예들에서, 제2격벽(232)의 수직 라인과 제1격벽(132)의 수직 라인은 상호간 이격될 수 있다. 다르게 설명하면, 제2격벽(232)의 위치와 제1격벽(131)의 위치가 수직 방향으로 중첩되지 않고, 이에 따라 히팅 라인(113)과 쿨링 라인(111)의 상호간 이격 거리가 최대한 멀게 된다.In some examples, the vertical line of the second partition wall 232 and the vertical line of the first partition wall 132 may be spaced apart from each other. In other words, the positions of the second partition wall 232 and the first partition wall 131 do not overlap in the vertical direction, and thus the distance between the heating line 113 and the cooling line 111 is as far as possible. .

일부 예들에서, 제2격벽(232)의 수직 라인과 제1격벽(132)의 수직 라인은 상호간 일치할 수 있다. 다르게 설명하면, 제2격벽(232)의 위치와 제1격벽(131)의 위치가 수직 방향으로 중첩되고, 이에 따라 히팅 라인(113)과 쿨링 라인(111)의 상호간 이격 거리가 최대한 가깝게 된다.In some examples, the vertical line of the second partition wall 232 and the vertical line of the first partition wall 132 may coincide with each other. In other words, the position of the second partition 232 and the position of the first partition 131 overlap in the vertical direction, and accordingly, the distance between the heating line 113 and the cooling line 111 becomes as close as possible.

일부 예들에서, 제1열 차단 영역(130) 및 제2열 차단 영역(230)은 단면으로 보았을 때 평행한 수평 방향으로 상호 교호적으로 엇갈리게 제공될 수 있다. 일부 예들에서, 제1격벽(132) 및 제2격벽(232)은 단면으로 보았을 때 평행한 수평 방향으로 상호 교호적으로 엇갈리게 제공될 수 있다. 따라서, 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113)의 사이에 제공되는 제1,2격벽(132,232)의 길이는 상대적으로 길어지게 된다.In some examples, the first row blocking area 130 and the second row blocking area 230 may be provided alternately in a parallel horizontal direction when viewed in cross section. In some examples, the first barrier rib 132 and the second barrier rib 232 may be provided alternately in parallel horizontal directions when viewed in cross section. Accordingly, the length of the first and second partition walls 132 and 232 provided between the cooling line 111 and the heating line 113 becomes relatively long.

일부 예들에서, 제2열 차단 영역(230)의 두께는 베이스 부재(110)의 전체 두께 대비 대략 1% 내지 대략 30%일 수 있다. 제2열 차단 영역(230)의 두께가 대략 1%보다 작을 경우 열 차단 효과가 미약하여 하부 영역(112)과 상부 영역(114)의 각 설정 온도를 유지하는데 많은 에너지가 필요하다. 제2열 차단 영역(230)의 두께가 대략 30%보다 두꺼울 경우 열 차단 효과가 우수하나, 베이스 부재(110)의 전체 두께를 증가시켜 전체 시스템 두께가 증가할 수 있다.In some examples, the thickness of the second heat blocking area 230 may be approximately 1% to approximately 30% of the total thickness of the base member 110. If the thickness of the second heat blocking area 230 is less than approximately 1%, the heat blocking effect is weak and a lot of energy is required to maintain each set temperature of the lower area 112 and the upper area 114. If the thickness of the second heat blocking area 230 is thicker than approximately 30%, the heat blocking effect is excellent, but the overall system thickness may increase by increasing the overall thickness of the base member 110.

일부 예들에서, 제1,2열 차단 영역(130,230)의 두께는 베이스 부재(110)의 전체 두께 대비 대략 1% 내지 대략 30%일 수 있다. 제1,2열 차단 영역(130,230)의 두께가 대략 1%보다 작을 경우 열 차단 효과가 미약하여 하부 영역(112)과 상부 영역(114)의 각 설정 온도를 유지하는데 많은 에너지가 필요하다. 제1,2열 차단 영역(130,230)의 두께가 대략 30%보다 두꺼울 경우 열 차단 효과가 우수하나, 베이스 부재(110)의 전체 두께를 증가시켜 전체 시스템 두께가 증가할 수 있다.In some examples, the thickness of the first and second row blocking areas 130 and 230 may be approximately 1% to approximately 30% of the total thickness of the base member 110. If the thickness of the first and second heat blocking regions 130 and 230 is less than approximately 1%, the heat blocking effect is weak and a lot of energy is required to maintain the respective set temperatures of the lower region 112 and the upper region 114. If the thickness of the first and second heat blocking areas 130 and 230 is thicker than approximately 30%, the heat blocking effect is excellent, but the overall system thickness may increase by increasing the overall thickness of the base member 110.

도 4는 비교예 및 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척에서 열 해석 이미지 등을 도시한 표이다. 도 4에서, 비교예는 열 차단 영역이 없는 경우이고, 본개시(1)은 상술한 바와 같이 제1격벽(132)과 히팅 라인(113)의 수직 라인 위치가 이격된 경우, 본개시(2)는 제1격벽(132)과 히팅 라인(113)의 수직 라인 위치가 일치(또는 중첩)하는 경우이다.FIG. 4 is a table showing thermal analysis images, etc. of a comparative example and an exemplary coating-type high-temperature electrostatic chuck according to the present disclosure. In FIG. 4, the comparative example is a case where there is no heat blocking area, and the present disclosure (1) is a case where the vertical line positions of the first partition 132 and the heating line 113 are spaced apart as described above, and the present disclosure (2) ) is a case where the vertical line positions of the first partition 132 and the heating line 113 match (or overlap).

도 4에 도시된 바와 같이 비교예의 경우, 열 해석 이미지 및 표면 열분포 이미지를 보면 열 균일도가 낮음을 알 수 있다. 일례로, 표면 온도 편차가 대략 82℃ 정도 된다. 본개시(1)의 경우, 열 해석 이미지 및 표면 열분포 이미지를 보면 열 균일도가 비교적 우수함을 알 수 있다. 일례로, 표면 온도 편차가 대략 24℃ 정도 된다. 본개시(2)의 경우, 열 해석 이미지 및 표면 열분포 이미지를 보면 열 균일도가 매우 우수함을 알 수 있다. 일례로, 표면 온도 편차가 대략 3℃ 정도 된다.As shown in FIG. 4, in the case of the comparative example, it can be seen from the thermal analysis image and surface heat distribution image that the thermal uniformity is low. For example, the surface temperature deviation is approximately 82°C. In the case of this disclosure (1), it can be seen from the thermal analysis image and surface heat distribution image that the thermal uniformity is relatively excellent. For example, the surface temperature deviation is approximately 24°C. In the case of this disclosure (2), it can be seen from the thermal analysis image and surface heat distribution image that the thermal uniformity is very excellent. For example, the surface temperature deviation is approximately 3°C.

도 5는 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(300)을 도시한 단면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 개시에 따른 다른 예시적 본딩 타입 고온 정전척(300)에서, 열 차단 영역(331)은 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113) 사이에 수평 방향으로 대체로 T자 형태로 다수가 제공될 수 있으며, 특히 열 차단 영역(331)은 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113) 사이의 영역 뿐만 아니라 쿨링 라인(111)의 사이사이에도 배치될 수 있다. 다르게 설명하면, 격벽(332)은 쿨링 라인(111)과 히팅 라인(113) 사이에 수평 방향으로 다수가 제공될 뿐만 아니라 쿨링 라인(111)의 사이사이에도 배치될 수 있다. Figure 5 is a cross-sectional view showing an exemplary coating type high temperature electrostatic chuck 300 according to the present disclosure. As shown in FIG. 5, in another exemplary bonding type high-temperature electrostatic chuck 300 according to the present disclosure, the heat blocking area 331 is approximately T in the horizontal direction between the cooling line 111 and the heating line 113. A plurality of them may be provided in the shape of a ruler, and in particular, the heat blocking area 331 may be arranged not only in the area between the cooling line 111 and the heating line 113 but also between the cooling lines 111. In other words, a plurality of partition walls 332 may be provided in a horizontal direction between the cooling line 111 and the heating line 113, and may also be disposed between the cooling lines 111.

도 6은 본 개시에 따른 예시적 코팅 타입 고온 정전척(400)을 도시한 단면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 본 개시에 따른 다른 예시적 본딩 타입 고온 정전척(400)은, 특히, 베이스 부재(110)는 쿨링 라인(111)(하부 영역 또는 쿨링 영역(112))과 히팅 라인(113)(상부 영역 또는 히팅 영역(114))의 사이에 개재된 열 차단 영역(430) 및 열차단 영역(430)에 결합된 열전도율이 대략 10보다 작은 단열재(440)를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 단열재(440)는 캐비티(431)에 충진된 YSZ(Yttria-stabilized zirconia) 충진재 또는 Al2TiO5 충진재 또는 YSZ 플레이트 또는 Al2TiO5플레이트를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 열차단 영역(430)의 높이보다 단열재(440)의 두께가 작을 수 있어, 열차단 영역(430)의 대략 상부 영역 및 하부 영역은 캐비티 형태로 잔존할 수 있다.Figure 6 is a cross-sectional view showing an exemplary coating type high temperature electrostatic chuck 400 according to the present disclosure. As shown in FIG. 6, another exemplary bonding type high temperature electrostatic chuck 400 according to the present disclosure, in particular, the base member 110 has a cooling line 111 (lower region or cooling region 112) and a heating It may include a heat shielding region 430 interposed between the lines 113 (upper region or heating region 114) and an insulating material 440 having a thermal conductivity of less than approximately 10 coupled to the heat shielding region 430. . In some examples, the insulating material 440 may include Yttria-stabilized zirconia (YSZ) filler or Al 2 TiO 5 filler or a YSZ plate or Al 2 TiO 5 plate filled in the cavity 431 . In some examples, the thickness of the heat insulating material 440 may be smaller than the height of the heat blocking area 430, so that approximately the upper and lower areas of the heat blocking area 430 may remain in the form of a cavity.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 코팅 타입 고온 정전척을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one example for carrying out the coating-type high-temperature electrostatic chuck according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, and as claimed in the following patent claims, the present invention Without departing from the gist, anyone with ordinary knowledge in the field to which the invention pertains will say that the technical spirit of the present invention exists to the extent that various modifications can be made.

100.200,300; 코팅 타입 고온 정전척
110; 베이스 부재 111; 쿨링 라인
112; 하부 영역 113; 히팅 라인
114; 상부 영역 120; 지지 부재
121; 제1유전층 122; 제2유전층
123; 전극층 130; 제1열 차단 영역
131; 제1캐비티 132; 제1격벽
150; 스프레이 노즐 230; 제2열 차단 영역
231; 제2캐비티 232; 제2격벽
100.200,300; Coated type high temperature electrostatic chuck
110; base member 111; cooling line
112; subarea 113; heating line
114; upper area 120; support member
121; first dielectric layer 122; second dielectric layer
123; electrode layer 130; First heat blocking area
131; first cavity 132; 1st bulkhead
150; spray nozzle 230; Second row blocking area
231; second cavity 232; 2nd bulkhead

Claims (13)

상부 영역에 제공되는 히팅 라인과 하부 영역에 제공되는 쿨링 라인을 갖는 베이스 부재; 및
상기 베이스 부재 상에 코팅된 제1유전층과, 상기 제1유전층 상에 제공되는 전극층과, 상기 제1유전층 및 상기 전극층 상에 코팅된 제2유전층으로 이루어진 지지 부재를 포함하고,
상기 베이스 부재는 상기 히팅 라인과 상기 쿨링 라인 사이에 수평 방향으로 배열된 다수의 제1캐비티 및 상기 다수의 제1캐비티 사이에 제공되는 제1격벽으로 이루어져 상기 지지 부재의 열 균일도를 향상시키는 제1열 차단 영역을 더 포함하는, 코팅 타입 고온 정전척.
a base member having a heating line provided in an upper area and a cooling line provided in a lower area; and
A support member comprising a first dielectric layer coated on the base member, an electrode layer provided on the first dielectric layer, and a second dielectric layer coated on the first dielectric layer and the electrode layer,
The base member consists of a plurality of first cavities arranged in a horizontal direction between the heating line and the cooling line and a first partition provided between the plurality of first cavities to improve heat uniformity of the support member. A coated type high temperature electrostatic chuck further comprising a heat blocking area.
제 1 항에 있어서,
상기 제1캐비티는 내부에 단열재 또는 금속-세라믹 복합체(MMC)가 충진되거나, 또는 상기 제1캐비티는 상면 또는 하면에 YSZ(Yttria-stabilized zirconia) 또는 Al2TiO5가 코팅되거나, 또는 YSZ 또는 Al2TiO5 플레이트가 결합된, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 1,
The first cavity is filled with an insulating material or metal-ceramic composite (MMC), or the first cavity is coated with YSZ (Yttria-stabilized zirconia) or Al 2 TiO 5 on the upper or lower surface, or YSZ or Al Coated type high temperature electrostatic chuck with 2 TiO 5 plates combined.
제 1 항에 있어서,
상기 제1격벽의 수직 라인과 상기 히팅 라인의 수직 라인은 이격된, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 1,
A coating-type high-temperature electrostatic chuck in which the vertical line of the first partition wall and the vertical line of the heating line are spaced apart.
제 1 항에 있어서,
상기 제1격벽의 수직 라인과 상기 히팅 라인의 수직 라인은 일치하는, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 1,
A coating-type high-temperature electrostatic chuck, wherein the vertical line of the first partition and the vertical line of the heating line coincide.
제 1 항에 있어서,
상기 제1캐비티는 상기 쿨링 라인과 상기 히팅 라인이 사이에 제공되는 동시에, 상기 쿨링 라인의 사이사이에도 제공되는, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 1,
The first cavity is provided between the cooling line and the heating line, and is also provided between the cooling lines.
제 1 항에 있어서,
상기 제1열 차단 영역의 두께는 상기 베이스 부재의 두께 대비 1% 내지 30%인, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 1,
A coating-type high-temperature electrostatic chuck wherein the thickness of the first heat blocking area is 1% to 30% of the thickness of the base member.
제 1 항에 있어서,
상기 베이스 부재는 제2열 차단 영역을 더 포함하고,
상기 제2열 차단 영역은 상기 제1열 차단 영역과 상기 쿨링 라인 사이에 수평 방향으로 배열된 다수의 제2캐비티 및 상기 다수의 제2캐비티 사이에 제공되는 제2격벽을 포함하고,
상기 제2캐비티는 내부에 단열재 또는 금속-세라믹 복합체(MMC)가 충진되거나, 또는 상기 제2캐비티는 상면 또는 하면에 YSZ(Yttria-stabilized zirconia) 또는 Al2TiO5가 코팅되거나, 또는 YSZ 또는 Al2TiO5 플레이트가 결합된, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 1,
The base member further includes a second heat blocking area,
The second heat blocking area includes a plurality of second cavities arranged in a horizontal direction between the first heat blocking area and the cooling line and a second partition provided between the plurality of second cavities,
The second cavity is filled with an insulating material or metal-ceramic composite (MMC) inside, or the second cavity is coated with YSZ (Yttria-stabilized zirconia) or Al 2 TiO 5 on the upper or lower surface, or YSZ or Al Coated type high temperature electrostatic chuck with 2 TiO 5 plates combined.
제 7 항에 있어서,
상기 제2격벽의 수직 라인과 상기 제1격벽의 수직 라인은 이격된, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 7,
A coating-type high-temperature electrostatic chuck, wherein the vertical line of the second partition wall and the vertical line of the first partition wall are spaced apart.
제 7 항에 있어서,
상기 제2격벽의 수직 라인과 상기 제1격벽의 수직 라인은 일치하는, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 7,
A coating-type high-temperature electrostatic chuck, wherein the vertical line of the second barrier wall and the vertical line of the first barrier wall coincide.
제 7 항에 있어서,
상기 제2열 차단 영역의 두께는 상기 베이스 부재의 두께 대비 1% 내지 30%인, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 7,
A coating-type high-temperature electrostatic chuck wherein the thickness of the second heat blocking area is 1% to 30% of the thickness of the base member.
제 1 항에 있어서,
상기 제1유전층은 상기 베이스 부재 상에 상압 플라즈마 스프레이 방식으로 직접 코팅되어 제공되는, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 1,
A coating-type high-temperature electrostatic chuck, wherein the first dielectric layer is provided by being directly coated on the base member using an atmospheric pressure plasma spray method.
제 1 항에 있어서,
상기 제2유전층은 상기 전극층 및 상기 제1유전층 상에 상압 플라즈마 스프레이 방식으로 직접 코팅되어 제공되는, 코팅 타입 고온 정전척.
According to claim 1,
A coating-type high-temperature electrostatic chuck, wherein the second dielectric layer is provided by being directly coated on the electrode layer and the first dielectric layer using an atmospheric pressure plasma spray method.
상부 영역에 제공되는 히팅 라인과 하부 영역에 제공되는 쿨링 라인을 갖는 베이스 부재; 및
상기 베이스 부재 상에 코팅된 제1유전층과, 상기 제1유전층 상에 제공되는 전극층과, 상기 제1유전층 및 상기 전극층 상에 코팅된 제2유전층으로 이루어진 지지 부재를 포함하고,
상기 전극층은 티타늄 또는 티타늄텅스텐을 포함하는, 코팅 타입 고온 정전척.
a base member having a heating line provided in an upper area and a cooling line provided in a lower area; and
A support member comprising a first dielectric layer coated on the base member, an electrode layer provided on the first dielectric layer, and a second dielectric layer coated on the first dielectric layer and the electrode layer,
A coating-type high-temperature electrostatic chuck, wherein the electrode layer includes titanium or titanium tungsten.
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