KR20240043272A - 기능성 표면처리된 sus316l 맨홀덮개 - Google Patents
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- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 37
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 24
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 22
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 22
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 21
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 21
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims description 8
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 101710162828 Flavin-dependent thymidylate synthase Proteins 0.000 claims description 3
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N Metaphosphoric acid Chemical compound OP(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 101710135409 Probable flavin-dependent thymidylate synthase Proteins 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010865 sewage Substances 0.000 claims description 2
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000003075 superhydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000931705 Cicada Species 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000349 field-emission scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/34—Anodisation of metals or alloys not provided for in groups C25D11/04 - C25D11/32
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
- B05D5/08—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface
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- E—FIXED CONSTRUCTIONS
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- E02D—FOUNDATIONS; EXCAVATIONS; EMBANKMENTS; UNDERGROUND OR UNDERWATER STRUCTURES
- E02D29/00—Independent underground or underwater structures; Retaining walls
- E02D29/12—Manhole shafts; Other inspection or access chambers; Accessories therefor
- E02D29/14—Covers for manholes or the like; Frames for covers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 맨홀 덮개용 기능성 스테인리스 스틸 316L 소재 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 맨홀 덮개용 스테인리스 스틸 표면에 소수성 및 내식성(Corrosion Resistance) 산화막을 형성하는 방법은, 종래의 균일한 다공성 산화막을 형성하기 위한 프리패터닝(Pre-patterning) 공정 없이도 균일한 다공성 산화막을 형성할 수 있어 소수성 및 내식성이 현저히 우수한 효과가 있다.
Description
본 발명은 기능성 표면처리된 SUS316L 맨홀덮개에 관한 것으로, 구체적으로는 맨홀 덮개용 스테인리스 스틸 316L 소재의 표면을 소수성으로 처리하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 소수성 표면을 갖는 스테인리스 스틸 316L 맨홀 덮개에 관한 것이다.
스테인리스 스틸은 크롬을 첨가하여 녹이 슬지 않는 금속 합금으로 가공성, 경제성 및 우수한 내식성 등의 특성을 가지므로 해양, 기계, 전자 부품, 배관, 발전, 원자력 등 여러 산업분야에서 활용되고 있다. 그러나 스테인리스 스틸은 이와 같은 장점에도 불구하고 가스 배관 및 해양산업 등 혹독한 환경과 같은 환경에서 내식성이 취약하다는 단점을 가지고 있다.
이런 단점을 해결하기 위해 내식성을 향상하기 위한 부식 방지 표면처리 기술 연구가 활발히 이루어지고 있다. 최근 젖음성 거동을 이용한 연구를 통해 초발수성 표면을 구현하는 연구가 주목받고 있다.
초발수성 표면은 발수성(Water-repellency), 자기세정(Self-cleaning), 발유성(Oil-repellency), 결빙방지(Anti-icing), 착상방지(Anti-frost)등 여러가지 특성을 활용할 수 있으며, 첨단 디스플레이, 광학필름, 반도체, 박막 코팅 등 다양한 산업에서 이용할 수 있다.
젖음성 거동은 소재의 표면에너지에 의해 결정되며, 표면 에너지를 감소시켜 표면 접촉각이 150° 이상이 되어 초발수성이 구현된다. 이와 같은 초발수성 표면은 연 꽃잎, 매미날개, 벼 잎 등 여러가지 자연 소재를 보고 개발되었으며, 마이크로 및 나노크기의 구조를 제작하여 표면에너지를 감소시켜 제작하는 등 다양한 방법들이 연구되고 있다.
하지만 금속에 마이크로 및 나노 크기의 구조물을 균일하게 구현할 수 있는 방법이 제한적이다. 다양한 표면처리법 중 양극산화 방법은 금속에 인위적으로 균일하고 두꺼운 산화 피막을 형성시킬 수 있다.
양극산화법으로 만들어진 산화피막은 장벽형 피막과 기공형 피막으로 나누어지며, 장벽형 피막은 기공과 같은 빈 공간 없이 산화막 내부가 치밀하게 형성된 피막을 말하며, 기공형 피막은 기공구조가 규칙적으로 배열되는 나노 구조를 가지는 다공성 피막과 기공과 기공사이에 빈공간이 존재하는 나노 튜브형 피막으로 나누어진다.
여기서, 상기 양극산화는 금속의 표면 처리방법 중 가장 널리 알려진 처리방법의 하나로서, 전해액에 침적된 금속 모재를 양극으로 하여 통전하는 경우, 양극에서 발생하는 산소에 의하여 모재의 표면이 산화되면서 산화피막을 형성하여 모재의 물성을 향상하는 처리방법이다.
즉, 상기 전해액 중의 산소이온이나 수산이온이 모재의 표면에 형성되어 있던 산화피막으로 침투하여 금속이온과 결합하여 산화층을 형성함으로써, 상기 모재와 상기 산화층의 계면 부근에 기공성의 산화피막과 수산화피막이 성장하여 상기 모재의 물성을 더욱 향상시키게 되는 것이다.
양극산화에 의해 금속 모재의 물성을 증대함에 있어서, 상기 양극산화의 가장 핵심적인 변수로는 양극산화처리 전압, 시간, 그리고 모재 금속의 순도와 같은 다양한 함수를 적절히 세팅하는 것이 무엇보다도 중요하다.
스테인리스 스틸에도 성분 함량에 따라 다양한 합금 종류가 있고, 성분 함량에 따라서 목적하는 양극산화처리의 조건은 달라질 수 있어, 처리대상 모재의 성분 함량은 매우 중요하다 할 수 있다.
본 발명자는 스테인리스 스틸 (SUS 316L)을 모재로 하여 양극산화처리 시간 및 전압을 최적화하여 나노구조의 산화막을 형성한 다음, 소수성 SAM(Self-assembled Monolayer) 코팅제로 코팅함에 따라서, 소수성 및 내식성(부식 억제율)이 현저히 향상됨을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 맨홀 덮개용 스테인리스 스틸 표면에 소수성 및 내식성(Corrosion Resistance) 산화막을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 방법으로 제조된 소수성 양극산화막이 형성된 스테인리스 스틸 맨홀 덮개를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 맨홀 덮개용 스테인리스 스틸 표면을 세척하고 건조하는 단계(단계 1);
80-100 V 인가 전압에서 2.5-3.5 시간 동안 양극산화처리하여, 스테인리스 스틸 표면에 양극산화막을 형성하는 단계(단계 2);
상기 단계 2의 양극산화처리된 스테인리스 스틸을 0.05-1.0 M의 인산 용액에 침지하여 기공확장 처리하는 단계(단계 3);
플라즈마 처리하여 유기 잔여물을 제거하고 양극산화막 표면을 친수성으로 만드는 단계(단계 4); 및
SAM(Self-assembled Monolayer) 코팅 가능한 소수성 코팅제로 코팅하는 단계(단계 5);를 포함하는,
맨홀 덮개용 스테인리스 스틸 표면에 소수성 및 내식성(Corrosion Resistance) 산화막을 형성하는 방법을 제공한다.
상기 스테인리스 스틸은 다양한 스테인리스 스틸에 모두 적용가능하나, 바람직하게는 SUS 316 또는 SUS 316L일 수 있고, 특히 바람직하게는 SUS 316L일 수 있다.
상기 단계 2의 양극산화처리에서 전해질(Electrolyte)은 0.05-0.15M의 NH4F, 0.05-0.15M의 물이 포함된 에틸렌글리콜을 사용할 수 있고, 바람직하게는 0.08-0.12M의 NH4F, 0.08-0.12M의 물이 포함된 에틸렌글리콜을 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0.09-0.11M의 NH4F, 0.09-0.11M의 물이 포함된 에틸렌글리콜을 사용할 수 있고, 본 발명에서는 일례로서 0.1M의 NH4F, 0.1M의 물이 포함된 에틸렌글리콜을 전해질로서 사용하였으나 이에 제한하지 않는다.
상기 단계 2는 세척된 스테인리스 스틸을 80-100 V에서 2.5-3.5시간 동안 양극산화처리할 수 있고, 바람직하게는 85-95 V에서 2.8-3.2시간, 더욱 바람직하게는 88-92 V에서 2.9-3.1시간 실시할 수 있다.
소수성 및 부식 억제율 90% 이상을 구현하기 위해서는, 88-92 V에서 2.9-3.1시간 양극산화처리하는 것이 바람직하고, 이 조건을 벗어날 경우 소수성 및 부식 억제율이 저하하는 문제점이 있을 수 있다.
상기 단계 3의 기공확장 처리는 0.05-1.0M의 인산용액에서 1-60분 동안 침지하여 실시할 수 있다.
상기 단계 5의 SAM 코팅 가능한 소수성 코팅제로는 표면에너지가 6mJ/m2 내지 20mJ/m2인 플루오르카본 체인 수가 1 내지 20개인 퍼플로로알킬실란, 탄소수가 1 내지 20개인 알킬실란 등을 사용할 수 있고, 일례로 1H,1H,2H,2H-퍼플로로데실트리클로로실란(FDTS), 트리클로로옥틸실란(OTS), 옥타데실트리클로로실란(ODTS) 등을 사용할 수 있다.
상기 맨홀은 하수도용 맨홀, 상수도용 맨홀, 전기관로용 맨홀, 통신관로용 맨홀, 오수로용 맨홀, 정화조 맨홀, 배수로, 개구부 등일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 소수성 양극산화막이 형성된 스테인리스 스틸 맨홀 덮개를 제공한다.
본 발명에 따른 맨홀 덮개용 스테인리스 스틸 표면에 소수성 및 내식성(Corrosion Resistance) 산화막을 형성하는 방법은, 종래의 균일한 다공성 산화막을 형성하기 위한 프리패터닝(Pre-patterning) 공정 없이도 균일한 다공성 산화막을 형성할 수 있어 소수성 및 내식성이 현저히 우수한 효과가 있다.
도 1은 실시예 1-4의 단계 1 내지 단계 4까지만 실시한 후 얻은 샘플에 대한 EDS 측정 결과이다.
도 2는 실시예에서 단계 1 내지 4까지만 실시한 후 얻은 4개의 샘플 표면에 형성된 산화막의 표면 형상을 FE-SEM으로 관찰한 이미지이다.
도 3은 실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지만 실시한 샘플(SAM 코팅 미실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 4는 실시예에서 단계 1 내지 단계 5까지 모두 실시한 샘플(SAM 코팅 실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 5는 실시예에서 단계 1 내지 단계 5까지 모두 실시한 샘플의 동전위분극 곡선을 나타낸 도면이다.
도 2는 실시예에서 단계 1 내지 4까지만 실시한 후 얻은 4개의 샘플 표면에 형성된 산화막의 표면 형상을 FE-SEM으로 관찰한 이미지이다.
도 3은 실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지만 실시한 샘플(SAM 코팅 미실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 4는 실시예에서 단계 1 내지 단계 5까지 모두 실시한 샘플(SAM 코팅 실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 5는 실시예에서 단계 1 내지 단계 5까지 모두 실시한 샘플의 동전위분극 곡선을 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명을 하기의 실시예에 의하여 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1-1 내지 1-4> 스테인리스 스틸(SUS 316L)의 양극산화처리
단계 1: 스테인리스 스틸(SUS 316L) 기판의 준비
3cm × 3cm × 0.05cm 크기의 스테인리스 스틸(SUS 316L)을 사용하였다. 표면 이물질 제거 및 표면 클리닝을 위해 에탄올과 아세톤에 침지시켜 초음파 세척을 실시하였으며, 증류수를 이용하여 한번 더 세척한 후 건조하였다.
SUS 316L 등의 스테인리스 스틸의 성분을 하기에 나타내었다. 참조로, 금속의 종류, 그리고 합금의 종류에 따라서 초친수성 산화막을 형성하기 위한 최적의 양극산화 처리조건에는 상당한 차이가 있고, 본 발명에서는 SUS 316L에 초점을 맞추어 초친수성 산화막을 형성하기 위한 최적의 양극산화 처리조건을 찾아내었다.
단계 2: 양극산화 처리
양극산화 공정은 양극에 스테인리스 스틸, 음극에 백금(2.5cm × 4cm × 0.05cm)을 사용하였으며, 전극간 거리는 5cm 로 유지했다. 에틸렌글리콜 용액을 기반으로 0.1 M NH4F, 0.1 M H2O을 첨가한 전해질 용액에서 이중 자켓 비커와 수냉식 냉각기를 이용하여 0℃의 온도로 유지하였다. 인가전압을 30V(실시예 1-1), 50V(실시예 1-2), 70V(실시예 1-3), 90V(실시예 1-4)로 하여 3시간 동안 진행하였으며, 양극산화 후 시편을 증류수로 세척, 건조하였다.
단계 3: 기공확장 처리
상기 단계 2의 양극산화 처리로 제작된 나노 구조물의 기공 확장을 위해 0.1 M의 인산(Phosphoric Acid, Junsei)에 10분간 침지시켜 기공을 확장시키고, 시편을 증류수로 세척, 건조하였다.
단계 4: 플라즈마 처리
플라즈마 장치를 이용하여 표면에 15분 동안 산소 플라즈마로 유기 잔여물 제거하고 친수성으로 만든 후 공기 중에서 가열 교반기를 사용하여 150℃에서 10분 동안 건조하였다. 플라즈마 처리 조건은 200W, 50KHz, O2 50sccm, RIE 모드로 15분 동안 플라즈마 처리하였다.
단계 5: 자기조립 단분자막(Self-assembled Monolayer, SAM) 코팅
플라즈마 처리가 완료된 양극산화 샘플에 발수 특성을 부여하기 위해, 자기조립 단분자막(Self-assembled Monolayer, SAM) 코팅을 낮은 표면에너지를 가지는 물질인 FDTS(1H, 1H, 2H, 2H-Perfluorodecyltrichlorosilane) 용액을 사용하여 수행하였다.
<실험예 1> EDS(Energy dispersive spectroscopy)를 이용한 산화막 형성 평가
실시예 1-4(양극산화 90V, 3시간)에서 단계 1 내지 단계 4까지(SAM 코팅 미실시) 실시한 후 얻은 스테인리스 스틸(SUS 316L) 샘플에 대해서 EDS(모델명: X-MAX, 제조사: OXFORD) 측정을 하여, 산화막 형성 여부를 평가하였고, 그 결과를 도 1에 나타내었다.
도 1은 실시예 1-4의 단계 1 내지 단계 4까지 실시한 후 얻은 샘플에 대한 EDS 측정 결과이다.
도 1에 나타난 바와 같이, 양극산화 후에 산소와 철이 주성분으로 나타나 있으며, 그 외에 크롬, 망간, 니켈 등이 검출되었으며 탄소는 샘플을 스테이지에 고정하기 위한 카본테이프에 영향으로 노이즈에 해당한다. 이 결과를 통해 스테인리스 스틸 표면에 산화막이 형성된 것을 확인할 수 있다.
<실험예 2> FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope)을 이용한 표면 형상 관찰
실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지(SAM 코팅 미실시) 실시한 스테인리스 스틸(SUS 316L) 표면에 형성된 산화막의 표면 형상을 FE-SEM(모델명: MIRA 3 LMH In-Beam Detector, 제조사: TESCAN)을 이용하여 관찰하였고, 그 결과를 도 2에 나타내었다.
구체적으로, 샘플의 표면 형상을 관찰하기 위하여 샘플을 절단하여 카본 테이프로 스테이지에 고정하고, 양극산화로 만들어진 구조물은 비전도성인 산화물이므로 백금 코팅을 40초간 수행한 후 관찰하였다.
도 2는 실시예에서 단계 1 내지 4까지 실시한 후 얻은 4개의 샘플 표면에 형성된 산화막의 표면 형상을 FE-SEM으로 관찰한 이미지이다.
도 2에 나타난 바와 같이, (c), (d)의 표면과 달리 (a)와 (b)에서는 표면에서는 장벽형 산화피막이 형성되었기 때문에 표면에 기공을 형성하지 않는 것을 확인 할 수 있다. 그러나 (c)와 (d)의 경우엔 앞의 두 시편과 달리 다공성 구조가 형성된 것을 확인할 수 있다. 다공성 구조가 형성되는 이유로는 산성을 띄는 용액과 산화피막이 접촉하여 피막 표면에서 일어나는 부분적 용해로 인해 산화피막의 표면 거칠기가 증가하며 거칠어진 산화피막중 피막의 두께가 얇은 곳에서 전기장의 집중이 일어나게 된다. 전기장의 집중은 산화피막의 용해반응을 촉진시키게 되어 더 얇은 산화피막을 형성하게 되고 이러한 반응의 연속적 거동으로 인해 국부적 산화로 기공을 형성하게 된다
표 1에 도 2의 FE-SEM 이미지를 이용하여 양극산화 후 표면에 생성되어진 기공 직경(Pore Diameter, Dp), 기공사이의 간격(Interpore Distance, Dint), 고체분율(Solid Fraction)을 측정한 결과를 나타내었다. 기공의 직경과 기공간 거리는 평균값으로 나타낸 것이며, 고체분율은 하기 수학식 (1)에 의해 산출하였다.
[수학식 1]
f SL : 고체 분율(Solid Fraction)
a: 기공간의 거리
r: 기공의 반지름
Dp(nm) | Dint(nm) | 고체분율 | |
30V | None | None | None |
50V | None | None | None |
70V | 68.62±8.07 | 89.78±8.30 | 0.4559 |
90V | 89.17±8.25 | 106.45±7.22 | 0.3466 |
표 1에 나타난 바와 같이, 장벽형 피막으로 이루어진 인가전압 30 V, 50 V시편의 산화피막에서는 기공이 발견되지 않아 DP, Dint, 고체분율값은 구할 수 없으며, 70 V와 90 V의 경우 다공성 기공이 생성됨에 따라 DP, Dint, 고체분율값을 구할 수 있었다. 70 V에서의 DP, Dint, 고체분율값은 각각 68.62±8.07 nm, 89.78±8.30 nm, 0.4559 이며, 90 V에서의 값은 89.17±8.25 nm, 106.45±7.22 nm, 0.3466 으로 산출되었다. 70V 및 90V 전압 조건에서 규칙적인 기공을 가지는 다공성 피막이 형성됨을 관찰하였다. 고체분율은 거칠기율을 의미한다.
<실험예 3> 접촉각 평가
실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지만 실시한 샘플과 단계 1 내지 단계 5까지 모두 실시한 샘플의 표면 젖음성을 알아보기 위해 접촉각을 측정하였고, 그 결과를 도 3, 도 4 및 표 2에 나타내었다.
구체적으로, 측정 시에 기준 액체로 3.5㎕의 증류수를 사용하였다. 표면 위에 액적을 떨어뜨린 후 5초의 시간후에 접촉각을 측정하였고, 시편 당 10번 측정을 하였다.
도 3은 실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지만 실시한 샘플(SAM 코팅 미실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 4는 실시예에서 단계 1 내지 단계 5까지 모두 실시한 샘플(SAM 코팅 실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 3 및 도 4의 결과를 하기 표 2에 정리하여 나타내었다.
SAM 코팅전 (°) | SAM 코팅후 (°) | |
30V | 21.4±0.91 | 115.5±2.85 |
50V | 18.5±1.59 | 123.4±1.63 |
70V | 16.5±0.98 | 130.3±1.82 |
90V | 8.56±0.68 | 140.3±1.46 |
표 2에 나타난 바와 같이, SAM 코팅후 샘플에서 인가전압이 증가할수록 접촉각이 높아지는 것을 볼 수 있다. Cassie-Baxter 이론에 의하여 시편 표면의 다공성 산화막에서의 코팅으로 인해 공기가 기공 또는 고체 표면의 물방울을 밀어내는 형상이 되는 것이므로 다공성 산화피막을 형성하는 표면에 코팅한 시편에서 접촉각이 높게 나온 것으로 판단된다.
<실험예 4> 내식성(Corrosion Resistance) 평가
실시예에서 단계 1 내지 단계 5까지 모두 실시한 샘플의 내식성을 평가하였고, 그 결과를 도 5 및 표 3에 나타내었다.
구체적으로, 내식성은 전기화학적 방법인 동전위분극시험(Potentio-Dynamic Polarization Test, PDP)으로 상온의 3.5 wt% NaCl 용액에서 진행하였다. 분석 시험 진행 전 1시간 동안 상온에서 3.5 wt.% NaCl 용액에 샘플을 침지 시킨 후 측정하였다. 분극 시험은 3전극 시스템으로 작업전극으로는 샘플을 사용하였고 상대전극으로는 백금(Pt)을 사용하였으며 기준전극으로는 은/염화은(Ag/AgCl) 전극을 이용하였다. 측정 조건은 -500 mV 내지 +14000 mV(vs. Ag/AgCl) 범위를 1 mV/sec의 주사 속도로 전기화학적 특성 분석을 통해 내식성을 평가하였다.
도 5는 실시예에서 단계 1 내지 단계 5까지 모두 실시한 샘플의 동전위분극 곡선을 나타낸 도면이다.
도 5의 결과를 정리하여 하기 표 3에 나타내었다.
Ecorr (mV) | Icorr (A/cm2) | IE (%) | |
무처리 SUS 316L | -404 | 2.36×10-7 | 0 |
30V | -232 | 1.67×10-7 | 29.23 |
50V | -192 | 2.96×10-8 | 87.46 |
70V | -144 | 2.49×10-8 | 89.44 |
90V | -38 | 9.02×10-9 | 96.18 |
Ecorr: 부식전위
Icorr: 질량의 손실을 나타내는 부식전류밀도
IE: 무처리 SUS 304 대비 실시예 처리 샘플의 부식 억제율(Inhibition Efficiency)
부식전위란 부식이 일어나는 속도를 보여주는 수치이며 값이 낮을수록 산화경향이 크기 때문에 부식이 빨리 발생하는 경향이 있다
부식전류밀도는 전류밀도 값이 커질수록 전류가 많이 흐르기 때문에 부식이 많이 발생하는 경향이 있다.
부식 억제율은 부식전류밀도값을 이용하여 수치화한 것으로, i는 양극산화처리 및 코팅된 시편의 전류밀도값이며 i0는 무처리 시편의 전류밀도값으로 하기 수학식 2에 의해 산출하였다.
[수학식 2]
i: 실시예에서 단계 1 내지 단계 5까지 모두 실시한 샘플의 부식전류밀도
i0: 무처리 SUS 316L의 부식전류밀도
IE: 무처리 SUS 316L 대비 실시예 처리 샘플의 부식 억제율
표 3에 나타난 바와 같이, 인가전압이 높아질수록 내식성이 우수해지는 경향을 확인할 수 있으며, 부식억제율 또한 30 V의 경우 29.23 %, 50 V는 87.46 %, 70 V는 89.44 %, 90 V에선 96.18 % 으로 인가전압이 증가함에 따라 상승하는 경향을 확인할 수 있다. 이는 부식성 물질(Cl-)과 접촉하는 물질의 계면 구조의 변화 및 발수처리된 다공성 산화피막의 젖음성과 관련이 있다. 부식성 물질과 접촉하는 물질의 계면구조 변화의 경우 낮은 표면에너지를 가지는 코팅 물질은 극성을 가지지 않기 때문에 물 분자가 표면에 부착되기 어려워지며, 그에 따라 물 분자 속의 부식성 이온들은 코팅된 금속에서 반응을 일으키기 어려워진다. 또한 다공성 산화피막의 발수처리시 Cassie-Baxter의 형상에 따라 구조물과 부식성 물질이 접촉하더라도 기공 내부에 채워진 공기로 인해 부식성 물질이 기공 내부로 침투하기 어려운 상황을 구현함으로써, 부식 방지 효율이 증가한 것으로 판단된다.
<실험예 5> 내식성을 위한 양극산화 최적 조건(시간 및 전압) 평가
상기 실험예 1 내지 4를 통해 양극산화 처리 조건으로 3시간 및 90V 처리할 경우 내식성이 가장 우수함을 확인하였다. 이에, 본 실험예 5에서는 양극산화 처리 조건 3시간 및 90V를 기준으로 하여 최적 조건을 알아보았고, 그 결과를 표 4 및 표 5에 나타내었다. 양극산화 처리 시간 및 전압을 달리한 것을 제외하고는 실시예와 동일하게 샘플(SAM 코팅 실시)을 제조하였다.
시간(h) | 전압(V) | IE(%) | |
실시예 2-1 | 2.8 | 90 | 82.23 |
실시예 2-2 | 2.9 | 95.87 | |
실시예 2-3 (= 실시예 1-4) |
3.0 | 96.18 | |
실시예 2-4 | 3.1 | 95.48 | |
실시예 2-5 | 3.2 | 85.47 |
시간(h) | 전압(V) | IE(%) | |
실시예 3-1 | 3.0 | 86 | 89.99 |
실시예 3-2 | 88 | 95.31 | |
실시예 3-3 (= 실시예 1-4) |
90 | 96.18 | |
실시예 3-4 | 92 | 95.74 | |
실시예 3-5 | 94 | 87.49 |
표 4 및 표 5에 나타난 바와 같이, 내식성 측면에서 양극산화 처리 시간 2.9-3.1 h 및 인가 전압 88-92 V에서 가장 우수한 결과를 확인할 수 있었다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허 청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (10)
- 맨홀 덮개용 스테인리스 스틸 표면을 세척하고 건조하는 단계(단계 1);
80-100 V 인가 전압에서 2.5-3.5 시간 동안 양극산화처리하여, 스테인리스 스틸 표면에 양극산화막을 형성하는 단계(단계 2);
상기 단계 2의 양극산화처리된 스테인리스 스틸을 0.05-1.0 M의 인산 용액에 침지하여 기공확장 처리하는 단계(단계 3);
플라즈마 처리하여 유기 잔여물을 제거하고 양극산화막 표면을 친수성으로 만드는 단계(단계 4); 및
SAM(Self-assembled Monolayer) 코팅 가능한 소수성 코팅제로 코팅하는 단계(단계 5);를 포함하는,
맨홀 덮개용 스테인리스 스틸 표면에 소수성 및 내식성(Corrosion Resistance) 산화막을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 스테인리스 스틸은 SUS 316 또는 SUS 316L인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 단계 2의 양극산화처리는 NH4F, 물 및 에틸렌글리콜의 혼합물을 전해질로 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 단계 2의 양극산화처리는 85-95 V 인가 전압에서 2.8-3.2 시간 동안 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제4항에 있어서,
상기 단계 2의 양극산화처리는 88-92 V 인가 전압에서 2.9-3.1 시간 동안 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 SAM 코팅 가능한 소수성 코팅제는 1H,1H,2H,2H-퍼플로로데실트리클로로실란(FDTS), 트리클로로옥틸실란(OTS) 및 옥타데실트리클로로실란(ODTS) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,
스테인리스 스틸 표면에 접촉각 160° 이상의 양극산화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,
스테인리스 스틸 표면에 부식 억제율 90% 이상의 양극산화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 맨홀은 하수도용 맨홀, 상수도용 맨홀, 전기관로용 맨홀, 통신관로용 맨홀, 오수로용 맨홀, 정화조 맨홀, 배수로 및 개구부로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항의 방법으로 제조된 소수성 양극산화막이 형성된 스테인리스 스틸 맨홀 덮개.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220122145A KR20240043272A (ko) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 기능성 표면처리된 sus316l 맨홀덮개 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220122145A KR20240043272A (ko) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 기능성 표면처리된 sus316l 맨홀덮개 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20240043272A true KR20240043272A (ko) | 2024-04-03 |
Family
ID=90662568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220122145A KR20240043272A (ko) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 기능성 표면처리된 sus316l 맨홀덮개 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20240043272A (ko) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101832059B1 (ko) | 2016-06-24 | 2018-02-23 | 인하대학교 산학협력단 | 내지문 특성을 가지고 있는 장식용 타이타늄 산화막 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101832059B1 (ko) | 2016-06-24 | 2018-02-23 | 인하대학교 산학협력단 | 내지문 특성을 가지고 있는 장식용 타이타늄 산화막 제조 방법 |
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