KR20240018921A - High power termination having common electrode - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 광대역 성능이 개선된 공통 전극을 포함하는 고출력 터미네이션을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 고출력 터미네이션은, 세라믹 기판, 상기 세라믹 기판의 상면에 서로 대향하도록 이격되어 위치한 제1 전극부 및 제2 전극부, 상기 세라믹 기판의 상면에 상기 제1 전극부로부터 상기 제2 전극부를 향하여 연장된 공통 전극부, 상기 세라믹 기판의 상면에 제1 측에서 상기 제2 전극부 및 상기 공통 전극부와 전기적으로 연결된 제1 저항부 및 상기 세라믹 기판의 상면에 상기 공통 전극부를 기준으로 상기 제1 측에 대하여 대향하는 제2 측에서 상기 제2 전극부 및 상기 공통 전극부와 전기적으로 연결된 제2 저항부를 포함한다.The present invention provides a high-power termination including a common electrode with improved broadband performance. According to an embodiment of the present invention, the high-output termination includes a ceramic substrate, a first electrode portion and a second electrode portion spaced apart from each other on the upper surface of the ceramic substrate, and the first electrode portion on the upper surface of the ceramic substrate. A common electrode portion extending toward the second electrode portion, a first resistor portion electrically connected to the second electrode portion and the common electrode portion on a first side on the upper surface of the ceramic substrate, and the common electrode on the upper surface of the ceramic substrate. It includes a second resistor portion electrically connected to the second electrode portion and the common electrode portion on a second side opposite to the first side.
Description
본 발명의 기술적 사상은 전자 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공통 전극을 포함하는 고출력 터미네이션에 관한 것이다.The technical idea of the present invention relates to electronic devices, and more specifically, to high-output termination including a common electrode.
터미네이션은 불필요한 입력 신호를 흡수하여 열로 발산하는 전자 소자이다. 터미네이션은 종단이 플로팅되어 신호가 반사되는 것을 방지한다. 전자 장치의 회로가 복잡해짐에 따라 간섭 등의 영향으로 원하지 않는 입력 신호가 발생할 수 있고, 이러한 입력 신호를 제거하지 않으면 전자 장치의 정밀도가 저하된다. 따라서, 터미네이션의 출력을 증가시키는 연구가 지속되고 있다. 종래에는 고출력 터미네이션을 제공하기 위하여, 저항 영역을 확장하는 방법이 있으나, 저항이 커지면 고 밴드 성능이 저하되는 한계가 있다. 또한, 저항의 형상을 부채꼴이나 다각형 형태로 제작하는 방법이 있으나, 트리밍 위치를 잡기 어려운 한계가 있다. 또한, 열 방사 특성을 향상시키기 위하여 저항체에 절개부를 형성하는 것이 제안되었으나, 5GHz 에서 -20 dB 이하를 달성하지 못하여, 우수한 광대역 특성을 제공하지 못하는 한계가 있다.Termination is an electronic device that absorbs unnecessary input signals and dissipates them as heat. Termination prevents the ends from floating and reflecting signals. As the circuitry of electronic devices becomes more complex, unwanted input signals may occur due to interference, etc., and if these input signals are not removed, the precision of the electronic device deteriorates. Therefore, research to increase termination output continues. Conventionally, there is a method of expanding the resistance area to provide high-output termination, but there is a limitation in that high-band performance deteriorates as the resistance increases. Additionally, there is a method of manufacturing the shape of the resistor in a fan-shaped or polygonal shape, but there is a limitation that it is difficult to determine the trimming position. In addition, it has been proposed to form a cutout in the resistor to improve heat radiation characteristics, but there is a limitation in that it cannot achieve -20 dB or less at 5GHz and does not provide excellent broadband characteristics.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 광대역 성능이 개선된 공통 전극을 포함하는 고출력 터미네이션을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the technical idea of the present invention is to provide a high-output termination including a common electrode with improved broadband performance.
그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.However, these tasks are illustrative, and the technical idea of the present invention is not limited thereto.
본 발명의 일 관점에 의하면, 고출력 터미네이션은, 세라믹 기판, 상기 세라믹 기판의 상면에 서로 대향하도록 이격되어 위치한 제1 전극부 및 제2 전극부, 상기 세라믹 기판의 상면에 상기 제1 전극부로부터 상기 제2 전극부를 향하여 연장된 공통 전극부, 상기 세라믹 기판의 상면에 제1 측에서 상기 제2 전극부 및 상기 공통 전극부와 전기적으로 연결된 제1 저항부, 및 상기 세라믹 기판의 상면에 상기 공통 전극부를 기준으로 상기 제1 측에 대하여 대향하는 제2 측에서 상기 제2 전극부 및 상기 공통 전극부와 전기적으로 연결된 제2 저항부를 포함한다.According to one aspect of the present invention, the high-power termination includes a ceramic substrate, a first electrode portion and a second electrode portion spaced apart from each other on the upper surface of the ceramic substrate, and the first electrode portion on the upper surface of the ceramic substrate. A common electrode portion extending toward the second electrode portion, a first resistor portion electrically connected to the second electrode portion and the common electrode portion on a first side on the upper surface of the ceramic substrate, and the common electrode on the upper surface of the ceramic substrate. It includes a second resistor portion electrically connected to the second electrode portion and the common electrode portion on a second side opposite to the first side.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부는 상기 공통 전극부를 기준으로 대칭 형상을 가질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first resistor unit and the second resistor unit may have a symmetrical shape with respect to the common electrode unit.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부는 동일한 면적을 가질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first resistor unit and the second resistor unit may have the same area.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부 중 적어도 어느 하나는 구부러진 형상을 가질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, at least one of the first resistance unit and the second resistance unit may have a bent shape.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부 중 적어도 어느 하나는 상기 제2 전극부와 접촉하는 방향과 상기 공통 전극부와 접촉하는 방향이 일정한 각도를 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, at least one of the first resistor unit and the second resistor unit may have a constant angle between a direction in contact with the second electrode unit and a direction in contact with the common electrode unit. .
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부 중 적어도 어느 하나는 동일한 폭을 가지고 연장될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, at least one of the first resistor portion and the second resistor portion may extend to have the same width.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부 사이의 간격은 공통 전극부의 폭에 비하여 클 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the gap between the first resistor unit and the second resistor unit may be larger than the width of the common electrode unit.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부 중 적어도 어느 하나는 사각형 형상을 가질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, at least one of the first resistor unit and the second resistor unit may have a rectangular shape.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부 사이의 간격이 공통 전극부의 폭과 동일할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the gap between the first resistor unit and the second resistor unit may be equal to the width of the common electrode unit.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부에 비하여 길게 연장될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the second electrode portion may extend longer than the first electrode portion.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제2 전극부는 상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부가 서로 이격된 영역으로 연장된 돌출부를 가질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the second electrode portion may have a protrusion extending to an area where the first resistor portion and the second resistor portion are spaced apart from each other.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 고출력 터미네이션은, 0 GHz 내지 5 GHz 범위의 주파수 대역에서 -20 dB 이하의 반사 감쇠를 가질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the high-output termination may have a reflection attenuation of -20 dB or less in a frequency band ranging from 0 GHz to 5 GHz.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 세라믹 기판의 상면에 상기 세라믹 기판의 모서리를 따라 상기 제1 전극부로부터 횡 방향으로 연장되어 위치하는 전극 연장부 및 상기 세라믹 기판의 상면에 구불구불한 형상으로 상기 제1 전극부와 상기 공통 전극부를 전기적으로 연결하도록 위치하는 전극 연결부를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, an electrode extension portion is located on the upper surface of the ceramic substrate and extends in the transverse direction from the first electrode portion along an edge of the ceramic substrate and has a serpentine shape on the upper surface of the ceramic substrate. It may further include an electrode connection part positioned to electrically connect the first electrode part and the common electrode part.
본 발명의 기술적 사상에 의할 경우, 고출력 터미네이션은 공통 전극부를 형성하고, 양측에서 분리된 저항부들을 형성함에 따라, 0 GHz 내지 5 GHz 범위의 대역에서 -20 dB 이하의 반사 감쇠 특성을 제공할 수 있다. 또한, 저항부는 균일한 온도 분포를 보이는 바, 열이 최적화된 방식으로 분포되며, 따라서 우수한 열 방사 특성을 제공할 수 있다. According to the technical idea of the present invention, the high-output termination forms a common electrode portion and separate resistance portions on both sides, thereby providing reflection attenuation characteristics of -20 dB or less in a band ranging from 0 GHz to 5 GHz. You can. In addition, the resistor shows a uniform temperature distribution, so heat is distributed in an optimized manner, and thus can provide excellent heat radiation characteristics.
상기 고출력 터미네이션은 고주파 또는 마이크로파를 이용하는 여러 가지 회로 및 시스템에서 사용될 수 있다. 상기 고출력 터미네이션은 무선 통신 시스템, 이동 통신 리피터시스템, 방송 통신 시스템, 방송 텔레비전의 타워 증폭기 시스템, 공용 안테나 시스템, 위성 통신 시스템, GPS 시스템, 무선 링크(WLAN) 시스템, 위성 수신기의 고역 주파수 헤드 시스템, 레이더 시스템, 고출력 증폭기 시스템, 고온 전력 시스템, 아이솔레이터 시스템, 서큘레이터 시스템 등에 사용될 수 있다.The high-output termination can be used in various circuits and systems that use high frequencies or microwaves. The high-power termination is a wireless communication system, a mobile communication repeater system, a broadcast communication system, a tower amplifier system of broadcast television, a common antenna system, a satellite communication system, a GPS system, a wireless link (WLAN) system, a high-frequency head system of a satellite receiver, It can be used in radar systems, high-power amplifier systems, high-temperature power systems, isolator systems, and circulator systems.
상술한 본 발명의 효과들은 예시적으로 기재되었고, 이러한 효과들에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The effects of the present invention described above have been described as examples, and the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 고출력 터미네이션의 외관 사시도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 고출력 터미네이션의 상면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른, 고출력 터미네이션의 반사 감쇠 특성을 비교예와 비교한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프들이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 고주파수의 임피던스 매칭을 강화한 고출력 터미네이션의 상면도이다.Figure 1 is an external perspective view of a high-output termination according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are top views of a high-output termination according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a graph showing simulation results comparing the reflection attenuation characteristics of the high-output termination according to an embodiment of the present invention with the comparative example.
Figure 5 is a top view of a high-output termination with enhanced impedance matching at high frequencies according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 본 명세서에서 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the technical idea of the present invention to those skilled in the art, and the following examples can be modified into various other forms, and the embodiments of the present invention The scope of the technical idea is not limited to the following examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete and to fully convey the technical idea of the present invention to those skilled in the art. In this specification, like symbols refer to like elements throughout. Furthermore, various elements and areas in the drawings are schematically drawn. Accordingly, the technical idea of the present invention is not limited by the relative sizes or spacing drawn in the attached drawings.
본 명세서에서 "전기적으로 연결"의 의미는 직접적으로 접촉하거나 또는 다른 구성요소를 통하여 간접적으로 접촉하여 전기를 통하게 하는 연결을 의미하는 것이다.In this specification, the meaning of “electrically connected” means a connection that conducts electricity by direct contact or indirect contact through other components.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 고출력 터미네이션(100)의 외관 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 도 1의 고출력 터미네이션(100)의 상면도이다.Figure 1 is an external perspective view of a high-
도 1 및 도 2를 참조하면, 고출력 터미네이션(100)은, 세라믹 기판(110), 제1 전극부(120), 제2 전극부(130), 공통 전극부(140), 제1 저항부(150), 및 제2 저항부(160)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the high-
세라믹 기판(110)은 다양한 세라믹 물질을 포함할 수 있다. 세라믹 기판(110)은, Al2O3, AlN(Aluminum Nitride), Si3N4 및 Ba2O3 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다The
세라믹 기판(110)에 순차적으로 전극 패턴 및 저항 패턴을 인쇄 후 소부하여 제품을 형성할 수 있다. A product can be formed by sequentially printing an electrode pattern and a resistance pattern on the
제1 전극부(120) 및 제2 전극부(130)는 세라믹 기판(110)의 상면에 서로 대향하도록 이격되어 위치할 수 있다. 제1 전극부(120)는 세라믹 기판(110)의 일측에 배치되고, 제2 전극부(130)는 세라믹 기판(110)의 타측에 배치될 수 있다.The
제1 전극부(120)는 전기 신호가 입력되는 입력 전극의 기능을 수행할 수 있다. 제2 전극부(130)는 접지 전극의 기능을 수행할 수 있다. 그러나 이는 예시적이며, 제1 전극부(120)가 접지 전극의 기능을 수행하고, 제2 전극부(130)가 입력 전극의 기능을 수행하는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 제1 전극부(120) 및 제2 전극부(130)는 전류 경로를 제공하기 위한 다양한 형상을 가질 수 있다.The
제1 전극부(120) 및 제2 전극부(130)는 도전성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금속을 포함할 수 있다. 제1 전극부(120) 및 제2 전극부(130)는, 예를 들어 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 주석(Sn), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.The
공통 전극부(140)는 세라믹 기판(110)의 상면에 제1 전극부(120)로부터 제2 전극부(130)를 향하여 연장될 수 있다. 공통 전극부(140)는 제1 전극부(120)와 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 전극부(130)로부터는 이격되도록 배치될 수 있다. 공통 전극부(140)는, 예를 들어 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 주석(Sn), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.The
제1 전극부(120), 제2 전극부(130), 및 공통 전극부(140)는 동일한 물질을 포함하거나 또는 다른 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극부(120), 제2 전극부(130), 및 공통 전극부(140)는 박막 형상을 가질 수 있고, 예를 들어 5 μm 내지 30 μm 범위의 높이를 가질 수 있다. 그러나, 상기 수치는 예시적이며 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.The
제1 저항부(150)는 세라믹 기판(110)의 상면에 제1 측에서 제2 전극부(130) 및 공통 전극부(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. 도 2에서는 상기 제1 측이 공통 전극부(140)를 기준으로 우측에 도시되어 있다.The
제2 저항부(160)는 세라믹 기판(110)의 상면에 공통 전극부(140)를 기준으로 상기 제1 측에 대하여 대향하는 제2 측에서 제2 전극부(130) 및 공통 전극부(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. 도 2에서는 상기 제2 측이 공통 전극부(140)를 기준으로 좌측에 도시되어 있다.The
제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)는 RF 신호 등과 같은 전기적 입력 신호를 열로 변환시키는 기능을 수행할 수 있다.The
제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)는 저항성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 RuO2, SiO2 및 CuNi 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)는 동일한 물질을 포함하거나 또는 다른 물질을 포함할 수 있다. 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)는 박막 형상을 가질 수 있고, 예를 들어 5 μm 내지 30 μm 범위의 높이를 가질 수 있다. 그러나, 상기 수치는 예시적이며 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.The
제1 전극부(120), 제2 전극부(130), 공통 전극부(140), 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)는 다양한 순서로서 인쇄되어 적층될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극부(120), 제2 전극부(130), 공통 전극부(140)가 세라믹 기판(110) 상에 먼저 형성되어 수직방향으로 하측에 배치되고, 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)가 후속의 공정에서 형성되어 수직 방향으로 상측에 배치될 수 있다. 또는, 이와 반대의 배치도 가능하다. 따라서, 제1 전극부(120), 제2 전극부(130), 공통 전극부(140), 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)는 동일한 평면 또는 다른 평면에 배치될 수 있다.The
또한, 제1 전극부(120) 및 제2 전극부(130)는 외부와의 전기적 연결을 더 용이하고 보장하기 위하여, 세라믹 기판(110)의 측면으로 연장되어 형성될 수 있다.Additionally, the
제1 전극부(120), 제2 전극부(130), 공통 전극부(140), 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)는 페이스트(paste)를 이용한 스크린 인쇄 방법, 스프레이 방법 및 잉크젯 인쇄 방법 등 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The
이하에서는, 제1 전극부(120), 제2 전극부(130), 공통 전극부(140), 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)의 형상에 대하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 이러한 형상은 예시적이며 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the shapes of the
제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)는 공통 전극부(140)를 기준으로 대칭 형상을 가질 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)가 비대칭 형상을 가지는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다.The
제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)은 동일한 면적을 가질 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)가 서로 다른 면적을 가지는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다.The
제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160) 중 적어도 어느 하나는 구부러진 형상을 가질 수 있다.At least one of the
제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160) 중 적어도 어느 하나는 제2 전극부(130)와 접촉하는 방향과 공통 전극부(140)와 접촉하는 방향이 일정한 각도를 가질 수 있다. 도 2에서는 상기 일정 각도는 90도로 도시되어 있으나, 이는 예시적이며 0도 내지 90도 범위의 각도일 수 있다.At least one of the
제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160) 중 적어도 어느 하나는 동일한 폭(WR)을 가지고 연장될 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)가 동일하지 않는 폭을 가지고 연장된 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다.At least one of the
제1 저항부(150)와 제2 저항부(160) 사이의 간격(WD)은 공통 전극부(140)의 폭(WC)에 비하여 클 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. The gap W D between the
제1 전극부(120)는 공통 전극부(140)와 전기적 연결을 충분히 제공할 수 있는 길이를 가질 수 있고, 제2 전극부(130)는 제1 저항부(150) 및 제2 저항부(160)와 전기적 연결을 충분히 제공할 수 있는 길이를 가질 수 있다. 따라서, 제2 전극부(130)는 제1 전극부(120)에 비하여 길게 연장될 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 제1 전극부(120)와 제2 전극부(130)가 동일한 길이로 연장되거나, 또는 제1 전극부(120)가 제2 전극부(130)에 비하여 긴 길이를 가지는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다.The
제2 전극부(130)는 제1 저항부(150)와 제2 저항부(160)가 서로 이격된 영역으로 연장된 돌출부(132)를 가질 수 있다. 돌출부(132)는 고주파 임피던스 메칭 개선을 위해 자주 사용하는 스터브(stub)와 같은 역할을 하며, 입력단 또는 출력단 모두 라인(line) 또는 스터브(stub)를 추가하여 고주파 임피던스를 개선 할 수 있게 구성될 수 있다.The
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 고출력 터미네이션(100a)의 상면도이다.Figure 3 is a top view of a high-output termination (100a) according to an embodiment of the present invention.
도 3에서, 도 1 및 도 2를 참조하여 상술한 구성요소들과 중복되는 구성요소들에 대한 설명은 생략하기로 한다.In FIG. 3 , description of components that overlap with the components described above with reference to FIGS. 1 and 2 will be omitted.
도 3을 참조하면, 고출력 터미네이션(100a)은, 세라믹 기판(110), 제1 전극부(120), 제2 전극부(130), 공통 전극부(140), 제1 저항부(150a), 및 제2 저항부(160b)를 포함한다. 제1 저항부(150a)와 제2 저항부(160b) 중 적어도 어느 하나는 사각형 형상을 가질 수 있다. 제1 저항부(150a)와 제2 저항부(160b) 사이의 간격(WD)이 공통 전극부(140)의 폭(WC)과 동일할 수 있다.Referring to FIG. 3, the high-
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른, 고출력 터미네이션의 반사 감쇠 특성을 비교예와 비교한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프들이다.Figure 4 is a graph showing simulation results comparing the reflection attenuation characteristics of the high-output termination according to an embodiment of the present invention with the comparative example.
도 4를 참조하면, (a)에는 공통 전극부를 가지지 않는 비교예의 반사 감쇠(return loss) 시뮬레이션 결과가 나타나 있고, (b)에는 공통 전극부를 가지는 실시예의 반사 감쇠 시뮬레이션 결과가 나타나 있다. 비교예에 비하여 실시예는 주파수 전 범위에 걸쳐서 낮은 수준의 반사 감쇠를 나타났다. 구체적으로, 비교예의 경우, 2.70 GHz에서 -30.66 dB, 4.00 GHz에서 -22.29 dB, 및 5.00 GHz에서 -18.04 dB 로서, 5 GHz 에서 -20 dB 초과의 반사 감쇠가 나타났다. 반면, 실시예의 경우, 10 MHz에서 -56.01 dB, 2.70 GHz에서 -39.41 dB, 4.00 GHz에서 -28.31 dB, 및 5.00 GHz에서 -23.22 dB 로서, 5 GHz 에서 -20 dB 이하의 반사 감쇠가 나타났다. 따라서, 실시예는 비교예에 비하여 넓은 반사 감쇠 성능을 가지므로, 우수한 광대역 특성을 나타내며, 열 균일성 개선 효과가 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 4, (a) shows the return loss simulation results of the comparative example without a common electrode, and (b) shows the return loss simulation results of the example with the common electrode. Compared to the comparative example, the example showed a low level of reflection attenuation across the entire frequency range. Specifically, in the case of the comparative example, reflection attenuation of more than -20 dB was observed at 5 GHz, as -30.66 dB at 2.70 GHz, -22.29 dB at 4.00 GHz, and -18.04 dB at 5.00 GHz. On the other hand, in the case of the example, reflection attenuation of -56.01 dB at 10 MHz, -39.41 dB at 2.70 GHz, -28.31 dB at 4.00 GHz, and -23.22 dB at 5.00 GHz, was less than -20 dB at 5 GHz. Therefore, it can be seen that the Example has a wider reflection attenuation performance than the Comparative Example, exhibits excellent broadband characteristics, and has an effect of improving heat uniformity.
본 발명의 기술적 사상에 따른 고출력 터미네이션은, 0 GHz 내지 5 GHz 범위의 주파수 대역에서 -20 dB 이하의 반사 감쇠를 가질 수 있고, 예를 들어 -60 dB 내지 -20 dB 범위의 반사 감쇠를 가질 수 있다. High-output termination according to the technical idea of the present invention may have a reflection attenuation of -20 dB or less in a frequency band ranging from 0 GHz to 5 GHz, for example, a reflection attenuation in the range of -60 dB to -20 dB. there is.
상기 고출력 터미네이션은, 예를 들어 직류 및 0 Hz 초과 내지 5000 MHz 이하의 주파수 영역을 가질 수 있다. 상기 고출력 터미네이션은, 예를 들어 평균 150 watt 이하의 고 출력 특성을 가질 수 있다. 상기 고출력 터미네이션은, 예를 들어 10 mm x 10 mm 이하의 평면 치수를 가질 수 있고, 예를 들어 5.08 mm x 5.08 mm 의 평면 치수를 가지거나 또는 6.35 mm x 6.35 mm 의 평면 치수를 가질 수 있다.The high-output termination may have, for example, direct current and a frequency range of more than 0 Hz to less than 5000 MHz. The high-output termination may have high output characteristics, for example, an average of 150 watts or less. The high power termination may have a planar dimension of, for example, 10 mm x 10 mm or less, for example a planar dimension of 5.08 mm x 5.08 mm or a planar dimension of 6.35 mm x 6.35 mm.
다시 도 2를 참조하면, 고출력 터미네이션(100)을 동작시킨 후, 제1 저항부(150)의 여러 영역에서 온도를 측정한 결과, 125.1℃, 124℃, 및 125.3℃으로 상당한 수준으로 균일한 온도 분포를 가졌다. 따라서, 고출력 터미네이션(100)은 우수한 열 방사 특성을 가짐을 알 수 있다.Referring again to FIG. 2, after operating the high-
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 고주파수의 임피던스 매칭을 강화한 고출력 터미네이션의 상면도이다.Figure 5 is a top view of a high-output termination with enhanced impedance matching at high frequencies according to an embodiment of the present invention.
도 5에서, 도 1 내지 도 3을 참조하여 상술한 구성요소들과 중복되는 구성요소들에 대한 설명은 생략하기로 한다.In FIG. 5 , description of components that overlap with the components described above with reference to FIGS. 1 to 3 will be omitted.
도 5를 참조하면, 고출력 터미네이션(100b)은, 세라믹 기판(110), 제1 전극부(120), 제2 전극부(130), 공통 전극부(140), 제1 저항부(150), 및 제2 저항부(160)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, the high-
또한, 고출력 터미네이션(100b)은, 세라믹 기판(110)의 상면에 세라믹 기판(110)의 모서리를 따라 제1 전극부(120)로부터 횡 방향으로 연장되어 위치하는 전극 연장부(170)를 더 포함할 수 있다. 또한, 고출력 터미네이션(100b)은, 세라믹 기판(110)의 상면에 구불구불한 형상으로 제1 전극부(120)와 공통 전극부(140)를 전기적으로 연결하도록 위치하는 전극 연결부(180)를 더 포함할 수 있다. 전극 연결부(180)는 제1 전극부(120)의 일단부에서 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the high-
전극 연장부(170)와 전극 연결부(180)는 고주파수의 임피던스 매칭을 개선하는 기능을 수행할 수 있다. 도시된 전극 연장부(170)와 전극 연결부(180)의 형상은 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고 다양한 형상이 가능하며, 각각 라인(line) 또는 스터브(stub)로 구성될 수 있다.The
이상에서 설명한 본 발명의 기술적 사상이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명의 기술적 사상이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The technical idea of the present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible without departing from the technical idea of the present invention. It will be clear to those skilled in the art.
100, 100a, 100b: 고출력 터미네이션,
110: 세라믹 기판,
120: 제1 전극부,
130: 제2 전극부,
132: 돌출부,
140: 공통 전극부,
150, 150a: 제1 저항부,
160, 160a: 제2 저항부,
170: 전극 연장부,
180: 전극 연결부,100, 100a, 100b: High-power termination,
110: ceramic substrate,
120: first electrode portion,
130: second electrode portion,
132: protrusion,
140: common electrode portion,
150, 150a: first resistance unit,
160, 160a: second resistance unit,
170: electrode extension,
180: electrode connection,
Claims (6)
상기 세라믹 기판의 상면에 서로 대향하도록 이격되어 위치한 제1 전극부 및 제2 전극부,
상기 세라믹 기판의 상면에 상기 제1 전극부로부터 상기 제2 전극부를 향하여 연장된 공통 전극부,
상기 세라믹 기판의 상면에 제1 측에서 상기 제2 전극부 및 상기 공통 전극부와 전기적으로 연결된 제1 저항부 및
상기 세라믹 기판의 상면에 상기 공통 전극부를 기준으로 상기 제1 측에 대하여 대향하는 제2 측에서 상기 제2 전극부 및 상기 공통 전극부와 전기적으로 연결된 제2 저항부를 포함하는,
고출력 터미네이션.ceramic substrate,
A first electrode portion and a second electrode portion spaced apart from each other on the upper surface of the ceramic substrate,
A common electrode portion extending from the first electrode portion toward the second electrode portion on the upper surface of the ceramic substrate,
A first resistor portion electrically connected to the second electrode portion and the common electrode portion on the first side of the upper surface of the ceramic substrate, and
A second resistor portion electrically connected to the second electrode portion and the common electrode portion on a second side opposite to the first side with respect to the common electrode portion on the upper surface of the ceramic substrate,
High output termination.
상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부 중 적어도 어느 하나는 구부러진 형상을 가지는,
고출력 터미네이션.According to claim 1,
At least one of the first resistance unit and the second resistance unit has a bent shape,
High output termination.
상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부 중 적어도 어느 하나는 동일한 폭을 가지고 연장된,
고출력 터미네이션.According to claim 1,
At least one of the first resistor portion and the second resistor portion extends to have the same width,
High output termination.
상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부에 비하여 길게 연장된,
고출력 터미네이션.According to claim 1,
The second electrode portion extends longer than the first electrode portion,
High output termination.
상기 제2 전극부는 상기 제1 저항부와 상기 제2 저항부가 서로 이격된 영역으로 연장된 돌출부를 가지는,
고출력 터미네이션.According to claim 1,
The second electrode portion has a protrusion extending to an area where the first resistor portion and the second resistor portion are spaced apart from each other,
High output termination.
상기 세라믹 기판의 상면에 상기 세라믹 기판의 모서리를 따라 상기 제1 전극부로부터 횡 방향으로 연장되어 위치하는 전극 연장부 및
상기 세라믹 기판의 상면에 구불구불한 형상으로 상기 제1 전극부와 상기 공통 전극부를 전기적으로 연결하도록 위치하는 전극 연결부를 더 포함하는,
고출력 터미네이션.
According to claim 1,
An electrode extension portion located on the upper surface of the ceramic substrate and extending laterally from the first electrode portion along an edge of the ceramic substrate, and
Further comprising an electrode connection part positioned on the upper surface of the ceramic substrate to electrically connect the first electrode part and the common electrode part in a serpentine shape,
High output termination.
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Citations (3)
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DE3843600C1 (en) * | 1988-12-23 | 1990-03-22 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg, 8000 Muenchen, De | High-frequency power terminating impedance |
EP1086507A1 (en) * | 1998-06-09 | 2001-03-28 | Deti (Société Anonyme) | Resistive-load hyperfrequency passive component |
US20090206981A1 (en) * | 2005-10-11 | 2009-08-20 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Matched rf resistor having a planar layer structure |
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2022
- 2022-08-03 KR KR1020220096864A patent/KR102699882B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3843600C1 (en) * | 1988-12-23 | 1990-03-22 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg, 8000 Muenchen, De | High-frequency power terminating impedance |
EP1086507A1 (en) * | 1998-06-09 | 2001-03-28 | Deti (Société Anonyme) | Resistive-load hyperfrequency passive component |
US20090206981A1 (en) * | 2005-10-11 | 2009-08-20 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Matched rf resistor having a planar layer structure |
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