KR20240027992A - Method for preventing particle generation in deposition process - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 258
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 214
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims abstract description 123
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 119
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 8
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 6
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 5
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45555—Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
본 발명의 목적은 박막을 형성하는 박막 증착 공정을 수행한 후, 보호막을 형성하는 보호막 코팅 공정을 수행하여 진공 챔버 내부 구조물에 증착된 막이 구조물로부터 이탈하여 파티클이 생성되는 것을 방지할 수 있도록 하는 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법을 제공함에 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법은, 박막 증착용 진공 챔버에서 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 상기 박막 형성 단계를 기설정된 회수만큼 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 반복 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The purpose of the present invention is to perform a thin film deposition process to form a thin film and then perform a protective film coating process to form a protective film to prevent the film deposited on the structure inside the vacuum chamber from separating from the structure and generating particles. The purpose is to provide a method of preventing particle generation in the process.
A method of preventing particle generation in a deposition process according to the present invention for achieving the above-described object includes a thin film forming step of forming a thin film by performing a thin film deposition process in a vacuum chamber for thin film deposition; A protective film forming step of performing the thin film forming step a preset number of times and then performing a protective film coating process to form a protective film; It is characterized in that it includes; repeating the thin film forming step and the protective film forming step.
Description
본 발명은 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 진공 챔버 내부 구조물에 증착된 막이 구조물로부터 이탈하여 파티클이 생성되는 것을 방지할 수 있도록 하는 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for preventing particle generation in a deposition process, and more specifically, to a method for preventing particle generation in a deposition process that prevents the film deposited on a structure inside a vacuum chamber from separating from the structure and generating particles. .
반도체 소자 제조 또는 평판 디스플레이 제조에 있어서 실리콘 웨이퍼나 유리 기판 상에 필요한 박막을 증착시키는 증착(Deposition) 공정이 필요하다.In semiconductor device manufacturing or flat panel display manufacturing, a deposition process is required to deposit the necessary thin film on a silicon wafer or glass substrate.
증착은 화학 반응(혹은 가스 반응) 및 이온 등을 이용하여 기판 혹은 웨이퍼(증착물이 붙는 표면)에 피복하는 과정이다.Deposition is a process of coating a substrate or wafer (the surface on which the deposit is attached) using chemical reactions (or gas reactions) and ions.
이와 같이 증착 공정을 통해 반도체에 막(Layer)을 형성하는 증착 방식으로는 물리적으로 증기(Vapor)를 이용해 증착하는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식, 화학적으로 증기를 이용해 증착하는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식, 원자층을 한층 한층 쌓아 올려 막을 형성하는 ALD(Atomic Layer Deposition) 방식 등이 있다.Deposition methods that form a layer on a semiconductor through this deposition process include PVD (Physical Vapor Deposition), which physically deposits using vapor, and CVD (Chemical Vapor Deposition), which chemically deposits using vapor. method, and the ALD (Atomic Layer Deposition) method, which forms a film by stacking atomic layers one by one.
전술한 PVD 방식은 도 1에 도시하는 바와 같이, 진공 챔버 내부에 박막으로 증착하고자 하는 소스 물질을 배치한 후, 에너지원을 통하여 공급된 에너지로 소스 물질을 증발, 기화, 입자화시켜 물리적으로 기판에 박막을 형성한다.As shown in FIG. 1, the above-described PVD method places the source material to be deposited as a thin film inside a vacuum chamber, then evaporates, vaporizes, and particles the source material with energy supplied through an energy source, thereby physically forming the substrate. forms a thin film on
CVD 방식은 도 2에 도시하는 바와 같이, 진공 챔버 외부에 박막으로 증착하고자 하는 물질을 포함하는 소스를 배치한 후, 진공 챔버 내부로 소스를 공급하고, 진공 챔버 내부 또는 기판에 에너지를 공급하여 진공 챔버 내부로 공급된 소스의 분해, 결합을 발생시켜 기판과 소스 물질의 화학적 결합이 발생하도록 하여 기판에 박막을 형성한다.As shown in Figure 2, the CVD method places a source containing the material to be deposited as a thin film outside the vacuum chamber, supplies the source into the vacuum chamber, and supplies energy to the inside of the vacuum chamber or the substrate to create a vacuum. A thin film is formed on the substrate by causing chemical bonding between the substrate and the source material by causing decomposition and bonding of the source supplied into the chamber.
ALD 방식은 도 3에 도시하는 바와 같이 전구체 주입(precursor Pulse)-퍼지(purge)-반응제 주입(reactant pulse)-퍼지(purge)의 4단계로 이루어진다.As shown in FIG. 3, the ALD method consists of four steps: precursor injection - purge - reactant pulse - purge.
먼저 전구체 주입 단계에서는 AXn(일반적으로 유기 금속 전구체)을 공급하여 A원소가 기판 위에 흡착하게 된다. 이때, 기판의 작용기(functional group, 보통 -OH기)와 결합한 A원소는 기판과 화학흡착으로 강한 결합을 하고 있다. 반면에 AXn 분자끼리의 흡착은 물리흡착으로 이루어져 결합력이 약하기 때문에 쉽게 떨어질 수 있으며, 그 다음 단계인 퍼지 단계에서는 물리흡착한 AXn 분자는 불활성 기체(도 3에선 Ar)의 충돌에 의해 떨어져 나가 제거된다. 즉, 화학흡착과 물리흡착의 결합력 차이에 의해 ALD에서는 원자층 단위의 박막 형성이 가능하게 된다.First, in the precursor injection step, AXn (generally an organometallic precursor) is supplied and element A is adsorbed on the substrate. At this time, the A element bonded to the functional group (usually -OH group) of the substrate forms a strong bond with the substrate through chemical adsorption. On the other hand, the adsorption of AXn molecules is done through physical adsorption, so they can easily fall off because the bonding force is weak. In the next step, the purge step, the physically adsorbed AXn molecules are separated and removed by collision with an inert gas (Ar in Figure 3). . In other words, the formation of thin films at the atomic layer level is possible in ALD due to the difference in bonding strength between chemical adsorption and physical adsorption.
이후에 AB 화합물을 만들기 위해 반응제 BYm을 공급하게 되면, BYm 분자와 기판에 흡착되어 있는 A원소가 서로 화학 반응을 통해 A-B 결합이 이루어지게 된다. 이후에 퍼지 단계를 통해 물리흡착하고 있는 BYm 분자는 모두 제거되고, 결국 AB 단층막(monolayer)이 성장된다.Later, when the reactant BYm is supplied to make the AB compound, the BYm molecule and the A element adsorbed on the substrate undergo a chemical reaction to form an A-B bond. Afterwards, all physically adsorbed BYm molecules are removed through a purge step, and an AB monolayer is eventually grown.
이와 같은 과정이 한 ALD 사이클로 구성되며, 증착속도(사이클당 증착 두께)는 리간드 사이즈(ligand size)에 의한 가림(hinderance)으로 인해 보통 사이클당 단층막 두께 이하로 나타난다.This process consists of one ALD cycle, and the deposition rate (deposition thickness per cycle) is usually less than the monolayer thickness per cycle due to hinderance by the ligand size.
전술한 증착 방식 중에서 PVD 방식과 CVD 방식의 경우, 소스 물질은 기판 표면에서만 박막을 형성하는 것이 아니고, 진공 챔버 내부 구조물 전체 또는 일부분에 박막을 형성하게 된다.Among the above-described deposition methods, in the case of the PVD method and the CVD method, the source material does not form a thin film only on the surface of the substrate, but forms a thin film on the entire or part of the structure inside the vacuum chamber.
이때 진공 챔버 내부 구조물 전체 또는 일부분에 형성되는 박막은 증착 방식과 공정 조건에 따라 정상상태(기 기판 표면에 형성하고자 하는 박막과 동일한 상태의 박막)의 박막이거나 또는 비정상상태(기 기판 표면에 형성하고자 하는 박막과 물리적 또는 화학적 구조가 다른 상태의 박막)의 박막이 형성된다.At this time, the thin film formed on the entire or part of the structure inside the vacuum chamber is either a thin film in a normal state (a thin film in the same state as the thin film to be formed on the surface of the substrate) or an abnormal state (a thin film in the same state as the thin film to be formed on the surface of the substrate) depending on the deposition method and process conditions. A thin film (a thin film with a different physical or chemical structure from the existing thin film) is formed.
이와 같이 진공 챔버 내부 구조물에 증착된 막은 진공 챔버 내부의 온도 변화, 압력 변화, 기류 변화, 플라즈마 등의 요인에 의해 물리적 또는 화학적 영향으로 구조물로부터 이탈하여 입자 상태로 기판 표면에 흡착되거나, 막 상태로 기판 표면에 흡착되어 파티클(particle)을 형성하는 원인으로 작용하게 된다.In this way, the film deposited on the structure inside the vacuum chamber is separated from the structure due to physical or chemical effects due to factors such as temperature change, pressure change, air flow change, and plasma inside the vacuum chamber, and is adsorbed to the surface of the substrate in the form of particles or in the form of a film. It is adsorbed on the surface of the substrate and acts as a cause of forming particles.
또한 ALD 방식으로 박막 증착을 하는 경우에도 파티클은 형성될 수 있다.Additionally, particles can be formed even when thin film deposition is performed using the ALD method.
기판 표면에 파티클이 흡착하게 되면 증착된 박막에 핀홀과 마이크로 보이드를 형성하거나, 기판 표면에 파티클 모양의 패턴이 형성되고, 이 부분의 소자는 페일(fail)되어 정상 동작하지 못하게 될 수 있다.When particles are adsorbed to the substrate surface, pinholes and micro-voids may be formed in the deposited thin film, or a particle-shaped pattern may be formed on the substrate surface, and the device in this area may fail and cannot operate normally.
기판 표면에서 검출되는 파티클의 수는 공정 횟수가 증가할수록 증가하게 되는데, 기판 표면에서 검출되는 파티클의 수가 일정 수량에 도달하게 되면(예를 들어, 최대 파티클 수 10개가 검출), 박막 증착 공정 시스템을 이용한 생산을 멈추고, 진공 챔버 내부 구조물에 대해 외부 세정(ex-situ cleaning)을 진행하게 된다.The number of particles detected on the substrate surface increases as the number of processes increases. When the number of particles detected on the substrate surface reaches a certain amount (for example, the maximum number of particles detected is 10), the thin film deposition process system is installed. Production is stopped and ex-situ cleaning is performed on the structure inside the vacuum chamber.
이와 같이 박막 증착 공정 중에 발생하는 파티클은 박막 증착용 진공 챔버의 연속 가능 공정 수, 외부 세정 주기, 생산 수율, 생산 일정 등에 영향을 주므로, 파티클의 발생을 최소화할 필요가 있다.In this way, particles generated during the thin film deposition process affect the number of continuous processes, external cleaning cycle, production yield, production schedule, etc. of the vacuum chamber for thin film deposition, so it is necessary to minimize the generation of particles.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 박막을 형성하는 박막 증착 공정을 수행한 후, 보호막을 형성하는 보호막 코팅 공정을 수행하여 진공 챔버 내부 구조물에 증착된 막이 구조물로부터 이탈하여 파티클이 생성되는 것을 방지할 수 있도록 하는 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention was developed to solve the conventional problems as described above. After performing a thin film deposition process to form a thin film, a protective film coating process to form a protective film is performed to prevent the film deposited on the structure inside the vacuum chamber from the structure. The purpose is to provide a method of preventing particle generation in the deposition process to prevent particles from escaping from being generated.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법은, 박막 증착용 진공 챔버에서 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 상기 박막 형성 단계를 기설정된 회수만큼 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 반복 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of preventing particle generation in a deposition process according to the present invention for achieving the above-described object includes a thin film forming step of forming a thin film by performing a thin film deposition process in a vacuum chamber for thin film deposition; A protective film forming step of performing the thin film forming step a preset number of times and then performing a protective film coating process to form a protective film; It is characterized in that it includes; repeating the thin film forming step and the protective film forming step.
또한, 본 발명에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법에서, 상기 반복 수행하는 단계는, 상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 기설정된 회수만큼 반복 수행하는 단계인 것을 특징으로 한다.In addition, in the method of preventing particle generation in the deposition process according to the present invention, the repeating step is characterized in that the thin film forming step and the protective film forming step are repeated a preset number of times.
또한, 본 발명에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법에서, 상기 반복 수행하는 단계는, 상기 진공 챔버 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달하기 전까지 상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 반복 수행하는 단계인 것을 특징으로 한다.In addition, in the method of preventing particle generation in the deposition process according to the present invention, the repeating step is a step of repeating the thin film forming step and the protective film forming step until the number of particles in the vacuum chamber reaches a preset quantity. It is characterized by
또한, 전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법은, 박막 증착용 진공 챔버에서 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 상기 진공 챔버 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달하기 전까지 상기 박막 형성 단계를 반복 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 기설정된 회수만큼 반복 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of preventing particle generation in a deposition process according to the present invention for achieving the above-described object includes a thin film forming step of forming a thin film by performing a thin film deposition process in a vacuum chamber for thin film deposition; A protective film forming step of repeating the thin film forming step until the number of particles in the vacuum chamber reaches a preset quantity and then performing a protective film coating process to form a protective film; and repeating the thin film forming step and the protective film forming step a preset number of times.
또한, 본 발명에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법에서, 상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 반복하는 회수가 증가할수록 상기 박막 형성 단계의 반복 회수를 결정하는 파티클 수의 설정값을 단계적으로 증가시키는 것을 특징으로 한다.In addition, in the method of preventing particle generation in the deposition process according to the present invention, as the number of repetitions of the thin film forming step and the protective film forming step increases, the set value of the number of particles that determines the number of repetitions of the thin film forming step is gradually increased. It is characterized by
또한, 본 발명에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법에서, 상기 박막 형성 단계는, PVD(Physical Vapor Deposition) 방식, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식, ALD(Atomic Layer Deposition) 방식 중에서 택일된 방식으로 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the method of preventing particle generation in the deposition process according to the present invention, the thin film forming step is performed by selecting a thin film from among PVD (Physical Vapor Deposition), CVD (Chemical Vapor Deposition), and ALD (Atomic Layer Deposition) methods. It is characterized by forming a thin film by performing a deposition process.
또한, 본 발명에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법에서, 상기 보호막 형성 단계는, ALD 방식으로 보호막 코팅 공정을 수행하여 코팅막을 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the method for preventing particle generation in the deposition process according to the present invention, the protective film forming step is characterized in that the coating film is formed by performing a protective film coating process using an ALD method.
기타 실시 예의 구체적인 사항은 "발명을 실시하기 위한 구체적인 내용" 및 첨부 "도면"에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in “Specific Details for Carrying Out the Invention” and the attached “Drawings.”
본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 각종 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다.The advantages and/or features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the various embodiments described in detail below along with the accompanying drawings.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 각 실시 예의 구성만으로 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로도 구현될 수도 있으며, 단지 본 명세서에서 개시한 각각의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구범위의 각 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐임을 알아야 한다.However, the present invention is not limited to the configuration of each embodiment disclosed below, but may also be implemented in various different forms. However, each embodiment disclosed in this specification ensures that the disclosure of the present invention is complete, and the present invention It is provided to fully inform those skilled in the art of the present invention, and it should be noted that the present invention is only defined by the scope of each claim.
본 발명에 의하면, 박막을 형성하는 박막 증착 공정을 수행한 후, 보호막을 형성하는 보호막 코팅 공정을 수행하여 진공 챔버 내부 구조물에 증착된 막이 구조물로부터 이탈하여 파티클이 생성되는 것을 방지할 수 있게 된다.According to the present invention, after performing a thin film deposition process to form a thin film, a protective film coating process to form a protective film is performed, thereby preventing the film deposited on the structure inside the vacuum chamber from separating from the structure and generating particles.
이로 인하여 진공 챔버 내부 구조물을 외부로 반출하여 세정하는 외부 세정 주기를 길게 연장시킬 수 있게 된다.As a result, the external cleaning cycle in which the structure inside the vacuum chamber is taken out and cleaned can be extended.
또한 진공 챔버의 연속 가능 공정 수를 증가시킬 수 있게 되고, 진공 챔버 내부 구조물의 수명을 연장시킬 수 있게 되며, 제품 생산성 및 생산 수율을 향상시킬 수 있게 된다.Additionally, it is possible to increase the number of continuous processes in the vacuum chamber, extend the life of the structure inside the vacuum chamber, and improve product productivity and production yield.
도 1은 박막 증착 방식 중에서 PVD 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 박막 증착 방식 중에서 CVD 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 박막 증착 방식 중에서 ALC 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법이 구현되는 증착 장치의 구성을 개념적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법을 설명하기 위한 처리도이다.Figure 1 is a diagram for explaining the PVD method among thin film deposition methods.
Figure 2 is a diagram for explaining the CVD method among thin film deposition methods.
Figure 3 is a diagram for explaining the ALC method among thin film deposition methods.
Figure 4 is a diagram conceptually showing the configuration of a deposition apparatus in which the method for preventing particle generation in the deposition process according to the present invention is implemented.
Figure 5 is a processing diagram for explaining a method of preventing particle generation in a deposition process according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a processing diagram for explaining a method of preventing particle generation in a deposition process according to another embodiment of the present invention.
Figure 7 is a processing diagram for explaining a method of preventing particle generation in a deposition process according to another embodiment of the present invention.
Figure 8 is a processing diagram for explaining a method of preventing particle generation in a deposition process according to another embodiment of the present invention.
본 발명을 상세하게 설명하기 전에, 본 명세서에서 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 무조건 한정하여 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 발명자가 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해서 각종 용어의 개념을 적절하게 정의하여 사용할 수 있고, 더 나아가 이들 용어나 단어는 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 함을 알아야 한다.Before explaining the present invention in detail, the terms or words used in this specification should not be construed as unconditionally limited to their ordinary or dictionary meanings, and the inventor of the present invention should not use the terms or words in order to explain his invention in the best way. It should be noted that the concepts of various terms can be appropriately defined and used, and furthermore, that these terms and words should be interpreted with meanings and concepts consistent with the technical idea of the present invention.
즉, 본 명세서에서 사용된 용어는 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하기 위해서 사용되는 것일 뿐이고, 본 발명의 내용을 구체적으로 한정하려는 의도로 사용된 것이 아니며, 이들 용어는 본 발명의 여러 가지 가능성을 고려하여 정의된 용어임을 알아야 한다.That is, the terms used in this specification are only used to describe preferred embodiments of the present invention, and are not used with the intention of specifically limiting the content of the present invention, and these terms refer to various possibilities of the present invention. It is important to note that this is a term defined with consideration in mind.
또한, 본 명세서에 있어서, 단수의 표현은 문맥상 명확하게 다른 의미로 지시하지 않는 이상, 복수의 표현을 포함할 수 있으며, 유사하게 복수로 표현되어 있다고 하더라도 단수의 의미를 포함할 수 있음을 알아야 한다.Additionally, in this specification, it should be noted that a singular expression may include a plurality of expressions unless the context clearly indicates a different meaning, and that even if similarly expressed in the plural, it may include a singular meaning. do.
본 명세서의 전체에 걸쳐서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소를 "포함"한다고 기재하는 경우에는, 특별히 반대되는 의미의 기재가 없는 한 임의의 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 임의의 다른 구성 요소를 더 포함할 수도 있다는 것을 의미할 수 있다.Throughout this specification, when a component is described as “including” another component, it does not exclude any other component, but includes any other component, unless specifically stated to the contrary. It could mean that you can do it.
더 나아가서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "내부에 존재하거나, 연결되어 설치된다"고 기재한 경우에는, 이 구성 요소가 다른 구성 요소와 직접적으로 연결되어 있거나 접촉하여 설치되어 있을 수 있고, 일정한 거리를 두고 이격되어 설치되어 있을 수도 있으며, 일정한 거리를 두고 이격되어 설치되어 있는 경우에 대해서는 해당 구성 요소를 다른 구성 요소에 고정 내지 연결시키기 위한 제 3의 구성 요소 또는 수단이 존재할 수 있으며, 이 제 3의 구성 요소 또는 수단에 대한 설명은 생략될 수도 있음을 알아야 한다.Furthermore, if a component is described as being "installed within or connected to" another component, it means that this component may be installed in direct connection or contact with the other component and may be installed in contact with the other component and may be installed in contact with the other component. It may be installed at a certain distance, and in the case where it is installed at a certain distance, there may be a third component or means for fixing or connecting the component to another component. It should be noted that the description of the components or means of 3 may be omitted.
반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결"되어 있다거나, 또는 "직접 접속"되어 있다고 기재되는 경우에는, 제 3의 구성 요소 또는 수단이 존재하지 않는 것으로 이해하여야 한다.On the other hand, when a component is described as being “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that no third component or means is present.
마찬가지로, 각 구성 요소 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 " ~ 사이에"와 "바로 ~ 사이에", 또는 " ~ 에 이웃하는"과 " ~ 에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지의 취지를 가지고 있는 것으로 해석되어야 한다.Likewise, other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "immediately between", or "neighboring" and "directly neighboring", have the same meaning. It should be interpreted as
또한, 본 명세서에 있어서 "일면", "타면", "일측", "타측", "제 1", "제 2" 등의 용어는, 사용된다면, 하나의 구성 요소에 대해서 이 하나의 구성 요소가 다른 구성 요소로부터 명확하게 구별될 수 있도록 하기 위해서 사용되며, 이와 같은 용어에 의해서 해당 구성 요소의 의미가 제한적으로 사용되는 것은 아님을 알아야 한다.In addition, in this specification, terms such as "one side", "other side", "one side", "the other side", "first", "second", etc., if used, refer to one component. It is used to clearly distinguish it from other components, and it should be noted that the meaning of the component is not limited by this term.
또한, 본 명세서에서 "상", "하", "좌", "우" 등의 위치와 관련된 용어는, 사용된다면, 해당 구성 요소에 대해서 해당 도면에서의 상대적인 위치를 나타내고 있는 것으로 이해하여야 하며, 이들의 위치에 대해서 절대적인 위치를 특정하지 않는 이상은, 이들 위치 관련 용어가 절대적인 위치를 언급하고 있는 것으로 이해하여서는 아니된다.In addition, in this specification, terms related to position such as "top", "bottom", "left", "right", etc., if used, should be understood as indicating the relative position of the corresponding component in the corresponding drawing. Unless the absolute location is specified, these location-related terms should not be understood as referring to the absolute location.
더욱이, 본 발명의 명세서에서는, "…부", "…기", "모듈", "장치" 등의 용어는, 사용된다면, 하나 이상의 기능이나 동작을 처리할 수 있는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어, 또는 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있음을 알아야 한다.Moreover, in the specification of the present invention, terms such as "... unit", "... unit", "module", "device", etc., when used, mean a unit capable of processing one or more functions or operations, which is hardware. Alternatively, it should be noted that it can be implemented through software, or a combination of hardware and software.
또한, 본 명세서에서는 각 도면의 각 구성 요소에 대해서 그 도면 부호를 명기함에 있어서, 동일한 구성 요소에 대해서는 이 구성 요소가 비록 다른 도면에 표시되더라도 동일한 도면 부호를 가지고 있도록, 즉 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지시하고 있다.In addition, in this specification, when specifying the reference numeral for each component in each drawing, the same component has the same reference number even if the component is shown in different drawings, that is, the same reference is made throughout the specification. The symbols indicate the same component.
본 명세서에 첨부된 도면에서 본 발명을 구성하는 각 구성 요소의 크기, 위치, 결합 관계 등은 본 발명의 사상을 충분히 명확하게 전달할 수 있도록 하기 위해서 또는 설명의 편의를 위해서 일부 과장 또는 축소되거나 생략되어 기술되어 있을 수 있고, 따라서 그 비례나 축척은 엄밀하지 않을 수 있다.In the drawings attached to this specification, the size, position, connection relationship, etc. of each component constituting the present invention is exaggerated, reduced, or omitted in order to convey the idea of the present invention sufficiently clearly or for convenience of explanation. It may be described, and therefore its proportions or scale may not be exact.
또한, 이하에서, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 구성, 예를 들어, 종래 기술을 포함하는 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략될 수도 있다.In addition, hereinafter, in describing the present invention, detailed descriptions of configurations that are judged to unnecessarily obscure the gist of the present invention, for example, known technologies including prior art, may be omitted.
이하에서는 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법에 대해서 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a method for preventing particle generation in a deposition process according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 4는 본 발명에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법이 구현되는 증착 장치의 구성을 개념적으로 도시한 도면이다.Figure 4 is a diagram conceptually showing the configuration of a deposition apparatus in which the method for preventing particle generation in the deposition process according to the present invention is implemented.
도 4에 도시하는 바와 같이, 본 발명에 적용되는 증착 장치(100)는 진공 챔버(110), 박막 형성부(120), 보호막 형성부(130), 파티클 감지부(140), 제어부(150) 등을 포함하여 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 4, the
진공 챔버(110)는 내부에 일정한 공간을 가지며, 내부 공간을 진공 상태로 유지할 수 있는 구조를 가진다.The
이에 따라 진공 챔버(110)에는 챔버 내부의 기체를 배출할 수 있는 진공 펌프(도시하지 않음)가 구비되고, 챔버 내부로 기체를 주입할 수 있는 벤팅 장치(도시하지 않음)도 구비될 수 있다.Accordingly, the
박막 형성부(120)는 제어부(150)의 제어 하에 진공 챔버(110)에서 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성할 수 있다.The thin
박막 형성부(120)는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식, ALD(Atomic Layer Deposition) 방식 중에서 택일된 방식으로 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성하도록 구현될 수 있다.The thin
박막 형성부(120)는 박막 증착 방식으로 PVD 방식이 사용되는 경우, 진공 챔버(110) 내부에 박막으로 증착하고자 하는 소스 물질을 배치한 후, 에너지원을 통하여 공급된 에너지로 소스 물질을 증발, 기화, 입자화시켜 물리적으로 기판에 박막을 형성하도록 구현될 수 있다.When the PVD method is used as a thin film deposition method, the thin
또한 박막 형성부(120)는 박막 증착 방식으로 CVD 방식이 사용되는 경우, 진공 챔버(110) 외부에 박막으로 증착하고자 하는 소스 물질을 배치한 후, 진공 챔버(110) 내부로 소스 물질을 공급하고, 진공 챔버(110) 내부 또는 기판에 에너지를 공급하여 진공 챔버(110) 내부로 공급된 소스의 분해, 결합을 발생시켜 기판과 소스 물질의 화학적 결합이 발생하도록 하여 기판에 박막을 형성하도록 구현될 수 있다.In addition, when the thin
또한 박막 형성부(120)는 박막 증착 방식으로 ALD 방식이 사용되는 경우, 진공 챔버(110) 외부에 전구체(precursor), 퍼지가스(purge gas), 반응물(reactant)을 배치한 후, 우선 진공 챔버(110) 내부로 전구체를 공급하여 전구체를 증착시키고, 전구체 증착이 완료되면 전구체 및 반응물과 반응하지 않는 퍼지 가스를 진공 챔버(110) 내부로 공급하면서 진공 펌프(도시하지 않음)로 잔여 전구체를 챔버(110) 외부로 배출시키고, 진공 챔버(110) 내부로 반응물을 공급하여 기판 표면에 증착되어 있는 전구체와 반응물이 서로 화학 반응을 통해 결합이 이루어지게 한 후, 퍼지 가스를 진공 챔버(110) 내부로 공급하면서 진공 펌프(도시하지 않음)로 잔여 반응물을 배출시켜 박막을 형성하도록 구현될 수 있다.In addition, when the thin
보호막 형성부(130)는 제어부(150)의 제어 하에 진공 챔버(110)에서 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성할 수 있다.The protective
보호막 형성부(130)는 ALD 방식으로 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성하도록 구현될 수 있다.The protective
파티클 감지부(140)는 진공 챔버(110) 내부에 존재하는 파티클의 수량을 감지하고, 그 감지값을 제어부(150)로 인가한다.The
제어부(150)는 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성하고, 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성한다.The
제어부(150)는 진공 챔버(110) 내부 구조물에 증착된 입자 또는 박막이 구조물로부터 이탈하여 파티클이 생성되는 것을 방지하기 위해, 박막 형성부(120) 및 보호막 형성부(130)를 제어하여 박막 증착 공정 후에 보호막 코팅 공정을 수행한다.The
구체적으로, 제어부(150)는 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착 공정을 기설정된 회수(예를 들어, 1회, 2회, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행한 후, 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하되, 이를 반복 수행할 수 있다.Specifically, the
일 예로, 박막 증착 공정을 1회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정 즉, 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 …을 반복 수행할 수 있다.As an example, after performing the thin film deposition process once, the process of performing the protective film coating process, that is, thin film deposition process - protective film coating process - thin film deposition process - protective film coating process - thin film deposition process - protective film coating process... can be performed repeatedly.
다른 예로, 박막 증착 공정을 2 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정 즉, 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 …을 반복 수행할 수 있다.As another example, after performing the thin film deposition process 2, the process of performing the protective film coating process, that is, thin film deposition process - thin film deposition process - protective film coating process - thin film deposition process - thin film deposition process - protective film coating process - thin film deposition process - thin film Deposition process - protective film coating process... can be performed repeatedly.
또 다른 예로, 박막 증착 공정을 4회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정 즉, 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 …을 반복 수행할 수 있다.As another example, the process of performing the thin film deposition process four times and then performing the protective film coating process, that is, thin film deposition process - thin film deposition process - thin film deposition process - thin film deposition process - protective film coating process - thin film deposition process - thin film deposition process. - Thin film deposition process - Thin film deposition process - Protective film coating process - Thin film deposition process - Thin film deposition process - Thin film deposition process - Thin film deposition process - Protective film coating process... can be performed repeatedly.
여기서, 보호막 코팅 공정을 수행하기 전에 수행되는 박막 증착 공정의 수행 회수는 파티클의 생성 양상을 통해 결정될 수 있다. 즉, 증착 공정 중에 파티클이 많이 발생하는 경우에는 박막 증착 공정 회수를 적게 설정하고, 파티클이 많이 발생하지 않는 경우에는 박막 증착 공정 회수를 많게 설정할 수 있다.Here, the number of times the thin film deposition process is performed before performing the protective film coating process may be determined based on the particle generation pattern. That is, if a lot of particles are generated during the deposition process, the number of thin film deposition processes can be set to a small number, and if many particles are not generated, the number of thin film deposition processes can be set to a large number.
또한 제어부(150)는 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착 공정을 기설정된 회수(예를 들어, 1회, 2회, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행한 후, 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하되, 이를 기설정된 회수만큼 반복 수행할 수 있다.Additionally, the
일 예로, 박막 증착 공정을 1회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 15회 반복 수행할 수 있다.For example, after performing the thin film deposition process once, the process of performing the protective film coating process may be repeated 15 times.
다른 예로, 박막 증착 공정을 2 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 10회 반복 수행할 수 있다.As another example, after performing the thin film deposition process 2, the process of performing the protective film coating process may be repeated 10 times.
또 다른 예로, 박막 증착 공정을 4회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 8회 반복 수행할 수 있다.As another example, after performing the thin film deposition process four times, the process of performing the protective film coating process may be repeated eight times.
또한 제어부(150)는 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착 공정을 기설정된 회수(예를 들어, 1회, 2회, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행한 후, 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하되, 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달하기 전까지, 박막 증착 공정을 기설정된 회수만큼 수행한 후 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 반복 수행할 수 있다.In addition, the
일 예로, 박막 증착 공정을 1회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 파티클 수가 예를 들어, 10개 이상 검출되기 전까지 반복 수행할 수 있다.For example, after performing the thin film deposition process once, the process of performing the protective film coating process may be repeated until the number of particles is detected, for example, 10 or more.
다른 예로, 박막 증착 공정을 2 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 파티클 수가 예를 들어, 10개 이상 검출되기 전까지 반복 수행할 수 있다.As another example, after performing the thin film deposition process 2, the process of performing the protective film coating process may be repeated until the number of particles is detected, for example, 10 or more.
또 다른 예로, 박막 증착 공정을 4회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 파티클 수가 예를 들어, 10개 이상 검출되기 전까지 반복 수행할 수 있다.As another example, after performing the thin film deposition process four times, the process of performing the protective film coating process may be repeated until the number of particles is detected, for example, 10 or more.
또한 제어부(150)는 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달하기 전까지 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착 공정을 반복 수행한 후, 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하되, 이를 기설정된 회수만큼 반복 수행할 수 있다. In addition, the
일 예로, 박막 증착 공정을 파티클 수가 예를 들어, 10개 이상 검출되기 전까지 반복 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 5회 반복 수행할 수 있다.For example, the thin film deposition process may be repeated until the number of particles is detected, for example, 10 or more, and then the protective film coating process may be repeated five times.
여기서, 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달하기 전까지 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착 공정을 반복 수행한 후, 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 반복하는 회수가 증가할수록 박막 증착 공정의 반복 회수를 결정하는 파티클 수의 설정값을 단계적으로 증가시킬 수 있다.Here, the thin film deposition process is repeatedly performed by controlling the thin
구체적으로, 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달하기 전까지 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착 공정을 반복 수행한 후, 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 예를 들어, 5회 반복 수행하는 경우, 박막 증착 공정의 반복 회수를 결정하는 파티클 수는 단계별로 3, 5, 7, 9. 11로 설정될 수 있다.Specifically, the thin film deposition process is repeatedly performed by controlling the thin
이에 따라, 제어부(150)는 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 3개 이상 검출되기 전까지 박막 증착 공정을 반복 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하고, 이후에는 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 5개 이상 검출되기 전까지 박막 증착 공정을 반복 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하고, 이후에는 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 7개 이상 검출되기 전까지 박막 증착 공정을 반복 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하고, 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 9개 이상 검출되기 전까지 박막 증착 공정을 반복 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하고, 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 11개 이상 검출되기 전까지 박막 증착 공정을 반복 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행할 수 있다.Accordingly, the
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법을 설명하기 위한 처리도이다.Figure 5 is a processing diagram for explaining a method of preventing particle generation in a deposition process according to an embodiment of the present invention.
우선, 제어부(150)는 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착용 진공 챔버(110)에서 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성할 수 있다(S10).First, the
이후, 제어부(150)는 상기한 단계 S10의 박막 증착 공정이 기설정된 회수(예를 들어, 1, 2, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행되었는 지를 확인할 수 있다(S20).Afterwards, the
상기한 단계 S20의 확인결과 상기한 단계 S10의 박막 증착 공정이 기설정된 회수(예를 들어, 1, 2, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행되지 않은 경우에는, 상기한 단계 S10으로 진행하여 박막 증착 공정을 반복 수행할 수 있다.As a result of the confirmation of step S20, if the thin film deposition process of step S10 is not performed a preset number of times (e.g., 1, 2, ..., n times; where n is a natural number greater than 1), The thin film deposition process can be repeated by proceeding to step S10.
한편, 상기한 단계 S20의 확인결과 박막 증착 공정이 기설정된 회수(예를 들어, 1, 2, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행된 경우, 제어부(150)는 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성할 수 있다(S30).Meanwhile, as a result of checking the above-described step S20, if the thin film deposition process has been performed a preset number of times (e.g., 1, 2, ..., n times; where n is a natural number greater than 1), the control unit 150 A protective film can be formed by controlling the forming
상기한 단계 S30에서 보호막을 형성한 후, 제어부(150)는 상기한 단계 S10으로 진행하여 박막 증착 공정을 수행하는 과정을 생산 종료 명령이 인가되기 전까지 반복 수행할 수 있다(S40, S50).After forming the protective film in step S30, the
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에서는 일 예로, 박막 증착 공정을 1회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정 즉, 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 …을 반복 수행할 수 있다.Accordingly, in one embodiment of the present invention, for example, the process of performing the thin film deposition process once and then performing the protective film coating process, that is, the process of performing the thin film deposition process - protective film coating process - thin film deposition process - protective film coating process - thin film deposition Process – protective film coating process… can be performed repeatedly.
다른 예로, 박막 증착 공정을 2 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정 즉, 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 …을 반복 수행할 수 있다.As another example, after performing the thin film deposition process 2, the process of performing the protective film coating process, that is, thin film deposition process - thin film deposition process - protective film coating process - thin film deposition process - thin film deposition process - protective film coating process - thin film deposition process - thin film Deposition process - protective film coating process... can be performed repeatedly.
또 다른 예로, 박막 증착 공정을 4회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정 즉, 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 박막 증착 공정 - 보호막 코팅 공정 …을 반복 수행할 수 있다.As another example, the process of performing the thin film deposition process four times and then performing the protective film coating process, that is, thin film deposition process - thin film deposition process - thin film deposition process - thin film deposition process - protective film coating process - thin film deposition process - thin film deposition process. - Thin film deposition process - Thin film deposition process - Protective film coating process - Thin film deposition process - Thin film deposition process - Thin film deposition process - Thin film deposition process - Protective film coating process... can be performed repeatedly.
한편, 상기한 단계 S50에서 생산 작업이 종료되면, 작업자는 진공 챔버 내부 구조물에 대해 외부 세정(ex-situ cleaning)을 진행할 수 있다.Meanwhile, when the production work is completed in step S50, the operator can perform ex-situ cleaning on the structure inside the vacuum chamber.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법을 설명하기 위한 처리도이다.Figure 6 is a processing diagram for explaining a method of preventing particle generation in a deposition process according to another embodiment of the present invention.
우선, 제어부(150)는 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착용 진공 챔버(110)에서 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성할 수 있다(S110).First, the
이후, 제어부(150)는 상기한 단계 S110의 박막 증착 공정이 기설정된 회수(예를 들어, 1, 2, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행되었는 지를 확인할 수 있다(S120).Thereafter, the
상기한 단계 S120의 확인결과 상기한 단계 S110의 박막 증착 공정이 기설정된 회수(예를 들어, 1, 2, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행되지 않은 경우에는, 상기한 단계 S110으로 진행하여 박막 증착 공정을 반복 수행할 수 있다.As a result of the confirmation of step S120, if the thin film deposition process of step S110 is not performed a preset number of times (e.g., 1, 2, ..., n times; where n is a natural number greater than 1), The thin film deposition process can be repeated by proceeding to step S110.
한편, 상기한 단계 S120의 확인결과 박막 증착 공정이 기설정된 회수(예를 들어, 1, 2, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행된 경우, 제어부(150)는 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성할 수 있다(S130).Meanwhile, as a result of checking the above-described step S120, if the thin film deposition process has been performed a preset number of times (e.g., 1, 2, ..., n times; where n is a natural number greater than 1), the control unit 150 A protective film can be formed by controlling the forming
이후, 제어부(150)는 상기한 단계 S110 내지 단계 S130이 기설정된 회수만큼 수행되었는 지를 확인할 수 있다(S140).Thereafter, the
상기한 단계 S140의 확인결과 상기한 단계 S110 내지 단계 S130이 기설정된 회수만큼 수행되지 않은 경우에는, 상기한 단계 S110으로 진행하여 상기한 단계 S110 내지 단계 S130을 반복 수행할 수 있다.If, as a result of checking step S140, steps S110 to S130 are not performed the preset number of times, the process proceeds to step S110 and repeats steps S110 to S130.
한편, 상기한 단계 S140의 확인결과 상기한 단계 S110 내지 단계 S130이 기설정된 회수만큼 수행된 경우, 제어부(150)는 증착 장치(100)의 동작을 정지시켜 생산을 종료할 수 있다(S150).Meanwhile, as a result of checking step S140, if steps S110 to S130 have been performed a preset number of times, the
이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에서는 일 예로, 박막 증착 공정을 1회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 15회 반복 수행할 수 있다.Accordingly, in another embodiment of the present invention, for example, after performing the thin film deposition process once, the process of performing the protective film coating process may be repeated 15 times.
다른 예로, 박막 증착 공정을 2 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 10회 반복 수행할 수 있다.As another example, after performing the thin film deposition process 2, the process of performing the protective film coating process may be repeated 10 times.
또 다른 예로, 박막 증착 공정을 4회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 8회 반복 수행할 수 있다.As another example, after performing the thin film deposition process four times, the process of performing the protective film coating process may be repeated eight times.
한편, 상기한 단계 S150에서 생산 작업이 종료되면, 작업자는 진공 챔버 내부 구조물에 대해 외부 세정(ex-situ cleaning)을 진행할 수 있다.Meanwhile, when the production work is completed in step S150 described above, the operator can perform ex-situ cleaning on the structure inside the vacuum chamber.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법을 설명하기 위한 처리도이다.Figure 7 is a processing diagram for explaining a method of preventing particle generation in a deposition process according to another embodiment of the present invention.
우선, 제어부(150)는 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착용 진공 챔버(110)에서 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성할 수 있다(S210).First, the
이후, 제어부(150)는 상기한 단계 S210의 박막 증착 공정이 기설정된 회수(예를 들어, 1, 2, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행되었는 지를 확인할 수 있다(S220).Thereafter, the
상기한 단계 S220의 확인결과 상기한 단계 S210의 박막 증착 공정이 기설정된 회수(예를 들어, 1, 2, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행되지 않은 경우에는, 상기한 단계 S210으로 진행하여 박막 증착 공정을 반복 수행할 수 있다.As a result of the confirmation of step S220, if the thin film deposition process of step S210 is not performed a preset number of times (e.g., 1, 2, ..., n times; where n is a natural number greater than 1), The thin film deposition process can be repeated by proceeding to step S210.
한편, 상기한 단계 S220의 확인결과 박막 증착 공정이 기설정된 회수(예를 들어, 1, 2, …, n회; 여기서, n은 1보다 큰 자연수)만큼 수행된 경우, 제어부(150)는 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성할 수 있다(S230).Meanwhile, as a result of checking the above-described step S220, if the thin film deposition process has been performed a preset number of times (e.g., 1, 2, ..., n times; where n is a natural number greater than 1), the
이후, 제어부(150)는 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달했는 지를 확인할 수 있다(S240).Thereafter, the
상기한 단계 S240의 확인결과 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달하지 않은 경우에는, 상기한 단계 S210으로 진행하여 상기한 단계 S210 내지 단계 S230을 반복 수행할 수 있다.If, as a result of checking in step S240, the number of particles in the
한편, 상기한 단계 S240의 확인결과 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달한 경우, 제어부(150)는 증착 장치(100)의 동작을 정지시켜 생산을 종료할 수 있다(S250).Meanwhile, if the number of particles in the
이에 따라, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 일 예로, 박막 증착 공정을 1회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 파티클 수가 예를 들어, 10개 이상 검출되기 전까지 반복 수행할 수 있다.Accordingly, in another embodiment of the present invention, for example, after performing the thin film deposition process once, the process of performing the protective film coating process may be repeated until the number of particles is detected, for example, 10 or more.
다른 예로, 박막 증착 공정을 2 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 파티클 수가 예를 들어, 10개 이상 검출되기 전까지 반복 수행할 수 있다.As another example, after performing the thin film deposition process 2, the process of performing the protective film coating process may be repeated until the number of particles is detected, for example, 10 or more.
또 다른 예로, 박막 증착 공정을 4회 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 파티클 수가 예를 들어, 10개 이상 검출되기 전까지 반복 수행할 수 있다.As another example, after performing the thin film deposition process four times, the process of performing the protective film coating process may be repeated until the number of particles is detected, for example, 10 or more.
한편, 상기한 단계 S250에서 생산 작업이 종료되면, 작업자는 진공 챔버 내부 구조물에 대해 외부 세정(ex-situ cleaning)을 진행할 수 있다.Meanwhile, when the production work is completed in step S250, the operator can perform ex-situ cleaning on the structure inside the vacuum chamber.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 공정의 파티클 생성 방지 방법을 설명하기 위한 처리도이다.Figure 8 is a processing diagram for explaining a method of preventing particle generation in a deposition process according to another embodiment of the present invention.
우선, 제어부(150)는 박막 형성부(120)를 제어하여 박막 증착용 진공 챔버(110)에서 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성할 수 있다(S310).First, the
이후, 제어부(150)는 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달했는 지를 확인할 수 있다(S320).Thereafter, the
상기한 단계 S320의 확인결과 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달하지 않은 경우에는, 상기한 단계 S310으로 진행하여 박막 증착 공정을 반복 수행할 수 있다.If, as a result of checking in step S320, the number of particles in the
한편, 상기한 단계 S320의 확인결과 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달한 경우, 제어부(150)는 보호막 형성부(130)를 제어하여 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성할 수 있다(S330).Meanwhile, when the number of particles in the
이후, 제어부(150)는 상기한 단계 S310 내지 단계 S330이 기설정된 회수만큼 수행되었는 지를 확인할 수 있다(S340).Thereafter, the
상기한 단계 S340의 확인결과 상기한 단계 S310 내지 단계 S330이 기설정된 회수만큼 수행되지 않은 경우, 제어부(150)는 상기한 단계 S310으로 진행하여 상기한 단계 S310 내지 단계 S330을 반복 수행할 수 있다.If, as a result of checking step S340, steps S310 to S330 are not performed the preset number of times, the
한편, 상기한 단계 S340의 확인결과 상기한 단계 S310 내지 단계 S330이 기설정된 회수만큼 수행된 경우, 제어부(150)는 증착 장치(100)의 동작을 정지시켜 생산을 종료할 수 있다(S350).Meanwhile, as a result of checking step S340, if steps S310 to S330 have been performed a preset number of times, the
이에 따라, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 일 예로, 박막 증착 공정을 파티클 수가 예를 들어, 10개 이상 검출되기 전까지 반복 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하는 과정을 5회 반복 수행할 수 있다.Accordingly, in another embodiment of the present invention, for example, the thin film deposition process is repeatedly performed until the number of particles is detected, for example, 10 or more, and then the process of performing the protective film coating process may be repeated five times. .
한편, 상기한 단계 S310 내지 단계 S330을 반복하는 회수가 증가할수록 상기한 단계 S320에 적용되는 파티클 수의 설정값을 단계적으로 증가시킬 수 있다.Meanwhile, as the number of repetitions of steps S310 to S330 above increases, the set value of the number of particles applied to step S320 may be gradually increased.
구체적으로, 상기한 단계 S310 내지 단계 S330을 1회차 수행하는 경우, 상기한 단계 S320에서 제어부(150)는 파티클 수를 3으로 설정하여 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 3개 이상 검출되기 전까지 상기한 단계 S310을 반복 수행한 후, 상기한 단계 S330을 수행하도록 하고, 상기한 단계 S310 내지 단계 S330을 2회차 수행하는 경우, 상기한 단계 S320에서 제어부(150)는 파티클 수를 5로 설정하여 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 5개 이상 검출되기 전까지 상기한 단계 S310을 반복 수행한 후, 상기한 단계 S330을 수행하도록 하고, 상기한 단계 S310 내지 단계 S330을 3회차 수행하는 경우, 상기한 단계 S320에서 제어부(150)는 파티클 수를 7로 설정하여 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 7개 이상 검출되기 전까지 상기한 단계 S310을 반복 수행한 후, 상기한 단계 S330을 수행하도록 하고, 상기한 단계 S310 내지 단계 S330을 4회차 수행하는 경우, 상기한 단계 S320에서 제어부(150)는 파티클 수를 9로 설정하여 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 9개 이상 검출되기 전까지 상기한 단계 S310을 반복 수행한 후, 상기한 단계 S330을 수행하도록 하고, 상기한 단계 S310 내지 단계 S330을 5회차 수행하는 경우, 상기한 단계 S320에서 제어부(150)는 파티클 수를 11로 설정하여 파티클 감지부(140)를 통해 감지된 진공 챔버(110) 내의 파티클 수가 11개 이상 검출되기 전까지 상기한 단계 S310을 반복 수행한 후, 상기한 단계 S330을 수행하도록 할 수 있다.Specifically, when performing steps S310 to S330 described above once, in step S320 described above, the
한편, 상기한 단계 S350에서 생산 작업이 종료되면, 작업자는 진공 챔버 내부 구조물에 대해 외부 세정(ex-situ cleaning)을 진행할 수 있다.Meanwhile, when the production work is completed in step S350 described above, the operator can perform ex-situ cleaning on the structure inside the vacuum chamber.
이와 같이 본 발명에 의하면, 박막을 형성하는 박막 증착 공정을 수행한 후, 보호막을 형성하는 보호막 코팅 공정을 수행하게 되면, 도 9에 도시하는 바와 같이, 진공 챔버 내부 구조물에 증착된 박막과 입자들이 기판에 흡착되는 파티클 수를 계속적으로 감소킬 수 있게 된다.According to the present invention, after performing the thin film deposition process to form a thin film and then performing the protective film coating process to form a protective film, as shown in FIG. 9, the thin film and particles deposited on the structure inside the vacuum chamber are It is possible to continuously reduce the number of particles adsorbed to the substrate.
이로 인하여 진공 챔버 내부 구조물을 외부로 반출하여 세정하는 외부 세정 주기를 길게 연장시킬 수 있게 된다.As a result, the external cleaning cycle in which the structure inside the vacuum chamber is taken out and cleaned can be extended.
또한 진공 챔버의 연속 가능 공정 수를 증가시킬 수 있게 되고, 진공 챔버 내부 구조물의 수명을 연장시킬 수 있게 되며, 제품 생산성 및 생산 수율을 향상시킬 수 있게 된다.Additionally, it is possible to increase the number of continuous processes in the vacuum chamber, extend the life of the structure inside the vacuum chamber, and improve product productivity and production yield.
이상, 일부 예를 들어서 본 발명의 바람직한 여러 가지 실시 예에 대해서 설명하였지만, 본 "발명을 실시하기 위한 구체적인 내용" 항목에 기재된 여러 가지 다양한 실시 예에 관한 설명은 예시적인 것에 불과한 것이며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이상의 설명으로부터 본 발명을 다양하게 변형하여 실시하거나 본 발명과 균등한 실시를 행할 수 있다는 점을 잘 이해하고 있을 것이다.Above, various preferred embodiments of the present invention have been described by giving some examples, but the description of the various embodiments described in the "Detailed Contents for Carrying out the Invention" section is merely illustrative and the present invention Those skilled in the art will understand from the above description that the present invention can be implemented with various modifications or equivalent implementations of the present invention.
또한, 본 발명은 다른 다양한 형태로 구현될 수 있기 때문에 본 발명은 상술한 설명에 의해서 한정되는 것이 아니며, 이상의 설명은 본 발명의 개시 내용이 완전해지도록 하기 위한 것으로 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것일 뿐이며, 본 발명은 청구범위의 각 청구항에 의해서 정의될 뿐임을 알아야 한다.In addition, since the present invention can be implemented in various other forms, the present invention is not limited by the above description, and the above description is intended to make the disclosure of the present invention complete and is commonly used in the technical field to which the present invention pertains. It is provided only to fully inform those with knowledge of the scope of the present invention, and it should be noted that the present invention is only defined by each claim in the claims.
110. 진공 챔버,
120. 박막 형성부,
130. 보호막 형성부,
140. 파티클 감지부,
150. 제어부110. Vacuum chamber,
120. Thin film forming part,
130. Protective film forming part,
140. Particle detection unit,
150. Control unit
Claims (7)
상기 박막 형성 단계를 기설정된 회수만큼 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계;
상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 반복 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,
증착 공정의 파티클 생성 방지 방법.
A thin film forming step of forming a thin film by performing a thin film deposition process in a vacuum chamber for thin film deposition;
A protective film forming step of performing the thin film forming step a preset number of times and then performing a protective film coating process to form a protective film;
Characterized in that it comprises a step of repeating the thin film forming step and the protective film forming step,
How to prevent particle generation in deposition processes.
상기 반복 수행하는 단계는,
상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 기설정된 회수만큼 반복 수행하는 단계인 것을 특징으로 하는,
증착 공정의 파티클 생성 방지 방법.
According to paragraph 1,
The repeated steps are:
Characterized in that the thin film forming step and the protective film forming step are repeated a preset number of times,
How to prevent particle generation in deposition processes.
상기 반복 수행하는 단계는,
상기 진공 챔버 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달하기 전까지 상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 반복 수행하는 단계인 것을 특징으로 하는,
증착 공정의 파티클 생성 방지 방법.
According to paragraph 1,
The repeated steps are:
Characterized in that the step of repeatedly performing the thin film forming step and the protective film forming step until the number of particles in the vacuum chamber reaches a preset quantity,
How to prevent particle generation in deposition processes.
상기 진공 챔버 내의 파티클 수가 기설정된 수량에 도달하기 전까지 상기 박막 형성 단계를 반복 수행한 후, 보호막 코팅 공정을 수행하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계;
상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 기설정된 회수만큼 반복 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,
증착 공정의 파티클 생성 방지 방법.
A thin film forming step of forming a thin film by performing a thin film deposition process in a vacuum chamber for thin film deposition;
A protective film forming step of repeating the thin film forming step until the number of particles in the vacuum chamber reaches a preset quantity and then performing a protective film coating process to form a protective film;
Characterized in that it includes; repeating the thin film forming step and the protective film forming step a preset number of times,
How to prevent particle generation in deposition processes.
상기 박막 형성 단계와 보호막 형성 단계를 반복하는 회수가 증가할수록 상기 박막 형성 단계의 반복 회수를 결정하는 파티클 수의 설정값을 단계적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는,
증착 공정의 파티클 생성 방지 방법.
According to clause 4,
Characterized in that, as the number of repetitions of the thin film forming step and the protective film forming step increases, the set value of the number of particles that determines the number of repetitions of the thin film forming step is gradually increased.
How to prevent particle generation in deposition processes.
상기 박막 형성 단계는,
PVD(Physical Vapor Deposition) 방식, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식, ALD(Atomic Layer Deposition) 방식 중에서 택일된 방식으로 박막 증착 공정을 수행하여 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는,
증착 공정의 파티클 생성 방지 방법
According to any one of claims 1 to 5,
The thin film forming step is,
Characterized in forming a thin film by performing a thin film deposition process using a method selected from among the PVD (Physical Vapor Deposition) method, CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and ALD (Atomic Layer Deposition) method.
How to prevent particle generation in deposition processes
상기 보호막 형성 단계는,
ALD 방식으로 보호막 코팅 공정을 수행하여 코팅막을 형성하는 것을 특징으로 하는,
증착 공정의 파티클 생성 방지 방법.According to any one of claims 1 to 5,
The protective film formation step is,
Characterized in forming a coating film by performing a protective film coating process using the ALD method.
How to prevent particle generation in deposition processes.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220105925A KR20240027992A (en) | 2022-08-24 | 2022-08-24 | Method for preventing particle generation in deposition process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220105925A KR20240027992A (en) | 2022-08-24 | 2022-08-24 | Method for preventing particle generation in deposition process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240027992A true KR20240027992A (en) | 2024-03-05 |
Family
ID=90298191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220105925A KR20240027992A (en) | 2022-08-24 | 2022-08-24 | Method for preventing particle generation in deposition process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20240027992A (en) |
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Patent Citations (2)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal |