KR20240057856A - Apparatus for processing substrate and inspecting method for substrate processing apparatus - Google Patents

Apparatus for processing substrate and inspecting method for substrate processing apparatus Download PDF

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전태호
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치로서, 기판이 처리되는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 처리 공간에 형성되어 상기 기판이 안착될 수 있도록 상면에 복수개의 포켓홈부가 형성되며 상기 포켓홈부 내에서 상기 기판을 향하여 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사홀 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사홀이 형성되는 기판 지지부를 지지하고, 상기 제 1 가스 분사홀과 연통된 제 1 가스 전달유로 및 상기 제 2 가스 분사홀과 연통된 제 2 가스 전달유로가 형성되는 샤프트; 및 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스의 유동을 제어할 수 있도록 상기 샤프트와 연결된 가스 제어 라인;을 포함하고, 상기 가스 제어 라인은, 상기 공정 챔버의 외부에 형성된 제 1 가스 공급부에서 상기 제 1 가스 전달유로까지 유로로 연결된 제 1 가스 공급라인; 상기 제 1 가스 공급라인에 형성되어 상기 제 1 가스의 유동을 제어하는 제 1 가스 유량제어부; 상기 공정 챔버의 외부에 형성된 제 2 가스 공급부에서 상기 제 2 가스 전달유로까지 유로로 연결된 제 2 가스 공급라인; 상기 제 2 가스 공급라인에 형성되어 상기 제 2 가스의 유동을 제어하는 제 2 가스 유량제어부; 및 상기 제 2 가스 유량제어부의 인입부에 연결된 유로의 어느 한 지점과 배출구에 연결된 유로의 다른 한 지점을 연결하여, 상기 제 2 가스 공급라인의 일부 구간을 우회하는 유로로 형성되는 제 2 가스 리턴라인;을 포함할 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus, comprising: a process chamber in which a processing space for processing a substrate is formed; A plurality of pocket grooves are formed in the processing space on the upper surface so that the substrate can be seated, and a first gas injection hole for spraying a first gas toward the substrate within the pocket groove portion and a second gas spray hole for spraying a second gas are formed in the processing space. a shaft that supports a substrate support portion on which two gas injection holes are formed, and on which a first gas transmission passage communicating with the first gas injection hole and a second gas transmission passage communicating with the second gas injection hole are formed; and a gas control line connected to the shaft to control the flow of the first gas and the second gas, wherein the gas control line is configured to supply the first gas from a first gas supply formed outside the process chamber. A first gas supply line connected to the gas delivery channel by a flow path; a first gas flow control unit formed in the first gas supply line to control the flow of the first gas; a second gas supply line connected by a flow path from a second gas supply unit formed outside the process chamber to the second gas delivery channel; a second gas flow control unit formed in the second gas supply line to control the flow of the second gas; and a second gas return formed as a flow path that bypasses a portion of the second gas supply line by connecting one point of the flow path connected to the inlet of the second gas flow control unit with another point of the flow path connected to the outlet. May include lines;

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 검사 방법{Apparatus for processing substrate and inspecting method for substrate processing apparatus}{Apparatus for processing substrate and inspecting method for substrate processing apparatus}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 검사 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판 상에 박막을 증착하기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 검사 방법 에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus inspection method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus inspection method for depositing a thin film on a substrate.

일반적으로, 반도체 소자나 디스플레이 소자 혹은 태양전지를 제조하기 위해서는 진공 분위기의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에서 각종 공정이 수행된다. 예컨대, 공정 챔버 내에 기판을 로딩하고 기판 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다. 이때, 기판은 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지대에 지지되며, 기판 지지대와 대향되도록 기판 지지대의 상부에 설치되는 샤워 헤드를 통해 공정 가스를 기판으로 분사할 수 있다.Generally, in order to manufacture semiconductor devices, display devices, or solar cells, various processes are performed in a substrate processing device including a process chamber in a vacuum atmosphere. For example, processes such as loading a substrate into a process chamber and depositing a thin film on the substrate or etching the thin film may be performed. At this time, the substrate is supported on a substrate supporter installed in the process chamber, and process gas can be sprayed onto the substrate through a shower head installed on the upper part of the substrate supporter so as to face the substrate supporter.

이때, 기판에 균일한 박막의 성장을 위해서는 기판이 안착되는 서셉터 자체가 회전할 뿐만 아니라, 포켓홈부 내에 기판 또는 기판을 지지하는 새틀라이트가 회전하도록 하는 것이 필요할 수 있다. 즉, 기판이 반응 가스에 노출되는 동안 자전을 함으로써 박막의 성장이 실질적으로 균일하게 이루어지도록 유도할 수 있는 것이다.At this time, in order to grow a uniform thin film on the substrate, it may be necessary to not only rotate the susceptor itself on which the substrate is seated, but also rotate the substrate or a satellite supporting the substrate within the pocket groove portion. That is, by rotating the substrate while exposed to the reaction gas, the growth of the thin film can be induced to be substantially uniform.

이를 위한 기판 처리 장치는, 각각의 포켓홈부로 기판을 부유하거나 회전시키는 가스가 유동되는 유로를 형성하여, 각각의 유로를 통하여 분사되는 가스를 통해 기판을 회전시킬 수 있다.The substrate processing device for this purpose forms a flow path through which a gas that floats or rotates the substrate flows through each pocket groove portion, and can rotate the substrate through the gas injected through each flow path.

그러나, 이러한 종래의 기판 처리 장치는, 가스 공급부에서 유입된 가스가 샤프트, 기판 지지대 등의 구조체 내부의 유로를 통과하고, 내부에서 복수의 유로로 분기되어 기판 또는 새틀라이트에 분사되는 구조로서, 각 구조체와의 실링 또는 유로의 상태를 확인하기 어려운 문제점이 있다. 또한, 각각의 포켓홈부로 분기되는 가스의 유량을 확인하지 못하여 각 포켓홈부로 분사되는 가스량의 편차가 발생되는 문제점이 있었다.However, such a conventional substrate processing apparatus has a structure in which the gas flowing in from the gas supply unit passes through a flow path inside a structure such as a shaft or a substrate support, and is branched into a plurality of flow paths inside and injected onto the substrate or satellite, each There is a problem in that it is difficult to check the status of the sealing with the structure or the flow path. In addition, there was a problem in that the flow rate of the gas branched into each pocket groove was not confirmed, resulting in a deviation in the amount of gas injected into each pocket groove.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 가스 공급부가 연통되도록 하는 유로 및 구조체를 결합하여 각각의 유로에서 유동되는 가스의 유량을 확인하고 편차를 개선함으로서, 기판 또는 새틀라이트의 부유 및 회전이 균일하게 이루어지도록 하고, 각 구조체 및 실링의 상태에 따른 교체 시기를 판단하여, 가스가 각 기판으로 균일하게 공급되고, 박막의 성장이 보다 균일하게 이루어지도록 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is intended to solve various problems including the above problems, by combining a flow path and a structure that allows the gas supply unit to communicate, checking the flow rate of the gas flowing in each flow path and improving the deviation, thereby Substrate processing that ensures that the light floats and rotates uniformly, determines the replacement period according to the state of each structure and seal, ensures that gas is supplied uniformly to each substrate, and thin film growth occurs more uniformly. The purpose is to provide a method for inspecting devices and substrate processing devices. However, these tasks are illustrative and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 처리 공간에 형성되어 상기 기판이 안착될 수 있도록 상면에 복수개의 포켓홈부가 형성되며 상기 포켓홈부 내에서 상기 기판을 향하여 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사홀 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사홀이 형성되는 기판 지지부를 지지하고, 상기 제 1 가스 분사홀과 연통된 제 1 가스 전달유로 및 상기 제 2 가스 분사홀과 연통된 제 2 가스 전달유로가 형성되는 샤프트; 및 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스의 유동을 제어할 수 있도록 상기 샤프트와 연결된 가스 제어 라인;을 포함하고, 상기 가스 제어 라인은, 상기 공정 챔버의 외부에 형성된 제 1 가스 공급부에서 상기 제 1 가스 전달유로까지 유로로 연결된 제 1 가스 공급라인; 상기 제 1 가스 공급라인에 형성되어 상기 제 1 가스의 유동을 제어하는 제 1 가스 유량제어부; 상기 공정 챔버의 외부에 형성된 제 2 가스 공급부에서 상기 제 2 가스 전달유로까지 유로로 연결된 제 2 가스 공급라인; 상기 제 2 가스 공급라인에 형성되어 상기 제 2 가스의 유동을 제어하는 제 2 가스 유량제어부; 및 상기 제 2 가스 유량제어부의 인입부에 연결된 유로의 어느 한 지점과 배출구에 연결된 유로의 다른 한 지점을 연결하여, 상기 제 2 가스 공급라인의 일부 구간을 우회하는 유로로 형성되는 제 2 가스 리턴라인;을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes a process chamber in which a processing space for processing a substrate is formed; A plurality of pocket grooves are formed in the processing space on the upper surface so that the substrate can be seated, and a first gas injection hole for spraying a first gas toward the substrate within the pocket groove portion and a second gas spray hole for spraying a second gas are formed in the processing space. a shaft that supports a substrate support portion on which two gas injection holes are formed, and on which a first gas transmission passage communicating with the first gas injection hole and a second gas transmission passage communicating with the second gas injection hole are formed; and a gas control line connected to the shaft to control the flow of the first gas and the second gas, wherein the gas control line is configured to supply the first gas from a first gas supply formed outside the process chamber. A first gas supply line connected to the gas delivery channel by a flow path; a first gas flow control unit formed in the first gas supply line to control the flow of the first gas; a second gas supply line connected by a flow path from a second gas supply unit formed outside the process chamber to the second gas delivery channel; a second gas flow control unit formed in the second gas supply line to control the flow of the second gas; and a second gas return formed as a flow path that bypasses a portion of the second gas supply line by connecting one point of the flow path connected to the inlet of the second gas flow control unit with another point of the flow path connected to the outlet. May include lines;

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 가스 제어 라인은, 상기 제 2 가스 공급라인에 형성되고, 상기 제 2 가스 공급라인을 개폐하여 상기 제 2 가스의 유동을 제어하는 제 2-1 공급밸브; 및 상기 제 2 가스 리턴라인에 형성되고, 상기 제 2 가스 리턴라인을 개폐하여 리턴된 가스의 유동을 제어하는 제 2 리턴밸브;를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the gas control line includes a 2-1 supply valve formed on the second gas supply line and controlling the flow of the second gas by opening and closing the second gas supply line; and a second return valve formed in the second gas return line and controlling the flow of returned gas by opening and closing the second gas return line.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 가스 제어 라인은, 상기 제 2 가스 유량제어부의 배출부와 상기 제 2 가스 리턴라인 사이를 연결하는 제 2 가스 전달유로의 어느 한 지점에서 연장되어 형성되어, 상기 제 2 가스 전달유로로부터 되돌아온 리턴 가스를 외부로 배기하는 제 2 가스 배기라인;을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the gas control line is formed to extend from a point in the second gas delivery passage connecting the discharge portion of the second gas flow control unit and the second gas return line, It may further include a second gas exhaust line that exhausts the return gas returned from the second gas delivery passage to the outside.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 가스 제어 라인은, 상기 제 2 가스 배기라인에 형성되고, 상기 제 2 가스 배기라인을 개폐하여 상기 리턴 가스의 배기를 제어하는 제 2 배기밸브;를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the gas control line further includes a second exhaust valve formed in the second gas exhaust line and controlling exhaust of the return gas by opening and closing the second gas exhaust line. can do.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 가스 제어 라인은, 상기 제 1 가스 유량제어부의 인입부에 연결된 유로의 어느 한 지점과 배출구에 연결된 유로의 다른 한 지점을 연결하여, 상기 제 1 가스 공급라인의 일부 구간을 우회하는 유로로 형성되는 제 1 가스 리턴라인; 상기 제 1 가스 공급라인에 형성되고, 상기 제 1 가스 공급라인을 개폐하여 상기 제 1 가스의 유동을 제어하는 제 1-1 공급밸브; 및 상기 제 1 가스 리턴라인에 형성되고, 상기 제 1 가스 리턴라인을 개폐하여 리턴된 가스의 유동을 제어하는 제 1 리턴밸브;를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the gas control line connects one point of the flow path connected to the inlet of the first gas flow control unit with another point of the flow path connected to the outlet, and forms the first gas supply line. A first gas return line formed as a flow path that bypasses a portion of the; a 1-1 supply valve formed in the first gas supply line and controlling the flow of the first gas by opening and closing the first gas supply line; and a first return valve formed in the first gas return line and controlling the flow of returned gas by opening and closing the first gas return line.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 가스 제어 라인은, 상기 제 1 가스 유량제어부의 배출부와 상기 제 1 가스 리턴라인 사이를 연결하는 제 1 가스 전달유로의 어느 한 지점에서 연장되어 형성되어, 상기 제 1 가스 전달유로로부터 되돌아온 리턴 가스를 외부로 배기하는 제 1 가스 배기라인; 및 상기 제 1 가스 배기라인에 형성되고, 상기 제 1 가스 배기라인을 개폐하여 상기 리턴 가스의 배기를 제어하는 제 1 배기밸브;를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the gas control line is formed by extending from a certain point of the first gas delivery passage connecting the discharge portion of the first gas flow control unit and the first gas return line, a first gas exhaust line that exhausts the return gas returned from the first gas delivery passage to the outside; and a first exhaust valve formed in the first gas exhaust line and controlling exhaust of the return gas by opening and closing the first gas exhaust line.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 샤프트의 상부에 결합되고, 상기 샤프트와의 결합면에 상기 제 1 가스 전달유로와 상기 제 2 가스 전달유로가 연통되는 제 1 리턴 홈부가 형성되는 제 1 리턴 구조체;를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first return is coupled to the upper part of the shaft and has a first return groove formed on the coupling surface with the shaft through which the first gas transmission passage and the second gas transmission passage communicate. It may further include a structure;

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 1 가스 공급부에서 공급되는 상기 제 1 가스가, 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 제 1 리턴 구조체의 상기 제 1 리턴 홈부, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동되고, 상기 제 1 가스 유량제어부와 상기 제 2 가스 유량제어부에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하여 상기 샤프트 내부에 복수개로 형성된 유로의 유동을 검사할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first gas supplied from the first gas supply unit is the first gas supply line, the first gas flow control unit, the first gas transmission passage of the shaft, and the first gas supply line. flows to the first return groove of the return structure, the second gas transmission passage of the shaft, the second gas supply line, the second gas return line, and the second gas flow control unit, and the first gas flow control unit and By comparing the flow rate of the first gas measured by the second gas flow control unit, the flow of a plurality of flow paths formed inside the shaft can be inspected.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 샤프트 상부에 결합되고, 상기 제 1 가스 전달유로와 연통되는 제 1 가스 분배유로 및 상기 제 2 가스 전달유로와 연통되는 제 2 가스 분배유로가 내부에 형성되는 가스 분배 클램프; 및 상기 가스 분배 클램프의 상부에 결합되고, 상기 가스 분배 클램프와의 결합면에 상기 제 1 가스 분배유로와 상기 제 2 가스 분배유로가 연통되는 제 2 리턴 홈부가 형성되는 제 2 리턴 구조체;를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, it is coupled to the upper part of the shaft, and a first gas distribution passage communicating with the first gas transmission passage and a second gas distribution passage communicating with the second gas transmission passage are formed therein. gas distribution clamp; and a second return structure coupled to the upper part of the gas distribution clamp and having a second return groove formed on the coupling surface with the gas distribution clamp through which the first gas distribution passage and the second gas distribution passage communicate. It can be included.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 1 가스 공급부에서 공급되는 상기 제 1 가스가, 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 1 가스 분배유로, 상기 제 2 리턴 구조체의 상기 제 2 리턴 홈부, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 2 가스 분배유로, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동되고, 상기 제 1 가스 유량제어부와 상기 제 2 가스 유량제어부에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하여 상기 가스 분배 클램프의 내부에 형성된 유로의 분기 유동을 검사할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first gas supplied from the first gas supply unit, the first gas supply line, the first gas flow control unit, the first gas transmission passage of the shaft, and the gas distribution The first gas distribution passage of the clamp, the second return groove of the second return structure, the second gas distribution passage of the gas distribution clamp, the second gas transmission passage of the shaft, the second gas supply line, The second gas return line flows to the second gas flow control unit, and compares the flow rates of the first gas measured by the first gas flow control unit and the second gas flow control unit, and is formed inside the gas distribution clamp. The branching flows of the euro can be examined.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 샤프트 상부에 결합되고, 상기 제 1 가스 전달유로와 연통되는 제 1 가스 분배유로 및 상기 제 2 가스 전달유로와 연통되는 제 2 가스 분배유로가 내부에 형성되는 가스 분배 클램프; 상기 샤프트의 상부에 결합되는 기판 지지부; 및 상기 포켓홈부에 결합되고, 상기 포켓홈부와의 결합면에 상기 제 1 가스 분사홀과 상기 제 2 가스 분사홀이 연통되는 제 3 리턴 홈부가 형성되는 제 3 리턴 구조체;를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, it is coupled to the upper part of the shaft, and a first gas distribution passage communicating with the first gas transmission passage and a second gas distribution passage communicating with the second gas transmission passage are formed therein. gas distribution clamp; a substrate support coupled to the upper part of the shaft; and a third return structure coupled to the pocket groove portion and having a third return groove portion formed on a surface coupled to the pocket groove portion through which the first gas injection hole and the second gas injection hole communicate with each other. .

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 1 가스 공급부에서 공급되는 상기 제 1 가스가, 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 1 가스 분배유로, 상기 기판 지지부의 상기 제 1 가스 분사홀, 상기 제 3 리턴 구조체의 상기 제 3 리턴 홈부, 상기 기판 지지부의 상기 제 2 가스 분사홀, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 2 가스 분배유로, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동되고, 상기 제 1 가스 유량제어부와 상기 제 2 가스 유량제어부에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하여 상기 기판 지지부의 내부에 복수개로 형성된 유로의 유동을 검사할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first gas supplied from the first gas supply unit, the first gas supply line, the first gas flow control unit, the first gas transmission passage of the shaft, and the gas distribution The first gas distribution passage of the clamp, the first gas injection hole of the substrate support portion, the third return groove portion of the third return structure, the second gas injection hole of the substrate support portion, and the first gas injection hole of the gas distribution clamp. 2 flows to the gas distribution passage, the second gas delivery passage of the shaft, the second gas supply line, the second gas return line, and the second gas flow control unit, and the first gas flow control unit and the second gas By comparing the flow rate of the first gas measured by the flow rate control unit, the flow of a plurality of channels formed inside the substrate support unit can be inspected.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 처리 장치 검사 방법이 제공된다. 본 발명의 기판 처리 장치 검사 방법은, 기판이 처리되는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버와, 상기 처리 공간에 형성되어 상기 기판이 안착될 수 있도록 상면에 복수개의 포켓홈부가 형성되며 상기 포켓홈부 내에서 상기 기판을 향하여 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사홀 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사홀이 형성되는 기판 지지부를 지지하고 상기 제 1 가스 분사홀과 연통된 제 1 가스 전달유로 및 상기 제 2 가스 분사홀과 연통된 제 2 가스 전달유로가 형성되는 샤프트와, 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스의 유동을 제어할 수 있도록 내부에 상기 샤프트와 연결된 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스의 유동을 제어하는 제 1 가스 유량제어부, 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스의 유동을 제어하는 제 2 가스 유량제어부 및 상기 제 2 가스 공급라인의 일부 구간을 우회하는 제 2 가스 리턴라인이 형성된 가스 제어 라인을 포함하는 기판 처리 장치를 준비하는 기판 처리 장치 준비 단계; 상기 제 1 가스 공급라인과 상기 제 2 가스 공급라인이 연통되도록 상기 샤프트의 상방을 차단하는 상부 차단 단계; 상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 유량제어부를 통과하여 상기 제 1 가스 공급라인으로 공급되고, 상기 제 2 가스 리턴라인으로 리턴되어 상기 제 2 가스 유량제어부를 통과하도록 상기 제 1 가스를 유동시키는 제 1 가스 유동 단계; 및 상기 제 1 가스 유량제어부와 상기 제 2 가스 유량제어부에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하는 비교 단계;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a method for inspecting a substrate processing device is provided. The substrate processing device inspection method of the present invention includes a process chamber in which a processing space in which a substrate is processed is formed, a plurality of pocket grooves formed in the processing space on the upper surface so that the substrate can be seated, and a plurality of pocket grooves are formed in the processing space in the pocket groove portion. A first gas delivery passage supporting a substrate support portion in which a first gas injection hole for spraying a first gas and a second gas injection hole for spraying a second gas are formed toward the substrate and communicating with the first gas injection hole, and a shaft on which a second gas delivery passage communicating with the second gas injection hole is formed, a first gas supply line internally connected to the shaft to control the flow of the first gas and the second gas, and the first gas supply line 1 A first gas flow control unit that controls the flow of gas, a second gas supply line, a second gas flow control unit that controls the flow of the second gas, and a second gas return that bypasses a portion of the second gas supply line. A substrate processing device preparation step of preparing a substrate processing device including a gas control line with a formed line; An upper blocking step of blocking the upper part of the shaft so that the first gas supply line and the second gas supply line communicate with each other; A device that flows the first gas so that the first gas passes through the first gas flow control unit, is supplied to the first gas supply line, and is returned to the second gas return line and passes the second gas flow control unit. 1 gas flow stage; and a comparison step of comparing the flow rates of the first gas measured by the first gas flow control unit and the second gas flow control unit.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 1 가스 유동 단계는, 상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 유량제어부를 통과하여 상기 제 1 가스 공급라인으로 공급되고, 상기 제 2 가스 전달유로 중 어느 하나인 제 2-1 가스 리턴라인으로 리턴되어 제 2-1 가스 유량제어부를 통과하도록 상기 제 1 가스를 유동시키는 제 1-1 가스 유동 단계; 및 상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 유량제어부를 통과하여 상기 제 1 가스 공급라인으로 공급되고, 상기 제 2 가스 전달유로 중 다른 하나인 제 2-2 가스 리턴라인으로 리턴되어 제 2-2 가스 유량제어부를 통과하도록 상기 제 1 가스를 유동시키는 제 1-2 가스 유동 단계;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the first gas flow step, the first gas passes through the first gas flow control unit and is supplied to the first gas supply line, and is supplied to the first gas supply line through one of the second gas delivery channels. A 1-1 gas flow step of flowing the first gas so that it returns to the 2-1 gas return line and passes through the 2-1 gas flow control unit; And the first gas passes through the first gas flow control unit, is supplied to the first gas supply line, and is returned to the 2-2 gas return line, which is another one of the second gas delivery channels, to produce the 2-2 gas. It may include a 1-2 gas flow step of flowing the first gas to pass through the flow control unit.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 기판 처리 장치 준비 단계에서, 상기 샤프트 상부에 결합되고, 상기 제 1 가스 전달유로와 연통되는 제 1 가스 분배유로 및 상기 제 2 가스 전달유로와 연통되는 제 2 가스 분배유로가 내부에 형성되는 가스 분배 클램프를 포함하는 기판 처리 장치를 준비하고, 상기 상부 차단 단계는, 상기 제 1 가스 전달유로와 상기 제 2 가스 전달유로가 연통되는 제 1 리턴 홈부가 형성되는 제 1 리턴 구조체가 상기 샤프트의 상부에 결합되어 상기 샤프트 상부를 차단하는 샤프트 상부 결합 단계;를 포함하고, 상기 제 1 가스 유동 단계에서, 상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 제 1 리턴 구조체의 상기 제 1 리턴 홈부, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, in the preparation step of the substrate processing apparatus, a first gas distribution passage coupled to the upper part of the shaft and communicating with the first gas transmission passage and a second gas distribution passage communicating with the second gas transmission passage Prepare a substrate processing device including a gas distribution clamp in which a gas distribution passage is formed, and the upper blocking step includes forming a first return groove through which the first gas delivery passage and the second gas delivery passage communicate. A shaft upper coupling step of coupling a first return structure to the upper part of the shaft to block the upper part of the shaft, wherein in the first gas flow step, the first gas flows through the first gas supply line and the first gas supply line. A gas flow control unit, the first gas delivery passage of the shaft, the first return groove of the first return structure, the second gas transmission passage of the shaft, the second gas supply line, the second gas return line, It may flow to the second gas flow control unit.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 상부 차단 단계는, 상기 제 1 가스 분배유로와 상기 제 2 가스 분배유로가 연통되는 제 2 리턴 홈부가 형성되는 제 2 리턴 구조체가 상기 가스 분배 클램프의 상부에 결합되어 상기 가스 분배 클램프의 상부를 차단하는 클램프 상부 결합 단계;를 포함하고, 상기 제 1 가스 유동 단계에서, 상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 1 가스 분배유로, 상기 제 2 리턴 구조체의 상기 제 2 리턴 홈부, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 2 가스 분배유로, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the upper blocking step includes installing a second return structure in which a second return groove communicating with the first gas distribution passage and the second gas distribution passage is formed on the upper part of the gas distribution clamp. and a clamp upper coupling step of coupling to block the upper part of the gas distribution clamp, wherein, in the first gas flow step, the first gas is supplied through the first gas supply line, the first gas flow control unit, and the shaft. The first gas transmission passage, the first gas distribution passage of the gas distribution clamp, the second return groove of the second return structure, the second gas distribution passage of the gas distribution clamp, and the second gas of the shaft It may flow to a delivery passage, the second gas supply line, the second gas return line, and the second gas flow control unit.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 기판 처리 장치 준비 단계에서, 상기 샤프트 상부에 결합되고, 상기 제 1 가스 전달유로와 연통되는 제 1 가스 분배유로 및 상기 제 2 가스 전달유로와 연통되는 제 2 가스 분배유로가 내부에 형성되는 가스 분배 클램프와, 상기 샤프트의 상부에 결합되는 상기 기판 지지부를 포함하는 기판 처리 장치를 준비하고, 상기 상부 차단 단계는, 상기 제 1 가스 분사홀과 상기 제 2 가스 분사홀이 연통되는 제 3 리턴 홈부가 형성되는 제 3 리턴 구조체가 상기 포켓홈부에 결합되어 상기 기판 지지부의 상부면를 차단하는 포켓홈부 상부 결합 단계;를 포함하고, 상기 제 1 가스 유동 단계에서, 상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 1 가스 분배유로, 상기 기판 지지부의 상기 제 1 가스 분사홀, 상기 제 3 리턴 구조체의 상기 제 3 리턴 홈부, 상기 기판 지지부의 상기 제 2 가스 분사홀, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 2 가스 분배유로, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, in the preparation step of the substrate processing apparatus, a first gas distribution passage coupled to the upper part of the shaft and communicating with the first gas transmission passage and a second gas distribution passage communicating with the second gas transmission passage A substrate processing apparatus is prepared including a gas distribution clamp in which a gas distribution passage is formed, and the substrate support part coupled to the upper part of the shaft, and the upper blocking step includes the first gas injection hole and the second gas. A third return structure in which a third return groove communicating with the injection hole is formed is coupled to the pocket groove portion to block the upper surface of the substrate support portion; comprising an upper coupling step of the pocket groove portion, wherein, in the first gas flow step, The first gas is supplied to the first gas supply line, the first gas flow control unit, the first gas transmission passage of the shaft, the first gas distribution passage of the gas distribution clamp, and the first gas injection hole of the substrate support portion. , the third return groove of the third return structure, the second gas injection hole of the substrate support part, the second gas distribution passage of the gas distribution clamp, the second gas transmission passage of the shaft, and the second gas. It may flow to the supply line, the second gas return line, and the second gas flow control unit.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 검사 방법에 따르면, 각각의 유로에서 유동되는 가스의 유량을 확인하고 편차를 개선할 수 있으며, 이에 따라, 각 유로별 가스의 공급을 최적화 하여 복수의 기판 또는 새틀라이트의 부유 및 회전이 균일하게 이루어질 수 있다.According to the substrate processing device and the substrate processing device inspection method according to an embodiment of the present invention as described above, it is possible to check the flow rate of gas flowing in each flow path and improve the deviation, and accordingly, for each flow path By optimizing the supply of gas, floating and rotation of multiple substrates or satellites can be achieved uniformly.

또한, 각 구조체 내부에 형성된 유로 및 실링부의 상태를 판단하고 교체 시기를 판단하여, 각 구조체 내부에 형성된 유로 및 실링부의 상태를 최적으로 유지할 수 있으며, 이에 따라, 공정시 기판에 박막의 성장이 보다 균일하게 이루어지도록 유도함으로써, 기판의 처리 품질을 높이고 공정 수율을 증가시키는 효과를 가지는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 검사 방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.In addition, by determining the condition of the flow path and sealing part formed inside each structure and determining the replacement time, the condition of the flow path and sealing part formed inside each structure can be optimally maintained. Accordingly, the growth of the thin film on the substrate during the process is more likely. By inducing uniformity, it is possible to implement a substrate processing device and a substrate processing device inspection method that has the effect of improving substrate processing quality and increasing process yield. Of course, the scope of the present invention is not limited by this effect.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지부, 가스 분배 클램프 및 샤프트의 내부 유로를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 제어 라인을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 제어 라인을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스의 유동을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 제 1 리턴 구조체가 샤프트에 결합되는 것을 나타내는 사시도이다.
도 7은 본 발명의 도 6에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 가스의 유동을 나타내는 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 제 2 리턴 구조체가 가스 분배 클램프에 결합되는 것을 나타내는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 도 8에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 가스의 유동을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 제 3 리턴 구조체가 포켓홈부에 결합되는 것을 나타내는 사시도이다.
도 11은 도 10에 따른 제 3 리턴 구조체를 나타내는 저면도이다.
도 12는 본 발명의 도 10에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 가스의 유동을 나타내는 흐름도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 14 내지 도 16은 본 발명의 여러 실시예에 따른 기판 처리 장치 검사 방법을 나타내는 순서도들이다.
도 17은 도 13의 기판 처리 장치 검사 방법의 제 1 가스 유동 단계를 나타내는 순서도이다.1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an internal flow path of a substrate support part, a gas distribution clamp, and a shaft of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a diagram showing a gas control line according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a diagram showing a gas control line according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 is a diagram showing the flow of gas in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a perspective view showing a first return structure coupled to a shaft for inspecting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a flow chart showing the flow of gas for inspecting the substrate processing apparatus according to FIG. 6 of the present invention.
Figure 8 is a perspective view showing a second return structure coupled to a gas distribution clamp for inspecting a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a flow chart showing the flow of gas for inspecting the substrate processing apparatus according to FIG. 8 of the present invention.
Figure 10 is a perspective view showing a third return structure coupled to a pocket groove portion for inspecting a substrate processing device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a bottom view showing the third return structure according to FIG. 10.
FIG. 12 is a flow chart showing the flow of gas for inspecting the substrate processing apparatus according to FIG. 10 of the present invention.
13 is a flowchart showing a substrate processing device inspection method according to an embodiment of the present invention.
14 to 16 are flowcharts showing a substrate processing apparatus inspection method according to various embodiments of the present invention.
FIG. 17 is a flowchart showing the first gas flow step of the substrate processing apparatus inspection method of FIG. 13.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Additionally, the thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will now be described with reference to drawings that schematically show ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the depicted shape may be expected, for example, depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shape of the area shown in this specification, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지부(200), 가스 분배 클램프(400) 및 샤프트(300)의 내부 유로를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 제어 라인(500)을 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스의 유동을 나타내는 도면이다.1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram of a substrate support portion 200, a gas distribution clamp 400, and a shaft ( 300) is a diagram schematically showing the internal flow path, FIG. 3 is a diagram showing the gas control line 500 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing the gas control line 500 of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This is a diagram showing the flow of .

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 크게, 공정 챔버(100), 샤프트(300) 및 가스 제어 라인(500)을 포함할 수 있으며, 다른 실시예들에서, 기판 지지부(200) 및 가스 분배 클램프(400)를 더 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may largely include a process chamber 100, a shaft 300, and a gas control line 500, and may be used in other embodiments. In examples, it may further include a substrate support 200 and a gas distribution clamp 400.

도 1에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(100)는, 기판(S)을 처리할 수 있는 처리 공간(A)이 형성되는 상기 챔버 몸체를 포함할 수 있다. 상기 챔버 몸체는 내부에 원형 또는 사각 형상으로 형성될 수 있다. 처리 공간(A)에서는 처리 공간(A)에 설치된 기판 지지부(200)에 지지되는 기판(S) 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다.As shown in FIG. 1, the process chamber 100 may include the chamber body in which a processing space (A) capable of processing a substrate (S) is formed. The chamber body may be formed in a circular or square shape on the inside. In the processing space A, processes such as depositing a thin film or etching a thin film on the substrate S supported on the substrate support 200 installed in the processing space A may be performed.

또한, 상기 챔버 몸체의 하측에는 기판 지지부(200)를 둘러싸는 형상으로 복수의 배기 포트가 설치될 수 있다. 상기 배기 포트(E)는, 배기관을 통하여 공정 챔버(100) 외부에 설치된 메인 진공 펌프와 연결될 수 있다. 또한, 상기 배기 포트는 공정 챔버(100)의 처리 공간(A) 내부의 공기를 흡입함으로써, 처리 공간(A) 내부의 각종 처리 가스를 배기시키거나 처리 공간(A) 내부에 진공 분위기가 형성될 수 있다.Additionally, a plurality of exhaust ports may be installed on the lower side of the chamber body in a shape surrounding the substrate support part 200. The exhaust port (E) may be connected to the main vacuum pump installed outside the process chamber 100 through an exhaust pipe. In addition, the exhaust port sucks air inside the processing space (A) of the process chamber 100, thereby exhausting various processing gases inside the processing space (A) or forming a vacuum atmosphere inside the processing space (A). You can.

도시되진 않았지만, 상기 챔버 몸체의 측면에는 기판(S)을 상기 처리 공간(A)으로 로딩 또는 언로딩할 수 있는 통로인 게이트가 형성될 수 있다. 아울러, 상방이 개방된 상기 챔버 몸체의 처리 공간(A)은 탑 리드에 의해 폐쇄될 수 있다.Although not shown, a gate may be formed on the side of the chamber body as a passage through which the substrate S can be loaded or unloaded into the processing space A. In addition, the processing space A of the chamber body, which is open at the top, may be closed by the top lid.

도 1에 도시된 바와 같이, 가스 분사부(500)는 기판 지지부(200)와 대향되도록 공정 챔버(100) 상부 중심부에 형성되어, 하부의 기판들을 향하여 상기 공정 가스를 분사할 수 있으며, 또한, 기판 지지부(200)와 대향되도록 공정 챔버(100)의 상부에 형성되어, 상기 공정 가스가 하부의 기판(S)을 향하여 상기 공정 가스가 낙하하도록 분사할 수 있다.As shown in FIG. 1, the gas injection unit 500 is formed at the upper center of the process chamber 100 to face the substrate support 200, and can spray the process gas toward the substrates below. It is formed at the upper part of the process chamber 100 to face the substrate support 200, so that the process gas can be sprayed to fall toward the substrate S below.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(200)는, 공정 시 기판(S)을 지지할 수 있도록 공정 챔버(100)의 처리 공간(A)에 구비되어, 공정 챔버(100)의 중심축을 기준으로 회전 가능하게 설치될 수 있다. 예컨대, 기판 지지부(200)는, 기판(S)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블 등을 포함하는 기판 지지 구조체일 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the substrate support unit 200 is provided in the processing space A of the process chamber 100 to support the substrate S during processing, and is provided in the processing space A of the process chamber 100. It can be installed rotatably about the central axis. For example, the substrate supporter 200 may be a substrate support structure that includes a susceptor or a table capable of supporting the substrate S.

기판 지지부(200)는 기판(S)이 안착될 수 있도록 상면에 복수개의 포켓홈부(230)가 형성되고, 포켓홈부(230) 내에서 기판(S)을 향하여 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사홀(210) 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사홀(220)이 형성될 수 있다.The substrate support unit 200 has a plurality of pocket grooves 230 formed on its upper surface so that the substrate S can be seated, and a first gas is sprayed from within the pocket grooves 230 toward the substrate S. An injection hole 210 and a second gas injection hole 220 that sprays the second gas may be formed.

기판 지지부(200)는 내부에 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스가 유동하는 복수의 유로가 형성될 수 있다. 구체적으로, 기판 지지부(200)의 하부에서 각각의 포켓홈부(230)에 형성된 제 1 가스 분사홀(210)까지 연결되어 상기 제 1 가스가 유동되는 제 1 가스 분사유로가 복수개 형성될 수 있으며, 기판 지지부(200)의 하부에서 각각의 포켓홈부(230)에 형성된 제 2 가스 분사홀(220)까지 연결되어 상기 제 2 가스가 유동되는 제 2 가스 분사유로가 복수개 형성될 수 있다.The substrate supporter 200 may have a plurality of passages through which the first gas and the second gas flow. Specifically, a plurality of first gas injection passages through which the first gas flows may be formed, connected from the lower part of the substrate support 200 to the first gas injection hole 210 formed in each pocket groove portion 230, A plurality of second gas injection passages through which the second gas flows may be formed, connected from the lower part of the substrate supporter 200 to the second gas injection hole 220 formed in each pocket groove portion 230.

예컨대, 상기 제 1 가스는 기판(S) 또는 기판(S)이 안착된 새틀라이트를 부유시키기 위한 리프팅 가스로서, 상기 제 1 가스 분사유로는 상기 리프팅 가스가 유동하기 위한 리프팅 가스 유로이고, 상기 리프팅 가스 유로를 통하여 제 1 가스 분사홀(210)에서 상기 리프팅 가스가 분사될 수 있다. 따라서, 포켓홈부(230)에 안착된 기판(S)이 회전되기 전에, 기판 지지부(200) 상면에 안착된 기판(S) 또는 상기 새틀라이트를 충분히 부유시킬 수 있다.For example, the first gas is a lifting gas for floating the substrate S or a satellite on which the substrate S is mounted, the first gas injection passage is a lifting gas passage for the lifting gas to flow, and the lifting The lifting gas may be injected from the first gas injection hole 210 through the gas flow path. Accordingly, before the substrate S seated in the pocket groove portion 230 is rotated, the substrate S seated on the upper surface of the substrate supporter 200 or the satellite can be sufficiently suspended.

또한, 상기 제 2 가스는 기판(S)을 회전시키기 위한 운동 가스로서, 상기 제 2 가스 분사유로는 상기 운동 가스가 유동하기 위한 운동 가스 유로이고, 상기 운동 가스 유로를 통하여 제 2 가스 분사홀(220)에서 상기 운동 가스가 분사될 수 있다. 따라서, 기판 지지부(200)에 형성된 각각의 포켓홈부(230)에 상기 운동 가스를 공급할 수 있으며, 기판 지지부(200) 상면에 안착된 기판(S) 또는 상기 새틀라이트를 회전시킬 수 있다.In addition, the second gas is a kinetic gas for rotating the substrate S, and the second gas injection passage is a kinetic gas passage for the kinetic gas to flow, and a second gas injection hole ( The kinetic gas may be injected at 220). Accordingly, the kinetic gas can be supplied to each pocket groove portion 230 formed in the substrate support portion 200, and the substrate S or the satellite seated on the upper surface of the substrate support portion 200 can be rotated.

포켓홈부(230)는 복수개의 기판(S)을 한번에 처리할 수 있도록 기판 지지부(200)의 상면에 기판 지지부(200)의 회전축을 중심으로 방사상으로 등각 배치될 수 있다.The pocket groove portion 230 may be arranged radially and conformally around the rotation axis of the substrate support portion 200 on the upper surface of the substrate support portion 200 to enable processing of a plurality of substrates S at once.

포켓홈부(230)의 바닥면에는 상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사홀(210)과 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사홀(220)이 형성될 수 있으며, 상술한 바와 같이, 상기 제 1 가스 분사유로 및 상기 제 2 가스 분사유로와 연결될 수 있다.A first gas injection hole 210 for spraying the first gas and a second gas injection hole 220 for spraying the second gas may be formed on the bottom of the pocket groove portion 230, and as described above, It may be connected to the first gas injection passage and the second gas injection passage.

여기서, 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스는 기판(S)을 부유시키거나 자전시킬 수 있도록 압력을 제공하는 가스로서, 질소 가스와 같은 불활성 가스를 포함할 수 있다.Here, the first gas and the second gas are gases that provide pressure to float or rotate the substrate S, and may include an inert gas such as nitrogen gas.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 샤프트(300)는 기판 지지부(200)를 지지하고, 기판 지지부(200)를 회전시켜 기판(S)을 공전시키도록 구동부로부터 회전력을 전달받을 수 있다. 샤프트(300)는 기판 지지부(200)의 하부에 회전축과 일치하는 중심축을 가지도록 형성되어 기판 지지부(200)를 지지할 수 있으며, 상기 구동부로부터 기판 지지부(200)를 회전시키는 동력을 전달하여 기판 지지부(200)와 함께 회전될 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the shaft 300 supports the substrate supporter 200 and may receive rotational force from the driving unit to rotate the substrate supporter 200 to rotate the substrate S. The shaft 300 is formed at the lower part of the substrate support 200 to have a central axis that coincides with the rotation axis and can support the substrate support 200. The shaft 300 transmits power to rotate the substrate support 200 from the drive unit to support the substrate. It can be rotated together with the support portion 200.

샤프트(300)는 제 1 가스 분사홀(210)과 연통된 제 1 가스 전달유로(310) 및 제 2 가스 분사홀(220)과 연통된 제 2 가스 전달유로(320)가 형성될 수 있다.The shaft 300 may be formed with a first gas transmission passage 310 in communication with the first gas injection hole 210 and a second gas transmission passage 320 in communication with the second gas injection hole 220.

구체적으로, 제 1 가스 전달유로(310)는 샤프트(300)의 중심에 단일 유로로 형성될 수 있으며, 제 2 가스 전달유로(320)는 제 1 가스 전달유로(310)의 주변부에 복수개의 유로가 등각으로 형성될 수 있다.Specifically, the first gas transmission passage 310 may be formed as a single passage at the center of the shaft 300, and the second gas transmission passage 320 may be formed as a plurality of passages at the periphery of the first gas transmission passage 310. can be formed isometrically.

구체적으로, 상기 제 1 가스는 샤프트(300)의 중심부에 형성된 제 1 가스 전달유로(310)를 통하여 후술될 가스 분배 클램프(400)에서 분기하여 기판 지지부(200)로 전달되고, 상기 제 2 가스는 복수개의 유로로 형성된 제 2 가스 전달유로(320)를 통하여 후술될 가스 분배 클램프(400)를 통과하여 기판 지지부(200)로 전달될 수 있다.Specifically, the first gas branches off from the gas distribution clamp 400, which will be described later, and is delivered to the substrate support unit 200 through the first gas delivery passage 310 formed in the center of the shaft 300, and the second gas Can be delivered to the substrate support unit 200 through a gas distribution clamp 400, which will be described later, through a second gas delivery passage 320 formed of a plurality of passages.

예컨대, 기판(S) 또는 상기 새틀라이트를 부유시키기 위한 상기 리프팅 가스는 제 1 가스 전달유로(310)를 통하여 유동되고, 기판(S) 또는 상기 새틀라이트를 자전시키기 위한 상기 운동 가스는 각각의 제 2 가스 전달유로(320)를 통하여 유동될 수 있다.For example, the lifting gas for floating the substrate (S) or the satellite flows through the first gas delivery passage 310, and the moving gas for rotating the substrate (S) or the satellite flows through each first gas. 2 It can flow through the gas delivery channel 320.

도 2에 도시된 바와 같이, 샤프트(300)는 내부에 자성 유체 씰부(330)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the shaft 300 may include a magnetic fluid seal portion 330 therein.

구체적으로, 자성 유체 씰부(Magnetic Fluid Seal, 330)는 샤프트(300)가 회동 실링되도록 샤프트(300)의 주변을 둘러싸고 결합될 수 있다. Specifically, the magnetic fluid seal unit (Magnetic Fluid Seal, 330) may be coupled to surround the shaft 300 so that the shaft 300 is rotationally sealed.

자성 유체 씰부(330)는 자성 유체를 통하여 공간을 밀봉할 수 있도록 형성된 유체 오-링(O-ring)으로서, 상기 자성 유체는 자성 나노 입자를 액체에 분산시킨 형태이다. 상기 자성 유체는 평소에는 다른 액체들과 같이 가만이 있다가 자기장이 가해지면 자기장이 있는 부분만 자기력선을 따라서 뾰족하게 솟아오르는 현상을 가지고 있으며, 이러한 상기 자성 유체를 포함하고 있는 자성 유체 씰부(330)에 자기장을 가하여 씰 내부의 공간을 밀봉시킬 수 있다.The magnetic fluid seal unit 330 is a fluid O-ring formed to seal a space through magnetic fluid, and the magnetic fluid is in the form of magnetic nanoparticles dispersed in a liquid. The magnetic fluid is normally still like other liquids, but when a magnetic field is applied, only the portion where the magnetic field is applied rises sharply along the magnetic field lines. The magnetic fluid seal portion 330 containing the magnetic fluid The space inside the seal can be sealed by applying a magnetic field.

자성 유체 씰부(330)는 링형상의 상기 자성 유체가 복수개 형성되어, 샤프트(300)를 서로 다른 높이에서 둘러싸도록 형성될 수 있으며, 각각의 상기 자성 유체 사이에 상기 제 2 가스가 유동될 수 있다.The magnetic fluid seal unit 330 may be formed by forming a plurality of ring-shaped magnetic fluids to surround the shaft 300 at different heights, and the second gas may flow between each of the magnetic fluids. .

따라서, 회전되는 샤프트(300)의 외측 둘레에 형성된 각각의 상기 자성 유체 사이에 제 2 가스 전달유로(320)가 각각 연결되어 샤프트(300)가 회전되어도 자성 유체 씰부(330)에 항상 연통될 수 있다. 따라서, 회전되는 샤프트(300)에 형성된 제 2 가스 전달유로(320)와 고정된 상태의 자성 유체 씰부(330)가 연결된 상태일 수 있다.Therefore, the second gas transmission passage 320 is connected between each of the magnetic fluids formed around the outer circumference of the rotating shaft 300, so that even when the shaft 300 is rotated, it can always communicate with the magnetic fluid seal unit 330. there is. Accordingly, the second gas transmission passage 320 formed on the rotating shaft 300 and the magnetic fluid seal portion 330 in a fixed state may be connected.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 가스 분배 클램프(400)는 샤프트(300)에서 공급된 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스를 기판 지지부(200)로 전달할 수 있도록 기판 지지부(200)와 샤프트(300) 사이에 결합되어, 내부에 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)가 형성될 수 있다.As shown in Figures 1 and 2, the gas distribution clamp 400 is provided with a substrate support part 200 to transfer the first gas and the second gas supplied from the shaft 300 to the substrate support part 200. It may be coupled between the shafts 300 to form a first gas distribution passage 410 and a second gas distribution passage 420 therein.

제 1 가스 분배유로(410)는 샤프트(500)에 형성된 제 1 가스 전달유로(310)와 기판 지지부(200)의 복수개의 포켓홈부(230)에 각각 형성된 제 1 가스 분사홀(210)이 연통되도록 형성될 수 있다. 즉, 제 1 가스 분배유로(410)는 가스 분배 클램프(400)의 하면 중심의 하나의 유로에서 상면에 형성된 복수개의 유로로 분기되는 분기유로를 포함할 수 있다.The first gas distribution passage 410 communicates with the first gas transmission passage 310 formed in the shaft 500 and the first gas injection hole 210 formed in each of the plurality of pocket grooves 230 of the substrate support portion 200. It can be formed as much as possible. That is, the first gas distribution passage 410 may include a branch passage that branches off from one passage centered on the lower surface of the gas distribution clamp 400 into a plurality of passages formed on the upper surface.

제 2 가스 전달유로(320)는 샤프트(500)에 복수개로 형성된 제 2 가스 전달유로(320)와 기판 지지부(200)의 복수개의 포켓홈부(230)에 각각 형성된 제 2 가스 분사홀(220)이 연통되도록 형성될 수 있다. 즉, 제 2 가스 분배유로(420)는 가스 분배 클램프(400)의 하면에서 제 2 가스 전달유로(320)와 연결된 복수개의 유로에서 상면에 형성된 복수개의 유로까지 각각 연결된 복수개의 연결유로를 포함할 수 있다.The second gas transmission passage 320 includes a plurality of second gas transmission passages 320 formed in the shaft 500 and a second gas injection hole 220 formed in a plurality of pocket grooves 230 of the substrate support part 200. It can be formed to communicate. That is, the second gas distribution passage 420 may include a plurality of connection passages each connected from a plurality of passages connected to the second gas delivery passage 320 on the lower surface of the gas distribution clamp 400 to a plurality of passages formed on the upper surface. You can.

가스 분배 클램프(400) 상면의 가장자리부를 따라서 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)가 복수개 형성될 수 있다.A plurality of first gas distribution passages 410 and a plurality of second gas distribution passages 420 may be formed along the edge of the upper surface of the gas distribution clamp 400.

가스 분배 클램프(400)는 상면에 돌출되어 기판 지지부(200)에 결합되는 기판 지지 결합부(430)가 형성될 수 있다.The gas distribution clamp 400 may be formed with a substrate support coupling portion 430 that protrudes from the upper surface and is coupled to the substrate support portion 200.

또한, 도시되지 않았지만, 가스 분배 클램프(400)는 상부 클램프 및 하부 클램프가 결합되어 형성될 수 있으며, 또는, 샤프트(300)와 가스 분배 클램프(400) 사이에 결합 가능한 다른 클램프가 더 형성되어 효과적인 가스 분배를 도모할 수 있다.In addition, although not shown, the gas distribution clamp 400 may be formed by combining an upper clamp and a lower clamp, or another clamp that can be coupled between the shaft 300 and the gas distribution clamp 400 may be further formed to provide an effective Gas distribution can be promoted.

도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 가스 제어 라인(500)은 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스의 유동을 제어할 수 있도록 샤프트(300)와 연결되고, 외부에 형성된 가스 공급부(600)에서 공급되는 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스를 샤프트(300)로 공급하는 유로관을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 3, the gas control line 500 is connected to the shaft 300 to control the flow of the first gas and the second gas, and the gas supply unit 600 formed externally It may include a flow pipe that supplies the first gas and the second gas supplied from to the shaft 300.

구체적으로, 가스 제어 라인(500)은 제 1 가스 공급라인(510), 제 1 가스 유량제어부(520), 제 1-1 공급밸브(511), 제 2 가스 공급라인(560), 제 2 가스 유량제어부(570), 제 2-1 공급밸브(561), 제 2 가스 리턴라인(580), 제 2 리턴밸브(581), 제 2 가스 배기라인(590) 및 제 2 배기밸브(591)를 포함할 수 있다.Specifically, the gas control line 500 includes a first gas supply line 510, a first gas flow control unit 520, a 1-1 supply valve 511, a second gas supply line 560, and a second gas The flow control unit 570, the 2-1 supply valve 561, the second gas return line 580, the second return valve 581, the second gas exhaust line 590, and the second exhaust valve 591. It can be included.

도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 가스 공급라인(510)은 공정 챔버(100)의 외부에 형성된 제 1 가스 공급부(610)에서 제 1 가스 전달유로(310)까지 상기 제 1 가스가 유동되는 유로로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, the first gas supply line 510 is a line through which the first gas flows from the first gas supply unit 610 formed outside the process chamber 100 to the first gas delivery passage 310. It can be formed into euros.

이때, 제 1 가스 공급라인(510)의 어느 한 지점에 형성된 제 1-1 공급밸브(511)는 제 1 가스 공급라인(510)을 개폐하여 상기 제 1 가스의 유동을 제어할 수 있다.At this time, the 1-1 supply valve 511 formed at a certain point of the first gas supply line 510 can control the flow of the first gas by opening and closing the first gas supply line 510.

제 1 가스 유량제어부(520)는 제 1 가스 공급라인(510)에 형성되어 상기 제 1 가스의 유동을 제어하는 질량 유량 제어기(MFC, Mass Flow Controller)로서, 제 1 가스 공급라인(510)의 내부에서 상기 제 1 가스가 유동하는 유량을 측정할 수 있으며, 또한, 제 1 가스 유량제어부(520)는 상기 제 1 가스가 한쪽 방향으로 흐를 수 있도록 유량을 제어할 수 있다.The first gas flow controller 520 is a mass flow controller (MFC) formed in the first gas supply line 510 to control the flow of the first gas. The flow rate of the first gas flowing inside can be measured, and the first gas flow control unit 520 can control the flow rate so that the first gas flows in one direction.

도 3에 도시된 바와 같이, 제 2 가스 공급라인(560)은 공정 챔버(100)의 외부에 형성된 제 2 가스 공급부(620)에서 제 2 가스 전달유로(320)까지 상기 제 2 가스가 유동되는 유로로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, the second gas supply line 560 is a line through which the second gas flows from the second gas supply unit 620 formed outside the process chamber 100 to the second gas delivery passage 320. It can be formed into euros.

이때, 제 2 가스 공급라인(560)에 형성된 제 2-1 공급밸브(561)는 제 2 가스 공급라인(560)을 개폐하여 상기 제 2 가스의 유동을 제어할 수 있다.At this time, the 2-1 supply valve 561 formed in the second gas supply line 560 can control the flow of the second gas by opening and closing the second gas supply line 560.

제 2 가스 유량제어부(570)는 제 2 가스 공급라인(560)에 형성되어 상기 제 2 가스의 유동을 제어하는 질량 유량 제어기로서, 제 2 가스 공급라인(520)의 내부에서 상기 제 2 가스가 유동하는 유량을 측정할 수 있으며, 또한, 제 2 가스 유량제어부(570)는 상기 제 2 가스가 한쪽 방향으로 흐를 수 있도록 유량을 제어할 수 있다.The second gas flow control unit 570 is a mass flow controller formed in the second gas supply line 560 to control the flow of the second gas. The second gas flows within the second gas supply line 520. The flowing flow rate can be measured, and the second gas flow control unit 570 can control the flow rate so that the second gas flows in one direction.

도 3에 도시된 바와 같이, 제 2 가스 리턴라인(580)은 제 2 가스 유량제어부(570)의 인입부에 연결된 유로의 어느 한 지점과 배출구에 연결된 유로의 다른 한 지점을 연결하여, 제 2 가스 공급라인(560)의 일부 구간을 우회하는 유로로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, the second gas return line 580 connects one point of the flow path connected to the inlet of the second gas flow control unit 570 and another point of the flow path connected to the outlet, thereby forming the second gas return line 580. It may be formed as a flow path that bypasses a portion of the gas supply line 560.

구체적으로, 제 2 가스 리턴라인(580)은 제 2 가스 유량제어부(570)의 전단부와 후단부를 연결하여 형성되는 유로 라인으로, 제 2 가스 전달유로(320)를 통하여 역방향으로 유동되는 상기 리턴 가스는 제 2 가스 공급라인(560)으로 유입되어 제 2 가스 리턴라인(580)으로 유동될 수 있다.Specifically, the second gas return line 580 is a flow path line formed by connecting the front end and the rear end of the second gas flow control unit 570, and is the return line that flows in the reverse direction through the second gas delivery flow path 320. Gas may flow into the second gas supply line 560 and flow into the second gas return line 580.

이때, 제 2 가스 리턴라인(580)에 형성된 제 2 리턴밸브(581)는 제 2 가스 리턴라인(580)을 개폐하여 리턴된 가스의 유동을 제어할 수 있다.At this time, the second return valve 581 formed in the second gas return line 580 can control the flow of returned gas by opening and closing the second gas return line 580.

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(S)을 처리하기 위한 공정 시, 제 2 가스 공급부(620)에서 공급되는 상기 제 2 가스가 샤프트(300)로 유동될 경우에는 제 2 리턴밸브(581)를 닫아 상기 제 2 가스가 제 2 가스 리턴라인(580)으로는 유동되지 못하고, 제 2 가스 공급라인(560)으로 유동될 수 있으며, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 리턴 가스가 샤프트(300)로부터 제 2 가스 공급라인(560)으로 유동될 경우에는 제 2 가스 공급라인(560)에 형성된 공급밸브는 닫아 상기 제 2 가스가 공급되지 못하고, 제 2 리턴밸브(581)를 열어 제 2 가스 리턴라인(580)으로 유동될 수 있다.That is, as shown in FIG. 5, during the process for processing the substrate S, when the second gas supplied from the second gas supply unit 620 flows to the shaft 300, the second return valve ( 581) is closed so that the second gas cannot flow to the second gas return line 580, but can flow to the second gas supply line 560. As shown in FIG. 7, the return gas is supplied to the shaft. When it flows from 300 to the second gas supply line 560, the supply valve formed in the second gas supply line 560 is closed so that the second gas is not supplied, and the second return valve 581 is opened to supply the second gas. 2 may flow to the gas return line 580.

제 2 가스 배기라인(590)은 제 2 가스 유량제어부(570)의 배출부와 제 2 가스 리턴라인(580) 사이를 연결하는 제 2 가스 전달유로(320)의 어느 한 지점에서 연장되어 형성되어, 제 2 가스 전달유로(320)로부터 되돌아온 리턴 가스를 외부로 배기하고, 제 2 배기밸브(591)는 제 2 가스 배기라인(590)에 형성되고, 제 2 가스 배기라인(590)을 개폐하여 상기 리턴 가스의 배기를 제어할 수 있다.The second gas exhaust line 590 is formed by extending from a point of the second gas delivery passage 320 connecting the discharge portion of the second gas flow control unit 570 and the second gas return line 580. , the return gas returned from the second gas delivery passage 320 is exhausted to the outside, and the second exhaust valve 591 is formed in the second gas exhaust line 590, and opens and closes the second gas exhaust line 590. Exhaust of the return gas can be controlled.

구체적으로, 제 2 가스 배기라인(590)은 제 2 가스 리턴라인(580)에서 되돌아온 상기 리턴 가스가 제 2 가스 유량제어부(570)를 통과하여 외부로 배기되도록 연장되는 유로관을 포함할 수 있다. 이때, 제 2 가스 배기라인(590)과 제 2 가스 리턴라인(580) 사이를 연결하는 제 2 가스 공급라인(560)에는 제 2-2 공급밸브(562)가 형성되어 상기 리턴 가스가 제 2 가스 유량제어부(570)를 통과하여 다시 샤프트(300)로 유동되지 않도록 제어할 수 있다.Specifically, the second gas exhaust line 590 may include a flow pipe extending so that the return gas returned from the second gas return line 580 passes through the second gas flow control unit 570 and is exhausted to the outside. . At this time, a 2-2 supply valve 562 is formed in the second gas supply line 560 connecting the second gas exhaust line 590 and the second gas return line 580, so that the return gas is supplied to the second gas return line 580. It can be controlled so that it does not pass through the gas flow control unit 570 and flow back to the shaft 300.

이때, 상기 리턴 가스는 샤프트(300)로 유동된 상기 제 1 가스가 되돌아온 가스일 수 있다.At this time, the return gas may be the gas returned from the first gas that flowed into the shaft 300.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 제어 라인(500)을 나타내는 도면이다.Figure 4 is a diagram showing a gas control line 500 according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 제어 라인(500)은 제 1 가스 리턴라인(530), 제 1 리턴밸브(531), 제 1 가스 배기라인(540) 및 제 1 배기밸브(541)를 포함할 수 있다.The gas control line 500 according to another embodiment of the present invention includes a first gas return line 530, a first return valve 531, a first gas exhaust line 540, and a first exhaust valve 541. can do.

도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 가스 리턴라인(530)은 제 1 가스 유량제어부(520)의 인입부에 연결된 유로의 어느 한 지점과 배출구에 연결된 유로의 다른 한 지점을 연결하여, 제 1 가스 공급라인(510)의 일부 구간을 우회하는 유로로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 4, the first gas return line 530 connects one point of the flow path connected to the inlet of the first gas flow control unit 520 and another point of the flow path connected to the outlet, thereby forming the first gas return line 530. It may be formed as a flow path that bypasses a portion of the gas supply line 510.

구체적으로, 제 1 가스 리턴라인(530)은 제 1 가스 유량제어부(520)의 전단부와 후단부를 연결하여 형성되는 유로 라인으로, 제 1 가스 전달유로(310)를 통하여 역방향으로 유동되는 상기 리턴 가스는 제 1 가스 공급라인(510)으로 유입되어 제 1 가스 리턴라인(530)으로 유동될 수 있다.Specifically, the first gas return line 530 is a flow path line formed by connecting the front end and the rear end of the first gas flow control unit 520, and is the return line that flows in the reverse direction through the first gas delivery flow path 310. Gas may flow into the first gas supply line 510 and flow into the first gas return line 530.

이때, 제 1 가스 리턴라인(530)에 형성된 제 1 리턴밸브(531)는 제 1 가스 리턴라인(530)을 개폐하여 리턴된 가스의 유동을 제어할 수 있다.At this time, the first return valve 531 formed in the first gas return line 530 can control the flow of returned gas by opening and closing the first gas return line 530.

즉, 상기 리턴 가스가 샤프트(300)로부터 제 1 가스 공급라인(510)으로 유동될 경우에는 제 1 가스 공급라인(510)에 형성된 공급밸브는 닫아 상기 제 1 가스가 공급되지 못하고, 제 1 리턴밸브(531)를 열어 제 1 가스 리턴라인(530)으로 유동될 수 있다.That is, when the return gas flows from the shaft 300 to the first gas supply line 510, the supply valve formed in the first gas supply line 510 is closed so that the first gas is not supplied, and the first return gas is not supplied. The valve 531 may be opened to allow flow to the first gas return line 530.

제 1 가스 배기라인(540)은 제 1 가스 유량제어부(520)의 배출부와 제 1 가스 리턴라인(530) 사이를 연결하는 제 1 가스 전달유로(310)의 어느 한 지점에서 연장되어 형성되어, 제 1 가스 전달유로(310)로부터 되돌아온 리턴 가스를 외부로 배기하고, 제 1 배기밸브(541)는 제 1 가스 배기라인(540)에 형성되고, 제 1 가스 배기라인(540)을 개폐하여 상기 리턴 가스의 배기를 제어할 수 있다.The first gas exhaust line 540 is formed by extending from a point of the first gas delivery passage 310 connecting the discharge portion of the first gas flow control unit 520 and the first gas return line 530. , the return gas returned from the first gas delivery passage 310 is exhausted to the outside, and the first exhaust valve 541 is formed in the first gas exhaust line 540 and opens and closes the first gas exhaust line 540. Exhaust of the return gas can be controlled.

구체적으로, 제 1 가스 배기라인(540)은 제 1 가스 리턴라인(530)에서 되돌아온 상기 리턴 가스가 제 1 가스 유량제어부(520)를 통과하여 외부로 배기되도록 연장되는 유로관을 포함할 수 있다. 이때, 제 1 가스 배기라인(540)과 제 1 가스 리턴라인(530) 사이를 연결하는 제 1 가스 공급라인(510)에는 제 1-2 공급밸브(522)가 형성되어 상기 리턴 가스가 제 1 가스 유량제어부(520)를 통과하여 다시 샤프트(300)로 유동되지 않도록 제어할 수 있다.Specifically, the first gas exhaust line 540 may include a flow pipe extending so that the return gas returned from the first gas return line 530 passes through the first gas flow control unit 520 and is exhausted to the outside. . At this time, a 1-2 supply valve 522 is formed in the first gas supply line 510 connecting the first gas exhaust line 540 and the first gas return line 530, so that the return gas flows into the first gas supply line 510. It can be controlled so that the gas does not pass through the flow control unit 520 and flow back to the shaft 300.

이때, 상기 리턴 가스는 샤프트(300)로 유동된 상기 제 2 가스가 되돌아온 가스일 수 있다.At this time, the return gas may be the gas returned from the second gas that flowed into the shaft 300.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 제 1 리턴 구조체(700)가 샤프트(300)에 결합되는 것을 나타내는 사시도이고, 도 7은 도 6에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 가스의 유동을 나타내는 흐름도이다.FIG. 6 is a perspective view showing the first return structure 700 coupled to the shaft 300 for inspecting the substrate processing device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a perspective view showing the substrate processing device according to FIG. 6. This is a flow chart showing the flow of gas for:

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치는, 제 1 리턴 구조체(700)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 6 and 7 , the substrate processing apparatus of the present invention may include a first return structure 700.

제 1 리턴 구조체(700)는 샤프트(300)의 상부에 결합되고, 샤프트(300)와의 결합면에 제 1 가스 전달유로(310)와 제 2 가스 전달유로(320)가 연통되는 제 1 리턴 홈부(710)가 형성될 수 있다.The first return structure 700 is coupled to the upper part of the shaft 300, and has a first return groove portion through which the first gas transmission passage 310 and the second gas transmission passage 320 communicate with the coupling surface with the shaft 300. (710) may be formed.

구체적으로, 제 1 리턴 구조체(700)는 원형의 플레이트 형상으로 형성되고, 샤프트(300)의 상면에 결합되어 제 1 가스 전달유로(310) 및 제 2 가스 전달유로(320)를 외부와 밀폐시킬 수 있다. 이때, 제 1 가스 전달유로(310) 및 제 2 가스 전달유로(320)가 연통되도록 밀폐하여 제 1 가스 전달유로(310)에서 전달되는 가스가 제 2 가스 전달유로(320)로 유동될 수 있으며, 제 2 가스 전달유로(320)에서 전달되는 가스가 제 1 가스 전달유로(310)로 유동될 수 있다.Specifically, the first return structure 700 is formed in a circular plate shape and is coupled to the upper surface of the shaft 300 to seal the first gas transmission passage 310 and the second gas transmission passage 320 from the outside. You can. At this time, the first gas delivery passage 310 and the second gas delivery passage 320 are sealed so that they communicate, so that the gas delivered from the first gas delivery passage 310 can flow into the second gas delivery passage 320. , the gas delivered from the second gas delivery passage 320 may flow into the first gas delivery passage 310.

예컨대, 제 1 리턴 홈부(710)는 제 1 가스 전달유로(310) 및 제 2 가스 전달유로(320)가 서로 연결될 수 있도록 중심부에 형성된 제 1 가스 전달유로(310)와 제 1 가스 전달유로(310) 주변을 둘러싸고 형성된 제 2 가스 전달유로(320)의 가장 외측거리와 동일하거나, 더 큰 지름을 가지는 홈부로 형성될 수 있다.For example, the first return groove portion 710 is formed at the center so that the first gas transmission passage 310 and the second gas transmission passage 320 can be connected to each other. 310) It may be formed as a groove having a diameter that is equal to or larger than the outermost distance of the second gas delivery passage 320 formed surrounding the circumference.

도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 리턴 구조체(700)가 샤프트(300)의 상부에 결합되어, 제 1 가스 전달유로(310) 및 제 2 가스 전달유로(320)가 연결되어 연통됨으로써, 제 1 가스 공급부(610)에서 공급되는 상기 제 1 가스가, 제 1 가스 공급라인(510), 제 1 가스 유량제어부(520), 샤프트(300)의 제 1 가스 전달유로(310), 제 1 리턴 구조체(700)의 제 1 리턴 홈부(710), 샤프트(300)의 제 2 가스 전달유로(320), 제 2 가스 공급라인(560), 제 2 가스 리턴라인(580), 제 2 가스 유량제어부(570)로 유동될 수 있다.As shown in FIG. 7, the first return structure 700 is coupled to the upper part of the shaft 300, and the first gas transmission passage 310 and the second gas transmission passage 320 are connected and communicated, thereby 1 The first gas supplied from the gas supply unit 610 is supplied through the first gas supply line 510, the first gas flow control unit 520, the first gas delivery passage 310 of the shaft 300, and the first return. The first return groove 710 of the structure 700, the second gas transmission passage 320 of the shaft 300, the second gas supply line 560, the second gas return line 580, and the second gas flow control unit It can flow to (570).

이에 따라, 제 1 가스 유량제어부(520)와 제 2 가스 유량제어부(570)에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하여 샤프트(300) 내부에 복수개로 형성된 유로의 유동을 검사할 수 있다. 예컨대, 제 1 가스 유량제어부(520)에서 측정된 유량보다 제 2 가스 유량제어부(570)에서 측정된 유량이 작을 경우, 샤프트(300)와의 결합부에 설치되는 실링에 문제가 있다고 판단되거나, 샤프트(300) 주변에 형성된 자성 유체 씰부(330)의 상태에 문제가 있다고 판단될 수 있으며, 이에 따라, 자성 유체 씰부(330)의 교체 시기를 판단할 수 있다. 또는, 제 1 가스 공급라인(510) 및 제 2 가스 공급라인(560)의 유로관에 문제가 있다고 판단될 수 있다.Accordingly, the flow rate of the first gas measured by the first gas flow control unit 520 and the second gas flow control unit 570 can be compared to inspect the flow of a plurality of passages formed inside the shaft 300. For example, if the flow rate measured by the second gas flow control unit 570 is lower than the flow rate measured by the first gas flow control unit 520, it is determined that there is a problem with the seal installed at the coupling portion with the shaft 300, or the shaft It may be determined that there is a problem with the condition of the magnetic fluid seal unit 330 formed around (300), and accordingly, it may be determined when to replace the magnetic fluid seal unit 330. Alternatively, it may be determined that there is a problem with the flow pipes of the first gas supply line 510 and the second gas supply line 560.

또한, 샤프트(300) 내부에 복수개로 형성된 제 2 가스 전달유로(320)의 각각에 연결된 제 2 가스 공급라인을 통하여 복수개의 상기 제 2 가스 전달유로를 모두 검사할 수 있다. 이에 따라, 복수개로 형성된 제 2 가스 전달유로(320) 및 이와 연결되는 각각의 자성 유체를 모두 검사할 수 있다.In addition, all of the plurality of second gas transmission passages 320 formed inside the shaft 300 can be inspected through the second gas supply line connected to each of the second gas transmission passages 320. Accordingly, the plurality of second gas delivery passages 320 and each magnetic fluid connected thereto can be inspected.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 제 2 리턴 구조체(800)가 가스 분배 클램프(400)에 결합되는 것을 나타내는 사시도이고, 도 9는 도 8에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 가스의 유동을 나타내는 흐름도이다.FIG. 8 is a perspective view showing the second return structure 800 coupled to the gas distribution clamp 400 for inspecting a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a perspective view of the substrate processing apparatus according to FIG. 8. This is a flow chart showing the flow of gas for inspection.

도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치는, 제 2 리턴 구조체(800)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 8 and 9 , the substrate processing apparatus of the present invention may include a second return structure 800.

제 2 리턴 구조체(800)는 중심부에 가스 분배 클램프(400)의 기판 지지 결합부(430)가 삽입되도록 관통된 제 2 리턴 삽입부(850)가 형성되고 가장자리부에 제 2 리턴 홈부(830)가 관통되어 형성된 제 2 리턴 몸체(810)와 제 2 리턴 몸체(840)의 상면을 덮는 제 2 리턴 덮개부(820)와 제 2 리턴 몸체(810) 및 제 2 리턴 덮개부(820)를 실링하는 제 2 리턴 실링부(840)를 포함할 수 있다.The second return structure 800 has a second return insertion portion 850 formed at the center so that the substrate support coupling portion 430 of the gas distribution clamp 400 is inserted, and a second return groove portion 830 at the edge portion. The second return body 810 formed by penetrating and the second return cover 820 covering the upper surface of the second return body 840 and sealing the second return body 810 and the second return cover 820 It may include a second return sealing part 840.

제 2 리턴 구조체(800)는 가스 분배 클램프(400)와의 결합면에 제 1 가스 분배유로(410)와 제 2 가스 분배유로(420)가 연통되는 제 2 리턴 홈부(830)가 형성될 수 있다.The second return structure 800 may have a second return groove portion 830 formed on the coupling surface with the gas distribution clamp 400 through which the first gas distribution passage 410 and the second gas distribution passage 420 communicate. .

구체적으로, 제 2 리턴 구조체(800)는 원형의 플레이트 형상으로 형성되고, 가스 분배 클램프(400)의 상면에 결합되어 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)를 외부와 밀폐시킬 수 있다. 이때, 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)가 연통되도록 밀폐하여 제 1 가스 분배유로(410)에서 분배되는 가스가 제 2 가스 분배유로(420)로 유동될 수 있으며, 제 2 가스 분배유로(420)에서 분배되는 가스가 제 1 가스 분배유로(410)로 유동될 수 있다.Specifically, the second return structure 800 is formed in a circular plate shape and is coupled to the upper surface of the gas distribution clamp 400 to connect the first gas distribution passage 410 and the second gas distribution passage 420 to the outside. It can be sealed. At this time, the first gas distribution passage 410 and the second gas distribution passage 420 are sealed so that they communicate, so that the gas distributed in the first gas distribution passage 410 can flow into the second gas distribution passage 420. , the gas distributed in the second gas distribution passage 420 may flow into the first gas distribution passage 410.

이때, 가스 분배 클램프(400)의 상면에서 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)가 하나의 세트로 가스 분배 클램프(400)의 상면을 따라서 복수개의 세트로 형성되며, 제 2 리턴 홈부(810)은 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)에 대응되도록 제 2 리턴 구조체(800)의 가장자리부에 복수개의 세트로 형성될 수 있다.At this time, the first gas distribution passage 410 and the second gas distribution passage 420 are formed as one set on the upper surface of the gas distribution clamp 400, and are formed as a plurality of sets along the upper surface of the gas distribution clamp 400, The second return groove portion 810 may be formed in a plurality of sets at the edge of the second return structure 800 to correspond to the first gas distribution passage 410 and the second gas distribution passage 420.

도 9에 도시된 바와 같이, 제 2 리턴 구조체(800)가 가스 분배 클램프(400)의 상부에 결합되어, 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)가 연결되어 연통됨으로써, 제 1 가스 공급부(610)에서 공급되는 상기 제 1 가스가, 제 1 가스 공급라인(510), 제 1 가스 유량제어부(520), 샤프트(300)의 제 1 가스 전달유로(310), 가스 분배 클램프(400)의 제 1 가스 분배유로(410), 제 2 리턴 구조체(800)의 제 2 리턴 홈부(830), 가스 분배 클램프(400)의 제 2 가스 분배유로(420), 샤프트(300)의 제 2 가스 전달유로(320), 제 2 가스 공급라인(560), 제 2 가스 리턴라인(580), 제 2 가스 유량제어부(570)로 유동될 수 있다.As shown in FIG. 9, the second return structure 800 is coupled to the upper part of the gas distribution clamp 400, and the first gas distribution passage 410 and the second gas distribution passage 420 are connected and communicated. , the first gas supplied from the first gas supply unit 610, the first gas supply line 510, the first gas flow control unit 520, the first gas delivery passage 310 of the shaft 300, gas The first gas distribution passage 410 of the distribution clamp 400, the second return groove 830 of the second return structure 800, the second gas distribution passage 420 of the gas distribution clamp 400, and the shaft 300 ) may flow to the second gas delivery passage 320, the second gas supply line 560, the second gas return line 580, and the second gas flow control unit 570.

이에 따라, 제 1 가스 유량제어부(520)와 제 2 가스 유량제어부(570)에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하여 가스 분배 클램프(400)의 내부에 형성된 유로의 분기 유동을 검사할 수 있다.Accordingly, the branch flow of the flow path formed inside the gas distribution clamp 400 can be inspected by comparing the flow rates of the first gas measured by the first gas flow control unit 520 and the second gas flow control unit 570. there is.

예컨대, 제 1 가스 유량제어부(520)에서 측정된 유량보다 제 2 가스 유량제어부(570)에서 측정된 유량이 작을 경우, 가스 분배 클램프(400)와의 결합부에 설치되는 실링에 문제가 있다고 판단되거나, 가스 분배 클램프(400) 내부에 형성된 분기 유로의 유로관에 문제가 있다고 판단될 수 있다. 또는, 제 1 가스 공급라인(510) 및 제 2 가스 공급라인(560)의 유로관에 문제가 있다고 판단될 수 있다.For example, if the flow rate measured by the second gas flow control unit 570 is lower than the flow rate measured by the first gas flow control unit 520, it is determined that there is a problem with the seal installed at the coupling portion with the gas distribution clamp 400. , it may be determined that there is a problem with the flow pipe of the branch flow path formed inside the gas distribution clamp 400. Alternatively, it may be determined that there is a problem with the flow pipes of the first gas supply line 510 and the second gas supply line 560.

또한, 가스 분배 클램프(400) 내부에서 분기하는 제 1 가스 분배유로(410)과 복수개로 형성된 제 2 가스 분배유로(420)의 각각에 연결된 제 2 가스 공급라인을 통하여 가스 분배 클램프(400) 내부에 형성된 분배 유로를 모두 검사할 수 있다. In addition, the inside of the gas distribution clamp 400 is supplied through a second gas supply line connected to each of the first gas distribution passage 410 branching from the inside of the gas distribution clamp 400 and the plurality of second gas distribution passages 420. All distribution channels formed in can be inspected.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 제 3 리턴 구조체(900)가 포켓홈부(230)에 결합되는 것을 나타내는 사시도이고, 도 11은 도 10에 따른 제 3 리턴 구조체(900)를 나타내는 저면도이고, 도 12는 도 10에 따른 기판 처리 장치를 검사하기 위한 가스의 유동을 나타내는 흐름도이다.FIG. 10 is a perspective view showing the third return structure 900 coupled to the pocket groove portion 230 for inspecting a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a third return structure according to FIG. 10. It is a bottom view showing 900, and FIG. 12 is a flow chart showing the flow of gas for inspecting the substrate processing apparatus according to FIG. 10.

도 10 및 도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치는, 제 3 리턴 구조체(900)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 10 and 12 , the substrate processing apparatus of the present invention may include a third return structure 900.

제 3 리턴 구조체(900)는 포켓홈부(230)에 결합되고, 포켓홈부(230)와의 결합면에 제 1 가스 분사홀(210)과 제 2 가스 분사홀(220)이 연통되는 제 3 리턴 홈부(930)가 형성될 수 있다.The third return structure 900 is coupled to the pocket groove portion 230, and has a third return groove portion in which the first gas injection hole 210 and the second gas injection hole 220 communicate with the coupling surface with the pocket groove portion 230. (930) may be formed.

구체적으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 제 3 리턴 구조체(900)는 포켓홈부(230)에 대응되는 형상으로 원형의 플레이트 형상으로 형성되고, 하면의 중심부를 따라 원형의 유로인 제 1 가스 홈부(910)가 형성되고, 하면의 가장자리부를 따라 원형의 유로인 제 2 가스 홈부(920)가 형성되고, 제 1 가스 홈부(910) 및 제 2 가스 홈부(920)를 연결하는 제 3 리턴 홈부(930)를 포함할 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 11, the third return structure 900 is formed in a circular plate shape corresponding to the pocket groove portion 230, and has a first gas groove portion that is a circular flow path along the center of the lower surface. 910 is formed, a second gas groove 920, which is a circular flow path, is formed along the edge of the lower surface, and a third return groove connecting the first gas groove 910 and the second gas groove 920 ( 930) may be included.

제 3 리턴 구조체(900)는 기판 지지부(200)의 상면에 결합되어 제 1 가스 분사홀(210) 및 제 2 가스 분사홀(220)을 외부와 밀폐시킬 수 있다. 이때, 제 1 가스 분사홀(210) 및 제 2 가스 분사홀(220)이 서로 연통되도록 밀폐하여 제 1 가스 분사홀(210)에서 분사되는 가스가 제 2 가스 분사홀(220)로 유동될 수 있으며, 제 2 가스 분사홀(220)에서 분사되는 가스가 제 1 가스 분사홀(210)로 유동될 수 있다.The third return structure 900 may be coupled to the upper surface of the substrate supporter 200 to seal the first gas injection hole 210 and the second gas injection hole 220 from the outside. At this time, the first gas injection hole 210 and the second gas injection hole 220 are sealed so that they communicate with each other, so that the gas sprayed from the first gas injection hole 210 can flow into the second gas injection hole 220. And, the gas injected from the second gas injection hole 220 may flow to the first gas injection hole 210.

도 12에 도시된 바와 같이, 제 3 리턴 구조체(900)가 기판 지지부(200)의 상부에 결합되어, 제 1 가스 분사홀(210) 및 제 2 가스 분사홀(220)이 연결되어 연통됨으로써, 제 1 가스 공급부(610)에서 공급되는 상기 제 1 가스가, 제 1 가스 공급라인(510), 제 1 가스 유량제어부(520), 샤프트(300)의 제 1 가스 전달유로(310), 가스 분배 클램프(400)의 제 1 가스 분배유로(410), 기판 지지부(200)의 제 1 가스 분사홀(210), 제 3 리턴 구조체(900)의 제 3 리턴 홈부(930), 기판 지지부(200)의 제 2 가스 분사홀(220), 가스 분배 클램프(400)의 제 2 가스 분배유로(420), 샤프트(300)의 제 2 가스 전달유로(320), 제 2 가스 공급라인(560), 제 2 가스 리턴라인(580), 제 2 가스 유량제어부(570)로 유동될 수 있다.As shown in FIG. 12, the third return structure 900 is coupled to the upper part of the substrate support 200, and the first gas injection hole 210 and the second gas injection hole 220 are connected and communicated, The first gas supplied from the first gas supply unit 610 is supplied through the first gas supply line 510, the first gas flow control unit 520, the first gas transmission passage 310 of the shaft 300, and the gas distribution system. The first gas distribution passage 410 of the clamp 400, the first gas injection hole 210 of the substrate support 200, the third return groove 930 of the third return structure 900, and the substrate support 200. The second gas injection hole 220, the second gas distribution passage 420 of the gas distribution clamp 400, the second gas transmission passage 320 of the shaft 300, the second gas supply line 560, 2 It may flow to the gas return line 580 and the second gas flow control unit 570.

이에 따라, 제 1 가스 유량제어부(520)와 제 2 가스 유량제어부(570)에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하여 기판 지지부(200)의 내부에 복수개로 형성된 유로의 유동을 검사할 수 있다.Accordingly, the flow rate of the first gas measured by the first gas flow control unit 520 and the second gas flow control unit 570 can be compared to inspect the flow of a plurality of channels formed inside the substrate support unit 200. there is.

예컨대, 제 1 가스 유량제어부(520)에서 측정된 유량보다 제 2 가스 유량제어부(570)에서 측정된 유량이 작을 경우, 가스제어 라인(500)에서 기판 지지부(200)까지 설치되는 결합부 중 어느 하나의 실링에 문제가 있다고 판단되거나, 기판 지지부(200) 내부에 형성된 유로에 문제가 있다고 판단될 수 있다.For example, if the flow rate measured by the second gas flow control unit 570 is smaller than the flow rate measured by the first gas flow control unit 520, any of the coupling units installed from the gas control line 500 to the substrate support unit 200 It may be determined that there is a problem with one of the seals, or it may be determined that there is a problem with the flow path formed inside the substrate support part 200.

또한, 복수개로 형성된 포켓홈부(230) 각각에 연결된 제 2 가스 공급라인을 통하여 기판 지지부(200) 내부에 형성된 유로를 모두 검사할 수 있다. In addition, all flow paths formed inside the substrate support unit 200 can be inspected through the second gas supply line connected to each of the plurality of pocket grooves 230.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 검사 방법을 나타내는 순서도이고, 도 14 내지 도 16은 본 발명의 여러 실시예에 따른 기판 처리 장치 검사 방법을 나타내는 순서도들이고, 도 17은 도 13의 기판 처리 장치 검사 방법의 제 1 가스 유동 단계(S300)를 나타내는 순서도이다.FIG. 13 is a flowchart showing a method for inspecting a substrate processing device according to an embodiment of the present invention, FIGS. 14 to 16 are flowcharts showing a method for inspecting a substrate processing device according to various embodiments of the present invention, and FIG. 17 is FIG. 13 This is a flowchart showing the first gas flow step (S300) of the substrate processing device inspection method.

도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 검사 방법은, 기판 처리 장치 준비 단계(S100), 상부 차단 단계(S200), 제 1 가스 유동 단계(S300) 및 비교 단계(S400)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 13, the substrate processing device inspection method according to an embodiment of the present invention includes a substrate processing device preparation step (S100), a top blocking step (S200), a first gas flow step (S300), and a comparison step. (S400) may be included.

기판 처리 장치 준비 단계(S100)는 전술한 기판 처리 장치를 이용한 것으로서, 기판(S)이 처리되는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버(100)와, 제 1 가스 및 제 2 가스 중 적어도 하나의 가스가 유동되도록 형성된 제 1 가스 전달유로(310) 및 제 2 가스 전달유로(320)가 내부에 형성되는 샤프트(300)와, 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스의 유동을 제어할 수 있도록 내부에 샤프트(300)와 연결된 제 1 가스 공급라인(510), 상기 제 1 가스의 유동을 제어하는 제 1 가스 유량제어부(520), 제 2 가스 공급라인(560), 상기 제 2 가스의 유동을 제어하는 제 2 가스 유량제어부(570) 및 제 2 가스 공급라인(560)의 일부 구간을 우회하는 제 2 가스 리턴라인(580)이 형성된 가스 제어 라인(500)을 포함하는 기판 처리 장치를 준비하는 단계이다.The substrate processing apparatus preparation step (S100) uses the above-described substrate processing apparatus, and includes a process chamber 100 in which a processing space for processing the substrate S is formed, and at least one of the first gas and the second gas. A shaft 300 in which a first gas transmission passage 310 and a second gas transmission passage 320 are formed to flow, and a shaft therein to control the flow of the first gas and the second gas. A first gas supply line 510 connected to (300), a first gas flow control unit 520 for controlling the flow of the first gas, a second gas supply line 560, and a first gas flow control unit 520 for controlling the flow of the second gas. This is a step of preparing a substrate processing device including a second gas flow control unit 570 and a gas control line 500 having a second gas return line 580 that bypasses a portion of the second gas supply line 560. .

상부 차단 단계(S200)는 제 1 가스 공급라인(510)과 제 2 가스 공급라인(560)이 연통되도록 샤프트(300), 가스 분배 클램프(400) 및 기판 지지부(200)의 적어도 하나의 상방을 차단하는 단계로서, 상부 차단 단계(S200)는 샤프트 상부 결합 단계(S210), 클램프 상부 결합 단계(S220) 및 포켓홈부 상부 결합 단계(230) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In the upper blocking step (S200), at least one upper part of the shaft 300, the gas distribution clamp 400, and the substrate support 200 is connected so that the first gas supply line 510 and the second gas supply line 560 communicate. As a blocking step, the upper blocking step (S200) may include at least one of a shaft upper coupling step (S210), a clamp upper coupling step (S220), and a pocket groove upper coupling step (230).

본 발명의 일 실시예에 따른, 기판 처리 장치 검사 방법은, 도 14에 도시된 바와 같이, 샤프트 상부 결합 단계(S210)는 제 1 가스 전달유로(310)와 제 2 가스 전달유로(320)가 연통되는 제 1 리턴 홈부(710)가 형성되는 제 1 리턴 구조체(700)가 샤프트(300)의 상부에 결합되어 샤프트(300) 상부를 차단하는 단계이다.In the substrate processing device inspection method according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 14, the upper shaft coupling step (S210) includes the first gas delivery passage 310 and the second gas delivery passage 320. This is a step in which the first return structure 700, in which the communicating first return groove 710 is formed, is coupled to the upper part of the shaft 300 to block the upper part of the shaft 300.

구체적으로, 샤프트 상부 결합 단계(S210)는 원형의 플레이트 형상으로 형성된 제 1 리턴 구조체(700)가 샤프트(300)의 상면에 결합되어 제 1 가스 전달유로(310) 및 제 2 가스 전달유로(320)를 외부와 밀폐시키는 단계이다. 이때, 제 1 가스 전달유로(310) 및 제 2 가스 전달유로(320)가 연통되도록 밀폐하여 제 1 가스 전달유로(310)에서 전달되는 가스가 제 2 가스 전달유로(320)로 유동될 수 있으며, 제 2 가스 전달유로(320)에서 전달되는 가스가 제 1 가스 전달유로(310)로 유동될 수 있다.Specifically, in the shaft upper coupling step (S210), the first return structure 700 formed in a circular plate shape is coupled to the upper surface of the shaft 300 to form the first gas transmission passage 310 and the second gas transmission passage 320. ) is the step of sealing it from the outside. At this time, the first gas delivery passage 310 and the second gas delivery passage 320 are sealed so that they communicate, so that the gas delivered from the first gas delivery passage 310 can flow into the second gas delivery passage 320. , the gas delivered from the second gas delivery passage 320 may flow into the first gas delivery passage 310.

샤프트 상부 결합 단계(S210) 이전에, 샤프트 분리 단계를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 샤프트 분리 단계에서 가스 분배 클램프(400)를 샤프트(300)에서 분리하고, 샤프트 상부 결합 단계(S210)에서 샤프트(300)의 상부에 제 1 리턴 구조체(700)를 결합할 수 있다.Before the shaft upper coupling step (S210), a shaft separation step may be included. Specifically, in the shaft separation step, the gas distribution clamp 400 may be separated from the shaft 300, and in the shaft upper coupling step (S210), the first return structure 700 may be coupled to the upper part of the shaft 300. .

본 발명의 다른 실시예에 따른, 기판 처리 장치 검사 방법은, 도 15에 도시된 바와 같이, 클램프 상부 결합 단계(S220)는 제 1 가스 분배유로(410)와 제 2 가스 분배유로(420)가 연통되는 제 2 리턴 홈부(830)가 형성되는 제 2 리턴 구조체(800)가 가스 분배 클램프(400)의 상부에 결합되어 가스 분배 클램프(400)의 상부를 차단하는 단계이다.In the substrate processing device inspection method according to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 15, the clamp upper coupling step (S220) includes the first gas distribution passage 410 and the second gas distribution passage 420. This is a step in which the second return structure 800, in which the communicating second return groove 830 is formed, is coupled to the upper part of the gas distribution clamp 400 to block the upper part of the gas distribution clamp 400.

이때, 기판 처리 장치 준비 단계(S100)에서 샤프트(300)에서 공급된 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스를 기판 지지부(200)로 전달할 수 있도록 기판 지지부(200)와 샤프트(300) 사이에 결합되어 내부에 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)가 형성되는 가스 분배 클램프(400)를 포함하는 기판 처리 장치를 준비할 수 있으며, 상부 차단 단계(S200)는 클램프 상부 결합 단계(S220)를 포함할 수 있다.At this time, in the substrate processing device preparation step (S100), the first gas and the second gas supplied from the shaft 300 are coupled between the substrate support 200 and the shaft 300 to transfer the first gas and the second gas to the substrate support 200. It is possible to prepare a substrate processing device including a gas distribution clamp 400 in which a first gas distribution passage 410 and a second gas distribution passage 420 are formed, and the upper blocking step (S200) is performed by connecting the upper part of the clamp It may include a combining step (S220).

구체적으로, 클램프 상부 결합 단계(S220)는 원형의 플레이트 형상으로 형성된 제 2 리턴 구조체(800)가 가스 분배 클램프(400)의 상면에 결합되어 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)를 외부와 밀폐시키는 단계이다. 이때, 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)가 연통되도록 밀폐하여 제 1 가스 분배유로(410)에서 분배되는 가스가 제 2 가스 분배유로(420)로 유동될 수 있으며, 제 2 가스 분배유로(420)에서 분배되는 가스가 제 1 가스 분배유로(410)로 유동될 수 있다.Specifically, in the clamp upper coupling step (S220), the second return structure 800 formed in a circular plate shape is coupled to the upper surface of the gas distribution clamp 400 to form the first gas distribution passage 410 and the second gas distribution passage. This is the step of sealing (420) from the outside. At this time, the first gas distribution passage 410 and the second gas distribution passage 420 are sealed so that they communicate, so that the gas distributed in the first gas distribution passage 410 can flow into the second gas distribution passage 420. , the gas distributed in the second gas distribution passage 420 may flow into the first gas distribution passage 410.

클램프 상부 결합 단계(S220) 이전에, 클램프 분리 단계를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 클램프 분리 단계에서 기판 지지대(200)를 가스 분배 클램프(400)에서 분리하고, 클램프 상부 결합 단계(S220)에서 가스 분배 클램프(400)의 상부에 제 2 리턴 구조체(800)를 결합할 수 있다.Before the clamp upper coupling step (S220), a clamp separation step may be included. Specifically, in the clamp separation step, the substrate support 200 is separated from the gas distribution clamp 400, and in the clamp upper coupling step (S220), the second return structure 800 is coupled to the upper part of the gas distribution clamp 400. can do.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른, 기판 처리 장치 검사 방법은, 도 16에 도시된 바와 같이, 포켓홈부 상부 결합 단계(230)는 제 1 가스 분사홀(210)과 제 2 가스 분사홀(220)이 연통되는 제 3 리턴 홈부(930)가 형성되는 제 3 리턴 구조체(900)가 포켓홈부(230)에 결합되어 기판 지지부(200)의 상부면를 차단하는 단계이다.In the substrate processing device inspection method according to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 16, the pocket groove upper coupling step 230 is performed by connecting the first gas injection hole 210 and the second gas injection hole 220. ) is a step in which the third return structure 900, in which the third return groove 930 communicates, is formed, is coupled to the pocket groove 230 to block the upper surface of the substrate supporter 200.

이때, 기판 처리 장치 준비 단계(S100)에서 샤프트(300)에서 공급된 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스를 기판 지지부(200)로 전달할 수 있도록 기판 지지부(200)와 샤프트(300) 사이에 결합되어 내부에 제 1 가스 분배유로(410) 및 제 2 가스 분배유로(420)가 형성되는 가스 분배 클램프(400)와 처리 공간(A)에 형성되어 기판(S)이 안착될 수 있도록 상면에 복수개의 포켓홈부(230)가 형성되고 포켓홈부(230) 내에서 기판(S)을 향하여 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사홀(210) 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사홀(220)이 형성되는 기판 지지부(200)를 포함하는 기판 처리 장치를 준비할 수 있으며, 상부 차단 단계(S200)는 포켓홈부 상부 결합 단계(230)를 포함할 수 있다.At this time, in the substrate processing device preparation step (S100), the first gas and the second gas supplied from the shaft 300 are coupled between the substrate support 200 and the shaft 300 to transfer the first gas and the second gas to the substrate support 200. It is formed in the gas distribution clamp 400 and the processing space A, in which the first gas distribution passage 410 and the second gas distribution passage 420 are formed, and a plurality of gas distribution clamps are formed on the upper surface so that the substrate S can be seated. Two pocket groove portions 230 are formed, and a first gas injection hole 210 for spraying the first gas toward the substrate S within the pocket groove portion 230 and a second gas injection hole 220 for spraying the second gas. ) may be prepared, and the upper blocking step (S200) may include a pocket groove upper coupling step (230).

포켓홈부 상부 결합 단계(230)는 포켓홈부(230)에 대응되는 원형의 플레이트 형상으로 형성된 제 3 리턴 구조체(900)는 기판 지지부(200)의 상면에 결합되어 제 1 가스 분사홀(210) 및 제 2 가스 분사홀(220)을 외부와 밀폐시키는 단계이다. 이때, 제 1 가스 분사홀(210) 및 제 2 가스 분사홀(220)이 서로 연통되도록 밀폐하여 제 1 가스 분사홀(210)에서 분사되는 가스가 제 2 가스 분사홀(220)로 유동될 수 있으며, 제 2 가스 분사홀(220)에서 분사되는 가스가 제 1 가스 분사홀(210)로 유동될 수 있다.In the pocket groove upper coupling step 230, the third return structure 900 formed in a circular plate shape corresponding to the pocket groove 230 is coupled to the upper surface of the substrate support 200 to form the first gas injection hole 210 and This is a step of sealing the second gas injection hole 220 from the outside. At this time, the first gas injection hole 210 and the second gas injection hole 220 are sealed so that they communicate with each other, so that the gas sprayed from the first gas injection hole 210 can flow into the second gas injection hole 220. And, the gas injected from the second gas injection hole 220 may flow to the first gas injection hole 210.

포켓홈부 상부 결합 단계(S230) 이전에, 새틀라이트 분리 단계를 포함할 수 있다. 구체적으로, 포켓홈부(230)에 기판(S)이 안착되는 새틀라이트가 포켓홈부(230)에 결합되어 있을 경우, 상기 새틀라이트 분리 단계에서 상기 새틀라이트를 포켓홈부(230)에서 분리하고, 포켓홈부 상부 결합 단계(S230)에서 포켓홈부(230)의 상부에 제 3 리턴 구조체(900)를 결합할 수 있다.Before the step of combining the upper part of the pocket groove (S230), a satellite separation step may be included. Specifically, when the satellite on which the substrate (S) is seated in the pocket groove portion 230 is coupled to the pocket groove portion 230, the satellite is separated from the pocket groove portion 230 in the satellite separation step, and the pocket In the groove upper coupling step (S230), the third return structure 900 may be coupled to the upper part of the pocket groove portion 230.

도 13 내지 도 16에 도시된 바와 같이, 제 1 가스 유동 단계(S300)는 상기 제 1 가스가 제 1 가스 유량제어부(520)를 통과하여 제 1 가스 공급라인(510)으로 공급되고, 제 2 가스 리턴라인(580)으로 리턴되어 제 2 가스 유량제어부(570)를 통과하도록 상기 제 1 가스를 유동시키는 단계이다.13 to 16, in the first gas flow step (S300), the first gas passes through the first gas flow control unit 520 and is supplied to the first gas supply line 510, and the second This is a step of flowing the first gas so that it returns to the gas return line 580 and passes through the second gas flow control unit 570.

도 14에 도시된 바와 같이, 상부 차단 단계(S200)가 샤프트 상부 결합 단계(S210)를 포함할 경우, 제 1 가스 유동 단계(S300)에서 상기 제 1 가스가 제 1 가스 공급라인(510), 제 1 가스 유량제어부(520), 샤프트(300)의 제 1 가스 전달유로(310), 제 1 리턴 구조체(700)의 제 1 리턴 홈부(710), 샤프트(300)의 제 2 가스 전달유로(320), 제 2 가스 공급라인(560), 제 2 가스 리턴라인(580), 제 2 가스 유량제어부(570)로 유동될 수 있다.As shown in FIG. 14, when the upper blocking step (S200) includes the upper shaft coupling step (S210), in the first gas flowing step (S300), the first gas is supplied through the first gas supply line 510, The first gas flow control unit 520, the first gas delivery passage 310 of the shaft 300, the first return groove 710 of the first return structure 700, and the second gas transmission passage of the shaft 300 ( 320), the second gas supply line 560, the second gas return line 580, and the second gas flow control unit 570.

도 15에 도시된 바와 같이, 상부 차단 단계(S200)가 클램프 상부 결합 단계(S220)를 포함할 경우, 제 1 가스 유동 단계(S300)에서 상기 제 1 가스가 제 1 가스 공급라인(510), 제 1 가스 유량제어부(520), 샤프트(300)의 제 1 가스 전달유로(310), 가스 분배 클램프(400)의 제 1 가스 분배유로(410), 제 2 리턴 구조체(800)의 제 2 리턴 홈부(830), 가스 분배 클램프(400)의 제 2 가스 분배유로(420), 샤프트(300)의 제 2 가스 전달유로(320), 제 2 가스 공급라인(560), 제 2 가스 리턴라인(580), 제 2 가스 유량제어부(570)로 유동될 수 있다.As shown in FIG. 15, when the upper blocking step (S200) includes the upper clamp coupling step (S220), the first gas is supplied to the first gas supply line 510 in the first gas flow step (S300), The first gas flow control unit 520, the first gas delivery passage 310 of the shaft 300, the first gas distribution passage 410 of the gas distribution clamp 400, and the second return of the second return structure 800. Groove portion 830, second gas distribution passage 420 of gas distribution clamp 400, second gas transmission passage 320 of shaft 300, second gas supply line 560, second gas return line ( 580), and may flow to the second gas flow control unit 570.

도 16에 도시된 바와 같이, 상부 차단 단계(S200)가 포켓홈부 상부 결합 단계(230)를 포함할 경우, 제 1 가스 유동 단계(S300)에서 제 1 가스가 제 1 가스 공급라인(510), 제 1 가스 유량제어부, 샤프트(300)의 제 1 가스 전달유로(310), 가스 분배 클램프(400)의 제 1 가스 분배유로(410), 기판 지지부(200)의 제 1 가스 분사홀(210), 제 3 리턴 구조체(900)의 제 3 리턴 홈부(930), 기판 지지부(200)의 제 2 가스 분사홀(220), 가스 분배 클램프(400)의 제 2 가스 분배유로(420), 샤프트(300)의 제 2 가스 전달유로(320), 제 2 가스 공급라인(560), 제 2 가스 리턴라인(580), 제 2 가스 유량제어부(570)로 유동될 수 있다.As shown in FIG. 16, when the upper blocking step (S200) includes the pocket groove upper coupling step (230), in the first gas flowing step (S300), the first gas is supplied to the first gas supply line 510, A first gas flow control unit, a first gas delivery passage 310 of the shaft 300, a first gas distribution passage 410 of the gas distribution clamp 400, and a first gas injection hole 210 of the substrate support 200. , the third return groove 930 of the third return structure 900, the second gas injection hole 220 of the substrate support 200, the second gas distribution passage 420 of the gas distribution clamp 400, and the shaft ( It may flow to the second gas delivery passage 320, the second gas supply line 560, the second gas return line 580, and the second gas flow control unit 570 of 300).

또한, 제 1 가스 유동 단계(S300)는 복수개의 포켓홈부(230)에 연결되는 각각의 유로에서 상기 제 1 가스를 유동시킬 수 있다. 구체적으로, 도 17에 도시된 바와 같이, 제 1 가스 유동 단계(S300)는 제 1-1 가스 유동 단계(S310) 및 제 1-2 가스 유동 단계(S320)를 포함할 수 있다.Additionally, in the first gas flow step (S300), the first gas may flow in each passage connected to the plurality of pocket groove portions 230. Specifically, as shown in FIG. 17, the first gas flow step (S300) may include a 1-1 gas flow step (S310) and a 1-2 gas flow step (S320).

제 1-1 가스 유동 단계(S310)는 상기 제 1 가스가 제 1 가스 유량제어부(520)를 통과하여 제 1 가스 공급라인(510)으로 공급되고, 제 2 가스 전달유로(320) 중 어느 하나인 제 2-1 가스 리턴라인으로 리턴되어 제 2-1 가스 유량제어부를 통과하도록 상기 제 1 가스를 유동시키는 단계이고, 제 1-2 가스 유동 단계(S320)는 상기 제 1 가스가 제 1 가스 유량제어부(520)를 통과하여 제 1 가스 공급라인(510)으로 공급되고, 제 2 가스 전달유로(320) 중 다른 하나인 제 2-2 가스 리턴라인으로 리턴되어 제 2-2 가스 유량제어부를 통과하도록 상기 제 1 가스를 유동시키는 단계이다.In the 1-1 gas flow step (S310), the first gas passes through the first gas flow control unit 520 and is supplied to the first gas supply line 510, and is supplied to one of the second gas delivery passages 320. is a step of flowing the first gas so that it is returned to the 2-1 gas return line and passes through the 2-1 gas flow control unit, and the 1-2 gas flow step (S320) is the first gas It passes through the flow control unit 520 and is supplied to the first gas supply line 510, and is returned to the 2-2 gas return line, which is another one of the second gas delivery passages 320, to the 2-2 gas flow control unit. This is the step of flowing the first gas to pass through.

이때, 샤프트 상부 결합 단계(S210), 클램프 상부 결합 단계(S220) 및 포켓홈부 상부 결합 단계(S230)를 포함하는 모든 상부 차단 단계(S200)에서 복수개의 포켓홈부(230)에 연결되는 각각의 유로에 대하여 제 1-1 가스 유동 단계(S310) 및 제 1-2 가스 유동 단계(S320)를 수행할 수 있다.At this time, in all upper blocking steps (S200) including the shaft upper coupling step (S210), the clamp upper coupling step (S220), and the pocket groove portion upper coupling step (S230), each flow path connected to the plurality of pocket groove portions 230 The 1-1 gas flow step (S310) and the 1-2 gas flow step (S320) may be performed.

즉, 가스 제어 라인(500)에서 각각의 제 2 가스 전달유로(320)와 연결된 유로들을 동일한 방법으로 각각 검사하여, 샤프트(300) 내부에 복수개로 형성된 제 2 가스 전달유로(320), 가스 분배 클램프(400) 내부에서 분기되는 제 1 가스 분배유로(410), 가스 분배 클램프(400) 내부에 복수개로 형성된 제 2 가스 분배유로(420), 기판 지지부(200) 내부에 복수개로 형성된 제 1 가스 분사홀(210), 제 2 가스 분사홀(220) 및 복수의 유로를 모두 검사할 수 있다. That is, the passages connected to each second gas transmission passage 320 in the gas control line 500 are inspected in the same manner, and the plurality of second gas transmission passages 320 formed inside the shaft 300 are used to distribute the gas. A first gas distribution passage 410 branched inside the clamp 400, a plurality of second gas distribution passages 420 formed inside the gas distribution clamp 400, and a plurality of first gas formed inside the substrate support 200. The injection hole 210, the second gas injection hole 220, and the plurality of flow paths can all be inspected.

도 13에 도시된 바와 같이, 비교 단계(S400)는 제 1 가스 유량제어부(520)와 제 2 가스 유량제어부(570)에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하는 단계이다.As shown in FIG. 13, the comparison step (S400) is a step of comparing the flow rates of the first gas measured by the first gas flow control unit 520 and the second gas flow control unit 570.

구체적으로, 비교 단계(S400)는 상기 제 1 가스가 유동된 유동량과 상기 리턴 가스로 되돌아온 유동량을 비교하여 각각의 유로들 및 샤프트(300)에 형성된 자성 유체 씰부(300)의 상태 및 각 부품의 교체 시기를 판단할 수 있다.Specifically, the comparison step (S400) compares the flow amount of the first gas and the return gas return amount to determine the status of the magnetic fluid seal portion 300 formed in each passage and the shaft 300 and the state of each component. You can determine the replacement time.

또한, 도시되지 않았지만, 제 1 가스 유동 단계(S300) 이후에, 제 2 가스 유동 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, although not shown, a second gas flow step may be further included after the first gas flow step (S300).

제 2 가스 유동 단계는 상기 제 2 가스가 제 2 가스 유량제어부(570)를 통과하여 제 2 가스 공급라인(560)으로 공급되고, 제 1 가스 리턴라인(530)으로 리턴되어 제 1 가스 유량제어부(520)를 통과하도록 상기 제 2 가스를 유동시키는 단계이다.In the second gas flow step, the second gas passes through the second gas flow control unit 570, is supplied to the second gas supply line 560, and is returned to the first gas return line 530 to be supplied to the first gas flow control unit. This is the step of flowing the second gas to pass through 520.

즉, 가스 제어 라인(500)에서 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스가 유동되는 유로를 동일하게 대응되도록 형성하여 제 1 가스 유동 단계(S300)을 수행한 이후에, 상기 제 2 가스 유동 단계를 수행할 수 있다.That is, after performing the first gas flow step (S300) by forming the flow paths through which the first gas and the second gas flow in the gas control line 500 to correspond equally, the second gas flow step is performed. It can be done.

따라서, 상기 제 1 가스의 정방향 유동과 상기 제 2 가스의 역방향 유동을 모두 측정하고 편차를 분석하여 각 유로별 가스의 공급을 최적화 할 수 있다.Therefore, the supply of gas for each flow path can be optimized by measuring both the forward flow of the first gas and the reverse flow of the second gas and analyzing the deviation.

본 발명의 기판 처리 장치 검사 방법은, 사프트(300), 가스 분배 클램프(400) 및 포켓홈부(230)의 상방을 차단하여, 내부에서 공급가스가 리턴될 수 있도록 하고, 공급량과 리턴량을 비교함으로써, 각 구조체 내부에 형성된 유로 및 실링부의 상태 및 교체 시기를 판단할 수 있고, 각 유로의 상태에 따라 공급되는 가스의 유량을 제어하여 복수의 기판들이 균일하게 부유 및 자전되는 효과를 가지고 있다.The substrate processing device inspection method of the present invention blocks the upper part of the shaft 300, the gas distribution clamp 400, and the pocket groove portion 230, allows the supply gas to return from the inside, and compares the supply amount and return amount. By doing so, it is possible to determine the status and replacement time of the flow path and sealing portion formed inside each structure, and the flow rate of the supplied gas is controlled according to the state of each flow path, which has the effect of allowing the plurality of substrates to float and rotate uniformly.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.

A: 처리 공간
S: 기판
100: 공정챔버
200: 기판 지지대
210: 제 1 가스 분사홀
220: 제 2 가스 분사홀
230: 포켓홈부
300: 샤프트
310: 제 1 가스 전달유로
320: 제 2 가스 전달유로
330: 자성 유체 씰부
400: 가스 분배 클램프
410: 제 1 가스 분배유로
420: 제 2 가스 분배유로
500: 가스 제어 라인
510: 제 1 가스 공급라인
511: 제 1-1 공급밸브
512: 제 1-2 공급밸브
520: 제 1 가스 유량제어부
521: 제 1 리턴밸브
530: 제 1 가스 리턴라인
531: 제 1 리턴밸브
540: 제 1 가스 배기라인
541: 제 1 배기밸브
560: 제 2 가스 공급라인
561: 제 2-1 공급밸브
562: 제 2-2 공급밸브
570: 제 2 가스 유량제어부
571: 제 2 리턴밸브
580: 제 2 가스 리턴라인
581: 제 2 리턴밸브
590: 제 2 가스 배기라인
591: 제 2 배기밸브
600: 가스 공급부
610: 제 1 가스 공급부
620: 제 2 가스 공급부
700: 제 1 리턴 구조체
710: 제 1 리턴 홈부
800: 제 2 리턴 구조체
810: 제 2 리턴 몸체
820: 제 2 리턴 홈부
830: 제 2 리턴 홈부
840: 제 2 리턴 실링부
850: 제 2 리턴 삽입부
900: 제 3 리턴 구조체
910: 제 1 가스 홈부
920: 제 2 가스 홈부
930: 제 3 리턴 홈부A: Processing space
S: substrate
100: Process chamber
200: substrate support
210: First gas injection hole
220: Second gas injection hole
230: Pocket groove part
300: shaft
310: First gas transmission channel
320: Second gas transmission channel
330: Magnetic fluid seal part
400: gas distribution clamp
410: First gas distribution channel
420: Second gas distribution channel
500: gas control line
510: First gas supply line
511: 1-1 supply valve
512: 1-2 supply valve
520: First gas flow control unit
521: first return valve
530: First gas return line
531: first return valve
540: First gas exhaust line
541: first exhaust valve
560: Second gas supply line
561: 2-1 supply valve
562: 2-2 supply valve
570: Second gas flow control unit
571: Second return valve
580: Second gas return line
581: Second return valve
590: Second gas exhaust line
591: Second exhaust valve
600: Gas supply unit
610: First gas supply unit
620: Second gas supply unit
700: first return structure
710: First return groove
800: second return structure
810: second return body
820: Second return groove
830: Second return groove
840: Second return sealing part
850: second return insertion portion
900: Third return structure
910: First gas groove
920: Second gas groove
930: Third return groove

Claims (17)

기판이 처리되는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;
상기 처리 공간에 형성되어 상기 기판이 안착될 수 있도록 상면에 복수개의 포켓홈부가 형성되며 상기 포켓홈부 내에서 상기 기판을 향하여 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사홀 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사홀이 형성되는 기판 지지부를 지지하고, 상기 제 1 가스 분사홀과 연통된 제 1 가스 전달유로 및 상기 제 2 가스 분사홀과 연통된 제 2 가스 전달유로가 형성되는 샤프트; 및
상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스의 유동을 제어할 수 있도록 상기 샤프트와 연결된 가스 제어 라인;
을 포함하고,
상기 가스 제어 라인은,
상기 공정 챔버의 외부에 형성된 제 1 가스 공급부에서 상기 제 1 가스 전달유로까지 유로로 연결된 제 1 가스 공급라인;
상기 제 1 가스 공급라인에 형성되어 상기 제 1 가스의 유동을 제어하는 제 1 가스 유량제어부;
상기 공정 챔버의 외부에 형성된 제 2 가스 공급부에서 상기 제 2 가스 전달유로까지 유로로 연결된 제 2 가스 공급라인;
상기 제 2 가스 공급라인에 형성되어 상기 제 2 가스의 유동을 제어하는 제 2 가스 유량제어부; 및
상기 제 2 가스 유량제어부의 인입부에 연결된 유로의 어느 한 지점과 배출구에 연결된 유로의 다른 한 지점을 연결하여, 상기 제 2 가스 공급라인의 일부 구간을 우회하는 유로로 형성되는 제 2 가스 리턴라인;
을 포함하는, 기판 처리 장치.a process chamber in which a processing space in which a substrate is processed is formed;
A plurality of pocket grooves are formed in the processing space on the upper surface so that the substrate can be seated, and a first gas injection hole for spraying a first gas toward the substrate within the pocket groove portion and a second gas spray hole for spraying a second gas are formed in the processing space. a shaft that supports a substrate support portion on which two gas injection holes are formed, and on which a first gas transmission passage communicating with the first gas injection hole and a second gas transmission passage communicating with the second gas injection hole are formed; and
a gas control line connected to the shaft to control flows of the first gas and the second gas;
Including,
The gas control line is,
a first gas supply line connected by a flow path from a first gas supply unit formed outside the process chamber to the first gas delivery channel;
a first gas flow control unit formed in the first gas supply line to control the flow of the first gas;
a second gas supply line connected by a flow path from a second gas supply unit formed outside the process chamber to the second gas delivery channel;
a second gas flow control unit formed in the second gas supply line to control the flow of the second gas; and
A second gas return line formed as a flow path that bypasses a portion of the second gas supply line by connecting one point of the flow path connected to the inlet of the second gas flow control unit with another point of the flow path connected to the outlet. ;
A substrate processing device comprising: 제 1 항에 있어서,
상기 가스 제어 라인은,
상기 제 2 가스 공급라인에 형성되고, 상기 제 2 가스 공급라인을 개폐하여 상기 제 2 가스의 유동을 제어하는 제 2-1 공급밸브; 및
상기 제 2 가스 리턴라인에 형성되고, 상기 제 2 가스 리턴라인을 개폐하여 리턴된 가스의 유동을 제어하는 제 2 리턴밸브;
를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The gas control line is,
a 2-1 supply valve formed in the second gas supply line and controlling the flow of the second gas by opening and closing the second gas supply line; and
a second return valve formed in the second gas return line and controlling the flow of returned gas by opening and closing the second gas return line;
A substrate processing device further comprising: 제 1 항에 있어서,
상기 가스 제어 라인은,
상기 제 2 가스 유량제어부의 배출부와 상기 제 2 가스 리턴라인 사이를 연결하는 제 2 가스 전달유로의 어느 한 지점에서 연장되어 형성되어, 상기 제 2 가스 전달유로로부터 되돌아온 리턴 가스를 외부로 배기하는 제 2 가스 배기라인;
을 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The gas control line is,
It is formed to extend from a certain point of the second gas delivery passage connecting the discharge part of the second gas flow control unit and the second gas return line, and exhausts the return gas returned from the second gas delivery passage to the outside. second gas exhaust line;
A substrate processing device further comprising: 제 3 항에 있어서,
상기 가스 제어 라인은,
상기 제 2 가스 배기라인에 형성되고, 상기 제 2 가스 배기라인을 개폐하여 상기 리턴 가스의 배기를 제어하는 제 2 배기밸브;
를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 3,
The gas control line is,
a second exhaust valve formed in the second gas exhaust line and controlling exhaust of the return gas by opening and closing the second gas exhaust line;
A substrate processing device further comprising: 제 1 항에 있어서,
상기 가스 제어 라인은,
상기 제 1 가스 유량제어부의 인입부에 연결된 유로의 어느 한 지점과 배출구에 연결된 유로의 다른 한 지점을 연결하여, 상기 제 1 가스 공급라인의 일부 구간을 우회하는 유로로 형성되는 제 1 가스 리턴라인;
상기 제 1 가스 공급라인에 형성되고, 상기 제 1 가스 공급라인을 개폐하여 상기 제 1 가스의 유동을 제어하는 제 1-1 공급밸브; 및
상기 제 1 가스 리턴라인에 형성되고, 상기 제 1 가스 리턴라인을 개폐하여 리턴된 가스의 유동을 제어하는 제 1 리턴밸브;
를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The gas control line is,
A first gas return line formed as a flow path that bypasses a portion of the first gas supply line by connecting one point of the flow path connected to the inlet of the first gas flow control unit with another point of the flow path connected to the outlet. ;
a 1-1 supply valve formed in the first gas supply line and controlling the flow of the first gas by opening and closing the first gas supply line; and
a first return valve formed in the first gas return line and controlling the flow of returned gas by opening and closing the first gas return line;
A substrate processing device further comprising: 제 5 항에 있어서,
상기 가스 제어 라인은,
상기 제 1 가스 유량제어부의 배출부와 상기 제 1 가스 리턴라인 사이를 연결하는 제 1 가스 전달유로의 어느 한 지점에서 연장되어 형성되어, 상기 제 1 가스 전달유로로부터 되돌아온 리턴 가스를 외부로 배기하는 제 1 가스 배기라인; 및
상기 제 1 가스 배기라인에 형성되고, 상기 제 1 가스 배기라인을 개폐하여 상기 리턴 가스의 배기를 제어하는 제 1 배기밸브;
를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 5,
The gas control line is,
It is formed to extend from a certain point of the first gas delivery passage connecting the discharge part of the first gas flow control unit and the first gas return line, and exhausts the return gas returned from the first gas delivery passage to the outside. first gas exhaust line; and
a first exhaust valve formed in the first gas exhaust line and controlling exhaust of the return gas by opening and closing the first gas exhaust line;
A substrate processing device further comprising: 제 1 항에 있어서,
상기 샤프트의 상부에 결합되고, 상기 샤프트와의 결합면에 상기 제 1 가스 전달유로와 상기 제 2 가스 전달유로가 연통되는 제 1 리턴 홈부가 형성되는 제 1 리턴 구조체;
를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
a first return structure coupled to the upper part of the shaft and having a first return groove formed on a surface coupled to the shaft through which the first gas transmission passage and the second gas transmission passage communicate;
A substrate processing device further comprising: 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 가스 공급부에서 공급되는 상기 제 1 가스가, 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 제 1 리턴 구조체의 상기 제 1 리턴 홈부, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동되고,
상기 제 1 가스 유량제어부와 상기 제 2 가스 유량제어부에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하여 상기 샤프트 내부에 복수개로 형성된 유로의 유동을 검사하는, 기판 처리 장치.According to claim 7,
The first gas supplied from the first gas supply unit, the first gas supply line, the first gas flow control unit, the first gas transmission passage of the shaft, the first return groove of the first return structure, flows to the second gas transmission passage, the second gas supply line, the second gas return line, and the second gas flow control unit of the shaft,
A substrate processing apparatus that compares flow rates of the first gas measured by the first gas flow rate control unit and the second gas flow control unit to inspect the flow of a plurality of flow paths formed inside the shaft. 제 1 항에 있어서,
상기 샤프트 상부에 결합되고, 상기 제 1 가스 전달유로와 연통되는 제 1 가스 분배유로 및 상기 제 2 가스 전달유로와 연통되는 제 2 가스 분배유로가 내부에 형성되는 가스 분배 클램프; 및
상기 가스 분배 클램프의 상부에 결합되고, 상기 가스 분배 클램프와의 결합면에 상기 제 1 가스 분배유로와 상기 제 2 가스 분배유로가 연통되는 제 2 리턴 홈부가 형성되는 제 2 리턴 구조체;
를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
a gas distribution clamp coupled to the upper part of the shaft and having a first gas distribution passage communicating with the first gas transmission passage and a second gas distribution passage communicating with the second gas transmission passage formed therein; and
a second return structure coupled to an upper portion of the gas distribution clamp and having a second return groove formed on a surface coupled to the gas distribution clamp through which the first gas distribution passage and the second gas distribution passage communicate;
A substrate processing device further comprising: 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 가스 공급부에서 공급되는 상기 제 1 가스가, 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 1 가스 분배유로, 상기 제 2 리턴 구조체의 상기 제 2 리턴 홈부, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 2 가스 분배유로, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동되고,
상기 제 1 가스 유량제어부와 상기 제 2 가스 유량제어부에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하여 상기 가스 분배 클램프의 내부에 형성된 유로의 분기 유동을 검사하는, 기판 처리 장치.According to clause 9,
The first gas supplied from the first gas supply unit, the first gas supply line, the first gas flow control unit, the first gas delivery passage of the shaft, the first gas distribution passage of the gas distribution clamp, The second return groove of the second return structure, the second gas distribution passage of the gas distribution clamp, the second gas transmission passage of the shaft, the second gas supply line, the second gas return line, and the first gas distribution passage. 2 flows to the gas flow control unit,
A substrate processing apparatus that compares flow rates of the first gas measured by the first gas flow rate control unit and the second gas flow control unit to inspect branched flows of a flow path formed inside the gas distribution clamp. 제 1 항에 있어서,
상기 샤프트 상부에 결합되고, 상기 제 1 가스 전달유로와 연통되는 제 1 가스 분배유로 및 상기 제 2 가스 전달유로와 연통되는 제 2 가스 분배유로가 내부에 형성되는 가스 분배 클램프;
상기 샤프트의 상부에 결합되는 상기 기판 지지부; 및
상기 포켓홈부에 결합되고, 상기 포켓홈부와의 결합면에 상기 제 1 가스 분사홀과 상기 제 2 가스 분사홀이 연통되는 제 3 리턴 홈부가 형성되는 제 3 리턴 구조체;
를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
a gas distribution clamp coupled to the upper part of the shaft and having a first gas distribution passage communicating with the first gas transmission passage and a second gas distribution passage communicating with the second gas transmission passage formed therein;
The substrate support part coupled to the upper part of the shaft; and
a third return structure coupled to the pocket groove portion and having a third return groove portion formed on a surface coupled to the pocket groove portion through which the first gas injection hole and the second gas injection hole communicate with each other;
A substrate processing device further comprising: 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 가스 공급부에서 공급되는 상기 제 1 가스가, 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 1 가스 분배유로, 상기 기판 지지부의 상기 제 1 가스 분사홀, 상기 제 3 리턴 구조체의 상기 제 3 리턴 홈부, 상기 기판 지지부의 상기 제 2 가스 분사홀, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 2 가스 분배유로, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동되고,
상기 제 1 가스 유량제어부와 상기 제 2 가스 유량제어부에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하여 상기 기판 지지부의 내부에 복수개로 형성된 유로의 유동을 검사하는, 기판 처리 장치.According to claim 11,
The first gas supplied from the first gas supply unit, the first gas supply line, the first gas flow control unit, the first gas delivery passage of the shaft, the first gas distribution passage of the gas distribution clamp, The first gas injection hole of the substrate support portion, the third return groove portion of the third return structure, the second gas injection hole of the substrate support portion, the second gas distribution passage of the gas distribution clamp, and the shaft of the shaft. flows to the second gas delivery passage, the second gas supply line, the second gas return line, and the second gas flow control unit,
A substrate processing apparatus that compares the flow rates of the first gas measured by the first gas flow control unit and the second gas flow control unit to inspect the flow of a plurality of flow paths formed inside the substrate support unit. 기판이 처리되는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버와, 상기 처리 공간에 형성되어 상기 기판이 안착될 수 있도록 상면에 복수개의 포켓홈부가 형성되며 상기 포켓홈부 내에서 상기 기판을 향하여 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사홀 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사홀이 형성되는 기판 지지부를 지지하고 상기 제 1 가스 분사홀과 연통된 제 1 가스 전달유로 및 상기 제 2 가스 분사홀과 연통된 제 2 가스 전달유로가 형성되는 샤프트와, 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스의 유동을 제어할 수 있도록 내부에 상기 샤프트와 연결된 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스의 유동을 제어하는 제 1 가스 유량제어부, 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스의 유동을 제어하는 제 2 가스 유량제어부 및 상기 제 2 가스 공급라인의 일부 구간을 우회하는 제 2 가스 리턴라인이 형성된 가스 제어 라인을 포함하는 기판 처리 장치를 준비하는 기판 처리 장치 준비 단계;
상기 제 1 가스 공급라인과 상기 제 2 가스 공급라인이 연통되도록 상기 샤프트의 상방을 차단하는 상부 차단 단계;
상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 유량제어부를 통과하여 상기 제 1 가스 공급라인으로 공급되고, 상기 제 2 가스 리턴라인으로 리턴되어 상기 제 2 가스 유량제어부를 통과하도록 상기 제 1 가스를 유동시키는 제 1 가스 유동 단계; 및
상기 제 1 가스 유량제어부와 상기 제 2 가스 유량제어부에서 측정된 상기 제 1 가스의 유량을 비교하는 비교 단계;
를 포함하는, 기판 처리 장치 검사 방법.A process chamber in which a processing space in which a substrate is processed is formed, a plurality of pocket grooves formed in the processing space on the upper surface to allow the substrate to be seated, and a first gas sprayed from the pocket grooves toward the substrate. A first gas transmission passage communicating with the first gas injection hole and the second gas injection hole supports a substrate support portion on which a first gas injection hole and a second gas injection hole for spraying a second gas are formed, and the first gas injection hole communicates with the second gas injection hole. 2 A shaft on which a gas transmission passage is formed, a first gas supply line internally connected to the shaft to control the flow of the first gas and the second gas, and a first gas that controls the flow of the first gas A substrate including a gas control line including a flow control unit, a second gas supply line, a second gas flow control unit that controls the flow of the second gas, and a second gas return line that bypasses a portion of the second gas supply line. A substrate processing device preparation step of preparing the processing device;
An upper blocking step of blocking the upper part of the shaft so that the first gas supply line and the second gas supply line communicate with each other;
A device that flows the first gas so that the first gas passes through the first gas flow control unit, is supplied to the first gas supply line, and is returned to the second gas return line and passes the second gas flow control unit. 1 gas flow stage; and
A comparison step of comparing flow rates of the first gas measured by the first gas flow control unit and the second gas flow control unit;
Including, a method for inspecting a substrate processing device. 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 가스 유동 단계는,
상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 유량제어부를 통과하여 상기 제 1 가스 공급라인으로 공급되고, 상기 제 2 가스 전달유로 중 어느 하나인 제 2-1 가스 리턴라인으로 리턴되어 제 2-1 가스 유량제어부를 통과하도록 상기 제 1 가스를 유동시키는 제 1-1 가스 유동 단계; 및
상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 유량제어부를 통과하여 상기 제 1 가스 공급라인으로 공급되고, 상기 제 2 가스 전달유로 중 다른 하나인 제 2-2 가스 리턴라인으로 리턴되어 제 2-2 가스 유량제어부를 통과하도록 상기 제 1 가스를 유동시키는 제 1-2 가스 유동 단계;
를 포함하는, 기판 처리 장치 검사 방법.According to claim 13,
The first gas flow step is,
The first gas passes through the first gas flow control unit, is supplied to the first gas supply line, and is returned to the 2-1 gas return line, which is one of the second gas delivery channels, to adjust the 2-1 gas flow rate. A 1-1 gas flow step of flowing the first gas to pass through a control unit; and
The first gas passes through the first gas flow control unit, is supplied to the first gas supply line, and is returned to the 2-2 gas return line, which is another one of the second gas delivery channels, to adjust the 2-2 gas flow rate. A 1-2 gas flow step of flowing the first gas to pass through a control unit;
Including, a method for inspecting a substrate processing device. 제 13 항에 있어서,
상기 상부 차단 단계는,
상기 제 1 가스 전달유로와 상기 제 2 가스 전달유로가 연통되는 제 1 리턴 홈부가 형성되는 제 1 리턴 구조체가 상기 샤프트의 상부에 결합되어 상기 샤프트 상부를 차단하는 샤프트 상부 결합 단계;
를 포함하고,
상기 제 1 가스 유동 단계에서,
상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 제 1 리턴 구조체의 상기 제 1 리턴 홈부, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동되는, 기판 처리 장치 검사 방법.According to claim 13,
The upper blocking step is,
A shaft upper coupling step of blocking the upper part of the shaft by coupling a first return structure, in which a first return groove portion through which the first gas transmission passage and the second gas transmission passage communicate, is formed to the upper part of the shaft;
Including,
In the first gas flow step,
The first gas is supplied through the first gas supply line, the first gas flow control unit, the first gas delivery passage of the shaft, the first return groove of the first return structure, and the second gas delivery passage of the shaft. , flowing to the second gas supply line, the second gas return line, and the second gas flow control unit. 제 13 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치 준비 단계에서,
상기 샤프트 상부에 결합되고, 상기 제 1 가스 전달유로와 연통되는 제 1 가스 분배유로 및 상기 제 2 가스 전달유로와 연통되는 제 2 가스 분배유로가 내부에 형성되는 가스 분배 클램프를 포함하는 기판 처리 장치를 준비하고,
상기 상부 차단 단계는,
상기 제 1 가스 분배유로와 상기 제 2 가스 분배유로가 연통되는 제 2 리턴 홈부가 형성되는 제 2 리턴 구조체가 상기 가스 분배 클램프의 상부에 결합되어 상기 가스 분배 클램프의 상부를 차단하는 클램프 상부 결합 단계;를 포함하고,
상기 제 1 가스 유동 단계에서,
상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 1 가스 분배유로, 상기 제 2 리턴 구조체의 상기 제 2 리턴 홈부, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 2 가스 분배유로, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동되는, 기판 처리 장치 검사 방법.According to claim 13,
In the substrate processing device preparation step,
A substrate processing apparatus including a gas distribution clamp coupled to the upper part of the shaft and having a first gas distribution passage communicating with the first gas delivery passage and a second gas distribution passage communicating with the second gas delivery passage formed therein. prepare,
The upper blocking step is,
A clamp upper coupling step in which a second return structure in which a second return groove communicating with the first gas distribution passage and the second gas distribution passage is formed is coupled to the upper portion of the gas distribution clamp to block the upper portion of the gas distribution clamp. Contains ;,
In the first gas flow step,
The first gas is supplied to the first gas supply line, the first gas flow control unit, the first gas delivery passage of the shaft, the first gas distribution passage of the gas distribution clamp, and the second gas distribution passage of the second return structure. A substrate flowing through a return groove, the second gas distribution passage of the gas distribution clamp, the second gas transmission passage of the shaft, the second gas supply line, the second gas return line, and the second gas flow control unit. How to inspect a processing unit. 제 13 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치 준비 단계에서,
상기 샤프트 상부에 결합되고, 상기 제 1 가스 전달유로와 연통되는 제 1 가스 분배유로 및 상기 제 2 가스 전달유로와 연통되는 제 2 가스 분배유로가 내부에 형성되는 가스 분배 클램프와, 상기 샤프트의 상부에 결합되는 상기 기판 지지부를 포함하는 기판 처리 장치를 준비하고,
상기 상부 차단 단계는,
상기 제 1 가스 분사홀과 상기 제 2 가스 분사홀이 연통되는 제 3 리턴 홈부가 형성되는 제 3 리턴 구조체가 상기 포켓홈부에 결합되어 상기 기판 지지부의 상부면를 차단하는 포켓홈부 상부 결합 단계;를 포함하고,
상기 제 1 가스 유동 단계에서,
상기 제 1 가스가 상기 제 1 가스 공급라인, 상기 제 1 가스 유량제어부, 상기 샤프트의 상기 제 1 가스 전달유로, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 1 가스 분배유로, 상기 기판 지지부의 상기 제 1 가스 분사홀, 상기 제 3 리턴 구조체의 상기 제 3 리턴 홈부, 상기 기판 지지부의 상기 제 2 가스 분사홀, 상기 가스 분배 클램프의 상기 제 2 가스 분배유로, 상기 샤프트의 상기 제 2 가스 전달유로, 상기 제 2 가스 공급라인, 상기 제 2 가스 리턴라인, 상기 제 2 가스 유량제어부로 유동되는, 기판 처리 장치 검사 방법.
According to claim 13,
In the substrate processing device preparation step,
A gas distribution clamp coupled to the upper part of the shaft and having a first gas distribution passage communicating with the first gas transmission passage and a second gas distribution passage communicating with the second gas transmission passage formed therein, and an upper portion of the shaft Prepare a substrate processing device including the substrate support coupled to,
The upper blocking step is,
A third return structure having a third return groove communicating with the first gas injection hole and the second gas injection hole is coupled to the pocket groove portion to block the upper surface of the substrate support portion. do,
In the first gas flow step,
The first gas is sprayed through the first gas supply line, the first gas flow control unit, the first gas delivery passage of the shaft, the first gas distribution passage of the gas distribution clamp, and the first gas injection of the substrate support unit. hole, the third return groove of the third return structure, the second gas injection hole of the substrate support part, the second gas distribution passage of the gas distribution clamp, the second gas transmission passage of the shaft, and the second gas distribution passage of the shaft. A method of inspecting a substrate processing device, wherein the gas flows to a gas supply line, the second gas return line, and the second gas flow control unit.
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