KR20240041238A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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KR20240041238A
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마코토 다카하시
마나부 혼마
유키오 오이즈미
이즈미 사토
유지 사사키
데루미 가마다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 기판 상에 잔류하는 불필요한 분자를 효율적으로 제거할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 복수의 기판을 연직 방향으로 간격을 두고 다단으로 보유 지지하는 기판 보유 지지구와, 상기 기판 보유 지지구를 수용하는 처리 용기를 구비하고, 상기 기판 보유 지지구는, 인접하는 상기 기판의 사이를 구획하는 구획판을 갖고, 상기 구획판은, 제1 가스를 토출하는 복수의 토출부를 하면에 갖고, 상기 복수의 토출부는, 독립적으로 상기 제1 가스의 급단이 제어 가능하다.The object of the present invention is to provide a technology that can efficiently remove unnecessary molecules remaining on a substrate.
A substrate processing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a substrate holding tool that holds a plurality of substrates in multiple stages at intervals in the vertical direction, and a processing vessel that accommodates the substrate holding tool, and holds the substrates. The sphere has a partition plate that partitions between the adjacent substrates, and the partition plate has a plurality of discharge parts on its lower surface that discharge the first gas, and the plurality of discharge parts independently supply the first gas. It is controllable.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 개시는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.This disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

복수의 기판을 수평 자세로 다단으로 수용하는 처리 용기와, 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계를 갖는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에서는, 처리 가스 공급계가 기판의 상부 표면에 대하여 수직으로 처리 가스를 공급한다.A substrate processing apparatus is known that has a processing vessel that accommodates a plurality of substrates in multiple stages in a horizontal position, and a processing gas supply system that supplies processing gas into the processing container (see, for example, Patent Document 1). In Patent Document 1, a processing gas supply system supplies processing gas perpendicularly to the upper surface of the substrate.

일본 특허 공개 제2011-238832호 공보Japanese Patent Publication No. 2011-238832

본 개시는, 기판 상에 잔류하는 불필요한 분자를 효율적으로 제거할 수 있는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technology that can efficiently remove unnecessary molecules remaining on a substrate.

본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 복수의 기판을 연직 방향으로 간격을 두고 다단으로 보유 지지하는 기판 보유 지지구와, 상기 기판 보유 지지구를 수용하는 처리 용기를 구비하고, 상기 기판 보유 지지구는, 인접하는 상기 기판의 사이를 구획하는 구획판을 갖고, 상기 구획판은, 제1 가스를 토출하는 복수의 토출부를 하면에 갖고, 상기 복수의 토출부는, 독립적으로 상기 제1 가스의 급단이 제어 가능하다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a substrate holding tool that holds a plurality of substrates in multiple stages at intervals in the vertical direction, and a processing vessel that accommodates the substrate holding tool, and holds the substrates. The sphere has a partition plate that partitions between the adjacent substrates, and the partition plate has a plurality of discharge parts on its lower surface that discharge the first gas, and the plurality of discharge parts independently supply the first gas. Controllable.

본 개시에 의하면, 기판 상에 잔류하는 불필요한 분자를 효율적으로 제거할 수 있다.According to the present disclosure, unnecessary molecules remaining on the substrate can be efficiently removed.

도 1은 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 도시하는 도면이다.
도 3은 기판 보유 지지구의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 기판 보유 지지구의 다른 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 토출부의 배치예를 도시하는 도면이다.
도 6은 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 도시하는 도면이다.
도 7은 실시 형태의 제1 변형예에 관한 기판 처리 방법을 도시하는 도면이다.
도 8은 실시 형태의 제2 변형예에 관한 기판 처리 방법을 도시하는 도면이다.1 is a diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment.
Fig. 3 is a diagram showing an example of a substrate holding tool.
4 is a diagram showing another example of a substrate holding tool.
Figure 5 is a diagram showing an example of the arrangement of the discharge portion.
FIG. 6 is a diagram showing a substrate processing method according to the embodiment.
FIG. 7 is a diagram showing a substrate processing method according to a first modified example of the embodiment.
FIG. 8 is a diagram showing a substrate processing method according to a second modification of the embodiment.

이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 개시의 한정적이지 않은 예시의 실시 형태에 대해서 설명한다. 첨부의 전체 도면 중, 동일하거나 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일하거나 또는 대응하는 참조 부호를 붙여, 중복되는 설명을 생략한다.Hereinafter, non-limiting example embodiments of the present disclosure will be described with reference to the attached drawings. In all of the attached drawings, identical or corresponding members or parts are given the same or corresponding reference numerals and redundant descriptions are omitted.

〔기판 처리 장치〕[Substrate processing device]

도 1 및 도 2를 참조하여, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 대해서 설명한다. 도 1 및 도 2는, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)를 도시하는 도면이다.With reference to FIGS. 1 and 2 , a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment will be described. 1 and 2 are diagrams showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment.

도 1에 도시되는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 복수의 기판(W)에 대하여 한번에 처리를 행하는 배치식의 장치이다. 기판(W)은, 예를 들어 반도체 웨이퍼이다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 is a batch type apparatus that processes a plurality of substrates W at once. The substrate W is, for example, a semiconductor wafer.

기판 처리 장치(1)는 처리 용기(10)와, 가스 공급부(30)와, 배기부(40)와, 가열부(50)와, 제어부(80)를 구비한다.The substrate processing apparatus 1 includes a processing vessel 10, a gas supply unit 30, an exhaust unit 40, a heating unit 50, and a control unit 80.

처리 용기(10)는 내부를 감압 가능하다. 처리 용기(10)는 내부에 기판(W)을 수용한다. 처리 용기(10)는 내부관(11)과, 외부관(12)을 갖는다. 내부관(11)은 하단이 개방된 천장이 있는 원통 형상을 갖는다. 외부관(12)은 하단이 개방되어 내부관(11)의 외측을 덮는 천장이 있는 원통 형상을 갖는다. 내부관(11) 및 외부관(12)은, 예를 들어 석영에 의해 형성된다. 내부관(11) 및 외부관(12)은 동축상에 배치된 이중관 구조를 갖는다.The processing vessel 10 is capable of depressurizing its interior. The processing vessel 10 accommodates a substrate W therein. The processing vessel 10 has an inner tube 11 and an outer tube 12. The inner tube 11 has a cylindrical shape with an open ceiling at the bottom. The outer tube 12 has a cylindrical shape with an open bottom and a ceiling covering the outside of the inner tube 11. The inner tube 11 and the outer tube 12 are formed of, for example, quartz. The inner tube 11 and the outer tube 12 have a double tube structure arranged coaxially.

내부관(11)의 천장은, 예를 들어 평탄하다. 내부관(11)의 일측에는, 그 길이 방향(상하 방향)을 따라서 수용부(13)가 형성된다. 예를 들어 도 2에 도시되는 바와 같이, 내부관(11)의 측벽의 일부를 외측을 향하여 돌출시켜서 볼록부(14)를 형성하고, 볼록부(14) 내를 수용부(13)로 형성하고 있다. 수용부(13)는, 후술하는 가스 노즐(31a, 32a)을 수용한다.The ceiling of the inner tube 11 is, for example, flat. On one side of the inner tube 11, a receiving portion 13 is formed along its longitudinal direction (up and down direction). For example, as shown in FIG. 2, a portion of the side wall of the inner tube 11 is protruded outward to form a convex portion 14, and the inside of the convex portion 14 is formed as a receiving portion 13. there is. The accommodating portion 13 accommodates gas nozzles 31a and 32a described later.

수용부(13)에 대향시켜서 내부관(11)의 반대측의 측벽에는, 그 길이 방향(상하 방향)을 따라서 직사각 형상의 개구(15)가 형성된다. 개구(15)는 내부관(11) 내의 가스를 배기할 수 있도록 형성된 가스 배기구이다. 개구(15)의 길이는, 기판 보유 지지구(16)의 길이와 동일하거나, 또는 기판 보유 지지구(16)의 길이보다도 길게 상하 방향으로 각각 연장되도록 하여 형성된다.A rectangular opening 15 is formed along the longitudinal direction (up and down direction) on the side wall on the opposite side of the inner tube 11, which faces the accommodating part 13. The opening 15 is a gas exhaust port formed to exhaust the gas in the inner tube 11. The length of the opening 15 is the same as the length of the substrate holding tool 16, or is formed to extend in the vertical direction longer than the length of the substrate holding tool 16.

처리 용기(10)의 하단은, 원통 형상의 매니폴드(17)에 의해 지지된다. 매니폴드(17)는, 예를 들어 스테인리스강에 의해 형성된다. 매니폴드(17)의 상단에는, 플랜지(18)가 형성된다. 플랜지(18)는 외부관(12)의 하단을 지지한다. 플랜지(18)와 외부관(12)과의 하단 사이에는, O링 등의 시일 부재(19)가 마련된다. 이에 의해, 외부관(12) 내가 기밀하게 유지된다.The lower end of the processing vessel 10 is supported by a cylindrical manifold 17. The manifold 17 is formed of stainless steel, for example. At the top of the manifold 17, a flange 18 is formed. The flange 18 supports the lower end of the outer tube 12. A sealing member 19 such as an O-ring is provided between the flange 18 and the lower end of the outer pipe 12. Thereby, the inside of the external tube 12 is kept airtight.

매니폴드(17)의 상부의 내벽에는, 원환상의 지지부(20)가 마련된다. 지지부(20)는 내부관(11)의 하단을 지지한다. 매니폴드(17)의 하단의 개구에는, 덮개(21)가 O링 등의 시일 부재(22)를 통해 기밀하게 설치된다. 이에 의해, 처리 용기(10)의 하단의 개구, 즉, 매니폴드(17)의 개구가 기밀하게 막힌다. 덮개(21)는, 예를 들어 스테인리스강에 의해 형성된다.An annular support portion 20 is provided on the upper inner wall of the manifold 17. The support portion 20 supports the lower end of the inner tube 11. A cover 21 is airtightly installed in the opening at the lower end of the manifold 17 via a sealing member 22 such as an O-ring. As a result, the opening at the lower end of the processing vessel 10, that is, the opening of the manifold 17, is airtightly closed. The cover 21 is made of stainless steel, for example.

덮개(21)의 중앙부에는, 자성 유체 시일(23)을 통해 회전축(24)이 관통시켜서 마련된다. 회전축(24)의 하부는, 보트 엘리베이터로 이루어지는 승강 기구(25)의 암(25A)에 회전 가능하게 지지된다.At the center of the cover 21, a rotating shaft 24 is provided through a magnetic fluid seal 23. The lower part of the rotating shaft 24 is rotatably supported by the arm 25A of the lifting mechanism 25 made of a boat elevator.

회전축(24)의 상단에는, 회전 플레이트(26)가 마련된다. 회전 플레이트(26) 상에는, 석영제의 보온대(27)를 통해 기판(W)을 보유 지지하는 기판 보유 지지구(16)가 적재된다. 기판 보유 지지구(16)는 회전축(24)을 회전시킴으로써 회전한다. 기판 보유 지지구(16)는 승강 기구(25)를 승강시킴으로써 덮개(21)와 일체로서 상하 이동한다. 이에 의해, 기판 보유 지지구(16)는 처리 용기(10) 내에 대하여 삽입 분리된다. 기판 보유 지지구(16)는 처리 용기(10) 내에 수용 가능하다. 기판 보유 지지구(16)는 복수(예를 들어 50 내지 100매)의 기판(W)을 연직 방향으로 간격을 두고 다단으로 보유 지지한다. 각 기판(W)은, 수평 자세로 보유 지지된다. 기판 보유 지지구(16)의 상세에 대해서는 후술한다.A rotation plate 26 is provided at the upper end of the rotation shaft 24. On the rotating plate 26, a substrate holding tool 16 that holds the substrate W is placed via a quartz warming band 27. The substrate holding tool 16 rotates by rotating the rotation axis 24. The substrate holding tool 16 moves up and down as one body with the cover 21 by raising and lowering the lifting mechanism 25 . As a result, the substrate holding tool 16 is inserted and separated from the processing container 10 . The substrate holding tool 16 can be accommodated within the processing container 10 . The substrate holding tool 16 holds a plurality of substrates W (for example, 50 to 100 sheets) in multiple stages at intervals in the vertical direction. Each substrate W is held in a horizontal position. Details of the substrate holding tool 16 will be described later.

가스 공급부(30)는 각종 가스를 내부관(11) 내에 도입 가능하게 구성된다. 가스 공급부(30)는 제1 가스 공급부(31)와, 제2 가스 공급부(32)와, 제3 가스 공급부(33)와, 제4 가스 공급부(34)와, 제5 가스 공급부(35)를 갖는다.The gas supply unit 30 is configured to introduce various gases into the inner tube 11. The gas supply unit 30 includes a first gas supply unit 31, a second gas supply unit 32, a third gas supply unit 33, a fourth gas supply unit 34, and a fifth gas supply unit 35. have

제1 가스 공급부(31)는 처리 용기(10) 내에 가스 노즐(31a)을 구비함과 함께, 처리 용기(10)의 외부에 가스 공급 유로(31b)를 구비한다. 가스 공급 유로(31b)에는, 가스의 유통 방향의 상류로부터 하류를 향하여 차례로, 제1 처리 가스의 공급원(31c), 매스 플로 컨트롤러(31d), 밸브(31e)가 마련된다. 이에 의해, 제1 처리 가스의 공급원(31c)의 제1 처리 가스는, 밸브(31e)에 의해 공급 타이밍이 제어됨과 함께, 매스 플로 컨트롤러(31d)에 의해 소정의 유량으로 조정된다. 제1 처리 가스는, 가스 공급 유로(31b)로부터 가스 노즐(31a)에 유입하여, 가스 노즐(31a)로부터 처리 용기(10) 내로 토출된다. 제1 처리 가스는, 예를 들어 실리콘 함유 가스, 금속 함유 가스여도 된다. 제1 가스 공급부(31)는 퍼지 가스의 공급원을 포함하고, 가스 노즐(31a)로부터 처리 용기(10) 내에 퍼지 가스를 토출 가능하게 구성되어도 된다. 퍼지 가스는, 예를 들어 불활성 가스여도 된다.The first gas supply unit 31 includes a gas nozzle 31a within the processing container 10 and includes a gas supply passage 31b outside the processing container 10. In the gas supply passage 31b, a first processing gas supply source 31c, a mass flow controller 31d, and a valve 31e are provided in order from upstream to downstream in the gas distribution direction. Accordingly, the supply timing of the first processing gas from the first processing gas supply source 31c is controlled by the valve 31e and the flow rate is adjusted to a predetermined flow rate by the mass flow controller 31d. The first processing gas flows into the gas nozzle 31a from the gas supply passage 31b and is discharged into the processing container 10 from the gas nozzle 31a. The first processing gas may be, for example, a silicon-containing gas or a metal-containing gas. The first gas supply unit 31 may include a purge gas supply source and be configured to discharge the purge gas into the processing container 10 from the gas nozzle 31a. The purge gas may be, for example, an inert gas.

제2 가스 공급부(32)는 처리 용기(10) 내에 가스 노즐(32a)을 구비함과 함께, 처리 용기(10)의 외부에 가스 공급 유로(32b)를 구비한다. 가스 공급 유로(32b)에는, 가스의 유통 방향의 상류로부터 하류를 향하여 차례로, 제2 처리 가스의 공급원(32c), 매스 플로 컨트롤러(32d), 밸브(32e)가 마련된다. 이에 의해, 제2 처리 가스의 공급원(32c)의 제2 처리 가스는, 밸브(32e)에 의해 공급 타이밍이 제어됨과 함께, 매스 플로 컨트롤러(32d)에 의해 소정의 유량으로 조정된다. 제2 처리 가스는, 가스 공급 유로(32b)로부터 가스 노즐(32a)에 유입하여, 가스 노즐(32a)로부터 처리 용기(10) 내로 토출된다. 제2 처리 가스는, 예를 들어 산화 가스, 질화 가스여도 된다. 제2 가스 공급부(32)는 퍼지 가스의 공급원을 포함하고, 가스 노즐(32a)로부터 처리 용기(10) 내에 퍼지 가스를 토출 가능하게 구성되어도 된다.The second gas supply unit 32 includes a gas nozzle 32a within the processing container 10 and includes a gas supply passage 32b outside the processing container 10. In the gas supply passage 32b, a second processing gas supply source 32c, a mass flow controller 32d, and a valve 32e are provided in order from upstream to downstream in the gas distribution direction. Accordingly, the supply timing of the second processing gas from the second processing gas supply source 32c is controlled by the valve 32e, and the mass flow controller 32d adjusts the flow rate to a predetermined level. The second processing gas flows into the gas nozzle 32a from the gas supply passage 32b and is discharged into the processing container 10 from the gas nozzle 32a. The second processing gas may be, for example, an oxidizing gas or a nitriding gas. The second gas supply unit 32 may include a purge gas supply source and be configured to discharge the purge gas into the processing container 10 from the gas nozzle 32a.

가스 노즐(31a, 32a)은, 매니폴드(17)에 고정된다. 가스 노즐(31a, 32a)은, 예를 들어 석영에 의해 형성된다. 가스 노즐(31a, 32a)은, 내부관(11)의 근방 위치를 연직 방향을 따라서 직선상으로 연장됨과 함께, 매니폴드(17) 내에 있어서 L자상으로 굴곡되어 수평 방향으로 연장됨으로써, 매니폴드(17)를 관통한다. 가스 노즐(31a, 32a)은, 예를 들어 도 2에 도시되는 바와 같이, 내부관(11)의 둘레 방향을 따라서 나란히 마련된다. 가스 노즐(31a, 32a)은, 예를 들어 서로 동일한 높이로 형성된다.The gas nozzles 31a and 32a are fixed to the manifold 17. The gas nozzles 31a and 32a are formed of, for example, quartz. The gas nozzles 31a and 32a extend linearly along the vertical direction at a position near the inner pipe 11, and are bent in an L-shape within the manifold 17 and extend in the horizontal direction, forming the manifold ( 17). Gas nozzles 31a and 32a are provided side by side along the circumferential direction of the inner tube 11, for example, as shown in FIG. 2. The gas nozzles 31a and 32a are, for example, formed at the same height.

가스 노즐(31a)에 있어서 내부관(11) 내에 위치하는 부위에는, 복수의 가스 구멍(31f)이 마련된다. 가스 노즐(32a)에 있어서 내부관(11) 내에 위치하는 부위에는, 복수의 가스 구멍(32f)이 마련된다. 가스 구멍(31f, 32f)은, 각각의 가스 노즐(31a, 32a)의 연장 방향을 따라서 소정의 간격마다 형성된다. 가스 구멍(31f, 32f)은, 수평 방향을 향하여 가스를 방출한다. 각 가스 구멍(31f)끼리의 간격은, 예를 들어 기판 보유 지지구(16)에 보유 지지되는 기판(W)의 간격과 동일하게 설정된다. 각 가스 구멍(31f)의 높이 방향의 위치는, 상하 방향으로 인접하는 기판(W)의 사이의 중간 위치로 설정된다. 이에 의해, 각 가스 구멍(31f)은 인접하는 기판(W)의 사이의 대향면에 가스를 효율적으로 공급할 수 있다. 가스 구멍(32f)에 대해서도, 가스 구멍(31f)과 마찬가지여도 된다.A plurality of gas holes 31f are provided in a portion of the gas nozzle 31a located within the inner tube 11. A plurality of gas holes 32f are provided in the portion of the gas nozzle 32a located within the inner tube 11. Gas holes 31f and 32f are formed at predetermined intervals along the extending direction of each gas nozzle 31a and 32a. The gas holes 31f and 32f emit gas toward the horizontal direction. The spacing between each gas hole 31f is set to be the same as the spacing between the substrates W held by the substrate holding tool 16, for example. The height direction position of each gas hole 31f is set to an intermediate position between substrates W adjacent in the vertical direction. As a result, each gas hole 31f can efficiently supply gas to opposing surfaces between adjacent substrates W. The gas hole 32f may be the same as the gas hole 31f.

제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)의 상세에 대해서는 후술한다.Details of the third gas supply unit 33, fourth gas supply unit 34, and fifth gas supply unit 35 will be described later.

가스 공급부(30)는, 복수 종류의 가스를 혼합하여 1개의 가스 노즐로부터 혼합한 가스를 토출해도 된다. 가스 노즐(31a)과 가스 노즐(32a)은, 서로 다른 형상이나 배치여도 된다. 가스 공급부(30)는 제1 처리 가스, 제2 처리 가스, 퍼지 가스 외에, 다른 가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함해도 된다.The gas supply unit 30 may mix multiple types of gas and discharge the mixed gas from one gas nozzle. The gas nozzle 31a and the gas nozzle 32a may have different shapes or arrangements. The gas supply unit 30 may further include a gas supply unit that supplies other gases in addition to the first processing gas, the second processing gas, and the purge gas.

배기부(40)는 내부관(11) 내로부터 개구(15)를 통해 배출되고, 내부관(11)과 외부관(12) 사이의 공간 P1을 통해 가스 출구(41)로부터 배출되는 가스를 배기한다. 가스 출구(41)는 매니폴드(17)의 상부의 측벽이며, 지지부(20)의 상방으로 형성된다. 가스 출구(41)에는 배기 유로(42)가 접속된다. 배기 유로(42)에는 압력 조정 밸브(43) 및 진공 펌프(44)가 순차 개재 설치된다. 배기부(40)는 압력 조정 밸브(43)에 의해 처리 용기(10) 내의 압력을 조정하면서, 진공 펌프(44)에 의해 처리 용기(10) 내를 진공화한다.The exhaust unit 40 exhausts the gas discharged from the inner tube 11 through the opening 15 and the gas discharged from the gas outlet 41 through the space P1 between the inner tube 11 and the outer tube 12. do. The gas outlet 41 is a side wall of the upper part of the manifold 17 and is formed above the support portion 20. An exhaust passage 42 is connected to the gas outlet 41. A pressure adjustment valve 43 and a vacuum pump 44 are sequentially installed in the exhaust passage 42. The exhaust unit 40 adjusts the pressure inside the processing container 10 using the pressure adjustment valve 43 and evacuates the inside of the processing container 10 using the vacuum pump 44 .

가열부(50)는 외부관(12)의 주위에 마련되고, 외부관(12)을 덮는다. 가열부(50)는, 예를 들어 베이스 플레이트(28) 상에 마련된다. 가열부(50)는, 예를 들어 원통 형상을 갖는다. 가열부(50)는, 예를 들어 히터를 포함한다. 가열부(50)는 처리 용기(10) 내의 기판(W)을 소정의 온도로 가열한다.The heating unit 50 is provided around the external tube 12 and covers the external tube 12. The heating unit 50 is provided on the base plate 28, for example. The heating unit 50 has a cylindrical shape, for example. The heating unit 50 includes, for example, a heater. The heating unit 50 heats the substrate W within the processing container 10 to a predetermined temperature.

제어부(80)는 기판 처리 장치(1)의 각 부의 동작을 제어한다. 제어부(80)는, 예를 들어 컴퓨터여도 된다. 기판 처리 장치(1)의 각 부의 동작을 행하는 컴퓨터의 프로그램은 기억 매체(90)에 기억되어 있다. 기억 매체(90)는, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 플래시 메모리, DVD 등이어도 된다.The control unit 80 controls the operation of each part of the substrate processing apparatus 1. The control unit 80 may be, for example, a computer. A computer program that performs the operation of each part of the substrate processing apparatus 1 is stored in the storage medium 90. The storage medium 90 may be, for example, a flexible disk, compact disk, hard disk, flash memory, DVD, etc.

도 1 및 도 2 외에도, 도 3 내지 도 5도 참조하여, 기판 보유 지지구(16), 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)에 대해서 설명한다. 도 3은 기판 보유 지지구(16)의 일례를 도시하는 도면이다. 도 4는 기판 보유 지지구(16)의 다른 일례를 도시하는 도면이다. 도 3 및 도 4는 기판 처리 장치(1)의 종단면의 일부를 도시하는 도면이다. 도 5는 토출부(33a, 34a, 35a)의 배치예를 도시하는 도면이다. 도 5는 구획판(165)을 하방으로부터 본 도면이다.In addition to FIGS. 1 and 2, the substrate holding device 16, the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35 will be described with reference to FIGS. 3 to 5. do. FIG. 3 is a diagram showing an example of the substrate holding tool 16. FIG. 4 is a diagram showing another example of the substrate holding tool 16. 3 and 4 are diagrams showing a portion of a longitudinal cross section of the substrate processing apparatus 1. Fig. 5 is a diagram showing an example of the arrangement of the discharge portions 33a, 34a, and 35a. Figure 5 is a view of the partition plate 165 viewed from below.

기판 보유 지지구(16)는 천장판(161)과, 저판(162)과, 지주(163)와, 갈고리(164)와, 구획판(165)을 갖는다.The substrate holding tool 16 has a top plate 161, a bottom plate 162, a support 163, a hook 164, and a partition plate 165.

천장판(161)은 원판상을 갖는다. 천장판(161)은 수평 자세로 기판 보유 지지구(16)의 최상부에 마련된다.The ceiling plate 161 has a disk shape. The ceiling plate 161 is provided on the uppermost part of the substrate holding device 16 in a horizontal position.

저판(162)은 원판상을 갖는다. 저판(162)은 수평 자세로 기판 보유 지지구(16)의 최하부에 마련된다. 저판(162)은 천장판(161)과 대향한다.The bottom plate 162 has a disk shape. The bottom plate 162 is provided at the lowermost part of the substrate holding device 16 in a horizontal position. The bottom plate 162 faces the ceiling plate 161.

지주(163)는 연직 방향을 따라서 연장되는 중공의 막대 형상을 갖는다. 지주(163)는 천장판(161)과 저판(162)을 그 주연부에 있어서 연결한다. 지주(163)는, 예를 들어 천장판(161) 및 저판(162)의 둘레 방향을 따라서 3개 마련된다. 이하, 3개의 지주(163)를 구별하는 경우, 지주(163a, 163b, 163c)라고 칭한다. 지주(163)는 2개여도 되고, 4개 이상이어도 된다.The support 163 has a hollow rod shape extending along the vertical direction. The support 163 connects the ceiling plate 161 and the bottom plate 162 at its peripheral portion. Three supports 163 are provided, for example, along the circumferential direction of the ceiling plate 161 and the bottom plate 162. Hereinafter, when the three pillars 163 are distinguished, they are referred to as pillars 163a, 163b, and 163c. There may be two supports 163, or there may be four or more.

갈고리(164)는, 각 지주(163)로부터 기판 보유 지지구(16)의 중심을 향하여 연장된다. 갈고리(164)는 기판(W)을 보유 지지한다. 지주(163a)에 마련되는 갈고리(164a)와, 지주(163b)에 마련되는 갈고리(164b)와, 지주(163c)에 마련되는 갈고리(164c)는, 동일한 높이 위치에 마련된다. 이에 의해, 갈고리(164a, 164b, 164c)는 기판(W)을 수평 자세로 보유 지지한다. 갈고리(164a, 164b, 164c)는, 각각 지주(163a, 163b, 163c)의 연직 방향으로 간격을 두고 복수 마련된다. 각 지주(163a, 163b, 163c)에 마련되는 갈고리(164a, 164b, 164c)의 수는, 기판 보유 지지구(16)가 보유 지지하는 기판(W)의 매수에 따라서 정해진다. 갈고리(164)를 대신하여 각 지주(163)에 홈을 마련하고, 홈에 의해 기판(W)을 보유 지지해도 된다.The hook 164 extends from each support 163 toward the center of the substrate holding tool 16 . The hook 164 holds and supports the substrate W. The hook 164a provided on the support 163a, the hook 164b provided on the support 163b, and the hook 164c provided on the support 163c are provided at the same height. Thereby, the hooks 164a, 164b, and 164c hold the substrate W in a horizontal position. A plurality of hooks 164a, 164b, and 164c are provided at intervals in the vertical direction of the struts 163a, 163b, and 163c, respectively. The number of hooks 164a, 164b, 164c provided on each support 163a, 163b, 163c is determined according to the number of substrates W held by the substrate holding member 16. Instead of the hook 164, a groove may be provided in each support 163, and the substrate W may be held by the groove.

구획판(165)은 원판상을 갖는다. 구획판(165)은 갈고리(164)에 보유 지지되는 기판(W)의 상면에 대향하여 마련된다. 구획판(165)은 연직 방향에 있어서 인접하는 기판(W)의 사이에 마련된다. 구획판(165)은 연직 방향에 있어서 인접하는 기판(W)의 사이를 구획한다. 구획판(165)은 연직 방향으로 간격을 두고 다단으로 마련된다. 각 구획판(165)은 복수의 지주(163a, 163b, 163c)에 고정된다.The partition plate 165 has a disk shape. The partition plate 165 is provided to face the upper surface of the substrate W held by the hooks 164. The partition plate 165 is provided between adjacent substrates W in the vertical direction. The partition plate 165 partitions adjacent substrates W in the vertical direction. The partition plate 165 is provided in multiple stages at intervals in the vertical direction. Each partition plate 165 is fixed to a plurality of supports 163a, 163b, and 163c.

제3 가스 공급부(33)는 토출부(33a)와, 가스 분기 유로(33b)와, 가스 공급 유로(33c)와, 퍼지 가스의 공급원(33d)과, 제1 처리 가스의 공급원(33e)을 갖는다.The third gas supply part 33 includes a discharge part 33a, a gas branch flow path 33b, a gas supply flow path 33c, a purge gas source 33d, and a first processing gas source 33e. have

제4 가스 공급부(34)는 토출부(34a)와, 가스 분기 유로(34b)와, 가스 공급 유로(34c)와, 퍼지 가스의 공급원(34d)과, 제2 처리 가스의 공급원(34e)을 갖는다.The fourth gas supply part 34 includes a discharge part 34a, a gas branch flow path 34b, a gas supply flow path 34c, a purge gas source 34d, and a second processing gas source 34e. have

제5 가스 공급부(35)는 토출부(35a)와, 가스 분기 유로(35b)와, 가스 공급 유로(35c)와, 퍼지 가스의 공급원(35d)을 갖는다.The fifth gas supply part 35 has a discharge part 35a, a gas branch flow path 35b, a gas supply flow path 35c, and a purge gas supply source 35d.

각 토출부(33a, 34a, 35a)는, 구획판(165)의 하면에 마련된다. 각 토출부(33a, 34a, 35a)는, 갈고리(164)에 보유 지지된 기판(W)의 상면을 향하여 가스를 토출한다. 복수의 토출부(33a, 34a, 35a)는, 독립적으로 가스의 급단이 제어 가능하게 구성된다. 복수의 토출부(33a, 34a, 35a)는, 도 5에 도시되는 바와 같이, 구획판(165)의 직경 방향의 다른 위치에 마련된다. 토출부(33a)는 구획판(165)의 중앙부에 마련된다. 토출부(34a)는 토출부(33a)의 주위에 마련된다. 토출부(35a)는 토출부(34a)의 주위에 마련된다. 토출부(35a)는 구획판(165)의 주연부에 마련된다. 각 토출부(33a, 34a, 35a)는, 예를 들어 구획판(165)의 둘레 방향을 따라서 마련되는 복수의 가스 구멍(33f, 34f, 35f)을 갖는다. 각 토출부(33a, 34a, 35a)는, 복수의 가스 구멍(33f, 34f, 35f)으로부터 기판(W)의 상면을 향하여 가스를 토출한다.Each discharge portion 33a, 34a, and 35a is provided on the lower surface of the partition plate 165. Each discharge portion 33a, 34a, and 35a discharges gas toward the upper surface of the substrate W held by the hook 164. The plurality of discharge portions 33a, 34a, and 35a are configured to independently control gas supply and interruption. As shown in FIG. 5 , a plurality of discharge portions 33a, 34a, and 35a are provided at different positions in the radial direction of the partition plate 165. The discharge portion 33a is provided in the central portion of the partition plate 165. The discharge portion 34a is provided around the discharge portion 33a. The discharge portion 35a is provided around the discharge portion 34a. The discharge portion 35a is provided on the periphery of the partition plate 165. Each of the discharge portions 33a, 34a, and 35a has, for example, a plurality of gas holes 33f, 34f, and 35f provided along the circumferential direction of the partition plate 165. Each discharge portion 33a, 34a, and 35a discharges gas toward the upper surface of the substrate W from the plurality of gas holes 33f, 34f, and 35f.

복수의 가스 구멍(33f, 34f, 35f)은, 예를 들어 도 3에 도시되는 바와 같이, 연직 방향 바로 아래를 향하여 가스를 토출하도록 구성된다. 복수의 가스 구멍(33f, 34f, 35f)은, 예를 들어 도 4에 도시되는 바와 같이, 연직 방향 바로 아래에 대하여 구획판(165)의 외측을 향하여 가스를 토출하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 복수의 가스 구멍(33f, 34f, 35f)으로부터 토출되는 가스가 처리 용기(10)의 중심으로부터 외측을 향하는 흐름을 형성한다. 예를 들어, 복수의 가스 구멍(33f, 34f, 35f)으로부터 토출되는 가스가 퍼지 가스인 경우, 퍼지 효율이 높아진다.The plurality of gas holes 33f, 34f, and 35f are configured to discharge gas directly downward in the vertical direction, for example, as shown in FIG. 3. The plurality of gas holes 33f, 34f, and 35f may be configured to discharge gas toward the outside of the partition plate 165 directly below the vertical direction, as shown in FIG. 4, for example. In this case, the gas discharged from the plurality of gas holes 33f, 34f, and 35f forms a flow from the center of the processing container 10 toward the outside. For example, when the gas discharged from the plurality of gas holes 33f, 34f, and 35f is purge gas, purge efficiency increases.

가스 분기 유로(33b, 34b, 35b)는 구획판(165)의 내부에 마련된다. 가스 분기 유로(33b, 34b, 35b)는, 각각 가스 공급 유로(33c, 34c, 35c) 및 가스 구멍(33f, 34f, 35f)과 연통한다. 가스 분기 유로(33b, 34b, 35b)는, 각각 가스 공급 유로(33c, 34c, 35c)로부터 도입되는 가스를 가스 구멍(33f, 34f, 35f)에 공급한다.Gas branch flow paths 33b, 34b, and 35b are provided inside the partition plate 165. The gas branch flow paths 33b, 34b, and 35b communicate with the gas supply flow paths 33c, 34c, and 35c and the gas holes 33f, 34f, and 35f, respectively. The gas branch flow paths 33b, 34b, and 35b supply gas introduced from the gas supply flow paths 33c, 34c, and 35c, respectively, to the gas holes 33f, 34f, and 35f.

가스 공급 유로(33c, 34c, 35c)는, 각각 지주(163a, 163b, 163c)의 내부에 마련된다. 가스 공급 유로(33c, 34c, 35c)의 하단은, 각각 퍼지 가스의 공급원(33d, 34d, 35d)에 접속된다. 가스 공급 유로(33c, 34c, 35c)에는, 각각 퍼지 가스의 공급원(33d, 34d, 35d)으로부터 퍼지 가스가 도입된다. 퍼지 가스의 공급원(33d, 34d, 35d)은 매스 플로 컨트롤러, 밸브 등을 포함해도 된다. 퍼지 가스는, 예를 들어 불활성 가스여도 된다.The gas supply passages 33c, 34c, and 35c are provided inside the struts 163a, 163b, and 163c, respectively. The lower ends of the gas supply passages 33c, 34c, and 35c are connected to purge gas supply sources 33d, 34d, and 35d, respectively. Purge gas is introduced into the gas supply passages 33c, 34c, and 35c from purge gas supply sources 33d, 34d, and 35d, respectively. The purge gas sources 33d, 34d, and 35d may include a mass flow controller, a valve, etc. The purge gas may be, for example, an inert gas.

가스 공급 유로(33c, 34c, 35c)의 하단은, 처리 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어도 된다. 예를 들어, 가스 공급 유로(33c)의 하단이 제1 처리 가스의 공급원(33e)에 접속되고, 가스 공급 유로(33c)에 제1 처리 가스가 도입 가능하게 구성되어도 된다. 예를 들어, 가스 공급 유로(34c)의 하단이 제2 처리 가스의 공급원(34e)에 접속되고, 가스 공급 유로(34c)에 제2 처리 가스가 도입 가능하게 구성되어도 된다. 제1 처리 가스의 공급원(33e) 및 제2 처리 가스의 공급원(34e)은, 각각 매스 플로 컨트롤러, 밸브 등을 포함해도 된다. 제1 처리 가스의 공급원(33e)은 제1 처리 가스의 공급원(31c)과 공통이어도 된다. 제2 처리 가스의 공급원(34e)은 제2 처리 가스의 공급원(32c)과 공통이어도 된다.The lower ends of the gas supply passages 33c, 34c, and 35c may be connected to a supply source (not shown) of the processing gas. For example, the lower end of the gas supply passage 33c may be connected to the supply source 33e of the first processing gas, and the first processing gas may be introduced into the gas supply passage 33c. For example, the lower end of the gas supply passage 34c may be connected to the supply source 34e of the second processing gas, and the second processing gas may be introduced into the gas supply passage 34c. The first processing gas supply source 33e and the second processing gas supply source 34e may each include a mass flow controller, a valve, or the like. The source 33e of the first process gas may be common to the source 31c of the first process gas. The source 34e of the second process gas may be common to the source 32c of the second process gas.

제어부(80)는 가스 공급부(30)를 제어하도록 구성된다.The control unit 80 is configured to control the gas supply unit 30.

예를 들어, 제어부(80)는 구획판(165)의 중심으로부터 가까운 토출부(33a)로부터 구획판(165)의 중심으로부터 먼 토출부(35a)를 향하여 차례로 퍼지 가스를 토출하도록 가스 공급부(30)를 제어한다. 이 경우, 기판(W)과 구획판(165) 사이의 공간의 압력을 처리 용기(10) 내의 압력보다도 상대적으로 높게 할 수 있다. 이에 의해, 기판(W) 상에 잔류하는 불필요한 분자를 효율적으로 제거할 수 있다. 특히, 기판(W)이 트렌치 등의 오목부를 표면에 갖는 경우, 오목부의 내부의 압력을 처리 용기(10) 내의 압력보다도 상대적으로 높게 할 수 있으므로, 오목부의 내부의 깊은 위치에 남는 불필요한 분자를 제거할 수 있다. 그 결과, 오목부의 내부에 단차 피복성이 양호한 막을 형성할 수 있다.For example, the control unit 80 operates the gas supply unit 30 to sequentially discharge the purge gas from the discharge part 33a close to the center of the partition plate 165 toward the discharge part 35a far from the center of the partition plate 165. ) is controlled. In this case, the pressure of the space between the substrate W and the partition plate 165 can be made relatively higher than the pressure inside the processing container 10. As a result, unnecessary molecules remaining on the substrate W can be efficiently removed. In particular, when the substrate W has a concave portion such as a trench on the surface, the pressure inside the concave portion can be made relatively higher than the pressure inside the processing vessel 10, thereby eliminating unnecessary molecules remaining deep inside the concave portion. can do. As a result, a film with good step coverage can be formed inside the concave portion.

예를 들어, 제어부(80)는 가스 노즐(31a)로부터 제1 처리 가스를 토출하면서, 복수의 토출부(33a)로부터 제1 처리 가스를 토출하고, 가스 노즐(31a)로부터 토출되는 제1 처리 가스를 보충하도록 가스 공급부(30)를 제어한다. 이에 의해, 기판(W)으로의 제1 처리 가스의 공급량을 증가시킬 수 있다.For example, the control unit 80 discharges the first processing gas from the gas nozzle 31a, discharges the first processing gas from the plurality of discharge units 33a, and discharges the first processing gas discharged from the gas nozzle 31a. The gas supply unit 30 is controlled to replenish gas. As a result, the supply amount of the first processing gas to the substrate W can be increased.

예를 들어, 제어부(80)는 가스 노즐(32a)로부터 제2 처리 가스를 토출하면서, 복수의 토출부(34a)로부터 제2 처리 가스를 토출하고, 가스 노즐(32a)로부터 토출되는 제2 처리 가스를 보충하도록 가스 공급부(30)를 제어한다. 이에 의해, 기판(W)으로의 제2 처리 가스의 공급량을 증가시킬 수 있다.For example, the control unit 80 discharges the second processing gas from the gas nozzle 32a, discharges the second processing gas from the plurality of discharge units 34a, and discharges the second processing gas from the gas nozzle 32a. The gas supply unit 30 is controlled to replenish gas. As a result, the supply amount of the second processing gas to the substrate W can be increased.

이상으로 설명한 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 의하면, 기판 보유 지지구(16)가 인접하는 기판(W)의 사이를 구획하는 구획판(165)을 갖는다. 구획판(165)은 퍼지 가스를 토출하는 복수의 토출부(33a, 34a, 35a)를 하면에 갖고, 복수의 토출부(33a, 34a, 35a)는 독립적으로 퍼지 가스의 급단이 제어 가능하다. 이 경우, 각 기판(W)의 상방으로부터 각 기판(W)의 상면을 향하여 퍼지 가스를 토출하고, 기판(W)과 구획판(165) 사이의 공간의 압력을 처리 용기(10) 내의 압력보다도 상대적으로 높게 할 수 있다. 이에 의해, 기판(W) 상에 잔류하는 불필요한 분자를 효율적으로 제거할 수 있다. 특히, 기판(W)이 트렌치 등의 오목부를 표면에 갖는 경우, 오목부의 내부의 압력을 처리 용기(10) 내의 압력보다도 상대적으로 높게 할 수 있으므로, 오목부의 내부의 깊은 위치에 남는 불필요한 분자를 제거할 수 있다. 그 결과, 오목부의 내부에 단차 피복성이 양호한 막을 형성할 수 있다.According to the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment described above, the substrate holding tool 16 has a partition plate 165 that partitions adjacent substrates W. The partition plate 165 has a plurality of discharge parts (33a, 34a, 35a) on its lower surface that discharge purge gas, and the plurality of discharge parts (33a, 34a, 35a) can independently control the supply of purge gas. In this case, the purge gas is discharged from above each substrate W toward the upper surface of each substrate W, and the pressure of the space between the substrate W and the partition plate 165 is lowered than the pressure inside the processing vessel 10. It can be made relatively high. As a result, unnecessary molecules remaining on the substrate W can be efficiently removed. In particular, when the substrate W has a recessed portion such as a trench on the surface, the pressure inside the recessed portion can be made relatively higher than the pressure inside the processing vessel 10, thereby eliminating unnecessary molecules remaining deep inside the recessed portion. can do. As a result, a film with good step coverage can be formed inside the concave portion.

〔기판 처리 방법〕[Substrate processing method]

도 6을 참조하여, 기판 처리 장치(1)에 있어서 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 실시하는 경우의 동작에 대해서 설명한다. 도 6은 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 도시하는 도면이다. 도 6은 상측으로부터 차례로, 제1 가스 공급부(31)로부터 토출되는 제1 처리 가스, 제2 가스 공급부(32)로부터 토출되는 제2 처리 가스, 제3 가스 공급부(33)로부터 토출되는 퍼지 가스, 제4 가스 공급부(34)로부터 토출되는 퍼지 가스 및 제5 가스 공급부(35)로부터 토출되는 퍼지 가스의 토출 타이밍을 도시하는 타이밍 차트이다.With reference to FIG. 6 , operations when performing the substrate processing method according to the embodiment in the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 6 is a diagram showing a substrate processing method according to the embodiment. 6 shows, in order from the top, a first processing gas discharged from the first gas supply unit 31, a second processing gas discharged from the second gas supply unit 32, a purge gas discharged from the third gas supply unit 33, This is a timing chart showing the discharge timing of the purge gas discharged from the fourth gas supply unit 34 and the purge gas discharged from the fifth gas supply unit 35.

먼저, 제어부(80)는 승강 기구(25)를 제어하여, 복수의 기판(W)을 보유 지지한 기판 보유 지지구(16)를 처리 용기(10) 내에 반입하고, 덮개(21)에 의해 처리 용기(10)의 하단의 개구를 기밀하게 막아 밀폐한다. 계속해서, 제어부(80)는 배기부(40)를 제어하여 처리 용기(10) 내를 소정의 압력으로 감압하고, 가열부(50)를 제어하여 기판(W)의 온도를 소정의 온도로 조정하여 유지한다. 제어부(80)는 회전축(24)을 회전시킴으로써 기판 보유 지지구(16)를 소정의 회전 속도로 회전시켜도 된다.First, the control unit 80 controls the lifting mechanism 25 to load the substrate holding tool 16 holding the plurality of substrates W into the processing container 10 and process them with the cover 21. The opening at the bottom of the container 10 is airtightly sealed. Subsequently, the control unit 80 controls the exhaust unit 40 to depressurize the inside of the processing vessel 10 to a predetermined pressure, and controls the heating unit 50 to adjust the temperature of the substrate W to a predetermined temperature. and maintain it. The control unit 80 may rotate the substrate holding tool 16 at a predetermined rotation speed by rotating the rotation shaft 24.

다음에, 원자층 퇴적(ALD: Atomic Layer Deposition)법에 의해, 각 기판(W)에 원하는 막을 형성한다. 구체적으로는, 흡착 공정과, 제1 퍼지 공정과, 반응 공정과, 제2 퍼지 공정을 이 순서대로 포함하는 사이클을 설정 횟수만큼 반복함으로써, 각 기판(W)에 원하는 막 두께를 갖는 원하는 막을 형성한다. 설정 횟수는, 원하는 막 두께에 따라서 정해진다. ALD에 포함되는 각 공정은, 제어부(80)가 기판 처리 장치(1)의 각 부를 제어함으로써 실시된다.Next, a desired film is formed on each substrate W by the atomic layer deposition (ALD) method. Specifically, the cycle including the adsorption process, the first purge process, the reaction process, and the second purge process in this order is repeated a set number of times to form a desired film having a desired film thickness on each substrate W. do. The number of settings is determined depending on the desired film thickness. Each process included in ALD is performed by the control unit 80 controlling each part of the substrate processing apparatus 1.

흡착 공정에서는, 도 6에 도시되는 바와 같이, 제1 가스 공급부(31)로부터 처리 용기(10) 내에 제1 처리 가스를 토출하고, 각 기판(W)에 제1 처리 가스를 흡착시킨다. 흡착 공정에서는, 제1 가스 공급부(31)는 가스 노즐(31a)의 가스 구멍(31f)으로부터 인접하는 구획판(165)의 사이에 제1 처리 가스를 수평 방향으로 토출한다. 제1 처리 가스는, 예를 들어 실리콘 함유 가스, 금속 함유 가스여도 된다.In the adsorption process, as shown in FIG. 6, the first processing gas is discharged from the first gas supply unit 31 into the processing container 10, and the first processing gas is adsorbed on each substrate W. In the adsorption process, the first gas supply unit 31 discharges the first processing gas in the horizontal direction between the gas holes 31f of the gas nozzle 31a and the adjacent partition plates 165. The first processing gas may be, for example, a silicon-containing gas or a metal-containing gas.

흡착 공정에서는, 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35) 중 적어도 하나로부터 각 기판(W)의 상면을 향하여 제1 처리 가스를 토출하고, 제1 가스 공급부(31)로부터 토출되는 제1 처리 가스를 보충해도 된다. 예를 들어, 제3 가스 공급부(33)로부터 제1 처리 가스를 토출함으로써, 기판(W)의 중앙부로의 제1 처리 가스의 공급량을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 제5 가스 공급부(35)로부터 제1 처리 가스를 토출함으로써, 기판(W)의 주연부로의 제1 처리 가스의 공급량을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)로부터 제1 처리 가스를 토출함으로써, 기판(W)의 면 내 전체로의 제1 처리 가스의 공급량을 증가시킬 수 있다. 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)는, 예를 들어 연직 방향 바로 아래를 향하여 제1 처리 가스를 토출한다. 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)는 연직 방향 바로 아래에 대하여 구획판(165)의 외측을 향하여 제1 처리 가스를 토출해도 된다.In the adsorption process, the first processing gas is discharged from at least one of the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35 toward the upper surface of each substrate W, The first processing gas discharged from the gas supply unit 31 may be replenished. For example, by discharging the first processing gas from the third gas supply unit 33, the supply amount of the first processing gas to the central portion of the substrate W can be increased. For example, by discharging the first processing gas from the fifth gas supply unit 35, the supply amount of the first processing gas to the peripheral portion of the substrate W can be increased. For example, by discharging the first processing gas from the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35, the first processing gas is distributed over the entire surface of the substrate W. supply can be increased. The third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35 discharge the first processing gas, for example, directly downward in the vertical direction. The third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35 may discharge the first processing gas toward the outside of the partition plate 165 directly below the vertical direction.

흡착 공정의 후, 제1 가스 공급부(31)로부터의 제1 처리 가스의 토출을 정지한다. 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)로부터 제1 처리 가스를 토출하고 있는 경우에는, 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)로부터의 제1 처리 가스의 토출을 정지한다.After the adsorption process, discharge of the first processing gas from the first gas supply unit 31 is stopped. When the first processing gas is discharged from the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35, the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34 and stopping the discharge of the first processing gas from the fifth gas supply unit 35.

제1 퍼지 공정에서는, 도 6에 도시되는 바와 같이, 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)로부터 각 기판(W)의 상면을 향하여 퍼지 가스를 토출하고, 기판(W)과 구획판(165) 사이의 공간의 압력을 처리 용기(10) 내의 압력보다도 상대적으로 높게 한다. 이에 의해, 기판(W) 상에 잔류하는 불필요한 분자를 효율적으로 제거할 수 있다. 특히, 기판(W)이 트렌치 등의 오목부를 표면에 갖는 경우, 오목부의 내부의 압력을 처리 용기(10) 내의 압력보다도 상대적으로 높게 할 수 있으므로, 오목부의 내부의 깊은 위치에 남는 불필요한 분자를 제거할 수 있다. 그 결과, 오목부의 내부에 단차 피복성이 양호한 막을 형성할 수 있다.In the first purge process, as shown in FIG. 6, a purge gas is supplied from the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35 toward the upper surface of each substrate W. It is discharged, and the pressure in the space between the substrate W and the partition plate 165 is made relatively higher than the pressure inside the processing container 10. As a result, unnecessary molecules remaining on the substrate W can be efficiently removed. In particular, when the substrate W has a recessed portion such as a trench on the surface, the pressure inside the recessed portion can be made relatively higher than the pressure inside the processing vessel 10, thereby eliminating unnecessary molecules remaining deep inside the recessed portion. can do. As a result, a film with good step coverage can be formed inside the concave portion.

제1 퍼지 공정에서는, 예를 들어 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)의 차례로 각 기판(W)의 상면을 향하여 퍼지 가스를 토출한다. 이 경우, 퍼지 가스가 처리 용기(10)의 중심으로부터 외측을 향하는 흐름을 형성하므로, 퍼지 효율이 높아진다. 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)는 각각, 예를 들어 연직 방향 바로 아래에 대하여 구획판(165)의 외측을 향하여 퍼지 가스를 토출한다. 이 경우, 퍼지 가스가 처리 용기(10) 내의 중심으로부터 외측을 향하는 흐름을 형성하기 쉽다. 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)는 각각, 연직 방향 바로 아래를 향하여 퍼지 가스를 토출해도 된다. 퍼지 가스는, 예를 들어 불활성 가스여도 된다.In the first purge process, for example, the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35 sequentially discharge purge gas toward the upper surface of each substrate W. In this case, the purge gas forms a flow from the center of the processing vessel 10 toward the outside, thereby increasing purge efficiency. The third gas supply unit 33, fourth gas supply unit 34, and fifth gas supply unit 35 each discharge purge gas toward the outside of the partition plate 165, for example, directly below the vertical direction. In this case, the purge gas tends to flow from the center of the processing vessel 10 outward. The third gas supply part 33, the fourth gas supply part 34, and the fifth gas supply part 35 may each discharge the purge gas directly downward in the vertical direction. The purge gas may be, for example, an inert gas.

구체적으로는, 먼저 제3 가스 공급부(33)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시한다. 다음에, 제3 가스 공급부(33)로부터의 퍼지 가스의 토출을 계속한 상태에서, 제4 가스 공급부(34)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시한다. 다음에, 제3 가스 공급부(33)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지한다. 다음에, 제4 가스 공급부(34)로부터의 퍼지 가스의 토출을 계속한 상태에서, 제5 가스 공급부(35)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시한다. 다음에, 제4 가스 공급부(34)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지한다. 다음에, 제5 가스 공급부(35)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지한다.Specifically, first, discharge of the purge gas from the third gas supply unit 33 is started. Next, while the purge gas is continued to be discharged from the third gas supply section 33, the discharge of the purge gas from the fourth gas supply section 34 is started. Next, discharge of the purge gas from the third gas supply unit 33 is stopped. Next, while the discharge of the purge gas from the fourth gas supply section 34 is continued, discharge of the purge gas from the fifth gas supply section 35 is started. Next, discharge of the purge gas from the fourth gas supply unit 34 is stopped. Next, discharge of the purge gas from the fifth gas supply unit 35 is stopped.

반응 공정에서는, 도 6에 도시되는 바와 같이, 제2 가스 공급부(32)로부터 처리 용기(10) 내에 제2 처리 가스를 토출하고, 각 기판(W)에 흡착된 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 반응시켜서 반응 생성물을 생성한다. 반응 공정에서는, 제2 가스 공급부(32)는 가스 노즐(32a)의 가스 구멍(32f)으로부터 인접하는 구획판(165)의 사이에 제2 처리 가스를 수평 방향으로 토출한다. 제2 처리 가스는, 예를 들어 산화 가스, 질화 가스여도 된다. 반응 생성물은, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 금속 산화막, 금속 질화막이어도 된다.In the reaction process, as shown in FIG. 6, the second processing gas is discharged from the second gas supply unit 32 into the processing container 10, and the first processing gas and the second processing gas adsorbed on each substrate W are combined. Gases are reacted to produce reaction products. In the reaction process, the second gas supply unit 32 discharges the second processing gas in the horizontal direction from the gas hole 32f of the gas nozzle 32a to the adjacent partition plates 165. The second processing gas may be, for example, an oxidizing gas or a nitriding gas. The reaction product may be, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a metal oxide film, or a metal nitride film.

반응 공정에서는, 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35) 중 적어도 하나로부터 각 기판(W)의 상면을 향하여 제2 처리 가스를 토출하고, 제2 가스 공급부(32)로부터 토출되는 제2 처리 가스를 보충해도 된다. 예를 들어, 제3 가스 공급부(33)로부터 제2 처리 가스를 토출함으로써, 기판(W)의 중앙부로의 제2 처리 가스의 공급량을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 제5 가스 공급부(35)로부터 제2 처리 가스를 토출함으로써, 기판(W)의 주연부로의 제2 처리 가스의 공급량을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)로부터 제2 처리 가스를 토출함으로써, 기판(W)의 면 내 전체로의 제2 처리 가스의 공급량을 증가시킬 수 있다. 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)는, 예를 들어 연직 방향 바로 아래를 향하여 제2 처리 가스를 토출한다. 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)는 연직 방향 바로 아래에 대하여 구획판(165)의 외측을 향하여 제2 처리 가스를 토출해도 된다.In the reaction process, a second processing gas is discharged from at least one of the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35 toward the upper surface of each substrate W, The second processing gas discharged from the gas supply unit 32 may be supplemented. For example, by discharging the second processing gas from the third gas supply unit 33, the supply amount of the second processing gas to the central portion of the substrate W can be increased. For example, by discharging the second processing gas from the fifth gas supply unit 35, the supply amount of the second processing gas to the peripheral portion of the substrate W can be increased. For example, by discharging the second processing gas from the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35, the second processing gas is distributed over the entire surface of the substrate W. supply can be increased. The third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35 discharge the second processing gas, for example, directly downward in the vertical direction. The third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35 may discharge the second processing gas toward the outside of the partition plate 165 directly below the vertical direction.

반응 공정의 후, 제2 가스 공급부(32)로부터의 제2 처리 가스의 토출을 정지한다. 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)로부터 제2 처리 가스를 토출하고 있는 경우에는, 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)로부터의 제2 처리 가스의 토출을 정지한다.After the reaction process, discharge of the second processing gas from the second gas supply unit 32 is stopped. When the second processing gas is being discharged from the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35, the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34 and stopping the discharge of the second processing gas from the fifth gas supply unit 35.

제2 퍼지 공정에서는, 도 6에 도시되는 바와 같이, 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35)로부터 각 기판(W)의 상면을 향하여 퍼지 가스를 토출하고, 기판(W)과 구획판(165) 사이의 공간의 압력을 처리 용기(10) 내의 압력보다도 상대적으로 높게 한다. 제2 퍼지 공정은, 예를 들어 제1 퍼지 공정과 마찬가지여도 된다.In the second purge process, as shown in FIG. 6, a purge gas is supplied from the third gas supply unit 33, the fourth gas supply unit 34, and the fifth gas supply unit 35 toward the upper surface of each substrate W. It is discharged, and the pressure in the space between the substrate W and the partition plate 165 is made relatively higher than the pressure inside the processing container 10. The second purge process may be, for example, the same as the first purge process.

흡착 공정과, 제1 퍼지 공정과, 반응 공정과, 제2 퍼지 공정을 이 순서대로 포함하는 사이클이 설정 횟수만큼 반복된 후, 제어부(80)는 처리 용기(10) 내를 대기압으로 승압함과 함께, 처리 용기(10) 내를 반출 온도로 강온시킨다. 그 후, 제어부(80)는 승강 기구(25)를 제어하여 기판 보유 지지구(16)를 처리 용기(10) 내로부터 반출하고, 처리를 종료한다.After the cycle including the adsorption process, the first purge process, the reaction process, and the second purge process is repeated a set number of times, the control unit 80 increases the pressure inside the processing vessel 10 to atmospheric pressure. At the same time, the temperature inside the processing container 10 is lowered to the carrying out temperature. Thereafter, the control unit 80 controls the lifting mechanism 25 to unload the substrate holding tool 16 from the processing container 10, thereby ending the processing.

이상으로 설명한 실시 형태에 관한 기판 처리 방법에 의하면, 제1 퍼지 공정 및 제2 퍼지 공정에 있어서, 각 기판(W)의 상방으로부터 각 기판(W)의 상면을 향하여 퍼지 가스를 토출하고, 기판(W)과 구획판(165) 사이의 공간의 압력을 처리 용기(10) 내의 압력보다도 상대적으로 높게 한다. 이에 의해, 기판(W) 상에 잔류하는 불필요한 분자를 효율적으로 제거할 수 있다. 특히, 기판(W)이 트렌치 등의 오목부를 표면에 갖는 경우, 오목부의 내부의 압력을 처리 용기(10) 내의 압력보다도 상대적으로 높게 할 수 있으므로, 오목부의 내부의 깊은 위치에 남는 불필요한 분자를 제거할 수 있다. 그 결과, 오목부의 내부에 단차 피복성이 양호한 막을 형성할 수 있다.According to the substrate processing method according to the embodiment described above, in the first purge process and the second purge process, a purge gas is discharged from above each substrate W toward the upper surface of each substrate W, and the substrate ( The pressure in the space between W) and the partition plate 165 is made relatively higher than the pressure inside the processing vessel 10. As a result, unnecessary molecules remaining on the substrate W can be efficiently removed. In particular, when the substrate W has a recessed portion such as a trench on the surface, the pressure inside the recessed portion can be made relatively higher than the pressure inside the processing vessel 10, thereby eliminating unnecessary molecules remaining deep inside the recessed portion. can do. As a result, a film with good step coverage can be formed inside the concave portion.

도 7을 참조하여, 기판 처리 장치(1)에 있어서 실시 형태의 제1 변형예에 관한 기판 처리 방법을 실시하는 경우의 동작에 대해서 설명한다. 도 7은 실시 형태의 제1 변형예에 관한 기판 처리 방법을 도시하는 도면이다. 도 7은 상측으로부터 차례로, 제1 가스 공급부(31)로부터 토출되는 제1 처리 가스, 제2 가스 공급부(32)로부터 토출되는 제2 처리 가스, 제3 가스 공급부(33)로부터 토출되는 퍼지 가스, 제4 가스 공급부(34)로부터 토출되는 퍼지 가스 및 제5 가스 공급부(35)로부터 토출되는 퍼지 가스의 토출 타이밍을 도시하는 타이밍 차트이다.With reference to FIG. 7 , operations when performing the substrate processing method according to the first modified example of the embodiment in the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 7 is a diagram showing a substrate processing method according to a first modified example of the embodiment. 7 shows, in order from the top, a first processing gas discharged from the first gas supply unit 31, a second processing gas discharged from the second gas supply unit 32, a purge gas discharged from the third gas supply unit 33, This is a timing chart showing the discharge timing of the purge gas discharged from the fourth gas supply unit 34 and the purge gas discharged from the fifth gas supply unit 35.

제1 변형예에서는, 제1 퍼지 공정 및 제2 퍼지 공정에 있어서, 제3 가스 공급부(33)가 퍼지 가스를 토출하는 기간과, 제4 가스 공급부(34)가 퍼지 가스를 토출하는 기간과, 제5 가스 공급부(35)가 퍼지 가스를 토출하는 기간이 중복되지 않는다. 그 밖의 점에 대해서는, 도 6에 도시되는 기판 처리 방법과 마찬가지여도 된다. 이하, 도 6에 도시되는 기판 처리 방법과 상이한 점을 중심으로 설명한다.In the first modification, in the first purge process and the second purge process, a period in which the third gas supply unit 33 discharges the purge gas, a period in which the fourth gas supply unit 34 discharges the purge gas, The period during which the fifth gas supply unit 35 discharges the purge gas does not overlap. For other points, the substrate processing method shown in FIG. 6 may be the same. Hereinafter, the description will focus on differences from the substrate processing method shown in FIG. 6.

제1 퍼지 공정에서는, 도 7에 도시되는 바와 같이, 먼저 제3 가스 공급부(33)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시한다. 다음에, 제3 가스 공급부(33)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지하는 동시에, 제4 가스 공급부(34)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시한다. 제3 가스 공급부(33)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지한 후에 시간을 두고 제4 가스 공급부(34)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시해도 된다. 다음에, 제4 가스 공급부(34)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지하는 동시에, 제5 가스 공급부(35)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시한다. 제4 가스 공급부(34)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지한 후에 시간을 두고 제5 가스 공급부(35)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시해도 된다. 다음에, 제5 가스 공급부(35)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지한다.In the first purge process, as shown in FIG. 7, discharge of the purge gas from the third gas supply unit 33 first starts. Next, discharge of the purge gas from the third gas supply unit 33 is stopped, and simultaneously discharge of the purge gas from the fourth gas supply unit 34 is started. After stopping the discharge of the purge gas from the third gas supply section 33, discharge of the purge gas from the fourth gas supply section 34 may be started after some time. Next, discharge of the purge gas from the fourth gas supply section 34 is stopped and, at the same time, discharge of the purge gas from the fifth gas supply section 35 is started. After stopping the discharge of the purge gas from the fourth gas supply section 34, discharge of the purge gas from the fifth gas supply section 35 may be started after some time. Next, discharge of the purge gas from the fifth gas supply unit 35 is stopped.

제2 퍼지 공정은, 예를 들어 제1 퍼지 공정과 마찬가지여도 된다.The second purge process may be, for example, the same as the first purge process.

이상으로 설명한 제1 변형예에 있어서도, 실시 형태에 관한 기판 처리 방법과 마찬가지의 작용 효과가 발휘된다.Even in the first modification described above, the same effects as the substrate processing method according to the embodiment are exhibited.

제1 변형예에서는, 제1 퍼지 공정 및 제2 퍼지 공정에 있어서, 3개의 가스 공급부(제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35))가 퍼지 가스를 토출하는 기간이 중복되지 않은 경우를 설명하였지만, 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1 퍼지 공정에 있어서 3개의 가스 공급부가 퍼지 가스를 토출하는 기간이 중복되고, 제2 퍼지 공정에 있어서 3개의 가스 공급부가 퍼지 가스를 토출하는 기간이 중복되지 않아도 된다. 예를 들어, 제1 퍼지 공정에 있어서 3개의 가스 공급부가 퍼지 가스를 토출하는 기간이 중복되지 않고, 제2 퍼지 공정에 있어서 3개의 가스 공급부가 퍼지 가스를 토출하는 기간이 중복되어도 된다.In the first modification, in the first purge process and the second purge process, three gas supply units (third gas supply unit 33, fourth gas supply unit 34, and fifth gas supply unit 35) purge gas. Although the case where the discharging period does not overlap has been described, it is not limited to this. For example, in the first purge process, the periods in which the three gas supply units discharge the purge gas do not overlap, and in the second purge process, the periods in which the three gas supply units discharge the purge gas do not need to overlap. For example, in the first purge process, the periods in which the three gas supply units discharge the purge gas may not overlap, and in the second purge process, the periods in which the three gas supply units discharge the purge gas may overlap.

도 8을 참조하여, 기판 처리 장치(1)에 있어서 실시 형태의 제2 변형예에 관한 기판 처리 방법을 실시하는 경우의 동작에 대해서 설명한다. 도 8은 실시 형태의 제2 변형예에 관한 기판 처리 방법을 도시하는 도면이다. 도 8은 상측으로부터 차례로, 제1 가스 공급부(31)로부터 토출되는 제1 처리 가스, 제2 가스 공급부(32)로부터 토출되는 제2 처리 가스, 제3 가스 공급부(33)로부터 토출되는 퍼지 가스, 제4 가스 공급부(34)로부터 토출되는 퍼지 가스, 제5 가스 공급부(35)로부터 토출되는 퍼지 가스의 토출 타이밍, 및 진공화의 타이밍을 도시하는 타이밍 차트이다.With reference to FIG. 8 , operations when performing the substrate processing method according to the second modification of the embodiment in the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 8 is a diagram showing a substrate processing method according to a second modification of the embodiment. 8 shows, in order from the top, a first processing gas discharged from the first gas supply unit 31, a second processing gas discharged from the second gas supply unit 32, a purge gas discharged from the third gas supply unit 33, This is a timing chart showing the discharge timing of the purge gas discharged from the fourth gas supply unit 34, the purge gas discharged from the fifth gas supply unit 35, and the timing of vacuuming.

제2 변형예에서는, 제1 퍼지 공정 및 제2 퍼지 공정의 최초 및 마지막으로 처리 용기(10) 내의 진공화를 실시한다. 그 밖의 점에 대해서는, 도 6에 도시되는 기판 처리 방법과 마찬가지여도 된다. 이하, 도 6에 도시되는 기판 처리 방법과 상이한 점을 중심으로 설명한다.In the second modification, the processing vessel 10 is evacuated at the beginning and end of the first purge process and the second purge process. For other points, the substrate processing method shown in FIG. 6 may be the same. Hereinafter, the description will focus on differences from the substrate processing method shown in FIG. 6.

제1 퍼지 공정에서는, 도 8에 도시되는 바와 같이, 최초로 배기부(40)에 의한 처리 용기(10) 내의 진공화를 실시한다. 처리 용기(10) 내의 진공화는, 예를 들어 모든 가스 공급부(제1 가스 공급부(31), 제2 가스 공급부(32), 제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35))로부터의 가스의 토출을 정지한 상태에서 실시된다. 다음에, 처리 용기(10)의 진공화를 정지한다. 다음에, 제3 가스 공급부(33)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시한다. 다음에, 제3 가스 공급부(33)로부터의 퍼지 가스의 토출을 계속한 상태에서, 제4 가스 공급부(34)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시한다. 다음에, 제3 가스 공급부(33)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지한다. 다음에, 제4 가스 공급부(34)로부터의 퍼지 가스의 토출을 계속한 상태에서, 제5 가스 공급부(35)로부터의 퍼지 가스의 토출을 개시한다. 다음에, 제4 가스 공급부(34)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지한다. 다음에, 제5 가스 공급부(35)로부터의 퍼지 가스의 토출을 정지한다. 마지막으로, 배기부(40)에 의한 처리 용기(10) 내의 진공화를 실시한다. 처리 용기(10) 내의 진공화는, 예를 들어 모든 가스 공급부로부터의 가스의 토출을 정지한 상태에서 실시된다. 다음에, 처리 용기(10) 내의 진공화를 정지한다.In the first purge process, as shown in FIG. 8, the inside of the processing container 10 is first evacuated by the exhaust unit 40. Vacuumization in the processing vessel 10 may be performed, for example, by removing all gas supplies (the first gas supply part 31, the second gas supply part 32, the third gas supply part 33, the fourth gas supply part 34, and the fourth gas supply part 34). 5 This is carried out with the discharge of gas from the gas supply unit 35) stopped. Next, vacuuming of the processing container 10 is stopped. Next, discharge of the purge gas from the third gas supply unit 33 begins. Next, while the purge gas is continued to be discharged from the third gas supply section 33, the discharge of the purge gas from the fourth gas supply section 34 is started. Next, discharge of the purge gas from the third gas supply unit 33 is stopped. Next, while the discharge of the purge gas from the fourth gas supply section 34 is continued, discharge of the purge gas from the fifth gas supply section 35 is started. Next, discharge of the purge gas from the fourth gas supply unit 34 is stopped. Next, discharge of the purge gas from the fifth gas supply unit 35 is stopped. Finally, the inside of the processing vessel 10 is evacuated by the exhaust unit 40. Vacuuming the inside of the processing container 10 is performed, for example, while discharging gas from all gas supply units is stopped. Next, vacuuming within the processing container 10 is stopped.

제2 퍼지 공정은, 예를 들어 제1 퍼지 공정과 마찬가지여도 된다.The second purge process may be, for example, the same as the first purge process.

이상으로 설명한 제2 변형예에 있어서도, 실시 형태에 관한 기판 처리 방법과 마찬가지의 작용 효과가 발휘된다.Even in the second modification described above, the same effects as the substrate processing method according to the embodiment are exhibited.

제2 변형예에서는, 제1 퍼지 공정의 최초 및 마지막으로 진공화를 실시하는 경우를 설명하였지만, 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1 퍼지 공정의 최초로 진공화를 실시하고, 제1 퍼지 공정의 마지막으로 진공화를 실시하지 않아도 된다. 예를 들어, 제1 퍼지 공정의 최초로 진공화를 실시하지 않고, 제1 퍼지 공정의 마지막으로 진공화를 실시해도 된다. 예를 들어, 제1 퍼지 공정에 있어서 각 가스 공급부(제3 가스 공급부(33), 제4 가스 공급부(34) 및 제5 가스 공급부(35))로부터 퍼지 가스를 토출하면서 진공화를 실시해도 된다. 제2 퍼지 공정에 대해서도, 제1 퍼지 공정과 마찬가지여도 된다.In the second modification, the case where vacuuming is performed at the beginning and the end of the first purge process has been described, but it is not limited to this. For example, it is not necessary to perform evacuation at the beginning of the first purge process and to perform evacuation at the end of the first purge process. For example, evacuation may not be performed at the beginning of the first purge process, but evacuation may be performed at the end of the first purge process. For example, in the first purge process, vacuuming may be performed while discharging purge gas from each gas supply unit (third gas supply unit 33, fourth gas supply unit 34, and fifth gas supply unit 35). . The second purge process may be the same as the first purge process.

제2 변형예에서는, 제1 퍼지 공정 및 제2 퍼지 공정에 있어서 진공화를 실시하는 경우를 설명하였지만, 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1 퍼지 공정에 있어서 진공화를 실시하고, 제2 퍼지 공정에 있어서 진공화를 실시하지 않아도 된다. 예를 들어, 제1 퍼지 공정에 있어서 진공화를 실시하지 않고, 제2 퍼지 공정에 있어서 진공화를 실시해도 된다.In the second modification, the case where vacuum is performed in the first purge process and the second purge process has been described, but the present invention is not limited to this. For example, it is not necessary to perform evacuation in the first purge process and to perform evacuation in the second purge process. For example, evacuation may not be performed in the first purge process, but evacuation may be performed in the second purge process.

금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.The embodiment disclosed this time should be considered illustrative in all respects and not restrictive. The above-described embodiments may be omitted, replaced, or changed in various forms without departing from the scope and spirit of the attached claims.

상기의 실시 형태에서는, 독립적으로 가스의 급단이 제어 가능한 3개의 토출부가 각 구획판의 하면에 마련되는 경우를 설명하였지만, 본 개시는 이것에 한정되지는 않는다. 토출부는, 복수이면 되고, 예를 들어 2개여도 되고, 4개 이상이어도 된다.In the above embodiment, a case has been described where three discharge portions capable of controlling gas supply and interruption independently are provided on the lower surface of each partition plate, but the present disclosure is not limited to this. There may be a plurality of discharge parts, for example, there may be two or four or more discharge parts.

상기의 실시 형태에서는, 처리 용기가 이중관 구조의 용기인 경우를 설명하였지만, 본 개시는 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 처리 용기는 단관 구조의 용기여도 된다.In the above embodiment, the case where the processing vessel is a double-pipe structure vessel has been described, but the present disclosure is not limited to this. For example, the processing vessel may be a vessel with a single-pipe structure.

상기의 실시 형태에서는, 기판 처리 장치가 처리 용기의 길이 방향을 따라서 배치한 가스 노즐로부터 가스를 토출하고, 해당 가스 노즐과 대향하여 배치한 슬릿으로부터 가스를 배기하는 장치인 경우를 설명하였지만, 본 개시는 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 기판 처리 장치는 기판 보유 지지구의 길이 방향을 따라서 배치한 가스 노즐로부터 가스를 토출하고, 해당 기판 보유 지지구의 상방에 배치한 배기구로부터 가스를 배기하는 장치여도 된다. 또한, 예를 들어 기판 처리 장치는 처리 용기의 하방에 배치한 가스 노즐로부터 처리 가스를 공급하고, 처리 용기의 상방에 배치한 배기구로부터 가스를 배기하는 장치여도 된다.In the above embodiment, the case where the substrate processing apparatus is an apparatus that discharges gas from a gas nozzle arranged along the longitudinal direction of the processing vessel and exhausts the gas from a slit arranged opposite to the gas nozzle has been described, but the present disclosure is not limited to this. For example, the substrate processing apparatus may be an apparatus that discharges gas from a gas nozzle disposed along the longitudinal direction of the substrate holding mechanism and exhausts the gas from an exhaust port disposed above the substrate holding mechanism. Additionally, for example, the substrate processing apparatus may be an apparatus that supplies processing gas from a gas nozzle disposed below the processing container and exhausts the gas through an exhaust port disposed above the processing container.

상기의 실시 형태에서는, 기판 처리 장치가 플라스마 생성부를 갖고 있지 않은 경우를 설명하였지만, 본 개시는 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 기판 처리 장치는 가스 노즐로부터 처리 용기 내에 공급되는 처리 가스로부터 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부를 갖고 있어도 된다.In the above embodiment, the case where the substrate processing apparatus does not have a plasma generation unit has been described, but the present disclosure is not limited to this. For example, the substrate processing apparatus may have a plasma generation unit that generates plasma from processing gas supplied into the processing container from a gas nozzle.

Claims (16)

복수의 기판을 연직 방향으로 간격을 두고 다단으로 보유 지지하는 기판 보유 지지구와,
상기 기판 보유 지지구를 수용하는 처리 용기
를 구비하고,
상기 기판 보유 지지구는, 인접하는 상기 기판의 사이를 구획하는 구획판을 갖고,
상기 구획판은, 제1 가스를 토출하는 복수의 토출부를 하면에 갖고,
상기 복수의 토출부는, 독립적으로 상기 제1 가스의 급단이 제어 가능한,
기판 처리 장치.A substrate holding support for holding a plurality of substrates in multiple stages at intervals in the vertical direction,
A processing vessel that accommodates the substrate holding member.
Equipped with
The substrate holding tool has a partition plate that partitions between the adjacent substrates,
The partition plate has a plurality of discharge portions on its lower surface that discharge the first gas,
The plurality of discharge units are capable of independently controlling supply of the first gas,
Substrate processing equipment. 제1항에 있어서,
상기 구획판은, 원판상을 갖고,
상기 복수의 토출부는, 상기 구획판의 직경 방향의 다른 위치에 마련되는,
기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The partition plate has a disk shape,
The plurality of discharge portions are provided at different positions in the radial direction of the partition plate,
Substrate processing equipment. 제1항에 있어서,
상기 구획판은, 원판상을 갖고,
상기 복수의 토출부는, 각각 상기 구획판의 둘레 방향을 따라서 마련되는 복수의 가스 구멍을 갖는
기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The partition plate has a disk shape,
The plurality of discharge portions each have a plurality of gas holes provided along the circumferential direction of the partition plate.
Substrate processing equipment. 제3항에 있어서,
상기 복수의 가스 구멍은, 연직 방향 바로 아래를 향하여 상기 제1 가스를 토출하는,
기판 처리 장치.According to paragraph 3,
The plurality of gas holes discharge the first gas directly downward in the vertical direction,
Substrate processing equipment. 제3항에 있어서,
상기 복수의 가스 구멍은, 연직 방향 바로 아래에 대하여 상기 구획판의 외측을 향하여 상기 제1 가스를 토출하는,
기판 처리 장치.According to paragraph 3,
The plurality of gas holes discharge the first gas toward the outside of the partition plate directly below the vertical direction.
Substrate processing equipment. 제1항에 있어서,
상기 기판 보유 지지구는, 상기 구획판을 보유 지지하는 복수의 지주를 갖고,
상기 복수의 지주는, 상기 복수의 토출부에 상기 제1 가스를 공급하는 가스 분기 유로를 갖는
기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The substrate holding tool has a plurality of supports for holding and supporting the partition plate,
The plurality of supports have gas branch flow paths that supply the first gas to the plurality of discharge units.
Substrate processing equipment. 제1항에 있어서,
상기 처리 용기의 주위에 마련되고, 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지되는 상기 복수의 기판을 가열하는 가열부를 구비하는,
기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A heating unit provided around the processing container and heating the plurality of substrates held in the substrate holding tool,
Substrate processing equipment. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
제어부를 더 구비하고,
상기 제1 가스는, 퍼지 가스를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 구획판의 중심으로부터 가까운 상기 토출부로부터 상기 구획판의 중심으로부터 먼 상기 토출부를 향하여 차례로 상기 퍼지 가스를 토출하도록 당해 기판 처리 장치를 제어하도록 구성되는,
기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 7,
Further comprising a control unit,
The first gas includes a purge gas,
The control unit is configured to control the substrate processing apparatus to sequentially discharge the purge gas from the discharge portion closer to the center of the partition plate toward the discharge portion farther from the center of the partition plate.
Substrate processing equipment. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 용기의 내부에 연직 방향을 따라서 마련되고, 인접하는 상기 구획판의 사이에 제2 가스를 수평 방향으로 토출하는 가스 노즐을 구비하는,
기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 7,
A gas nozzle is provided along the vertical direction inside the processing container and discharges a second gas in the horizontal direction between the adjacent partition plates,
Substrate processing equipment. 제9항에 있어서,
제어부를 더 구비하고,
상기 제1 가스 및 상기 제2 가스는, 처리 가스를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 가스 노즐로부터 상기 처리 가스를 토출하면서, 상기 복수의 토출부로부터 상기 처리 가스를 토출하도록 당해 기판 처리 장치를 제어하도록 구성되는,
기판 처리 장치.According to clause 9,
Further comprising a control unit,
The first gas and the second gas include a processing gas,
The control unit is configured to control the substrate processing apparatus to discharge the processing gas from the plurality of discharge units while discharging the processing gas from the gas nozzle.
Substrate processing equipment. 복수의 기판을 연직 방향으로 간격을 두고 다단으로 보유 지지하는 기판 보유 지지구와,
상기 기판 보유 지지구를 수용하는 처리 용기
를 구비하고,
상기 기판 보유 지지구는, 인접하는 상기 기판의 사이를 구획하는 구획판을 갖고,
상기 구획판은, 복수의 토출부를 하면에 갖는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 복수의 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 방법이며,
상기 복수의 토출부로부터 다른 타이밍에서 퍼지 가스를 토출하고, 상기 처리 용기의 내부를 퍼지하는 공정을 갖는
기판 처리 방법.A substrate holding support for holding a plurality of substrates in multiple stages at intervals in the vertical direction,
A processing vessel that accommodates the substrate holding member.
Equipped with
The substrate holding tool has a partition plate that partitions between the adjacent substrates,
In the substrate processing apparatus, the partition plate has a plurality of discharge portions on a lower surface,
A substrate processing method for processing the plurality of substrates,
Discharging purge gas at different timings from the plurality of discharge units and purging the interior of the processing container.
Substrate processing method. 제11항에 있어서,
상기 퍼지하는 공정은, 상기 구획판의 중심으로부터 가까운 상기 토출부로부터 상기 구획판의 중심으로부터 먼 상기 토출부를 향하여 차례로 상기 퍼지 가스를 토출하는 것을 포함하는,
기판 처리 방법.According to clause 11,
The purging process includes sequentially discharging the purge gas from the discharge portion close to the center of the partition plate toward the discharge portion distant from the center of the partition plate.
Substrate processing method. 제11항에 있어서,
상기 처리 용기의 내부에 제1 처리 가스를 수평 방향으로 토출하고, 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지된 상기 복수의 기판에 상기 제1 처리 가스를 흡착시키는 공정과,
상기 처리 용기의 내부에 제2 처리 가스를 수평 방향으로 토출하고, 상기 복수의 기판에 흡착된 상기 제1 처리 가스와 상기 제2 처리 가스를 반응시켜서 반응 생성물을 생성하는 공정
을 갖는 기판 처리 방법.According to clause 11,
A step of discharging a first processing gas in a horizontal direction into the processing container and adsorbing the first processing gas to the plurality of substrates held by the substrate holding tool;
A process of discharging a second processing gas horizontally into the processing container and reacting the first processing gas adsorbed on the plurality of substrates with the second processing gas to generate a reaction product.
A substrate processing method having. 제13항에 있어서,
상기 흡착시키는 공정은, 상기 복수의 토출부로부터 상기 제1 처리 가스를 토출하는 것을 포함하는,
기판 처리 방법.According to clause 13,
The adsorption process includes discharging the first processing gas from the plurality of discharge portions.
Substrate processing method. 제13항에 있어서,
상기 생성하는 공정은, 상기 복수의 토출부로부터 상기 제2 처리 가스를 토출하는 것을 포함하는,
기판 처리 방법.According to clause 13,
The generating process includes discharging the second processing gas from the plurality of discharge units,
Substrate processing method. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 흡착시키는 공정과, 상기 퍼지하는 공정과, 상기 생성하는 공정과, 상기 퍼지하는 공정을 이 순서대로 실시하는 사이클을 반복하는,
기판 처리 방법.According to any one of claims 13 to 15,
Repeating the cycle of performing the adsorption process, the purging process, the generating process, and the purging process in this order,
Substrate processing method.
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