KR20240018319A - Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 처리공정을 진행하는 경우에 기판의 중앙부와 가장자리부의 플라즈마 불균일성을 해소할 수 있는 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치에 대한 것이다.The present invention relates to a substrate support unit and a substrate processing device equipped with the same. More specifically, the present invention relates to a substrate support unit that can resolve plasma unevenness in the center and edge of the substrate when processing a substrate using plasma. This relates to a unit and a substrate processing device equipped with the same.

Description

기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치 {Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same}Substrate supporting unit and substrate processing apparatus having the same}

본 발명은 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 처리공정을 진행하는 경우에 기판의 중앙부와 가장자리부의 플라즈마 불균일성을 해소할 수 있는 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치에 대한 것이다.The present invention relates to a substrate support unit and a substrate processing device equipped with the same. More specifically, the present invention relates to a substrate support unit that can resolve plasma unevenness in the center and edge of the substrate when processing a substrate using plasma. This relates to a unit and a substrate processing device equipped with the same.

일반적으로 기판처리장치는 챔버 내측에 기판을 수용하고 기판에 대해 증착, 에칭, 세정 등의 각종 처리공정을 수행하게 된다.Generally, a substrate processing device accommodates a substrate inside a chamber and performs various processing processes such as deposition, etching, and cleaning on the substrate.

이 경우, 기판에 대한 처리공정의 효율을 높이기 위하여 플라즈마를 사용할 수 있다. 플라즈마를 사용하는 경우 기판에 대한 각종 처리공정의 효율을 높일 수 있지만 이 경우 기판에 대한 플라즈마의 균일도가 중요하다.In this case, plasma can be used to increase the efficiency of the substrate processing process. When using plasma, the efficiency of various processing processes for the substrate can be increased, but in this case, the uniformity of the plasma for the substrate is important.

일반적으로 플라즈마를 이용하여 기판에 대한 플라즈마 처리공정을 진행하는 경우에 기판의 중앙부에서 가장자리로 갈수록 플라즈마의 균일도가 떨어지게 된다. 이러한 플라즈마의 불균일성은 기판의 중앙부와 가장자리 영역에 따라 처리공정이 불균일하게 이루어지게 하는 요인으로 작용한다.Generally, when a plasma treatment process is performed on a substrate using plasma, the uniformity of the plasma decreases from the center to the edge of the substrate. This non-uniformity of plasma acts as a factor that causes the processing process to be performed unevenly depending on the center and edge areas of the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 처리공정을 진행하는 경우에 기판의 중앙부와 가장자리부의 플라즈마 불균일성을 해소할 수 있는 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a substrate support unit that can resolve plasma unevenness in the center and edge of the substrate when processing a substrate using plasma, and a substrate processing device equipped with the same. The purpose is to provide

상기와 같은 본 발명의 목적은 기판을 지지하는 히터블록, 상기 히터블록에 배치되며, 상기 기판을 척킹하는 이너 RF 전극 및 상기 이너 RF 전극의 가장자리에 배치되며, 상기 이너 RF 전극과 독립적으로 임피던스를 조절할 수 있는 아우터 RF 전극을 구비하고, 상기 아우터 RF 전극은 상기 이너 RF 전극의 가장자리에 배치되며 개구부가 형성된 가장자리부와, 상기 개구부를 가로질러 상기 가장자리부를 서로 연결하는 적어도 두 개 이상의 연결부를 구비하고, 상기 연결부는 상기 개구부의 중앙부를 지나는 중앙 연결부와, 상기 중앙 연결부의 양단부에서 각각 분기되어 상기 가장자리부와 연결되는 복수개의 분기 연결부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛에 의해 달성된다.The object of the present invention as described above is a heater block that supports a substrate, an inner RF electrode disposed on the heater block, chucking the substrate, and an edge of the inner RF electrode, and an impedance independent of the inner RF electrode. It has an adjustable outer RF electrode, and the outer RF electrode is disposed at the edge of the inner RF electrode and has an edge portion with an opening, and at least two connection portions that connect the edge portions across the opening. , The connection portion is achieved by a substrate support unit characterized in that it has a central connection portion passing through the center of the opening, and a plurality of branch connection portions each branched from both ends of the central connection portion and connected to the edge portion.

또한, 상기 복수개의 분기 연결부는 상기 중앙 연결부에 서로 대칭적으로 연결되어 분기될 수 있다.Additionally, the plurality of branch connection parts may be symmetrically connected to and branch from the central connection part.

나아가, 상기 복수개의 분기 연결부는 상기 중앙 연결부의 양단부에서 각각 분기되는 한 쌍으로 구성될 수 있다.Furthermore, the plurality of branch connection parts may be configured as a pair, each branching from both ends of the central connection part.

한편, 상기 이너 RF 전극은 바이폴 전극으로 구성되어, 2의 배수로 분할되어 미리 결정된 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.Meanwhile, the inner RF electrode is composed of a bipole electrode, and can be divided into multiples of 2 and placed at predetermined intervals.

나아가, 상기 중앙 연결부 중에 적어도 하나는 상기 이너 RF 전극의 분할된 간격을 따라 배치될 수 있다.Furthermore, at least one of the central connectors may be disposed along the divided intervals of the inner RF electrode.

한편, 상기 아우터 전극의 가장자리부는 서로 이격되어 배치되는 복수개의 분할 가장자리부로 구성될 수 있다.Meanwhile, the edge portion of the outer electrode may be composed of a plurality of divided edge portions arranged to be spaced apart from each other.

이 경우, 상기 복수개의 분기 연결부는 상기 분할 가장자리부에 각각 연결될 수 있다.In this case, the plurality of branch connection parts may be respectively connected to the divided edges.

또한, 상기 복수개의 분기 연결부 중에 적어도 두 개는 동일한 분할 가장자리부에 연결될 수 있다.Additionally, at least two of the plurality of branch connection parts may be connected to the same split edge part.

나아가, 상기 이너 RF 전극은 모노폴 전극으로 구성될 수 있다.Furthermore, the inner RF electrode may be composed of a monopole electrode.

한편, 상기 아우터 전극의 가장자리부는 서로 이격되어 배치되는 복수개의 분할 가장자리부로 구성될 수 있다.Meanwhile, the edge portion of the outer electrode may be composed of a plurality of divided edge portions arranged to be spaced apart from each other.

이 경우, 상기 복수개의 분기 연결부는 상기 분할 가장자리부에 각각 연결될 수 있다.In this case, the plurality of branch connection parts may be respectively connected to the divided edges.

또한, 상기 복수개의 분기 연결부 중에 적어도 두 개는 동일한 분할 가장자리부에 연결될 수 있다.Additionally, at least two of the plurality of branch connection parts may be connected to the same split edge part.

한편, 상기 이너 RF 전극은 상기 이너 RF 전극을 접지시키는 접지부와, 상기 접지부와 상기 이너 RF 전극 사이에 배치되는 제1 가변커패시터를 구비할 수 있다.Meanwhile, the inner RF electrode may include a ground portion that grounds the inner RF electrode, and a first variable capacitor disposed between the ground portion and the inner RF electrode.

또한, 상기 이너 RF 전극은 상기 아우터 RF 전극에 비해 상기 기판에 보다 가깝게 배치될 수 있다.Additionally, the inner RF electrode may be placed closer to the substrate than the outer RF electrode.

나아가, 상기 아우터 RF 전극에는 임피던스를 조절하여 상기 기판 상부의 플라즈마를 조절할 수 있는 임피던스 조절부가 연결되며, 상기 임피던스 조절부는 상기 아우터 RF 전극을 접지시키는 접지부와, 상기 접지부와 상기 아우터 RF 전극 사이에 배치되는 제2 가변커패시터를 포함할 수 있다.Furthermore, an impedance control unit that can control the plasma on the upper part of the substrate by adjusting the impedance is connected to the outer RF electrode, and the impedance control unit is connected to a ground part that grounds the outer RF electrode, and between the ground part and the outer RF electrode. It may include a second variable capacitor disposed in.

한편, 상기 아우터 RF 전극의 상기 가장자리부의 적어도 일부가 상기 이너 RF 전극과 중첩되어 배치될 수 있다.Meanwhile, at least a portion of the edge of the outer RF electrode may be disposed to overlap the inner RF electrode.

또한, 상기 히터블록에는 상기 기판을 가열하는 히터부를 더 구비할 수 있다.Additionally, the heater block may further include a heater unit that heats the substrate.

한편, 상기와 같은 본 발명의 목적은 기판에 대한 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버의 내측에 구비되어 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하며 RF 전원이 인가되는 가스공급부 및 상기 챔버 내측에서 상기 가스공급부의 맞은편에 구비되어 상기 기판을 지지하는 히터블록과, 상기 히터블록에 구비되어 접지되는 RF 전극을 포함하는 기판지지유닛을 구비하고, 상기 RF 전극은 상기 히터블록의 중앙부에 배치되며, 상기 기판을 척킹하는 이너 RF 전극 및 상기 이너 RF 전극의 가장자리에 배치되며, 임피던스를 조절하여 상기 기판 상부의 플라즈마를 조절할 수 있는 아우터 RF 전극을 구비하고, 상기 아우터 RF 전극은 상기 이너 RF 전극의 가장자리에 배치되며 개구부가 형성된 가장자리부와, 상기 개구부를 가로질러 상기 가장자리부를 서로 연결하는 연결부를 구비하고, 상기 연결부는 상기 개구부의 중앙부를 지나는 적어도 한 개 이상의 중앙 연결부와, 상기 중앙 연결부의 양단부에서 각각 분기되어 상기 가장자리부와 연결되는 복수개의 분기 연결부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 의해 달성된다.Meanwhile, the object of the present invention as described above is a chamber that provides a processing space for a substrate, a gas supply unit provided inside the chamber to supply process gas toward the substrate and to which RF power is applied, and a gas supply unit provided inside the chamber to supply process gas to the substrate. A substrate support unit is provided including a heater block provided opposite the supply unit to support the substrate, and an RF electrode provided on the heater block and grounded, wherein the RF electrode is disposed in the center of the heater block, An inner RF electrode for chucking a substrate and an outer RF electrode disposed at the edge of the inner RF electrode and capable of controlling plasma on the upper part of the substrate by adjusting impedance, the outer RF electrode is located at the edge of the inner RF electrode. It has an edge portion disposed and formed with an opening, and a connection portion that connects the edge portions across the opening, wherein the connection portion includes at least one central connection portion passing through the center of the opening, and each branching from both ends of the central connection portion. This is achieved by a substrate processing apparatus characterized by having a plurality of branch connection parts connected to the edge part.

전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 처리공정을 진행하는 경우에 기판의 중앙부와 가장자리부의 플라즈마 불균일성을 해소할 수 있다.According to the present invention having the above-described configuration, when processing a substrate using plasma, plasma non-uniformity in the center and edge portions of the substrate can be resolved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 측면도이다.
도 2는 도 1에서 기판지지유닛을 확대해서 도시한 일부 확대도이다.
도 3은 이너 RF 전극과 아우터 RF 전극의 평면도로서, 도 3의 (A)는 아우터 RF 전극의 평면도, 도 3의 (B)는 이너 RF 전극의 평면도이다.
도 4는 이너 RF 전극과 아우터 RF 전극의 배치를 보여주는 평면도로서, 일 실시예에 따른 이너 RF 전극과 아우터 RF 전극의 위치관계를 도시하기 위하여 이너 RF 전극에 의해 가려진 아우터 RF 전극의 일부 구성을 은선으로 도시한 평면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 이너 RF 전극에 의해 가려진 아우터 RF 전극의 일부 구성을 은선으로 도시한 평면도이다.
도 6 내지 도 10은 다른 실시예에 따른 아우터 RF 전극을 도시한 평면도이다.
1 is a side view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a partial enlarged view of the substrate support unit in Figure 1.
FIG. 3 is a top view of an inner RF electrode and an outer RF electrode. FIG. 3 (A) is a top view of the outer RF electrode, and FIG. 3 (B) is a top view of the inner RF electrode.
Figure 4 is a plan view showing the arrangement of the inner RF electrode and the outer RF electrode. In order to illustrate the positional relationship between the inner RF electrode and the outer RF electrode according to an embodiment, a portion of the outer RF electrode covered by the inner RF electrode is shown as a silver line. This is a floor plan shown as .
Figure 5 is a plan view showing a partial configuration of an outer RF electrode covered by an inner RF electrode according to another embodiment, using a silver line.
6 to 10 are plan views showing outer RF electrodes according to another embodiment.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판지지유닛 및 기판처리장치에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, a substrate support unit and a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be examined in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1000)의 측단면도이다.Figure 1 is a side cross-sectional view of a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 기판처리장치(1000)는 기판(10)에 대한 처리공간(110)을 제공하는 챔버(100), 상기 챔버(100)의 내측에 구비되어 상기 기판(10)을 향해 공정가스를 공급하며 RF 전원이 인가되는 가스공급부(130) 및 상기 챔버(100) 내측에서 상기 가스공급부(130)의 맞은편에 구비되는 기판지지유닛(300)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 100 that provides a processing space 110 for the substrate 10, and is provided inside the chamber 100 toward the substrate 10. It may be provided with a gas supply unit 130 that supplies process gas and RF power is applied, and a substrate support unit 300 provided inside the chamber 100 opposite the gas supply unit 130.

상기 챔버(100)는 상기 기판(10)에 대한 각종 처리공정을 진행할 수 있는 처리공간(110)을 제공한다. The chamber 100 provides a processing space 110 where various processing processes for the substrate 10 can be performed.

상기 챔버(100)의 내측 상부에는 상기 기판(10)에 대한 공정가스를 공급하는 가스공급부(130)가 구비될 수 있다.A gas supply unit 130 that supplies process gas to the substrate 10 may be provided at the upper inner part of the chamber 100.

상기 가스공급부(130)는 예를 들어 다수개의 공급홀(132)이 형성된 샤워헤드(showerhead)로 구성될 수 있다.The gas supply unit 130 may be configured as, for example, a showerhead in which a plurality of supply holes 132 are formed.

상기 챔버(100)의 상부에는 각종 공정가스가 공급되는 공급라인(120)이 연결될 수 있다. 상기 가스공급부(130)와 상기 챔버(100)의 천정 사이에는 상기 공정가스가 확산되는 확산공간(134)을 구비할 수 있다. 따라서, 상기 공급라인(120)을 통해 공급된 공정가스는 상기 확산공간(134) 및 상기 가스공급부(130)를 통해 상기 처리공간(110)으로 공급될 수 있다. A supply line 120 through which various process gases are supplied may be connected to the upper part of the chamber 100. A diffusion space 134 through which the process gas diffuses may be provided between the gas supply unit 130 and the ceiling of the chamber 100. Accordingly, the process gas supplied through the supply line 120 may be supplied to the processing space 110 through the diffusion space 134 and the gas supply unit 130.

한편, 상기 기판(10)에 대한 각종 처리공정을 진행하는 경우에 처리공정의 효율을 높이기 위하여 플라즈마(plasma)를 사용할 수 있다. 이 경우, RF 전원부(140)가 상기 가스공급부(130)에 연결되어 RF 파워가 상기 가스공급부(130)로 인가될 수 있다. 상기 가스공급부(130) 자체가 RF 파워 전극 역할을 하거나, 또는 도면에 도시되지 않지만 별도의 RF 파워 전극을 구비하는 것도 가능하다. 이러한 가스공급부(130) 및 공급라인(120)의 구성은 일예를 들어 설명한 것에 불과하며 적절하게 변형되어 적용될 수 있다.Meanwhile, when performing various processing processes on the substrate 10, plasma can be used to increase the efficiency of the processing process. In this case, the RF power supply unit 140 is connected to the gas supply unit 130 so that RF power can be applied to the gas supply unit 130. The gas supply unit 130 itself may serve as an RF power electrode, or, although not shown in the drawing, it may be provided with a separate RF power electrode. The configuration of the gas supply unit 130 and the supply line 120 is merely an example and may be modified and applied as appropriate.

상기 가스공급부(130)에 RF 파워가 인가되는 경우에 상기 챔버(100) 내측에서 상기 가스공급부(130)의 맞은편에 구비되는 기판지지유닛(300)에 접지되는 RF 전극(400, 500)을 구비할 수 있다.When RF power is applied to the gas supply unit 130, the RF electrodes 400 and 500 are grounded to the substrate support unit 300 provided opposite the gas supply unit 130 inside the chamber 100. It can be provided.

도 2는 도 1에서 기판지지유닛(300)을 확대해서 도시한 일부 확대도이다.FIG. 2 is a partial enlarged view of the substrate support unit 300 in FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 기판지지유닛(300)은 상기 기판(10)을 지지하는 히터블록(310)과, 상기 히터블록(310)에 구비되어 접지되는 RF 전극(400, 500)을 포함할 수 있다.Referring to Figures 1 and 2, the substrate support unit 300 includes a heater block 310 supporting the substrate 10, and RF electrodes 400 and 500 provided on the heater block 310 and grounded. may include.

상기 히터블록(310)은 후술하는 바와 같이 히터부(600)를 구비하여 상기 기판(10)을 가열 및 지지하는 역할을 하게 된다.The heater block 310 includes a heater unit 600, which serves to heat and support the substrate 10, as will be described later.

예를 들어, 상기 히터블록(310)의 상부에는 상기 기판(10)이 수용되는 오목부(312)가 형성될 수 있으며, 상기 오목부(312)의 내측에는 상기 기판(10)이 안착되는 다수개의 돌기(314)가 형성될 수 있다. 따라서, 상기 기판(10)이 상기 돌기(314)의 상부에 안착되어 처리공정이 진행될 수 있다.For example, a concave portion 312 in which the substrate 10 is accommodated may be formed in the upper part of the heater block 310, and a plurality of concave portions 312 in which the substrate 10 is seated may be formed inside the concave portion 312. Several protrusions 314 may be formed. Accordingly, the substrate 10 is seated on the upper part of the protrusion 314 and the processing process can proceed.

한편, 상기 기판지지유닛(300)에는 전술한 바와 같이 상기 기판(10)에 대한 플라즈마 공정을 진행하는 경우에 접지전극을 역할을 하는 RF 전극(400, 500)을 구비할 수 있다.Meanwhile, as described above, the substrate support unit 300 may be provided with RF electrodes 400 and 500 that serve as ground electrodes when a plasma process is performed on the substrate 10.

예를 들어, 상기 RF 전극(400, 500)은 상기 히터블록(310)에 배치되는 이너 RF 전극(inner RF electrode)(400)과 상기 이너 RF 전극(400)의 가장자리에 배치되며 상기 이너 RF 전극(400)과 독립적으로 임피던스를 조절할 수 있는 아우터 RF 전극(outer RF electrode)(500)을 구비할 수 있다. For example, the RF electrodes 400 and 500 are disposed at the edge of the inner RF electrode 400 and the inner RF electrode 400 disposed on the heater block 310, and the inner RF electrode An outer RF electrode 500 whose impedance can be adjusted independently of 400 may be provided.

본 발명에서는 하나의 접지 전극을 구비하는 것이 아니라 두 개 이상으로 구분되는 접지전극을 구비하게 된다. 일반적으로 플라즈마를 이용하여 기판에 대한 플라즈마 처리공정을 진행하는 경우에 기판의 중앙부에서 가장자리로 갈수록 플라즈마의 균일도가 떨어지게 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 이너 RF 전극(400)과 아우터 RF 전극(500)으로 분할된 접지전극을 구비하며, 나아가 상기 아우터 RF 전극(500)을 통해 플라즈마의 밀도 또는 분포 등을 조절하게 된다. In the present invention, rather than providing a single ground electrode, two or more separate ground electrodes are provided. Generally, when a plasma treatment process is performed on a substrate using plasma, the uniformity of the plasma decreases from the center to the edge of the substrate. In order to solve this problem, the present invention provides a ground electrode divided into an inner RF electrode 400 and an outer RF electrode 500, and further controls the density or distribution of plasma through the outer RF electrode 500. do.

먼저, 상기 이너 RF 전극(400)은 상기 히터블록(310)의 중앙부에 배치되며, 상기 아우터 RF 전극(500)은 상기 이너 RF 전극(400)의 가장자리를 따라 상기 히터블록(310)에 배치될 수 있다. First, the inner RF electrode 400 is placed in the center of the heater block 310, and the outer RF electrode 500 is placed in the heater block 310 along the edge of the inner RF electrode 400. You can.

상기 이너 RF 전극(400)은 RF 접지전극의 역할과 함께 상기 기판(10)을 정전기력에 의해 척킹하는 정전척(electrostatic chuck) 전극의 역할도 함께 하게 된다. 따라서, 상기 이너 RF 전극(400)에 의한 척킹력을 일정 수준 이상으로 유지하기 위하여 상기 이너 RF 전극(400)이 상기 아우터 RF 전극(500)에 비해 상기 히터블록(310)에서 상기 기판(10)에 보다 가깝게 배치될 수 있다.The inner RF electrode 400 serves not only as an RF ground electrode but also as an electrostatic chuck electrode that chucks the substrate 10 by electrostatic force. Therefore, in order to maintain the chucking force by the inner RF electrode 400 above a certain level, the inner RF electrode 400 moves the substrate 10 in the heater block 310 compared to the outer RF electrode 500. It can be placed closer to .

즉, 상기 이너 RF 전극(400)과 아우터 RF 전극(500)은 상기 히터블록(310)에 높이차(H)를 두고 배치될 수 있으며, 상기 이너 RF 전극(400)이 보다 상부, 예를 들어 상기 기판(10)에 가깝게 배치될 수 있다. That is, the inner RF electrode 400 and the outer RF electrode 500 may be arranged with a height difference (H) on the heater block 310, and the inner RF electrode 400 may be positioned higher, for example. It may be placed close to the substrate 10.

도 3은 상기 이너 RF 전극(400)과 아우터 RF 전극(500)의 평면도에 해당한다. 도 3의 (A)는 상기 아우터 RF 전극(500)의 평면도이며, 도 3의 (B)는 상기 이너 RF 전극(400)의 평면도이다. 또한, 도 4는 상기 이너 RF 전극(400)과 아우터 RF 전극(500)의 배치를 보여주는 평면도이다. 도 4는 상기 이너 RF 전극(400)과 아우터 RF 전극(500)의 위치관계를 도시하기 위하여 상기 이너 RF 전극(400)에 의해 가려진 아우터 RF 전극(500)의 일부 구성을 은선으로 도시한 평면도이다.Figure 3 corresponds to a plan view of the inner RF electrode 400 and the outer RF electrode 500. FIG. 3 (A) is a top view of the outer RF electrode 500, and FIG. 3 (B) is a top view of the inner RF electrode 400. Additionally, Figure 4 is a plan view showing the arrangement of the inner RF electrode 400 and the outer RF electrode 500. FIG. 4 is a plan view illustrating a portion of the outer RF electrode 500 covered by the inner RF electrode 400 with a hidden line to illustrate the positional relationship between the inner RF electrode 400 and the outer RF electrode 500. .

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 이너 RF 전극(400)은 바이폴 전극(Bi-pole electrode) 또는 모노폴 전극(Mono-pole electrode)으로 구성될 수 있다. 도 3의 (B)는 바이폴 전극 형태의 이너 RF 전극(400)을 도시하며 도 5에 모노폴 전극 형태의 이너 RF 전극(4000)이 개시된다. 먼저, 바이폴 전극 형태의 이너 RF 전극(400)에 대해 살펴보고, 이어서 모노폴 전극 형태의 이너 RF 전극(4000)에 대해 살펴보기로 한다.Referring to Figures 3 and 4, the inner RF electrode 400 may be composed of a bipole electrode or a monopole electrode. FIG. 3B shows an inner RF electrode 400 in the form of a bipole electrode, and FIG. 5 shows an inner RF electrode 4000 in the form of a monopole electrode. First, we will look at the inner RF electrode 400 in the form of a bipole electrode, and then we will look at the inner RF electrode 4000 in the form of a monopole electrode.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 이너 RF 전극(400)에는 양극과 음극이 인가될 수 있다. 이를 위하여 상기 이너 RF 전극(400)은 2의 배수로 분할되어 미리 결정된 간격(G)으로 이격되어 상기 히터블록(310)의 중앙부에 구비될 수 있다.As shown in FIGS. 3 and 4, an anode and a cathode may be applied to the inner RF electrode 400. To this end, the inner RF electrode 400 may be divided into multiples of 2 and spaced apart at a predetermined interval (G) and provided in the central portion of the heater block 310.

본 실시예의 경우 상기 이너 RF 전극(400)이 두 개로 분할된 경우를 도시하지만 이에 한정되지는 않으며 4개, 6개 등 2의 배수로 분할될 수 있다.In the case of this embodiment, the inner RF electrode 400 is divided into two, but it is not limited to this and can be divided into multiples of 2, such as 4 or 6.

예를 들어, 상기 이너 RF 전극(400)은 제1 이너 RF 전극(410)과 제2 이너 RF 전극(420)으로 분할될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 이너 RF 전극(410)과 제2 이너 RF 전극(420)은 대칭적인 형상을 가질 수 있으며, 미리 결정된 간격(G)만큼 이격되어 배치될 수 있다. For example, the inner RF electrode 400 may be divided into a first inner RF electrode 410 and a second inner RF electrode 420. In this case, the first inner RF electrode 410 and the second inner RF electrode 420 may have a symmetrical shape and may be arranged to be spaced apart by a predetermined distance (G).

상기 제1 이너 RF 전극(410)과 제2 이너 RF 전극(420) 중에 어느 하나에 양극이 인가되면 다른 하나에는 음극이 인가될 수 있다. When an anode is applied to one of the first inner RF electrode 410 and the second inner RF electrode 420, a cathode may be applied to the other one.

한편, 상기 이너 RF 전극(400)에는 상기 기판(10)을 척킹하는 척킹력을 발휘할 수 있도록 척킹 회로부(440)(도 2 참조)가 연결될 수 있다.Meanwhile, a chucking circuit unit 440 (see FIG. 2) may be connected to the inner RF electrode 400 to exert a chucking force for chucking the substrate 10.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 척킹 회로부(440)는 척킹 파워를 인가하는 척킹 DC 전원부(446)와 전술한 이너 RF 전극(400)의 분할된 전극에 각각 연결되는 저항(442, 444)을 구비할 수 있다. 상기 저항(442, 444)은 상기 이너 RF 전극(400)의 분할된 전극에 인가되는 전류를 제한 또는 조절하는 역할을 하게 된다.As shown in FIG. 2, the chucking circuit unit 440 includes a chucking DC power supply unit 446 that applies chucking power and resistors 442 and 444 respectively connected to the divided electrodes of the inner RF electrode 400 described above. It can be provided. The resistors 442 and 444 serve to limit or control the current applied to the divided electrodes of the inner RF electrode 400.

한편, 상기 이너 RF 전극(400)에는 상기 이너 RF 전극(400)을 접지시키는 접지 회로부(430)를 구비할 수 있다. 상기 접지 회로부(430)는 접지부(436)와, 상기 접지부(436)와 상기 이너 RF 전극(400) 사이에 배치되는 제1 가변커패시터(432, 434)를 구비할 수 있다. Meanwhile, the inner RF electrode 400 may be provided with a ground circuit portion 430 that grounds the inner RF electrode 400. The ground circuit unit 430 may include a ground unit 436 and first variable capacitors 432 and 434 disposed between the ground unit 436 and the inner RF electrode 400.

상기 제1 가변커패시터(432, 434)는 전술한 이너 RF 전극(400)의 분할된 전극에 각각 연결되어 배치되거나, 또는 적어도 하나의 분할된 전극에 연결될 수 있다.The first variable capacitors 432 and 434 may be arranged respectively connected to the divided electrodes of the inner RF electrode 400 described above, or may be connected to at least one divided electrode.

본 실시예의 경우 상기 제1 가변커패시터(432, 434)는 제1-1 가변커패시터(432)와 제1-2 가변커패시터(434)로 구성되어 상기 제1 이너 RF 전극(410)과 제2 이너 RF 전극(420)에 각각 연결될 수 있다.In this embodiment, the first variable capacitors 432 and 434 are composed of a 1-1 variable capacitor 432 and a 1-2 variable capacitor 434, and are connected to the first inner RF electrode 410 and the second inner RF electrode 410. Each may be connected to the RF electrode 420.

전술한 바와 같이 상기 이너 RF 전극(400)은 플라즈마를 위한 접지전극의 역할과 함께 기판(10)을 척킹하는 정전척 전극의 역할을 함께 한다. 상기 제1 가변커패시터(432, 434)는 상기 이너 RF 전극(400)을 통해 전달되는 RF 전류만을 통과시키게 된다. 또한, 히터와 설비 구조, 공정 조건, 플라즈마 상태 등에 맞추어 상기 제1 가변커패시터(432, 434)의 용량이 조절되면 상기 이너 RF전극(400)을 통해 접지로 전달되는 전류의 제어가 가능해진다. 또한 상기 제1 가변커패시터(432, 434)는 정전척의 DC 전류는 통과하지 못하도록 하며 RF 전류만 통과시키는 역할을 한다.As described above, the inner RF electrode 400 serves as a ground electrode for plasma and also as an electrostatic chuck electrode for chucking the substrate 10. The first variable capacitors 432 and 434 pass only the RF current transmitted through the inner RF electrode 400. In addition, when the capacity of the first variable capacitors 432 and 434 is adjusted according to the heater and facility structure, process conditions, plasma state, etc., it is possible to control the current transmitted to the ground through the inner RF electrode 400. Additionally, the first variable capacitors 432 and 434 prevent the DC current of the electrostatic chuck from passing through and only allow the RF current to pass through.

한편, 전술한 바와 같이 상기 아우터 RF 전극(500)은 상기 히터블록(310)에서 상기 이너 RF 전극(400)의 하부에 배치된다.Meanwhile, as described above, the outer RF electrode 500 is disposed below the inner RF electrode 400 in the heater block 310.

이 경우, 상기 아우터 RF 전극(500)과 상기 이너 RF 전극(400) 사이의 높이차(H)는 미리 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 높이차(H)가 너무 작으면 상기 아우터 RF 전극(500)과 상기 이너 RF 전극(400) 사이의 누설전류가 많아지며, 반대로 상기 높이차(H)가 너무 커지면 상기 아우터 RF 전극(500)이 너무 낮게 배치되어 접지 전극의 역할을 제대로 수행할 수 없다. 따라서, 상기 아우터 RF 전극(500)과 상기 이너 RF 전극(400) 사이의 높이차(H)는 예를 들어 대략 1 mm 내지 5mm로 결정될 수 있으며, 바람직하게 상기 높이차(H)는 대략 2mm로 결정될 수 있다.In this case, the height difference (H) between the outer RF electrode 500 and the inner RF electrode 400 may be determined in advance. For example, if the height difference (H) is too small, the leakage current between the outer RF electrode 500 and the inner RF electrode 400 increases, and conversely, if the height difference (H) is too large, the outer RF The electrode 500 is placed too low and cannot properly function as a ground electrode. Therefore, the height difference (H) between the outer RF electrode 500 and the inner RF electrode 400 may be determined to be, for example, approximately 1 mm to 5 mm, and preferably the height difference (H) is approximately 2 mm. can be decided.

한편, 전술한 바와 같이 상기 이너 RF 전극(400)이 바이폴 전극으로 구성되어 서로 분할되어 배치되는 경우 분할된 간격(G)으로 인해 기판(10) 상부에서 플라즈마 불균일이 발생할 수 있다.Meanwhile, as described above, when the inner RF electrode 400 is composed of bipole electrodes and arranged to be divided, plasma unevenness may occur in the upper part of the substrate 10 due to the divided gap G.

도 3 및 도 4를 참조하면, 이러한 플라즈마 불균일성을 해소하기 위하여 상기 아우터 RF 전극(500)은 상기 이너 RF 전극(400)의 분할된 간격을 따라 배치되는 적어도 하나의 연결부(511, 517)를 구비할 수 있다.Referring to FIGS. 3 and 4, in order to resolve this plasma non-uniformity, the outer RF electrode 500 is provided with at least one connection portion 511 and 517 disposed along the divided interval of the inner RF electrode 400. can do.

즉, 평면 상에서 상기 연결부(511, 517)에 의해 상기 이너 RF 전극(400)의 간격(G)을 커버함으로써 플라즈마의 균일성을 유지할 수 있다.That is, uniformity of plasma can be maintained by covering the gap G of the inner RF electrodes 400 with the connecting portions 511 and 517 on a plane.

이 경우, 상기 아우터 RF 전극(500)은 상기 이너 RF 전극(400)의 가장자리에 배치되며 개구부(516)가 형성된 가장자리부(510)와, 상기 가장자리부(510)의 내측에 배치되는 적어도 둘 이상의 연결부(511, 517)를 구비할 수 있다.In this case, the outer RF electrode 500 is disposed at the edge of the inner RF electrode 400 and includes an edge portion 510 in which an opening 516 is formed, and at least two or more electrodes disposed inside the edge portion 510. Connection parts 511 and 517 may be provided.

상기 연결부(511, 517)는 각각 상기 개구부(516)의 중앙부를 지나는 적어도 한 개 이상의 중앙 연결부(512, 514)와, 상기 중앙 연결부(512, 514)의 양단부에서 각각 분기되어 상기 가장자리부(510)와 연결되는 복수개의 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)를 구비할 수 있다.The connecting portions 511 and 517 each have at least one central connecting portion 512 and 514 that passes through the central portion of the opening 516 and branch off from both ends of the central connecting portions 512 and 514, respectively, to form the edge portion 510. ) may be provided with a plurality of branch connection parts (513A, 513B, 515A, 515B) connected to.

이 경우, 상기 중앙 연결부(512, 514)는 상기 아우터 RF 전극(500)의 중심부를 지나는 직선 형태로 구성될 수 있다.In this case, the central connection parts 512 and 514 may be configured as a straight line passing through the center of the outer RF electrode 500.

예를 들어, 상기 연결부(511, 517)는 상기 이너 RF 전극(400)의 분할된 간격(G)을 따라 배치되며 양단부가 상기 가장자리부(510)에 연결되는 적어도 하나의 제1 연결부(511)와, 상기 개구부(516)를 가로질러 상기 제1 연결부(511)와 교차하며, 상기 제1 연결부(511)와 대칭적으로 배치되는 적어도 하나의 제2 연결부(517)를 구비할 수 있다.For example, the connection parts 511 and 517 are arranged along the divided gap G of the inner RF electrode 400, and at least one first connection part 511 whose both ends are connected to the edge part 510 It may include at least one second connection part 517 that crosses the opening 516 and intersects the first connection part 511 and is symmetrically disposed with the first connection part 511.

상기 제1 연결부(511)는 양단부에 구비된 분기 연결부(513A, 513B)에 의해 상기 가장자리부(510)에 연결되며 상기 중앙 연결부(512)의 폭(W1)이 상기 이너 RF 전극(400)의 간격(G) 이상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 분기 연결부(513A, 513B)의 폭은 상기 중앙 연결부(512)의 폭(W1)과 동일하거나 더 작을 수 있다. The first connection portion 511 is connected to the edge portion 510 by branch connection portions 513A and 513B provided at both ends, and the width W1 of the central connection portion 512 is equal to that of the inner RF electrode 400. It can be formed with a gap (G) or more. Additionally, the width of the branch connection portions 513A and 513B may be equal to or smaller than the width W1 of the central connection portion 512.

마찬가지로, 상기 제2 연결부(517)는 양단부에 구비된 분기 연결부(515A, 515B)에 의해 상기 가장자리부(510)에 연결되며 상기 중앙 연결부(514)의 폭이 상기 이너 RF 전극(400)의 간격(G) 이상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 분기 연결부(515A, 515B)의 폭은 상기 중앙 연결부(514)의 폭과 동일하거나 더 작을 수 있다. Likewise, the second connection portion 517 is connected to the edge portion 510 by branch connection portions 515A and 515B provided at both ends, and the width of the central connection portion 514 is the spacing of the inner RF electrode 400. (G) It can be formed as above. Additionally, the width of the branch connection portions 515A and 515B may be the same as or smaller than the width of the central connection portion 514.

이 경우, 상기 복수개의 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)는 상기 중앙 연결부(512, 514)에 서로 대칭적으로 각각 연결되어 분기될 수 있다.In this case, the plurality of branch connection parts 513A, 513B, 515A, and 515B may be symmetrically connected to each other and branch from the central connection parts 512 and 514, respectively.

예를 들어, 상기 복수개의 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)는 상기 중앙 연결부(512, 514)의 양단부에서 각각 분기되는 한 쌍으로 구성될 수 있다.For example, the plurality of branch connection parts 513A, 513B, 515A, and 515B may be configured as a pair, each branching from both ends of the central connection parts 512 and 514.

상기 제1 연결부(511) 및 제2 연결부(517)가 상기 이너 RF 전극(400)과 중첩되는 영역이 늘어날수록 누설전류가 많아질 수 있다. 따라서, 상기 제1 연결부(511) 및 제2 연결부(517)에서 분기되는 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)는 한 쌍으로 구성되는 것이 바람직하다.As the area where the first connection part 511 and the second connection part 517 overlap with the inner RF electrode 400 increases, leakage current may increase. Therefore, it is preferable that the branch connection parts 513A, 513B, 515A, and 515B branching from the first connection part 511 and the second connection part 517 are formed as a pair.

또한, 상기 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)가 제공되지 않고, 상기 중앙 연결부(512, 514)가 직접 상기 가장자리부(510)에 연결된다면 상기 아우터 RF 전극(500)의 전류 패쓰(current path) 길이가 달라질 수 있다. 즉, 상기 중앙 연결부(512, 514)가 상기 가장자리부(510)에 각각 연결되는 지점의 중앙부에서는 전류가 상기 한 쌍의 중앙 연결부(512, 514) 중에 어느 방향으로도 흐를 수 있는 임의성을 가질 수 있으므로 전류 패쓰 길이가 매번 달라질 수 있으며, 이에 의해 전류 패쓰 길이가 길어질 수 있다. 본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 상기 중앙 연결부(512, 514)의 양단부에 상기 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)를 구비하여 전술한 임의성이 발현될 수 있는 영역을 최소화한다.In addition, if the branch connectors 513A, 513B, 515A, 515B are not provided and the central connectors 512, 514 are directly connected to the edge portion 510, the current path of the outer RF electrode 500 path) The length may vary. That is, at the center of the point where the central connection portions 512 and 514 are respectively connected to the edge portion 510, current may have the freedom to flow in any direction among the pair of central connection portions 512 and 514. Therefore, the current path length may vary each time, which may result in the current path length becoming longer. In the present invention, in order to solve this problem, the branch connection parts 513A, 513B, 515A, and 515B are provided at both ends of the central connection parts 512 and 514 to minimize the area where the above-described randomness can occur.

한편, 상기 이너 RF 전극(400)과 아우터 RF 전극(500)이 상기 히터블록(310)에서 동심원으로 배치되는 경우 평면상에서 상기 제1 연결부(511)의 중앙 연결부(512)에 의해 상기 이너 RF 전극(400)의 간격(G)이 최대한 커버됨으로써 상기 기판(10) 상부의 플라즈마 불균일성을 해소할 수 있다.Meanwhile, when the inner RF electrode 400 and the outer RF electrode 500 are arranged concentrically in the heater block 310, the inner RF electrode is connected in a plane by the central connection portion 512 of the first connection portion 511. By covering the gap G of 400 as much as possible, plasma non-uniformity on the upper part of the substrate 10 can be resolved.

상기 제2 연결부(517)는 상기 제1 연결부(511)와 교차하여 배치되며, 상기 아우터 RF 전극(500)의 중심을 중심으로 대칭적으로 배치될 수 있다. The second connection part 517 is arranged to intersect the first connection part 511 and may be arranged symmetrically about the center of the outer RF electrode 500.

전술한 바와 같이 상기 가장자리부(510)의 중앙부를 연결하는 제1 연결부(511)를 구비하는 경우 상기 제1 연결부(511)의 분기 연결부(513A, 513B)와 가장자리부(510)가 연결되는 영역의 임피던스는 제1 연결부(511)가 연결되지 않는 가장자리부(510)의 영역의 임피던스와 상이할 수 있다. 이러한 임피던스의 불균일성은 플라즈마의 균일성을 저하시킬 수 있으므로 본 실시예의 경우 상기 제1 연결부(511)와 대칭적으로 배치되는 제2 연결부(517)를 더 구비할 수 있다.As described above, when the first connection part 511 connects the central part of the edge part 510, the area where the branch connection parts 513A and 513B of the first connection part 511 are connected to the edge part 510 The impedance of may be different from the impedance of the area of the edge portion 510 where the first connection portion 511 is not connected. Since this non-uniformity of impedance can reduce the uniformity of plasma, in this embodiment, a second connection part 517 disposed symmetrically with the first connection part 511 may be further provided.

한편, 도 2를 참조하면, 상기 아우터 RF 전극(500)은 플라즈마의 밀도 또는 분포를 조절할 수 있도록 구성되는데, 예를 들어, 상기 아우터 RF 전극(500)에는 상기 이너 RF 전극(400)과 독립적으로 임피던스를 조절하여 상기 기판(10) 상부의 플라즈마를 조절할 수 있는 임피던스 조절부(520)가 연결될 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 2, the outer RF electrode 500 is configured to adjust the density or distribution of plasma. For example, the outer RF electrode 500 is independently from the inner RF electrode 400. An impedance control unit 520 that can control the plasma on the upper part of the substrate 10 by adjusting the impedance may be connected.

상기 임피던스 조절부(520)는 상기 아우터 RF 전극(500)을 접지시키는 접지부(526)와, 상기 접지부(526)와 상기 아우터 RF 전극(500) 사이에 배치되는 제2 가변커패시터(524)를 포함할 수 있다.The impedance adjusting unit 520 includes a ground unit 526 that grounds the outer RF electrode 500, and a second variable capacitor 524 disposed between the ground unit 526 and the outer RF electrode 500. may include.

이 경우, 상기 제2 가변커패시터(524)의 용량을 조절하여 상기 아우터 RF 전극(500)의 임피던스를 조절하여 상기 기판(10) 상부의 플라즈마를 조절하게 된다. 상기 제2 가변커패시터(524)와 상기 아우터 RF 전극(500) 사이에는 코일(522)을 더 구비할 수 있다.In this case, the capacity of the second variable capacitor 524 is adjusted to adjust the impedance of the outer RF electrode 500 to control the plasma on the upper part of the substrate 10. A coil 522 may be further provided between the second variable capacitor 524 and the outer RF electrode 500.

또한, 상기 접지부(526)와 상기 아우터 RF 전극(500)을 연결하는 접지로드가 전술한 연결부(512, 514)의 중심에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 아우터 RF 전극(500)의 전체에 걸쳐 균등한 값의 임피던스가 분포되도록 할 수 있다.Additionally, a ground rod connecting the ground portion 526 and the outer RF electrode 500 may be connected to the center of the aforementioned connection portions 512 and 514. In this case, an equal value of impedance can be distributed throughout the outer RF electrode 500.

한편, 전술한 바와 같이 이너 RF 전극(400)과 아우터 RF 전극(500)을 구비하는 경우 상기 이너 RF 전극(400)은 대략 기판(10)과 유사한 직경 또는 넓이를 가질 수 있다. 이는 상기 이너 RF 전극(400)이 정전척 전극의 역할을 함께 수행하기 때문이다.Meanwhile, when the inner RF electrode 400 and the outer RF electrode 500 are provided as described above, the inner RF electrode 400 may have a diameter or area approximately similar to that of the substrate 10. This is because the inner RF electrode 400 also functions as an electrostatic chuck electrode.

따라서, 상기 아우터 RF 전극(500)은 접지 전극으로서의 역할을 수행할 수 있도록 충분한 면적을 확보하는 것이 필요하다. 그런데, 상기 히터블록(310)의 크기는 상기 기판(10)의 크기에 대응하여 결정된다. 따라서, 상기 기판(10) 및 히터블록(310)의 크기 또는 직경이 작은 경우 상기 아우터 RF 전극(500)의 면적을 확보하기 위하여 도 4에 도시된 바와 같이 상기 아우터 RF 전극(500)의 적어도 일부가 상기 이너 RF 전극(400)과 중첩되어 배치될 수 있다.Therefore, it is necessary to secure a sufficient area for the outer RF electrode 500 to function as a ground electrode. However, the size of the heater block 310 is determined in accordance with the size of the substrate 10. Therefore, when the size or diameter of the substrate 10 and the heater block 310 is small, at least a portion of the outer RF electrode 500 is used as shown in FIG. 4 to secure the area of the outer RF electrode 500. may be disposed to overlap with the inner RF electrode 400.

예를 들어, 상기 아우터 RF 전극(500)의 가장자리부(510)의 적어도 일부가 상기 이너 RF 전극(400)과 중첩되어 배치될 수 있다. 즉, 상기 아우터 RF 전극(500)의 가장자리부(510)의 내측, 상기 제1 연결부(511)의 일부 및 제2 연결부(517)가 평면상에서 상기 이너 RF 전극(400)과 중첩됨으로써 상기 아우터 RF 전극(500)의 면적을 넓힐 수 있다. 다만, 상기 아우터 RF 전극(500)과 상기 이너 RF 전극(400)의 중첩영역이 넓어질수록 누설전류가 증가할 수 있으므로 중첩영역과 누설전류의 상관관계를 고려하여 중첩영역이 결정될 수 있다.For example, at least a portion of the edge portion 510 of the outer RF electrode 500 may be disposed to overlap the inner RF electrode 400. That is, the inner side of the edge portion 510 of the outer RF electrode 500, a portion of the first connection portion 511, and the second connection portion 517 overlap with the inner RF electrode 400 on a plane, thereby forming the outer RF The area of the electrode 500 can be expanded. However, as the overlap area between the outer RF electrode 500 and the inner RF electrode 400 becomes wider, the leakage current may increase, so the overlap area can be determined by considering the correlation between the overlap area and leakage current.

한편, 도 2를 참조하면, 상기 히터블록(310)에는 상기 기판(10)을 가열하는 히터부(600)를 더 구비할 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 2, the heater block 310 may further include a heater unit 600 that heats the substrate 10.

상기 히터부(600)는 상기 히터블록(310)에 배치되는 적어도 하나의 저항부재(610, 620)와 상기 저항부재(610, 620)에 전원을 인가하는 전원인가부(612, 622)와, 접지부(630)를 구비할 수 있다.The heater unit 600 includes at least one resistance member 610, 620 disposed on the heater block 310, and power application units 612, 622 that apply power to the resistance members 610, 620, A ground portion 630 may be provided.

본 실시예에서 상기 저항부재(610, 620)는 상기 히터블록(310)에 배치되는 제1 저항부재(610)와 제2 저항부재(620)를 구비할 수 있다. 이러한 저항부재(610, 620)의 개수 및 위치는 일예를 들어 설명한 것에 불과하여 적절하게 변형될 수 있다.In this embodiment, the resistance members 610 and 620 may include a first resistance member 610 and a second resistance member 620 disposed on the heater block 310. The number and location of these resistance members 610 and 620 are only described as an example and may be modified as appropriate.

한편, 상기 제1 저항부재(610)와 제2 저항부재(620)는 각각 제1 전원인가부(612)와 제2 전원인가부(622)에 연결되어 전원을 인가받을 수 있다.Meanwhile, the first resistance member 610 and the second resistance member 620 can be connected to the first power application unit 612 and the second power application unit 622, respectively, to receive power.

한편, 도 5는 다른 실시예에 따른 이너 RF 전극(4000)을 구비한 경우를 도시한 평면도이다. 다른 구성요소는 전술한 도 3 및 도 4와 동일하다.Meanwhile, Figure 5 is a plan view showing a case where an inner RF electrode 4000 is provided according to another embodiment. Other components are the same as those in FIGS. 3 and 4 described above.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 이너 RF 전극(4000)은 전술한 바이폴 전극 형태 이외에 모노폴 전극 형태로 구성될 수도 있다. 이 경우에는 전술한 도 3 및 도 4의 실시예와 달리 상기 이너 RF 전극(4000)이 분할된 형태가 아니라 단일 부재로 구성될 수 있다.As shown in FIG. 5, the inner RF electrode 4000 may be configured in the form of a monopole electrode in addition to the bipole electrode form described above. In this case, unlike the embodiments of FIGS. 3 and 4 described above, the inner RF electrode 4000 may not be divided but may be composed of a single member.

본 실시예의 경우 상기 이너 RF 전극(4000) 사이의 간격이 존재하지 않게 되므로 플라즈마 불균일성을 최대한 줄일 수 있다.In the case of this embodiment, since there is no gap between the inner RF electrodes 4000, plasma non-uniformity can be reduced as much as possible.

한편, 도 6 내지 도 10은 다른 실시예에 따른 아우터 RF 전극을 도시한 평면도이다.Meanwhile, Figures 6 to 10 are plan views showing outer RF electrodes according to another embodiment.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 아우터 RF 전극(5000)은 개구부(5162)가 형성된 가장자리부(5100)와 연결부(5110, 5170, 5190)를 구비하며, 상기 연결부(5110, 5170, 5190)를 3개 이상 구비할 수 있다.Referring to FIG. 6, the outer RF electrode 5000 according to this embodiment has an edge portion 5100 with an opening 5162 and connection portions 5110, 5170, and 5190, and the connection portions 5110, 5170, and 5190 ) can be provided with three or more.

즉, 본 실시예에서 상기 연결부(5110, 5170, 5190)는 제1 연결부(5110), 제2 연결부(5170) 및 제3 연결부(5190)를 구비할 수 있다.That is, in this embodiment, the connection parts 5110, 5170, and 5190 may include a first connection part 5110, a second connection part 5170, and a third connection part 5190.

또한, 각 연결부(5110, 5170, 5190)가 중앙 연결부(5120, 5140, 5160) 및 분기 연결부(5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B)를 구비하는 구성은 전술한 실시예와 유사하므로 반복적인 설명은 생략한다.In addition, the configuration in which each connection part (5110, 5170, 5190) has a central connection part (5120, 5140, 5160) and branch connection parts (5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B) is similar to the above-described embodiment, so it is repetitive. The description is omitted.

본 실시예에서는 전술한 실시예와 비교하여 연결부(5110, 5170, 5190)의 개수가 증가하여 전술한 임의성을 나타내는 영역을 보다 줄일 수 있으며, 나아가 임피던스 불균일성을 최소화할 수 있다.In this embodiment, compared to the above-described embodiment, the number of connection parts 5110, 5170, and 5190 is increased, so that the area showing the above-mentioned randomness can be further reduced, and furthermore, impedance non-uniformity can be minimized.

한편, 전술한 실시예들에서 상기 아우터 RF 전극(500, 5000)의 가장자리부(510, 5100)는 일체로 연결된 형상을 가지게 된다.Meanwhile, in the above-described embodiments, the edge portions 510 and 5100 of the outer RF electrodes 500 and 5000 have a shape in which they are integrally connected.

이런 경우, 상기 아우터 RF 전극(500, 5000)의 가장자리부(510, 5100)의 내측을 지나는 자속의 변화에 따라 유도기전력이 발생할 수 있다. 상기 유도기전력은 상기 아우터 RF 전극(500, 5000)에 외란을 유도하여 플라즈마의 불균일성을 유발할 수 있다.In this case, induced electromotive force may be generated according to a change in magnetic flux passing inside the edge portions 510 and 5100 of the outer RF electrodes 500 and 5000. The induced electromotive force may induce disturbance in the outer RF electrodes 500 and 5000, causing plasma non-uniformity.

본 발명에서는 전술한 문제점을 해결하기 위하여 상기 아우터 RF 전극의 가장자리부가 서로 이격되어 배치되는 복수개의 분할 가장자리부로 구성될 수 있다.In the present invention, in order to solve the above-described problem, the edge portion of the outer RF electrode may be composed of a plurality of divided edge portions arranged to be spaced apart from each other.

도 7 내지 도 10은 복수개의 분할 가장자리부로 구성되는 다양한 실시예의 아우터 RF 전극(500', 500”, 5000', 5000”)을 도시한다. 도 7 및 도 8은 상기 가장자리부(510', 510”)를 연결하는 연결부(511, 517)가 2개로 구성된 경우를 도시하며, 도 9 및 도 10은 상기 가장자리부(5100', 5100”)를 연결하는 연결부(5110, 5170, 5190)가 3개로 구성된 경우를 도시한다.7 to 10 show various embodiments of outer RF electrodes (500', 500", 5000', 5000") composed of a plurality of divided edge portions. Figures 7 and 8 show a case where there are two connection parts 511 and 517 connecting the edge parts 510' and 510", and Figures 9 and 10 show the edge parts 5100' and 5100". A case where there are three connection parts 5110, 5170, and 5190 that connect is shown.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 아우터 RF 전극(500')은 개구부(516)가 형성된 가장자리부(510')와 연결부(511, 517)를 구비하며, 상기 연결부(511, 517)의 양단부에 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)를 구비할 수 있다. Referring to FIG. 7, the outer RF electrode 500' according to this embodiment has an edge portion 510' formed with an opening 516 and connection portions 511 and 517, and the connection portions 511 and 517 have Branch connections (513A, 513B, 515A, 515B) may be provided at both ends.

한편, 상기 가장자리부(510')는 복수개의 분할 가장자리부(510A, 510B, 510C, 510D)로 구성될 수 있다. 각 분할 가장자리부(510A, 510B, 510C, 510D)는 미리 결정된 간격(518)을 두고 원주 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 가장자리부(510')는 제1 분할 가장자리부(510A), 제2 분할 가장자리부(510B), 제3 분할 가장자리부(510C) 및 제4 분할 가장자리부(510D)로 구성될 수 있다. Meanwhile, the edge portion 510' may be composed of a plurality of divided edge portions 510A, 510B, 510C, and 510D. Each divided edge portion 510A, 510B, 510C, and 510D may be arranged to be spaced apart from each other in the circumferential direction at a predetermined interval 518. For example, the edge portion 510' may be composed of a first split edge portion 510A, a second split edge portion 510B, a third split edge portion 510C, and a fourth split edge portion 510D. You can.

이 경우, 상기 복수개의 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B) 중에 적어도 두 개는 동일한 분할 가장자리부(510A, 510B, 510C, 510D)에 연결될 수 있다.In this case, at least two of the plurality of branch connection parts 513A, 513B, 515A, and 515B may be connected to the same split edge part 510A, 510B, 510C, and 510D.

예를 들어, 상기 제1 연결부(511)의 일단부에 형성된 한 쌍의 제1 분기 연결부(513A)는 제1 분할 가장자리부(510A)에 모두 연결될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제1 연결부(511)의 타단부에 형성된 한 쌍의 제2 분기 연결부(513B)는 제3 분할 가장자리부(510C)에 모두 연결될 수 있다.For example, a pair of first branch connection parts 513A formed at one end of the first connection part 511 may be connected to the first split edge part 510A. Likewise, a pair of second branch connection parts 513B formed at the other end of the first connection part 511 may be connected to the third split edge part 510C.

상기 제2 연결부(517)의 일단부에 형성된 한 쌍의 제1 분기 연결부(515A)는 제4 분할 가장자리부(510D)에 모두 연결되고, 상기 제2 연결부(517)의 타단부에 형성된 한 쌍의 제2 분기 연결부(515B)는 제2 분할 가장자리부(510B)에 모두 연결될 수 있다.A pair of first branch connection parts 515A formed at one end of the second connection part 517 are both connected to the fourth split edge part 510D, and a pair of first branch connection parts 515A formed at the other end of the second connection part 517 All of the second branch connection portions 515B may be connected to the second split edge portion 510B.

따라서, 본 실시예에서 상기 분할 가장자리부(510A, 510B, 510C, 510D)의 개수는 상기 연결부(511, 517)의 개수의 2배에 해당할 수 있다.Therefore, in this embodiment, the number of divided edge portions 510A, 510B, 510C, and 510D may be twice the number of connecting portions 511 and 517.

한편, 도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 아우터 RF 전극(500”)은 개구부(516)가 형성된 가장자리부(510”)와 연결부(511, 517)를 구비하며, 상기 연결부(511, 517)의 양단부에 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)를 구비할 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 8, the outer RF electrode 500” according to the present embodiment has an edge portion 510” with an opening 516 and connection portions 511 and 517, and the connection portions 511 and 517 ) may be provided with branch connections (513A, 513B, 515A, 515B) at both ends.

한편, 상기 가장자리부(510”)는 복수개의 분할 가장자리부(510A', 510B', 510C', 510D', 510E', 510F', 510G', 510H')로 구성될 수 있는데, 본 실시예에서 복수개의 분할 가장자리부(510A', 510B', 510C', 510D', 510E', 510F', 510G', 510H')의 개수는 상기 연결부(511, 517)의 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)의 개수에 대응할 수 있다.Meanwhile, the edge portion 510” may be composed of a plurality of divided edge portions 510A', 510B', 510C', 510D', 510E', 510F', 510G', and 510H'. In this embodiment, The number of the plurality of split edge portions 510A', 510B', 510C', 510D', 510E', 510F', 510G', and 510H' is determined by the number of branch connections 513A, 513B, 515A, It can correspond to the number of 515B).

즉, 상기 연결부(511, 517)가 양단부에 각각 한 쌍의 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)를 구비하는 경우에 상기 분할 가장자리부(510A', 510B', 510C', 510D', 510E', 510F', 510G', 510H')의 개수는 상기 연결부(511, 517)의 개수의 4배에 해당할 수 있다.That is, when the connection parts 511 and 517 have a pair of branch connection parts 513A, 513B, 515A, and 515B at both ends, the split edge parts 510A', 510B', 510C', 510D', and 510E. ', 510F', 510G', 510H') may be four times the number of the connection portions 511 and 517.

따라서, 상기 연결부(511, 517)가 2개로 구성되는 경우에 상기 분할 가장자리부(510A', 510B', 510C', 510D', 510E', 510F', 510G', 510H')는 8개로 구성될 수 있으며, 상기 가장자리부(510”)는 제1 분할 가장자리부(510A') ~ 제8 분할 가장자리부(510H')로 구성될 수 있다. Therefore, when the connection portions 511 and 517 are composed of two, the divided edge portions 510A', 510B', 510C', 510D', 510E', 510F', 510G', and 510H' are composed of eight pieces. The edge portion 510” may be composed of a first divided edge portion 510A’ to an eighth divided edge portion 510H’.

이 경우, 상기 복수개의 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)는 상기 분할 가장자리부(510A' ~ 510H')에 각각 연결될 수 있다.In this case, the plurality of branch connection parts 513A, 513B, 515A, and 515B may be respectively connected to the split edge parts 510A' to 510H'.

즉, 본 실시예의 경우 하나의 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)가 하나의 분할 가장자리부(510A' ~ 510H')에 연결되며, 서로 다른 분기 연결부(513A, 513B, 515A, 515B)가 동일한 분할 가장자리부(510A' ~ 510H')에 연결되지 않는다.That is, in this embodiment, one branch connection portion (513A, 513B, 515A, 515B) is connected to one split edge portion (510A' to 510H'), and the different branch connection portions (513A, 513B, 515A, 515B) are connected to each other. It is not connected to the same division edge portions 510A' to 510H'.

한편, 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 아우터 RF 전극(5000')은 개구부(5162)가 형성된 가장자리부(5100')와 연결부(5110, 5170, 5190)를 구비하며, 상기 연결부(5110, 5170, 5190)의 양단부에 분기 연결부(5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B)를 구비할 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 9, the outer RF electrode 5000' according to the present embodiment has an edge portion 5100' formed with an opening 5162 and connection portions 5110, 5170, and 5190, and the connection portion 5110 , 5170, 5190) may be provided with branch connection portions (5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B) at both ends.

한편, 상기 가장자리부(5100')는 복수개의 분할 가장자리부(5100A, 5100B. 5100C. 5100D. 5100E, 5100F)로 구성될 수 있다. 각 분할 가장자리부(5100A, 5100B. 5100C. 5100D. 5100E, 5100F)는 미리 결정된 간격(5180)을 두고 원주 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 가장자리부(5100')는 제1 분할 가장자리부(5100A) ~ 제6 분할 가장자리부(5100F)로 구성될 수 있다. Meanwhile, the edge portion 5100' may be composed of a plurality of divided edge portions 5100A, 5100B, 5100C, 5100D, 5100E, and 5100F. Each divided edge portion 5100A, 5100B, 5100C, 5100D, 5100E, and 5100F may be arranged to be spaced apart from each other in the circumferential direction at a predetermined distance 5180. For example, the edge portion 5100' may be composed of a first divided edge portion 5100A to a sixth divided edge portion 5100F.

이 경우, 상기 복수개의 분기 연결부(5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B) 중에 적어도 두 개는 동일한 분할 가장자리부(5100A ~ 5100F)에 연결될 수 있다.In this case, at least two of the plurality of branch connectors 5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, and 5170B may be connected to the same split edge portions 5100A to 5100F.

예를 들어, 상기 제1 연결부(5110)의 일단부에 형성된 한 쌍의 제1 분기 연결부(5130A)는 제1 분할 가장자리부(5100A)에 모두 연결될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제1 연결부(5110)의 타단부에 형성된 한 쌍의 제2 분기 연결부(5130B)는 제4 분할 가장자리부(5100D)에 모두 연결될 수 있다. 상기 제2 연결부(5170) 및 제3 연결부(5190)도 유사한 구성을 가질 수 있다.For example, a pair of first branch connection parts 5130A formed at one end of the first connection part 5110 may be connected to the first split edge part 5100A. Likewise, a pair of second branch connection parts 5130B formed at the other end of the first connection part 5110 may be connected to the fourth split edge part 5100D. The second connection part 5170 and the third connection part 5190 may also have a similar configuration.

따라서, 본 실시예에서 상기 분할 가장자리부(5100A ~ 5100F)의 개수는 상기 연결부(5110, 5170, 5190)의 개수의 2배에 해당할 수 있다.Therefore, in this embodiment, the number of divided edge portions 5100A to 5100F may be twice the number of connecting portions 5110, 5170, and 5190.

한편, 도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 아우터 RF 전극(5000”)은 개구부(5162)가 형성된 가장자리부(5100”)와 연결부(5110, 5170, 5190)를 구비하며, 상기 연결부(5110, 5170, 5190)의 양단부에 분기 연결부(5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B)를 구비할 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 10, the outer RF electrode 5000” according to the present embodiment includes an edge portion 5100” with an opening 5162 and connection portions 5110, 5170, and 5190, and the connection portion 5110 , 5170, 5190) may be provided with branch connection portions (5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B) at both ends.

한편, 상기 가장자리부(5100”)는 복수개의 분할 가장자리부(5100A' ~ 5100L')로 구성될 수 있는데, 본 실시예에서 복수개의 분할 가장자리부(5100A' ~ 5100L')의 개수는 상기 연결부(5110, 5170, 5190)의 분기 연결부(5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B)의 개수에 대응할 수 있다.Meanwhile, the edge portion 5100” may be composed of a plurality of split edge portions 5100A’ to 5100L’. In this embodiment, the number of the plurality of split edge portions 5100A’ to 5100L’ is determined by the connection portion ( It can correspond to the number of branch connections (5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B) of 5110, 5170, and 5190.

즉, 상기 연결부(5110, 5170, 5190)가 양단부에 각각 한 쌍의 분기 연결부(5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B)를 각각 구비하는 경우에 상기 분할 가장자리부(5100A' ~ 5100L')의 개수는 상기 연결부(5110, 5170, 5190)의 개수의 4배에 해당할 수 있다.That is, when the connecting portions 5110, 5170, and 5190 each have a pair of branch connecting portions 5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, and 5170B at both ends, the split edge portions 5100A' to 5100L' The number may be four times the number of the connection parts 5110, 5170, and 5190.

따라서, 상기 연결부(5110, 5170, 5190)가 3개로 구성되는 경우에 상기 분할 가장자리부(5100A' ~ 5100L')는 12개로 구성될 수 있으며, 상기 가장자리부(5100”)는 제1 분할 가장자리부(5100A') ~ 제12 분할 가장자리부(5100L')로 구성될 수 있다. Therefore, when the connection portions 5110, 5170, and 5190 are composed of three, the divided edge portions 5100A' to 5100L' may be composed of 12 pieces, and the edge portion 5100” is the first divided edge portion. It may be composed of (5100A') to the 12th divided edge portion (5100L').

이 경우, 상기 복수개의 분기 연결부(5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B)는 상기 분할 가장자리부(5100A' ~ 5100L')에 각각 연결될 수 있다.In this case, the plurality of branch connection parts 5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, and 5170B may be respectively connected to the split edge parts 5100A' to 5100L'.

즉, 본 실시예의 경우 하나의 분기 연결부(5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B)가 하나의 분할 가장자리부(5100A' ~ 5100L')에 연결되며, 서로 다른 분기 연결부(5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B)가 동일한 분할 가장자리부(5100A' ~ 5100L')에 연결되지 않는다.That is, in this embodiment, one branch connection part (5130A, 5130B, 5150A, 5150B, 5170A, 5170B) is connected to one split edge part (5100A' to 5100L'), and the different branch connection parts (5130A, 5130B, 5150A) , 5150B, 5170A, 5170B) are not connected to the same division edge portions 5100A' to 5100L'.

한편, 전술한 도 6 내지 도 10에 따른 아우터 RF 전극(500', 500”, 5000, 5000', 5000”)에 적용되는 이너 RF 전극은 전술한 바이폴 전극 형태 또는 모노폴 전극 형태 중에 어느 것이라도 적용될 수 있다. Meanwhile, the inner RF electrode applied to the outer RF electrodes (500', 500", 5000, 5000', 5000") according to FIGS. 6 to 10 can be any of the bipole or monopole electrodes described above. It can be applied.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may make various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims described below. You can do it. Therefore, if the modified implementation basically includes the elements of the claims of the present invention, it should be considered to be included in the technical scope of the present invention.

10 : 기판
100 : 챔버
110 : 처리공간
120 : 공급라인
130 : 가스공급부
140 : RF 전원부
300 : 기판지지유닛
310 : 히터블록
400 : 이너 RF 전극
410 : 제1 이너 RF 전극
420 : 제2 이너 RF 전극
430 : 접지 회로부
440 : 척킹 회로부
500 : 아우터 RF 전극
511, 517 : 연결부
512, 514 : 중앙 연결부
513A, 513B, 515A, 515B : 분기 연결부
520 : 임피던스 조절부
600 : 히터부
610, 620 : 저항부재
1000 : 기판처리장치
10: substrate
100: chamber
110: processing space
120: supply line
130: Gas supply unit
140: RF power unit
300: Substrate support unit
310: heater block
400: Inner RF electrode
410: First inner RF electrode
420: Second inner RF electrode
430: Ground circuit part
440: Chucking circuit part
500: Outer RF electrode
511, 517: connection part
512, 514: central connection
513A, 513B, 515A, 515B: Branch connection
520: Impedance adjustment unit
600: Heater unit
610, 620: Resistance member
1000: Substrate processing device

Claims (18)

기판을 지지하는 히터블록;
상기 히터블록에 배치되며, 상기 기판을 척킹하는 이너 RF 전극; 및
상기 이너 RF 전극의 가장자리에 배치되며, 상기 이너 RF 전극과 독립적으로 임피던스를 조절할 수 있는 아우터 RF 전극;을 구비하고,
상기 아우터 RF 전극은 상기 이너 RF 전극의 가장자리에 배치되며 개구부가 형성된 가장자리부와, 상기 개구부를 가로질러 상기 가장자리부를 서로 연결하는 적어도 두 개 이상의 연결부를 구비하고,
상기 연결부는 상기 개구부의 중앙부를 지나는 중앙 연결부와, 상기 중앙 연결부의 양단부에서 각각 분기되어 상기 가장자리부와 연결되는 복수개의 분기 연결부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
Heater block supporting the substrate;
an inner RF electrode disposed on the heater block and chucking the substrate; and
an outer RF electrode disposed at the edge of the inner RF electrode and capable of adjusting impedance independently of the inner RF electrode,
The outer RF electrode is disposed at the edge of the inner RF electrode and has an edge portion with an opening, and at least two connection portions that connect the edge portions across the opening,
The substrate support unit, wherein the connection part includes a central connection part that passes through the center of the opening, and a plurality of branch connection parts that branch off from both ends of the central connection part and are connected to the edge portion.
제1항에 있어서,
상기 복수개의 분기 연결부는 상기 중앙 연결부에 서로 대칭적으로 연결되어 분기되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to paragraph 1,
A substrate support unit, characterized in that the plurality of branch connection parts are symmetrically connected to each other and branch from the central connection part.
제2항에 있어서,
상기 복수개의 분기 연결부는
상기 중앙 연결부의 양단부에서 각각 분기되는 한 쌍으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to paragraph 2,
The plurality of branch connections are
A substrate support unit, characterized in that it consists of a pair branched from both ends of the central connection portion.
제1항에 있어서,
상기 이너 RF 전극은 바이폴 전극으로 구성되어, 2의 배수로 분할되어 미리 결정된 간격으로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to paragraph 1,
The inner RF electrode is composed of a bipole electrode, divided into multiples of 2, and arranged to be spaced apart at a predetermined interval.
제4항에 있어서
상기 중앙 연결부 중에 적어도 하나는 상기 이너 RF 전극의 분할된 간격을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
In paragraph 4
A substrate support unit, characterized in that at least one of the central connectors is disposed along the divided intervals of the inner RF electrode.
제4항에 있어서,
상기 아우터 전극의 가장자리부는
서로 이격되어 배치되는 복수개의 분할 가장자리부로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to paragraph 4,
The edge of the outer electrode is
A substrate support unit characterized in that it consists of a plurality of divided edge portions arranged to be spaced apart from each other.
제6항에 있어서,
상기 복수개의 분기 연결부는 상기 분할 가장자리부에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to clause 6,
A substrate support unit, characterized in that the plurality of branch connection parts are respectively connected to the divided edges.
제6항에 있어서,
상기 복수개의 분기 연결부 중에 적어도 두 개는 동일한 분할 가장자리부에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to clause 6,
A substrate support unit, characterized in that at least two of the plurality of branch connection parts are connected to the same divided edge part.
제1항에 있어서,
상기 이너 RF 전극은 모노폴 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to paragraph 1,
A substrate support unit, characterized in that the inner RF electrode is composed of a monopole electrode.
제9항에 있어서,
상기 아우터 전극의 가장자리부는
서로 이격되어 배치되는 복수개의 분할 가장자리부로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to clause 9,
The edge of the outer electrode is
A substrate support unit characterized in that it consists of a plurality of divided edge portions arranged to be spaced apart from each other.
제10항에 있어서,
상기 복수개의 분기 연결부는 상기 분할 가장자리부에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to clause 10,
A substrate support unit, characterized in that the plurality of branch connection parts are respectively connected to the divided edges.
제10항에 있어서,
상기 복수개의 분기 연결부 중에 적어도 두 개는 동일한 분할 가장자리부에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to clause 10,
A substrate support unit, characterized in that at least two of the plurality of branch connection parts are connected to the same divided edge part.
제1항에 있어서,
상기 이너 RF 전극은
상기 이너 RF 전극을 접지시키는 접지부와, 상기 접지부와 상기 이너 RF 전극 사이에 배치되는 제1 가변커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to paragraph 1,
The inner RF electrode is
A substrate support unit comprising a ground portion that grounds the inner RF electrode, and a first variable capacitor disposed between the ground portion and the inner RF electrode.
제1항에 있어서,
상기 이너 RF 전극은 상기 아우터 RF 전극에 비해 상기 기판에 보다 가깝게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to paragraph 1,
A substrate support unit, wherein the inner RF electrode is disposed closer to the substrate than the outer RF electrode.
제1항에 있어서,
상기 아우터 RF 전극에는 임피던스를 조절하여 상기 기판 상부의 플라즈마를 조절할 수 있는 임피던스 조절부가 연결되며,
상기 임피던스 조절부는 상기 아우터 RF 전극을 접지시키는 접지부와, 상기 접지부와 상기 아우터 RF 전극 사이에 배치되는 제2 가변커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to paragraph 1,
An impedance control unit that can control the plasma on the upper part of the substrate by adjusting the impedance is connected to the outer RF electrode,
The impedance adjustment unit is a substrate support unit characterized in that it includes a ground portion that grounds the outer RF electrode, and a second variable capacitor disposed between the ground portion and the outer RF electrode.
제1항에 있어서,
상기 아우터 RF 전극의 상기 가장자리부의 적어도 일부가 상기 이너 RF 전극과 중첩되어 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to paragraph 1,
A substrate support unit, wherein at least a portion of the edge of the outer RF electrode is disposed to overlap the inner RF electrode.
제1항에 있어서,
상기 히터블록에는 상기 기판을 가열하는 히터부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
According to paragraph 1,
A substrate support unit, characterized in that the heater block further includes a heater unit for heating the substrate.
기판에 대한 처리공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버의 내측에 구비되어 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하며 RF 전원이 인가되는 가스공급부; 및
상기 챔버 내측에서 상기 가스공급부의 맞은편에 구비되어 상기 기판을 지지하는 히터블록과, 상기 히터블록에 구비되어 접지되는 RF 전극을 포함하는 기판지지유닛을 구비하고,
상기 RF 전극은 상기 히터블록의 중앙부에 배치되며, 상기 기판을 척킹하는 이너 RF 전극 및 상기 이너 RF 전극의 가장자리에 배치되며, 임피던스를 조절하여 상기 기판 상부의 플라즈마를 조절할 수 있는 아우터 RF 전극을 구비하고,
상기 아우터 RF 전극은 상기 이너 RF 전극의 가장자리에 배치되며 개구부가 형성된 가장자리부와, 상기 개구부를 가로질러 상기 가장자리부를 서로 연결하는 연결부를 구비하고, 상기 연결부는 상기 개구부의 중앙부를 지나는 적어도 한 개 이상의 중앙 연결부와, 상기 중앙 연결부의 양단부에서 각각 분기되어 상기 가장자리부와 연결되는 복수개의 분기 연결부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
A chamber that provides processing space for a substrate;
A gas supply unit provided inside the chamber to supply process gas toward the substrate and to which RF power is applied; and
A substrate support unit including a heater block provided inside the chamber opposite the gas supply unit to support the substrate, and an RF electrode provided on the heater block and grounded,
The RF electrode is disposed in the center of the heater block, and includes an inner RF electrode that churns the substrate, and an outer RF electrode that is disposed at the edge of the inner RF electrode and can control the plasma on the upper part of the substrate by adjusting impedance. do,
The outer RF electrode is disposed at the edge of the inner RF electrode and has an edge portion with an opening formed thereon, and a connection portion connecting the edge portions across the opening, and the connection portion includes at least one connection portion passing through the center of the opening. A substrate processing apparatus comprising a central connection portion and a plurality of branch connection portions each branched from both ends of the central connection portion and connected to the edge portion.
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