KR20240032030A - 방사성 동위 원소의 생산을 위한 조사 타겟 및 그 분해를 위한 디번들링 도구 - Google Patents

Abstract

방사성 동위 원소의 생산을 위한 조사 타겟은, 중앙 개구를 정의하는 적어도 하나의 플레이트, 및 적어도 하나의 플레이트가 위에 유지되도록 적어도 하나의 플레이트의 중앙 개구를 통과하는 제1 세장형 중앙 부재를 포함하고, 적어도 하나의 플레이트와 제1 세장형 중앙 부재는 모두 중성자 포획을 통해 몰리브덴-99(Mo-99)를 생산하는 재료로 형성된다.

Description

방사성 동위 원소의 생산을 위한 조사 타겟 및 그 분해를 위한 디번들링 도구

우선권 주장

본 출원은 2021년 6월 18일자로 출원된 미국 가특허 출원 제63/212,177호에 대한 우선권과, 2022년 5월 20일자로 출원된 미국 가특허 출원 제63/344,391호의 이익을 주장하며, 그 전체 개시내용은 본 명세서에 포함된다.

기술 분야

개시된 본 발명은 전반적으로 테크네튬-99m 발생기(Mo-99/Tc-99m 발생기)에 사용하기에 적절한 티타늄-몰리브데이트-99 재료에 관한 것이며, 더 구체적으로는 티타늄-몰리브데이트-99 재료의 생산에 사용되는 조사 타겟 및 조사 타겟의 분해를 위한 디번들링(debundling) 도구에 관한 것이다.

Technetium-99m(Tc-99m)은 핵의학(예를 들어, 의료 진단 영상)에서 가장 일반적으로 사용되는 방사성 동위 원소이다. Tc-99m(m은 준안정)은 통상적으로 환자에게 주입되며, 특정 장비와 함께 사용될 때, 환자의 내부 장기를 이미징하는 데 사용된다. 그러나, Tc-99m의 반감기는 6시간에 불과하다. 따라서, Tc-99m의 쉽게 이용 가능한 소스는 적어도 핵의학 분야에서 특별한 관심 및/또는 필요성이 있다.

Tc-99m의 짧은 반감기를 고려해 볼 때, Tc-99m은 통상적으로 Mo-99/Tc-99m 발생기를 통해 필요한 위치 및/또는 시간(예를 들어, 약국, 병원 등)에서 획득된다. Mo-99/Tc-99m 발생기는 식염수를 Mo-99 재료에 통과시켜 붕괴하는 몰리브덴-99(Mo-99) 소스로부터 테크네튬의 준안정 동위 원소(예를 들어, Tc-99m)를 추출하는 데 사용되는 디바이스이다. Mo-99는 불안정하고 Tc-99m까지 66시간의 반감기로 붕괴된다. Mo-99는 통상적으로 고농축 우라늄 타겟(93% 우라늄-235)을 조사하여 고선속 원자로에서 생산되며 Mo-99를 사용 가능한 형태로 환원하는 후속 처리 단계 후에 Mo-99/Tc-99m 발생기 제조 현장으로 배송된다. 이어서, Mo-99/Tc-99m 발생기는 이러한 집중식 위치로부터 전국의 병원과 약국으로 배포된다. Mo-99는 반감기가 짧고 생산 현장의 개수가 제한되므로, 조사된 Mo-99 재료를 사용 가능한 형태로 환원하는 데 필요한 시간량을 최소화하는 것이 바람직하다.

따라서, 적어도 적시에 Tc-99m 발생기에 사용하기에 적절한 티타늄-몰리브데이트-99 재료를 생산하는 프로세스에 대한 요구가 남아 있다.

본 개시내용의 일 실시예는 방사성 동위 원소의 생산을 위한 조사 타겟을 제공하고, 조사 타겟은, 중앙 개구를 정의하는 적어도 하나의 플레이트, 및 적어도 하나의 플레이트가 위에 유지되도록 적어도 하나의 플레이트의 중앙 개구를 통과하는 세장형 중앙 부재를 포함한다. 적어도 하나의 플레이트와 세장형 중앙 부재는 모두 중성자 포획을 통해 몰리브덴-99(Mo-99)를 생산하는 재료로 형성된다.

본 개시내용의 또 다른 실시예는 방사성 동위 원소의 생산을 위한 조사 타겟 시스템을 제공하고, 조사 타겟 시스템은 조사 타겟을 갖고, 조사 타겟은, 중앙 개구를 정의하는 적어도 하나의 플레이트, 및 세장형 본체, 제1 단부에서 세장형 본체로부터 횡방향으로 연장되는 한 쌍의 날개, 및 제2 단부에서 세장형 본체로부터 횡방향으로 연장되는 한 쌍의 탭을 포함하는 제1 세장형 중앙 부재로서, 세장형 본체는 적어도 하나의 플레이트가 위에 유지되도록 적어도 하나의 플레이트의 중앙 개구를 통과하는, 제1 세장형 중앙 부재, 조사 타겟 디번들링 도구를 포함하고, 조사 타겟 디번들링 도구는, 평면형 상단 표면을 포함하는 본체 부분, 및 상단 표면의 평면형 부분이 리세스의 각각의 측면에 배치되도록 도구의 본체 내로 하향 연장되는 리세스를 포함하고, 평면형 상단 표면의 각각의 평면형 부분은 제1 세장형 중앙 부재의 대응 날개에 맞접하도록 구성된다.

본 명세서에 통합되고 그 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 하나 이상의 실시예를 예시하고, 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다.

이제, 본 발명은 본 발명의 모든 실시예가 아닌 일부가 도시된 첨부 도면을 참조하여 이하에서 더 완전하게 설명될 것이다. 실제로, 본 발명은 다수의 상이한 형태로 구체화될 수 있으며 본 명세서에 기재된 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다; 오히려, 이들 실시예는 본 개시내용이 적용 가능한 법적 요건을 충족시키도록 제공된다.
도 1a 및 도 1b는 각각 본 발명의 실시예에 따른 조사 타겟의 강성 스파인을 형성하는 제1 유지 클립 및 제2 유지 클립의 사시도이고;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 조사 타겟의 측면도이며;
도 3은 단부 캡이 제거된 상태로 도 2에 도시된 조사 타겟의 사시도이고;
도 4는 도 2에 도시된 조사 타겟의 강성 스파인 상에 유지된 복수의 환형 플레이트의 평면도이며;
도 5a 및 도 5b는 도 4에 도시된 강성 스파인 및 환형 디스크의 부분 사시도이고;
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 디번들링 도구 및 도 4에 도시된 조사 타겟으로부터 강성 스파인을 제거하기 위해 수행되는 다양한 단계의 개략도이며;
도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 따른 디번들링 도구의 대안 실시예의 사시도이고;
도 8은 도 4에 도시된 조사 타겟의 조립도이다.
본 명세서 및 도면에서 참조 부호의 반복 사용은 본 개시내용에 따른 본 발명의 동일하거나 유사한 피처 또는 요소를 나타내도록 의도된다.

이제, 본 발명은 본 발명의 모든 실시예가 아닌 일부가 도시된 첨부 도면을 참조하여 이하에서 더 완전하게 설명될 것이다. 실제로, 본 발명은 다수의 상이한 형태로 구체화될 수 있으며 본 명세서에 기재된 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다; 오히려, 이들 실시예는 본 개시내용이 적용 가능한 법적 요건을 충족시키도록 제공된다. 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용될 때, 단수 형태는 문맥이 달리 명확하게 지시하지 않는 한 복수 대상을 포함한다.

이제, 본 발명의 현재 바람직한 실시예를 참조할 것이며, 그 하나 이상의 예가 첨부 도면에 예시되어 있다. 각각의 예는 본 발명의 제한이 아니라 설명으로서 제공된다. 실제로, 본 발명의 범위 및 사상을 벗어나지 않고 본 발명에서 수정 및 변형이 이루어질 수 있음이 본 기술 분야의 숙련자에게 명백할 것이다. 예를 들어, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 설명된 피처는 다른 실시예에서 사용되어 또 다른 실시예를 초래할 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구범위 및 그 균등물의 범위 내에 있는 그러한 수정 및 변형을 포함하는 것으로 의도된다.

본 명세서에 사용될 때, 제한되지 않지만 "수직", "수평", "상부", "하부", "위", 또는 "아래"와 같은 조사 타겟 및 디번들링 도구의 배향에 대한 방향 또는 위치를 지칭하는 용어는 본 명세서의 도면에 나타낸 바와 같이 정상적인 의도된 작동에서 타겟 및 디번들링 도구의 배향에 대한 방향 및 상대 위치를 지칭한다. 따라서, 예를 들어, "수직" 및 "상부"라는 용어는 도면의 관점에서 수직 방향 및 상대적 상부 위치를 지칭하며, 상이한 배향으로 배치될 수 있는 타겟 및 디번들링 도구에 관해서도 이러한 문맥에서 이해하여야 한다.

또한, 본 개시내용 및 첨부된 청구범위에 사용된 용어 "또는"은 배타적인 "또는"이 아니라 포괄적인 "또는"을 의미하도록 의도된다. 즉, 달리 명시되지 않거나 문맥으로부터 명확하지 않은 한, "X는 A 또는 B를 채용한다"라는 문구는 임의의 자연적인 포괄적 순열을 의미하도록 의도된다. 즉, "X는 A 또는 B를 채용한다"라는 문구는 다음의 경우 중 임의의 하나에 의해 충족된다: X는 A를 채용한다: X는 B를 채용한다; 또는 X는 A와 B를 모두 채용한다. 또한, 본 출원 및 첨부된 청구범위에 사용된 관사 "a" 및 "an"은 달리 명시되지 않거나 문맥으로부터 단수 형태를 가리키는 것으로 명확하지 않는 한 일반적으로 "하나 이상"을 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 명세서 및 청구범위 전반에 걸쳐, 문맥상 달리 지시하지 않는 한, 다음 용어는 적어도 그 안에 명시적으로 관련된 의미를 취한다. 아래에 식별된 의미는 반드시 용어를 제한하는 것은 아니며, 용어에 대한 예시적인 예를 제공할 뿐이다. "a", "an" 및 "the"의 의미는 복수 참조를 포함할 수 있고, "in"의 의미는 "in" 및 "on"을 포함할 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이 "일 실시예에서"라는 문구는 동일한 실시예를 지칭할 수 있지만 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다.

이제, 도 1a 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 조사 타겟(100)은, 차례로 외부 캐니스터(102)에 활주 가능하게 수용되는 한 쌍의 유지 클립(120a, 120b)에 의해 형성된 강성 스파인(120) 상에 유지되는 복수의 얇은 플레이트(110)를 포함한다. 바람직하게는, 복수의 얇은 플레이트(110) 또는 디스크와, 유지 클립(120a, 120b)은 모두 동일한 재료로 형성되며, 이 재료는 핵분열형 원자로와 같은 원자로에서 중성자 포획 프로세스를 거친 후 동위 원소 몰리브덴-99(Mo-99)를 생산할 수 있는 재료이다. 바람직한 실시예에서, 이 재료는 Mo-98이다. 그러나, 대안 실시예에서, 플레이트(110) 및 유지 클립(120a 및 120b)은, 제한하지 않지만 몰리브덴 란타늄(Mo-La), 티타늄 지르코늄 몰리브덴(Ti-Zr-Mo), 몰리브덴 하프늄 카바이드(Mo Hf-C), 몰리브덴 텅스텐(Mo-W), 니켈 코발트 크롬 몰리브덴(Mo-MP35N), 및 우라늄 몰리브덴(U-Mo)과 같은 재료로 형성될 수 있다는 점에 유의한다.

구체적으로 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 강성 스파인(120)은 제1 유지 클립(120a)과 제2 유지 클립(120b)에 의해 형성되며, 각각의 클립은 단면이 실질적으로 V자형인 세장형 본체(122a, 122b), 세장형 본체의 제1 단부에 있는 한 쌍의 날개(124a, 124b), 및 세장형 본체의 제2 단부에 있는 한 쌍의 탭(126a, 126b)을 포함한다. 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 유지 클립(120a, 120b)의 날개(124a, 124b)는 각각 유지 클립의 길이방향 중심축에 평행한 수직 평면에 놓인다. 제1 및 제2 유지 클립(120a, 120b)의 날개(124a, 124b)는 강성 스파인(120)(도 4)의 조립 후에도 이 위치에 유지된다. 도 1a 및 도 1b에서, 제1 및 제2 유지 클립(120a, 120b)의 탭(126a, 126b)은 각각 유지 클립이 조립되어 강성 스파인(120)을 형성한 후에 발생하는 절첩된 위치에 도시되어 있다는 점에 유의한다. 조립 전에, 탭(126a, 126b)은 모두 대응하는 세장형 본체(122a, 122b)의 단부로부터 각각 축방향 외향으로 연장된다. 강성 스파인(120)의 조립 후, 제1 유지 클립(120a)의 탭(126a)은 제1 유지 클립(120a)의 길이방향 중심축을 가로지르는 수평 평면에 놓이는 반면, 제2 유지 클립(120b)의 탭(126b)은 제2 유지 클립(120b)의 길이방향 중심축에 평행한 수직 평면에 놓인다. 바람직하게는, 제1 및 제2 유지 클립(120a, 120b)의 세장형 본체(122a, 122b)의 측벽은 각각 약 60°의 포괄 각도를 형성하지만, 대안 실시예에서는 다른 각도도 이용된다.

설명된 실시예에서, 각각의 유지 클립(120a, 120b)의 세장형 본체(122a, 122b)는 조사 타겟(100)의 복수의 얇은 플레이트의 전체 길이보다 약간 더 큰 길이를 갖는다. 각각의 세장형 본체(122a, 122b)의 최대 폭은 탭(126a, 126b)을 포함하는 각각의 유지 클립(120a, 120b)의 단부가, 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 조립 프로세스 동안 복수의 얇은 플레이트(110)에 의해 정의된 보어를 통해 활주되게 한다.

조사 타겟(100)의 질량의 대부분은 강성 스파인(120) 상에 활주 가능하게 수용되는 복수의 얇은 플레이트(110)에 놓인다. 바람직하게는, 각각의 얇은 플레이트(110)는 얇은 환형 플레이트이고, 각각의 환형 플레이트(110)의 감소된 두께는 주어진 양의 타겟 재료에 대해 증가된 표면적을 제공한다. 증가된 표면적은 Ti-Mo-99 생산 프로세스의 일부로서 핵분열 반응기에서 조사된 후 환형 플레이트를 용해시키는 프로세스를 용이하게 한다. 추가로, 바람직한 실시예에 대해, 각각의 환형 플레이트(110)는 각각의 환형 플레이트(110)가 강성 스파인(120) 상에 활주 가능하게 위치 설정될 수 있도록 중앙 구멍(112)을 정의한다. 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 제1 유지 클립(120a)은 플레이트(110)의 중앙 구멍(112) 내에 제2 유지 클립(120b)을 삽입하기 전에 복수의 환형 플레이트(110)의 중앙 구멍(112) 내에 활주 가능하게 수용된다.

본 실시예에서, 조사 프로세스 동안 핵분열 원자로에 복수의 조사 타겟(100)을 삽입하기 위해 타겟 캐니스터(102)가 이용된다. 도 2 및 도 3에서 가장 잘 확인되는 바와 같이, 각각의 타겟 캐니스터(103)는 내부 보어(103)를 정의하는 실질적으로 원통형인 본체 부분을 포함한다. 보어(103)는 조사 타겟의 환형 플레이트(110)가 대응 반응기 내의 조사 프로세스 동안 건조한 환경에 유지되도록 단부 캡(105)에 의해 밀봉된다. 조사 프로세스 동안 타겟의 환형 플레이트(110)를 건조하게 유지하면 그 위에 산화물 층이 형성되는 것이 방지되는데, 산화물 층은 후속 화학 프로세스에서 조사된 플레이트를 용해하여 Mo-99를 사용 가능한 형태로 환원시키려는 노력을 방해할 수 있다.

이제, 도 5a, 도 5b 및 도 8을 참조하면, 조사 타겟(100)의 조립 프로세스가 설명된다. 먼저, 복수의 환형 플레이트(110)가 정렬 지그(140)의 반원통형 리세스(142)에 위치 설정된다. 바람직하게는, 정렬 지그(140)는 3D 인쇄 프로세스에 의해 형성되고, 복수의 플레이트(110)는 중앙 구멍(112)이 정렬되도록 반원통형 리세스(142)에 타이트하게 패킹된다. 도 5b에서 가장 잘 확인되는 바와 같이, 제1 유지 클립(120a)의 제1 단부의 탭(126a)은 정렬 지그(140)에 타이트하게 패킹된 복수의 환형 플레이트(110)의 중앙 보어 내로 삽입된다. 제1 유지 클립(120a)이 중앙 구멍(112)과 정렬될 수 있도록 정렬 지그(140)의 단부 벽에 반원형 리세스(144)가 제공된다. 제1 유지 클립(120a)은 그 날개(124a)의 하단 표면이 복수의 환형 플레이트(110)의 단부면과 맞접될 때까지 삽입된다. 제1 유지 클립(120a)이 복수의 환형 플레이트(110)에 완전히 삽입된 후, 복수의 환형 플레이트(110)를 넘어 외향으로 연장되는 탭(126a)은 각각의 탭(126a)이 최외측 환형 플레이트(110)의 외부 표면에 대해 동일 평면에 있을 때까지 외향으로 굽힘된다. 이와 같이, 조립 후, 제1 유지 클립(120a)의 탭(126a)은 제1 유지 클립(120a)의 길이방향 중심축을 가로지르는 수평 평면에 놓이게 된다.

다음으로, 도 5a에서 가장 잘 확인되는 바와 같이, 제2 유지 클립(120b)의 탭(126b)은 제1 유지 클립(120a)의 탭(126a)이 연장되는 중앙 보어(112)의 단부에 삽입된다. 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 유지 클립(120a, 120b)은 각각 복수의 환형 플레이트(110)의 중앙 보어 내에 배치되어, 그 세장형 본체(122a, 122b)가 함께 중첩된다. 제2 유지 클립(120b)은 그 날개(124b)가 최외측 환형 플레이트(110)의 외부 표면에 맞접할 때까지 환형 플레이트(110)의 보어 내로 활주 가능하게 삽입된다. 이 위치에서, 제2 유지 클립(120b)의 탭(126b)은 제1 유지 클립(120a)의 날개(124a)를 넘어 축방향 외향으로 연장된다. 도 5a에서 가장 잘 확인되는 바와 같이, 제2 유지 클립(120b)의 탭(126b)은 제1 유지 클립(120a)의 날개(124a) 위로 절첩됨으로써, 제1 및 제2 유지 클립(120a, 120b)의 날개(124a, 124b) 사이에 복수의 환형 플레이트(110)를 유지한다.

타겟 캐니스터(102)를 조사하고 그로부터 복수의 환형 플레이트(110)를 제거한 후, 강성 스파인(120)은 환형 플레이트(110)의 추가 처리를 허용하도록 제거된다. 도 6 및 도 7a에 도시된 바와 같이, 디번들링 도구(150)는 바람직하게는 강성 스파인(120)이 복수의 환형 플레이트(110)의 보어로부터 활주 가능하게 인출될 수 있도록 제1 유지 클립(120a)의 확장된 날개(124a)(도 4)를 접히게 하는 데 사용된다. 구체적으로 도 6을 참조하면, 확장된 날개(124a)를 접기 위해, 날개(124a)는 세장형 본체(122a)의 최외측 단부가 디번들링 도구(150)의 리세스(152) 위에 센터링되도록 디번들링 도구(150)의 상단 표면(151)에 인접하게 위치 설정된다. 리세스(152)는 최상부 단부에서 확개형 입구를 형성하고 좁은 정점(156)에서 종결되어 세장형 V자형을 형성하는 2개의 캐밍 표면(152a, 152b)에 의해 형성된다. 일단 입구에 위치 설정되면, 타겟은 하향 압박되어 날개(124a)가 리세스(152) 내로 하향 이동한다. 날개(124a)가 리세스(152) 내로 하향 진행됨에 따라, 날개(124a)는 세장형 본체(122a)를 형성하는 측벽과 마찬가지로 서로를 향해 내향 절첩된다. 도시된 바와 같이, 날개(124a)는 본체의 측벽과 날개(124a)의 연결부(127)에서 세장형 본체(122a)를 향해 내향 굽힘된다. 또한, 세장형 본체(122a)의 측벽은 정점(129)에서 서로를 향해 내향 굽힘된다. 결국, 날개(124a)는 날개(124b)와 탭(126b)을 포함하는 단부로부터 강성 스파인(120)에 축방향 외향력을 인가함으로써 날개가 복수의 조사된 플레이트(110)의 보어를 통해 인출될 수 있게 하는 크기로 접히게 된다. 유지 클립의 날개를 접는 데 사용되는 리세스의 형상은 도 7a 내지 도 7f의 실시예(150a 내지 150f)에 도시된 바와 같이 임의의 개수의 단면 형상을 가질 수 있다는 점에 유의한다.

본 발명에 대한 이들 및 기타 수정 및 변형은 첨부된 청구범위에 더 구체적으로 기재된 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 본 기술 분야의 숙련자에 의해 실시될 수 있다. 또한, 다양한 실시예의 양태는 전체적 또는 부분적으로 상호 교환될 수 있음을 이해하여야 한다. 더욱이, 본 기술 분야의 숙련자는 전술한 설명이 단지 예일 뿐이며 이러한 첨부된 청구범위에 추가로 설명된 바와 같이 본 발명을 제한하도록 의도되지 않음을 이해할 것이다. 따라서, 첨부된 청구범위의 사상 및 범위는 본 명세서에 포함된 버전의 예시적인 설명으로 제한되어서는 안된다.

Claims (16)

1. 방사성 동위 원소의 생산을 위한 조사 타겟이며,
   중앙 개구를 정의하는 적어도 하나의 플레이트; 및
   적어도 하나의 플레이트가 위에 유지되도록 적어도 하나의 플레이트의 중앙 개구를 통과하는 제1 세장형 중앙 부재를 포함하고,
   적어도 하나의 플레이트와 제1 세장형 중앙 부재는 모두 중성자 포획을 통해 몰리브덴-99(Mo-99)를 생산하는 재료로 형성되는, 조사 타겟.
2. 제1항에 있어서,
   적어도 하나의 플레이트는 복수의 플레이트를 더 포함하고, 각각의 플레이트의 각각의 중앙 개구는 원형 구멍이며,
   제1 세장형 중앙 부재는 세장형 본체, 제1 단부에서 세장형 본체로부터 횡방향으로 연장되는 한 쌍의 날개, 및 제2 단부에서 세장형 본체로부터 횡방향으로 연장되는 한 쌍의 탭을 포함하는, 조사 타겟.
3. 제2항에 있어서, 제1 세장형 중앙 부재의 날개는 복수의 플레이트의 제1 단부면에 맞접하고, 제1 세장형 중앙 부재의 탭은 복수의 플레이트의 제2 단부면에 맞접하며, 탭은 제1 세장형 중앙 부재의 길이방향 중심축을 가로지르는 평면에 놓이는, 조사 타겟.
4. 제3항에 있어서, 세장형 본체는 V자형이고 정점에서 교차하는 한 쌍의 측벽에 의해 형성되는, 조사 타겟.
5. 제2항에 있어서, 제1 단부로부터 횡방향으로 연장되는 한 쌍의 날개와 제2 단부에서 그로부터 연장되는 한 쌍의 탭을 포함하는 제2 세장형 중앙 부재를 더 포함하고, 제2 세장형 중앙 부재의 탭은 제1 세장형 중앙 부재의 날개에 인접해 있는, 조사 타겟.
6. 제5항에 있어서, 제2 세장형 중앙 부재의 탭은, 제2 세장형 중앙 부재의 탭이 제2 세장형 중앙 부재의 길이방향 중심축에 평행한 평면에 놓이도록 제1 세장형 중앙 부재의 날개 위로 절첩되는, 조사 타겟.
7. 제6항에 있어서, 각각의 플레이트는 환형 플레이트이고, 복수의 환형 플레이트와 중앙 튜브는 몰리브덴 란타늄(Mo-La), 티타늄 지르코늄 몰리브덴(Ti-Zr-Mo), 몰리브덴 하프늄 카바이드(Mo Hf-C), 몰리브덴 텅스텐(Mo-W), 니켈 코발트 크롬 몰리브덴(Mo-MP35N), 및 우라늄 몰리브덴(U-Mo) 중 하나로부터 형성되는, 조사 타겟.
8. 제6항에 있어서, 각각의 플레이트는 환형 플레이트이고 복수의 환형 플레이트와 제1 및 제2 세장형 중앙 부재는 몰리브덴-98(Mo-98)로 형성되는, 조사 타겟.
9. 방사성 동위 원소의 생산을 위한 조사 타겟 시스템이며,
   조사 타겟을 포함하고, 조사 타겟은:
   중앙 개구를 정의하는 적어도 하나의 플레이트; 및
   세장형 본체, 제1 단부에서 세장형 본체로부터 횡방향으로 연장되는 한 쌍의 날개, 및 제2 단부에서 세장형 본체로부터 횡방향으로 연장되는 한 쌍의 탭을 포함하는 제1 세장형 중앙 부재로서, 세장형 본체는 적어도 하나의 플레이트가 위에 유지되도록 적어도 하나의 플레이트의 중앙 개구를 통과하는, 제1 세장형 중앙 부재,
   조사 타겟 디번들링 도구를 포함하고, 조사 타겟 디번들링 도구는:
   평면형 상단 표면을 포함하는 본체 부분; 및
   상단 표면의 평면형 부분이 리세스의 각각의 측면에 배치되도록 도구의 본체 내로 하향 연장되는 리세스를 포함하고,
   평면형 상단 표면의 각각의 평면형 부분은 제1 세장형 중앙 부재의 대응 날개에 맞접하도록 구성되는, 조사 타겟 시스템.
10. 제9항에 있어서, 적어도 하나의 플레이트와 제1 세장형 중앙 부재는 모두 중성자 포획을 통해 몰리브덴-99(Mo-99)를 생산하는 재료로 형성되는, 조사 타겟 시스템.
11. 제10항에 있어서, 적어도 하나의 플레이트는 복수의 플레이트를 더 포함하고, 각각의 플레이트의 각각의 중앙 개구는 원형 구멍인, 조사 타겟 시스템.
12. 제11항에 있어서, 디번들링 도구의 리세스는 실질적으로 V자형인, 조사 타겟 시스템.
13. 제11항에 있어서, 제1 세장형 중앙 부재의 날개는 복수의 플레이트의 제1 단부면에 맞접하고, 제1 세장형 중앙 부재의 탭은 복수의 플레이트의 제2 단부면에 맞접하며, 탭은 제1 세장형 중앙 부재의 길이방향 중심축을 가로지르는 평면에 놓이는, 조사 타겟 시스템.
14. 제12항에 있어서, 세장형 본체는 V자형이고 정점에서 교차하는 한 쌍의 측벽에 의해 형성되는, 조사 타겟 시스템.
15. 제11항에 있어서, 제1 단부로부터 횡방향으로 연장되는 한 쌍의 날개와 제2 단부에서 그로부터 연장되는 한 쌍의 탭을 포함하는 제2 세장형 중앙 부재를 더 포함하고, 제2 세장형 중앙 부재의 탭은 제1 세장형 중앙 부재의 날개에 인접해 있는, 조사 타겟 시스템.
16. 제15항에 있어서, 제2 세장형 중앙 부재의 탭은, 제2 세장형 중앙 부재의 탭이 제2 세장형 중앙 부재의 길이방향 중심축에 평행한 평면에 놓이도록 제1 세장형 중앙 부재의 날개 위로 절첩되는, 조사 타겟 시스템.

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