KR20240049720A - Heat source device, substrate processing facility and substrate processing method - Google Patents

Heat source device, substrate processing facility and substrate processing method Download PDF

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KR20240049720A
KR20240049720A KR1020220128706A KR20220128706A KR20240049720A KR 20240049720 A KR20240049720 A KR 20240049720A KR 1020220128706 A KR1020220128706 A KR 1020220128706A KR 20220128706 A KR20220128706 A KR 20220128706A KR 20240049720 A KR20240049720 A KR 20240049720A
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남원식
연강흠
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(주)앤피에스
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Abstract

본 발명은 열원 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 기판을 가열하기 위한 열원 장치로서, 일방향으로 연장되고, 입력된 전원에 의해 방사광을 발생시킬 수 있는 복수의 열원; 상기 복수의 열원이 각각 삽입되는 복수의 삽입구를 가지고, 상기 복수의 삽입구 중 일부의 삽입구 외측에 상기 일방향으로 돌출되는 돌기를 가지는 지지체; 및 상기 지지체에 결합되며, 상기 돌기와 접촉되고, 상기 돌기의 외측에서 상기 지지체와 이격되는 투과창;을 포함하고, 방사열에 의한 열원의 손상을 억제할 수 있다.The present invention relates to a heat source device, a substrate processing facility, and a substrate processing method, and is a heat source device for heating a substrate, comprising: a plurality of heat sources extending in one direction and capable of generating synchronized light by input power; a support body having a plurality of insertion holes into which the plurality of heat sources are respectively inserted, and having protrusions protruding in the one direction on the outside of some of the plurality of insertion holes; And a transmission window coupled to the support, in contact with the protrusion, and spaced apart from the support on the outside of the protrusion, and can suppress damage to the heat source due to radiant heat.

Description

열원 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법{Heat source device, substrate processing facility and substrate processing method}Heat source device, substrate processing facility and substrate processing method}

본 발명은 열원 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 열원의 과열을 억제할 수 있는 열원 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a heat source device, a substrate processing facility, and a substrate processing method, and more specifically, to a heat source device, a substrate processing facility, and a substrate processing method capable of suppressing overheating of a heat source.

급속 열처리(Rapid Thermal Processing; RTP) 공정은 램프 등의 열원에서 나오는 방사광(放射光)을 기판에 조사하여 기판을 가열 처리한다. 이러한 급속열처리 공정은 퍼니스(furnace)를 이용한 기존의 기판 열처리 공정과 비교하여, 신속하게 기판을 가열하거나 냉각시킬 수 있으며, 압력 조건이나 온도 대역의 조절 제어가 용이하여, 기판의 열처리 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. The rapid thermal processing (RTP) process heats and treats the substrate by irradiating the substrate with synchronized light from a heat source such as a lamp. Compared to the existing substrate heat treatment process using a furnace, this rapid heat treatment process can quickly heat or cool the substrate, and it is easy to control the pressure conditions or temperature range, improving the heat treatment quality of the substrate. There are advantages to this.

한편, 급속 열처리 공정에서 사용되는 램프는 투광체 내부에 필라멘트가 봉입되는 구조를 가진다. 램프는 주변 온도가 높아지면 필라멘트 물질이 증발하여 투광체의 내면에 부착되고, 사용 시간이 경과함에 따라 투광체에 백화 또는 흑화 현상이 발생하게 된다. 이 경우, 투광체의 투과율이 현저하게 낮아지고, 필라멘트에서 발생되는 방사열이 투광체에 흡수되어 투광체의 온도가 급격하게 상승하여 과열된다. 과열된 투광체는 공정 시간이 경과함에 따라 폭발될 위험이 있고, 투광체가 폭발되면 주변 구조물과 합선을 일으켜, 결국에는 공정을 중단해야 하는 문제가 있다. Meanwhile, the lamp used in the rapid heat treatment process has a structure in which a filament is enclosed inside a light transmitting body. When the surrounding temperature of the lamp increases, the filament material evaporates and attaches to the inner surface of the light transmitting body, and as the usage time elapses, whitening or blackening occurs in the light transmitting body. In this case, the transmittance of the light transmitting body is significantly lowered, and the radiant heat generated from the filament is absorbed by the light transmitting body, causing the temperature of the light transmitting body to rise rapidly and overheating. There is a risk that an overheated light transmitting body will explode as the process time elapses, and when the light transmitting body explodes, it may cause a short circuit with surrounding structures, ultimately requiring the process to be stopped.

JPJ.P. 65946166594616 BB

본 발명은 열원의 과열을 억제하고, 열원의 수명을 향상시킬 수 있는 열원 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법을 제공한다. The present invention provides a heat source device, substrate processing equipment, and substrate processing method that can suppress overheating of the heat source and improve the lifespan of the heat source.

본 발명의 실시 예에 따른 열원 장치는, 기판을 가열하기 위한 열원 장치로서, 일방향으로 연장되고, 입력된 전원에 의해 방사광을 발생시킬 수 있는 복수의 열원; 상기 복수의 열원이 각각 삽입되는 복수의 삽입구를 가지고, 상기 복수의 삽입구 중 일부의 삽입구 외측에 상기 일방향으로 돌출되는 돌기를 가지는 지지체; 및 상기 지지체에 결합되며, 상기 돌기와 접촉되고, 상기 돌기의 외측에서 상기 지지체와 이격되는 투과창;을 포함할 수 있다.A heat source device according to an embodiment of the present invention is a heat source device for heating a substrate, comprising: a plurality of heat sources extending in one direction and capable of generating synchronized light by input power; a support body having a plurality of insertion holes into which the plurality of heat sources are respectively inserted, and having protrusions protruding in the one direction on the outside of some of the plurality of insertion holes; and a transmission window coupled to the support, in contact with the protrusion, and spaced apart from the support on the outside of the protrusion.

상기 지지체는, 상기 복수의 열원이 지지되는 지지부와, 상기 지지부의 외측에 상기 투과창과 결합되는 결합부를 포함하고, 상기 돌기는 상기 지지부에 형성될 수 있다.The support includes a support part on which the plurality of heat sources are supported, and a coupling part coupled to the transmission window on an outside of the support part, and the protrusion may be formed on the support part.

상기 돌기는, 상기 복수의 삽입구 중 적어도 2개의 삽입구 사이에 섬 형상으로 형성될 수 있다.The protrusion may be formed in an island shape between at least two insertion holes among the plurality of insertion holes.

상기 돌기는, 상기 투과창과 접촉되는 쪽에 평면, 곡면 및 첨부 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The protrusion may include at least one of a flat surface, a curved surface, and an attachment on the side in contact with the transmission window.

상기 지지체와 상기 투과창 사이에 형성되고, 상기 지지부를 연통시키는 하나의 공간을 포함하고, 상기 공간은 상기 복수의 삽입구와 연통될 수 있다. It is formed between the support and the transmission window, and includes a space communicating with the support, and the space can communicate with the plurality of insertion holes.

상기 복수의 열원과 전기적으로 연결되고, 상기 지지체에 결합되는 소켓; 상기 공간에 냉각 가스를 공급하기 위해서 상기 지지체에 연결되는 냉각 가스 공급기; 및 상기 지지체와 상기 소켓 중 적어도 하나에 연결되는 진공 펌프;를 포함할 수 있다.a socket electrically connected to the plurality of heat sources and coupled to the support; a cooling gas supplier connected to the support to supply cooling gas to the space; and a vacuum pump connected to at least one of the support and the socket.

상기 열원은, 입력된 전원에 의해 방사광을 발생시킬 수 있는 광원부; 일방향으로 연장되고, 일단이 상기 광원부에 연결되는 하우징부; 상기 광원부에 전원을 공급하도록 상기 하우징부의 타단에 연결되는 커넥터부; 및 상기 커넥터부와 상기 하우징부 사이에 설치되는 제1실링부;를 포함할 수 있다.The heat source includes a light source unit capable of generating synchronized light by input power; a housing portion extending in one direction and having one end connected to the light source portion; a connector portion connected to the other end of the housing portion to supply power to the light source portion; and a first sealing portion installed between the connector portion and the housing portion.

상기 열원은, 상기 제1실링부와 이격되고, 상기 소켓과 접촉하도록 상기 커넥터부에 형성되는 제2실링부를 더 포함할 수 있다.The heat source may further include a second sealing portion spaced apart from the first sealing portion and formed in the connector portion to contact the socket.

본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 설비는, 기판의 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에 설치되는 기판지지대; 내부에 방사광을 발생시키는 복수의 열원을 포함하고, 상기 기판지지대와 마주보도록 상기 챔버에 설치되는 열원 장치; 및 상기 열원 장치에 냉각 가스를 연속적으로 공급하도록 제어할 수 있는 제어기;를 포함할 수 있다.A substrate processing facility according to an embodiment of the present invention includes a chamber having a space for processing a substrate; A substrate support installed in the processing space; a heat source device including a plurality of heat sources that generate synchronized light therein and installed in the chamber to face the substrate support; and a controller capable of controlling the cooling gas to be continuously supplied to the heat source device.

상기 열원 장치는, 상기 복수의 열원이 각각 삽입되는 복수의 삽입구를 가지고, 상기 복수의 삽입구 중 일부의 삽입구의 외측에 형성되는 돌기를 가지는 지지체; 상기 돌기와 접촉되고, 상기 지지체 및 상기 돌기와의 사이에 상기 처리 공간과 분리되는 공간을 형성하도록 상기 지지체에 결합되는 투과창; 및 상기 공간에 냉각 가스를 공급하기 위한 냉각 가스 공급기;를 포함할 수 있다.The heat source device includes a support body having a plurality of insertion ports into which the plurality of heat sources are respectively inserted, and having protrusions formed on the outside of some of the plurality of insertion ports; a transmission window in contact with the protrusion and coupled to the support to form a space separated from the processing space between the support and the protrusion; and a cooling gas supplier for supplying cooling gas to the space.

상기 지지체에 연결되는 제1진공 펌프와, 상기 챔버에 연결되는 제2진공 펌프를 포함하며, 상기 제어기는, 상기 제1진공 펌프와 상기 제2진공 펌프의 동작을 독립적으로 제어할 수 있다.It includes a first vacuum pump connected to the support, and a second vacuum pump connected to the chamber, and the controller can independently control the operations of the first vacuum pump and the second vacuum pump.

본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 기판 처리 방법으로서, 기판의 처리 공간에 기판을 반입시키는 과정; 열원 장치를 이용하여 상기 기판을 가열하는 과정; 및 상기 열원 장치의 내부에 냉각 가스를 연속적으로 공급하는 과정;을 포함할 수 있다.A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes: loading a substrate into a substrate processing space; A process of heating the substrate using a heat source device; and a process of continuously supplying cooling gas to the interior of the heat source device.

상기 기판을 가열하는 과정은, 상기 처리 공간에 진공을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 냉각 가스를 공급하는 과정은, 상기 열원 장치의 내부에 진공을 형성하는 과정을 포함하며, 상기 처리 공간보다 상기 열원 장치의 내부에 진공을 먼저 형성할 수 있다.The process of heating the substrate includes forming a vacuum in the processing space, and the process of supplying the cooling gas includes forming a vacuum inside the heat source device, and the process of supplying the cooling gas includes forming a vacuum inside the heat source device, A vacuum may first be formed inside the heat source device.

상기 기판을 가열하는 과정은, 상기 처리 공간과 상기 열원 장치 내부의 압력 차이를 40torr 이하로 제어하는 과정을 포함할 수 있다.The process of heating the substrate may include controlling the pressure difference between the processing space and the heat source device to 40 torr or less.

상기 기판을 가열하는 과정은, 상기 열원 장치 내부의 압력을 상기 열원 장치의 내부에 진공을 형성하는 과정에서 설정된 압력으로 유지할 수 있다.In the process of heating the substrate, the pressure inside the heat source device can be maintained at the pressure set in the process of forming a vacuum inside the heat source device.

상기 냉각 가스를 연속적으로 공급하는 과정은, 적어도 상기 기판을 가열하는 과정에서 수행할 수 있다.The process of continuously supplying the cooling gas can be performed at least in the process of heating the substrate.

본 발명의 실시 예에 따르면, 열원이 방사열에 과열되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. 즉, 기판 처리 시 열원이 설치되는 열원 장치에 냉각 가스를 수용할 수 있는 냉각 공간을 형성하여 기판을 처리하는 동안 열원 장치에 냉각 가스를 지속적으로 공급할 수 있다. 따라서 기판을 처리하는 동안 열원을 연속적으로 냉각시킬 수 있으므로, 방사열에 의해 열원이 과열되어 성능 및 수명이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 시 열원의 파손으로 인해 장비가 손상되거나 공정이 중단되는 것을 방지할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, overheating of a heat source due to radiant heat can be suppressed or prevented. That is, by forming a cooling space capable of accommodating cooling gas in the heat source device where the heat source is installed during substrate processing, cooling gas can be continuously supplied to the heat source device while processing the substrate. Therefore, since the heat source can be continuously cooled while processing the substrate, overheating of the heat source due to radiant heat can be prevented, thereby reducing performance and lifespan. Additionally, it is possible to prevent equipment damage or process interruption due to damage to the heat source during substrate processing.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 열원 장치의 정면도 및 저면도.
도 3은 도 2에 도시된 선A-A' 및 선B-B'에 따른 열원 장치의 단면도.
도 4는 도 3에 도시된 a 영역의 확대도.
도 5는 도 3에 도시된 b 영역의 확대도.
도 6은 열원 장치의 변형 예를 보여주는 단면도.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 열원 장치에서 냉각 가스의 흐름을 보여주는 도면. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a front view and a bottom view of a heat source device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the heat source device taken along lines AA' and B-B' shown in FIG. 2.
Figure 4 is an enlarged view of area a shown in Figure 3.
Figure 5 is an enlarged view of area b shown in Figure 3.
Figure 6 is a cross-sectional view showing a modified example of a heat source device.
Figure 7 is a diagram showing the flow of cooling gas in a heat source device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. These embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. This is provided to inform you. In the drawings, like symbols refer to like elements.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 열원 장치의 정면도 및 저면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 선A-A' 및 선B-B'에 따른 열원 장치의 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 a 영역의 확대도이고, 도 5는 도 3에 도시된 b 영역의 확대도이고, 도 6은 열원 장치의 변형 예를 보여주는 단면도이다. FIG. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a front view and a bottom view of a heat source device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a line A-A shown in FIG. 2. ' and line B-B' is a cross-sectional view of the heat source device, Figure 4 is an enlarged view of area a shown in Figure 3, Figure 5 is an enlarged view of area b shown in Figure 3, and Figure 6 is a heat source device This is a cross-sectional view showing a modified example of .

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비는, 기판(S)의 처리 공간을 가지는 챔버(100)와, 처리 공간에 설치되는 기판지지대(112)와, 내부에 방사광을 발생시키는 복수의 열원(220)을 포함하고, 기판지지대(112)와 마주보도록 챔버(100)에 열원장치(200) 및 열원 장치(200)에 냉각 가스를 연속적으로 공급하도록 제어할 수 있는 제어기(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 열원 장치(200)는 내부에 열원을 냉각시키기 위한 공간(V), 예컨대 냉각 공간(V)을 가지며, 냉각 공간(V)의 압력을 조절하고 진공을 형성하기 위한 제1진공 펌프(252)를 포함할 수 있다. 또한, 처리 공간의 압력을 조절하고 진공을 형성하기 위한 제2진공 펌프(120)를 포함할 수 있으며, 제어기는 기판 처리 설비의 전반적인 동작을 제어하고, 특히 제1진공 펌프(252)와 제2진공 펌프(120)의 동작을 독립적으로 제어할 수 있다. Referring to FIG. 1, a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100 having a processing space for a substrate S, a substrate support 112 installed in the processing space, and generating synchronized light therein. It includes a plurality of heat sources 220 and a heat source device 200 in the chamber 100 so that it faces the substrate support 112, and a controller (not shown) capable of controlling the cooling gas to be continuously supplied to the heat source device 200. Poetry) may be included. At this time, the heat source device 200 has a space (V) for cooling the heat source inside, for example, a cooling space (V), and a first vacuum pump 252 for controlling the pressure of the cooling space (V) and forming a vacuum. ) may include. In addition, it may include a second vacuum pump 120 for controlling the pressure of the processing space and forming a vacuum, and the controller controls the overall operation of the substrate processing facility, and in particular, the first vacuum pump 252 and the second vacuum pump 252. The operation of the vacuum pump 120 can be controlled independently.

챔버(100)는 내부에 수용되는 기판을 가열하기 위한 처리 공간을 가지며, 대략적인 형상은 상부가 개방된 중공의 박스 형상 또는 블록 형상으로 이루어질 수 있다. 그리고 챔버(100)는 하나의 구조체로 제작될 수도 있으나, 여러 부품이 연결 또는 결합된 조립체로 제작될 수도 있다. 후자의 경우, 각 부품 간의 연결 부위에는 밀폐수단(미도시)이 부가적으로 구비될 수 있다. 예컨대 챔버(100)의 상부에는 열원 장치(200)가 설치되며, 챔버(100)와 열원 장치(200)의 연결부위를 밀폐시키기 위한 밀폐부재(미도시)가 설치될 수 있다. The chamber 100 has a processing space for heating the substrate accommodated therein, and its approximate shape may be a hollow box shape or a block shape with an open top. Additionally, the chamber 100 may be manufactured as a single structure, but may also be manufactured as an assembly in which several parts are connected or combined. In the latter case, a sealing means (not shown) may be additionally provided at the connection portion between each part. For example, the heat source device 200 may be installed at the top of the chamber 100, and a sealing member (not shown) may be installed to seal the connection portion between the chamber 100 and the heat source device 200.

챔버(100)에는 기판를 챔버(100) 내부로 인입시키거나 챔버(100) 외부로 인출하기 위한 게이트(미도시)와, 게이트를 개폐하는 도어(미도시)가 설치될 수 있다. 또한, 챔버(100)에는 처리공간으로 공정가스를 공급하는 가스주입구(미도시)와, 챔버(100) 내부로 공급된 공정가스를 배출시키는 가스배출구(101)가 형성될 수 있다. 또한, 가스배출구(101)에는 챔버(100) 내부의 압력을 조절하고, 진공을 형성하기 위한 진공 라인(121)과, 챔버(100) 내부를 냉각시키기 위한 냉각라인(미도시)이 형성될 수 있다. 이때, 진공 라인(121)에는 제2진공 펌프(120)가 설치되고, 냉각라인에는 냉각 펌프(미도시)가 각각 구비될 수 있으며, 각각의 펌프는 선택적으로 작동 가능하여 챔버(100) 내부의 압력과 온도를 효율적으로 제어할 수 있다.The chamber 100 may be provided with a gate (not shown) for introducing a substrate into or out of the chamber 100 and a door (not shown) for opening and closing the gate. Additionally, the chamber 100 may be provided with a gas inlet (not shown) that supplies process gas to the processing space and a gas outlet 101 that discharges the process gas supplied into the chamber 100. In addition, a vacuum line 121 for controlling the pressure inside the chamber 100 and forming a vacuum, and a cooling line (not shown) for cooling the inside of the chamber 100 may be formed at the gas outlet 101. there is. At this time, the second vacuum pump 120 is installed in the vacuum line 121, and the cooling line may be equipped with a cooling pump (not shown), and each pump can be selectively operated to maintain the inside of the chamber 100. Pressure and temperature can be controlled efficiently.

기판지지부(110)는 챔버(100) 내부의 하부에 구비되고, 그 상부에 기판을 지지한다. 기판지지부(110)는 상하방향으로 이동 가능하고, 회전 가능하도록 구비될 수 있다. 이에 기판지지부(110)는 기판의 인입 및 인출 시 상하방향으로 이동하여 기판의 인입 및 인출을 가능하게 하고, 기판 처리 시에는 회전하여 기판의 균일한 처리를 가능하게 한다. The substrate support part 110 is provided at the lower part of the chamber 100 and supports the substrate on its upper part. The substrate support 110 may be movable in the vertical direction and may be rotatable. Accordingly, the substrate support portion 110 moves in the vertical direction to enable the input and output of the substrate, and rotates during substrate processing to enable uniform processing of the substrate.

기판지지부(110)는 상부에 기판이 안착되는 기판지지대(112)와, 기판지지대(112)의 하부에서 기판지지대(112)를 지지하는 회전축(114)을 포함할 수 있다. 이때, 기판지지대(112)에는 기판을 지지하는 복수의 핀(116)이 구비되고, 복수의 핀(116)을 기판을 기판지지대(112) 상부면으로부터 이격시켜 기판의 로딩 및 언로딩을 가능하게 한다. 여기엣는 기판(S)을 핀(116) 상부에 안착시키는 것으로 설명하나, 기판(S)을 기판지지대(112) 상부에 직접 안착시킬 수도 있다. 회전축(114)은 챔버(100)의 하부를 관통하며 구비되어, 기판지지대(112)를 회전시키는 동시에 기판지지대(112)를 상하방향으로 이동시킬 수 있다. 그러나 기판지지부(110)는 이에 한정되지 않고 다양하게 변경될 수 있다. The substrate support 110 may include a substrate support 112 on which a substrate is mounted at the top, and a rotation axis 114 supporting the substrate support 112 at a lower part of the substrate support 112. At this time, the substrate support 112 is provided with a plurality of pins 116 that support the substrate, and the plurality of pins 116 space the substrate from the upper surface of the substrate support 112 to enable loading and unloading of the substrate. do. Here, it is explained that the substrate S is seated on the upper part of the pin 116, but the substrate S may be directly seated on the upper part of the substrate support 112. The rotation shaft 114 is provided to penetrate the lower part of the chamber 100 and can rotate the substrate support 112 and simultaneously move the substrate support 112 in the vertical direction. However, the substrate support 110 is not limited to this and may be changed in various ways.

또한, 기판(S)의 온도를 측정하기 위한 온도측정부(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 온도측정부는 챔버(100) 내부에 설치되어 기판지지대(112)에 안착된 기판(S)의 온도를 측정할 수 있다. 이러한 온도 측정부는 기판(S)의 하부에서 기판(S)의 온도를 측정할 수 있는 파이로미터 등과 같은 비접촉식 온도측정기를 포함할 수 있다. Additionally, it may include a temperature measuring unit (not shown) to measure the temperature of the substrate S. At this time, the temperature measuring unit is installed inside the chamber 100 and can measure the temperature of the substrate S seated on the substrate support 112. This temperature measuring unit may include a non-contact temperature measuring device such as a pyrometer that can measure the temperature of the substrate (S) from the lower part of the substrate (S).

열원 장치(200)는 기판지지대(112)에 안착되는 기판(S)을 가열하도록 챔버(100)에 설치될 수 있다. 이때, 열원 장치(200)는 도 1에 도시된 바와 같이 챔버(100)의 상부에 설치될 수도 있으나, 챔버(100)의 상부 및 하부에 설치될 수도 있다. 열원 장치(200)는 열원(220)에서 발생되는 방사광을 처리 공간, 또는 기판(S)에 조사하여 기판(S)을 간접적으로 가열할 수 있다. 이러한 열원 장치(200)는 방사광에 의해 과열되기 쉽기 때문에 기판(S)을 가열하는 동안 냉각 가스를 이용하여 자체적으로 냉각시킬 수 있도록 구성될 수 있다. The heat source device 200 may be installed in the chamber 100 to heat the substrate S mounted on the substrate support 112. At this time, the heat source device 200 may be installed at the top of the chamber 100 as shown in FIG. 1, or may be installed at the top and bottom of the chamber 100. The heat source device 200 may indirectly heat the substrate S by irradiating radiant light generated from the heat source 220 to the processing space or the substrate S. Since this heat source device 200 is easily overheated by radiant light, it may be configured to cool itself using a cooling gas while heating the substrate S.

이하에서는 본 발명의 실시 예에 따른 열원 장치에 대해서 더욱 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a heat source device according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 열원 장치(200)는, 기판(S)을 가열하기 위한 열원 장치로서, 일방향으로 연장되고, 입력된 전원에 의해 방사광을 발생시킬 수 있는 복수의 열원(220)과, 복수의 열원(220)이 각각 삽입되는 복수의 삽입구(211)를 가지고, 복수의 삽입구(211) 중 일부의 삽입구(211) 외측에 일방향으로 돌출되는 돌기(212a)를 가지는 지지체(210)) 및 지지체(210)에 결합되며, 돌기(212a)와 접촉되고, 돌기(212a)의 외측에서 지지체(210)와 이격되는 투과창(240)을 포함할 수 있다. 또한, 열원 장치(200)는 복수의 열원(220)을 전기적으로 연결시키기 위한 소켓(230)과, 복수의 열원(220)을 냉각시키기 위한 냉각 가스를 공급하기 위한 냉각 가스 공급기(251)를 포함할 수 있다. 또한, 열원 장치(200)는 투과창(240)과 소켓(230) 사이에 형성되는 공간, 예컨대 냉각 공간(V)과 지지체(210)와 열원(220) 사이, 지지체(210)와 소켓(230) 사이에 형성되는 냉각 가스의 이동 통로의 압력을 조절하고, 진공을 형성하기 위한 제1진공 펌프(252)를 포함할 수 있다. 2 to 5, the heat source device 200 according to an embodiment of the present invention is a heat source device for heating the substrate S, extends in one direction, and can generate synchronized light by input power. It has a plurality of heat sources 220 and a plurality of insertion holes 211 into which the plurality of heat sources 220 are respectively inserted, and a protrusion 212a protrudes in one direction on the outside of some of the insertion holes 211 among the plurality of insertion holes 211. ) and a transmission window 240 coupled to the support 210, in contact with the protrusion 212a, and spaced apart from the support 210 on the outside of the protrusion 212a. In addition, the heat source device 200 includes a socket 230 for electrically connecting the plurality of heat sources 220, and a cooling gas supplier 251 for supplying cooling gas for cooling the plurality of heat sources 220. can do. In addition, the heat source device 200 may be installed in a space formed between the transmission window 240 and the socket 230, for example, a cooling space V, between the support 210 and the heat source 220, and between the support 210 and the socket 230. ) may include a first vacuum pump 252 for controlling the pressure of the cooling gas movement passage formed between the two and forming a vacuum.

먼저, 투과창(240)은 챔버(100)의 처리 공간을 밀폐시키고, 열원 장치(200) 내부에 처리 공간과 분리되는 공간을 형성할 수 있다. 투과창(240)은 기판(S) 처리시 발생하는 부산물에 의해 열원(220)이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 투과창(240)은 열원(220)에서 발생하는 진동 및 열팽창에 의해 이물질이 떨어져 기판 처리 시 오염원으로 작용하는 것을 방지할 수도 있다. 이러한 투과창(240)은 방사광을 투과시킬 수 있는 석영(Quartz) 등과 같은 투명 물질로 형성될 수 있다. First, the transmission window 240 can seal the processing space of the chamber 100 and form a space inside the heat source device 200 that is separated from the processing space. The transmission window 240 can prevent the heat source 220 from being contaminated by by-products generated when processing the substrate S. Additionally, the transmission window 240 can prevent foreign substances from falling due to vibration and thermal expansion generated from the heat source 220 and acting as a source of contamination during substrate processing. This transmission window 240 may be formed of a transparent material such as quartz that can transmit synchronized light.

지지체(210)는 기판지지대(112)와 대향하도록 구비되고, 복수의 열원(220)을 삽입하기 위한 삽입구(211)가 형성될 수 있다. 이때, 삽입구(211)는 열원(220)과 동일한 개수로 마련될 수 있고, 일정한 패턴을 가지도록 형성될 수 있다. 지지체(210)는 원형의 평면 형상을 가지며, 소정의 두께를 가지는 원통형으로 형성될 수 있다. 그러나 지지체(210)는 챔버(100) 형상이나 기판(S) 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다 The support 210 is provided to face the substrate support 112, and an insertion hole 211 for inserting a plurality of heat sources 220 may be formed. At this time, the insertion holes 211 may be provided in the same number as the heat sources 220 and may be formed to have a certain pattern. The support 210 has a circular planar shape and may be formed in a cylindrical shape with a predetermined thickness. However, the support 210 may be formed in various shapes depending on the shape of the chamber 100 or the shape of the substrate S.

지지체(210)의 표면에는 내화학성, 내열성이 우수한 PTFE(Polytetra Fluoroethylene), PFA(perfluoroalkoxy), FEP(Fluorinated Ethylene Propylene Copolymer), FTFE(Polyethlene Tetrafluoro Ethylene), PCDF, PVDF(Polyvinylidene Fluoride), PVF(Polyvinylfluoride), PCTFE(Polychlorotrifluoro Ethylene) 등과 같은 불소계 폴리머가 코팅될 수 있다. 그리고 삽입구(211)에는 열원(220)에서 방출되는 방사광을 집광하기 위한 요홈(미도시)이 형성될 수 있으며, 요홈에는 집광된 방사광을 기판지지부(110) 측으로 반사시키기 위한 반사체(미도시)가 형성될 수 있다. 이때, 반사체는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 금(Au) 등과 같이 열에 강하고 반사율이 높은 금속 물질이 사용될 수 있다.The surface of the support 210 is coated with PTFE (Polytetra Fluoroethylene), PFA (perfluoroalkoxy), FEP (Fluorinated Ethylene Propylene Copolymer), FTFE (Polyethlene Tetrafluoro Ethylene), PCDF, PVDF (Polyvinylidene Fluoride), and PVF (Polyvinylfluoride), which have excellent chemical resistance and heat resistance. ), fluorine-based polymers such as PCTFE (Polychlorotrifluoro Ethylene), etc. may be coated. Additionally, a groove (not shown) may be formed in the insertion hole 211 to collect radiation emitted from the heat source 220, and a reflector (not shown) may be provided in the groove to reflect the collected radiation toward the substrate support 110. can be formed. At this time, the reflector may be a metal material that is resistant to heat and has a high reflectivity, such as tungsten (W), molybdenum (Mo), nickel (Ni), or gold (Au).

한편, 지지체(210)는 삽입구(211)에 열원(220)을 삽입시켜 지지할 수 있고, 챔버(100)와 마주보는 일측 또는 일면에 챔버(100)의 처리 공간과 격리시키기 위한 투과창(240)이 결합될 수 있다. 지지체(210)는 열원(220)이 지지되는 지지부(Ⅰ)와, 지지부(Ⅰ)의 외측에 투과창(240)과 결합하기 위한 결합부(Ⅱ)로 구분될 수 있다. 이때, 지지체(210)의 지지부(Ⅰ)에서 챔버(100) 또는 투과창(240)과 마주보는 일면에는 투과창(240)과 접촉 가능하도록 돌출되어 형성되는 돌기(212a)가 형성될 수 있다. 돌기(212a)는 삽입구(211) 사이에 지지체(210)를 연장시키는 방식으로 형성될 수 있고, 섬 형태로 형성될 수 있다. 예컨대 돌기(212a)는 두 개의 삽입구(211) 사이에 형성될 수도 있고, 세 개의 삽입구(211) 사이에 형성될 수도 있으며, 네 개의 삽입구(211) 사이에 형성될 수도 있다. 돌기(212a)의 형성 위치는 복수의 삽입구(211)이 이루는 패턴에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 그리고 지지체(210)의 결합부(Ⅱ)에는 지지체(210)를 연장시키는 방식으로 돌기(212a)와 동일한 높이를 갖도록 돌출되는 단턱(212b)이 형성될 수 있다. 이에 지지체(210)의 상하방향 길이, 예컨대 높이는 지지부(Ⅰ)과 결합부(Ⅱ)에서 동일할 수도 있고, 지지부(Ⅰ)과 결합부(Ⅱ)에서 서로 다를 수 있다. 즉, 지지체(210)는 지지부(Ⅰ) 중 돌기(212a)가 형성된 부분에서 지지부(Ⅰ)의 높이와 결합부(Ⅱ)의 높이가 동일하고, 지지부(Ⅰ) 중 돌기(212a)가 형성되지 않은 부분, 예컨대 삽입구(211)가 형성된 부분의 높이는 결합부(Ⅱ)의 높이보다 짧을 수 있다. Meanwhile, the support 210 can be supported by inserting the heat source 220 into the insertion hole 211, and has a transmission window 240 on one side or one side facing the chamber 100 to isolate it from the processing space of the chamber 100. ) can be combined. The support 210 may be divided into a support part (I) on which the heat source 220 is supported, and a coupling part (II) for coupling to the transmission window 240 on the outside of the support part (I). At this time, a protrusion 212a may be formed on one side of the support portion I of the support 210 facing the chamber 100 or the transmission window 240 so as to be in contact with the transmission window 240. The protrusion 212a may be formed by extending the support 210 between the insertion holes 211, and may be formed in an island shape. For example, the protrusion 212a may be formed between two insertion holes 211, three insertion holes 211, or four insertion holes 211. The formation position of the protrusion 212a may vary depending on the pattern formed by the plurality of insertion holes 211. Additionally, a step 212b that protrudes to have the same height as the protrusion 212a may be formed in the coupling portion (II) of the support 210 by extending the support 210. Accordingly, the vertical length, for example, the height, of the support 210 may be the same in the support portion (I) and the coupling portion (II), or may be different in the support portion (I) and the coupling portion (II). That is, in the support body 210, the height of the support portion (I) and the height of the coupling portion (II) are the same in the portion where the protrusion 212a is formed in the support portion (I), and the protrusion 212a is not formed in the support portion (I). The height of the portion that is not covered, for example, the portion where the insertion hole 211 is formed, may be shorter than the height of the coupling portion (II).

이러한 구성을 통해 지지체(210)에 투과창(240)을 결합시키면, 투과창(240)은 지지체(210)의 단턱(212b)과 접촉하여 결합되고, 지지부(Ⅰ)에서 지지체(210)와 이격되어 열원(220)을 냉각시키기 위한 냉각 공간(V)을 형성할 수 있다. 또한, 지지부(Ⅰ)에서 돌기(212a)에 의해 투과창(240)을 지지체(210)에 지지시킬 수 있다. 이때, 돌기(212a)는 섬형태로 형성되기 때문에 도 4에 도시된 바와 같이 지지체(210)와 투과창(240) 사이에서 돌기(212a)가 형성된 위치에서는 이동이 차단되나, 그 이외의 영역에서는 도 5에 도시된 바와 같이 냉각 가스가 자유롭게 이동될 수 있다. 또한, 지지체(210)와 투과창(240) 사이에 형성되는 냉각 공간(V)은 복수의 삽입구(211)와 서로 연통되어, 삽입구(211)와 열원(220) 사이 및 지지체(210)와 소켓(230)에 형성되는 이동 통로로 이동될 수 있다. When the transmission window 240 is coupled to the support 210 through this configuration, the transmission window 240 is coupled in contact with the step 212b of the support 210, and is spaced apart from the support 210 at the support portion (Ⅰ). This can form a cooling space (V) for cooling the heat source 220. Additionally, the transmission window 240 can be supported on the support body 210 by the protrusion 212a in the support portion (I). At this time, since the protrusion 212a is formed in the shape of an island, movement is blocked at the position where the protrusion 212a is formed between the support 210 and the transmission window 240, as shown in FIG. 4, but in other areas. As shown in Figure 5, the cooling gas can move freely. In addition, the cooling space V formed between the support 210 and the transmission window 240 is in communication with a plurality of insertion holes 211, between the insertion hole 211 and the heat source 220, and between the support body 210 and the socket. It can be moved through the moving passage formed at 230.

한편, 돌기(212a)는 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 돌기(212a)는 도 3에 도시된 바와 같이 투과창(240)과 면 접촉을 할 수 있도록 투과창(240)과 나란하게 배치될 수 있는 평면을 가질 수 있다. 또는, 돌기(212a)는 투과창(240)과 점 접촉을 할 수 있도록 형성될 수도 있다. 돌기(212a)는 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 투과창(240)과 마주보는 면이 곡면으로 형성될 수도 있다. 또는, 돌기(212a)는 도 6의 (b)에 도시된 것처럼, 투과창(240)과 마주보는 쪽에 첨부를 갖도록 형성될 수도 있다. 이처럼, 돌기(212a)가 투과창(240)과 점접촉을 하도록 형성되면, 돌기(212a)와 투과창(240) 간의 접촉 면적을 감소시킬 수 있으나, 냉각 가스와 투과창(240) 간의 접촉 면적을 증가시킬 수 있으므로, 투과창(240)의 냉각 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 돌기(212a)가 투과창(240)과 점접촉을 하도록 형성되면, 냉각 공간(V)의 부피가 증가하여, 냉각 공간(V) 내에 냉각 가스의 유입량을 증가시킬 수 있으므로 투과창(240)은 물론, 열원(220) 및 지지체(210)의 냉각 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. Meanwhile, the protrusion 212a may be formed to have various shapes. As shown in FIG. 3 , the protrusion 212a may have a flat surface that can be arranged parallel to the transmission window 240 so as to make surface contact with the transmission window 240 . Alternatively, the protrusion 212a may be formed to make point contact with the transmission window 240. As shown in (a) of FIG. 6, the protrusion 212a may have a curved surface facing the transmission window 240. Alternatively, the protrusion 212a may be formed to have an attachment on the side facing the transmission window 240, as shown in (b) of FIG. 6. In this way, if the protrusion 212a is formed to make point contact with the transmission window 240, the contact area between the protrusion 212a and the transmission window 240 can be reduced, but the contact area between the cooling gas and the transmission window 240 Since can be increased, the cooling efficiency of the transmission window 240 can be improved. In addition, when the protrusion 212a is formed to make point contact with the transmission window 240, the volume of the cooling space (V) increases, and the amount of cooling gas flowing into the cooling space (V) can be increased, so that the transmission window 240 ), as well as the cooling efficiency of the heat source 220 and the support 210 can be further improved.

소켓(230)은 열원(220)와 전기적으로 접속되도록 지지체(210)의 타측, 예컨대 상부에 설치될 수 있다. 이때, 소켓(230)과 지지체(210)의 가장자리는 밀폐부재(미도시)에 의해 외부와 차단되도록 서로 연결되고, 중심부의 일부는 지지체(210)의 상부면에 접촉하도록 배치되고, 일부는 지지체(210)의 상부면과 이격되도록 배치될 수 있다. 이러한 구성을 통해 소켓(230)은 지지체(210)와 투과창(240) 사이의 냉각 공간(V)과 연통되는 냉각 가스의 이동 통로를 형성할 수 있다. 또한, 소켓(230)에는 열원(220)의 일부, 예컨대 후술하는 열원(220)의 커넥터부(2230)를 삽입하기 위한 삽입홈(231)이 형성되고, 열원(220)의 접속 단자는 소켓(230)과 전기적으로 연결되어, 외부에서 공급되는 전원을 광원부(2210)로 공급할 수 있다. The socket 230 may be installed on the other side of the support 210, for example, on the top, to be electrically connected to the heat source 220. At this time, the edges of the socket 230 and the support body 210 are connected to each other to be blocked from the outside by a sealing member (not shown), a portion of the center is disposed to contact the upper surface of the support body 210, and a portion is disposed to contact the support body 210. It may be arranged to be spaced apart from the upper surface of (210). Through this configuration, the socket 230 can form a passage for cooling gas that communicates with the cooling space V between the support 210 and the transmission window 240. In addition, an insertion groove 231 is formed in the socket 230 for inserting a part of the heat source 220, for example, a connector portion 2230 of the heat source 220, which will be described later, and the connection terminal of the heat source 220 is a socket ( 230), so that power supplied from the outside can be supplied to the light source unit 2210.

열원(220)은 지지체(210)에 형성된 삽입구(211)에 삽입 및 지지되어, 방사광을 발생시켜 챔버(100) 내부로 조사시킴으로써 기판지지대(112)에 안착된 기판(S)을 가열할 수 있다. 이때, 열원(220)은 투과창(240)에 의해 챔버(100) 내부와 분리되고, 방사광을 투과창(240)으로 투과시켜 기판(S)을 간접적으로 가열할 수 있다. The heat source 220 is inserted and supported in the insertion hole 211 formed in the support 210, generates synchronized light and radiates it into the chamber 100, thereby heating the substrate S seated on the substrate support 112. . At this time, the heat source 220 is separated from the inside of the chamber 100 by the transmission window 240, and can indirectly heat the substrate S by transmitting synchronized light through the transmission window 240.

도 4를 참조하면, 열원(220)은 입력된 전원에 의해 방사광을 발생시킬 수 있는 광원부(2210)와, 일방향으로 연장되고, 일단이 광원부(2210)에 연결되는 하우징부(2220)와, 광원부(2210)에 전원을 공급하도록 하우징부(2220)의 타단에 연결되는 커넥터부(2230) 및 커넥터부(2230)와 하우징부(2220) 사이에 설치되는 제1실링부(2241)를 포함할 수 있다. 여기에서는 열원(220)은 상하방향으로 연장되는 방향으로 배치된 상태를 기준으로 설명한다. 즉, 광원부(2210)가 가장 하부에 배치되고, 하우징부(2220)가 광원부(2210)의 상부에 배치된 상태를 기준으로 설명한다. 이 경우, 하우징부(2220)의 일단은 하단이고, 타단은 상단일 수 있다. Referring to FIG. 4, the heat source 220 includes a light source unit 2210 capable of generating synchronized light by input power, a housing unit 2220 that extends in one direction and has one end connected to the light source unit 2210, and a light source unit 2220. It may include a connector part 2230 connected to the other end of the housing part 2220 to supply power to (2210) and a first sealing part 2241 installed between the connector part 2230 and the housing part 2220. there is. Here, the heat source 220 will be described based on the state in which it is arranged in a direction extending in the vertical direction. That is, the description will be based on the state in which the light source unit 2210 is placed at the bottom, and the housing unit 2220 is placed at the top of the light source unit 2210. In this case, one end of the housing portion 2220 may be at the bottom and the other end may be at the top.

광원부(2210)는 내부에 공간이 형성되는 투광체(2211)와, 투광체(2211) 내부에 설치되는 필라멘트(2212) 및 일부가 투광체(2211)의 외측에 배치되고, 전원을 공급하도록 필라멘트(2212)에 연결되는 배선부재(2213)를 포함할 수 있다. The light source unit 2210 includes a light transmitting body 2211 with a space formed inside, a filament 2212 installed inside the light transmitting body 2211, and a portion of the filament disposed outside the light transmitting body 2211 to supply power. It may include a wiring member 2213 connected to (2212).

투광체(2211)는 내부에 필라멘트(2212)를 삽입하고, 필라멘트(2212)와 배선부재(2213)를 연결할 수 있도록 적어도 일측, 예컨대 상부에 개구부가 형성될 수 있다. 투광체(2211)는 상하방향으로 직경이 동일한 원통형으로 형성될 수도 있고, 상부측보다 하부측 직경이 큰 T자형으로 형성될 수 있으며, 이외에도 구형, 타원기둥형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The light transmitting body 2211 may have an opening formed on at least one side, for example, at the top, so that the filament 2212 can be inserted therein, and the filament 2212 and the wiring member 2213 can be connected. The light transmitting body 2211 may be formed in a cylindrical shape with the same diameter in the vertical direction, or may be formed in a T-shape with a lower diameter larger than the upper one. In addition, it may be formed in various shapes such as a sphere or an elliptical column.

투광체(2211)는 방사광을 투과시킬 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 투광체(2211)는 석영(Quartz)으로 형성될 수 있다. The light transmitting body 2211 may be formed of a material capable of transmitting synchronized light. For example, the light transmitting body 2211 may be made of quartz.

필라멘트(2212)는 외부에서 배선부재(2213)를 통해 전원을 공급받아 방사광을 방출시킬 수 있다. 필라멘트(2212)는 텅스텐 등과 같이 녹는 점이 3400℃ 정도로 높고, 금속재질로 형성될 수 있다. 필라멘트(2212)는 단일선, 2중선 또는 3중선 등 다양한 형태로 형성될 수 있다. 이때, 필라멘트(2212)를 형성하는 선수가 증가할수록 열원(220)에서 방출되는 방사광의 용량을 증가시킬 수 있어 기판을 효율적으로 가열시킬 수 있다. 또한, 방사광 방출 시 증발과 결합을 반복하는 필라멘트(2212)의 수명을 증가시켜 열원(220)의 교체 기간을 연장할 수 있다. The filament 2212 may receive power from the outside through the wiring member 2213 and emit synchronized light. The filament 2212 has a high melting point of about 3400°C, such as tungsten, and may be formed of a metal material. The filament 2212 may be formed in various shapes such as a single wire, double wire, or triple wire. At this time, as the number of players forming the filament 2212 increases, the capacity of radiant light emitted from the heat source 220 can be increased, allowing the substrate to be heated efficiently. Additionally, the replacement period of the heat source 220 can be extended by increasing the lifespan of the filament 2212, which repeats evaporation and combination when synchronized light is emitted.

배선부재(2213)는 필라멘트(2212)의 양단부를 커넥터부(2230)의 접속 단자(2230)와 연결하며, 텅스텐 등과 같은 금속으로 형성될 수 있다. The wiring member 2213 connects both ends of the filament 2212 to the connection terminal 2230 of the connector portion 2230, and may be formed of a metal such as tungsten.

하우징부(2220)는 적어도 배선부재(2213)를 감싸도록 광원부(2210)에 연결될 수 있다. 하우징부(2220)는 광원부(2210)의 상부에 배치되는 하우징(2221)과, 하우징(2221)을 광원부(2210)에 고정시키도록 하우징(2221)의 내부에 충진되는 절연체(2223)를 포함할 수 있다. The housing unit 2220 may be connected to the light source unit 2210 so as to surround at least the wiring member 2213. The housing unit 2220 may include a housing 2221 disposed on the light source unit 2210 and an insulator 2223 filled inside the housing 2221 to secure the housing 2221 to the light source unit 2210. You can.

하우징(2221)은 배선부재(2213)를 보호하고, 광원부(2210)를 지지체(210)에 지지시킬 수 있다. 하우징(2221)은 상부 및 하부가 개방되는 중공형으로 형성되고, 상하방향으로 연장되는 원통형으로 형성될 수 있다. 하우징(2221)은 적어도 배선부재(2213)를 감쌀 수 있는 길이로 형성될 수 있다. 하우징(2221)은 산화 알루미늄(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 탄화규소(SiC), 알루미늄 및 스테인레스 스틸 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 하우징(2221)에는 하우징(2221) 내부로 절연체(2223)를 주입하기 위한 주입구(2222)가 형성될 수 있다. 이때, 주입구(2222)는 하우징(2221)의 상부측, 예컨대 커넥터부(2230)와 연결되는 상부측에 한개 또는 복수개로 마련될 수 있다. The housing 2221 may protect the wiring member 2213 and support the light source unit 2210 on the support body 210. The housing 2221 may be formed in a hollow shape with open top and bottom, and may be formed in a cylindrical shape extending in the vertical direction. The housing 2221 may be formed to have a length that can at least surround the wiring member 2213. The housing 2221 may be formed of at least one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), zirconia (ZrO 2 ), silicon carbide (SiC), aluminum, and stainless steel. An injection hole 2222 may be formed in the housing 2221 to inject the insulator 2223 into the housing 2221. At this time, one or more injection holes 2222 may be provided on the upper side of the housing 2221, for example, on the upper side connected to the connector portion 2230.

절연체(2223)는 하우징(2221) 내부에 충진되어 하우징(2221)을 광원부(2210)에 지지시키고, 배선부재(2213)가 단락되는 것을 방지할 수 있다. 절연체는 점성을 가지는 물질로서, 하우징(2221)에 형성된 주입구(2222)를 통해 하우징(2221) 내부에 충진되고, 소정 시간 경과하거나 열처리, 광조사 등과 후처리를 통해 경화되는 물질로서, 알루미나 실리카 시멘트 등으로 마련될 수 있다. The insulator 2223 is filled inside the housing 2221 to support the housing 2221 to the light source unit 2210 and to prevent the wiring member 2213 from being short-circuited. The insulator is a viscous material that is filled into the housing 2221 through the injection hole 2222 formed in the housing 2221, and is hardened over a predetermined period of time or through heat treatment, light irradiation, etc., and is alumina silica cement. etc. can be provided.

커넥터부(2230)는 하우징부(2220)의 상부에 설치될 수 있다. 커넥터부(2230)는 하우징(2221)의 상부에 연결되는 커넥터 몸체(2231)와, 커넥터 몸체(2231)를 상하방향으로 관통하도록 설치되는 접속 단자(2232)를 포함할 수 있다. The connector unit 2230 may be installed on the upper part of the housing unit 2220. The connector portion 2230 may include a connector body 2231 connected to the upper part of the housing 2221 and a connection terminal 2232 installed to penetrate the connector body 2231 in the vertical direction.

커넥터 몸체(2231)는 일부가 하우징(2221)의 내부에 삽입되고, 일부는 하우징(2221)의 외부에 돌출되도록 배치될 수 있다. 커넥터 몸체(2231)는 합성수지, 실리콘, 고무 등과 같은 절연체로 형성될 수 있다. The connector body 2231 may be arranged so that a portion is inserted into the interior of the housing 2221 and a portion protrudes from the outside of the housing 2221. The connector body 2231 may be formed of an insulator such as synthetic resin, silicone, rubber, etc.

제1실링부(2241)는 제1실링부(2241)는 커넥터 몸체(2231)를 둘러싸도록 설치될 수 있다. 제1실링부(2241)는 커넥터 몸체(2231)을 둘레를 따라 배치되도록 링 형태로 형성될 수 있고, 탄성체를 포함하는 오링으로 마련될 수 있다. 이러한 제1실링부(2241)는 하우징(2221)과 커넥터 몸체(2231) 사이를 밀폐시켜, 하우징(2221) 내부에 절연체(2223)를 주입할 때, 하우징(2221)과 커넥터 몸체(2231) 사이로 절연체(2223)가 유출되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 하우징(2221)의 타단, 예컨대 하단이 제1실링부(2241)와 커넥터 몸체(2231)에 의해 밀폐되기 때문에 절연체(2223)가 하우징(2221) 내부에 균일하게 충진될 수 있고, 절연체(2223)를 열처리하여 경화시킨 후에도 하우징(2221) 내부 또는 절연체(2223) 중에 공극이 형성되는 것을 억제할 수 있다. 따라서 기판 처리 시 방사광에 의해 열원(220)가 과열되는 경우, 절연체(2223)가 파괴되어 광원부(2210)의 투광체(2211)가 파손되거나 하우징(2221)으로부터 탈락되는 것을 방지할 수 있다. The first sealing part 2241 may be installed to surround the connector body 2231. The first sealing portion 2241 may be formed in a ring shape to be disposed along the circumference of the connector body 2231, and may be provided as an O-ring containing an elastic body. This first sealing part 2241 seals between the housing 2221 and the connector body 2231, and when the insulator 2223 is injected into the housing 2221, the first sealing part 2241 seals the space between the housing 2221 and the connector body 2231. It is possible to prevent the insulator 2223 from leaking. In addition, since the other end, for example, the bottom, of the housing 2221 is sealed by the first sealing portion 2241 and the connector body 2231, the insulator 2223 can be uniformly filled inside the housing 2221, and the insulator ( Even after heat treatment and hardening of 2223), the formation of voids inside the housing 2221 or in the insulator 2223 can be prevented. Therefore, when the heat source 220 is overheated by radiant light during substrate processing, the insulator 2223 is destroyed, thereby preventing the light transmitting body 2211 of the light source unit 2210 from being damaged or falling off from the housing 2221.

접속 단자(2232)는 커넥터 몸체(2231)를 관통하여 상부와 하부가 커넥터 몸체(2231)로부터 돌출되도록 배치될 수 있다. 이때, 접속 단자(2232)의 상부는 지지체(210)에 연결되는 소켓(230)과 전기적으로 접속되고, 접속 단자(2232)의 하부는 광원부(2210)의 배선부재(2213), 예컨대 제2금속배선(2213c)과 접속될 수 있다. 이러한 접속 단자(2232)는 한 쌍이 서로 이격되도록 배치될 수 있다. The connection terminal 2232 may be disposed to penetrate the connector body 2231 so that its upper and lower parts protrude from the connector body 2231. At this time, the upper part of the connection terminal 2232 is electrically connected to the socket 230 connected to the support 210, and the lower part of the connection terminal 2232 is connected to the wiring member 2213 of the light source unit 2210, such as a second metal. It can be connected to the wiring 2213c. A pair of such connection terminals 2232 may be arranged to be spaced apart from each other.

또한, 열원(220)은 접속 단자(2232)와 소켓(230) 사이를 밀폐시키기 위한 제2실링부(2242)를 포함할 수 있다. 제2실링부(2242)는 제1실링부(2241)와 이격되고, 커넥터 몸체(2231)를 둘러싸도록 설치될 수 있다. 제2실링부(2242)는 커넥터 몸체(2231)을 둘레를 따라 배치되도록 링 형태로 형성될 수 있고, 탄성체를 포함하는 오링으로 마련될 수 있다. 제2실링부(2242)는 도 4에 도시된 것처럼, 지지체(210)와 소켓(230)에 열원(220)를 설치했을 때, 소켓(230)에 제2실링부(2242)를 통해 삽입홈(231)과 커넥터 몸체(2231) 사이를 밀폐시켜 삽입홈(231) 내부에 밀폐 공간을 형성하기 위함이다. 이를 통해 접속 단자(2232)가 지지체(210)와 소켓(230) 사이의 압력 변화에 영향을 받지 않게 되므로, 접속 단자(2232)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 지지체(210)와 소켓(230) 사이에 진공이 형성되는 경우, 아크 발생에 의해 접속 단자(2232)가 손상되는 것도 방지할 수 있다. Additionally, the heat source 220 may include a second sealing portion 2242 to seal between the connection terminal 2232 and the socket 230. The second sealing part 2242 is spaced apart from the first sealing part 2241 and may be installed to surround the connector body 2231. The second sealing portion 2242 may be formed in a ring shape to be disposed along the circumference of the connector body 2231, and may be provided as an O-ring including an elastic body. As shown in FIG. 4, when the heat source 220 is installed on the support body 210 and the socket 230, the second sealing portion 2242 is inserted into the socket 230 through the second sealing portion 2242 into an insertion groove. This is to form a sealed space inside the insertion groove 231 by sealing the space between (231) and the connector body 2231. Through this, the connection terminal 2232 is not affected by pressure changes between the supporter 210 and the socket 230, and thus the connection terminal 2232 can be prevented from being damaged. Additionally, when a vacuum is formed between the support 210 and the socket 230, damage to the connection terminal 2232 due to arc generation can be prevented.

냉각 가스 공급기(251)는 냉각 공간(V)에 가스를 공급하도록 설치될 수 있다. 이때, 냉각 가스 공급기(251)는 지지체(210)에 연결될 수 있고, 지지체(210)에는 냉각 가스를 공급할 수 있는 냉각 가스 공급구(미도시)가 형성될 수 있다. 냉각 가스 공급구는 지지체(210)를 관통하도록 형성될 수 있다. 또는, 도 2에 도시된 바와 같이 지지체(210)의 결합부(Ⅱ)의 단턱(212b)에 홈(213)을 형성하고, 지지체(210)와 투과창(240)을 결합시킴으로써 지지체(210)와 투과창(240) 사이에 냉각 가스 공급구를 형성할 수도 있다. The cooling gas supplier 251 may be installed to supply gas to the cooling space (V). At this time, the cooling gas supplier 251 may be connected to the support 210, and a cooling gas supply port (not shown) through which cooling gas can be supplied may be formed in the support 210. The cooling gas supply port may be formed to penetrate the support 210. Alternatively, as shown in FIG. 2, a groove 213 is formed in the step 212b of the coupling portion (II) of the support 210, and the support 210 and the transmission window 240 are coupled to the support 210. A cooling gas supply port may be formed between the and the transmission window 240.

제1진공 펌프(252)는 소켓(230)과 지지체(210) 사이의 이동 통로와 연통되도록 설치될 수 있다. 이때, 제1진공 펌프(252)는 소켓(230)이나 지지체(210), 또는 소켓(230)과 지지체(210)에 이동 통로와 연통되도록 형성되는 배기 라인(214)에 연결될 수 있다. 이러한 제1진공 펌프(252)는 냉각 공간(V)과 이동 통로의 압력을 조절하고, 냉각 공간(V)과 이동 통로에 진공을 형성할 수 있다. 또한, 제1진공 펌프(252)는 이동 통로를 흡인함으로써 냉각 가스 공급구를 통해 냉각 공간(V)으로 공급되고, 열원(220), 투과창(240) 및 지지체(210) 등을 냉각시키고 가열된 냉각 가스를 외부로 배출시킬 수 있다. The first vacuum pump 252 may be installed to communicate with the moving passage between the socket 230 and the support body 210. At this time, the first vacuum pump 252 may be connected to the socket 230 or the support body 210, or to the exhaust line 214 formed to communicate with a moving passage between the socket 230 and the support body 210. This first vacuum pump 252 can control the pressure of the cooling space (V) and the moving passage, and form a vacuum in the cooling space (V) and the moving passage. In addition, the first vacuum pump 252 is supplied to the cooling space (V) through the cooling gas supply port by suctioning the moving passage, and cools and heats the heat source 220, the transmission window 240, and the support 210. The cooled gas can be discharged to the outside.

제어기는 기판 처리 설비의 전반적인 동작을 제어하고, 특히 제1진공 펌프(252)와 제2진공 펌프(120)의 동작을 독립적으로 제어할 수 있다. The controller controls the overall operation of the substrate processing facility, and in particular, can independently control the operations of the first vacuum pump 252 and the second vacuum pump 120.

이러한 구성을 통해 냉각 공간(V)에 냉각 가스를 공급하면, 도 7에 도시된 것처럼 냉각 공간(V)으로 공급되는 냉각 가스가 지지부(Ⅰ) 전체를 따라 균일하게 확산되어 복수의 열원(220)은 물론, 지지체(210) 및 투과창(240)을 냉각시킬 수 있다. When the cooling gas is supplied to the cooling space (V) through this configuration, the cooling gas supplied to the cooling space (V) is spread uniformly along the entire support portion (I), as shown in FIG. 7, thereby forming a plurality of heat sources 220. Of course, the support 210 and the transmission window 240 can be cooled.

이하에서는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대해서 설명한다. Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 기판(S)의 처리 공간에 기판(S)을 반입시키는 과정과, 열원 장치(200)를 이용하여 기판(S)을 가열하는 과정 및 열원 장치(200)의 내부에 냉각 가스를 연속적으로 공급하는 과정을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 전술한 기판 처리 설비를 이용하여 수행될 수 있다. A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a process of introducing a substrate (S) into the processing space of the substrate (S), a process of heating the substrate (S) using the heat source device 200, and a heat source device ( 200) may include a process of continuously supplying cooling gas to the interior. The substrate processing method according to an embodiment of the present invention may be performed using the above-described substrate processing equipment.

먼저, 제1진공 펌프(252)을 이용하여 열원 장치(200)의 내부, 즉 지지체(210)와 소켓(230) 사이에 형성되는 이동 통로를 흡인함으로써 열원 장치(200)의 내부, 예컨대 냉각 공간(V)과 이동 통로에 진공을 형성할 수 있다. 이때, 지지체(210)와 소켓(230) 사이에 형성되는 공간, 예컨대 냉각 공간(V)과 이동 통로의 압력이 낮아지면서 투과창(240)이 지지체(210)의 돌기(212a)에 접촉될 수 있다. 이에 지지체(210)와 소켓(230) 사이에 형성되는 공간의 압력이 낮아지더라도 투과창(240)이 변형되거나 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 투과창(240)이 지지체(210)의 돌기(212a)에 지지되어 투과창(240)과 지지체(210) 사이에 냉각 가스가 수용될 수 있는 냉각 공간(V)이 형성될 수 있다. First, the inside of the heat source device 200, that is, the moving passage formed between the support 210 and the socket 230, is sucked using the first vacuum pump 252 to create the inside of the heat source device 200, such as a cooling space. (V) and can form a vacuum in the moving passage. At this time, as the pressure of the space formed between the support 210 and the socket 230, for example, the cooling space V and the moving passage, is lowered, the transmission window 240 may come into contact with the protrusion 212a of the support 210. there is. Accordingly, even if the pressure of the space formed between the support 210 and the socket 230 is lowered, the transmission window 240 can be prevented from being deformed or damaged. Additionally, the transmission window 240 may be supported on the protrusion 212a of the support 210 to form a cooling space V in which cooling gas can be accommodated between the transmission window 240 and the support 210.

이후, 챔버(100)의 게이트를 통해 기판(S)을 처리 공간으로 반입하고, 기판지지대(112)의 상부에 안착시킬 수 있다. 이때, 기판(S)은 기판지지대(112)에 상하방향으로 이동 가능하도록 설치되는 핀(116) 상부에 안착시킬 수도 있다.Thereafter, the substrate S may be brought into the processing space through the gate of the chamber 100 and placed on the upper part of the substrate support 112. At this time, the substrate S may be seated on the top of the pin 116 installed on the substrate support 112 to be movable in the vertical direction.

기판(S)이 기판지지대(112)에 안착되면, 게이트를 폐쇄하고 제2진공 펌프(120)을 통해 챔버(100) 내부를 흡인하여 처리 공간에 진공을 형성할 수 있다. 만약에 열원 장치(200)보다 챔버(100) 내부에 진공을 먼저 형성하면, 챔버(100)에서 투과창(240)을 지지할 수 있는 구조물이 없기 때문에 챔버(100) 내부의 압력이 감소함에 따라 투과창(240)이 챔버(100) 쪽으로 변형되면서 파손되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 종래에는 열원 장치(200)와 챔버(100) 내부에 진공을 동시에 형성하였으나, 본 발명의 실시 예에서는 열원 장치(200)와 챔버(100)에 진공을 독립적으로 형성할 수 있다. When the substrate S is seated on the substrate support 112, the gate is closed and the inside of the chamber 100 is sucked through the second vacuum pump 120 to form a vacuum in the processing space. If a vacuum is formed inside the chamber 100 before the heat source device 200, the pressure inside the chamber 100 decreases because there is no structure in the chamber 100 that can support the transmission window 240. A problem may occur where the transmission window 240 is deformed toward the chamber 100 and damaged. Accordingly, in the past, a vacuum was formed inside the heat source device 200 and the chamber 100 simultaneously, but in an embodiment of the present invention, a vacuum can be formed independently in the heat source device 200 and the chamber 100.

챔버(100) 내부에 진공이 형성되면, 냉각 가스 공급기(251)를 이용하여 열원 장치(200)의 냉각 공간(V)에 냉각 가스를 공급할 수 있다. When a vacuum is formed inside the chamber 100, cooling gas can be supplied to the cooling space V of the heat source device 200 using the cooling gas supplier 251.

이후, 열원(220)을 작동시키고, 처리 공간에 공정가스를 공급하면서 기판(S)을 가열할 수 있다. 이처럼, 기판(S)을 가열하는 전 과정에서 열원 장치(200)의 냉각 공간(V)에 냉각 가스를 지속적으로 공급할 수 있다. 이는 돌기(212a)에 의해 투과창(240)과 지지체(210) 사이에 냉각 공간(V)이 유지되므로, 냉각 공간(V)으로 냉각 가스를 지속적으로 공급할 수 있기 때문이다. 즉, 종래에는 열원 장치 내부에 진공을 형성하면, 삽입구를 제외한 지지체의 전영역이 투과창에 밀착되어, 열원 장치 내부로 냉각 가스를 공급하기 위한 공간이 확보되지 않는 문제가 있었다. 이에 종래에는 열원 장치를 냉각하는 경우에는, 열원 장치 내부의 진공 압력을 높이고 냉각 가스를 주입한 후, 열원 장치 내부의 진공 압력을 낮추는 과정을 반복해서 수행하였다. 그러나 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 지지체(210)와 투과창(240) 사이에 냉각 공간(V)을 확보하여 기판(S)을 가열하는 전 과정에서 열원 장치(200)의 내부에 냉각 가스를 주입함으로써 열원 장치(200), 예컨대 열원(220), 지지체(210) 및 투과창(240)을 냉각시켜 이들이 과열되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 열원 장치(200)에 냉각 가스를 주입하기 위해 열원 장치(200) 내부의 압력을 조절할 필요가 없으므로, 열원 장치(200) 내부의 압력을 일정하게 또는 초기 상태로 그대로 유지할 수 있다. Thereafter, the heat source 220 may be operated and the substrate S may be heated while supplying process gas to the processing space. In this way, cooling gas can be continuously supplied to the cooling space V of the heat source device 200 during the entire process of heating the substrate S. This is because the cooling space (V) is maintained between the transmission window 240 and the support 210 by the protrusion 212a, so that cooling gas can be continuously supplied to the cooling space (V). That is, in the past, when a vacuum was created inside the heat source device, the entire area of the support except the insertion hole came into close contact with the transmission window, so there was a problem that space for supplying cooling gas into the heat source device was not secured. Accordingly, in the past, when cooling a heat source device, the process of increasing the vacuum pressure inside the heat source device, injecting cooling gas, and then lowering the vacuum pressure inside the heat source device was repeatedly performed. However, the substrate processing method according to the embodiment of the present invention secures the cooling space (V) between the support 210 and the transmission window 240 and uses By injecting cooling gas, the heat source device 200, for example, the heat source 220, the support 210, and the transmission window 240 can be cooled to prevent them from overheating. In addition, since there is no need to adjust the pressure inside the heat source device 200 to inject cooling gas into the heat source device 200, the pressure inside the heat source device 200 can be maintained constant or at its initial state.

이와 같은 방법으로 기판(S)을 가열하고, 기판(S)의 가열이 완료되면 챔버(100) 내부에서 기판(S)을 반출시킬 수 있다. 또한, 챔버(100)에서 기판(S)을 반출하고, 열원(220)을 냉각시키기 위해서 열원 장치(200)에 냉각 가스를 공급할 수도 있다. The substrate S can be heated in this way, and when the heating of the substrate S is completed, the substrate S can be taken out from the inside of the chamber 100. Additionally, the substrate S may be taken out of the chamber 100 and cooling gas may be supplied to the heat source device 200 to cool the heat source 220.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings and the above-described preferred embodiments, the present invention is not limited thereto and is limited by the claims described below. Accordingly, those skilled in the art can make various changes and modifications to the present invention without departing from the technical spirit of the claims described later.

100: 챔버 200: 열원 장치
210: 지지체 211: 삽입구
212a: 돌기 220: 열원
230: 소켓 2210: 광원부
2220: 하우징부 2230: 커넥터부
2240: 실링부 100: Chamber 200: Heat source device
210: support 211: insertion hole
212a: projection 220: heat source
230: Socket 2210: Light source unit
2220: Housing portion 2230: Connector portion
2240: Sealing part

Claims (16)

기판을 가열하기 위한 열원 장치로서,
일방향으로 연장되고, 입력된 전원에 의해 방사광을 발생시킬 수 있는 복수의 열원;
상기 복수의 열원이 각각 삽입되는 복수의 삽입구를 가지고, 상기 복수의 삽입구 중 일부의 삽입구 외측에 상기 일방향으로 돌출되는 돌기를 가지는 지지체; 및
상기 지지체에 결합되며, 상기 돌기와 접촉되고, 상기 돌기의 외측에서 상기 지지체와 이격되는 투과창;을 포함하는 열원 장치. As a heat source device for heating a substrate,
a plurality of heat sources extending in one direction and capable of generating synchronized light by input power;
a support body having a plurality of insertion holes into which the plurality of heat sources are respectively inserted, and having protrusions protruding in the one direction on the outside of some of the plurality of insertion holes; and
A heat source device comprising: a transmission window coupled to the support, in contact with the protrusion, and spaced apart from the support on the outside of the protrusion. 청구항 1에 있어서,
상기 지지체는, 상기 복수의 열원이 지지되는 지지부와, 상기 지지부의 외측에 상기 투과창과 결합되는 결합부를 포함하고,
상기 돌기는 상기 지지부에 형성되는 열원 장치. In claim 1,
The support includes a support part on which the plurality of heat sources are supported, and a coupling part coupled to the transmission window outside the support part,
The protrusion is a heat source device formed on the support part. 청구항 2에 있어서,
상기 돌기는, 상기 복수의 삽입구 중 적어도 2개의 삽입구 사이에 섬 형상으로 형성되는 열원 장치.In claim 2,
The protrusion is a heat source device formed in an island shape between at least two insertion ports among the plurality of insertion ports. 청구항 2에 있어서,
상기 돌기는, 상기 투과창과 접촉되는 쪽에 평면, 곡면 및 첨부 중 적어도 하나를 포함하는 열원 장치. In claim 2,
The protrusion is a heat source device including at least one of a flat surface, a curved surface, and an attachment on a side in contact with the transmission window. 청구항 2에 있어서,
상기 지지체와 상기 투과창 사이에 형성되고, 상기 지지부를 연통시키는 하나의 공간을 포함하고,
상기 공간은 상기 복수의 삽입구와 연통되는 열원 장치.In claim 2,
It is formed between the support and the transmission window, and includes a space communicating with the support,
The space is in communication with the plurality of insertion holes. 청구항 5에 있어서,
상기 복수의 열원과 전기적으로 연결되고, 상기 지지체에 결합되는 소켓;
상기 공간에 냉각 가스를 공급하기 위해서 상기 지지체에 연결되는 냉각 가스 공급기; 및
상기 지지체와 상기 소켓 중 적어도 하나에 연결되는 진공 펌프;를 포함하는 열원 장치. In claim 5,
a socket electrically connected to the plurality of heat sources and coupled to the support;
a cooling gas supplier connected to the support to supply cooling gas to the space; and
A heat source device comprising a vacuum pump connected to at least one of the support and the socket. 청구항 6에 있어서,
상기 열원은,
입력된 전원에 의해 방사광을 발생시킬 수 있는 광원부;
일방향으로 연장되고, 일단이 상기 광원부에 연결되는 하우징부;
상기 광원부에 전원을 공급하도록 상기 하우징부의 타단에 연결되는 커넥터부; 및
상기 커넥터부와 상기 하우징부 사이에 설치되는 제1실링부;를 포함하는 열원 장치. In claim 6,
The heat source is,
a light source unit capable of generating synchronized light by input power;
a housing portion extending in one direction and having one end connected to the light source portion;
a connector portion connected to the other end of the housing portion to supply power to the light source portion; and
A heat source device comprising: a first sealing portion installed between the connector portion and the housing portion. 청구항 7에 있어서,
상기 열원은, 상기 제1실링부와 이격되고, 상기 소켓과 접촉하도록 상기 커넥터부에 형성되는 제2실링부를 더 포함하는 열원 장치.In claim 7,
The heat source further includes a second sealing portion spaced apart from the first sealing portion and formed in the connector portion to contact the socket. 기판의 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 처리 공간에 설치되는 기판지지대;
내부에 방사광을 발생시키는 복수의 열원을 포함하고, 상기 기판지지대와 마주보도록 상기 챔버에 설치되는 열원 장치; 및
상기 열원 장치에 냉각 가스를 연속적으로 공급하도록 제어할 수 있는 제어기;를 포함하는 기판 처리 설비.A chamber having a space for processing a substrate;
A substrate support installed in the processing space;
a heat source device including a plurality of heat sources that generate synchronized light therein and installed in the chamber to face the substrate support; and
A substrate processing facility comprising a controller capable of controlling continuous supply of cooling gas to the heat source device. 청구항 9에 있어서,
상기 열원 장치는,
상기 복수의 열원이 각각 삽입되는 복수의 삽입구를 가지고, 상기 복수의 삽입구 중 일부의 삽입구의 외측에 형성되는 돌기를 가지는 지지체;
상기 돌기와 접촉되고, 상기 지지체 및 상기 돌기와의 사이에 상기 처리 공간과 분리되는 공간을 형성하도록 상기 지지체에 결합되는 투과창; 및
상기 공간에 냉각 가스를 공급하기 위한 냉각 가스 공급기;를 포함하는 기판 처리 설비.In claim 9,
The heat source device is,
a support body having a plurality of insertion holes into which the plurality of heat sources are respectively inserted, and having protrusions formed on the outside of some of the plurality of insertion holes;
a transmission window in contact with the protrusion and coupled to the support to form a space separated from the processing space between the support and the protrusion; and
A substrate processing facility including a cooling gas supplier for supplying cooling gas to the space. 청구항 10에 있어서,
상기 지지체에 연결되는 제1진공 펌프와, 상기 챔버에 연결되는 제2진공 펌프를 포함하며,
상기 제어기는, 상기 제1진공 펌프와 상기 제2진공 펌프의 동작을 독립적으로 제어할 수 있는 기판 처리 설비.In claim 10,
It includes a first vacuum pump connected to the support and a second vacuum pump connected to the chamber,
The controller is a substrate processing facility capable of independently controlling operations of the first vacuum pump and the second vacuum pump. 기판 처리 방법으로서,
기판의 처리 공간에 기판을 반입시키는 과정;
열원 장치를 이용하여 상기 기판을 가열하는 과정; 및
상기 열원 장치의 내부에 냉각 가스를 연속적으로 공급하는 과정;을 포함하는 기판 처리 방법. As a substrate processing method,
A process of introducing a substrate into the substrate processing space;
A process of heating the substrate using a heat source device; and
A substrate processing method comprising: continuously supplying cooling gas to the interior of the heat source device. 청구항 12에 있어서,
상기 기판을 가열하는 과정은, 상기 처리 공간에 진공을 형성하는 과정을 포함하고,
상기 냉각 가스를 공급하는 과정은, 상기 열원 장치의 내부에 진공을 형성하는 과정을 포함하며,
상기 처리 공간보다 상기 열원 장치의 내부에 진공을 먼저 형성하는 기판 처리 방법. In claim 12,
The process of heating the substrate includes forming a vacuum in the processing space,
The process of supplying the cooling gas includes forming a vacuum inside the heat source device,
A substrate processing method in which a vacuum is formed inside the heat source device before the processing space. 청구항 13에 있어서,
상기 기판을 가열하는 과정은, 상기 처리 공간과 상기 열원 장치 내부의 압력 차이를 40torr 이하로 제어하는 과정을 포함하는 기판 처리 방법. In claim 13,
The process of heating the substrate includes controlling the pressure difference between the processing space and the heat source device to 40 torr or less. 청구항 13에 있어서,
상기 기판을 가열하는 과정은, 상기 열원 장치 내부의 압력을 상기 열원 장치의 내부에 진공을 형성하는 과정에서 설정된 압력으로 유지하는 기판 처리 방법.In claim 13,
A substrate processing method in which the process of heating the substrate maintains the pressure inside the heat source device at the pressure set in the process of forming a vacuum inside the heat source device. 청구항 12에 있어서,
상기 냉각 가스를 연속적으로 공급하는 과정은, 적어도 상기 기판을 가열하는 과정에서 수행하는 기판 처리 방법.
In claim 12,
A substrate processing method wherein the process of continuously supplying the cooling gas is performed at least in the process of heating the substrate.
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