KR20240030491A - External cavity laser light source - Google Patents

External cavity laser light source Download PDF

Info

Publication number
KR20240030491A
KR20240030491A KR1020220109606A KR20220109606A KR20240030491A KR 20240030491 A KR20240030491 A KR 20240030491A KR 1020220109606 A KR1020220109606 A KR 1020220109606A KR 20220109606 A KR20220109606 A KR 20220109606A KR 20240030491 A KR20240030491 A KR 20240030491A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength
coated
semiconductor chip
filter
light source
Prior art date
Application number
KR1020220109606A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김병휘
박만용
Original Assignee
(주)엠이엘 텔레콤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)엠이엘 텔레콤 filed Critical (주)엠이엘 텔레콤
Priority to KR1020220109606A priority Critical patent/KR20240030491A/en
Publication of KR20240030491A publication Critical patent/KR20240030491A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10053—Phase control

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명은 외부공진광원에 관한 것으로, 반도체칩과 반사체 사이에 순차 배치된 렌즈와 파장선택필터를 포함하는 외부공진광원에 있어서, 복수의 개별투과 스펙트럼 중 하나의 개별투과 스펙트럼의 파장을 선택하여, 공진 주파수로 설정하여, 단일 모드로 동작할 수 있다.The present invention relates to an external resonance light source, which includes a lens and a wavelength selection filter sequentially arranged between a semiconductor chip and a reflector, selecting a wavelength of one individual transmission spectrum among a plurality of individual transmission spectra, By setting it to the resonant frequency, it can operate in single mode.

Description

외부공진광원{External cavity laser light source}External laser cavity light source}

본 발명은 외부공진광원에 관한 것으로, 더 상세하게는 다중 모드 발진을 방지하는 외부공진광원에 관한 것이다.The present invention relates to an external resonance light source, and more specifically, to an external resonance light source that prevents multi-mode oscillation.

일반적으로, 광통신 회선, 광통신 장치 및 FBG(Fiber Brag Grating)를 평가하기 위해서 가변파장 광원이 사용된다.Generally, a variable wavelength light source is used to evaluate optical communication lines, optical communication devices, and FBG (Fiber Brag Grating).

이러한 가변파장 광원의 예로 외부공진광원을 들 수 있다. An example of such a variable wavelength light source is an external resonance light source.

외부공진광원은 광원으로서 반도체 레이저칩(반도체 이득칩)을 광원으로 사용하며, 등록특허 10-0699626호(외부 공동 공진기형 가변파장 광원, 2007년 3월 19일 등록) 등에 공개되어 있다.The external resonance light source uses a semiconductor laser chip (semiconductor gain chip) as a light source, and is disclosed in registered patent number 10-0699626 (external cavity resonator type variable wavelength light source, registered on March 19, 2007).

위의 등록특허에 기재된 바와 같이 외부공진광원은 반도체 이득칩과, 반도체 이득칩과는 공간적으로 분리된 반사체, 상기 반도체 이득칩 및 반사체로 형성된 외부공진기 내에 삽입된 파장선택필터를 포함한다.As described in the above registered patent, the external resonance light source includes a semiconductor gain chip, a reflector spatially separated from the semiconductor gain chip, and a wavelength selection filter inserted into an external resonator formed by the semiconductor gain chip and the reflector.

반도체 이득칩은 동작 파장 대역에서 광 이득 기능을 수행하고, 반사체는 외부공진기를 형성하기 위한 광 반사 기능을 수행하고, The semiconductor gain chip performs an optical gain function in the operating wavelength band, and the reflector performs an optical reflection function to form an external resonator.

파장선택필터는 반도체 이득칩 동작 파장 대역에서 발진하는 파장을 선택하는 기능을 수행한다. The wavelength selection filter performs the function of selecting the wavelength oscillating in the semiconductor gain chip operating wavelength band.

상기 각 광 부품들 (반도체 이득칩, 반사체, 파장선택필터)은 공통 기판에 동일 재질로 집적화되지 않고, 각 광 부품의 특성에 맞는 최적화된 물질로 제작된 후 공간적으로 분리되어 실장된다.Each of the optical components (semiconductor gain chip, reflector, wavelength selection filter) is not integrated on a common substrate with the same material, but is manufactured from materials optimized for the characteristics of each optical component and then spatially separated and mounted.

이하에서는 종래 외부공진광원에 대하여 좀 더 구체적으로 설명한다.Below, a conventional external resonance light source will be described in more detail.

도 1은 종래 외부공진광원의 블록 구성도이다.1 is a block diagram of a conventional external resonance light source.

도 1을 참조하면, 종래 외부공진광원(100)은, 반도체칩(110), 렌즈(120), 투과형 파장선택필터(130), 반사체(150)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a conventional external resonance light source 100 includes a semiconductor chip 110, a lens 120, a transmission type wavelength selective filter 130, and a reflector 150.

반도체칩(110)의 전면(112)은 무반사코팅(anti-reflection coating, 이하, “AR”이라 약칭함)되어 있으며, 후면(111)은 고반사코팅(high reflection coating, 이하 “HR”이라 약칭함)된다. The front 112 of the semiconductor chip 110 is coated with an anti-reflection coating (hereinafter abbreviated as “AR”), and the rear 111 is coated with a high reflection coating (hereinafter abbreviated as “HR”). ) becomes.

반사체(150)의 전면(151)은 요구되는 반사율을 갖는 부분반사코팅(partial-reflection coating, 이하 “PR”이라 약칭함)되고, 후면(152)은 AR 코팅된다. The front 151 of the reflector 150 is coated with a partial-reflection coating (hereinafter abbreviated as “PR”) having the required reflectivity, and the rear 152 is coated with AR.

반도체칩(110) 후면(111)과 반사체(150) 전면(151) 사이에서 외부공진기(101)가 형성된다. An external resonator 101 is formed between the rear surface 111 of the semiconductor chip 110 and the front surface 151 of the reflector 150.

외부공진기(101)에서 출력되는 광은, 반도체칩(110) 후면(111)에서 출사되는 후면광출력(OUT1)과 반사체(150) 후면(152)에서 출사되는 전면광출력(OUT2)이 존재한다. The light output from the external resonator 101 includes a rear light output (OUT1) emitted from the rear surface 111 of the semiconductor chip 110 and a front light output (OUT2) emitted from the rear surface 152 of the reflector 150. .

AR 코팅의 반사율은 0.5% 이하이고, HR 코팅의 반사율은 80% 이상이고, PR 코팅은 10% ~ 90% 범위를 갖는다. The reflectance of AR coating is less than 0.5%, that of HR coating is more than 80%, and that of PR coating ranges from 10% to 90%.

상기 AR, HR, PR 코팅들은 통상 SiO2, TiO2, Ta2O3, Al2O3, Si3N4 등과 같은 유전체 재질의 다층 박막 구조를 갖는다. The AR, HR, and PR coatings usually have a multilayer thin film structure made of dielectric materials such as SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 3 , Al 2 O 3 , and Si 3 N 4 .

각 박막의 두께와 재질(굴절률) 및 박막 층 수를 조절하여 목표하는 반사율을 얻는다. The target reflectance is obtained by adjusting the thickness and material (refractive index) of each thin film and the number of thin film layers.

다층 박막 구조의 반사 코팅은, 박막 재질이 갖고 있는 굴절률의 분산(dispersion) 특성으로 인하여 반사율은 파장 의존성이 존재한다. In the reflective coating with a multilayer thin film structure, the reflectance is wavelength dependent due to the dispersion characteristic of the refractive index of the thin film material.

그러나 반도체칩(110)의 3dB 이득 파장 대역 범위가 통상 100nm 보다 작고, 반사 코팅의 반사율 변화량은 100nm 파장 대역에서 5% 이내이므로, 실질적으로 반사 코팅의 반사율은 파장 의존성이 없다고 가정한다. However, since the 3dB gain wavelength range of the semiconductor chip 110 is generally smaller than 100 nm, and the reflectance change of the reflective coating is within 5% in the 100 nm wavelength band, it is assumed that the reflectance of the reflective coating has no wavelength dependence.

이하 설명에서는, 반사 코팅의 반사율에 대해서 특별히 파장 의존성을 언급하지 않으면, 반사 코팅의 반사율은 파장 의존성이 없다는 의미로 해석한다.In the following description, unless the wavelength dependence of the reflectance of the reflective coating is specifically mentioned, it is interpreted to mean that the reflectance of the reflective coating has no wavelength dependence.

도 2는 투과형 파장선택필터(130)의 구성과 작용의 설명도이다.Figure 2 is an explanatory diagram of the configuration and operation of the transmission type wavelength selection filter 130.

도 2를 참조하면, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이 투과형 파장선택필터(130)는 투과형 제1필터(131)와 투과형 제2필터(132)를 포함한다.Referring to FIG. 2, as shown in (a) of FIG. 2, the transmission-type wavelength selection filter 130 includes a transmission-type first filter 131 and a transmission-type second filter 132.

투과형 제1필터(131)와 투과형 제2필터(132)의 투과 스펙트럼을 도 2의 (b)에 도시하였다.The transmission spectra of the first transmission-type filter 131 and the second transmission-type filter 132 are shown in (b) of FIG. 2.

투과형 제1필터(131)와 투과형 제2필터(132) 각각의 투과 스펙트럼은, 필터의 차수 m(m: 정수)에 해당하는 개별투과스펙트럼들의 조합으로, 인접 차수간 파장 차이는 FSR(Free Spectral Range)이며, 통상 100nm 이내의 동작 파장 대역에서는 FSR값 변화율은 5% 이내이므로 일정한 값으로 가정한다. The transmission spectrum of each of the first transmission-type filter 131 and the second transmission-type filter 132 is a combination of individual transmission spectra corresponding to the order m (m: integer) of the filter, and the wavelength difference between adjacent orders is FSR (Free Spectral). Range), and the FSR value change rate is usually within 5% in the operating wavelength band within 100 nm, so it is assumed to be a constant value.

따라서, 각 필터의 투과 스펙트럼은 FSR의 파장 주기를 갖는 개별투과 스텍트럼들의 조합으로 가정할 수 있다. Therefore, the transmission spectrum of each filter can be assumed to be a combination of individual transmission spectra having a wavelength period of FSR.

투과형 제1필터(131)가 제1FSR의 파장 주기를 갖고, 투과형 제2필터(132)가 제2FSR 파장 주기를 갖는 경우, 파장선택필터(130)의 최종 투과 스펙트럼의 파장 주기는 제1FSR과 제2FSR의 최소공배수인 제3FSR로 나타난다.When the first transmission-type filter 131 has a wavelength period of the first FSR and the second transmission-type filter 132 has a wavelength period of the second FSR, the wavelength period of the final transmission spectrum of the wavelength selection filter 130 is the wavelength period of the first FSR and the second FSR. It appears as the 3rd FSR, which is the least common multiple of 2FSR.

즉, 3FSR = 제1FSR x 제2FSR / |제2FSR - 제1FSR|의 관계식에 의해 계산될 수 있다. That is, it can be calculated by the relational expression 3FSR = 1st FSR x 2nd FSR / | 2nd FSR - 1st FSR|.

도 3은 종래 외부공진광원(100)의 문제점을 설명하기 위한 파형도이다.Figure 3 is a waveform diagram to explain the problems of the conventional external resonance light source 100.

먼저, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이 반도체칩(110)은 3dB 이득파장대역 범위에서 광 이득을 생성하고, 외부공진기(101)를 형성하는 반도체칩(110)의 후면(111) HR 코팅 반사율과 반사체(150)의 전면(151) PR 코팅 반사율은 파장에 무관하게 일정한 반사율을 갖는다.First, as shown in (a) of FIG. 3, the semiconductor chip 110 generates optical gain in the 3 dB gain wavelength range, and the rear surface 111 HR of the semiconductor chip 110 forming the external resonator 101 Coating reflectance and the PR coating reflectance of the front surface 151 of the reflector 150 have a constant reflectance regardless of the wavelength.

이때, 투과형 파장선택필터(130)는 이득파장대역 범위 내에 개별투과 스텍트럼(137)이 하나만 존재하고, 인접 개별투과 스텍트럼은 이득파장대역 범위 밖에 존재하도록 제3FSR 파장 주기 값을 갖는 경우에는, 광출력의 발진 파장은 파장선택필터(130)의 특정 개별투과스텍트럼으로 한정됨으로 안정적인 단일 파장 발진 광원이 된다. At this time, when the transmission type wavelength selection filter 130 has only one individual transmission spectrum 137 within the gain wavelength band range and the adjacent individual transmission spectrum has a 3rd FSR wavelength period value such that it exists outside the gain wavelength band range, the optical output The oscillation wavelength is limited to the specific individual transmission spectrum of the wavelength selection filter 130, making it a stable single-wavelength oscillation light source.

그러나 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 파장선택필터(130)가 이득파장대역 범위 내에 두 개 이상의 개별투과 스텍트럼이 존재하도록 하는 제3FSR 파장 주기 값을 갖는 경우에는, 광출력은 파장선택필터(130)의 두 개 이상의 개별투과 스텍트럼에서 복수의 파장이 발진되어 출력됨으로써, 발진 모드 불안정에 의한 파장 및 출력 광파워 불안정 현상이 발생한다.However, as shown in (b) of FIG. 3, when the wavelength selection filter 130 has a 3rd FSR wavelength period value such that two or more individual transmission spectra exist within the gain wavelength band range, the optical output is wavelength selected. As a plurality of wavelengths are oscillated and output from two or more individual transmission spectra of the filter 130, wavelength and output optical power instability due to oscillation mode instability occurs.

즉, 다중 모드 발진이 발생하는 문제점이 있었다.In other words, there was a problem in which multi-mode oscillation occurred.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 주기적인 투과 특성을 갖는 파장선택필터를 포함하는 외부공진광원에서, 파장선택필터의 주기적인 투과 특성으로 인한 복수의 개별투과스텍트럼 파장 영역에서 복수의 파장이 발진되는 것을 방지할 수 있는 외부공진광원을 제공함에 있다.The problem to be solved by the present invention in consideration of the above problems is that in an external resonance light source including a wavelength selection filter with periodic transmission characteristics, in a plurality of individual transmission spectrum wavelength regions due to the periodic transmission characteristics of the wavelength selection filter. The goal is to provide an external resonance light source that can prevent multiple wavelengths from oscillating.

본 발명의 명시되지 않은 또 다른 목적들은 하기의 상세한 설명 및 그 효과로부터 용이하게 추론할 수 있는 범위 내에서 추가적으로 고려될 것이다.Other unspecified objects of the present invention will be further considered within the scope that can be easily inferred from the following detailed description and its effects.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명 외부공진광원은, 반도체칩과 반사체 사이에 순차 배치된 렌즈와 파장선택필터를 포함하는 외부공진광원에 있어서, 복수의 개별투과 스펙트럼 중 하나의 개별투과 스펙트럼의 파장을 선택하여, 공진 주파수로 설정하여, 단일 모드로 동작할 수 있다.The external resonance light source of the present invention to solve the above technical problems is an external resonance light source including a lens and a wavelength selection filter sequentially arranged between a semiconductor chip and a reflector, and has one individual transmission spectrum among a plurality of individual transmission spectra. It can operate in single mode by selecting the wavelength and setting it as the resonant frequency.

본 발명의 실시 예에서, 상기 반도체칩의 상기 렌즈를 향하는 전면은 파장 무의존 AR 코팅되며, 반대편인 후면은 파장 무의존 HR 코팅되고, 상기 반사체의 상기 렌즈를 향하는 전면은 제1파장 대역의 광신호만 투과하는 파장 선택 투과 필터이고, 반대편인 후면은 파장 무의존 PR 코팅되고, 상기 반도체칩의 후면과 상기 반사체의 후면 사이에서 외부 공진기로 작용할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the front side of the semiconductor chip facing the lens is coated with wavelength-independent AR, the opposite back side is coated with wavelength-independent HR, and the front side of the reflector facing the lens is coated with light in the first wavelength band. It is a wavelength-selective transmission filter that transmits only signals, and the opposite back side is coated with wavelength-independent PR, and can act as an external resonator between the back side of the semiconductor chip and the back side of the reflector.

본 발명의 실시 예에서, 상기 반도체칩의 상기 렌즈를 향하는 전면은 파장 무의존 AR 코팅되며, 반대편인 후면은 제1파장 대역의 광신호만 반사하는 파장 선택 반사 필터 코팅되고, 상기 반사체의 상기 렌즈를 향하는 전면은 파장 무의존 PR 코팅되고, 반대편인 후면은 파장 무의존 AR 코팅되고, 상기 반도체칩의 후면과 반사체의 전면 사이에서 외부 공진기로 작용할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the front side of the semiconductor chip facing the lens is coated with wavelength-independent AR, and the opposite back side is coated with a wavelength-selective reflection filter that reflects only optical signals in a first wavelength band, and the lens of the reflector The front side facing is coated with wavelength-independent PR, and the back side on the opposite side is coated with wavelength-independent AR, and can act as an external resonator between the back side of the semiconductor chip and the front side of the reflector.

본 발명의 실시 예에서, 상기 반도체칩의 상기 렌즈를 향하는 전면은 파장 무의존 AR 코팅되며, 반대편인 후면은 파장 무의존 HR 코팅되고, 상기 반도체칩의 전면과 후면은 파장 무의존 HR 코팅되고, 상기 반사체의 상기 렌즈를 향하는 전면은 파장 무의존 PR 코팅되고, 반대편인 후면은 파장 무의존 AR 코팅되고, 상기 파장선택필터는 제1파장 대역에서만 주기적인 개별투과 스펙트럼을 갖는 에탈론필터를 포함하고, 상기 반도체칩 후면과 상기 반사체 전면 사이에서 외부 공진기로 작용할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the front side of the semiconductor chip facing the lens is coated with wavelength-independent AR, the back side on the opposite side is coated with wavelength-independent HR, and the front and back sides of the semiconductor chip are coated with wavelength-independent HR, The front side of the reflector facing the lens is coated with wavelength-independent PR, and the opposite back side is coated with wavelength-independent AR, and the wavelength selection filter includes an etalon filter having a periodic individual transmission spectrum only in the first wavelength band, , may act as an external resonator between the back of the semiconductor chip and the front of the reflector.

본 발명의 실시 예에서, 상기 제1파장 대역은, 상기 반도체칩의 이득파장대역 내에 존재하고, 파장선택필터의 3FSR 너비보다 좁은 너비를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first wavelength band exists within the gain wavelength band of the semiconductor chip and may have a width narrower than the 3FSR width of the wavelength selection filter.

주기적인 개별투과 스펙트럼을 갖는 파장선택필터가 외부공진기 내부에 삽입되어 파장 선택 기능을 수행하는 외부공진광원 구조에서, 복수의 개별투과 스펙트럼 파장 영역에서 복수의 파장이 발진되는 문제를 해결함으로써, 외부공진광원의 파장 안정성 및 광출력 안정성을 개선할 수 있다.In an external resonance light source structure in which a wavelength selection filter with a periodic individual transmission spectrum is inserted inside an external resonator to perform a wavelength selection function, by solving the problem of multiple wavelengths being oscillated in a plurality of individual transmission spectrum wavelength regions, external resonance The wavelength stability and optical output stability of the light source can be improved.

또한, 본 발명에서 제시하는 외부공진광원 구조는 파장 가변 기능을 수행하는 파장 가변 외부공진광원에도 동일하게 적용 가능하다. Additionally, the external resonance light source structure presented in the present invention is equally applicable to a wavelength-tunable external resonance light source that performs a wavelength-tunable function.

한편, 여기에서 명시적으로 언급되지 않은 효과라 하더라도, 본 발명의 기술적 특징에 의해 기대되는 이하의 명세서에서 기재된 효과 및 그 잠정적인 효과는 본 발명의 명세서에 기재된 것과 같이 취급됨을 첨언한다. Meanwhile, it is to be added that even if the effects are not explicitly mentioned herein, the effects described in the following specification and their potential effects expected from the technical features of the present invention are treated as if described in the specification of the present invention.

도 1은 종래 외부공진광원의 구성도이다.
도 2는 종래 투과형 파장선택필터의 구성과 작용의 설명도이다.
도 3은 종래 외부공진광원의 문제점을 설명하기 위한 파형도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 외부공진광원의 구성도이다.
도 5는 본 발명의 동작 설명을 위한 파형도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 외부공진광원의 구성도이다.
도 7은 도 6의 구성 예에서, 각 구성요소의 파장 파형도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 외부공진광원의 구성도이다.
도 9는 도 8의 구성 예에서, 각 구성요소의 파장 파형도이다.
도 10은 파장선택필터의 구성 예시도이다.
도 11은 도 10의 파장선택필터의 작용을 나타낸 파형도이다.
도 12는 에탈론필터의 기능을 설명하기 위한 설명도이다.
※ 첨부된 도면은 본 발명의 기술사상에 대한 이해를 위하여 참조로서 예시된 것임을 밝히며, 그것에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되지는 아니한다1 is a configuration diagram of a conventional external resonance light source.
Figure 2 is an explanatory diagram of the configuration and operation of a conventional transmission type wavelength selection filter.
Figure 3 is a waveform diagram to explain problems with conventional external resonance light sources.
Figure 4 is a configuration diagram of an external resonance light source according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 5 is a waveform diagram for explaining the operation of the present invention.
Figure 6 is a configuration diagram of an external resonance light source according to another embodiment of the present invention.
Figure 7 is a waveform diagram of each component in the configuration example of Figure 6.
Figure 8 is a configuration diagram of an external resonance light source according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a waveform diagram of each component in the configuration example of FIG. 8.
Figure 10 is an example configuration of a wavelength selection filter.
Figure 11 is a waveform diagram showing the operation of the wavelength selection filter of Figure 10.
Figure 12 is an explanatory diagram to explain the function of the etalon filter.
※ The attached drawings are intended to be used as reference for understanding the technical idea of the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라, 여러가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예에 대한 설명은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성요소는 설명의 편의를 위하여 그 크기를 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.In order to fully understand the configuration and effects of the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various forms and various changes can be made. However, the description of this embodiment is provided to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to fully inform those skilled in the art of the present invention of the scope of the invention. In the attached drawings, components are shown enlarged in size for convenience of explanation, and the proportions of each component may be exaggerated or reduced.

'제1', '제2' 등의 용어는 다양한 구성요소를 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소는 위 용어에 의해 한정되어서는 안 된다. 위 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리범위를 벗어나지 않으면서 '제1구성요소'는 '제2구성요소'로 명명될 수 있고, 유사하게 '제2구성요소'도 '제1구성요소'로 명명될 수 있다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어는 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.Terms such as 'first' and 'second' may be used to describe various components, but the components should not be limited by the above terms. The above terms may be used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a 'first component' may be named a 'second component' without departing from the scope of the present invention, and similarly, a 'second component' may also be named a 'first component'. You can. Additionally, singular expressions include plural expressions, unless the context clearly dictates otherwise. Unless otherwise defined, terms used in the embodiments of the present invention may be interpreted as meanings commonly known to those skilled in the art.

이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 외부공진광원에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, an external resonance light source according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 외부공진광원의 구성도이다.Figure 4 is a configuration diagram of an external resonance light source according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명 외부공진광원(1)은, 반도체칩(10), 렌즈(20), 파장선택필터(30) 및 반사체(40)를 포함하며, 반사체(40)를 제외한 구성은 도 1에 도시한 종래의 구조와 동일할 수 있다.Referring to FIG. 4, the external resonance light source 1 of the present invention includes a semiconductor chip 10, a lens 20, a wavelength selection filter 30, and a reflector 40, and the configuration excluding the reflector 40 is It may be the same as the conventional structure shown in FIG. 1.

본 발명에서 반사체(40)는 전면(40a)은 특정한 파장 영역(ΔλM)만 투과시키는 투과 필터가 코팅되고, 반사체(40) 후면(40b)은 외부공진기(11)를 구성하기 위한 반사층인 PR 코팅층이 형성된다. In the present invention, the front surface (40a) of the reflector 40 is coated with a transmission filter that transmits only a specific wavelength range (Δλ M ), and the rear surface (40b) of the reflector 40 is a PR reflection layer for forming the external resonator 11. A coating layer is formed.

이와 같이 반사체(40)의 전면(40a)에 투과 필터를 형성함으로써, 반도체칩(10)의 이득파장대역 내에 존재하는 파장선택필터(30)에서 필터링된 두 개의 개별투과 스펙트럼 중 하나의 개별투과 스펙트럼을 선택할 수 있다.By forming a transmission filter on the front surface 40a of the reflector 40 in this way, one of the two individual transmission spectra filtered by the wavelength selection filter 30 existing within the gain wavelength band of the semiconductor chip 10 is transmitted. You can select .

이후의 설명에서 반사체(40)와 반도체칩(10)에 대하여 전면과 후면을 나누어 설명하며, 이때 전면의 기준은 렌즈(20)를 향하는 측이 전면, 그 반대가 후면인 것으로 정하여 설명한다.In the following description, the reflector 40 and the semiconductor chip 10 will be described separately into the front and back sides. At this time, the front side is explained by assuming that the side facing the lens 20 is the front side and the opposite side is the back side.

도 5의 파형도를 이용하여, 보다 구체적인 본 발명의 동작을 설명한다.Using the waveform diagram of FIG. 5, the operation of the present invention will be described in more detail.

도 5의 (a)는 반도체칩(10)의 이득파장영역을 나타낸다.Figure 5(a) shows the gain wavelength region of the semiconductor chip 10.

도 5의 (b)는 반사체(40) 전면(40a)인 투과 필터의 투과 파장 영역(ΔλM)을 나타낸다.Figure 5(b) shows the transmission wavelength region (Δλ M ) of the transmission filter, which is the front surface 40a of the reflector 40.

이처럼 반사체(40)의 전면(40a)인 투과 필터는 반도체칩(10)의 이득파장영역의 일부만을 투과시키는 것으로, 반도체 칩(10)의 이득파장영역 중 파장이 짧은 영역의 일부를 투과시키는 것으로 도시하였으나, 반대로 반도체 칩(10)의 이득파장영역 중 파장이 긴 영역의 일부를 투과시키는 것도 가능하다.In this way, the transmission filter on the front surface 40a of the reflector 40 transmits only a portion of the gain wavelength region of the semiconductor chip 10, and transmits a portion of the short wavelength region among the gain wavelength region of the semiconductor chip 10. Although shown, on the other hand, it is also possible to transmit a portion of the long wavelength region of the gain wavelength region of the semiconductor chip 10.

즉, 상기 투과 필터의 투과 파장 영역(ΔλM)은 반도체칩(10)의 이득파장대역 내에 존재하고, 투과 파장 영역(ΔλM)의 크기는 파장선택필터(30)의 투과 주기인 제3FSR보다는 작아야 한다.That is, the transmission wavelength region (Δλ M ) of the transmission filter exists within the gain wavelength band of the semiconductor chip 10, and the size of the transmission wavelength region (Δλ M ) is greater than the 3FSR, which is the transmission period of the wavelength selection filter 30. It must be small.

도 5의 (c)는 반사체(40)의 후면(40b) 반사도를 나타낸다. 반사체(40)의 후면(40b)은 전파장 영역에서 고른 반사도를 나타낸다.Figure 5(c) shows the reflectivity of the rear surface 40b of the reflector 40. The rear surface 40b of the reflector 40 exhibits even reflectivity in the radio wave field region.

도 5의 (d)에는 파장선택필터(30)의 개별투과 스펙트럼을 나타내며, 도 5의 (e)는 광출력(OUT1, OUT2)을 나타낸다.Figure 5(d) shows the individual transmission spectrum of the wavelength selection filter 30, and Figure 5(e) shows the optical outputs OUT1 and OUT2.

도 5의 (e)에서 확인할 수 있는 바와 같이 외부공진기(11)에서 출사되는 광출력(OUT1, OUT2)의 파장은, 파장선택필터(30)의 다수의 개별투과스펙트럼 중에서, 반사체(40) 전면(40a) 투과 필터의 투과 파장 영역(ΔλM)에 의해서 선택된 개별투과 스펙트럼으로 한정되며, 따라서 안정적인 단일 모드 동작이 이루어질 수 있다.As can be seen in (e) of FIG. 5, the wavelength of the light output (OUT1, OUT2) emitted from the external resonator 11 is the front surface of the reflector 40 among the multiple individual transmission spectra of the wavelength selection filter 30. (40a) It is limited to the individual transmission spectrum selected by the transmission wavelength range (Δλ M ) of the transmission filter, and thus stable single-mode operation can be achieved.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 외부공진광원(1)의 구성도이다.Figure 6 is a configuration diagram of an external resonance light source 1 according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면 다른 구성은 도 1의 종래 외부공진광원과 동일하나, 반도체칩(10)의 후면(10a) 반사 코팅에 차이를 두어, 두 개별투과 스펙트럼 중 하나를 선택하도록 구성할 수 있다.Referring to FIG. 6, the other configuration is the same as the conventional external resonance light source of FIG. 1, but a difference is made in the reflective coating on the rear surface 10a of the semiconductor chip 10, so that one of two individual transmission spectra can be selected.

종래의 구성에서 반도체칩의 후면은 파장 무의존 HR 코팅이 되어 있으나, 본 발명에서 반도체칩(10)의 후면(10a)은 파장 의존 반사코팅되어, 특정한 파장의 광을 반사할 수 있다.In the conventional configuration, the rear surface of the semiconductor chip is coated with wavelength-independent HR coating, but in the present invention, the rear surface 10a of the semiconductor chip 10 is coated with a wavelength-dependent reflective coating, so that it can reflect light of a specific wavelength.

반도체칩(10)의 후면(10a)은 파장 의존 반사 코팅되어 반사 파장 영역(ΔλH) 내의 파장에 대해서만 특정 반사도를 갖고, 나머지 파장에서는 반사가 발생하지 않도록 한다.The rear surface 10a of the semiconductor chip 10 is coated with a wavelength-dependent reflection to have a specific reflectivity only for wavelengths within the reflection wavelength region Δλ H and to prevent reflection from occurring in the remaining wavelengths.

반도체칩(10)의 이득파장대역 내에 존재하는 파장선택필터(30)의 두 개의 개별투과 스펙트럼 중에서 한 개의 개별투과 스펙트럼을 선택하기 위하여, 반도체칩(10) 후면(10a) 반사 필터의 반사 파장 영역(ΔλH)은 반도체칩(10)의 이득파장대역 내에 존재하고, 반사 파장 영역(ΔλH)의 크기는 파장선택필터(30)의 투과 주기인 제3FSR 값보다 작아야 한다. In order to select one individual transmission spectrum from the two individual transmission spectra of the wavelength selection filter 30 existing within the gain wavelength band of the semiconductor chip 10, the reflection wavelength region of the reflection filter on the rear surface 10a of the semiconductor chip 10 (Δλ H ) exists within the gain wavelength band of the semiconductor chip 10, and the size of the reflection wavelength region (Δλ H ) must be smaller than the 3rd FSR value, which is the transmission period of the wavelength selection filter 30.

이 경우 외부공진기(11)에서 출사되는 광출력(OUT1, OUT2) 파장은, 파장선택필터(30)의 다수의 개별투과 스펙트럼 중에서, 반도체칩(10) 후면(10a) 반사 필터의 반사 파장 영역(ΔλH)에 의해서 선택된 개별투과 스펙트럼으로 한정되어, 안정적인 단일 모드 동작이 가능하다.In this case, the wavelength of the optical output (OUT1, OUT2) emitted from the external resonator 11 is the reflection wavelength region ( Limited to individual transmission spectra selected by Δλ H ), stable single-mode operation is possible.

도 7은 도 6의 구성 예에서, 각 구성요소의 파장을 나타낸다.Figure 7 shows the wavelength of each component in the configuration example of Figure 6.

도 7의 (a)는 반도체칩(10)의 이득파장대역을 나타내며, 도 7의 (b)는 후면(10a)에서 반사되는 반사 파장 영역(ΔλH)을 나타낸다.Figure 7 (a) shows the gain wavelength band of the semiconductor chip 10, and Figure 7 (b) shows the reflection wavelength region (Δλ H ) reflected from the rear surface 10a.

또한, 도 7의 (c)는 반사체(40)의 전면(40a) 반사도, 도 7의 (d)는 파장선택필터(30)에 의해 선택된 개별투과 스펙트럼을 나타낸다.In addition, (c) in FIG. 7 shows the reflectance of the front surface 40a of the reflector 40, and (d) in FIG. 7 shows the individual transmission spectrum selected by the wavelength selection filter 30.

파장선택필터(30)에 의해 선택된 두 개의 개별투과 스펙트럼은 반도체칩(10)의 후면(10a) 반사 파장 영역(ΔλH)에 의해 하나가 선택되어, 도 7의 (e)에 도시한 바와 같이 선택된 하나의 개별투과 스펙트럼과 일치하는 광출력을 출력하게 된다.As for the two individual transmission spectra selected by the wavelength selection filter 30, one is selected by the reflection wavelength region (Δλ H ) on the rear surface 10a of the semiconductor chip 10, as shown in (e) of FIG. 7. The optical output that matches the selected individual transmission spectrum is output.

도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 외부공진광원의 구성도이다.Figure 8 is a configuration diagram of an external resonance light source according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 파장선택필터(30)의 개별투과 스펙트럼을 변화시켜, 단일 모드 동작이 가능하게 할 수 있다.The present invention can change the individual transmission spectrum of the wavelength selection filter 30 to enable single mode operation.

종래 구성에서의 파장선택필터의 개별투과 스펙트럼은 제3FSR이라는 파장 주기를 갖고, 각 개별투과 스펙트럼의 투과율은 동일하였다.In the conventional configuration, the individual transmission spectrum of the wavelength selection filter had a wavelength period called the 3rd FSR, and the transmittance of each individual transmission spectrum was the same.

본 발명의 파장선택필터(30)의 개별투과 스펙트럼은 제3FSR라는 파장 주기는 동일하나, 각 개별투과 스펙트럼의 투과율에 차이를 두어 특정 파장만을 통과시킬 수 있도록 구성한다.The individual transmission spectrum of the wavelength selection filter 30 of the present invention has the same wavelength period called the 3rd FSR, but the transmittance of each individual transmission spectrum is different so that only specific wavelengths can pass.

즉, 제3FSR 파장 주기를 갖는 다수의 개별투과 스펙트럼 중에서 최대 투과율을 갖는 개별투과 스펙트럼이 존재하고, 나머지 개별투과 스펙트럼의 투과율은 그보다 값이 3dB 이상 작게 설정된다. That is, among the plurality of individual transmission spectra having the 3rd FSR wavelength period, there is an individual transmission spectrum with the maximum transmittance, and the transmittance of the remaining individual transmission spectra is set to be at least 3 dB lower than that.

도 9의 (a)는 반도체칩(10)의 이득파장영역을 나타내며, 도 9의 (b)와 (c)는 각각 반도체칩(10)의 후면(10a)과 반사체(40)의 전면(40a)반사도를 나타낸다. 반도체칩(10)의 후면(10a)과 반사체(40)의 전면(40a) 사이는 외부공진기(11)를 이룬다.Figure 9 (a) shows the gain wavelength region of the semiconductor chip 10, and Figures 9 (b) and (c) show the rear surface 10a of the semiconductor chip 10 and the front surface 40a of the reflector 40, respectively. ) Indicates reflectivity. An external resonator 11 is formed between the rear surface 10a of the semiconductor chip 10 and the front surface 40a of the reflector 40.

반도체칩(10)의 후면(10a)과 반사체(40)의 반사도는 모든 파장에 대하여 균일하게 나타난다.The reflectivity of the rear surface 10a of the semiconductor chip 10 and the reflector 40 appears uniform for all wavelengths.

도 9의 (d)에 도시한 바와 같이 파장선택필터(30)의 파장별 투과율을 변경하여, 하나의 개별투과 스펙트럼을 선택할 수 있다.As shown in (d) of FIG. 9, one individual transmission spectrum can be selected by changing the transmittance for each wavelength of the wavelength selection filter 30.

즉, 최대 투과율을 갖는 개별투과 스펙트럼의 투과율을 다른 개별투과 스펙트럼의 투과율보다 3dB 이상 크게하여 도 9의 (e)에 도시한 바와 같이 외부공진기(11)에서 출사되는 광출력(OUT1, OUT2) 파장은, 파장선택필터(30)의 최대 투과율을 갖는 개별투과 스펙트럼에서 발진되므로 안정적인 단일 모드 동작이 가능하다.That is, the transmittance of the individual transmission spectrum with the maximum transmittance is increased by more than 3 dB than the transmittance of other individual transmission spectra, and the wavelength of the optical output (OUT1, OUT2) emitted from the external resonator 11 is increased as shown in (e) of FIG. 9. Since oscillates in an individual transmission spectrum having the maximum transmittance of the wavelength selection filter 30, stable single-mode operation is possible.

이처럼 상기 파장선택필터(30)의 파장별 투과율에 차이를 두는 구성에 대하여 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The configuration of the wavelength selection filter 30 that varies the transmittance for each wavelength will be described in more detail as follows.

도 10은 파장선택필터(30)의 구성 예시도이고, 도 11은 도 10의 파장선택필터(30)의 작용을 나타낸 파형도이다.FIG. 10 is an exemplary configuration diagram of the wavelength selection filter 30, and FIG. 11 is a waveform diagram showing the operation of the wavelength selection filter 30 of FIG. 10.

도 10과 도 11을 각각 참조하면 파장선택필터(30)는 에탈론 필터인 제1필터(31)와 제2필터(32)로 구성될 수 있다. 반대로 제2필터(32)가 에탈론필터일 수도 있다.Referring to Figures 10 and 11, respectively, the wavelength selection filter 30 may be composed of a first filter 31 and a second filter 32, which are etalon filters. Conversely, the second filter 32 may be an etalon filter.

설명의 편의를 위하여 제1필터(31)가 에탈론필터인 경우에 대하여 설명하며, 이러한 설명은 제2필터(32)가 에탈론필터인 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.For convenience of explanation, the case where the first filter 31 is an etalon filter will be described, and this description can be equally applied to the case where the second filter 32 is an etalon filter.

에탈론필터의 재질은 글래스, 폴리머, 실리콘 또는 InP와 같은 반도체 물질, LiNbO3와 같은 비선형 결정체 등이 가능하다. The materials of the etalon filter can be glass, polymer, semiconductor materials such as silicon or InP, and nonlinear crystals such as LiNbO 3 .

도 12는 에탈론필터의 기능을 설명하기 위한 설명도이다.Figure 12 is an explanatory diagram to explain the function of the etalon filter.

도 12의 (a)에 도시한 바와 같이 에탈론필터인 제1필터(31)는, 전면(31a)과 후면(31b)은 각각 부분 반사 코팅된다. As shown in (a) of FIG. 12, the front side (31a) and the back side (31b) of the first filter 31, which is an etalon filter, are each partially reflective coated.

도 12의 (b)에 도시한 바와 같이, 전면(31a)과 후면(31b)은 파장 무의존 부분반사 코팅된 것일 수 있으며, 이때 제1필터(31)의 투과 스펙트럼은 투과율이 동일하고 특정한 파장 주기인 제4FSR 파장 주기를 갖는 개별투과 스펙트럼의 조합이 된다.As shown in (b) of FIG. 12, the front (31a) and rear (31b) may be coated with a wavelength-independent partial reflection coating, and in this case, the transmission spectrum of the first filter (31) has the same transmittance and has a specific wavelength. It is a combination of individual transmission spectra having the 4th FSR wavelength period, which is the period.

이 경우에는 앞서 도 8을 참조하여 설명한 특정 파장에 대한 투과율이 다른 파장에 대하여 더 높은 경우의 특성에 만족하지 않는다.In this case, the characteristics described above with reference to FIG. 8 in which the transmittance for a specific wavelength is higher than that for other wavelengths are not satisfied.

파장 범위의 제한을 위하여 에탈론필터인 제1필터(31)의 전면(31a) 또는 후면(31b)은 반사 파장 영역(ΔλE)을 가지는 파장 의존 부분 반사 필터 코팅이 된 것으로 한다.In order to limit the wavelength range, the front (31a) or rear (31b) of the first filter 31, which is an etalon filter, is coated with a wavelength-dependent partial reflection filter having a reflection wavelength region (Δλ E ).

즉, 제1필터(31)의 전면(31a) 또는 후면(31b)은 특정 반사 파장 영역(ΔλE)의 광을 반사하고, 다른 파장 영역은 투과한다.That is, the front (31a) or back (31b) of the first filter 31 reflects light in a specific reflection wavelength region (Δλ E ) and transmits light in other wavelength regions.

따라서 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이 반사 파장 영역(ΔλE)에서만 개별투과 스펙트럼을 갖고, 그 외 파장 영역에서는 개별투과 스펙트럼의 투과율을 현저하게 낮게 조절할 수 있다.Therefore, as shown in (c) of FIG. 12, an individual transmission spectrum can be obtained only in the reflection wavelength region (Δλ E ), and the transmittance of the individual transmission spectrum in other wavelength regions can be adjusted to be significantly low.

다시 도 10과 도 11을 참조하면, 앞서 도 12를 참조하여 설명한 바와 같이 에탈론필터인 제1필터(31)의 투과도는 반사 파장 영역(ΔλE)에서 더 큰 투과율을 가지며(도 11의 (b)), 제2필터(32)는 제3FSR 파장 주기를 가지는 개별투과 스펙트럼을 나타낸다(도 11의 (a)).Referring again to FIGS. 10 and 11, as previously described with reference to FIG. 12, the transmittance of the first filter 31, which is an etalon filter, has a greater transmittance in the reflection wavelength region (Δλ E ) ((in FIG. 11) b)), the second filter 32 shows an individual transmission spectrum having a 3rd FSR wavelength period ((a) of FIG. 11).

이때 제1필터(31)의 반사 파장 영역(ΔλE)은 반도체칩(10)의 이득파장대역 내에 존재하고, 그 크기는 제2필터(32)의 제3FSR보다 작게 설정되어야 한다.At this time, the reflection wavelength region (Δλ E ) of the first filter 31 exists within the gain wavelength band of the semiconductor chip 10, and its size must be set smaller than the 3rd FSR of the second filter 32.

따라서, 도 11의 (c)에 도시한 바와 같이 제2필터(32)의 두 개별투과 스펙트럼 중 제1필터(31)의 반사 파장 영역(ΔλE)에 속하는 개별투과 스펙트럼이 다른 개별투과 스펙트럼에 비하여 더 높은 투과도로 투과되어 결국 단일 모드로 동작할 수 있도록 한다.Therefore, as shown in (c) of FIG. 11, among the two individual transmission spectra of the second filter 32, the individual transmission spectrum belonging to the reflection wavelength region (Δλ E ) of the first filter 31 is in the other individual transmission spectrum. It transmits with a higher transmittance compared to other devices, ultimately allowing it to operate in a single mode.

제2필터(32)는 페브리 페롯(Fabry-Perot) 형태의 필터일 수 있으며, 액정물질, 실리콘, 글래스, 폴리머, 비선형 크리스탈 물질, 반도체 물질 등의 재질일 수 있다.The second filter 32 may be a Fabry-Perot type filter, and may be made of a material such as liquid crystal material, silicon, glass, polymer, nonlinear crystal material, or semiconductor material.

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although embodiments according to the present invention have been described above, they are merely illustrative, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent scope of embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the following claims.

10:반도체칩 11:외부공진기
20:렌즈 30:파장선택필터
31:제1필터 32:제2필터
40:반사체10: Semiconductor chip 11: External resonator
20: Lens 30: Wavelength selection filter
31: first filter 32: second filter
40: Reflector

Claims (5)

반도체칩과 반사체 사이에 순차 배치된 렌즈와 파장선택필터를 포함하는 외부공진광원에 있어서,
복수의 개별투과 스펙트럼 중 하나의 개별투과 스펙트럼의 파장을 선택하여, 공진 주파수로 설정하여,
단일 모드로 동작하는 외부공진광원.In the external resonance light source including a lens and a wavelength selection filter sequentially arranged between a semiconductor chip and a reflector,
Select the wavelength of one individual transmission spectrum among a plurality of individual transmission spectra and set it as the resonance frequency,
An external resonance light source that operates in a single mode. 제1항에 있어서,
상기 반도체칩의 상기 렌즈를 향하는 전면은 파장 무의존 AR 코팅되며, 반대편인 후면은 파장 무의존 HR 코팅되고,
상기 반사체의 상기 렌즈를 향하는 전면은 제1파장 대역의 광신호만 투과하는 파장 선택 투과 필터이고, 반대편인 후면은 파장 무의존 PR 코팅되고,
상기 반도체칩의 후면과 상기 반사체의 후면 사이에서 외부 공진기로 작용하는 것을 특징으로 하는 외부공진광원.According to paragraph 1,
The front side of the semiconductor chip facing the lens is coated with wavelength-independent AR, and the back side on the opposite side is coated with wavelength-independent HR,
The front side of the reflector facing the lens is a wavelength-selective transmission filter that transmits only optical signals in the first wavelength band, and the opposite back side is coated with wavelength-independent PR,
An external resonance light source, characterized in that it acts as an external resonator between the back of the semiconductor chip and the back of the reflector. 제1항에 있어서,
상기 반도체칩의 상기 렌즈를 향하는 전면은 파장 무의존 AR 코팅되며, 반대편인 후면은 제1파장 대역의 광신호만 반사하는 파장 선택 반사 필터 코팅되고,
상기 반사체의 상기 렌즈를 향하는 전면은 파장 무의존 PR 코팅되고, 반대편인 후면은 파장 무의존 AR 코팅되고,
상기 반도체칩의 후면과 반사체의 전면 사이에서 외부 공진기로 작용하는 것을 특징으로 하는 외부공진광원.According to paragraph 1,
The front side of the semiconductor chip facing the lens is coated with wavelength-independent AR, and the back side, which is opposite, is coated with a wavelength-selective reflection filter that only reflects optical signals in the first wavelength band,
The front side of the reflector facing the lens is coated with wavelength-independent PR, and the back side on the opposite side is coated with wavelength-independent AR,
An external resonance light source, characterized in that it acts as an external resonator between the back of the semiconductor chip and the front of the reflector. 제1항에 있어서,
상기 반도체칩의 상기 렌즈를 향하는 전면은 파장 무의존 AR 코팅되며, 반대편인 후면은 파장 무의존 HR 코팅되고,
상기 반사체의 상기 렌즈를 향하는 전면은 파장 무의존 PR 코팅되고, 반대편인 후면은 파장 무의존 AR 코팅되고,
상기 파장선택필터는 제1파장 대역에서만 주기적인 개별투과 스펙트럼을 갖는 에탈론필터를 포함하고,
상기 반도체칩 후면과 상기 반사체 전면 사이에서 외부 공진기로 작용하는 것을 특징으로 하는 외부공진광원.According to paragraph 1,
The front side of the semiconductor chip facing the lens is coated with wavelength-independent AR, and the back side on the opposite side is coated with wavelength-independent HR,
The front side of the reflector facing the lens is coated with wavelength-independent PR, and the back side on the opposite side is coated with wavelength-independent AR,
The wavelength selection filter includes an etalon filter having a periodic individual transmission spectrum only in the first wavelength band,
An external resonance light source, characterized in that it acts as an external resonator between the back of the semiconductor chip and the front of the reflector. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1파장 대역은,
상기 반도체칩의 이득파장대역 내에 존재하고, 파장선택필터의 3FSR 너비보다 좁은 너비를 가지는 것을 특징으로 하는 외부공진광원.

According to paragraph 2 or 3,
The first wavelength band is,
An external resonance light source that exists within the gain wavelength band of the semiconductor chip and has a width narrower than the 3FSR width of the wavelength selection filter.
KR1020220109606A 2022-08-31 2022-08-31 External cavity laser light source KR20240030491A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220109606A KR20240030491A (en) 2022-08-31 2022-08-31 External cavity laser light source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220109606A KR20240030491A (en) 2022-08-31 2022-08-31 External cavity laser light source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240030491A true KR20240030491A (en) 2024-03-07

Family

ID=90271985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220109606A KR20240030491A (en) 2022-08-31 2022-08-31 External cavity laser light source

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20240030491A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8005122B2 (en) Mode-locked laser
US6115401A (en) External cavity semiconductor laser with monolithic prism assembly
US9184564B2 (en) External resonator type light emitting system
US8644714B2 (en) Multi-wavelength optical source generator
JPH11251690A (en) Method for generating laser beam and tuning laser device
US7149381B2 (en) Optical filtering device and method
JP2006278770A (en) Variable wavelength laser
WO2001017077A1 (en) Wavelength-locked external cavity lasers with an integrated modulator
JP2009010197A (en) Semiconductor laser element
US20040136412A1 (en) External cavity, widely tunable lasers and methods of tuning the same
JP2004193545A (en) Method of tuning laser by spectrally dependent spatial filtering and tunable laser therewith
WO2007004509A1 (en) External resonator type wavelength-variable laser device and optical output module
JP6221139B2 (en) Optical laser apparatus and method for generating laser oscillation mode in the apparatus
CA2297538C (en) Optical filter
CN117013362A (en) Narrow linewidth laser device
US20030016706A1 (en) Tunable single frequency filter for lasers
JP5001239B2 (en) Semiconductor tunable laser
JP2011086714A (en) Wavelength tunable laser
KR20240030491A (en) External cavity laser light source
JPS62229105A (en) Multi-wavelength semiconductor light source
CN201332218Y (en) Dual-wavelength semiconductor laser
US20040170209A1 (en) Laser source with high relative feedback and method for making such a laser source
US7242698B2 (en) Wavelength tunable laser with dispersive element
JP4595711B2 (en) Semiconductor laser
JP3814495B2 (en) Tunable mode-locked laser