KR20240051775A - Micro led display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20240051775A
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김성호
장기철
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Abstract

본 발명은 마이크로 LED 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 투명기판과 투명기판 상부에 애노드 및 캐소드 전극이 상부에 노출되도록 마이크로 LED가 구비되는 마이크로 LED층과, 마이크로 LED층 상부에 형성되며, 게이트 전압인가전극, 데이터 전압인가전극, LED용 Vss 전압인가전극 및 LED용 Vdd 전압인가전극이 구비되는 신호공급선층 및 신호공급선층 상부에 유기 물질로 형성되는 제1유기TFT 및 제2유기TFT를 포함하는 유기 TFT층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단위 화소 전극이 개시된다.
본 발명에서 제시한 공정에 의하면 마이크로 LED 표시장치 및 이의 제조 방법에 의하면 마이크로 엘이디를 이용한 표시장치를 간단히 구현할 수 있게 되었다.The present invention relates to a micro LED display device and a method of manufacturing the same.
In the present invention, a transparent substrate and a micro LED layer equipped with micro LEDs such that the anode and cathode electrodes are exposed on top of the transparent substrate are formed on the top of the micro LED layer, and a gate voltage application electrode, a data voltage application electrode, and a Vss for LED are provided. A unit comprising a signal supply line layer provided with a voltage application electrode and a Vdd voltage application electrode for an LED, and an organic TFT layer including a first organic TFT and a second organic TFT formed of an organic material on the upper part of the signal supply line layer. A pixel electrode is initiated.
According to the process presented in the present invention, the micro LED display device and its manufacturing method make it possible to simply implement a display device using a micro LED.

Description

마이크로 LED 표시장치 및 이의 제조 방법{MICRO LED DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Micro LED display device and manufacturing method thereof {MICRO LED DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 마이크로 LED 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 유기 TFT로 드라이버 전극을 구성하는 마이크로 LED 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a micro LED display device and a manufacturing method thereof, and more specifically, to a micro LED display device in which a driver electrode is composed of an organic TFT and a manufacturing method thereof.

LED(Light Emitting Diode)는 조명 장치용 광원은 물론 TV, 휴대폰, PC, 노트북 PC, PDA 등과 같은 다양한 전자 제품의 각종 디스플레이 장치들을 위한 광원으로 널리 사용되고 있다.LED (Light Emitting Diode) is widely used as a light source for lighting devices as well as various display devices in various electronic products such as TVs, mobile phones, PCs, laptop PCs, and PDAs.

특히, 최근에는 그 크기가 100㎛ 이하인 마이크로 LED(micro LED)가 개발되고 있으며, 마이크로 LED는 기존의 LED에 비해 빠른 반응 속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있어 차세대 디스플레이의 발광 소자로서 각광받고 있다.In particular, micro LEDs with a size of 100㎛ or less have been developed recently, and micro LEDs are in the spotlight as light-emitting devices for next-generation displays because they have faster response speeds, lower power, and higher brightness than existing LEDs. .

마이크로 LED 표시장치에서 픽셀을 TFT 전극을 이용하여 능동적으로 구동하는 방식(active driving)으로는 하나의 TFT 전극으로 마이크로 LED를 구동시키는 PWM 방식과 2개의 TFT 전극을 이용하여 마이크로 LED를 구동시키는 2T1C(2 transistors 1 capacitor) 방식이 있다. PWM 방식은 구조가 간단한 반면 마이크로 LED를 구동시키기 위해 순간적으로 많은 전류가 필요하다는 문제점이 있다. 이러한 이유로 최근에는 2T1C 구조를 주로 채택하고 있다.Active driving methods for actively driving pixels in a micro LED display device using TFT electrodes include the PWM method, which drives the micro LED with one TFT electrode, and the 2T1C (2T1C) method, which drives the micro LED using two TFT electrodes. There is a 2 transistors 1 capacitor method. Although the PWM method has a simple structure, it has the problem that a large amount of current is momentarily required to drive the micro LED. For this reason, the 2T1C structure has been mainly adopted recently.

이와 같이 능동적으로 구동되는 종래 마이크로 LED 표시장치는 TFT 전극을 필요로 한다. 종래 마이크로 LED 표시장치는 글라스 기판에 형성된 TFT 층 상부에 마이크로 LED를 전사하여 표시 장치로 구현하므로 제조 공정이 까다롭고 마이크로 LED를 TFT 전극층 상부에 전사하는데 어려움이 있었다.Such an actively driven conventional micro LED display device requires TFT electrodes. Conventional micro LED display devices are implemented as display devices by transferring micro LEDs onto the top of the TFT layer formed on a glass substrate, so the manufacturing process is difficult and it is difficult to transfer the micro LEDs onto the top of the TFT electrode layer.

한국공개특허 제10-2021-0078766호Korean Patent Publication No. 10-2021-0078766

본 발명은 상기와 같은 제조 공정을 어려움을 해소하고자 하는 것으로서 간단한 공정으로 제조가 가능하고 마이크로 LED 전사가 편리한 마이크로 LED 표시장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention aims to solve the difficulties in the above manufacturing process and to provide a micro LED display device that can be manufactured in a simple process and is convenient for micro LED transfer, and a method for manufacturing the same.

본 발명의 상기 목적은 투명기판과 투명기판 상부에 애노드 및 캐소드 전극이 상부에 노출되도록 마이크로 LED가 구비되는 마이크로 LED층과, 마이크로 LED층 상부에 형성되며, 게이트 전압인가전극, 데이터 전압인가전극, LED용 Vss 전압인가전극 및 LED용 Vdd 전압인가전극이 구비되는 신호공급선층 및 신호공급선층 상부에 유기 물질로 형성되는 제1유기TFT 및 제2유기TFT를 포함하는 유기 TFT층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단위 화소 전극에 의해서 달성 가능하다.The above object of the present invention is a transparent substrate and a micro LED layer provided with micro LEDs so that the anode and cathode electrodes are exposed on top of the transparent substrate, and formed on the top of the micro LED layer, a gate voltage applying electrode, a data voltage applying electrode, Characterized by comprising a signal supply line layer provided with a Vss voltage application electrode for LED and a Vdd voltage application electrode for LED, and an organic TFT layer including a first organic TFT and a second organic TFT formed of an organic material on the upper part of the signal supply line layer. This can be achieved by using a unit pixel electrode.

본 발명에 따른 마이크로 LED 표시장치 및 이의 제조 방법에 의하면 투명기판 상부에 미리 전사된 마이크로 LED를 이용하므로 마이크로 LED 전사 문제를 해결할 수 있게 되었다.According to the micro LED display device and its manufacturing method according to the present invention, the micro LED transfer problem can be solved by using micro LEDs pre-transferred on the upper part of a transparent substrate.

또한, 본 발명에 따른 마이크로 LED 표시장치 및 이의 제조 방법에 의하면 미리 전사된 마이크로 LED 상부에 재배선(Redistribution Layer) 공정을 이용하여 신호공급선층을 형성하고, 신호공급선층 상부에 인쇄 공정으로 TFT 전극을 형성함으로써 간단한 공정으로 표시 장치를 제조할 수 있게 되었다.In addition, according to the micro LED display device and its manufacturing method according to the present invention, a signal supply line layer is formed on the upper part of the pre-transferred micro LED using a redistribution layer process, and a TFT electrode is formed on the upper part of the signal supply line layer through a printing process. By forming a display device, it became possible to manufacture a display device through a simple process.

도 1은 행과 열로 형성되는 노드 지점에 마이크로 LED로 형성되는 하나의 픽셀을 각각 구비하는 표시장치의 개략도.
도 2는 도 1에 제시된 단위 화소 전극의 등가 회로도.
도 3은 본 발명에 따른 일 실시예로서 유기 TFT 구동 전극을 갖는 마이크로 LED 표시장치를 구성하는 단위 화소 전극의 구조도.
도 4는 본 발명에 따른 일실시예로서 유기 TFT 구동 전극을 갖는 마이크로 LED 표시장치를 구성하는 단위 화소 전극의 구조도.
도 5 내지 도 12는 도 3에 제시된 유기 TFT 구동 전극을 갖는 마이크로 LED 표시장치를 구성하는 단위 화소 전극의 제조 공정도.
도 13은 본 발명에 따라 형성된 마이크로 LED의 단위 화소 전극의 평면 레이아웃도.FIG. 1 is a schematic diagram of a display device each including one pixel formed of micro LEDs at node points formed by rows and columns.
Figure 2 is an equivalent circuit diagram of the unit pixel electrode shown in Figure 1.
Figure 3 is a structural diagram of a unit pixel electrode constituting a micro LED display device with an organic TFT driving electrode as an embodiment according to the present invention.
Figure 4 is a structural diagram of a unit pixel electrode constituting a micro LED display device with an organic TFT driving electrode as an embodiment according to the present invention.
5 to 12 are manufacturing process diagrams of unit pixel electrodes constituting the micro LED display device having the organic TFT driving electrode shown in FIG. 3.
13 is a plan layout diagram of a unit pixel electrode of a micro LED formed according to the present invention.

본 발명에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present invention are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

또한, 본 명세서에서, "~ 상에 또는 ~ 상부에" 라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다. 또한, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에 또는 상부에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에 또는 상부에" 접촉하여 있거나 간격을 두고 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In addition, in this specification, “on or above” means located above or below the target portion, and does not necessarily mean located above the direction of gravity. Additionally, when a part of a region, plate, etc. is said to be “on or above” another part, this does not only mean that it is in contact with or at a distance “directly on or above” another part, but also that there is another part in between. Also includes cases where there are.

또한, 본 명세서에서, 일 구성요소가 다른 구성요소와 "연결된다" 거나 "접속된다" 등으로 언급된 때에는, 상기 일 구성요소가 상기 다른 구성요소와 직접 연결되거나 또는 직접 접속될 수도 있지만, 특별히 반대되는 기재가 존재하지 않는 이상, 중간에 또 다른 구성요소를 매개하여 연결되거나 또는 접속될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in this specification, when a component is referred to as "connected" or "connected" to another component, the component may be directly connected or directly connected to the other component, but specifically Unless there is a contrary description, it should be understood that it may be connected or connected through another component in the middle.

또한, 본 명세서에서, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Additionally, in this specification, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

도 1은 행과 열로 형성되는 노드 지점에 마이크로 LED로 형성되는 하나의 픽셀을 각각 구비하는 표시장치의 개략도이다. 하나의 픽셀을 단위 화소 전극이라고 표현하기도 한다. 게이트 드라이버는 복수 개 게이트 라인(31a, 31b, 31c)에 순차적으로 전압을 인가하며, 데이터 드라이버는 활성화된 게이트 라인에 연결된 각 화소 전극에 데이터 라인(51a, 51b, 51c)를 통해 데이터를 공급하여 하나의 프레임을 형성하게 된다.Figure 1 is a schematic diagram of a display device each having one pixel formed by a micro LED at a node point formed by rows and columns. One pixel is also referred to as a unit pixel electrode. The gate driver sequentially applies voltage to a plurality of gate lines (31a, 31b, 31c), and the data driver supplies data through the data lines (51a, 51b, 51c) to each pixel electrode connected to the activated gate line. It forms one frame.

도 2는 도 1에 제시된 단위 화소 전극의 등가 회로도이다. 도 2에서 DATA 전압은 데이터(열) 드라이버에 의해 공급되는 영상 데이터를 의미하며 게이트 전압은 게이드 드라이버로부터 공급되는 전압을 의미한다. 단위 화소 전극(100)은 2개의 트랜지스터와 한 개의 캐패시터로 구성된 2T1C 구조로 형성됨을 알 수 있다. 제1유기TFT(OTFT1)는 인가되는 데이터 전압에 따라 제2유기TFT(OTFT2)에 공급되는 전압을 조절하고, 제2유기TFT(OTFT2)는 조절된 게이트 전압에 따라 마이크로 LED(21)에 전류를 공급하면서 영상 프레임을 형성한다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the unit pixel electrode shown in FIG. 1. In FIG. 2, the DATA voltage refers to image data supplied by a data (column) driver, and the gate voltage refers to the voltage supplied from the gate driver. It can be seen that the unit pixel electrode 100 is formed in a 2T1C structure consisting of two transistors and one capacitor. The first organic TFT (OTFT1) adjusts the voltage supplied to the second organic TFT (OTFT2) according to the applied data voltage, and the second organic TFT (OTFT2) supplies a current to the micro LED 21 according to the adjusted gate voltage. Forms an image frame while supplying .

도 3은 본 발명에 따른 유기 TFT 구동 전극을 갖는 마이크로 LED 표시장치를 구성하는 단위 화소 전극의 구조도이다. 단위 화소 전극은 공통 캐소드 전극으로 접속되는 R, G, B 마이크로 LED로 형성된다. 도 3에서는 단위 화소 전극이 하나의 LED만으로 형성되는 것으로 도시되어 있으나 단위 화소는 R, G, B 마이크로 LED로 구성되는 것으로 이해되어져야 한다. 본 발명에 따른 마이크로 LED 표시장치는 도 3에 제시된 단위 화소 전극을 행과 열로 복수 개 배치하여 형성한다. 도 3에 제시된 단위 화소 전극은 구동 전극을 두 개의 유기 TFT(제1유기 TFT, 제2유기 TFT)전극으로 구현하여 마이크로 LED의 밝기를 제어하는 것을 특징으로 한다.Figure 3 is a structural diagram of a unit pixel electrode constituting a micro LED display device with an organic TFT driving electrode according to the present invention. The unit pixel electrode is formed of R, G, and B micro LEDs connected to a common cathode electrode. In Figure 3, the unit pixel electrode is shown as being formed of only one LED, but it should be understood that the unit pixel is composed of R, G, and B micro LEDs. The micro LED display device according to the present invention is formed by arranging a plurality of unit pixel electrodes shown in FIG. 3 in rows and columns. The unit pixel electrode shown in FIG. 3 is characterized by controlling the brightness of the micro LED by implementing the driving electrode as two organic TFT (first organic TFT, second organic TFT) electrodes.

도 3에 제시된 본 발명에 따른 유기 TFT 구동 전극을 갖는 마이크로 LED 표시장치는 투명기판(10)과, 투명기판(10) 상부에 배치되는 마이크로 LED(21), 마이크로 LED(21) 상부에 평탄화층(22)을 사이에 두고 패턴 형성되는 게이트 전압인가전극(31), DATA 전압인가전극(51) 및 LED용 Vss 전압인가전극(71)과, 그 상부층에 제1절연층(24)을 형성한 후 평탄화하고, 평탄화된 제1절연층(24) 상부에 형성되는 LED용 Vdd 전압인가전극(91)과, 그 상부층에 두 개의 유기 TFT(OTFT1,OTFT2)를 형성하고, 유기 TFT를 보호하는 패시베이션층(29)이 형성되는 구조를 갖는다. 도 3에 제시된 유기 TFT 구동 전극을 갖는 마이크로 LED 표시장치는 투명기판(10) 상부에 마이크로 LED가 실장된 마이크로 LED층(110)과, 그 상부에 재배선(Re-Distribution Layer) 공정으로 형성되는 신호공급선층(120) 및 신호공급선층(120) 상부에 코팅 방식으로 형성되는 제1유기TFT(OTFT1) 및 제2유기TFT(OTFT2)를 갖는 유기 TFF층(130)을 포함하는 것을 특징으로 한다.The micro LED display device having an organic TFT driving electrode according to the present invention shown in FIG. 3 includes a transparent substrate 10, a micro LED 21 disposed on the transparent substrate 10, and a planarization layer on the micro LED 21. A gate voltage applying electrode 31, a DATA voltage applying electrode 51, and a Vss voltage applying electrode 71 for LED are formed in a pattern with (22) in between, and a first insulating layer 24 is formed on the upper layer. After planarization, a Vdd voltage application electrode 91 for an LED is formed on the top of the planarized first insulating layer 24, and two organic TFTs (OTFT1, OTFT2) are formed on the upper layer, and passivation is performed to protect the organic TFTs. It has a structure in which a layer 29 is formed. The micro LED display device with the organic TFT driving electrode shown in FIG. 3 is formed by a micro LED layer 110 on which micro LEDs are mounted on a transparent substrate 10 and a re-distribution layer process on the top of the transparent substrate 10. It is characterized in that it includes a signal supply line layer 120 and an organic TFF layer 130 having a first organic TFT (OTFT1) and a second organic TFT (OTFT2) formed on the signal supply line layer 120 by a coating method. .

도 4에 도시된 바와 같이 도 3을 변형하여 LED용 Vss 전압인가전극을 LED용 Vdd 전압인가전극이 형성되는 층( 제1절연층(24) 상부 )에 형성할 수도 있음은 물론이다. 도 4의 경우에는 평탄화층(22) 상부에 마이크로 캐소드 전극과 전기적으로 도통되도록 연결되는 연결전극(75)과, 제1절연층(24)에 형성되어 연결전극(75)과 LED용 Vss 전압인가전극(71)을 연결하기 위한 컨택전극(73)을 더 구비하여야 한다.As shown in FIG. 4, it is of course possible to modify FIG. 3 to form the Vss voltage applying electrode for LED on the layer (upper part of the first insulating layer 24) where the Vdd voltage applying electrode for LED is formed. In the case of FIG. 4, a connection electrode 75 is formed on the top of the planarization layer 22 to be electrically connected to the micro cathode electrode, and a Vss voltage for the LED is applied to the connection electrode 75 and the first insulating layer 24. A contact electrode 73 for connecting the electrode 71 must be further provided.

이하, 도 3에 제시된 본 발명에 따른 유기 TFT 구동 전극을 갖는 마이크로 LED 표시장치의 단위 화소 전극을 형성하는 공정에 대해 도 5 내지 도 12를 이용하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a process for forming a unit pixel electrode of a micro LED display device having an organic TFT driving electrode according to the present invention shown in FIG. 3 will be described using FIGS. 5 to 12.

투명기판(10) 상에 두 개의 구동 전극이 위쪽을 향하도록 마이크로 LED(21)를 실장시키고, 투명기판(10) 및 마이크로 LED(21) 상부에 절연층을 도포한 후 평탄화하여 평탄화층(20)을 형성한다(도 5). 평탄화층(20) 상부로 마이크로 LED(21)의 두 개의 구동 전극이 노출되도록 형성되며, 평탄화층은 에폭시 등을 이용하여 형성할 수 있다. 도 5에 제시된 공정은 표시 장치를 제조하는 회사에서 수행하지 않고 마이크로 LED를 제조하는 회사 또는 마이크로 LED 제조사로부터 마이크로 LED와 투명기판을 구매하여 도 5의 공정만을 수행하는 외부 업체를 통해서 공급받을 수 있음은 물론이다. 도 5에 제시된 공정을 수행하면 마이크로 LED 어레이층이 완성된다.The micro LED (21) is mounted on the transparent substrate (10) with the two driving electrodes facing upward, and an insulating layer is applied on the transparent substrate (10) and the micro LED (21) and then flattened to form a planarization layer (20). ) to form (Figure 5). The planarization layer 20 is formed so that the two driving electrodes of the micro LED 21 are exposed on top, and the planarization layer can be formed using epoxy or the like. The process shown in FIG. 5 is not performed by a company that manufactures display devices, but can be supplied through an external company that only performs the process in FIG. 5 by purchasing micro LEDs and transparent substrates from a company that manufactures micro LEDs or a micro LED manufacturer. Of course. By performing the process shown in Figure 5, the micro LED array layer is completed.

다음으로 평탄화층(20) 상부에 금속층(23)을 얇게 도포한 후(도 6), 패턴 형성하면 도 7에 도시된 바와 같이 평탄화층(20) 상부에 게이트 전압인가전극(31), DATA 전압인가전극(51), LED용 Vss 전압인가전극(71) 및 LED용 Vdd 연결전극(61)이 형성된다. 금속층(23)은 전도성이 좋은 금속(예로서, 구리)을 증착 방식(예로서, 스퍼터링)으로 형성할 수 있음은 물론이다. LED용 Vss 전압인가전극(71)은 마이크로 LED(21)의 캐소드 전극과 도통되도록 연결되며, LED용 Vdd 연결전극(61)은 마이크로 LED(21)의 애노드 전극과 도통되도록 연결된다.Next, after thinly applying the metal layer 23 on the planarization layer 20 (FIG. 6) and forming a pattern, the gate voltage application electrode 31 and the DATA voltage are applied on the top of the planarization layer 20 as shown in FIG. 7. An application electrode 51, a Vss voltage application electrode 71 for LED, and a Vdd connection electrode 61 for LED are formed. Of course, the metal layer 23 can be formed of a highly conductive metal (eg, copper) by deposition (eg, sputtering). The Vss voltage applying electrode 71 for the LED is connected to be connected to the cathode electrode of the micro LED 21, and the Vdd connecting electrode 61 for the LED is connected to be connected to the anode electrode of the micro LED 21.

게이트 전압인가전극(31), DATA 전압인가전극(51), LED용 Vss 전압인가전극(71) 및 LED용 Vdd 연결전극(61)이 형성된 평탄화층(20) 상부에 제1절연층(24)을 형성하고 평탄화한 후, 필요한 위치에 복수 개 컨택홀을 형성한 후, 컨택홀을 도전 금속으로 충진시켜 복수 개 컨택전극(33, 53, 63)을 형성한다(도 8).A first insulating layer 24 is formed on the planarization layer 20 on which the gate voltage applying electrode 31, the DATA voltage applying electrode 51, the Vss voltage applying electrode 71 for LED, and the Vdd connecting electrode 61 for LED are formed. After forming and planarizing, a plurality of contact holes are formed at necessary positions, and then the contact holes are filled with a conductive metal to form a plurality of contact electrodes 33, 53, and 63 (FIG. 8).

컨택전극(33, 53, 63)이 형성된 제1절연층(24) 상부에 금속층을 도포한 후 패턴화하여 복수 개 연결전극(35, 55, 65)과 LED용 Vdd 전압인가전극(91)을 형성한다(도 9). 연결전극(35)은 게이트 전압인가전극(31)과 연결하기 위한 전극이며, 연결전극(55)는 DATA 전압인가전극(51)과 연결하기 위한 전극이며, 연결전극(65)는 LED용 Vdd 연결전극(61)과 연결하기 위한 전극이다. A metal layer is applied on top of the first insulating layer 24 on which the contact electrodes 33, 53, and 63 are formed, and then patterned to form a plurality of connection electrodes 35, 55, 65 and a Vdd voltage application electrode 91 for LED. formed (Figure 9). The connection electrode 35 is an electrode for connection with the gate voltage application electrode 31, the connection electrode 55 is an electrode for connection with the DATA voltage application electrode 51, and the connection electrode 65 is a Vdd connection for the LED. It is an electrode for connection to the electrode 61.

복수 개 연결전극(35, 55, 65)과 LED용 Vdd 전압인가전극(91)이 형성된 제1절연층(24) 상부에 제2절연층(26)을 형성한 후 평탄화하고, 복수 개 컨택홀을 형성하고, 컨택홀을 충진하여 복수 개 컨택전극(37, 57, 67, 93)을 형성한다. 그런 후, 복수 개 컨택전극(37, 57, 67, 93)이 형성된 제2절연층(26) 상부에 유기 박막 공정으로 복수 개 유기 전극층(38, T1s, T1d, T2s, T2d)을 프린팅 방식으로 형성한다(도 10). A second insulating layer 26 is formed on the first insulating layer 24 on which a plurality of connection electrodes 35, 55, 65 and a Vdd voltage application electrode 91 for LEDs are formed, and then planarized, and a plurality of contact holes are formed. and fill the contact holes to form a plurality of contact electrodes (37, 57, 67, 93). Then, a plurality of organic electrode layers (38, T1s, T1d, T2s, T2d) are printed on the second insulating layer (26) on which the plurality of contact electrodes (37, 57, 67, 93) are formed using an organic thin film process. formed (Figure 10).

도 5부터 도 10의 단계(정확하게는 도 10에서 유기 전극층을 형성하기 전 단계)까지 수행하면 신호공급선층(120)이 완성된다. 도 5부터 도 10을 이용하여 설명한 바와 같이 신호공급선층(120)은 에폭시 수지와 금속 증착을 통해서 수행되는 것으로서 필요한 위치에 배선을 재배치하는 간단한 공정으로서 통상의 인쇄회로기판 공정과 유사한 공정을 통해 수행됨을 알 수 있다.If the steps of FIGS. 5 to 10 (more precisely, the steps before forming the organic electrode layer in FIG. 10) are performed, the signal supply line layer 120 is completed. As explained using FIGS. 5 to 10, the signal supply line layer 120 is formed through epoxy resin and metal deposition, and is a simple process of relocating the wiring to the required location. It is performed through a process similar to a normal printed circuit board process. can be seen.

유기 전극층(38)은 게이트 전압인가전극과 연결하기 위한 전극이며, 유기 전극층(T1s, T1d)는 제1유기TFT(OTFT1)의 소스 및 드레인 전극이며, 유기 전극층(T2s, T2d)는 제2 유기TFT(OTFT2)의 소스 및 드레인 전극이다.The organic electrode layer 38 is an electrode for connection to the gate voltage application electrode, the organic electrode layers (T1s, T1d) are the source and drain electrodes of the first organic TFT (OTFT1), and the organic electrode layers (T2s, T2d) are the second organic TFT (OTFT1). These are the source and drain electrodes of TFT (OTFT2).

제1절연층(24) 및 제2절연층(26)도 평탄화층(22)과 마찬가지로 에폭시 수지로 형성할 수 있으며, 제1절연층(24) 및 제2절연층(26)에 형성되는 컨택홀은 해당 위치에 몰드(mold)를 사용하여 에폭시 수지가 채워지지 않도록 할 수 있다. 컨택홀을 형성하는 또 다른 방식은 반도체 공정에서 사용하는 포토레지스터 식각 공정과 유사하게 에폭시에 광경화용 물질을 혼합한 후 컨택홀이 형성되는 부분만 광에 노출시킨 후 제거하는 방식으로 형성할 수 있음은 물론이다.The first insulating layer 24 and the second insulating layer 26 can also be formed of epoxy resin like the planarization layer 22, and the contact formed on the first insulating layer 24 and the second insulating layer 26 The hole can be prevented from being filled with epoxy resin by using a mold at that location. Another way to form a contact hole is to mix a photocurable material with epoxy, similar to the photoresist etching process used in the semiconductor process, and then expose only the part where the contact hole is formed to light and then remove it. Of course.

다음으로 제1유기TFT 및 제2유기TFT의 유기 활성층(T1a, T2a)을 각각 인쇄 방식으로 형성한다(도 11).Next, the organic active layers (T1a and T2a) of the first organic TFT and the second organic TFT are formed by printing, respectively (FIG. 11).

제1유기TFT(OTFT1)의 소스 및 드레인 전극, 제2유기TFT(OTFT2)의 소스 및 드레인 전극 및 유기 활성층(T2s, T2d)이 형성된 제2절연층(26) 상부에 출원인이 보유한 D7100 이라는 유전 물질을 코팅하여 유기 절연층(28)을 형성하고 포토레지스터 공법과 같이 광을 조사하여 컨택홀 영역을 제거한 후, 컨택홀에 유기 전극 물질 또는 금속 물질을 충진하여 유기 컨택 전극(39, 101)을 형성하고, 유기 절연층(28) 상부에 유기 게이트 전극(T1g, T2g)을 프린팅 방식으로 형성한다(도 12). An oil field called D7100 held by the applicant is placed on the top of the second insulating layer 26 on which the source and drain electrodes of the first organic TFT (OTFT1), the source and drain electrodes of the second organic TFT (OTFT2), and the organic active layers (T2s, T2d) are formed. After forming the organic insulating layer 28 by coating a material and removing the contact hole area by irradiating light as in the photoresist method, the organic contact electrodes 39 and 101 are formed by filling the contact hole with an organic electrode material or a metal material. Then, organic gate electrodes T1g and T2g are formed on the organic insulating layer 28 by printing (FIG. 12).

마지막 공정으로 유기 게이트 전극(T1g, T2g)이 형성된 유기 절연층(28) 상부에 패시베이션층(29)을 형성하면 도 3과 같은 구조의 단일 화소 전극이 완성된다.In the final process, a passivation layer 29 is formed on the organic insulating layer 28 on which the organic gate electrodes T1g and T2g are formed, thereby completing a single pixel electrode with the structure shown in FIG. 3.

유기 박막트랜지터의 소스와 드레인 전극은 구리, 니켈, 금 등으로 형성할 수 있으며, 게이트 전극은 구리, 니켈, ITO 등으로 등으로 형성할 수 있다. 유기 게이트 절연층은 출원인이 보유한 D7100 이라는 유전 물질로 형성하며, P형 유기 반도체형 활성층은 출원인이 보유한 P3100이라는 물질로 형성할 수 있다.The source and drain electrodes of an organic thin film transistor can be formed of copper, nickel, gold, etc., and the gate electrode can be formed of copper, nickel, ITO, etc. The organic gate insulating layer can be formed from a dielectric material called D7100 owned by the applicant, and the P-type organic semiconductor type active layer can be formed from a material called P3100 owned by the applicant.

도 13은 본 발명에 따라 형성된 마이크로 LED의 단위 화소 전극의 평면 레이아웃도이다. 도 13은 도 11의 공정을 마친 상태로서 도 12에 제시된 게이트 전극(T1g, T2g)가 형성되기 전 상태의 단위 화소 전극의 평면 레이아웃도이다. 도 12에서는 평탄층(22), 제1절연층(24), 제2절연층(26) 및 유기 절연층(28)은 도시하지 않았다. 도 13에 도시된 바와 같이 단위 화소 전극에는 캐소드 전극을 공통으로 사용하는 R 마이크로 LED, G 마이크로 LED 및 B 마이크로 LED가 구비됨을 알 수 있다. 도 12에서 짙은 녹색은 유기 반도체의 활성층을 나타낸다.Figure 13 is a plan layout diagram of a unit pixel electrode of a micro LED formed according to the present invention. FIG. 13 is a plan layout diagram of the unit pixel electrode after the process of FIG. 11 is completed and before the gate electrodes T1g and T2g shown in FIG. 12 are formed. In FIG. 12 , the flattening layer 22, the first insulating layer 24, the second insulating layer 26, and the organic insulating layer 28 are not shown. As shown in FIG. 13, it can be seen that the unit pixel electrode is equipped with R micro LED, G micro LED, and B micro LED that commonly use a cathode electrode. In Figure 12, dark green represents the active layer of the organic semiconductor.

상기에서 본 발명의 바람직한 실시예가 특정 용어들을 사용하여 설명 및 도시되었지만 그러한 용어는 오로지 본 발명을 명확히 설명하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명의 실시예 및 기술된 용어는 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고서 여러가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같이 변형된 실시예들은 본 발명의 사상 및 범위로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며, 본 발명의 청구범위 안에 속한다고 해야 할 것이다.Although preferred embodiments of the present invention have been described and illustrated above using specific terms, such terms are only for clearly describing the present invention, and the embodiments of the present invention and the described terms are in accordance with the technical spirit and scope of the following claims. It is self-evident that various changes and changes can be made without deviating from it. These modified embodiments should not be understood individually from the spirit and scope of the present invention, but should be regarded as falling within the scope of the claims of the present invention.

10: 투명기판
21: 마이크로 LED
22: 평탄화층
24: 제1절연층
26: 제2절연층
28: 유기 절연층
31, 31a, 31b, 31c: 게이트 전압인가전극
51, 51a, 51b, 51c:: DATA 전압인가전극
33, 37, 53, 57, 63, 67, 93: 컨택전극
35, 38, 55, 65: 연결전극
71: LED용 Vss 전압인가전극
91: LED용 Vdd 전압인가전극
100: 단위 화소 전극
110: 마이크로 LED층
120: 신호공급선층
130: 유기 TFF층10: Transparent substrate
21: Micro LED
22: Flattening layer
24: first insulating layer
26: second insulating layer
28: Organic insulating layer
31, 31a, 31b, 31c: Gate voltage application electrode
51, 51a, 51b, 51c:: DATA voltage application electrode
33, 37, 53, 57, 63, 67, 93: Contact electrode
35, 38, 55, 65: Connection electrode
71: Vss voltage application electrode for LED
91: Vdd voltage application electrode for LED
100: unit pixel electrode
110: Micro LED layer
120: signal supply line layer
130: Organic TFF layer

Claims (7)

투명기판과 투명기판 상부에 애노드 및 캐소드 전극이 상부에 노출되도록 마이크로 LED가 구비되는 마이크로 LED층과,
상기 마이크로 LED층 상부에 형성되며, 게이트 전압인가전극, 데이터 전압인가전극, LED용 Vss 전압인가전극 및 LED용 Vdd 전압인가전극이 구비되는 신호공급선층 및
상기 신호공급선층 상부에 유기 물질로 형성되는 제1유기TFT 및 제2유기TFT를 포함하는 유기 TFT층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단위 화소 전극.
A transparent substrate and a micro LED layer provided with micro LEDs on the transparent substrate so that the anode and cathode electrodes are exposed at the top,
A signal supply line layer formed on the micro LED layer and provided with a gate voltage applying electrode, a data voltage applying electrode, a Vss voltage applying electrode for LEDs, and a Vdd voltage applying electrode for LEDs, and
A unit pixel electrode comprising an organic TFT layer including a first organic TFT and a second organic TFT formed of an organic material on the signal supply line layer.
 제1항에 있어서,
상기 마이크로 LED층은
투명기판;
애노드 및 캐소드 전극이 상부 방향으로 놓여지도록 상기 투명기판 상부에 구비되는 마이크로 LED 및
상기 마이크로 LED 및 투명기판 상부에 적층 형성되는 평탄화층을
- 상기 애노드 및 캐소드 전극은 상기 평탄화층 상부에 노출되도록 평탄화층이 형성됨 -
포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 단위 화소 전극.
According to paragraph 1,
The micro LED layer is
transparent substrate;
A micro LED provided on the top of the transparent substrate so that the anode and cathode electrodes are placed toward the top, and
A planarization layer formed by stacking the micro LED and the transparent substrate.
- A planarization layer is formed so that the anode and cathode electrodes are exposed on top of the planarization layer -
A unit pixel electrode formed to include.
 제2항에 있어서,
상기 신호공급선층은
평탄화층 상부에 패턴 형성되는 게이트 전압인가전극, 데이터 전압인가전극 및 LED용 Vss 전압인가전극과,
- 상기 LED용 Vss 전압인가전극은 상기 마이크로 LED의 캐소드 전극과 도통되도록 연결됨 -
게이트 전압인가전극, 데이터 전압인가전극 및 LED용 Vss 전압인가전극이 구비된 평탄화층 상부에 제1절연층을 형성하고, 상기 제1절연층 상부에 패턴 형성되는 LED용 Vdd 전압인가전극 및
- 상기 LED용 Vdd 전압인가전극은 상기 제1절연층에 형성되는 컨택전극(63)을 통해 상기 마이크로 LED의 애노드 전극과 연결됨 -
상기 LED용 Vdd 전압인가전극이 형성된 제1절연층 상부에 형성되는 제2절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단위 화소 전극.
According to paragraph 2,
The signal supply layer is
A gate voltage applying electrode, a data voltage applying electrode, and a Vss voltage applying electrode for LEDs formed in a pattern on the top of the planarization layer;
- The Vss voltage applying electrode for the LED is connected to conduction with the cathode electrode of the micro LED -
A first insulating layer is formed on the top of the planarization layer provided with a gate voltage application electrode, a data voltage application electrode, and a Vss voltage application electrode for LEDs, and a Vdd voltage application electrode for LEDs is formed in a pattern on the first insulating layer.
- The Vdd voltage application electrode for the LED is connected to the anode electrode of the micro LED through the contact electrode 63 formed on the first insulating layer -
A unit pixel electrode comprising a second insulating layer formed on the first insulating layer on which the Vdd voltage applying electrode for the LED is formed.
 제3항에 있어서,
상기 유기 TFT층은
제2절연층 상부에 패턴 형성되는 게이트연결전극, 제1유기TFT의 소스전극 및 드레인전극, 제2유기TFT의 소스전극 및 드레인전극과,
- 상기 게이트연결전극은 제1절연층 및 제2절연층에 형성되는 컨택전극(33, 37)을 통해 상기 게이트 전압인가전극과 연결되며, 상기 제1유기TFT의 소스전극은 제1절연층 및 제2절연층에 형성되는 컨택전극(53, 57)을 통해 상기 데이터 전압인가전극과 연결되며, 상기 제2유기TFT의 소스전극은 제2절연층에 형성되는 컨택전극(93)을 통해 상기 LED용 Vdd 전압인가전극과 연결되며, 상기 제2유기TFT의 드레인전극은 제1절연층 및 제2절연층에 형성되는 컨택전극(63, 67)을 통해 상기 애노드 전극과 연결됨. -
제1유기TFT 소스전극 및 제1유기TFT 드레인전극 사이의 제2절연층 상부에 인쇄 방식으로 형성되는 유기 활성층(T1a) 및 제2유기TFT 소스전극 및 제2유기TFT 드레인전극 사이의 제2절연층 상부에 인쇄 방식으로 형성되는 유기 활성층(T2a)과,
상기 게이트연결전극, 제1유기TFT의 소스전극 및 드레인전극, 제2유기TFT의 소스전극, 드레인전극, 유기 활성층(T1a), 유기 활성층(T2a) 및 상기 제2절연층 상부에 형성되는 유기 절연층과,
상기 유기 활성층((T1a) 상부 영역의 유기 절연층 상부에 패턴 형성되는 게이트전극(T1g) 및 상기 유기 활성층((T2a) 상부 영역의 유기 절연층 상부에 패턴 형성되는 게이트전극(T2g)과,
- 상기 게이트 전극(T1g)는 상기 유기 절연층에 형성되는 컨택전극(39)를 통해 상기 게이트연결전극과 도통되며, 상기 게이트 전극(T2g)는 상기 유기 절연층에 형성되는 컨택전극(101)를 통해 상기 제1유기TFT의 드레인 전극(T1d)과 도통되도록 형성됨 -
상기 게이트 전극(T1g), 상기 게이트 전극(T2g) 및 유기 절연층 상부에 적층 형성되는 페시베이션층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단위 화소 전극.
According to paragraph 3,
The organic TFT layer is
A gate connection electrode formed in a pattern on the second insulating layer, a source electrode and a drain electrode of the first organic TFT, and a source electrode and a drain electrode of the second organic TFT;
- The gate connection electrode is connected to the gate voltage applying electrode through contact electrodes 33 and 37 formed on the first insulating layer and the second insulating layer, and the source electrode of the first organic TFT is connected to the first insulating layer and the second insulating layer. It is connected to the data voltage application electrode through contact electrodes 53 and 57 formed on the second insulating layer, and the source electrode of the second organic TFT is connected to the LED through the contact electrode 93 formed on the second insulating layer. It is connected to the Vdd voltage application electrode, and the drain electrode of the second organic TFT is connected to the anode electrode through contact electrodes 63 and 67 formed on the first and second insulating layers. -
An organic active layer (T1a) formed by printing on the second insulating layer between the first organic TFT source electrode and the first organic TFT drain electrode, and a second insulating layer between the second organic TFT source electrode and the second organic TFT drain electrode. An organic active layer (T2a) formed by printing on the top of the layer,
The gate connection electrode, the source electrode and drain electrode of the first organic TFT, the source electrode and drain electrode of the second organic TFT, the organic active layer (T1a), the organic active layer (T2a), and the organic insulation formed on the second insulating layer. floor,
A gate electrode (T1g) patterned on the organic insulating layer in the upper region of the organic active layer (T1a) and a gate electrode (T2g) patterned on the organic insulating layer in the upper region of the organic active layer (T2a);
- The gate electrode (T1g) is connected to the gate connection electrode through the contact electrode 39 formed on the organic insulating layer, and the gate electrode (T2g) is connected to the contact electrode 101 formed on the organic insulating layer. Formed to be connected to the drain electrode (T1d) of the first organic TFT through -
A unit pixel electrode comprising a passivation layer stacked on the gate electrode (T1g), the gate electrode (T2g), and an organic insulating layer.
 제2항에 있어서,
상기 신호공급선층은
평탄화층 상부에 패턴 형성되는 게이트 전압인가전극 및 데이터 전압인가전극과,
게이트 전압인가전극 및 데이터 전압인가전극이 구비된 평탄화층 상부에 제1절연층을 형성하고, 상기 제1절연층 상부에 패턴 형성되는 LED용 Vss 전압인가전극 및 LED용 Vdd 전압인가전극과,
- 상기 LED용 Vss 전압인가전극은 상기 제1절연층에 형성되는 컨택전극(73)을 통해 상기 마이크로 LED의 캐소드 전극과 도통되도록 연결되며, 상기 LED용 Vdd 전압인가전극은 상기 제1절연층에 형성되는 컨택전극(63)을 통해 상기 마이크로 LED의 애노드 전극과 연결됨 -
상기 LED용 Vss 전압인가전극 및 상기 LED용 Vdd 전압인가전극이 형성된 제1절연층 상부에 형성되는 제2절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단위 화소 전극.
According to paragraph 2,
The signal supply layer is
A gate voltage applying electrode and a data voltage applying electrode formed in a pattern on the top of the planarization layer,
A first insulating layer is formed on the planarization layer provided with a gate voltage applying electrode and a data voltage applying electrode, and a Vss voltage applying electrode for an LED and a Vdd voltage applying electrode for an LED are formed in a pattern on the first insulating layer;
- The Vss voltage applying electrode for the LED is connected to conduction with the cathode electrode of the micro LED through the contact electrode 73 formed on the first insulating layer, and the Vdd voltage applying electrode for the LED is connected to the first insulating layer. Connected to the anode electrode of the micro LED through the formed contact electrode 63 -
A unit pixel electrode comprising a second insulating layer formed on a first insulating layer on which the Vss voltage applying electrode for the LED and the Vdd voltage applying electrode for the LED are formed.
 제5항에 있어서,
상기 유기 TFT층은
제2절연층 상부에 패턴 형성되는 게이트연결전극, 제1유기TFT의 소스전극 및 드레인전극, 제2유기TFT의 소스전극 및 드레인전극과,
- 상기 게이트연결전극은 제1절연층 및 제2절연층에 형성되는 컨택전극(33, 37)을 통해 상기 게이트 전압인가전극과 연결되며, 상기 제1유기TFT의 소스전극은 제1절연층 및 제2절연층에 형성되는 컨택전극(53, 57)을 통해 상기 데이터 전압인가전극과 연결되며, 상기 제2유기TFT의 소스전극은 제2절연층에 형성되는 컨택전극(93)을 통해 상기 LED용 Vdd 전압인가전극과 연결되며, 상기 제2유기TFT의 드레인전극은 제1절연층 및 제2절연층에 형성되는 컨택전극(63, 67)을 통해 상기 a마이크로 LED의 애노드 전극과 연결됨. -
제1유기TFT 소스전극 및 제1유기TFT 드레인전극 사이의 제2절연층 상부에 인쇄 방식으로 형성되는 유기 활성층(T1a) 및 제2유기TFT 소스전극 및 제2유기TFT 드레인전극 사이의 제2절연층 상부에 인쇄 방식으로 형성되는 유기 활성층(T2a)과,
상기 게이트연결전극, 제1유기TFT의 소스전극 및 드레인전극, 제2유기TFT의 소스전극, 드레인전극, 유기 활성층(T1a), 유기 활성층(T2a) 및 상기 제2절연층 상부에 형성되는 유기 절연층과,
상기 유기 활성층((T1a) 상부 영역의 유기 절연층 상부에 패턴 형성되는 게이트전극(T1g) 및 상기 유기 활성층((T2a) 상부 영역의 유기 절연층 상부에 패턴 형성되는 게이트전극(T2g)과,
- 상기 게이트 전극(T1g)는 상기 유기 절연층에 형성되는 컨택전극(39)를 통해 상기 게이트연결전극과 도통되며, 상기 게이트 전극(T2g)는 상기 유기 절연층에 형성되는 컨택전극(101)를 통해 상기 제1유기TFT의 드레인 전극(T1d)과 도통되도록 형성됨 -
상기 게이트 전극(T1g), 상기 게이트 전극(T2g) 및 유기 절연층 상부에 적층 형성되는 페시베이션층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단위 화소 전극.
According to clause 5,
The organic TFT layer is
A gate connection electrode formed in a pattern on the second insulating layer, a source electrode and a drain electrode of the first organic TFT, and a source electrode and a drain electrode of the second organic TFT;
- The gate connection electrode is connected to the gate voltage applying electrode through contact electrodes 33 and 37 formed on the first insulating layer and the second insulating layer, and the source electrode of the first organic TFT is connected to the first insulating layer and the second insulating layer. It is connected to the data voltage application electrode through contact electrodes 53 and 57 formed on the second insulating layer, and the source electrode of the second organic TFT is connected to the LED through the contact electrode 93 formed on the second insulating layer. It is connected to the Vdd voltage application electrode, and the drain electrode of the second organic TFT is connected to the anode electrode of the a micro LED through the contact electrodes 63 and 67 formed on the first and second insulating layers. -
An organic active layer (T1a) formed by printing on the second insulating layer between the first organic TFT source electrode and the first organic TFT drain electrode, and a second insulating layer between the second organic TFT source electrode and the second organic TFT drain electrode. An organic active layer (T2a) formed by printing on the top of the layer,
The gate connection electrode, the source electrode and drain electrode of the first organic TFT, the source electrode and drain electrode of the second organic TFT, the organic active layer (T1a), the organic active layer (T2a), and the organic insulation formed on the second insulating layer. floor,
A gate electrode (T1g) patterned on the organic insulating layer in the upper region of the organic active layer (T1a) and a gate electrode (T2g) patterned on the organic insulating layer in the upper region of the organic active layer (T2a);
- The gate electrode (T1g) is connected to the gate connection electrode through the contact electrode 39 formed on the organic insulating layer, and the gate electrode (T2g) is connected to the contact electrode 101 formed on the organic insulating layer. Formed to be connected to the drain electrode (T1d) of the first organic TFT through -
A unit pixel electrode comprising a passivation layer stacked on the gate electrode (T1g), the gate electrode (T2g), and an organic insulating layer.
 제1항 내지 제6항 중에서 선택된 어느 한 항의 단위 화소 전극을 복수 개 포함하는 LED 표시 장치.An LED display device comprising a plurality of unit pixel electrodes selected from claims 1 to 6.
KR1020220137609A 2022-10-13 2022-10-24 Micro led display device and manufacturing method thereof KR20240051775A (en)

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