KR20240042366A

KR20240042366A - 이방성 물질 시트로 종양 치료 필드(tt필드)를 적용하기 위한 전극 어셈블리

Info

Publication number: KR20240042366A
Application number: KR1020237045250A
Authority: KR
Inventors: 요람 와서만; 스타스 오부초프스키; 나탈리아 쿠플레르니크; 데이비드 샤피로
Original assignee: 노보큐어 게엠베하
Priority date: 2021-08-06
Filing date: 2022-08-04
Publication date: 2024-04-02
Also published as: EP4344414A1; US20230037806A1; KR20240041872A; US20230043071A1; WO2023012708A1; IL309481A; EP4344415A1; CA3226310A1; IL309482A; AU2022323907A1; TW202319092A; CA3226308A1; TW202327692A; WO2023012707A1

Abstract

이방성 물질 시트, 이방성 물질 시트의 전면에 배치된 적어도 하나의 전도성 물질 층, 이방성 물질 시트 뒤에 배치된 전극 요소를 포함하는 하나 이상의 전극 어셈블리를 사용하여 피험자의 신체에 교번 전기장(예: TT필드)을 적용할 수 있다. 전극 요소는 이방성 물질 시트의 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 전면을 가진다. 이방성 물질 시트는 열과 전류를 모두 시트의 전면과 평행한 방향으로 분산시켜 전극 어셈블리의 핫스팟을 제거하거나 최소한 최소화한다. 따라서 온도 안전 임계값(예: 41℃)을 초과하지 않고도 전류를 증가시킬 수 있다.

Description

이방성 물질 시트로 종양 치료 필드(TT필드)를 적용하기 위한 전극 어셈블리

본 출원은 미국 가출원 63/230,438(2021년 8월 6일 출원), 63/275,841(2021년 11월 4일 출원) 및 63/275,843(2021년 11월 4일 출원)의 이익을 주장하며, 각 신청서는 여기에 전체적으로 참조로 통합되어 있다.

종양 치료 필드(TTFields) 치료는 50kHz에서 1MHz 사이의 주파수(예: 100-500kHz)에서 교류 전기장을 사용하여 종양을 치료하는 입증된 접근 방식이다. 교류 전기장은 피험자 신체의 반대편에 배치된 전극 어셈블리(예: 용량성 결합 전극 어레이, 트랜스듀서 어레이라고도 함)에 의해 유도된다. 반대편 전극 어셈블리 사이에 교류 전압이 가해지면 교류 전류가 전극 어셈블리를 통해 피험자의 신체로 결합된다. 전류가 높을수록 치료 효과와 밀접한 상관관계가 있다.

도 1a는 X1 - X9로 표시된 9개의 종래 기술 전극 요소를 포함하는 종래 기술 전극 어셈블리(40)의 개략도이다. 도 1b는 도 1a의 점선을 따라 절단한 전극 어셈블리(40)의 전극 요소(X7-X9)의 단면 도식도이다.

도 1b에 표시된 바와 같이, 전극 요소 X7(예시)은 금속 층(대각선 해칭으로 표시됨)과 세라믹(유전체) 층을 포함한다. 각 세라믹 층과 피험자의 피부 사이에 전기 전도성 하이드로겔의 각 층이 제공되어 전극 요소와 신체와의 전기적 접촉이 양호하게 이루어지도록 한다. 교류 전압 발생기(표시되지 않음)의 교류 전압이 반대편 전극 어셈블리의 전극 요소의 금속층에 적용되어 피험자 신체에 TTField를 생성한다.

사용 중에 하이드로겔과 전극 요소 아래의 피부가 가열되며, 안전을 고려할 때 피부 온도가 안전 임계값(예: 41℃) 이하로 유지되어야 한다. 대부분의 열이 전극 요소 X1-X9 바로 아래에 나타나기 때문에(도 1c 참조), 종래의 전극 어셈블리는 전극 요소 바로 아래에 핫스팟이 있고 전극 요소 사이에 냉각 영역이 있다. 그리고 이러한 핫스팟은 종래 기술의 전극 어셈블리를 통해 전달할 수 있는 전류량을 제한한다.

본 발명의 일 측면은 피험자의 신체에 교류 전기장을 적용하기 위한 제1 장치에 관한 것이다. 제1 장치는 이방성 물질 시트, 적어도 하나의 전도성 물질 층 및 제1 전극 요소를 포함한다. 이방성 물질 시트는 전면과 후면을 가진다. 시트는 전면에 수직인 방향으로 제1 열전도율을 가지며, 전면과 평행한 방향으로의 시트의 열전도율은 제1 열전도율보다 2배 이상 높다. 적어도 하나의 전도성 물질 층은 시트의 전면에 배치되고 생체 적합성 전면을 가진다. 제1 전극 요소는 시트 뒤에 배치되고, 제1 전극 요소는 시트의 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제1 전면을 가진다.

제1 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 유전 물질의 제1 층 및 (ii) 유전 물질의 제1 층의 후면에 배치된 금속의 제1 층을 포함한다. 제1 유전 물질 층의 전면은 제1 전극 요소의 제1 전면이다. 이러한 실시예들은 또한 제1 전극 요소의 제1 전면 면과 시트의 후면 면 사이에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 후면 층을 더 포함하며, 여기서 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제1 전극 요소의 제1 전면 면과 시트의 후면 면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 선택적으로, 이들 실시예에서 전도성 물질의 제1 후면 층은 전도성 하이드로겔을 포함할 수 있다.

제1 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 유전 물질의 제1 층 및 (ii) 유전 물질의 제1 층의 후면에 배치된 금속의 제1 층을 포함한다. 제1 유전 물질 층의 전면은 제1 전극 요소의 제1 전면이다. 이들 실시예는 또한 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 후면 층을 더 포함하며, 여기서 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 이러한 실시예는 또한 시트 뒤에 배치된 제2 전극 요소를 더 포함한다. 제2 전극 요소는 시트의 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전면을 가진다. 제2 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 제2 유전 물질 층 및 (ii) 제2 유전 물질 층의 후면에 배치된 제2 금속 층을 포함한다. 제2 유전 물질 층의 전면은 제2 전극 요소의 제2 전면이다. 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제2 전극 요소의 제2 전면과 시트의 후면 사이에 배치되고, 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제2 전극 요소의 제2 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다.

제1 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 유전 물질의 제1 층 및 (ii) 유전 물질의 제1 층의 후면에 배치된 금속의 제1 층을 포함한다. 제1 유전 물질 층의 전면은 제1 전극 요소의 제1 전면이다. 이들 실시예는 또한 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 후면 층을 더 포함하며, 여기서 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 이러한 실시예는 또한 시트 뒤에 배치된 제2 전극 요소를 더 포함한다. 제2 전극 요소는 시트의 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전면을 가진다. 제2 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 제2 유전 물질 및 (ii) 제2 유전 물질 층의 후면에 배치된 제2 금속 층을 포함한다. 제2 유전 물질의 제2 층의 전면은 제2 전극 요소의 제2 전면이다. 이러한 실시예들은 또한 제2 전극 요소의 제2 전면과 시트의 후면 사이에 배치된 제2 전도성 물질의 제2 후면 층을 더 포함한다. 전도성 물질의 제2 후면 층은 제2 전극 요소의 제2 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다.

제1 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 유전 물질의 제1 층 및 (ii) 제1 유전 물질의 후면에 배치된 제1 금속 층을 포함한다. 제1 유전 물질 층의 전면은 제1 전극 요소의 제1 전면이다. 이러한 실시예들은 또한 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 후면 층을 더 포함하며, 여기서 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 이러한 실시예에서, 전도성 물질의 제1 후면 층은 전도성 접착제이다. 선택적으로, 이들 실시예에서, 전도성 접착제는 접착 중합체 및 탄소 분말, 입자, 섬유, 플레이크 또는 나노튜브를 포함할 수 있다. 선택적으로, 이러한 실시예에서 전도성 접착제는 10~2,000μm 사이의 두께를 가진다.

제1 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 요소는 전면을 갖는 금속 피스(piece)를 포함하며, 금속 피스의 전면은 제1 전극 요소의 제1 전면이다. 선택적으로, 이들 실시예는 제1 전극 요소의 제1 전면 면과 시트의 후면 면 사이에 배치된 전도성 물질의 제1 후면 층을 더 포함할 수 있으며, 여기서 전도성 물질의 제1 후면 층은 제1 전극 요소의 제1 전면 면과 시트의 후면 면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 선택적으로, 이러한 실시예들에서, 제1 전극 요소의 제1 전면은 시트의 후면과 직접 접촉하도록 배치될 수 있다.

제1 장치의 일부 실시예에서, 이방성 물질의 시트는 그라파이트 시트이다. 제1 장치의 일부 실시예에서, 이방성 물질의 시트는 열분해 그라파이트 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트으로 제조된 그라파이트 호일 또는 그라파이트화된 폴리머 필름이다. 제1 장치의 일부 실시예에서, 이방성 물질의 시트는 비금속이다.

제1 장치의 일부 실시예에서, 전면에 평행한 방향으로의 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 10배 이상 높다. 제1 장치의 일부 실시예에서, 시트는 전면에 수직인 방향으로 제1 저항을 가지며, 전면에 평행한 방향으로의 시트의 저항은 제1 저항의 절반 미만이다.

제1 장치의 일부 실시예에서, 전도성 물질의 적어도 하나의 층은 하이드로겔을 포함한다. 제1 장치의 일부 실시예에서, 전도성 물질의 적어도 하나의 층은 50 내지 2000 μm 두께의 하이드로겔 층을 포함한다.

제1 장치의 일부 실시예에서, 전도성 물질의 적어도 하나의 층은 전도성 접착제를 포함한다. 선택적으로, 이러한 실시예에서, 전도성 접착제는 접착 중합체 및 탄소 분말, 입자, 섬유, 플레이크 또는 나노튜브를 포함할 수 있다. 선택적으로, 이러한 실시예에서 전도성 접착제는 10~2,000μm 사이의 두께를 가진다.

제1 장치의 일부 실시예는 시트, 제1 전극 요소 및 적어도 하나의 전도성 물질 층을 지지하도록 구성된 유연한 자기 접착식 지지체을 더 포함하여, 적어도 하나의 전도성 물질 층의 전면이 피험자의 피부에 대해 위치할 수 있도록 한다.

제1 장치의 일부 실시예에서, 시트는 중심을 가지며, 제1 전극 요소의 제1 전면의 중심은 시트의 중심으로부터 3㎝ 미만 떨어진 곳에 위치한다. 제1 장치의 일부 실시예에서, 시트는 중심과 시트의 후면과 평행한 방향의 치수를 가지며, 제1 전극 요소의 제1 전면의 중심은 시트의 중심으로부터 치수의 30% 미만 떨어진 곳에 위치한다.

제1 장치의 일부 실시예는 제1 전극 요소에 전기적으로 연결되는 리드를 더 포함한다.

본 발명의 또 다른 측면은 피험자 신체의 목표 영역에 교류 전기장을 적용하는 제1 방법에 관한 것이다. 제1 방법은 제1 전극 어셈블리를 피험자의 신체 위 또는 신체 내의 제1 위치에 배치하는 단계를 포함한다. 제1 전극 어셈블리는 제1 전면 및 제1 후면을 갖는 이방성 물질의 제1 시트를 포함한다. 제1 시트는 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 열 전도성을 가진다. 제1 전면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 2배 이상 높다. 제1 전극 어셈블리는 제1 시트의 제1 전면이 목표 영역을 향하도록 배치된다. 제1 방법은 또한 제2 전극 어셈블리를 피험자의 신체 위 또는 신체 내 제2 위치에 배치하는 것을 포함한다. 제2 전극 어셈블리는 제2 전면 및 제2 후면을 갖는 제2 이방성 물질의 제2 시트를 포함한다. 제2 시트는 제2 전면에 수직인 방향으로 제2 열 전도성을 가진다. 제2 전면과 평행한 방향으로의 제2 시트의 열 전도성은 제2 열 전도성보다 2배 이상 높다. 제2 전극 어셈블리는 제2 시트의 제2 전면이 목표 영역을 향하도록 배치된다. 첫 번째 방법은 또한 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전압을 인가하는 것을 포함한다. 인가 전압은 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리를 배치한 후에 수행된다.

제1 방법의 일부 예에서, 인가는 (i) 제1 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제1 전극 요소와 (ii) 제2 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전극 요소 사이에 교류 전압을 인가함으로써 구현된다.

제1 방법의 일부 예는, 제1 전극 요소의 제1 온도를 측정하는 단계; 제2 전극 요소의 제2 온도를 측정하는 단계; 및 제1 온도 및 제2 온도에 기초하여 인가하는 것을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.

제1 방법의 일부 예에서, 제1 전극 어셈블리는 제1 전면에 배치된 제1 전도성 물질 층을 더 포함한다. 이러한 경우, 제2 전극 어셈블리는 제2 전면에 배치된 제2 전도성 물질의 제2 층을 더 포함한다.

제1 방법의 일부 예에서, 이방성 물질의 제1 및 제2 시트 각각은 그라파이트 시트이다. 제1 방법의 일부 예에서, 이방성 물질의 제1 및 제2 시트 각각은 열분해 그라파이트 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트으로 만든 그라파이트 호일, 또는 그라파이트화된 폴리머 필름이다. 첫 번째 방법의 일부 사례에서, 이방성 물질의 첫 번째 및 두 번째 시트 각각은 비금속이다.

제1 방법의 일부 예에서, 제1 전면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 10배 이상 높고, 제2 전면과 평행한 방향으로의 제2 시트의 열 전도성은 제2 열 전도성보다 10배 이상 높다.

제1 방법의 일부 예에서, 제1 시트는 제1 전면 면에 수직인 방향으로 제1 저항을 가지며, 제1 전면 면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 저항은 제1 저항의 절반 미만이다. 제2 시트는 제2 전면에 수직인 방향으로 제2 저항을 가지며, 제2 전면과 평행한 방향으로의 제2 시트의 저항은 제2 저항의 절반 미만이다.

본 발명의 또 다른 측면은 피험자의 신체에 교류 전기장을 적용하기 위한 제2 장치에 관한 것이다. 제2 장치는 이방성 물질 시트, 적어도 하나의 전도성 물질 층 및 제1 전극 요소를 포함한다. 이방성 물질 시트는 전면과 후면을 가진다. 시트는 전면에 수직인 방향으로 제1 저항을 가지며, 전면과 평행한 방향으로의 시트의 저항은 제1 저항의 절반 미만이다. 적어도 하나의 전도성 물질 층은 시트의 전면에 배치되고 생체 적합성 전면을 가진다. 제1 전극 요소는 시트 뒤에 배치되고, 제1 전극 요소는 시트의 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제1 전면을 가진다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 유전 물질의 제1 층 및 (ii) 유전 물질의 제1 층의 후면에 배치된 금속의 제1 층을 포함한다. 제1 유전 물질 층의 전면은 제1 전극 요소의 제1 전면이다. 이러한 실시예들은 또한 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 후면 층을 더 포함하며, 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 선택적으로, 이들 실시예에서, 전도성 물질의 제1 후면 층은 전도성 하이드로겔을 포함할 수 있다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 유전 물질의 제1 층 및 (ii) 유전 물질의 제1 층의 후면에 배치된 금속의 제1 층을 포함한다. 제1 유전 물질 층의 전면은 제1 전극 요소의 제1 전면이다. 이러한 실시예들은 또한 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 후면 층을 더 포함하며, 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 이러한 실시예는 또한 시트 뒤에 배치된 제2 전극 요소를 더 포함한다. 제2 전극 요소는 시트의 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전면을 가진다. 제2 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 제2 유전 물질 층 및 (ii) 제2 유전 물질 층의 후면에 배치된 제2 금속 층을 포함한다. 제2 유전 물질 층의 전면은 제2 전극 요소의 제2 전면이다. 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제2 전극 요소의 제2 전면과 시트의 후면 사이에 배치되고, 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제2 전극 요소의 제2 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 유전 물질의 제1 층 및 (ii) 유전 물질의 제1 층의 후면에 배치된 금속의 제1 층을 포함한다. 제1 유전 물질 층의 전면은 제1 전극 요소의 제1 전면이다. 이러한 실시예들은 또한 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 후면 층을 더 포함하며, 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 이러한 실시예는 또한 시트 뒤에 배치된 제2 전극 요소를 더 포함한다. 제2 전극 요소는 시트의 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전면을 가진다. 제2 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 제2 유전 물질 층 및 (ii) 제2 유전 물질 층의 후면에 배치된 제2 금속 층을 포함한다. 제2 유전 물질의 제2 층의 전면은 제2 전극 요소의 제2 전면이다. 장치는 제2 전극 요소의 제2 전면과 시트의 후면 사이에 배치된 제2 전도성 물질의 제2 후면 층을 더 포함하고, 제2 전도성 물질의 제2 후면 층은 제2 전극 요소의 제2 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 갖는 유전 물질의 제1 층 및 (ii) 유전 물질의 제1 층의 후면에 배치된 금속의 제1 층을 포함한다. 제1 유전 물질 층의 전면은 제1 전극 요소의 제1 전면이다. 이러한 실시예들은 또한 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 후면 층을 더 포함하며, 제1 전도성 물질의 제1 후면 층은 제1 전극 요소의 제1 전면과 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 이러한 실시예에서, 전도성 물질의 제1 후면 층은 전도성 접착제를 포함한다. 선택적으로, 이들 실시예에서, 전도성 접착제는 접착 중합체 및 탄소 분말, 입자, 섬유, 플레이크 또는 나노튜브를 포함할 수 있다. 선택적으로, 이들 실시예에서 전도성 접착제는 10~2,000μm 사이의 두께를 가진다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 요소는 전면을 갖는 금속 피스를 포함하며, 금속 피스의 전면은 제1 전극 요소의 제1 전면이다. 선택적으로, 이들 실시예는 제1 전극 요소의 제1 전면 면과 시트의 후면 면 사이에 배치된 전도성 물질의 제1 후면 층을 더 포함할 수 있으며, 여기서 전도성 물질의 제1 후면 층은 제1 전극 요소의 제1 전면 면과 시트의 후면 면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 선택적으로, 이러한 실시예들에서, 제1 전극 요소의 제1 전면은 시트의 후면과 직접 접촉하도록 배치될 수 있다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 이방성 물질의 시트는 그라파이트 시트이다. 제2 장치의 일부 실시예에서, 이방성 물질의 시트는 열분해 그라파이트 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트으로 제조된 그라파이트 호일 또는 그라파이트화된 폴리머 필름이다. 제2 장치의 일부 실시예에서, 이방성 물질의 시트는 비금속이다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 전면과 평행한 방향으로의 시트의 저항은 제1 저항의 10% 미만이다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 시트는 전면에 수직인 방향으로 제1 열 전도성을 가지며, 전면에 평행한 방향으로의 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 2배 이상 높다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 전도성 물질의 적어도 하나의 층은 하이드로겔을 포함한다. 제2 장치의 일부 실시예에서, 전도성 물질의 적어도 하나의 층은 50 내지 2000 μm 두께의 하이드로겔 층을 포함한다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 전도성 물질의 적어도 하나의 층은 전도성 접착제를 포함한다. 선택적으로, 이러한 실시예에서, 전도성 접착제는 접착 중합체 및 탄소 분말, 입자, 섬유, 플레이크 또는 나노튜브를 포함한다. 선택적으로, 이들 실시예에서 전도성 접착제는 10~2,000㎛ 사이의 두께를 가진다.

제2 장치의 일부 실시예는 시트, 제1 전극 요소 및 적어도 하나의 전도성 물질 층을 지지하도록 구성된 유연한 자기 접착식 지지체을 더 포함하여, 적어도 하나의 전도성 물질 층의 전면이 피험자의 피부에 대해 위치할 수 있도록 한다.

제2 장치의 일부 실시예에서, 시트는 중심을 가지며, 제1 전극 요소의 제1 전면의 중심은 시트의 중심으로부터 3㎝ 미만 떨어진 곳에 위치한다. 제2 장치의 일부 실시예에서, 시트는 중심과 시트의 후면과 평행한 방향의 치수를 가지며, 제1 전극 요소의 제1 전면의 중심은 시트의 중심으로부터 치수의 10% 미만 떨어진 곳에 위치한다.

제2 장치의 일부 실시예는 제1 전극 요소에 전기적으로 연결되는 리드를 더 포함한다.

본 발명의 또 다른 측면은 피험자 신체의 목표 영역에 교류 전기장을 적용하는 두 번째 방법에 관한 것이다. 제2 방법은 제1 전극 어셈블리를 피험자의 신체 위 또는 신체 내의 제1 위치에 배치하는 것을 포함한다. 제1 전극 어셈블리는 제1 전면 및 제1 후면을 갖는 이방성 물질의 제1 시트를 포함한다. 제1 시트는 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 저항을 가진다. 제1 전면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 저항은 제1 저항의 절반 미만이다. 제1 전극 어셈블리는 제1 시트의 제1 전면이 타겟 영역을 향하도록 배치된다. 두 번째 방법은 또한 제2 전극 어셈블리를 피험자의 신체 상 또는 신체 내의 제2 위치에 배치하는 것을 포함한다. 제2 전극 어셈블리는 제2 전면 및 제2 후면을 갖는 이방성 물질의 제2 시트를 포함한다. 제2 시트는 제2 전면에 수직인 방향으로 제2 저항을 가진다. 제2 전면과 평행한 방향으로의 제2 시트의 저항은 제2 저항의 절반 미만이다. 제2 전극 어셈블리는 제2 시트의 제2 전면이 타겟 영역을 향하도록 배치된다. 두 번째 방법은 또한 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전압을 인가하는 것을 포함한다. 인가 전압은 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리를 배치한 후에 수행된다.

제2 방법의 일부 예에서, 인가는 (i) 제1 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제1 전극 요소와 (ii) 제2 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전극 요소 사이에 교류 전압을 인가함으로써 구현된다.

제2 방법의 일부 예는, 제1 전극 요소의 제1 온도를 측정하는 단계; 제2 전극 요소의 제2 온도를 측정하는 단계; 및 제1 온도 및 제2 온도에 기초하여 인가하는 것을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.

제2 방법의 일부 예에서, 제1 전극 어셈블리는 제1 전면에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 층을 더 포함한다. 제2 전극 어셈블리는 제2 전면에 배치된 제2 전도성 물질의 제2 층을 더 포함한다.

제2 방법의 일부 예에서, 제1 및 제2 이방성 물질의 각 시트는 그라파이트 시트이다. 제2 방법의 일부 예에서, 이방성 물질의 제1 및 제2 시트 각각은 열분해 그라파이트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트으로 만든 그라파이트 호일 또는 그라파이트화된 폴리머 필름 시트이다. 두 번째 방법의 일부 사례에서, 이방성 물질의 첫 번째 및 두 번째 시트 각각은 비금속이다.

두 번째 방법의 일부 사례에서, 첫 번째 전면과 평행한 방향으로의 첫 번째 시트의 저항은 첫 번째 저항의 10% 미만이다. 그리고 두 번째 전면과 평행한 방향에서 두 번째 시트의 저항은 두 번째 저항의 10% 미만이다.

제2 방법의 일부 예에서, 제1 시트는 제1 전면 면에 수직인 방향으로 제1 열 전도성을 가지며, 제1 전면 면에 평행한 방향으로의 제1 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 2배 이상 높은 열 전도성을 가진다. 그리고 제2 시트는 제2 전면에 수직인 방향으로 제2 열전도도를 가지며, 제2 전면에 평행한 방향으로의 제2 시트의 열전도도가 제2 열전도도보다 2배 이상 높은 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 측면은 피험자 신체의 목표 영역에 교류 전기장을 적용하여 피험자의 상태를 치료하는 세 번째 방법에 관한 것이다. 제3 방법은 제1 전극 어셈블리를 피험자의 신체 위 또는 신체 내의 제1 위치에 배치하는 것을 포함한다. 제1 전극 어셈블리는 제1 전면 및 제1 후면을 갖는 전도성 이방성 물질의 제1 시트를 포함한다. 제1 시트는 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 열 전도성을 가지며, 제1 전면에 평행한 방향으로의 제1 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 2배 이상 높다. 제1 전극 어셈블리는 제1 시트의 제1 전면이 목표 영역을 향하도록 배치된다. 세 번째 방법은 또한 제2 전극 어셈블리를 피험자의 신체 위 또는 신체 내 제2 위치에 배치하는 것을 포함한다. 제2 전극 어셈블리는 제2 전면 및 제2 후면을 갖는 전도성 이방성 물질의 제2 시트를 포함한다. 제2 시트는 제2 전면에 수직인 방향으로 제2 열 전도성을 가지며, 제2 전면과 평행한 방향으로의 제2 시트의 열 전도성은 제2 열 전도성보다 2배 이상 높다. 제2 전극 어셈블리는 제2 시트의 제2 전면이 목표 영역을 향하도록 배치된다. 그리고 세 번째 방법은 또한 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전압을 인가하는 것을 포함한다. 인가하는 것은 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리를 배치한 후에 수행된다.

제3 방법의 일부 예에서, 인가는 (i) 제1 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제1 전극 요소 및 (ii) 제2 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전극 요소 사이에 교류 전압을 인가함으로써 구현된다. 제3 방법의 일부 예에서, 표적 영역은 피사체의 몸통, 뇌 및 복부 중 하나에서 선택된 영역에 있다.

세 번째 방법의 일부 사례에서는 상태가 암이다. 선택적으로 이러한 경우 암은 다형성 교모세포종, 폐암, 악성 흉막 중피종, 비소세포 폐암, 뇌 전이, 유방암, 난소암, 전립선암, 췌장암, 위암, 위식도 접합부 선암, 위 선암, 장암, 대장암, 직장암, 간세포암, 포도막암 및 간암 중에서 선택된다.

제3 방법의 일부 예에서, 상기 상태는 암이고, 상기 방법은 하나 이상의 항암제를 투여하는 것을 더 포함한다. 선택적으로, 이러한 경우, 하나 이상의 항암제는 테모졸로마이드, 페메트렉시드, 시스플라틴, 카보플라틴, 파클리탁셀, 냅-파클리탁셀, 독소루비신 중에서 선택된다, 사이클로포스파마이드 , 트라스투주맙, 아테졸리주맙, 젬시타빈, 메벤다졸, 소라페닙, 옥살리플라틴, 카페시타빈, 플루오로우라실, 류코보린, 데파툭시주맙 마포도틴 및 ABT-751 중에서 선택된다.

세 번째 방법의 일부 사례에서, 질환은 암이며, 이 방법은 면역 체크포인트 억제제의 투여를 추가로 포함한다. 선택적으로, 이러한 경우 면역 관문 억제제는 펨브롤리주맙, 니볼루맙, 세미플리맙, 아테졸리무맙, 더발루맙, 아벨루맙 및 이필리무맙 중 하나 이상을 선택한다.

세 번째 방법의 일부 사례에서는 질환이 암이고, 암이 다형성 교모세포종이며, 테모졸로마이드 투여를 추가로 포함하는 방법이 있다.

세 번째 방법의 일부 사례에서, 질환은 암이며, 이 방법은 방사선 요법의 투여를 추가로 포함한다. 선택적으로, 이러한 사례는 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 및 PARP 억제제 중 하나 이상의 투여를 더 포함할 수 있다.

세 번째 방법의 일부 예는 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 및 PARP 억제제 중 하나 이상을 추가로 투여하는 것을 포함한다.

세 번째 방법의 일부 사례에서는 해당 질환이 신경 퇴행성 질환이다. 선택적으로 이러한 경우 신경 퇴행성 질환은 근위축성 측삭 경화증(ALS), 파킨슨병, 알츠하이머병, 헌팅턴병, 신경섬유종증, 다발성 경화증 또는 치매 중에서 선택된다.

세 번째 방법의 일부 사례에서는 자가 면역 질환이 원인인 경우가 있다. 선택적으로 이러한 경우 자가 면역 질환은 라스무센 뇌염(RE), 루푸스 신염, 제1형 당뇨병, 류마티스 관절염, 다발성 근염 중에서 선택된다.

제3 방법의 일부 예는, 제1 전극 요소의 제1 온도를 측정하는 단계; 제2 전극 요소의 제2 온도를 측정하는 단계; 및 제1 온도 및 제2 온도에 기초하여 인가하는 것을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.

제3 방법의 일부 예에서, 제1 전극 어셈블리는 제1 전면에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 층을 더 포함하고, 제2 전극 어셈블리는 제2 전면에 배치된 제2 전도성 물질의 제2 층을 더 포함한다.

제3 방법의 일부 예에서, 이방성 물질의 제1 및 제2 시트 각각은 열분해 그라파이트 시트이다. 세 번째 방법의 일부 사례에서, 이방성 물질의 제1 및 제2 시트 각각은 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화된 폴리머 필름으로 만든 그라파이트 호일이다.

제3 방법의 일부 예에서, 제1 전면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 10배 이상 높고, 제2 전면과 평행한 방향으로의 제2 시트의 열 전도성은 제2 열 전도성보다 10배 이상 높다.

제3 방법의 일부 예에서, 제1 시트는 제1 전면 면에 평행한 방향으로 제1 전면 면에 수직인 방향으로 제1 시트의 저항의 1/2보다 작은 저항을 가지며, 제2 시트는 제2 전면 면에 평행한 방향으로 제2 전면 면에 수직인 방향으로 제2 시트의 저항의 1/2보다 작은 저항을 가진다.

제3 방법의 일부 예에서, 제1 시트는 제1 전면 면에 평행한 방향으로 제1 전면 면에 수직인 방향으로 제1 시트의 저항의 10% 미만인 저항을 가지며, 제2 시트는 제2 전면 면에 평행한 방향으로 제2 전면 면에 수직인 방향으로 제2 시트의 저항의 10% 미만인 저항을 가진다.

본 발명의 또 다른 측면은 테모졸로마이드, 페메트렉시드, 시스플라틴, 카보플라틴, 파클리탁셀, 냅-파클리탁셀 중 하나 이상에서 선택된 화학 요법 약물에 관한 것이다, 독소루비신, 사이클로포스파마이드 , 트라스투주맙, 아테졸리주맙, 젬시타빈, 메벤다졸, 소라페닙, 옥살리플라틴, 카페시타빈, 플루오로우라실, 류코보린, 데파툭시주맙 마포도틴 및 ABT-751, 다형성 교모세포종, 폐암, 악성 흉막 중피종, 비소세포성 폐암, 뇌 전이, 유방암, 난소암, 전립선암, 췌장암, 위암, 위식도 접합부 선암, 위 선암 장암, 대장암, 직장암, 간암, 간세포암 및 포도막암 중에서 선택한 암의 치료를 위해 사용된다. 화학 요법 약물은 이방성 물질 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50kHz ~ 1MHz의 주파수를 갖는 교류 전기장을 적용하는 것과 함께 투여된다.

선택적으로, 교류 전기장의 적용은 (i) 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리와 (ii) 이방성 물질의 제2 시트를 포함하는 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전압을 인가함으로써 구현된다.

선택적으로, 화학 요법 약물을 면역 체크 포인트 억제제의 투여와 추가적으로 병용하여 투여한다. 선택적으로, 화학 요법 약물은 펨브롤리주맙, 니볼루맙, 세미플리맙, 아테졸리맙, 더발루맙, 아벨루맙 및 이필리무맙 중 하나 이상에서 선택된 면역 체크 포인트 억제제의 투여와 추가로 병용하여 투여된다.

선택적으로, 상기 암은 다형성 교모세포종이고, 상기 화학요법제는 테모졸로마이드를 포함한다. 선택적으로, 상기 암은 다형성 교모세포종이고, 상기 화학요법 약제는 테모졸로마이드를 포함하며, 면역 체크포인트 억제제의 투여와 추가로 병용 투여된다. 선택적으로, 암이 다형성 교모세포종이고, 화학 요법 약물이 테모졸로마이드를 포함하며, 펨브롤리주맙과 추가적으로 병용 투여된다.

선택적으로, 화학 요법 약물은 방사선 요법과 함께 추가로 투여된다.

선택적으로, 화학 요법 약물은 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 및 PARP 억제제 중 하나 이상과 추가로 병용하여 투여된다.

선택적으로, 화학 요법 약물은 그라파이트 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50kHz ~ 1MHz의 주파수를 갖는 교류 전기장을 적용하는 것과 함께 투여된다.

선택적으로, 화학 요법 약물은 열분해 그라파이트 또는 압축된 고순도 각질 제거 광물 그라파이트으로 만든 그라파이트 호일 시트 또는 그라파이트화 폴리머 필름을 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50kHz ~ 1MHz 주파수의 교류 전기장을 적용하는 것과 함께 투여된다.

선택적으로, 교류 전기장의 적용은 (i) 제1 전면 및 제1 후면을 갖는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 조립체 및 (ii) 제2 전면 및 제2 후면을 갖는 이방성 물질의 제2 시트를 포함하는 제2 전극 조립체 사이에 교류 전압을 인가함으로써 구현된다. 제1 전면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 열 전도성은 제1 전면에 수직인 방향으로의 열 전도성보다 2배 이상 높고, 제2 전면과 평행한 방향으로의 제2 시트의 열 전도성은 제2 전면에 수직인 방향으로의 열 전도성보다 2배 이상 높다.

선택적으로, 교류 전기장의 적용은 (i) 제1 전면 및 제1 후면을 갖는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 조립체 및 (ii) 제2 전면 및 제2 후면을 갖는 이방성 물질의 제2 시트를 포함하는 제2 전극 조립체 사이에 교류 전압을 인가함으로써 구현된다. 제1 전면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 열 전도성은 제1 전면에 수직인 방향으로의 열 전도성보다 10배 이상 높고, 제2 전면과 평행한 방향으로의 제2 시트의 열 전도성은 제2 전면에 수직인 방향으로의 열 전도성보다 10배 이상 높다.

선택적으로, 교류 전기장의 적용은 (i) 제1 전면 및 제1 후면을 갖는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 조립체 및 (ii) 제2 전면면 및 제2 후면면을 갖는 이방성 물질의 제2 시트를 포함하는 제2 전극 조립체 사이에 교류 전압을 인가함으로써 구현된다. 제1 시트는 제1 전면에 평행한 방향으로 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 시트의 저항의 1/2보다 작은 저항을 가지며, 제2 시트는 제2 전면에 평행한 방향으로 제2 전면에 수직인 방향으로 제2 시트의 저항의 1/2보다 작은 저항을 가진다.

선택적으로, 교류 전기장의 적용은 (i) 제1 전면 및 제1 후면을 갖는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 조립체 및 (ii) 제2 전면 및 제2 후면을 갖는 이방성 물질의 제2 시트를 포함하는 제2 전극 조립체 사이에 교류 전압을 인가함으로써 구현된다. 제1 시트는 제1 전면과 평행한 방향으로 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 시트의 저항의 10% 미만인 저항을 가지며, 제2 시트는 제2 전면과 평행한 방향으로 제2 전면에 수직인 방향으로 제2 시트의 저항의 10% 미만인 저항을 가진다.

본 발명의 또 다른 측면은 다형성 교모세포종, 폐암, 악성 흉막 중피종 중에서 선택된 암의 치료에 사용하기 위한 펨브롤리주맙, 니볼루맙, 세미피맙, 아테졸리맙, 더발루맙, 아벨루맙 및 이필리무맙 중 하나 이상의 면역 체크포인트 억제제에 관한 것이다, 비소세포성 폐암, 뇌 전이, 유방암, 난소암, 전립선암, 췌장암, 위암, 위식도 접합부 선암, 위 선암, 장암, 대장암, 직장암, 간암, 간세포암 및 포도막암 중에서 선택된 암의 치료에 사용할 수 있다. 면역 체크포인트 억제제는 이방성 물질 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50kHz ~ 1MHz 주파수의 교류 전기장을 적용하는 것과 함께 투여된다.

본 발명의 또 다른 측면은 HLM006474, MRT00033659, YKL-5-124-TFA, YKL-5-124, 아베마시클립, 리보시클립, 트릴라시클립, 아이브랜스, 레로시클립, 알보시딥, 로니시클립, 리비시클립 중 하나 이상에서 선택된 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 또는 PARP 억제제에 관한 것이다, 밀시클립, RGB-286638, NSN3106729, PHA-793887, R547, 인디루빈, NU610 2, 보헤민, CDK9-IN-7, CGP60474, 푸르발라놀 A, PF-06873600, 님볼리드, FN-1501, AG-024322, ON123300, G1T28, G1T38, AMG925, SHR-6390, BPI-1178, BPI-16350, FCN437, birociclib, BEBT-209, Ty-302, 다형성 교모세포종, 폐암, 악성 흉막 중피종, 비소세포성 폐암 중에서 선택된 암의 치료에 사용하기 위한 TQB-3616, HS-10342, PF-06842874, CS-2002, MM-D37K, CDK4/6-IN-2, SU9516, AT7519, 니라파립, 올라파립 및 루카파립, 뇌 전이, 유방암, 난소암, 전립선암, 췌장암, 위암, 위식도 접합부 선암, 위 선암, 장암, 결장암, 직장암, 간암, 간세포암 및 포도막암. E2F 억제제, CDK 4/6 억제제 또는 PARP 억제제는 이방성 물질 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50kHz ~ 1MHz 주파수의 교류 전기장을 적용하는 것과 함께 투여된다.

본 발명의 또 다른 측면은 테모졸로마이드, 페메트렉시드, 시스플라틴, 카르보플라틴, 파클리탁셀, 냅-파클리탁셀 중에서 선택된 화학 요법 약물의 사용에 관한 것이다, 독소루비신, 사이클로포스파마이드 , 트라스투주맙, 아테졸리주맙, 젬시타빈, 메벤다졸, 소라페닙, 옥살리플라틴, 카페시타빈, 플루오로우라실, 류코보린, 데파툭시주맙 마포도틴, 및 다형성 교모세포종, 폐암, 악성 흉막 중피종, 비소세포성 폐암, 뇌 전이, 유방암, 난소암, 전립선암, 췌장암, 위암, 위식도 접합부 선암, 위 선암, 장암, 대장암, 직장암, 간암, 간세포암 및 포도막암 중에서 선택한 암의 치료용 의약품 제조에 사용하기 위한 ABT-751. 화학 요법 약물은 이방성 물질 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50kHz ~ 1MHz의 주파수를 갖는 교류 전기장을 적용하는 것과 함께 투여된다.

본 발명의 또 다른 측면은 다형성 교모세포종, 폐암, 악성 흉막 중 선택된 암의 치료를 위한 의약품 제조에 사용하기 위해 펨브롤리주맙, 니볼루맙, 세미플리맙, 아테졸리맙, 더발루맙, 아벨루맙 및 이필리맙 중 하나 이상의 면역 체크포인트 억제제의 사용에 관한 것이다, 악성 흉막 중피종, 비소세포 폐암, 뇌 전이, 유방암, 난소암, 전립선암, 췌장암, 위암, 위식도 접합부 선암, 위 선암, 장암, 대장암, 직장암, 간암, 간세포암 및 포도막암 중에서 선택된 암의 치료용 의약품 제조에 사용할 수 있다. 면역 체크포인트 억제제는 이방성 물질 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50kHz ~ 1MHz 주파수의 교류 전기장을 적용하는 것과 함께 투여된다.

본 발명의 또 다른 측면은 HLM006474, MRT00033659, YKL-5-124-TFA, YKL-5-124, 아베마시클립, 리보시클립, 트릴라시클립, 아이브랜스, 레로시클립, 알보시딥, 로닉시클립, 리빅시클립 중 하나 이상에서 선택된 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 또는 PARP 억제제의 사용에 관한 것이다, 밀시클립, RGB-286638, NSN3106729, PHA-793887, R547, 인디루빈, NU610 2, 보헤민, CDK9-IN-7, CGP60474, 푸르발라놀 A, PF-06873600, 님볼리드, FN-1501, AG-024322, ON123300, G1T28, G1T38, AMG925, SHR-6390, BPI-1178, BPI-16350, FCN437, birociclib, BEBT-209, Ty-302, TQB-3616, 다형성 교모세포종, 폐암, 악성 흉막 중피종, 비소세포 폐암 중에서 선택된 암의 치료에 사용하기 위한 의약품 제조에 사용되는 HS-10342, PF-06842874, CS-2002, MM-D37K, CDK4/6-IN-2, SU9516, AT7519, 니라파립, 올라파립, 및 루카파립, 뇌 전이, 유방암, 난소암, 전립선암, 췌장암, 위암, 위식도 접합부 선암, 위 선암, 장암, 결장암, 직장암, 간암, 간세포암 및 포도막암. E2F 억제제, CDK 4/6 억제제 또는 PARP 억제제는 이방성 물질 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 주파수가 50kHz ~ 1MHz인 교류 전기장을 적용하는 것과 함께 투여된다. 선택적으로, E2F 억제제, CDK4/6 억제제 또는 PARP 억제제는 방사선 요법과 함께 추가로 투여된다.

본 발명의 또 다른 측면은 피험자 신체의 목표 영역에 교류 전기장을 적용하기 위한 제3 장치에 관한 것이다. 제3 장치는 제1 전극 어셈블리, 제2 전극 어셈블리 및 교류 전압 발생기를 포함한다. 제1 전극 어셈블리는 제1 전면과 제1 후면을 갖는 이방성 물질의 제1 시트를 포함한다. 제1 시트는 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 열 전도성을 가지며, 제1 전면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 2배 이상 높다. 제2 전극 어셈블리는 제2 전면 및 제2 후면을 갖는 제2 이방성 물질의 제2 시트를 포함한다. 제2 시트는 제2 전면에 수직인 방향으로 제2 열 전도성을 가지며, 제2 전면과 평행한 방향으로 제2 시트의 열 전도성은 제2 열 전도성보다 2배 이상 높다. 교류 전압 발생기는 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전압을 인가하도록 구성된다.

제3 장치의 일부 실시예에서, 제1 전면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 10배 이상 높고, 제2 전면과 평행한 방향으로의 제2 시트의 열 전도성은 제2 열 전도성보다 10배 이상 높다.

제3 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 어셈블리는 제1 전면에 배치된 제1 전도성 물질 층을 더 포함하고, 제2 전극 어셈블리는 제2 전면에 배치된 제2 전도성 물질 층을 더 포함한다.

제3 장치의 일부 실시예에서, 제1 및 제2 이방성 물질의 각 시트는 그라파이트 시트이다. 제3 장치의 일부 실시예에서, 이방성 물질의 제1 및 제2 시트 각각은 열분해 그라파이트 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트으로 만든 그라파이트 호일 또는 그라파이트화된 폴리머 필름이다.

본 발명의 또 다른 측면은 피험자 신체의 목표 영역에 교류 전기장을 적용하기 위한 제4 장치에 관한 것이다. 제4 장치는 제1 전극 어셈블리, 제2 전극 어셈블리 및 교류 전압 발생기를 포함한다. 제1 전극 어셈블리는 제1 전면 및 제1 후면을 갖는 이방성 물질의 제1 시트를 포함한다. 제1 시트는 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 저항을 가지며, 제1 전면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 저항은 제1 저항의 절반 미만이다. 제2 전극 어셈블리는 제2 전면 및 제2 후면을 갖는 제2 이방성 물질의 제2 시트를 포함한다. 제2 시트는 제2 전면에 수직인 방향으로 제2 저항을 가지며, 제2 전면에 평행한 방향으로의 제2 시트의 저항은 제2 저항의 절반 미만이다. 교류 전압 발생기는 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전압을 인가하도록 구성된다.

제4 장치의 일부 실시예에서, 제1 전면면과 평행한 방향으로의 제1 시트의 저항은 제1 저항의 10% 미만이고, 제2 전면면과 평행한 방향으로의 제2 시트의 저항은 제2 저항의 10% 미만이다.

제4 장치의 일부 실시예에서, 제1 전극 어셈블리는 제1 전면에 배치된 제1 전도성 물질의 제1 층을 더 포함하고, 제2 전극 어셈블리는 제2 전면에 배치된 제2 전도성 물질의 제2 층을 더 포함한다.

제4 장치의 일부 실시예에서, 제1 및 제2 이방성 물질의 각 시트는 그라파이트 시트이다. 제4 장치의 일부 실시예에서, 이방성 물질의 제1 및 제2 시트 각각은 열분해 그라파이트 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트으로 제조된 그라파이트 호일 또는 그라파이트화된 폴리머 필름이다.

도 1a는 종래 기술의 전극 어셈블리를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1b는 도 1a의 점선을 따라 절단한 종래 기술 전극 어셈블리의 전극 요소의 단면도이다.
도 1c는 종래 기술 전극 소자의 열 발생 특성을 보여주는 단면도이다.
도 1d는 도 1b 전극 소자를 가설적으로 수정했을 때의 열 발생 특성을 보여주는 단면도이다.
도 2는 피험자의 신체에 TTField를 적용하는 데 사용되는 전극 요소를 포함한 전극 어셈블리의 평면도이다.
도 3a는 도 2의 점선을 따라 절단한 전극 요소 E1, E2를 포함하는 제1 실시예의 단면도이다.
도 3b는 도 3a 실시예의 열 발생 특성을 보여주는 단면도이다.
도 4a는 종래 기술의 전극 어셈블리의 열화상 이미지이다.
도 4b는 도 3a 실시예에 해당하는 전극 어셈블리의 열화상 이미지이다.
도 4c는 종래 기술 전극 어셈블리의 열 특성을 도 3a 실시예와 비교한 그래프이다.
도 4d는 금속(알루미늄) 시트를 사용하여 구축한 시뮬레이션 전극 어레이의 열화상 카메라 이미지를 도시한다.
도 4e는 이방성 물질(열분해 그라파이트) 시트를 사용하여 구축한 시뮬레이션 전극 어레이의 열화상 카메라 이미지를 도시한다.
도 4f는 그라파이트 시트가 있는 전극 배열과 없는 전극 배열을 사용하여 쥐의 몸통에 TTField를 적용한 실험 결과를 도시한다.
도 5는 도 2의 점선을 따라 절단한 전극 요소 E1, E2를 포함하는 제2 실시예의 단면도이다.
도 6은 단일 전극 요소(E1)를 포함하는 세 번째 실시예의 단면도이다.
도 7은 단일 전극 요소(E1)를 포함하는 제4 실시예의 단면도이다.
도 8은 단일 전극 요소(E1)를 포함하는 다섯 번째 실시예의 단면도이다.
도 9는 피험자의 신체에 TTField를 적용하는 데 사용되는 두 개의 전극 어셈블리를 통합한 시스템의 블록 다이어그램이다.
다양한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 아래에 상세히 설명되며, 여기서 같은 참조 번호는 같은 요소를 나타낸다.

본 출원은 예를 들어 피험자의 신체에 TTField를 전달하고 피험자의 신체에 위치한 하나 이상의 암 또는 종양을 치료하는 데 사용할 수 있는 예시적인 전극 어셈블리에 대해 설명한다.

피험자의 신체에 TTField를 적용하면 피험자의 신체 온도가 유도된 전기장에 비례하여 상승할 수 있다. 규정에서는 트랜스듀서 어레이를 통해 구동할 수 있는 전류의 양을 피험자의 신체 위치에서 측정된 온도를 온도 임계값 이하로 유지하는 양으로 제한하고 있다. 당업자가 실시하는 바와 같이, 트랜스듀서 어레이에 의해 구동되는 작동 전류를 감소시키고 그 결과 발생하는 TTField의 강도를 감소시킴으로써 피험자의 신체에 있는 트랜스듀서 어레이 위치의 온도가 온도 임계값 이하가 되도록 제어된다. 이는 결국 종양 치료에 사용할 수 있는 TTFields 강도에 대한 최우선적인 제한이 된다. 따라서 피험자 피부의 온도 임계값을 초과하지 않으면서도 더 높은 TTField 강도에 안전하게 접근할 수 있는 기술이 필요하다.

여러 개의 전극 요소로 구성된 트랜스듀서 어레이에서는 전극 요소 바로 아래에 위치한 트랜스듀서 어레이 부분이 전극 요소 사이에 위치한 트랜스듀서 어레이 부분보다 더 뜨거워진다. 또한, 여러 전극 요소로 구성된 트랜스듀서 어레이에서는 어레이의 중앙에 위치한 전극 요소에 비해 어레이의 가장자리를 따라 위치한 전극 요소를 통해 더 높은 전류가 흐른다. 또한 어레이 가장자리의 모서리 또는 이와 유사한 급격한 구부러짐에 위치한 전극 요소는 가장자리를 따라 어레이의 중앙 근처에 있는 다른 전극 요소보다 더 높은 전류를 가진다. 어레이의 가장자리, 특히 모서리에 위치한 전극 요소를 통해 더 높은 전류를 구동하는 트랜스듀서 어레이의 경향을 여기서는 "가장자리 효과"라고 한다.

전극 요소의 분포 또는 가장자리 효과로 인해 트랜스듀서 어레이를 통한 전류가 고르지 않게 분포하면 트랜스듀서 어레이의 모서리 또는 가장자리와 같은 고온 영역(또는 "핫 스팟")이 발생할 수 있다. 이러한 핫스팟은 임계 온도에 가장 먼저 도달하는 위치이므로 전류를 줄여야 하는 요구 사항을 제어한다. 따라서 핫스팟이 발생하면 트랜스듀서 어레이에서 구동할 수 있는 최대 작동 전류와 그 결과로 발생하는 TTField의 강도가 제한된다.

발명자들은 전류의 고르지 않은 분포를 줄이거나 최소화하여 더 높은 작동 전류를 적용할 수 있는 트랜스듀서 어레이가 필요하다는 것을 인식했다. 증가된 전류로 작동하는 트랜스듀서 어레이는 피험자의 신체에 더 강한 TTField를 유도하여 궁극적으로 더 나은 환자 치료 결과를 가져올 수 있다. 본 명세서에 개시된 전극 어셈블리를 사용하면 전류와 열이 어레이 전체에 고르게 분산되어 핫스팟을 최소화하거나 제거할 수 있다.

본원에 설명된 실시예는 아래에 설명된 바와 같이 이방성 열 특성 및/또는 이방성 전기적 특성을 갖는 재료 시트를 전극 어셈블리에 통합한다. 재료 시트가 이방성 열 특성을 갖는 경우, 시트는 더 넓은 표면적에 걸쳐 열을 더 고르게 분산시킨다. 재료 시트에 이방성 전기 특성이 있는 경우 시트는 더 넓은 표면적에 전류를 더 고르게 분산시킨다. 각각의 경우, 전극 어셈블리에 주어진 AC 전압이 적용될 때(위에서 설명한 선행 기술 구성과 비교하여) 핫스팟의 온도를 낮추고 냉각 영역의 온도를 높이다. 따라서 피험자 피부의 어느 지점에서든 안전 온도 임계값을 초과하지 않고도 전류를 증가시켜(치료 효과를 증가시켜) 치료 효과를 높일 수 있다.

일부 실시예에서, 이방성 물질은 전기 전도성 특성과 관련하여 이방성이다. 일부 실시예에서, 이방성 물질은 열 전도성 특성과 관련하여 이방성이다. 일부 바람직한 실시예에서, 이방성 물질는 전기 전도성 특성 및 열 전도성 특성 모두에 대해 이방성이다.

이방성 열 특성에는 방향성 열 특성이 포함된다. 구체적으로, 이방성 소재의 시트는 전면에 수직인 방향으로 첫 번째 열전도율을 가진다. 그리고 전면에 평행한 방향으로의 시트의 열전도도는 제1 열전도도보다 2배 이상 높다. 일부 바람직한 실시예에서, 평행 방향의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 10배 이상 높다. 예를 들어, 전면과 평행한 방향에서의 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 1.5배, 2배, 3배, 5배, 10배, 20배, 30배, 100배, 200배 또는 심지어 1,000배 이상 더 높을 수 있다. 일부 실시예에서, 이방성 물질 시트의 전면과 평행한 방향으로의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 5배 내지 30배 더 높다. 일부 실시예에서, 전면과 평행한 방향으로 이방성 물질 시트의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 1.5배 내지 10배 더 높다. 예를 들어, 열분해 그라파이트 시트의 x-y 평면 방향의 열전도도는 수직인 z 방향의 열전도도보다 10배에서 20배 더 높다.

이방성 전기적 특성에는 방향성 전기적 특성이 포함된다. 구체적으로, 시트는 전면에 수직인 방향으로 첫 번째 저항을 가진다. 그리고 전면에 평행한 방향으로의 시트의 저항은 제1 저항보다 작다. 일부 바람직한 실시예에서, 평행 방향에서의 저항은 제1 저항의 절반 미만 또는 제1 저항의 10% 미만이다. 예를 들어, 전면과 평행한 방향에서의 시트(70)의 저항은 제1 저항의 75%, 50%, 40%, 30%, 20%, 10%, 5%, 1%, 0.5%, 0.1% 또는 심지어 0.05% 미만일 수 있다. 일부 실시예에서, 이방성 물질 시트의 전면과 평행한 방향으로의 저항은 제1 저항의 10% 내지 75% 사이이다. 일부 실시예에서, 전면과 평행한 방향으로 이방성 물질 시트의 저항은 제1 저항의 0.05% 내지 10% 사이이다. 예를 들어, 열분해 그라파이트 시트의 x-y 평면 방향의 전기 저항은 수직인 z 방향의 전기 저항보다 약 3 자리수 (1,000배) 낮다.

일부 실시예(예: 이방성 물질 시트가 열분해 그라파이트 시트인 경우)에서, 이방성 물질 시트는 이방성 전기적 특성과 이방성 열적 특성을 모두 가진다.

일부 실시예(예: 이방성 물질 시트가 열분해 그라파이트 시트인 경우)에서, 이방성 물질 시트는 비금속이다. 이러한 실시예는 이온이 피험자의 체내로 전달되는 것을 방지하는 것이 바람직한 상황에서 특히 유리하다. 보다 구체적으로, 금속 시트를 사용하면 금속 이온이 피험자의 체내로 전달될 수 있다. 이것이 바람직하지 않은 상황에서는 이방성 물질의 비금속 시트를 사용하는 실시예가 바람직하다.

본 발명은 다음의 상세한 설명, 실시예, 도면 및 청구범위와 그 전후의 설명을 참조함으로써 보다 용이하게 이해할 수 있다. 그러나, 본 발명은 달리 명시되지 않는 한 개시된 특정 장치, 장치, 시스템 및/또는 방법에 한정되지 않으며, 따라서 당연히 달라질 수 있다는 것을 이해해야 한다.

제목은 편의를 위해서만 제공되며, 본 발명을 어떠한 방식으로든 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 개시의 임의의 제목 또는 임의의 부분에 예시된 실시예는 본 개시의 동일 또는 다른 제목 또는 다른 부분에 예시된 실시예와 결합될 수 있다.

본 명세서에 기재된 요소들의 조합과 그 가능한 모든 변형은 본 명세서에 달리 명시되지 않거나 문맥상 명백히 모순되지 않는 한 본 발명에 포함된다.

명세서 및 첨부된 청구항에서 사용된 바와 같이, 문맥에서 달리 명시되지 않는 한 단수 형태인 "a", "an" 및 "the"는 복수의 참조항을 포함한다.

도 2는 피험자의 신체에 TTField를 적용하는 데 사용되는 전극 요소를 포함하는 실시예의 전극 어셈블리(50)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2에는 E1 및 E2로 표시된 두 개의 전극 요소만 도시되어 있지만, 추가적인 전극 요소가 전극 어셈블리(50)에 포함될 수 있다. 다른 실시예에서, 전극 어셈블리(50)는 단일 전극 요소만을 포함한다. 특히, 도 2는 전극 어셈블리(50)를 일반적으로 도시하고 있으며, 이러한 전극 어셈블리(E1 및 E2)는 (예컨대, 도 3a-8과 관련하여 아래에서 설명하는 바와 같이) 상이한 구성을 가질 수 있다.

도 3a는 도 2의 파선을 따라 절단한 전극 요소(E1, E2)를 포함하는 전극 어셈블리(50a)의 제1 실시예의 단면도이다.

도 3a 실시예에서, 전극 어셈블리(50a)는 전면(도 3a에서 피험자의 피부를 향함)과 후면을 갖는 이방성 물질 시트(70)를 포함한다. 이 시트(70)는 전면에 수직인 방향으로 제1 열 전도도를 가진다. 전면과 평행한 방향으로의 시트(70)의 열 전도성은 제1 열 전도도보다 2배 이상 높다. 일부 바람직한 실시예에서, 전면과 평행한 방향으로의 시트(70)의 열 전도도는 제1 열 전도도보다 10배 이상 높다. 도 3a 실시예의 시트(70)는 다른 측면에서도 이방성을 가진다. 보다 구체적으로, 시트(70)는 전면에 수직인 방향으로 제1 저항을 가지며, 전면에 평행한 방향으로의 시트의 저항은 제1 저항의 절반보다 작다. 일부 실시예에서, 전면에 평행한 방향으로의 시트의 저항은 제 1 저항의 10% 미만이다.

전극 어셈블리(50a)는 전면(도 3a에서 피험자의 피부를 향함)과 후면이 있는 전도성 이방성 물질 시트(70)를 포함한다. 전도성 이방성 물질 시트(70)는 그라파이트 시트일 수 있다. 적합한 형태의 그라파이트의 예로는, 열분해 그라파이트(일본 오사카의 카도마에 소재한 파나소닉 인더스트리에서 제공되는 열분해 그라파이트 시트(PGS)를 포함하되 이에 국한되지 않음)과 같은 합성 그라파이트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트으로 만들어진 그라파이트 포일(MinGraph® 2010A 플렉시블 그래파이트에서 공급되는 것을 포함하되 이에 국한되지 않음)을 포함한 다른 형태의 합성 그라파이트, 그리고 미국 애리조나주 투손의 Mineral Seal Corp, 미국 애리조나주 투손)나 그라파이트화 폴리머 필름, 예를 들어 그라파이트화 폴리이미드 필름(일본 토치기현 모카시 소재 카네카 사에서 공급하는 것을 포함하되 이에 국한되지 않음)을 사용할 수 있다. 다른 실시예에서, 그라파이트 대신에 그라파이트 이외의 전도성 이방성 물질이 사용될 수 있다.

일부 실시예에서, 이방성 물질(70)의 시트는 열분해 그라파이트 시트이다. 열분해 그라파이트 시트의 전면에 평행한 방향(즉, x-y 평면)에서의 열 전도성은 일반적으로 전면에 수직인 방향(즉, z 방향)에서의 열 전도성보다 50배 이상 높다. 그리고 열분해 그라파이트 시트의 전면과 평행한 방향(즉, x-y 평면)에서의 전기 저항은 일반적으로 전면에 수직인 방향(즉, z 방향)에서의 전기 저항의 2% 미만이다.

다른 실시예에서, 이방성 물질(70)의 시트는 압축된 고순도 박리된 광물 그라파이트으로 제조된 그라파이트 호일이다. 다른 실시예에서, 이방성 물질은 열분해 탄소 또는 그라파이트화된 폴리머 필름일 수 있다. 다른 실시예에서, 이방성 물질은 질화 붕소일 수 있다. 다른 실시예는 이방성 특성을 갖는 다른 전도성 물질의 시트를 활용할 수 있다. 일부 실시예들에서(예를 들어, 이방성 물질의 시트가 열분해 그라파이트 또는 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화된 폴리머 필름과 같은 합성 그라파이트의 시트인 경우), 이방성 물질(70)의 시트는 비금속이다.

전극 어셈블리(50a)는 시트(70)의 전면에 배치된 적어도 하나의 전도성 물질(60) 층을 더 포함하며, 적어도 하나의 전도성 물질(60) 층은 생체 적합성 전면을 가진다. 도 3에 도시된 실시예에서는, 전도성 물질(60)이 단 하나의 층만 존재하며, 그 단 하나의 층은 생체 적합성이 있음에 유의하여야 한다. 그러나 다른 실시예(도시되지 않음)에서는 하나 이상의 층이 있을 수 있으며, 이 경우 전면 층만 생체 적합성이 있어야 한다. 물질(60)의 적어도 하나의 층은 장치와 신체 사이의 양호한 전기적 접촉을 보장하도록 구성된다. 일부 실시예에서, 적어도 하나의 물질 층(60)은 이방성 물질(70) 시트의 전체 전면을 덮어야 한다. 적어도 하나의 물질 층(60)은 이방성 물질 시트(70)와 동일한 크기이거나 더 클 수 있다. 일부 실시예들에서(그리고 도 3a에 도시된 바와 같이), 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층은 하이드로겔의 단일 층을 포함한다. 이러한 실시예들에서, 하이드로겔은 50 내지 2000㎛, 예를 들어 100 내지 1000㎛, 또는 심지어 300 내지 500㎛ 사이의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층은 비-하이드로겔 생체 적합성 전도성 접착제의 단일 층이다. 일부 실시예에서, 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층은 비-하이드로겔 생체 적합성 전도성 접착제의 단일 층으로서, 개발 제품인 FLX068983 - 플렉스콘® 옴니-웨이브TM TT 200 블랙 H-502 150 폴리 H-9 44PP-8, 미국 매사추세츠주 스펜서의 플렉스콘, 또는 플렉스콘의 다른 그러한 옴니-웨이브 제품; 또는 접착 연구, 주식회사에서 제조 및 판매하는 ARcare® 8006 전기 전도성 접착제 조성물(미국 펜실베이니아주 글렌 록의 Adhesives Research, Inc. (미국 펜실베이니아주 글렌 락)에서 제조 및 판매하는 ARcare® 8006 전기 전도성 접착제 조성물. 비하이드로겔 전도성 접착제는 접착 특성과 탄소 입자, 분말, 섬유, 플레이크 또는 나노튜브를 가진 수성 폴리머로 구성될 수 있다. 접착 폴리머는 예를 들어 아크릴 폴리머 또는 실리콘 폴리머 또는 이들의 조합일 수 있으며, 아크릴 또는 실리콘 기반 탄소 충전 접착 테이프로 제공될 수 있다. 접착제는 추가로 하나 이상의 전도성 폴리머(예를 들어, 폴리아닐린(PANI) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(PEDOT) 또는 당업자에게 알려진 다른 것)를 포함할 수 있다. 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층 내의 전도성 필러는 비금속이어야 한다. 이러한 실시예들에서, 생체 적합성 전도성 접착제는 10 내지 2,000㎛, 예를 들어 20 내지 1,000㎛, 또는 30 내지 400㎛ 사이의 두께를 가질 수 있다.

전극 어셈블리(50a)는 시트(70) 뒤에 배치된 제1 전극 요소(E1)를 더 포함한다. 제1 전극 요소(E1)는 시트(70)의 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제1 전극 면을 가진다. 도 3a 실시예에서, 제1 전극 요소(E1)는 전면과 후면을 갖는 제1 유전(예컨대, 세라믹) 물질 층(310)과, 제1 유전 물질 층(310)의 후면에 배치된 제1 금속 층(320)을 포함한다. 유전 물질(310)의 제1 층의 전면은 제1 전극 요소(E1)의 제1 전면이다. 도면들(예컨대, 도 3a)은 유전 물질(310)를 "세라믹"으로 묘사하고 있지만, 세라믹 재료 대신에 다양한 다른 적합한 유전 물질가 사용될 수 있음에 유의한다. 예를 들어, 유전율이 적어도 10인 폴리머 층 또는 유전율이 적어도 10인 다른 물질이 포함된다.

일부 실시예에서, 유전 물질(310)의 층은 10 내지 50,000 범위의 유전 상수를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 유전 물질(310)의 층은 폴리(비닐리덴 플루오르화물-트리플루오로에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌) 및/또는 폴리(비닐리덴 플루오르화물-트리플루오로에틸렌-1-클로로플루오로에틸렌)과 같은 고유전성 폴리머 재료를 포함한다. 이러한 두 가지 중합체는 본 명세서에서 각각 "폴리(VDF-TrFE-CTFE)" 및 "폴리(VDF-TrFE-CFE)"로 약칭한다. 이러한 실시예들은 이들 물질의 유전율이 40 정도이기 때문에 특히 유리하다. 일부 실시예에서, 폴리머 층은 폴리(비닐리덴 플루오르화물-트리플루오로에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌-클로로플루오로에틸렌) 또는 "폴리(VDF-TrFE-CTFE-CFE)" 일 수 있다.

일부 실시예에서, 유전 물질(310)의 층은 임의의 적절한 몰 비율로 VDF, TrFE, CFE 및/또는 CTFE와 같은 단량체의 중합 유닛을 포함하는 삼원 중합체를 포함한다. 적합한 삼원 중합체는, 예를 들어, 30~80 몰% VDF, 5~60 몰% TrFE를 갖는 것을 포함하며, CFE 및/또는 CTFE는 삼원 중합체의 몰%의 균형을 구성한다.

일부 실시예에서, 시트(70)는 중심을 가지며, 제1 전극 요소(E1)의 제1 전면의 중심은 시트(70)의 중심으로부터 3㎝ 미만 떨어진 곳에 위치한다. 일부 실시예에서, 시트(70)는 중심 및 시트(70)의 후면과 평행한 치수(예를 들어, 길이 또는 폭)를 가지며, 제1 전극 요소(E1)의 제1 전면 면의 중심은 시트(70)의 중심으로부터 30% 미만 또는 치수의 10% 미만으로 떨어져 위치한다.

전극 어셈블리(50a)는 제1 전극 요소(E1)의 제1 전면(즉, 유전 물질(310)의 제1 층의 전면)과 시트(70)의 후면 사이에 배치된 전도성 물질(80)의 제1 후면 레이어를 더 포함한다. 전도성 물질(80)의 제1 후면 층은 제1 전극 요소(E1)의 제1 전면과 시트(70)의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 예시된 실시예에서, 전도성 물질(80)의 후방 층은 하이드로겔 층이다. 그러나, 다른 실시예들에서는, 다른 전도성 물질(예를 들어, 전도성 그리스, 전도성 접착제, 전도성 테이프, 전도성 복합체 등)이 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 전도성 물질(80)은 전술한 바와 같은 비-하이드로겔 전도성 접착제일 수 있다.

전극 어셈블리(50a)는 선택적으로 하나 이상의 추가 전극 요소를 포함할 수 있다. 예시된 실시예에서, 전극 어셈블리(50a)는 시트(70) 뒤에 배치된 제2 전극 요소(E2)를 포함한다. 제2 전극 요소(E2)는 시트(70)의 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전면을 가진다. 도 3a의 두 전극 요소(E1, E2)는 동일한 구조를 가진다. 따라서, 제2 전극 요소(E2)는 전면과 후면을 갖는 제2 유전체(예컨대, 세라믹) 재료 층(310)과, 제2 유전 물질 층(310)의 후면에 배치된 제2 금속 층(320)을 포함한다. 유전 물질(310)의 제2 층의 전면은 제2 전극 요소(E2)의 제2 전면이다. 일부 실시예에서, 모든 전극 요소들의 총 면적은 시트(70)의 면적보다 작거나, 시트(70)의 면적의 절반보다 작거나, 시트(70)의 면적의 1/4보다 작거나, 시트(70)의 면적의 1/10보다 작을 수 있다.

전도성 물질의 제1 후면 층(80)은 제2 전극 요소(E2)의 제2 전면(즉, 유전체 물질(310)의 제2 층의 전면)과 시트(70)의 후면 사이에 위치한다. 전도성 물질(80)의 제1 후면 층은 제2 전극 요소(E2)의 제2 전면과 시트(70)의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. E1에 대해 설명된 바와 같이, 그리고 도 3a에 도시된 바와 같이, 전도성 물질(80)은 하이드로겔 층일 수 있지만, 다른 실시예들에서는 다른 전도성 물질(예를 들어, 전도성 그리스, 전술한 비-하이드로겔 전도성 접착제를 포함하는 전도성 접착제, 전도성 테이프, 전도성 복합체 등)이 사용될 수 있다.

모든 전극 요소들(예컨대, 예시된 실시예에서 E1 및 E2)의 금속 층들(320)은 리드(90)에 함께 배선될 수 있다(예컨대, 와이어, 플렉스 회로 상의 트레이스 등을 사용하여). 리드(90)는 전극 어셈블리(50a)가 치료를 위해 피험자의 신체에 부착될 때 전극 요소에 교류 전압 발생기(도시되지 않음)로부터 교류 전압을 공급하여 TTField를 생성한다.

선택적으로, 전극 어셈블리(50a)는 시트(70), 제1 전극 요소(E1)(및 전극 어셈블리 내에 존재하는 임의의 다른 전극 요소) 및 적어도 하나의 전도성 물질 층(60)을 지지하도록 구성된 유연한 자체 접착 백킹(55)을 포함하여, 적어도 하나의 전도성 물질 층(60)의 전면 표면이 피험자의 피부에 대해 위치할 수 있도록 한다.

전술한 바와 같이, 도 2는 전극 요소들(E1, E2)을 포함하는 전극 어셈블리(50)의 평면 도식도이다. 도 2의 이 도면(축척되지 않음)은 또한 시트(70)의 면적이 전극 요소들(E1, E2)의 결합된 면적보다 더 크다는 것을(예를 들어, 적어도 2배 더 크거나, 적어도 4배 더 크거나, 또는 적어도 10배 더 큰) 보여준다. 전극 요소들(E1, E2)에 교류 전압이 인가되면, 열이 전체 시트(70)에 걸쳐 확산되어 핫스팟이 최소화되거나 제거된다. 열의 확산 및 방향성 변경(특정 위치의 열 최소화) 외에도, 확산은 열의 대부분이 체온이 훨씬 높은 z 방향으로 진행되지 않고 실온(더 차가운) 방열판에서 끝나는 시트의 가장자리로 x-y 평면으로 향하기 때문에 열을 방출하는 데 추가적인 효과가 있다. 따라서 이 영역은 훨씬 더 빨리 냉각된다.

이러한 핫스팟의 감소(종래기술과 비교하여)는 도 1c와 도 3b를 비교하면 분명해진다. 보다 구체적으로, 도 1c는 종래 기술의 전극 소자에 대한 전류 분포 및 발열을 보여주며, 각 전극 소자는 전극 소자와 거의 동일한 면적(x-y 평면)을 차지하는 전도성 하이드로겔 층에 배치되어 있다. 도 1c에서 볼 수 있듯이 모든 전류는 전극 소자 바로 아래의 하이드로겔 층을 통과하며, 이로 인해 전극 소자 바로 아래에 핫스팟이 발생한다.

처음에는 하이드로젤의 면적을 늘려 전극 소자 사이의 모든 영역을 덮으면(즉, 전극 소자보다 훨씬 더 넓은 면적을 x-y 평면에 덮으면) 이 문제를 해결할 수 있다고 생각할 수 있다. 그러나 이것은 사실이 아니다. 보다 구체적으로, 도 1d는 이 가상의 전극 어셈블리에 대한 전류 분포와 발열을 도시한다. 도 1d에서 볼 수 있듯이 모든 전류는 여전히 전극 소자 바로 아래의 하이드로겔 층을 통과하며, 이로 인해 전극 소자 바로 아래에 핫스팟이 발생한다.

이와 대조적으로, 도 3b는 도 3a 실시예에 대한 전류 분포를 도시한다. 도 3b에 표시된 바와 같이, 전류는 여전히 후면 전도성 물질 층(예: 도 3b의 80)에서 전극 소자 아래 영역에만 분배된다. 그러나 이방성 물질 시트(70)는 수평 방향(즉, 시트의 면과 평행한 방향)의 열 전도성이 수직 방향의 열 전도성보다 훨씬 높기 때문에 전체 영역에 걸쳐 열을 분산시킨다. 열을 분산시키는 것 외에도, 수평 방향으로의 시트(70)의 낮은 전기 저항은 전류를 시트(70) 전체에 걸쳐 바깥쪽으로 확산시키고, 이렇게 확산된 전류 분포는 전도성 물질(60)의 층(도 3a 및 도 3b 모두에서 하이드로겔)에서 계속되고, 그 후 피험자의 피부로 이어진다. 이 실시예에서 전류와 열은 모두 전도성 물질 층(60)의 더 넓은 영역에 걸쳐 분산되기 때문에 핫스팟이 제거되거나 최소한 최소화된다. 즉, 주어진 인가 교류 전압에 대해 도 3a/b 실시예의 전극 어셈블리 아래의 가장 뜨거운 지점은 도 1 선행 기술 실시예의 전극 어셈블리 아래의 가장 뜨거운 지점보다 낮은 온도를 가진다. 따라서, 도 3a 실시예의 전극 어셈블리 아래의 임의의 지점에서 안전 온도 임계값을 초과하지 않고 (종래 기술의 전류와 비교하여) 전류를 증가시킬 수 있다. 그리고 이러한 전류의 증가는 TTFields 치료의 효능을 유리하게 증가시킨다. 하이드로젤을 전도성 접착제 복합체로 대체할 때도 비슷한 결과를 얻을 수 있다.

도 3a 실시예의 우수한 성능은 도 4a, 4b 및 4c에서 입증된다. 도 4a는 두 개의 전극 요소와 전극 요소의 전면에 배치된 하이드로겔 층을 포함하는 종래 기술 전극 어셈블리의 열화상 이미지이다(예: 도 1b 참조). 전극 요소의 전면과 하이드로겔 층의 후면 사이에는 이방성 물질 시트가 없다. 사용 시 하이드로겔 층의 전면은 피험자의 피부에 위치한다. 도 4a는 전극 요소에 해당하는 영역에서 생성된 핫스팟을 도시한다.

도 4b는 열분해 그라파이트이 이방성 물질로 사용된 도 3a 실시예에 해당하는 전극 어셈블리의 열화상 이미지이다. 도 4b는 종래 기술의 전극 어셈블리에서 생성되는 것과 같은 핫스팟이 최소화되고 최대 온도가 감소되었음을 도시한다. 도 4c는 동일한 인가 전류(500mA)에 대해 도 3a 실시예(열분해 그라파이트을 이방성 물질로 사용)와 종래 기술(이방성 물질 없음)의 열 성능을 비교한 그래프이다. 주목할 점은 선행 기술의 전극 어셈블리에서 가장 뜨거운 부분이 41℃였다는 것이다. 그러나 도 3a 실시예에 동일한 500mA 전류를 인가했을 때, 전극 어셈블리의 가장 뜨거운 부분은 32℃에 불과했다. 이방성 물질로 압축된 고순도 각질 제거 광물 그라파이트으로 만든 그라파이트 호일을 사용하여 유사한 실험을 수행한 결과, 비슷한 결과가 나타났다.

관련 실험에서 최적화된 기존 어레이(이방성 물질 없음)는 2A 인가 전류로 실행할 경우 최대 40℃의 평균 온도까지 실행할 수 있었으며, 이로 인해 한계가 있었다. 열분해 그라파이트 시트가 추가된 동일한 유형의 어레이(도 3a 실시예와 같은 방식)는 증가된 전력 수준(3A 인가 전류 사용)에서 작동할 수 있었고, 온도 임계값 한계보다 2~3℃ 낮은 38℃의 평균 온도에서 작동할 수 있었다. 이러한 결과는 본 발명의 장치 및 방법이 더 높은 인가 전류에서 작동함으로써 더 유익한 치료 결과를 달성할 수 있음을 시사한다.

신체의 목표 위치를 치료하기 위한 전극의 실험 시뮬레이션에서 열분해 그라파이트 시트를 사용하여 얻은 열 분포와 금속 시트를 사용하여 얻은 열 분포를 비교했다. 실험의 절반에서는 두 개의 금속 시트(알루미늄) 사이에 팬텀 젤을 끼우고 두 금속 시트 사이에 전압을 가했다(시트의 중앙에 직접). 실험의 나머지 절반에서는 팬텀 젤을 두 장의 열분해 그라파이트 사이에 끼워 넣고 두 열분해 그라파이트 시트 사이에 전압을 가했다(시트의 중앙에 직접). 금속은 일반적으로 열전도율과 전기 전도율이 모두 우수한 전도체이다. 열분해 그라파이트 시트는 또한 전기 전도성이 우수하다(수직인 z 방향보다 x-y 평면에서 전기 전도성이 더 높음). 그러나 열분해 그라파이트의 x-y 평면 전기 전도도는 기존 금속에 비해 두 배 정도 작다. 한 쌍의 금속판(알루미늄) 사이에 전압을 가하면 알루미늄 판의 높은 전도도와 등전위 특성으로 인해 판의 가장자리에서 전류 밀도가 높아져 서로 다른 영역이 불균등하게 가열된다. 반대로 두 그라파이트 시트 사이에 전압을 가하면 금속에 비해 x-y 평면의 저항이 높기 때문에 시트 중심과 가장자리에서 전류 밀도가 훨씬 균일해져 시트의 온도 프로파일이 더 균일해지는 이점이 있다.

도 4d와 4e는 각각 금속(알루미늄) 시트를 사용하여 구축한 시뮬레이션 전극 어레이와 이방성 물질(열분해 그라파이트) 시트를 사용하여 구축한 시뮬레이션 전극 어레이의 열화상 카메라 이미지를 도시한다. 알루미늄 시트는 열 분포도가 고르지 않아 바깥쪽 가장자리가 먼저 임계 온도에 도달하여 전류를 줄이는 데 필요한 요구 사항을 제어한다. 반면 열분해 그라파이트 시트는 시트 전체에 걸쳐 매우 균일한 열 분포를 만들어낸다.

도 4f는 그라파이트 시트가 있는 전극 어레이와 없는 전극 어레이를 사용하여 쥐의 몸통에 TTField를 적용했을 때의 실험 결과를 도시한다(작은 동물 어레이 사용). 두 개의 아래쪽 트레이스는 도 1a/1b에 표시된 선행 기술 전극 어레이를 사용했을 때 두 마리의 쥐에 대해 측정된 전류를 보여주고, 두 개의 위쪽 트레이스는 도 3a에 표시된 전극 요소를 사용했을 때(그라파이트 시트를 이방성 물질 층으로 사용) 두 마리의 쥐에 대해 측정된 전류를 도시한다. 열 설정점은 모든 실행에서 동일했다. 특히 그라파이트 시트를 포함했을 때 그라파이트으로 인한 열 및 전류 분포 개선으로 동일한 열 설정값에 대해 저항은 20% 더 낮고 전류는 50% 더 높은 결과를 얻었다. 전류가 높을수록 결과가 개선되기 때문에 이 실험은 전극 어레이에 이방성 물질 층을 통합하면 개선된 결과를 얻을 수 있음을 도시한다.

도 5는 도 2의 점선을 따라 절단한 전극 요소(E1, E2)를 포함하는 전극 어셈블리(50b)의 제2 실시예의 단면도이다. 도 5 실시예는 다음을 제외하고 모든 측면(도면 라벨링 포함)에서 도 3a 실시예와 유사하다. 도 3a 실시예는 시트(70)와 제1 및 제2 전극 요소(E1 및 E2)의 전면 사이에 배치된 전도성 물질(예컨대, 하이드로겔)의 대형 후면 층(80)을 포함한다. 이와 대조적으로, 도 5 실시예는 각각의 개별 전극 요소에 대해 별도의 전도성 물질(380)의 영역을 포함한다. 따라서, 도 5 실시예는 제1 전극 요소(E1)의 제1 전면과 시트(70)의 후면 사이에 위치하는 전도성 물질(380)의 제1 후면 층을 포함하고, 또한 제2 전극 요소(E2)의 제2 전면과 시트(70)의 후면 사이에 위치하는 전도성 물질(380)의 제2 후면 층을 포함한다. 전도성 물질의 제1 및 제2 후면 층(380)은 각각의 전극 전면과 시트(70)의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 예시된 실시예에서, 전도성 물질(380)의 후방 층은 하이드로겔 층이다. 그러나, 다른 실시예들에서는, 다른 전도성 물질(예를 들어, 전도성 그리스, 전술한 비-하이드로겔 전도성 접착제를 포함하는 전도성 접착제, 전도성 테이프, 전도성 복합체 등)이 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 모든 전극 요소들의 총 면적은 시트(70)의 면적보다 작거나, 시트(70)의 면적의 절반 미만, 시트(70)의 면적의 1/4 미만, 또는 시트(70)의 면적의 1/10 미만이다.

도 3a 실시예에서와 마찬가지로, 도 5 실시예에서의 전류는 여전히 전극 요소들 아래의 영역에서만 전도성 물질(380)의 후방 층에 집중된다. 이방성 물질 시트(70)는 도 3a 실시예와 관련하여 전술한 바와 같이 열과 전류를 분산시켜 핫스팟을 제거하거나 적어도 최소화한다. 즉, 주어진 인가된 교류 전압에 대해, 도 5 실시예의 전극 조립체 아래의 가장 뜨거운 지점은 도 1 선행기술 실시예의 전극 조립체 아래의 가장 뜨거운 지점보다 낮은 온도에 있을 것이다. 따라서, 도 5 실시예의 전극 어셈블리 아래의 임의의 지점에서 안전 온도 임계값을 초과하지 않고 (종래 기술의 전류와 비교하여) 전류를 증가시킬 수 있다. 그리고 이러한 전류의 증가는 TTFields 치료의 효능을 유리하게 증가시킨다.

도 6은 단일 전극 요소(E1)를 포함하는 전극 어셈블리(50c)의 제3 실시예의 단면도이다. 도 6의 실시예는 도 3a의 실시예와 유사하나, 도 6의 실시예는 유전 물질 층을 포함하지 않다. 도 6 실시예에서, 전극 어셈블리(50c)는 전면(도 6에서 피험자의 피부를 향함) 및 후면을 갖는 이방성 물질 시트(70)를 포함한다. 이 시트(70)는 도 3a와 관련하여 위에서 설명한 시트(70)와 유사하다. 일부 실시예에서, 이방성 물질(70)의 시트는 합성 그라파이트 시트이다. 일부 실시예에서, 이방성 물질(70)의 시트는 열분해 그라파이트 시트이다. 다른 실시예에서, 이방성 물질(70)의 시트는 압축된 고순도 박리된 광물 그라파이트(예를 들어, MinGraph® 2010A 플렉시블 그라파이트)으로 제조된 그라파이트 포일이다. 다른 실시예에서, 이방성 물질(70)의 시트는 그라파이트화된 폴리머 필름의 시트이다. 다른 실시예에서, 이방성 물질(70)의 시트는 열분해 탄소 시트이다. 다른 실시예에서, 이방성 물질은 질화 붕소일 수 있다. 다른 실시예에서, 이방성 물질(70)의 시트는 다른 전도성 이방성 물질의 시트이다. 일부 실시예들에서(예를 들어, 이방성 물질의 시트가 열분해 그라파이트 또는 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화된 폴리머 필름과 같은 합성 그라파이트의 시트인 경우), 이방성 물질(70)의 시트는 비금속이다.

전극 어셈블리(50c)는 시트(70)의 전면에 배치된 적어도 하나의 생체 적합성 전도성 물질(60) 층을 더 포함하며, 적어도 하나의 전도성 물질(60) 층은 생체 적합성 전면 표면을 가진다. 도 6에 도시된 실시예에서는, 전도성 물질(60)이 단 하나의 층만 존재하며, 그 단 하나의 층은 생체 적합성이 있다는 점에 유의한다. 그러나 다른 실시예(도시되지 않음)에서는 하나 이상의 층이 있을 수 있으며, 이 경우 전면 층만 생체 적합성이 있어야 한다. 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층은 장치와 신체 사이의 양호한 전기적 접촉을 보장하도록 구성된다. 바람직한 실시예에서, 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층은 이방성 물질(70) 시트의 전체 전면을 덮어야 한다. 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층은 이방성 물질(70)의 시트와 동일한 크기이거나 더 클 수 있다(즉, 동일한 면적 이상을 덮을 수 있다). 일부 실시예에서, 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층은 하이드로겔의 단일 층을 포함한다. 이러한 실시예들에서, 하이드로겔은 50 내지 2000㎛, 예를 들어 100 내지 1000㎛, 또는 300 내지 500㎛ 사이의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층은 전술한 바와 같이 비-하이드로겔 생체적합성 전도성 접착제의 단일 층이다. 일부 실시예에서, 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층은 위에서 설명한 플렉스콘의 옴니-웨이브 제품 또는 애드세이브 리서치의 AR케어® 제품과 같은 비-하이드로겔 생체 적합성 전도성 접착제의 단일 층이다. 비하이드로겔 전도성 접착제는 접착 특성을 갖는 수성 폴리머(예: 아크릴 폴리머 또는 실리콘 폴리머, 또는 이들의 조합)와 전도성 필러로 구성될 수 있다. 전도성 물질(60)의 적어도 하나의 층 내의 전도성 필러는 비금속이어야 한다. 이러한 실시예들에서, 생체 적합성 전도성 접착제는 10 내지 2,000㎛, 예를 들어 20 내지 1,000㎛, 또는 30 내지 400㎛ 사이의 두께를 가질 수 있다.

전극 어셈블리(50c)는 시트(70) 뒤에 배치된 제1 전극 요소(E1)를 더 포함한다. 제1 전극 요소(E1)는 시트(70)의 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 전면을 갖는 금속 피스(500)을 포함한다. 도 6 실시예에서, 금속 피스(500)의 전면은 제1 전극 요소(E1)의 제1 전면이다. 따라서, 도 6 실시예는 유전 물질 층이 없다는 점에서 도 3a 또는 도 5 실시예와 다르다. 이 도 6 실시예에서 제1 전극 요소(E1)와 시트(70) 사이의 위치 관계는 도 3a와 관련하여 위에서 설명한 바와 같을 수 있다.

전극 어셈블리(50c)는 제1 전극 요소(E1)의 제1 전면(즉, 금속 피스(500)의 전면)과 시트(70)의 후면 사이에 배치된 전도성 물질(80)의 제1 후면 층을 더 포함한다. 전도성 물질(80)의 제1 후면 층은 제1 전극 요소(E1)의 제1 전면과 시트(70)의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 한다. 예시된 실시예에서, 전도성 물질(80)의 후방 층은 하이드로겔 층이다. 그러나 다른 실시예에서는, 다른 전도성 물질(예를 들어, 전도성 그리스, 전술한 비하이드로겔 전도성 접착제를 포함하는 전도성 접착제, 전도성 테이프, 전도성 복합체 등)이 사용될 수 있다.

전극 요소(E1)의 금속 피스(500)은 리드(90)에 배선(예컨대, 와이어, 플렉스 회로의 트레이스 등을 사용하여)되어, 전극 조립체(50c)가 치료를 위해 피험자의 신체에 부착될 때 TT필드를 생성하기 위해 교류 전압 발생기(도시되지 않음)로부터 교류 전압을 전극 요소에 공급한다.

전극 어셈블리(50c)는 선택적으로 전극 요소(E1)와 동일한 구조를 가지며 동일한 기능을 갖도록 배치된 하나 이상의 추가 전극 요소(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 모든 전극 요소의 금속 피스(500)은 (예를 들어, 와이어, 플렉스 회로 상의 트레이스 등을 사용하여) 리드(90)에 함께 배선될 수 있다.

단일 전극 요소(E1)만을 포함하는 일부 실시예에서, 시트(70)의 면적은 전극 요소(E1)의 면적보다 더 크다(예를 들어, 적어도 2배 더 크거나, 적어도 4배 더 크거나 또는 적어도 10배 더 크다). 복수의 전극 요소(도시되지 않음)를 포함하는 일부 실시예에서, 시트(70)의 면적은 모든 전극 요소의 집합적인 면적보다 더 크다(예를 들어, 적어도 2배, 4배, 또는 10배 더 크다). 전극 요소에 교류 전압이 인가되면 열이 전체 시트(70)에 걸쳐 분산되어 핫스팟이 최소화되거나 제거된다.

도 3a 실시예와 유사하게, 도 6 실시예의 이방성 물질 시트(70)는 도 3a 실시예와 관련하여 전술한 바와 같이 열 및 전류를 분산시켜 핫스팟을 제거하거나 적어도 최소화한다. 즉, 주어진 인가 교류 전압에 대해 도 6 실시예의 전극 어셈블리 아래의 가장 뜨거운 지점은 도 1 선행 기술 실시예의 전극 어셈블리 아래의 가장 뜨거운 지점보다 온도가 낮을 수 있다. 따라서, 도 6 실시예의 전극 어셈블리 아래의 임의의 지점에서 안전 온도 임계값을 초과하지 않고 (종래 기술의 전류와 비교하여) 전류를 증가시킬 수 있다. 그리고 이러한 전류의 증가는 TTFields 치료의 효능을 유리하게 증가시킬 것이다.

도 7은 단일 전극 요소(E1)를 포함하는 전극 어셈블리(50d)의 제4 실시예의 단면을 나타낸 것이다. 도 7 실시예는 제1 전극 요소(E1)의 제1 전면(즉, 금속 피스(600)의 전면)이 (전도성 물질의 중간층을 통해 전기적으로 연결되는 대신에) 시트(70)의 후면과 직접 접촉하도록 배치된다는 점을 제외하면, 도 6 실시예와 유사하다.

도 6 실시예와 유사하게, 도 7 실시예의 이방성 물질 시트(70)는 도 3a 실시예와 관련하여 전술한 바와 같이 열 및 전류를 분산시켜 핫스팟을 제거하거나 적어도 최소화한다. 즉, 주어진 인가 AC 전압에 대해 도 7 실시예의 전극 어셈블리 아래의 가장 뜨거운 지점은 도 1 선행 기술 실시예의 전극 어셈블리 아래의 가장 뜨거운 지점보다 온도가 낮다. 따라서, 도 7 실시예의 전극 어셈블리 아래의 임의의 지점에서 안전 온도 임계값을 초과하지 않고 (종래 기술의 전류와 비교하여) 전류를 증가시킬 수 있다. 그리고 이러한 전류의 증가는 TTFields 치료의 효능을 유리하게 증가시킬 것이다.

도 8은 단일 전극 요소(E1)를 포함하는 전극 어셈블리(50e)의 다섯 번째 실시예의 단면도이다. 도 8 실시예는 도 7 실시예와 유사하지만, 금속 피스(600)과 직렬로 연결된 커패시터(700)를 금속 피스(600)의 뒤에 추가한다. 도 6 실시예에서도 금속 피스(600)과 직렬로 연결되고 금속 피스(600) 뒤에 직렬로 연결된 커패시터(700)를 유사하게 추가하는 것을 구상할 수 있다.

도 9는 한 쌍의 도 3a 전극 어셈블리(50a)를 사용하여 피험자 신체의 목표 영역에 교류 전기장을 적용하는 방법을 도시한다. 피험자는 사람 또는 쥐와 생쥐를 포함하되 이에 국한되지 않는 다른 포유류일 수 있다. (도 5-8과 관련하여 위에서 설명한 전극 어셈블리 중 어느 것이라도 여기에 도시된 도 3a 전극 어셈블리(50a) 대신 사용될 수 있음에 유의한다).

이 방법은 피험자의 신체 상 또는 신체 내의 제 1 위치에 제 1 전극 어셈블리(50a)를 배치하는 것을 포함한다. 도 9에 도시된 예에서, 제1 전극 어셈블리(50a)는 표적 영역(예컨대, 종양)을 향하는 피험자의 머리 오른쪽에 있는 피험자의 피부 상에 위치한다. 제1 전극 어셈블리(50a)는 본원에 앞서 설명한 바와 같이 구성될 수 있다. 도 9 실시예에서, 제1 전극 어셈블리(50a)는 제1 전면 및 제1 후면을 갖는 이방성 물질(70)의 제1 시트(70)를 포함한다. 제1 시트(70)는 제 1 전면에 수직인 방향으로 제1 열 전도성을 가진다. 제1 시트(70)의 제1 전면과 평행한 방향으로의 제1 시트(70)의 열 전도성은 제1 열 전도성보다 2배 이상 높다. 제1 시트(70)는 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 저항을 가지며, 제1 전면에 평행한 방향으로의 제1 시트의 저항은 제1 저항의 절반 미만이다. 사용 중에, 제1 전극 어셈블리(50A)는 제1 시트(70)의 제1 전면이 목표 영역을 향하도록 배치된다.

이 방법은 또한 제2 전극 어셈블리(50a)를 피험자의 신체 내 또는 신체 상의 제2 위치에 배치하는 것을 포함한다. (도 9에 도시된 예에서, 제2 전극 어셈블리(50a)는 표적 영역을 향하는 피험자의 머리 왼쪽에 있는 피험자의 피부 상에 위치한다. 제2 전극 어셈블리(50a)는 본원에 앞서 설명한 바와 같이 구성될 수 있다. 도 9 실시예에서, 제2 전극 어셈블리(50a)는 제2 전면 및 제2 후면을 갖는 이방성 물질(70)의 제2 시트(70)를 포함한다. 제2 시트(70)는 제2 전면에 수직인 방향으로 제2 열 전도성을 가진다. 제2 시트(70)의 제2 전면과 평행한 방향으로의 제2 시트(70)의 열 전도성은 제2 열 전도성보다 2배 이상 높다. 제2 시트(70)는 전면에 수직인 방향으로 제2 저항을 가지며, 전면에 평행한 방향으로 제2 시트의 저항은 제2 저항의 절반 미만이다. 사용 중에, 제2 전극 어셈블리(50A)는 제2 시트(70)의 제2 전면이 타겟 영역을 향하도록 배치된다.

이 방법은 제 1 전극 어셈블리(50a)와 제 2 전극 어셈블리(50a) 사이에 교류 전압을 인가하는 것을 더 포함한다. 인가하는 것은 제1 전극 어셈블리(50a) 및 제2 전극 어셈블리(50a)를 배치한 후에 수행된다. 인가는 (i) 제1 시트(70)의 제1 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제1 전극 요소와 (ii) 제2 시트(70)의 제2 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전극 요소 사이에 교류 전압을 인가함으로써 구현될 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 전극 어셈블리(50a)는 제1 시트(70)의 제1 전면에 배치된 생체 적합성 전도성 물질(60)의 제1 층을 더 포함한다. 이에 대응하여, 제2 전극 어셈블리는 제2 시트(70)의 제2 전면 면에 배치된 생체 적합성 전도성 물질(60)의 제2 층을 더 포함한다. 전술한 바와 같이, 생체 적합성 전도성 물질(60)은 하이드로겔일 수도 있고, 전도성 그리스, 전술한 비-하이드로겔 전도성 접착제를 포함하는 전도성 접착제, 전도성 테이프, 전도성 복합체 등일 수도 있다.

일부 실시예에서, 제1 전극 어셈블리(50a)는 제1 전극 어셈블리(50a)의 제1 전극 요소의 제1 전면과 제1 시트(70)의 제1 후면 사이에 배치된 전도성 물질(80)의 제1 후면 층(전술한 바와 같이)을 더 포함한다. 이에 대응하여, 제2 전극 어셈블리는 제2 전극 어셈블리의 제2 전극 요소의 제2 전면과 제2 시트(70)의 제2 후면 사이에 위치하는 전도성 물질(80)의 제2 후면 레이어(전술한 바와 같이)를 더 포함한다.

일부 실시예에서, 이방성 물질(70)의 제1 및 제2 시트 각각은 합성 그라파이트 시트이다. 일부 실시예에서, 이방성 물질(70)의 시트는 열분해 그라파이트 시트이다. 다른 실시예에서, 이방성 물질(70)의 제1 및 제2 시트 각각은 압축된 고순도 박리된 미네랄 그라파이트(예를 들어, 애리조나주 투손에 소재한 미네랄 씰 코퍼레이션으로부터 제공되는 MinGraph® 2010A 플렉시블 그라파이트)으로 제조된 그라파이트 포일이다. 다른 실시예에서, 이방성 물질(70)의 시트는 그라파이트화된 폴리머 필름의 시트이다. 다른 실시예에서, 이방성 물질은 열분해 탄소일 수 있다. 다른 실시예에서, 이방성 물질은 질화 붕소일 수 있다. 다른 실시예들은 이방성 특성을 갖는 다른 전도성 물질의 시트를 이용할 수 있다. 일부 실시예들에서(예를 들어, 이방성 물질의 시트가 열분해 그라파이트 또는 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화된 폴리머 필름과 같은 합성 그라파이트의 시트인 경우), 이방성 물질(70)의 시트는 비금속이다.

제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리 사이의 교류 전압은 교류 전압 발생기(820)에 의해 인가될 수 있다. 일부 실시예에서, 교류 전압의 주파수는 50kHz 내지 1MHz 사이 또는 100kHz 내지 500kHz 사이이다. 예시된 예에서, 교류 전압 발생기는 컨트롤러(822)에 의해 제어된다. 컨트롤러(822)는 안전 임계값(예컨대, 41℃) 이하의 온도를 유지하기 위해 온도 측정을 사용하여 제1 및 제2 전극 어셈블리(50a)를 통해 전달되는 전류의 진폭을 제어할 수 있다. 이는 예를 들어, 제1 전극 요소의 제1 온도를 측정하고, 제2 전극 요소의 제2 온도를 측정하고, 제1 온도 및 제2 온도에 기초하여 교류 전압의 인가를 제어함으로써 달성될 수 있으며, 아래에 설명된 바와 같이 수행될 수 있다.

도 9는 이러한 목적에 적합한 하드웨어의 일 실시예를 도시한다. 보다 구체적으로, 온도 센서(800)(예컨대, 서미스터)는 각 전극 어셈블리(50a) 내의 각 전극 요소(예컨대, 유전 물질(310) / 금속 층(320))와 열 접촉하여 배치된다. 온도 센서(800)는 각각의 제1 및 제2 온도(예컨대, 제1 전극 어셈블리 및 제2 전극 어셈블리 내의 제1 및 제2 전극 요소에서 각각)를 측정하고, 제어기(822)는 이러한 온도에 기초하여 교류 전압 발생기(820)의 출력을 제어한다.

유사한 실시예 및 방법은 제1 전극 어셈블리(50A) 및 제2 전극 어셈블리(50A) 중 어느 하나 또는 둘 다 대신에 전극 어셈블리(50A-E) 또는 이들의 조합을 이용하는 것으로 예상된다.

본원에 설명된 전극 어셈블리는 피험자 신체의 표적 영역에 교류 전기장을 적용하여 피험자에게 존재하는 상태를 치료하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 방법은 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리를 피험자 신체의 표적 영역의 반대편에 배치하는 것을 포함하며, 여기서 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리는 본원에 기술된 바와 같고, 피험자의 상태를 치료하기 위해 제1 및 제2 전극 어셈블리 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함한다. 표적 영역은 조건에 의해 손상되거나 조건을 나타내는 피험자 신체의 임의의 영역일 수 있다. 적합한 표적 영역은 피험자의 뇌, 몸통, 복부, 폐, 유방, 난소, 전립선, 췌장, 위, 장, 결장, 직장, 간 또는 신장을 포함하지만 이에 국한되지 않다. 일부 실시예에서, 표적 영역은 종양 또는 암(하나 이상의 암 세포)을 포함할 수 있다.

"치료"란 종양(암)이 있거나 암 발생에 대한 감수성이 증가된 인간 또는 기타 포유류(예: 동물 모델)와 같은 대상에 종양(암)의 영향의 악화를 예방 또는 지연시키거나 종양(암)의 영향을 부분적으로 또는 완전히 역전시키기 위해 교류 전기장과 같은 치료제를 투여하거나 적용하는 것을 의미한다.

본 명세서에 기술된 방법 및/또는 실시예에서 사용되는 교류 전기장은 50kHz 내지 2MHz, 50kHz 내지 1MHz, 100kHz 내지 1MHz, 100kHz 내지 500kHz, 100kHz 내지 300kHz, 또는 150kHz 내지 400kHz 사이의 주파수를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 교류 전기장은 약 100kHz, 약 150kHz, 약 175kHz, 약 200kHz, 약 225kHz, 약 250kHz, 약 275kHz, 약 300kHz, 약 325kHz, 약 350kHz, 약 375kHz, 약 400kHz, 약 425kHz, 약 450kHz, 약 475kHz, 약 500kHz, 약 550kHz, 약 600kHz, 약 650kHz, 약 700kHz, 약 750kHz, 약 800kHz, 약 850kHz, 약 900kHz, 약 950kHz 또는 약 1MHz의 주파수를 가진다. 위에 나열된 주파수 및 주파수 범위는 본 문서에 설명된 방법 중 하나에 유용할 수 있다.

일부 방법 및/또는 실시예에서, 교류 전기장은 0.1V/cm ~ 20V/cm, 0.1V/cm ~ 10V/cm, 또는 1V/cm ~ 4V/cm 사이의 전기장 세기를 가진다. 위에 열거된 전기장 강도 범위는 본원에 설명된 방법 및/또는 실시예 중 어느 하나에 유용할 수 있다.

일부 방법 및/또는 실시예는 제1 전극 어셈블리 및 제2 전극 어셈블리를 대상체의 표적 부위의 반대편에 배치하는 것을 포함하며, 여기서 제1 및 제2 전극 어셈블리는 본원에 기술된 바와 같고, 대상체의 종양 또는 암(암 세포를 포함하는 영역)을 치료하기 위해 제1 및 제2 전극 어셈블리 사이에 교번 전기장을 인가하는 것을 포함한다.

본원에 기술된 방법 및 실시예는 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 데 사용될 수 있다. 이러한 종양(암)은 다형성 교모세포종과 같은 뇌암, 폐암(예: 악성 흉막 중피종, 비소세포 폐암), 뇌 전이(예: 비소세포 폐암 또는 흑색종), 유방암, 난소암, 전립선암, 비소세포폐암 또는 흑색종), 유방암, 난소암, 전립선암, 췌장암, 위암(예: 위식도 접합부 선암, 위 선암), 장암, 대장암, 직장암, 간암, 간세포암 및 포도막암(안구암)으로부터의 전이를 포함하나 이에 국한되지 않는다.

일부 실시예에서, 대상체 내의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 항암제와 같은 하나 이상의 치료 물질을 투여하는 것을 더 포함하는 것을 포함할 수 있다. 적합한 항암제는 테모졸로마이드, 페메트렉시드, 시스플라틴, 카보플라틴, 파클리탁셀, 냅-파클리탁셀, 독소루비신, 사이클로포스파미드, 트라스투주맙, 아테졸리주맙, 젬시타빈, 메벤다졸, 소라페닙, 옥살리플라틴, 카페시타빈, 플루오로우라실, 류코보린, ABT-751, ABT-414(데파툭시주맙 마포도틴) 및 베비시주맙을 포함하나 이에 국한되지 않는다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 하나 이상의 체크포인트 억제제를 투여하는 것을 더 포함하는 것을 포함할 수 있다. 적절한 체크포인트 억제제는 PD-1 억제제, PDL-1 억제제 및 CTLA-4 억제제를 포함하되 이에 국한되지 않다. 예를 들어, 펨브롤리주맙, 니볼루맙, 세미플리맙, 아테졸리무맙, 더발루맙, 아벨루맙 및 이필루맙 중 하나 이상이 투여될 수 있다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 방사선 요법을 투여하는 것을 더 포함할 수 있다. 방사선 요법은 광자 방사선(예: 엑스레이 요법, 감마선 요법) 및 입자 방사선(예: 전자 요법, 양성자 요법, 중성자 요법, 탄소 이온 요법, 알파 입자 요법, 베타 입자 요법)을 포함할 수 있지만 이에 국한되지 않다. 방사선 치료는 예를 들어 외부 또는 내부에서 시행할 수 있다(예: 근접 치료).

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, DNA 복구 메커니즘을 방해하거나 방지하는 하나 이상의 약제를 투여하는 것을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, DNA 복구 메커니즘을 방해하거나 방지하는 약제에는 E2F 억제제, CDK 억제제 및 PARP 억제제가 포함된다. 적합한 E2F 억제제에는 HLM006474, MRT00033659, YKL-5-124-TFA 및 YKL-5-124가 포함되지만 이에 국한되지는 않다. 적합한 CDK 억제제에는 아베마시클립, 리보시클립, 트릴라시클립, 아이브랜스, 레로시클립, 알보시딥, 로니시클립, 리비시클립, 밀시클립, RGB-286638, NSN3106729, PHA-793887, R547, 인디루빈, NU6102, 보헤민, CDK9-IN-7 등이 포함되나 이에 한정되지는 않다, CGP60474, 푸르발라놀 A, PF-06873600, 님볼리드, FN-1501, AG-024322, ON123300, G1T28, G1T38, AMG925, SHR-6390, BPI-1178, BPI-16350, FCN437, 비로시클립, BEBT-209, Ty-302, TQB-3616, HS-10342, PF-06842874, CS-2002, MM-D37K, CDK4/6-IN-2, SU9516 및 AT7519. 적합한 PARP 억제제는 니라파립, 올라파립 및 루카파립을 포함하되 이에 국한되지 않다. 일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 나아가 E2F 억제제를 투여하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 대상체 내의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 더 나아가 CDK 4/6 억제제를 투여하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 더 나아가 PARP 억제제를 투여하는 것을 포함한다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 또한 방사선 요법을 투여하고 본 명세서에 기술된 바와 같이 DNA 복구 메커니즘을 방해 또는 방지하는 하나 이상의 약제를 투여하는 것을 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 오로라 키나아제 억제제를 투여하는 것을 더 포함할 수 있다. 적합한 오로라 키나아제 억제제는 AZD1152, 다누서팁(PHA-739358), AT9283, PF-03814735 및 AMG 900을 포함하되 이에 국한되지 않다.

일부 실시예에서, 대상체 내의 종양 또는 암을 치료하는 방법은, 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 또한 교번 전기장 치료에 대한 종양 또는 암(또는 종양을 구성하는 암 세포; 또는 종양과 관련 없는 암 세포 또는 암 세포 클러스터)의 감수성을 증가시키는 약제를 투여하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 사이클린 D1 경로를 변경함으로써 교류 전기장에 대한 종양 또는 암 세포의 민감도를 증가시킬 수 있다. 일부 실시예에서, 사이클린 D1 경로는 포유류 라파마이신 표적(mTOR) 억제제, Akt 억제제, 포스파티딜이노시톨 3-키나제(PI3K) 억제제, Src 억제제, 국소 접착 키나아제(FAK) 억제제 또는 글리코겐 신타제 키나제 3β(GSK3β) 억제제 중 하나 이상의 투여로 변경될 수 있다.

따라서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 더 나아가 mTOR 억제제를 투여하는 것을 포함한다. 적합한 mTOR 억제제는 토르키닙, 에베로리무스, 템시롤리무스, 에베로리무스, CC-223, MKK-1, AZD8055, AZD02114, INK-128, 051-027, 닥톨리십, BGT226, SF1126, PKI-587, NVPBE235, 사파니서팁, AZD2014, BEZ235, XL765, GDC0980, SF1126, PF-04691502, PF-05212384(게다톨리십, PKI-587), LY3023414, XL795(복스타실리브), 비미랄리십(PQR309), 팍살리십(GDC-0084), DS-7423, PKI-179, GSK458V, P7170, SB2343, PI-103, NU7441, KU-0063794, 리다포롤리무스(데포롤리무스, MK-8669), 토린 1, 토린 2, OSI-027, GSK1059615, WYE-354, 비스투서팁(AZD2014), WYE-125132, 팔로미드 529(P529), WYE-687, XL388, MHY1485, LY3023414(사모톨리시브), GNE-447, CC-115, 조타로리무스(ABT-578), PQR620, SF2523, mTor 억제제-1,2,3 또는 8, PQR626, WAY-600, PF-04979064 , 3BDO, 디하이드로미리세틴, ETP-46464, PKI-402, 사이클로버벅신 D, CZ415, VS-5584, (+)-우선산, RMC-5552, PQR530, JR-AB2-011, 아니놀리드 D 또는 TML-6 등을 포함하되 이에 한정되지는 않는다.

일부 실시예에서, 대상체 내의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 더 나아가 Akt 억제제를 투여하는 것을 포함할 수 있다. 적합한 Akt 억제제는 Akt를 억제하거나, Akt의 인산화를 억제하거나, 인산화된 Akt를 억제하거나, 사이클린 D1의 분해를 억제하는 임의의 조성물 또는 화합물을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 일부 방법 및/또는 실시예에서, Akt 억제제는 라파티닙, H8, H-89, NL-71-101, GSK690693, 7-아자인돌, 6-페닐푸린 유도체, 피롤로[2,3-d]피리미딘 유도체, CCT128930, 3- 아미노피롤리딘, 아닐리노트리아졸 유도체, 스피로인돌린 유도체, AZD5363, 이파타서팁(GDC-0068, RG7440), A-674563, A-443654, AT7867, AT13148, 아푸레서팁(GSK2110183), 2피리미딜-5- 아미도티오펜 유도체(DC120), 우프로서팁(GSK2141795), 2,3-디페닐퀴녹살린 유도체, 트리아졸로[3,4-f][1,6]나프티리딘-3(2H)-원 유도체(MK 2206), 에델포신(1-O-옥타데실-2-O-메틸-rac-글리세롤-3-포스포콜린, ET-18-OCH3) 일모포신(BM 41.440), 밀테포신(헥사데실포스포콜린, HePC), 페리포신(D 21266), 에루실포스포콜린(ErPC), 에루포신(ErPC3, 에루실포스포호모콜린), 인돌-3-카비놀, 3-클로로아세틸인돌, 디인돌릴메탄, 디에틸-6-메톡시-5,7-디하이드로인돌로-[2,3 b]카르바졸-2,10-디카르복실레이트(SR13668), OSU-A9, PH-316, PHT-427, PIT-1, PIT-2, M-PIT-1, [(1-메틸-1H-피라졸-4-일)카르보닐]-N′-(3-브로모페닐)-티오우레아, 트리시리빈(TCN, NSC-154020), 트리시리빈 모노포스페이트 활성 유사체(TCN-P), 4- 아미노-피리도[2,3-d]피리미딘 유도체, API-1, 3-페닐-3H-이미다조[4,5-b]피리딘 유도체, ARQ-092, BAY-1125976, 3-메틸-크산틴, 퀴놀론-4-카복사마이드 및 2-[4-(사이클로헥사 1,3-디엔-1-일)-1H-피라졸-3-일]페놀, 3-옥소-티루칼산, 3α- 및 3β-아세톡시 티루칼산, 아세톡시 티루칼산, 락토퀴노마이신, 프레놀릭신 B, 칼라풍신, 메데마이신, 보크-페-비닐케톤, 4-하이드록시노넨알-(4-HNE), 1,6-나프티리디논 유도체, 이미다조-1,2-피리딘 유도체), 리고서팁(ON-01910), 트리시리빈, 호노키올, 미란서팁(ARQ-092), 보루서팁, SC66, A-674563, TIC10 유사체, 우루리틴 B, ABTL-0821, 루레이린 A, 호모살레이트, 데구엘린, 레시브포제닌, 테라메프로콜, 오록신 B, LM22B-10, 아마로젠틴, 오리도닌, 프레루토린 A 또는 스쿠텔라린 이 될 수 있지만 이에 한정되지 않다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 더 나아가 PI3K 억제제를 투여하는 것을 포함한다. 적합한 PI3K 억제제는 GDC-0941, TG100-115, CH5132799, PX-866, XL147, ZSTK474, BKM-120, BAY80-6946, AZD8835, WX-037, AZD8186, KA2237, CAL-120, ME401, AMG319, GSK2636771, INCB050465, INK-1117, TGR-1202, RP6530, GDC-0032, BYL719, BGT226, IPI-145, CAL-101, AMG511, ADZ6482, MLN1117, 3-하이드록시안트라닐산, 히스피둘린, 펙톨리나린 또는 시노부파진 등을 포함하되 이에 국한되지 않는다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 또한 Src 억제제를 투여하는 것을 포함한다. 적합한 Src 억제제로는 다사티닙(Dasatinib, BMS-354825), 포나티닙(Ponatinib, AP24534), 사라카티닙(Saracatinib, AZD0530), 보수티닙(Bosutinib, SKI-606), 디하이드로아비에틴산(DAA, DHAA), PP2, 징크골릭산 C17:1 (GAC 17:1), DGY-06-116, 도라마피모드(BIRB 796), 아파티닙, 펠리티닙(EKB-569), 레스베라트롤, KX2-391(티라바니불린), NVP-BHG712, ENMD-2076, PRT062607(P505-15, BIIB057, PRT-2607), PP1, MNS(3,4-메틸렌디옥시-β-니트로스티렌), 도라마피모드(BIRB 796), WH-4-023, RK24466, KX1-004, 7-하이드록시크로몬(7-Hydroxychromone), AD-80. 레포트렉티닙(TPX-0005), 케르세틴(NSC 9221, 소포레틴, CI 75720), SU 6656, Src 억제제 1(CAS 179248-59-0), CCT196969, 미리스틱산(테트라데칸산), eCF506, 1-나프틸 PP1(1-NA-PP 1), AMG-47a. ON123300, UM-164, MLR-1023, PD173955, AZD0424, PD180970 또는 HG-7-85-01을 포함하나, 이에 국한되지 않는다..

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 국소 접착 키나아제(FAK) 억제제를 투여하는 것을 더 포함할 수 있다. 적합한 FAK 억제제로는 데프타닙(VS-6063), 솔라네솔(노나이소프레놀), PF-00562271 베실레이트(PF-562271), PF-562271(PF-00562271), PRT062607(P505-15) 등이 있으나 이에 한정되지는 않다, BIIB057, PRT-2607), PF-573228 TAE226(NVP-TAE226), PF-562271 HCl, BI-4464, Y15, GSK2256098, PND-1186(VS-4718), PF-431396, FAK 억제제 14(cas 4506-66-5) 또는 레바스티닙(Rebastinib)을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 글리코겐 신타제 키나제 3β(GSK3β) 억제제의 투여를 더 포함하는 것을 포함할 수 있다. 적합한 GSK3β 억제제는 리튬, 아연, 텅스텐산염, 나프록센, 크로몰린, 파모티딘, 올란자핀, 피리미딘 유도체, CT98014, CT98023을 포함하되 이에 국한되지 않다, CT99021, TWS119, 인디루빈, 6-BIO, 히메니알디신, 디브로모칸타렐린, 메리디아닌, 아릴린돌레말레이미드, SB-216763, SB-41528, 티아졸, AR-A014418, AZD-1080, 파울론, 켄파울론, 알스터파울론, 카즈파울론, 알로신, 만자민, 만자민A, 후라노세퀴터펜, 팔리누린, 트리칸틴, L803-mts, 티아디아졸리딘디오네스, TDZD-8, NP00111, NP031115, NP031112(타이드글루시브), 할로메틸케톤(HMK-32), L803-mts, CH1R99021, CT99021, TWS119, 알로이신, 9-ING-41, 1-아자켄파울론, IM-12, CHIR-98014, 또는 LY2090314 을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 염화물 세포 내 채널(예를 들어, CLIC1 및/또는 CLIC4) 억제제의 투여를 더 포함하는 것을 포함할 수 있다. 적합한 CLIC 억제제는 인도닐옥시아세트산-94(IAA94), 니플루믹산, 디페닐아민-2-카복실산(DPC), 4,4'-디이소티오시아노-2,2'-스틸벤디설폰산, 디나트륨염(DIDS), 안트라센 유도체, 스틸벤 및 중금속 이온, 블록벤지미다졸, 클로푸브릭산, 벤조푸란, 프로피온산(CPP), 4-아세타미도-4-이소티오시아나토스틸벤-2,2-디설폰산(SITS), 5-니트로-2-(3-페닐프로필아미노) 벤조산(NPPB), 클로로톡신, 미베프라딜, 칼릭스[4]아렌, 클로미펜, Cd2+, Gd3+, 글리벤클라미드, 플루페남산, 이노시톨-테트라비스포스페이트, 메플로퀴난드 또는 플루옥세틴 을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 섬유아세포 성장 인자(FGF) 억제제를 투여하는 것을 더 포함할 수 있다. 일부 방법 및/또는 실시예에서, FGF 억제제는 FGF 발현을 특이적으로 억제하거나 감소시킨다. 일부 방법 및/또는 실시예에서, FGF 억제제는 FGF를 코딩하는 핵산에 특이적으로 결합한다. 일부 방법 및/또는 실시예에서, FGF는 FGF-21, FGF-19, FGF-7, FGF-베이직이다. 일부 방법 및/또는 실시예에서, FGF 억제제는 저분자, 펩타이드, 단백질, 항체 또는 핵산(예: siRNA)일 수 있다. FGF 억제제의 예로는, 용해성 FGFR3와 같은 용해성 섬유아세포 성장 인자 수용체(FGFR), 그리고 FGF-2와 결합하는 용해성 미끼 수용체 융합 단백질인 FGF-Trap과 같은 용해성 미끼 수용체가 포함되지만 이에 국한되지는 않다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 제1 전극 어셈블리 및 제2 전극 어셈블리를 대상체 내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 어셈블리 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 섬유아세포 성장 인자 수용체(FGFR) 억제제를 투여하는 것을 더 포함한다. FGFR 억제제의 적절한 예로는 BAY 1179470, FPA144, PRO-001, RG7444, SSR128129E, AZD4547, BAY1163877, BGJ398, CH5183284, 에르다피티닙, LY2874455, 루시타닙/E3810, 닌테다닙, 파조파닙, 로블리티닙, PD-161570, CP-547632, 인피그라티닙(BGJ398) 등이 있으나 이에 한정되지는 않다, PD173074, SSR128129E, PD-166866, ASP5878, H3B-6527, NSC12, BO-264, 설파티닙, 피소가티닙(BLU-554), FIIN-2, 푸티바티닙(TAS-120), BLU9931, 페미가티닙(INCB054828), 졸리그라티닙(Debio-1347), 알로파닙(RPT835), PRN1371, 페룰릭산, ODM-203, 데라잔티닙(ARQ-087) 을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다.

일부 실시예에서, 대상체의 종양 또는 암을 치료하는 방법은 제1 전극 어셈블리 및 제2 전극 어셈블리를 대상체 내 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 어셈블리 및 제2 전극 어셈블리 사이에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 렌바티닙 및 베바시주맙 중 하나 이상을 투여하는 것을 더 포함하는 것을 포함한다.

일부 실시예에서, 비소세포 폐암을 치료하는 방법은 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상자의 몸통의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교류 전기장을 가하는 것을 포함하며, 여기서 교류 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 가진다. 일부 실시예에서, 비소세포 폐암을 치료하는 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 사용하여 대상체의 몸통에 교류 전기장을 가하는 것을 포함하며, 도세탁셀을 투여하는 것을 더 포함한다. 일부 실시예에서, 비소세포 폐암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 대상체의 몸통에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 가지며, 체크포인트 억제제를 투여하는 것을 더 포함한다. 적절한 체크포인트 억제제는 펨브롤리주맙, 니볼루맙, 세미플리맙, 아테졸리무맙, 두르발루맙, 아벨루맙 및 이필루맙을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 일부 실시예에서, 비소세포 폐암을 치료하는 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 사용하여 대상체의 몸통에 교류 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교류 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 가지며, 도세탁셀 및 펨브롤리주맙을 투여하는 것을 더 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 악성 흉막 중피종의 치료 방법은 본원에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 대상체의 몸통(예컨대, 폐)에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 갖는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 악성 흉막 중피종을 치료하는 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 대상체의 몸통(예를 들어, 폐)에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 가지며, 화학요법제를 투여하는 것을 더 포함한다. 일부 실시예에서, 악성 흉막 중피종을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 조립체를 사용하여 대상체의 몸통(예를 들어, 폐)에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 가지며, 페메트렉시드, 시스플라틴 및 카보플라틴 중 하나 이상의 투여를 더 포함한다.

일부 실시예에서, 난소 암 치료 방법은 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상자의 복부의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교류 전기장을 가하는 것을 포함하며, 여기서 교류 전기장은 약 100-400 kHz, 예를 들어 약 200 kHz의 주파수를 가진다. 일부 실시예에서, 난소암 치료 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 피험자의 복부에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100-400 kHz, 예를 들어 약 200 kHz의 주파수를 가지며, 파클리탁셀을 투여하는 것을 더 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 다형성 교모세포종(GBM)을 치료하는 방법은 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 피험자의 머리의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교류 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교류 전기장은 약 100-400kHz, 예를 들어 약 200kHz의 주파수를 가진다. 일부 실시예에서, 다형성 교모세포종의 치료 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 조립체를 사용하여 대상자의 뇌의 표적 영역에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100-400 kHz, 예를 들어 약 200 kHz의 주파수를 가지며, 테모졸로마이드 및 체크포인트 억제제 중 하나 이상의 투여를 더 포함하는 것을 포함한다. 적절한 체크포인트 억제제는 펨브롤리주맙, 니볼루맙, 세미플리맙, 아테졸리무맙, 두르발루맙, 아벨루맙 및 이필루맙을 포함하되 이에 국한되지 않다.

일부 실시예에서, 다형성 교모세포종을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 조립체를 사용하여 대상자의 머리에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100-400 kHz, 예를 들어 약 200 kHz의 주파수를 가지며, 테모졸로마이드의 투여를 더 포함하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 다형성 교모세포종을 치료하는 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 대상자의 머리에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100-400 kHz, 예를 들어 약 200 kHz의 주파수를 가지며, 펨브롤리주맙을 투여하는 것을 더 포함하는 것을 더 포함한다. 일부 실시예에서, 다형성 교모세포종 치료 방법은 본원에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 사용하여 대상자의 머리에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100-400 kHz, 예를 들어 약 200 kHz의 주파수를 가지며, 테모졸로마이드 투여 및 펨브롤리주맙 투여를 추가로 포함한다.

일부 실시예에서, 다형성 교모세포종을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 조립체를 사용하여 대상자의 머리에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100-400 kHz, 예를 들어 약 200 kHz의 주파수를 가지며, 방사선 요법(예를 들어, 30 2 Gy 분획으로 제공되는 60 Gy)을 투여하는 것을 더 포함한다. 일부 실시예에서, 다형성 교모세포종을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 피험자의 머리에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100-400 kHz, 예를 들어 약 200 kHz의 주파수를 가지며, 방사선 요법(예를 들어, 30 2 Gy 분획으로 60 Gy 투여) 및 테모졸로마이드 투여를 더 포함하는 것을 포함한다.

일부 실시예에서, 다형성 교모세포종을 치료하는 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 조립체를 사용하여 대상자의 머리에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100-400 kHz, 예를 들어 약 200 kHz의 주파수를 가지며, 베바시주맙을 투여하는 것을 더 포함한다. 일부 실시예에서, 다형성 교모세포종 치료 방법은 본원에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 사용하여 피험자의 머리에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100-400 kHz, 예를 들어 약 200 kHz의 주파수를 가지며, 니라파립을 투여하는 것을 더 포함한다.

일부 실시예에서, 위암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 대상자의 복부에 교류 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교류 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 갖는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 위암 치료 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 조립체를 사용하여 대상자의 복부에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 가지며, 트라스투주맙을 투여하는 것을 더 포함한다.

일부 실시예에서, 위암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 대상자의 복부에 교류 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교류 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 가지며, 하나 이상의 화학요법제, 예를 들어 옥살리플라틴 및 카페시타빈의 투여를 더 포함하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 위암 치료 방법은 본원에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 사용하여 대상자의 복부에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 가지며, 옥살리플라틴, 카페시타빈 및 트라스투주맙 중 하나 이상을 투여하는 것을 더 포함한다.

일부 실시예에서, 췌장암을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 대상자의 복부(예컨대, 췌장)에 교류 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교류 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 갖는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 췌장암 치료 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 대상자의 복부(예컨대, 췌장)에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 가지며, 젬시타빈 및 냅-파클리탁셀 중 하나 이상의 투여를 더 포함하는 것을 포함한다.

일부 실시예에서, 간세포 암종의 치료 방법은 본원에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 대상체의 몸통(예를 들어, 간)에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 갖는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 간세포 암 종의 치료 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 어셈블리를 갖는 대상체의 몸통(예컨대, 간)에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 50-350 kHz, 예를 들어 약 150 kHz의 주파수를 가지며, 소라페닙을 투여하는 것을 더 포함한다.

일부 실시예에서, 전이성 포도막 흑색종을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 두 개 이상의 전극 어셈블리를 사용하여 피험자의 머리(예를 들어, 눈)에 교류 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교류 전기장은 약 100 kHz 내지 약 500 kHz(예를 들어, 약 150 kHz, 약 200 kHz, 또는 약 250 kHz) 사이의 주파수를 가진다. 일부 실시예에서, 전이성 포도막 흑색종을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 사용하여 대상자의 머리(예컨대, 눈)에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100 kHz 내지 약 500 kHz(예컨대, 약 150 kHz, 약 200 kHz 또는 약 250 kHz) 사이의 주파수를 가지며, 체크포인트 억제제를 투여하는 것을 더 포함한다. 적절한 체크포인트 억제제는 펨브롤리주맙, 니볼루맙, 세미플리맙, 아테졸리무맙, 더발루맙, 아벨루맙 및 이필루맙을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 일부 실시예에서, 전이성 포도막 흑색종을 치료하는 방법은 본원에 기술된 바와 같이 2개 이상의 전극 어셈블리를 사용하여 피험자의 머리(예컨대, 눈)에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함하며, 여기서 교번 전기장은 약 100 kHz 내지 약 500 kHz(예컨대, 약 150 kHz, 약 200 kHz 또는 약 250 kHz) 사이의 주파수를 가지며, 니볼루맙 및 이필리무맙 중 하나 이상의 투여를 더 포함하는 것을 포함한다.

일부 방법 및/또는 실시예는 상피 세포들 사이의 세포 간 긴밀한 접합부의 투과성을 증가시키기 위해 피험자 신체의 표적 영역에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함한다. 예를 들어, 일부 방법은 본 명세서에 기술된 바와 같이 제1 전극 어셈블리 및 제2 전극 어셈블리를 피험자 머리의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 어셈블리 사이에 교번 전기장을 적용하여 뇌 모세혈관 내피 세포(즉, 혈액 뇌 장벽) 사이의 세포 간 긴밀한 접합(TJ)의 투과성을 증가시키는 것을 포함한다. 다른 실시예에서, 방법은 제1 전극 어셈블리 및 제2 전극 어셈블리를 피험자 복부의 반대편에 배치하고, 장 상피의 투과성을 증가시키기 위해 제1 및 제2 전극 어셈블리 사이에 교번 전기장을 적용하는 것을 포함한다. 상피 세포 사이의 세포 간 긴밀한 접합부의 이러한 투과성 증가는 의약품과 같은 물질의 흡수를 증가시키는 데 유용할 수 있다. 일부 실시예에서, 그러한 방법은 대상체에 치료 물질을 투여하는 것을 더 포함한다. 일부 실시예에서, 세포간 긴밀한 접합부의 투과성을 증가시키는 데 유용한 교류 전기장은 약 50kHz 내지 약 500kHz, 약 100kHz 내지 약 300kHz, 또는 약 100kHz 내지 약 190kHz 사이의 주파수를 가진다. 일부 실시예에서, 주파수는 약 150kHz, 약 160kHz, 약 170kHz, 약 180kHz, 또는 약 190kHz이다.

일부 방법 및/또는 실시예는 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상 체내의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 전극 조립체와 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하여 세포막, 특히 암 세포막의 투과성을 증가시키는 것을 포함한다. 이러한 암 세포막은 예를 들어, 다형성 교모세포종과 같은 뇌암 세포, 폐암 세포(예: 악성 흉막 중피종, 비소세포 폐암), 뇌 전이 세포(예:, 비소세포 폐암 또는 흑색종), 유방암, 난소암 세포, 전립선암 세포, 췌장암 세포, 위암 세포(예: 위식도 접합부 선암, 위 선암), 장암 세포, 결장암 세포, 직장암 세포, 간암, 간세포암 세포, 및 포도막암 세포로부터 유래된 세포. 일부 실시예에서, 이러한 방법은 대상체 또는 암세포 부근에 치료 물질을 투여하는 것을 더 포함한다. 일부 실시예에서, 세포막의 투과성을 증가시키는 데 유용한 교류 전기장은 약 50kHz 내지 약 1MHz 사이, 약 50kHz 내지 약 500kHz 사이, 또는 약 100kHz 내지 약 300kHz 사이의 주파수를 가진다.

일부 방법 및/또는 실시예는 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상자의 머리의 반대편에 배치하고, 신경 퇴행성 질환의 증상을 치료하거나 감소시키기 위해 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 인가하는 것을 포함한다. 예를 들어, 이러한 신경 퇴행성 질환은 근위축성 측색 경화증(ALS), 파킨슨병, 알츠하이머병, 헌팅턴병, 다발성 경화증(MS), 신경 섬유종증 또는 치매 중 하나 이상이 될 수 있지만 이에 국한되지는 않다. 일부 실시예에서, 신경 퇴행성 질환을 치료하는 방법은 피험자의 뇌에 교번 전기장을 적용하여 GSK3β를 억제하는 것을 포함한다.

일부 방법 및/또는 실시예는, 본 명세서에 기술된 바와 같이 제1 전극 어셈블리 및 제2 전극 어셈블리를 대상체의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 어셈블리 사이에 교번 전기장을 가하여 신경 퇴행성 장애의 증상을 치료 또는 감소시키고, 신경 퇴행성 장애의 치료를 위한 치료제를 투여하는 것을 더 포함하며, 또한 신경 퇴행성 장애의 치료를 위한 치료제를 투여하는 것을 포함한다. 신경 퇴행성 장애의 치료를 위한 치료제는 GSK3β 억제제, 콜린에스테라아제 억제제, 항 아밀로이드 단일클론 항체(예: 아두카누맙 ), 도파민 작용제, 모노아민 산화효소 B(MAO-B) 억제제, 카테콜 O-메틸전달효소 억제제 또는 항콜린제를 포함하지만 이에 한정되지 않다. 일부 실시예에서, 치료제는 9-ING-41, HY-130795, TWS119, 타이드글루시브, SAR502250, AR-A014418, TDZD8, 켄파울론, 크로모이브 나트륨 SB415286, IM-12, CP21R7, GNF4877, 1-아자켄파울론, 또는 인디루빈-3'-모녹심, 타크린, 갈란타민, 리퀴리티게닌, 메만틴, 리바스티그민, 도네페질, 시프로플록사신, 셀레콕시브, 타우르소데옥시콜산, 페닐부티레이트 나트륨, 레보도파, 카르비도파, 프라미펙솔, 로피니롤, 로티고틴, 아포모르핀, 셀레길린, 라사길린, 사피나미드, 엔타카폰, 오피카폰, 톨카폰, 벤즈트로핀, 트리헥시페니딜, 아만타딘, 릴루졸, 에다라본 및 l-3,4-디히드록시페닐알라닌 중 하나 이상이다,

일부 방법 및/또는 실시예는 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하여 자가 면역 질환의 증상을 치료하거나 감소시키는 것을 포함하며, 여기서 표적 영역은 자가 면역 질환에 의해 공격받는 조직을 포함한다. 예를 들어, 라스무센 뇌염(RE)의 경우 면역 체계가 사람의 뇌의 한쪽 반구를 공격하므로 RE를 치료하는 방법에서 표적 부위는 대상자의 머리 또는 뇌가 될 수 있다. 루푸스 신장염에서는 면역 체계가 환자의 신장을 공격한다. 루푸스 신염의 표적 부위는 신장 및/또는 관련 배액 림프절의 앞과 뒤에 피험자의 신체에 한 쌍의 전극을 배치하고, 선택적으로 신장 및/또는 관련 배액 림프절에 해당하는 높이에서 피험자의 신체 측면에 두 번째 전극을 배치하는 것이다. 제1형 당뇨병 치료 방법은 피험자의 췌장의 표적 부위를 포함할 수 있다. 류마티스 관절염 치료 방법은 관련 관절 및/또는 관련 배액 림프절의 표적 부위를 포함할 수 있다. 다발성 근염 치료 방법은 피험자의 관련 근육 및/또는 관련 배액 림프절의 표적 부위를 포함할 수 있다.

일부 방법 및/또는 실시예는, 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 어셈블리 및 제2 전극 어셈블리를 대상물의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 제1 및 제2 전극 어셈블리 사이에 교번 전기장을 가하여 수용체와의 정전기적 상호작용에 의존하는 바이러스에 감염된 대상물을 치료하는 것을 포함하며, 여기서 대상물은 바이러스에 감염된 하나 이상의 세포를 포함한다. 예를 들어, 바이러스는 코로나 바이러스 또는 렌티 바이러스일 수 있다. 일부 실시예에서, 교류 전기장은 50kHz와 1MHz 사이 또는 100kHz와 500kHz 사이의 주파수를 가진다. 일부 실시예에서, 교류 전기장은 약 150kHz의 주파수를 가진다.

일부 방법 및/또는 실시예는 본 명세서에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상물의 표적 영역의 반대편에 배치하고, 렌티바이러스 또는 코로나바이러스에 감염된 대상물을 치료하기 위해 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함하며, 대상물에 항바이러스 치료제를 투여하는 것을 더 포함할 수 있다. 항바이러스 치료제의 적절한 예로는 렘데시비르(베클루리), 아비간(파빌라비르), 올루미언트 및 바리시닉스(바리시티닙), 하이드록시클로로퀸/클로로퀸, 카시리비맙 및 임데비맙(이전 REGN-COV2), PTC299, 레론리맙(PRO 140), 밤라니비맙(LY-CoV555), 렌질루맙, 이버멕틴, RLF-100(아비프타딜), 메트포르민(글루코파지, 글루메자, 리오메트), AT-527, 악템라(토실리주맙), 니클로사이드(니클로사마이드), 회복기 혈장, 펩시드(파모티딘), 칼레트라(로피나비르-리토나비르), 레미케이드(인플릭시맙), AZD7442, AZD7442, CT-P59, 헤파린(UF 및 LMW), VIR-7831(GSK4182136), JS016, 케브자라(사릴루맙), 삭코비드(CD24Fc), 휴미라(아달리무맙), COVI-GUARD(STI-1499), 덱사메타손(덱스텐자, 오주르덱스 등), PB1046, 갈리데시비르, 부실라민, PF-00835321(PF-07304814), 엘리퀴스(아픽사반), 타키지로(라나델루맙), 하이드로코르티손, 일라리스(카나키누맙), 콜히친(미티가레, 콜크리스), BLD-2660, 아비간(파빌라비르/아비파비르), Rhu-pGSN(겔솔린), MK-4482, TXA127, LAM-002A(아필리모드 디메실레이트), DNL758(SAR443122), INOpulse, ABX464, AdMSC, 로스마피모드, 마브릴리무맙, 칼퀀스(아칼라브루티닙) 등이 있으나 이에 한정되지는 않는다.

일부 방법 및/또는 실시예는 본원에 기술된 바와 같이 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체를 대상자의 몸통(예를 들어, 폐)의 반대편에 배치하고, 급성 호흡 곤란 증후군의 증상을 치료하거나 감소시키기 위해 제1 전극 조립체 및 제2 전극 조립체 사이에 교번 전기장을 가하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 급성 호흡 곤란 증후군은 코로나 바이러스 감염과 같은 바이러스 감염에 의해 야기될 수 있다.

본 발명은 특정 실시예를 참조하여 개시되었지만, 첨부된 청구범위에 정의된 바와 같이 본 발명의 영역 및 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시예에 대한 수많은 수정, 변경 및 변경이 가능하다. 따라서, 본 발명은 설명된 실시예에 한정되는 것이 아니라, 다음 청구범위의 문언에 의해 정의되는 전체 범위 및 이에 대응하는 균등한 범위를 갖는 것으로 의도된다.

Claims

교류 전기장을 대상체의 신체에 인가하기 위한 장치로, 상기 장치는:
전면(front face)과 후면(rear face)를 가지는 이방성 물질의 시트로,
상기 시트는 상기 전면에 수직인 방향으로 제1 열 전도도를 가지고, 상기 전면에 평행한 방향으로 상기 시트의 상기 열 전도도는 상기 제1 열전도도에 비하여 두 배 이상 높고,
상기 시트의 상기 전면에 배치된 적어도 하나의 전도성 물질 층으로, 상기 적어도 하나의 전도성 물질 층은 생체 적합성 전면을 가지고;
상기 시트의 뒤에 배치된 제1 전극 요소로, 상기 제1 전극 요소는 상기 시트의 상기 후면과 전기적 접촉하도록 배치된 제1 전면을 가지는 장치.
제1항에 있어서,
상기 장치는,
상기 제1 전극 요소는 (1) 전면과 후면을 가지는 유전 물질의 제1 층 및 (ii) 상기 유전 물질의 상기 제1 층의 상기 후면에 배치된 금속의 제1 층을 포함하고,
상기 유전 물질의 제1 층의 상기 전면은 상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면이고,
상기 장치는 상기 시트의 상기 후면 및 상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면 사이에 배치된 전도성 물질의 제1 후면층을 더 포함하고,
상기 전도성 물질의 제1 후면층은 상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이의 상기 제1 전면 상기 전기적 접촉을 용이하게 하는 장치.
제2항에 있어서,
상기 장치는,
상기 시트의 뒤에 위치하는 제2 전극 요소를 더 포함하고,
상기 제2 전극 요소는 상기 시트의 상기 후면과 전기적 접촉하도록 배치된 제2 전면을 가지고,
상기 제2 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 가지는 유전 물질의 제2 층과, (ii) 상기 유전 물질의 제2 층의 상기 후면에 배치된 금속의 제2 층을 포함하고,
상기 유전 물질의 제2 층의 상기 전면은 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면이고,
상기 전도성 물질의 제1 후면층은 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면과 상기 시트의 후면 사이에 위치하고,
상기 전도성 물질의 상기 제1 후면층은 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이의 상기 전기적 접촉을 용이하게 하는 장치.
제2항에 있어서,
상기 장치는,
상기 시트 뒤에 위치하는 제2 전극 요소를 더 포함하고,
상기 제2 전극 요소는 상기 시트의 상기 후면과 전기적 접촉하도록 배치된 제2 전면을 가지고,
상기 제2 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 가지는 유전 물질의 제2 층과 (ii) 상기 유전 물질의 제2 층의 상기 후면에 배치된 금속의 제2 층을 포함하고,
상기 유전 물질의 제2 층의 상기 전면은 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면이고,
상기 장치는, 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이에 위치하는 전도성 물질의 제2 후면층을 더 포함하고,
상기 전도성 물질의 제2 후면층은 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 하는 장치.
제2항에 있어서,
상기 전도성 물질의 제1 후면층은 전도성 하이드로젤을 포함하는 장치.
제2항에 있어서,
상기 전도성 물질의 제1 후면층은 전도성 접착제를 포함하는 장치.
제6항에 있어서,
상기 전도성 접착제는 접착성 폴리머 및 탄소 파우더, 입자, 파이버 또는 나노 튜브를 포함하는 장치.
제6항에 있어서,
상기 전도성 접착제는 10 내지 2000 um의 두께를 가지는 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 전극 요소는 전면을 가지는 금속의 피스(piece)를 포함하고,
상기 금속의 피스의 상기 전면은 상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면인 장치.
제9항에 있어서,
상기 장치는,
상기 제1 전극 요소의 제1 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이에 위치하는 전도성 물질의 제1 후면층을 더 포함하고,
상기 전도성 물질의 제1 전면층은 상기 제1 전극 요소의 제1 전면과 상기 시트의 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 하는 장치.
제9항에 있어서,
상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면은 상기 시트의 상기 후면과 집적적으로 접촉하도록 위치하는 장치.
제1항에 있어서,
상기 이방성 물질의 시트는,
그라파이트(graphite)의 시트인 장치.
제1항에 있어서,
상기 이방성 물질의 시트는,
열 분해성 그라파이트의 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화 폴리머 필름으로부터 만들어진 그라파이트 포일의 시트인 장치.
제1항에 있어서,
상기 이방성 물질의 시트는 비금속성인 장치.
제1항에 있어서,
상기 전면에 평행한 방향으로 상기 시트의 상기 열 전도도는 상기 제1 열전도도에 비하여 10배 이상 높은 장치.
제1항에 있어서,
상기 시트는 상기 전면에 수직한 방향으로 제1 저항을 가지고, 상기 전면에 평행한 방향으로 상기 시트의 저항은 상기 제1 저항의 절반 이하인 장치.
제1항에 있어서,
상기 전도성 물질의 적어도 하나의 층은 하이드로겔을 포함하는 장치.
제1항에 있어서,
상기 전도성 물질의 적어도 한 층은 50 내지 2000um 두께의 하이드로젤의 층을 포함하는 장치.
제1항에 있어서,
상기 적어도 한 층의 전도성 물질은 전도성 접착제를 포함하는 장치.
제19항에 있어서,
상기 전도성 접착제는,
접착성 폴리머 및 탄소 파우더, 입자, 파이버, 플레이크 또는 나노튜브를 포함하는 장치.
제19항에 있어서,
상기 전도성 접착제는 10 내지 2000um의 두께를 가지는 장치.
제1항에 있어서,
상기 장치는,
상기 제1 전극 요소 및 상기 전도성 물질의 적어도 한 층 및 상기 시트를 지지하도록 구성된 유연성 자기-접착성 지지체(flexible self-adhesive backing)를 더 포함하며, 상기 전도성 물질의 적어도 한 층의 상기 전면이 대상체의 피부에 대하여 위치할 수 있는 장치.
제1항에 있어서,
상기 시트는 중심을 가지고,
상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면의 중심은 상기 시트의 상기 중심에서 3cm 미만 이격되어 위치하는 장치.
제1항에 있어서,
상기 장치는, 상기 제1 전극 요소에 전기적으로 연결된 선(lead)을 더 포함하는 장치.
제1항에 있어서,
상기 시트는 중심과
상기 시트의 상기 후면에 평행한 방향으로의 치수(dimension)를 가지고,
상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면의 중심은 상기 시트의 상기 중심에서 상기 치수의 30% 미만으로 이격되어 위치하는 장치.
대상체의 신체에 있는 표적 영역에 교류 전기장을 인가하는 방법으로, 상기 방법은:
상기 대상체의 신체의 제1 위치에 제1 전극 어셈블리를 배치하는 단계로, 상기 제1 전극 어셈블리는 제1 전면 및 제1 후면을 가지는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하고, 상기 제1 시트는 상기 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 열전도도를 가지고, 상기 제1 전면에 평행한 방향으로의 상기 제1 시트의 열 전도도는 상기 제1 열 전도도에 비하여 두 배 이상 높고, 상기 제1 전극 어셈블리는 상기 제1 시트의 상기 제1 전면이 상기 표적 영역을 마주하도록 위치하고;
상기 대상체의 신체의 제2 위치에 제2 전극 어셈블리를 배치하는 단계로, 상기 제2 전극 어셈블리는 제2 전면 및 제2 후면을 가지는 이방성 물질의 제2 시트를 포함하고, 상기 제2 시트는 상기 제2 전면에 수직한 방향으로 제2 열 전도도를 가지고, 상기 제2 전면에 평행한 방향으로 상기 제2 시트의 열 전도도는 상기 제2 열 전도도에 비하여 두 배 이상 높고, 상기 제2 전극 어셈블리는 상기 제2 시트의 상기 제2 전면이 상기 표적 영역을 마주하도록 위치하고;
상기 제1 전극 어셈블리와 상기 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전압을 인가하는 단계를 포함하고,
상기 인가하는 단계는, 상기 제1 전극 어셈블리와 상기 제2 전극 어셈블 리가 배치하는 단계 이후에 수행되는 방법.
제26항에 있어서,
상기 인가하는 단계는, 상기 교류 전압을 (i) 상기 제1 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제1 전극 요소와 (ii) 상기 제2 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전극 요소 사이에 상기 교류 전압을 인가함으로써 구현되는 방법.
제27항에 있어서,
상기 방법은,
상기 제1 전극 요소의 제1 온도를 측정하는 단계;
상기 제2 전극 요소의 제2 온도를 측정하는 단계; 및
상기 제1 온도 및 상기 제2 온도에 기초하여 상기 인가하는 단계를 제어하는 단계를 더 포함하는 방법.
제26항에 있어서,
상기 제1 전극 어셈블리는 상기 제1 전면에 배치된 전도성 불질의 제1 층을 더 포함하고,
상기 제2 전극 어셈블리는 상기 제2 전면에 배치된 전도성 물질의 제2 층을 더 포함하는 방법.
제26항에 있어서,
상기 이방성 물질의 제1 및 제2 시트들 각각은 그라파이트의 시트인 방법.
제26항에 있어서,
상기 이방성 물질의 제1 및 제2 시트들 각각은
열분해성 그라파이트의 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화 폴리머 필름으로부터 만들어진 그라파이트 포일인 방법.
제26항에 있어서,
이방성 물질의 상기 제1 및 제2 시트들의 각각은 비금속성인 방법.
제26항에 있어서,
상기 제1 전면에 평행한 방향에서 상기 제1 시트의 상기 열 전도도는 상기 제1 열 전도도에 비하여 열 배 이상이고,
상기 제2 전면에 평행한 방향으로 상기 제2 시트의 열 전도도는 상기 제2 열 전도도에 비하여 열 배 이상인 방법.
제26항에 있어서,
상기 제1 시트는, 상기 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 저항을 가지고, 상기 제1 전면에 평행한 방향으로 상기 제1 시트의 저항은 상기 제1 저항에 비하여 절반 미만이며,
상기 제2 전면은 상기 제2 전면에 수직한 방향으로 제2 저항을 가지고, 상기 제2 전면에 평행한 방향으로 상기 제2 시트의 저항은 상기 제2 저항의 절반 미만인 방법.
대상체의 신체에 교류 전기장을 인가하는 장치로, 상기 장치는:
전면과 후면을 가지는 이방성 물질의 시트로, 상기 시트는, 상기 전면에 수직인 방향으로 제1 저항을 가지고, 상기 전면에 평행한 방향으로 상기 시트의 저항은 상기 제1 저항의 절반 미만이고;
상기 시트의 상기 전면에 배치된 전도성 물질의 적어도 한 층으로, 상기 전도성 물질의 적어도 한층은 생체 적합성 전면을 가지고;
상기 시트의 뒤에 배치된 제1 전극 요소로, 상기 제1 전극 요소는 상기 시트의 상기 후면과 전기적 접촉하도록 배치된 제1 전면을 가지는 장치.
제35항에 있어서,
상기 제1 전극 요소는 (i) 전면 및 후면을 가지는 유전 물질의 제1 층 및 (ii) 상기 유전 물질의 제1 층의 상기 후면에 배치된 금속의 제1 층을 포함하고,
상기 유전 물질의 상기 제1 층의 상기 전면은 상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면이고,
상기 장치는 상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이에 위치하는 전도성 물질의 제1 후면층을 더 포함하고, 상기 전도성 물질의 상기 제1 후면층은 상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이의 전기적 접촉을 용이하게 하는 장치.
제36항에 있어서,
상기 장치는,
상기 시트의 뒤에 위치하는 제2 전극 요소를 더 포함하고, 상기 제2 전극 요소는 상기 시트의 상기 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전면을 더 포함하고,
상기 제2 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 가지는 유전 물질의 제2 층과 (ii) 유전 물질의 상기 제2 층의 상기 후면에 배치된 금속의 제2 층을 포함하고,
유전 물질의 상기 제2 층의 상기 전면은 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면이고,
전도성 물질의 상기 제1 후면층은 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이에 위치하고, 전도성 물질의 상기 제1 후면층은 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이의 상기 전기적 접촉을 용이하게 하는 장치.
제36항에 있어서,
상기 장치는
상기 시트의 뒤에 위치하는 제2 전극 요소를 더 포함하며,
상기 제2 전극 요소는 상기 시트의 상기 후면과 전기적 접촉하도록 배치된 제2 전면을 포함하고,
상기 제2 전극 요소는 (i) 전면과 후면을 가지는 유전 물질의 제2 층과 (ii) 유전 물질의 상기 제2 층의 상기 후면에 배치된 금속의 제2 층을 포함하고,
유전 물질의 상기 제2 층의 상기 제1 전면은 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면이고,
상기 장치는 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이에 배치된 전도성 물질의 제2 후면을 더 포함하고,
상기 전도성 물질의 상기 제2 후면은 상기 제2 전극 요소의 상기 제2 전면과 상기 시트의 상기 후면의 상기 전기적 접촉을 용이하게 하는 장치.
제36항에 있어서,
전도성 물질의 상기 제1 후면층은 전도성 하이드로겔을 포함하는 장치.
제36항에 있어서,
전도성 물질의 상기 제1 후면층은 전도성 접착제를 포함하는 장치.
제40항에 있어서,
상기 전도성 접착제는 접착성 폴리머 및 카본 파우더, 입자, 플레이크 또는 나노튜브를 포함하는 장치.
제40항에 있어서,
상기 전도성 접착제는, 10 내지 2000 μm의 두께를 가지는 장치.
제35항에 있어서,
상기 제1 전극 요소는 전면을 가지는 금속의 피스(piece)를 포함하고,
상기 금속의 피스의 상기 전면은 상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면인 장치.
제43항에 있어서,
상기 장치는, 상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이에 배치된 전도성 물질의 제1 후면층을 더 포함하고,
전도성 물질의 상기 제1 후면은 상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면과 상기 시트의 상기 후면 사이의 전기적 연결을 용이하게 하는 장치.
제43항에 있어서,
상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면은
상기 시트의 상기 후면과 직접 접촉하도록 배치된 장치.
제35항에 있어서,
상기 이방성 물질의 시트는 그라파이트의 시트인 장치.
제35항에 있어서,
상기 이방성 물질의 시트는,
열분해성 그라파이트의 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화 폴리머 필름으로부터 만들어진 그라파이트 포일인 장치.
제35항에 있어서,
상기 이방성 물질의 시트는 비금속성인 장치.
제35항에 있어서,
상기 전면에 평행한 방향으로의 상기 시트의 상기 저항은 상기 제1 저항의 10% 미만인 장치.
제35항에 있어서,
상기 시트는,
상기 전면에 수직한 방향으로 상기 제1 열 전도도를 가지고,
상기 전면에 평행한 방향으로 상기 시트의 열 전도도는 상기 제1 열 전도도에 비하여 두 배 이상 높은 장치.
제35항에 있어서,
상기 전도성 물질의 적어도 한 층은 하이드로겔을 포함하는 장치.
제35항에 있어서,
상기 전도성 물질의 적어도 한 층은 50 내지 2000μm 두께의 하이드로겔의 층을 포함하는 장치.
제35항에 있어서,
상기 전도성 물질의 적어도 한 층은
전도성 접착제를 포함하는 장치.
제35항에 있어서,
상기 전도성 접착제는,
접착성 폴리며, 및 카본 파우더, 입자, 파이버, 플레이크 또는 나노튜브를 포함하는 장치.
제53항에 있어서,
상기 전도성 접착제는 10 내지 2000μm 두께를 가지는 장치.
제35항에 있어서,
상기 장치는
상기 제1 전극 요소 및 상기 전도성 물질의 적어도 한 층 및 상기 시트를 지지하도록 구성된 유연성 자기-접착성 지지체(flexible self-adhesive backing)를 더 포함하며, 상기 전도성 물질의 적어도 한 층의 상기 전면이 대상체의 피부에 대하여 위치할 수 있는 장치.
제35항에 있어서,
상기 시트는 중심을 가지고,
상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면의 중심은 상기 시트의 상기 중심에서 3cm 미만 이격되어 위치하는 장치.
제35항에 있어서,
상기 장치는, 상기 제1 전극 요소에 전기적으로 연결된 선(lead)을 더 포함하는 장치.
제35항에 있어서,
상기 시트는 중심과
상기 시트의 상기 후면에 평행한 방향으로의 치수(dimension)를 가지고,
상기 제1 전극 요소의 상기 제1 전면의 중심은 상기 시트의 상기 중심에서 상기 치수의 30% 미만으로 이격되어 위치하는 장치.
대상체의 신체에 있는 표적 영역에 교류 전기장을 인가하는 방법으로, 상기 방법은:
상기 대상체의 신체의 제1 위치에 제1 전극 어셈블리를 배치하는 단계로, 상기 제1 전극 어셈블리는 제1 전면 및 제1 후면을 가지는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하고, 상기 제1 시트는 상기 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 저항을 가지고, 상기 제1 전면에 평행한 방향으로의 상기 제1 시트의 저항은 상기 제1 저항에 비하여 절반 미만이고, 상기 제1 전극 어셈블리는 상기 제1 시트의 상기 제1 전면이 상기 표적 영역을 마주하도록 위치하고;
상기 대상체의 신체의 제2 위치에 제2 전극 어셈블리를 배치하는 단계로, 상기 제2 전극 어셈블리는 제2 전면 및 제2 후면을 가지는 이방성 물질의 제2 시트를 포함하고, 상기 제2 시트는 상기 제2 전면에 수직한 방향으로 제2 저항을 가지고, 상기 제2 전면에 평행한 방향으로 상기 제2 시트의 저항은 상기 제2 저항에 비하여 절반 미만이고, 상기 제2 전극 어셈블리는 상기 제2 시트의 상기 제2 전면이 상기 표적 영역을 마주하도록 위치하고;
상기 제1 전극 어셈블리와 상기 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전압을 인가하는 단계를 포함하고,
상기 인가하는 단계는, 상기 제1 전극 어셈블리와 상기 제2 전극 어셈블 리가 배치하는 단계 이후에 수행되는 방법.
제60항에 있어서,
상기 인가하는 단계는, 상기 교류 전압을 (i) 상기 제1 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제1 전극 요소와 (ii) 상기 제2 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전극 요소 사이에 상기 교류 전압을 인가함으로써 구현되는 방법.
제61항에 있어서,
상기 방법은,
상기 제1 전극 요소의 제1 온도를 측정하는 단계;
상기 제2 전극 요소의 제2 온도를 측정하는 단계; 및
상기 제1 온도 및 상기 제2 온도에 기초하여 상기 인가하는 단계를 제어하는 단계를 더 포함하는 방법.
제60항에 있어서,
상기 제1 전극 어셈블리는 상기 제1 전면에 배치된 전도성 불질의 제1 층을 더 포함하고,
상기 제2 전극 어셈블리는 상기 제2 전면에 배치된 전도성 물질의 제2 층을 더 포함하는 방법.
제60항에 있어서,
상기 이방성 물질의 제1 및 제2 시트들 각각은 그라파이트의 시트인 방법.
제60항에 있어서,
상기 이방성 물질의 제1 및 제2 시트들 각각은
열분해성 그라파이트의 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화 폴리머 필름으로부터 만들어진 그라파이트 포일인 방법.
제60항에 있어서,
이방성 물질의 상기 제1 및 제2 시트들의 각각은 비금속성인 방법.
제60항에 있어서,
상기 제1 전면에 평행한 방향에서 상기 제1 시트의 상기 저항은 상기 제1 저항의 10% 미만이고,
상기 제2 전면에 평행한 방향에서 상기 제2 시트의 상기 저항은 상기 제2 저항의 10% 미인 방법.
제60항에 있어서,
상기 제1 시트는 상기 제1 전면에 수직한 방향으로 제1 열 전도도를 가지고, 상기 제1 전면에 평행한 방향으로 상기 제1 시트의 열 전도도는 상기 제1 열 전도도에 비하여 두 배 보다 크고,
상기 제2 시트는 상기 제2 전면에 수직한 방향으로 제2 열 전도도를 가지고, 상기 제2 전면에 수직한 방향으로 상기 제2 시트의 열 전도도는 상기 제2 열 전도도에 비하여 두 배 이상 큰 방법.
대상체의 신체에 있는 표적 영역에 교류 전기장을 인가하여 대상체의 상태를 치료하는 방법으로, 상기 방법은:
상기 대상체의 신체의 제1 위치에 제1 전극 어셈블리를 배치하는 단계로, 상기 제1 전극 어셈블리는 제1 전면 및 제1 후면을 가지는 전도성 이방성 물질의 제1 시트를 포함하고, 상기 제1 시트는 상기 제1 전면에 수직인 방향으로 제1 열전도도를 가지고, 상기 제1 전면에 평행한 방향으로의 상기 제1 시트의 열 전도도는 상기 제1 열 전도도에 비하여 두 배 이상 높고, 상기 제1 전극 어셈블리는 상기 제1 시트의 상기 제1 전면이 상기 표적 영역을 마주하도록 위치하고;
상기 대상체의 신체의 제2 위치에 제2 전극 어셈블리를 배치하는 단계로, 상기 제2 전극 어셈블리는 제2 전면 및 제2 후면을 가지는 전도성 이방성 물질의 제2 시트를 포함하고, 상기 제2 시트는 상기 제2 전면에 수직한 방향으로 제2 열 전도도를 가지고, 상기 제2 전면에 평행한 방향으로 상기 제2 시트의 열 전도도는 상기 제2 열 전도도에 비하여 두 배 이상 높고, 상기 제2 전극 어셈블리는 상기 제2 시트의 상기 제2 전면이 상기 표적 영역을 마주하도록 위치하고;
상기 제1 전극 어셈블리와 상기 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전압을 인가하는 단계를 포함하고,
상기 인가하는 단계는, 상기 제1 전극 어셈블리와 상기 제2 전극 어셈블 리가 배치하는 단계 이후에 수행되는 방법.
제69항에 있어서,
상기 인가하는 단계는, 상기 교류 전압을 (i) 상기 제1 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제1 전극 요소와 (ii) 상기 제2 후면과 전기적으로 접촉하도록 배치된 제2 전극 요소 사이에 상기 교류 전압을 인가함으로써 구현되는 방법.
제69항에 있어서,
상기 표적 영역은,
상기 대상체의 몸통, 뇌 및 복부에서 선택된 어느 하나의 영역에 있는 방법.
제69항에 있어서,
상기 상태는,
암인 방법.
제72항에 있어서,
상기 암은, 다형성 교모세포종(glioblastoma multiforme), 폐암(lung cancer), 악성 흉막 중피종(malignant pleural mesothelioma), 비소세포성 폐암(non-small cell lung cancer), 뇌 전이(brain metastases), 유방암(breast cancer), 난소암(ovarian cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer), 위암(gastric cancer), 위식도 접합부 선암(gastroesophageal junction adenocarcinoma), 위 선암(gastric adenocarcinoma), 장암(intestinal cancer), 대장암(colon cancer), 직장암(rectal cancer), 간세포암(hepatocellular cancer), 포도막암(uveal cancer) 및 간암(liver cancer) 중에서 선택된 것인 방법.
제72항에 있어서,
상기 방법은 하나 이상의 항암제를 투여하는 단계를 더 포함하는 방법.
제72항에 있어서,
상기 하나 이상의 항암제는, 테모졸로마이드(temozolomide), 페메트렉시드(pemetrexed), 시스플라틴(cisplatin), 카보플라틴(carboplatin), 파클리탁셀(paclitaxel), 냅-파클리탁셀(nab-paclitaxel), 독소루비신(doxorubicin), 사이클로포스파미드(cyclophosphamide , 트라스투주맙(trastuzumab), 아테졸리주맙atezolizumab), 젬시타빈(gemcitabine), 메벤다졸(mebendazole), 소라페닙(sorafenib), 옥살리플라틴(oxaliplatin), 카페시타빈(capecitabin), 플루오로우라실(fluorouracil), 류코보린(Leucovorin), 데파툭시주맙 마포도틴 (depatuxizumab mafodotin) 및 ABT-751 중에서 선택된 것인 방법.
제72항에 있어서,
상기 방법은
면역 체크포인트 억제제를 투여하는 단계를 더 포함하는 방법.
제76항에 있어서,
상기 면역 체크포인트 억제제는 펨브롤리주맙(pembrolizumab), 니볼루맙( nivolumab), 세미플리맙(cemiplimab), 아테졸리무맙(atezolimumab), 두르발루맙(durvalumab), 아벨루맙(avelumab) 및 이필리무맙(ipilimumab) 중에서 선택된 어느 하나 이상인 방법.
제72항에 있어서,
상기 암은, 다형성 교모세포종이고,
상기 방법은 테모졸로마이드를 투여하는 단계를 더 포함하는 방법.
제72항에 있어서,
상기 방법은, 방사 요법을 적용하는 단계를 더 포함하는 방법.
제79항에 있어서,
상기 방법은,
E2F 억제제, CDK4/6 억제제, PARP 억제제 중 하나 이상의 투여하는 단계를 더 포함하는 방법.
제69항에 있어서,
상기 방법은,
E2F 억제제, CDK4/6 억제제, PARP 억제제 중 하나 이상의 투여하는 단계를 더 포함하는 방법.
제69항에 있어서,
상기 상태는
신경 퇴행성 질환인 방법.
제82항에 있어서,
상기 신경 퇴행성 질환은,
근위축성 측색 경화증(ALS, amyotrophic lateral sclerosis), 파킨슨병( Parkinson's disease), 알츠하이머병(Alzheimer's disease), 헌팅턴병(Huntington's disease), 신경섬유종증(neurofibromatosis), 다발성 경화증(multiple sclerosis) 또는 치매(dementia)에서 선택된 것인 방법.
제69항에 있어서,
상기 상태는
자가 면역 질환인 방법.
제84항에 있어서,
상기 자가 면역 질환은 라스무센 뇌염(RE, Rasmussen encephalitis), 루푸스 신염(lupus nephritis), 제1형 당뇨병(type 1 diabetes), 류마티스 관절염(rheumatoid arthritis) 및 다발성 근염(polymyositis)에서 선택된 것인 방법.
제69항에 있어서,
상기 방법은,
상기 제1 전극 요소의 제1 온도를 측정하는 단계;
상기 제2 전극 요소의 제2 온도를 측정하는 단계; 및
상기 제1 온도 및 상기 제2 온도에 기초하여 상기 인가하는 단계를 제어하는 단계를 더 포함하는 방법.
제69항에 있어서,
상기 제1 전극 어셈블리는 상기 제1 전면에 배치된 전도성 불질의 제1 층을 더 포함하고,
상기 제2 전극 어셈블리는 상기 제2 전면에 배치된 전도성 물질의 제2 층을 더 포함하는 방법.
제69항에 있어서,
상기 이방성 물질의 제1 및 제2 시트들 각각은
열분해성 그라파이트의 시트인 방법.
제68항에 있어서,
상기 이방성 물질의 제1 및 제2 시트들 각각은
열 분해성 그라파이트의 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화 폴리머 필름으로부터 만들어진 그라파이트 포일의 시트인 방법.
제69항에 있어서,
상기 제1 전면에 평행한 방향에서 상기 제1 시트의 상기 열 전도도는 상기 제1 열 전도도에 비하여 열 배 이상이고,
상기 제2 전면에 평행한 방향으로 상기 제2 시트의 열 전도도는 상기 제2 열 전도도에 비하여 열 배 이상인 방법.
제69항에 있어서,
상기 시트는 상기 제1 전면에 평행한 방향으로의 저항이 상기 제1 전면에 수직인 방향으로의 저향에 비하여 1/2 미만인 저항을 가지고,
상기 제2 시트는 제2 전면에 평행인 방향으로의 저항이 상기 제2 전면에 수직인 방향으로의 저항에 비하여 1/2 미만인 저항을 가지는 방법.
제69항에 있어서,
상기 제1 시트는
상기 제1 전면에 평행한 방향으로의 저항이 상기 제1 전면에 수직인 방향으로의 저항에 비하여 10% 미만인 저항을 가지고,
상기 제2 시트는,
상기 제2 전면에 평행한 방향으로의 저항이 상기 제2 전면에 수직인 방향으로의 저항에 비하여 10% 미만인 저항을 가지는 방법.
다형성 교모세포종(glioblastoma multiforme), 폐암(lung cancer), 악성 흉막 중피종(malignant pleural mesothelioma), 비소세포성 폐암(non-small cell lung cancer), 뇌 전이(brain metastases), 유방암(breast cancer), 난소암(ovarian cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer), 위암(gastric cancer), 위식도 접합부 선암(gastroesophageal junction adenocarcinoma), 위 선암(gastric adenocarcinoma), 장암(intestinal cancer), 대장암(colon cancer), 직장암(rectal cancer), 간세포암(hepatocellular cancer), 포도막암(uveal cancer) 및 간암(liver cancer) 중에서 선택된 암을 치료하기 위한
테모졸로마이드(temozolomide), 페메트렉시드(pemetrexed), 시스플라틴(cisplatin), 카보플라틴(carboplatin), 파클리탁셀(paclitaxel), 냅-파클리탁셀(nab-paclitaxel), 독소루비신(doxorubicin), 사이클로포스파미드(cyclophosphamide , 트라스투주맙(trastuzumab), 아테졸리주맙atezolizumab), 젬시타빈(gemcitabine), 메벤다졸(mebendazole), 소라페닙(sorafenib), 옥살리플라틴(oxaliplatin), 카페시타빈(capecitabin), 플루오로우라실(fluorouracil), 류코보린(Leucovorin), 데파툭시주맙 마포도틴 (depatuxizumab mafodotin) 및 ABT-751 중에서 선택된 어느 하나의 화학 요법제로,
상기 화학 요법제는 이방성 물질의 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50 kHZ 내지 1MHz의 주파수를 가지는 교류 전기장의 인가와 함께 투여되는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 교류 전기장의 인가는,
(i) 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리 및
(ii) 이방성 물질의 제2 시트를 포함하는 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전압을 인가하는 단계로 구현되는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 화학 요법제는,
면역 체크포인트 억제제의 투여와 조합하여 투여되는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 화학 요법제는,
펨브롤리주맙(pembrolizumab), 니볼루맙(nivolumab), 세미플리맙(cemiplimab), 아테졸리무맙(atezolimumab), 두르발루맙(durvalumab), 아벨루맙(avelumab) 및 이필리무맙(ipilimumab) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 면역 체크포인트 억제제의 투여와 조합하여 투여되는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 암은, 다형성 교모세포종이고,
상기 화학 요법제는 테모졸로마이드를 포함하는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 암은, 다형성 교모세포종이고,
상기 화학 요법제는 테모졸로마이드를 포함하며,
면역 체크포인트 억제제의 투여와 조합하여 투여되는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 암은, 다형성 교모세포종이고,
상기 화학 요법제는 테모졸로마이드를 포함하며,
펨브롤리주맙(pembrolizumab)의 투여와 조합하여 투여되는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 화학요법제는,
방사선 요법과 조합하여 투여되는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 화학요법제는,
E2F 억제제, CDK4/6 억제제, PARP 억제제 중 하나 이상과 조합하여 투여되는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 화학요법제는,
그라파이트의 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 이용하여 50kHz 내지 1MHz 의 주파수를 가지는 교류 전기장을 인가하는 단계와 조합하여 투여되는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 화학 요법제는,
상기 화학요법제는,
열 분해성 그라파이트의 시트 또는 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화 폴리머 필름으로부터 만들어진 그라파이트 포일 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 이용하여 50kHz 내지 1MHz 의 주파수를 가지는 교류 전기장을 인가하는 단계와 조합하여 투여되는 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 교류 전기장의 인가는 (i) 제1 전면 및 제1 후면을 가지는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리와 (ii) 제2 전면 및 제2 후면을 가지는 이방성 물질의 제2 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리 사이에 교류 전기장을 인가하는 단계로 구현되고,
상기 제1 전면에 평행한 방향의 상기 제1 시트의 열 전도도는 상기 제1 전면에 수직인 방향의 열 전도도에 비하여 두 배 이상 높고,
상기 제2 전면에 평행한 방향의 상기 제2 시트의 열 전도도는 상기 제2 전면에 수직인 방향의 열 전도도에 비하여 두 배 이상 높은 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 교류 전기장의 인가는 (i) 제1 전면 및 제1 후면을 가지는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리와 (ii) 제2 전면 및 제2 후면을 가지는 이방성 물질의 제2 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리 사이에 교류 전기장을 인가하는 단계로 구현되고,
상기 제1 전면에 평행한 방향의 상기 제1 시트의 열 전도도는 상기 제1 전면에 수직인 방향의 열 전도도에 비하여 열 배 이상 높고,
상기 제2 전면에 평행한 방향의 상기 제2 시트의 열 전도도는 상기 제2 전면에 수직인 방향의 열 전도도에 비하여 열 배 이상 높은 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 교류 전기장의 인가는 (i) 제1 전면 및 제1 후면을 가지는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리와 (ii) 제2 전면 및 제2 후면을 가지는 이방성 물질의 제2 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리 사이에 교류 전기장을 인가하는 단계로 구현되고,
상기 제1 전면에 평행한 방향의 상기 제1 시트의 저항은 상기 제1 전면에 수직인 방향의 저항에 비하여 1/2 보다 낮고
상기 제2 전면에 평행한 방향의 상기 제2 시트의 저항은 상기 제2 전면에 수직인 방향의 저항에 비하여 1/2 보다 낮은 화학 요법제.
제93항에 있어서,
상기 교류 전기장의 인가는 (i) 제1 전면 및 제1 후면을 가지는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리와 (ii) 제2 전면 및 제2 후면을 가지는 이방성 물질의 제2 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리 사이에 교류 전기장을 인가하는 단계로 구현되고,
상기 제1 전면에 평행한 방향의 상기 제1 시트의 저항은 상기 제1 전면에 수직인 방향의 저항에 비하여 10% 보다 낮고
상기 제2 전면에 평행한 방향의 상기 제2 시트의 저항은 상기 제2 전면에 수직인 방향의 저항에 비하여 10% 보다 낮은 화학 요법제.
다형성 교모세포종(glioblastoma multiforme), 폐암(lung cancer), 악성 흉막 중피종(malignant pleural mesothelioma), 비소세포성 폐암(non-small cell lung cancer), 뇌 전이(brain metastases), 유방암(breast cancer), 난소암(ovarian cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer), 위암(gastric cancer), 위식도 접합부 선암(gastroesophageal junction adenocarcinoma), 위 선암(gastric adenocarcinoma), 장암(intestinal cancer), 대장암(colon cancer), 직장암(rectal cancer), 간세포암(hepatocellular cancer), 포도막암(uveal cancer) 및 간암(liver cancer) 중에서 선택된 암을 치료하기 위한
펨브롤리주맙(pembrolizumab), 니볼루맙(nivolumab), 세미플리맙(cemiplimab), 아테졸리무맙(atezolimumab), 두르발루맙(durvalumab), 아벨루맙(avelumab) 및 이필리무맙(ipilimumab) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 면역 체크 포인트 억제제로,
상기 면역 체크포인트 억제제는 이방성 물질의 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50 kHZ 내지 1MHz의 주파수를 가지는 교류 전기장의 인가와 함께 투여되는 면역 체크 포인트 억제제.
다형성 교모세포종(glioblastoma multiforme), 폐암(lung cancer), 악성 흉막 중피종(malignant pleural mesothelioma), 비소세포성 폐암(non-small cell lung cancer), 뇌 전이(brain metastases), 유방암(breast cancer), 난소암(ovarian cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer), 위암(gastric cancer), 위식도 접합부 선암(gastroesophageal junction adenocarcinoma), 위 선암(gastric adenocarcinoma), 장암(intestinal cancer), 대장암(colon cancer), 직장암(rectal cancer), 간세포암(hepatocellular cancer), 포도막암(uveal cancer) 및 간암(liver cancer) 중에서 선택된 암을 치료하기 위한
HLM006474, MRT00033659, YKL-5-124-TFA, YKL-5-124, 아베마시클립(abemaciclib), 리보시클립(ribociclib), 트릴라시클립(trilaciclib), 아이브랜스(ibrance), 레로시클립(lerociclib), 알보시딥(alvocidib), 로니시클립(roniciclib), 리비시클립(riviciclib), 밀시클립(milciclib), RGB-286638, NSN3106729, PHA-793887, R547, 인디루빈(indirubin), NU610 2, 보헤민(bohemine), CDK9-IN-7, CGP60474, 푸르발라놀 A(purvalanol A), PF-06873600, 님볼라이드(nimbolide), FN-1501, AG-024322, ON123300, G1T28, G1T38, AMG925, SHR-6390, BPI-1178, BPI-16350, FCN437, 비로시클립(birociclib), BEBT-209, Ty-302, TQB-3616, HS-10342, PF-06842874, CS-2002, MM-D37K, CDK4/6-IN-2, SU9516, AT7519, 니라파립(niraparib), 올라파립(olaparib) 및 루카파립(rucaparib) 중 하나 이상에서 선택된 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 또는 PARP 억제제로,
상기 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 또는 PARP 억제제는 이방성 물질의 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50 kHZ 내지 1MHz의 주파수를 가지는 교류 전기장의 인가와 함께 투여되는 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 또는 PARP 억제제.
다형성 교모세포종(glioblastoma multiforme), 폐암(lung cancer), 악성 흉막 중피종(malignant pleural mesothelioma), 비소세포성 폐암(non-small cell lung cancer), 뇌 전이(brain metastases), 유방암(breast cancer), 난소암(ovarian cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer), 위암(gastric cancer), 위식도 접합부 선암(gastroesophageal junction adenocarcinoma), 위 선암(gastric adenocarcinoma), 장암(intestinal cancer), 대장암(colon cancer), 직장암(rectal cancer), 간세포암(hepatocellular cancer), 포도막암(uveal cancer) 및 간암(liver cancer) 중에서 선택된 암을 치료하기 위한 약품을 제조하기 위한
테모졸로마이드(temozolomide), 페메트렉시드(pemetrexed), 시스플라틴(cisplatin), 카보플라틴(carboplatin), 파클리탁셀(paclitaxel), 냅-파클리탁셀(nab-paclitaxel), 독소루비신(doxorubicin), 사이클로포스파미드(cyclophosphamide , 트라스투주맙(trastuzumab), 아테졸리주맙atezolizumab), 젬시타빈(gemcitabine), 메벤다졸(mebendazole), 소라페닙(sorafenib), 옥살리플라틴(oxaliplatin), 카페시타빈(capecitabin), 플루오로우라실(fluorouracil), 류코보린(Leucovorin), 데파툭시주맙 마포도틴 (depatuxizumab mafodotin) 및 ABT-751 중선택된 화학 요법제의 용도로,
상기 화학 요법제는 이방성 물질의 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50 kHZ 내지 1MHz의 주파수를 가지는 교류 전기장의 인가와 함께 투여되는 화학요법제의 용도.
다형성 교모세포종(glioblastoma multiforme), 폐암(lung cancer), 악성 흉막 중피종(malignant pleural mesothelioma), 비소세포성 폐암(non-small cell lung cancer), 뇌 전이(brain metastases), 유방암(breast cancer), 난소암(ovarian cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer), 위암(gastric cancer), 위식도 접합부 선암(gastroesophageal junction adenocarcinoma), 위 선암(gastric adenocarcinoma), 장암(intestinal cancer), 대장암(colon cancer), 직장암(rectal cancer), 간세포암(hepatocellular cancer), 포도막암(uveal cancer) 및 간암(liver cancer) 중에서 선택된 암을 치료하기 위한 약품을 제조하기 위한
펨브롤리주맙(pembrolizumab), 니볼루맙(nivolumab), 세미플리맙(cemiplimab), 아테졸리무맙(atezolimumab), 두르발루맙(durvalumab), 아벨루맙(avelumab) 및 이필리무맙(ipilimumab) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 면역 체크 포인트 억제제의 용도로,
상기 면역 체크 포인트 억제제는 이방성 물질의 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50 kHZ 내지 1MHz의 주파수를 가지는 교류 전기장의 인가와 함께 투여되는 면역 체크 포인트 억제제의 용도.
다형성 교모세포종(glioblastoma multiforme), 폐암(lung cancer), 악성 흉막 중피종(malignant pleural mesothelioma), 비소세포성 폐암(non-small cell lung cancer), 뇌 전이(brain metastases), 유방암(breast cancer), 난소암(ovarian cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer), 위암(gastric cancer), 위식도 접합부 선암(gastroesophageal junction adenocarcinoma), 위 선암(gastric adenocarcinoma), 장암(intestinal cancer), 대장암(colon cancer), 직장암(rectal cancer), 간세포암(hepatocellular cancer), 포도막암(uveal cancer) 및 간암(liver cancer) 중에서 선택된 암을 치료하기 위한 약품을 제조하기 위한
HLM006474, MRT00033659, YKL-5-124-TFA, YKL-5-124, 아베마시클립(abemaciclib), 리보시클립(ribociclib), 트릴라시클립(trilaciclib), 아이브랜스(ibrance), 레로시클립(lerociclib), 알보시딥(alvocidib), 로니시클립(roniciclib), 리비시클립(riviciclib), 밀시클립(milciclib), RGB-286638, NSN3106729, PHA-793887, R547, 인디루빈(indirubin), NU610 2, 보헤민(bohemine), CDK9-IN-7, CGP60474, 푸르발라놀 A(purvalanol A), PF-06873600, 님볼라이드(nimbolide), FN-1501, AG-024322, ON123300, G1T28, G1T38, AMG925, SHR-6390, BPI-1178, BPI-16350, FCN437, 비로시클립(birociclib), BEBT-209, Ty-302, TQB-3616, HS-10342, PF-06842874, CS-2002, MM-D37K, CDK4/6-IN-2, SU9516, AT7519, 니라파립(niraparib), 올라파립(olaparib) 및 루카파립(rucaparib) 중 하나 이상에서 선택된 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 또는 PARP 억제제의 용도로,
상기 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 또는 PARP 억제제는 이방성 물질의 시트를 포함하는 전극 어셈블리를 사용하여 50 kHZ 내지 1MHz의 주파수를 가지는 교류 전기장의 인가와 함께 투여되는 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 또는 PARP 억제제의 용도.
제112항에 있어서,
상기 E2F 억제제, CDK4/6 억제제 또는 PARP 억제제는 방사선 요법과 조합되어 투여되는 용도.
대상체의 표적 영역에 교류 전기장을 인가하기 위한 장치로, 상기 장치는:
제1 전면 및 제1 후면을 가지는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리로, 상기 제1 시트는 상기 제1 전면에 수직인 방향의 제1 열 전도도를 가지고, 상기 제1 전면에 평행한 방향의 열 전도도는 상기 제1 열 전도도에 비하여 두 배 이상 높고;
제2 전면 및 제2 후면을 가지는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제2 전극 어셈블리로, 상기 제2 시트는 상기 제2 전면에 수직인 방향의 제2 열 전도도를 가지고, 상기 제2 전면에 평행한 방향의 열 전도도는 상기 제2 열 전도도에 비하여 두 배 이상 높으며;
교류 전압을 상기 제1 전극 어셈블리와 상기 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전기장을 인가하도록 구성된 교류 전압 생성기를 포함하는 장치.
제114항에 있어서,
상기 제1 전면에 평행한 방향의 상기 제1 시트의 열 전도도는 상기 제1 열 전도도에 비하여 열 배 이상 높고,
상기 제2 전면에 평행한 방향의 상기 제2 시트의 열 전도도는 상기 제2 열 전도도에 비하여 열 배 이상 높은 장치.
제114항에 있어서,
상기 제1 전극 어셈블리는,
상기 제1 전면에 배치된 전도성 물질의 제1 층을 더 포함하고,
상기 제2 전극 어셈블리는
상기 제1 전면에 배치된 전도성 물질의 제2 층을 더 포함하는 장치.
제114항에 있어서,
이방성 물질의 제1 및 제2 시트들 각각은 그라파이트 시트인 장치.
제114항에 있어서,
이방성 물질의 제1 및 제2 시트들 각각은 열 분해성 그라파이트 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화 폴리머 필름으로부터 만들어진 그라파이트 포일인 장치.
대상체의 표적 영역에 교류 전기장을 인가하기 위한 장치로, 상기 장치는:
제1 전면 및 제1 후면을 가지는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제1 전극 어셈블리로, 상기 제1 시트는 상기 제1 전면에 수직인 방향의 제1 저항을 가지고, 상기 제1 전면에 평행한 방향의 저항은 상기 제1 저항에 비하여 절반 이하로 낮고;
제2 전면 및 제2 후면을 가지는 이방성 물질의 제1 시트를 포함하는 제2 전극 어셈블리로, 상기 제2 시트는 상기 제2 전면에 수직인 방향의 제2 저항을 가지고, 상기 제2 전면에 평행한 방향의 저항은 상기 제2 저항에 비하여 절반 이하로 낮으며;
교류 전압을 상기 제1 전극 어셈블리와 상기 제2 전극 어셈블리 사이에 교류 전기장을 인가하도록 구성된 교류 전압 생성기를 포함하는 장치.
제119항에 있어서,
상기 제1 전면에 평행한 방향의 상기 제1 시트의 저항은 상기 제1 저항에 비하여 10% 이하로 낮고,
상기 제2 전면에 평행한 방향의 상기 제2 시트의 저항은 상기 제2 저항에 비하여 10% 이하로 낮은 장치.
제119항에 있어서,
상기 제1 전극 어셈블리는,
상기 제1 전면에 배치된 전도성 물질의 제1 층을 더 포함하고,
상기 제2 전극 어셈블리는
상기 제2 전면에 배치된 전도성 물질의 제2 층을 더 포함하는 장치.
제119항에 있어서,
이방성 물질의 제1 및 제2 시트들 각각은 그라파이트 시트인 장치.
제119항에 있어서,
이방성 물질의 제1 및 제2 시트들 각각은 열 분해성 그라파이트 시트, 압축된 고순도 박리 광물 그라파이트 또는 그라파이트화 폴리머 필름으로부터 만들어진 그라파이트 포일인 장치.