KR20230166350A - Display device - Google Patents

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KR20230166350A
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이모세
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 투과성 물질로 형성되고, 연신 가능한 하부 기판, 상기 하부 기판 상에 배치되고, 복수의 판 패턴과 복수의 배선 패턴으로 구성되는 패턴층, 상기 복수의 판 패턴 각각의 상부에 배치되는 복수의 발광 소자, 상기 복수의 배선 패턴 각각의 상부에 배치되는 복수의 연신 배선 및 복수의 배선 패턴 상에 배치되고, 상기 복수의 연신 배선을 덮는 차광 부재를 포함하여, 투명하면서 연신 가능한 표시 장치를 구현할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate that is made of a transmissive material and can be stretched, a pattern layer disposed on the lower substrate and composed of a plurality of plate patterns and a plurality of wiring patterns, and the plurality of plate patterns. Transparent, including a plurality of light-emitting elements disposed on each of the plurality of light-emitting elements, a plurality of stretched wirings disposed on an upper portion of each of the plurality of wiring patterns, and a light blocking member disposed on the plurality of wiring patterns and covering the plurality of stretched wirings, It is possible to implement a display device that can be stretched while doing so.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 연신 가능한 스트레쳐블 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more specifically to a stretchable display device that can be stretched.

컴퓨터의 모니터나 TV, 핸드폰 등에 사용되는 표시 장치에는 스스로 광을 발광하는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 등과 별도의 광원을 필요로 하는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)등이 있다.Display devices used in computer monitors, TVs, mobile phones, etc. include organic light emitting displays (OLED) that emit light on their own, and liquid crystal displays (LCD) that require a separate light source. there is.

표시 장치는 컴퓨터의 모니터 및 TV 뿐만 아니라 개인 휴대 기기까지 그 적용 범위가 다양해지고 있으며, 넓은 표시 면적을 가지면서도 감소된 부피 및 무게를 갖는 표시 장치에 대한 연구가 진행되고 있다.The scope of application of display devices is becoming more diverse, including not only computer monitors and TVs but also personal portable devices, and research is being conducted on display devices that have a large display area but reduced volume and weight.

또한, 최근에는 플렉서블(flexible) 소재인 플라스틱 등과 같이 유연성 있는 기판에 표시부, 배선 등을 형성하여, 특정 방향으로 신축이 가능하고 다양한 형상으로 변화가 가능하게 제조되는 표시 장치가 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.In addition, recently, display devices that are manufactured by forming the display portion and wiring on a flexible substrate such as plastic, which can expand and contract in a specific direction and change into various shapes, are attracting attention as next-generation display devices. there is.

본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 외광을 투과시키면서 연신가능한 표시 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a display device that can be stretched while transmitting external light.

본 발명에서 해결하고자 하는 다른 과제는 연신 배선에 의한 외광 반사를 최소화시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a display device that can minimize external light reflection due to stretched wiring.

본 발명에서 해결하고자 하는 또 다른 과제는 연신 신뢰성을 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a display device that can improve stretching reliability.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 투과성 물질로 형성되고, 연신 가능한 하부 기판, 상기 하부 기판 상에 배치되고, 복수의 판 패턴과 복수의 배선 패턴으로 구성되는 패턴층, 상기 복수의 판 패턴 각각의 상부에 배치되는 복수의 발광 소자, 상기 복수의 배선 패턴 각각의 상부에 배치되는 복수의 연신 배선 및 복수의 배선 패턴 상에 배치되고, 상기 복수의 연신 배선을 덮는 차광 부재를 포함하여, 투명하면서 연신 가능한 표시 장치를 구현할 수 있다.In order to solve the above-described problem, a display device according to an embodiment of the present invention is formed of a transparent material, has an extendable lower substrate, is disposed on the lower substrate, and has a plurality of plate patterns and a plurality of wiring patterns. A pattern layer is formed, a plurality of light emitting elements disposed on each of the plurality of plate patterns, a plurality of stretched wirings disposed on an upper portion of each of the plurality of wiring patterns, and disposed on the plurality of wiring patterns, and the plurality of stretched wirings are disposed on the plurality of wiring patterns. A display device that is transparent and stretchable can be implemented by including a light blocking member that covers wiring.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 복수의 강성 기판 사이에 미세 패턴을 형성하여, 연신시 박리 현상을 방지할 수 있다.The present invention can prevent peeling during stretching by forming a fine pattern between a plurality of rigid substrates.

본 발명은 배선 연장 방향에 대응되도록 배선 앵커를 형성하여, 연신율 최대화 및 신뢰성 향상을 도모할 수 있다.In the present invention, the wire anchor is formed to correspond to the wire extension direction, thereby maximizing the elongation rate and improving reliability.

본 발명은 연신 배선에 반도체층을 배치하여 트랜지스터를 구성함으로써, 연신 배선에 인가되는 전압을 변경시킬 수 있다.In the present invention, the voltage applied to the stretched wiring can be changed by forming a transistor by disposing a semiconductor layer on the stretched wiring.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited to the details exemplified above, and further various effects are included within the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2 및 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역에 대한 확대 평면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 절단선 Ⅳ-Ⅳ'에 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 절단선 Ⅴ-Ⅴ'에 따라 절단한 단면도이다.
도 6는 도 3에 도시된 절단선 Ⅵ-Ⅵ'에 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 하나의 투과 영역의 연신된 경우를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 연신 배선을 연장 방향에 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 연신 배선을 연장 방향의 수직 방향에 따라 절단한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치의 직선 영역에 대한 확대 평면도이다.
도 11는 도 10에 도시된 절단선 XI- XI'에 따라 절단한 단면도이다.
도 12는 도 10에 도시된 절단선 XII-XII'에 따라 절단한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치의 직선 영역에 대한 확대 평면도이다.
도 14는 도 13에 도시된 절단선 XIV- XIV'에 따라 절단한 단면도이다.
도 15는 도 13에 도시된 절단선 XV-XV'에 따라 절단한 단면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치의 배선 앵커가 구성하는 트랜지스터를 도시한 회로도이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예(제5 실시예)에 따른 표시 장치의 직선 영역에 대한 확대 평면도이다.
도 18은 도 17에 도시된 절단선 XVIII- XVIII'에 따라 절단한 단면도이다.
도 19는 도 17에 도시된 절단선 XIX-XIX'에 따라 절단한 단면도이다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예(제5 실시예)에 따른 표시 장치의 배선 앵커가 구성하는 트랜지스터를 도시한 회로도이다.
1 is a plan view of a display device according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are enlarged plan views of the display area of a display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view taken along the cutting line IV-IV' shown in Figure 2.
Figure 5 is a cross-sectional view taken along the cutting line V-V' shown in Figure 3.
Figure 6 is a cross-sectional view taken along the cutting line VI-VI' shown in Figure 3.
FIG. 7 is a diagram illustrating a case in which one transparent area is stretched in a display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 8 is a cross-sectional view of an extended wiring of a display device according to another embodiment of the present invention cut along the extension direction.
Figure 9 is a cross-sectional view of the stretched wiring of a display device according to another embodiment of the present invention cut along the vertical direction of the extension direction.
Figure 10 is an enlarged plan view of a straight area of a display device according to another embodiment (third embodiment) of the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the cutting line XI-XI' shown in FIG. 10.
FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the cutting line XII-XII' shown in FIG. 10.
Figure 13 is an enlarged plan view of a straight area of a display device according to another embodiment (fourth embodiment) of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the cutting line XIV-XIV' shown in FIG. 13.
FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the cutting line XV-XV' shown in FIG. 13.
FIG. 16 is a circuit diagram showing a transistor included in a wiring anchor of a display device according to another embodiment (fourth embodiment) of the present invention.
Figure 17 is an enlarged plan view of a straight area of a display device according to another embodiment (fifth embodiment) of the present invention.
FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII' shown in FIG. 17.
FIG. 19 is a cross-sectional view taken along the cutting line XIX-XIX' shown in FIG. 17.
FIG. 20 is a circuit diagram showing a transistor included in a wiring anchor of a display device according to another embodiment (fifth embodiment) of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms, and only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and are known to those skilled in the art in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shape, area, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'comprises', 'has', 'consists of', etc. mentioned in the present invention are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.When an element or layer is referred to as “on” another element or layer, it includes instances where the other layer or other element is directly on top of or interposed between the other elements.

그리고, '접속' 또는 '연결'되는 것으로 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두개의 구성 요소 사이에 위치한 하나 이상의 다른 구성 요소를 통하여 접속' 또는 '연결' 되는 것을 포함할 수 있다. And, when described as being 'connected' or 'connected', unless 'immediately' or 'directly' is used, it includes being 'connected' or 'connected' through one or more other components located between two components. can do.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.Additionally, first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The area and thickness of each component shown in the drawings are shown for convenience of explanation, and the present invention is not necessarily limited to the area and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be combined or combined with each other, partially or entirely, and various technological interconnections and operations are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other or together in a related relationship. It may be possible.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 휘거나 늘어나도 화상 표시가 가능한 표시 장치이며, 스트레쳐블 표시 장치, 신축성 표시 장치 및 연신가능한 표시 장치으로도 지칭될 수 있다. 표시 장치는 종래의 일반적인 표시 장치와 비교하여 높은 가요성(Flexibility)을 가질 뿐만 아니라, 연신성(Stretchability)를 가질 수 있다. 이에, 사용자가 표시 장치를 휘게 하거나 늘어나게 할 수 있을 뿐만 아니라, 사용자의 조작에 따라 표시 장치의 형상이 자유롭게 변경될 수 있다. 예를 들어, 사용자가 표시 장치의 끝 단을 잡고 잡아당기는 경우 표시 장치는 사용자가 잡아당기는 방향으로 늘어날 수 있다. 또는, 사용자가 표시 장치를 평평하지 않은 외면에 배치시키는 경우, 표시 장치는 벽면의 외면의 형상을 따라 휘어지도록 배치될 수 있다. 또한, 사용자에 의해 가해지는 힘이 제거되는 경우, 표시 장치는 다시 본래의 형태로 복원될 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention is a display device capable of displaying an image even when bent or stretched, and may also be referred to as a stretchable display device, a stretchable display device, and a stretchable display device. A display device may have high flexibility and stretchability compared to a conventional display device. Accordingly, not only can the user bend or stretch the display device, but the shape of the display device can be freely changed according to the user's manipulation. For example, when a user holds the end of the display device and pulls it, the display device may stretch in the direction in which the user pulls it. Alternatively, when a user places the display device on a non-flat outer surface, the display device may be arranged to be curved following the shape of the outer surface of the wall. Additionally, when the force applied by the user is removed, the display device can be restored to its original form.

<스트레쳐블 기판 및 패턴층><Stretchable substrate and pattern layer>

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 1 is a plan view of a display device according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역에 대한 확대 평면도이다. 2 and 3 are enlarged plan views of the display area of a display device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 2에 도시된 절단선 Ⅳ-Ⅳ'에 따라 절단한 단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view taken along the cutting line IV-IV' shown in Figure 2.

구체적으로, 도 2 및 3은 도 1에 도시된 A 영역의 확대 평면도이다. 도 2는 차광 부재(BM)를 제외한 확대 평면도이고, 도 3은 차광 부재(BM)를 포함한 확대 평면도이다.Specifically, Figures 2 and 3 are enlarged plan views of area A shown in Figure 1. FIG. 2 is an enlarged plan view excluding the light blocking member BM, and FIG. 3 is an enlarged plan view including the light blocking member BM.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 하부 기판(111), 패턴층(120), 복수의 화소(PX), 게이트 드라이버(GD), 데이터 드라이버(DD) 및 파워 서플라이(PS)를 포함할 수 있다. 그리고, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 충진층(190) 및 상부 기판(112)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the display device 100 according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate 111, a pattern layer 120, a plurality of pixels (PX), a gate driver (GD), and a data driver (DD). and a power supply (PS). And, referring to FIG. 4 , the display device 100 according to an embodiment of the present invention may further include a filling layer 190 and an upper substrate 112.

하부 기판(111)은 표시 장치(100)의 여러 구성요소들을 지지하고 보호하기 위한 기판이다. 그리고, 상부 기판(112)은 표시 장치(100)의 여러 구성요소들을 커버하고 보호하기 위한 기판이다. 즉, 하부 기판(111)은 화소(PX), 게이트 드라이버(GD) 및 파워 서플라이(PS)이 형성된 패턴층(120)을 지지하는 기판이다. 그리고, 상부 기판(112)는 화소(PX), 게이트 드라이버(GD) 및 파워 서플라이(PS)를 덮는 기판이다.The lower substrate 111 is a substrate for supporting and protecting various components of the display device 100. Additionally, the upper substrate 112 is a substrate for covering and protecting various components of the display device 100. That is, the lower substrate 111 is a substrate that supports the pattern layer 120 on which the pixel (PX), gate driver (GD), and power supply (PS) are formed. And, the upper substrate 112 is a substrate that covers the pixel (PX), gate driver (GD), and power supply (PS).

하부 기판(111) 및 상부 기판(112) 각각은 투과성을 가지는 연성 기판으로서 휘어지거나 늘어날 수 있는 절연 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 하부 기판(111) 및 상부 기판(112) 각각은 폴리 다이 메탈 실록산(polydimethylsiloxane; PDMS)과 같은 실리콘 고무(Silicone Rubber), 또는 폴리 우레탄(polyurethane; PU) 및 PTFE(polytetrafluoroethylene) 등의 탄성 중합체(elastomer)로 이루어질 있으며, 이에, 유연한 성질을 가질 수 있다. 그리고, 하부 기판(111) 및 상부 기판(112)의 재질은 동일할 수 있으나 이에 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.Each of the lower substrate 111 and the upper substrate 112 is a transparent flexible substrate and may be made of an insulating material that can be bent or stretched. For example, each of the lower substrate 111 and the upper substrate 112 is made of silicone rubber such as polydimethylsiloxane (PDMS), or polyurethane (PU) and polytetrafluoroethylene (PTFE). It is made of an elastomer and, therefore, may have flexible properties. Additionally, the materials of the lower substrate 111 and the upper substrate 112 may be the same, but are not limited thereto and may be modified in various ways.

하부 기판(111) 및 상부 기판(112) 각각은 연성 기판으로서, 팽창 및 수축이 가역적으로 가능할 수 있다. 이에, 하부 기판(111)은 하부 스트레쳐블 기판, 하부 신축 기판, 하부 연신 기판, 하부 연성 기판, 하부 가요성 기판, 제1 스트레쳐블 기판, 제1 신축 기판, 제1 연신 기판, 제1 연성 기판 또는 제1 가요성 기판으로도 지칭될 수 있고, 상부 기판(112)은 상부 스트레쳐블 기판, 상부 신축 기판, 상부 연신 기판, 상부 연성 기판, 상부 가요성 기판, 제2 스트레쳐블 기판, 제2 신축 기판 제2 연신 기판, 제2 연성 기판 또는 제2 가요성 기판으로도 지칭될 수 있다. 또한 하부 기판(111) 및 상부 기판(112)의 탄성 계수(Modulus of elasticity)가 수 MPa 내지 수 백 MPa일 수 있다. 그리고, 하부 기판(111) 및 상부 기판(112)의 연성 파괴율(ductile breaking rate)이 100% 이상일 수 있다. 여기서, 연성 파괴율이란 연신되는 객체가 파괴되거나 크랙되는 시점에서의 연신율을 의미한다. 하부 기판의 두께는 10um 내지 1mm일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Each of the lower substrate 111 and the upper substrate 112 is a flexible substrate and can be reversibly expanded and contracted. Accordingly, the lower substrate 111 includes a lower stretchable substrate, a lower stretchable substrate, a lower stretched substrate, a lower flexible substrate, a lower flexible substrate, a first stretchable substrate, a first stretchable substrate, a first stretched substrate, and a first stretchable substrate. It may also be referred to as a flexible substrate or a first flexible substrate, and the upper substrate 112 is an upper stretchable substrate, an upper stretchable substrate, an upper stretched substrate, an upper flexible substrate, an upper flexible substrate, and a second stretchable substrate. , the second stretchable substrate may also be referred to as a second stretched substrate, a second flexible substrate, or a second flexible substrate. Additionally, the modulus of elasticity of the lower substrate 111 and the upper substrate 112 may be several MPa to several hundred MPa. Additionally, the ductile breaking rate of the lower substrate 111 and the upper substrate 112 may be 100% or more. Here, the ductile fracture rate means the elongation rate at the point when the stretched object is destroyed or cracked. The thickness of the lower substrate may be 10um to 1mm, but is not limited thereto.

하부 기판(111)은 표시 영역(Active Area; AA) 및 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역(Non-active Area; NA)을 가질 수 있다. 다만, 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(Non-active Area; NA)은 하부 기판(111)에만 국한 되어 언급되는 것이 아니라 표시 장치 전반에 걸쳐서 언급될 수 있다.The lower substrate 111 may have a display area (Active Area) and a non-active area (NA) surrounding the display area (AA). However, the display area (AA) and the non-display area (NA) are not limited to the lower substrate 111 but may be referred to throughout the display device.

표시 영역(AA)은 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역이다. 표시 영역(AA)에는 복수의 화소(PX)가 배치된다. 그리고, 각각의 화소(PX)는 발광 소자 및 발광 소자를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들을 포함할 수 있다. 다양한 구동 소자들은 적어도 하나의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT) 및 커패시터(Capacitor)를 의미할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 그리고, 복수의 화소(PX) 각각은 다양한 배선과 연결될 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소(PX) 각각은 게이트 배선, 데이터 배선, 고전위 전압 배선, 저전위 전압 배선, 기준 배선 및 초기화 전압 배선 등과 같은 다양한 배선과 연결될 수 있다.The display area AA is an area where an image is displayed on the display device 100. A plurality of pixels PX are arranged in the display area AA. Additionally, each pixel PX may include a light-emitting element and various driving elements for driving the light-emitting element. The various driving elements may include at least one thin film transistor (TFT) and a capacitor, but are not limited thereto. Additionally, each of the plurality of pixels (PX) may be connected to various wiring lines. For example, each of the plurality of pixels (PX) may be connected to various wires such as a gate wire, a data wire, a high-potential voltage wire, a low-potential voltage wire, a reference wire, and an initialization voltage wire.

한편, 도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 영역(AA)은 발광 소자가 발광하는 발광 영역(EA), 외광을 투과시키는 투과 영역(TA) 및 외광이 투과되지 않는 차광 영역(BA)을 포함할 수 있다.Meanwhile, referring to Figures 2 and 3, the display area (AA) includes a light emitting area (EA) through which the light emitting device emits light, a transmission area (TA) through which external light is transmitted, and a light blocking area (BA) through which external light is not transmitted. can do.

발광 영역(EA)은 복수의 화소(PX)에 배치된 발광 소자가 발광하는 영역으로, 표시 영역(AA)중 복수의 화소(PX)가 배치되는 영역을 의미한다. 그리고, 투과 영역(TA)은 외광을 투과시키는 영역으로, 하부 기판(111) 및 상부 기판(112)의 영역 중 차광 부재(BM)가 배치되지 않는 영역을 의미한다. 그리고, 차광 영역(BA)은 외광이 투과되지 않는 영역으로, 발광 영역(EA) 및 투과 영역(TA)을 제외한 영역을 의미한다. 그리고 차광 영역(BA)에는 복수의 화소(PX)를 연결하는 연신 배선(181, 182) 및 이를 덮는 차광 부재(BM)가 배치될 수 있다.The light emitting area EA is an area where the light emitting elements arranged in the plurality of pixels PX emit light, and refers to an area in the display area AA where the plurality of pixels PX are arranged. Additionally, the transmission area TA is an area that transmits external light and refers to an area of the lower substrate 111 and the upper substrate 112 where the light blocking member BM is not disposed. And, the light blocking area (BA) is an area through which external light does not transmit, and refers to an area excluding the light emitting area (EA) and the transmission area (TA). In addition, stretched wires 181 and 182 connecting the plurality of pixels PX and a light blocking member BM covering them may be disposed in the light blocking area BA.

그리고, 발광 영역(EA)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 배치되는 매트릭스 형태로 복수 개로 분리되어 배치될 수 있다. 그리고, 차광 영역(BA)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 배치된 발광 영역(EA)을 연결하도록 제1 방향(X) 또는 제2 방향(Y)으로 연장될 수 있다. 그리고, 투과 영역(TA)은 서로 마주보는 차광 영역(BA) 사이에 배치되거나, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)에 대해서 대각 방향으로 마주보는 발광 영역(EA) 사이에 배치될 수 있다. 그리고 투과 영역(TA) 또한 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 배치되는 매트릭스 형태로 복수 개로 분리되어 배치될 수 있다.Additionally, the light emitting area EA may be separated into a plurality of pieces and arranged in a matrix arranged in the first direction (X) and the second direction (Y). Additionally, the light blocking area BA may extend in the first direction (X) or the second direction (Y) to connect the light emitting area (EA) arranged in the first direction (X) and the second direction (Y). . In addition, the transmission area (TA) may be disposed between the light blocking areas (BA) facing each other, or between the light emitting areas (EA) facing diagonally in the first direction (X) and the second direction (Y). You can. Additionally, the transmission area TA may also be arranged separately into a plurality of pieces in the form of a matrix arranged in the first direction (X) and the second direction (Y).

비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역이다. 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 인접한 영역일 수 있다. 그리고, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 인접하여 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 비표시 영역(NA)은 하부 기판(111) 중 표시 영역(AA)을 제외한 영역에 해당하고, 이는 다양한 형상으로 변형 및 분리될 수 있다. 비표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 화소(PX)를 구동하기 위한 구성요소가 배치된다. 비표시 영역(NA)에는 게이트 드라이버(GD) 및 파워 서플라이(PS)가 배치될 수 있다. 그리고, 비표시 영역(NA)에는 게이트 드라이버(GD) 및 데이터 드라이버(DD)와 연결되는 복수의 패드가 배치될 수 있으며, 각각의 패드는 표시 영역(AA)의 복수의 화소(PX) 각각과 연결될 수 있다.The non-display area (NA) is an area where images are not displayed. The non-display area (NA) may be an area adjacent to the display area (AA). Additionally, the non-display area NA may be an area adjacent to the display area AA and surrounding the display area AA. However, the non-display area NA corresponds to an area of the lower substrate 111 excluding the display area AA, and may be deformed and separated into various shapes. Components for driving the plurality of pixels PX arranged in the display area AA are arranged in the non-display area NA. A gate driver (GD) and a power supply (PS) may be disposed in the non-display area (NA). In addition, a plurality of pads connected to the gate driver (GD) and the data driver (DD) may be disposed in the non-display area (NA), and each pad is connected to each of the plurality of pixels (PX) in the display area (AA). can be connected

하부 기판(111) 상에는 표시 영역(AA)에 배치되는 복수의 내부 판(plate) 패턴(121) 및 복수의 내부 배선(line) 패턴(122)과 비표시 영역(NA)에 배치되는 복수의 외부 판(plate) 패턴(123) 및 복수의 외부 배선(line) 패턴(124)을 포함하는 패턴층(120)이 배치된다. On the lower substrate 111, a plurality of internal plate patterns 121 and a plurality of internal line patterns 122 are arranged in the display area AA, and a plurality of external patterns are arranged in the non-display area NA. A pattern layer 120 including a plate pattern 123 and a plurality of external line patterns 124 is disposed.

복수의 내부 판 패턴(121)은 하부 기판(111)의 표시 영역(AA)에 배치되어, 복수의 내부 판 패턴(121) 상에는 복수의 화소(PX)가 형성된다. 그리고, 복수의 외부 판 패턴(123)은 하부 기판(111)의 비표시 영역(NA)에 배치될 수 있다. 그리고, 복수의 외부 판 패턴(123) 상에는 게이트 드라이버(GD) 및 파워 서플라이(PS)가 형성된다. The plurality of internal plate patterns 121 are disposed in the display area AA of the lower substrate 111, and a plurality of pixels PX are formed on the plurality of internal plate patterns 121. Additionally, the plurality of external plate patterns 123 may be disposed in the non-display area NA of the lower substrate 111 . Then, a gate driver (GD) and a power supply (PS) are formed on the plurality of external plate patterns 123.

상술한, 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)은 서로 이격되는 아일랜드 형태로 배치될 수 있다. 즉, 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)에 대하여 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123) 각각은 개별적으로 분리될 수 있다. 이에, 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)은 제1 아일랜드 패턴(first island pattern) 및 제2 아일랜드 패턴(second island pattern) 혹은 제1 개별 패턴(first individual pattern) 및 제2 개별 패턴(second individual pattern)으로 지칭될 수 있다.The plurality of inner plate patterns 121 and the plurality of outer plate patterns 123 described above may be arranged in an island shape spaced apart from each other. That is, the plurality of internal plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123 may be arranged in a matrix form with respect to the first direction (X) and the second direction (Y). Each of the plurality of inner plate patterns 121 and the plurality of outer plate patterns 123 may be individually separated. Accordingly, the plurality of internal plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123 include a first island pattern, a second island pattern, or a first individual pattern and It may be referred to as a second individual pattern.

구체적으로, 복수의 내부 판 패턴(121)에는 발광 소자를 포함하는 복수의 화소(PX)가 배치될 수 있다. 복수의 내부 판 패턴(121)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)에 대해서 마름모 형상일 수 있다. 즉, 복수의 내부 판 패턴(121)의 일변은 대각 방향인 제3 방향(D1) 또는 제4 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 이에 따라, 복수의 내부 판 패턴(121) 상에 형성되는 복수의 화소(PX) 또한, 제3 방향(D1) 또는 제4 방향(D2)으로 연장되는 형태일 수 있다.Specifically, a plurality of pixels (PX) including light-emitting elements may be disposed in the plurality of internal plate patterns 121. The plurality of internal plate patterns 121 may have a diamond shape with respect to the first direction (X) and the second direction (Y). That is, one side of the plurality of internal plate patterns 121 may extend in the diagonal third direction D1 or fourth direction D2. Accordingly, the plurality of pixels PX formed on the plurality of internal plate patterns 121 may also extend in the third direction D1 or the fourth direction D2.

이에, 투과 영역(TA)의 엣지는 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)이 수직으로 교차된 직각형태가 아닌 제3 방향(D1) 또는 제4 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 즉, 투과 영역(TA)은 8각형과 같은 4각형 이상의 다각형태일 수 있다.Accordingly, the edge of the transmission area (TA) may extend in the third direction (D1) or the fourth direction (D2) rather than in a right angle shape where the first direction (X) and the second direction (Y) perpendicularly intersect. . That is, the transmission area TA may have a polygonal shape of 4 or more, such as an octagon.

그리고, 복수의 외부 판 패턴(123)에는 게이트 드라이버(GD)가 실장될 수 있다. 게이트 드라이버(GD)는 내부 판 패턴(121) 상의 다양한 구성요소 제조 시 게이트 인 패널(Gate In Panel; GIP) 방식으로 외부 판 패턴(123) 상에 형성될 수 있다. 이에, 복수의 외부 판 패턴(123) 상에는 다양한 트랜지스터, 커패시터, 배선 등과 같은 게이트 드라이버(GD)를 구성하는 다양한 회로 구성이 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 게이트 드라이버(GD)는 COF(Chip on Film) 방식으로 실장될 수도 있다. Additionally, gate drivers (GD) may be mounted on the plurality of external plate patterns 123. The gate driver (GD) may be formed on the outer plate pattern 123 using a gate in panel (GIP) method when manufacturing various components on the inner plate pattern 121. Accordingly, various circuit configurations constituting the gate driver (GD), such as various transistors, capacitors, wiring, etc., may be disposed on the plurality of external plate patterns 123. However, the gate driver (GD) is not limited to this and may be mounted using a COF (Chip on Film) method.

그리고, 복수의 외부 판 패턴(123)에는 파워 서플라이(PS)가 실장될 수 있다. 파워 서플라이(PS)는 내부 판 패턴(121) 상의 다양한 구성요소 제조 시 패터닝되는 복수의 파워 블록으로 외부 판 패턴(123) 상에 형성될 수 있다. 이에, 외부 판 패턴(123)에는 상에는 서로 다른층에 배치되는 파워 블록이 배치될 수 있다. 즉, 제2 판 패턴(123) 상에는 하부 파워 블록 및 상부 파워 블록이 순차적으로 배치될 수 있다. 그리고, 하부 파워 블록에는 저전위 전압이 인가될 수 있고, 상부 파워 블록에는 고전위 전압이 인가될 수 있다. 이에, 하부 파워 블록을 통해 저전위 전압이 복수의 화소(PX)에 공급될 수 있다. 그리고, 상부 파워 블록을 통해 고전위 전압이 복수의 화소(PX)에 공급될 수 있다.Additionally, a power supply (PS) may be mounted on the plurality of external plate patterns 123. The power supply (PS) may be formed on the outer plate pattern 123 with a plurality of power blocks that are patterned when manufacturing various components on the inner plate pattern 121. Accordingly, power blocks arranged in different layers may be disposed on the outer plate pattern 123. That is, the lower power block and the upper power block may be sequentially arranged on the second plate pattern 123. Additionally, a low potential voltage may be applied to the lower power block, and a high potential voltage may be applied to the upper power block. Accordingly, low-potential voltage may be supplied to the plurality of pixels (PX) through the lower power block. Additionally, a high potential voltage may be supplied to the plurality of pixels (PX) through the upper power block.

도 1을 참조하면, 복수의 외부 판 패턴(123)의 크기는 복수의 내부 판 패턴(121)의 크기보다 클 수 있다. 구체적으로, 복수의 외부 판 패턴(123) 각각의 크기는 복수의 내부 판 패턴(121) 각각의 크기보다 클 수 있다. 상술한 바와 같이, 복수의 외부 판 패턴(123) 각각에는 게이트 드라이버(GD)가 배치되고, 복수의 외부 판 패턴(123) 각각에는 게이트 드라이버(GD)의 하나의 스테이지가 배치될 수 있다. 이에, 게이트 드라이버(GD)의 하나의 스테이지를 구성하는 다양한 회로 구성이 차지하는 면적이 화소(PX)가 차지 면적보다 상대적으로 더 크므로, 복수의 외부 판 패턴(123) 각각의 크기는 복수의 내부 판 패턴(121) 각각의 크기보다 클 수 있다.Referring to FIG. 1, the size of the plurality of external plate patterns 123 may be larger than the size of the plurality of internal plate patterns 121. Specifically, the size of each of the plurality of external plate patterns 123 may be larger than the size of each of the plurality of internal plate patterns 121. As described above, a gate driver (GD) may be disposed on each of the plurality of external plate patterns 123, and one stage of the gate driver (GD) may be disposed on each of the plurality of external plate patterns 123. Accordingly, since the area occupied by various circuit configurations constituting one stage of the gate driver (GD) is relatively larger than the area occupied by the pixel (PX), the size of each of the plurality of external plate patterns 123 is smaller than that of the plurality of internal plate patterns 123. The size of each plate pattern 121 may be larger.

도 1에서는 복수의 외부 판 패턴(123)이 비표시 영역(NA)에서 제1 방향(X)의 양측에 배치되는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않고 비표시 영역(NA)의 임의의 영역에 배치될 수 있다. 또한, 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)이 사각형의 형태로 도시되었으나, 이에 제한되지 않고, 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)은 다양한 형태로 변형가능하다.In FIG. 1, the plurality of external plate patterns 123 are shown as being disposed on both sides of the first direction (X) in the non-display area (NA), but are not limited thereto and may be disposed in any area of the non-display area (NA). It can be. In addition, the plurality of internal plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123 are shown in a square shape, but are not limited thereto, and the plurality of internal plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123 are It can be transformed into various forms.

도 1을 참조하면, 패턴층(120)은 표시 영역(AA)에 배치되는 복수의 내부 배선(line) 패턴(122)과 비표시 영역(NA)에 배치되는 복수의 외부 배선(line) 패턴(124)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the pattern layer 120 includes a plurality of internal line patterns 122 disposed in the display area AA and a plurality of external line patterns 122 disposed in the non-display area NA. 124) may be further included.

복수의 내부 배선 패턴(122)은 표시 영역(AA)에 배치되고 서로 인접하는 내부 판 패턴(121)을 연결하는 패턴으로, 내부 배선 패턴으로 지칭될 수 있다. 즉, 복수의 내부 판 패턴(121) 사이에는 복수의 내부 배선 패턴(122)이 배치된다. 이에, 복수의 내부 배선 패턴(122)은 제1 방향(X) 또는 제2 방향(Y)으로 연장될 수 있다.The plurality of internal wiring patterns 122 are arranged in the display area AA and connect adjacent internal plate patterns 121 to each other, and may be referred to as internal wiring patterns. That is, a plurality of internal wiring patterns 122 are disposed between the plurality of internal plate patterns 121. Accordingly, the plurality of internal wiring patterns 122 may extend in the first direction (X) or the second direction (Y).

복수의 외부 배선 패턴(124)은 비표시 영역(NA)에 배치되고, 서로 인접하는 내부 판 패턴(121)과 외부 판 패턴(123)을 연결하거나, 서로 인접하는 복수의 외부 판 패턴(123)을 연결하는 패턴일 수 있다. 따라서, 복수의 외부 배선 패턴(124)은 외부 배선 패턴으로 지칭될 수 있다. 이에, 복수의 외부 배선 패턴(124) 또한 제1 방향(X) 또는 제2 방향(Y)으로 연장될 수 있다.The plurality of external wiring patterns 124 are disposed in the non-display area (NA) and connect the internal plate patterns 121 and the external plate patterns 123 that are adjacent to each other, or form a plurality of external wiring patterns 123 that are adjacent to each other. It may be a pattern that connects. Accordingly, the plurality of external wiring patterns 124 may be referred to as external wiring patterns. Accordingly, the plurality of external wiring patterns 124 may also extend in the first direction (X) or the second direction (Y).

그리고, 복수의 외부 배선 패턴(124)은 서로 인접하는 내부 판 패턴(121)과 외부 판 패턴(123) 사이, 및 서로 인접한 복수의 외부 판 패턴(123) 사이에 배치될 수 있다. 도 1을 참조하면, 복수의 내부 배선 패턴(122) 및 외부 배선 패턴(124)은 굴곡진 형상을 가진다. 예를 들면, 복수의 내부 배선 패턴(122) 및 외부 배선 패턴(124)은 사인파 형상을 가질 수 있다. 다만, 복수의 내부 배선 패턴(122) 및 외부 배선 패턴(124)의 형상은 이에 제한되지 않으며, 예를 들어, 복수의 내부 배선 패턴(122) 및 외부 배선 패턴(124)은 지그재그 형상으로 연장될 수도 있다. 또는, 복수의 내부 배선 패턴(122) 및 외부 배선 패턴(124)의 형상은 복수의 마름모 모양의 기판들이 꼭지점에서 연결되어 연장되는 등의 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 도 1에 도시된 복수의 내부 배선 패턴(122) 및 외부 배선 패턴(124)의 개수 및 형상은 예시적인 것이며, 복수의 내부 배선 패턴(122) 및 외부 배선 패턴(124)의 개수 및 형상은 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.Additionally, the plurality of external wiring patterns 124 may be disposed between the inner plate patterns 121 and the outer plate patterns 123 that are adjacent to each other, and between the plurality of external plate patterns 123 that are adjacent to each other. Referring to FIG. 1, the plurality of internal wiring patterns 122 and external wiring patterns 124 have a curved shape. For example, the plurality of internal wiring patterns 122 and external wiring patterns 124 may have a sine wave shape. However, the shapes of the plurality of internal wiring patterns 122 and external wiring patterns 124 are not limited to this, and for example, the plurality of internal wiring patterns 122 and external wiring patterns 124 may extend in a zigzag shape. It may be possible. Alternatively, the shapes of the plurality of internal wiring patterns 122 and the external wiring patterns 124 may have various shapes, such as a plurality of diamond-shaped substrates connected at the vertices and extending. In addition, the number and shape of the plurality of internal wiring patterns 122 and external wiring patterns 124 shown in FIG. 1 are exemplary, and the number and shape of the plurality of internal wiring patterns 122 and external wiring patterns 124 are can change in various ways depending on the design.

그리고, 복수의 내부 판 패턴(121), 복수의 내부 배선 패턴(122), 복수의 외부 판 패턴(123) 및 복수의 외부 배선 패턴(124)은 강성 패턴이다. 즉, 복수의 내부 판 패턴(121), 복수의 내부 배선 패턴(122), 복수의 외부 판 패턴(123) 및 복수의 외부 배선 패턴(124)은 하부 기판(111) 및 상부 기판(112)과 비교하여 강성(Rigid)일 수 있다. 따라서, 복수의 내부 판 패턴(121), 복수의 내부 배선 패턴(122), 복수의 외부 판 패턴(123) 및 복수의 외부 배선 패턴(124)의 탄성 계수(Modulus of elasticity)는 하부 기판(111)의 탄성 계수(Modulus of elasticity) 보다 높을 수 있다. 탄성 계수(Modulus of elasticity)는 기판에 가해지는 응력에 대하여 변형되는 비율을 나타내는 파라미터로서, 탄성 계수가 상대적으로 높을 경우 경도(Hardness)가 상대적으로 높을 수 있다. 이에, 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 내부 배선 패턴(122) 및 복수의 외부 판 패턴(123) 및 복수의 외부 배선 패턴(124) 각각은 복수의 제1 강성 패턴, 복수의 제2 강성 패턴, 복수의 제3 강성 패턴 및 복수의 제4 강성 패턴으로 지칭될 수 있다. 복수의 내부 판 패턴(121), 복수의 내부 배선 패턴(122), 복수의 외부 판 패턴(123) 및 복수의 외부 배선 패턴(124)의 탄성 계수는 하부 기판(111) 및 상부 기판(112)의 탄성 계수보다 1000배 이상 높을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Additionally, the plurality of internal plate patterns 121, the plurality of internal wiring patterns 122, the plurality of external plate patterns 123, and the plurality of external wiring patterns 124 are rigid patterns. That is, the plurality of internal plate patterns 121, the plurality of internal wiring patterns 122, the plurality of external plate patterns 123, and the plurality of external wiring patterns 124 are connected to the lower substrate 111 and the upper substrate 112. In comparison, it may be rigid. Accordingly, the modulus of elasticity of the plurality of internal plate patterns 121, the plurality of internal wiring patterns 122, the plurality of external plate patterns 123, and the plurality of external wiring patterns 124 is the lower substrate 111. ) may be higher than the modulus of elasticity. The modulus of elasticity is a parameter that represents the rate of deformation relative to the stress applied to the substrate. When the modulus of elasticity is relatively high, the hardness may be relatively high. Accordingly, the plurality of internal plate patterns 121, the plurality of internal wiring patterns 122, the plurality of external plate patterns 123, and the plurality of external wiring patterns 124 each include a plurality of first rigid patterns and a plurality of second rigid patterns. It may be referred to as a rigidity pattern, a plurality of third rigidity patterns, and a plurality of fourth rigidity patterns. The elastic moduli of the plurality of internal plate patterns 121, the plurality of internal wiring patterns 122, the plurality of external plate patterns 123, and the plurality of external wiring patterns 124 are the lower substrate 111 and the upper substrate 112. It may be more than 1000 times higher than the elastic modulus of, but is not limited to this.

복수의 강성 기판인 복수의 내부 판 패턴(121), 복수의 내부 배선 패턴(122), 복수의 외부 판 패턴(123) 및 복수의 외부 배선 패턴(124)은 하부 기판(111) 및 상부 기판(112)보다 낮은 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 복수의 내부 판 패턴(121), 복수의 내부 배선 패턴(122), 복수의 외부 판 패턴(123) 및 복수의 외부 배선 패턴(124)은 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 및 폴리아세테이트(polyacetate)중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수도 있다. 이때, 복수의 내부 판 패턴(121), 복수의 내부 배선 패턴(122), 복수의 외부 판 패턴(123) 및 복수의 외부 배선 패턴(124)은 동일한 물질로 이루어질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있다. 복수의 내부 판 패턴(121), 복수의 내부 배선 패턴(122), 복수의 외부 판 패턴(123) 및 복수의 외부 배선 패턴(124)이 동일한 물질로 이루어지는 경우, 일체형으로 이루어질 수 있다.A plurality of internal plate patterns 121, a plurality of internal wiring patterns 122, a plurality of external plate patterns 123, and a plurality of external wiring patterns 124, which are a plurality of rigid substrates, are formed on the lower substrate 111 and the upper substrate ( 112) and may be made of a plastic material with lower flexibility. For example, the plurality of internal plate patterns 121, the plurality of internal wiring patterns 122, the plurality of external plate patterns 123, and the plurality of external wiring patterns 124 are made of polyimide (PI) or polyacrylic. It may be made of at least one material selected from polyacrylate and polyacetate. At this time, the plurality of internal plate patterns 121, the plurality of internal wiring patterns 122, the plurality of external plate patterns 123, and the plurality of external wiring patterns 124 may be made of the same material, but are not limited thereto. , may be made of different materials. When the plurality of internal plate patterns 121, the plurality of internal wiring patterns 122, the plurality of external plate patterns 123, and the plurality of external wiring patterns 124 are made of the same material, they may be formed as one piece.

몇몇 실시예에서, 하부 기판(111)은 복수의 제1 하부 패턴 및 제2 하부 패턴을 포함하는 것으로 정의될 수 있다. 복수의 제1 하부 패턴은 하부 기판(111) 중 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)과 중첩하는 영역일 수 있다. 제2 하부 패턴은 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)과 중첩하지 않는 영역일 수 있다. In some embodiments, the lower substrate 111 may be defined as including a plurality of first lower patterns and a plurality of second lower patterns. The plurality of first lower patterns may be areas that overlap the plurality of inner plate patterns 121 and the plurality of outer plate patterns 123 of the lower substrate 111 . The second lower pattern may be an area that does not overlap the plurality of inner plate patterns 121 and the plurality of outer plate patterns 123.

또한, 상부 기판(112)은 복수의 제1 상부패턴 및 제2 상부패턴을 포함하는 것으로 정의될 수 있다. 복수의 제1 상부패턴은 상부 기판(112) 중 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)과 중첩하는 영역일 수 있으며, 제2 상부패턴은 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)과 중첩하지 중첩하지 않는 영역일 수 있다. Additionally, the upper substrate 112 may be defined as including a plurality of first and second upper patterns. The plurality of first upper patterns may be areas that overlap the plurality of inner plate patterns 121 and the plurality of outer plate patterns 123 of the upper substrate 112, and the second upper patterns may be regions of the plurality of inner plate patterns 121. ) and may be an area that does not overlap with the plurality of external plate patterns 123.

이때, 복수의 제1 하부 패턴 및 제1 상부 패턴의 탄성 계수는 제2 하부 패턴 및 제2 상부 패턴의 탄성 계수보다 클 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 하부 패턴 및 제1 상부 패턴은 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 제2 하부 패턴 및 제2 상부 패턴은 복수의 내부 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)보다 낮은 탄성 계수를 갖는 물질로 이루어질 수 있다.At this time, the elastic modulus of the plurality of first lower patterns and the first upper pattern may be greater than that of the second lower pattern and the second upper pattern. For example, the plurality of first lower patterns and the first upper patterns may be made of the same material as the plurality of inner plate patterns 121 and the plurality of outer plate patterns 123, and the second lower patterns and the second upper patterns may be made of the same material. may be made of a material having a lower elastic modulus than the plurality of inner plate patterns 121 and the plurality of outer plate patterns 123.

즉, 제1 하부 패턴 및 제1 상부 패턴은 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 또는 폴리아세테이트(polyacetate) 등으로 이루어질 수도 있고, 제2 하부 패턴 및 및 제2 상부 패턴은 폴리 다이 메탈 실록산(polydimethylsiloxane; PDMS)과 같은 실리콘 고무(Silicone Rubber), 폴리 우레탄(polyurethane; PU), 또는 PTFE(polytetrafluoroethylene) 등의 탄성 중합체(elastomer)로 이루어질 수 있다.That is, the first lower pattern and the first upper pattern may be made of polyimide (PI), polyacrylate, or polyacetate, and the second lower pattern and the second upper pattern may be made of polyimide (PI), polyacrylate, or polyacetate. It may be made of an elastomer such as silicone rubber such as polydimethylsiloxane (PDMS), polyurethane (PU), or polytetrafluoroethylene (PTFE).

<비표시 영역 구동 소자><Non-display area driving element>

게이트 드라이버(GD)는 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 화소(PX)로 게이트 전압을 공급하는 구성요소이다. 게이트 드라이버(GD)는 복수의 외부 판 패턴(123) 상에 형성된 복수의 스테이지를 포함하고, 게이트 드라이버(GD)의 각각의 스테이지는 복수의 게이트 연신 배선을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 어느 하나의 스테이지에서 출력된 게이트 전압을 다른 스테이지에 전달할 수 있다. 그리고, 각각의 스테이지는 각각의 스테이지와 연결된 복수의 화소(PX)에 순차적으로 게이트 전압을 공급할 수 있다.The gate driver (GD) is a component that supplies gate voltage to a plurality of pixels (PX) arranged in the display area (AA). The gate driver (GD) includes a plurality of stages formed on a plurality of external plate patterns 123, and each stage of the gate driver (GD) may be electrically connected to each other through a plurality of gate stretching wires. Therefore, the gate voltage output from one stage can be transferred to another stage. Additionally, each stage may sequentially supply a gate voltage to a plurality of pixels (PX) connected to each stage.

파워 서플라이(PS)는 게이트 드라이버(GD)에 연결되어, 게이트 구동 전압 및 게이트 클럭 전압을 공급할 수 있다. 그리고, 파워 서플라이(PS)는 복수의 화소(PX)에 연결되어, 복수의 화소(PX) 각각에 화소 구동 전압을 공급할 수 있다. 또한, 파워 서플라이(PS)는 복수의 외부 판 패턴(123) 상에 형성될 수 있다. 즉 파워 서플라이(PS)는 외부 판 패턴(123)상에서 게이트 드라이버(GD)에 인접되게 형성될 수 있다. 그리고, 복수의 외부 판 패턴(123)에 형성된 파워 서플라이(PS) 각각은 게이트 드라이버(GD) 및 복수의 화소(PX)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 복수의 외부 판 패턴(123)에 형성된 복수의 파워 서플라이(PS)는 게이트 전원 연신 배선 및 화소 전원 연신 배선에 의해 연결될 수 있다. 이에, 복수의 파워 서플라이(PS) 각각은 게이트 구동 전압, 게이트 클럭 전압 및 화소 구동 전압을 공급할 수 있다.The power supply (PS) is connected to the gate driver (GD) and can supply a gate driving voltage and a gate clock voltage. Additionally, the power supply PS may be connected to a plurality of pixels PX and supply a pixel driving voltage to each of the plurality of pixels PX. Additionally, the power supply (PS) may be formed on the plurality of external plate patterns 123. That is, the power supply (PS) may be formed adjacent to the gate driver (GD) on the external plate pattern 123. Additionally, each of the power supplies PS formed on the plurality of external plate patterns 123 may be electrically connected to the gate driver GD and the plurality of pixels PX. That is, a plurality of power supplies PS formed on the plurality of external plate patterns 123 may be connected by a gate power supply extension wire and a pixel power supply extension wire. Accordingly, each of the plurality of power supplies (PS) may supply a gate driving voltage, a gate clock voltage, and a pixel driving voltage.

인쇄 회로 기판(PCB)은 발광 소자를 구동하기 위한 신호 및 전압을 제어부로부터 발광 소자로 전달하는 구성이다. 이에, 인쇄 회로 기판(PCB)은 구동 기판으로도 지칭될 수 있다. 인쇄 회로 기판(PCB)에는 IC 칩, 회로부 등과 같은 제어부가 장착될 수 있다. 또한, 인쇄 회로 기판(PCB)에는 메모리, 프로세서 등도 장착될 수 있다. 그리고, 표시 장치(100)에 구비되는 인쇄 회로 기판(PCB)은 연신성(stretchability)을 확보하기 위하여, 연신 영역과 비연신 영역을 포함할 수 있다. 그리고 비연신 영역에는 IC 칩, 회로부, 메모리, 프로세서 등도 장착될 수 있고, 연신 영역에는 IC 칩, 회로부, 메모리, 프로세서와 전기적으로 연결되는 배선들이 배치될 수 있다. A printed circuit board (PCB) is a component that transmits signals and voltages for driving a light-emitting device from a control unit to the light-emitting device. Accordingly, a printed circuit board (PCB) may also be referred to as a driving board. A printed circuit board (PCB) may be equipped with control units such as IC chips and circuit units. Additionally, memory, processors, etc. may be mounted on the printed circuit board (PCB). Additionally, the printed circuit board (PCB) provided in the display device 100 may include a stretched region and a non-stretched region to ensure stretchability. Additionally, IC chips, circuits, memory, processors, etc. may be installed in the non-stretched area, and wires electrically connected to the IC chip, circuits, memory, and processor may be placed in the stretched area.

데이터 드라이버(DD)는 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 화소(PX)로 데이터 전압을 공급하는 구성요소이다. 데이터 드라이버(DD)는 IC칩 형태로 구성될 수 있어 데이터 집적 회로(D-IC)로도 지칭될 수 있다. 그리고, 데이터 드라이버(DD)는 인쇄 회로 기판(PCB)의 비연신 영역에 탑재될 수 있다. 즉, 데이터 드라이버(DD)는 COB(Chip On Board)의 형태로 인쇄 회로 기판(PCB)에 실장될 수 있다. 다만, 도 1에서는 데이터 드라이버(DD)가 COF(Chip On Film) 방식으로 실장되는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 데이터 드라이버(DD)는 COF(Chip on Board), COG(Chip On Glass), TCP (Tape Carrier Package) 등의 방식으로 실장될 수도 있다. The data driver DD is a component that supplies data voltage to a plurality of pixels PX arranged in the display area AA. The data driver (DD) may be configured in the form of an IC chip and may also be referred to as a data integrated circuit (D-IC). Additionally, the data driver DD may be mounted on a non-stretched area of a printed circuit board (PCB). That is, the data driver DD may be mounted on a printed circuit board (PCB) in the form of a chip on board (COB). However, in Figure 1, the data driver (DD) is shown as being mounted in a COF (Chip On Film) method, but the data driver (DD) is not limited to this, and may be mounted on a COF (Chip on Board), COG (Chip On Glass), It may be mounted using a method such as TCP (Tape Carrier Package).

또한, 도 1에서는 표시 영역(AA)에 배치된 일렬의 내부 판 패턴(121)에 대응하도록 하나의 데이터 드라이버(DD)가 배치되는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 복수개 열의 내부 판 패턴(121)에 대응하도록 하나의 데이터 드라이버(DD)가 배치될 수 있다.Additionally, in FIG. 1 , one data driver DD is shown to be disposed to correspond to a row of internal plate patterns 121 disposed in the display area AA, but the present invention is not limited thereto. That is, one data driver DD may be arranged to correspond to the plurality of rows of internal plate patterns 121.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 표시 영역(AA)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 4를 함께 참조한다. 그리고, 설명의 편의를 위해, 복수의 내부 판 패턴(121)은 복수의 판 패턴(121)으로 명명하고, 복수의 내부 배선 패턴(122)은 복수의 배선 패턴(122)으로 명명한다.Hereinafter, FIG. 4 will be referred to for a more detailed description of the display area AA of the display device 100 according to an embodiment of the present invention. For convenience of explanation, the plurality of internal plate patterns 121 are referred to as a plurality of plate patterns 121, and the plurality of internal wiring patterns 122 are referred to as a plurality of wiring patterns 122.

<표시 영역의 평면 및 단면 구조><Plan and section structure of display area>

도 4를 참조하면, 복수의 판 패턴(121)은 하부 기판(111) 상에 배치되는 하부 판 패턴(121a) 및 하부 판 패턴(121a) 상에 배치되는 상부 판 패턴(121b)을 포함한다. 그리고, 복수의 배선 패턴(122)은 하부 기판(111) 상에 배치되는 하부 배선 패턴(122a) 및 하부 배선 패턴(122a) 상에 배치되는 상부 배선 패턴(122b)을 포함한다. 즉, 패턴층(120)은 하부 기판(111) 상에 배치되고, 복수의 하부 판 패턴(121a) 및 복수의 하부 배선 패턴(122a)으로 구성되는 하부 패턴층(121a, 122a)과 상기 하부 패턴층(121a, 122a) 상에 배치되고, 복수의 상부 판 패턴(121b) 및 복수의 상부 배선 패턴(122b)으로 구성되는 상부 패턴층(121b, 122b)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the plurality of plate patterns 121 include a lower plate pattern 121a disposed on the lower substrate 111 and an upper plate pattern 121b disposed on the lower plate pattern 121a. Additionally, the plurality of wiring patterns 122 includes a lower wiring pattern 122a disposed on the lower substrate 111 and an upper wiring pattern 122b disposed on the lower wiring pattern 122a. That is, the pattern layer 120 is disposed on the lower substrate 111 and includes lower pattern layers 121a and 122a consisting of a plurality of lower plate patterns 121a and a plurality of lower wiring patterns 122a, and the lower pattern It is disposed on the layers 121a and 122a and may include upper pattern layers 121b and 122b composed of a plurality of upper plate patterns 121b and a plurality of upper wiring patterns 122b.

도 2 및 4를 참조하면, 복수의 판 패턴(121) 상에는 복수의 서브 화소(SPX)를 포함하는 화소(PX)가 배치된다. 그리고, 서브 화소(SPX) 각각은 발광 소자(170) 및 발광 소자(170)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(160) 및 스위칭 트랜지스터(150)로 구성되는 화소 회로를 포함할 수 있다. 다만, 서브 화소(SPX)에서 발광 소자는 LED로 제한되는 것이 아니라, 유기 발광 다이오드로 변경될 수 있다. 그리고, 복수의 서브 화소(SPX)는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 복수의 서브 화소(SPX)의 색상은 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 4 , a pixel PX including a plurality of sub-pixels SPX is disposed on the plurality of plate patterns 121 . Additionally, each sub-pixel SPX may include a pixel circuit including a light-emitting device 170, a driving transistor 160 for driving the light-emitting device 170, and a switching transistor 150. However, the light-emitting device in the sub-pixel (SPX) is not limited to LED, but may be changed to organic light-emitting diode. Additionally, the plurality of sub-pixels (SPX) may include a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, but are not limited thereto, and the colors of the plurality of sub-pixels (SPX) may be changed in various ways as needed. there is.

보다 구체적으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 화소 회로를 구성하는 구동 트랜지스터(160), 스위칭 트랜지스터(150) 및 발광 소자(170)는 복수의 상부 판 패턴(121b) 상에 배치된다.More specifically, as shown in FIG. 4, the driving transistor 160, switching transistor 150, and light emitting device 170 that constitute the pixel circuit are disposed on a plurality of upper plate patterns 121b.

도 2를 참조하면, 복수의 서브 화소(SPX)는 복수의 연신 배선(181, 182)과 연결될 수 있다. 즉, 복수의 서브 화소(SPX)는 제1 방향(X)으로 연장되는 제1 연신 배선(181)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 복수의 서브 화소(SPX)는 제2 방향(Y)으로 연장되는 제2 연신 배선(182)과 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 2 , a plurality of sub-pixels (SPX) may be connected to a plurality of stretched wires 181 and 182. That is, the plurality of sub-pixels SPX may be electrically connected to the first stretched wiring 181 extending in the first direction (X). Additionally, the plurality of sub-pixels SPX may be electrically connected to the second stretched wiring 182 extending in the second direction (Y).

보다 구체적으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 연신 배선(181)은 하부 배선 패턴(122a) 상에 배치되는 제1 하부 연신 배선(181a) 및 상부 배선 패턴(122b) 상에 배치되는 제1 상부 연신 배선(181b)을 포함할 수 있다. 그리고, 도 3에 도시된 바와 같이 제2 연신 배선(182)은 하부 배선 패턴(122a) 상에 배치되는 제2 하부 연신 배선(182a) 및 상부 배선 패턴(122b) 상에 배치되는 제2 상부 연신 배선(182b)을 포함할 수 있다.More specifically, as shown in FIG. 4, the first stretched wiring 181 is a first lower stretched wiring 181a disposed on the lower wiring pattern 122a and a first stretched wiring 181a disposed on the upper wiring pattern 122b. 1 May include an upper elongated wiring 181b. And, as shown in FIG. 3, the second stretched wiring 182 is a second lower stretched wiring 182a disposed on the lower wiring pattern 122a and a second upper stretched wiring disposed on the upper wiring pattern 122b. It may include a wiring 182b.

그리고, 복수의 하부 판 패턴(121a) 상에는 복수의 상부 판 패턴(121b)이 배치된다. 그리고, 하부 판 패턴(121a)과 상부 판 패턴(121b)이 접하는 면에는 미세 패턴이 형성될 수 있다. 상술한 미세 패턴은 하부 판 패턴(121a)과 상부 판 패턴(121b)을 앵커링(Anchoring)시킬 수 있다. 이에, 표시 장치(100)가 연신될 때, 보다 효과적으로 미세 패턴은 하부 판 패턴(121a)과 상부 판 패턴(121b)을 결합시켜, 박리되는 현상을 방지할 수 있다.And, a plurality of upper plate patterns 121b are disposed on the plurality of lower plate patterns 121a. Additionally, a fine pattern may be formed on the surface where the lower plate pattern 121a and the upper plate pattern 121b contact each other. The above-described fine pattern can anchor the lower plate pattern 121a and the upper plate pattern 121b. Accordingly, when the display device 100 is stretched, the fine pattern can more effectively combine the lower plate pattern 121a and the upper plate pattern 121b to prevent peeling.

상술한 미세 패턴은 코로나 방전(Corona Discharge)처리를 통해 얻을 수 있으며, 하부 판 패턴(121a)과 상부 판 패턴(121b)이 접하는 면의 표면 개질을 통해 하부 판 패턴(121a)과 상부 판 패턴(121b) 간의 접착력 향상시킬 수 있다.The above-described fine pattern can be obtained through corona discharge treatment, and the lower plate pattern 121a and the upper plate pattern (121a) are formed through surface modification of the surface where the lower plate pattern 121a and the upper plate pattern 121b are in contact. 121b) Adhesion between livers can be improved.

보다 구체적으로, 코로나 방전 처리는 고전압을 이용해 대기에 존재하는 자유전자나 기체를 이온화시키고 가속화시킨 뒤, 가속화된 자유전자가 기재 표면에 충돌되면서 미세한 요철이 생겨, 미세 패턴을 형성할 수 있다.More specifically, corona discharge treatment uses high voltage to ionize and accelerate free electrons or gases present in the atmosphere, and then the accelerated free electrons collide with the surface of the substrate, creating fine irregularities, forming a fine pattern.

여기서, 미세 패턴의 거칠기(roughness)는 수십 나노미터에서 수백 나노미터 단위로 형성될 수 있으나, 수백 나노미터 단위로 형성하는 것이 바람직하다.Here, the roughness of the fine pattern may be formed in units of tens of nanometers to hundreds of nanometers, but it is preferable to form it in units of hundreds of nanometers.

상술한, 코로나 방전 처리의 속도 및 처리의 세기에 따라 미세 패턴이 달리 형성될 수 있다, 예를 들어 미세 패턴은 균일하고 낮은 거칠기를 가지거나, 다양한 거칠기가 혼용되어 있거나, 거칠기의 밀도가 낮게 형성될 수 있다.As described above, the fine pattern may be formed differently depending on the speed and intensity of the corona discharge treatment. For example, the fine pattern may have uniform and low roughness, various roughnesses may be mixed, or the roughness density may be low. It can be.

그리고, 복수의 상부 판 패턴(121b) 상에는 복수의 무기 절연층이 배치된다. 예를 들어, 복수의 무기 절연층은 버퍼층(141), 게이트 절연층(142), 제1 층간 절연층(143), 제2 층간 절연층(144) 및 패시베이션층(145)을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않고, 복수의 상부 판 패턴(121b) 상에는 다양한 무기 절연층이 추가적으로 배치되거나 무기 절연층인 버퍼층(141), 게이트 절연층(142), 제1 층간 절연층(143), 제2 층간 절연층(144) 및 패시베이션층(145) 중 하나 이상이 생략될 수도 있다.And, a plurality of inorganic insulating layers are disposed on the plurality of upper plate patterns 121b. For example, the plurality of inorganic insulating layers may include a buffer layer 141, a gate insulating layer 142, a first interlayer insulating layer 143, a second interlayer insulating layer 144, and a passivation layer 145. , but is not limited thereto, and various inorganic insulating layers are additionally disposed on the plurality of upper plate patterns 121b, or are inorganic insulating layers such as a buffer layer 141, a gate insulating layer 142, a first interlayer insulating layer 143, and a second interlayer insulating layer. One or more of the interlayer insulating layer 144 and the passivation layer 145 may be omitted.

구체적으로, 복수의 상부 판 패턴(121b) 상에 버퍼층(141)이 배치된다. 버퍼층(141)은 하부 기판(111) 및 복수의 상부 판 패턴(121b) 외부로부터의 수분(H2O) 및 산소(O2) 등의 침투로부터 표시 장치(100)의 다양한 구성요소들을 보호하기 위해 복수의 상부 판 패턴(121b) 상에 형성된다. 버퍼층(141)은 절연 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(141)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 및 실리콘 산화질화물(SiON)중 적어도 하나로 이루어지는 단층 또는 복층으로 구성될 수 있다. 다만, 버퍼층(141)은 표시 장치(100)의 구조나 특성에 따라 생략될 수도 있다.Specifically, the buffer layer 141 is disposed on the plurality of upper plate patterns 121b. The buffer layer 141 protects various components of the display device 100 from penetration of moisture (H 2 O) and oxygen (O 2 ) from the outside of the lower substrate 111 and the plurality of upper plate patterns 121b. It is formed on a plurality of upper plate patterns 121b. The buffer layer 141 may be made of an insulating material. For example, the buffer layer 141 may be composed of a single layer or a double layer made of at least one of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), and silicon oxynitride (SiON). However, the buffer layer 141 may be omitted depending on the structure or characteristics of the display device 100.

이때, 버퍼층(141)은 하부 기판(111)이 복수의 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)과 중첩되는 영역에만 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이 버퍼층(141)은 무기물로 이루어질 수 있으므로, 표시 장치(100)를 연신하는 과정에서 쉽게 크랙(crack)이 발생되는 등 손상될 수 있다. 이에, 버퍼층(141)은 복수의 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123) 사이의 영역에는 형성되지 않고, 복수의 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)의 형상으로 패터닝되어 복수의 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123) 상부에만 형성될 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 버퍼층(141)을 강성 패턴인 복수의 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)과 중첩되는 영역에만 형성하여 표시 장치(100)가 휘거나 늘어나는 등 변형되는 경우에도 표시 장치(100)의 다양한 구성요소들의 손상을 방지할 수 있다. At this time, the buffer layer 141 may be formed only in the area where the lower substrate 111 overlaps the plurality of plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123. As described above, since the buffer layer 141 may be made of an inorganic material, it may easily be damaged, such as by generating cracks, during the process of stretching the display device 100. Accordingly, the buffer layer 141 is not formed in the area between the plurality of plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123, but is formed in the shape of the plurality of plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123. It may be patterned and formed only on top of the plurality of plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123. Accordingly, the display device 100 according to an embodiment of the present invention forms the buffer layer 141 only in the area overlapping with the plurality of plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123, which are rigid patterns, to form a display device ( Even when the 100 is deformed, such as being bent or stretched, damage to various components of the display device 100 can be prevented.

도 4를 참조하면, 버퍼층(141) 상에는 게이트 전극(151), 액티브층(152), 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)을 포함하는 스위칭 트랜지스터(150) 및 게이트 전극(161), 액티브층(162), 소스 전극 및 드레인 전극(164)을 포함하는 구동 트랜지스터(160)가 형성된다. Referring to FIG. 4, on the buffer layer 141 is a switching transistor 150 including a gate electrode 151, an active layer 152, a source electrode 153, and a drain electrode 154, and a gate electrode 161, an active transistor A driving transistor 160 including a layer 162, a source electrode, and a drain electrode 164 is formed.

먼저, 버퍼층(141) 상에는 스위칭 트랜지스터(150)의 액티브층(152) 및 구동 트랜지스터(160)의 액티브층(162)이 배치된다. 예를 들어, 스위칭 트랜지스터(150)의 액티브층(152) 및 구동 트랜지스터(160)의 액티브층(162) 각각은 산화물 반도체로 형성될 수도 있다 또는, 스위칭 트랜지스터(150)의 액티브층(152) 및 구동 트랜지스터(160)의 액티브층(162)은 비정질 실리콘(amorpho113 silicon, a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon, poly-Si), 또는 유기물(organic) 반도체 등으로 형성될 수 있다.First, the active layer 152 of the switching transistor 150 and the active layer 162 of the driving transistor 160 are disposed on the buffer layer 141. For example, each of the active layer 152 of the switching transistor 150 and the active layer 162 of the driving transistor 160 may be formed of an oxide semiconductor, or the active layer 152 of the switching transistor 150 and The active layer 162 of the driving transistor 160 may be formed of amorphous silicon (a-Si), polycrystalline silicon (poly-Si), or an organic semiconductor.

스위칭 트랜지스터(150)의 액티브층(152) 및 구동 트랜지스터(160)의 액티브층(162) 상에는 게이트 절연층(142)이 배치된다. 게이트 절연층(142)은 스위칭 트랜지스터(150)의 게이트 전극(151)과 스위칭 트랜지스터(150)의 액티브층(152)을 전기적으로 절연시키고, 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161)과 구동 트랜지스터(160)의 액티브층(162)을 전기적으로 절연시키기 위한 층이다. 그리고, 게이트 절연층(142)은 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(142)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.A gate insulating layer 142 is disposed on the active layer 152 of the switching transistor 150 and the active layer 162 of the driving transistor 160. The gate insulating layer 142 electrically insulates the gate electrode 151 of the switching transistor 150 and the active layer 152 of the switching transistor 150, and electrically insulates the gate electrode 161 of the driving transistor 160 and the driving transistor. It is a layer for electrically insulating the active layer 162 of (160). And, the gate insulating layer 142 may be made of an insulating material. For example, the gate insulating layer 142 may be composed of a single layer of inorganic silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or a multiple layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), but is limited thereto. It doesn't work.

게이트 절연층(142) 상에는 스위칭 트랜지스터(150)의 게이트 전극(151) 및 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161)이 배치된다. 스위칭 트랜지스터(150)의 게이트 전극(151) 및 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161)은 게이트 절연층(142) 상에서 서로 이격되도록 배치된다. 그리고, 스위칭 트랜지스터(150)의 게이트 전극(151)은 스위칭 트랜지스터(150)의 액티브층(152)과 중첩하고, 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161)은 구동 트랜지스터(160)의 액티브층(162)과 중첩한다.The gate electrode 151 of the switching transistor 150 and the gate electrode 161 of the driving transistor 160 are disposed on the gate insulating layer 142. The gate electrode 151 of the switching transistor 150 and the gate electrode 161 of the driving transistor 160 are arranged to be spaced apart from each other on the gate insulating layer 142. In addition, the gate electrode 151 of the switching transistor 150 overlaps the active layer 152 of the switching transistor 150, and the gate electrode 161 of the driving transistor 160 overlaps the active layer ( 162).

스위칭 트랜지스터(150)의 게이트 전극(151) 및 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161) 각각은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Each of the gate electrode 151 of the switching transistor 150 and the gate electrode 161 of the driving transistor 160 is made of various metal materials, such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold ( It may be one or an alloy of two or more of Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

스위칭 트랜지스터(150)의 게이트 전극(151) 및 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161) 상에는 제1 층간 절연층(143)이 배치된다. 제1 층간 절연층(143)은 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161)과 중간 금속층(IM)을 절연시킨다. 제1 층간 절연층(143)은 버퍼층(141)과 동일하게 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 층간 절연층(143)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.A first interlayer insulating layer 143 is disposed on the gate electrode 151 of the switching transistor 150 and the gate electrode 161 of the driving transistor 160. The first interlayer insulating layer 143 insulates the gate electrode 161 of the driving transistor 160 and the intermediate metal layer IM. The first interlayer insulating layer 143 may be made of the same inorganic material as the buffer layer 141. For example, the first interlayer insulating layer 143 may be composed of a single layer of inorganic silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or a multiple layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx). It is not limited to this.

제1 층간 절연층(143) 상에는 중간 금속층(IM)이 배치된다. 그리고, 중간 금속층(IM)은 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161)과 중첩한다. 이에, 중간 금속층(IM)과 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161)의 중첩 영역에서, 스토리지 커패시터가 형성된다. 구체적으로 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161), 제1 층간 절연층(143) 및 중간 금속층(IM)은 저장 커패시터를 형성된다. 다만, 중간 금속층(IM)의 배치 영역은 이에 한정되지 않고, 중간 금속층(IM)은 다른 전극과 중첩되어 다양하게 저장 커패시터를 형성할 수 있다.An intermediate metal layer (IM) is disposed on the first interlayer insulating layer 143. Additionally, the intermediate metal layer IM overlaps the gate electrode 161 of the driving transistor 160. Accordingly, a storage capacitor is formed in the overlapping area between the intermediate metal layer IM and the gate electrode 161 of the driving transistor 160. Specifically, the gate electrode 161 of the driving transistor 160, the first interlayer insulating layer 143, and the intermediate metal layer IM form a storage capacitor. However, the arrangement area of the intermediate metal layer (IM) is not limited to this, and the intermediate metal layer (IM) may overlap with other electrodes to form various storage capacitors.

중간 금속층(IM)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The intermediate metal layer (IM) is made of various metal materials, such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and It may be any one of copper (Cu), an alloy of two or more, or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

중간 금속층(IM) 상에는 제2 층간 절연층(144)이 배치된다. 제2 층간 절연층(144)은 스위칭 트랜지스터(150)의 게이트 전극(151)과 스위칭 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)을 절연시킨다. 그리고, 제2 층간 절연층(144)은 중간 금속층(IM)과 구동 트랜지스터(160)의 소스 전극 및 드레인 전극(164)을 절연시킨다. 제2 층간 절연층(144)은 버퍼층(141)과 동일하게 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 층간 절연층(143)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.A second interlayer insulating layer 144 is disposed on the intermediate metal layer IM. The second interlayer insulating layer 144 insulates the gate electrode 151 of the switching transistor 150 and the source electrode 153 and drain electrode 154 of the switching transistor 150. Additionally, the second interlayer insulating layer 144 insulates the intermediate metal layer IM from the source and drain electrodes 164 of the driving transistor 160. The second interlayer insulating layer 144 may be made of the same inorganic material as the buffer layer 141. For example, the first interlayer insulating layer 143 may be composed of a single layer of inorganic silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or a multiple layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx). It is not limited to this.

제2 층간 절연층(144) 상에는 스위칭 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)이 배치된다. 그리고, 제2 층간 절연층(144) 상에는 구동 트랜지스터(160)의 소스 전극 및 드레인 전극(164)이 배치된다. 스위칭 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)은 동일 층에서 이격되어 배치된다. 그리고, 도 1에서는 구동 트랜지스터(160)의 소스 전극이 생략되었으나, 구동 트랜지스터(160)의 소스 전극 또한 드레인 전극(164)과 동일 층에서 이격되어 배치된다. 스위칭 트랜지스터(150)에서, 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)은 액티브층(152)과 접하는 방식으로 액티브층(152)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 구동 트랜지스터(160)에서, 소스 전극 및 드레인 전극(164)은 액티브층(162)과 접하는 방식으로 액티브층(162)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 스위칭 트랜지스터(150)의 드레인 전극(154)은 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161)과 컨택홀을 통해 접하는 방식으로 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전극(161)과 전기적으로 연결될 수 있다. The source electrode 153 and the drain electrode 154 of the switching transistor 150 are disposed on the second interlayer insulating layer 144. And, the source electrode and drain electrode 164 of the driving transistor 160 are disposed on the second interlayer insulating layer 144. The source electrode 153 and drain electrode 154 of the switching transistor 150 are arranged to be spaced apart from each other on the same layer. Although the source electrode of the driving transistor 160 is omitted in FIG. 1, the source electrode of the driving transistor 160 is also disposed on the same layer and spaced apart from the drain electrode 164. In the switching transistor 150, the source electrode 153 and the drain electrode 154 may be electrically connected to the active layer 152 by contacting the active layer 152. Additionally, in the driving transistor 160, the source electrode and drain electrode 164 may be electrically connected to the active layer 162 in a manner that contacts the active layer 162. In addition, the drain electrode 154 of the switching transistor 150 may be electrically connected to the gate electrode 161 of the driving transistor 160 by contacting the gate electrode 161 of the driving transistor 160 through a contact hole. .

소스 전극(153) 및 드레인 전극(154, 164)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The source electrode 153 and the drain electrodes 154 and 164 are made of various metal materials, such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), and nickel (Ni). ), neodymium (Nd), and copper (Cu), an alloy of two or more, or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

또한, 본 명세서에서는 구동 트랜지스터(160)가 코플래너(coplanar) 구조인 것으로 설명하였으나, 스태거드(staggered) 구조 등의 다양한 트랜지스터도 사용될 수 있다. 그리고, 본 명세서에서 트랜지스터는 탑 게이트 구조 뿐만 아니라 바텀 게이트 구조로도 형성될 수 있다.Additionally, in this specification, the driving transistor 160 is described as having a coplanar structure, but various transistors such as a staggered structure may also be used. And, in this specification, the transistor may be formed not only with a top gate structure but also with a bottom gate structure.

제2 층간 절연층(144) 상에는 게이트 패드(GP) 및 데이터 패드(DP)가 배치될 수 있다. A gate pad (GP) and a data pad (DP) may be disposed on the second interlayer insulating layer 144.

구체적으로, 도 4를 참조하면, 게이트 패드(GP)는 게이트 전압을 복수의 서브 화소(SPX)에 전달하기 위한 패드이다. 게이트 패드(GP)는 제1 상부 연신 배선(181b)과 컨택홀을 통해 연결된다. 그리고, 제1 상부 연신 배선(181b)으로부터 공급된 게이트 전압은 게이트 패드(GP)로부터 상부 판 패턴(121b) 상에 형성된 배선을 통해 스위칭 트랜지스터(150)의 게이트 전극(151)으로 전달될 수 있다. Specifically, referring to FIG. 4 , the gate pad GP is a pad for transferring the gate voltage to the plurality of sub-pixels SPX. The gate pad GP is connected to the first upper stretched wiring 181b through a contact hole. Additionally, the gate voltage supplied from the first upper stretched wiring 181b may be transmitted from the gate pad GP to the gate electrode 151 of the switching transistor 150 through the wiring formed on the upper plate pattern 121b. .

그리고, 데이터 패드(DP)는 데이터 전압을 복수의 서브 화소(SPX)에 전달하기 위한 패드이다. 데이터 패드(DP)는 제2 상부 연신 배선(182b)과 컨택홀을 통해 연결된다. 그리고, 제2 상부 연신 배선(182b)으로부터 공급된 데이터 전압은 데이터 패드(DP)로부터 상부 판 패턴(121b) 상에 형성된 비 연신 배선을 통해 스위칭 트랜지스터(150)의 소스 전극(153)으로 전달될 수 있다.Additionally, the data pad DP is a pad for transferring data voltage to the plurality of sub-pixels SPX. The data pad DP is connected to the second upper stretched wire 182b through a contact hole. In addition, the data voltage supplied from the second upper stretched wiring 182b is transmitted from the data pad DP to the source electrode 153 of the switching transistor 150 through the non-stretched wiring formed on the upper plate pattern 121b. You can.

도 4에 도시 되지는 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 하부 연신 배선(181a, 182a)와 컨택홀을 통해 연결되는 전압 패드를 더 포함할 수 있다. 상술한, 전압 패드는 저전위 전압 또는 고전위 전압을 복수의 서브 화소(SPX)에 전달하기 위한 패드이다. 그리고, 전압 패드로부터 공급된 저전위 전압은 제2 컨택 패드(CNT2)를 통해 LED(170)의 n전극(174)으로 전달될 수 있다. 그리고, 전압 패드로부터 공급된 고전위 전압은 구동 트랜지스터(160)의 소스 전극(163)으로 전달될 수 있다.Although not shown in FIG. 4, the display device according to an embodiment of the present invention may further include a voltage pad connected to the lower stretched wires 181a and 182a through a contact hole. The voltage pad described above is a pad for transmitting a low-potential voltage or a high-potential voltage to a plurality of sub-pixels (SPX). Additionally, the low-potential voltage supplied from the voltage pad may be transmitted to the n-electrode 174 of the LED 170 through the second contact pad CNT2. Also, the high potential voltage supplied from the voltage pad may be transmitted to the source electrode 163 of the driving transistor 160.

전압 패드, 게이트 패드(GP) 및 데이터 패드(DP)는 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154, 164)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The voltage pad, gate pad (GP), and data pad (DP) may be made of the same material as the source electrode 153 and the drain electrodes 154 and 164, but are not limited thereto.

도 4을 참조하면, 스위칭 트랜지스터(150) 및 구동 트랜지스터(160) 상에 패시베이션층(145)이 형성된다. 즉, 패시베이션층(145)는 스위칭 트랜지스터(150) 및 구동 트랜지스터(160)를 수분 및 산소 등의 침투로부터 보호하기 위해, 스위칭 트랜지스터(150) 및 구동 트랜지스터(160)를 덮는다. 패시베이션층(145)은 무기물로 이루어질 수 있고, 단층 또는 복층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 4, a passivation layer 145 is formed on the switching transistor 150 and the driving transistor 160. That is, the passivation layer 145 covers the switching transistor 150 and the driving transistor 160 to protect the switching transistor 150 and the driving transistor 160 from penetration of moisture and oxygen. The passivation layer 145 may be made of an inorganic material and may be made of a single layer or a double layer, but is not limited thereto.

그리고, 게이트 절연층(142), 제1 층간 절연층(143), 제2 층간 절연층(144) 및 패시베이션층(145)은 패터닝되어 복수의 상부 판 패턴(121b)과 중첩되는 영역에만 형성될 수 있다. 게이트 절연층(142), 제1 층간 절연층(143), 제2 층간 절연층(144) 및 패시베이션층(145) 또한 버퍼층(141)와 동일하게 무기물로 이루어질 수 있으므로, 표시 장치(100)를 연신하는 과정에서 쉽게 크랙이 발생되는 등 손상될 수 있다. 이에, 게이트 절연층(142), 제1 층간 절연층(143), 제2 층간 절연층(144) 및 패시베이션층(145)은 복수의 상부 판 패턴(121b) 사이의 영역에는 형성되지 않고, 복수의 상부 판 패턴(121b)의 형상으로 패터닝되어 복수의 상부 판 패턴(121b) 상부에만 형성될 수 있다. In addition, the gate insulating layer 142, the first interlayer insulating layer 143, the second interlayer insulating layer 144, and the passivation layer 145 are patterned and formed only in the area overlapping with the plurality of upper plate patterns 121b. You can. Since the gate insulating layer 142, the first interlayer insulating layer 143, the second interlayer insulating layer 144, and the passivation layer 145 may be made of the same inorganic material as the buffer layer 141, the display device 100 During the stretching process, it can easily be damaged, such as cracks. Accordingly, the gate insulating layer 142, the first interlayer insulating layer 143, the second interlayer insulating layer 144, and the passivation layer 145 are not formed in the area between the plurality of upper plate patterns 121b, and are not formed in the area between the plurality of upper plate patterns 121b. It may be patterned in the shape of the upper plate pattern 121b and formed only on the top of the plurality of upper plate patterns 121b.

패시베이션층(145) 상에 평탄화층(146)이 형성된다. 평탄화층(146)은 스위칭 트랜지스터(150) 및 구동 트랜지스터(160) 상부를 평탄화한다. 평탄화층(146)은 단층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있으며, 유기 물질로 이루어질 수 있다. 이에, 평탄화층(146)은 유기 절연층으로 지칭될 수도 있다. 예를 들어, 평탄화층(146)은 아크릴(acryl)계 유기 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. A planarization layer 146 is formed on the passivation layer 145. The planarization layer 146 planarizes the upper part of the switching transistor 150 and the driving transistor 160. The planarization layer 146 may be composed of a single layer or multiple layers, and may be made of an organic material. Accordingly, the planarization layer 146 may also be referred to as an organic insulating layer. For example, the planarization layer 146 may be made of an acryl-based organic material, but is not limited thereto.

도 4을 참조하면, 평탄화층(146)은 복수의 상부 판 패턴(121b) 상에서 버퍼층(141), 게이트 절연층(142), 제1 층간 절연층(143), 제2 층간 절연층(144) 및 패시베이션층(145)의 상면 및 측면을 덮도록 배치될 수 있다. 그리고, 평탄화층(146)은 복수의 상부 판 패턴(121b)과 함께 버퍼층(141), 게이트 절연층(142), 제1 층간 절연층(143), 제2 층간 절연층(144) 및 패시베이션층(145)을 둘러싼다. 구체적으로, 평탄화층(146)은 패시베이션층(145)의 상면 및 측면, 제1 층간 절연층(143)의 측면, 제2 층간 절연층(144)의 측면, 게이트 절연층(142)의 측면, 버퍼층(141)의 측면 및 복수의 상부 판 패턴(121b)의 상면의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 이에, 평탄화층(146)은 버퍼층(141), 게이트 절연층(142), 제1 층간 절연층(143), 제2 층간 절연층(144) 및 패시베이션층(145)의 측면에서의 단차를 보완할 수 있고, 평탄화층(146)과 평탄화층(146)의 측면에 배치되는 상부 연신 배선(181b, 182b)의 접착 강도를 증가시킬 수 있다.Referring to FIG. 4, the planarization layer 146 includes a buffer layer 141, a gate insulating layer 142, a first interlayer insulating layer 143, and a second interlayer insulating layer 144 on the plurality of upper plate patterns 121b. and may be arranged to cover the top and side surfaces of the passivation layer 145. In addition, the planarization layer 146 includes a plurality of upper plate patterns 121b, a buffer layer 141, a gate insulating layer 142, a first interlayer insulating layer 143, a second interlayer insulating layer 144, and a passivation layer. Surrounds (145). Specifically, the planarization layer 146 includes the top and side surfaces of the passivation layer 145, the side surface of the first interlayer insulating layer 143, the side surface of the second interlayer insulating layer 144, the side surface of the gate insulating layer 142, It may be arranged to cover a portion of the side surface of the buffer layer 141 and the top surface of the plurality of upper plate patterns 121b. Accordingly, the planarization layer 146 compensates for the steps on the sides of the buffer layer 141, the gate insulating layer 142, the first interlayer insulating layer 143, the second interlayer insulating layer 144, and the passivation layer 145. It is possible to increase the adhesive strength of the planarization layer 146 and the upper stretched wires 181b and 182b disposed on the side of the planarization layer 146.

도 4을 참조하면, 평탄화층(146)의 측면의 경사각은 버퍼층(141), 게이트 절연층(142), 제1 층간 절연층(143), 제2 층간 절연층(144) 및 패시베이션층(145)의 측면들이 이루는 경사각보다 작을 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(146)의 측면은 패시베이션층(145)의 측면, 제1 층간 절연층(143)의 측면, 제2 층간 절연층(144)의 및 측면, 게이트 절연층(142)의 측면, 및 버퍼층(141)의 측면이 각각 이루는 경사보다 완만한 경사를 가질 수 있다. 이에, 평탄화층(146)의 측면과 접하게 배치되는 상부 연신 배선(181b, 182b)이 완만한 경사를 가지고 배치되어, 표시 장치(100)의 연신 시, 상부 연신 배선(181b, 182b)에 발생하는 응력이 저감될 수 있다. 그리고, 평탄화층(146)의 측면이 상대적으로 완만한 경사를 가짐으로써, 상부 연신 배선(181b, 182b)이 크랙되거나 평탄화층(146)의 측면에서 박리되는 현상을 억제할 수 있다.Referring to FIG. 4, the inclination angle of the side of the planarization layer 146 is that of the buffer layer 141, the gate insulating layer 142, the first interlayer insulating layer 143, the second interlayer insulating layer 144, and the passivation layer 145. ) may be smaller than the inclination angle formed by the sides. For example, the side of the planarization layer 146 is the side of the passivation layer 145, the side of the first interlayer insulating layer 143, the side of the second interlayer insulating layer 144, and the side of the gate insulating layer 142. It may have a gentler slope than the slope formed by the side surface and the side surface of the buffer layer 141, respectively. Accordingly, the upper stretched wires 181b and 182b disposed in contact with the side surface of the planarization layer 146 are disposed with a gentle slope, so that when the display device 100 is stretched, the upper stretched wires 181b and 182b are generated. Stress can be reduced. In addition, since the side surface of the planarization layer 146 has a relatively gentle slope, it is possible to prevent the upper stretched wires 181b and 182b from cracking or peeling off the side surface of the planarization layer 146.

도 2 및 4를 참조하면, 연신 배선(181, 182)은 복수의 상부 판 패턴(121b) 상의 복수의 화소를 전기적으로 연결하는 배선을 의미한다.Referring to Figures 2 and 4, the stretched wires 181 and 182 refer to wires that electrically connect a plurality of pixels on the plurality of upper plate patterns 121b.

보다 구체적으로, 제1 하부 연신 배선(181a) 및 제2 하부 연신 배선(182a)은 하부 배선 패턴(122a) 상에 배치되고, 제1 상부 연신 배선(181b) 및 제2 상부 연신 배선(182b)은 상부 배선 패턴(122b) 상에 배치될 수 있다.More specifically, the first lower stretched wiring 181a and the second lower stretched wiring 182a are disposed on the lower wiring pattern 122a, and the first upper stretched wiring 181b and the second upper stretched wiring 182b may be disposed on the upper wiring pattern 122b.

그리고, 연신 배선(181, 182)은 복수의 상부 판 패턴(121b) 상의 게이트 패드(GP) 및 데이터 패드(DP)에 전기적으로 연결되기 위하여, 복수의 상부 판 패턴(121b) 상에도 연장될 수 있다. 그리고, 복수의 상부 판 패턴(121b) 사이의 영역 중 연신 배선(181, 182)이 배치되지 않는 영역에는 배선 패턴(122)이 배치되지 않는다.In addition, the stretched wires 181 and 182 may extend on the plurality of upper plate patterns 121b in order to be electrically connected to the gate pads GP and data pads DP on the plurality of upper plate patterns 121b. there is. Also, the wiring pattern 122 is not disposed in an area between the plurality of upper plate patterns 121b where the stretched wirings 181 and 182 are not disposed.

연신 배선(181, 182)은 제1 연신 배선(181), 제2 연신 배선(182)을 포함한다. 제1 연신 배선(181) 및 제2 연신 배선(182)은 복수의 상부 판 패턴(121b) 사이에 배치된다. 구체적으로, 제1 연신 배선(181)은 연신 배선(181, 182) 중 복수의 판 패턴(121) 사이에서 제1 방향(X)으로 연장되는 배선을 의미하고, 제2 연신 배선(182)은 연신 배선(181, 182) 중 복수의 판 패턴(121)사이에서 제2 방향(Y)으로 연장되는 배선을 의미한다. The stretched wirings 181 and 182 include a first stretched wiring 181 and a second stretched wiring 182 . The first stretched wiring 181 and the second stretched wiring 182 are disposed between the plurality of upper plate patterns 121b. Specifically, the first stretched wire 181 refers to a wire extending in the first direction (X) between the plurality of plate patterns 121 among the stretched wires 181 and 182, and the second stretched wire 182 is Among the stretched wires 181 and 182, it refers to a wire extending in the second direction (Y) between the plurality of plate patterns 121.

보다 구체적으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 연신 배선(181)은 하부 배선 패턴(122a) 상에 배치되는 제1 하부 연신 배선(181a) 및 상부 배선 패턴(122b) 상에 배치되는 제1 상부 연신 배선(181b)을 포함할 수 있다. 그리고, 도 4에 도시된 바와 같이 제2 연신 배선(182)은 하부 배선 패턴(122a) 상에 배치되는 제2 하부 연신 배선(182a) 및 상부 배선 패턴(122b) 상에 배치되는 제2 상부 연신 배선(182b)을 포함할 수 있다.More specifically, as shown in FIG. 4, the first stretched wiring 181 is a first lower stretched wiring 181a disposed on the lower wiring pattern 122a and a first stretched wiring 181a disposed on the upper wiring pattern 122b. 1 May include an upper elongated wiring 181b. And, as shown in FIG. 4, the second stretched wiring 182 is a second lower stretched wiring 182a disposed on the lower wiring pattern 122a and a second upper stretched wiring disposed on the upper wiring pattern 122b. It may include a wiring 182b.

연신 배선(181, 182)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo)과 같은 금속 재질 또는 구리/몰리브덴-티타늄(Cu/Moti), 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti) 등과 같은 금속 재질의 적층 구조로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The stretched wires 181 and 182 are made of metal such as copper (Cu), aluminum (Al), titanium (Ti), and molybdenum (Mo), or copper/molybdenum-titanium (Cu/Moti) or titanium/aluminum/titanium (Ti). /Al/Ti) may be made of a laminated structure of metal materials such as, but is not limited to this.

일반적인 표시 장치의 표시 패널의 경우, 복수의 게이트 배선, 복수의 데이터 배선 등과 같은 다양한 배선은 복수의 서브 화소 사이에서 직선 형상으로 연장되어 배치되며, 하나의 신호 배선에 복수의 서브 화소가 연결된다. 이에, 일반적인 표시 장치의 표시 패널의 경우, 게이트 배선, 데이터 배선, 고전위 전압 배선, 기준 배선 등과 같은 다양한 배선은 기판 상에서 끊김 없이 유기 발광 표시 장치의 표시 패널의 일 측에서 타 측으로 연장한다.In the case of a display panel of a typical display device, various wires, such as a plurality of gate wires and a plurality of data wires, are arranged to extend in a straight line between a plurality of sub-pixels, and a plurality of sub-pixels are connected to one signal wire. Accordingly, in the case of a display panel of a general display device, various wirings such as gate wiring, data wiring, high-potential voltage wiring, and reference wiring extend seamlessly on the substrate from one side of the display panel of the organic light emitting display device to the other side.

이와 달리, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 경우, 일반적인 표시 장치의 표시 패널에서 사용되는 것으로 볼 수 있는 직선 형상의 비연신 배선인 게이트 배선, 데이터 배선, 고전위 전압 배선, 기준 배선, 초기화 전압 배선 등과 같은 다양한 배선은 복수의 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123) 상에만 배치된다. 즉, 본 발명의 일 실시에에 따른 표시 장치(100)에서 직선 형상의 비연신 배선은 복수의 판 패턴(121) 및 복수의 외부 판 패턴(123)상에만 배치된다. In contrast, in the case of the display device 100 according to an embodiment of the present invention, a gate wire, a data wire, a high-potential voltage wire, which are straight non-stretched wires that can be seen as used in the display panel of a general display device, Various wiring such as reference wiring, initialization voltage wiring, etc. are disposed only on the plurality of plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123. That is, in the display device 100 according to an embodiment of the present invention, straight non-stretched wires are disposed only on the plurality of plate patterns 121 and the plurality of external plate patterns 123.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 서로 인접하는 2개의 상부 판 패턴(121b) 상의 패드가 연신 배선(181, 182)에 의해 연결될 수 있다. 따라서, 연신 배선(181, 182)은 인접하는 2개의 판 패턴(121) 상의 게이트 패드(GP) 혹은 데이터 패드(DP)와 같은 다양한 패드를 전기적으로 연결한다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 게이트 배선, 데이터 배선, 고전위 전압 배선, 기준 배선 등과 같은 다양한 비연신 배선을 복수의 판 패턴(121) 사이에서 전기적으로 연결하도록 복수의 연신 배선(181, 182)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 방향(X)으로 인접하여 배치된 복수의 판 패턴(121) 상에는 비연신 배선인 게이트 배선이 배치될 수 있고, 게이트 배선의 양 끝단에는 게이트 패드(GP)가 배치될 수 있다. 이때, 제1 방향(X)으로 인접하여 배치된 복수의 판 패턴(121) 상의 복수의 게이트 패드(GP) 각각은 게이트 배선으로 기능하는 제1 연신 배선(181)에 의해 서로 연결될 수 있다. 이에, 복수의 판 패턴(121) 상에 배치된 게이트 배선과 내부 배선 패턴(122)상에 배치된 제1 연신 배선(181)이 하나의 게이트 배선으로 기능할 수 있다. 상술한 게이트 배선은 스캔 신호 배선으로 명명될 수 있다. 또한, 표시 장치(100)에 포함될 수 있는 모든 다양한 배선 중 제1 방향(X)으로 연장하는 배선, 예를 들어, 발광 신호 배선, 저전위 전압 배선, 고전위 전압 배선 또한 상술한 바와 같이 제1 연신 배선(181)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.In the display device 100 according to an embodiment of the present invention, pads on two adjacent upper plate patterns 121b may be connected by stretched wires 181 and 182. Accordingly, the stretched wires 181 and 182 electrically connect various pads, such as the gate pad (GP) or data pad (DP), on the two adjacent plate patterns 121. Therefore, the display device 100 according to an embodiment of the present invention has a plurality of non-stretched wires such as gate wires, data wires, high-potential voltage wires, reference wires, etc. electrically connected between the plurality of plate patterns 121. It may include stretched wirings 181 and 182. For example, a non-stretched gate wire may be disposed on the plurality of plate patterns 121 arranged adjacent to each other in the first direction (X), and gate pads GP may be disposed at both ends of the gate wire. there is. At this time, each of the plurality of gate pads GP on the plurality of plate patterns 121 arranged adjacent to each other in the first direction (X) may be connected to each other by the first stretched wiring 181 functioning as a gate wiring. Accordingly, the gate wiring disposed on the plurality of plate patterns 121 and the first stretched wiring 181 disposed on the internal wiring pattern 122 may function as one gate wiring. The gate wiring described above may be referred to as a scan signal wiring. In addition, among all the various wires that may be included in the display device 100, wires extending in the first direction ( They may be electrically connected by the stretched wiring 181.

도 2 및 도 4를 참조하면, 제1 연신 배선(181)은 제1 방향(X)으로 인접하여 배치된 복수의 판 패턴(121) 상의 게이트 패드(GP) 중 나란히 배치된 2개의 판 패턴(121) 상의 게이트 패드(GP)들 혹은 비연신 배선을 서로 연결할 수 있다. 또는 제1 연신 배선(181)은 게이트 배선, 발광 신호 배선, 고전위 전압 배선 또는 저전위 전압 배선으로 기능할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 제1 방향(X)으로 배치된 복수의 판 패턴(121) 상의 게이트 패드(GP)는 게이트 배선으로 기능하는 제1 연신 배선(181)에 의하여 연결될 수 있고, 하나의 게이트 전압이 전달될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 4 , the first stretched wiring 181 is formed by two plate patterns arranged side by side among the gate pads GP on the plurality of plate patterns 121 arranged adjacent to each other in the first direction (X). 121), the gate pads (GPs) or non-stretched wires can be connected to each other. Alternatively, the first stretched wire 181 may function as a gate wire, a light emitting signal wire, a high potential voltage wire, or a low potential voltage wire, but is not limited thereto. The gate pads GP on the plurality of plate patterns 121 arranged in the first direction (X) may be connected by the first stretched wire 181 functioning as a gate wire, and one gate voltage may be transmitted. .

그리고, 도 2 및 도 4를 참조하면, 제2 연신 배선(182)은 제2 방향(Y)으로 인접하여 배치된 복수의 판 패턴(121) 상의 데이터 패드(DP) 중 나란히 배치된 2개의 판 패턴(121) 상의 데이터 패드(DP)들 혹은 비연신 배선을 서로 연결할 수 있다. 제2 연신 배선(182)은 데이터 배선, 고전위 전압 배선, 저전위 전압 배선 또는 기준 배선으로 기능할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 제2 방향(Y)으로 배치된 복수의 판 패턴(121) 상의 배선은 데이터 배선으로 기능하는 복수의 제2 연신 배선(182)에 의하여 연결될 수 있고, 하나의 데이터 전압이 전달될 수 있다. And, referring to Figures 2 and 4, the second stretched wiring 182 is two plates arranged side by side among the data pads DP on the plurality of plate patterns 121 arranged adjacent to each other in the second direction (Y). Data pads (DP) or non-stretched wires on the pattern 121 may be connected to each other. The second stretched wire 182 may function as a data wire, a high-potential voltage wire, a low-potential voltage wire, or a reference wire, but is not limited thereto. Wires on the plurality of plate patterns 121 arranged in the second direction (Y) may be connected by a plurality of second stretched wires 182 that function as data wires, and one data voltage may be transmitted.

한편, 도 3를 참조하면, 하부 연신 배선(181a, 182a) 및 평탄화층(146) 상에 상부 패턴층(121b, 122b)이 형성된다. 상부 패턴층(121b, 122b)은 하부 패턴층(121a, 122a) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 상부 패턴층(121b, 122b)은 복수의 상부 판 패턴(121b) 및 복수의 상부 배선 패턴(122b)으로 구성될 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 3, upper pattern layers 121b and 122b are formed on the lower stretched wires 181a and 182a and the planarization layer 146. The upper pattern layers 121b and 122b may be disposed on the lower pattern layers 121a and 122a. Additionally, the upper pattern layers 121b and 122b may be composed of a plurality of upper plate patterns 121b and a plurality of upper wiring patterns 122b.

그리고, 평탄화층(146)상에는 상부 연신 배선(181b, 182b), 뱅크(147) 및 발광 소자(170)가 배치될 수 있다.Additionally, the upper stretched wires 181b and 182b, the bank 147, and the light emitting device 170 may be disposed on the planarization layer 146.

구체적으로, 도 4를 참조하면, 제1 연결 패드(CNT1), 상부 연신 배선(181b, 182b) 및 평탄화층(146) 상에 뱅크(147)가 형성된다. 뱅크(147)는 인접하는 서브 화소(SPX)를 구분하는 구성요소이다. 뱅크(147)는 상부 연신 배선(181b, 182b) 및 평탄화층(146)의 적어도 일부를 덮도록 배치된다. 뱅크(147)는 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 뱅크(147)는 블랙 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 뱅크(147)는 블랙 물질을 포함함으로써 표시 영역(AA)을 통해 시인될 수 있는 배선들을 가리는 역할을 한다. 뱅크(147)는, 예를 들어, 투명한 카본(carbon) 계열의 혼합물로 이루어질 수 있고, 구체적으로 카본 블랙(carbon black)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 뱅크(147)는 투명한 절연 물질로 이루어질 수도 있다. 그리고, 도 4에서 뱅크(147)의 높이는 발광 소자(170)의 높이보다 낮은 것을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 뱅크(147)의 높이는 발광 소자(170)의 높이와 같을 수 있다.Specifically, referring to FIG. 4 , a bank 147 is formed on the first connection pad CNT1, the upper stretched wires 181b and 182b, and the planarization layer 146. The bank 147 is a component that distinguishes adjacent sub-pixels (SPX). The bank 147 is arranged to cover at least a portion of the upper stretched wires 181b and 182b and the planarization layer 146. The bank 147 may be made of an insulating material. Additionally, the bank 147 may be made of black material. The bank 147 includes a black material and thus serves to hide wires that can be viewed through the display area AA. For example, the bank 147 may be made of a transparent carbon-based mixture, and may specifically include carbon black. However, the present invention is not limited thereto, and the bank 147 may be made of a transparent insulating material. Also, in FIG. 4 , the height of the bank 147 is shown to be lower than the height of the light emitting device 170, but the present invention is not limited to this and the height of the bank 147 may be the same as the height of the light emitting device 170.

도 4를 참조하면, 제1 연결 패드(CNT1)와 제2 연결 패드(CNT2) 상에는 발광 소자(170)가 배치된다. 발광 소자(170)는 n형층(171), 활성층(172), p형층(173), n전극(174) 및 p전극(175)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 발광 소자(170)는 한쪽 면에 n전극(174)과 p전극(175)이 형성되는 플립 칩(filp-chip)의 구조를 가진다.Referring to FIG. 4, the light emitting device 170 is disposed on the first connection pad (CNT1) and the second connection pad (CNT2). The light emitting device 170 includes an n-type layer 171, an active layer 172, a p-type layer 173, an n-electrode 174, and a p-electrode 175. The light emitting element 170 of the display device 100 according to an embodiment of the present invention has a flip chip (filp-chip) structure in which an n electrode 174 and a p electrode 175 are formed on one side.

다만, 발광 소자(170)의 구조는 플립 칩(filp-chip) 구조 뿐만 아니라, 레터럴 칩(lateral-chip) 및 버티컬 칩(vertical-chip) 형태로 구분될 수 있다.However, the structure of the light emitting device 170 may be divided into a lateral-chip and vertical-chip structure as well as a flip-chip structure.

n형층(171)은 우수한 결정성을 갖는 질화갈륨(GaN)에 n형 불순물을 주입하여 형성될 수 있다. n형층(171)은 발광될 수 있는 물질로 이루어지는 별도의 베이스 기판 상에 배치될 수도 있다.The n-type layer 171 can be formed by implanting n-type impurities into gallium nitride (GaN), which has excellent crystallinity. The n-type layer 171 may be disposed on a separate base substrate made of a material that can emit light.

n형층(171) 상에는 활성층(172)이 배치된다. 활성층(172)은 발광 소자(170)에서 빛을 발하는 발광층으로, 질화물 반도체, 예를 들어, 인듐질화갈륨(InGaN)으로 이루어질 수 있다. 활성층(172) 상에는 p형층(173)이 배치된다. p형층(173)은 질화갈륨(GaN)에 p형 불순물을 주입하여 형성될 수 있다.The active layer 172 is disposed on the n-type layer 171. The active layer 172 is a light-emitting layer that emits light from the light-emitting device 170, and may be made of a nitride semiconductor, for example, indium gallium nitride (InGaN). A p-type layer 173 is disposed on the active layer 172. The p-type layer 173 may be formed by implanting p-type impurities into gallium nitride (GaN).

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(170)는, 이상에서 설명한 바와 같이, n형층(171), 활성층(172) 및 p형층(173)을 차례대로 적층한 후, 소정 부분을 식각한 후, n전극(174)과 p전극(175)을 형성하는 방식으로 제조된다. 이때, 소정 부분은 n전극(174)과 p전극(175)을 이격시키기 위한 공간으로, n형층(171)의 일부가 노출되도록 소정 부분이 식각된다. 다시 말해, n전극(174)과 p전극(175)이 배치될 발광 소자(170)의 면은 평탄화된 면이 아닌 서로 다른 높이 레벨을 가질 수 있다.As described above, the light emitting device 170 according to an embodiment of the present invention is made by sequentially stacking the n-type layer 171, the active layer 172, and the p-type layer 173, and then etching a predetermined portion. , is manufactured by forming the n electrode 174 and the p electrode 175. At this time, the predetermined portion is a space for separating the n-electrode 174 and the p-electrode 175, and the predetermined portion is etched to expose a portion of the n-type layer 171. In other words, the surface of the light emitting device 170 on which the n-electrode 174 and the p-electrode 175 are disposed may have different height levels rather than a flat surface.

이와 같이, 식각된 영역에는 n전극(174)이 배치되며, n전극(174)은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 식각되지 않은 영역에는 p전극(175)이 배치되며, p전극(175)도 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 식각 공정으로 노출된 n형층(171) 상에는 n전극(174)이 배치되고, p형층(173) 상에는 p전극(175)이 배치된다. p전극(175)은 n전극(174)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.In this way, the n-electrode 174 is disposed in the etched area, and the n-electrode 174 may be made of a conductive material. Additionally, the p-electrode 175 is disposed in the unetched area, and the p-electrode 175 may also be made of a conductive material. For example, the n electrode 174 is disposed on the n-type layer 171 exposed through the etching process, and the p electrode 175 is disposed on the p-type layer 173. The p-electrode 175 may be made of the same material as the n-electrode 174.

접착층(AD)은 제1 연결 패드(CNT1) 및 제2 연결 패드(CNT2)의 상면과 제1 연결 패드(CNT1) 및 제2 연결 패드(CNT2) 사이에 배치되어, 발광 소자(170)가 제1 연결 패드(CNT1) 및 제2 연결 패드(CNT2) 상에 접착될 수 있다. 이때, n전극(174)은 제2 연결 패드(CNT2) 상에 배치되고, p전극(175)은 제1 연결 패드(CNT1) 상에 배치될 수 있다.The adhesive layer (AD) is disposed between the upper surface of the first connection pad (CNT1) and the second connection pad (CNT2) and the first connection pad (CNT1) and the second connection pad (CNT2), so that the light emitting device 170 is It may be adhered to the first connection pad (CNT1) and the second connection pad (CNT2). At this time, the n electrode 174 may be placed on the second connection pad CNT2, and the p electrode 175 may be placed on the first connection pad CNT1.

접착층(AD)은 절연성 베이스 부재에 도전볼이 분산된 도전성 접착층일 수 있다. 이에, 접착층(AD)에 열 또는 압력이 가해지는 경우, 열 또는 압력이 가해진 부분에서 도전볼이 전기적으로 연결되어 도전 특성을 갖고, 가압되지 않은 영역은 절연 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, n전극(174)은 접착층(AD)를 통해 제2 연결 패드(CNT2)과 전기적으로 연결되고, p전극(175)은 접착층(AD)를 통해 제1 연결 패드(CNT1)와 전기적으로 연결된다. 접착층(AD)을 제2 연결 패드(CNT2)의 상면과 제1 연결 패드(CNT1) 상에 잉크젯 등의 방식으로 도포한 후, 발광 소자(170)를 접착층(AD) 상에 전사하고, 발광 소자(170)를 가압하고 열을 가하는 방식으로 제1 연결 패드(CNT1)과 p전극(175) 및 제2 연결 패드(CNT2)과 n전극(174)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 다만, n전극(174)과 제2 연결 패드(CNT2) 사이에 배치된 접착층(AD)의 부분 및 p전극(175)과 제1 연결 패드(CNT1) 사이에 배치된 접착층(AD)의 부분을 제외한 다른 접착층(AD)의 부분은 절연 특성을 가진다. 한편, 접착층(AD)은 분리된 형태로 제1 연결 패드(CNT1) 및 제2 연결 패드(CNT2) 각각에 배치될 수도 있다.The adhesive layer AD may be a conductive adhesive layer in which conductive balls are dispersed in an insulating base member. Accordingly, when heat or pressure is applied to the adhesive layer AD, the conductive balls are electrically connected to the area where heat or pressure is applied and have conductive properties, and the non-pressurized area may have insulating properties. For example, the n electrode 174 is electrically connected to the second connection pad (CNT2) through the adhesive layer (AD), and the p electrode 175 is electrically connected to the first connection pad (CNT1) through the adhesive layer (AD). It is connected to After applying the adhesive layer (AD) on the upper surface of the second connection pad (CNT2) and the first connection pad (CNT1) using an inkjet method or the like, the light emitting device 170 is transferred onto the adhesive layer (AD), and the light emitting device is The first connection pad (CNT1) and the p-electrode 175 and the second connection pad (CNT2) and the n-electrode 174 can be electrically connected by pressing and applying heat to 170. However, the portion of the adhesive layer (AD) disposed between the n electrode 174 and the second connection pad (CNT2) and the portion of the adhesive layer (AD) disposed between the p electrode 175 and the first connection pad (CNT1) Except for the other parts of the adhesive layer (AD), it has insulating properties. Meanwhile, the adhesive layer AD may be separated and disposed on each of the first connection pad CNT1 and the second connection pad CNT2.

그리고, 제1 연결 패드(CNT1)는 구동 트랜지스터(160)의 드레인 전극(164)에 전기적으로 연결되어, 구동 트랜지스터(160)로부터 발광 소자(170)의 구동을 위한 구동 전압을 인가 받는다. 도 3에서는 제1 연결 패드(CNT1)와 구동 트랜지스터(160)의 드레인 전극(164)이 직접적으로 접촉하지 않고 간접적으로 연결되는 것을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 제1 연결 패드(CNT1)와 구동 트랜지스터(160)의 드레인 전극(164)는 직접적으로 접촉할 수 있다. 그리고, 제2 연결 패드(CNT2)에는 발광 소자(170)의 구동을 위한 저전위 구동 전압이 인가된다. 이에, 표시 장치(100)가 온(on)되면 제1 연결 패드(CNT1) 및 제2 연결 패드(CNT2) 각각에 인가되는 서로 상이한 전압 레벨이 각각 n전극(174)과 p전극(175)으로 전달되어 발광 소자(170)가 발광된다.In addition, the first connection pad CNT1 is electrically connected to the drain electrode 164 of the driving transistor 160 and receives a driving voltage for driving the light emitting device 170 from the driving transistor 160. In Figure 3, the first connection pad (CNT1) and the drain electrode 164 of the driving transistor 160 are shown to be indirectly connected without direct contact. However, this is not limited to this, and the first connection pad (CNT1) and the driving transistor 160 are connected indirectly. The drain electrode 164 of 160 may be contacted directly. Additionally, a low-potential driving voltage for driving the light-emitting device 170 is applied to the second connection pad CNT2. Accordingly, when the display device 100 is turned on, different voltage levels applied to each of the first connection pad (CNT1) and the second connection pad (CNT2) are applied to the n electrode 174 and the p electrode 175, respectively. It is transmitted and the light emitting element 170 emits light.

상부 기판(112)은 상부 기판(112)의 아래에 배치되는 다양한 구성요소들을 지지하는 기판이다. The upper substrate 112 is a substrate that supports various components disposed below the upper substrate 112.

상부 기판(112)은 하부 기판(111)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상부 기판(112)은 폴리 다이 메탈 실록산(polydimethylsiloxane; PDMS)과 같은 실리콘 고무(Silicone Rubber), 또는 폴리 우레탄(polyurethane; PU) 및 PTFE(polytetrafluoroethylene) 등의 탄성 중합체(elastomer)로 이루어질 수 있으며, 이에, 유연한 성질을 가질 수 있다. 그러나, 상부 기판(112)의 재질은 이에 제한되는 것은 아니다.The upper substrate 112 may be made of the same material as the lower substrate 111. For example, the upper substrate 112 may be made of silicone rubber such as polydimethylsiloxane (PDMS), or an elastomer such as polyurethane (PU) and polytetrafluoroethylene (PTFE). It can have flexible properties. However, the material of the upper substrate 112 is not limited thereto.

한편, 도 4에는 도시되지 않았으나, 상부 기판(112) 상에는 편광층이 배치될 수도 있다. 편광층은 표시 장치(100)의 외부로부터 입사되는 광을 편광시켜, 외광 반사를 감소시키는 기능을 할 수 있다. 또한, 편광층이 아닌 다른 광학 필름 등이 상부 기판(112) 상에 배치될 수 있다.Meanwhile, although not shown in FIG. 4, a polarizing layer may be disposed on the upper substrate 112. The polarization layer may function to reduce external light reflection by polarizing light incident from the outside of the display device 100. Additionally, an optical film other than a polarizing layer may be disposed on the upper substrate 112.

또한, 하부 기판(111) 전면에 배치되어, 상부 기판(112)과 하부 기판(111) 상에 배치되는 구성요소 사이를 충진시키는 충진층(190)이 배치될 수 있다. 충진층(190)은 경화성 접착제로 구성될 수 있다. 구체적으로, 충진층(190)을 구성하는 물질을 하부 기판(111) 전면에 코팅한 후 경화시키는 방식으로 형성하여, 상부 기판(112)과 하부 기판(111) 상에 배치되는 구성요소 사이에 충진층(190)을 배치시킬 수 있다. 예를 들어, 충진층(190)은 OCA (optically clear adhesive)일 수 있으며, 아크릴계 접착제, 실리콘계 접착제 및 우레탄계 접착제등으로 구성될 수 있다.Additionally, a filling layer 190 may be disposed on the entire surface of the lower substrate 111 to fill the space between the upper substrate 112 and the components disposed on the lower substrate 111. The filling layer 190 may be composed of a curable adhesive. Specifically, the material constituting the filling layer 190 is formed by coating the entire surface of the lower substrate 111 and then curing it to fill the space between the components placed on the upper substrate 112 and the lower substrate 111. Layer 190 may be placed. For example, the filling layer 190 may be an optically clear adhesive (OCA) and may be made of an acrylic adhesive, a silicone adhesive, or a urethane adhesive.

<차광 부재의 배치 관계><Arrangement relationship of light blocking members>

도 5는 도 3에 도시된 절단선 Ⅴ-Ⅴ'에 따라 절단한 단면도이다.Figure 5 is a cross-sectional view taken along the cutting line V-V' shown in Figure 3.

도 6는 도 3에 도시된 절단선 Ⅵ-Ⅵ'에 따라 절단한 단면도이다.Figure 6 is a cross-sectional view taken along the cutting line VI-VI' shown in Figure 3.

설명의 편의를 위하여 도 1 내지 도 4을 함께 참조하여 설명한다.For convenience of explanation, the description will be made with reference to FIGS. 1 to 4.

도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 연신 배선(181, 182) 상에는 차광 부재(BM)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 2, a light blocking member BM may be disposed on the plurality of stretched wires 181 and 182.

그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 차광 부재(BM)는 복수의 연신 배선(181, 182) 상에 배치될 뿐만 아니라, 복수의 판 패턴(121a, 121b) 각각의 상부의 영역 중 상기 복수의 발광 소자(170) 각각이 배치되는 영역을 제외한 영역에 배치될 수 있다.And, as shown in FIG. 4, the light blocking member BM is not only disposed on the plurality of stretched wirings 181 and 182, but also in the plurality of upper regions of each of the plurality of plate patterns 121a and 121b. Each light emitting device 170 may be disposed in an area other than the area where each light emitting element 170 is disposed.

즉, 차광 부재(BM)는 복수의 연신 배선(181, 182)의 상면 및 측면에 형성될 뿐만 아니라, 뱅크(147)의 상면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다.That is, the light blocking member BM may be formed not only on the top and side surfaces of the plurality of stretched wires 181 and 182 but also on the top and side surfaces of the bank 147 .

한편, 차광 부재(BM)는 복수의 하부 연신 배선(181a, 182a)을 덮는 하부 차광 부재(BMa) 및 복수의 상부 연신 배선(181b, 182b)을 덮는 상부 차광 부재(BMb)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light blocking member BM may include a lower light blocking member BMa covering the plurality of lower extending wirings 181a and 182a and an upper light blocking member BMb covering the plurality of upper extending wirings 181b and 182b. .

구체적으로, 도 4 및 5에 도시된 바와 같이, 하부 배선 패턴 상에 제1 하부 연신 배선이 배치될 수 있고, 제1 하부 연신 배선 상에 하부 차광 부재(BMa)가 배치될 수 있다. 그리고, 하부 차광 부재(BMa) 상에 상부 배선 패턴이 형성될 수 있고, 상부 배선 패턴 상에 제1 상부 연신 배선이 배치될 수 있고, 제1 상부 연신 배선 상에 상부 차광 부재(BMb)가 배치될 수 있다.Specifically, as shown in FIGS. 4 and 5, a first lower stretched wiring may be disposed on the lower wiring pattern, and a lower light blocking member BMa may be disposed on the first lower stretched wiring. Additionally, an upper wiring pattern may be formed on the lower light blocking member BMa, a first upper stretched wiring may be disposed on the upper wiring pattern, and an upper light blocking member BMb may be disposed on the first upper stretched wiring. It can be.

그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 배선 패턴(122a) 상에 제1 하부 연신 배선(181a)이 배치될 수 있고, 제1 하부 연신 배선(181a) 상에 하부 차광 부재(BMa)가 배치될 수 있다. 그리고, 하부 차광 부재(BMa) 상에 상부 배선 패턴(122b)이 형성될 수 있고, 상부 배선 패턴(122b) 상에 제1 상부 연신 배선(181b)이 배치될 수 있고, 제1 상부 연신 배선(181b) 상에 상부 차광 부재(BMb)가 배치될 수 있다.And, as shown in FIG. 4, the first lower stretched wiring 181a may be disposed on the lower wiring pattern 122a, and the lower light blocking member BMa may be disposed on the first lower stretched wiring 181a. It can be. In addition, an upper wiring pattern 122b may be formed on the lower light blocking member BMa, a first upper stretched wiring 181b may be disposed on the upper wiring pattern 122b, and a first upper stretched wiring ( An upper light blocking member (BMb) may be disposed on 181b).

한편, 도 6에 도시된 바와 같이, 하부 배선 패턴(122a)과 상부 배선 패턴(122b)이 접하는 면에는 미세 패턴이 형성될 수 있다. 상술한 미세 패턴은 하부 배선 패턴(122a)과 상부 배선 패턴(122b)을 앵커링(Anchoring)시킬 수 있다. 이에, 표시 장치(100)가 연신될 때, 보다 효과적으로 미세 패턴은 하부 배선 패턴(122a)과 상부 배선 패턴(122b)을 결합시켜, 박리되는 현상을 방지할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 6, a fine pattern may be formed on a surface where the lower wiring pattern 122a and the upper wiring pattern 122b contact each other. The above-described fine pattern can anchor the lower wiring pattern 122a and the upper wiring pattern 122b. Accordingly, when the display device 100 is stretched, the fine pattern can more effectively combine the lower wiring pattern 122a and the upper wiring pattern 122b, thereby preventing separation.

전술한 바와 같이, 미세 패턴을 형성하기 위해, 하부 차광 부재(BMa) 및 하부 연신 배선(181a, 182a)이 형성된 하부 배선 패턴(122a)의 상면에 코로나 방전(Corona Discharge)처리를 수행할 수 있다. 여기서, 하부 차광 부재(BMa)가 하부 연신 배선(181a, 182a)을 덮도록 형성되므로, 하부 연신 배선(181a, 182a)에는 코로나 방전 처리가 되지 않을 수 있다. 이에, 코로나 방전 처리에도 불구하고, 하부 연신 배선(181a, 182a)의 손상을 방지할 수 있다.As described above, in order to form a fine pattern, corona discharge treatment may be performed on the upper surface of the lower wiring pattern 122a on which the lower light blocking member BMa and the lower stretched wiring 181a and 182a are formed. . Here, since the lower light blocking member BMa is formed to cover the lower stretched wires 181a and 182a, the lower stretched wires 181a and 182a may not be subjected to corona discharge treatment. Accordingly, despite corona discharge treatment, damage to the lower stretched wirings 181a and 182a can be prevented.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 하나의 투과 영역이 연신된 경우를 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a case in which one transparent area is stretched in a display device according to an embodiment of the present invention.

도 7에 도시된 바와 같이, 연신 전의 하나의 투과 영역(TA)은 8각형과 같은 4각형 이상의 다각형태일 수 있다. 그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치가 연신될 경우, 차광 영역(BA)의 폭이 좁아지므로, 연신 후의 투과 영역(TA)은 8각형의 빗변 부분이 외측으로 굴곡될 수 있다.As shown in FIG. 7, one transmission area (TA) before stretching may have a polygonal shape of 4 or more, such as an octagon. Also, when the display device according to an embodiment of the present invention is stretched, the width of the light blocking area BA becomes narrow, so that the hypotenuse portion of the octagon in the transparent area TA after stretching may be bent outward.

즉, 연신 후의 투과 영역(TA)의 빗변이 곡률 반경을 가진 형태로 변형될 수 있다. 이에, 투과 영역(TA)의 빗변에서 투과된 빛이 투과 영역(TA)의 중심으로 집중되어 중심부 바깥으로 갈수록 빛의 세기 차이가 약하여 회절이 약할 수 있다.That is, the hypotenuse of the transparent area TA after stretching may be transformed into a shape with a radius of curvature. Accordingly, the light transmitted from the hypotenuse of the transmission area (TA) is concentrated at the center of the transmission area (TA), and the difference in light intensity becomes weaker as it goes outside the center, resulting in weak diffraction.

이와 달리, 연신 후의 투과 영역의 빗변이 직선 형태일 경우에는 투과 영역의 빗변에서 투과된 빛이 투과 영역의 중심으로 집중되지 못하고 중심부 바깥으로 갈수록 빛의 세기 차이가 높아 회절이 심할 수 있다.On the other hand, if the hypotenuse of the transmission area after stretching is in the form of a straight line, the light transmitted from the hypotenuse of the transmission area cannot be concentrated at the center of the transmission area, and the difference in light intensity outside the center increases, resulting in severe diffraction.

이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 투과 영역을 투과하는 빛의 회절을 최소화시킬 수 있어, 외광을 보다 선명하게 투과시킬 수 있는 효과가 있다.Accordingly, in the display device according to an embodiment of the present invention, diffraction of light passing through the transmission area can be minimized, which has the effect of allowing external light to be transmitted more clearly.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 투과 영역(TA)의 넓이는 연신 후에 증가하게 되므로, 표시 장치의 투과율 또한 향상되는 이점이 존재한다.Additionally, since the area of the transmission area (TA) of the display device according to an embodiment of the present invention increases after stretching, there is an advantage that the transmittance of the display device is also improved.

<본 발명의 다른 실시예><Other embodiments of the present invention>

이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해서 설명한다.Below, a display device according to another embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 차광 부재의 형상에 대해서만 차이점이 존재하므로, 이를 중점으로 설명한다.Since the display device according to another embodiment of the present invention and the display device according to one embodiment of the present invention differ only in the shape of the light blocking member, the description will focus on this.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 사용한다.Identical components of the display device according to another embodiment of the present invention and the display device according to one embodiment of the present invention use the same reference numerals.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 연신 배선을 연장 방향에 따라 절단한 단면도이다.Figure 8 is a cross-sectional view of an extended wiring of a display device according to another embodiment of the present invention cut along the extension direction.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 연신 배선을 연장 방향의 수직 방향에 따라 절단한 단면도이다.Figure 9 is a cross-sectional view of the stretched wiring of a display device according to another embodiment of the present invention cut along the vertical direction of the extension direction.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 관한 도면인 도 3에 도시된 절단선 ⅤⅤ'에 따라 절단한 단면도에 대응되는 단면도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 관한 도면인 도 3에 도시된 절단선 ⅥⅥ'에 따라 절단한 단면도에 대응되는 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view corresponding to a cross-sectional view taken along line VV' shown in FIG. 3, which is a diagram of a display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention. This is a cross-sectional view corresponding to the cross-sectional view cut along the cutting line VIVI' shown in FIG. 3, which is a drawing related to.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서 차광 부재(BMa', BMb')의 두께는 복수의 판 패턴 각각으로부터 멀어질수록 두꺼워질 수 있다.In a display device according to another embodiment of the present invention, the thickness of the light blocking members BMa' and BMb' may increase as the distance from each of the plurality of plate patterns increases.

즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 연신 배선을 연장 방향에 따라 절단한 단면도인 도 8 및 도 2를 참조하면, 복수의 판 패턴(121)에 가장 인접한 상부 차광 부재(BMb')의 외측 부분인 제1 부분(A1)의 두께(T1)는 이의 내측 부분인 제2 부분(A2)의 두께(T2)보다 얇다.That is, referring to FIGS. 8 and 2 , which are cross-sectional views of the stretched wiring of a display device according to another embodiment of the present invention cut along the extending direction, the upper light blocking member BMb' closest to the plurality of plate patterns 121 The thickness T1 of the first part A1, which is the outer part, is thinner than the thickness T2 of the second part A2, the inner part.

그리고, 복수의 판 패턴(121)으로부터 가장 먼 상부 차광 부재(BMb')의 내측 부분인 제3 부분(A3)의 두께(T3)은 이의 외측 부분인 제2 부분(A2)의 두께(T2)보다 두껍다.In addition, the thickness T3 of the third part A3, which is the inner part of the upper light blocking member BMb' furthest from the plurality of plate patterns 121, is equal to the thickness T2 of the second part A2, which is the outer part thereof. thicker than

즉, 차광 부재(BMa', BMb')의 두께는 중심 영역으로 갈수록 두꺼워질 수 있다.That is, the thickness of the light blocking members BMa' and BMB' may become thicker toward the center area.

표시 장치가 연신될 경우, 연신 배선의 중심 부분의 연신율이 가장 클 수 있다. 이에, 본 발명은 연신율이 가장 큰 연신 배선의 중심 부분 상에 배치된 차광 부재(BMa', BMb')의 두께를 가장 두껍게 설정함으로써, 차광 부재(BMa', BMb')가 연신되더라도 차광 효과가 저하되지 않고 효과적으로 외부의 빛을 차광시키는 역할을 할 수 있다.When the display device is stretched, the elongation rate of the central portion of the stretched wiring may be the largest. Accordingly, the present invention sets the thickness of the light blocking members (BMa', BMb') disposed on the central portion of the stretched wire with the largest elongation rate to the thickest, so that the light blocking effect is maintained even if the light blocking members (BMa', BMb') are stretched. It can effectively block external light without being deteriorated.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서 차광 부재(BMa', BMb')는 복수의 배선 패턴(122a, 122b) 각각의 상면에 형성된 앵커홀에 삽입될 수 있다.Additionally, in the display device according to another embodiment of the present invention, the light blocking members BMa' and BMb' may be inserted into anchor holes formed on the upper surfaces of each of the plurality of wiring patterns 122a and 122b.

구체적으로 도 9에 도시된 바와 같이, 상부 배선 패턴(122b)의 상부에는 적어도 하나의 앵커홀이 형성될 수 있다. 그리고 상부 차광 부재(BMb')는 상기 적어도 하나의 앵커홀에 삽입될 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 9, at least one anchor hole may be formed in the upper part of the upper wiring pattern 122b. Additionally, the upper light blocking member BMb' may be inserted into the at least one anchor hole.

그리고 도시되지 않았으나, 하부 배선 패턴(122a)의 상부에도 적어도 하나의 앵커홀이 형성될 수 있다. 그리고 하부 차광 부재(BMa')는 상기 적어도 하나의 앵커홀에 삽입될 수 있다.Although not shown, at least one anchor hole may be formed in the upper part of the lower wiring pattern 122a. Additionally, the lower light blocking member BMa' may be inserted into the at least one anchor hole.

이에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 차광 부재(BMa', BMb')는 복수의 배선 패턴(122a, 122b) 각각의 상면에 고정될 수 있어, 표시 장치가 연신되더라도 차광 부재(BMa', BMb')는 박리되지 않을 수 있다. Accordingly, in the display device according to another embodiment of the present invention, the light blocking members BMa' and BMb' may be fixed to the upper surface of each of the plurality of wiring patterns 122a and 122b, so that even if the display device is stretched, the light blocking members BMa ', BMB') may not be peeled off.

이하에서는, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해서 설명한다.Below, a display device according to another embodiment of the present invention will be described.

<본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)><Another embodiment (third embodiment) of the present invention>

본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 배선 앵커에 대해서만 차이점이 존재하므로, 이를 중점으로 설명한다.Since there is a difference between the display device according to another embodiment (third embodiment) of the present invention and the display device according to one embodiment of the present invention only in terms of wire anchors, the description will focus on this.

본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 사용한다.Identical components of the display device according to another embodiment (third embodiment) of the present invention and the display device according to one embodiment of the present invention use the same reference numerals.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치의 직선 영역에 대한 확대 평면도이다.Figure 10 is an enlarged plan view of a straight area of a display device according to another embodiment (third embodiment) of the present invention.

도 11는 도 10에 도시된 절단선 XI- XI'에 따라 절단한 단면도이다.FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the cutting line XI-XI' shown in FIG. 10.

도 12는 도 10에 도시된 절단선 XII-XII'에 따라 절단한 단면도이다.FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the cutting line XII-XII' shown in FIG. 10.

본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치의 연신 배선은 굴곡지게 연장되는 곡선 부분과 직선으로 연장되는 직선 부분으로 구분될 수 있다.The stretched wiring of the display device according to another embodiment (third embodiment) of the present invention may be divided into a curved portion that extends in a curved manner and a straight portion that extends in a straight line.

도 10에서는 제2 방향(Y)으로 연장되는 제2 연신 배선(382)을 도시하였고, 제2 연신 배선(382)의 직선 부분은 제1 방향(X)으로 연장될 수 있다.FIG. 10 shows the second stretched wire 382 extending in the second direction (Y), and the straight portion of the second stretched wire 382 may extend in the first direction (X).

도시하지 않았으나, 제1 방향(X)으로 연장되는 제1 연신 배선의 직선 부분은 제2 방향(Y)으로 연장될 수 있다.Although not shown, the straight portion of the first stretched wiring extending in the first direction (X) may extend in the second direction (Y).

그리고, 연신 배선(382) 각각의 직선 부분의 하부에 배선 앵커(LAa, LAb)가 배치될 수 있다. 각각의 배선 앵커(LAa, LAb)의 평면 형태와 관련하여, 직선 부분의 연장 방향에 대한 배선 앵커(LAa, LAb)의 폭이 직선 부분의 연장 방향의 수직 방향에 대한에 대한 폭보다 넓을 수 있다.Additionally, wire anchors LAa and LAb may be disposed below each straight portion of the stretched wire 382. With respect to the planar shape of each wire anchor (LAa, LAb), the width of the wire anchor (LAa, LAb) in the extension direction of the straight portion may be wider than the width in the vertical direction of the extension direction of the straight portion. .

즉, 도 10 및 도 11에 도시된 제2 연신 배선(382)의 직선 부분의 연장 방향인 제1 방향(X)에 대한 배선 앵커(LAa, LAb)의 폭은 도 10 및 도 12에 도시된 제2 연신 배선(382)의 직선 부분의 연장 방향에 수직인 제2 방향(Y)에 대한 배선 앵커(LAa, LAb)의 폭보다 넓을 수 있다.That is, the widths of the wire anchors LAa and LAb in the first direction It may be wider than the width of the wire anchors LAa and LAb in the second direction (Y) perpendicular to the extension direction of the straight portion of the second stretched wire 382.

한편, 배선 앵커(LAa, LAb)는 상부 배선 앵커(LAb)와 하부 배선 앵커(LAa)를 포함하고, 상부 배선 앵커(LAb)는 복수의 상부 연신 배선(382b) 각각의 직선 부분의 하부에 배치되고, 하부 배선 앵커(LAa)는 상기 복수의 하부 연신 배선(382a) 각각의 직선 부분의 하부에 배치될 수 있다.Meanwhile, the wire anchors LAa and LAb include an upper wire anchor LAb and a lower wire anchor LAa, and the upper wire anchor LAb is disposed below each straight portion of the plurality of upper stretched wires 382b. The lower wire anchor LAa may be disposed below the straight portion of each of the plurality of lower elongated wires 382a.

구체적으로, 도 11 및 12에 도시된 바와 같이, 상부 배선 앵커(LAb)는 복수의 제2 상부 연신 배선(382b) 각각의 직선 부분의 하부에 배치될 수 있고, 복수의 제2 하부 연신 배선(382a) 각각의 직선 부분의 하부에 배치될 수 있다.Specifically, as shown in FIGS. 11 and 12, the upper wire anchor LAb may be disposed below the straight portion of each of the plurality of second upper stretched wires 382b, and the plurality of second lower stretched wires (382b) 382a) Can be placed at the bottom of each straight portion.

이에, 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치는 연신 배선은 배선 앵커(LAa, LAb)를 통하여, 복수의 배선 패턴(122a, 122b) 각각의 상면에 고정될 수 있어, 표시 장치가 연신되더라도 연신 배선은 박리되지 않을 수 있다.Accordingly, in the display device according to another embodiment (third embodiment) of the present invention, the stretched wiring can be fixed to the upper surface of each of the plurality of wiring patterns 122a and 122b through the wiring anchors LAa and LAb. , even if the display device is stretched, the stretched wiring may not be separated.

보다 구체적으로, 직선 부분의 연장 방향에 대한 배선 앵커(LAa, LAb)의 폭이 상대적으로 넓음으로써, 표시 장치가 연신될 경우 연신 스트레스를 최소화시킬 수 있다. 이에, 표시 장치의 연신율을 극대화시킬 수 있다.More specifically, since the width of the wire anchors LAa and LAb in the direction in which the straight portion extends is relatively wide, stretching stress can be minimized when the display device is stretched. Accordingly, the elongation rate of the display device can be maximized.

그리고, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 상부 배선 앵커(LAb)와 상기 하부 배선 앵커(LAa)는 수직 방향으로 중첩되지 않을 수 있다.And, as shown in FIGS. 11 and 12 , the upper wire anchor LAb and the lower wire anchor LAa may not overlap in the vertical direction.

이에, 상부 배선 앵커(LAb)와 하부 배선 앵커(LAa) 사이의 거리는 최대로 멀어질 수 있다. 따라서, 상부 배선 앵커(LAb)와 하부 배선 앵커(LAa) 사이에 발생하는 불필요한 기생 커패시턴스는 최소화될 수 있다. 이에, 표시 장치의 구동 신호의 지연은 최소화될 수 있다.Accordingly, the distance between the upper wiring anchor (LAb) and the lower wiring anchor (LAa) can be maximized. Accordingly, unnecessary parasitic capacitance occurring between the upper wire anchor (LAb) and the lower wire anchor (LAa) can be minimized. Accordingly, the delay of the driving signal of the display device can be minimized.

또한, 상부 배선 앵커(LAb)와 하부 배선 앵커(LAa) 사이의 거리는 최대로 멀어짐으로써, 표시 장치의 공정 상 발생하는 단락 이슈 또한 최소화시킬 수 있는 효과가 있다.Additionally, by maximizing the distance between the upper wiring anchor (LAb) and the lower wiring anchor (LAa), short circuit issues that occur during the display device process can also be minimized.

이하에서는, 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치에 대해서 설명한다.Below, a display device according to another embodiment (fourth embodiment) of the present invention will be described.

<본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)><Another embodiment of the present invention (fourth embodiment)>

본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 배선 앵커에 대해서만 차이점이 존재하므로, 이를 중점으로 설명한다.Since there is a difference between the display device according to another embodiment (fourth embodiment) of the present invention and the display device according to one embodiment of the present invention only in terms of wire anchors, the description will focus on this.

본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 사용한다.Identical components of the display device according to another embodiment (fourth embodiment) of the present invention and the display device according to one embodiment of the present invention use the same reference numerals.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치의 직선 영역에 대한 확대 평면도이다.Figure 13 is an enlarged plan view of a straight area of a display device according to another embodiment (fourth embodiment) of the present invention.

도 14는 도 13에 도시된 절단선 XIV- XIV'에 따라 절단한 단면도이다.FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the cutting line XIV-XIV' shown in FIG. 13.

도 15는 도 13에 도시된 절단선 XV-XV'에 따라 절단한 단면도이다.FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the cutting line XV-XV' shown in FIG. 13.

도 16은 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치의 배선 앵커가 구성하는 트랜지스터를 도시한 회로도이다.FIG. 16 is a circuit diagram showing a transistor included in a wiring anchor of a display device according to another embodiment (fourth embodiment) of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 연신 배선(482) 각각의 직선 부분의 상부 또는 하부에 배선 앵커(LAa', LAb')가 배치될 수 있다. 각각의 배선 앵커(LAa', LAb')의 평면 형태와 관련하여, 직선 부분의 연장 방향에 대한 배선 앵커(LAa', LAb')의 폭이 상기 직선 부분의 연장 방향의 수직 방향에 대한에 대한 폭보다 넓을 수 있다.In a display device according to another embodiment of the present invention, wire anchors LAa' and LAb' may be disposed above or below each straight portion of the stretched wire 482. With respect to the planar shape of each wire anchor LAa', LAb', the width of the wire anchors LAa', LAb' with respect to the extension direction of the straight portion is relative to the vertical direction of the extension direction of the straight portion. It can be wider than the width.

즉, 도 13 및 도 14에 도시된 제2 연신 배선(482)의 직선 부분의 연장 방향인 제1 방향(X)에 대한 배선 앵커(LAa', LAb')의 폭은 도 13 및 도 15에 도시된 제2 연신 배선(482)의 직선 부분의 연장 방향에 수직인 제2 방향(Y)에 대한 배선 앵커(LAa', LAb')의 폭보다 넓을 수 있다.That is, the widths of the wire anchors LAa' and LAb' in the first direction It may be wider than the width of the wire anchors LAa' and LAb' in the second direction (Y) perpendicular to the extension direction of the straight portion of the illustrated second stretched wire 482.

한편, 배선 앵커(LAa', LAb')는 상부 배선 앵커(LAb')와 하부 배선 앵커(LAa')를 포함하고, 상부 배선 앵커(LAb')는 상기 복수의 상부 연신 배선(482a) 각각의 직선 부분의 하부에 배치되고, 하부 배선 앵커(LAa')는 복수의 하부 연신 배선(482b) 각각의 직선 부분의 상부에 배치될 수 있다.Meanwhile, the wire anchors LAa' and LAb' include an upper wire anchor (LAb') and a lower wire anchor (LAa'), and the upper wire anchor (LAb') is one of each of the plurality of upper stretched wires 482a. It is disposed at the lower part of the straight portion, and the lower wire anchor LAa' may be disposed at the upper part of each straight portion of the plurality of lower elongated wirings 482b.

구체적으로, 도 14 및 15에 도시된 바와 같이, 상부 배선 앵커(LAb')는 복수의 제2 상부 연신 배선(482b) 각각의 직선 부분의 하부에 배치될 수 있고, 하부 배선 앵커(LAa')는 복수의 제2 하부 연신 배선(482a) 각각의 직선 부분의 상부에 배치될 수 있다.Specifically, as shown in FIGS. 14 and 15, the upper wire anchor LAb' may be disposed below the straight portion of each of the plurality of second upper stretched wires 482b, and the lower wire anchor LAa' may be disposed on the upper portion of each straight portion of the plurality of second lower elongated wires 482a.

이에, 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치는 연신 배선은 배선 앵커(LAa', LAb')를 통하여, 제2 배선 패턴 각각의 상면 및 하면에 고정될 수 있어, 표시 장치가 연신되더라도 연신 배선은 박리되지 않을 수 있다.Accordingly, in the display device according to another embodiment (fourth embodiment) of the present invention, the stretched wiring can be fixed to the upper and lower surfaces of each of the second wiring patterns through the wiring anchors LAa' and LAb', Even if the display device is stretched, the stretched wiring may not be separated.

보다 구체적으로, 직선 부분의 연장 방향에 대한 배선 앵커(LAa', LAb')의 폭이 상대적으로 넓음으로써, 표시 장치가 연신될 경우 연신 스트레스를 최소화시킬 수 있다. 이에, 표시 장치의 연신율을 극대화시킬 수 있다.More specifically, since the width of the wire anchors LAa' and LAb' in the direction in which the straight portion extends is relatively wide, stretching stress can be minimized when the display device is stretched. Accordingly, the elongation rate of the display device can be maximized.

그리고, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 상부 배선 앵커(LAb')와 상기 하부 배선 앵커(LAa')는 수직 방향으로 중첩되지 않을 수 있다.And, as shown in FIGS. 14 and 15 , the upper wire anchor LAb' and the lower wire anchor LAa' may not overlap in the vertical direction.

이에, 상부 배선 앵커(LAb')와 하부 배선 앵커(LAa') 사이의 거리는 최대로 멀어질 수 있다. 따라서, 상부 배선 앵커(LAb')와 하부 배선 앵커(LAa') 사이에 발생하는 불필요한 기생 커패시턴스는 최소화될 수 있다. 이에, 표시 장치의 구동 신호의 지연은 최소화될 수 있다.Accordingly, the distance between the upper wiring anchor LAb' and the lower wiring anchor LAa' can be maximized. Accordingly, unnecessary parasitic capacitance occurring between the upper wire anchor LAb' and the lower wire anchor LAa' can be minimized. Accordingly, the delay of the driving signal of the display device can be minimized.

또한, 상부 배선 앵커(LAb')와 하부 배선 앵커(LAa') 사이의 거리는 최대로 멀어짐으로써, 표시 장치의 공정 상 발생하는 단락 이슈 또한 최소화시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the distance between the upper wiring anchor LAb' and the lower wiring anchor LAa' is maximized, which has the effect of minimizing short-circuit issues that occur during the display device process.

또한, 하부 배선 앵커(LAa')와 상부 연신 배선(482b) 각각의 사이에는 반도체층(SC)이 배치될 수 있다.Additionally, a semiconductor layer SC may be disposed between the lower wire anchor LAa' and the upper stretched wire 482b.

구체적으로 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 반도체층(SC)은 하부 배선 앵커(LAa')와 상부 연신 배선(482b)에 접촉될 수 있고, 복수의 상부 배선 앵커(LAb')와는 일정 간격 이격될 수 있다.Specifically, as shown in FIGS. 14 and 15, the semiconductor layer SC may be in contact with the lower wiring anchor LAa' and the upper stretched wiring 482b, and may be in constant contact with the plurality of upper wiring anchors LAb'. Spacing can be spaced apart.

이에, 복수의 상부 배선 앵커(LAb') 각각은 게이트 전극에 해당할 수 있어, 반도체층(SC)에는 상기 상부 배선 앵커(LAb')의 전압에 따라 채널이 형성될 수 있다.Accordingly, each of the plurality of upper wire anchors LAb' may correspond to a gate electrode, and a channel may be formed in the semiconductor layer SC according to the voltage of the upper wire anchor LAb'.

즉, 하나의 상부 배선 앵커(LAb')는 하나의 게이트 전극에 해당할 수 있고, 하나의 하부 배선 앵커(LAa')는 드레인 전극에 해당할 수 있고, 상부 연신 배선(482b)은 소스 전극에 해당할 수 있어, 상부 배선 앵커(LAb'), 상부 연신 배선, 하부 배선 앵커(LAa') 및 반도체층(SC)은 하나의 트랜지스터를 구성할 수 있다.That is, one upper wire anchor (LAb') may correspond to one gate electrode, one lower wire anchor (LAa') may correspond to a drain electrode, and the upper stretched wire (482b) may correspond to a source electrode. Accordingly, the upper wire anchor (LAb'), the upper stretched wire, the lower wire anchor (LAa'), and the semiconductor layer (SC) may form one transistor.

그리고, 상부 연신 배선(482b)과 상부 배선 앵커(LAb')는 전기적으로 연결되어 있으므로, 실질적으로 다이오드 커넥션된 트랜지스터를 구성할 수 있다.Additionally, since the upper stretched wiring 482b and the upper wiring anchor LAb' are electrically connected, a transistor substantially diode connected can be formed.

구체적으로, 도 16에 도시된 바와 같이, 도 14 및 도 15에 도시된 레이아웃은 2개의 병렬 연결된 다이오드 커넥션 트랜지스터로 도시할 수 있다.Specifically, as shown in Figure 16, the layout shown in Figures 14 and 15 can be shown as two diode connection transistors connected in parallel.

이에, 제2 상부 연신 배선(482b)에 높은 전압이 인가될 경우, 다이오드 커넥션 트랜지스터로 인하여, 제2 하부 연신 배선(482a)에도 제2 상부 연신 배선(482b)과 동일한 전압이 인가될 수 있다. 그러나, 제2 상부 연신 배선(482b)에 낮은 전압이 인가될 경우, 다이오드 커넥션 트랜지스터로 인하여, 제1 상부 연신 배선(482a)에는 제2 상부 연신 배선(482b)과 상이한 전압이 인가될 수 있다.Accordingly, when a high voltage is applied to the second upper stretched wiring 482b, the same voltage as that of the second upper stretched wiring 482b may be applied to the second lower stretched wiring 482a due to the diode connection transistor. However, when a low voltage is applied to the second upper stretched wiring 482b, a different voltage from that of the second upper stretched wiring 482b may be applied to the first upper stretched wiring 482a due to the diode connection transistor.

이에, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는 반도체층(SC)을 배치하여 트랜지스터를 구성함으로써, 연신 배선에 다양한 전압을 인가할 수 있다.Accordingly, the display device according to another embodiment of the present invention configures a transistor by disposing the semiconductor layer SC, so that various voltages can be applied to the stretched wiring.

<본 발명의 또 다른 실시예(제5 실시예)><Another embodiment of the present invention (fifth embodiment)>

본 발명의 또 다른 실시예(제5 실시예)에 따른 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 배선 앵커에 대해서만 차이점이 존재하므로, 이를 중점으로 설명한다.Since there is a difference between the display device according to another embodiment (the fifth embodiment) of the present invention and the display device according to one embodiment of the present invention only in terms of wire anchors, the description will focus on this.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 사용한다.Identical components of the display device according to another embodiment of the present invention and the display device according to one embodiment of the present invention use the same reference numerals.

도 17은 본 발명의 또 다른 실시예(제5 실시예)에 따른 표시 장치의 직선 영역에 대한 확대 평면도이다.Figure 17 is an enlarged plan view of a straight area of a display device according to another embodiment (fifth embodiment) of the present invention.

도 18은 도 17에 도시된 절단선 XVIII- XVIII'에 따라 절단한 단면도이다.FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII' shown in FIG. 17.

도 19는 도 17에 도시된 절단선 XIX-XIX'에 따라 절단한 단면도이다.FIG. 19 is a cross-sectional view taken along the cutting line XIX-XIX' shown in FIG. 17.

도 20은 본 발명의 또 다른 실시예(제5 실시예)에 따른 표시 장치의 배선 앵커가 구성하는 트랜지스터를 도시한 회로도이다.FIG. 20 is a circuit diagram showing a transistor included in a wiring anchor of a display device according to another embodiment (fifth embodiment) of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예(제5 실시예)에서, 연신 배선(582) 각각의 직선 부분의 상부 또는 하부에 배선 앵커(LAa'', LAb'')가 배치될 수 있다. 각각의 배선 앵커(LAa'', LAb'')의 평면 형태와 관련하여, 직선 부분의 연장 방향에 대한 배선 앵커(LAa'', LAb'')의 폭이 상기 직선 부분의 연장 방향의 수직 방향에 대한에 대한 폭보다 넓을 수 있다.In another embodiment (fifth embodiment) of the present invention, wire anchors LAa'' and LAb'' may be disposed on or below each straight portion of the stretched wire 582. With respect to the planar shape of each wire anchor (LAa'', LAb''), the width of the wire anchor (LAa'', LAb'') with respect to the direction of extension of the straight part is perpendicular to the direction of extension of the straight part. It may be wider than the width for.

즉, 도 17 및 도 18에 도시된 제2 연신 배선(582)의 직선 부분의 연장 방향인 제1 방향(X)에 대한 배선 앵커(LAa'', LAb'')의 폭은 도 17 및 도 19에 도시된 제2 연신 배선(382)의 직선 부분의 연장 방향에 수직인 제2 방향(Y)에 대한 배선 앵커(LAa'', LAb'')의 폭보다 넓을 수 있다.That is, the widths of the wire anchors LAa'' and LAb'' in the first direction (X), which is the extension direction of the straight portion of the second stretched wire 582 shown in FIGS. 17 and 18, are It may be wider than the width of the wire anchors LAa'' and LAb'' in the second direction (Y) perpendicular to the extension direction of the straight portion of the second stretched wire 382 shown in Figure 19.

한편, 배선 앵커(LAa'', LAb'')는 상부 배선 앵커(LAb'')와 하부 배선 앵커(LAa'')를 포함하고, 상부 배선 앵커(LAb'')는 상기 복수의 상부 연신 배선(582b) 각각의 직선 부분의 하부에 배치되고, 하부 배선 앵커(LAa'')는 복수의 하부 연신 배선(582a) 각각의 직선 부분의 상부에 배치될 수 있다.Meanwhile, the wire anchors LAa'' and LAb'' include an upper wire anchor (LAb'') and a lower wire anchor (LAa''), and the upper wire anchor (LAb'') includes the plurality of upper stretched wires. (582b) is disposed at the bottom of each straight portion, and the lower wire anchor LAa'' may be disposed at the top of each straight portion of the plurality of lower elongated wires 582a.

구체적으로, 도 18 및 19에 도시된 바와 같이, 상부 배선 앵커(LAb'')는 복수의 제2 상부 연신 배선(582b) 각각의 직선 부분의 하부에 배치될 수 있고, 하부 배선 앵커(LAa'')는 복수의 제2 하부 연신 배선(582a) 각각의 직선 부분의 상부에 배치될 수 있다.Specifically, as shown in FIGS. 18 and 19, the upper wire anchor LAb'' may be disposed below the straight portion of each of the plurality of second upper stretched wires 582b, and the lower wire anchor LAa' ') may be disposed on the upper portion of each straight portion of the plurality of second lower elongated wires 582a.

이에, 본 발명의 또 다른 실시예(제5 실시예)에 따른 표시 장치는 연신 배선은 배선 앵커(LAa'', LAb'')를 통하여, 상부 배선 패턴(122a) 각각의 상면 및 하면에 고정될 수 있어, 표시 장치가 연신되더라도 연신 배선은 박리되지 않을 수 있다.Accordingly, in the display device according to another embodiment (fifth embodiment) of the present invention, the stretched wiring is fixed to the upper and lower surfaces of each of the upper wiring patterns 122a through wiring anchors LAa'' and LAb''. Therefore, even if the display device is stretched, the stretched wiring may not be peeled off.

보다 구체적으로, 직선 부분의 연장 방향에 대한 배선 앵커(LAa'', LAb'')의 폭이 상대적으로 넓음으로써, 표시 장치가 연신될 경우 연신 스트레스를 최소화시킬 수 있다. 이에, 표시 장치의 연신율을 극대화시킬 수 있다.More specifically, since the width of the wire anchors LAa'' and LAb'' in the direction in which the straight portion extends is relatively wide, stretching stress can be minimized when the display device is stretched. Accordingly, the elongation rate of the display device can be maximized.

그리고, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 배선 앵커(LAb'')와 상기 하부 배선 앵커(LAa'')는 수직 방향으로 중첩되지 않을 수 있다.And, as shown in FIGS. 18 and 19 , the upper wire anchor LAb'' and the lower wire anchor LAa'' may not overlap in the vertical direction.

이에, 상부 배선 앵커(LAb'')와 하부 배선 앵커(LAa'') 사이의 거리는 최대로 멀어질 수 있다. 따라서, 상부 배선 앵커(LAb'')와 하부 배선 앵커(LAa'') 사이에 발생하는 불필요한 기생 커패시턴스는 최소화될 수 있다. 이에, 표시 장치의 구동 신호의 지연은 최소화될 수 있다.Accordingly, the distance between the upper wiring anchor LAb'' and the lower wiring anchor LAa'' can be maximized. Accordingly, unnecessary parasitic capacitance occurring between the upper wire anchor LAb'' and the lower wire anchor LAa'' can be minimized. Accordingly, the delay of the driving signal of the display device can be minimized.

또한, 상부 배선 앵커(LAb'')와 하부 배선 앵커(LAa'') 사이의 거리는 최대로 멀어짐으로써, 표시 장치의 공정 상 발생하는 단락 이슈 또한 최소화시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the distance between the upper wiring anchor LAb'' and the lower wiring anchor LAa'' is maximized, which has the effect of minimizing short circuit issues that occur during the display device process.

또한, 상기 복수의 상부 연신 배선(582b) 각각과 상기 복수의 하부 연신 배선(582a) 각각의 사이에는 제1 반도체층(SC1), 제2 반도체층(SC2) 및 연결 금속층(CM)이 배치될 수 있다.In addition, a first semiconductor layer (SC1), a second semiconductor layer (SC2), and a connecting metal layer (CM) may be disposed between each of the plurality of upper stretched wirings 582b and each of the plurality of lower stretched wirings 582a. You can.

구체적으로 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 반도체층(SC1)은 상기 복수의 하부 연신 배선(582a) 각각과 연결 금속층(CM) 사이에 배치되고, 상기 제2 반도체층(SC2)은 상기 복수의 상부 연신 배선(582b) 각각과 연결 금속층(CM) 사이에 배치된다.Specifically, as shown in FIGS. 18 and 19, the first semiconductor layer SC1 is disposed between each of the plurality of lower stretched wires 582a and the connecting metal layer CM, and the second semiconductor layer SC2 is disposed between each of the plurality of upper stretched wires 582b and the connection metal layer CM.

이에, 상부 배선 앵커(LAb'') 및 하부 배선 앵커(LAa'') 각각은 게이트 전극에 해당할 수 있다. 따라서, 제1 반도체층(SC1)에는 하부 배선 앵커(LAa'')의 전압에 따라 채널이 형성될 수 있고, 제2 반도체층(SC2)에는 상부 배선 앵커(LAb'')의 전압에 따라 채널이 형성될 수 있다.Accordingly, each of the upper wire anchor (LAb'') and the lower wire anchor (LAa'') may correspond to a gate electrode. Accordingly, a channel may be formed in the first semiconductor layer SC1 according to the voltage of the lower wiring anchor LAa'', and a channel may be formed in the second semiconductor layer SC2 according to the voltage of the upper wiring anchor LAb''. This can be formed.

즉, 하부 배선 앵커(LAa'')는 게이트 전극에 해당할 수 있고, 연결 금속층(CM)은 드레인 전극에 해당할 수 있고, 하부 연신 배선(582a)은 소스 전극에 해당할 수 있어, 하부 배선 앵커(LAa''), 하부 연신 배선(582a), 연결 금속층(CM) 및 제1 반도체층(SC1)은 하나의 트랜지스터를 구성할 수 있다.That is, the lower wiring anchor LAa'' may correspond to the gate electrode, the connecting metal layer CM may correspond to the drain electrode, and the lower stretched wiring 582a may correspond to the source electrode, so that the lower wiring anchor LAa'' may correspond to the gate electrode. The anchor LAa'', the lower stretched wiring 582a, the connection metal layer CM, and the first semiconductor layer SC1 may form one transistor.

그리고, 하부 연신 배선(582a)과 하부 배선 앵커(LAa'')는 전기적으로 연결되어 있으므로, 실질적으로 다이오드 커넥션된 트랜지스터를 구성할 수 있다.Additionally, since the lower stretched wiring 582a and the lower wiring anchor LAa'' are electrically connected, a transistor substantially diode connected can be formed.

이와 유사하게, 상부 배선 앵커(LAb'')는 게이트 전극에 해당할 수 있고, 연결 금속층(CM)은 드레인 전극에 해당할 수 있고, 상부 연신 배선(582b)은 소스 전극에 해당할 수 있어, 상부 배선 앵커(LAb''), 상부 연신 배선(582b), 연결 금속층(CM) 및 제2 반도체층(SC2)은 하나의 트랜지스터를 구성할 수 있다.Similarly, the upper wire anchor LAb'' may correspond to the gate electrode, the connecting metal layer CM may correspond to the drain electrode, and the upper stretched wire 582b may correspond to the source electrode, The upper wire anchor LAb'', the upper stretched wire 582b, the connection metal layer CM, and the second semiconductor layer SC2 may form one transistor.

그리고, 상부 연신 배선(582b)과 상부 배선 앵커(LAb'')는 전기적으로 연결되어 있으므로, 실질적으로 다이오드 커넥션된 트랜지스터를 구성할 수 있다.Additionally, since the upper stretched wiring 582b and the upper wiring anchor LAb'' are electrically connected, a transistor substantially diode connected can be formed.

구체적으로, 도 20에 도시된 바와 같이, 도 18 및 도 19에 도시된 레이아웃은 2개의 직렬 연결된 다이오드 커넥션 트랜지스터로 도시할 수 있다.Specifically, as shown in Figure 20, the layout shown in Figures 18 and 19 can be shown as two diode connection transistors connected in series.

만약, 하부 연신 배선(582a)과 상부 연신 배선(582b)에 모두 턴온 전압인 하이 레벨의 전압이 인가될 경우, 제1 반도체층(SC1) 및 제2 반도체층(SC2)에는 채널이 형성되어, 하부 연신 배선(582a)과 상부 연신 배선(582b)은 병렬로 연결될 수 있어 저항이 감소할 수 있다.If a high level voltage, which is the turn-on voltage, is applied to both the lower stretched wiring 582a and the upper stretched wiring 582b, a channel is formed in the first semiconductor layer SC1 and the second semiconductor layer SC2, The lower stretched wiring 582a and the upper stretched wiring 582b can be connected in parallel, thereby reducing resistance.

또한, 상술한 경우에, 하부 연신 배선(582a)과 상부 연신 배선(582b) 중 하나가 단선되더라도 단선 되지 않은 배선으로 인해 신호가 전달될 수 있으므로, 신호의 전달을 안정적으로 수행할 수 있다.Additionally, in the case described above, even if one of the lower stretched wires 582a and the upper stretched wires 582b is disconnected, the signal can be transmitted due to the unbroken wire, so signal transmission can be performed stably.

본 발명의 다양한 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.A display device according to various embodiments of the present invention may be described as follows.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 투과성 물질로 형성되고, 연신 가능한 하부 기판, 하부 기판 상에 배치되고, 복수의 판 패턴과 복수의 배선 패턴으로 구성되는 패턴층, 복수의 판 패턴 각각의 상부에 배치되는 복수의 발광 소자, 복수의 배선 패턴 각각의 상부에 배치되는 복수의 연신 배선 및 복수의 배선 패턴 상에 배치되고, 복수의 연신 배선을 덮는 차광 부재를 포함하여, 투명하면서 연신 가능한 표시 장치를 구현할 수 있다.In order to solve the above-described problem, a display device according to an embodiment of the present invention is formed of a transparent material, is disposed on a stretchable lower substrate, and consists of a plurality of plate patterns and a plurality of wiring patterns. a pattern layer, a plurality of light-emitting elements disposed on top of each of the plurality of plate patterns, a plurality of stretched wirings disposed on top of each of the plurality of wiring patterns, and a light blocking layer disposed on the plurality of wiring patterns and covering the plurality of stretched wirings. By including the member, a transparent and stretchable display device can be implemented.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 차광 부재는 복수의 판 패턴 각각의 상부의 영역 중 복수의 발광 소자 각각이 배치되는 영역을 제외한 영역에 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, the light blocking member may be disposed in an upper area of each of the plurality of plate patterns excluding the area where each of the plurality of light emitting devices is disposed.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 차광 부재는 복수의 배선 패턴 각각의 상면에 형성된 앵커홀에 삽입될 수 있다.According to another feature of the present invention, the light blocking member may be inserted into an anchor hole formed on the upper surface of each of the plurality of wiring patterns.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 차광 부재의 두께는 복수의 판 패턴 각각으로부터 멀어질수록 두꺼워질 수 있다.According to another feature of the present invention, the thickness of the light blocking member may become thicker as the distance from each of the plurality of plate patterns increases.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 패턴층은 하부 패턴층과 하부 패턴층 상에 배치되는 상부 패턴층을 포함하고, 하부 패턴층은 복수의 하부 판 패턴과 복수의 하부 배선 패턴으로 구성되고, 상부 패턴층은 복수의 상부 판 패턴과 복수의 상부 배선 패턴으로 구성될 수 있다.According to another feature of the present invention, the pattern layer includes a lower pattern layer and an upper pattern layer disposed on the lower pattern layer, the lower pattern layer is composed of a plurality of lower plate patterns and a plurality of lower wiring patterns, and the upper pattern layer The pattern layer may be composed of a plurality of upper plate patterns and a plurality of upper wiring patterns.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하부 패턴층과 상부 패턴층이 접하는 면에는 미세 패턴이 형성될 수 있다.According to another feature of the present invention, a fine pattern may be formed on a surface where the lower pattern layer and the upper pattern layer are in contact.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 연신 배선은 하부 배선 패턴 상에 배치되는 복수의 하부 연신 배선 및 상부 배선 패턴 상에 배치되는 복수의 상부 연신 배선을 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of stretched wires may include a plurality of lower stretched wires disposed on the lower wire pattern and a plurality of upper stretched wires disposed on the upper wire pattern.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 차광 부재는 복수의 하부 연신 배선을 덮는 하부 차광 부재 및 복수의 상부 연신 배선을 덮는 상부 차광 부재를 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, the light blocking member may include a lower light blocking member covering the plurality of lower extending wiring lines and an upper light blocking member covering the plurality of upper extending wiring lines.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 배선 패턴 및 복수의 연신 배선은 제1 방향 및 제2 방향으로 연장되고, 복수의 판 패턴의 일 변은 제1 방향 및 제2 방향과 다른 방향으로 연장될 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of wiring patterns and the plurality of stretched wirings extend in a first direction and a second direction, and one side of the plurality of plate patterns extends in a direction different from the first direction and the second direction. It can be.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 판 패턴은 제1 방향 및 제2 방향을 기준으로 마름모 형상일 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of plate patterns may have a diamond shape with respect to the first and second directions.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 하부 연신 배선은 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 하부 연신 배선 및 제2 방향으로 연장되는 제2 하부 연신 배선을 포함하고, 복수의 상부 연신 배선은 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 상부 연신 배선 및 제2 방향으로 연장되는 제2 상부 연신 배선을 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of lower stretched wirings includes a plurality of first lower stretched wirings extending in a first direction and a plurality of second lower stretched wirings extending in a second direction, and the plurality of upper stretched wirings include It may include a plurality of first upper stretched wires extending in a first direction and a plurality of second upper stretched wires extending in a second direction.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 연신 배선 각각은 직선 부분과 곡선 부분으로 구분되는 웨이비 형태로 형성되고, 복수의 연신 배선 각각의 직선 부분의 일면에 배선 앵커가 배치되고, 배선 앵커는 복수의 배선 패턴의 타면에 형성된 앵커홀에 삽입될 수 있다.According to another feature of the present invention, each of the plurality of stretched wires is formed in a wavy shape divided into a straight part and a curved part, and a wire anchor is disposed on one side of the straight part of each of the plurality of stretched wires, and the wire anchor is It can be inserted into an anchor hole formed on the other side of the plurality of wiring patterns.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 배선 앵커 각각에 대하여, 직선 부분의 연장 방향에 대한 배선 앵커의 폭이 직선 부분의 연장 방향의 수직 방향에 대한 배선 앵커의 폭보다 넓을 수 있다.According to another feature of the present invention, for each wire anchor, the width of the wire anchor in the direction in which the straight part extends may be wider than the width of the wire anchor in the vertical direction in the direction in which the straight part extends.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 배선 앵커는 상부 배선 앵커와 하부 배선 앵커를 포함하고, 상부 배선 앵커는 복수의 상부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치되고, 하부 배선 앵커는 복수의 하부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, the wire anchor includes an upper wire anchor and a lower wire anchor, the upper wire anchor is disposed at the lower part of the straight portion of each of the plurality of upper elongated wires, and the lower wire anchor is the plurality of lower elongated wires. It may be placed at the bottom of each straight portion of the wiring.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상부 배선 앵커와 하부 배선 앵커는 수직 방향으로 중첩되지 않을 수 있다.According to another feature of the present invention, the upper wire anchor and the lower wire anchor may not overlap in the vertical direction.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 배선 앵커는 상부 배선 앵커와 하부 배선 앵커를 포함하고, 상부 배선 앵커는 복수의 상부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치되고, 하부 배선 앵커는 복수의 하부 연신 배선 각각의 직선 부분의 상부에 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, the wire anchor includes an upper wire anchor and a lower wire anchor, the upper wire anchor is disposed at the lower part of the straight portion of each of the plurality of upper elongated wires, and the lower wire anchor is the plurality of lower elongated wires. It may be placed on top of each straight portion of the wiring.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하부 배선 앵커와 복수의 상부 연신 배선 각각의 사이에는 반도체층이 배치되고, 반도체층에는 상부 배선 앵커의 전압에 따라 채널이 형성될 수 있다.According to another feature of the present invention, a semiconductor layer is disposed between the lower wire anchor and each of the plurality of upper stretched wires, and a channel may be formed in the semiconductor layer according to the voltage of the upper wire anchor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 상부 연신 배선 각각과 복수의 하부 연신 배선 각각의 사이에는 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 연결 금속층이 배치되고, 제1 반도체층은 복수의 하부 연신 배선 각각과 연결 금속층 사이에 배치되고, 제2 반도체층은 복수의 상부 연신 배선 각각과 연결 금속층 사이에 배치되고, 제1 반도체층은 상부 배선 앵커의 전압 따라 채널이 형성되고, 제2 반도체층은 하부 배선 앵커의 전압 따라 채널이 형성될 수 있다.According to another feature of the present invention, a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a connecting metal layer are disposed between each of the plurality of upper stretched wirings and each of the plurality of lower stretched wirings, and the first semiconductor layer is disposed between the plurality of lower stretched wirings. It is disposed between each of the wirings and the connecting metal layer, and the second semiconductor layer is disposed between each of the plurality of upper stretched wirings and the connecting metal layer. A channel is formed in the first semiconductor layer according to the voltage of the upper wiring anchor, and the second semiconductor layer is A channel may be formed depending on the voltage of the lower wiring anchor.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 발광 소자가 발광하는 발광 영역, 외광을 투과시키는 투과 영역 및 외광이 투과되지 않는 차광 영역으로 구분되고, 투명한 물질로 형성되는 연신 기판, 상기 발광 영역에 배치되어, 빛을 발광하는 복수의 화소, 상기 차광 영역에 배치되어, 상기 복수의 화소를 연결하는 복수의 연신 배선 및 상기 복수의 연신 배선 각각의 일면면에 배선 앵커를 포함하여, 연신 신뢰성을 향상시킬 수 있다.A display device according to another embodiment of the present invention is divided into a light-emitting area through which a light-emitting element emits light, a transmission area through which external light transmits, and a light-shielding area through which external light does not transmit, and a stretched substrate formed of a transparent material and disposed in the light-emitting area. It includes a plurality of pixels emitting light, a plurality of stretched wires disposed in the light blocking area and connecting the plurality of pixels, and a wire anchor on one surface of each of the plurality of stretched wires, to improve stretching reliability. You can.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 연신 배선 각각은 직선 부분과 곡선 부분으로 구분되는 웨이비 형태로 형성되고, 배선 앵커 각각에 대하여, 직선 부분의 연장 방향에 대한 상기 배선 앵커의 폭이 상기 직선 부분의 연장 방향의 수직 방향에 대한 상기 배선 앵커의 폭보다 넓을 수 있다.According to another feature of the present invention, each of the plurality of stretched wires is formed in a wavy shape divided into a straight part and a curved part, and for each wire anchor, the width of the wire anchor with respect to the extension direction of the straight part is the straight part. It may be wider than the width of the wiring anchor in the vertical direction of the extension direction of the portion.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 복수의 연신 배선은 복수의 하부 연신 배선과 복수의 상부 연신 배선을 포함하고, 상기 배선 앵커는, 상기 복수의 상부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치되는 상부 배선 앵커와 상기 복수의 하부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치되는 하부 배선 앵커를 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of stretched wirings include a plurality of lower stretched wirings and a plurality of upper stretched wirings, and the wiring anchor is disposed below a straight portion of each of the plurality of upper stretched wirings. It may include an upper wire anchor and a lower wire anchor disposed below the straight portion of each of the plurality of lower elongated wires.

본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and may be implemented in various modifications without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be construed as being included in the scope of rights of the present invention.

100: 표시 장치
111: 하부 기판
112: 상부 기판
120: 패턴층
121a: 하부 판 패턴
122a: 하부 배선 패턴
121: 하부 판 패턴
122: 하부 배선 패턴
123: 외부 판 패턴
124: 외부 배선 패턴
141: 버퍼층
142: 게이트 절연층
143: 제1 층간 절연층
144: 제2 층간 절연층
145: 패시베이션층
146: 평탄화층
147: 뱅크
150: 스위칭 트랜지스터
160: 구동 트랜지스터
151, 161: 게이트 전극
152, 162: 액티브층
153, 163: 소스 전극
154, 164: 드레인 전극
170: LED
171: n형층
172: 활성층
173: p형층
174: n전극
175: p전극
181a 제1 하부 연신 배선
182a, 382a, 482a, 582a: 제2 하부 연신 배선
181b: 제1 상부 연신 배선
182b, 382b, 482b, 582b: 제2 상부 연신 배선
190: 충진층
PX: 화소
SPX: 서브 화소
BM: 차광 부재
BMa, BMa': 하부 차광 부재
BMb, BMb': 상부 차광부재
GD: 게이트 드라이버
DD: 데이터 드라이버
GP: 게이트 패드
DP: 데이터 패드
PCB: 인쇄 회로 기판
PS: 파워 서플라이
AA: 표시 영역
NA: 비표시 영역
BA: 차광 영역
EA: 발광 영역
TA: 투과 영역
LAa, LAa', LAa'': 하부 배선 앵커
LAb, LAb', LAb'': 상부 배선 앵커
SC: 반도체층
SC1: 제1 반도체층
SC2: 제2 반도체층
CM: 연결 금속층
100: display device
111: lower substrate
112: upper substrate
120: Pattern layer
121a: lower plate pattern
122a: lower wiring pattern
121: Lower plate pattern
122: Lower wiring pattern
123: External plate pattern
124: External wiring pattern
141: buffer layer
142: Gate insulation layer
143: First interlayer insulating layer
144: second interlayer insulating layer
145: Passivation layer
146: Flattening layer
147: bank
150: switching transistor
160: Driving transistor
151, 161: Gate electrode
152, 162: active layer
153, 163: source electrode
154, 164: drain electrode
170: LED
171: n-type layer
172: active layer
173: p-type layer
174: n electrode
175: p electrode
181a first lower elongated wiring
182a, 382a, 482a, 582a: second lower elongated wiring
181b: first upper elongated wiring
182b, 382b, 482b, 582b: second upper elongated wiring
190: Filling layer
PX: pixel
SPX: Sub pixel
BM: light blocking member
BMa, BMa': lower light blocking member
BMB, BMB': upper light blocking member
GD: gate driver
DD: data driver
GP: gate pad
DP: data pad
PCB: printed circuit board
PS: Power supply
AA: display area
NA: Non-display area
BA: shaded area
EA: luminous area
TA: Transmissive area
LAa, LAa', LAa'': Bottom wiring anchors
LAb, LAb', LAb'': Upper wiring anchors
SC: semiconductor layer
SC1: first semiconductor layer
SC2: second semiconductor layer
CM: connecting metal layer

Claims (25)

투과성 물질로 형성되고, 연신 가능한 하부 기판;
상기 하부 기판 상에 배치되고, 복수의 판 패턴과 복수의 배선 패턴으로 구성되는 패턴층;
상기 복수의 판 패턴 각각의 상부에 배치되는 복수의 발광 소자;
상기 복수의 배선 패턴 각각의 상부에 배치되는 복수의 연신 배선; 및
상기 복수의 배선 패턴 상에 배치되고, 상기 복수의 연신 배선을 덮는 차광 부재를 포함하는, 표시 장치.
a stretchable lower substrate formed of a permeable material;
a pattern layer disposed on the lower substrate and composed of a plurality of plate patterns and a plurality of wiring patterns;
a plurality of light emitting elements disposed on top of each of the plurality of plate patterns;
a plurality of stretched wires disposed on top of each of the plurality of wire patterns; and
A display device comprising a light blocking member disposed on the plurality of wiring patterns and covering the plurality of stretched wiring lines.
제1 항에 있어서,
상기 차광 부재는,
상기 복수의 판 패턴 각각의 상부의 영역 중 상기 복수의 발광 소자 각각이 배치되는 영역을 제외한 영역에 배치되는, 표시 장치.
According to claim 1,
The light blocking member is,
A display device disposed in an upper area of each of the plurality of plate patterns excluding an area where each of the plurality of light emitting elements is disposed.
제1 항에 있어서,
상기 차광 부재는,
상기 복수의 배선 패턴 각각의 상면에 형성된 앵커홀에 삽입되는, 표시 장치.
According to claim 1,
The light blocking member is,
A display device inserted into anchor holes formed on upper surfaces of each of the plurality of wiring patterns.
제1 항에 있어서,
상기 차광 부재의 두께는,
상기 복수의 판 패턴 각각으로부터 멀어질수록 두꺼워지는, 표시 장치.
According to claim 1,
The thickness of the light blocking member is,
A display device that becomes thicker as the distance from each of the plurality of plate patterns increases.
제1 항에 있어서,
상기 패턴층은 하부 패턴층과 상기 하부 패턴층 상에 배치되는 상부 패턴층을 포함하고,
상기 하부 패턴층은 복수의 하부 판 패턴과 복수의 하부 배선 패턴으로 구성되고,
상기 상부 패턴층은 복수의 상부 판 패턴과 복수의 상부 배선 패턴으로 구성되는, 표시 장치.
According to claim 1,
The pattern layer includes a lower pattern layer and an upper pattern layer disposed on the lower pattern layer,
The lower pattern layer is composed of a plurality of lower plate patterns and a plurality of lower wiring patterns,
The display device wherein the upper pattern layer is composed of a plurality of upper plate patterns and a plurality of upper wiring patterns.
제5 항에 있어서,
상기 하부 패턴층과 상기 상부 패턴층이 접하는 면에는 미세 패턴이 형성된, 표시 장치.
According to clause 5,
A display device wherein a fine pattern is formed on a surface where the lower pattern layer and the upper pattern layer are in contact.
제5 항에 있어서,
상기 복수의 연신 배선은,
상기 하부 배선 패턴 상에 배치되는 복수의 하부 연신 배선 및
상기 상부 배선 패턴 상에 배치되는 복수의 상부 연신 배선을 포함하는, 표시 장치.
According to clause 5,
The plurality of stretched wirings are:
a plurality of lower stretched wires disposed on the lower wire pattern, and
A display device comprising a plurality of upper stretched wirings disposed on the upper wiring pattern.
제7 항에 있어서,
상기 차광 부재는,
상기 복수의 하부 연신 배선을 덮는 하부 차광 부재 및
상기 복수의 상부 연신 배선을 덮는 상부 차광 부재를 포함하는, 표시 장치.
According to clause 7,
The light blocking member is,
A lower light blocking member covering the plurality of lower stretched wirings, and
A display device comprising an upper light blocking member covering the plurality of upper stretched wirings.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 배선 패턴 및 복수의 연신 배선은 제1 방향 및 제2 방향으로 연장되고,
상기 복수의 판 패턴의 일 변은 제1 방향 및 제2 방향과 다른 방향으로 연장되는, 표시 장치.
According to claim 1,
The plurality of wiring patterns and the plurality of stretched wirings extend in a first direction and a second direction,
One side of the plurality of plate patterns extends in a direction different from the first direction and the second direction.
제9 항에 있어서,
상기 복수의 판 패턴은 제1 방향 및 제2 방향을 기준으로 마름모 형상인, 표시 장치.
According to clause 9,
The display device wherein the plurality of plate patterns have a diamond shape with respect to a first direction and a second direction.
제7 항에 있어서,
상기 복수의 하부 연신 배선은 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 하부 연신 배선 및 제2 방향으로 연장되는 제2 하부 연신 배선을 포함하고,
상기 복수의 상부 연신 배선은 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 상부 연신 배선 및 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 상부 연신 배선을 포함하는, 표시 장치.
According to clause 7,
The plurality of lower stretched wirings include a plurality of first lower stretched wirings extending in a first direction and a plurality of second lower stretched wirings extending in a second direction,
The display device, wherein the plurality of upper stretched wirings include a plurality of first upper stretched wirings extending in the first direction and second upper stretched wirings extending in the second direction.
제7 항에 있어서,
복수의 연신 배선 각각은,
직선 부분과 곡선 부분으로 구분되는 웨이비 형태로 형성되고,
상기 복수의 연신 배선 각각의 직선 부분의 일면에 배선 앵커가 배치되고,
상기 배선 앵커는 상기 복수의 배선 패턴의 타면에 형성된 앵커홀에 삽입되는, 표시 장치.
According to clause 7,
Each of the plurality of stretched wires,
It is formed in a wavy shape divided into a straight part and a curved part,
A wiring anchor is disposed on one side of a straight portion of each of the plurality of stretched wirings,
The display device wherein the wiring anchor is inserted into an anchor hole formed on the other side of the plurality of wiring patterns.
제12 항에 있어서,
상기 배선 앵커 각각에 대하여,
상기 직선 부분의 연장 방향에 대한 상기 배선 앵커의 폭이 상기 직선 부분의 연장 방향의 수직 방향에 대한 상기 배선 앵커의 폭보다 넓은, 표시 장치.
According to claim 12,
For each of the above wiring anchors,
A display device wherein the width of the wire anchor in the direction in which the straight part extends is wider than the width of the wire anchor in a direction perpendicular to the direction in which the straight part extends.
제12 항에 있어서,
상기 배선 앵커는 상부 배선 앵커와 하부 배선 앵커를 포함하고,
상기 상부 배선 앵커는 상기 복수의 상부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치되고,
상기 하부 배선 앵커는 상기 복수의 하부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치되는, 표시 장치.
According to claim 12,
The wiring anchor includes an upper wiring anchor and a lower wiring anchor,
The upper wire anchor is disposed below a straight portion of each of the plurality of upper stretched wires,
The display device wherein the lower wire anchor is disposed below a straight portion of each of the plurality of lower stretched wires.
제14 항에 있어서,
상기 상부 배선 앵커와 상기 하부 배선 앵커는 수직 방향으로 중첩되지 않는, 표시 장치.
According to claim 14,
The display device wherein the upper wire anchor and the lower wire anchor do not overlap in the vertical direction.
제12 항에 있어서,
상기 배선 앵커는 상부 배선 앵커와 하부 배선 앵커를 포함하고,
상기 상부 배선 앵커는 상기 복수의 상부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치되고,
상기 하부 배선 앵커는 상기 복수의 하부 연신 배선 각각의 직선 부분의 상부에 배치되는, 표시 장치.
According to claim 12,
The wiring anchor includes an upper wiring anchor and a lower wiring anchor,
The upper wire anchor is disposed below a straight portion of each of the plurality of upper stretched wires,
The display device wherein the lower wire anchor is disposed on an upper portion of a straight portion of each of the plurality of lower stretched wires.
제16 항에 있어서,
상기 하부 배선 앵커와 상기 복수의 상부 연신 배선 각각의 사이에는 반도체층이 배치되고,
상기 반도체층에는 상기 상부 배선 앵커의 전압에 따라 채널이 형성되는, 표시 장치.
According to claim 16,
A semiconductor layer is disposed between the lower wire anchor and each of the plurality of upper stretched wires,
A display device in which a channel is formed in the semiconductor layer according to the voltage of the upper wiring anchor.
제16 항에 있어서,
상기 복수의 상부 연신 배선 각각과 상기 복수의 하부 연신 배선 각각의 사이에는 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 연결 금속층이 배치되고,
상기 제1 반도체층은 상기 복수의 하부 연신 배선 각각과 연결 금속층 사이에 배치되고,
상기 제2 반도체층은 상기 복수의 상부 연신 배선 각각과 연결 금속층 사이에 배치되고,
상기 제1 반도체층은 상기 상부 배선 앵커의 전압 따라 채널이 형성되고,
상기 제2 반도체층은 상기 하부 배선 앵커의 전압 따라 채널이 형성되는, 표시 장치.
According to claim 16,
A first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a connecting metal layer are disposed between each of the plurality of upper stretched wirings and each of the plurality of lower stretched wirings,
The first semiconductor layer is disposed between each of the plurality of lower stretched wirings and the connecting metal layer,
The second semiconductor layer is disposed between each of the plurality of upper stretched wirings and the connecting metal layer,
A channel is formed in the first semiconductor layer according to the voltage of the upper wiring anchor,
A display device in which a channel is formed in the second semiconductor layer according to the voltage of the lower wiring anchor.
발광 소자가 발광하는 발광 영역, 외광을 투과시키는 투과 영역 및 외광이 투과되지 않는 차광 영역으로 구분되고,
투명한 물질로 형성되는 연신 기판;
상기 발광 영역에 배치되어, 빛을 발광하는 복수의 화소;
상기 차광 영역에 배치되어, 상기 복수의 화소를 연결하는 복수의 연신 배선;
상기 복수의 연신 배선 각각의 일면에 배치되는 배선 앵커를 포함하는, 표시 장치.
It is divided into a light emitting area where the light emitting device emits light, a transmission area that transmits external light, and a light blocking area that does not transmit external light,
A stretched substrate formed of a transparent material;
a plurality of pixels disposed in the light emitting area and emitting light;
a plurality of stretched wires disposed in the light blocking area and connecting the plurality of pixels;
A display device comprising a wire anchor disposed on one surface of each of the plurality of stretched wires.
제19 항에 있어서,
복수의 연신 배선 각각은,
직선 부분과 곡선 부분으로 구분되는 웨이비 형태로 형성되고,
상기 배선 앵커 각각에 대하여,
상기 직선 부분의 연장 방향에 대한 상기 배선 앵커의 폭이 상기 직선 부분의 연장 방향의 수직 방향에 대한 상기 배선 앵커의 폭보다 넓은, 표시 장치.
According to clause 19,
Each of the plurality of stretched wires,
It is formed in a wavy shape divided into a straight part and a curved part,
For each of the above wiring anchors,
A display device wherein the width of the wire anchor in the direction in which the straight part extends is wider than the width of the wire anchor in a direction perpendicular to the direction in which the straight part extends.
제20 항에 있어서,
상기 복수의 연신 배선은 복수의 하부 연신 배선과 복수의 상부 연신 배선을 포함하고,
상기 배선 앵커는,
상기 복수의 상부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치되는 상부 배선 앵커와 상기 복수의 하부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치되는 하부 배선 앵커를 포함하는, 표시 장치.
According to claim 20,
The plurality of stretched wirings include a plurality of lower stretched wirings and a plurality of upper stretched wirings,
The wiring anchor is,
A display device comprising: an upper wiring anchor disposed below a straight portion of each of the plurality of upper stretched wirings; and a lower wiring anchor disposed below a straight portion of each of the plurality of lower stretched wirings.
제21 항에 있어서,
상기 상부 배선 앵커와 상기 하부 배선 앵커는 수직 방향으로 중첩되지 않는, 표시 장치.
According to claim 21,
The display device wherein the upper wire anchor and the lower wire anchor do not overlap in the vertical direction.
제20 항에 있어서,
상기 복수의 연신 배선은 복수의 하부 연신 배선과 복수의 상부 연신 배선을 포함하고,
상기 배선 앵커는 상기 복수의 상부 연신 배선 각각의 직선 부분의 하부에 배치되는 상부 배선 앵커와 상기 복수의 하부 연신 배선 각각의 직선 부분의 상부에 배치되는 하부 배선 앵커를 포함하는, 표시 장치.
According to claim 20,
The plurality of stretched wirings include a plurality of lower stretched wirings and a plurality of upper stretched wirings,
The wiring anchor includes an upper wiring anchor disposed at a lower portion of a straight portion of each of the plurality of upper stretched wirings, and a lower wiring anchor disposed at an upper portion of a straight portion of each of the plurality of lower stretched wirings.
제23 항에 있어서,
상기 하부 배선 앵커와 상기 복수의 상부 연신 배선 각각의 사이에는 반도체층이 배치되고,
상기 반도체층에는 상기 상부 배선 앵커의 전압에 따라 채널이 형성되는, 표시 장치.
According to clause 23,
A semiconductor layer is disposed between the lower wire anchor and each of the plurality of upper stretched wires,
A display device in which a channel is formed in the semiconductor layer according to the voltage of the upper wiring anchor.
제23 항에 있어서,
상기 복수의 상부 연신 배선 각각과 상기 복수의 하부 연신 배선 각각의 사이에는 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 연결 금속층이 배치되고,
상기 제1 반도체층은 상기 복수의 하부 연신 배선 각각과 연결 금속층 사이에 배치되고,
상기 제2 반도체층은 상기 복수의 상부 연신 배선 각각과 연결 금속층 사이에 배치되고,
상기 제1 반도체층은 상기 상부 배선 앵커의 전압 따라 채널이 형성되고,
상기 제2 반도체층은 상기 하부 배선 앵커의 전압 따라 채널이 형성되는, 표시 장치.



According to clause 23,
A first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a connecting metal layer are disposed between each of the plurality of upper stretched wirings and each of the plurality of lower stretched wirings,
The first semiconductor layer is disposed between each of the plurality of lower stretched wirings and the connecting metal layer,
The second semiconductor layer is disposed between each of the plurality of upper stretched wirings and the connecting metal layer,
A channel is formed in the first semiconductor layer according to the voltage of the upper wiring anchor,
A display device in which a channel is formed in the second semiconductor layer according to the voltage of the lower wiring anchor.



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