KR20240009670A - New Phase-Shift Full-Bridge Converter with Coupled Inductor Rectifier - Google Patents

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Abstract

인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터 및 그 동작 방법 및 시스템이 제시된다. 본 발명에서 제안하는 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터는 1차측 회로 및 2차측 회로를 포함하고, 상기 1차측 회로는, 제1 스위치(Q1)와 제2 스위치(Q2)가 직렬로 연결되고, 제3 스위치(Q3)와 제4 스위치(Q4)가 직렬로 연결되며, 제1 스위치(Q1)와 제2 스위치(Q2) 간의 연결 단과 제3 스위치(Q3)와 제4 스위치(Q4) 간의 연결 단에 1차측 변압기가 연결되고, 상기 2차측 회로는, 제1 스위치(SR1)와 제2 스위치(SR2)가 직렬로 연결되고, 제1 스위치(SR1)와 제2 스위치(SR2) 간의 연결 단에 2차측 제1 변압기(T21)와 제2 변압기(T22)가 병렬로 연결되며, 2차측 제1 변압기(T21)의 또 다른 일단은 제1 다이오드(DB1)과 연결되고, 제1 다이오드(DB1)의 또 다른 일단은 제1 인덕터(Lo1)와 연결되고, 2차측 제2 변압기(T22)의 또 다른 일단은 제2 다이오드(DB2)과 연결되고, 제2 다이오드(DB2)의 또 다른 일단은 제2 인덕터(Lo2)와 연결된다.A new phase-shift full bridge converter combined with an inductor rectifier and its operating method and system are presented. The new phase-shift full bridge converter combined with the inductor rectifier proposed in the present invention includes a primary circuit and a secondary circuit, and the primary circuit includes a first switch (Q1) and a second switch (Q2) in series. connected, the third switch (Q3) and the fourth switch (Q4) are connected in series, the connection terminal between the first switch (Q1) and the second switch (Q2), and the third switch (Q3) and the fourth switch (Q4) ) A primary transformer is connected to the connection terminal, and in the secondary circuit, a first switch (SR1) and a second switch (SR2) are connected in series, and the first switch (SR1) and the second switch (SR2) A first transformer on the secondary side (T21) and a second transformer (T22) are connected in parallel to the connection terminal between the two, and another end of the first transformer on the secondary side (T21) is connected to the first diode (DB1), and the first Another end of the diode DB1 is connected to the first inductor Lo1, another end of the second secondary transformer T22 is connected to the second diode DB2, and another end of the second diode DB2 is connected to the first inductor Lo1. The other end is connected to the second inductor (Lo2).

Description

인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터{New Phase-Shift Full-Bridge Converter with Coupled Inductor Rectifier}New Phase-Shift Full-Bridge Converter with Coupled Inductor Rectifier}

본 발명은 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터 및 그 동작 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a new phase-shift full bridge converter combined with an inductor rectifier and a method of operating the same.

현재 전 세계적으로 많은 자동차 회사들이 전기자동차에 대한 연구에 적극 투자하고 있다. LDC(Low DC-DC Converter)는 높은 고전압 배터리를 공급원으로 하여 차량 내 전장 부하에 전원을 공급하기 때문에 전기 자동차의 주요 전력 변환 장치 중에서 핵심으로 꼽힌다. 전기 자동차의 주행 거리가 요구됨에 따라 LDC의 효율 향상 또한 요구되고 있다. 높은 효율을 갖는 LDC 의 토폴로지(Topology)로는 CIR(Coupled Inductor Rectifier) PSFB(Phase Shift Full Bridge) 낮은 전도 손실을 가진 변환기(Converter With Low Conduction Loss)가 있다. 기존 CIR PSFB 낮은 전도 손실을 가진 변환기는 프리휠링 모드(Freewheeling Mode)에서 1차측에 순환 전류(Circulating Current)를 감소시켜 낮은 전도 손실을 갖는다. 하지만 2차측에 다이오드 두 개의 전압 링잉(Ringing)이 크고 입력 전압 범위가 넓을수록 듀티비(Duty Ratio)의 변화(Variation)가 커지는 단점이 존재한다. Currently, many automobile companies around the world are actively investing in research on electric vehicles. LDC (Low DC-DC Converter) is considered the core of the main power conversion devices in electric vehicles because it supplies power to electrical loads within the vehicle using a high-voltage battery as a source of supply. As the driving range of electric vehicles increases, improvements in LDC efficiency are also required. The topology of LDC with high efficiency includes Coupled Inductor Rectifier (CIR), Phase Shift Full Bridge (PSFB), and Converter With Low Conduction Loss. The existing CIR PSFB converter with low conduction loss has low conduction loss by reducing the circulating current on the primary side in freewheeling mode. However, there is a disadvantage that the voltage ringing of the two diodes on the secondary side is large and the duty ratio variation increases as the input voltage range becomes wider.

한국 등록특허공보 제10-1622139호 (2016.05.12)Korean Patent Publication No. 10-1622139 (2016.05.12)

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 2차측에 스위치 두 개의 전압이 출력 전압으로 클래핑(Clamping)되며, 부스트 동작(Boost Operation)을 통해 전압 게인(Voltage Gain)을 증가시켜 높은 효율을 갖는 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터 및 그 동작 방법을 제공하는데 있다. The technical problem to be achieved by the present invention is to create an inductor rectifier with high efficiency by clamping the voltage of two switches on the secondary side to the output voltage and increasing the voltage gain through a boost operation. The aim is to provide a new combined phase shift full bridge converter and its operating method.

일 측면에 있어서, 본 발명에서 제안하는 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터는 1차측 회로 및 2차측 회로를 포함하고, 상기 1차측 회로는, 제1 스위치(Q1)와 제2 스위치(Q2)가 직렬로 연결되고, 제3 스위치(Q3)와 제4 스위치(Q4)가 직렬로 연결되며, 제1 스위치(Q1)와 제2 스위치(Q2) 간의 연결 단과 제3 스위치(Q3)와 제4 스위치(Q4) 간의 연결 단에 1차측 변압기가 연결되고, 상기 2차측 회로는, 제1 스위치(SR1)와 제2 스위치(SR2)가 직렬로 연결되고, 제1 스위치(SR1)와 제2 스위치(SR2) 간의 연결 단에 2차측 제1 변압기(T21)와 제2 변압기(T22)가 병렬로 연결되며, 2차측 제1 변압기(T21)의 또 다른 일단은 제1 다이오드(DB1)과 연결되고, 제1 다이오드(DB1)의 또 다른 일단은 제1 인덕터(Lo1)와 연결되고, 2차측 제2 변압기(T22)의 또 다른 일단은 제2 다이오드(DB2)과 연결되고, 제2 다이오드(DB2)의 또 다른 일단은 제2 인덕터(Lo2)와 연결된다. In one aspect, the new phase-shift full bridge converter combined with the inductor rectifier proposed in the present invention includes a primary circuit and a secondary circuit, and the primary circuit includes a first switch (Q1) and a second switch ( Q2) is connected in series, the third switch (Q3) and the fourth switch (Q4) are connected in series, and the connection terminal between the first switch (Q1) and the second switch (Q2) and the third switch (Q3) A primary transformer is connected to the connection terminal between the fourth switches (Q4), and in the secondary circuit, a first switch (SR1) and a second switch (SR2) are connected in series, and the first switch (SR1) and the second switch (SR2) are connected in series. The first transformer (T21) and the second transformer (T22) on the secondary side are connected in parallel at the connection terminal between the two switches (SR2), and another end of the first transformer (T21) on the secondary side is connected to the first diode (DB1). connected, another end of the first diode DB1 is connected to the first inductor Lo1, and another end of the second secondary transformer T22 is connected to the second diode DB2, and the second diode Another end of (DB2) is connected to the second inductor (Lo2).

본 발명의 실시예에 따른 정상 동작 단계(Normal Operation)에서, 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 동시에 온 될 때, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 동시에 온 될 때, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작한다. In the normal operation according to an embodiment of the present invention, when the first switch (Q1) and the fourth switch (Q4) on the primary side are turned on at the same time, the first switch (SR1) on the secondary side is turned on and enters the power mode. It operates in Powering Mode, and when the second switch (Q2) and the third switch (Q3) on the primary side are turned on at the same time, the second switch (SR2) on the secondary side is turned on and operates in powering mode.

본 발명의 실시예에 따른 부스트 동작 단계(Boost Operation)에서, 정상 동작 단계에서의 2차측 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 PWM(Pulse Width Modulation)이 위상 지연되어 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 파워 모드로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 파워 모드로 동작한다. In the boost operation according to an embodiment of the present invention, the PWM (Pulse Width Modulation) of the secondary first switch SR1 and the second switch SR2 in the normal operation stage is delayed in phase, so that the primary 1 switch (Q1) and the fourth switch (Q4) are turned on, and operate in build-up mode when the second switch (SR2) on the secondary side is turned on, and the first switch (Q1) on the primary side And the fourth switch (Q4) is turned on, and operates in power mode when the first switch (SR1) on the secondary side is turned on, the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on, and the secondary side switch (Q2) and the third switch (Q3) are turned on. When the first switch (SR1) is turned on, it operates in build-up mode, the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on, and the second switch (SR2) on the secondary side is turned on. ) operates in power mode when turned on.

본 발명의 실시예에 따른 빌드-업 모드에서 제1 인덕터(Lo1) 및 제2 인덕터(Lo2)의 전류를 빌드-업하고, 파워 모드에서 빌드-업된 전류를 출력단으로 파워링(Powering)함으로써 부스트 동작을 수행한다. Boost by building up the current of the first inductor (Lo1) and the second inductor (Lo2) in the build-up mode according to an embodiment of the present invention, and powering the built-up current to the output terminal in the power mode. Perform the action.

본 발명의 실시예에 따른 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 전압 스트레스가 출력 전압으로 클램핑(Clamping)되며, 부스트 동작(Boost Operation)을 통해 전압 게인(Voltage Gain)을 증가시킨다. The voltage stress of the first switch SR1 and the second switch SR2 according to an embodiment of the present invention is clamped to the output voltage, and the voltage gain is increased through a boost operation. .

일 측면에 있어서, 본 발명에서 제안하는 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 동작 방법은 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 동시에 온 될 때, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 동시에 온 될 때, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작하는 정상 동작 단계(Normal Operation) 및 정상 동작 단계에서의 2차측 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 PWM(Pulse Width Modulation)이 위상 지연되어 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 파워 모드로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 파워 모드로 동작하는 부스트 동작 단계(Boost Operation)를 포함한다. In one aspect, the operating method of the new phase shift full bridge converter combined with the inductor rectifier proposed in the present invention is that when the first switch (Q1) and the fourth switch (Q4) on the primary side are turned on simultaneously, the first switch on the secondary side (Q1) and the fourth switch (Q4) are turned on simultaneously. When the switch (SR1) is turned on and operates in the powering mode, and the second switch (Q2) and the third switch (Q3) on the primary side are turned on simultaneously, the second switch (SR2) on the secondary side is turned on and turns on. The PWM (Pulse Width Modulation) of the secondary first switch SR1 and the second switch SR2 in the normal operation stage and the normal operation stage operating in the powering mode are phase delayed and the primary 1 switch (Q1) and the fourth switch (Q4) are turned on, and operate in build-up mode when the second switch (SR2) on the secondary side is turned on, and the first switch (Q1) on the primary side And the fourth switch (Q4) is turned on, and operates in power mode when the first switch (SR1) on the secondary side is turned on, the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on, and the secondary side switch (Q2) and the third switch (Q3) are turned on. When the first switch (SR1) is turned on, it operates in build-up mode, the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on, and the second switch (SR2) on the secondary side is turned on. ) includes a boost operation step that operates in power mode when turned on.

본 발명의 실시예들에 따른 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터 및 그 동작 방법을 통해 2차측에 스위치 두 개의 전압이 출력 전압으로 클래핑(Clamping)되며, 부스트 동작(Boost Operation)을 통해 전압 게인(Voltage Gain)을 증가시켜 높은 효율을 가질 수 있다.Through a new phase-shift full bridge converter combined with an inductor rectifier according to embodiments of the present invention and its operating method, the voltage of two switches on the secondary side is clamped to the output voltage and a boost operation is performed. By increasing the voltage gain, high efficiency can be achieved.

도 1은 종래기술에 따른 CIR PSFB 낮은 전도 손실을 가진 변환기 회로도이다.
도 2는 종래기술에 따른 입력 전압이 350 V일 때 CIR PSFB의 주요 파형을 나타내는 도면이다.
도 3은 종래기술에 따른 입력 전압이 650 V일 때 CIR PSFB의 주요 파형을 나타내는 도면이다.
도 4는 종래기술에 따른 입력 전압이 800 V일 때 CIR PSFB의 주요 파형을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 게이트 신호를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 입력 전압이 350 V일 때 주요 파형을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 입력 전압이 650 V일 때 주요 파형을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 입력 전압이 800 V일 때 주요 파형을 나타내는 도면이다.
1 is a circuit diagram of a CIR PSFB low conduction loss converter according to the prior art.
Figure 2 is a diagram showing the main waveform of CIR PSFB when the input voltage is 350 V according to the prior art.
Figure 3 is a diagram showing the main waveform of CIR PSFB when the input voltage is 650 V according to the prior art.
Figure 4 is a diagram showing the main waveform of CIR PSFB when the input voltage is 800 V according to the prior art.
Figure 5 is a circuit diagram of a new phase shift full bridge converter combined with an inductor rectifier according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a flowchart for explaining the operation method of a new phase-shift full bridge converter combined with an inductor rectifier according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a diagram showing the gate signal of a phase-shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention.
Figure 8 is a diagram showing the main waveform when the input voltage of the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention is 350 V.
Figure 9 is a diagram showing the main waveform when the input voltage of the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention is 650 V.
Figure 10 is a diagram showing the main waveform when the input voltage of the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention is 800 V.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 종래기술에 따른 CIR PSFB 낮은 전도 손실을 가진 변환기 회로도이다. 1 is a circuit diagram of a CIR PSFB low conduction loss converter according to the prior art.

도 1에 도시된 CIR(Coupled Inductor Rectifier) PSFB(Phase Shift Full Bridge) 낮은 전도 손실을 가진 변환기(Converter With Low Conduction Loss)의 1차측은 Q1, Q2, Q3, Q4 스위치 네 개로 이루어져 있으며, 2차측은 D1, D2, DF1 다이오드 세 개로 이루어진 구조에 Lo1, Lo2 인덕터로 이루어진 커플링 인덕터(Coupled Inductor)가 결합되어 있다. 종래기술에 따른 PSFB 컨버터의 1차측과 동일한 스위치 제어가 가능한데, Q1 과 Q2 의 PWM은 상호보완적(Complementary) 동작으로 Q1 이 온(On) 되어있을 때는 Q2 가 오프(Off) 되며, Q1 이 오프 되어있을 때는 Q2 가 온 된다. Q3 과 Q4 의 PWM 도 마찬가지로 Q3 이 온 되어있을 때는 Q4 가 오프 되며, Q3 이 오프 되어있을 때는 Q4 가 온 된다. The primary side of the CIR (Coupled Inductor Rectifier) PSFB (Phase Shift Full Bridge) Converter With Low Conduction Loss shown in Figure 1 consists of four switches Q1, Q2, Q3, and Q4, and the secondary side The structure consists of three diodes D1, D2, and DF1, and a coupled inductor consisting of Lo1 and Lo2 inductors is combined. The same switch control as the primary side of the PSFB converter according to the prior art is possible. The PWM of Q1 and Q2 are complementary operations, so when Q1 is On, Q2 is Off, and Q1 is Off. When it is on, Q2 is on. Likewise for the PWM of Q3 and Q4, when Q3 is on, Q4 is turned off, and when Q3 is off, Q4 is turned on.

도 2는 종래기술에 따른 입력 전압이 350 V일 때 CIR PSFB의 주요 파형을 나타내는 도면이다. Figure 2 is a diagram showing the main waveform of CIR PSFB when the input voltage is 350 V according to the prior art.

종래기술에 따른 CIR PSFB 낮은 전도 손실을 가진 변환기는 350 V ~ 800 V 의 입력 전압 범위를 가지며 노미널(Nominal) 입력 전압은 650 V 이다. The CIR PSFB low conduction loss converter according to the prior art has an input voltage range of 350 V to 800 V, and the nominal input voltage is 650 V.

도 2는 종래기술에 따른 CIR PSFB 낮은 전도 손실을 가진 변환기의 예시로서 Vs=350 V, Fs=70 kHz, Vo=14 V, Llkg=10 μH, Lm=600 μH, Lo1=Lo2=100 μH, Co=100 μF, 턴 비(Turns ratio) = 21 : 1 일 때 주요 파형이다. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, PWM_Q4 는 각각 1차측 스위치 Q1, Q2, Q3, Q4 의 게이트 파형이다. I(pri)는 변압기(Transformer)의 누설 인덕터(Leakage Inductor)에 흐르는 전류이다. 이때 RMS 크기는 1.7 A 이다. I(D1), I(D2), I(DF1) 은 각각 2차측 다이오드 D1, D2, DF1 에 흐르는 전류이다. VD1, VD2 는 각각 2차측 다이오드 D1, D2 의 전압 파형이다. 이때 다이오드 D1, D2 의 전압 스트레스는 32.3 V 이다. VDF1 은 2차측 다이오드 DF1 의 전압 파형이다. 이때 다이오드 DF1 의 전압 스트레스는 17.5 V 이다. Figure 2 is an example of a CIR PSFB converter with low conduction loss according to the prior art, Vs = 350 V, Fs = 70 kHz, Vo = 14 V, Llkg = 10 μH, Lm = 600 μH, Lo1 = Lo2 = 100 μH, The main waveform is when Co=100 μF and Turns ratio = 21:1. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, and PWM_Q4 are the gate waveforms of primary switches Q1, Q2, Q3, and Q4, respectively. I(pri) is the current flowing in the leakage inductor of the transformer. At this time, the RMS size is 1.7 A. I(D1), I(D2), and I(DF1) are the currents flowing through the secondary diodes D1, D2, and DF1, respectively. VD1 and VD2 are the voltage waveforms of the secondary diodes D1 and D2, respectively. At this time, the voltage stress of diodes D1 and D2 is 32.3 V. VDF1 is the voltage waveform of the secondary diode DF1. At this time, the voltage stress of diode DF1 is 17.5 V.

도 3은 종래기술에 따른 입력 전압이 650 V일 때 CIR PSFB의 주요 파형을 나타내는 도면이다. Figure 3 is a diagram showing the main waveform of CIR PSFB when the input voltage is 650 V according to the prior art.

종래기술에 따른 CIR PSFB 낮은 전도 손실을 가진 변환기는 350 V ~ 800 V 의 입력 전압 범위를 가지며 노미널 입력 전압은 650 V 이다. 도 3은 종래기술에 따른 CIR PSFB 낮은 전도 손실을 가진 변환기의 예시로서 Vs=650 V, Fs=70 kHz, Vo=14 V, Llkg=10 μH, Lm=600 μH, Lo1=Lo2=100 μH, Co=100 μF, 턴 비(Turns ratio) = 21 : 1 일 때 주요 파형이다. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, PWM_Q4 는 각각 1차측 스위치 Q1, Q2, Q3, Q4 의 게이트 파형이다. I(pri)는 변압기의 누설 인덕터에 흐르는 전류이다. 이때 RMS 크기는 1.6 A 이다. I(D1), I(D2), I(DF1) 은 각각 2차측 다이오드 D1, D2, DF1 에 흐르는 전류이다. VD1, VD2 는 각각 2차측 다이오드 D1, D2 의 전압 파형이다. 이때 다이오드 D1, D2 의 전압 스트레스는 59.8 V 이다. VDF1 은 2차측 다이오드 DF1 의 전압 파형이다. 이때 다이오드 DF1 의 전압 스트레스는 45.7 V 이다. The CIR PSFB low conduction loss converter according to the prior art has an input voltage range of 350 V to 800 V and the nominal input voltage is 650 V. Figure 3 is an example of a CIR PSFB converter with low conduction loss according to the prior art, Vs = 650 V, Fs = 70 kHz, Vo = 14 V, Llkg = 10 μH, Lm = 600 μH, Lo1 = Lo2 = 100 μH, The main waveform is when Co=100 μF and Turns ratio = 21:1. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, and PWM_Q4 are the gate waveforms of primary switches Q1, Q2, Q3, and Q4, respectively. I(pri) is the current flowing in the leakage inductor of the transformer. At this time, the RMS size is 1.6 A. I(D1), I(D2), and I(DF1) are the currents flowing through the secondary diodes D1, D2, and DF1, respectively. VD1 and VD2 are the voltage waveforms of the secondary diodes D1 and D2, respectively. At this time, the voltage stress of diodes D1 and D2 is 59.8 V. VDF1 is the voltage waveform of the secondary diode DF1. At this time, the voltage stress of diode DF1 is 45.7 V.

도 4는 종래기술에 따른 입력 전압이 800 V일 때 CIR PSFB의 주요 파형을 나타내는 도면이다. Figure 4 is a diagram showing the main waveform of CIR PSFB when the input voltage is 800 V according to the prior art.

종래기술에 따른 CIR PSFB 낮은 전도 손실을 가진 변환기는 350 V ~ 800 V 의 입력 전압 범위를 가지며 노미널 입력 전압은 650 V 이다. 도 4는 종래기술에 따른 CIR PSFB 낮은 전도 손실을 가진 변환기의 예시로서 Vs=800 V, Fs=70 kHz, Vo=14 V, Llkg=10 μH, Lm=600 μH, Lo1=Lo2=100 μH, Co=100 μF, 턴 비(Turns ratio) = 21 : 1 일 때 주요 파형이다. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, PWM_Q4 는 각각 1차측 스위치 Q1, Q2, Q3, Q4 의 게이트 파형이다. I(pri)는 변압기의 누설 인덕터에 흐르는 전류이다. 이때 RMS 크기는 1.5 A 이다. I(D1), I(D2), I(DF1) 은 각각 2차측 다이오드 D1, D2, DF1 에 흐르는 전류이다. VD1, VD2 는 각각 2차측 다이오드 D1, D2 의 전압 파형이다. 이때 다이오드 D1, D2 의 전압 스트레스는 73.6 V 이다. VDF1 은 2차측 다이오드 DF1 의 전압 파형이다. 이때 다이오드 DF1 의 전압 스트레스는 59.6 V 이다. The CIR PSFB low conduction loss converter according to the prior art has an input voltage range of 350 V to 800 V and the nominal input voltage is 650 V. Figure 4 is an example of a CIR PSFB converter with low conduction loss according to the prior art, Vs = 800 V, Fs = 70 kHz, Vo = 14 V, Llkg = 10 μH, Lm = 600 μH, Lo1 = Lo2 = 100 μH, The main waveform is when Co=100 μF and Turns ratio = 21:1. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, and PWM_Q4 are the gate waveforms of primary switches Q1, Q2, Q3, and Q4, respectively. I(pri) is the current flowing in the leakage inductor of the transformer. At this time, the RMS size is 1.5 A. I(D1), I(D2), and I(DF1) are the currents flowing through the secondary diodes D1, D2, and DF1, respectively. VD1 and VD2 are the voltage waveforms of the secondary diodes D1 and D2, respectively. At this time, the voltage stress of diodes D1 and D2 is 73.6 V. VDF1 is the voltage waveform of the secondary diode DF1. At this time, the voltage stress of diode DF1 is 59.6 V.

위 파형의 예시로부터 기존 회로의 경우 최대 입력 전압에서 1차측 전류의 최대 RMS 는 1.7 A 이고 2차측 다이오드 D1, D2 의 최대 전압 스트레스는 73.6 V 이고 2차측 다이오드 DF1 의 최대 전압 스트레스는 59.6 V 임을 알 수 있다. From the example of the waveform above, it can be seen that in the case of the existing circuit, the maximum RMS of the primary current at the maximum input voltage is 1.7 A, the maximum voltage stress of the secondary diodes D1 and D2 is 73.6 V, and the maximum voltage stress of the secondary diode DF1 is 59.6 V. You can.

이에 대해 본 발명의 실시예에 따른 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터에서는 2차측에 기존 다이오드 D1, D2 를 스위치 SR1, SR2 로 변경하고 다이오드 DF1 은 없애고 두 개의 다이오드 DB1, DB2 를 추가함으로써 스위치 SR1, SR2 의 전압 스트레스가 출력 전압으로 클램핑(Clamping)되어 스너버(Snubber)를 사용하지 않아도 된다. 또한 부스트 동작(Boost Operation)을 통해 전압 게인(Voltage Gain)을 증가시킬 수 있다. In contrast, in the new phase shift full bridge converter combined with an inductor rectifier according to an embodiment of the present invention, the existing diodes D1 and D2 are changed to switches SR1 and SR2 on the secondary side, diode DF1 is removed, and two diodes DB1 and DB2 are added. The voltage stress of switches SR1 and SR2 is clamped to the output voltage, so there is no need to use a snubber. Additionally, voltage gain can be increased through boost operation.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 회로도이다. Figure 5 is a circuit diagram of a new phase shift full bridge converter combined with an inductor rectifier according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 2차측에 기존 다이오드 D1, D2 를 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)로 변경하고 기존 다이오드 DF1 은 없애고, 제1 다이오드(DB1) 및 제2 다이오드(DB2)를 추가함으로써 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 전압 스트레스가 출력 전압으로 클램핑(Clamping)되며, 부스트 동작(Boost Operation)을 통해 전압 게인(Voltage Gain)을 높여 효율을 향상시키는 회로이다.The present invention changes the existing diodes D1 and D2 to the first switch (SR1) and the second switch (SR2) on the secondary side, removes the existing diode DF1, and adds the first diode (DB1) and the second diode (DB2). This is a circuit in which the voltage stress of the first switch (SR1) and the second switch (SR2) is clamped to the output voltage, and efficiency is improved by increasing the voltage gain through a boost operation.

본 발명의 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 1차측 회로는 제1 스위치(Q1)와 제2 스위치(Q2)가 직렬로 연결되고, 제3 스위치(Q3)와 제4 스위치(Q4)가 직렬로 연결되며, 제1 스위치(Q1)와 제2 스위치(Q2) 간의 연결 단과 제3 스위치(Q3)와 제4 스위치(Q4) 간의 연결 단에 1차측 변압기가 연결된다. In the primary circuit of the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention, the first switch (Q1) and the second switch (Q2) are connected in series, and the third switch (Q3) and the fourth switch (Q4) are connected in series. They are connected in series, and the primary transformer is connected to the connection terminal between the first switch (Q1) and the second switch (Q2) and the connection terminal between the third switch (Q3) and the fourth switch (Q4).

본 발명의 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 2차측 회로는 제1 스위치(SR1)와 제2 스위치(SR2)가 직렬로 연결되고, 제1 스위치(SR1)와 제2 스위치(SR2) 간의 연결 단에 2차측 제1 변압기(T21)와 제2 변압기(T22)가 병렬로 연결되며, 2차측 제1 변압기(T21)의 또 다른 일단은 제1 다이오드(DB1)과 연결되고, 제1 다이오드(DB1)의 또 다른 일단은 제1 인덕터(Lo1)와 연결되고, 2차측 제2 변압기(T22)의 또 다른 일단은 제2 다이오드(DB2)과 연결되고, 제2 다이오드(DB2)의 또 다른 일단은 제2 인덕터(Lo2)와 연결된다. The secondary circuit of the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention includes a first switch (SR1) and a second switch (SR2) connected in series, and a connection between the first switch (SR1) and the second switch (SR2). The first transformer (T21) on the secondary side and the second transformer (T22) are connected in parallel at the connection end, and another end of the first transformer (T21) on the secondary side is connected to the first diode (DB1), and the first diode Another end of (DB1) is connected to the first inductor (Lo1), another end of the second secondary transformer (T22) is connected to the second diode (DB2), and another end of the second diode (DB2) First, it is connected to the second inductor (Lo2).

도 5를 참조하면, 1차측은 Q1, Q2, Q3, Q4 스위치 네 개로 이루어져 있으며, 2차측은 SR1, SR2 스위치 두 개와 DB1, DB2 다이오드 두 개로 이루어진 구조에 Lo1, Lo2 인덕터로 이루어진 커플링 인덕터(Coupled Inductor)가 결합되어 있다. 기존 PSFB 컨버터 1차측과 동일한 스위치 제어가 가능하고, Q1 과 Q2 의 PWM 은 상호 보완적(Complementary) 동작으로 Q1 이 온(On) 되어있을 때는 Q2 가 오프(Off) 되며, Q1 이 오프 되어있을 때는 Q2 가 온 된다. Q3 과 Q4 의 PWM 도 마찬가지로 Q3 이 온 되어있을 때는 Q4 가 오프 되며, Q3 이 오프 되어있을 때는 Q4 가 온 된다. Referring to Figure 5, the primary side is composed of four switches Q1, Q2, Q3, and Q4, and the secondary side is composed of two switches SR1 and SR2, two diodes DB1 and DB2, and a coupling inductor composed of Lo1 and Lo2 inductors ( Coupled Inductor) is combined. The same switch control as the primary side of the existing PSFB converter is possible, and the PWM of Q1 and Q2 are complementary operations, so when Q1 is on, Q2 is turned off, and when Q1 is off, Q2 comes on. Likewise for the PWM of Q3 and Q4, when Q3 is on, Q4 is turned off, and when Q3 is off, Q4 is turned on.

본 발명의 실시예에 따른 정상 동작 단계(Normal Operation)에서 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 동시에 온 될 때, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 동시에 온 될 때, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작한다. In the normal operation according to an embodiment of the present invention, when the first switch (Q1) and the fourth switch (Q4) on the primary side are turned on simultaneously, the first switch (SR1) on the secondary side is turned on and enters the power mode ( It operates in Powering Mode), and when the second switch (Q2) and the third switch (Q3) on the primary side are turned on at the same time, the second switch (SR2) on the secondary side is turned on and operates in powering mode.

본 발명의 실시예에 따른 부스트 동작 단계(Boost Operation)에서 정상 동작 단계에서의 2차측 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 PWM(Pulse Width Modulation)이 위상 지연되어 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 파워 모드로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 파워 모드로 동작한다. In the boost operation according to an embodiment of the present invention, the PWM (Pulse Width Modulation) of the first switch SR1 and SR2 on the secondary side in the normal operation step is delayed in phase, so that the first switch on the primary side is delayed. The switch (Q1) and the fourth switch (Q4) are turned on, and operate in build-up mode when the second switch (SR2) on the secondary side is turned on, and the first switch (Q1) on the primary side and The fourth switch (Q4) is turned on and operates in power mode when the first switch (SR1) on the secondary side is turned on, the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on, and the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on. 1 When the switch (SR1) is turned on, it operates in build-up mode, the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on, and the second switch (SR2) on the secondary side is turned on. When turned on, it operates in power mode.

본 발명의 실시예에 따른 빌드-업 모드에서 제1 인덕터(Lo1) 및 제2 인덕터(Lo2)의 전류를 빌드-업하고, 파워 모드에서 빌드-업된 전류를 출력단으로 파워링(Powering)함으로써 부스트 동작을 수행한다. Boost by building up the current of the first inductor (Lo1) and the second inductor (Lo2) in the build-up mode according to an embodiment of the present invention, and powering the built-up current to the output terminal in the power mode. Perform the action.

본 발명의 실시예에 따른 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 전압 스트레스가 출력 전압으로 클램핑(Clamping)되며, 부스트 동작(Boost Operation)을 통해 전압 게인(Voltage Gain)을 증가시킨다. The voltage stress of the first switch SR1 and the second switch SR2 according to an embodiment of the present invention is clamped to the output voltage, and the voltage gain is increased through a boost operation. .

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. Figure 6 is a flowchart for explaining the operation method of a new phase-shift full bridge converter combined with an inductor rectifier according to an embodiment of the present invention.

제안하는 덕터 정류기가 결합된 새로운 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 동작 방법은 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 동시에 온 될 때, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 동시에 온 될 때, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작하는 정상 동작 단계(Normal Operation)(610) 및 정상 동작 단계에서의 2차측 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 PWM(Pulse Width Modulation)이 위상 지연되어 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 파워 모드로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 파워 모드로 동작하는 부스트 동작 단계(Boost Operation)(620)를 포함한다. The operating method of the proposed new phase-shift full bridge converter combined with a ductor rectifier is that when the first switch (Q1) and the fourth switch (Q4) on the primary side are turned on simultaneously, the first switch (SR1) on the secondary side is turned on and the power is turned on. It operates in Powering Mode, and when the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on at the same time, the second switch (SR2) on the secondary side is turned on and operates in powering mode. In the normal operation phase (Normal Operation) 610 and the normal operation phase, the PWM (Pulse Width Modulation) of the first switch (SR1) and the second switch (SR2) on the secondary side are phase delayed, so that the first switch (Q1) on the primary side And the fourth switch (Q4) is turned on, and operates in build-up mode when the second switch (SR2) on the secondary side is turned on, and the first switch (Q1) and fourth switch (Q1) on the primary side are turned on. Q4) is turned on, and operates in power mode when the first switch (SR1) on the secondary side is turned on, the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on, and the first switch (SR1) on the secondary side is turned on. ) is turned on, operates in build-up mode, the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on, and the second switch (SR2) on the secondary side is turned on. Includes a boost operation step (Boost Operation) 620 operating in power mode.

본 발명의 실시예에 따른 부스트 동작 단계(Boost Operation)에서 빌드-업 모드에서 제1 인덕터(Lo1) 및 제2 인덕터(Lo2)의 전류를 빌드-업하고, 파워 모드에서 빌드-업된 전류를 출력단으로 파워링(Powering)함으로써 부스트 동작을 수행한다. In the boost operation according to an embodiment of the present invention, the current of the first inductor (Lo1) and the second inductor (Lo2) is built up in the build-up mode, and the built-up current is transferred to the output terminal in the power mode. Boost operation is performed by powering.

본 발명의 실시예에 따르면, 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 전압 스트레스가 출력 전압으로 클램핑(Clamping)되며, 부스트 동작(Boost Operation)을 통해 전압 게인(Voltage Gain)을 증가시킬 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the voltage stress of the first switch SR1 and the second switch SR2 is clamped to the output voltage, and the voltage gain is increased through a boost operation. You can do it.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 게이트 신호를 나타내는 도면이다. Figure 7 is a diagram showing the gate signal of a phase-shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 정상 동작(Normal Operation)과 부스트 동작(Boost Operation)에서의 게이트 신호를 나타낸다. Shows gate signals in normal operation and boost operation of a phase-shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 정상 동작 에서 SR1 은 Q1, Q4 가 동시에 온 될 때 온 되어 파워 모드로 동작한다. SR2 도 마찬가지로 Q2, Q3 이 동시에 온 될 때 온 되어 파워 모드로 동작한다. 반면에 부스트 동작에서는 정상 동작에서의 SR1, SR2 의 PWM 이 위상 지연이 된다. 그래서 Q1, Q4 이 온 되며, SR2 가 온 될 때 빌드-업 모드로 동작하고 Q1, Q4 이 온 되며, SR1 이 온 될 때 파워 모드로 동작한다. 마찬가지로 Q2, Q3 이 온 되며, SR1 이 온 될 때 빌드-업 모드로 동작하고 Q2, Q3 이 온 되며, SR2 가 온 될 때 파워 모드로 동작한다. 빌드-업 모드에서 커플링 인덕터의 전류를 빌드-업하고, 파워 모드에서 빌드-업된 전류를 출력단으로 파워링함으로써 부스트 동작이 가능하다. 따라서 제안하는 회로는 기존 회로의 최대 듀티비(Maximum Duty Ratio) 인 0.5 에서 부스트 동작을 함으로써 전압 게인을 증가시킬 수 있다. 이때 제안 회로의 전압 게인은 1/(n (1 - 2DB)) 로 기존 회로의 전압 게인인 D/n 보다 크기 때문에 전압 게인이 증가한다. In normal operation according to an embodiment of the present invention, SR1 turns on when Q1 and Q4 are turned on at the same time and operates in power mode. Likewise, SR2 turns on when Q2 and Q3 are turned on at the same time and operates in power mode. On the other hand, in boost operation, the PWM of SR1 and SR2 in normal operation becomes phase delayed. So, Q1 and Q4 are turned on, and when SR2 is turned on, it operates in build-up mode. Q1 and Q4 are turned on, and when SR1 is turned on, it operates in power mode. Likewise, Q2 and Q3 are turned on, and when SR1 is turned on, it operates in build-up mode. Q2 and Q3 are turned on, and when SR2 is turned on, it operates in power mode. Boost operation is possible by building up the current of the coupling inductor in build-up mode and powering the built-up current to the output terminal in power mode. Therefore, the proposed circuit can increase the voltage gain by performing a boost operation at 0.5, which is the maximum duty ratio of the existing circuit. At this time, the voltage gain of the proposed circuit is 1/(n (1 - 2D B )) is larger than D/n, which is the voltage gain of the existing circuit, so the voltage gain increases.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 입력 전압이 350 V일 때 주요 파형을 나타내는 도면이다. Figure 8 is a diagram showing the main waveform when the input voltage of the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention is 350 V.

본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터는 350 V ~ 800 V 의 입력 전압 범위를 가지며 노미널 입력 전압은 650 V 이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 예시로서 Vs=350 V, Fs=70 kHz, Vo=14 V, Llkg=10 μH, Lm=600 μH, Lo1=Lo2=100 μH, Co=100 μF, 턴 비(Turns ratio) = 25 : 1 일 때 주요 파형이다. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, PWM_Q4 는 각각 1차측 스위치 Q1, Q2, Q3, Q4 의 게이트 파형이고 PWM_SR1, PWM_SR2 는 각각 2차측 스위치 SR1, SR2 의 게이트 파형이다. 이때 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터는 부스트 동작을 한다. I(pri)는 변압기의 누설 인덕터에 흐르는 전류이다. 이때 RMS 크기는 1.5 A 이다. I(SR1), I(SR2) 는 2차측 스위치 SR1, SR2 에 흐르는 전류이고 I(DB1), I(DB2) 는 2차측 다이오드 DB1, DB2 에 흐르는 전류이다. VSR1, VSR2 는 각각 2차측 스위치 SR1, SR2 의 전압 파형이다. 이때 전압 스트레스는 14.0 V 이다. VDB1, VDB2 는 각각 2차측 다이오드 DB1, DB2 의 전압 파형이다. 이때 전압 스트레스는 42.0 V 이다. The phase-shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention has an input voltage range of 350 V to 800 V, and the nominal input voltage is 650 V. Figure 8 is an example of a phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention, Vs = 350 V, Fs = 70 kHz, Vo = 14 V, Llkg = 10 μH, Lm = 600 μH, Lo1 = Lo2 = 100 μH. , Co=100 μF, turns ratio = 25:1 is the main waveform. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, and PWM_Q4 are the gate waveforms of the primary switches Q1, Q2, Q3, and Q4, respectively, and PWM_SR1 and PWM_SR2 are the gate waveforms of the secondary switches SR1 and SR2, respectively. At this time, the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention performs a boost operation. I(pri) is the current flowing in the leakage inductor of the transformer. At this time, the RMS size is 1.5 A. I(SR1) and I(SR2) are the currents flowing through the secondary switches SR1 and SR2, and I(DB1) and I(DB2) are the currents flowing through the secondary diodes DB1 and DB2. VSR1 and VSR2 are the voltage waveforms of secondary switches SR1 and SR2, respectively. At this time, the voltage stress is 14.0 V. VDB1 and VDB2 are the voltage waveforms of the secondary diodes DB1 and DB2, respectively. At this time, the voltage stress is 42.0 V.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 입력 전압이 650 V일 때 주요 파형을 나타내는 도면이다.Figure 9 is a diagram showing the main waveform when the input voltage of the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention is 650 V.

본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터는 350 V ~ 800 V 의 입력 전압 범위를 가지며 노미널 입력 전압은 650 V 이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 예시로서 Vs=650 V, Fs=70 kHz, Vo=14 V, Llkg=10 μH, Lm=600 μH, Lo1=Lo2=100 μH, Co=100 μF, Turns ratio = 25 : 1 일 때 주요 파형이다. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, PWM_Q4 는 각각 1차측 스위치 Q1, Q2, Q3, Q4 의 게이트 파형이고 PWM_SR1, PWM_SR2 는 각각 2차측 스위치 SR1, SR2 의 게이트 파형이다. 이때 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터는 정상 동작을 한다. I(pri)는 변압기의 누설 인덕터에 흐르는 전류이다. 이때 RMS 크기는 1.6 A 이다. I(SR1), I(SR2) 는 2차측 스위치 SR1, SR2 에 흐르는 전류이고 I(DB1), I(DB2) 는 2차측 다이오드 DB1, DB2 에 흐르는 전류이다. VSR1, VSR2 는 각각 2차측 스위치 SR1, SR2 의 전압 파형이다. 이때 전압 스트레스는 14.0 V 이다. VDB1, VDB2 는 각각 2차측 다이오드 DB1, DB2 의 전압 파형이다. 이때 전압 스트레스는 36.3 V 이다. The phase-shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention has an input voltage range of 350 V to 800 V, and the nominal input voltage is 650 V. Figure 9 is an example of a phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention, Vs = 650 V, Fs = 70 kHz, Vo = 14 V, Llkg = 10 μH, Lm = 600 μH, Lo1 = Lo2 = 100 μH. , Co=100 μF, turns ratio = 25:1 is the main waveform. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, and PWM_Q4 are the gate waveforms of the primary switches Q1, Q2, Q3, and Q4, respectively, and PWM_SR1 and PWM_SR2 are the gate waveforms of the secondary switches SR1 and SR2, respectively. At this time, the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention operates normally. I(pri) is the current flowing in the leakage inductor of the transformer. At this time, the RMS size is 1.6 A. I(SR1) and I(SR2) are the currents flowing through the secondary switches SR1 and SR2, and I(DB1) and I(DB2) are the currents flowing through the secondary diodes DB1 and DB2. VSR1 and VSR2 are the voltage waveforms of secondary switches SR1 and SR2, respectively. At this time, the voltage stress is 14.0 V. VDB1 and VDB2 are the voltage waveforms of the secondary diodes DB1 and DB2, respectively. At this time, the voltage stress is 36.3 V.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 입력 전압이 800 V일 때 주요 파형을 나타내는 도면이다.Figure 10 is a diagram showing the main waveform when the input voltage of the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention is 800 V.

본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터는 350 V ~ 800 V 의 입력 전압 범위를 가지며 노미널 입력 전압은 650 V 이다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 예시로서 Vs=800 V, Fs=70 kHz, Vo=14 V, Llkg=10 μH, Lm=600 μH, Lo1=Lo2=100 μH, Co=100 μF, Turns ratio = 25 : 1 일 때 주요 파형이다. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, PWM_Q4 는 각각 1차측 스위치 Q1, Q2, Q3, Q4 의 게이트 파형이고 PWM_SR1, PWM_SR2 는 각각 2차측 스위치 SR1, SR2 의 게이트 파형이다. 이때 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 편이 풀 브리지 컨버터는 정상 동작을 한다. I(pri)는 변압기의 누설 인덕터에 흐르는 전류이다. 이때 RMS 크기는 1.6 A 이다. I(SR1), I(SR2) 는 2차측 스위치 SR1, SR2 에 흐르는 전류이고 I(DB1), I(DB2) 는 2차측 다이오드 DB1, DB2 에 흐르는 전류이다. VSR1, VSR2 는 각각 2차측 스위치 SR1, SR2 의 전압 파형이다. 이때 전압 스트레스는 14.0 V 이다. VDB1, VDB2 는 각각 2차측 다이오드 DB1, DB2 의 전압 파형이다. 이때 전압 스트레스는 47.7 V 이다. The phase-shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention has an input voltage range of 350 V to 800 V, and the nominal input voltage is 650 V. Figure 10 is an example of a phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention, Vs = 800 V, Fs = 70 kHz, Vo = 14 V, Llkg = 10 μH, Lm = 600 μH, Lo1 = Lo2 = 100 μH. , Co=100 μF, turns ratio = 25:1 is the main waveform. PWM_Q1, PWM_Q2, PWM_Q3, and PWM_Q4 are the gate waveforms of the primary switches Q1, Q2, Q3, and Q4, respectively, and PWM_SR1 and PWM_SR2 are the gate waveforms of the secondary switches SR1 and SR2, respectively. At this time, the phase shift full bridge converter according to an embodiment of the present invention operates normally. I(pri) is the current flowing in the leakage inductor of the transformer. At this time, the RMS size is 1.6 A. I(SR1) and I(SR2) are the currents flowing through the secondary switches SR1 and SR2, and I(DB1) and I(DB2) are the currents flowing through the secondary diodes DB1 and DB2. VSR1 and VSR2 are the voltage waveforms of secondary switches SR1 and SR2, respectively. At this time, the voltage stress is 14.0 V. VDB1 and VDB2 are the voltage waveforms of the secondary diodes DB1 and DB2, respectively. At this time, the voltage stress is 47.7 V.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 파형의 예시들을 통해 제안 회로는 부스트 동작을 통해 기존 회로보다 전압 게인을 증가시킬 수 있다. 또한 스위치 SR1, SR2 의 전압 스트레스가 출력 전압으로 클램핑되어 스너버(Snubber) 를 사용하지 않아도 되기 때문에 효율을 향상시킬 수 있다. 표 1은 입력전압 범위 450 ~ 800 V 에서 기존 회로의 1차측 RMS 전류 및 다이오드 D1, D2, DF1 의 최대 전압 스트레스와 제안 회로의 1차측 RMS 전류 및 스위치 SR1, SR2 및 다이오드 DB1, DB2 의 최대 전압 스트레스를 정리한 표이다. Through the examples of the waveform according to an embodiment of the present invention, the proposed circuit can increase the voltage gain compared to the existing circuit through a boost operation. Additionally, the voltage stress of switches SR1 and SR2 is clamped to the output voltage, eliminating the need to use a snubber, thereby improving efficiency. Table 1 shows the primary RMS current and maximum voltage stress of diodes D1, D2, and DF1 of the existing circuit and the primary RMS current and maximum voltage of switches SR1, SR2 and diodes DB1 and DB2 of the proposed circuit in the input voltage range of 450 to 800 V. This table summarizes stress.

<표 1><Table 1>

표 1과 같이 제안 회로는 스위치 SR1, SR2 의 전압 스트레스가 출력 전압을 클램핑되며, 다이오드 DB1, DB2 는 기존 회로보다 낮은 전압 정격의 소자를 사용할 수 있다. As shown in Table 1, in the proposed circuit, the voltage stress of switches SR1 and SR2 clamps the output voltage, and diodes DB1 and DB2 can use devices with a lower voltage rating than the existing circuit.

제안하는 회로는 2차측에 SR1, SR2 스위치 두 개와 DB1, DB2 다이오드 두 개로 이루어진 구조를 통해 부스트 동작을 하여 전압 게인을 증가시킬 수 있으며, 스위치 SR1, SR2 의 전압 스트레스가 출력 전압으로 클램핑되어 Snubber 를 사용하지 않아도 된다. 따라서 본 발명은 높은 입력 전압을 노미널(nominal)로 가지는 LDC (Low DC/DC Converter) 응용에 적합한 회로가 될 수 있다. The proposed circuit can increase the voltage gain by performing a boost operation through a structure consisting of two switches SR1 and SR2 and two diodes DB1 and DB2 on the secondary side, and the voltage stress of switches SR1 and SR2 is clamped to the output voltage to operate the snubber. You don't have to use it. Therefore, the present invention can be a circuit suitable for LDC (Low DC/DC Converter) applications with a high input voltage as a nominal.

이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPGA(field programmable gate array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다.  또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다.  이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다.  예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다.  또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.The device described above may be implemented with hardware components, software components, and/or a combination of hardware components and software components. For example, devices and components described in embodiments may include, for example, a processor, a controller, an arithmetic logic unit (ALU), a digital signal processor, a microcomputer, a field programmable gate array (FPGA), etc. , may be implemented using one or more general-purpose or special-purpose computers, such as a programmable logic unit (PLU), a microprocessor, or any other device capable of executing and responding to instructions. A processing device may execute an operating system (OS) and one or more software applications that run on the operating system. Additionally, a processing device may access, store, manipulate, process, and generate data in response to the execution of software. For ease of understanding, a single processing device may be described as being used; however, those skilled in the art will understand that a processing device includes multiple processing elements and/or multiple types of processing elements. It can be seen that it may include. For example, a processing device may include a plurality of processors or one processor and one controller. Additionally, other processing configurations, such as parallel processors, are possible.

소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다.  소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치에 구체화(embody)될 수 있다.  소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.Software may include a computer program, code, instructions, or a combination of one or more of these, which may configure a processing unit to operate as desired, or may be processed independently or collectively. You can command the device. Software and/or data may be used on any type of machine, component, physical device, virtual equipment, computer storage medium or device to be interpreted by or to provide instructions or data to a processing device. It can be embodied in . Software may be distributed over networked computer systems and stored or executed in a distributed manner. Software and data may be stored on one or more computer-readable recording media.

실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다.  상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다.  상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다.  컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다.  프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다.  The method according to the embodiment may be implemented in the form of program instructions that can be executed through various computer means and recorded on a computer-readable medium. The computer-readable medium may include program instructions, data files, data structures, etc., singly or in combination. Program instructions recorded on the medium may be specially designed and configured for the embodiment or may be known and available to those skilled in the art of computer software. Examples of computer-readable recording media include magnetic media such as hard disks, floppy disks, and magnetic tapes, optical media such as CD-ROMs and DVDs, and magnetic media such as floptical disks. -Includes optical media (magneto-optical media) and hardware devices specifically configured to store and execute program instructions, such as ROM, RAM, flash memory, etc. Examples of program instructions include machine language code, such as that produced by a compiler, as well as high-level language code that can be executed by a computer using an interpreter, etc.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.  예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited examples and drawings, various modifications and variations can be made by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques are performed in a different order than the described method, and/or components of the described system, structure, device, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components are used. Alternatively, appropriate results may be achieved even if substituted or substituted by an equivalent.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents of the claims also fall within the scope of the claims described below.

Claims (8)

위상 편이 풀 브리지 컨버터에 있어서,
1차측 회로 및 2차측 회로를 포함하고,
상기 1차측 회로는,
제1 스위치(Q1)와 제2 스위치(Q2)가 직렬로 연결되고, 제3 스위치(Q3)와 제4 스위치(Q4)가 직렬로 연결되며, 제1 스위치(Q1)와 제2 스위치(Q2) 간의 연결 단과 제3 스위치(Q3)와 제4 스위치(Q4) 간의 연결 단에 1차측 변압기가 연결되고,
상기 2차측 회로는,
제1 스위치(SR1)와 제2 스위치(SR2)가 직렬로 연결되고, 제1 스위치(SR1)와 제2 스위치(SR2) 간의 연결 단에 2차측 제1 변압기(T21)와 제2 변압기(T22)가 병렬로 연결되며, 2차측 제1 변압기(T21)의 또 다른 일단은 제1 다이오드(DB1)과 연결되고, 제1 다이오드(DB1)의 또 다른 일단은 제1 인덕터(Lo1)와 연결되고, 2차측 제2 변압기(T22)의 또 다른 일단은 제2 다이오드(DB2)과 연결되고, 제2 다이오드(DB2)의 또 다른 일단은 제2 인덕터(Lo2)와 연결되는
위상 편이 풀 브리지 컨버터.
In the phase shift full bridge converter,
Includes a primary circuit and a secondary circuit,
The primary circuit is,
The first switch (Q1) and the second switch (Q2) are connected in series, the third switch (Q3) and the fourth switch (Q4) are connected in series, and the first switch (Q1) and the second switch (Q2) are connected in series. ) The primary transformer is connected to the connection terminal between the third switch (Q3) and the fourth switch (Q4),
The secondary circuit is,
The first switch (SR1) and the second switch (SR2) are connected in series, and a secondary first transformer (T21) and a second transformer (T22) are connected at the connection terminal between the first switch (SR1) and the second switch (SR2). ) are connected in parallel, another end of the first transformer (T21) on the secondary side is connected to the first diode (DB1), and another end of the first diode (DB1) is connected to the first inductor (Lo1) , Another end of the second transformer (T22) on the secondary side is connected to the second diode (DB2), and another end of the second diode (DB2) is connected to the second inductor (Lo2).
Phase shift full bridge converter.
제1항에 있어서,
정상 동작 단계(Normal Operation)에서,
1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 동시에 온 될 때, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 동시에 온 될 때, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작하는
위상 편이 풀 브리지 컨버터.
According to paragraph 1,
In normal operation,
When the first switch (Q1) and the fourth switch (Q4) on the primary side are turned on at the same time, the first switch (SR1) on the secondary side is turned on and operates in powering mode, and the second switch (Q2) on the primary side is turned on. And when the third switch (Q3) is turned on at the same time, the second switch (SR2) on the secondary side is turned on and operates in powering mode.
Phase shift full bridge converter.
제1항에 있어서,
부스트 동작 단계(Boost Operation)에서,
정상 동작 단계에서의 2차측 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 PWM(Pulse Width Modulation)이 위상 지연되어 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 파워 모드로 동작하고,
1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 파워 모드로 동작하는
위상 편이 풀 브리지 컨버터.
According to paragraph 1,
In the boost operation phase,
In the normal operation phase, the PWM (Pulse Width Modulation) of the first switch SR1 and the second switch SR2 on the secondary side are phase delayed, so that the first switch Q1 and the fourth switch Q4 on the primary side are turned on, When the second switch (SR2) on the secondary side is turned on, it operates in build-up mode, the first switch (Q1) and the fourth switch (Q4) on the primary side are turned on, and the first switch on the secondary side When (SR1) is turned on, it operates in power mode,
The second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on, and when the first switch (SR1) on the secondary side is turned on, it operates in build-up mode, and the second switch on the primary side (Q2) and the third switch (Q3) are turned on, and the second switch (SR2) on the secondary side is turned on, operating in power mode.
Phase shift full bridge converter.
제3항에 있어서,
빌드-업 모드에서 제1 인덕터(Lo1) 및 제2 인덕터(Lo2)의 전류를 빌드-업하고,
파워 모드에서 빌드-업된 전류를 출력단으로 파워링(Powering)함으로써 부스트 동작을 수행하는
위상 편이 풀 브리지 컨버터.
According to paragraph 3,
In build-up mode, build-up the current of the first inductor (Lo1) and the second inductor (Lo2),
In power mode, boost operation is performed by powering the built-up current to the output stage.
Phase shift full bridge converter.
제4항에 있어서,
제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 전압 스트레스가 출력 전압으로 클램핑(Clamping)되며, 부스트 동작(Boost Operation)을 통해 전압 게인(Voltage Gain)을 증가시키는
위상 편이 풀 브리지 컨버터.
According to clause 4,
The voltage stress of the first switch (SR1) and the second switch (SR2) is clamped to the output voltage, and the voltage gain is increased through a boost operation.
Phase shift full bridge converter.
1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 동시에 온 될 때, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 동시에 온 될 때, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 되어 파워 모드(Powering Mode)로 동작하는 정상 동작 단계(Normal Operation); 및
정상 동작 단계에서의 2차측 제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 PWM(Pulse Width Modulation)이 위상 지연되어 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제1 스위치(Q1) 및 제4 스위치(Q4)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 파워 모드로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제1 스위치(SR1)가 온 될 때 빌드-업 모드(Build-up Mode)로 동작하고, 1차측 제2 스위치(Q2) 및 제3 스위치(Q3)가 온 되며, 2차측 제2 스위치(SR2)가 온 될 때 파워 모드로 동작하는 부스트 동작 단계(Boost Operation)
를 포함하는 위상 편이 풀 브리지 컨버터의 동작 방법.
When the first switch (Q1) and the fourth switch (Q4) on the primary side are turned on at the same time, the first switch (SR1) on the secondary side is turned on and operates in powering mode, and the second switch (Q2) on the primary side is turned on. And when the third switch (Q3) is turned on at the same time, the second switch (SR2) on the secondary side is turned on and operates in power mode (Normal Operation); and
In the normal operation phase, the PWM (Pulse Width Modulation) of the first switch SR1 and the second switch SR2 on the secondary side are phase delayed, so that the first switch Q1 and the fourth switch Q4 on the primary side are turned on, When the second switch (SR2) on the secondary side is turned on, it operates in build-up mode, the first switch (Q1) and the fourth switch (Q4) on the primary side are turned on, and the first switch on the secondary side When (SR1) is turned on, it operates in power mode, the second switch (Q2) and third switch (Q3) on the primary side are turned on, and when the first switch (SR1) on the secondary side is turned on, it operates in build-up mode (Build-up mode). -up Mode), the second switch (Q2) and the third switch (Q3) on the primary side are turned on, and the boost operation stage (Boost Operation) operates in power mode when the second switch (SR2) on the secondary side is turned on. )
Operating method of a phase shift full bridge converter including.
제6항에 있어서,
부스트 동작 단계(Boost Operation)에서,
빌드-업 모드에서 제1 인덕터(Lo1) 및 제2 인덕터(Lo2)의 전류를 빌드-업하고,
파워 모드에서 빌드-업된 전류를 출력단으로 파워링(Powering)함으로써 부스트 동작을 수행하는
위상 편이 풀 브리지 컨버터의 동작 방법.
According to clause 6,
In the boost operation phase,
In build-up mode, build-up the current of the first inductor (Lo1) and the second inductor (Lo2),
In power mode, boost operation is performed by powering the built-up current to the output stage.
How a phase shift full bridge converter works.
제7항에 있어서,
제1 스위치(SR1) 및 제2 스위치(SR2)의 전압 스트레스가 출력 전압으로 클램핑(Clamping)되며, 부스트 동작(Boost Operation)을 통해 전압 게인(Voltage Gain)을 증가시키는
위상 편이 풀 브리지 컨버터의 동작 방법.
In clause 7,
The voltage stress of the first switch (SR1) and the second switch (SR2) is clamped to the output voltage, and the voltage gain is increased through a boost operation.
How a phase shift full bridge converter works.
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KR101622139B1 (en) 2014-12-23 2016-05-19 한국에너지기술연구원 Converter having the series combination of the outputs of full-bridge converter and llc converter
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KR20200084592A (en) * 2019-01-03 2020-07-13 한국과학기술원 High Efficiency Asymmetrical Half-Bridge Converter With Wide Input Voltage Range

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