KR20240042311A - Color control member and display device including the same - Google Patents

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KR20240042311A
KR20240042311A KR1020220120877A KR20220120877A KR20240042311A KR 20240042311 A KR20240042311 A KR 20240042311A KR 1020220120877 A KR1020220120877 A KR 1020220120877A KR 20220120877 A KR20220120877 A KR 20220120877A KR 20240042311 A KR20240042311 A KR 20240042311A
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layer
light
low refractive
refractive index
inorganic particles
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KR1020220120877A
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김찬수
김인옥
오근찬
이각석
이상헌
이소윤
장지은
장창순
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

일 실시예의 색 제어 부재는 양자점을 포함하는 광 제어층, 광 제어층 상에 배치된 컬러 필터층, 및 컬러 필터층과 광 제어층 사이에 배치된 저굴절층을 포함할 수 있다. 저굴절층은 베이스 수지, 베이스 수지에 분산되고, 내부가 채워진 복수 개의 비중공 무기 입자들, 및 포로겐으로부터 유래되는 보이드부를 포함할 수 있다. 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 베이스 수지의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하이고, 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 상기 비중공 무기 입자들의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하일 수 있다. 저굴절층을 포함하는 색 제어 부재는 우수한 신뢰성을 나타낼 수 있다.The color control member of one embodiment may include a light control layer including quantum dots, a color filter layer disposed on the light control layer, and a low refractive index layer disposed between the color filter layer and the light control layer. The low refractive index layer may include a base resin, a plurality of non-hollow inorganic particles dispersed in the base resin and filled inside, and a void portion derived from a porogen. Based on the total weight of the low refractive layer, the weight of the base resin may be 40 wt% or more and 45 wt% or less, and the weight of the non-hollow inorganic particles may be 40 wt% or more and 45 wt% or less based on the total weight of the low refractive layer. A color control member including a low refractive index layer can exhibit excellent reliability.

Description

색 제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치{COLOR CONTROL MEMBER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}Color control member and display device including same {COLOR CONTROL MEMBER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}

본 발명은 저굴절층을 포함하는 색 제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a color control member including a low refractive index layer and a display device including the same.

텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에서 영상 정보를 제공하기 위한 다양한 표시 장치들이 개발되고 있다. 특히 액정 표시 소자, 유기 발광 표시 소자 등을 포함하는 표시 장치 등에서는 표시 품질을 개선하기 위해 양자점 등을 도입하고 있다.Various display devices are being developed to provide image information in multimedia devices such as televisions, mobile phones, tablet computers, navigation devices, game consoles, etc. In particular, quantum dots are being introduced to improve display quality in display devices including liquid crystal display devices and organic light emitting display devices.

또한, 양자점을 포함하는 표시 장치들이 개선된 광 효율 특성을 나타내도록 하기 위하여 저굴절층을 도입하고 있다. 저굴절층은 중공 무기 입자 등을 포함하며, 내부가 비어 있는 중공 무기 입자에 수분 및 기체 등이 유입되어, 표시 장치의 신뢰성이 저하된다.Additionally, a low refractive index layer is being introduced to enable display devices containing quantum dots to exhibit improved light efficiency characteristics. The low refractive layer contains hollow inorganic particles, etc., and moisture and gas flow into the hollow inorganic particles, which reduces the reliability of the display device.

본 발명의 목적은 광 제어층과 컬러 필터층 사이에 배치된 저굴절층의 신뢰성이 개선된 색 제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a color control member with improved reliability of a low refractive index layer disposed between a light control layer and a color filter layer, and a display device including the same.

일 실시예는 양자점을 포함하는 광 제어층; 상기 광 제어층 상에 배치된 컬러 필터층; 및 상기 컬러 필터층과 상기 광 제어층 사이에 배치된 저굴절층; 을 포함하고, 상기 저굴절층은 베이스 수지; 상기 베이스 수지에 분산되고, 내부가 채워진 복수 개의 비중공 무기 입자들; 및 포로겐으로부터 유래되는 보이드부; 를 포함하며, 상기 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 상기 베이스 수지의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하이고, 상기 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 상기 비중공 무기 입자들의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하인 색 제어 부재를 제공한다.One embodiment includes a light control layer including quantum dots; a color filter layer disposed on the light control layer; and a low refractive index layer disposed between the color filter layer and the light control layer. It includes, and the low refractive index layer is a base resin; A plurality of non-hollow inorganic particles dispersed in the base resin and filled inside; and a void portion derived from porogen; It includes, based on the total weight of the low refractive layer, the weight of the base resin is 40wt% or more and 45wt% or less, and the weight of the non-hollow inorganic particles is 40wt% or more and 45wt% based on the total weight of the low refractive layer. % or less is provided.

상기 저굴절층은 내부가 비어있는 중공 무기 입자를 미포함할 수 있다.The low refractive index layer may not include hollow inorganic particles.

상기 보이드부는 구 형상일 수 있다.The void portion may have a spherical shape.

상기 비중공 무기 입자들 각각은 직경이 10nm 이상 30nm 이하일 수 있다.Each of the non-hollow inorganic particles may have a diameter of 10 nm or more and 30 nm or less.

상기 저굴절층의 전체 중량을 기준으로, 상기 포로겐은 10wt% 이상 20wt% 이하로 제공될 수 있다.Based on the total weight of the low refractive layer, the porogen may be provided in an amount of 10 wt% or more and 20 wt% or less.

상기 포로겐이 열분해되어 상기 보이드부가 형성될 수 있다.The porogen may be thermally decomposed to form the void portion.

상기 저굴절층의 굴절률은 1.21 이상 1.25 이하일 수 있다.The refractive index of the low refractive layer may be 1.21 or more and 1.25 or less.

상기 저굴절층의 헤이즈(haze) 값은 0.40% 미만일 수 있다.The haze value of the low refractive layer may be less than 0.40%.

상기 베이스 수지는 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 및 이미드계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The base resin may include at least one of acrylic resin, silicone resin, epoxy resin, urethane resin, and imide resin.

상기 비중공 무기 입자는 SiO2, MgF2, 및 Fe3O4 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The non-hollow inorganic particles may include at least one of SiO 2 , MgF 2 , and Fe 3 O 4 .

상기 비중공 무기 입자의 굴절률은 1.43 이상 1.46 이하일 수 있다.The refractive index of the non-hollow inorganic particles may be 1.43 or more and 1.46 or less.

상기 비중공 무기 입자의 표면에 상기 베이스 수지의 작용기가 결합될 수 있다.The functional group of the base resin may be bonded to the surface of the non-hollow inorganic particle.

상기 저굴절층의 굴절률은 상기 광 제어층의 굴절률보다 작은 것일 수 있다.The refractive index of the low refractive index layer may be smaller than the refractive index of the light control layer.

일 실시예는 표시 소자층; 및 상기 표시 소자층 상에 배치된 색 제어 부재; 를 포함하고, 상기 색 제어 부재는 양자점을 포함하는 광 제어층; 상기 광 제어층 상에 배치된 컬러 필터층; 및 상기 컬러 필터층과 상기 광 제어층 사이에 배치된 저굴절층; 을 포함하고, 상기 저굴절층은 베이스 수지; 상기 베이스 수지에 분산되고, 내부가 채워진 복수 개의 비중공 무기 입자들; 및 포로겐으로부터 유래되는 보이드부; 를 포함하며, 상기 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 상기 베이스 수지의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하이고, 상기 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 상기 비중공 무기 입자들의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하인 표시 장치를 제공한다.One embodiment includes a display device layer; and a color control member disposed on the display element layer. and wherein the color control member includes a light control layer including quantum dots; a color filter layer disposed on the light control layer; and a low refractive index layer disposed between the color filter layer and the light control layer. It includes, and the low refractive index layer is a base resin; A plurality of non-hollow inorganic particles dispersed in the base resin and filled inside; and a void portion derived from porogen; It includes, based on the total weight of the low refractive layer, the weight of the base resin is 40wt% or more and 45wt% or less, and the weight of the non-hollow inorganic particles is 40wt% or more and 45wt% based on the total weight of the low refractive layer. % or less display device is provided.

상기 저굴절층은 내부가 비어있는 중공 무기 입자를 미포함할 수 있다.The low refractive index layer may not include hollow inorganic particles.

상기 저굴절층의 굴절률은 1.21 이상 1.25 이하일 수 있다.The refractive index of the low refractive layer may be 1.21 or more and 1.25 or less.

상기 비중공 무기 입자들 각각은 직경이 10nm 이상 30nm 이하일 수 있다.Each of the non-hollow inorganic particles may have a diameter of 10 nm or more and 30 nm or less.

상기 표시 소자층은 제1 광을 발광하는 발광 소자를 포함하고, 상기 광 제어층은 상기 제1 광을 제2 광으로 변환하는 제1 양자점을 포함하는 제1 광 제어부, 상기 제1 광을 제3 광으로 변환하는 제2 광 제어부, 및 상기 제1 광을 투과시키는 제3 광 제어부를 포함할 수 있다.The display device layer includes a light-emitting device that emits first light, and the light control layer includes a first light control unit including a first quantum dot that converts the first light into second light, and a first light control layer that converts the first light into second light. It may include a second light control unit that converts the light into three lights, and a third light control unit that transmits the first light.

상기 컬러 필터층은 상기 제1 광 제어부에 대응하는 제1 필터, 상기 제2 광 제어부에 대응하는 제2 필터, 및 상기 제3 광 제어부에 대응하는 제3 필터를 포함할 수 있다.The color filter layer may include a first filter corresponding to the first light control unit, a second filter corresponding to the second light control unit, and a third filter corresponding to the third light control unit.

상기 제1 광은 청색광이고, 상기 제1 양자점은 상기 청색광을 적색광으로 변환하고, 상기 제2 양자점은 상기 청색광을 녹색광으로 변환할 수 있다.The first light is blue light, the first quantum dot can convert the blue light into red light, and the second quantum dot can convert the blue light into green light.

일 실시예의 색 제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치는 내부가 채워진 비중공 무기 입자 및 포로겐으로부터 유래되는 보이드부를 포함하는 저굴절층을 포함하여 우수한 신뢰성을 나타낼 수 있다.A color control member of one embodiment and a display device including the same may exhibit excellent reliability by including a low refractive index layer including a void portion derived from non-hollow inorganic particles and porogen filled inside.

도 1은 일 실시예의 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 II-II'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 4의 AA' 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 색 제어 부재의 일부를 나타낸 것이다.
도 7a는 비교예의 색 제어 부재를 현미경으로 촬영한 이미지이다.
도 7b는 비교예의 색 제어 부재를 현미경으로 촬영한 이미지이다.
도 8은 비중공 무기 입자의 직경에 따른 저굴절층의 강도를 나타낸 그래프이다.
도 9는 포로겐의 중량에 따른 저굴절층의 굴절률을 나타낸 그래프이다.
도 10은 비중공 무기 입자의 중량에 따른 저굴절층의 강도를 나타낸 그래프이다.
도 11은 비중공 무기 입자의 중량에 따른 저굴절층의 굴절률을 나타낸 그래프이다.
도 12는 비중공 무기 입자의 직경에 따른 저굴절층의 헤이즈 값을 나타낸 그래프이다.
도 13은 비중공 무기 입자의 직경에 따른 저굴절층의 SCE 반사율을 나타낸 그래프이다.
1 is a perspective view showing a display device according to an embodiment.
Figure 2 is a cross-sectional view showing a portion corresponding to line II' in Figure 1.
Figure 3 is a plan view showing a portion of a display device according to an embodiment.
Figure 4 is a cross-sectional view showing a portion corresponding to line II-II' in Figure 3.
Figure 5 is an enlarged cross-sectional view of area AA' of Figure 4.
Figure 6 shows a portion of a color control member according to one embodiment.
Figure 7a is an image taken under a microscope of the color control member of the comparative example.
Figure 7b is an image taken under a microscope of the color control member of the comparative example.
Figure 8 is a graph showing the strength of the low refractive layer according to the diameter of non-hollow inorganic particles.
Figure 9 is a graph showing the refractive index of the low refractive index layer according to the weight of porogen.
Figure 10 is a graph showing the strength of the low refractive layer according to the weight of non-hollow inorganic particles.
Figure 11 is a graph showing the refractive index of the low refractive layer according to the weight of non-hollow inorganic particles.
Figure 12 is a graph showing the haze value of the low refractive index layer according to the diameter of non-hollow inorganic particles.
Figure 13 is a graph showing the SCE reflectance of the low refractive index layer according to the diameter of the non-hollow inorganic particle.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can be subject to various changes and have various forms, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific disclosed form, and should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.

본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다. In this specification, when a component (or region, layer, portion, etc.) is referred to as being “on,” “connected to,” or “coupled to” another component, it is directly placed/on the other component. This means that they can be connected/combined or a third component can be placed between them.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.Like reference numerals refer to like elements. Additionally, in the drawings, the thickness, proportions, and dimensions of components are exaggerated for effective explanation of technical content. “And/or” includes all combinations of one or more that can be defined by the associated components.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first component may be named a second component, and similarly, the second component may also be named a first component without departing from the scope of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.Additionally, terms such as “below,” “on the lower side,” “above,” and “on the upper side” are used to describe the relationship between components shown in the drawings. The above terms are relative concepts and are explained based on the direction indicated in the drawings.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. Terms such as “include” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but do not include one or more other features, numbers, or steps. , it should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.Unless otherwise defined, all terms (including technical terms and scientific terms) used in this specification have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains. Additionally, terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning they have in the context of the relevant technology, and unless explicitly defined herein, should not be interpreted as having an overly idealistic or overly formal meaning. It shouldn't be.

이하에서는 도면들을 참조하여 일 실시예의 색 제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 일 실시예의 표시 장치를 나타낸 사시도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.Hereinafter, a color control member and a display device including the same according to an embodiment will be described with reference to the drawings. 1 is a perspective view showing a display device according to an embodiment. Figure 2 is a cross-sectional view showing a portion corresponding to line II' of Figure 1.

일 실시예의 표시 장치(DD)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DD)는 텔레비전, 외부 광고판, 휴대용 전자 기기, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The display device DD in one embodiment may be a device that is activated according to an electrical signal. For example, the display device DD may be, but is not limited to, a television, an external billboard, a portable electronic device, a tablet, a car navigation system, a game console, a personal computer, a laptop computer, or a wearable device.

표시 장치(DD)는 표시면(DD-IS)을 포함할 수 있다. 표시 장치(DD)의 두께 방향은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향인 제3 방향축(DR3)과 나란한 방향일 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 또한 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 제1 내지 제3 방향으로 설명될 수 있으며, 동일한 도면 부호가 사용될 수 있다. 본 명세서에서, 표시 장치(DD)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다. 본 명세서에서, 제3 방향축(DR3)을 기준으로 표시면(DD-IS)과 가까워지는 방향이 상부를 의미하고, 표시면(DD-IS)과 멀어지는 방향이 하부를 의미한다. 본 명세서에서, "평면"은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면과 나란하고, 제3 방향축(DR3)에 수직한 면을 의미하며, "단면"은 제3 방향축(DR3)과 나란한 면을 의미한다.The display device DD may include a display surface DD-IS. The thickness direction of the display device DD may be parallel to the third direction DR3, which is a normal direction to the plane defined by the first and second directions DR1 and DR2. The directions indicated by the first to third direction axes DR1, DR2, and DR3 described in this specification are relative concepts and can be converted to other directions. Additionally, directions indicated by the first to third direction axes DR1, DR2, and DR3 may be described as first to third directions, and the same reference numerals may be used. In this specification, the front (or upper) and rear (or lower) surfaces of the members constituting the display device DD may be defined based on the third direction DR3. In this specification, the direction closer to the display surface DD-IS relative to the third direction axis DR3 refers to the upper part, and the direction away from the display surface DD-IS indicates the lower part. In this specification, “plane” refers to a plane parallel to the plane defined by the first and second directions DR1 and DR2 and perpendicular to the third direction DR3, and “cross section” refers to It refers to a side parallel to the third direction axis (DR3).

표시면(DD-IS)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면과 나란할 수 있다. 표시면(DD-IS)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 이미지(또는 영상)이 표시되는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 이미지(또는 영상)이 표시되지 않는 영역일 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(DA)에는 화소(PX)가 배치되고, 비표시 영역(NDA)에는 화소(PX)를 구동하기 위한 복수의 배선 및 구동 회로가 배치될 수 있다. The display surface DD-IS may be parallel to a plane defined by the first and second directions DR1 and DR2. The display surface DD-IS may include a display area DA and a non-display area NDA. The display area DA may be an area where an image (or video) is displayed. The non-display area (NDA) may be an area where an image (or video) is not displayed. For example, the pixel PX may be disposed in the display area DA, and a plurality of wiring lines and driving circuits for driving the pixel PX may be disposed in the non-display area NDA.

비표시 영역(NDA)은 표시면(DD-IS)의 테두리를 따라 정의될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 비표시 영역(NDA)은 생략되거나, 또는 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 일 측에만 배치될 수도 있다.The non-display area (NDA) may be defined along the border of the display surface (DD-IS). The non-display area (NDA) may surround the display area (DA). However, this is illustrative, and the embodiment is not limited thereto. For example, the non-display area NDA may be omitted, or the non-display area NDA may be placed only on one side of the display area DA.

도 1에서는 평면형 표시면(DD-IS)을 구비한 표시 장치(DD)를 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 표시 장치(DD)는 곡면형 표시면 또는 입체형 표시면을 포함할 수도 있다. 입체형 표시면은 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시 영역들을 포함할 수도 있다. Although FIG. 1 illustrates a display device DD having a flat display surface DD-IS, the present invention is not limited thereto. The display device DD may include a curved display surface or a three-dimensional display surface. A three-dimensional display screen may include a plurality of display areas pointing in different directions.

도 2를 참조하면, 표시 장치(DD)는 하부 패널(DPN) 및 하부 패널(DPN) 상에 배치된 상부 패널(UPN)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(DD)는 하부 패널(DPN)과 상부 패널(UPN) 사이에 배치된 충전층(filling layer)(FML) 및 봉지부(SLM)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the display device DD may include a lower panel DPN and an upper panel UPN disposed on the lower panel DPN. Additionally, the display device DD may include a filling layer (FML) and a sealing portion (SLM) disposed between the lower panel (DPN) and the upper panel (UPN).

봉지부(SLM)는 하부 패널(DPN)과 상부 패널(UPN)을 결합시키는 것일 수 있다. 봉지부(SLM)는 비표시 영역(NDA)에 배치되어 하부 패널(DPN)과 상부 패널(UPN)을 결합시키는 것일 수 있다. 봉지부(SLM)는 표시 장치(DD)의 외곽 부분인 비표시 영역(NDA)에 배치되어, 외부로부터 표시 장치(DD) 내부로 이물질, 산소, 및 수분 등의 유입을 방지할 수 있다. 봉지부(SLM)는 경화성 수지를 포함하는 실런트로부터 형성된 것일 수 있다. 실런트는 에폭시계 수지 또는 아크릴계 수지 등을 포함하는 것일 수 있다. 실런트는 열경화성 재료 또는 광경화성 재료일 수 있다. 본 명세서에서, "~~계" 수지는 "~~"의 작용기를 포함하는 것을 의미한다. The sealing portion (SLM) may connect the lower panel (DPN) and the upper panel (UPN). The sealing portion (SLM) may be disposed in the non-display area (NDA) to combine the lower panel (DPN) and the upper panel (UPN). The encapsulation portion SLM is disposed in the non-display area NDA, which is an outer portion of the display device DD, and can prevent foreign substances, oxygen, and moisture from entering the display device DD from the outside. The sealing portion (SLM) may be formed from a sealant containing a curable resin. The sealant may contain an epoxy resin or an acrylic resin. Sealants may be thermoset or photocurable materials. In this specification, “~~-based” resin means containing a “~~” functional group.

실런트는 하부 패널(DPN) 또는 상부 패널(UPN)의 일면에 제공될 수 있다. 이후 하부 패널(DPN)과 상부 패널(UPN)을 마주하도록 합착하고, 열 또는 자외선광의 제공에 의해 실런트가 경화되어 봉지부(SLM)가 형성될 수 있다.The sealant may be provided on one side of the lower panel (DPN) or the upper panel (UPN). Thereafter, the lower panel (DPN) and the upper panel (UPN) are bonded so that they face each other, and the sealant is cured by providing heat or ultraviolet light to form a sealing portion (SLM).

충전층(FML)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에서, 하부 패널(DPN)과 상부 패널(UPN) 사이를 충전하는 것일 수 있다. 충전층(FML)은 완충제의 기능을 할 수 있다. 충전층(FML)은 충격 흡수 기능 등을 할 수 있으며, 표시 장치(DD)의 강도를 증가시킬 수 있다. 충전층(FML)은 고분자 수지를 포함하는 충전 수지로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 충전층(FML)은 아크릴계 수지, 또는 에폭시계 수지 등을 포함하는 충전층 수지로부터 형성되는 것일 수 있다. The charging layer (FML) may be used to charge between the lower panel (DPN) and the upper panel (UPN) in the display area (DA) and the non-display area (NDA). The filled layer (FML) can function as a buffer. The filling layer (FML) can function as a shock absorber and increase the strength of the display device (DD). The filled layer (FML) may be formed from a filled resin containing a polymer resin. For example, the filled layer FML may be formed from a filled layer resin including an acrylic resin or an epoxy resin.

한편, 도시된 것과 달리, 충전층(FML) 및 봉지부(SLM)는 생략될 수 있다. 충전층(FML) 및 봉지부(SLM)가 생략되고, 하부 패널(DPN) 상에 상부 패널(UPN)이 직접 배치될 수 있다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 직접 배치된다는 것은, 어떤 구성요소와 다른 구성요소 사이에 제3의 구성 요소가 배치되지 않는 것을 의미한다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 '직접 배치'된다는 것은 어떤 구성요소와 다른 구성요소가 '접촉'하는 것을 의미한다.Meanwhile, unlike what is shown, the filling layer (FML) and the sealing portion (SLM) may be omitted. The filling layer (FML) and the sealing portion (SLM) may be omitted, and the upper panel (UPN) may be placed directly on the lower panel (DPN). In this specification, the fact that a component is placed directly on another component means that a third component is not placed between the component and the other component. When a component is 'directly placed' on another component, it means that the component is in 'contact' with the other component.

도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)의 일부분을 확대한 평면도이다. 도 4는 도 3의 II-II'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다. FIG. 3 is an enlarged plan view of a portion of the display device DD according to an embodiment. Figure 4 is a cross-sectional view showing a portion corresponding to line II-II' in Figure 3.

도 3은 표시 장치(DD)에서, 표시 영역(DA)의 일부분을 확대한 평면도일 수 있다. 도 3에서는 3개의 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)과, 이에 인접한 뱅크 웰 영역(BWA)을 포함하는 평면을 예시적으로 도시하였다. 도 3에 도시된 3개의 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)은 표시 영역(DA, 도 1) 전체에 반복적으로 배치될 수 있다.FIG. 3 may be an enlarged plan view of a portion of the display area DA in the display device DD. FIG. 3 exemplarily shows a plane including three pixel areas (PXA-R, PXA-B, and PXA-G) and a bank well area (BWA) adjacent thereto. The three pixel areas PXA-R, PXA-B, and PXA-G shown in FIG. 3 may be repeatedly arranged throughout the display area DA ( FIG. 1 ).

제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)의 주변에 주변 영역(NPXA)이 배치될 수 있다. 주변 영역(NPXA)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)의 경계를 설정할 수 있다. 주변 영역(NPXA)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)을 에워쌀 수 있다. 주변 영역(NPXA)에는 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)의 혼색을 방지하는 구조물, 예를 들어, 화소 정의막(PDL, 도 4) 또는 뱅크(BMP, 도 4)등이 배치될 수 있다.A peripheral area NPXA may be disposed around the first to third pixel areas PXA-R, PXA-B, and PXA-G. The peripheral area NPXA may set the boundaries of the first to third pixel areas PXA-R, PXA-B, and PXA-G. The peripheral area NPXA may surround the first to third pixel areas PXA-R, PXA-B, and PXA-G. The peripheral area NPXA includes a structure that prevents color mixing of the first to third pixel areas PXA-R, PXA-B, and PXA-G, for example, a pixel defining layer (PDL, FIG. 4) or a bank ( BMP, Figure 4), etc. may be deployed.

도 3에서는 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)이 평면 상에서 동일한 형상이고, 평면 상에서 상이한 면적을 갖는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G) 중 적어도 2개 이상의 화소 영역들의 면적은 동일할 수도 있다. 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)의 면적은 출광되는 색상에 따라 설정될 수 있다. 주요한(primary) 색상 중 적색광을 출광하는 화소 영역의 면적이 가장 넓고, 청색광을 출광하는 화소 영역의 면적이 가장 좁을 수 있다.In FIG. 3 , the first to third pixel areas (PXA-R, PXA-B, and PXA-G) are shown to have the same shape on the plane and different areas on the plane, but the embodiment is not limited thereto. The areas of at least two of the first to third pixel areas (PXA-R, PXA-B, and PXA-G) may be the same. The areas of the first to third pixel areas (PXA-R, PXA-B, and PXA-G) may be set according to the color of the emitted light. Among the primary colors, the area of the pixel area that emits red light may be the largest, and the area of the pixel area that emits blue light may be the narrowest.

도 3에서는 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G) 각각은 평면 상에서 직사각형 형상인 것으로 도시하였다. 이와 달리, 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G) 각각은 마름모 또는 오각형과 같은 다른 형상의 다각형 형상일 수 있다. 또는, 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G) 각각은 코너 영역이 둥근 직사각형 형상을 가질 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)은 평면 상에서 상이한 형상일 수도 있다.In FIG. 3, each of the first to third pixel areas (PXA-R, PXA-B, and PXA-G) is shown as having a rectangular shape in the plane. Alternatively, each of the first to third pixel areas (PXA-R, PXA-B, and PXA-G) may have a different polygonal shape, such as a rhombus or pentagon. Alternatively, each of the first to third pixel areas (PXA-R, PXA-B, and PXA-G) may have a rectangular shape with rounded corner areas. Meanwhile, the first to third pixel areas (PXA-R, PXA-B, and PXA-G) may have different shapes on a plane.

도 3에서는 제2 화소 영역(PXA-G)이 제1 행에 배치되고, 제1 화소 영역(PXA-R)과 제3 화소 영역(PXA-B)이 제2 행에 배치되는 것으로 도시하였다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)의 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)은 동일한 행에 배치될 수 있다.In FIG. 3, the second pixel area (PXA-G) is shown in the first row, and the first pixel area (PXA-R) and the third pixel area (PXA-B) are shown in the second row. However, this is an example, and the arrangement of the first to third pixel areas (PXA-R, PXA-B, and PXA-G) may be changed in various ways. For example, the first to third pixel areas (PXA-R, PXA-B, and PXA-G) may be arranged in the same row.

제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G) 중 어느 하나는 제1 광을 출광하고, 다른 하나는 제1 광과 상이한 제2 광을 출광하고, 나머지 다른 하나는 제1 광 및 제2 광과 상이한 제3 광을 출광할 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 영역(PXA-R)은 적색광을 출광하고, 제2 화소 영역(PXA-G)은 녹색광을 출광하고, 제3 화소 영역(PXA-B)은 청색광을 출광할 수 있다.One of the first to third pixel areas (PXA-R, PXA-B, PXA-G) emits first light, another one emits second light different from the first light, and the other one emits second light different from the first light. may emit third light that is different from the first light and the second light. For example, the first pixel area (PXA-R) may emit red light, the second pixel area (PXA-G) may emit green light, and the third pixel area (PXA-B) may emit blue light. .

표시 영역(DA, 도 1)에는 뱅크 웰 영역(BWA)이 정의될 수 있다. 뱅크 웰 영역(BWA)은 광 제어층(CCL, 도 4)에 포함된 복수의 광 제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)을 패터닝하는 공정에서 오탄착으로 인한 불량을 방지하기 위해 형성된 영역일 수 있다. 뱅크 웰 영역(BWA)은 뱅크(BMP, 도 4)의 일부분이 제거된 영역일 수 있다. 도 3에서는 제2 화소 영역(PXA-G)에 인접하도록 2개의 뱅크 웰 영역(BWA)이 형성된 것을 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 뱅크 웰 영역(BWA)의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다. A bank well area (BWA) may be defined in the display area (DA, FIG. 1). The bank well area (BWA) may be an area formed to prevent defects due to miscalculation in the process of patterning the plurality of light control units (CCP1, CCP2, and CCP3) included in the light control layer (CCL, FIG. 4). . The bank well area (BWA) may be an area from which a portion of the bank (BMP, FIG. 4) is removed. 3 shows two bank well areas (BWA) formed adjacent to the second pixel area (PXA-G), but the embodiment is not limited thereto, and the shape and arrangement of the bank well area (BWA) can vary. can be changed.

도 4를 참조하면, 하부 패널(DPN)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 배치된 회로층(DP-CL), 및 회로층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-ED)을 포함할 수 있다. 상부 패널(UPN)은 색 제어 부재(CCM) 및 색 제어 부재(CCM) 상에 배치된 베이스층(BL)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the lower panel (DPN) includes a base substrate (BS), a circuit layer (DP-CL) disposed on the base substrate (BS), and a display element layer disposed on the circuit layer (DP-CL). (DP-ED) may be included. The upper panel (UPN) may include a color control member (CCM) and a base layer (BL) disposed on the color control member (CCM).

베이스 기판(BS)은 회로층(DP-CL)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(BS)은 고분자 수지층, 접착층, 및 고분자 수지층의 3층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 고분자 수지층은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함할 수 있다. 또한, 고분자 수지층은 아크릴레이트(acrylate)계 수지, 메타크릴레이트(methacrylate)계 수지, 폴리이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지, 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 본 명세서에서, 폴리이미드계 수지는 폴리이미드의 작용기를 포함하는 것을 의미한다. 또한, 아크릴레이트계 수지, 메타크릴레이트계 수지, 폴리이소프렌계 수지, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리아미드계 수지, 페릴렌계 수지에 대해서도 동일한 설명이 적용될 수 있다.The base substrate BS may be a member that provides a base surface on which the circuit layer DP-CL is disposed. The base substrate BS may include a single layer or multiple layers. For example, the base substrate BS may include a three-layer structure of a polymer resin layer, an adhesive layer, and a polymer resin layer. For example, the polymer resin layer may include polyimide-based resin. In addition, the polymer resin layer is acrylate-based resin, methacrylate-based resin, polyisoprene-based resin, vinyl-based resin, epoxy-based resin, and urethane-based resin. It may include at least one of resin, cellulose-based resin, siloxane-based resin, polyamide-based resin, and perylene-based resin. In this specification, polyimide-based resin means containing the functional group of polyimide. In addition, the same explanation is given for acrylate-based resin, methacrylate-based resin, polyisoprene-based resin, vinyl-based resin, epoxy-based resin, urethane-based resin, cellulose-based resin, siloxane-based resin, polyamide-based resin, and perylene-based resin. It can be applied.

회로층(DP-CL)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 회로층(DP-CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 회로층(DP-CL)은 표시 소자층(DP-ED)의 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하는 것일 수 있다.The circuit layer (DP-CL) may include an insulating layer, a semiconductor pattern, a conductive pattern, and a signal line. The circuit layer DP-CL may include a plurality of transistors (not shown). Transistors (not shown) may each include a control electrode, an input electrode, and an output electrode. For example, the circuit layer (DP-CL) may include a switching transistor and a driving transistor for driving the light emitting device (ED) of the display device layer (DP-ED).

표시 소자층(DP-ED)은 유기 발광 소자 또는 양자점 발광 소자를 포함할 수 있다. 즉, 표시 소자층(DP-ED)은 유기 발광 재료 또는 양자점을 발광 물질로 포함할 수 있다. 또한, 표시 소자층(DP-ED)은 초소형 발광 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 초소형 발광 소자는 마이크로 엘이디 소자 및/또는 나노 엘이디 소자 등을 포함할 수 있다. 초소형 발광 소자는 마이크로 또는 나노 스케일의 크기를 가지며, 복수의 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광 소자일 수 있다.The display device layer (DP-ED) may include an organic light emitting device or a quantum dot light emitting device. That is, the display device layer (DP-ED) may include an organic light emitting material or quantum dots as a light emitting material. Additionally, the display device layer (DP-ED) may include a microscopic light emitting device. For example, the ultra-small light emitting device may include a micro LED device and/or a nano LED device. The ultra-small light emitting device may have a micro or nano scale size and may include an active layer disposed between a plurality of semiconductor layers.

예를 들어, 표시 소자층(DP-ED)의 발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1)과 마주하는 제2 전극(EL2), 및 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 발광층(EML)을 포함할 수 있다. 또한, 발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1)과 발광층(EML) 사이에 배치된 정공 수송 영역(HTR), 및 발광층(EML)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 전자 수송 영역(ETR)을 포함할 수 있다. For example, the light emitting element (ED) of the display element layer (DP-ED) includes a first electrode (EL1), a second electrode (EL2) facing the first electrode (EL1), and a first electrode (EL1). It may include a light emitting layer (EML) disposed between the second electrodes EL2. In addition, the light emitting device ED has a hole transport region (HTR) disposed between the first electrode (EL1) and the light emitting layer (EML), and an electron transport region (HTR) disposed between the light emitting layer (EML) and the second electrode (EL2) ETR) may be included.

제1 전극(EL1)은 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)일 수 있다. 또한, 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과 전극, 반투과 전극, 또는 반사 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 캐소드 또는 애노드일 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)이 애노드인 경우 제2 전극(EL2)은 캐소드일 수 있고, 제1 전극(EL1)이 캐소드인 경우 제2 전극(EL2)은 애노드일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과 전극, 반투과 전극 또는 반사 전극일 수 있다. The first electrode EL1 may be an anode or a cathode. Additionally, the first electrode EL1 may be a pixel electrode. The first electrode EL1 may be a transmissive electrode, a semi-transmissive electrode, or a reflective electrode. The second electrode EL2 may be a common electrode. The second electrode EL2 may be a cathode or an anode, but the embodiment is not limited thereto. For example, if the first electrode EL1 is an anode, the second electrode EL2 may be a cathode, and if the first electrode EL1 is a cathode, the second electrode EL2 may be an anode. The second electrode EL2 may be a transmissive electrode, a semi-transmissive electrode, or a reflective electrode.

도시하지 않았으나, 제2 전극(EL2) 상에 소자 캡핑층이 제공될 수 있다. 소자 캡핑층(미도시)은 단층 또는 다층일 수 있다. 소자 캡핑층(미도시)은 LiF 등의 알칼리금속 화합물, MgF2 등의 알칼리토금속 화합물, SiON, SiNX, SiOy 등의 무기물을 포함할 수 있다. 이와 달리, 소자 캡핑층(미도시)은 α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq3, CuPc, TPD15(N4,N4,N4',N4'-tetra (biphenyl-4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"- Tris (carbazol-9-yl) triphenylamine) 등을 포함하거나, 에폭시 수지, 또는 메타크릴레이트와 같은 아크릴레이트 등의 유기물을 포함할 수 있다. Although not shown, a device capping layer may be provided on the second electrode EL2. The device capping layer (not shown) may be a single layer or a multilayer. The device capping layer (not shown) may include an alkali metal compound such as LiF, an alkaline earth metal compound such as MgF 2 , and an inorganic material such as SiON, SiN In contrast, the device capping layer (not shown) is α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq 3 , CuPc, TPD15(N4,N4,N4',N4'-tetra (biphenyl-4-yl) biphenyl- 4,4'-diamine), TCTA (4,4',4"- Tris (carbazol-9-yl) triphenylamine), etc., or may contain organic substances such as epoxy resins or acrylates such as methacrylates. You can.

발광층(EML)은 제1 광을 발광할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 청색광을 생성할 수 있다. 발광층(EML)은 410nm 이상 480nm 이하의 파장 영역의 광을 생성할 수 있다. 도 4에서는 하나의 발광층(EML)을 포함하는 발광 소자(ED)를 도시하였으나, 발광 소자(ED)는 복수 개의 발광층들을 포함할 수 있다. 즉, 발광 소자(ED)는 탠덤(tandem) 구조의 발광 소자일 수 있다. The light emitting layer (EML) may emit first light. For example, the light emitting layer (EML) can generate blue light. The light emitting layer (EML) can generate light in a wavelength range of 410 nm to 480 nm. Although FIG. 4 illustrates a light emitting device (ED) including one light emitting layer (EML), the light emitting device (ED) may include a plurality of light emitting layers. That is, the light emitting device ED may be a light emitting device with a tandem structure.

정공 수송 영역(HTR)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층 및/또는 전자 저지층을 더 포함할 수 있다. 전자 수송 영역(ETR)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층 및/또는 정공 저지층을 더 포함할 수 있다.The hole transport region (HTR) includes a hole transport layer and may further include a hole injection layer and/or an electron blocking layer. The electron transport region (ETR) includes an electron transport layer and may further include an electron injection layer and/or a hole blocking layer.

도 4에서는 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 및 전자 수송 영역(ETR)이 공통층으로 제공된 것을 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 및/또는 전자 수송 영역(ETR)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 발광 개구부(OH) 내에 패터닝되어 제공될 수 있다. 발광층이 발광 개구부(OH) 내에 패터닝되어 제공되는 경우, 발광층은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)에서 상이한 파장 영역의 광을 발광할 수도 있다.Although FIG. 4 illustrates that the hole transport region (HTR), the light emitting layer (EML), and the electron transport region (ETR) are provided as a common layer, the embodiment is not limited thereto. For example, the hole transport region (HTR), the light emitting layer (EML), and/or the electron transport region (ETR) may be patterned and provided within the light emitting opening (OH) defined in the pixel defining layer (PDL). When the light-emitting layer is patterned and provided within the light-emitting opening OH, the light-emitting layer may emit light in different wavelength regions in the first to third pixel areas PXA-R, PXA-B, and PXA-G.

표시 소자층(DP-ED)은 화소 정의막(PDL)을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 정의된 발광 개구부(OH)는 제1 전극(EL1)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 발광 개구부(OH)에 의해 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3)이 정의될 수 있다. The display element layer (DP-ED) may include a pixel defining layer (PDL). The pixel defining layer (PDL) may be formed including a light-absorbing material, or may be formed including an organic light-blocking material or an inorganic light-blocking material including black pigment or black dye. The light emitting opening OH defined in the pixel defining layer PDL may expose at least a portion of the first electrode EL1. First to third light-emitting areas EA1, EA2, and EA3 may be defined by the light-emitting opening OH.

제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2), 및 제3 발광 영역(EA3)은 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 영역들일 수 있다. 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2), 및 제3 발광 영역(EA3) 각각은 제1 화소 영역(PXA-R), 제2 화소 영역(PXA-G), 및 제3 화소 영역(PXA-B) 각각에 대응하는 것일 수 있다. 발광 영역들(EA1, EA2, EA3)은 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 중첩하고, 뱅크 웰 영역(BWA, 도 3)과 비중첩할 수 있다. 평면 상에서, 발광 영역들(EA1, EA2, EA3)의 면적은 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적보다 작은 것일 수 있다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소와 다른 구성요소가 대응한다는 것은, 어떤 구성요소와 다른 구성요소가 동일한 면적 및 동일한 형상인 것으로 한정되지 않으며, 상이한 면적 및/또는 상이한 형상인 경우도 포함한다.The first emission area (EA1), the second emission area (EA2), and the third emission area (EA3) may be areas divided by a pixel defining layer (PDL). The first emission area (EA1), the second emission area (EA2), and the third emission area (EA3) respectively correspond to the first pixel area (PXA-R), the second pixel area (PXA-G), and the third pixel area. It may correspond to each area (PXA-B). The emission areas EA1, EA2, and EA3 may overlap with the pixel areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B and may not overlap with the bank well area BWA (FIG. 3). On a plane, the areas of the light emitting areas EA1, EA2, and EA3 may be smaller than the areas of the pixel areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B. In this specification, the fact that a certain component corresponds to another component is not limited to the fact that the certain component and the other component have the same area and the same shape, and also includes cases where the certain component and the other component have the same area and/or shape.

표시 소자층(DP-ED)은 제2 전극(EL2) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 봉지층(TFE)은 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있다. 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 봉지층(TFE)은 제1 무기층, 유기층, 및 제2 무기층이 순차적으로 적층된 다층 구조를 포함할 수 있다. 봉지층(TFE)의 제1 무기층 및 제2 무기층은 외부 수분 및/또는 산소로부터 발광 소자(ED)를 보호하고, 봉지층(TFE)의 유기층은 제조 공정 중에 유입된 이물질에 의한 발광 소자(ED)의 찍힘 불량을 방지할 수 있다.The display device layer (DP-ED) may include an encapsulation layer (TFE) disposed on the second electrode EL2. The encapsulation layer (TFE) may include organic and/or inorganic materials. The encapsulation layer (TFE) may include at least one organic layer and at least one inorganic layer. For example, the encapsulation layer (TFE) may include a multilayer structure in which a first inorganic layer, an organic layer, and a second inorganic layer are sequentially stacked. The first inorganic layer and the second inorganic layer of the encapsulation layer (TFE) protect the light emitting device (ED) from external moisture and/or oxygen, and the organic layer of the encapsulation layer (TFE) protects the light emitting device from foreign substances introduced during the manufacturing process. (ED) defects can be prevented.

상부 패널(UPN)의 베이스층(BL)은 색 제어 부재(CCM)가 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 예를 들어, 베이스층(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 도시된 것과 달리, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 베이스층(BL)은 생략될 수 있다. 도시하지 않았으나, 베이스층(BL) 상에 반사 반지층, 지문 방지층, 하드 코팅층 등의 기능층이 더 배치될 수 있다. The base layer BL of the upper panel UPN may be a member that provides a base surface on which the color control member CCM is disposed. For example, the base layer BL may be a glass substrate, a metal substrate, or a plastic substrate. However, the embodiment is not limited to this, and the base layer BL may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer. Unlike what is shown, the base layer BL may be omitted in the display device DD of one embodiment. Although not shown, functional layers such as a semi-reflective layer, an anti-fingerprint layer, and a hard coating layer may be further disposed on the base layer BL.

일 실시예의 색 제어 부재(CCM)는 표시 소자층(DP-ED) 상에 배치된 광 제어층(CCL), 광 제어층(CCL) 상에 배치된 컬러 필터층(CFL), 및 광 제어층(CCL)과 컬러 필터층(CFL) 사이에 배치된 저굴절층(LR)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 저굴절층(LR)은 내부가 채워진 복수 개의 비중공 무기 입자들(AE, 도 5)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 저굴절층(LR)은 내부가 비어 있는 중공 무기 입자를 포함하지 않는다. The color control member (CCM) of one embodiment includes a light control layer (CCL) disposed on the display element layer (DP-ED), a color filter layer (CFL) disposed on the light control layer (CCL), and a light control layer ( It may include a low refractive index layer (LR) disposed between the CCL) and the color filter layer (CFL). In one embodiment, the low refractive index layer (LR) may include a plurality of non-hollow inorganic particles (AE, FIG. 5) filled inside. In one embodiment, the low refractive index layer (LR) does not include hollow hollow inorganic particles.

본 명세서에서, 비중공 무기 입자는 입자의 내부가 채워진 것으로, 즉, 입자의 내부가 비어있지 않은 무기 입자를 의미한다. 내부가 비어있는 중공 무기 입자는 비어 있는 입자의 내부로 수분 및/또는 기체 등이 유입되어, 중공 무기 입자를 포함하는 색 제어 부재는 얼룩 등의 불량이 발생한다. 내부가 비어있는 중공 무기 입자와 비교하여, 내부가 비어있지 않은 비중공 무기 입자(AE, 도 5)는 상대적으로 저렴한 비용으로 제공된다. 이에 따라, 일 실시예에서, 비중공 무기 입자(AE, 도 5)를 포함하는 저굴절층(LR)을 포함하는 색 제어 부재(CCM)는 수분 및/또는 외부 기체 등이 유입이 방지되어, 신뢰성이 향상될 수 있다. 또한, 비중공 무기 입자(AE, 도 5)를 포함하는 저굴절층(LR)을 포함하는 색 제어 부재(CCM)는 제조 비용이 절감될 수 있다. 저굴절층(LR)에 대해서는 이후 도 5를 참조하여 보다 상세히 설명한다.In this specification, a non-hollow inorganic particle means an inorganic particle in which the inside of the particle is filled, that is, the inside of the particle is not empty. As for hollow inorganic particles with empty interiors, moisture and/or gas flows into the hollow particles, causing defects such as stains in color control members containing hollow inorganic particles. Compared to hollow inorganic particles, non-hollow inorganic particles (AE, Figure 5) are provided at a relatively low cost. Accordingly, in one embodiment, the color control member (CCM) including a low refractive index layer (LR) including non-hollow inorganic particles (AE, Figure 5) prevents moisture and/or external gas from entering, Reliability can be improved. Additionally, a color control member (CCM) including a low refractive index layer (LR) including non-hollow inorganic particles (AE, FIG. 5) can reduce manufacturing costs. The low refractive layer (LR) will be described in more detail later with reference to FIG. 5.

광 제어층(CCL)은 제1 내지 제3 광 제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 및 뱅크(BMP)를 포함할 수 있다. 제1 광 제어부(CCP1)는 제1 화소 영역(PXA-R)에 대응하도록 제공되고, 제2 광 제어부(CCP2)는 제2 화소 영역(PXA-G)에 대응하도록 제공되며, 제3 광 제어부(CCP3)는 제3 화소 영역(PXA-B)에 대응하도록 제공될 수 있다. 제1 내지 제3 광 제어부(CCP1, CCP2, CCP3)는 서로 이격된 것일 수 있다. 뱅크(BMP)는 서로 이격된 광 제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 사이에 배치될 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 광 제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)의 엣지는 적어도 일부가 뱅크(BMP)와 중첩할 수 있다. The light control layer (CCL) may include first to third light control units (CCP1, CCP2, CCP3) and a bank (BMP). The first light control unit CCP1 is provided to correspond to the first pixel area PXA-R, the second light control unit CCP2 is provided to correspond to the second pixel area PXA-G, and the third light control unit (CCP3) may be provided to correspond to the third pixel area (PXA-B). The first to third light control units CCP1, CCP2, and CCP3 may be spaced apart from each other. The bank (BMP) may be disposed between the optical control units (CCP1, CCP2, and CCP3) that are spaced apart from each other. However, the embodiment is not limited to this, and at least a portion of the edges of the optical control units CCP1, CCP2, and CCP3 may overlap with the bank BMP.

뱅크(BMP)는 베이스 수지 및 첨가제를 포함할 수 있다. 베이스 수지는 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 첨가제는 커플링제 및/또는 광개시제를 포함할 수 있다. 첨가제는 분산제를 더 포함할 수 있다. BMP may include base resin and additives. The base resin may be made of various resin compositions, which may generally be referred to as binders. Additives may include coupling agents and/or photoinitiators. Additives may further include dispersants.

뱅크(BMP)는 광 차단을 위해 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 뱅크(BMP)는 베이스 수지에 혼합된 흑색 염료 및/또는 흑색 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙을 포함하거나, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.The bank (BMP) may include a black coloring agent to block light. The BMP may include black dye and/or black pigment mixed in the base resin. The black component may include carbon black, metals such as chromium, or oxides thereof.

제1 광 제어부(CCP1)는 발광 소자(ED)에서 제공되는 제1 광을 제2 광으로 변환하는 제1 양자점(QD1)을 포함하고, 제2 광 제어부(CCP2)는 제1 광을 제3 광으로 변환하는 제2 양자점(QD2)을 포함할 수 있다. 제3 광 제어부(CCP3)는 제1 광을 투과시킬 수 있다. 제1 광 제어부(CCP1)는 제2 광인 적색광을 제공하고, 제2 광 제어부(CCP2)는 제3 광인 녹색광을 제공하는 것일 수 있다. 제3 광 제어부(CCP3)는 발광 소자(ED)에서 제공된 제1 광인 청색광을 투과시켜 제공하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 양자점(QD1)은 적색 양자점(Quantum dot)이고, 제2 양자점(QD2)은 녹색 양자점일 수 있다. The first light control unit CCP1 includes a first quantum dot (QD1) that converts the first light provided from the light emitting device ED into second light, and the second light control unit CCP2 converts the first light into third light. It may include a second quantum dot (QD2) that converts into light. The third light control unit CCP3 may transmit the first light. The first light control unit CCP1 may provide red light as the second light, and the second light control unit CCP2 may provide green light as the third light. The third light control unit CCP3 may transmit and provide blue light, which is the first light provided from the light emitting device ED. For example, the first quantum dot (QD1) may be a red quantum dot, and the second quantum dot (QD2) may be a green quantum dot.

양자점(QD1, QD2)의 코어는 II-VI족 화합물, I-II-VI족 화합물, II-IV-VI족 화합물, I-II-IV-VI족 화합물, III-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, III-V족 화합물, III-II-V족 화합물, II-IV-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.The core of quantum dots (QD1, QD2) is a group II-VI compound, a group I-II-VI compound, a group II-IV-VI compound, a group I-II-IV-VI compound, a group III-VI compound, and a group I-III -Can be selected from group VI compounds, group III-V compounds, group III-II-V compounds, group II-IV-V compounds, group IV-VI compounds, group IV elements, group IV compounds, and combinations thereof.

II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, II-VI족 화합물은 I족 금속 및/또는 IV족 원소를 더 포함할 수 있다. I-II-VI족 화합물은 CuSnS 또는 CuZnS로부터 선택될 수 있고, II-IV-VI족 화합물은 ZnSnS 등이 선택될 수 있다. I-II-IV-VI족 화합물은 Cu2ZnSnS2, Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4, Ag2ZnSnS2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다. Group II-VI compounds include binary compounds selected from the group consisting of CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS and mixtures thereof; A ternary selected from the group consisting of CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS and mixtures thereof. small compounds; and a tetraelement compound selected from the group consisting of HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof. Meanwhile, the Group II-VI compound may further include a Group I metal and/or a Group IV element. The Group I-II-VI compound may be selected from CuSnS or CuZnS, and the Group II-IV-VI compound may be selected from ZnSnS or the like. Group I-II-IV-VI compounds may be selected from tetraelement compounds selected from the group consisting of Cu 2 ZnSnS 2 , Cu 2 ZnSnS 4 , Cu 2 ZnSnSe 4 , Ag 2 ZnSnS 2 and mixtures thereof.

III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물, InGaS 3 , InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.Group III-VI compounds may include binary compounds such as In 2 S 3 , In 2 Se 3 , ternary compounds such as InGaS 3 , InGaSe 3 , or any combination thereof.

I-III-VI족 화합물은 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2 CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.Group I-III-VI compounds are three element compounds selected from the group consisting of AgInS, AgInS 2 , CuInS, CuInS 2 , AgGaS 2 , CuGaS 2 CuGaO 2 , AgGaO 2 , AgAlO 2 and mixtures thereof, or AgInGaS 2 , It may be selected from quaternary element compounds such as CuInGaS 2 .

III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III-II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.Group III-V compounds are binary compounds selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb and mixtures thereof, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs , a ternary compound selected from the group consisting of GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb and mixtures thereof, and GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb , GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. Meanwhile, the group III-V compound may further include a group II metal. For example, InZnP or the like may be selected as the group III-II-V compound.

II-IV-V족 화합물은 ZnSnP, ZnSnP2, ZnSnAs2, ZnGeP2, ZnGeAs2, CdSnP2, 및 CdGeP2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물일 수 있다. The group II-IV-V compound may be a ternary compound selected from the group consisting of ZnSnP, ZnSnP2, ZnSnAs2, ZnGeP2, ZnGeAs2, CdSnP2, and CdGeP2 and mixtures thereof.

IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다. Group IV-VI compounds include binary compounds selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; A ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe and mixtures thereof; and a quaternary element compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. Group IV elements may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof. The group IV compound may be a binary compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어/쉘 구조에서, 쉘에 존재하는 원소의 농도가 코어로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.At this time, the di-element compound, tri-element compound, or quaternary compound may exist in the particle at a uniform concentration, or may exist in the same particle with a partially different concentration distribution. Additionally, one quantum dot may have a core/shell structure surrounding other quantum dots. In a core/shell structure, there may be a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the core.

몇몇 실시예에서, 양자점(QD1, QD2)은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.In some embodiments, quantum dots (QD1, QD2) may have a core-shell structure including a core including the above-described nanocrystals and a shell surrounding the core. The shell of the quantum dot may serve as a protective layer to maintain semiconductor properties by preventing chemical denaturation of the core and/or as a charging layer to impart electrophoretic properties to the quantum dot. The shell may be single or multi-layered. Examples of the shell of the quantum dot include metal or non-metal oxides, semiconductor compounds, or combinations thereof.

예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the oxides of the metal or non-metal include SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , Mn 3 O 4 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Examples may include binary compounds such as CoO, Co 3 O 4 , NiO, or ternary compounds such as MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , and CoMn 2 O 4 , but the present invention is limited thereto. That is not the case.

또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the semiconductor compounds include CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, etc. However, the present invention is not limited thereto.

양자점(QD1, QD2)은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다. Quantum dots (QD1, QD2) may have a full width of half maximum (FWHM) of the emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, more preferably about 30 nm or less, and within this range, color purity or Color reproducibility can be improved. Additionally, since the light emitted through these quantum dots is emitted in all directions, the optical viewing angle can be improved.

또한, 양자점(QD1, QD2)의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다. 양자점(QD1, QD2)은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다. In addition, the shape of the quantum dots (QD1, QD2) is not particularly limited to those commonly used in the art, but more specifically, spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanometers are used. Forms such as particles, nanotubes, nanowires, nanofibers, and nanoplate-shaped particles can be used. Quantum dots (QD1, QD2) can control the color of the light they emit depending on the particle size, and accordingly, the quantum dots can have various emission colors such as blue, red, and green.

또한, 광 제어층(CCL)은 산란체(SP)를 더 포함하는 것일 수 있다. 제1 광 제어부(CCP1)는 제1 양자점(QD1)과 산란체(SP)를 포함하고, 제2 광 제어부(CCP2)는 제2 양자점(QD2)과 산란체(SP)를 포함할 수 있다. 제3 광 제어부(CCP3)는 양자점을 미포함하고 산란체(SP)를 포함하는 것일 수 있다.Additionally, the light control layer (CCL) may further include a scatterer (SP). The first light control unit (CCP1) may include a first quantum dot (QD1) and a scatterer (SP), and the second light control unit (CCP2) may include a second quantum dot (QD2) and a scatterer (SP). The third light control unit CCP3 may not include quantum dots but may include a scatterer SP.

산란체(SP)는 무기 입자일 수 있다. 예를 들어, 산란체(SP)는 TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 산란체(SP)는 TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 어느 하나를 포함하는 것이거나, TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 선택되는 2종 이상의 물질이 혼합된 것일 수 있다.Scatterers (SP) may be inorganic particles. For example, the scatterer (SP) may include at least one of TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica. The scatterer (SP) includes any one of TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica, or is selected from TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica. It may be a mixture of two or more substances.

제1 광 제어부(CCP1), 제2 광 제어부(CCP2), 및 제3 광 제어부(CCP3) 각각은 양자점(QD1, QD2) 및 산란체(SP)를 분산시키는 베이스 수지(BR1, BR2, BR3)를 포함할 수 있다. 제1 광 제어부(CCP1)는 제1 베이스 수지(BR1) 내에 분산된 제1 양자점(QD1) 및 산란체(SP)를 포함하고, 제2 광 제어부(CCP2)는 제2 베이스 수지(BR2) 내에 분산된 제2 양자점(QD2) 및 산란체(SP)를 포함할 수 있다. 제3 광 제어부(CCP3)는 제3 베이스 수지(BR3) 내에 분산된 산란체(SP)를 포함할 수 있다. The first light control unit (CCP1), the second light control unit (CCP2), and the third light control unit (CCP3) each include a base resin (BR1, BR2, BR3) for dispersing quantum dots (QD1, QD2) and scatterers (SP). may include. The first light control unit (CCP1) includes a first quantum dot (QD1) and a scatterer (SP) dispersed in the first base resin (BR1), and the second light control unit (CCP2) includes a first base resin (BR1) dispersed in the second base resin (BR2). It may include dispersed second quantum dots (QD2) and scatterers (SP). The third light control unit CCP3 may include scatterers SP dispersed in the third base resin BR3.

베이스 수지(BR1, BR2, BR3)는 양자점(QD1, QD2) 및 산란체(SP)가 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스 수지(BR1, BR2, BR3)는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등일 수 있다. 베이스 수지(BR1, BR2, BR3)는 투명 수지일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 베이스 수지(BR1), 제2 베이스 수지(BR2), 및 제3 베이스 수지(BR3) 각각은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. The base resin (BR1, BR2, BR3) is a medium in which quantum dots (QD1, QD2) and scatterers (SP) are dispersed, and may be made of various resin compositions that can generally be referred to as binders. For example, the base resins (BR1, BR2, BR3) may be acrylic resin, urethane resin, silicone resin, epoxy resin, etc. The base resin (BR1, BR2, BR3) may be a transparent resin. In one embodiment, each of the first base resin (BR1), the second base resin (BR2), and the third base resin (BR3) may be the same or different from each other.

한편, 봉지층(TFE)과 광 제어층(CCL) 사이에 제1 배리어층(BFL1)이 제공될 수 있다. 제1 배리어층(BFL1)은 수분 및/또는 산소의 침투를 막는 역할을 하는 것일 수 있다. 제1 배리어층(BFL1)은 광 제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)이 수분 및/또는 산소에 노출되는 것을 차단할 수 있다. 제1 배리어층(BFL1)은 제1 내지 제3 광 제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)을 커버하는 것일 수 있다. 광 제어층(CCL)과 저굴절층(LR) 사이에 제2 배리어층(BFL2)이 제공될 수 있다. 도시된 것과 달리, 제1 및 제2 배리어층(BFL1, BFL2) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다.Meanwhile, a first barrier layer (BFL1) may be provided between the encapsulation layer (TFE) and the light control layer (CCL). The first barrier layer (BFL1) may serve to prevent penetration of moisture and/or oxygen. The first barrier layer BFL1 may block the light control units CCP1, CCP2, and CCP3 from being exposed to moisture and/or oxygen. The first barrier layer BFL1 may cover the first to third light control units CCP1, CCP2, and CCP3. A second barrier layer (BFL2) may be provided between the light control layer (CCL) and the low refractive index layer (LR). Unlike shown, at least one of the first and second barrier layers BFL1 and BFL2 may be omitted.

제1 및 제2 배리어층(BFL1, BFL2) 각각은 적어도 하나의 무기층을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 제1 및 제2 배리어층(BFL1, BFL2) 각각은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 배리어층(BFL1, BFL2) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물이나 광투과율이 확보된 금속 박막 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 한편, 제1 및 제2 배리어층(BFL1, BFL2) 각각은 유기막을 더 포함할 수 있다. 제1 및 제2 배리어층(BFL1, BFL2) 각각은 단일층 또는 복수의 층으로 구성되는 것일 수 있다.Each of the first and second barrier layers BFL1 and BFL2 may include at least one inorganic layer. That is, each of the first and second barrier layers BFL1 and BFL2 may include an inorganic material. For example, the first and second barrier layers BFL1 and BFL2 each include silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, and cerium oxide. and silicon oxynitride or a metal thin film with secured light transmittance. Meanwhile, each of the first and second barrier layers BFL1 and BFL2 may further include an organic layer. Each of the first and second barrier layers BFL1 and BFL2 may be composed of a single layer or multiple layers.

컬러 필터층(CFL)은 제1 내지 제3 필터들(CF1, CF2, CF3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 필터들(CF1, CF2, CF3) 각각은 광 제어층(CCL)의 제1 내지 제3 광 제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)에 대응하도록 배치된 것일 수 있다. 제1 필터(CF1)는 제2 광을 투과시키고, 제2 필터(CF2)는 제3 광을 투과시키고, 제3 필터(CF3)는 제1 광을 투과시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 필터(CF1)는 적색 필터이고, 제2 필터(CF2)는 녹색 필터이며, 제3 필터(CF3)는 청색 필터일 수 있다. 제1 내지 제3 필터(CF1, CF2, CF3) 각각은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G) 각각에 대응하여 배치될 수 있다.The color filter layer CFL may include first to third filters CF1, CF2, and CF3. Each of the first to third filters CF1, CF2, and CF3 may be arranged to correspond to the first to third light control units CCP1, CCP2, and CCP3 of the light control layer CCL. The first filter CF1 may transmit the second light, the second filter CF2 may transmit the third light, and the third filter CF3 may transmit the first light. For example, the first filter CF1 may be a red filter, the second filter CF2 may be a green filter, and the third filter CF3 may be a blue filter. Each of the first to third filters CF1, CF2, and CF3 may be arranged to correspond to each of the first to third pixel areas PXA-R, PXA-B, and PXA-G.

제1 내지 제3 필터들(CF1, CF2, CF3) 각각은 고분자 감광 수지와 안료 또는 염료를 포함할 수 있다. 제1 필터(CF1)는 적색 안료 또는 적색 염료를 포함하고, 제2 필터(CF2)는 녹색 안료 또는 녹색 염료를 포함하고, 제3 필터(CF3)는 청색 안료 또는 청색 염료를 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제3 필터(CF3)는 안료 또는 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 고분자 감광수지를 포함하고 안료 또는 염료를 미포함하는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명한 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명 감광수지로 형성된 것일 수 있다.Each of the first to third filters CF1, CF2, and CF3 may include a polymer photosensitive resin and a pigment or dye. The first filter (CF1) may include a red pigment or red dye, the second filter (CF2) may include a green pigment or green dye, and the third filter (CF3) may include a blue pigment or blue dye. However, the embodiment is not limited to this, and the third filter CF3 may not contain pigment or dye. The third filter (CF3) may contain a polymer photosensitive resin and may not contain pigment or dye. The third filter CF3 may be transparent. The third filter CF3 may be made of transparent photoresist.

또한, 제1 필터(CF1)와 제2 필터(CF2)는 황색(yellow) 필터일 수 있다. 제1 필터(CF1)와 제2 필터(CF2)는 서로 구분되지 않고 일체로 제공될 수도 있다.Additionally, the first filter (CF1) and the second filter (CF2) may be yellow filters. The first filter (CF1) and the second filter (CF2) may not be separated from each other and may be provided as one unit.

도시되지 않았으나, 컬러 필터층(CFL)은 차광부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 차광부는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부는 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 필터들(CF1, CF2, CF3) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다. Although not shown, the color filter layer (CFL) may further include a light blocking portion (not shown). The light blocking part may be a black matrix. The light blocking portion may be formed by including an organic light blocking material containing black pigment or black dye or an inorganic light blocking material. The light blocking part may prevent light leakage and distinguish boundaries between adjacent filters (CF1, CF2, CF3).

도 5는 도 4의 AA' 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다. 도 5를 참조하면, 저굴절층(LR)은 베이스 수지(PY), 베이스 수지(PY)에 분산된 복수 개의 비중공 무기 입자들(AE), 및 보이드부(VO)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 보이드부(VO)는 포로겐(porogen)으로부터 유래될 수 있다. 저굴절층(LR)은 고분자 수지, 비중공 무기 입자들(AE), 및 포로겐이 혼합된 조성물로부터 형성될 수 있다. 조성물의 고분자 수지를 고상화하여 베이스 수지(PY)가 형성되고, 포로겐이 열분해되어 보이드부(VO)가 형성될 수 있다. 포로겐으로부터 형성된 보이드부(VO)는 구 형상일 수 있다. 보이드부(VO)는 진공이거나, 극소량의 기체가 있을 수 있다. 한편, 고분자 수지 및 무기 입자들을 포함하고, 포로겐을 미포함하는 조성물로부터 형성된 저굴절층은 무정형의 보이드부가 형성된다. 무정형의 보이드부를 포함하는 저굴절층은 크랙이 발생하고, 인접한 부재(예를 들어, 광 제어층 및/또는 컬러 필터층)와의 들뜸이 발생하여 공정성 및 신뢰성이 저하된다.Figure 5 is an enlarged cross-sectional view of area AA' of Figure 4. Referring to FIG. 5 , the low refractive index layer (LR) may include a base resin (PY), a plurality of non-hollow inorganic particles (AE) dispersed in the base resin (PY), and a void portion (VO). In one embodiment, the void portion (VO) may be derived from porogen. The low refractive index layer (LR) may be formed from a composition that is a mixture of polymer resin, non-hollow inorganic particles (AE), and porogen. The base resin (PY) may be formed by solidifying the polymer resin of the composition, and the porogen may be thermally decomposed to form a void portion (VO). The void portion (VO) formed from the porogen may have a spherical shape. The void portion (VO) may be a vacuum or may contain a very small amount of gas. Meanwhile, the low refractive index layer formed from a composition containing a polymer resin and inorganic particles and not containing a porogen is formed with an amorphous void portion. The low refractive index layer including the amorphous void portion generates cracks and separation from adjacent members (eg, a light control layer and/or a color filter layer), thereby deteriorating fairness and reliability.

예를 들어, 저굴절층(LR)은 슬릿 코팅, 스핀 코팅, 롤 코팅, 스프레이 코팅, 잉크젯 인쇄 등의 방법으로 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 저굴절층(LR)의 형성 방법이 이에 제한되는 것은 아니다. 저굴절층(LR)은 전사법(transfer method) 등의 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.For example, the low refractive layer (LR) may be formed by methods such as slit coating, spin coating, roll coating, spray coating, and inkjet printing. However, this is an example, and the method of forming the low refractive layer (LR) is not limited thereto. The low refractive index layer (LR) may be formed using various methods such as a transfer method.

저굴절층(LR)의 전체 중량을 기준으로, 베이스 수지(PY)의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하일 수 있다. 베이스 수지(PY)는 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 및 에폭시계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 수지(PY)는 실리콘 아크릴레이트를 포함할 수 있다. Based on the total weight of the low refractive layer (LR), the weight of the base resin (PY) may be 40 wt% or more and 45 wt% or less. The base resin (PY) may include at least one of an acrylic resin, a silicone resin, and an epoxy resin. For example, the base resin (PY) may include silicone acrylate.

중량이 40wt% 이상 45wt% 이하인 베이스 수지(PY)를 포함하는 저굴절층(LR)은 우수한 신뢰성을 나타낼 수 있다. 이와 달리, 중량이 40wt% 미만인 베이스 수지를 포함하는 저굴절층은, 상대적으로 과도한 중량의 비중공 무기 입자 및/또는 포로겐을 포함하여, 헤이즈 값이 증가하거나, 내구성이 저하된다. 중량이 45wt% 초과인 베이스 수지를 포함하는 저굴절층은, 상대적으로 적은 중량의 비중공 무기 입자 및/또는 포로겐을 포함하여, 내구성이 저하되거나, 소정의 굴절률 범위를 만족하지 못한다.A low refractive index layer (LR) containing a base resin (PY) having a weight of 40 wt% or more and 45 wt% or less can exhibit excellent reliability. In contrast, the low refractive index layer containing a base resin weighing less than 40 wt% contains a relatively excessive weight of non-hollow inorganic particles and/or porogens, resulting in an increase in haze value or a decrease in durability. The low refractive index layer containing a base resin having a weight of more than 45 wt% contains a relatively small weight of non-hollow inorganic particles and/or porogens, so durability is reduced or the predetermined refractive index range is not satisfied.

저굴절층(LR)의 전체 중량을 기준으로, 포로겐은 10wt% 이상 20wt% 이하로 제공될 수 있다. 10wt% 이상 20wt% 이하의 포로겐으로부터 형성된 보이드부(VO)를 포함하는 저굴절층(LR)은 일 실시예에 따른 저굴절층(LR)의 굴절률 범위를 만족하고, 우수한 내구성을 나타낼 수 있다. 이와 달리, 10wt% 미만의 포로겐으로부터 형성되는 보이드부를 포함하는 저굴절층은 상대적으로 높은 굴절률(예를 들어, 1.25 초과의 굴절률)을 나타낸다. 20wt% 초과의 포로겐으로부터 형성되는 보이드부를 포함하는 저굴절층은 크랙이 발생하여 내구성이 저하된다.Based on the total weight of the low refractive layer (LR), the porogen may be provided in an amount of 10 wt% or more and 20 wt% or less. The low refractive index layer (LR) including a void portion (VO) formed from 10 wt% or more and 20 wt% or less of porogen satisfies the refractive index range of the low refractive layer (LR) according to an embodiment and can exhibit excellent durability. . In contrast, a low refractive index layer including voids formed from less than 10 wt% of porogen exhibits a relatively high refractive index (eg, a refractive index greater than 1.25). The low refractive index layer including voids formed from porogen exceeding 20 wt% develops cracks and reduces durability.

저굴절층(LR)은 인접한 구성요소보다 작은 굴절률을 갖는 것일 수 있다. 저굴절층(LR)의 굴절률은 광 제어층(CCL)의 굴절률보다 작은 것일 수 있다. 일 실시예에서, 저굴절층(LR)의 굴절률은 1.21 이상 1.25 이하일 수 있다. 저굴절층(LR)은 광 제어층(CCL)에서 컬러 필터층(CFL) 방향으로 방출되는 청색광 중 일부를 전반사시켜 광 제어층(CCL)으로 재입사 시킬 수 있다. 굴절률이 1.21 이상 1.25 이하인 저굴절층(LR)은, 광 제어층(CCL)과의 굴절률 차이에 의해 전반사가 용이한 특성을 나타낼 수 있다.The low refractive layer (LR) may have a smaller refractive index than adjacent components. The refractive index of the low refractive layer (LR) may be smaller than the refractive index of the light control layer (CCL). In one embodiment, the refractive index of the low refractive layer (LR) may be 1.21 or more and 1.25 or less. The low refractive index layer (LR) can totally reflect some of the blue light emitted from the light control layer (CCL) toward the color filter layer (CFL) and re-enter the light control layer (CCL). The low refractive index layer (LR) with a refractive index of 1.21 or more and 1.25 or less may exhibit characteristics that facilitate total reflection due to the difference in refractive index from the light control layer (CCL).

청색광은 발광 소자(ED)에서 생성된 광일 수 있다. 청색광 중 일부는 광 제어층(CCL)에 포함된 제1 광 제어부(CCP1) 및/또는 제2 광 제어부(CCP2)로 재입사될 수 있다. 제1 광 제어부(CCP1)는 재입사된 청색광을 적색광으로 변환시킬 수 있고, 제2 광 제어부(CCP2)는 재입사된 청색광을 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 이와 같은 광의 재순환을 통해 표시 장치(DD)의 광 효율이 향상될 수 있다. 일 실시예에서, 굴절률이 1.21 이상 1.25 이하인 저굴절층(LR)을 포함하는 표시 장치(DD)는 우수한 광 효율을 나타낼 수 있다.Blue light may be light generated from a light emitting device (ED). Some of the blue light may be re-incident into the first light control unit (CCP1) and/or the second light control unit (CCP2) included in the light control layer (CCL). The first light control unit CCP1 can convert the re-incident blue light into red light, and the second light control unit CCP2 can convert the re-incident blue light into green light. Through this recycling of light, the light efficiency of the display device DD can be improved. In one embodiment, the display device DD including a low refractive index layer LR having a refractive index of 1.21 or more and 1.25 or less may exhibit excellent light efficiency.

저굴절층(LR)은 헤이즈(Haze) 값이 0.40% 미만일 수 있다. 헤이즈 값이 0.40% 미만인 저굴절층(LR)은 광학적으로 투명한 것일 수 있다. 이에 따라, 헤이즈 값이 0.40% 미만인 저굴절층(LR)을 포함하는 색 제어 부재(CCM) 및 표시 장치(DD)는 우수한 광 효율을 나타낼 수 있다.The low refractive layer (LR) may have a haze value of less than 0.40%. The low refractive index layer (LR) with a haze value of less than 0.40% may be optically transparent. Accordingly, the color control member (CCM) and display device (DD) including a low refractive layer (LR) with a haze value of less than 0.40% can exhibit excellent light efficiency.

일 실시예에서, 비중공 무기 입자들(AE)은 입자의 내부가 비어있지 않은 입자이고, 저굴절층(LR)은 입자의 내부가 비어 있는 중공 무기 입자를 포함하지 않는다. 비중공 무기 입자들(AE)은 SiO2, MgF2, 및 Fe3O4 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 비중공 무기 입자들(AE)은 SiO2를 포함할 수 있다.In one embodiment, the non-hollow inorganic particles (AE) are particles whose insides are not empty, and the low refractive index layer (LR) does not include hollow inorganic particles whose insides are not empty. Non-hollow inorganic particles (AE) may include at least one of SiO 2 , MgF 2 , and Fe 3 O 4 . For example, non-hollow inorganic particles (AE) may include SiO 2 .

저굴절층(LR)의 전체 중량을 기준으로, 비중공 무기 입자들(AE)의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하일 수 있다. 저굴절층의 전체 중량을 기준으로, 비중공 무기 입자들의 중량이 40wt% 미만인 경우, 저굴절층에 크랙(crack)이 발생한다. 저굴절층의 전체 중량을 기준으로, 비중공 무기 입자들의 중량이 45wt% 초과인 경우, 저굴절층의 헤이즈 값 및 굴절률 값이 증가한다. 이와 달리, 일 실시예에서, 40wt% 이상 45wt% 이하의 비중공 무기 입자들(AE)을 포함하는 저굴절층(LR)은 우수한 광학적 투명성 및 내구성을 나타낼 수 있다. Based on the total weight of the low refractive layer (LR), the weight of the non-hollow inorganic particles (AE) may be 40 wt% or more and 45 wt% or less. When the weight of non-hollow inorganic particles is less than 40 wt% based on the total weight of the low refractive index layer, cracks occur in the low refractive index layer. When the weight of non-hollow inorganic particles exceeds 45 wt% based on the total weight of the low refractive index layer, the haze value and refractive index value of the low refractive index layer increase. In contrast, in one embodiment, the low refractive index layer (LR) containing 40 wt% or more and 45 wt% or less of non-hollow inorganic particles (AE) may exhibit excellent optical transparency and durability.

비중공 무기 입자들(AE)의 굴절률은 1.43 이상 1.46 이하일 수 있다. 굴절률이 1.43 이상 1.46 이하인 비중공 무기 입자들(AE)을 포함하는 저굴절층(LR)은 굴절률이 1.21 이상 1.25 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 저굴절층(LR)의 굴절률은 1.21 이상 1.25 이하일 수 있다. 이와 달리, 굴절률이 1.46 초과이거나, 1.43 미만인 비중공 무기 입자들을 포함하는 저굴절층은 굴절률이 1.25 초과이거나, 1.21 미만이다.The refractive index of the non-hollow inorganic particles (AE) may be 1.43 or more and 1.46 or less. The low refractive index layer (LR) containing non-hollow inorganic particles (AE) with a refractive index of 1.43 or more and 1.46 or less may have a refractive index of 1.21 or more and 1.25 or less. In one embodiment, the refractive index of the low refractive layer (LR) may be 1.21 or more and 1.25 or less. In contrast, a low refractive index layer containing non-hollow inorganic particles with a refractive index greater than 1.46 or less than 1.43 has a refractive index greater than 1.25 or less than 1.21.

비중공 무기 입자들(AE) 각각은 구 형상일 수 있다. 비중공 무기 입자들(AE) 각각의 직경은 10nm 이상 30nm 이하일 수 있다. 직경이 10nm 이상 30nm 이하인 비중공 무기 입자들(AE)을 포함하는 저굴절층(LR)은 우수한 강도(hardness), 개선된 헤이즈 값, 및 개선된 SCE(Specular Component Excluded) 반사율을 나타낼 수 있다. SCE 반사율은 전체 반사광 중 정반사광을 제거한 것으로, SCE 반사율이 높을수록 정반사광이 감소하여, 광이 재순환되지 못하고 산란되므로, 광 효율이 저하된다.Each of the non-hollow inorganic particles (AE) may be spherical in shape. The diameter of each non-hollow inorganic particle (AE) may be 10 nm or more and 30 nm or less. A low refractive index layer (LR) containing non-hollow inorganic particles (AE) with a diameter of 10 nm to 30 nm may exhibit excellent hardness, improved haze value, and improved specular component excluded (SCE) reflectance. The SCE reflectance is the removal of regular reflected light from the total reflected light. As the SCE reflectance increases, the regular reflected light decreases, and the light is not recycled and is scattered, reducing light efficiency.

직경이 30nm를 초과하는 비중공 무기 입자와 비교하여, 직경이 30nm 이하인 비중공 무기 입자(AE)는 저굴절층(LR)에서 고르게 분산될 수 있다. 고르게 분산된 비중공 무기 입자(AE)는 높은 균일도를 나타내어, 저굴절층(LR)의 표면 거칠기(roughness)가 감소될 수 있다. 표면 거칠기가 감소된 저굴절층(LR)은 헤이즈 값 및 SCE(Specular Component Excluded) 반사율이 개선될 수 있다. 이에 따라, 직경이 30nm 이하인 비중공 무기 입자(AE)를 포함하는 저굴절층(LR)을 포함하는 색 제어 부재(CCM) 및 표시 장치(DD)는 우수한 광 효율을 나타낼 수 있다. Compared to non-hollow inorganic particles with a diameter exceeding 30 nm, non-hollow inorganic particles (AE) with a diameter of 30 nm or less can be evenly dispersed in the low refractive index layer (LR). Evenly dispersed non-hollow inorganic particles (AE) exhibit high uniformity, and the surface roughness of the low refractive layer (LR) can be reduced. The low refractive index layer (LR) with reduced surface roughness can have improved haze value and SCE (Specular Component Excluded) reflectance. Accordingly, the color control member (CCM) and the display device (DD) including a low refractive layer (LR) including non-hollow inorganic particles (AE) with a diameter of 30 nm or less can exhibit excellent light efficiency.

이와 달리, 직경이 10nm 미만인 비중공 무기 입자들을 포함하는 저굴절층은 공정상 제조가 용이하지 않을 수 있다. 직경이 30nm 초과인 비중공 무기 입자들을 포함하는 저굴절층은, 저굴절층 내에서 균일도가 저하되고 표면 거칠기가 증가한다. 이에 따라, 직경이 30nm 초과인 비중공 무기 입자들을 포함하는 저굴절층은, 높은 헤이즈 값, 높은 SCE 반사율, 및 낮은 강도를 나타낸다.In contrast, a low refractive index layer containing non-hollow inorganic particles with a diameter of less than 10 nm may not be easy to manufacture due to the process. In a low refractive index layer containing non-hollow inorganic particles with a diameter of more than 30 nm, uniformity decreases and surface roughness increases within the low refractive index layer. Accordingly, a low refractive index layer comprising non-hollow inorganic particles with a diameter greater than 30 nm exhibits high haze values, high SCE reflectance, and low intensity.

도 6은 일 실시예에 따른 비중공 무기 입자(AE)를 나타낸 것이다. 도 6을 참조하면, 비중공 무기 입자(AE)는 제1 작용기(R10)를 포함할 수 있다. 비중공 무기 입자(AE)에서, 표면에 제1 작용기(R10)가 결합될 수 있다. 도 6에서, 3개의 제1 작용기(R10)를 도시하였으나, 제1 작용기(R10)의 개수가 이에 제한되는 것은 아니다.Figure 6 shows non-hollow inorganic particles (AE) according to one embodiment. Referring to FIG. 6, the non-hollow inorganic particle (AE) may include a first functional group (R10). In non-hollow inorganic particles (AE), a first functional group (R10) may be bound to the surface. In Figure 6, three first functional groups (R10) are shown, but the number of first functional groups (R10) is not limited thereto.

비중공 무기 입자(AE)의 제1 작용기(R10)와 베이스 수지(PY, 도 5)의 작용기가 결합될 수 있다. 예를 들어, 제1 작용기(R10)는 하이드록시기를 포함하고, 베이스 수지(PY)는 아크릴로일기를 포함하는 것일 수 있다. 제1 작용기(R10)의 하이드록시기의 수소 원자가 제거되고, 베이스 수지(PY)의 아크릴로일기와 결합되어, 비중공 무기 입자(AE)의 표면에 제2 작용기(R11)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 작용기(R11)는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.The first functional group (R10) of the non-hollow inorganic particle (AE) and the functional group of the base resin (PY, Figure 5) may be combined. For example, the first functional group (R10) may include a hydroxy group, and the base resin (PY) may include an acryloyl group. The hydrogen atom of the hydroxy group of the first functional group (R10) is removed and combined with the acryloyl group of the base resin (PY), thereby forming the second functional group (R11) on the surface of the non-hollow inorganic particle (AE). . For example, the second functional group (R11) may be represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

화학식 1에서, 는 비중공 무기 입자(AE)의 표면에 결합되는 위치이다. 동일한 부피를 기준으로, 직경이 30nm를 초과하는 비중공 무기 입자들과 비교하여, 직경이 30nm 이하인 비중공 무기 입자들(AE)은 표면적이 증가될 수 있다. 상대적으로 작은 직경을 갖는 비중공 무기 입자들(AE)은, 동일한 부피의 저굴절층을 기준으로, 상대적으로 큰 직경을 갖는 비중공 무기 입자들보다 더 많은 수로 제공되어 표면적이 증가될 수 있다. 비중공 무기 입자들(AE)의 표면적이 증가되어, 비중공 무기 입자(AE)의 제1 작용기(R10)와 베이스 수지(PY)의 작용기 사이에 결합이 증가될 수 있다. 이에 따라, 저굴절층(LR)은 개선된 헤이즈 값 및 우수한 내구성을 나타낼 수 있다.In Formula 1, is the position bound to the surface of the non-hollow inorganic particle (AE). Based on the same volume, compared to non-hollow inorganic particles with a diameter exceeding 30 nm, non-hollow inorganic particles (AE) with a diameter of 30 nm or less may have an increased surface area. Non-hollow inorganic particles (AE) with a relatively small diameter may be provided in greater numbers than non-hollow inorganic particles with a relatively large diameter, based on the same volume of the low refractive index layer, so that the surface area can be increased. The surface area of the non-hollow inorganic particles (AE) may be increased, thereby increasing the bond between the first functional group (R10) of the non-hollow inorganic particles (AE) and the functional group of the base resin (PY). Accordingly, the low refractive layer (LR) can exhibit improved haze value and excellent durability.

이하에서는 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 색 제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치에 대해서 구체적으로 설명한다. 이하에 나타내는 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예시이며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a color control member and a display device including the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples. The example shown below is an example to aid understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

아래 표 1은 비교예 1 및 실시예 1의 저굴절층에서, 베이스 수지, 무기 입자, 및 포로겐의 중량과 무기 입자의 직경을 나타낸 것이다. 무기 입자는 SiO2 입자를 사용한 것이다. 비교예 1은 내부가 비어 있는 중공 무기 입자를 포함하는 것이고, 실시예 1은 내부가 채워진 비중공 무기 입자를 포함하는 것이다. 실시예 1은 일 실시예에 따른 베이스 수지, 무기 입자, 및 포로겐의 중량 범위를 만족하는 것이다.Table 1 below shows the weight of the base resin, inorganic particles, and porogen and the diameter of the inorganic particles in the low refractive index layer of Comparative Example 1 and Example 1. The inorganic particles used were SiO 2 particles. Comparative Example 1 includes hollow inorganic particles with an empty interior, and Example 1 includes non-hollow inorganic particles with a filled interior. Example 1 satisfies the weight range of the base resin, inorganic particles, and porogen according to one example.

베이스 수지(wt%)Base resin (wt%) 무기 입자(wt%)Inorganic particles (wt%) 포로겐(wt%)Porogen (wt%) 입자의 직경
(nm, 중공/비중공)
particle diameter
(nm, hollow/non-hollow)
비교예 1Comparative Example 1 4747 4444 99 130 (중공)130 (hollow) 실시예 1Example 1 42.542.5 42.542.5 1515 20 (비중공)20 (non-hollow)

표 1을 참조하면, 실시예 1에서 베이스 수지의 중량은, 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 40wt% 이상 45wt% 이하의 범위를 만족하는 것을 알 수 있다. 40wt% 이상 45wt% 이하는, 일 실시예에 따른 베이스 수지의 중량 범위일 수 있다. 실시예 1에서 비중공 무기 입자의 중량은, 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 40wt% 이상 45wt% 이하의 범위를 만족하는 것을 알 수 있다. 40wt% 이상 45wt% 이하는, 일 실시예에 따른 비중공 무기 입자의 중량 범위일 수 있다. 실시예 1에서 포로겐은 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 10wt% 이상 20wt% 이하의 범위를 만족하는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 1에서 비중공 무기 입자의 직경은, 10nm 이상 30nm 이하의 범위를 만족하는 것을 알 수 있다. 10nm 이상 30nm 이하는, 일 실시예에 따른 비중공 무기 입자의 직경 범위일 수 있다. Referring to Table 1, it can be seen that the weight of the base resin in Example 1 satisfies the range of 40wt% to 45wt% based on the total weight of the low refractive layer. 40 wt% or more and 45 wt% or less may be the weight range of the base resin according to one embodiment. In Example 1, it can be seen that the weight of the non-hollow inorganic particles satisfies the range of 40 wt% to 45 wt% based on the total weight of the low refractive layer. 40 wt% or more and 45 wt% or less may be the weight range of the non-hollow inorganic particles according to one embodiment. In Example 1, it can be seen that the porogen satisfies the range of 10 wt% to 20 wt% based on the total weight of the low refractive index layer. Additionally, in Example 1, it can be seen that the diameter of the non-hollow inorganic particles satisfies the range of 10 nm to 30 nm. 10 nm or more and 30 nm or less may be the diameter range of the non-hollow inorganic particles according to one embodiment.

비교예 1에서 베이스 수지의 중량은 일 실시예에 따른 베이스 수지의 중량보다 큰 것이며, 포로겐의 중량은 일 실시예에 따른 포로겐의 중량보다 작은 것이다. 또한, 비교예 1에서 중공 무기 입자의 직경은 일 실시예에 따른 비중공 무기 입자의 직경보다 큰 것이다.In Comparative Example 1, the weight of the base resin is greater than the weight of the base resin according to an example, and the weight of the porogen is less than the weight of the porogen according to an example. Additionally, the diameter of the hollow inorganic particles in Comparative Example 1 is larger than the diameter of the non-hollow inorganic particles according to one embodiment.

아래 표 2는 표 1의 비교예 1 및 실시예 1의 저굴절층에서, 점도, 고형분, 굴절률, 헤이즈, 접착력, 표면 거칠기, 및 SCE의 반사율을 평가하여 나타낸 것이다. 굴절률은 550nm의 파장에서 제품 M-2000V Elipsometer을 사용하여 측정한 것이고, 헤이즈는 Nippon denshoku사의 제품 NDH-2000(N)을 사용하여 측정한 것이다. 표면 거칠기는 파크시스템사의 제품 NX20 Atomic Force Microscope을 사용하여 측정한 것이고, SCE의 반사율은 표준 광원 D65 하에서, Konica Minolta사의 제품 CM-2600D을 사용하여 측정한 것이다.Table 2 below shows the evaluation of viscosity, solid content, refractive index, haze, adhesion, surface roughness, and SCE reflectance in the low refractive index layers of Comparative Example 1 and Example 1 in Table 1. The refractive index was measured using the M-2000V Elipsometer at a wavelength of 550 nm, and the haze was measured using the NDH-2000(N) manufactured by Nippon Denshoku. Surface roughness was measured using Park Systems' NX20 Atomic Force Microscope, and the reflectance of SCE was measured using Konica Minolta's CM-2600D under standard light source D65.

표면 거칠기는 값이 작을수록 표면이 매끄러운 것이며, 값이 클수록 표면이 거친 것이다. 접착력 평가는 ASTM D3359의 표준 규격을 따른 것으로, 샘플을 커팅하여 손상 정도를 평가하는 것이다. 커팅 시에는 YOSHIMITSU사의 제품 YCC-230/1을 사용하였다. ASTM D3359에 따르면 접착력 평가 기준은 0B에서 5B까지 있으며, 0B는 샘플의 손상 정도가 65% 이상인 것을 의미하고, 5B는 손상 정도가 0%인 것을 의미한다. 한편, 4B는 샘플의 손상 정도가 5% 미만인 것을 의미한다.The smaller the surface roughness value, the smoother the surface, and the larger the value, the rougher the surface. Adhesion evaluation follows the standard specifications of ASTM D3359 and involves cutting samples to evaluate the degree of damage. For cutting, YOSHIMITSU's product YCC-230/1 was used. According to ASTM D3359, the adhesion evaluation criteria range from 0B to 5B, with 0B meaning that the damage to the sample is 65% or more, and 5B meaning that the damage is 0%. Meanwhile, 4B means that the degree of damage to the sample is less than 5%.

비교예 1Comparative Example 1 실시예 1Example 1 점도(cP)Viscosity (cP) 3.03.0 3.03.0 고형분(%)Solid content (%) 1212 1313 굴절률refractive index 1.231.23 1.231.23 헤이즈(Haze, %)Haze (%) 0.480.48 0.390.39 접착력adhesion 5B5B 5B5B 표면 거칠기surface roughness 10.6110.61 2.362.36 SCE 반사율(%)SCE reflectance (%) 0.440.44 0.400.40

표 2를 참조하면, 내부가 비어 있는 중공 무기 입자를 포함하는 비교예 1의 저굴절층과 내부가 채워진 비중공 무기 입자를 포함하는 실시예 1의 저굴절층은 유사한 수준의 점도, 굴절률, 및 접착력을 나타내고, 유사한 함량의 고형분을 포함하는 것을 알 수 있다. 저굴절층의 접착력이 높을수록 인접한 부재(예를 들어, 광 제어부)와의 결합력이 향상될 수 있다. Referring to Table 2, the low refractive index layer of Comparative Example 1 including hollow inorganic particles with an empty interior and the low refractive index layer of Example 1 including non-hollow inorganic particles with an empty interior have similar levels of viscosity, refractive index, and It can be seen that it shows adhesion and contains a similar amount of solid content. The higher the adhesive strength of the low-refractive layer, the better the bonding strength with adjacent members (eg, light control units).

실시예 1의 저굴절층은 포로겐을 제공하여 형성된 보이드부를 포함하는 것으로, 중공 무기 입자를 포함하는 비교예 1의 저굴절층과 유사한 수준의 굴절률을 나타낼 수 있다. 전술한 바와 같이, 중공 무기 입자를 포함하는 저굴절층은 중공을 통해 수분 및/또는 기체 등이 유입되어 신뢰성이 저하된다. 이와 달리, 일 실시예에서, 내부가 채워진 비중공 무기 입자 및 포로겐으로부터 유래되는 보이드부를 포함하는 저굴절층은 목적하는 굴절률이 유지되면서, 우수한 신뢰성을 나타낼 수 있다.The low refractive index layer of Example 1 includes a void portion formed by providing a porogen, and may exhibit a refractive index similar to that of the low refractive index layer of Comparative Example 1 including hollow inorganic particles. As described above, the reliability of the low refractive index layer containing hollow inorganic particles is reduced due to moisture and/or gas entering the layer through the hollow portion. In contrast, in one embodiment, a low refractive index layer including voids derived from non-hollow inorganic particles and porogens filled inside may exhibit excellent reliability while maintaining the desired refractive index.

표 2를 참조하면, 비교예 1의 저굴절층과 비교하여, 실시예 1의 저굴절층은 헤이즈 값, 표면 거칠기, 및 SCE 반사율이 개선된 것을 알 수 있다. 실시예 1의 저굴절층은 내부가 채워진 비중공 무기 입자 및 포로겐으로부터 유래되는 보이드부를 포함하고, 상대적으로 작은 직경의 비중공 무기 입자를 포함하는 것이다. 이에 따라, 실시예 1의 저굴절층은 헤이즈 값, 표면 거칠기, 및 SCE 반사율이 우수한 특성을 나타낸 것으로 판단된다. Referring to Table 2, it can be seen that compared to the low refractive index layer of Comparative Example 1, the low refractive index layer of Example 1 had improved haze value, surface roughness, and SCE reflectance. The low refractive index layer of Example 1 includes non-hollow inorganic particles filled inside and void portions derived from porogen, and includes non-hollow inorganic particles with a relatively small diameter. Accordingly, it is judged that the low refractive index layer of Example 1 showed excellent haze value, surface roughness, and SCE reflectance.

비교예 1의 저굴절층은 상대적으로 큰 직경의 중공 무기 입자를 포함하여, 저굴절층에서 중공 무기 입자의 균일도가 낮은 것이다. 이에 따라, 비교예 1의 저굴절층은 헤이즈 값, 표면 거칠기, 및 SCE 반사율이 높은 값을 나타낸 것으로 판단된다.The low refractive index layer of Comparative Example 1 included hollow inorganic particles with a relatively large diameter, and the uniformity of the hollow inorganic particles in the low refractive index layer was low. Accordingly, it is determined that the low refractive index layer of Comparative Example 1 showed high haze value, surface roughness, and SCE reflectance.

도 7a 및 도 7b는 비교예 2의 저굴절층을 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 촬영한 이미지이다. 비교예 2의 저굴절층은 포로겐을 미포함하는 것으로, 무기 입자와 고분자 수지를 용매에 혼합하여 제공하고, 용매를 증발시켜 보이드부를 형성한 것이다. 이에 따라, 비교예 2의 저굴절층에서, 보이드부는 무정형으로 형성된 것이다. Figures 7a and 7b are images taken of the low refractive index layer of Comparative Example 2 using a scanning electron microscope (SEM). The low refractive index layer of Comparative Example 2 does not contain a porogen, and is prepared by mixing inorganic particles and a polymer resin in a solvent, and forming a void portion by evaporating the solvent. Accordingly, in the low refractive index layer of Comparative Example 2, the void portion was formed in an amorphous form.

도 7a를 참조하면, 무정형의 보이드부를 포함하는 저굴절층은 인접한 부재와의 들뜸(FT)이 발생한 것을 알 수 있다. 도 7b를 참조하면, 무정형의 보이드부를 포함하는 저굴절층은 크랙(CT)이 발생한 것을 알 수 있다. 이에 따라, 일 실시예에서, 포로겐으로부터 유래되는 구형의 보이드부를 포함하는 저굴절층은 우수한 신뢰성을 나타낼 수 있다.Referring to FIG. 7A, it can be seen that the low refractive index layer including an amorphous void part has a floating (FT) with an adjacent member. Referring to FIG. 7B, it can be seen that a crack (CT) has occurred in the low refractive index layer including an amorphous void portion. Accordingly, in one embodiment, a low refractive index layer including spherical voids derived from porogen can exhibit excellent reliability.

도 8은 비중공 무기 입자의 직경에 따른 저굴절층의 강도를 나타낸 그래프이다. 도 8에서, 비중공 무기 입자는 직경이 20nm인 SiO2 입자를 사용한 것이다. 강도는 Anton Paar사의 Nano-indenter를 사용하여 측정한 것이다.Figure 8 is a graph showing the strength of the low refractive layer according to the diameter of non-hollow inorganic particles. In Figure 8, the non-hollow inorganic particles are SiO 2 particles with a diameter of 20 nm. Strength was measured using a Nano-indenter from Anton Paar.

도 8을 참조하면, 비중공 무기 입자의 직경이 작을수록, 저굴절층은 우수한 강도를 나타내는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 일 실시예에서 직경이 10nm 이상 30nm 이하인 비중공 무기 입자를 포함하는 저굴절층은 우수한 내구성을 나타낼 것으로 판단된다.Referring to FIG. 8, it can be seen that the smaller the diameter of the non-hollow inorganic particles, the better the strength of the low refractive index layer. Accordingly, in one embodiment, it is determined that a low refractive index layer containing non-hollow inorganic particles with a diameter of 10 nm or more and 30 nm or less will exhibit excellent durability.

도 9는 포로겐의 중량에 따른 저굴절층의 굴절률을 나타낸 그래프로, 굴절률은 550nm의 파장에서 제품 M-2000V Elipsometer을 사용하여 측정한 것이다. 도 9에서, 굴절률을 나타낸 세로축과 나란한 점선 L10은 포로겐의 중량이 10wt%인 지점을 나타낸 것이다. 도 9의 그래프에서 점선 L10을 기준으로, 왼쪽은 포로겐의 중량이 10wt% 미만인 영역이고, 오른쪽은 포로겐의 중량이 10wt% 초과인 영역이다. Figure 9 is a graph showing the refractive index of the low refractive layer according to the weight of the porogen, and the refractive index was measured using the product M-2000V Elipsometer at a wavelength of 550 nm. In Figure 9, the dotted line L10 parallel to the vertical axis indicating the refractive index indicates the point where the weight of porogen is 10 wt%. Based on the dotted line L10 in the graph of FIG. 9, the left side is an area where the weight of porogen is less than 10 wt%, and the right side is an area where the porogen weight is more than 10 wt%.

도 9를 참조하면, 10wt% 이상 20wt% 이하로 제공된 포로겐으로부터 유래되는 보이드부를 포함하는 저굴절층은, 굴절률이 1.21 이상 1.25 이하인 것을 알 수 있다. 이에 따라, 일 실시예에서, 10wt% 이상 20wt% 이하로 제공된 포로겐으로부터 유래되는 보이드부를 포함하는 저굴절층의 굴절률은 1.21 이상 1.25 이하일 수 있다.Referring to FIG. 9, it can be seen that the low refractive index layer including a void portion derived from porogen provided at 10 wt% or more and 20 wt% or less has a refractive index of 1.21 or more and 1.25 or less. Accordingly, in one embodiment, the refractive index of the low refractive index layer including the void portion derived from the porogen provided at 10 wt% or more and 20 wt% or less may be 1.21 or more and 1.25 or less.

도 9를 참조하면, 10wt% 미만으로 제공된 포로겐으로부터 유래되는 보이드부를 포함하는 저굴절층의 굴절률은 1.25 초과인 것을 알 수 있다. 상대적으로 적은 중량의 포로겐이 제공됨에 따라, 포로겐으로부터 유래되는 보이드부가 감소하여 1.25 초과의 굴절률을 나타내는 것으로 판단된다. 한편, 전술한 바와 같이, 20wt% 초과로 제공된 포로겐으로부터 유래되는 보이드부를 포함하는 저굴절층은 크랙이 발생하여 내구성이 저하된다.Referring to FIG. 9, it can be seen that the refractive index of the low refractive index layer including a void portion derived from porogen provided in less than 10 wt% is greater than 1.25. It is believed that as a relatively small weight of porogen is provided, the void portion derived from the porogen decreases, resulting in a refractive index exceeding 1.25. Meanwhile, as described above, cracks occur in the low refractive index layer containing voids derived from porogen provided in excess of 20 wt%, thereby reducing durability.

도 10 및 도 11은 비중공 무기 입자의 중량에 따른 강도 및 굴절률을 나타낸 것이다. 도 10 및 도 11에서, 비중공 무기 입자는 직경이 20nm인 SiO2 입자를 사용한 것이다. 강도는 Anton Paar사의 Nano-indenter를 사용하여 측정한 것이고, 굴절률은 550nm의 파장에서 제품 M-2000V Elipsometer을 사용하여 측정한 것이다. 도 10 및 도 11에서, 굴절률을 나타낸 세로축과 나란한 점선 L40은 비중공 무기 입장의 중량이 40wt%인 지점을 나타낸 것이고, 점선 L45는 비중공 무기 입장의 중량이 45wt%인 지점을 나타낸 것이다. 도 10 및 도 11의 그래프에서 점선 L40을 기준으로 왼쪽은 비중공 무기 입자의 중량이 40wt% 미만인 영역이고, 점선 L45를 기준으로 오른쪽은 비중공 무기 입자의 중량이 45wt% 초과인 영역이다.Figures 10 and 11 show the strength and refractive index according to the weight of non-hollow inorganic particles. In Figures 10 and 11, the non-hollow inorganic particles are SiO 2 particles with a diameter of 20 nm. The intensity was measured using a Nano-indenter from Anton Paar, and the refractive index was measured using a product M-2000V Elipsometer at a wavelength of 550 nm. In Figures 10 and 11, the dotted line L40, parallel to the vertical axis showing the refractive index, represents the point where the weight of the non-hollow weapon is 40 wt%, and the dotted line L45 represents the point where the weight of the non-hollow weapon is 45 wt%. In the graphs of FIGS. 10 and 11, the left side of the dotted line L40 is a region where the weight of non-hollow inorganic particles is less than 40 wt%, and the right side of the dotted line L45 is a region where the weight of non-hollow inorganic particles is more than 45 wt%.

도 10을 참조하면, 비중공 무기 입자의 중량이 40wt% 이상인 저굴절층은 우수한 강도를 나타내는 것을 알 수 있다. 도 11을 참조하면, 비중공 무기 입자의 중량이 40wt% 이상 45wt% 이하인 저굴절층은 1.21 이상 1.25 이하의 굴절률을 나타내는 것을 알 수 있다. 일 실시예에서, 비중공 무기 입자의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하이고, 저굴절층의 굴절률은 1.21 이상 1.25 이하일 수 있다. 한편, 비중공 무기 입자의 중량이 45wt% 초과인 경우, 저굴절층의 굴절률이 1.25를 초과하는 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 10, it can be seen that the low refractive index layer with a weight of non-hollow inorganic particles of 40 wt% or more exhibits excellent strength. Referring to FIG. 11, it can be seen that the low refractive index layer in which the weight of non-hollow inorganic particles is 40 wt% or more and 45 wt% or less exhibits a refractive index of 1.21 or more and 1.25 or less. In one embodiment, the weight of the non-hollow inorganic particles may be 40 wt% or more and 45 wt% or less, and the refractive index of the low refractive layer may be 1.21 or more and 1.25 or less. Meanwhile, when the weight of the non-hollow inorganic particles exceeds 45 wt%, it can be seen that the refractive index of the low refractive layer exceeds 1.25.

도 12 및 도 13은 비중공 무기 입자의 직경에 따른 저굴절층의 헤이즈 값 및 SCE 반사율을 나타낸 그래프이다. 도 12 및 도 13의 저굴절층에서 비중공 무기 입자는 직경이 20nm인 SiO2 입자를 사용한 것이다. 또한, 도 12 및 도 13의 저굴절층에서, 베이스 수지는 42.5wt%, 비중공 무기 입자는 42.5wt%, 포로겐은 15wt%의 중량으로 제공된 것이다. Figures 12 and 13 are graphs showing the haze value and SCE reflectance of the low refractive layer according to the diameter of the non-hollow inorganic particles. The non-hollow inorganic particles in the low refractive index layer of FIGS. 12 and 13 are SiO 2 particles with a diameter of 20 nm. In addition, in the low refractive index layer of FIGS. 12 and 13, the base resin was provided at a weight of 42.5 wt%, the non-hollow inorganic particles were provided at a weight of 42.5 wt%, and the porogen was provided at a weight of 15 wt%.

도 12를 참조하면, 비중공 무기 입자의 직경이 증가할수록, 저굴절층의 헤이즈 값이 증가하는 것을 알 수 있다. 비중공 무기 입자의 직경이 10nm 이상 30nm 이하인 저굴절층은 헤이즈 값이 0.40% 미만인 것을 알 수 있다. 도 13을 참조하면, 비중공 무기 입자의 직경이 증가할수록, 저굴절층의 SCE 반사율이 증가하는 것을 알 수 있다. 비중공 무기 입자의 직경이 10nm 이상 30nm 이하인 저굴절층은 상대적으로 작은 SCE 반사율을 나타내는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 일 실시예에서 직경이 10nm 이상 30nm 이하인 비중공 무기 입자를 포함하는 저굴절층은 헤이즈 값 및 SCE 반사율이 개선된 특성을 나타낼 수 있다.Referring to FIG. 12, it can be seen that as the diameter of the non-hollow inorganic particles increases, the haze value of the low refractive layer increases. It can be seen that the low refractive index layer in which the non-hollow inorganic particles have a diameter of 10 nm or more and 30 nm or less has a haze value of less than 0.40%. Referring to FIG. 13, it can be seen that as the diameter of the non-hollow inorganic particle increases, the SCE reflectance of the low refractive index layer increases. It can be seen that the low refractive index layer whose non-hollow inorganic particles have a diameter of 10 nm or more and 30 nm or less exhibits a relatively small SCE reflectance. Accordingly, in one embodiment, a low refractive index layer containing non-hollow inorganic particles with a diameter of 10 nm or more and 30 nm or less may exhibit improved haze value and SCE reflectance.

일 실시예의 표시 장치는 표시 소자층 및 표시 소자층 상에 배치된 색 제어 부재를 포함할 수 있다. 색 제어 부재는 양자점을 포함하는 광 제어층, 광 제어층 상에 배치된 컬러 필터층, 및 광 제어층과 컬러 필터층 사이에 배치된 저굴절층을 포함할 수 있다. 저굴절층은 베이스 수지, 베이스 수지에 분산된 비중공 무기 입자, 및 포로겐으로부터 유래되는 보이드부를 포함할 수 있다. 비중공 무기 입자는 내부가 채워진 입자일 수 있다. 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 비중공 무기 입자의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하일 수 있다. 내부가 채워진 비중공 무기 입자를 포함하는 저굴절층은 소정의 굴절률 범위를 만족하고, 우수한 신뢰성을 나타낼 수 있다. 또한, 포로겐으로부터 유래되는 보이드부를 포함하는 저굴절층은 들뜸, 크랙 등이 방지되어 우수한 공정성을 나타낼 수 있다. A display device in one embodiment may include a display element layer and a color control member disposed on the display element layer. The color control member may include a light control layer including quantum dots, a color filter layer disposed on the light control layer, and a low refractive index layer disposed between the light control layer and the color filter layer. The low refractive index layer may include a base resin, non-hollow inorganic particles dispersed in the base resin, and a void portion derived from a porogen. Non-hollow inorganic particles may be particles with a filled interior. Based on the total weight of the low refractive layer, the weight of the non-hollow inorganic particles may be 40 wt% or more and 45 wt% or less. A low refractive index layer containing non-hollow inorganic particles filled inside satisfies a predetermined refractive index range and can exhibit excellent reliability. In addition, the low refractive index layer containing voids derived from porogen can exhibit excellent processability by preventing lifting and cracking.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art or have ordinary knowledge in the relevant technical field should not deviate from the spirit and technical scope of the present invention as set forth in the claims to be described later. It will be understood that the present invention can be modified and changed in various ways within the scope of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to what is described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

CCM: 색 제어 부재 QD1, QD2: 양자점
CCL: 광 제어층 CFL: 컬러 필터층
LR: 저굴절층 PY: 베이스 수지
AE: 비중공 무기 입자 VO: 보이드부
CCM: Color control member QD1, QD2: Quantum dots
CCL: Light control layer CFL: Color filter layer
LR: low refractive index layer PY: base resin
AE: Non-hollow inorganic particles VO: Void part

Claims (20)

양자점을 포함하는 광 제어층;
상기 광 제어층 상에 배치된 컬러 필터층; 및
상기 컬러 필터층과 상기 광 제어층 사이에 배치된 저굴절층; 을 포함하고,
상기 저굴절층은
베이스 수지;
상기 베이스 수지에 분산되고, 내부가 채워진 복수 개의 비중공 무기 입자들; 및
포로겐으로부터 유래되는 보이드부; 를 포함하며,
상기 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 상기 베이스 수지의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하이고, 상기 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 상기 비중공 무기 입자들의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하인 색 제어 부재.
A light control layer containing quantum dots;
a color filter layer disposed on the light control layer; and
a low refractive index layer disposed between the color filter layer and the light control layer; Including,
The low refractive layer is
base resin;
A plurality of non-hollow inorganic particles dispersed in the base resin and filled inside; and
Void portion derived from porogen; Includes,
Color control in which the weight of the base resin is 40 wt% to 45 wt% based on the total weight of the low refractive layer, and the weight of the non-hollow inorganic particles is 40 wt% to 45 wt% based on the total weight of the low refractive layer. absence.
제1 항에 있어서,
상기 저굴절층은 내부가 비어있는 중공 무기 입자를 미포함하는 색 제어 부재.
According to claim 1,
A color control member in which the low refractive index layer does not include hollow inorganic particles.
제1 항에 있어서,
상기 보이드부는 구 형상인 색 제어 부재.
According to claim 1,
The void portion is a color control member having a spherical shape.
제1 항에 있어서,
상기 비중공 무기 입자들 각각은 직경이 10nm 이상 30nm 이하인 색 제어 부재.
According to claim 1,
A color control member wherein each of the non-hollow inorganic particles has a diameter of 10 nm to 30 nm.
제1 항에 있어서,
상기 저굴절층의 전체 중량을 기준으로, 상기 포로겐은 10wt% 이상 20wt% 이하로 제공되는 색 제어 부재.
According to claim 1,
Based on the total weight of the low refractive layer, the porogen is provided in an amount of 10 wt% or more and 20 wt% or less.
제1 항에 있어서,
상기 포로겐이 열분해되어 상기 보이드부가 형성되는 색 제어 부재.
According to claim 1,
A color control member in which the void portion is formed by thermal decomposition of the porogen.
제1 항에 있어서,
상기 저굴절층의 굴절률은 1.21 이상 1.25 이하인 색 제어 부재.
According to claim 1,
A color control member wherein the low refractive layer has a refractive index of 1.21 or more and 1.25 or less.
제1 항에 있어서,
상기 저굴절층의 헤이즈(haze) 값은 0.40% 미만인 색 제어 부재.
According to claim 1,
A color control member wherein the low refractive layer has a haze value of less than 0.40%.
제1 항에 있어서,
상기 베이스 수지는 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 및 이미드계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 색 제어 부재.
According to claim 1,
The base resin is a color control member including at least one of acrylic resin, silicone resin, epoxy resin, urethane resin, and imide resin.
제1 항에 있어서,
상기 비중공 무기 입자는 SiO2, MgF2, 및 Fe3O4 중 적어도 하나를 포함하는 색 제어 부재.
According to claim 1,
The non-hollow inorganic particles are a color control member containing at least one of SiO 2 , MgF 2 , and Fe 3 O 4 .
제1 항에 있어서,
상기 비중공 무기 입자의 굴절률은 1.43 이상 1.46 이하인 색 제어 부재.
According to claim 1,
A color control member wherein the refractive index of the non-hollow inorganic particles is 1.43 or more and 1.46 or less.
제1 항에 있어서,
상기 비중공 무기 입자의 표면에 상기 베이스 수지의 작용기가 결합된 색 제어 부재.
According to claim 1,
A color control member in which the functional group of the base resin is bonded to the surface of the non-hollow inorganic particle.
제1 항에 있어서,
상기 저굴절층의 굴절률은 상기 광 제어층의 굴절률보다 작은 색 제어 부재.
According to claim 1,
A color control member wherein the refractive index of the low refractive layer is smaller than the refractive index of the light control layer.
표시 소자층; 및
상기 표시 소자층 상에 배치된 색 제어 부재; 를 포함하고,
상기 색 제어 부재는
양자점을 포함하는 광 제어층;
상기 광 제어층 상에 배치된 컬러 필터층; 및
상기 컬러 필터층과 상기 광 제어층 사이에 배치된 저굴절층; 을 포함하고,
상기 저굴절층은
베이스 수지;
상기 베이스 수지에 분산되고, 내부가 채워진 복수 개의 비중공 무기 입자들; 및
포로겐으로부터 유래되는 보이드부; 를 포함하며,
상기 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 상기 베이스 수지의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하이고, 상기 저굴절층의 전체 중량을 기준으로 상기 비중공 무기 입자들의 중량은 40wt% 이상 45wt% 이하인 표시 장치.
display element layer; and
a color control member disposed on the display element layer; Including,
The color control member is
A light control layer containing quantum dots;
a color filter layer disposed on the light control layer; and
a low refractive index layer disposed between the color filter layer and the light control layer; Including,
The low refractive layer is
base resin;
A plurality of non-hollow inorganic particles dispersed in the base resin and filled inside; and
Void portion derived from porogen; Includes,
The weight of the base resin is 40 wt% to 45 wt% based on the total weight of the low refractive layer, and the weight of the non-hollow inorganic particles is 40 wt% to 45 wt% based on the total weight of the low refractive layer. .
제14 항에 있어서,
상기 저굴절층은 내부가 비어있는 중공 무기 입자를 미포함하는 표시 장치.
According to claim 14,
A display device in which the low refractive index layer does not include hollow inorganic particles.
제14 항에 있어서,
상기 저굴절층의 굴절률은 1.21 이상 1.25 이하인 표시 장치.
According to claim 14,
A display device wherein the low refractive layer has a refractive index of 1.21 or more and 1.25 or less.
제14 항에 있어서,
상기 비중공 무기 입자들 각각은 직경이 10nm 이상 30nm 이하인 표시 장치.
According to claim 14,
A display device wherein each of the non-hollow inorganic particles has a diameter of 10 nm to 30 nm.
제14 항에 있어서,
상기 표시 소자층은 제1 광을 발광하는 발광 소자를 포함하고,
상기 광 제어층은 상기 제1 광을 제2 광으로 변환하는 제1 양자점을 포함하는 제1 광 제어부, 상기 제1 광을 제3 광으로 변환하는 제2 광 제어부, 및 상기 제1 광을 투과시키는 제3 광 제어부를 포함하는 표시 장치.
According to claim 14,
The display element layer includes a light-emitting element that emits first light,
The light control layer includes a first light control unit including a first quantum dot for converting the first light into second light, a second light control unit for converting the first light into third light, and transmitting the first light. A display device including a third light control unit.
제18 항에 있어서,
상기 컬러 필터층은 상기 제1 광 제어부에 대응하는 제1 필터, 상기 제2 광 제어부에 대응하는 제2 필터, 및 상기 제3 광 제어부에 대응하는 제3 필터를 포함하는 표시 장치.
According to clause 18,
The color filter layer includes a first filter corresponding to the first light control unit, a second filter corresponding to the second light control unit, and a third filter corresponding to the third light control unit.
제18 항에 있어서,
상기 제1 광은 청색광이고,
상기 제1 양자점은 상기 청색광을 적색광으로 변환하고, 상기 제2 양자점은 상기 청색광을 녹색광으로 변환하는 표시 장치.

According to clause 18,
The first light is blue light,
The first quantum dot converts the blue light into red light, and the second quantum dot converts the blue light into green light.

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