KR20230164551A - Light emitting device, electronic device including the same and electronic apparatus including the same - Google Patents

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Abstract

제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 중간층;을 포함하고, 상기 중간층은 정공 수송 영역 및 발광층을 포함하고, 상기 정공 수송 영역은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 정공 수송 영역은 제1층을 포함하고, 상기 제1층은 상기 발광층에 직접(directly) 접촉하고, 상기 발광층은 제1호스트 및 제1에미터를 포함하고, 상기 제1에미터는 제1발광 스펙트럼을 갖는 제1광을 방출하고, 상기 제1층은 제1물질을 포함하고, 상기 제1물질의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0eV 내지 0.2eV이고, 상기 제1에미터의 HOMO 에너지 레벨 절대값은 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 절대값보다 크고, 상기 제1물질, 제1호스트 및 제1에미터 각각의 HOMO 에너지 레벨은 순환전압전류법(Cyclic voltammetry)에 의하여 측정된 음수값인, 발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이를 포함한 전자 기기가 제공된다. first electrode; a second electrode opposite the first electrode; and an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the intermediate layer includes a hole transport region and a light-emitting layer, and the hole transport region is disposed between the first electrode and the light-emitting layer, The hole transport region includes a first layer, the first layer directly contacts the light-emitting layer, the light-emitting layer includes a first host and a first emitter, and the first emitter has a first light emission spectrum. emitting first light having, the first layer includes a first material, and the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first material and the HOMO energy level of the first host is 0 eV to 0.2 eV, The absolute value of the HOMO energy level of the first emitter is greater than the absolute value of the HOMO energy level of the first host, and the HOMO energy levels of each of the first material, first host, and first emitter are determined by cyclic voltammetry (Cyclic voltammetry). A light emitting device, which is a negative value measured by voltammetry, an electronic device including the same, and an electronic device including the same are provided.

Description

발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이를 포함한 전자 기기{Light emitting device, electronic device including the same and electronic apparatus including the same}Light emitting device, electronic device including the same, and electronic device including the same {Light emitting device, electronic device including the same and electronic apparatus including the same}

발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이를 포함한 전자 기기에 관한 것이다.It relates to light-emitting devices, electronic devices including them, and electronic devices including them.

발광 소자 중 자발광형 소자(예를 들면, 유기 발광 소자 등) 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하다.Among light-emitting devices, self-emissive devices (for example, organic light-emitting devices, etc.) not only have a wide viewing angle and excellent contrast, but also have a fast response time and excellent brightness, driving voltage, and response speed characteristics.

상기 발광 소자는 기판 상부에 제1전극이 배치되어 있고, 상기 제1전극 상부에 정공 수송 영역(hole transport region), 발광층, 전자 수송 영역(electron transport region) 및 제2전극이 순차적으로 배치되어 있는 구조를 가질 수 있다. 상기 제1전극으로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 제2전극으로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 상기 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.The light-emitting device has a first electrode disposed on an upper portion of a substrate, and a hole transport region, a light-emitting layer, an electron transport region, and a second electrode are sequentially disposed on the upper portion of the first electrode. It can have a structure. Holes injected from the first electrode move to the light-emitting layer via the hole transport region, and electrons injected from the second electrode move to the light-emitting layer via the electron transport region. Carriers such as holes and electrons recombine in the light emitting layer region to generate excitons. Light is generated as the exciton changes from the excited state to the ground state.

저구동 전압 및 고전력 효율을 갖는 발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이를 포함한 전자 기기를 제공하는 것이다. To provide a light emitting device with low driving voltage and high power efficiency, an electronic device including the same, and an electronic device including the same.

일 측면에 따르면,According to one aspect,

제1전극; first electrode;

상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및a second electrode opposite the first electrode; and

상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 중간층;an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode;

을 포함하고, Including,

상기 중간층은 정공 수송 영역 및 발광층을 포함하고,The intermediate layer includes a hole transport region and a light emitting layer,

상기 정공 수송 영역은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 배치되고,The hole transport region is disposed between the first electrode and the light-emitting layer,

상기 정공 수송 영역은 제1층을 포함하고,The hole transport region includes a first layer,

상기 제1층은 상기 발광층에 직접(directly) 접촉하고,The first layer is in direct contact with the light emitting layer,

상기 발광층은 제1호스트 및 제1에미터를 포함하고,The light emitting layer includes a first host and a first emitter,

상기 제1에미터는 제1발광 스펙트럼을 갖는 제1광을 방출하고,The first emitter emits first light having a first emission spectrum,

상기 제1층은 제1물질을 포함하고,The first layer includes a first material,

상기 제1물질의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0eV 내지 0.20eV이고,The absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first material and the HOMO energy level of the first host is 0 eV to 0.20 eV,

상기 제1에미터의 HOMO 에너지 레벨 절대값은 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 절대값보다 크고,The absolute value of the HOMO energy level of the first emitter is greater than the absolute value of the HOMO energy level of the first host,

상기 제1물질, 제1호스트 및 제1에미터 각각의 HOMO 에너지 레벨은 순환전압전류법(Cyclic voltammetry)에 의하여 측정된 음수값인, 발광 소자가 제공된다. A light emitting device is provided in which the HOMO energy level of each of the first material, the first host, and the first emitter is a negative value measured by cyclic voltammetry.

다른 측면에 따르면, 상기 발광 소자를 포함한 전자 장치가 제공된다.According to another aspect, an electronic device including the light emitting device is provided.

또 다른 측면에 따르면, 상기 발광 소자를 포함한 전자 기기가 제공된다. According to another aspect, an electronic device including the light emitting device is provided.

상기 발광 소자는 저구동 전압 및 고전력 효율을 갖는 바, 이를 이용하여 고품위의 전자 장치 및 전자 기기를 제작할 수 있다. Since the light-emitting device has a low driving voltage and high power efficiency, high-quality electronic devices and electronic devices can be manufactured using it.

도 1은 일 구현예를 따르는 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2 및 3은 일 구현예를 따르는 전자 장치 중 하나인 발광 장치의 구조를 각각 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4, 5, 6a, 6b 및 6c는 일 구현예를 따르는 전자 기기의 구조를 각각 개락적으로 나타낸 도면이다.
Figure 1 is a diagram schematically showing the structure of a light-emitting device according to an embodiment.
2 and 3 are diagrams schematically showing the structure of a light-emitting device, which is one of the electronic devices according to an embodiment of the present invention.
Figures 4, 5, 6a, 6b, and 6c are diagrams schematically showing the structure of an electronic device according to an implementation example.

상기 발광 소자는, 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 중간층;을 포함할 수 있다. The light emitting device includes: a first electrode; a second electrode opposite the first electrode; and an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode.

상기 중간층은 정공 수송 영역 및 발광층을 포함하고, 상기 정공 수송 영역은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 배치될 수 있다.The intermediate layer includes a hole transport region and a light-emitting layer, and the hole transport region may be disposed between the first electrode and the light-emitting layer.

상기 정공 수송 영역은 제1층을 포함하고, 상기 제1층은 상기 발광층에 직접(directly) 접촉할 수 있다.The hole transport region includes a first layer, and the first layer may directly contact the light emitting layer.

즉, 상기 발광 소자 중, 제1전극, 제1층, 발광층 및 제2전극은 차례로 적층되어 있을 수 있다. That is, among the light emitting devices, the first electrode, first layer, light emitting layer, and second electrode may be sequentially stacked.

상기 발광층은 제1호스트 및 제1에미터를 포함하고, 상기 제1에미터는 제1발광 스펙트럼을 갖는 제1광을 방출할 수 있다.The light-emitting layer includes a first host and a first emitter, and the first emitter may emit first light having a first emission spectrum.

상기 제1층은 제1물질을 포함할 수 있다. The first layer may include a first material.

상기 제1물질의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0eV 내지 0.20eV, 0eV 내지 0.15eV, 0eV 내지 0.10eV, 0.01eV 내지 0.20eV, 0.01eV 내지 0.15eV, 0.01eV 내지 0.10eV, 0.03eV 내지 0.20eV, 0.03eV 내지 0.15eV, 또는 0.03eV 내지 0.10eV일 수 있다.The absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first material and the HOMO energy level of the first host is 0 eV to 0.20 eV, 0 eV to 0.15 eV, 0 eV to 0.10 eV, 0.01 eV to 0.20 eV, 0.01 eV to 0.15 eV, It may be 0.01 eV to 0.10 eV, 0.03 eV to 0.20 eV, 0.03 eV to 0.15 eV, or 0.03 eV to 0.10 eV.

일 구현예에 따르면, 상기 제1물질의 HOMO 에너지 레벨은 -5.60eV 내지 -4.80eV일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1물질의 HOMO 에너지 레벨은 -5.40eV 내지 -4.80eV, -5.20eV 내지 -4.80eV, -5.00eV 내지 -4.80eV, -5.60eV 내지 -4.90eV -5.40eV 내지 -4.90eV, -5.20eV 내지 -4.90eV, 또는 -5.00eV 내지 -4.90eV일 수 있다. According to one embodiment, the HOMO energy level of the first material may be -5.60 eV to -4.80 eV. For example, the HOMO energy level of the first material is -5.40eV to -4.80eV, -5.20eV to -4.80eV, -5.00eV to -4.80eV, -5.60eV to -4.90eV -5.40eV to -4.90 eV, -5.20eV to -4.90eV, or -5.00eV to -4.90eV.

다른 구현예에 따르면, 상기 제1물질의 정공 이동도는 6.80 x 10-5cm2/Vs 내지 1.85 x 10-3cm2/Vs, 또는 1.00 x 10-4cm2/Vs 내지 1.70 x 10-3cm2/Vs일 수 있다.According to another embodiment, the hole mobility of the first material is 6.80 x 10 -5 cm 2 /Vs to 1.85 x 10 -3 cm 2 /Vs, or 1.00 x 10 -4 cm 2 /Vs to 1.70 x 10 - It may be 3 cm 2 /Vs.

본 명세서 중 제3물질, 제2물질, 제1물질, 제1호스트, 버퍼층 재료, 전자 수송층 재료 등의 정공 이동도 및 전자 이동도 각각은 "Hole mobility of N,N'-bis(naphtanlen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine investigated by using space-charge-limited currents, 'Appl. Phys. Lett. 90, 203512 (2007)"에 기재된, 공간 전하 제한 전류 (Space-charge-limited current, SCLC) 방법을 이용하여 평가한 것이다. In this specification, the hole mobility and electron mobility of the third material, second material, first material, first host, buffer layer material, and electron transport layer material are respectively referred to as "Hole mobility of N,N'-bis (naphtanlen-1 -yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine investigated by using space-charge-limited currents, 'Appl. Phys. Lett. 90, 203512 (2007)" It was evaluated using the limited current (SCLC) method.

다른 구현예에 따르면, 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨은 -5.10eV 내지 -4.50eV일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨은 -5.10eV 내지 -4.60eV, -5.10eV 내지 -4.70eV, -5.10eV 내지 -4.80eV, -5.00eV 내지 -4.50eV -5.00eV 내지 -4.60eV, -5.00eV 내지 -4.70eV, 또는 -5.00eV 내지 -4.80eV일 수 있다. According to another embodiment, the HOMO energy level of the first host may be -5.10 eV to -4.50 eV. For example, the HOMO energy level of the first host is -5.10eV to -4.60eV, -5.10eV to -4.70eV, -5.10eV to -4.80eV, -5.00eV to -4.50eV -5.00eV to -4.60 eV, -5.00eV to -4.70eV, or -5.00eV to -4.80eV.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1호스트의 정공 이동도는 5.01 x 10-5cm2/Vs 내지 5.60 x 10-3cm2/Vs, 또는 2.00 x 10-4cm2/Vs 내지 3.00 x 10-3cm2/Vs일 수 있다. According to another embodiment, the hole mobility of the first host is 5.01 x 10 -5 cm 2 /Vs to 5.60 x 10 -3 cm 2 /Vs, or 2.00 x 10 -4 cm 2 /Vs to 3.00 x 10 It may be -3 cm 2 /Vs.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1호스트의 LUMO 에너지 레벨은 -2.20eV 내지 -2.00eV, 또는 -2.15eV 내지 -2.00eV일 수 있다. According to another embodiment, the LUMO energy level of the first host may be -2.20 eV to -2.00 eV, or -2.15 eV to -2.00 eV.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1호스트의 전자 이동도는 1.97 x 10-7cm2/Vs 내지 2.30 x 10-4cm2/Vs, 또는 3.00 x 10-7cm2/Vs 내지 1.00 x 10-4cm2/Vs일 수 있다. According to another embodiment, the electron mobility of the first host is 1.97 x 10 -7 cm 2 /Vs to 2.30 x 10 -4 cm 2 /Vs, or 3.00 x 10 -7 cm 2 /Vs to 1.00 x 10 It may be -4 cm 2 /Vs.

한편, 상기 제1에미터의 HOMO 에너지 레벨 절대값은 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 절대값보다 클 수 있다.Meanwhile, the absolute value of the HOMO energy level of the first emitter may be greater than the absolute value of the HOMO energy level of the first host.

예를 들어, 상기 제1에미터의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0.01eV 내지 1.00eV, 또는 0.01eV 내지 0.7eV일 수 있다.For example, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first emitter and the HOMO energy level of the first host may be 0.01 eV to 1.00 eV, or 0.01 eV to 0.7 eV.

상기 발광 소자 중, 1) 상기 제1물질의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0eV 내지 0.20eV이고, 2) 상기 제1에미터의 HOMO 에너지 레벨 절대값은 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 절대값보다 크다. 이로써, 제1전극으로부터 발광층으로의 정공 주입이 원활하게 이루어지고, 발광층 중 엑시톤이 효과적으로 형성될 수 있어, 상기 발광 소자의 구동 전압 및 전력 효율 특성이 향상될 수 있다.Among the light-emitting devices, 1) the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first material and the HOMO energy level of the first host is 0 eV to 0.20 eV, and 2) the absolute value of the HOMO energy level of the first emitter is It is greater than the absolute value of the HOMO energy level of the first host. As a result, hole injection from the first electrode to the light-emitting layer can be smoothly performed, excitons can be effectively formed in the light-emitting layer, and the driving voltage and power efficiency characteristics of the light-emitting device can be improved.

다른 구현예에 따르면, 상기 정공 수송 영역은 제2층 및 제3층을 더 포함하고, 상기 제2층은 상기 제1전극과 상기 제1층 사이에 배치되고, 상기 제3층은 상기 제1전극과 상기 제2층 사이에 배치되고, 상기 제2층은 제2물질을 포함하고, 상기 제3층은 제3물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 발광 소자는 제2층 및 제3층을 더 포함하되, 제1전극, 제3층, 제2층, 제1층, 발광층 및 제2전극이 차례로 적층된 구조를 가질 수 있다. 여기서, 상기 제1물질, 제2물질 및 제3물질 각각은 서로 상이할 수 있다.According to another embodiment, the hole transport region further includes a second layer and a third layer, the second layer is disposed between the first electrode and the first layer, and the third layer is disposed between the first electrode and the first layer. It is disposed between an electrode and the second layer, the second layer may include a second material, and the third layer may include a third material. That is, the light-emitting device further includes a second layer and a third layer, and may have a structure in which the first electrode, the third layer, the second layer, the first layer, the light-emitting layer, and the second electrode are sequentially stacked. Here, each of the first material, second material, and third material may be different from each other.

상기 발광 소자는, The light emitting device is,

제3물질의 HOMO 에너지 레벨 > 제2물질의 HOMO 에너지 레벨 > 제1물질의 HOMO 에너지 레벨, 또는HOMO energy level of the third substance > HOMO energy level of the second substance > HOMO energy level of the first substance, or

제3물질의 HOMO 에너지 레벨 > 제1물질의 HOMO 에너지 레벨 > 제2물질의 HOMO 에너지 레벨,HOMO energy level of the third substance > HOMO energy level of the first substance > HOMO energy level of the second substance,

의 조건을 만족할 수 있다. The conditions can be satisfied.

일 구현예에 따르면, 상기 제2물질의 HOMO 에너지 레벨은 -5.40eV 내지 -4.70eV일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2물질의 HOMO 에너지 레벨은 -5.30eV 내지 -4.70eV, -5.20eV 내지 -4.70eV, -5.10eV 내지 -4.70eV, -5.40eV 내지 -4.80eV, -5.30eV 내지 -4.80eV, -5.20eV 내지 -4.80eV, 또는 -5.10eV 내지 -4.80eV일 수 있다.According to one embodiment, the HOMO energy level of the second material may be -5.40 eV to -4.70 eV. For example, the HOMO energy level of the second material is -5.30eV to -4.70eV, -5.20eV to -4.70eV, -5.10eV to -4.70eV, -5.40eV to -4.80eV, -5.30eV to - It may be 4.80eV, -5.20eV to -4.80eV, or -5.10eV to -4.80eV.

다른 구현예에 따르면, 상기 제2물질의 정공 이동도는 6.80 x 10-5cm2/Vs 내지 1.85 x 10-3cm2/Vs, 또는 1.00 x 10-4cm2/Vs 내지 3.00 x 10-3cm2/Vs일 수 있다. According to another embodiment, the hole mobility of the second material is 6.80 x 10 -5 cm 2 /Vs to 1.85 x 10 -3 cm 2 /Vs, or 1.00 x 10 -4 cm 2 /Vs to 3.00 x 10 - It may be 3 cm 2 /Vs.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제2물질의 LUMO 에너지 레벨은 -1.70eV 내지 -0.90eV 또는 -1.51eV 내지 -1.01eV일 수 있다. According to another embodiment, the LUMO energy level of the second material may be -1.70 eV to -0.90 eV or -1.51 eV to -1.01 eV.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제3물질의 HOMO 에너지 레벨은 -5.25eV 내지 -4.50eV일 수 있다. 예를 들어, 상기 제3물질의 HOMO 에너지 레벨은 -5.15eV 내지 -4.50eV, -5.05eV 내지 -4.50eV, -4.95eV 내지 -4.50eV, -4.85eV 내지 -4.50eV, -4.75eV 내지 -4.50eV, -5.25eV 내지 -4.60eV, -5.15eV 내지 -4.60eV, -5.05eV 내지 -4.60eV, -4.95eV 내지 -4.60eV, -4.85eV 내지 -4.60eV, 또는 -4.75eV 내지 -4.60eV일 수 있다.According to another embodiment, the HOMO energy level of the third material may be -5.25 eV to -4.50 eV. For example, the HOMO energy level of the third material is -5.15eV to -4.50eV, -5.05eV to -4.50eV, -4.95eV to -4.50eV, -4.85eV to -4.50eV, -4.75eV to - 4.50eV, -5.25eV to -4.60eV, -5.15eV to -4.60eV, -5.05eV to -4.60eV, -4.95eV to -4.60eV, -4.85eV to -4.60eV, or -4.75eV to -4.60 It can be eV.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제3물질의 정공 이동도는 6.20 x 10-5cm2/Vs 내지 1.25 x 10-3cm2/Vs, 또는 7.00 x 10-4cm2/Vs 내지 8.00 x 10-4cm2/Vs일 수 있다. According to another embodiment, the hole mobility of the third material is 6.20 x 10 -5 cm 2 /Vs to 1.25 x 10 -3 cm 2 /Vs, or 7.00 x 10 -4 cm 2 /Vs to 8.00 x 10 It may be -4 cm 2 /Vs.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제3물질의 LUMO 에너지 레벨은 -1.30eV 내지 -0.90eV 또는 -1.28eV 내지 -1.03eV일 수 있다. According to another embodiment, the LUMO energy level of the third material may be -1.30 eV to -0.90 eV or -1.28 eV to -1.03 eV.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제3물질의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제2물질의 HOMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0.10eV 내지 0.70eV, 또는 0.137eV 내지 0.686eV일 수 있다.According to another embodiment, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the third material and the HOMO energy level of the second material may be 0.10 eV to 0.70 eV, or 0.137 eV to 0.686 eV.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제2물질의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제1물질의 HOMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0.40eV 내지 0.70eV, 또는 0.412eV 내지 0.686eV일 수 있다.According to another embodiment, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the second material and the HOMO energy level of the first material may be 0.40 eV to 0.70 eV, or 0.412 eV to 0.686 eV.

본 명세서 중 HOMO 에너지 레벨은 순환전압전류법(Cyclic voltammetry)에 의하여 측정된 음수값일 수 있다. 예를 들어, 상기 HOMO 에너지 레벨 측정 방법의 일예는 하기 평가예 1을 참조할 수 있다. As used herein, the HOMO energy level may be a negative value measured by cyclic voltammetry. For example, for an example of the method for measuring the HOMO energy level, refer to Evaluation Example 1 below.

상술한 바와 같이, 제1층을 포함하고, 선택적으로, 제2층 및/또는 제3층을 포함한, 정공 수송 영역은 p-도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 p-도펀트에 대한 설명은 후술하는 바를 참조한다. As described above, the hole transport region comprising the first layer and, optionally, the second and/or third layers may further include a p-dopant. For a description of the p-dopant, refer to what is described later.

상기 발광층 중 제1에미터의 HOMO 에너지 레벨은 -5.50eV 내지 -4.00eV일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1에미터의 HOMO 에너지 레벨은, -5.50eV 내지 -4.80eV, -5.45eV 내지 -4.80eV, -5.50eV 내지 -4.85eV, -5.45eV 내지 -4.85eV, -5.50eV 내지 -4.90eV, 또는 -5.45eV 내지 -4.90eV일 수 있다.The HOMO energy level of the first emitter of the light emitting layer may be -5.50 eV to -4.00 eV. For example, the HOMO energy level of the first emitter is -5.50eV to -4.80eV, -5.45eV to -4.80eV, -5.50eV to -4.85eV, -5.45eV to -4.85eV, -5.50eV It may be from -4.90 eV, or from -5.45 eV to -4.90 eV.

또 다른 예로서, 상기 발광층 중 제1에미터의 LUMO 에너지 레벨은 -2.40eV 내지 -2.00eV, 또는 -2.20eV 내지 -2.00eV일 수 있다.As another example, the LUMO energy level of the first emitter of the light emitting layer may be -2.40 eV to -2.00 eV, or -2.20 eV to -2.00 eV.

상기 제1에미터의 삼중항(T1) 에너지는 2.10eV 내지 2.60eV 또는 2.20eV 내지 2.50eV일 수 있다. The triplet (T 1 ) energy of the first emitter may be 2.10 eV to 2.60 eV or 2.20 eV to 2.50 eV.

상기 제1에미터의 삼중항 에너지 평가 방법은, 예를 들면, 본원의 평가예 1을 참조한다. For a method of evaluating the triplet energy of the first emitter, refer to Evaluation Example 1 of the present application, for example.

상기 제1광의 발광 피크 파장(최대 발광 파장, 또는 최대 발광 피크 파장)은 510nm 내지 610nm일 수 있다. The peak emission wavelength (maximum emission wavelength, or maximum emission peak wavelength) of the first light may be 510 nm to 610 nm.

예를 들어, 상기 제1광의 발광 피크 파장은, 510nm 내지 565nm, 510nm 내지 560nm, 510nm 내지 555nm, 510nm 내지 550nm, 510nm 내지 545nm, 510nm 내지 540nm, 515nm 내지 570nm, 515nm 내지 565nm, 515nm 내지 560nm, 515nm 내지 555nm, 515nm 내지 550nm, 515nm 내지 545nm, 515nm 내지 540nm, 520nm 내지 570nm, 520nm 내지 565nm, 520nm 내지 560nm, 520nm 내지 555nm, 520nm 내지 550nm, 520nm 내지 545nm, 520nm 내지 540nm, 525nm 내지 570nm, 525nm 내지 565nm, 525nm 내지 560nm, 525nm 내지 555nm, 525nm 내지 550nm, 525nm 내지 545nm, 또는 525nm 내지 540nm일 수 있다. For example, the peak emission wavelength of the first light is 510 nm to 565 nm, 510 nm to 560 nm, 510 nm to 555 nm, 510 nm to 550 nm, 510 nm to 545 nm, 510 nm to 540 nm, 515 nm to 570 nm, 515 nm to 565 nm, 515 nm to 560 nm. , 515nm to 555nm, 515nm to 550nm, 515nm to 545nm, 515nm to 540nm, 520nm to 570nm, 520nm to 565nm, 520nm to 560nm, 520nm to 555nm, 520nm to 550nm, 520nm to 545nm, 520nm to 540nm, 525nm to 570nm, 525nm to 565nm , 525 nm to 560 nm, 525 nm to 555 nm, 525 nm to 550 nm, 525 nm to 545 nm, or 525 nm to 540 nm.

상기 제1광의 반치폭(FWHM)은 15nm 내지 85nm일 수 있다. The full width at half maximum (FWHM) of the first light may be 15 nm to 85 nm.

예를 들어, 상기 제1광의 반치폭은, 20nm 내지 85nm, 25nm 내지 85nm, 30nm 내지 85nm, 35nm 내지 85nm, 40nm 내지 85nm, 45nm 내지 85nm, 50nm 내지 85nm, 15nm 내지 80nm, 20nm 내지 80nm, 25nm 내지 80nm, 30nm 내지 80nm, 35nm 내지 80nm, 40nm 내지 80nm, 45nm 내지 80nm, 50nm 내지 80nm, 15nm 내지 75nm, 20nm 내지 75nm, 25nm 내지 75nm, 30nm 내지 75nm, 35nm 내지 75nm, 40nm 내지 75nm, 45nm 내지 75nm, 50nm 내지 75nm, 15nm 내지 70nm, 20nm 내지 70nm, 25nm 내지 70nm, 30nm 내지 70nm, 35nm 내지 70nm, 40nm 내지 70nm, 45nm 내지 70nm, 50nm 내지 70nm, 15nm 내지 65nm, 20nm 내지 65nm, 25nm 내지 65nm, 30nm 내지 65nm, 35nm 내지 65nm, 40nm 내지 65nm, 45nm 내지 65nm, 50nm 내지 65nm, 15nm 내지 60nm, 20nm 내지 60nm, 25nm 내지 60nm, 60nm 내지 60nm, 35nm 내지 60nm, 40nm 내지 60nm, 45nm 내지 60nm, 또는 50nm 내지 60nm일 수 있다. For example, the half width of the first light is 20 nm to 85 nm, 25 nm to 85 nm, 30 nm to 85 nm, 35 nm to 85 nm, 40 nm to 85 nm, 45 nm to 85 nm, 50 nm to 85 nm, 15 nm to 80 nm, 20 nm to 80 nm, 25 nm to 80 nm. , 30nm to 80nm, 35nm to 80nm, 40nm to 80nm, 45nm to 80nm, 50nm to 80nm, 15nm to 75nm, 20nm to 75nm, 25nm to 75nm, 30nm to 75nm, 35nm to 75nm, 40nm to 75nm, 45nm to 75nm, 50nm to 75nm, 15nm to 70nm, 20nm to 70nm, 25nm to 70nm, 30nm to 70nm, 35nm to 70nm, 40nm to 70nm, 45nm to 70nm, 50nm to 70nm, 15nm to 65nm, 20nm to 65nm, 25nm to 65nm, 30nm to 30nm 65nm , 35nm to 65nm, 40nm to 65nm, 45nm to 65nm, 50nm to 65nm, 15nm to 60nm, 20nm to 60nm, 25nm to 60nm, 60nm to 60nm, 35nm to 60nm, 40nm to 60nm, 45nm to 60nm, or 50nm to 60nm work You can.

본 명세서에 기재된, 제1광의 발광 피크 파장(또는, 최대 발광 파장) 및 반치폭은, 상기 제1에미터를 포함한 필름에 대한 발광 스펙트럼으로부터 평가된 것일 수 있다 (예를 들면, 평가예 2 참조). 본 명세서 중 발광 피크 파장은 발광 스펙트럼 또는 전계발광 스펙트럼 중 최대 발광 세기를 갖는 피크 파장을 의미한다.The emission peak wavelength (or maximum emission wavelength) and half width of the first light described in this specification may be evaluated from the emission spectrum of the film including the first emitter (for example, see Evaluation Example 2) . As used herein, the emission peak wavelength refers to the peak wavelength having the maximum emission intensity in the emission spectrum or electroluminescence spectrum.

상기 제1광은 녹색광일 수 있다.The first light may be green light.

상기 제1에미터는 전이 금속-함유 유기금속 화합물일 수 있다. The first emitter may be a transition metal-containing organometallic compound.

상기 제1에미터는 백금-함유 유기금속 화합물일 수 있다. 여기서, 상기 제1에미터는 중성(neutral)일 수 있고, 1개의 백금을 포함할 수 있으며, 백금 이외의 다른 전이 금속은 포함하지 않을 수 있다. The first emitter may be a platinum-containing organometallic compound. Here, the first emitter may be neutral, may contain one platinum, and may not contain any other transition metal other than platinum.

상기 백금-함유 유기금속 화합물의 삼중항 금속-리간드 전하 이동 상태(3MLCT, triplet metal-to-ligand charge transfer state)는 7% 이상일 수 있다.The triplet metal-to-ligand charge transfer state ( 3 MLCT) of the platinum-containing organometallic compound may be 7% or more.

예를 들어, 상기 백금-함유 유기금속 화합물의 삼중항 금속-리간드 전하 이동 상태는 7% 내지 30%, 7% 내지 25%, 7% 내지 20%, 7% 내지 18%, 7% 내지 16%, 8% 내지 30%, 8% 내지 25%, 8% 내지 20%, 8% 내지 18%, 8% 내지 16%, 9% 내지 30%, 9% 내지 25%, 9% 내지 20%, 9% 내지 18%, 또는 9% 내지 16%일 수 있다. For example, the triplet metal-ligand charge transfer state of the platinum-containing organometallic compound is 7% to 30%, 7% to 25%, 7% to 20%, 7% to 18%, 7% to 16%. , 8% to 30%, 8% to 25%, 8% to 20%, 8% to 18%, 8% to 16%, 9% to 30%, 9% to 25%, 9% to 20%, 9 % to 18%, or 9% to 16%.

다른 구현예에 따르면, 상기 백금-함유 유기금속 화합물은 상기 백금 외에, 상기 백금에 결합된 제1리간드를 더 포함할 수 있다. According to another embodiment, the platinum-containing organometallic compound may further include, in addition to the platinum, a first ligand bound to the platinum.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 백금-함유 유기금속 화합물은 하기 <조건 A> 내지 <조건 C> 중 적어도 하나를 만족할 수 있다:According to another embodiment, the platinum-containing organometallic compound may satisfy at least one of the following <Condition A> to <Condition C>:

<조건 A><Condition A>

상기 제1리간드는 4자리(tetradentate) 리간드이고,The first ligand is a tetradentate ligand,

상기 백금과 상기 제1리간드 간의 화학 결합에 의하여 형성된 시클로메탈레이티드 링(cyclometallated ring)은 3개임There are three cyclometallated rings formed by chemical bonds between the platinum and the first ligand.

<조건 B><Condition B>

상기 제1리간드의 탄소, 질소 및 산소 각각이 상기 백금과 서로 화학 결합되어 있음Each of the carbon, nitrogen, and oxygen of the first ligand is chemically bonded to the platinum.

<조건 C><Condition C>

상기 제1리간드는, 이미다졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 나프토이미다졸 그룹, 또는 이의 임의의 조합을 포함함The first ligand comprises an imidazole group, a benzimidazole group, a naphthoimidazole group, or any combination thereof.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 백금-함유 유기금속 화합물은 상기 <조건 A> 내지 <조건 C> 모두를 만족할 수 있다.According to another embodiment, the platinum-containing organometallic compound may satisfy all of the above <Condition A> to <Condition C>.

상기 백금-함유 유기금속 화합물에 대한 보다 상세한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.For a more detailed description of the platinum-containing organometallic compound, please refer to what is described herein.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1에미터가 이리듐-함유 유기금속 화합물일 수 있다. 여기서, 상기 제1에미터는 중성(neutral)일 수 있고, 1개의 이리듐을 포함할 수 있으며, 이리듐 이외의 다른 전이 금속은 포함하지 않을 수 있다. According to another embodiment, the first emitter may be an iridium-containing organometallic compound. Here, the first emitter may be neutral, may contain one iridium, and may not contain any other transition metal other than iridium.

예를 들어, 상기 이리듐-함유 유기금속 화합물은, 상기 이리듐에 결합된 제1리간드, 제2리간드 및 제3리간드를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1리간드는, Y1-함유 고리 B1 및 Y2-함유 고리 B2를 포함한 2자리(bidentate) 리간드이고, 상기 제2리간드는, Y3-함유 고리 B3 및 Y4-함유 고리 B4를 포함한 2자리 리간드이고, 상기 제3리간드는, Y5-함유 고리 B5 및 Y6-함유 고리 B6를 포함한 2자리 리간드이고, 상기 Y1, Y3 및 Y5 각각은 질소(N)이고, 상기 Y2, Y4 및 Y6 각각은 탄소(C)일 수 있다. For example, the iridium-containing organometallic compound may include a first ligand, a second ligand, and a third ligand bound to the iridium. Here, the first ligand is a bidentate ligand including Y 1 -containing ring B 1 and Y 2 -containing ring B 2 , and the second ligand is Y 3 -containing ring B 3 and Y 4 - It is a bidentate ligand containing ring B 4 , and the third ligand is a bidentate ligand containing Y 5 -containing ring B 5 and Y 6 -containing ring B 6 , wherein each of Y 1 , Y 3 and Y 5 It is nitrogen (N), and each of Y 2 , Y 4 and Y 6 may be carbon (C).

또 다른 구현예에 따르면, 상기 Y2-함유 고리 B2와 상기 Y4-함유 고리 B4는 서로 상이할 수 있다.According to another embodiment, the Y 2 -containing ring B 2 and the Y 4 -containing ring B 4 may be different from each other.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 Y2-함유 고리 B2는 폴리시클릭 그룹일 수 있다. 예를 들어, 상기 Y2-함유 고리 B2는 3개 이상의 모노시클릭 그룹(예를 들면, 3개 내지 15개의 모노시클릭 그룹)이 서로 축합되어 있는, 폴리시클릭 그룹일 수 있다. 상기 모노시클릭 그룹은, 예를 들어, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 셀레노펜 그룹, 피롤 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 실롤 그룹, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 또는 피리다진 그룹일 수 있다. 또는, 상기 Y2-함유 고리 B2는 상술한 바와 같은 모노시클릭 그룹일 수 있다.According to another embodiment, the Y 2 -containing ring B 2 may be a polycyclic group. For example, the Y 2 -containing ring B 2 may be a polycyclic group in which three or more monocyclic groups (eg, 3 to 15 monocyclic groups) are condensed with each other. The monocyclic group is, for example, a furan group, a thiophene group, a selenophene group, a pyrrole group, a cyclopentadiene group, a silol group, a benzene group, a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, or a pyridazine group. It can be. Alternatively, the Y 2 -containing ring B 2 may be a monocyclic group as described above.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 Y2-함유 고리 B2는 1개의 5원 모노시클릭 그룹(5-membered monocyclic group)(예를 들면, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 셀레노펜 그룹, 피롤 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 실롤 그룹 등)과 적어도 2개의 6원 모노시클릭 그룹(예를 들면, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹 등)이 서로 축합되어 있는, 폴리시클릭 그룹일 수 있다. According to another embodiment, the Y 2 -containing ring B 2 is one 5-membered monocyclic group (e.g., a furan group, a thiophene group, a selenophene group, a pyrrole group, Polycyclic, in which a cyclopentadiene group, silol group, etc.) and at least two 6-membered monocyclic groups (e.g., benzene group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, etc.) are condensed with each other. It can be a group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 Y4-함유 고리 B4는 모노시클릭 그룹일 수 있다. 예를 들어, 상기 Y4-함유 고리 B4는 6원 모노시클릭 그룹(예를 들면, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹 등)일 수 있다. According to another embodiment, the Y 4 -containing ring B 4 may be a monocyclic group. For example, the Y 4 -containing ring B 4 may be a 6-membered monocyclic group (eg, benzene group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group, etc.).

또 다른 구현예에 따르면, 상기 Y4-함유 고리 B4는 나프탈렌 그룹, 페난쓰렌 그룹, 또는 안트라센 그룹일 수 있다.According to another embodiment, the Y 4 -containing ring B 4 may be a naphthalene group, a phenanthrene group, or an anthracene group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 이리듐-함유 유기금속 화합물은 호모렙틱(homoleptic) 착체일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1리간드, 제2리간드 및 제3리간드 각각은 서로 동일할 수 있다.According to another embodiment, the iridium-containing organometallic compound may be a homoleptic complex. For example, each of the first, second, and third ligands may be identical to each other.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 이리듐-함유 유기금속 화합물은 헤테로렙틱(heteroleptic) 착체일 수 있다. According to another embodiment, the iridium-containing organometallic compound may be a heteroleptic complex.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제3리간드는 상기 제2리간드와 동일할 수 있다.According to another embodiment, the third ligand may be the same as the second ligand.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제3리간드는 상기 제1리간드와 동일할 수 있다. According to another embodiment, the third ligand may be the same as the first ligand.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제3리간드는 상기 제1리간드 및 제2리간드 각각과 서로 상이할 수 있다. According to another embodiment, the third ligand may be different from each of the first and second ligands.

상기 이리듐-함유 유기금속 화합물에 대한 보다 상세한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.For a more detailed description of the iridium-containing organometallic compound, please refer to what is described herein.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1에미터는 적어도 하나의 중수소를 포함할 수 있다.According to another embodiment, the first emitter may include at least one deuterium.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1호스트는 적어도 하나의 중수소를 포함할 수 있다.According to another embodiment, the first host may include at least one deuterium.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1호스트는, 스파이로[플루오렌-9,9'-크산텐](spiro[fluorene-9,9'-xanthene]) 그룹, 스파이로[플루오렌-9,9'-티오크산텐](spiro[fluorene-9,9'-thioxanthene]) 그룹, 페녹사진(phenoxazine) 그룹, 페노티아진(phenothiazine) 그룹, 인돌린(indoline) 그룹, 1,2,3,3a,4,8b-hexahydrocyclopenta[b]indole 그룹, 2,3,4,4a,9,9a-hexahydro-1H-carbazole 그룹, C1-C30알콕시기, 디[(C1-C30알콕시)페닐]아미노기, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. According to another embodiment, the first host is a spiro[fluorene-9,9'-xanthene] group, spiro[fluorene-9, 9'-thioxanthene](spiro[fluorene-9,9'-thioxanthene]) group, phenoxazine group, phenothiazine group, indoline group, 1,2,3, 3a,4,8b-hexahydrocyclopenta[b]indole group, 2,3,4,4a,9,9a-hexahydro-1H-carbazole group, C 1 -C 30 alkoxy group, di[(C 1 -C 30 alkoxy) phenyl] amino group, or any combination thereof.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1호스트는 전자 수송성 화합물, 정공 수송성 화합물, 양극성(bipolar) 화합물, 또는 이의 임의의 조합일 수 있다. 상기 제1호스트는 금속을 비포함할 수 있다. 상기 전자 수송성 화합물, 정공 수송성 화합물 및 양극성 화합물 각각은 서로 상이하다. According to another embodiment, the first host may be an electron transporting compound, a hole transporting compound, a bipolar compound, or any combination thereof. The first host may not contain metal. Each of the electron-transporting compounds, hole-transporting compounds, and amphiphilic compounds is different from each other.

예를 들어, 상기 전자 수송성 화합물은 적어도 하나의 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 수송성 화합물은, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.For example, the electron transporting compound may include at least one π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group. For example, the electron transporting compound may include a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, a pyridazine group, a triazine group, or any combination thereof.

또 다른 예로서, 상기 제1호스트는, 상기 전자 수송성 화합물이거나, 또는 상기 전자 수송성 화합물을 포함하고, 상기 전자 수송성 화합물은, As another example, the first host is the electron transport compound or includes the electron transport compound, and the electron transport compound is,

i) 적어도 하나의 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹; 및 i) at least one π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group; and

ii) 스파이로[플루오렌-9,9'-크산텐](spiro[fluorene-9,9'-xanthene]) 그룹, 스파이로[플루오렌-9,9'-티오크산텐](spiro[fluorene-9,9'-thioxanthene]) 그룹, 페녹사진(phenoxazine) 그룹, 페노티아진(phenothiazine) 그룹, C1-C30알콕시기, 또는 이의 임의의 조합;ii) Spiro[fluorene-9,9'-xanthene] group, spiro[fluorene-9,9'-thioxanthene] (spiro[fluorene -9,9'-thioxanthene]) group, phenoxazine group, phenothiazine group, C 1 -C 30 alkoxy group, or any combination thereof;

을 포함할 수 있다. may include.

예를 들어, 상기 제1호스트(또는, 상기 전자 수송성 화합물)는,For example, the first host (or the electron transport compound) is,

i) 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리자딘 그룹, 트리아진 그룹, 또는 이의 임의의 조합; 및i) pyrimidine group, pyrazine group, pyrizadine group, triazine group, or any combination thereof; and

ii) 스파이로[플루오렌-9,9'-크산텐] 그룹, 스파이로[플루오렌-9,9'-티오크산텐] 그룹, 페녹사진 그룹, 페노티아진 그룹, 인돌린 그룹, 1,2,3,3a,4,8b-hexahydrocyclopenta[b]indole 그룹, 2,3,4,4a,9,9a-hexahydro-1H-carbazole 그룹, 카바졸 그룹, 디[(C1-C30알콕시)페닐]아미노기로 치환된-카바졸 그룹, 또는 이의 임의의 조합;ii) Spiro[fluorene-9,9'-xanthene] group, Spiro[fluorene-9,9'-thioxanthene] group, phenoxazine group, phenothiazine group, indoline group, 1, 2,3,3a,4,8b-hexahydrocyclopenta[b]indole group, 2,3,4,4a,9,9a-hexahydro-1H-carbazole group, carbazole group, di[(C 1 -C 30 alkoxy) a carbazole group substituted with a phenyl]amino group, or any combination thereof;

을 포함할 수 있다.may include.

또 다른 예로서, 상기 정공 수송성 화합물은, 적어도 하나의 π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹(π electron-rich C3-C60 cyclic group), 피리딘 그룹, 또는 이의 조합을 포함하되, 전자 수송성 그룹(예를 들면, 피리딘 그룹을 제외한 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹, 시아노기, 설폭사이드 그룹, 포스핀 옥사이드 그룹 등)은 비포함할 수 있다. As another example, the hole transporting compound includes at least one π electron-rich C 3 -C 60 cyclic group, a pyridine group, or a combination thereof, Electron transporting groups (e.g., π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic groups excluding pyridine groups, cyano groups, sulfoxide groups, phosphine oxide groups, etc.) may not be included.

일 구현예에 따르면, 상기 정공 수송성 화합물에서 하기 화합물은 제외될 수 있다. According to one embodiment, the following compounds may be excluded from the hole transport compounds.

예를 들어, 상기 제1호스트는, 상기 정공 수송성 화합물이거나, 또는 상기 정공 수송성 화합물을 포함하고, 상기 정공 수송성 화합물은, For example, the first host is the hole transport compound or includes the hole transport compound, and the hole transport compound is,

i) 적어도 하나의 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹(예를 들면, 안트라센 그룹, 페난쓰렌 그룹, 파이렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 또는 이의 임의의 조합); 및 i) at least one π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group (e.g., an anthracene group, a phenanthrene group, a pyrene group, a triphenylene group, or any combination thereof); and

ii) 페녹사진 그룹, 페노티아진 그룹, 인돌린 그룹, 1,2,3,3a,4,8b-hexahydrocyclopenta[b]indole 그룹, 2,3,4,4a,9,9a-hexahydro-1H-carbazole 그룹, 카바졸 그룹, 디[(C1-C30알콕시)페닐]아미노기, 피리딘 그룹, 또는 이의 임의의 조합;ii) Phenoxazine group, phenothiazine group, indoline group, 1,2,3,3a,4,8b-hexahydrocyclopenta[b]indole group, 2,3,4,4a,9,9a-hexahydro-1H- carbazole group, carbazole group, di[(C 1 -C 30 alkoxy)phenyl]amino group, pyridine group, or any combination thereof;

을 포함할 수 있다. may include.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송성 화합물은 하기 화학식 2-1로 표시된 화합물을 포함할 수 있다:According to one embodiment, the electron transporting compound may include a compound represented by the following formula 2-1:

<화학식 2-1><Formula 2-1>

상기 화학식 2-1 중, In Formula 2-1,

L51 내지 L53는 서로 독립적으로, 단일 결합, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,L 51 to L 53 are each independently a single bond, a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , or a C 1 -C 60 substituted or unsubstituted with at least one R 10a It is a heterocyclic group,

b51 내지 b53은 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중 하나이고, b51 to b53 are independently one of the integers from 1 to 5,

X54는 N 또는 C(R54)이고, X55는 N 또는 C(R55)이고, X56은 N 또는 C(R56)이고, X54 내지 X56 중 적어도 2개는 N이고, X 54 is N or C(R 54 ), X 55 is N or C(R 55 ), X 56 is N or C(R 56 ), at least two of X 54 to X 56 are N,

R51 내지 R56 및 R10a 각각에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.For descriptions of each of R 51 to R 56 and R 10a , refer to what is described herein.

예를 들어, 상기 R51 내지 R53 중 적어도 하나는, 스파이로[플루오렌-9,9'-크산텐](spiro[fluorene-9,9'-xanthene]) 그룹; 스파이로[플루오렌-9,9'-티오크산텐](spiro[fluorene-9,9'-thioxanthene]) 그룹; 페녹사진(phenoxazine) 그룹; 페노티아진(phenothiazine) 그룹; 또는 -N(Q1)(Q2)(여기서, Q1 및 Q2는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 C1-C30알콕시기로 치환된 C6-C20아릴기(예를 들면, 적어도 하나의 C1-C30알콕시기로 치환된 페닐기);일 수 있다. For example, at least one of R 51 to R 53 is a spiro[fluorene-9,9'-xanthene] group; spiro[fluorene-9,9'-thioxanthene] group; phenoxazine group; phenothiazine group; or -N(Q 1 )(Q 2 ) (where Q 1 and Q 2 are independently of each other, a C 6 -C 20 aryl group substituted with at least one C 1 -C 30 alkoxy group (e.g., at least one It may be a phenyl group substituted with a C 1 -C 30 alkoxy group).

다른 구현예에 따르면, 상기 정공 수송성 화합물은 하기 화학식 3-1로 표시된 화합물, 하기 화학식 3-2로 표시된 화합물, 하기 화학식 3-3으로 표시된 화합물, 하기 화학식 3-4로 표시된 화합물, 하기 화학식 3-5로 표시된 화합물, 하기 화학식 3-6으로 표시된 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다:According to another embodiment, the hole transporting compound is a compound represented by the following formula 3-1, a compound represented by the following formula 3-2, a compound represented by the following formula 3-3, a compound represented by the following formula 3-4, and a compound represented by the following formula 3 It may include a compound represented by -5, a compound represented by the following formula 3-6, or any combination thereof:

<화학식 3-1><Formula 3-1>

<화학식 3-2><Formula 3-2>

<화학식 3-3><Formula 3-3>

<화학식 3-4><Formula 3-4>

<화학식 3-5><Formula 3-5>

<화학식 3-6><Formula 3-6>

상기 화학식 3-1 내지 3-6 중,In formulas 3-1 to 3-6,

고리 CY71 내지 고리 CY74는 서로 독립적으로, π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹(예를 들면, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 안트라센 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹 등) 또는 피리딘 그룹이고,Ring CY 71 to ring CY 74 are independently of each other, π electron-excessive C 3 -C 60 cyclic group (e.g., benzene group, naphthalene group, fluorene group, anthracene group, carbazole group, dibenzofuran group) , dibenzothiophene group, etc.) or pyridine group,

X82는 단일 결합, O, S, N-[(L82)b82-R82], C(R82a)(R82b) 또는 Si(R82a)(R82b)이고, and _ _ _ _ _ _ _

X83은 단일 결합, O, S, N-[(L83)b83-R83], C(R83a)(R83b) 또는 Si(R83a)(R83b)이고, and _ _ _ _ _ _ _

X84는 O, S, N-[(L84)b84-R84], C(R84a)(R84b) 또는 Si(R84a)(R84b)이고, and _ _ _ _ _ _ _

X85는 C 또는 Si이고, X 85 is C or Si,

L81 내지 L85는 서로 독립적으로, 단일 결합, *-C(Q4)(Q5)-*', *-Si(Q4)(Q5)-*', 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹(예를 들면, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 안트라센 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹 등) 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 피리딘 그룹이고, 상기 Q4 및 Q5에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 Q1에 대한 설명을 참조하고, L 81 to L 85 are independently of each other, a single bond, *-C(Q 4 )(Q 5 )-*', *-Si(Q 4 )(Q 5 )-*', at least one R 10a substituted or an unsubstituted π electron-excessive C 3 -C 60 cyclic group (e.g., substituted or unsubstituted with at least one R 10a , benzene group, naphthalene group, fluorene group, anthracene group, carbazole group, dibenzofuran group, dibenzothiophene group, etc.) or a pyridine group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , and the description of Q 4 and Q 5 refers to the description of Q 1 in the present specification, respectively. ,

b81 내지 b85는 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중 하나이고, b81 to b85 are independently one of the integers from 1 to 5,

R71 내지 R76, R81 내지 R85, R82a, R82b, R83a, R83b, R84a 및 R84b 각각에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고, For a description of each of R 71 to R 76 , R 81 to R 85 , R 82a , R 82b , R 83a , R 83b , R 84a and R 84b , refer to what is described herein,

a71 내지 a74는 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수 중 하나이고,a71 to a74 are independently one of the integers from 0 to 20,

a75 및 a76은 서로 독립적으로, 0 내지 4의 정수 중 하나이고, a75 and a76 are independently one of the integers from 0 to 4,

상기 R10a에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. For a description of R 10a , refer to what is described herein.

일 구현예에 따르면, 상기 정공 수송성 화합물은 상기 화학식 3-1로 표시된 화합물 또는 상기 화학식 3-6으로 표시된 화합물일 수 있다. 상기 화학식 3-1 및 3-6 중 L81은 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹(예를 들면, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 안트라센 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹 등)이고, a81은 1 또는 2이고, 고리 CY71 및 고리 CY73은 서로 독립적으로 시클로펜탄 그룹 또는 시클로헥산 그룹이고, 고리 CY72 및 CY74 각각은 벤젠 그룹일 수 있다. According to one embodiment, the hole transporting compound may be a compound represented by Formula 3-1 or a compound represented by Formula 3-6. In Formulas 3-1 and 3-6, L 81 is a π electron-excessive C 3 -C 60 cyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a (for example, substituted or unsubstituted with at least one R 10a ring, benzene group, naphthalene group, fluorene group, anthracene group, carbazole group, dibenzofuran group, dibenzothiophene group, etc.), a81 is 1 or 2, and ring CY 71 and ring CY 73 are each other. Independently, it is a cyclopentane group or a cyclohexane group, and rings CY 72 and CY 74 can each be a benzene group.

상기 발광층은, 상술한 바와 같은 제1에미터 및 제1호스트 외에, 보조 도펀트, 센서타이저, 지연 형광 물질, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함할 수 있다. 상기 보조 도펀트, 센서타이저, 지연 형광 물질, 또는 이의 임의의 조합 각각은, 적어도 하나의 중수소를 포함할 수 있다.In addition to the first emitter and first host as described above, the light emitting layer may further include an auxiliary dopant, a sensorizer, a delayed fluorescent material, or any combination thereof. Each of the auxiliary dopants, sensorizers, delayed fluorescent materials, or any combination thereof may include at least one deuterium.

본 명세서 중 "중간층"은 상기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 배치된 단일 및/또는 복수의 모든 층을 가리키는 용어이다. In this specification, “intermediate layer” is a term referring to all single and/or multiple layers disposed between the first electrode and the second electrode of the light emitting device.

또 다른 측면에 따르면, 상술한 바와 같은 발광 소자를 포함한 전자 장치가 제공된다. 상기 전자 장치는 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 장치는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 발광 소자의 제1전극은 상기 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 한편, 상기 전자 장치는, 컬러 필터, 색변환층, 터치스크린층, 편광층, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 장치에 대한 보다 상세한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.According to another aspect, an electronic device including a light emitting device as described above is provided. The electronic device may further include a thin film transistor. For example, the electronic device further includes a thin film transistor including a source electrode and a drain electrode, and the first electrode of the light emitting device may be electrically connected to the source electrode or the drain electrode. Meanwhile, the electronic device may further include a color filter, a color conversion layer, a touch screen layer, a polarizing layer, or any combination thereof. For a more detailed description of the electronic device, please refer to what is described herein.

또 다른 측면에 따르면, 상술한 바와 같은 발광 소자를 포함한 전자 기기가 제공된다. 본 명세서에 기재된 바와 같은 발광층 및 제1층을 구비한 발광 소자를 채용함으로써, 상기 전자 기기의 표시 품질, 소비 전력, 내구성 등이 향상될 수 있다. According to another aspect, an electronic device including a light emitting element as described above is provided. By employing a light-emitting device having a light-emitting layer and a first layer as described in this specification, display quality, power consumption, durability, etc. of the electronic device can be improved.

예를 들어, 상기 전자 기기는, 평면 패널 디스플레이, 곡면 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 롤러블(rollable) 디스플레이, 폴더블(foldable) 디스플레이, 스트레처블(stretchable) 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된(tiled) 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광선 요법 디바이스, 및 간판 중 하나일 수 있다. For example, the electronic devices include flat panel displays, curved displays, computer monitors, medical monitors, televisions, billboards, indoor or outdoor lighting and/or signal lights, head-up displays, fully or partially transparent displays, flexible displays, and rollers. Rollable displays, foldable displays, stretchable displays, laser printers, phones, cell phones, tablets, phablets, personal digital assistants (PDAs), wearable devices, laptop computers, digital cameras, camcorders , a viewfinder, a micro display, a 3D display, a virtual reality or augmented reality display, a vehicle, a video wall containing multiple displays tiled together, a theater or stadium screen, a phototherapy device, and a sign.

화학식에 대한 설명Explanation of chemical formula

상기 백금-함유 유기금속 화합물은, 예를 들어, 하기 화학식 10으로 표시된 유기금속 화합물일 수 있다:The platinum-containing organometallic compound may be, for example, an organometallic compound represented by the following formula (10):

<화학식 10><Formula 10>

상기 화학식 10 중, In Formula 10,

M은 백금(Pt)이고, M is platinum (Pt),

X1 내지 X4는 서로 독립적으로, N 또는 C이고, X 1 to X 4 are each independently N or C,

T11 내지 T14는 서로 독립적으로, 화학 결합, O, S, B(R'), N(R'), P(R'), C(R')(R"), Si(R')(R"), Ge(R')(R"), C(=O), B(R')(R"), N(R')(R") 또는 P(R')(R")이고, T 11 to T 14 are independently of each other, a chemical bond, O, S, B(R'), N(R'), P(R'), C(R')(R"), Si(R') (R"), Ge(R')(R"), C(=O), B(R')(R"), N(R')(R") or P(R')(R") ego,

T11이 화학 결합일 경우, X1과 M은 직접(directly) 결합하고, T12가 화학 결합일 경우, X2와 M은 직접 결합하고, T13이 화학 결합일 경우, X3과 M은 직접 결합하고, T14가 화학 결합일 경우, X4와 M은 직접 결합하고,When T 11 is a chemical bond, X 1 and M are directly bonded, when T 12 is a chemical bond, X 2 and M are directly bonded, and when T 13 is a chemical bond, Bonds directly, and when T 14 is a chemical bond, X 4 and M bond directly,

X1 또는 T11과 M 사이의 결합, X2 또는 T12와 M 사이의 결합, X3 또는 T13과 M 사이의 결합 및 X4 또는 T14와 M 사이의 결합 중 2개의 결합은 배위 결합이고, 나머지 2개의 결합은 공유 결합이고,Two of the bonds between X 1 or T 11 and M, the bond between X 2 or T 12 and M, the bond between X 3 or T 13 and M, and the bond between X 4 or T 14 and M are coordinate bonds. , and the remaining two bonds are covalent bonds,

T1은 단일 결합, 이중 결합, *-N(R5)-*', *-B(R5)-*', *-P(R5)-*', *-C(R5a)(R5b)-*', *-Si(R5a)(R5b)-*', *-Ge(R5a)(R5b)-*', *-S-*', *-Se-*', *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O)2-*', *-C(R5)=*', *=C(R5)-*', *-C(R5a)=C(R5b)-*', *-C(=S)-*' 또는 *-C≡C-*'이고, T 1 is a single bond, double bond, *-N(R 5 )-*', *-B(R 5 )-*', *-P(R 5 )-*', *-C(R 5a )( R 5b )-*', *-Si(R 5a )(R 5b )-*', *-Ge(R 5a )(R 5b )-*', *-S-*', *-Se-*' , *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O) 2 -*', *-C(R 5 )= *', *=C(R 5 )-*', *-C(R 5a )=C(R 5b )-*', *-C(=S)-*' or *-C≡C-*' ego,

T2는 단일 결합, 이중 결합, *-N(R6)-*', *-B(R6)-*', *-P(R6)-*', *-C(R6a)(R6b)-*', *-Si(R6a)(R6b)-*', *-Ge(R6a)(R6b)-*', *-S-*', *-Se-*', *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O)2-*', *-C(R6)=*', *=C(R6)-*', *-C(R6a)=C(R6b)-*', *-C(=S)-*' 또는 *-C≡C-*'이고, T 2 is a single bond, double bond, *-N(R 6 )-*', *-B(R 6 )-*', *-P(R 6 )-*', *-C(R 6a )( R 6b )-*', *-Si(R 6a )(R 6b )-*', *-Ge(R 6a )(R 6b )-*', *-S-*', *-Se-*' , *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O) 2 -*', *-C(R 6 )= *', *=C(R 6 )-*', *-C(R 6a )=C(R 6b )-*', *-C(=S)-*' or *-C≡C-*' ego,

T3는 단일 결합, 이중 결합, *-N(R7)-*', *-B(R7)-*', *-P(R7)-*', *-C(R7a)(R7b)-*', *-Si(R7a)(R7b)-*', *-Ge(R7a)(R7b)-*', *-S-*', *-Se-*', *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O)2-*', *-C(R7)=*', *=C(R7)-*', *-C(R7a)=C(R7b)-*', *-C(=S)-*' 또는 *-C≡C-*'이고, T 3 is a single bond, double bond, *-N(R 7 )-*’, *-B(R 7 )-*’, *-P(R 7 )-*’, *-C(R 7a )( R 7b )-*', *-Si(R 7a )(R 7b )-*', *-Ge(R 7a )(R 7b )-*', *-S-*', *-Se-*' , *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O) 2 -*', *-C(R 7 )= *', *=C(R 7 )-*', *-C(R 7a )=C(R 7b )-*', *-C(=S)-*' or *-C≡C-*' ego,

고리 CY1 내지 고리 CY4는 서로 독립적으로, C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,Ring CY 1 to ring CY 4 are, independently of each other, a C 3 -C 60 carbocyclic group or a C 1 -C 60 heterocyclic group,

R1 내지 R7, R5a, R5b, R6a, R6b, R7a, R7b, R', 및 R"는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C7-C60아릴알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴알킬기, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1) 또는 -P(=O)(Q1)(Q2)이고,R 1 to R 7 , R 5a , R 5b , R 6a , R 6b , R 7a , R 7b , R', and R" are independently selected from each other, hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I , hydroxyl group, cyano group, nitro group, at least one C 1 -C 60 alkyl group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , C 2 -C 60 alkenyl group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , at least one C 2 -C 60 alkynyl group substituted or unsubstituted with R 10a , C 1 -C 60 alkoxy group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , C 3 - unsubstituted or substituted with at least one R 10a C 60 carbocyclic group, at least one C 1 -C 60 heterocyclic group , substituted or unsubstituted with at least one R 10a , at least one C 6 -C 60 aryloxy group, unsubstituted or substituted with at least one R 10a C 6 -C 60 arylthio group substituted or unsubstituted with R 10a , C 7 -C 60 arylalkyl group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , C 2 unsubstituted or substituted with at least one R 10a -C 60 heteroarylalkyl group, -C(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ), -Si(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ), -N(Q 1 )(Q 2 ), -B (Q 1 )(Q 2 ), -C(=O)(Q 1 ), -S(=O) 2 (Q 1 ) or -P(=O)(Q 1 )(Q 2 ),

a1 내지 a4는 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수 중 하나이고, a1 to a4 are independently one of the integers from 0 to 20,

* 및 *'은 각각 이웃한 원자와의 결합 사이트이고, * and *' are bonding sites with neighboring atoms, respectively,

i) a1개의 R1 중 2개의 그룹, ii) a2개의 R2 중 2개의 그룹, iii) a3개의 R3 중 2개의 그룹, iv) a4개의 R4 중 2개의 그룹, v) R5a와 R5b, vi) R6a와 R6b, 및 vii) R7a와 R7b 중 2개의 그룹은 각각 선택적으로(optionally), 단일 결합, 이중 결합 또는 제1연결기를 통하여 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, i) 2 groups of a1 R 1 , ii) 2 groups of a2 R 2 , iii) 2 groups of a3 R 3 , iv) 2 groups of a4 R 4 , v) R 5a and R 5b , vi) R 6a and R 6b , and vii) two groups of R 7a and R 7b are each optionally bonded to each other through a single bond, double bond or first linking group, forming at least one R 10a may form a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted or a C 1 -C 60 heterocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a ,

상기 R10a는, The R 10a is,

중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 또는 니트로기; Deuterium (-D), -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, or nitro group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, C2-C60헤테로아릴알킬기, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11), -P(=O)(Q11)(Q12), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, 또는 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 3 -C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryl Oxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 7 -C 60 arylalkyl group, C 2 -C 60 heteroarylalkyl group, -Si(Q 11 )(Q 12 )(Q 13 ), -N(Q 11 ) (Q 12 ), -B(Q 11 )(Q 12 ), -C(=O)(Q 11 ), -S(=O) 2 (Q 11 ), -P(=O)(Q 11 )( Q 12 ), or substituted or unsubstituted with any combination thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, or C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, C2-C60헤테로아릴알킬기, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21), -P(=O)(Q21)(Q22), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, 또는 C2-C60헤테로아릴알킬기; 또는Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 - C 60 alkoxy group, C 3 -C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 7 -C 60 arylalkyl group , C 2 -C 60 heteroarylalkyl group, -Si(Q 21 )(Q 22 )(Q 23 ), -N(Q 21 )(Q 22 ), -B(Q 21 )(Q 22 ), -C( =O)(Q 21 ), -S(=O) 2 (Q 21 ), -P(=O)(Q 21 )(Q 22 ), or any combination thereof, substituted or unsubstituted, C 3 - C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 7 -C 60 arylalkyl group, or C 2 -C 60 hetero Arylalkyl group; or

-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), 또는 -P(=O)(Q31)(Q32);-Si(Q 31 )(Q 32 )(Q 33 ), -N(Q 31 )(Q 32 ), -B(Q 31 )(Q 32 ), -C(=O)(Q 31 ), -S (=O) 2 (Q 31 ), or -P(=O)(Q 31 )(Q 32 );

이고,ego,

상기 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; 히드록실기; 시아노기; 니트로기; 또는 중수소, -F, 시아노기, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹;일 수 있다.Q 1 to Q 3 , Q 11 to Q 13 , Q 21 to Q 23 and Q 31 to Q 33 are independently hydrogen; heavy hydrogen; -F; -Cl; -Br; -I; hydroxyl group; Cyano group; nitro group; or C 1 -C 60 alkyl group, C 2 substituted or unsubstituted with deuterium, -F, cyano group, C 1 -C 60 alkyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, or any combination thereof. -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 60 carbocyclic group, or C 1 -C 60 heterocyclic group;

일 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중, According to one embodiment, in Formula 10,

i) X1 및 X3는 C이고, X2 및 X4는 N이거나,i) X 1 and X 3 are C and X 2 and X 4 are N, or

ii) X1 및 X4는 C이고, X2 및 X3는 N인, 또는ii) X 1 and X 4 are C and X 2 and X 3 are N, or

iii) X1, X2 및 X3는 C이고, X4는 N일 수 있다.iii) X 1 , X 2 and X 3 may be C, and X 4 may be N.

다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중, According to another embodiment, in Formula 10,

T11은 O 또는 S이고, T 11 is O or S,

T12 내지 T14 각각은 화학 결합일 수 있다. Each of T 12 to T 14 may be a chemical bond.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중, According to another embodiment, in Formula 10,

T11은 O 또는 S이고, T 11 is O or S,

T12 내지 T14 각각은 화학 결합이고, Each of T 12 to T 14 is a chemical bond,

i) T11과 M 사이의 결합 및 X3와 M 사이의 결합 각각은 공유 결합이고, X2와 M 사이의 결합 및 X4와 M 사이의 결합 각각은 배위 결합이거나, 또는 ii) T11과 M 사이의 결합 및 X4와 M 사이의 결합 각각은 공유 결합이고, X2와 M 사이의 결합 및 X3과 M 사이의 결합 각각은 배위 결합일 수 있다. i) each of the bonds between T 11 and M and the bond between X 3 and M is a covalent bond and each of the bonds between X 2 and M and the bond between Each of the bonds between M and the bond between X 4 and M may be a covalent bond, and each of the bonds between X 2 and M and the bond between X 3 and M may be a coordinate bond.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중 T1 내지 T3 각각은 단일 결합일 수 있다.According to another embodiment, each of T 1 to T 3 in Formula 10 may be a single bond.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중 고리 CY1은 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 플루오렌 그룹 또는 디벤조실롤 그룹일 수 있다.According to another embodiment, ring CY 1 in Formula 10 may be a benzene group, a naphthalene group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, a carbazole group, a fluorene group, or a dibenzosilol group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중 고리 CY2는 이미다졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 나프토이미다졸 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹 또는 퀴녹살린 그룹일 수 있다.According to another embodiment, the ring CY 2 of Formula 10 is an imidazole group, a benzimidazole group, a naphthoimidazole group, a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, a pyridazine group, a quinoline group, an isoquinoline group. Or it may be a quinoxaline group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중 고리 CY3는 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 플루오렌 그룹, 디벤조실롤 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자플루오렌 그룹 또는 아자디벤조실롤 그룹일 수 있다.According to another embodiment, ring CY 3 of Formula 10 is a benzene group, a naphthalene group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, a carbazole group, a fluorene group, a dibenzosilol group, a pyridine group, and a pyrimidine group. group, pyrazine group, pyridazine group, quinoline group, isoquinoline group, quinoxaline group, azadibenzofuran group, azadibenzothiophene group, azacarbazole group, azafluorene group or azadibenzosilol group. there is.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중 고리 CY4는 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 플루오렌 그룹, 디벤조실롤 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 이미다졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 또는 나프토이미다졸 그룹일 수 있다.According to another embodiment, ring CY 4 of Formula 10 is a benzene group, a naphthalene group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, a carbazole group, a fluorene group, a dibenzosilol group, a pyridine group, and a pyrimidine group. group, pyrazine group, pyridazine group, quinoline group, isoquinoline group, quinoxaline group, azadibenzofuran group, azadibenzothiophene group, azacarbazole group, azafluorene group, azadibenzosilol group, imi It may be a dazole group, a benzimidazole group, or a naphthoimidazole group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10의 고리 CY2 및 고리 CY4 중 적어도 하나는 이미다졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 또는 나프토이미다졸 그룹일 수 있다.According to another embodiment, at least one of ring CY 2 and ring CY 4 of Formula 10 may be an imidazole group, a benzimidazole group, or a naphthoimidazole group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중 R1 내지 R7, R5a, R5b, R6a, R6b, R7a, R7b, R', 및 R"는 서로 독립적으로, According to another embodiment, in Formula 10, R 1 to R 7 , R 5a , R 5b , R 6a , R 6b , R 7a , R 7b , R', and R" are independently of each other,

수소, 중수소, -F 또는 시아노기;Hydrogen, deuterium, -F or cyano group;

중수소, -F, 시아노기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C20알킬기 또는 C3-C10시클로알킬기; 또는C 1 -C 20 alkyl group or C 3 -C 10 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted with deuterium, -F, cyano group, or any combination thereof; or

중수소, -F, 시아노기, C1-C20알킬기, 중수소화 C1-C20알킬기, 불화 C1-C20알킬기, 페닐기, 중수소화 페닐기, 불화 페닐기, (C1-C20알킬)페닐기, 비페닐기, 중수소화 비페닐기, 불화 비페닐기, (C1-C20알킬)비페닐기, 또는 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 디벤조퓨라닐기, 또는 디벤조티오페닐기(또는, 티에닐(thienyl)기);Deuterium, -F, cyano group, C 1 -C 20 alkyl group, deuterated C 1 -C 20 alkyl group, fluorinated C 1 -C 20 alkyl group, phenyl group, deuterated phenyl group, fluorinated phenyl group, (C 1 -C 20 alkyl)phenyl group. , biphenyl group, deuterated biphenyl group, fluorinated biphenyl group, (C 1 -C 20 alkyl) biphenyl group, or any combination of substituted or unsubstituted phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, dibenzofuranyl group, or di Benzothiophenyl group (or, thienyl group);

일 수 있다. It can be.

상기 화학식 10 중 a1 내지 a4 각각은 R1 내지 R4의 개수를 나타낸 것으로서, 예를 들면, 서로 독립적으로, 0, 1, 2, 3, 4, 5 또는 6일 수 있다. In Formula 10, a1 to a4 each represent the number of R 1 to R 4 and, for example, may be independently 0, 1, 2, 3, 4, 5, or 6.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중 로 표시된 그룹은 하기 화학식 CY1(1) 내지 CY1(16) 중 하나로 표시된 그룹일 수 있다:According to another embodiment, in Formula 10, The group represented by may be a group represented by one of the formulas CY1(1) to CY1(16):

상기 화학식 CY1(1) 내지 CY1(16) 중, Among the formulas CY1(1) to CY1(16),

X1에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고, For a description of X 1 , refer to what is described herein,

R11 내지 R14 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 R1에 대한 설명과 동일하되, R11 내지 R14 각각은 수소가 아니고, The description of each of R 11 to R 14 is the same as the description of R 1 in the present specification, except that each of R 11 to R 14 is not hydrogen,

*는 화학식 10 중 T11과의 결합 사이트이고, * is the binding site with T 11 in Formula 10,

*'는 화학식 10 중 T1과의 결합 사이트이다. *' is the binding site with T 1 in Chemical Formula 10.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중 로 표시된 그룹은 하기 화학식 CY2(1) 내지 CY2(21) 중 하나로 표시된 그룹일 수 있다:According to another embodiment, in Formula 10, The group represented by may be a group represented by one of the formulas CY2(1) to CY2(21):

상기 화학식 CY2(1) 내지 CY2(21) 중, Among the formulas CY2(1) to CY2(21),

X2에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고, For a description of X 2 , refer to what is described herein,

X29는 O, S, N(R29), C(R29a)(R29b) 또는 Si(R29a)(R29b)이고, X 29 is O, S, N(R 29 ), C(R 29a )(R 29b ) or Si(R 29a )(R 29b )

R21 내지 R24, R29, R29a 및 R29b 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 R2에 대한 설명과 동일하되, R21 내지 R24 각각은 수소가 아니고, The description of each of R 21 to R 24 , R 29 , R 29a and R 29b is the same as that for R 2 in the specification, but each of R 21 to R 24 is not hydrogen,

*는 화학식 10 중 T12와의 결합 사이트이고, * is the binding site with T 12 in Formula 10,

*'는 화학식 10 중 T1과의 결합 사이트이고,*' is the binding site with T 1 in Formula 10,

*"은 화학식 1 중 T2와의 결합 사이트이다. *" is the binding site with T 2 in Chemical Formula 1.

상기 화학식 CY2(1) 내지 CY2(4)는 X2가 질소인 로 표시된 그룹에 속하고, 상기 화학식 CY2(5) 내지 CY2(13)은 X2가 탄소(예를 들면, 카벤(carbene) 모이어티의 탄소)인 로 표시된 그룹에 속한다.In the above formulas CY2(1) to CY2(4), X 2 is nitrogen. Belongs to the group represented by, and the formulas CY2 (5) to CY2 (13) are those in which X 2 is a carbon (for example, the carbon of a carbene moiety) Belongs to the group marked with .

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중 로 표시된 그룹은 하기 화학식 CY3(1) 내지 CY3(12) 중 하나로 표시된 그룹일 수 있다:According to another embodiment, in Formula 10, The group represented by may be a group represented by one of the formulas CY3(1) to CY3(12):

상기 화학식 CY3(1) 내지 CY3(12) 중, Among the formulas CY3(1) to CY3(12),

X3에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고, For a description of X 3 , refer to what is described herein,

X39는 O, S, N(R39), C(R39a)(R39b) 또는 Si(R39a)(R39b)이고, X 39 is O, S, N(R 39 ), C(R 39a )(R 39b ) or Si(R 39a )(R 39b )

R31 내지 R33, R39, R39a 및 R39b 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 R3에 대한 설명과 동일하되, R31 내지 R33 각각은 수소가 아니고, The description of each of R 31 to R 33 , R 39 , R 39a and R 39b is the same as the description for R 3 in the specification, but each of R 31 to R 33 is not hydrogen,

*는 화학식 10 중 T13와의 결합 사이트이고, * is the binding site with T 13 in Formula 10,

*'는 화학식 10 중 T3와의 결합 사이트이고,*' is the binding site with T 3 in Formula 10,

*"은 화학식 10 중 T2와의 결합 사이트이다. *" is the binding site with T 2 in Chemical Formula 10.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 10 중 로 표시된 그룹은 하기 화학식 CY4(1) 내지 CY4(27) 중 하나로 표시된 그룹일 수 있다:According to another embodiment, in Formula 10, The group represented by may be a group represented by one of the formulas CY4(1) to CY4(27):

상기 화학식 CY4(1) 내지 CY4(27) 중, Among the formulas CY4(1) to CY4(27),

X4에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고, For a description of X 4 , refer to what is described herein,

X49는 O, S, N(R49), C(R49a)(R49b) 또는 Si(R49a)(R49b)이고, X 49 is O, S, N(R 49 ), C(R 49a )(R 49b ) or Si(R 49a )(R 49b )

R41 내지 R44, R49, R49a 및 R49b 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 R4에 대한 설명과 동일하되, R41 내지 R44 각각은 수소가 아니고, The description of each of R 41 to R 44 , R 49 , R 49a and R 49b is the same as the description of R 4 in the specification, but each of R 41 to R 44 is not hydrogen,

*는 화학식 10 중 T14와의 결합 사이트이고, * is the binding site with T 14 in Formula 10,

*'는 화학식 10 중 T3와의 결합 사이트이다. *' is the binding site with T 3 in Chemical Formula 10.

한편, 상기 이리듐-함유 유기금속 화합물은, 하기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물일 수 있다: Meanwhile, the iridium-containing organometallic compound may be an organometallic compound represented by the following formula (1):

<화학식 1><Formula 1>

Ir(L1)(L2)(L3)Ir(L 1 )(L 2 )(L 3 )

상기 화학식 1 중,In Formula 1,

L1은 상기 화학식 1의 Ir과 결합되고, 하기 화학식 1-1로 표시된, 제1리간드이고,L 1 is a first ligand that is bonded to Ir of Formula 1 and represented by Formula 1-1 below,

L2는 상기 화학식 1의 Ir과 결합되고, 하기 화학식 1-2로 표시된, 제2리간드이고, L 2 is a second ligand bonded to Ir of Formula 1 and represented by Formula 1-2 below,

L3는 상기 화학식 1의 Ir과 결합되고, 하기 화학식 1-3으로 표시된, 제3리간드이다:L 3 is a third ligand bonded to Ir of Formula 1 above and represented by Formula 1-3 below:

<화학식 1-1> <화학식 1-2><Formula 1-1> <Formula 1-2>

<화학식 1-3><Formula 1-3>

상기 화학식 1-1 내지 1-3 중, In formulas 1-1 to 1-3,

Y1, Y3 및 Y5 각각은 질소(N)이고, Y 1 , Y 3 and Y 5 are each nitrogen (N),

Y2, Y4 및 Y6 각각은 탄소(C)이고,Y 2 , Y 4 and Y 6 are each carbon (C),

고리 B1 내지 고리 B6는 서로 독립적으로, C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고, Ring B 1 to Ring B 6 are each independently a C 3 -C 60 carbocyclic group or a C 1 -C 60 heterocyclic group,

W1 내지 W6는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C7-C60아릴알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴알킬기, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1) 또는 -P(=O)(Q1)(Q2)이고,W 1 to W 6 are each independently C 1 -substituted or unsubstituted with hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, at least one R 10a C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group substituted or unsubstituted with at least one R 10a, C 2 -C 60 alkynyl group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , substituted with at least one R 10a or Unsubstituted C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 60 carbocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , C 1 -C 60 heterocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a Click group, C 6 -C 60 aryloxy group, unsubstituted or substituted with at least one R 10a , C 6 -C 60 arylthio group, unsubstituted or substituted with at least one R 10a , substituted with at least one R 10a or an unsubstituted C 7 -C 60 arylalkyl group, a C 2 -C 60 heteroarylalkyl group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , -C(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ), -Si( Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ), -N(Q 1 )(Q 2 ), -B(Q 1 )(Q 2 ), -C(=O)(Q 1 ), -S(=O ) 2 (Q 1 ) or -P(=O)(Q 1 )(Q 2 ),

b1 내지 b6는 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수 중 하나이고, b1 to b6 are independently one of the integers from 0 to 20,

화학식 1-1 내지 1-3의 * 및 *' 각각은 화학식 1 중 Ir과의 결합 사이트이고,Each of * and *' in Formulas 1-1 to 1-3 is a binding site with Ir in Formula 1,

i) b1개의 W1 중 2개의 그룹, ii) b2개의 W2 중 2개의 그룹, iii) b3개의 W3 중 2개의 그룹, iv) b4개의 W4 중 2개의 그룹, v) b5개의 W5 중 2개의 그룹, 및 vi) b6개의 W6 중 2개의 그룹은 각각, 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, i) 2 groups of b1 W 1s , ii) 2 groups of b2 W 2s , iii) 2 groups of b3 W 3s , iv) 2 groups of b4 W 4s , v) b5 groups of W 5s two groups, and vi) two groups of b6 W 6 are each optionally combined with each other to form at least one C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a One R 10a may form a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heterocyclic group,

상기 R10a에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바와 동일하다. The description of R 10a is the same as described in the specification.

일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물은 헤테로렙틱 착체일 수 있다. According to one embodiment, the organometallic compound represented by Formula 1 may be a heteroleptic complex.

다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중, According to another embodiment, in Formula 1,

i) L3는 L2와 동일하거나,i) L 3 is equal to L 2 , or

ii) L3는 L1과 동일하거나, ii) L 3 is equal to L 1 , or

iii) L3는 L1 및 L2 각각과 서로 상이하거나, 또는iii) L 3 is different from each of L 1 and L 2 , or

iv) L1, L2 및 L3 각각이 모두 서로 동일할 수 있다.iv) Each of L 1 , L 2 and L 3 may be identical to each other.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 고리 B1, 고리 B3 및 고리 B5은 서로 독립적으로, According to another embodiment, ring B 1 , ring B 3 and ring B 5 are independently of each other,

피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 또는 트리아진 그룹; 또는a pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, or triazine group; or

시클로펜탄 그룹, 시클로헥산 그룹, 노르보르난(norbornane) 그룹, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 셀레노펜 그룹, 피롤 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 실롤 그룹, 또는 이의 임의의 조합이 축합된, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 또는 트리아진 그룹; Cyclopentane group, cyclohexane group, norbornane group, benzene group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group, furan group, thiophene group, selenophene group, pyrrole group. , a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, a pyridazine group, or a triazine group condensed with a cyclopentadiene group, a silol group, or any combination thereof;

일 수 있다. It can be.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 고리 B1, 고리 B3 및 고리 B5 각각은, 피리딘 그룹일 수 있다.According to another embodiment, each of Ring B 1 , Ring B 3 and Ring B 5 may be a pyridine group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 고리 B2, 고리 B4 및 고리 B6는 서로 독립적으로, According to another embodiment, ring B 2 , ring B 4 and ring B 6 are independently of each other,

벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 또는 피리다진 그룹; 또는a benzene group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, or pyridazine group; or

시클로펜탄 그룹, 시클로헥산 그룹, 노르보르난(norbornane) 그룹, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 셀레노펜 그룹, 피롤 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 실롤 그룹, 또는 이의 임의의 조합이 축합된, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 또는 피리다진 그룹; Cyclopentane group, cyclohexane group, norbornane group, benzene group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, furan group, thiophene group, selenophene group, pyrrole group, cyclopentadiene a benzene group, a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, or a pyridazine group, condensed with a group, silol group, or any combination thereof;

일 수 있다. It can be.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 고리 B2는, 시클로펜탄 그룹, 시클로헥산 그룹, 노르보르난(norbornane) 그룹, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 셀레노펜 그룹, 피롤 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 실롤 그룹, 또는 이의 임의의 조합이 축합된, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 또는 피리다진 그룹일 수 있다.According to another embodiment, the ring B 2 is a cyclopentane group, a cyclohexane group, a norbornane group, a benzene group, a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, a pyridazine group, a furan group, a T It may be a benzene group, a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, or a pyridazine group, condensed with an ophene group, a selenophene group, a pyrrole group, a cyclopentadiene group, a silol group, or any combination thereof.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 고리 B2는, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 셀레노펜 그룹, 피롤 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 및 실롤 그룹 중 1개; 및 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 및 피리다진 그룹 중 적어도 2개;가 서로 축합된, 폴리시클릭 그룹일 수 있다. According to another embodiment, the ring B 2 is one of a furan group, a thiophene group, a selenophene group, a pyrrole group, a cyclopentadiene group, and a silol group; and at least two of a benzene group, a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, and a pyridazine group; may be a polycyclic group condensed with each other.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 고리 B2는, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 디벤조셀레노펜 그룹, 카바졸 그룹, 플루오렌 그룹, 디벤조실롤 그룹, 나프토벤조퓨란 그룹, 나프토벤조티오펜 그룹, 나프토벤조셀레노펜 그룹, 벤조카바졸 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 벤조디벤조실롤 그룹, 디나프토퓨란 그룹, 디나프토티오펜 그룹, 디나프토셀레노펜 그룹, 디벤조카바졸 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 디나프토실롤 그룹, 페난쓰레노벤조퓨란 그룹, 페난쓰레노벤조티오펜 그룹, 페난쓰레노벤조셀레노펜 그룹, 나프토카바졸 그룹, 나프토플루오렌 그룹, 페난스레노벤조실롤 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조셀레노펜 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 아자나프토벤조퓨란 그룹, 아자나프토벤조티오펜 그룹, 아자나프토벤조셀레노펜 그룹, 아자벤조카바졸 그룹, 아자벤조플루오렌 그룹, 아자벤조디벤조실롤 그룹, 아자디나프토퓨란 그룹, 아자디나프토티오펜 그룹, 아자디나프토셀레노펜 그룹, 아자디벤조카바졸 그룹, 아자디벤조플루오렌 그룹, 아자디나프토실롤 그룹, 아자페난쓰레노벤조퓨란 그룹, 아자페난쓰레노벤조티오펜 그룹, 아자페난쓰레노벤조셀레노펜 그룹, 아자나프토카바졸 그룹, 아자나프토플루오렌 그룹, 또는 아자페난스레노벤조실롤 그룹일 수 있다. According to another embodiment, the ring B 2 is a dibenzofuran group, dibenzothiophene group, dibenzoselenophene group, carbazole group, fluorene group, dibenzosilol group, naphthobenzofuran group, naph. Tobenzothiophene group, naphthobenzoselenophene group, benzocarbazole group, benzofluorene group, benzodibenzosilol group, dinaphthofuran group, dinaphthothiophene group, dinaphthoselenophene group, dibenzocarbazole group, dibenzofluorene group, dinaphthosilol group, phenanthrenobenzofuran group, phenanthrenobenzothiophene group, phenanthrenobenzoselenophene group, naphthocarbazole group, naphthofluorene group, phenanes Srenobenzosilol group, azadibenzofuran group, azadibenzothiophene group, azadibenzoselenophene group, azacarbazole group, azafluorene group, azadibenzosilol group, azanaphthobenzofuran group, aza Naphthobenzothiophene group, azanaphthobenzoselenophene group, azabenzocarbazole group, azabenzofluorene group, azabenzodibenzosilol group, azadinapthofuran group, azadinapthothiophene group, azadinaptho Selenophen group, azadibenzocarbazole group, azadibenzofluorene group, azadinapthosilol group, azaphenanthrenobenzofuran group, azaphenanthrenobenzothiophene group, azaphenanthrenobenzoselenophene group , it may be an azanaphthocarbazole group, an azanaphthofluorene group, or an azaphenanthrenobenzosilol group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 고리 B2는, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 디벤조셀레노펜 그룹, 나프토벤조퓨란 그룹, 나프토벤조티오펜 그룹, 나프토벤조셀레노펜 그룹, 디나프토퓨란 그룹, 디나프토티오펜 그룹, 디나프토셀레노펜 그룹, 페난쓰레노벤조퓨란 그룹, 페난쓰레노벤조티오펜 그룹, 페난쓰레노벤조셀레노펜 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조셀레노펜 그룹, 아자나프토벤조퓨란 그룹, 아자나프토벤조티오펜 그룹, 아자나프토벤조셀레노펜 그룹, 아자디나프토퓨란 그룹, 아자디나프토티오펜 그룹, 아자디나프토셀레노펜 그룹, 아자페난쓰레노벤조퓨란 그룹, 아자페난쓰레노벤조티오펜 그룹, 또는 아자페난쓰레노벤조셀레노펜 그룹일 수 있다. According to another embodiment, the ring B 2 is a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, a dibenzoselenophene group, a naphthobenzofuran group, a naphthobenzothiophene group, a naphthobenzoselenophene group, Dinapthofuran group, dinaphthothiophene group, dinaphthoselenophene group, phenanthrenobenzofuran group, phenanthrenobenzothiophene group, phenanthrenobenzoselenophene group, azadibenzofuran group, azadibenzothi ophene group, azadibenzoselenophene group, azanaphthobenzofuran group, azanaphthobenzothiophene group, azanaphthobenzoselenophene group, azadinapthofuran group, azadinapthothiophene group, azadinapthosele It may be a nophen group, an azaphenanthrenobenzofuran group, an azaphenanthrenobenzothiophene group, or an azaphenanthrenobenzoselenophene group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 고리 B4는 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페난쓰렌 그룹, 안트라센 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 또는 피리다진 그룹일 수 있다.According to another embodiment, ring B 4 may be a benzene group, a naphthalene group, a phenanthrene group, an anthracene group, a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, or a pyridazine group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 고리 B6는 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페난쓰렌 그룹, 안트라센 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 디벤조셀레노펜 그룹, 카바졸 그룹, 플루오렌 그룹, 디벤조실롤 그룹, 나프토벤조퓨란 그룹, 나프토벤조티오펜 그룹, 나프토벤조셀레노펜 그룹, 벤조카바졸 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 벤조디벤조실롤 그룹, 디나프토퓨란 그룹, 디나프토티오펜 그룹, 디나프토셀레노펜 그룹, 디벤조카바졸 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 디나프토실롤 그룹, 페난쓰레노벤조퓨란 그룹, 페난쓰레노벤조티오펜 그룹, 페난쓰레노벤조셀레노펜 그룹, 나프토카바졸 그룹, 나프토플루오렌 그룹, 페난스레노벤조실롤 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조셀레노펜 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 아자나프토벤조퓨란 그룹, 아자나프토벤조티오펜 그룹, 아자나프토벤조셀레노펜 그룹, 아자벤조카바졸 그룹, 아자벤조플루오렌 그룹, 아자벤조디벤조실롤 그룹, 아자디나프토퓨란 그룹, 아자디나프토티오펜 그룹, 아자디나프토셀레노펜 그룹, 아자디벤조카바졸 그룹, 아자디벤조플루오렌 그룹, 아자디나프토실롤 그룹, 아자페난쓰레노벤조퓨란 그룹, 아자페난쓰레노벤조티오펜 그룹, 아자페난쓰레노벤조셀레노펜 그룹, 아자나프토카바졸 그룹, 아자나프토플루오렌 그룹, 또는 아자페난스레노벤조실롤 그룹일 수 있다. According to another embodiment, the ring B 6 is a benzene group, a naphthalene group, a phenanthrene group, an anthracene group, a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, a pyridazine group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, Dibenzoselenophene group, carbazole group, fluorene group, dibenzosilol group, naphthobenzofuran group, naphthobenzothiophene group, naphthobenzoselenophene group, benzocarbazole group, benzofluorene group, benzo Dibenzosilol group, dinaphthofuran group, dinaphthothiophene group, dinaphthoselenophene group, dibenzocarbazole group, dibenzofluorene group, dinaphthosilol group, phenanthrenobenzofuran group, phenanthreno Benzothiophene group, phenanthrenobenzoselenophene group, naphthocarbazole group, naphthofluorene group, phenanthrenobenzosilol group, azadibenzofuran group, azadibenzothiophene group, azadibenzoselenophene Group, azacarbazole group, azafluorene group, azadibenzosilol group, azanaphthobenzofuran group, azanaphthobenzothiophene group, azanaphthobenzoselenophene group, azabenzocarbazole group, azabenzoflu Orene group, azabenzodibenzosilol group, azadinapthofuran group, azadinapthothiophene group, azadinapthoselenophene group, azadibenzocarbazole group, azadibenzofluorene group, azadinapthosilol group , an azaphenanthrenobenzofuran group, an azaphenanthrenobenzothiophene group, an azaphenanthrenobenzoselenophene group, an azanaphthocarbazole group, an azanaphthofluorene group, or an azaphenanthrenobenzosilol group. You can.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-1의 Y2-함유 고리 B2와 상기 화학식 1-2의 Y4-함유 고리 B4는 서로 상이할 수 있다.According to another embodiment, the Y 2 -containing ring B 2 of Formula 1-1 and the Y 4 -containing ring B 4 of Formula 1-2 may be different from each other.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 W1 내지 W6는 서로 독립적으로, According to another embodiment, in Formula 1, W 1 to W 6 are independently of each other,

수소, 중수소, -F 또는 시아노기;Hydrogen, deuterium, -F or cyano group;

중수소, -F, 시아노기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C20알킬기 또는 C3-C10시클로알킬기;C 1 -C 20 alkyl group or C 3 -C 10 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted with deuterium, -F, cyano group, or any combination thereof;

중수소, -F, 시아노기, C1-C20알킬기, 중수소화 C1-C20알킬기, 불화 C1-C20알킬기, 페닐기, 중수소화 페닐기, 불화 페닐기, (C1-C20알킬)페닐기, 비페닐기, 중수소화 비페닐기, 불화 비페닐기, (C1-C20알킬)비페닐기, 또는 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 디벤조퓨라닐기, 또는 디벤조티오페닐기(또는, 티에닐(thienyl)기); 또는Deuterium, -F, cyano group, C 1 -C 20 alkyl group, deuterated C 1 -C 20 alkyl group, fluorinated C 1 -C 20 alkyl group, phenyl group, deuterated phenyl group, fluorinated phenyl group, (C 1 -C 20 alkyl)phenyl group. , biphenyl group, deuterated biphenyl group, fluorinated biphenyl group, (C 1 -C 20 alkyl) biphenyl group, or any combination of substituted or unsubstituted phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, dibenzofuranyl group, or di Benzothiophenyl group (or, thienyl group); or

-Si(Q1)(Q2)(Q3);-Si(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 );

일 수 있다. 여기서, Q1 내지 Q3 각각에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. It can be. Here, the description of each of Q 1 to Q 3 refers to what is described herein.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 W1 내지 W6 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 중수소를 포함할 수 있다. According to another embodiment, at least one of W 1 to W 6 may include at least one deuterium.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 W1 내지 W6 중 적어도 하나는, 중수소화 C1-C20알킬기, 또는 중수소화 C3-C10시클로알킬기일 수 있다.According to another embodiment, at least one of W 1 to W 6 may be a deuterated C 1 -C 20 alkyl group or a deuterated C 3 -C 10 cycloalkyl group.

본 명세서 중 "비페닐기"는 2개의 벤젠 그룹이 단일 결합을 통하여 서로 연결된 구조를 갖는 1가 치환기를 의미한다. As used herein, “biphenyl group” refers to a monovalent substituent having a structure in which two benzene groups are linked to each other through a single bond.

본 명세서 중, C3-C10시클로알킬기의 예에는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 아다만타닐(admantanyl)기, 노르보르나닐(norbornanyl)기 등이 포함될 수 있다.In this specification, examples of C 3 -C 10 cycloalkyl groups may include cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, adamantanyl group, and norbornanyl group.

본 명세서 중 "중수소화"란, 완전(fully) 중수소화 및 부분(partially) 중수소화를 모두 포함한다.As used herein, “deuteration” includes both fully deuteration and partially deuteration.

본 명세서 중 "불화"란, 완전(fully) 불화 및 부분(partially) 불화를 모두 포함한다.As used herein, “fluorination” includes both completely fluoride and partially fluoride.

상기 화학식 1 중 b1 내지 b6 각각은 W1 내지 W6의 개수를 나타낸 것으로서, 예를 들면, 서로 독립적으로, 0, 1, 2, 3 또는 4일 수 있다. 상기 b1이 2 이상일 경우 2 이상의 W1은 서로 동일하거나 상이하고, b2이 2 이상일 경우 2 이상의 W2는 서로 동일하거나 상이하고, b3가 2 이상일 경우 2 이상의 W3는 서로 동일하거나 상이하고, b4는 2 이상일 경우 2 이상의 W4는 서로 동일하거나 상이하고, b5가 2 이상일 경우 2 이상의 W5는 서로 동일하거나 상이하고, b6가 2 이상일 경우 2 이상의 W6는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. In Formula 1, b1 to b6 each represent the number of W 1 to W 6 and, for example, may be independently 0, 1, 2, 3, or 4. When b1 is 2 or more, 2 or more W 1 are the same or different from each other, when b2 is 2 or more, 2 or more W 2 are the same or different from each other, and when b3 is 2 or more, 2 or more W 3 are the same or different from each other, and b4 When is 2 or more, 2 or more W 4 's may be the same or different from each other, if b5 is 2 or more, 2 or more W 5 's may be the same or different from each other, and if b6 is 2 or more, 2 or more W 6 's may be the same or different from each other.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 이리듐-함유 유기금속 화합물은 하기 화학식 1A로 표시된 유기금속 화합물 또는 하기 화학식 1B로 표시된 유기금속 화합물일 수 있다:According to another embodiment, the iridium-containing organometallic compound may be an organometallic compound represented by Formula 1A or an organometallic compound represented by Formula 1B:

<화학식 1A><Formula 1A>

<화학식 1B><Formula 1B>

또 다른 구현예에 따르면, 상기 이리듐-함유 유기금속 화합물은 하기 화학식 1A-1로 표시된 유기금속 화합물, 하기 화학식 1B-1로 표시된 유기금속 화합물 또는 하기 화학식 1C-1로 표시된 유기금속 화합물일 수 있다:According to another embodiment, the iridium-containing organometallic compound may be an organometallic compound represented by Formula 1A-1, an organometallic compound represented by Formula 1B-1, or an organometallic compound represented by Formula 1C-1. :

<화학식 1A-1><Formula 1A-1>

<화학식 1B-1><Formula 1B-1>

상기 화학식 1A, 1B, 1A-1 및 1B-1 중, Among the formulas 1A, 1B, 1A-1 and 1B-1,

n은 1 또는 2이고, n is 1 or 2,

고리 B21은 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고, Ring B 21 is a C 3 -C 60 carbocyclic group or a C 1 -C 60 heterocyclic group,

Y11은 C(W11) 또는 N이고, Y12는 C(W12) 또는 N이고, Y13은 C(W13) 또는 N이고, Y14는 C(W14) 또는 N이고, Y21은 C(W21) 또는 N이고, Y22는 C(W22) 또는 N이고, Y23은 C(W23) 또는 N이고, Y24는 C(W24) 또는 N이고, Y25는 C(W25) 또는 N이고, Y26은 C(W26) 또는 N이고, Y31은 C(W31) 또는 N이고, Y32는 C(W32) 또는 N이고, Y33은 C(W33) 또는 N이고, Y34는 C(W34) 또는 N이고, Y41은 C(W41) 또는 N이고, Y42는 C(W42) 또는 N이고, Y43은 C(W43) 또는 N이고, Y44는 C(W44) 또는 N이고, Y51은 C(W51) 또는 N이고, Y52는 C(W52) 또는 N이고, Y53은 C(W53) 또는 N이고, Y54는 C(W54) 또는 N이고, Y61은 C(W61) 또는 N이고, Y62는 C(W62) 또는 N이고, Y63은 C(W63) 또는 N이고, Y64는 C(W64) 또는 N이고, Y 11 is C(W 11 ) or N, Y 12 is C(W 12 ) or N, Y 13 is C(W 13 ) or N, Y 14 is C(W 14 ) or N, Y 21 is C(W 21 ) or N, Y 22 is C(W 22 ) or N, Y 23 is C(W 23 ) or N, Y 24 is C(W 24 ) or N, Y 25 is C (W 25 ) or N, Y 26 is C(W 26 ) or N, Y 31 is C(W 31 ) or N, Y 32 is C(W 32 ) or N, Y 33 is C(W 33 ) or N, Y 34 is C(W 34 ) or N, Y 41 is C(W 41 ) or N, Y 42 is C(W 42 ) or N, Y 43 is C(W 43 ) or N, Y 44 is C(W 44 ) or N, Y 51 is C(W 51 ) or N, Y 52 is C(W 52 ) or N, Y 53 is C(W 53 ) or N , Y 54 is C(W 54 ) or N, Y 61 is C(W 61 ) or N, Y 62 is C(W 62 ) or N, Y 63 is C(W 63 ) or N, Y 64 is C(W 64 ) or N,

Y27은 O, S, Se, N(W27), C(W27a)(W27b) 또는 C(W27a)(W27b)이고,Y 27 is O, S, Se, N(W 27 ), C(W 27a )(W 27b ) or C(W 27a )(W 27b ),

상기 W11 내지 W14 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 W1에 대한 설명을 참조하고, For a description of each of W 11 to W 14 , refer to the description of W 1 in this specification,

상기 W21 내지 W27, W27a 및 W27b 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 W2에 대한 설명을 참조하고, For a description of each of W 21 to W 27 , W 27a and W 27b , refer to the description of W 2 in the specification,

b23은 0 내지 20의 정수 중 하나이고, b23 is one of the integers from 0 to 20,

상기 W31 내지 W34 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 W3에 대한 설명을 참조하고, For a description of each of W 31 to W 34 , refer to the description of W 3 in this specification,

상기 W41 내지 W44 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 W4에 대한 설명을 참조하고, For a description of each of W 41 to W 44 , refer to the description of W 4 in this specification,

상기 W51 내지 W54 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 W5에 대한 설명을 참조하고, For a description of each of W 51 to W 54 , refer to the description of W 5 in this specification,

상기 W61 내지 W64 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 W6에 대한 설명을 참조하고, For a description of each of W 61 to W 64 , refer to the description of W 6 in this specification,

W11 내지 W14 중 2 이상은, 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, Two or more of W 11 to W 14 are optionally combined with each other to form a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a or substituted or unsubstituted with at least one R 10a can form a C 1 -C 60 heterocyclic group,

W21 내지 W27, W27a 및 W27b 중 2 이상은, 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, Two or more of W 21 to W 27 , W 27a and W 27b are optionally combined with each other to form a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a or at least one R 10a may form a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heterocyclic group,

W31 내지 W34 중 2 이상은, 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, Two or more of W 31 to W 34 are optionally combined with each other to form a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a or substituted or unsubstituted with at least one R 10a can form a C 1 -C 60 heterocyclic group,

W41 내지 W44 중 2 이상은, 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있다.Two or more of W 41 to W 44 are optionally combined with each other to form a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a or substituted or unsubstituted with at least one R 10a It can form a C 1 -C 60 heterocyclic group.

W51 내지 W54 중 2 이상은, 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, Two or more of W 51 to W 54 are optionally combined with each other to form a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a or substituted or unsubstituted with at least one R 10a can form a C 1 -C 60 heterocyclic group,

W61 내지 W64 중 2 이상은, 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있다.Two or more of W 61 to W 64 are optionally combined with each other to form a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a or substituted or unsubstituted with at least one R 10a It can form a C 1 -C 60 heterocyclic group.

상기 화학식 1A 및 1A-1 중 n은 1 또는 2이므로, 상기 화학식 1A 및 1A-1는 상기 화학식 1 중 제3리간드가 제2리간드 또는 제1리간드와 동일한 유기금속 화합물에 해당할 수 있다. Since n in Formulas 1A and 1A-1 is 1 or 2, Formulas 1A and 1A-1 may correspond to organometallic compounds in which the third ligand in Formula 1 is the same as the second or first ligand.

상기 화학식 1B 또는 1B-1로 표시된 유기금속 화합물은 3개의 서로 상이한 2자리 리간드를 갖는 유기금속 화합물로서, 상기 화학식 1 중 제3리간드가 제1리간드 및 제2리간드 각각과 서로 상이한 화합물에 해당할 수 있다. The organometallic compound represented by Formula 1B or 1B-1 is an organometallic compound having three different bidentate ligands, wherein the third ligand in Formula 1 corresponds to a compound different from each of the first and second ligands. You can.

일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1A 및 1B 중 고리 B21은 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페난쓰렌 그룹, 안트라센 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴녹살린 그룹, 또는 벤조퀴나졸린 그룹일 수 있다.According to one embodiment, ring B 21 in Formulas 1A and 1B is a benzene group, a naphthalene group, a phenanthrene group, an anthracene group, a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, a pyridazine group, a quinoline group, an isoquinoline group, It may be a quinoxaline group, a quinazoline group, a benzoquinoline group, a benzoisoquinoline group, a benzoquinoxaline group, or a benzoquinazoline group.

다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1A 및 1B 중 고리 B21은 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴녹살린 그룹, 또는 벤조퀴나졸린 그룹일 수 있다.According to another embodiment, ring B 21 in Formulas 1A and 1B is a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, a pyridazine group, a quinoline group, an isoquinoline group, a quinoxaline group, a quinazoline group, a benzoquinoline group, or a benzoline group. It may be an isoquinoline group, a benzoquinoxaline group, or a benzoquinazoline group.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1A-1 및 1B-1의 Y21 내지 Y26 중 적어도 하나는 N일 수 있다.According to another embodiment, at least one of Y 21 to Y 26 in Formulas 1A-1 and 1B-1 may be N.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1A-1 및 1B-1의 Y23 내지 Y26 중 적어도 하나는 N일 수 있다.According to another embodiment, at least one of Y 23 to Y 26 in Formulas 1A-1 and 1B-1 may be N.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1A-1 및 1B-1 중 Y26은 N일 수 있다.According to another embodiment, in Formulas 1A-1 and 1B-1, Y 26 may be N.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1A-1 및 1B-1 중 Y21 내지 Y25는 N이 아니고, Y26은 N일 수 있다. According to another embodiment, in Formulas 1A-1 and 1B-1, Y 21 to Y 25 may not be N, and Y 26 may be N.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1A, 1B, 1A-1 및 1B-1 중 Y11 내지 Y14, Y21, Y22, Y31 내지 Y34 및 Y41 내지 Y44 각각은 N이 아닐 수 있다. According to another embodiment, in Formulas 1A, 1B, 1A-1 and 1B-1, each of Y 11 to Y 14 , Y 21 , Y 22 , Y 31 to Y 34 and Y 41 to Y 44 may not be N. there is.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-1 중 로 표시된 그룹, 상기 화학식 1-2 중 로 표시된 그룹, 상기 화학식 1-3 중 로 표시된 그룹, 상기 화학식 1A, 1B, 1A-1 및 1B-1 중 로 표시된 그룹, 상기 화학식 1A, 1B, 1A-1 및 1B-1 중 로 표시된 그룹 및 상기 화학식 1B 및 1B-1 중 로 표시된 그룹은 서로 독립적으로, 하기 화학식 BN-1 내지 BN-16로 표시된 그룹 중 하나일 수 있다:According to another embodiment, in Formula 1-1 The group indicated by, of Formula 1-2 above A group indicated by, of formulas 1-3 above The group indicated by, of formulas 1A, 1B, 1A-1 and 1B-1 The group indicated by, of formulas 1A, 1B, 1A-1 and 1B-1 Among the groups indicated by and the formulas 1B and 1B-1 The group represented by may be independently one of the groups represented by the following formulas BN-1 to BN-16:

상기 화학식 BN-1 내지 BN-16 중,Among the formulas BN-1 to BN-16,

W71 내지 W74 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 W1, W3 또는 W5에 대한 설명을 참조하되, W71 내지 W74 각각은 수소가 아니고, For a description of each of W 71 to W 74 , refer to the description of W 1 , W 3 or W 5 in the specification, but each of W 71 to W 74 is not hydrogen,

*는 화학식 1, 1A, 1B, 1A-1 및 1B-1 중 이리듐과의 결합 사이트이고, * is the binding site with iridium in formulas 1, 1A, 1B, 1A-1 and 1B-1,

*"는 화학식 1, 1A, 1B, 1A-1 및 1B-1 중 이웃한 원자와의 결합 사이트이다. *" is a bonding site with neighboring atoms in formulas 1, 1A, 1B, 1A-1, and 1B-1.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-1 중 로 표시된 그룹, 상기 화학식 1-2 중 로 표시된 그룹, 및 상기 화학식 1-3 중 로 표시된 그룹은 서로 독립적으로, 하기 화학식 BC-1 내지 BC-47로 표시된 그룹 중 하나일 수 있다:According to another embodiment, in Formula 1-1 The group indicated by, of Formula 1-2 above A group indicated by , and in Formulas 1-3 above The group represented by may be independently one of the groups represented by the following formulas BC-1 to BC-47:

상기 화학식 BC-1 내지 BC-47 중,Among the formulas BC-1 to BC-47,

Y80은 O, S, Se, N(W80), C(W80a)(W80b) 또는 Si(W80a)(W80b)이고,Y 80 is O, S, Se, N(W 80 ), C(W 80a )(W 80b ) or Si(W 80a )(W 80b ),

W80, W80a 및 W80b 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 W2, W4 또는 W6에 대한 설명을 참조하고,For a description of each of W 80 , W 80a and W 80b , refer to the description of W 2 , W 4 or W 6 in this specification,

*'는 화학식 1 중 이리듐과의 결합 사이트이고, *' is the binding site with iridium in Formula 1,

*"는 화학식 1 중 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.*" is a bonding site with a neighboring atom in Chemical Formula 1.

상기 화학식 BC-1 내지 BC-47은 본 명세서에 기재된 바와 같은 W2, W4 또는 W6로 치환 또는 비치환될 수 있으며, 이는 화학식 1-1, 1-2 및 1-3의 구조로부터 용이하게 이해될 수 있는 것이다.The formulas BC-1 to BC-47 may be substituted or unsubstituted with W 2 , W 4 or W 6 as described herein, which can be easily obtained from the structures of formulas 1-1, 1-2 and 1-3. It can be easily understood.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-1 중 로 표시된 그룹은 상기 화학식 BC-6 내지 BC-47로 표시된 그룹 중 하나일 수 있다.According to another embodiment, in Formula 1-1 The group represented by may be one of the groups represented by formulas BC-6 to BC-47.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-2 중 로 표시된 그룹은 상기 화학식 BC-1 내지 BC-5로 표시된 그룹 중 하나일 수 있다.According to another embodiment, in Formula 1-2, The group represented by may be one of the groups represented by formulas BC-1 to BC-5.

상기 화학식 2-1 중 b51 내지 b53은 각각 L51 내지 L53의 개수를 나타낸 것으로서, 1 내지 5의 정수 중 하나일 수 있다. 상기 b51이 2 이상일 경우, 2 이상의 L51은 서로 동일하거나 상이하고, 상기 b52가 2 이상일 경우, 2 이상의 L52는 서로 동일하거나 상이하고, 상기 b53이 2 이상일 경우, 2 이상의 L53은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 b51 내지 b53은 서로 독립적으로, 1 또는 2일 수 있다. In Formula 2-1, b51 to b53 represent the number of L 51 to L 53 , respectively, and may be one of the integers from 1 to 5. When b51 is 2 or more, two or more L 51 's are the same as or different from each other, when b52 is 2 or more, two or more L 52 's are the same as or different from each other, and when b53 is 2 or more, two or more L 53 's are the same as each other. Or it may be different. For example, b51 to b53 may be independently 1 or 2.

상기 화학식 2-1 중 L51 내지 L53는 서로 독립적으로,In Formula 2-1, L 51 to L 53 are independently of each other,

단일 결합; 또는 single bond; or

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조실롤일기, 디메틸디벤조실롤일기, 디페닐디벤조실롤일기, -O(Q31), -S(Q31), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -P(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), -P(=O)(Q31)(Q32), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 실롤 그룹, 인덴 그룹, 플루오렌 그룹, 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 벤조퓨란 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 벤조티오펜 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 벤조실롤 그룹, 디벤조실롤 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 피롤 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이소옥사졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조옥사디아졸 그룹, 벤조티아디아졸 그룹, 디벤조옥사실린 그룹, 디벤조티아실린 그룹, 디벤조디하이드로아자실린 그룹, 디벤조디하이드로디실린 그룹, 디벤조디하이드로실린 그룹, 디벤조디옥신 그룹, 디벤조옥사티인 그룹, 디벤조옥사진 그룹, 디벤조피란 그룹, 디벤조디티인 그룹, 디벤조티아진 그룹, 디벤조티오피란 그룹, 디벤조시클로헥사디엔 그룹, 디벤조디하이드로피리딘 그룹, 디벤조디하이드로피라진 그룹, 인돌로카바졸 그룹, 인돌로디벤조퓨란 그룹, 또는 인돌로디벤조티오펜 그룹;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, pyridinyl group, pyrimidi Nyl group, triazinyl group, fluorenyl group, dimethylfluorenyl group, diphenylfluorenyl group, carbazolyl group, phenylcarbazolyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, dibenzosilolyl group, dimethyldibenzosilolyl group , diphenyldibenzosilolyl group, -O(Q 31 ), -S(Q 31 ), -Si(Q 31 )(Q 32 )(Q 33 ), -N(Q 31 )(Q 32 ), -B (Q 31 )(Q 32 ), -P(Q 31 )(Q 32 ), -C(=O)(Q 31 ), -S(=O) 2 (Q 31 ), -P(=O)( Q 31 ) (Q 32 ), or any combination thereof, substituted or unsubstituted, benzene group, naphthalene group, anthracene group, phenanthrene group, triphenylene group, pyrene group, chrysene group, cyclopentadiene group , furan group, thiophene group, silol group, indene group, fluorene group, indole group, carbazole group, benzofuran group, dibenzofuran group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzosilol group, di Benzosilol group, azafluorene group, azacarbazole group, azadibenzofuran group, azadibenzothiophene group, azadibenzosilol group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group , quinoline group, isoquinoline group, quinoxaline group, quinazoline group, phenanthroline group, pyrrole group, pyrazole group, imidazole group, triazole group, oxazole group, isoxazole group, thiazole group, iso Thiazole group, oxadiazole group, thiadiazole group, benzopyrazole group, benzoimidazole group, benzoxazole group, benzothiazole group, benzoxadiazole group, benzothiadiazole group, dibenzoxacillin group, dibenzothiacillin group, dibenzodihydroazacillin group, dibenzodihydrodicilline group, dibenzodihydrociline group, dibenzodioxine group, dibenzooxathiin group, dibenzoxazine group, Dibenzopyran group, dibenzodithiine group, dibenzothiazine group, dibenzothiopyran group, dibenzocyclohexadiene group, dibenzodihydropyridine group, dibenzodihydropyrazine group, indolocarbazole group, indolodibenzofuran group, or indolodibenzothiophene group;

이고, ego,

Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 피라지닐기 또는 트리아지닐기일 수 있다.Q 31 to Q 33 are each independently selected from hydrogen, deuterium, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, pyridinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, It may be a pyrazinyl group or a triazinyl group.

상기 화학식 2-1 중 X54는 N 또는 C(R54)이고, X55는 N 또는 C(R55)이고, X56은 N 또는 C(R56)이고, X54 내지 X56 중 적어도 2개는 N일 수 있다. 상기 R54 내지 R56에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 예를 들어, 상기 X54 내지 X56 중 2개 또는 3개는 N일 수 있다. In Formula 2-1, X 54 is N or C(R 54 ), X 55 is N or C ( R 55 ), X 56 is N or C(R 56 ), and at least 2 of A dog can be N. For a description of R 54 to R 56 , refer to what is described in the present specification. For example, two or three of X 54 to X 56 may be N.

본 명세서 중 R51 내지 R56, R71 내지 R76, R81 내지 R85, R82a, R82b, R83a, R83b, R84a 및 R84b는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C7-C60아릴알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴알킬기, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1) 또는 -P(=O)(Q1)(Q2)일 수 있다. 상기 Q1 내지 Q3에 대한 설명은 각각 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. In the present specification, R 51 to R 56 , R 71 to R 76 , R 81 to R 85 , R 82a, R 82b , R 83a , R 83b , R 84a and R 84b are each independently selected from hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted or unsubstituted with at least one R 10a , or Unsubstituted, substituted or unsubstituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted or unsubstituted with at least one R 10a , substituted or unsubstituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted or unsubstituted with at least one R 10a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , C 1 -C substituted or unsubstituted with at least one R 10a 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryloxy group, unsubstituted or substituted with at least one R 10a , C 6 -C 60 arylthio group, unsubstituted or substituted with at least one R 10a , at least one R C 7 -C 60 arylalkyl group substituted or unsubstituted with 10a , C 2 -C 60 heteroarylalkyl group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , -C(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ), -Si(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ), -N(Q 1 )(Q 2 ), -B(Q 1 )(Q 2 ), -C(=O)(Q 1 ), -S It may be (=O) 2 (Q 1 ) or -P(=O)(Q 1 )(Q 2 ). For descriptions of Q 1 to Q 3 , refer to what is described in the present specification.

예를 들어, i) 상기 화학식 10 중 R1 내지 R7, R5a, R5b, R6a, R6b, R7a, R7b, R', 및 R", ii) 상기 화학식 1, 1A, 1B, 1A-1, 1B-1, BN-1 내지 BN-16 및 BC-1 내지 BC-47 중 W1 내지 W6, W11 내지 W14, W21 내지 W27, W27a, W27b, W31 내지 W34, W41 내지 W44, W71 내지 W74, W80, W80a 및 W80b, 및 iii) 화학식 2-1 및 3-1 내지 3-6 중 R51 내지 R56, R71 내지 R76, R81 내지 R85, R82a, R82b, R83a, R83b, R84a 및 R84b 및 iv) R10a는 서로 독립적으로,For example, i) R 1 to R 7 , R 5a , R 5b , R 6a , R 6b , R 7a , R 7b , R', and R" in Formula 10, ii) Formula 1, 1A, 1B , 1A-1, 1B-1, BN-1 to BN-16 and BC-1 to BC-47, W 1 to W 6 , W 11 to W 14 , W 21 to W 27 , W 27a , W 27b , W 31 to W 34 , W 41 to W 44 , W 71 to W 74 , W 80 , W 80a and W 80b , and iii) R 51 to R 56 , R 71 in Formulas 2-1 and 3-1 to 3-6 to R 76 , R 81 to R 85 , R 82a , R 82b , R 83a , R 83b , R 84a and R 84b and iv) R 10a are independently of each other,

수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기 또는 C1-C20알콕시기; Hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 1 -C 20 alkyl group or C 1 -C 20 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C10알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환된, C1-C20알킬기 또는 C1-C20알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, -CD 3 , -CD 2 H, -CDH 2 , -CF 3 , -CF 2 H, -CFH 2 , hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 1 -C 10 Alkyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, adamantanyl, norbornanyl, norbornenyl, cyclopentenyl, cyclohexyl. C 1 -C 20 alkyl group or C 1 -C 20 alkoxy group substituted with cenyl group, cycloheptenyl group, phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, pyridinyl group, pyrimidinyl group, or any combination thereof;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 비페닐기, C1-C10알킬페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 벤조티아졸일기, 벤조이소옥사졸일기, 벤조이소옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, -O(Q31), -S(Q31), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -P(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), -P(=O)(Q31)(Q32), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 비페닐기, C1-C10알킬페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 벤조이소티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조이소옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 아자플루오레닐기, 아자디벤조실롤일기 또는 화학식 91로 표시된 그룹; 또는Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, -CD 3 , -CD 2 H, -CDH 2 , -CF 3 , -CF 2 H, -CFH 2 , hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, adamantanyl group, norbornanyl group, norbornenyl group ), cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, cycloheptenyl group, phenyl group, biphenyl group, C 1 -C 10 alkylphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl Renyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazolyl group Zinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindoleyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinoli Nyl group, carbazolyl group, phenanthrolinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, benzothiazolyl group, benzoisoxazolyl group, benzoisoxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group , triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group, -O (Q 31 ), -S (Q 31 ), -Si(Q 31 )(Q 32 )(Q 33 ), -N(Q 31 )(Q 32 ), -B(Q 31 )(Q 32 ), -P(Q 31 )(Q 32 ), Substituted or unsubstituted with -C(=O)(Q 31 ), -S(=O) 2 (Q 31 ), -P(=O)(Q 31 )(Q 32 ), or any combination thereof, Cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, adamantanyl group, norbornanyl group, norbornenyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, cycloheptenyl group, Phenyl group, biphenyl group, C 1 -C 10 alkylphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyrrolyl group, thio Phenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindoleyl group , indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthrolinyl group, benzoimidazolyl group, Benzofuranyl group, benzothiophenyl group, benzoisothiazolyl group, benzooxazolyl group, benzoisoxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group , benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group, azacarbazolyl group, azadibenzofuranyl group, azadibenzothiophenyl group, azafluorenyl group, azadibenzosilol The group denoted by diary or formula 91; or

-C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1) 또는 -P(=O)(Q1)(Q2); -C(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ), -Si(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ), -N(Q 1 )(Q 2 ), -B(Q 1 )(Q 2 ), -C(=O)(Q 1 ), -S(=O) 2 (Q 1 ) or -P(=O)(Q 1 )(Q 2 );

이고,ego,

Q1 내지 Q3 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, Q 1 to Q 3 and Q 31 to Q 33 are independently of each other,

-CH3, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CH2CH3, -CH2CD3, -CH2CD2H, -CH2CDH2, -CHDCH3, -CHDCD2H, -CHDCDH2, -CHDCD3, -CD2CD3, -CD2CD2H 또는 -CD2CDH2; 또는-CH 3 , -CD 3 , -CD 2 H, -CDH 2 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CD 3 , -CH 2 CD 2 H, -CH 2 CDH 2 , -CHDCH 3 , -CHDCD 2 H , -CHDCDH 2 , -CHDCD 3 , -CD 2 CD 3 , -CD 2 CD 2 H or -CD 2 CDH 2 ; or

중수소, C1-C10알킬기, 페닐기, 비페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 트리아지닐기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 피라지닐기 또는 트리아지닐기; n-propyl, substituted or unsubstituted with deuterium, C 1 -C 10 alkyl group, phenyl group, biphenyl group, pyridinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, or any combination thereof group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, sec-pentyl group, tert-pentyl group, phenyl group, naphthyl group, pyrite Dinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, pyrazinyl group, or triazinyl group;

일 수 있다:It can be:

<화학식 91><Formula 91>

상기 화학식 91 중, In Formula 91 above,

고리 CY91 및 고리 CY92는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C5-C30카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C30헤테로시클릭 그룹이고,Ring CY 91 and ring CY 92 are, independently of each other, a C 5 -C 30 carbocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a or a C 1 -C 30 heterocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a It is a cyclic group,

X91은 단일 결합, O, S, N(R91), B(R91), C(R91a)(R91b) 또는 Si(R91a)(R91b)이고, and _ _ _ _ _ _

R91, R91a 및 R91b에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 R82, R82a 및 R82b에 대한 설명을 참조하고, For descriptions of R 91 , R 91a and R 91b , refer to the descriptions of R 82 , R 82a and R 82b in this specification, respectively,

R10a에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,For a description of R 10a , refer to what is described herein,

*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다. * is a bonding site with a neighboring atom.

예를 들어, 상기 화학식 91 중,For example, in Formula 91 above,

고리 CY91 및 고리 CY92는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹 또는 트리아진 그룹이고,Ring CY 91 and ring CY 92 are, independently of each other, a benzene group, a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, a pyridazine group, or a triazine group, substituted or unsubstituted with at least one R 10a ,

R91, R91a 및 R91b은 서로 독립적으로, R 91 , R 91a and R 91b are independently of each other,

수소 또는 C1-C10알킬기; 또는hydrogen or C 1 -C 10 alkyl group; or

중수소, C1-C10알킬기, 페닐기, 비페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 트리아지닐기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 피라지닐기 또는 트리아지닐기; Substituted or unsubstituted with deuterium, C 1 -C 10 alkyl group, phenyl group, biphenyl group, pyridinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, or any combination thereof, phenyl group, pyridine Dinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, pyrazinyl group, or triazinyl group;

일 수 있다. It can be.

또 다른 구현예에 따르면, i) 상기 화학식 10 중 R1 내지 R7, R5a, R5b, R6a, R6b, R7a, R7b, R', 및 R", ii) 상기 화학식 1, 1A, 1B, 1A-1, 1B-1, BN-1 내지 BN-16 및 BC-1 내지 BC-47 중 W1 내지 W6, W11 내지 W14, W21 내지 W27, W27a, W27b, W31 내지 W34, W41 내지 W44, W71 내지 W74, W80, W80a 및 W80b, 및 iii) 화학식 2-1 및 3-1 내지 3-6 중 R51 내지 R56, R71 내지 R76, R81 내지 R85, R82a, R82b, R83a, R83b, R84a 및 R84b 및 iv) R10a는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, 시아노기, 니트로기, -CH3, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 하기 화학식 9-1 내지 9-19 중 하나로 표시되는 그룹, 하기 화학식 10-1 내지 10-246 중 하나로 표시되는 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3) 또는 -P(=O)(Q1)(Q2)(단, Q1 내지 Q3에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조함) 일 수 있다(단, R10a 및 W71 내지 W74 각각은 수소는 아님):According to another embodiment, i) R 1 to R 7 , R 5a , R 5b , R 6a , R 6b , R 7a , R 7b , R', and R" in Formula 10, ii) Formula 1, W 1 to W 6, W 11 to W 14, W 21 to W 27, W 27a , W among 1A, 1B, 1A-1, 1B-1, BN- 1 to BN- 16 and BC-1 to BC- 47 27b , W 31 to W 34 , W 41 to W 44 , W 71 to W 74 , W 80 , W 80a and W 80b , and iii) R 51 to R 56 in Formulas 2-1 and 3-1 to 3-6 , R 71 to R 76 , R 81 to R 85 , R 82a , R 82b , R 83a , R 83b , R 84a and R 84b and iv) R 10a are each independently selected from hydrogen, deuterium, -F, cyano group, Nitro group, -CH 3 , -CD 3 , -CD 2 H, -CDH 2 , -CF 3 , -CF 2 H, -CFH 2 , a group represented by one of the following formulas 9-1 to 9-19, the following formula A group represented by one of 10-1 to 10-246, -C(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ), -Si(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ) or -P(=O)( Q 1 )(Q 2 ) (provided that the description of Q 1 to Q 3 refers to what is described herein) (provided that each of R 10a and W 71 to W 74 is not hydrogen):

상기 화학식 9-1 내지 9-19 및 10-1 내지 10-246 중 *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고, Ph는 페닐기이고, TMS는 트리메틸실릴기이다. In Formulas 9-1 to 9-19 and 10-1 to 10-246, * is a bonding site with an adjacent atom, Ph is a phenyl group, and TMS is a trimethylsilyl group.

상기 화학식 3-1 내지 3-5 중 a71 내지 a74는 각각 R71 내지 R74의 개수를 나타낸 것으로서, 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수일 수 있다. 상기 a71이 2 이상일 경우 2 이상의 R71은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 a72가 2 이상일 경우 2 이상의 R72는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 a73이 2 이상일 경우 2 이상의 R73은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 a74가 2 이상일 경우 2 이상의 R74는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 a71 내지 a74는 서로 독립적으로, 0 내지 8의 정수일 수 있다. 상기 화학식 3-6 중 a75 및 a76은 각각 R75 및 R76의 개수를 나타낸 것으로서, 서로 독립적으로, 0 내지 4의 정수이다. In Formulas 3-1 to 3-5, a71 to a74 each represent the number of R 71 to R 74 and may independently be an integer of 0 to 20. When a71 is 2 or more, 2 or more R 71 's may be the same as or different from each other, and when a72 is 2 or more, 2 or more R 72 's may be the same or different from each other. When a73 is 2 or more, 2 or more R 73 's may be the same as or different from each other. It may be the same or different, and when a74 is 2 or more, 2 or more R 74 may be the same or different from each other. The a71 to a74 may be independently integers from 0 to 8. In Formula 3-6, a75 and a76 represent the numbers of R 75 and R 76 , respectively, and are independently integers from 0 to 4.

상기 화학식 1 중, i) b1개의 W1 중 2 이상은 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, ii) b2개의 W2 중 2 이상은 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, iii) b3개의 W3 중 2 이상은 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, iv) b4개의 W4 중 2 이상은 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, v) b5개의 W5 중 2 이상은 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, vi) b6개의 W6 중 2 이상은 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있다.In Formula 1, i) two or more of b1 W 1 are optionally bonded to each other, forming a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a or at least one R 10a may form a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heterocyclic group, ii) two or more of the b2 W 2 are optionally bonded to each other, and are substituted or unsubstituted with at least one R 10a may form a C 3 -C 60 carbocyclic group or a C 1 -C 60 heterocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , iii) two or more of the b3 W 3 are optionally ( optionally) combined with each other to form a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a or a C 1 -C 60 heterocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a may be, iv) two or more of the b4 W 4 are optionally combined with each other, and are substituted with at least one R 10a substituted or unsubstituted C 3 -C 60 carbocyclic group or at least one R 10a Or, it may form an unsubstituted C 1 -C 60 heterocyclic group, and v) two or more of the b5 W 5 are optionally combined with each other to form a C that is unsubstituted or substituted with at least one R 10a may form a 3 -C 60 carbocyclic group or a C 1 -C 60 heterocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , and vi) two or more of b6 W 6 are optionally By combining with each other, they can form a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a or a C 1 -C 60 heterocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a .

한편, 상기 화학식 3-1 내지 3-6 중 L81 내지 L85는 서로 독립적으로,Meanwhile, in Formulas 3-1 to 3-6, L 81 to L 85 are independently of each other,

단일 결합;single bond;

*-C(Q4)(Q5)-*' 또는 *-Si(Q4)(Q5)-*'; 또는*-C(Q 4 )(Q 5 )-*' or *-Si(Q 4 )(Q 5 )-*'; or

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조실롤일기, 디메틸디벤조실롤일기, 디페닐디벤조실롤일기, -O(Q31), -S(Q31), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -P(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), -P(=O)(Q31)(Q32), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 실롤 그룹, 인덴 그룹, 플루오렌 그룹, 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 벤조퓨란 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 벤조티오펜 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 벤조실롤 그룹, 디벤조실롤 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 피롤 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이소옥사졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조옥사디아졸 그룹 또는 벤조티아디아졸 그룹;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, pyridinyl group, pyrimidi Nyl group, triazinyl group, fluorenyl group, dimethylfluorenyl group, diphenylfluorenyl group, carbazolyl group, phenylcarbazolyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, dibenzosilolyl group, dimethyldibenzosilolyl group , diphenyldibenzosilolyl group, -O(Q 31 ), -S(Q 31 ), -Si(Q 31 )(Q 32 )(Q 33 ), -N(Q 31 )(Q 32 ), -B (Q 31 )(Q 32 ), -P(Q 31 )(Q 32 ), -C(=O)(Q 31 ), -S(=O) 2 (Q 31 ), -P(=O)( Q 31 ) (Q 32 ), or any combination thereof, substituted or unsubstituted, benzene group, naphthalene group, anthracene group, phenanthrene group, triphenylene group, pyrene group, chrysene group, cyclopentadiene group , furan group, thiophene group, silol group, indene group, fluorene group, indole group, carbazole group, benzofuran group, dibenzofuran group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzosilol group, di Benzosilol group, azafluorene group, azacarbazole group, azadibenzofuran group, azadibenzothiophene group, azadibenzosilol group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group , quinoline group, isoquinoline group, quinoxaline group, quinazoline group, phenanthroline group, pyrrole group, pyrazole group, imidazole group, triazole group, oxazole group, isoxazole group, thiazole group, iso thiazole group, oxadiazole group, thiadiazole group, benzopyrazole group, benzoimidazole group, benzooxazole group, benzothiazole group, benzoxadiazole group or benzothiadiazole group;

이고,ego,

Q4, Q5, Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 피라지닐기 또는 트리아지닐기일 수 있다.Q 4 , Q 5 , Q 31 to Q 33 are each independently selected from hydrogen, deuterium, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, pyridinyl group, pyrimidinyl group , it may be a pyridazinyl group, a pyrazinyl group, or a triazinyl group.

화합물 구체예Compound Specific Examples

일 구현예에 따르면, 상기 제1에미터는 하기 화합물 GD01 내지 GD25 중 하나일 수 있다:According to one embodiment, the first emitter may be one of the following compounds GD01 to GD25:

다른 구현예에 따르면, 상기 제1호스트는 하기 Host1 내지 Host4 중 하나일 수 있다:According to another implementation, the first host may be one of the following Host1 to Host4:

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1물질은 하기 화합물 GI01 내지 GI09 중 하나일 수 있다:According to another embodiment, the first material may be one of the following compounds GI01 to GI09:

[도 1에 대한 설명][Description of Figure 1]

도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 상기 발광 소자(10)는 제1전극(110), 중간층(130) 및 제2전극(150)을 포함한다. Figure 1 schematically shows a cross-sectional view of a light-emitting device 10 according to an embodiment of the present invention. The light emitting device 10 includes a first electrode 110, an intermediate layer 130, and a second electrode 150.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 발광 소자(10)의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the structure and manufacturing method of the light emitting device 10 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

[제1전극(110)][First electrode (110)]

도 1의 제1전극(110)의 하부 또는 제2전극(150)의 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판으로는, 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 또는, 상기 기판은 가요성 기판일 수 있으며, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphtalate), 폴리아릴레이트(PAR; polyarylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 또는 이의 임의의 조합과 같이, 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱을 포함할 수 있다. A substrate may be additionally disposed below the first electrode 110 or above the second electrode 150 in FIG. 1 . As the substrate, a glass substrate or a plastic substrate can be used. Alternatively, the substrate may be a flexible substrate, for example, polyimide, polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyarylate ( It may include a plastic with excellent heat resistance and durability, such as PAR (polyarylate), polyetherimide, or any combination thereof.

상기 제1전극(110)은, 예를 들면, 상기 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(110)이 애노드일 경우, 제1전극용 물질로서, 정공 주입이 용이한 고일함수 물질을 이용할 수 있다. The first electrode 110 may be formed, for example, by providing a first electrode material on the upper part of the substrate using a deposition method or sputtering method. When the first electrode 110 is an anode, a high work function material that facilitates hole injection can be used as the first electrode material.

상기 제1전극(110)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 투과형 전극인 제1전극(110)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질로서, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 또는 이의 임의의 조합을 이용할 수 있다. 또는, 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 제1전극(110)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질로서, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 또는 이의 임의의 조합을 이용할 수 있다. The first electrode 110 may be a reflective electrode, a transflective electrode, or a transmissive electrode. In order to form the first electrode 110, which is a transmissive electrode, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), or a material for the first electrode is used. Any combination can be used. Alternatively, in order to form the first electrode 110, which is a transflective electrode or a reflective electrode, magnesium (Mg), silver (Ag), aluminum (Al), or aluminum-lithium (Al-Li) may be used as the first electrode material. ), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium-silver (Mg-Ag), or any combination thereof can be used.

상기 제1전극(110)은 단일층으로 이루어진(consist of) 단층 구조 또는 복수의 층을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(110)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있다.The first electrode 110 may have a single-layer structure (consist of a single layer) or a multi-layer structure including a plurality of layers. For example, the first electrode 110 may have a three-layer structure of ITO/Ag/ITO.

[중간층(130)][Middle layer (130)]

상기 제1전극(110) 상부에는 중간층(130)이 배치되어 있다. 상기 중간층(130)은 발광층을 포함한다. An intermediate layer 130 is disposed on the first electrode 110. The intermediate layer 130 includes a light emitting layer.

상기 중간층(130)은, 상기 제1전극(110)과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송 영역(hole transport region) 및 상기 발광층과 상기 제2전극(150) 사이에 배치된 전자 수송 영역(electron transport region)을 더 포함할 수 있다.The intermediate layer 130 includes a hole transport region disposed between the first electrode 110 and the light-emitting layer and an electron transport region disposed between the light-emitting layer and the second electrode 150. region) may be further included.

상기 중간층(130)은 각종 유기물 외에, 유기금속 화합물과 같은 금속-함유 화합물, 양자점과 같은 무기물 등도 더 포함할 수 있다.In addition to various organic materials, the intermediate layer 130 may further include metal-containing compounds such as organometallic compounds and inorganic materials such as quantum dots.

한편, 상기 중간층(130)은, i) 상기 제1전극(110)과 상기 제2전극(150) 사이에 순차적으로 적층되어 있는 2 이상의 발광 단위(emitting unit) 및 ii) 인접한 2개의 발광 단위 사이에 배치된 전하 생성층(chrge generation layer)을 포함할 수 있다. 상기 중간층(130)이 상술한 바와 같은 발광 단위 및 전하 생성층을 포함할 경우, 상기 발광 소자(10)는 탠덤(tandem) 발광 소자일 수 있다.Meanwhile, the intermediate layer 130 includes i) two or more emitting units sequentially stacked between the first electrode 110 and the second electrode 150, and ii) between two adjacent emitting units. It may include a charge generation layer disposed in. When the intermediate layer 130 includes the light emitting unit and the charge generation layer as described above, the light emitting device 10 may be a tandem light emitting device.

[중간층(130) 중 정공 수송 영역] [Hole transport area in middle layer 130]

상기 정공 수송 영역은, i) 단일 물질로 이루어진(consist of) 단일층으로 이루어진(consist of) 단층 구조, ii) 복수의 서로 상이한 물질을 포함한 단일층으로 이루어진(consist of) 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 상이한 물질을 포함한 복수의 층을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다. The hole transport region may have i) a single layer structure consisting of a single material, ii) a single layer structure consisting of a plurality of different materials, or iii) a single layer structure consisting of a plurality of different materials. It may have a multi-layer structure including a plurality of layers containing different materials.

상기 정공 수송 영역은, 본 명세서에 기재된 바와 같은 제1층을 포함할 수 있다. 상기 정공 수송 영역은, 상기 제1층 외에, 선택적으로, 제2층 및 제3층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. The hole transport region may include a first layer as described herein. In addition to the first layer, the hole transport region may optionally further include at least one of a second layer and a third layer.

상기 정공 수송 영역이 제3층, 제2층 및 제1층을 포함할 경우, 상기 제3층, 제2층 및 제1층은, 상기 제1전극(110)으로부터 차례로 적층된 구조를 가질 수 있다. 상기 제1층은 상기 발광층에 직접(directly) 접촉되어 있다. When the hole transport region includes a third layer, a second layer, and a first layer, the third layer, the second layer, and the first layer may have a structure in which they are sequentially stacked from the first electrode 110. there is. The first layer is in direct contact with the light emitting layer.

상기 정공 수송 영역은, 상기 제1층 등 외에, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층, 전자 저지층, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함할 수 있다.In addition to the first layer, the hole transport region may further include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emission auxiliary layer, an electron blocking layer, or any combination thereof.

상기 정공 수송 영역은, 하기 화학식 201로 표시되는 화합물, 하기 화학식 202로 표시되는 화합물, 또는 이의 임의의 조합(any combination thereof)을 포함할 수 있다:The hole transport region may include a compound represented by Formula 201 below, a compound represented by Formula 202 below, or any combination thereof:

<화학식 201><Formula 201>

<화학식 202><Formula 202>

상기 화학식 201 및 202 중, In formulas 201 and 202,

L201 내지 L204는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,L 201 to L 204 are each independently a C 3 -C 60 carbocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , or a C 1 -C 60 heterocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a Click group,

L205은, *-O-*', *-S-*', *-N(Q201)-*', 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐렌기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고, L 205 is *-O-*', *-S-*', *-N(Q 201 )-*', at least one C 1 -C 20 alkylene group substituted or unsubstituted with at least one R 10a C 2 -C 20 alkenylene group substituted or unsubstituted with R 10a , C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , or unsubstituted or substituted with at least one R 10a is a C 1 -C 60 heterocyclic group,

xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중 하나이고, xa1 to xa4 are independently one of the integers from 0 to 5,

xa5는 1 내지 10의 정수 중 하나이고, xa5 is one of the integers from 1 to 10,

R201 내지 R204 및 Q201은 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고, R 201 to R 204 and Q 201 are each independently a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , or a C 1 -C substituted or unsubstituted with at least one R 10a 60 heterocyclic groups,

R201과 R202는, 선택적으로(optionally) 단일 결합, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬렌기, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C5알케닐렌기를 통하여 서로 연결되어, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C8-C60 폴리시클릭 그룹(예를 들면, 카바졸 그룹 등)을 형성할 수 있고(예를 들면, 하기 화합물 HT16 등을 참조함),R 201 and R 202 are optionally a single bond, a C 1 -C 5 alkylene group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , or a C 2 -C substituted or unsubstituted with at least one R 10a 5 may be linked to each other through an alkenylene group to form a C 8 -C 60 polycyclic group (e.g., carbazole group, etc.) substituted or unsubstituted with at least one R 10a (e.g., the following compounds HT16, etc.),

R203과 R204는, 선택적으로(optionally) 단일 결합, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬렌기 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C5알케닐렌기를 통하여 서로 연결되어, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C8-C60 폴리시클릭 그룹을 형성할 수 있고,R 203 and R 204 are optionally a single bond, a C 1 -C 5 alkylene group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , or a C 2 -C 5 unsubstituted or substituted with at least one R 10a may be linked to each other through an alkenylene group to form a C 8 -C 60 polycyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a ,

na1은 1 내지 4의 정수 중 하나일 수 있다.na1 may be one of the integers from 1 to 4.

예를 들어, 본 명세서에 기재된 제1물질, 제2물질 및 제3물질 각각은, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 202로 표시되는 화합물 중, 본 명세서에 기재된 바와 같은 조건(예를 들면, HOMO 에너지 레벨 조건 등)을 만족하는 화합물일 수 있다. For example, each of the first, second, and third materials described herein is, among the compounds represented by Formula 201 and the compounds represented by Formula 202, under the conditions as described herein (e.g. , HOMO energy level conditions, etc.).

예를 들어, 상기 화학식 201 및 202 각각은, 하기 화학식 CY201 내지 CY217로 표시된 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:For example, each of Formulas 201 and 202 may include at least one of the groups represented by the following Formulas CY201 to CY217:

상기 화학식 CY201 내지 CY217 중, R10b 및 R10c에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 R10a에 대한 설명을 참조하고, 고리 CY201 내지 고리 CY204는 서로 독립적으로, C3-C20카보시클릭 그룹 또는 C1-C20헤테로시클릭 그룹이고, 상기 화학식 CY201 내지 CY217 중 적어도 하나의 수소는 본 명세서에 기재된 바와 같은 R10a로 치환 또는 비치환될 수 있다.In the above formulas CY201 to CY217, the description of R 10b and R 10c each refers to the description of R 10a in the specification, and rings CY 201 to CY 204 are each independently a C 3 -C 20 carbocyclic group. or a C 1 -C 20 heterocyclic group, and at least one hydrogen in the formulas CY201 to CY217 may be substituted or unsubstituted with R 10a as described herein.

일 구현예에 따르면, 상기 화학식 CY201 내지 CY217 중 고리 CY201 내지 고리 CY204는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페난트렌 그룹 또는 안트라센 그룹일 수 있다. According to one embodiment, rings CY 201 to CY 204 in the formula CY201 to CY217 may independently be a benzene group, a naphthalene group, a phenanthrene group, or an anthracene group.

다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 및 202 각각은, 상기 화학식 CY201 내지 CY203으로 표시된 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to another embodiment, each of Formulas 201 and 202 may include at least one of the groups represented by Formulas CY201 to CY203.

또 다른 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201은, 상기 화학식 CY201 내지 CY203으로 표시된 그룹 중 적어도 하나 및 상기 화학식 CY204 내지 CY217로 표시된 그룹 중 적어도 하나를 각각 포함할 수 있다.According to yet another embodiment, Formula 201 may include at least one of the groups represented by Formulas CY201 to CY203 and at least one of the groups represented by Formulas CY204 to CY217, respectively.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 중 xa1은 1이고, R201은 상기 화학식 CY201 내지 CY203 중 하나로 표시된 그룹이고, xa2는 0이고, R202는 상기 화학식 CY204 내지 CY207 중 하나로 표시된 그룹일 수 있다.According to another embodiment, in Formula 201, xa1 is 1, R 201 is a group represented by one of the formulas CY201 to CY203, xa2 is 0, and R 202 may be a group represented by one of the formulas CY204 to CY207. .

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 및 202 각각은, 상기 화학식 CY201 내지 CY203으로 표시된 그룹을 비포함할 수 있다.According to another embodiment, each of Formulas 201 and 202 may not include the group represented by Formulas CY201 to CY203.

또 다른 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 및 202 각각은, 상기 화학식 CY201 내지 CY203으로 표시된 그룹을 비포함하고, 상기 화학식 CY204 내지 CY217로 표시된 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to yet another embodiment, each of the formulas 201 and 202 does not include the group represented by the formulas CY201 to CY203, and may include at least one of the groups represented by the formulas CY204 to CY217.

또 다른 예로서, 상기 화학식 201 및 202 각각은, 상기 화학식 CY201 내지 CY217로 표시된 그룹을 비포함할 수 있다.As another example, each of Formulas 201 and 202 may not include the group represented by Formulas CY201 to CY217.

상기 정공 수송 영역의 두께는 약 50Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 4000Å일 수 있다. 여기서, 제3층의 두께는 약 20Å 내지 약 7000Å일 수 있고, 제2층의 두께는 약 20Å 내지 약 4000Å일 수 있고, 제1층의 두께는 약 10Å 내지 약 4000Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 제3층, 제2층 및 제1층 각각의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다. The thickness of the hole transport region may be about 50Å to about 10000Å, for example, about 100Å to about 4000Å. Here, the thickness of the third layer may be from about 20 Å to about 7000 Å, the thickness of the second layer may be from about 20 Å to about 4000 Å, and the thickness of the first layer may be from about 10 Å to about 4000 Å. When the thickness of each of the hole transport region, third layer, second layer, and first layer satisfies the range described above, satisfactory hole transport characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 정공 수송 영역에 포함될 수 있는 화합물, 예를 들면, 제1층, 제2층 및 제3층에 각각 포함될 수 있는 화합물의 예에는, 본 명세서에 기재된, 화합물 HT01 내지 HT10, G'01 내지 G'10, GI01 내지 GI09 등이 포함될 수 있다. Examples of compounds that can be included in the hole transport region, for example, compounds that can be included in the first layer, second layer, and third layer, respectively, include compounds HT01 to HT10, G'01 to G, described herein. '10, GI01 to GI09, etc. may be included.

[p-도펀트] [p-dopant]

상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산(예를 들면, 전하-생성 물질로 이루어진(consist of) 단일층 형태)되어 있을 수 있다. In addition to the materials described above, the hole transport region may include a charge-generating material to improve conductivity. The charge-generating material may be uniformly or non-uniformly dispersed (eg, in the form of a single layer consisting of the charge-generating material) within the hole transport region.

상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. The charge-generating material may be, for example, a p-dopant.

예를 들어, 상기 p-도펀트의 LUMO 에너지 레벨은 -3.5eV 이하일 수 있다. For example, the LUMO energy level of the p-dopant may be -3.5 eV or less.

일 구현예에 따르면, 상기 p-도펀트는, 퀴논 유도체, 시아노기-함유 화합물, 원소 EL1 및 원소 EL2-함유 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the p-dopant may include a quinone derivative, a cyano group-containing compound, an element EL1 and an element EL2-containing compound, or any combination thereof.

상기 퀴논 유도체의 예는, TCNQ, F4-TCNQ 등을 포함할 수 있다.Examples of the quinone derivative may include TCNQ, F4-TCNQ, etc.

상기 시아노기-함유 화합물의 예는 HAT-CN(또는, HAT), 하기 화학식 221로 표시된 화합물 등을 포함할 수 있다.Examples of the cyano group-containing compound may include HAT-CN (or HAT), a compound represented by the following formula 221, etc.

<화학식 221><Formula 221>

상기 화학식 221 중,In Formula 221,

R221 내지 R223은 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고, R 221 to R 223 are each independently a C 3 -C 60 carbocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a or a C 1 -C 60 heterocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a It's a group,

상기 R221 내지 R223 중 적어도 하나는 서로 독립적으로, 시아노기; -F; -Cl; -Br; -I; 시아노기, -F, -Cl, -Br, -I, 또는 이의 임의의 조합으로 치환된 C1-C20알킬기; 또는 이의 임의의 조합;으로 치환된, C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹일 수 있다.At least one of R 221 to R 223 is independently a cyano group; -F; -Cl; -Br; -I; a C 1 -C 20 alkyl group substituted with a cyano group, -F, -Cl, -Br, -I, or any combination thereof; It may be a C 3 -C 60 carbocyclic group or a C 1 -C 60 heterocyclic group substituted with or any combination thereof.

상기 원소 EL1 및 원소 EL2-함유 화합물 중, 원소 EL1은 금속, 준금속, 또는 이의 조합이고, 원소 EL2는 비금속, 준금속, 또는 이의 조합일 수 있다.Among the element EL1 and element EL2-containing compounds, the element EL1 may be a metal, a metalloid, or a combination thereof, and the element EL2 may be a non-metal, a metalloid, or a combination thereof.

상기 금속의 예는, 알칼리 금속(예를 들면, 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs) 등); 알칼리 토금속(예를 들면, 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등); 전이 금속(예를 들면, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 테크네튬(Tc), 레늄(Re), 철(Fe), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 등); 전이후 금속(예를 들면, 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn) 등); 란타나이드 금속(예를 들면, 란타넘(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu) 등); 등을 포함할 수 있다.Examples of the metal include alkali metals (eg, lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), etc.); Alkaline earth metals (e.g., beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), etc.); Transition metals (e.g. titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W) ), manganese (Mn), technetium (Tc), rhenium (Re), iron (Fe), ruthenium (Ru), osmium (Os), cobalt (Co), rhodium (Rh), iridium (Ir), nickel (Ni) ), palladium (Pd), platinum (Pt), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), etc.); metals after transfer (eg, zinc (Zn), indium (In), tin (Sn), etc.); Lanthanide metals (e.g., lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), promethium (Pm), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), and terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), etc.); It may include etc.

상기 준금속의 예는, 실리콘(Si), 안티모니(Sb), 텔루륨(Te) 등을 포함할 수 있다.Examples of the metalloid may include silicon (Si), antimony (Sb), tellurium (Te), etc.

상기 비금속의 예는, 산소(O), 할로겐(예를 들면, F, Cl, Br, I 등) 등을 포함할 수 있다.Examples of the non-metal may include oxygen (O), halogen (eg, F, Cl, Br, I, etc.).

예를 들어, 상기 원소 EL1 및 원소 EL2-함유 화합물은, 금속 산화물, 금속 할로겐화물(예를 들면, 금속 불화물, 금속 염화물, 금속 브롬화물, 금속 요오드화물 등), 준금속 할로겐화물(예를 들면, 준금속 불화물, 준금속 염화물, 준금속 브롬화물, 준금속 요오드화물 등), 금속 텔루라이드, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.For example, the element EL1 and element EL2-containing compounds include metal oxides, metal halides (e.g., metal fluorides, metal chlorides, metal bromides, metal iodides, etc.), metalloid halides (e.g. , metalloid fluoride, metalloid chloride, metalloid bromide, metalloid iodide, etc.), metal telluride, or any combination thereof.

상기 금속 산화물의 예는, 텅스텐 옥사이드(예를 들면, WO, W2O3, WO2, WO3, W2O5 등), 바나듐 옥사이드(예를 들면, VO, V2O3, VO2, V2O5 등), 몰리브덴 옥사이드(MoO, Mo2O3, MoO2, MoO3, Mo2O5 등), 레늄 옥사이드(예를 들면, ReO3 등) 등을 포함할 수 있다.Examples of the metal oxide include tungsten oxide (e.g., WO, W 2 O 3 , WO 2 , WO 3 , W 2 O 5 , etc.), vanadium oxide (e.g., VO, V 2 O 3 , VO 2 , V 2 O 5 , etc.), molybdenum oxide (MoO, Mo 2 O 3 , MoO 2 , MoO 3 , Mo 2 O 5 , etc.), rhenium oxide (for example, ReO 3 etc.), etc.

상기 금속 할로겐화물의 예는, 알칼리 금속 할로겐화물, 알칼리 토금속 할로겐화물, 전이 금속 할로겐화물, 전이후 금속 할로겐화물, 란타나이드 금속 할로겐화물 등을 포함할 수 있다.Examples of the metal halide may include alkali metal halides, alkaline earth metal halides, transition metal halides, post-transition metal halides, and lanthanide metal halides.

상기 알칼리 금속 할로겐화물의 예는, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, LiI, NaI, KI, RbI, CsI 등을 포함할 수 있다.Examples of the alkali metal halides include LiF, NaF, KF, RbF, CsF, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, LiI, NaI, KI, RbI, CsI, etc. It can be included.

상기 알칼리 토금속 할로겐화물의 예는, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, BeCl2, MgCl2, CaCl2, SrCl2, BaCl2, BeBr2, MgBr2, CaBr2, SrBr2, BaBr2, BeI2, MgI2, CaI2, SrI2, BaI2 등을 포함할 수 있다.Examples of the alkaline earth metal halides include BeF 2 , MgF 2 , CaF 2 , SrF 2 , BaF 2 , BeCl 2 , MgCl 2 , CaCl 2 , SrCl 2 , BaCl 2 , BeBr 2 , MgBr 2 , CaBr 2 , SrBr 2 , BaBr 2 , BeI 2 , MgI 2 , CaI 2 , SrI 2 , BaI 2, etc.

상기 전이 금속 할로겐화물의 예는, 티타늄 할로겐화물(예를 들면, TiF4, TiCl4, TiBr4, TiI4 등), 지르코늄 할로겐화물(예를 들면, ZrF4, ZrCl4, ZrBr4, ZrI4 등), 하프늄 할로겐화물(예를 들면, HfF4, HfCl4, HfBr4, HfI4 등), 바나듐 할로겐화물(예를 들면, VF3, VCl3, VBr3, VI3 등), 니오브 할로겐화물(예를 들면, NbF3, NbCl3, NbBr3, NbI3 등), 탄탈 할로겐화물(예를 들면, TaF3, TaCl3, TaBr3, TaI3 등), 크롬 할로겐화물(예를 들면, CrF3, CrCl3, CrBr3, CrI3 등), 몰리브덴 할로겐화물(예를 들면, MoF3, MoCl3, MoBr3, MoI3 등), 텅스텐 할로겐화물(예를 들면, WF3, WCl3, WBr3, WI3 등), 망간 할로겐화물(예를 들면, MnF2, MnCl2, MnBr2, MnI2 등), 테크네튬 할로겐화물(예를 들면, TcF2, TcCl2, TcBr2, TcI2 등), 레늄 할로겐화물(예를 들면, ReF2, ReCl2, ReBr2, ReI2 등), 철 할로겐화물(예를 들면, FeF2, FeCl2, FeBr2, FeI2 등), 루테늄 할로겐화물(예를 들면, RuF2, RuCl2, RuBr2, RuI2 등), 오스뮴 할로겐화물(예를 들면, OsF2, OsCl2, OsBr2, OsI2 등), 코발트 할로겐화물(예를 들면, CoF2, CoCl2, CoBr2, CoI2 등), 로듐 할로겐화물(예를 들면, RhF2, RhCl2, RhBr2, RhI2 등), 이리듐 할로겐화물(예를 들면, IrF2, IrCl2, IrBr2, IrI2 등), 니켈 할로겐화물(예를 들면, NiF2, NiCl2, NiBr2, NiI2 등), 팔라듐 할로겐화물(예를 들면, PdF2, PdCl2, PdBr2, PdI2 등), 백금 할로겐화물(예를 들면, PtF2, PtCl2, PtBr2, PtI2 등), 구리 할로겐화물(예를 들면, CuF, CuCl, CuBr, CuI 등), 은 할로겐화물(예를 들면, AgF, AgCl, AgBr, AgI 등), 금 할로겐화물(예를 들면, AuF, AuCl, AuBr, AuI 등) 등을 포함할 수 있다.Examples of the transition metal halides include titanium halides (e.g., TiF 4 , TiCl 4 , TiBr 4 , TiI 4 , etc.), zirconium halides (e.g., ZrF 4 , ZrCl 4 , ZrBr 4 , ZrI 4 etc.), hafnium halides (e.g. HfF 4 , HfCl 4 , HfBr 4 , HfI 4 etc.), vanadium halides (e.g. VF 3 , VCl 3 , VBr 3 , VI 3 etc.), niobium halides (e.g., NbF 3 , NbCl 3 , NbBr 3 , NbI 3 , etc.), tantalum halides (e.g., TaF 3 , TaCl 3 , TaBr 3 , TaI 3 , etc.), chromium halides (e.g., CrF 3 , CrCl 3 , CrBr 3 , CrI 3, etc.), molybdenum halides (e.g., MoF 3 , MoCl 3 , MoBr 3 , MoI 3, etc.), tungsten halides (e.g., WF 3 , WCl 3 , WBr) 3 , WI 3, etc.), manganese halides (e.g., MnF 2 , MnCl 2 , MnBr 2 , MnI 2, etc.), technetium halides (e.g., TcF 2 , TcCl 2 , TcBr 2 , TcI 2 , etc.) , rhenium halides (e.g., ReF 2 , ReCl 2 , ReBr 2 , ReI 2 , etc.), iron halides (e.g., FeF 2 , FeCl 2 , FeBr 2 , FeI 2 , etc.), ruthenium halides (e.g. For example, RuF 2 , RuCl 2 , RuBr 2 , RuI 2, etc.), osmium halides (for example, OsF 2 , OsCl 2 , OsBr 2 , OsI 2, etc.), cobalt halides (for example, CoF 2 , CoCl 2 , CoBr 2 , CoI 2 , etc.), rhodium halides (e.g. RhF 2 , RhCl 2 , RhBr 2 , RhI 2 , etc.), iridium halides (e.g. IrF 2 , IrCl 2 , IrBr 2 , IrI 2, etc.), nickel halides (e.g., NiF 2 , NiCl 2 , NiBr 2 , NiI 2, etc.), palladium halides (e.g., PdF 2 , PdCl 2 , PdBr 2 , PdI 2, etc.), platinum. Halides (e.g., PtF 2 , PtCl 2 , PtBr 2 , PtI 2 , etc.), copper halides (e.g., CuF, CuCl, CuBr, CuI, etc.), silver halides (e.g., AgF, AgCl , AgBr, AgI, etc.), gold halides (e.g., AuF, AuCl, AuBr, AuI, etc.).

상기 전이후 금속 할로겐화물의 예는, 아연 할로겐화물(예를 들면, ZnF2, ZnCl2, ZnBr2, ZnI2 등), 인듐 할로겐화물(예를 들면, InI3 등), 주석 할로겐화물(예를 들면, SnI2 등), 등을 포함할 수 있다.Examples of metal halides after the transfer include zinc halides (e.g. ZnF 2 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , ZnI 2 etc.), indium halides (e.g. InI 3 etc.), tin halides (e.g. For example, SnI 2, etc.), etc. may be included.

상기 란타나이드 금속 할로겐화물의 예는, YbF, YbF2, YbF3, SmF3, YbCl, YbCl2, YbCl3 SmCl3, YbBr, YbBr2, YbBr3, SmBr3, YbI, YbI2, YbI3, SmI3 등을 포함할 수 있다.Examples of the lanthanide metal halide include YbF, YbF 2 , YbF 3 , SmF 3 , YbCl, YbCl 2 , YbCl 3 SmCl 3 , YbBr, YbBr 2 , YbBr 3 , SmBr 3 , YbI, YbI 2 , YbI 3 , It may include SmI 3 , etc.

상기 준금속 할로겐화물의 예는, 안티모니 할로겐화물(예를 들면, SbCl5 등) 등을 포함할 수 있다.Examples of the metalloid halide may include antimony halide (eg, SbCl 5 , etc.).

상기 금속 텔루라이드의 예는, 알칼리 금속 텔루라이드(예를 들면, Li2Te, Na2Te, K2Te, Rb2Te, Cs2Te 등), 알칼리 토금속 텔루라이드(예를 들면, BeTe, MgTe, CaTe, SrTe, BaTe 등), 전이 금속 텔루라이드(예를 들면, TiTe2, ZrTe2, HfTe2, V2Te3, Nb2Te3, Ta2Te3, Cr2Te3, Mo2Te3, W2Te3, MnTe, TcTe, ReTe, FeTe, RuTe, OsTe, CoTe, RhTe, IrTe, NiTe, PdTe, PtTe, Cu2Te, CuTe, Ag2Te, AgTe, Au2Te 등), 전이후 금속 텔루라이드(예를 들면, ZnTe 등), 란타나이드 금속 텔루라이드 (예를 들면, LaTe, CeTe, PrTe, NdTe, PmTe, EuTe, GdTe, TbTe, DyTe, HoTe, ErTe, TmTe, YbTe, LuTe 등) 등을 포함할 수 있다.Examples of the metal telluride include alkali metal telluride (e.g., Li 2 Te, Na 2 Te, K 2 Te, Rb 2 Te, Cs 2 Te, etc.), alkaline earth metal telluride (e.g., BeTe, MgTe, CaTe, SrTe, BaTe, etc.), transition metal tellurides (e.g. TiTe 2 , ZrTe 2 , HfTe 2 , V 2 Te 3 , Nb 2 Te 3 , Ta 2 Te 3 , Cr 2 Te 3 , Mo 2 Te 3 , W 2 Te 3 , MnTe, TcTe, ReTe, FeTe, RuTe, OsTe, CoTe, RhTe, IrTe, NiTe, PdTe, PtTe, Cu 2 Te, CuTe, Ag 2 Te, AgTe, Au 2 Te, etc.), After transfer metal telluride (e.g. ZnTe, etc.), lanthanide metal telluride (e.g. LaTe, CeTe, PrTe, NdTe, PmTe, EuTe, GdTe, TbTe, DyTe, HoTe, ErTe, TmTe, YbTe, LuTe, etc.) may be included.

[중간층(130) 중 발광층][Emitting layer in the middle layer (130)]

상기 발광 소자(10)가 풀 컬러 발광 소자일 경우, 발광층은, 개별 부화소별로, 적색 발광층, 녹색 발광층 및/또는 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 중 2 이상의 층이 접촉 또는 이격되어 적층된 구조를 갖거나, 적색광 방출 물질, 녹색광 방출 물질 및 청색광 방출 물질 중 2 이상의 물질이 층구분 없이 혼합된 구조를 가져, 백색광을 방출할 수 있다. When the light-emitting device 10 is a full-color light-emitting device, the light-emitting layer may be patterned into a red light-emitting layer, a green light-emitting layer, and/or a blue light-emitting layer for each subpixel. Alternatively, the light-emitting layer may have a structure in which two or more layers of a red light-emitting layer, a green light-emitting layer, and a blue light-emitting layer are stacked in contact or spaced apart, or two or more materials of a red light-emitting material, a green light-emitting material, and a blue light-emitting material are mixed without layer distinction. It has a structured structure and can emit white light.

일 구현예에 따르면, 상기 발광층은 본 명세서에 기재된 바와 같은 제1에미터 및 제1호스트 외에, 보조 도펀트, 센서타이저, 지연 형광 물질, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, in addition to the first emitter and the first host as described herein, the light emitting layer may further include an auxiliary dopant, a sensorizer, a delayed fluorescent material, or any combination thereof.

상기 발광층 중 상기 제1에미터의 함량은, 상기 발광층 100 중량부 당 약 0.01 내지 약 15 중량부일 수 있다. 상기 제1에미터의 함량이 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 구동 전압없이 우수한 발광 효율을 달성할 수 있다. The content of the first emitter in the light-emitting layer may be about 0.01 to about 15 parts by weight per 100 parts by weight of the light-emitting layer. When the content of the first emitter satisfies the range described above, excellent luminous efficiency can be achieved without a driving voltage.

상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.The thickness of the light emitting layer may be about 100Å to about 1000Å, for example, about 200Å to about 600Å. When the thickness of the light-emitting layer satisfies the range described above, excellent light-emitting characteristics can be exhibited without a substantial increase in driving voltage.

상기 발광층 중 제1에미터 및 제1호스트 각각에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. For descriptions of each of the first emitter and first host of the light emitting layer, refer to what is described in this specification.

[형광 도펀트] [Fluorescent dopant]

상기 발광층은, 본 명세서에 기재된 바와 같은 제1에미터 및 제1호스트 외에, 형광 도펀트를 더 포함할 수 있다. The light emitting layer may further include a fluorescent dopant in addition to the first emitter and first host as described herein.

상기 형광 도펀트는, 아릴아민 화합물, 스티릴아민 화합물, 보론-함유 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The fluorescent dopant may include an arylamine compound, a styrylamine compound, a boron-containing compound, or any combination thereof.

예를 들어, 상기 형광 도펀트는 하기 화학식 501로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:For example, the fluorescent dopant may include a compound represented by the following formula 501:

<화학식 501><Formula 501>

상기 화학식 501 중, In formula 501,

Ar501, L501 내지 L503, R501 및 R502은 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,Ar 501 , L 501 to L 503 , R 501 and R 502 are each independently a C 3 -C 60 carbocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , or substituted or unsubstituted with at least one R 10a It is a circular C 1 -C 60 heterocyclic group,

xd1 내지 xd3는 서로 독립적으로, 0, 1, 2, 또는 3이고, xd1 to xd3 are independently 0, 1, 2, or 3,

xd4는 1, 2, 3, 4, 5, 또는 6일 수 있다. xd4 can be 1, 2, 3, 4, 5, or 6.

예를 들어, 상기 화학식 501 중 Ar501은 3개 이상의 모노시클릭 그룹이 서로 축합된 축합환 그룹(예를 들면, 안트라센 그룹, 크라이센 그룹, 파이렌 그룹 등)을 포함할 수 있다. For example, Ar 501 in Formula 501 may include a condensed ring group in which three or more monocyclic groups are condensed with each other (eg, an anthracene group, chrysene group, pyrene group, etc.).

다른 예로서, 상기 화학식 501 중 xd4는 2일 수 있다. As another example, in Formula 501, xd4 may be 2.

예를 들어, 상기 형광 도펀트는 하기 화합물 FD1 내지 FD36 중 하나, DPVBi, DPAVBi, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다: For example, the fluorescent dopant may include one of the following compounds FD1 to FD36, DPVBi, DPAVBi, or any combination thereof:

[지연 형광 물질][Delayed fluorescent material]

상기 발광층은 제1에미터 및 제1호스트 외에, 지연 형광 물질을 더 포함할 수 있다.The light emitting layer may further include a delayed fluorescent material in addition to the first emitter and the first host.

본 명세서 중 지연 형광 물질은 지연 형광 방출 메커니즘에 의하여 지연 형광을 방출할 수 있는 임의의 화합물 중에서 선택될 수 있다.The delayed fluorescent material herein may be selected from any compound capable of emitting delayed fluorescence by a delayed fluorescence emission mechanism.

상기 발광층에 포함된 지연 형광 물질은, 상기 발광층에 포함된 다른 물질의 종류에 따라, 호스트 또는 도펀트의 역할을 할 수 있다.The delayed fluorescent material included in the light-emitting layer may function as a host or dopant, depending on the type of other material included in the light-emitting layer.

일 구현예에 따르면, 상기 지연 형광 물질의 삼중항 에너지 레벨(eV)과 상기 지연 형광 물질의 일중항 에너지 레벨(eV) 간의 차이는 0eV 이상 및 0.5eV 이하일 수 있다. 상기 지연 형광 물질의 삼중항 에너지 레벨(eV)과 상기 지연 형광 물질의 일중항 에너지 레벨(eV) 간의 차이가 상술한 바와 같은 범위를 만족함으로써, 상기 지연 형광 물질 중 삼중항 상태에서 일중항 상태로의 역에너지 이동(up-conversion)이 효과적으로 이루어져, 상기 발광 소자(10)의 발광 효율 등이 향상될 수 있다. According to one embodiment, the difference between the triplet energy level (eV) of the delayed fluorescent material and the singlet energy level (eV) of the delayed fluorescent material may be 0 eV or more and 0.5 eV or less. The difference between the triplet energy level (eV) of the delayed fluorescent material and the singlet energy level (eV) of the delayed fluorescent material satisfies the range described above, thereby changing the delayed fluorescent material from the triplet state to the singlet state. Reverse energy transfer (up-conversion) is effectively achieved, and the luminous efficiency of the light-emitting device 10 can be improved.

예를 들어, 상기 지연 형광 물질은, i) 적어도 하나의 전자 도너(예를 들면, 카바졸 그룹과 같은 π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹(π electron-rich C3-C60 cyclic group) 등) 및 적어도 하나의 전자 억셉터(예를 들면, 설폭사이드 그룹, 시아노 그룹, π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹(π electron-deficient nitrogen-containing C1-C60 cyclic group) 등)를 포함한 물질, ii) 붕소(B)를 공유하면서 축합된 2 이상의 시클릭 그룹을 포함한 C8-C60 폴리시클릭 그룹을 포함한 물질 등을 포함할 수 있다.For example, the delayed fluorescent material may include : i) at least one electron donor (e.g., a π electron-rich C 3 -C 60 cyclic group such as a carbazole group) group), etc.) and at least one electron acceptor (e.g., sulfoxide group, cyano group, π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group (π electron-deficient nitrogen-containing C 1 - ii) materials containing a C 8 -C 60 polycyclic group containing two or more cyclic groups condensed while sharing boron (B); and ii) materials containing a C 8 -C 60 polycyclic group.

상기 지연 형광 물질의 예는, 하기 화합물 DF1 내지 DF14 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:Examples of the delayed fluorescent material may include at least one of the following compounds DF1 to DF14:

[중간층(130) 중 전자 수송 영역][Electron transport area in middle layer 130]

상기 전자 수송 영역은 i) 단일 물질로 이루어진(consist of) 단일층으로 이루어진(consist of) 단층 구조, ii) 복수의 서로 상이한 물질을 포함한 단일층으로 이루어진(consist of) 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 상이한 물질을 포함한 복수의 층을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다. The electron transport region is i) a single layer structure consisting of a single material, ii) a single layer structure consisting of a plurality of different materials, or iii) a plurality of structures. It may have a multi-layer structure including a plurality of layers containing different materials.

상기 전자 수송 영역은, 버퍼층, 정공 저지층, 전자 조절층, 전자 수송층, 전자 주입층, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The electron transport region may include a buffer layer, a hole blocking layer, an electron control layer, an electron transport layer, an electron injection layer, or any combination thereof.

예를 들어, 상기 전자 수송 영역은, 발광층으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층, 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층, 전자 조절층/전자 수송층/전자 주입층, 또는 버퍼층/전자 수송층/전자 주입층 등의 구조를 가질 수 있다.For example, the electron transport region may be an electron transport layer/electron injection layer, a hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer, an electron control layer/electron transport layer/electron injection layer, or a buffer layer/electron transport layer/ It may have a structure such as an electron injection layer.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송 영역은 버퍼층 및 전자 수송층을 포함하고, 상기 버퍼층은 상기 발광층과 상기 제2전극(150) 사이에 배치되고, 상기 전자 수송층은 상기 버퍼층과 상기 제2전극(150) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 상기 발광 소자는, 상기 버퍼층과 상기 전자 수송층이, 발광층으로부터 차례로 적층된 구조를 가질 수 있다. According to one embodiment, the electron transport region includes a buffer layer and an electron transport layer, the buffer layer is disposed between the light-emitting layer and the second electrode 150, and the electron transport layer is disposed between the buffer layer and the second electrode 150. ) can be placed between. That is, the light-emitting device may have a structure in which the buffer layer and the electron transport layer are sequentially stacked from the light-emitting layer.

일 구현예에 따르면, 상기 버퍼층에 포함된 버퍼층 재료의 LUMO 에너지 레벨은 -2.50eV 내지 -2.10eV, 또는 -2.40eV 내지 -2.20eV일 수 있다. According to one embodiment, the LUMO energy level of the buffer layer material included in the buffer layer may be -2.50 eV to -2.10 eV, or -2.40 eV to -2.20 eV.

다른 구현예에 따르면, 상기 버퍼층에 포함된 버퍼층 재료의 전자 이동도는, 4.38 x 10-5cm2/Vs 내지 7.00 x 10-3cm2/Vs, 또는 5.00 x 10-4cm2/Vs 내지 4.58 x 10-4cm2/Vs일 수 있다.According to another embodiment, the electron mobility of the buffer layer material included in the buffer layer is 4.38 x 10 -5 cm 2 /Vs to 7.00 x 10 -3 cm 2 /Vs, or 5.00 x 10 -4 cm 2 /Vs to It may be 4.58 x 10 -4 cm 2 /Vs.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층에 포함된 전자 수송층 재료의 LUMO 에너지 레벨은 -2.50eV 내지 -2.10eV, 또는 -2.40eV 내지 -2.20eV일 수 있다.According to another embodiment, the LUMO energy level of the electron transport layer material included in the electron transport layer may be -2.50 eV to -2.10 eV, or -2.40 eV to -2.20 eV.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층에 포함된 전자 수송층 재료의 전자 이동도는, 6.95 x 10-5cm2/Vs 내지 1.39 x 10-3cm2/Vs, 또는 9.00 x 10-4cm2/Vs 내지 1.20 x 10-3cm2/Vs일 수 있다.According to another embodiment, the electron mobility of the electron transport layer material included in the electron transport layer is 6.95 x 10 -5 cm 2 /Vs to 1.39 x 10 -3 cm 2 /Vs, or 9.00 x 10 -4 cm 2 /Vs to 1.20 x 10 -3 cm 2 /Vs.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 버퍼층 재료의 LUMO 에너지 레벨 절대값은 상기 제1호스트의 LUMO 에너지 레벨 절대값보다 클 수 있다. According to another implementation, the absolute value of the LUMO energy level of the buffer layer material may be greater than the absolute value of the LUMO energy level of the first host.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1호스트의 LUMO 에너지 레벨과 상기 버퍼층 재료의 LUMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0eV 내지 0.60eV, 또는 0eV 내지 0.54eV일 수 있다.According to another implementation, the absolute value of the difference between the LUMO energy level of the first host and the LUMO energy level of the buffer layer material may be 0 eV to 0.60 eV, or 0 eV to 0.54 eV.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층 재료의 LUMO 에너지 레벨 절대값은 상기 버퍼층 재료의 LUMO 에너지 레벨 절대값보다 클 수 있다. According to another embodiment, the absolute value of the LUMO energy level of the electron transport layer material may be greater than the absolute value of the LUMO energy level of the buffer layer material.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층 재료의 LUMO 에너지 레벨 절대값은 상기 버퍼층 재료의 LUMO 에너지 레벨 절대값보다 작을 수 있다.According to another embodiment, the absolute value of the LUMO energy level of the electron transport layer material may be smaller than the absolute value of the LUMO energy level of the buffer layer material.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 버퍼층 재료의 LUMO 에너지 레벨과 상기 전자 수송층 재료의 LUMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0eV 내지 0.30eV일 수 있다.According to another embodiment, the absolute value of the difference between the LUMO energy level of the buffer layer material and the LUMO energy level of the electron transport layer material may be 0 eV to 0.30 eV.

상기 전자 수송 영역(예를 들면, 상기 전자 수송 영역 중 버퍼층, 정공 저지층, 전자 조절층 또는 전자 수송층)은, 적어도 하나의 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹(π electron-deficient nitrogen-containing C1-C60 cyclic group)을 포함한 금속-비함유 (metal-free) 화합물을 포함할 수 있다.The electron transport region (e.g., a buffer layer, a hole blocking layer, an electron control layer, or an electron transport layer among the electron transport regions) contains at least one π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group (π electron It may include metal-free compounds including -deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group).

예를 들어, 상기 전자 수송 영역은, 하기 화학식 601로 표시된 화합물을 포함할 수 있다. For example, the electron transport region may include a compound represented by Chemical Formula 601 below.

<화학식 601><Formula 601>

[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21 [Ar 601 ] xe11 -[(L 601 ) xe1 -R 601 ] xe21

상기 화학식 601 중, In the above formula 601,

Ar601, 및 L601은 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,Ar 601 , and L 601 are each independently a C 3 -C 60 carbocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , or a C 1 -C 60 heterocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a It is a cyclic group,

xe11은 1, 2 또는 3이고, xe11 is 1, 2, or 3,

xe1는 0, 1, 2, 3, 4, 또는 5이고,xe1 is 0, 1, 2, 3, 4, or 5,

R601은, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, -Si(Q601)(Q602)(Q603), -C(=O)(Q601), -S(=O)2(Q601), 또는 -P(=O)(Q601)(Q602)이고, R 601 is a C 3 -C 60 carbocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , a C 1 -C 60 heterocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a, -Si(Q 601 )(Q 602 )(Q 603 ), -C(=O)(Q 601 ), -S(=O) 2 (Q 601 ), or -P(=O)(Q 601 )(Q 602 ) ,

상기 Q601 내지 Q603에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 Q1에 대한 설명을 참조하고, For the description of Q 601 to Q 603 , respectively, refer to the description of Q 1 in this specification,

xe21는 1, 2, 3, 4, 또는 5이고, xe21 is 1, 2, 3, 4, or 5,

상기 Ar601, L601 및 R601 중 적어도 하나는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹(예를 들면, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹 등)일 수 있다. At least one of Ar 601 , L 601 and R 601 is, independently of each other, a π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group (for example, at least one substituted or unsubstituted with at least one R 10a substituted or unsubstituted with R10a, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group, quinoline group, isoquinoline group, oxadiazole group, thiadiazole group, imidazole group, benzimi Dazole group, quinoxaline group, quinazoline group, etc.).

예를 들어, 상기 화학식 601 중 xe11이 2 이상일 경우 2 이상의 Ar601은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다. For example, when xe11 in Formula 601 is 2 or more, 2 or more Ar 601 may be connected to each other through a single bond.

다른 예로서, 상기 화학식 601 중 Ar601은 치환 또는 비치환된 안트라센 그룹일 수 있다. As another example, Ar 601 in Formula 601 may be a substituted or unsubstituted anthracene group.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송 영역은 발광층으로부터 차례로 적층된, 버퍼층 및 전자 수송층을 포함하고, 상기 버퍼층 재료 및 상기 전자 수송층 재료 각각은, 상기 화학식 601로 표시된 화합물 중 본 명세서에 기재된 바와 같은 조건(예를 들면, LUMO 에너지 레벨 등)을 만족한 화합물일 수 있다. According to one embodiment, the electron transport region includes a buffer layer and an electron transport layer sequentially stacked from the light emitting layer, and each of the buffer layer material and the electron transport layer material is selected from the compound represented by Formula 601 under the conditions as described herein. It may be a compound that satisfies (for example, LUMO energy level, etc.).

또 다른 예로서, 상기 전자 수송 영역은 하기 화학식 601-1로 표시된 화합물을 포함할 수 있다:As another example, the electron transport region may include a compound represented by the following formula 601-1:

<화학식 601-1><Formula 601-1>

상기 화학식 601-1 중,In the above formula 601-1,

X614는 N 또는 C(R614)이고, X615는 N 또는 C(R615)이고, X616은 N 또는 C(R616)이고, X614 내지 X616 중 적어도 하나는 N이고,X 614 is N or C(R 614 ), X 615 is N or C ( R 615 ), X 616 is N or C(R 616 ), and at least one of

L611 내지 L613에 대한 설명은 각각 상기 L601에 대한 설명을 참조하고, For descriptions of L 611 to L 613 , refer to the description of L 601 above, respectively.

xe611 내지 xe613에 대한 설명은 각각 상기 xe1에 대한 설명을 참조하고,For descriptions of xe611 to xe613, refer to the description of xe1 above, respectively.

R611 내지 R613에 대한 설명은 각각 상기 R601에 대한 설명을 참조하고, For descriptions of R 611 to R 613 , refer to the description of R 601 above, respectively.

R614 내지 R616은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹일 수 있다. R 614 to R 616 are independently of each other hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group , a C 3 -C 60 carbocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a , or a C 1 -C 60 heterocyclic group substituted or unsubstituted with at least one R 10a.

예를 들어, 상기 화학식 601 및 601-1 중 xe1 및 xe611 내지 xe613은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.For example, in Formulas 601 and 601-1, xe1 and xe611 to xe613 may be independently 0, 1, or 2.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송 영역은 버퍼층을 포함하고, 상기 버퍼층 재료는 BF01 내지 BF10 중에서 선택될 수 있다:According to one embodiment, the electron transport region includes a buffer layer, and the buffer layer material may be selected from BF01 to BF10:

다른 구현예에 따르면, 상기 전자 수송 영역은 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층 재료는 ET01 내지 ET10 중에서 선택될 수 있다:According to another embodiment, the electron transport region includes an electron transport layer, and the electron transport layer material may be selected from ET01 to ET10:

상기 전자 수송 영역의 두께는 약 100Å 내지 약 5000Å, 예를 들면, 약 160Å 내지 약 4000Å일 수 있다. 상기 전자 수송 영역이 버퍼층, 정공 저지층, 전자 조절층, 전자 수송층 또는 이의 임의의 조합을 포함할 경우, 상기 버퍼층, 정공 저지층 또는 전자 조절층의 두께 각각은 서로 독립적으로, 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å이고, 상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 버퍼층, 정공 저지층, 전자 조절층, 전자 수송층 및/또는 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.The thickness of the electron transport region may be about 100Å to about 5000Å, for example, about 160Å to about 4000Å. When the electron transport region includes a buffer layer, a hole blocking layer, an electron control layer, an electron transport layer, or any combination thereof, the thickness of each of the buffer layer, hole blocking layer, or electron control layer is independently from about 20 Å to about 1000 Å. , for example, about 30Å to about 300Å, and the thickness of the electron transport layer may be about 100Å to about 1000Å, for example, about 150Å to about 500Å. When the thickness of the buffer layer, hole blocking layer, electron control layer, electron transport layer, and/or electron transport layer satisfies the range described above, satisfactory electron transport characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 전자 수송 영역(예를 들면, 상기 전자 수송 영역 중 전자 수송층)은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다. The electron transport region (eg, an electron transport layer in the electron transport region) may further include a metal-containing material in addition to the materials described above.

상기 금속-함유 물질은 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 알칼리 금속 착체의 금속 이온은, Li 이온, Na 이온, K 이온, Rb 이온 또는 Cs 이온일 수 있고, 상기 알칼리 토금속 착체의 금속 이온은 Be 이온, Mg 이온, Ca 이온, Sr 이온 또는 Ba 이온일 수 있다. 상기 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체의 금속 이온에 배위된 리간드는, 서로 독립적으로, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시페닐옥사디아졸, 히드록시페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린, 시클로펜타다이엔, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The metal-containing material may include an alkali metal complex, an alkaline earth metal complex, or any combination thereof. The metal ion of the alkaline metal complex may be a Li ion, Na ion, K ion, Rb ion, or Cs ion, and the metal ion of the alkaline earth metal complex may be a Be ion, Mg ion, Ca ion, Sr ion, or Ba ion. You can. The ligands coordinated to the metal ions of the alkali metal complex and the alkaline earth metal complex are, independently of each other, hydroxyquinoline, hydroxyisoquinoline, hydroxybenzoquinoline, hydroxyacridine, hydroxyphenanthridine, and hydroxyphenyl. Oxazole, hydroxyphenylthiazole, hydroxyphenyloxadiazole, hydroxyphenylthiadiazole, hydroxyphenylpyridine, hydroxyphenylbenzoimidazole, hydroxyphenylbenzothiazole, bipyridine, phenanthroline, cyclo Pentadiene, or any combination thereof.

예를 들어, 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다:For example, the metal-containing material may include a Li complex. The Li complex may include, for example, the following compounds ET-D1(LiQ) or ET-D2:

상기 전자 수송 영역은, 제2전극(150)으로부터의 전자 주입을 용이하게 하는 전자 주입층을 포함할 수 있다. 상기 전자 주입층은 상기 제2전극(150)과 직접(directly) 접촉할 수 있다.The electron transport region may include an electron injection layer that facilitates electron injection from the second electrode 150. The electron injection layer may directly contact the second electrode 150.

상기 전자 주입층은 i) 단일 물질로 이루어진(consist of) 단일층으로 이루어진(consist of) 단층 구조, ii) 복수의 서로 상이한 물질을 포함한 단일층으로 이루어진(consist of) 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 상이한 물질을 포함한 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. The electron injection layer has i) a single layer structure consisting of a single material (consist of), ii) a single layer structure (consist of) a single layer containing a plurality of different materials, or iii) a plurality of layers. It may have a multilayer structure having a plurality of layers containing different materials.

상기 전자 주입층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속-함유 화합물, 알칼리 토금속-함유 화합물, 희토류 금속-함유 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. The electron injection layer is an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, an alkali metal-containing compound, an alkaline earth metal-containing compound, a rare earth metal-containing compound, an alkali metal complex, an alkaline earth metal complex, a rare earth metal complex, or any combination thereof. It can be included.

상기 알칼리 금속은, Li, Na, K, Rb, Cs, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 알칼리 토금속은, Mg, Ca, Sr, Ba, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 희토류 금속은 Sc, Y, Ce, Tb, Yb, Gd, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The alkali metal may include Li, Na, K, Rb, Cs, or any combination thereof. The alkaline earth metal may include Mg, Ca, Sr, Ba, or any combination thereof. The rare earth metal may include Sc, Y, Ce, Tb, Yb, Gd, or any combination thereof.

상기 알칼리 금속-함유 화합물, 알칼리 토금속-함유 화합물 및 상기 희토류 금속-함유 화합물은, 상기 알칼리 금속, 상기 알칼리 토금속 및 희토류 금속 각각의, 산화물, 할로겐화물(예를 들면, 불화물, 염화물, 브롬화물, 요오드화물 등), 텔루라이드, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The alkali metal-containing compound, the alkaline earth metal-containing compound, and the rare earth metal-containing compound are oxides, halides (e.g., fluoride, chloride, bromide, iodide, etc.), telluride, or any combination thereof.

상기 알칼리 금속-함유 화합물은, Li2O, Cs2O, K2O 등과 같은 알칼리 금속 산화물, LiF, NaF, CsF, KF, LiI, NaI, CsI, KI, RbI 등과 같은 알칼리 금속 할로겐화물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 알칼리 토금속-함유 화합물은, BaO, SrO, CaO, BaxSr1-xO(x는 0<x<1를 만족하는 실수임), BaxCa1-xO(x는 0<x<1를 만족하는 실수임) 등과 같은 알칼리 토금속 화합물을 포함할 수 있다. 상기 희토류 금속-함유 화합물은, YbF3, ScF3, Sc2O3, Y2O3, Ce2O3, GdF3, TbF3, YbI3, ScI3, TbI3, 또는 이의 임의의 조함을 포함할 수 있다. 또는, 상기 희토류 금속-함유 화합물은, 란타나이드 금속 텔루라이드를 포함할 수 있다. 상기 란타나이드 금속 텔루라이드의 예는, LaTe, CeTe, PrTe, NdTe, PmTe, SmTe, EuTe, GdTe, TbTe, DyTe, HoTe, ErTe, TmTe, YbTe, LuTe, La2Te3, Ce2Te3, Pr2Te3, Nd2Te3, Pm2Te3, Sm2Te3, Eu2Te3, Gd2Te3, Tb2Te3, Dy2Te3, Ho2Te3, Er2Te3, Tm2Te3, Yb2Te3, Lu2Te3 등을 포함할 수 있다.The alkali metal-containing compound is an alkali metal oxide such as Li 2 O, Cs 2 O, K 2 O, an alkali metal halide such as LiF, NaF, CsF, KF, LiI, NaI, CsI, KI, RbI, or the like. It may include any combination thereof. The alkaline earth metal-containing compounds include BaO, SrO, CaO, Ba x Sr 1-x O (x is a real number satisfying 0<x<1), Ba x Ca 1-x O (x is 0<x< It may include alkaline earth metal compounds such as (a real number that satisfies 1). The rare earth metal-containing compound is YbF 3 , ScF 3 , Sc 2 O 3 , Y 2 O 3 , Ce 2 O 3 , GdF 3 , TbF 3 , YbI 3 , ScI 3 , TbI 3 , or any combination thereof. It can be included. Alternatively, the rare earth metal-containing compound may include the lanthanide metal telluride. Examples of the lanthanide metal telluride include LaTe, CeTe, PrTe, NdTe, PmTe, SmTe, EuTe, GdTe, TbTe, DyTe, HoTe, ErTe, TmTe, YbTe, LuTe, La 2 Te 3 , Ce 2 Te 3 , Pr 2 Te 3 , Nd 2 Te 3 , Pm 2 Te 3 , Sm 2 Te 3 , Eu 2 Te 3 , Gd 2 Te 3 , Tb 2 Te 3 , Dy 2 Te 3 , Ho 2 Te 3 , Er 2 Te 3 , It may include Tm 2 Te 3 , Yb 2 Te 3 , Lu 2 Te 3 , etc.

상기 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체 및 희토류 금속 착체는, i) 상술한 바와 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 희토류 금속의 금속 이온 중 하나 및 ii) 상기 금속 이온과 결합한 리간드로서, 예를 들면, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시페닐옥사디아졸, 히드록시페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린, 시클로펜타다이엔, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The alkali metal complex, alkaline earth metal complex and rare earth metal complex include i) one of the metal ions of the alkali metal, alkaline earth metal and rare earth metal as described above and ii) a ligand bound to the metal ion, for example, hydroxy Quinoline, hydroxyisoquinoline, hydroxybenzoquinoline, hydroxyacridine, hydroxyphenanthridine, hydroxyphenyloxazole, hydroxyphenylthiazole, hydroxyphenyloxadiazole, hydroxyphenylthiadiazole, It may include hydroxyphenylpyridine, hydroxyphenylbenzoimidazole, hydroxyphenylbenzothiazole, bipyridine, phenanthroline, cyclopentadiene, or any combination thereof.

상기 전자 주입층은 상술한 바와 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속-함유 화합물, 알칼리 토금속-함유 화합물, 희토류 금속-함유 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체, 또는 이의 임의의 조합만으로 이루어져 있거나, 유기물(예를 들면, 상기 화학식 601로 표시된 화합물)을 더 포함할 수 있다. The electron injection layer is an alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, alkali metal-containing compound, alkaline earth metal-containing compound, rare earth metal-containing compound, alkali metal complex, alkaline earth metal complex, rare earth metal complex, or thereof as described above. It may consist of any combination, or may further include an organic substance (for example, a compound represented by Chemical Formula 601).

일 구현예에 따르면, 상기 전자 주입층은 i) 알칼리 금속-함유 화합물(예를 들면, 알칼리 금속 할로겐화물)로 이루어지거나(consist of), ii) a) 알칼리 금속-함유 화합물(예를 들면, 알칼리 금속 할로겐화물); 및 b) 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 또는 이의 임의의 조합;으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 주입층은, KI:Yb 공증착층, RbI:Yb 공증착층, LiF:Yb 공증착층 등일 수 있다.According to one embodiment, the electron injection layer i) consists of an alkali metal-containing compound (e.g. an alkali metal halide), or ii) a) an alkali metal-containing compound (e.g. an alkali metal halide). alkali metal halides); and b) alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, or any combination thereof. For example, the electron injection layer may be a KI:Yb co-deposited layer, an RbI:Yb co-deposited layer, or a LiF:Yb co-deposited layer.

상기 전자 주입층이 유기물을 더 포함할 경우, 상기 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속-함유 화합물, 알칼리 토금속-함유 화합물, 희토류 금속-함유 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체, 또는 이의 임의의 조합은 상기 유기물을 포함한 매트릭스에 균일 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.When the electron injection layer further includes an organic material, the alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, alkali metal-containing compound, alkaline earth metal-containing compound, rare earth metal-containing compound, alkali metal complex, alkaline earth metal complex, rare earth metal The complex, or any combination thereof, may be uniformly or non-uniformly dispersed in the matrix containing the organic material.

상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.The thickness of the electron injection layer may be about 1Å to about 100Å, or about 3Å to about 90Å. When the thickness of the electron injection layer satisfies the range described above, satisfactory electron injection characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

[제2전극(150)][Second electrode (150)]

상술한 바와 같은 중간층(130) 상부에는 제2전극(150)이 배치되어 있다. 상기 제2전극(150)은 전자 주입 전극인 캐소드(cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극(150)용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 사용할 수 있다. The second electrode 150 is disposed on the middle layer 130 as described above. The second electrode 150 may be a cathode, which is an electron injection electrode. In this case, the material for the second electrode 150 is a metal, alloy, electrically conductive compound, or any of the materials having a low work function. A combination of can be used.

상기 제2전극(150)은, 리튬(Li), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 이터븀(Yb), 은-이터븀(Ag-Yb), ITO, IZO, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 제2전극(150)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. The second electrode 150 includes lithium (Li), silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), and magnesium-indium (Mg-In). ), magnesium-silver (Mg-Ag), ytterbium (Yb), silver-ytterbium (Ag-Yb), ITO, IZO, or any combination thereof. The second electrode 150 may be a transmissive electrode, a semi-transmissive electrode, or a reflective electrode.

상기 제2전극(150)은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. The second electrode 150 may have a single-layer structure or a multi-layer structure having a plurality of layers.

[캡핑층][Capping layer]

제1전극(110)의 외측에는 제1캡핑층이 배치되거나, 및/또는 제2전극(150)의 외측에는 제2캡핑층이 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 발광 소자(10)는 제1캡핑층, 제1전극(110), 중간층(130) 및 제2전극(150)이 차례로 적층된 구조, 제1전극(110), 중간층(130), 제2전극(150) 및 제2캡핑층이 차례로 적층된 구조 또는 제1캡핑층, 제1전극(110), 중간층(130), 제2전극(150) 및 제2캡핑층이 차례로 적층된 구조를 가질 수 있다.A first capping layer may be disposed outside the first electrode 110, and/or a second capping layer may be disposed outside the second electrode 150. Specifically, the light emitting device 10 has a structure in which a first capping layer, a first electrode 110, an intermediate layer 130, and a second electrode 150 are sequentially stacked, the first electrode 110, the intermediate layer 130 , a structure in which the second electrode 150 and the second capping layer are sequentially stacked, or a structure in which the first capping layer, the first electrode 110, the middle layer 130, the second electrode 150, and the second capping layer are sequentially stacked. It can have a structure.

발광 소자(10)의 중간층(130) 중 발광층에서 생성된 광은 반투과형 전극 또는 투과형 전극인 제1전극(110) 및 제1캡핑층을 지나 외부로 취출될 수 있고, 발광 소자(10)의 중간층(130) 중 발광층에서 생성된 광은 반투과형 전극 또는 투과형 전극인 제2전극(150) 및 제2캡핑층을 지나 외부로 취출될 수 있다. The light generated in the light-emitting layer of the intermediate layer 130 of the light-emitting device 10 may pass through the first electrode 110, which is a transflective electrode or a transmissive electrode, and the first capping layer, and be extracted to the outside of the light-emitting device 10. Light generated in the light-emitting layer of the middle layer 130 may pass through the second electrode 150 and the second capping layer, which are semi-transmissive or transmissive electrodes, and be taken out to the outside.

상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층은 보강 간섭의 원리에 의하여 외부 발광 효율을 향상시키는 역할을 할 수 있다. 이로써, 상기 발광 소자(10)의 광추출 효율이 증가되어, 상기 발광 소자(10)의 발광 효율이 향상될 수 있다. The first capping layer and the second capping layer may serve to improve external light emission efficiency based on the principle of constructive interference. As a result, the light extraction efficiency of the light-emitting device 10 can be increased, and the light-emitting efficiency of the light-emitting device 10 can be improved.

예를 들어, 상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는, 589 nm 파장에서 1.6 이상, 1.8 이상, 또는 2.0 이상의 굴절율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. For example, at least one of the first capping layer and the second capping layer may include a material having a refractive index of 1.6 or more, 1.8 or more, or 2.0 or more at a wavelength of 589 nm.

상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층은 서로 독립적으로, 유기물을 포함한 유기 캡핑층, 무기물을 포함한 무기 캡핑층, 또는 유기물 및 무기물을 포함한 유-무기 복합 캡핑층일 수 있다.The first capping layer and the second capping layer may independently be an organic capping layer including an organic material, an inorganic capping layer including an inorganic material, or an organic-inorganic composite capping layer including an organic material and an inorganic material.

상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물, 아민 그룹-함유 화합물, 포르핀 유도체 (porphine derivatives), 프탈로시아닌 유도체 (phthalocyanine derivatives), 나프탈로시아닌 유도체 (naphthalocyanine derivatives), 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물 및 아민 그룹-함유 화합물은, 선택적으로, O, N, S, Se, Si, F, Cl, Br, I, 또는 이의 임의의 조합을 포함한 치환기로 치환될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 아민 그룹-함유 화합물을 포함할 수 있다. At least one of the first capping layer and the second capping layer is, independently of each other, a carbocyclic compound, a heterocyclic compound, an amine group-containing compound, porphine derivatives, phthalocyanine derivatives, It may include naphthalocyanine derivatives, an alkali metal complex, an alkaline earth metal complex, or any combination thereof. The carbocyclic compounds, heterocyclic compounds and amine group-containing compounds may optionally be substituted with substituents including O, N, S, Se, Si, F, Cl, Br, I, or any combination thereof. You can. According to one embodiment, at least one of the first capping layer and the second capping layer may independently include an amine group-containing compound.

예를 들어, 상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 상기 화학식 201로 표시된 화합물, 상기 화학식 202로 표시된 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. For example, at least one of the first capping layer and the second capping layer may independently include a compound represented by Formula 201, a compound represented by Formula 202, or any combination thereof.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 상기 화합물 HT28 내지 HT33 중 하나, 하기 화합물 CP1 내지 CP8 중 하나, β-NPB 또는 이의 임의의 화합물을 포함할 수 있다:According to another embodiment, at least one of the first capping layer and the second capping layer is, independently of each other, one of the compounds HT28 to HT33, one of the following compounds CP1 to CP8, β-NPB, or any compound thereof. May include:

[전자 장치] [Electronic Device]

상기 발광 소자는 각종 전자 장치에 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자를 포함한 전자 장치는, 발광 장치, 인증 장치 등일 수 있다. The light emitting device may be included in various electronic devices. For example, an electronic device including the light-emitting device may be a light-emitting device, an authentication device, or the like.

상기 전자 장치(예를 들면, 발광 장치)는, 상기 발광 소자 외에, i) 컬러 필터, ii) 색변환층, 또는 iii) 컬러 필터 및 색변환층을 더 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터 및/또는 색변환층은 발광 소자로부터 방출되는 광의 적어도 하나의 진행 방향 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자로부터 방출되는 광은 청색광, 녹색광 또는 백색광일 수 있다. 상기 발광 소자에 대한 설명은 상술한 바를 참조한다. 일 구현예에 따르면, 상기 색변환층은 양자점을 포함할 수 있다. The electronic device (eg, light-emitting device) may further include, in addition to the light-emitting element, i) a color filter, ii) a color conversion layer, or iii) a color filter and a color conversion layer. The color filter and/or color conversion layer may be disposed in at least one direction of travel of light emitted from the light emitting device. For example, the light emitted from the light emitting device may be blue light, green light, or white light. For a description of the light emitting device, refer to the above description. According to one embodiment, the color conversion layer may include quantum dots.

상기 전자 장치는 제1기판을 포함할 수 있다. 상기 제1기판은 복수의 부화소 영역을 포함하고, 상기 컬러 필터는 상기 복수의 부화소 영역 각각에 대응하는 복수의 컬러 필터 영역을 포함하고, 상기 색변환층은 상기 복수의 부화소 영역 각각에 대응하는 복수의 색변환 영역을 포함할 수 있다.The electronic device may include a first substrate. The first substrate includes a plurality of subpixel areas, the color filter includes a plurality of color filter areas corresponding to each of the plurality of subpixel areas, and the color conversion layer is located in each of the plurality of subpixel areas. It may include a plurality of corresponding color conversion areas.

상기 복수의 부화소 영역 사이에 화소 정의막이 배치되어 각각의 부화소 영역이 정의된다. A pixel defining layer is disposed between the plurality of subpixel areas to define each subpixel area.

상기 컬러 필터는 복수의 컬러 필터 영역 및 복수의 컬러 필터 영역 사이에 배치된 차광 패턴을 더 포함할 수 있고, 상기 색변환층은 복수의 색변환 영역 및 복수의 색변환 영역 사이에 배치된 차광 패턴을 더 포함할 수 있다. The color filter may further include a plurality of color filter regions and a light-shielding pattern disposed between the plurality of color filter regions, and the color conversion layer may include a plurality of color conversion regions and a light-shielding pattern disposed between the plurality of color conversion regions. It may further include.

상기 복수의 컬러 필터 영역(또는, 복수의 색변환 영역)은, 제1색광을 방출하는 제1영역; 제2색광을 방출하는 제2영역; 및/또는 제3색광을 방출하는 제3영역을 포함하고, 상기 제1색광, 상기 제2색광 및/또는 상기 제3색광은 서로 상이한 최대 발광 파장을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1색광은 적색광이고, 상기 제2색광은 녹색광이고, 상기 제3색광은 청색광일 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 컬러 필터 영역(또는, 복수의 색변환 영역)은 양자점을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1영역은 적색 양자점을 포함하고, 상기 제2영역은 녹색 양자점을 포함하고, 상기 제3영역은 양자점을 포함하지 않을 수 있다. 양자점에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 상기 제1영역, 상기 제2영역 및/또는 상기 제3영역은 각각 산란체를 더 포함할 수 있다.The plurality of color filter areas (or the plurality of color conversion areas) include: a first area emitting first color light; a second region emitting second color light; and/or a third region emitting third color light, wherein the first color light, the second color light, and/or the third color light may have different maximum emission wavelengths. For example, the first color light may be red light, the second color light may be green light, and the third color light may be blue light. For example, the plurality of color filter regions (or plurality of color conversion regions) may include quantum dots. Specifically, the first region may include red quantum dots, the second region may include green quantum dots, and the third region may not include quantum dots. For a description of quantum dots, refer to what is described herein. The first area, the second area, and/or the third area may each further include a scatterer.

예를 들어, 상기 발광 소자는 제1광을 방출하고, 상기 제1영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제1-1색광을 방출하고, 상기 제2영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제2-1색광을 방출하고, 상기 제3영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제3-1색광을 방출할 수 있다. 이 때, 상기 제1-1색광, 상기 제2-1색광 및 상기 제3-1색광은 서로 상이한 최대 발광 파장을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 제1광은 청색광일 수 있고, 상기 제1-1색광은 적색광일 수 있고, 상기 제2-1색광은 녹색광일 수 있고, 상기 제3-1색광은 청색광일 수 있다. For example, the light emitting device emits first light, the first region absorbs the first light and emits 1-1 color light, and the second region absorbs the first light, Light of the 2-1st color may be emitted, and the third region may absorb the first light to emit light of the 3-1st color. At this time, the 1-1 color light, the 2-1 color light, and the 3-1 color light may have different maximum emission wavelengths. Specifically, the first light may be blue light, the 1-1 color light may be red light, the 2-1 color light may be green light, and the 3-1 color light may be blue light.

상기 전자 장치는, 상술한 바와 같은 발광 소자 외에 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 포함할 수 있고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 상기 발광 소자의 제1전극 및 제2전극 중 어느 하나는 전기적으로 연결될 수 있다. The electronic device may further include a thin film transistor in addition to the light emitting device described above. The thin film transistor may include a source electrode, a drain electrode, and an active layer, and one of the source electrode and the drain electrode may be electrically connected to one of the first electrode and the second electrode of the light emitting device.

상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막 등을 더 포함할 수 있다.The thin film transistor may further include a gate electrode, a gate insulating film, etc.

상기 활성층은 결정질 실리콘, 비정질 실리콘, 유기 반도체, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다.The active layer may include crystalline silicon, amorphous silicon, organic semiconductor, oxide semiconductor, etc.

상기 전자 장치는 발광 소자를 밀봉하는 밀봉부를 더 포함할 수 있다. 상기 밀봉부는 상기 컬러 필터 및/또는 색변환층과 상기 발광 소자 사이에 배치될 수 있다. 상기 밀봉부는 상기 발광 소자로부터의 광이 외부로 취출될 수 있도록 하면서, 동시에 상기 발광 소자로 외기 및 수분이 침투하는 것을 차단한다. 상기 밀봉부는 투명한 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 포함하는 밀봉 기판일 수 있다. 상기 밀봉부는 유기층 및/또는 무기층을 1층 이상 포함하는 박막 봉지층일 수 있다. 상기 밀봉부가 박막 봉지층일 경우, 상기 전자 장치는 플렉시블할 수 있다.The electronic device may further include a sealing portion that seals the light emitting device. The sealing part may be disposed between the color filter and/or color conversion layer and the light emitting device. The sealing part allows light from the light emitting device to be extracted to the outside, while simultaneously blocking external air and moisture from penetrating into the light emitting device. The sealing unit may be a sealing substrate including a transparent glass substrate or a plastic substrate. The sealing portion may be a thin film encapsulating layer including one or more organic layers and/or inorganic layers. When the sealing part is a thin film encapsulation layer, the electronic device can be flexible.

상기 밀봉부 상에는, 상기 컬러 필터 및/또는 색변환층 외에, 상기 전자 장치의 용도에 따라 다양한 기능층이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기능층의 예는, 터치스크린층, 편광층, 등을 포함할 수 있다. 상기 터치스크린층은, 감압식 터치스크린층, 정전식 터치스크린층 또는 적외선식 터치스크린층일 수 있다. 상기 인증 장치는, 예를 들면, 생체(예를 들어, 손가락 끝, 눈동자 등)의 생체 정보를 이용하여 개인을 인증하는 생체 인증 장치일 수 있다. In addition to the color filter and/or color conversion layer, various functional layers may be additionally disposed on the sealing portion depending on the purpose of the electronic device. Examples of the functional layer may include a touch screen layer, a polarizing layer, and the like. The touch screen layer may be a resistive touch screen layer, a capacitive touch screen layer, or an infrared touch screen layer. The authentication device may be, for example, a biometric authentication device that authenticates an individual using biometric information (eg, fingertips, eyes, etc.).

상기 인증 장치는 상술한 바와 같은 발광 소자 외에 생체 정보 수집 수단을 더 포함할 수 있다. The authentication device may further include a means for collecting biometric information in addition to the light emitting device described above.

상기 전자 장치는 각종 디스플레이, 광원, 조명, 퍼스널 컴퓨터(예를 들면, 모바일형 퍼스널 컴퓨터), 휴대 전화, 디지털 사진기, 전자 수첩, 전자 사전, 전자 게임기, 의료 기기(예를 들면, 전자 체온계, 혈압계, 혈당계, 맥박 계측 장치, 맥파 계측 장치, 심전표시 장치, 초음파 진단 장치, 내시경용 표시 장치), 어군 탐지기, 각종 측정 기기, 계기류(예를 들면, 차량, 항공기, 선박의 계기류), 프로젝터 등으로 응용될 수 있다. The electronic devices include various displays, light sources, lighting, personal computers (e.g., mobile personal computers), mobile phones, digital cameras, electronic notebooks, electronic dictionaries, electronic game machines, and medical devices (e.g., electronic thermometers, blood pressure monitors). , blood sugar meters, pulse measuring devices, pulse wave measuring devices, electrocardiogram display devices, ultrasonic diagnostic devices, endoscope display devices), fish finders, various measuring devices, instruments (e.g., instruments for vehicles, aircraft, and ships), projectors, etc. It can be applied.

[전자 기기][Electronics]

상기 발광 소자는 각종 전자 기기에 포함될 수 있다. The light emitting device may be included in various electronic devices.

예를 들어, 상기 발광 소자를 포함한 전자 기기는, 평면 패널 디스플레이, 곡면 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 롤러블(rollable) 디스플레이, 폴더블(foldable) 디스플레이, 스트레처블(stretchable) 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된(tiled) 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광선 요법 디바이스, 및 간판 중 하나일 수 있다.For example, electronic devices including the above light-emitting elements include flat panel displays, curved displays, computer monitors, medical monitors, televisions, billboards, indoor or outdoor lighting and/or signal lights, head-up displays, fully or partially transparent displays, Flexible displays, rollable displays, foldable displays, stretchable displays, laser printers, phones, mobile phones, tablets, phablets, personal digital assistants (PDAs), wearable devices, laptop computers, One of a digital camera, camcorder, viewfinder, micro display, 3D display, virtual or augmented reality display, vehicle, video wall including multiple displays tiled together, theater or stadium screen, phototherapy device, and signage. It can be.

상기 발광 소자가 우수한 발광 효율, 장수명 효과 등을 가지므로 상기 발광 소자를 포함한 상기 전자 기기는 고휘도, 고해상도, 저소비전력 등의 특성을 가질 수 있다.Since the light-emitting device has excellent luminous efficiency and long lifespan, the electronic device including the light-emitting device can have characteristics such as high brightness, high resolution, and low power consumption.

[도 2 및 3에 대한 설명][Explanation of Figures 2 and 3]

도 2는 본 발명의 일 구현예를 따르는 전자 장치 중 하나인 발광 장치의 단면도이다.Figure 2 is a cross-sectional view of a light emitting device, which is one of the electronic devices according to an embodiment of the present invention.

도 2의 발광 장치는 기판(100), 박막 트랜지스터(TFT), 발광 소자 및 발광 소자를 밀봉하는 봉지부(300)를 포함한다.The light emitting device of FIG. 2 includes a substrate 100, a thin film transistor (TFT), a light emitting element, and an encapsulation unit 300 that seals the light emitting element.

상기 기판(100)은 가요성 기판, 유리 기판, 또는 금속 기판일 수 있다. 상기 기판(100) 상에는 버퍼층(210)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(210)은 기판(100)을 통한 불순물의 침투를 방지하며 기판(100) 상부에 평탄한 면을 제공하는 역할을 할 수 있다. The substrate 100 may be a flexible substrate, a glass substrate, or a metal substrate. A buffer layer 210 may be disposed on the substrate 100. The buffer layer 210 prevents impurities from penetrating through the substrate 100 and may serve to provide a flat surface on the upper part of the substrate 100.

상기 버퍼층(210) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(220), 게이트 전극(240), 소스 전극(260) 및 드레인 전극(270)을 포함할 수 있다.A thin film transistor (TFT) may be disposed on the buffer layer 210. The thin film transistor (TFT) may include an active layer 220, a gate electrode 240, a source electrode 260, and a drain electrode 270.

상기 활성층(220)은 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체, 유기 반도체 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있으며, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함한다.The active layer 220 may include an inorganic semiconductor such as silicon or polysilicon, an organic semiconductor, or an oxide semiconductor, and includes a source region, a drain region, and a channel region.

상기 활성층(220)의 상부에는 활성층(220)과 게이트 전극(240)을 절연하기 위한 게이트 절연막(230)이 배치될 수 있고, 게이트 절연막(230) 상부에는 게이트 전극(240)이 배치될 수 있다.A gate insulating film 230 may be disposed on top of the active layer 220 to insulate the active layer 220 and the gate electrode 240, and a gate electrode 240 may be disposed on the gate insulating film 230. .

상기 게이트 전극(240)의 상부에는 층간 절연막(250)이 배치될 수 있다. 상기 층간 절연막(250)은 게이트 전극(240)과 소스 전극(260) 사이 및 게이트 전극(240)과 드레인 전극(270) 사이에 배치되어 이들을 절연하는 역할을 한다.An interlayer insulating film 250 may be disposed on the gate electrode 240. The interlayer insulating film 250 is disposed between the gate electrode 240 and the source electrode 260 and between the gate electrode 240 and the drain electrode 270 to insulate them.

상기 층간 절연막(250) 상에는 소스 전극(260) 및 드레인 전극(270)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(250) 및 게이트 절연막(230)은 활성층(220)의 소스 영역 및 드레인 영역이 노출하도록 형성될 수 있고, 이러한 활성층(220)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 전극(260) 및 드레인 전극(270)이 배치될 수 있다.A source electrode 260 and a drain electrode 270 may be disposed on the interlayer insulating film 250. The interlayer insulating film 250 and the gate insulating film 230 may be formed to expose the source and drain regions of the active layer 220, and the source electrode 260 may be in contact with the exposed source and drain regions of the active layer 220. ) and a drain electrode 270 may be disposed.

이와 같은 박막 트랜지스터(TFT)는 발광 소자에 전기적으로 연결되어 발광 소자를 구동시킬 수 있으며, 패시베이션층(280)으로 덮여 보호된다. 패시베이션층(280)은 무기 절연막, 유기 절연막, 또는 이의 조합을 포함할 수 있다. 패시베이션층(280) 상에는 발광 소자가 구비된다. 상기 발광 소자는 제1전극(110), 중간층(130) 및 제2전극(150)을 포함한다.Such a thin film transistor (TFT) can be electrically connected to a light-emitting device to drive the light-emitting device, and is covered and protected by the passivation layer 280. The passivation layer 280 may include an inorganic insulating film, an organic insulating film, or a combination thereof. A light emitting device is provided on the passivation layer 280. The light emitting device includes a first electrode 110, an intermediate layer 130, and a second electrode 150.

상기 제1전극(110)은 패시베이션층(280) 상에 배치될 수 있다. 패시베이션층(280)은 드레인 전극(270)의 전체를 덮지 않고 소정의 영역을 노출하도록 배치될 수 있고, 노출된 드레인 전극(270)과 연결되도록 제1전극(110)이 배치될 수 있다.The first electrode 110 may be disposed on the passivation layer 280. The passivation layer 280 may be disposed to expose a predetermined area without covering the entire drain electrode 270, and the first electrode 110 may be disposed to be connected to the exposed drain electrode 270.

상기 제1전극(110) 상에 절연물을 포함한 화소 정의막(290)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(290)은 제1전극(110)의 소정 영역을 노출하며, 노출된 영역에 중간층(130)이 형성될 수 있다. 화소 정의막(290)은 폴리이미드 또는 폴리아크릴 계열의 유기막일 수 있다. 도 2에 미도시되어 있으나, 중간층(130) 중 일부 이상의 층은 화소 정의막(290) 상부에까지 연장되어 공통층의 형태로 배치될 수 있다.A pixel defining layer 290 including an insulating material may be disposed on the first electrode 110. The pixel defining film 290 exposes a predetermined area of the first electrode 110, and an intermediate layer 130 may be formed in the exposed area. The pixel defining layer 290 may be a polyimide or polyacrylic organic layer. Although not shown in FIG. 2 , some or more of the middle layer 130 may extend to the upper part of the pixel defining layer 290 and be disposed in the form of a common layer.

상기 중간층(130) 상에는 제2전극(150)이 배치되고, 제2전극(150) 상에는 제2캡핑층(170)이 추가로 형성될 수 있다. 제2캡핑층(170)은 제2전극(150)을 덮도록 형성될 수 있다. A second electrode 150 may be disposed on the intermediate layer 130, and a second capping layer 170 may be additionally formed on the second electrode 150. The second capping layer 170 may be formed to cover the second electrode 150.

상기 제2캡핑층(170) 상에는 봉지부(300)가 배치될 수 있다. 봉지부(300)는 발광 소자 상에 배치되어 수분이나 산소로부터 발광 소자를 보호하는 역할을 할 수 있다. 봉지부(300)는 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 인듐주석산화물, 인듐아연산화물, 또는 이의 임의의 조합을 포함한 무기막, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지(예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등), 에폭시계 수지(예를 들면, AGE(aliphatic glycidyl ether) 등) 또는 이의 임의의 조합을 포함한 유기막, 또는 무기막과 유기막의 조합을 포함할 수 있다.An encapsulation portion 300 may be disposed on the second capping layer 170. The encapsulation portion 300 may be disposed on the light emitting device to protect the light emitting device from moisture or oxygen. The encapsulation portion 300 is an inorganic film including silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), indium tin oxide, indium zinc oxide, or any combination thereof, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, Polyethylene sulfonate, polyoxymethylene, polyarylate, hexamethyldisiloxane, acrylic resin (e.g., polymethyl methacrylate, polyacrylic acid, etc.), epoxy resin (e.g., AGE (aliphatic glycidyl ether), etc.) ) or an organic layer including any combination thereof, or a combination of an inorganic layer and an organic layer.

도 3은 본 발명의 다른 구현예를 따르는 전자 장치 중 하나인 발광 장치의 단면도이다.Figure 3 is a cross-sectional view of a light-emitting device, which is one of electronic devices according to another embodiment of the present invention.

도 3의 발광 장치는, 봉지부(300) 상부에 차광 패턴(500) 및 기능성 영역(400)이 추가로 배치되어 있다는 점을 제외하고는, 도 2의 발광 장치와 동일한 발광 장치이다. 상기 기능성 영역(400)은, i) 컬러 필터 영역, ii) 색변환 영역, 또는 iii) 컬러 필터 영역와 색변환 영역의 조합일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 도 3의 발광 장치에 포함된 발광 소자는 탠덤 발광 소자일 수 있다. The light emitting device of FIG. 3 is the same as the light emitting device of FIG. 2 except that a light blocking pattern 500 and a functional area 400 are additionally disposed on the encapsulation portion 300. The functional area 400 may be i) a color filter area, ii) a color conversion area, or iii) a combination of a color filter area and a color conversion area. According to one embodiment, the light-emitting device included in the light-emitting device of FIG. 3 may be a tandem light-emitting device.

[도 4에 대한 설명][Description of Figure 4]

도 4는 본 발명의 일 구현예를 따르는 발광 소자를 포함한 전자 기기(1)를 개략적으로 도시하는 사시도이다. 상기 전자기기(1)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player) 또는 내비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자기기뿐만 아니라, 텔레비전, 랩탑, 모니터, 광고판 또는 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품이거나 그 일부일 수 있다. 또한, 상기 전자기기(1)는 스마트 와치(smart watch), 와치 폰(watch phone), 안경형 디스플레이 또는 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display, HMD)와 같은 웨어러블 장치(wearable device)이거나 그 일부일 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 전자기기(1)는 자동차의 계기판, 및 자동차의 센터페시아(center fascia) 또는 대쉬보드에 배치된 CID(Center Information Display), 자동차의 사이드 미러를 대신하는 룸 미러 디스플레이(room mirror display), 자동차의 뒷좌석용 엔터테인먼트 또는 앞좌석의 배면에 배치되는 디스플레이, 차량의 전방에 설치되거나 프론트 윈도우 글라스에 투영되는 헤드업 디스플레이(Head Up Display, HUD), 홀로그램 증강현실 헤드업 디스플레이(Computer Generated Hologram Augmented Reality Head Up Display, CGH AR HUD)일 수 있다. 도 4는 설명의 편의를 위하여 상기 전자기기(1)가 스마트 폰인 경우를 도시하고 있다.FIG. 4 is a perspective view schematically showing an electronic device 1 including a light-emitting device according to an embodiment of the present invention. The electronic device 1 is a device that displays moving images or still images, such as a mobile phone, a smart phone, a tablet personal computer, a mobile communication terminal, an electronic notebook, an e-book, or a PMP. It may be a variety of products or a part of them, such as a portable multimedia player (portable multimedia player) or a navigation device, a portable electronic device (Ultra Mobile PC (UMPC)), a television, a laptop, a monitor, a billboard, or the Internet of Things (IOT). Additionally, the electronic device 1 may be or be part of a wearable device such as a smart watch, a watch phone, a glasses-type display, or a head mounted display (HMD). Of course, the present invention is not limited to this. For example, the electronic device 1 includes a dashboard of a car, a center information display (CID) placed on the center fascia or dashboard of a car, and a room mirror display that replaces the side mirror of a car. display), entertainment for the rear seats of a car or a display placed on the back of the front seat, a head-up display (HUD) installed in the front of the car or projected on the front window glass, a holographic augmented reality head-up display (Computer Generated) It may be a Hologram Augmented Reality Head Up Display (CGH AR HUD). Figure 4 shows a case where the electronic device 1 is a smart phone for convenience of explanation.

상기 전자 기기(1)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA) 외측의 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 장치는 표시영역(DA)에 2차원적으로 배열된 복수의 화소들의 어레이를 통해 이미지를 구현할 수 있다.The electronic device 1 may include a display area (DA) and a non-display area (NDA) outside the display area (DA). A display device can implement an image through an array of a plurality of pixels arranged two-dimensionally in the display area (DA).

비표시영역(NDA)은 이미지를 디스플레이하지 않는 영역으로서, 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 표시영역(DA)에 배치된 디스플레이소자들에 전기적 신호나 전원을 제공하기 위한 드라이버 등이 배치될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 전자소자나 인쇄회로기판 등이 전기적으로 연결될 수 있는 영역인 패드가 배치될 수 있다.The non-display area (NDA) is an area that does not display images and may entirely surround the display area (DA). Drivers for providing electrical signals or power to display elements arranged in the display area (DA) may be placed in the non-display area (NDA). A pad, which is an area where electronic devices or printed circuit boards can be electrically connected, may be placed in the non-display area (NDA).

상기 전자 기기(1)는 x축 방향의 길이와 y축 방향의 길이가 서로 상이할 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 것과 같이, 상기 x축 방향의 길이가 y축 방향의 길이보다 짧을 수 있다. 또 다른 예를 들면, 상기 x축 방향의 길이와 y축 방향의 길이가 동일할 수 있다. 또 다른 예를 들면, 상기 x축 방향의 길이가 y축 방향의 길이보다 길 수 있다.The electronic device 1 may have different lengths in the x-axis direction and lengths in the y-axis direction. For example, as shown in FIG. 4, the length in the x-axis direction may be shorter than the length in the y-axis direction. For another example, the length in the x-axis direction and the length in the y-axis direction may be the same. For another example, the length in the x-axis direction may be longer than the length in the y-axis direction.

[도 5 및 6a 내지 6c에 대한 설명][Description of FIGS. 5 and 6A to 6C]

도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 소자를 포함한 전자 기기로서 차량(1000)의 외부를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 다양한 구현예에 따른 차량(1000)의 내부를 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 5 is a diagram schematically showing the exterior of a vehicle 1000 as an electronic device including a light-emitting device according to an embodiment of the present invention. 6A to 6C are diagrams schematically showing the interior of a vehicle 1000 according to various implementation examples of the present invention.

도 5, 도 6a, 도 6b, 및 도 6c를 참조하면, 차량(1000)은 인간, 물건 또는 동물 등과 같은 피운송체를 출발지에서 목적지로 이동시키는 다양한 장치를 의미할 수 있다. 차량(1000)은 도로 또는 선로를 주행하는 차량, 바다나 강 위로 이동하는 선박 및 공기의 작용을 이용하여 창공을 비행하는 비행기 등을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 5, 6A, 6B, and 6C, the vehicle 1000 may refer to various devices that move a vehicle such as a human, object, or animal from a source to a destination. The vehicle 1000 may include a vehicle traveling on a road or track, a ship moving on the sea or a river, and an airplane flying in the sky using the action of air.

차량(1000)은 도로 또는 선로를 주행할 수 있다. 차량(1000)은 적어도 하나의 차륜의 회전에 따라 소정의 방향으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 차량(1000)은 삼륜 또는 사륜 자동차, 건설기계, 이륜 자동차, 원동기 장치, 자전거, 및 선로를 주행하는 열차를 포함할 수 있다.The vehicle 1000 can travel on a road or track. The vehicle 1000 may move in a predetermined direction according to the rotation of at least one wheel. For example, the vehicle 1000 may include a three- or four-wheeled vehicle, construction equipment, a two-wheeled vehicle, a motor vehicle, a bicycle, and a train running on a track.

차량(1000)은 내장과 외장을 갖는 차체(body)와, 차체를 제외한 나머지 부분으로 주행에 필요한 기계 장치가 설치되는 차대(chassis)를 포함할 수 있다. 차체의 외장은 프론트 패널, 본네트, 루프 패널, 리어 패널, 트렁크, 도어 사이의 경계에 마련된 필러를 포함할 수 있다. 차량(1000)의 차대는 동력 발생 장치, 동력 전달 장치, 주행 장치, 조향 장치, 제동 장치, 현가 장치, 변속 장치, 연료 장치, 전후좌우 차륜 등을 포함할 수 있다.The vehicle 1000 may include a body having an interior and an exterior, and a chassis on which mechanical devices necessary for driving are installed in the remaining parts excluding the body. The exterior of the car body may include fillers provided at the boundaries between the front panel, bonnet, roof panel, rear panel, trunk, and doors. The chassis of the vehicle 1000 may include a power generation device, a power transmission device, a running device, a steering device, a braking device, a suspension device, a transmission device, a fuel device, front, rear, left and right wheels, etc.

차량(1000)은 사이드 윈도우 글라스(1100), 프론트 윈도우 글라스(1200), 사이드 미러(1300), 클러스터(1400), 센터 페시아(1500), 조수석 대시보드(1600), 및 표시 장치(2)를 포함할 수 있다.The vehicle 1000 includes a side window glass 1100, a front window glass 1200, a side mirror 1300, a cluster 1400, a center fascia 1500, a passenger dashboard 1600, and a display device 2. It can be included.

사이드 윈도우 글라스(1100) 및 프론트 윈도우 글라스(1200)는 사이드 윈도우 글라스(1100) 및 프론트 윈도우 글라스(1200) 사이에 배치된 필러에 의해 구획될 수 있다.The side window glass 1100 and the front window glass 1200 may be partitioned by a filler disposed between the side window glass 1100 and the front window glass 1200.

사이드 윈도우 글라스(1100)는 차량(1000)의 측면에 설치될 수 있다. 일 실시예에서, 사이드 윈도우 글라스(1100)는 차량(1000)의 도어에 설치될 수 있다. 사이드 윈도우 글라스(1100)는 복수개로 구비될 수 있으며, 서로 마주볼 수 있다. 일 실시예에서, 사이드 윈도우 글라스(1100)는 제1사이드 윈도우 글라스(1110) 및 제2사이드 윈도우 글라스(1120)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1사이드 윈도우 글라스(1110)는 클러스터(1400)에 인접하게 배치될 수 있다. 제2사이드 윈도우 글라스(1120)는 조수석 대시보드(1600)에 인접하게 배치될 수 있다.The side window glass 1100 may be installed on the side of the vehicle 1000. In one embodiment, the side window glass 1100 may be installed on the door of the vehicle 1000. There may be a plurality of side window glasses 1100 and they may face each other. In one embodiment, the side window glass 1100 may include a first side window glass 1110 and a second side window glass 1120. In one embodiment, the first side window glass 1110 may be disposed adjacent to the cluster 1400. The second side window glass 1120 may be placed adjacent to the passenger seat dashboard 1600.

일 실시예에서, 사이드 윈도우 글라스(1100)들은 x 방향 또는 -x 방향으로 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 제1사이드 윈도우 글라스(1110) 및 제2사이드 윈도우 글라스(1120)는 x 방향 또는 -x 방향으로 서로 이격될 수 있다. 이를 다시 말하면, 사이드 윈도우 글라스(1100)들을 연결하는 가상의 직선(L)은 x 방향 또는 -x 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 제1사이드 윈도우 글라스(1110) 및 제2사이드 윈도우 글라스(1120)를 서로 연결하는 가상의 직선(L)은 x 방향 또는 -x 방향으로 연장될 수 있다.In one embodiment, the side window glasses 1100 may be spaced apart from each other in the x-direction or -x-direction. For example, the first side window glass 1110 and the second side window glass 1120 may be spaced apart from each other in the x direction or -x direction. In other words, the virtual straight line L connecting the side window glasses 1100 may extend in the x direction or -x direction. For example, a virtual straight line L connecting the first side window glass 1110 and the second side window glass 1120 may extend in the x direction or -x direction.

프론트 윈도우 글라스(1200)는 차량(1000)의 전방에 설치될 수 있다. 프론트 윈도우 글라스(1200)는 서로 마주보는 사이드 윈도우 글라스(1100)들 사이에 배치될 수 있다.The front window glass 1200 may be installed in the front of the vehicle 1000. The front window glass 1200 may be disposed between the side window glasses 1100 facing each other.

사이드 미러(1300)는 차량(1000)의 후방의 시야를 제공할 수 있다. 사이드 미러(1300)는 차체의 외장에 설치될 수 있다. 일 구현예에서, 사이드 미러(1300)는 복수개로 구비될 수 있다. 복수의 사이드 미러(1300)들 중 어느 하나는 제1사이드 윈도우 글라스(1110)의 외측에 배치될 수 있다. 복수의 사이드 미러(1300)들 중 다른 하나는 제2사이드 윈도우 글라스(1120)의 외측에 배치될 수 있다.The side mirror 1300 may provide a view of the rear of the vehicle 1000. The side mirror 1300 may be installed on the exterior of the vehicle body. In one implementation, a plurality of side mirrors 1300 may be provided. One of the plurality of side mirrors 1300 may be disposed outside the first side window glass 1110. Another one of the plurality of side mirrors 1300 may be disposed outside the second side window glass 1120.

클러스터(1400)는 스티어링 휠의 전방에 위치할 수 있다. 클러스터(1400)는 타코미터, 속도계, 냉각수 온도계, 연료계 방향전환 지시등, 상향등 표시등, 경고등, 안전벨트 경고등, 주행 거리계, 주행 기록계, 자동변속 선택레버 표시등, 도어 열림 경고등, 엔진 오일 경고등, 및/또는 연료부족 경고등이 배치될 수 있다.Cluster 1400 may be located in front of the steering wheel. The cluster 1400 includes a tachometer, a speedometer, a coolant temperature gauge, a fuel gauge turn indicator light, a high beam indicator light, a warning light, a seat belt warning light, an odometer, an odometer, an automatic shift selection lever indicator light, a door open warning light, an engine oil warning light, and /Or a low fuel warning light may be placed.

센터 페시아(1500)는 오디오 장치, 공조 장치, 및 시트의 히터를 조정하기 위한 복수의 버튼이 배치된 컨트롤 패널을 포함할 수 있다. 센터 페시아(1500)는 클러스터(1400)의 일측에 배치될 수 있다.The center fascia 1500 may include a control panel with a plurality of buttons for controlling an audio device, an air conditioning device, and a seat heater. The center fascia 1500 may be placed on one side of the cluster 1400.

조수석 대시보드(1600)는 센터 페시아(1500)를 사이에 두고 클러스터(1400)와 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 클러스터(1400)는 운전석(미도시)에 대응하여 배치될 수 있고, 조수석 대시보드(1600)는 조수석(미도시)에 대응하여 배치될 수 있다. 일 구현예에서, 클러스터(1400)는 제1사이드 윈도우 글라스(1110)에 인접할 수 있으며, 조수석 대시보드(1600)는 제2사이드 윈도우 글라스(1120)에 인접할 수 있다.The passenger seat dashboard 1600 may be spaced apart from the cluster 1400 with the center fascia 1500 interposed therebetween. In one embodiment, the cluster 1400 may be arranged to correspond to the driver's seat (not shown), and the passenger seat dashboard 1600 may be placed to correspond to the passenger seat (not shown). In one implementation, the cluster 1400 may be adjacent to the first side window glass 1110, and the passenger seat dashboard 1600 may be adjacent to the second side window glass 1120.

일 실시예에서, 표시 장치(2)는 표시 패널(3)을 포함할 수 있으며, 상기 표시 패널(3)은 영상을 표시할 수 있다. 표시 장치(2)는 차량(1000)의 내부에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 표시 장치(2)는 서로 마주보는 사이드 윈도우 글라스(1100)들 사이에 배치될 수 있다. 표시 장치(2)는 클러스터(1400), 센터 페시아(1500), 및 조수석 대시보드(1600) 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있다.In one embodiment, the display device 2 may include a display panel 3, and the display panel 3 may display an image. The display device 2 may be placed inside the vehicle 1000. In one embodiment, the display device 2 may be disposed between side window glasses 1100 facing each other. The display device 2 may be disposed on at least one of the cluster 1400, the center fascia 1500, and the passenger seat dashboard 1600.

표시 장치(2)는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 양자점 표시 장치(Quantum dot display), 등을 포함할 수 있다, 이하에서는, 본 발명의 일 구현예에 따른 표시 장치(2)로서, 본 발명에 따른 발광 소자를 포함한 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 실시예들은 전술한 바와 같은 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.The display device 2 may include an organic light emitting display, an inorganic light emitting display, a quantum dot display, etc. Hereinafter, the present invention will be described. As the display device 2 according to one embodiment, an organic light emitting display device including a light emitting element according to the present invention will be described as an example. However, various types of display devices as described above may be used in embodiments of the present invention.

도 6a를 참조하면, 표시 장치(2)는 센터 페시아(1500)에 배치될 수 있다. 일 구현예에서, 표시 장치(2)는 네비게이션 정보를 표시할 수 있다. 일 구현예에서, 표시 장치(2)는 오디오, 비디오, 또는 차량 설정에 관한 정보를 표시할 수 있다.Referring to FIG. 6A , the display device 2 may be placed on the center fascia 1500. In one implementation, the display device 2 can display navigation information. In one implementation, the display device 2 can display audio, video, or information about vehicle settings.

도 6b를 참조하면, 표시 장치(2)는 클러스터(1400)에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 클러스터(1400)는 표시 장치(2)에 의해 운행 정보 등을 표현할 수 있다. 즉, 클러스터(1400)는 디지털 방식으로 구현될 수 있다. 디지털 방식의 클러스터(1400)는 차량 정보 및 주행 정보를 영상으로 표시할 수 있다. 예를 들어, 타코미터의 바늘 및 게이지와 각종 경고등 아이콘은 디지털 신호에 의해 표시될 수 있다.Referring to FIG. 6B, the display device 2 may be disposed in a cluster 1400. In this case, the cluster 1400 can display driving information, etc. through the display device 2. That is, the cluster 1400 can be implemented digitally. The digital cluster 1400 can display vehicle information and driving information as images. For example, tachometer needles and gauges and various warning light icons can be displayed by digital signals.

도 6c를 참조하면, 표시 장치(2)는 조수석 대시보드(1600)에 배치될 수 있다. 표시 장치(2)는 조수석 대시보드(1600)에 매립되거나 조수석 대시보드(1600) 상에 위치할 수 있다. 일 구현예에서, 조수석 대시보드(1600)에 배치된 표시 장치(2)는 클러스터(1400)에 표시된 정보 및/또는 센터 페시아(1500)에 표시된 정보에 관한 영상을 표시할 수 있다. 다른 구현예에서, 조수석 대시보드(1600)에 배치된 표시 장치(2)는 클러스터(1400)에 표시된 정보 및/또는 센터 페시아(1500)에 표시된 정보와 상이한 정보를 표시할 수 있다.Referring to FIG. 6C, the display device 2 may be placed on the passenger seat dashboard 1600. The display device 2 may be embedded in the passenger seat dashboard 1600 or may be located on the passenger seat dashboard 1600. In one implementation, the display device 2 disposed on the passenger seat dashboard 1600 may display an image related to the information displayed on the cluster 1400 and/or the information displayed on the center fascia 1500. In another implementation, the display device 2 disposed on the passenger dashboard 1600 may display information different from the information displayed on the cluster 1400 and/or the information displayed on the center fascia 1500.

[제조 방법][Manufacturing method]

상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층은 각각, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 소정 영역에 형성될 수 있다. Each layer included in the hole transport region, the light-emitting layer, and each layer included in the electron transport region are, respectively, vacuum deposition method, spin coating method, cast method, LB method (Langmuir-Blodgett), inkjet printing method, laser printing method, and laser method. It can be formed in a predetermined area using various methods such as thermal transfer (Laser Induced Thermal Imaging, LITI).

진공 증착법에 의하여 상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층을 각각 형성할 경우, 증착 조건은, 예를 들면, 약 100 내지 약 500℃의 증착 온도, 약 10-8 내지 약 10-3 torr의 진공도 및 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다. When forming each layer included in the hole transport region, the light emitting layer, and each layer included in the electron transport region by vacuum deposition, the deposition conditions are, for example, a deposition temperature of about 100 to about 500° C., about 10 A vacuum degree of -8 to about 10 -3 torr and a deposition rate of about 0.01 to about 100 Å/sec may be selected in consideration of the materials to be included in the layer to be formed and the structure of the layer to be formed.

[용어의 정의][Definition of Terms]

본 명세서 중 C3-C60카보시클릭 그룹은 고리-형성 원자로서 탄소로만 이루어진 탄소수 3 내지 60의 시클릭 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로시클릭 그룹은, 탄소 외에, 고리-형성 원자로서 헤테로 원자를 더 포함한 탄소수 1 내지 60의 시클릭 그룹을 의미한다. 상기 C3-C60카보시클릭 그룹 및 C1-C60헤테로시클릭 그룹 각각은, 1개의 고리로 이루어진 모노시클릭 그룹 또는 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있는 폴리시클릭 그룹일 수 있다. 예를 들어, 상기 C1-C60헤테로시클릭 그룹의 고리-형성 원자수는 3 내지 61개일 수 있다.As used herein, a C 3 -C 60 carbocyclic group refers to a cyclic group with 3 to 60 carbon atoms consisting only of carbon as a ring-forming atom, and a C 1 -C 60 heterocyclic group refers to a cyclic group containing, in addition to carbon, ring-forming atoms. It refers to a cyclic group with 1 to 60 carbon atoms that further contains a hetero atom as an atom. Each of the C 3 -C 60 carbocyclic group and C 1 -C 60 heterocyclic group may be a monocyclic group consisting of one ring or a polycyclic group in which two or more rings are condensed with each other. For example, the number of ring-forming atoms of the C 1 -C 60 heterocyclic group may be 3 to 61.

본 명세서 중 시클릭 그룹은 상기 C3-C60카보시클릭 그룹 및 C1-C60헤테로시클릭 그룹 모두를 포함한다.As used herein, cyclic groups include both the C 3 -C 60 carbocyclic group and the C 1 -C 60 heterocyclic group.

본 명세서 중 π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹(π electron-rich C3-C60 cyclic group)은 고리 형성 모이어티로서 *-N=*'를 비포함한 탄소수 3 내지 60의 시클릭 그룹을 의미하고, π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹(π electron-deficient nitrogen-containing C1-C60 cyclic group)은 고리 형성 모이어티로서 *-N=*'를 포함한 탄소수 1 내지 60의 헤테로시클릭 그룹을 의미한다.As used herein, the π electron-rich C 3 -C 60 cyclic group is a ring-forming moiety and is a cyclic group having 3 to 60 carbon atoms excluding *-N=*'. refers to a group, and the π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group is a ring-forming moiety containing *-N=*'. It refers to a heterocyclic group having 1 to 60 carbon atoms.

예를 들어,for example,

상기 C3-C60카보시클릭 그룹은, i) 그룹 T1 또는 ii) 2 이상의 그룹 T1이 서로 축합된 축합환 그룹 (예를 들면, 시클로펜타디엔 그룹, 아다만탄 그룹, 노르보르난 그룹, 벤젠 그룹, 펜탈렌 그룹, 나프탈렌 그룹, 아줄렌 그룹, 인다센 그룹, 아세나프틸렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 헵탈렌 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 헥사센 그룹, 펜타센 그룹, 루비센 그룹, 코로넨 그룹, 오발렌 그룹, 인덴 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 인데노페난트렌 그룹, 또는 인데노안트라센 그룹)일 수 있고, The C 3 -C 60 carbocyclic group is i) group T1 or ii) a condensed ring group in which two or more groups T1 are condensed with each other (e.g., cyclopentadiene group, adamantane group, norbornane group, Benzene group, pentalene group, naphthalene group, azulene group, indacene group, acenaphthylene group, phenalene group, phenanthrene group, anthracene group, fluoranthene group, triphenylene group, pyrene group, chrysene group, perylene group, pentaphene group, hepthalene group, naphthacene group, picene group, hexacene group, pentacene group, rubicene group, coronene group, ovalene group, indene group, fluorene group, spiro -bifluorene group, benzofluorene group, indenophenanthrene group, or indenoanthracene group),

상기 C1-C60헤테로시클릭 그룹은 i) 그룹 T2, ii) 2 이상의 그룹 T2가 서로 축합된 축합환 그룹 또는 iii) 1 이상의 그룹 T2와 1 이상의 그룹 T1이 서로 축합된 축합환 그룹 (예를 들면, 피롤 그룹, 티오펜 그룹, 퓨란 그룹, 인돌 그룹, 벤조인돌 그룹, 나프토인돌 그룹, 이소인돌 그룹, 벤조이소인돌 그룹, 나프토이소인돌 그룹, 벤조실롤 그룹, 벤조티오펜 그룹, 벤조퓨란 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조실롤 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 인데노카바졸 그룹, 인돌로카바졸 그룹, 벤조퓨로카바졸 그룹, 벤조티에노카바졸 그룹, 벤조실롤로카바졸 그룹, 벤조인돌로카바졸 그룹, 벤조카바졸 그룹, 벤조나프토퓨란 그룹, 벤조나프토티오펜 그룹, 벤조나프토실롤 그룹, 벤조퓨로디벤조퓨란 그룹, 벤조퓨로디벤조티오펜 그룹, 벤조티에노디벤조티오펜 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조이속사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조이소티아졸 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 벤조퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 벤조퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 시놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹, 이미다조트리아진 그룹, 이미다조피라진 그룹, 이미다조피리다진 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹 등)일 수 있고, The C 1 -C 60 heterocyclic group is i) a group T2, ii) a condensed ring group in which two or more groups T2 are condensed with each other, or iii) a condensed ring group in which one or more groups T2 and one or more groups T1 are condensed with each other (e.g. For example, pyrrole group, thiophene group, furan group, indole group, benzoindole group, naphthoindole group, isoindole group, benzoisoindole group, naphthoisoindole group, benzosilol group, benzothiophene group, benzoyl group. Furan group, carbazole group, dibenzosilol group, dibenzothiophene group, dibenzofuran group, indenocarbazole group, indolocarbazole group, benzofurocarbazole group, benzothienocarbazole group, benzo Silolocarbazole group, benzoindolocarbazole group, benzocarbazole group, benzonaphthofuran group, benzonaphthothiophene group, benzonaphthosilol group, benzofurodibenzofuran group, benzofurodibenzothiophene group , benzothienodibenzothiophene group, pyrazole group, imidazole group, triazole group, oxazole group, isoxazole group, oxadiazole group, thiazole group, isothiazole group, thiadiazole group, benzopyra Sol group, benzimidazole group, benzoxazole group, benzoisoxazole group, benzothiazole group, benzoisothiazole group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group, quinoline group, Isoquinoline group, benzoquinoline group, benzoisoquinoline group, quinoxaline group, benzoquinoxaline group, quinazoline group, benzoquinazoline group, phenanthroline group, cinnoline group, phthalazine group, naphthyridine group, Dazopyridine group, imidazopyrimidine group, imidazotriazine group, imidazopyrazine group, imidazopyridazine group, azacarbazole group, azafluorene group, azadibenzosilol group, azadibenzothiophene group , azadibenzofuran group, etc.),

상기 π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹은 i) 그룹 T1, ii) 2 이상의 그룹 T1이 서로 축합된 축합환 그룹, iii) 그룹 T3, iv) 2 이상의 그룹 T3가 서로 축합된 축합환 그룹 또는 v) 1 이상의 그룹 T3와 1 이상의 그룹 T1이 서로 축합된 축합환 그룹 (예를 들면, 상기 C3-C60카보시클릭 그룹, 1H-피롤 그룹, 실롤 그룹, 보롤(borole) 그룹, 2H-피롤 그룹, 3H-피롤 그룹, 티오펜 그룹, 퓨란 그룹, 인돌 그룹, 벤조인돌 그룹, 나프토인돌 그룹, 이소인돌 그룹, 벤조이소인돌 그룹, 나프토이소인돌 그룹, 벤조실롤 그룹, 벤조티오펜 그룹, 벤조퓨란 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조실롤 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 인데노카바졸 그룹, 인돌로카바졸 그룹, 벤조퓨로카바졸 그룹, 벤조티에노카바졸 그룹, 벤조실롤로카바졸 그룹, 벤조인돌로카바졸 그룹, 벤조카바졸 그룹, 벤조나프토퓨란 그룹, 벤조나프토티오펜 그룹, 벤조나프토실롤 그룹, 벤조퓨로디벤조퓨란 그룹, 벤조퓨로디벤조티오펜 그룹, 벤조티에노디벤조티오펜 그룹 등)일 수 있고, The π electron-excess C 3 -C 60 cyclic group is i) group T1, ii) a condensed ring group in which two or more groups T1 are condensed with each other, iii) group T3, iv) a condensed ring in which two or more groups T3 are condensed with each other. group or v) a condensed ring group in which one or more groups T3 and one or more groups T1 are condensed with each other (e.g., the C 3 -C 60 carbocyclic group, 1H-pyrrole group, silole group, borole group, 2H-pyrrole group, 3H-pyrrole group, thiophene group, furan group, indole group, benzoindole group, naphthoindole group, isoindole group, benzoisoindole group, naphthoisoindole group, benzosilol group, benzoti ophene group, benzofuran group, carbazole group, dibenzosilol group, dibenzothiophene group, dibenzofuran group, indenocarbazole group, indolocarbazole group, benzofurocarbazole group, benzothienocarba Sol group, benzosilolocarbazole group, benzoindolocarbazole group, benzocarbazole group, benzonaphthofuran group, benzonaphthothiophene group, benzonaphthosilol group, benzofurodibenzofuran group, benzofurodi benzothiophene group, benzothienodibenzothiophene group, etc.),

상기 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹은 i) 그룹 T4, ii) 2 이상의 그룹 T4가 서로 축합된 축합환 그룹, iii) 1 이상의 그룹 T4와 1 이상의 그룹 T1이 서로 축합된 축합환 그룹, iv) 1 이상의 그룹 T4와 1 이상의 그룹 T3가 서로 축합된 축합환 그룹 또는 v) 1 이상의 그룹 T4, 1 이상의 그룹 T1 및 1 이상의 그룹 T3가이 서로 축합된 축합환 그룹 (예를 들면, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조이속사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조이소티아졸 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 벤조퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 벤조퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 시놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹, 이미다조트리아진 그룹, 이미다조피라진 그룹, 이미다조피리다진 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹 등)일 수 있고, The π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group is i) group T4, ii) a condensed ring group in which two or more groups T4 are condensed with each other, iii) one or more groups T4 and one or more groups T1 are condensed with each other. a condensed ring group, iv) a condensed ring group in which one or more groups T4 and one or more groups T3 are condensed with each other, or v) a condensed ring group in which one or more groups T4, one or more groups T1 and one or more groups T3 are condensed with each other (e.g. For example, pyrazole group, imidazole group, triazole group, oxazole group, isoxazole group, oxadiazole group, thiazole group, isothiazole group, thiadiazole group, benzopyrazole group, benzimidazole group. , benzooxazole group, benzoisoxazole group, benzothiazole group, benzoisothiazole group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group, quinoline group, isoquinoline group, benzoquinoline group. , benzoisoquinoline group, quinoxaline group, benzoquinoxaline group, quinazoline group, benzoquinazoline group, phenanthroline group, cinoline group, phthalazine group, naphthyridine group, imidazopyridine group, imidazopyridine group. Limidine group, imidazotriazine group, imidazopyrazine group, imidazopyridazine group, azacarbazole group, azafluorene group, azadibenzosilol group, azadibenzothiophene group, azadibenzofuran group, etc. ) can be,

상기 그룹 T1은, 시클로프로판 그룹, 시클로부탄 그룹, 시클로펜탄 그룹, 시클로헥산 그룹, 시클로헵탄 그룹, 시클로옥탄 그룹, 시클로부텐 그룹, 시클로펜텐 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 시클로헥센 그룹, 시클로헥사디엔 그룹, 시클로헵텐 그룹, 아다만탄(adamantane) 그룹, 노르보르난(norbornane) (또는, 비시클로[2.2.1]헵탄 (bicyclo[2.2.1]heptane)) 그룹, 노르보르넨(norbornene) 그룹, 비시클로[1.1.1]펜탄 (bicyclo[1.1.1]pentane) 그룹, 비시클로[2.1.1]헥산 (bicyclo[2.1.1]hexane) 그룹, 비시클로[2.2.2]옥탄 그룹, 또는 벤젠 그룹이고, The group T1 is a cyclopropane group, a cyclobutane group, a cyclopentane group, a cyclohexane group, a cycloheptane group, a cyclooctane group, a cyclobutene group, a cyclopentene group, a cyclopentadiene group, a cyclohexene group, and a cyclohexadiene group. , cycloheptene group, adamantane group, norbornane (or, bicyclo[2.2.1]heptane) group, norbornene group, bicyclo[1.1.1]pentane group, bicyclo[2.1.1]hexane group, bicyclo[2.2.2]octane group, or benzene It's a group,

상기 그룹 T2는, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 1H-피롤 그룹, 실롤 그룹, 보롤(borole) 그룹, 2H-피롤 그룹, 3H-피롤 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸(isoxazole) 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 아자실롤 그룹, 아자보롤 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 테트라진 그룹, 피롤리딘 그룹, 이미다졸리딘 그룹, 디히드로피롤 그룹, 피페리딘 그룹, 테트라히드로피리딘 그룹, 디히드로피리딘 그룹, 헥사히드로피리미딘 그룹, 테트라히드로피리미딘 그룹, 디히드로피리미딘 그룹, 피페라진 그룹, 페트라히드로피라진 그룹, 디히드로피라진 그룹, 테트라히드로피리다진 그룹, 또는 디히드로피리다진 그룹이고, The group T2 is a furan group, thiophene group, 1H-pyrrole group, silole group, borole group, 2H-pyrrole group, 3H-pyrrole group, imidazole group, pyrazole group, triazole group, tetrazole group, oxazole group, isoxazole group, oxadiazole group, thiazole group, isothiazole group, thiadiazole group, azacylol group, azabolol group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, Pyridazine group, triazine group, tetrazine group, pyrrolidine group, imidazolidine group, dihydropyrrole group, piperidine group, tetrahydropyridine group, dihydropyridine group, hexahydropyrimidine group, tetra A hydropyrimidine group, a dihydropyrimidine group, a piperazine group, a petrahydropyrazine group, a dihydropyrazine group, a tetrahydropyridazine group, or a dihydropyridazine group,

상기 그룹 T3는, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 1H-피롤 그룹, 실롤 그룹, 또는 보롤(borole) 그룹이고,The group T3 is a furan group, a thiophene group, a 1H-pyrrole group, a silole group, or a borole group,

상기 그룹 T4는, 2H-피롤 그룹, 3H-피롤 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸(isoxazole) 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 아자실롤 그룹, 아자보롤 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹 또는 테트라진 그룹일 수 있다. The group T4 is 2H-pyrrole group, 3H-pyrrole group, imidazole group, pyrazole group, triazole group, tetrazole group, oxazole group, isoxazole group, oxadiazole group, thiazole group. , isothiazole group, thiadiazole group, azacylol group, azaborole group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group or tetrazine group.

본 명세서 중 시클릭 그룹, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹 또는 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹이란 용어는, 당해 용어가 사용된 화학식의 구조에 따라, 임의의 시클릭 그룹에 축합되어 있는 그룹, 1가 그룹 또는 다가 그룹(예를 들면, 2가 그룹, 3가 그룹, 4가 그룹 등)일 수 있다. 예를 들어, "벤젠 그룹"은 벤조 그룹, 페닐기, 페닐렌기 등일 수 있는데, 이는 "벤젠 그룹"이 포함된 화학식의 구조에 따라, 당업자가 용이하게 이해할 수 있는 것이다. As used herein, a cyclic group, a C 3 -C 60 carbocyclic group, a C 1 -C 60 heterocyclic group, a π electron-excessive C 3 -C 60 cyclic group, or a π electron-deficient nitrogen-containing C 1 - The term C 60 cyclic group refers to a group condensed to any cyclic group, a monovalent group, or a multivalent group (e.g., a divalent group, a trivalent group, 4 group, etc.). For example, the “benzene group” may be a benzo group, a phenyl group, a phenylene group, etc., which can be easily understood by those skilled in the art, depending on the structure of the chemical formula containing the “benzene group”.

예를 들어, 1가 C3-C60카보시클릭 그룹 및 1가 C1-C60헤테로시클릭 그룹의 예는, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹을 포함할 수 있고, 2가 C3-C60카보시클릭 그룹 및 1가 C1-C60헤테로시클릭 그룹의 예는, C3-C10시클로알킬렌기, C1-C10헤테로시클로알킬렌기, C3-C10시클로알케닐렌기, C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, C6-C60아릴렌기, C1-C60헤테로아릴렌기, 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹을 포함할 수 있다.For example, examples of monovalent C 3 -C 60 carbocyclic groups and monovalent C 1 -C 60 heterocyclic groups include C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and monovalent non-aromatic hetero It may include a condensed polycyclic group, and examples of the divalent C 3 -C 60 carbocyclic group and monovalent C 1 -C 60 heterocyclic group include C 3 -C 10 cycloalkylene group, C 1 -C 10 Heterocycloalkylene group, C 3 -C 10 cycloalkenylene group, C 1 -C 10 heterocycloalkenylene group, C 6 -C 60 arylene group, C 1 -C 60 heteroarylene group, divalent non-aromatic condensed polycyclic groups, and substituted or unsubstituted divalent non-aromatic heterocondensed polycyclic groups.

본 명세서 중 C1-C60알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, 3-펜틸기, sec-이소펜틸기, n-헥실기, 이소헥실기, sec-헥실기, tert-헥실기, n-헵틸기, 이소헵틸기, sec-헵틸기, tert-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, sec-노닐기, tert-노닐기, n-데실기, 이소데실기, sec-데실기, tert-데실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. As used herein, C 1 -C 60 alkyl group refers to a linear or branched aliphatic hydrocarbon monovalent group having 1 to 60 carbon atoms, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n -propyl group, isopropyl group, n -butyl group, sec -butyl group, isobutyl group, tert -butyl group, n -pentyl group, tert -pentyl group, neopentyl group, isopentyl group, sec -pentyl group, 3-pentyl group, sec -iso Pentyl group, n -hexyl group, isohexyl group, sec -hexyl group, tert -hexyl group, n -heptyl group, isoheptyl group, sec -heptyl group, tert -heptyl group, n -octyl group, isooctyl group, sec -octyl group, tert -octyl group, n -nonyl group, isononyl group, sec -nonyl group, tert -nonyl group, n -decyl group, isodecyl group, sec -decyl group, tert -decyl group, etc. . As used herein, the C 1 -C 60 alkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 1 -C 60 alkyl group.

본 명세서 중 C2-C60알케닐기는, C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함한 1가 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다. As used herein, the C 2 -C 60 alkenyl group refers to a monovalent hydrocarbon group containing one or more carbon-carbon double bonds in the middle or end of the C 2 -C 60 alkyl group, and specific examples thereof include ethenyl group and propenyl group. , butenyl group, etc. As used herein, the C 2 -C 60 alkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 2 -C 60 alkenyl group.

본 명세서 중 C2-C60알키닐기는, C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함한 1가 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는, 에티닐기, 프로피닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다. As used herein, the C 2 -C 60 alkynyl group refers to a monovalent hydrocarbon group containing one or more carbon-carbon triple bonds in the middle or end of the C 2 -C 60 alkyl group, and specific examples thereof include ethynyl group and propynyl group. etc. are included. As used herein, the C 2 -C 60 alkynylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 2 -C 60 alkynyl group.

본 명세서 중 C1-C60알콕시기는, -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다. As used herein, C 1 -C 60 alkoxy group refers to a monovalent group having the formula -OA 101 (where A 101 is the C 1 -C 60 alkyl group), and specific examples thereof include methoxy group and ethoxy group. , isopropyloxy group, etc.

본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl)(또는, 비시클로[2.2.1]헵틸기(bicyclo[2.2.1]heptyl)), 비시클로[1.1.1]펜틸기(bicyclo[1.1.1]pentyl), 비시클로[2.1.1]헥실기(bicyclo[2.1.1]hexyl), 비시클로[2.2.2]옥틸기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, C 3 -C 10 cycloalkyl group refers to a monovalent saturated hydrocarbon cyclic group having 3 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, and cyclohepyl group. Tyl group, cyclooctyl group, adamantanyl, norbornanyl (or bicyclo[2.2.1]heptyl), bicyclo[1.1.1]phen These include bicyclo[1.1.1]pentyl, bicyclo[2.1.1]hexyl, and bicyclo[2.2.2]octyl. As used herein, the C 3 -C 10 cycloalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 3 -C 10 cycloalkyl group.

본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는, 탄소 원자 외에, 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 더 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 1,2,3,4-옥사트리아졸리디닐기(1,2,3,4-oxatriazolidinyl), 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, a C 1 -C 10 heterocycloalkyl group refers to a monovalent cyclic group having 1 to 10 carbon atoms that further contains at least one hetero atom as a ring-forming atom in addition to a carbon atom, and specific examples thereof include 1, Includes 2,3,4-oxatriazolidinyl group (1,2,3,4-oxatriazolidinyl), tetrahydrofuranyl group, tetrahydrothiophenyl group, etc. As used herein, the C 1 -C 10 heterocycloalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 1 -C 10 heterocycloalkyl group.

본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromaticity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, C 3 -C 10 cycloalkenyl group refers to a monovalent cyclic group having 3 to 10 carbon atoms, which has at least one carbon-carbon double bond in the ring, but does not have aromaticity. Specific examples thereof include cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, cycloheptenyl group, etc. As used herein, the C 3 -C 10 cycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 3 -C 10 cycloalkenyl group.

본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐기는 탄소 원자 외에, 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 더 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예에는, 4,5-디히드로-1,2,3,4-옥사트리아졸일기, 2,3-디히드로퓨라닐기, 2,3-디히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, a C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group is a monovalent cyclic group having 1 to 10 carbon atoms, which further contains at least one hetero atom as a ring-forming atom in addition to a carbon atom, and has at least one double bond in the ring. have Specific examples of the C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group include 4,5-dihydro-1,2,3,4-oxatriazolyl group, 2,3-dihydrofuranyl group, 2,3-dihydro Thiophenyl group, etc. are included. As used herein, the C 1 -C 10 heterocycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group.

본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예에는, 페닐기, 펜탈레닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헵탈레닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기 등을 포함된다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다. As used herein, the C 6 -C 60 aryl group refers to a monovalent group having a carbocyclic aromatic system having 6 to 60 carbon atoms, and the C 6 -C 60 arylene group refers to a carbocyclic aromatic system having 6 to 60 carbon atoms. It means a divalent group with . Specific examples of the C 6 -C 60 aryl group include phenyl group, pentalenyl group, naphthyl group, azulenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, and fluoranthenyl group. , triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, Includes hepthalenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubisenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, etc. When the C 6 -C 60 aryl group and the C 6 -C 60 arylene group include two or more rings, the two or more rings may be condensed with each other.

본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 탄소 원자 외에, 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 더 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로아릴렌기는 탄소 원자 외에, 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 더 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기의 구체예에는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 벤조퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤조퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트롤리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기 등이 포함된다. 상기 C1-C60헤테로아릴기 및 C1-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다. As used herein, C 1 -C 60 heteroaryl group refers to a monovalent group that further contains at least one hetero atom as a ring-forming atom in addition to a carbon atom and has a heterocyclic aromatic system having 1 to 60 carbon atoms, and C 1 -C 60 heteroarylene group refers to a divalent group that, in addition to carbon atoms, further contains at least one hetero atom as a ring-forming atom and has a heterocyclic aromatic system of 1 to 60 carbon atoms. Specific examples of the C 1 -C 60 heteroaryl group include pyridinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinolinyl group, benzoquinolinyl group, isoquinolinyl group, and benzoyl group. Includes isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, benzoquinoxalinyl group, quinazolinyl group, benzoquinazolinyl group, cynolinyl group, phenanthrolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, etc. When the C 1 -C 60 heteroaryl group and the C 1 -C 60 heteroarylene group include two or more rings, the two or more rings may be condensed with each other.

본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromaticity)을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예에는, 인데닐기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 인데노페난트레닐기, 인데노안트라세닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group has two or more rings condensed with each other, contains only carbon as a ring forming atom, and the entire molecule is non-aromatic. It means a monovalent group having (for example, having 8 to 60 carbon atoms). Specific examples of the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group include indenyl group, fluorenyl group, spiro-bifluorenyl group, benzofluorenyl group, indenophenanthrenyl group, indenoanthracenyl group, etc. As used herein, a divalent non-aromatic condensed polycyclic group refers to a divalent group having the same structure as the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group.

본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 원자 외에 적어도 하나의 헤테로 원자를 더 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 1 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 구체예에는, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 인돌일기, 벤조인돌일기, 나프토인돌일기, 이소인돌일기, 벤조이소인돌일기, 나프토이소인돌일기, 벤조실롤일기, 벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 카바졸일기, 디벤조실롤일기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 아자카바졸일기, 아자플루오레닐기, 아자디벤조실롤일기, 아자디벤조티오페닐기, 아자디벤조퓨라닐기, 피라졸일기, 이미다졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사졸일기, 이소옥사졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사디아졸일기, 티아디아졸일기, 벤조피라졸일기, 벤조이미다졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조옥사디아졸일기, 벤조티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 이미다조트리아지닐기, 이미다조피라지닐기, 이미다조피리다지닐기, 인데노카바졸일기, 인돌로카바졸일기, 벤조퓨로카바졸일기, 벤조티에노카바졸일기, 벤조실롤로카바졸일기, 벤조인돌로카바졸일기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 벤조나프토실롤일기, 벤조퓨로디벤조퓨라닐기, 벤조퓨로디벤조티오페닐기, 벤조티에노디벤조티오페닐기, 등이 포함된다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, a monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group has two or more rings condensed with each other, further contains at least one hetero atom in addition to a carbon atom as a ring-forming atom, and the entire molecule is It refers to a monovalent group having non-aromatic properties (e.g., having 1 to 60 carbon atoms). Specific examples of the monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group include pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, indolyl group, benzoindolyl group, naphthoindolyl group, isoindoleyl group, benzoisoindolyl group, naphthoisoindolyl group. , benzosilolyl group, benzothiophenyl group, benzofuranyl group, carbazolyl group, dibenzosilolyl group, dibenzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, azacarbazolyl group, azafluorenyl group, azadibenzosilolyl group, azadi Benzothiophenyl group, azadibenzofuranyl group, pyrazolyl group, imidazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxadiazolyl group, thiazolyl group Diazolyl group, benzopyrazolyl group, benzoimidazolyl group, benzooxazolyl group, benzothiazolyl group, benzoxadiazolyl group, benzothiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group, imidazo Triazinyl group, imidazopyrazinyl group, imidazopyridazinyl group, indenocarbazolyl group, indolocarbazolyl group, benzofurocarbazolyl group, benzothienocarbazolyl group, benzosilolocarbazolyl group, Benzoindolocarbazolyl group, benzocarbazolyl group, benzonaphthofuranyl group, benzonaphthothiophenyl group, benzonaphthosilolyl group, benzofurodibenzofuranyl group, benzofurodibenzothiophenyl group, benzothienodibenzothiophenyl group , etc. are included. As used herein, a divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group refers to a divalent group having the same structure as the monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.

본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.As used herein, the C 6 -C 60 aryloxy group refers to -OA 102 (where A 102 is the C 6 -C 60 aryl group), and the C 6 -C 60 arylthio group refers to -SA 103 (where A 102 is the C 6 -C 60 aryl group). , A 103 refers to the C 6 -C 60 aryl group).

본 명세서 중 C7-C60아릴알킬기는 -A104A105(여기서, A104는 C1-C54알킬렌기이고, A105는 C6-C59아릴기임)를 가리키고, 본 명세서 중 C2-C60헤테로아릴알킬기는 -A106A107(여기서, A106은 C1-C59알킬렌기이고, A107은 C1-C59헤테로아릴기임)를 가리킨다.As used herein, C 7 -C 60 arylalkyl group refers to -A 104 A 105 (where A 104 is a C 1 -C 54 alkylene group and A 105 is a C 6 -C 59 aryl group), and as used herein, C 2 -C 60 heteroarylalkyl group refers to -A 106 A 107 (where A 106 is a C 1 -C 59 alkylene group and A 107 is a C 1 -C 59 heteroaryl group).

본 명세서 중 "R10a"는, In this specification, “R 10a ” means,

중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 또는 니트로기; Deuterium (-D), -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, or nitro group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, C2-C60헤테로아릴알킬기, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11), -P(=O)(Q11)(Q12), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, 또는 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 3 -C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryl Oxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 7 -C 60 arylalkyl group, C 2 -C 60 heteroarylalkyl group, -Si(Q 11 )(Q 12 )(Q 13 ), -N(Q 11 ) (Q 12 ), -B(Q 11 )(Q 12 ), -C(=O)(Q 11 ), -S(=O) 2 (Q 11 ), -P(=O)(Q 11 )( Q 12 ), or substituted or unsubstituted with any combination thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, or C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, C2-C60헤테로아릴알킬기, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21), -P(=O)(Q21)(Q22), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, 또는 C2-C60헤테로아릴알킬기; 또는Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 - C 60 alkoxy group, C 3 -C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 7 -C 60 arylalkyl group , C 2 -C 60 heteroarylalkyl group, -Si(Q 21 )(Q 22 )(Q 23 ), -N(Q 21 )(Q 22 ), -B(Q 21 )(Q 22 ), -C( =O)(Q 21 ), -S(=O) 2 (Q 21 ), -P(=O)(Q 21 )(Q 22 ), or any combination thereof, substituted or unsubstituted, C 3 - C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 7 -C 60 arylalkyl group, or C 2 -C 60 hetero Arylalkyl group; or

-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), 또는 -P(=O)(Q31)(Q32);-Si(Q 31 )(Q 32 )(Q 33 ), -N(Q 31 )(Q 32 ), -B(Q 31 )(Q 32 ), -C(=O)(Q 31 ), -S (=O) 2 (Q 31 ), or -P(=O)(Q 31 )(Q 32 );

일 수 있다.It can be.

본 명세서 중 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; 히드록실기; 시아노기; 니트로기; 또는 중수소, -F, 시아노기, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹일 수 있다. In this specification, Q 1 to Q 3 , Q 11 to Q 13 , Q 21 to Q 23 and Q 31 to Q 33 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; -F; -Cl; -Br; -I; hydroxyl group; Cyano group; nitro group; or C 1 -C 60 alkyl group, C 2 substituted or unsubstituted with deuterium, -F, cyano group, C 1 -C 60 alkyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, or any combination thereof. It may be a -C 60 alkenyl group, a C 2 -C 60 alkynyl group, a C 1 -C 60 alkoxy group, a C 3 -C 60 carbocyclic group, or a C 1 -C 60 heterocyclic group.

본 명세서 중 헤테로 원자는, 탄소 원자를 제외한 임의의 원자를 의미한다. 상기 헤테로 원자의 예는, O, S, N, P, Si, B, Ge, Se, 또는 이의 임의의 조합을 포함한다. In this specification, a hetero atom means any atom other than a carbon atom. Examples of such heteroatoms include O, S, N, P, Si, B, Ge, Se, or any combination thereof.

본 명세서 중 제3열 전이 금속(third-row transition metal)은 하프늄(Hf), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 및 금(Au) 등을 포함한다.In this specification, third-row transition metals include hafnium (Hf), tantalum (Ta), tungsten (W), rhenium (Re), osmium (Os), iridium (Ir), and platinum (Pt). ) and gold (Au).

본 명세서 중 "Ph"은 페닐기를 의미하고, "Me"은 메틸기를 의미하고, "Et"은 에틸기를 의미하고, "ter-Bu" 또는 "But"은 tert-부틸기를 의미하고, "OMe"는 메톡시기를 의미한다. In this specification, “Ph” refers to a phenyl group, “Me” refers to a methyl group, “Et” refers to an ethyl group, “ter-Bu” or “Bu t ” refers to a tert-butyl group, and “OMe " means a methoxy group.

본 명세서 중 "비페닐기"는 "페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "비페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다. As used herein, “biphenyl group” means “a phenyl group substituted with a phenyl group.” The “biphenyl group” belongs to the “substituted phenyl group” in which the substituent is a “C 6 -C 60 aryl group”.

본 명세서 중 "터페닐기"는 "비페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "터페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기로 치환된 C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.As used herein, “terphenyl group” means “a phenyl group substituted with a biphenyl group.” The “terphenyl group” belongs to the “substituted phenyl group” in which the substituent is a “C 6 -C 60 aryl group substituted with a C 6 -C 60 aryl group.”

본 명세서 중 * 및 *'은, 다른 정의가 없는 한, 해당 화학식 또는 모이어티 중 이웃한 원자와의 결합 사이트를 의미한다.In this specification, * and *', unless otherwise defined, mean a binding site with a neighboring atom in the corresponding chemical formula or moiety.

이하에서, 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. Below, a light-emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in more detail through examples.

[실시예] [Example]

평가예 1Evaluation example 1

표 1의 방법에 따라 표 2 내지 8에 기재된 화합물 각각의 HOMO 에너지 레벨, LUMO 에너지 레벨, 정공 이동도, 전자 이동도 및/또는 삼중항(T1) 에너지를 평가하여, 그 결과를 표 2 내지 8 각각에 나타내었다. The HOMO energy level, LUMO energy level, hole mobility, electron mobility and/or triplet (T 1 ) energy of each of the compounds listed in Tables 2 to 8 were evaluated according to the method in Table 1, and the results are shown in Tables 2 to 8. 8 are shown for each.

HOMO 에너지 레벨 평가 방법How to Evaluate HOMO Energy Levels Cyclic voltammetry (CV) (전해질: 0.1 M Bu4NPF6 / 용매: DMF (dimethylforamide)을 / 전극: 3전극 시스템(작업전극: GC, 기준전극: Ag/AgCl, 보조전극: Pt))를 이용하여 각 화합물의 전위(V)-전류(A) 그래프를 얻을 후, 상기 그래프의 산화 온셋(oxidation onset)으로부터 각 화합물의 HOMO 에너지 레벨을 계산함Cyclic voltammetry (CV) (electrolyte: 0.1 M Bu 4 NPF 6 / solvent: DMF (dimethylforamide) / electrode: using a 3-electrode system (working electrode: GC, reference electrode: Ag/AgCl, auxiliary electrode: Pt)) After obtaining the potential (V)-current (A) graph of each compound, calculate the HOMO energy level of each compound from the oxidation onset of the graph. LUMO 에너지 레벨 평가 방법How to Evaluate LUMO Energy Levels Cyclic voltammetry (CV) (전해질: 0.1 M Bu4NPF6 / 용매: DMF (dimethylforamide)을 / 전극: 3전극 시스템(작업전극: GC, 기준전극: Ag/AgCl, 보조전극: Pt))를 이용하여 각 화합물의 전위(V)-전류(A) 그래프를 얻을 후, 상기 그래프의 환원 온셋(reduction onset)으로부터 각 화합물의 LUMO 에너지 레벨을 계산함Cyclic voltammetry (CV) (electrolyte: 0.1 M Bu 4 NPF 6 / solvent: DMF (dimethylforamide) / electrode: using a 3-electrode system (working electrode: GC, reference electrode: Ag/AgCl, auxiliary electrode: Pt)) After obtaining the potential (V)-current (A) graph of each compound, calculate the LUMO energy level of each compound from the reduction onset of the graph. 정공 이동도 및 전자 이동도 평가 방법Method for evaluating hole mobility and electron mobility "Hole mobility of N,N'-bis(naphtanlen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine investigated by using space-charge-limited currents, 'Appl. Phys. Lett. 90, 203512 (2007)"에 기재된, 공간 전하 제한 전류 (Space-charge-limited current, SCLC) 방법을 이용하여 평가함"Hole mobility of N,N'-bis(naphtanlen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine investigated by using space-charge-limited currents, 'Appl. Phys. Lett. 90, 203512 (2007 )", evaluated using the space-charge-limited current (SCLC) method described in 삼중항(T1) 에너지Triplet (T 1 ) Energy 2-methyl-THF(2-MeTHF)와 각 화합물의 혼합물 (2-MeTHF 3 mL에 각 화합물의 농도가 10 mM가 되도록 녹임)을 석영 셀에 넣은 후 액체 질소 (77 K) 를 포함하는 cryostat (Oxford, DN) 에 넣고 발광 측정 기기 (PTI, Quanta Master 400)를 이용하여 인광 스펙트럼을 측정한 후, 상기 인광 스펙트럼의 피크 (peak) 파장으로부터 삼중항 에너지 레벨을 계산함A mixture of 2-methyl-THF (2-MeTHF) and each compound (dissolve each compound in 3 mL of 2-MeTHF to a concentration of 10 mM) was placed in a quartz cell and then placed in a cryostat containing liquid nitrogen (77 K). Oxford, DN) and measured the phosphorescence spectrum using a luminescence measurement instrument (PTI, Quanta Master 400), and then calculated the triplet energy level from the peak wavelength of the phosphorescence spectrum.

제3물질third substance HOMO
에너지 레벨
(eV)
HOMO
energy level
(eV)
LUMO
에너지 레벨
(eV)
LUMO
energy level
(eV)
정공 이동도
(cm2/Vs)
hole mobility
( cm2 /Vs)
전자 이동도
(cm2/Vs)
electron mobility
( cm2 /Vs)
HT01HT01 -4.68-4.68 -1.20-1.20 7.64 x 10-5 7.64 x 10 -5 8.10 x 10-7 8.10 x 10 -7 HT02HT02 -4.69-4.69 -1.22-1.22 2.40 x 10-4 2.40 x 10 -4 7.86 x 10-6 7.86 x 10 -6 HT03HT03 -4.69-4.69 -1.21-1.21 4.24 x 10-4 4.24 x 10 -4 2.41 x 10-5 2.41 x 10 -5 HT04HT04 -4.69-4.69 -1.10-1.10 1.14 x 10-4 1.14 x 10 -4 1.38 x 10-6 1.38 x 10 -6 HT05HT05 -4.70-4.70 -1.15-1.15 6.79 x 10-4 6.79 x 10 -4 5.47 x 10-5 5.47 x 10 -5 HT06HT06 -4.70-4.70 -1.03-1.03 2.14 x 10-4 2.14 x 10 -4 3.73 x 10-6 3.73 x 10 -6 HT07HT07 -4.70-4.70 -1.13-1.13 1.61 x 10-4 1.61 x 10 -4 3.00 x 10-6 3.00 x 10 -6 HT08HT08 -4.71-4.71 -1.19-1.19 8.27 x 10-4 8.27 x 10 -4 7.97 x 10-5 7.97 x 10 -5 HT09HT09 -4.71-4.71 -1.28-1.28 2.47 x 10-4 2.47 x 10 -4 1.01 x 10-5 1.01 x 10 -5 HT10HT10 -4.72-4.72 -1.11-1.11 4.74 x 10-4 4.74 x 10 -4 2.11 x 10-5 2.11 x 10 -5 R-HT1R-HT1 -5.30-5.30 -1.36-1.36 2.22 x 10-5 2.22 x 10 -5 2.65 x 10-8 2.65 x 10 -8 HATHAT -9.05-9.05 -4.81-4.81 1.33 x 10-3 1.33 x 10 -3 7.02 x 10-3 7.02 x 10 -3 2-TNATA2-TNATA -4.65-4.65 -1.30-1.30 1.22 x 10-4 1.22 x 10 -4 2.23 x 10-5 2.23 x 10 -5 NPBNPB -5.00-5.00 -1.42-1.42 5.32 x 10-3 5.32 x 10 -3 1.35 x 10-3 1.35 x 10 -3

제2물질secondary substance HOMO
에너지 레벨
(eV)
HOMO
energy level
(eV)
LUMO
에너지 레벨
(eV)
LUMO
energy level
(eV)
정공 이동도
(cm2/Vs)
hole mobility
( cm2 /Vs)
전자 이동도
(cm2/Vs)
electron mobility
( cm2 /Vs)
G'01G'01 -4.81-4.81 -1.01-1.01 6.81 x 10-4 6.81 x 10 -4 2.93 x 10-5 2.93 x 10 -5 G'02G'02 -4.81-4.81 -1.19-1.19 7.54 x 10-4 7.54 x 10 -4 4.77 x 10-5 4.77 x 10 -5 G'03G'03 -4.81-4.81 -1.29-1.29 3.12 x 10-4 3.12 x 10 -4 1.16 x 10-5 1.16 x 10 -5 G'04G'04 -4.81-4.81 -1.27-1.27 2.31 x 10-4 2.31 x 10 -4 6.94 x 10-6 6.94 x 10 -6 G'05G'05 -5.08-5.08 -1.51-1.51 3.97 x 10-4 3.97 x 10 -4 2.29 x 10-5 2.29 x 10 -5 G'06G'06 -5.08-5.08 -1.51-1.51 9.86 x 10-4 9.86 x 10 -4 1.43 x 10-4 1.43 x 10 -4 G'07G'07 -5.08-5.08 -1.36-1.36 1.13 x 10-3 1.13 x 10 -3 9.51 x 10-5 9.51 x 10 -5 G'08G'08 -5.08-5.08 -1.51-1.51 2.68 x 10-4 2.68 x 10 -4 1.00 x 10-5 1.00 x 10 -5 G'09G'09 -5.08-5.08 -1.47-1.47 9.71 x 10-4 9.71 x 10 -4 9.58 x 10-5 9.58 x 10 -5 G'10G'10 -5.08-5.08 -1.36-1.36 9.23 x 10-4 9.23 x 10 -4 5.59 x 10-5 5.59 x 10 -5 R-G'1R-G'1 -5.30-5.30 -1.36-1.36 2.22 x 10-5 2.22 x 10 -5 2.65 x 10-8 2.65 x 10 -8 NPBNPB -5.00-5.00 -1.42-1.42 5.32 x 10-3 5.32 x 10 -3 1.35 x 10-3 1.35 x 10 -3 R-G'2R-G'2 -5.06-5.06 -1.20-1.20 3.44 x 10-3 3.44 x 10 -3 4.41 x 10-3 4.41 x 10 -3

제1물질first substance HOMO
에너지 레벨
(eV)
HOMO
energy level
(eV)
LUMO
에너지 레벨
(eV)
LUMO
energy level
(eV)
정공 이동도
(cm2/Vs)
hole mobility
( cm2 /Vs)
전자 이동도
(cm2/Vs)
electron mobility
( cm2 /Vs)
GI01GI01 -4.94-4.94 -1.33-1.33 1.41 x 10-4 1.41 x 10 -4 2.45 x 10-6 2.45 x 10 -6 GI02GI02 -4.94-4.94 -1.18-1.18 6.77 x 10-4 6.77 x 10 -4 3.18 x 10-5 3.18 x 10 -5 GI03GI03 -4.94-4.94 -1.24-1.24 1.58 x 10-4 1.58 x 10 -4 2.36 x 10-6 2.36 x 10 -6 GI04GI04 -4.94-4.94 -1.25-1.25 1.34 x 10-4 1.34 x 10 -4 1.45 x 10-6 1.45 x 10 -6 GI05GI05 -4.94-4.94 -1.64-1.64 4.46 x 10-4 4.46 x 10 -4 5.87 x 10-5 5.87 x 10 -5 GI06GI06 -4.94-4.94 -1.20-1.20 1.49 x 10-3 1.49 x 10 -3 1.64 x 10-4 1.64 x 10 -4 GI07GI07 -4.94-4.94 -1.63-1.63 1.73 x 10-4 1.73 x 10 -4 8.20 x 10-6 8.20 x 10 -6 GI08GI08 -4.94-4.94 -1.65-1.65 9.69 x 10-4 9.69 x 10 -4 2.24 x 10-4 2.24 x 10 -4 GI09GI09 -4.94-4.94 -1.59-1.59 1.06 x 10-3 1.06 x 10 -3 2.36 x 10-4 2.36 x 10 -4 R-GI1R-GI1 -5.52-5.52 -1.73-1.73 6.52 x 10-3 6.52 x 10 -3 4.79 x 10-3 4.79 x 10 -3 R-GI2R-GI2 -4.98-4.98 -1.30-1.30 5.23 x 10-3 5.23 x 10 -3 2.17 x 10-2 2.17 x 10 -2 R-GI3R-GI3 -5.14-5.14 -1.26-1.26 3.56 x 10-3 3.56 x 10 -3 5.15 x 10-3 5.15 x 10 -3

제1호스트first host HOMO
에너지 레벨
(eV)
HOMO
energy level
(eV)
LUMO
에너지 레벨
(eV)
LUMO
energy level
(eV)
정공 이동도
(cm2/Vs)
hole mobility
( cm2 /Vs)
전자 이동도
(cm2/Vs)
electron mobility
( cm2 /Vs)
Host1Host1 -4.97-4.97 -2.04-2.04 2.42 x 10-3 2.42 x 10 -3 4.37 x 10-5 4.37 x 10 -5 Host2Host2 -4.84-4.84 -2.08-2.08 2.33 x 10-3 2.33 x 10 -3 5.24 x 10-5 5.24 x 10 -5 Host3Host3 -4.88-4.88 -2.05-2.05 5.83 x 10-4 5.83 x 10 -4 2.95 x 10-6 2.95 x 10 -6 Host4Host4 -4.89-4.89 -2.12-2.12 2.43 x 10-3 2.43 x 10 -3 5.47 x 10-5 5.47 x 10 -5 R-Host1R-Host1 -5.14-5.14 -1.34-1.34 4.53 x 10-5 4.53 x 10 -5 2.50 x 10-7 2.50 x 10 -7 R-Host2R-Host2 -5.36-5.36 -2.27-2.27 1.77 x 10-4 1.77 x 10 -4 5.53 x 10-4 5.53 x 10 -4 R-Host3R-Host3 -5.23-5.23 -1.25-1.25 1.03 x 10-3 1.03 x 10 -3 7.01 x 10-5 7.01 x 10 -5 CBPCBP -5.59-5.59 -1.53-1.53 1.03 x 10-3 1.03 x 10 -3 2.34 x 10-5 2.34 x 10 -5

제1에미터1st emitter HOMO
에너지 레벨
(eV)
HOMO
energy level
(eV)
LUMO
에너지 레벨
(eV)
LUMO
energy level
(eV)
T1 에너지
(eV)
T 1 energy
(eV)
GD01GD01 -4.98-4.98 -2.03-2.03 2.382.38 GD02GD02 -5.20-5.20 -2.10-2.10 2.232.23 GD03GD03 -5.45-5.45 -2.09-2.09 2.472.47 GD04GD04 -5.36-5.36 -2.11-2.11 2.352.35 GD05GD05 -5.35-5.35 -2.11-2.11 2.352.35 R-GD1
(Ir(ppy)3)
R-GD1
(Ir(ppy) 3 )
-4.93-4.93 -1.52-1.52 2.342.34
GD24GD24 -4.95-4.95 -1.60-1.60 2.332.33 GD25GD25 -4.89-4.89 -1.59-1.59 2.302.30

버퍼층 재료buffer layer material HOMO
에너지 레벨
(eV)
HOMO
energy level
(eV)
LUMO
에너지 레벨
(eV)
LUMO
energy level
(eV)
정공 이동도
(cm2/Vs)
hole mobility
( cm2 /Vs)
전자 이동도
(cm2/Vs)
electron mobility
( cm2 /Vs)
BF01BF01 -5.75-5.75 -2.38-2.38 3.46 x 10-3 3.46 x 10 -3 1.78 x 10-3 1.78 x 10 -3 BF02BF02 -6.07-6.07 -2.36-2.36 6.11 x 10-3 6.11 x 10 -3 3.54 x 10-3 3.54 x 10 -3 BF03BF03 -6.01-6.01 -2.24-2.24 3.06 x 10-3 3.06 x 10 -3 7.73 x 10-4 7.73 x 10 -4 BF04BF04 -4.87-4.87 -2.24-2.24 1.43 x 10-3 1.43 x 10 -3 2.83 x 10-3 2.83 x 10 -3 BF05BF05 -6.17-6.17 -2.24-2.24 3.22 x 10-3 3.22 x 10 -3 1.04 x 10-3 1.04 x 10 -3 BF06BF06 -6.07-6.07 -2.24-2.24 2.91 x 10-3 2.91 x 10 -3 5.37 x 10-4 5.37 x 10 -4 BF07BF07 -5.98-5.98 -2.24-2.24 7.11 x 10-3 7.11 x 10 -3 4.33 x 10-3 4.33 x 10 -3 BF08BF08 -6.36-6.36 -2.24-2.24 3.96 x 10-3 3.96 x 10 -3 4.32 x 10-4 4.32 x 10 -4 BF09BF09 -5.94-5.94 -2.24-2.24 1.91 x 10-3 1.91 x 10 -3 3.03 x 10-4 3.03 x 10 -4 BF10BF10 -5.93-5.93 -2.24-2.24 1.97 x 10-3 1.97 x 10 -3 3.27 x 10-4 3.27 x 10 -4 R-BF1R-BF1 -5.36-5.36 -1.93-1.93 3.61 x 10-4 3.61 x 10 -4 2.34 x 10-5 2.34 x 10 -5 R-BF2R-BF2 -5.69-5.69 -2.02-2.02 1.35 x 10-2 1.35 x 10 -2 1.12 x 10-2 1.12 x 10 -2 BAlqBAlq -5.17-5.17 -2.25-2.25 4.42 x 10-7 4.42 x 10 -7 2.57 x 10-5 2.57 x 10 -5

전자 수송층 재료electron transport layer material HOMO
에너지 레벨
(eV)
HOMO
energy level
(eV)
LUMO
에너지 레벨
(eV)
LUMO
energy level
(eV)
정공 이동도
(cm2/Vs)
hole mobility
( cm2 /Vs)
전자 이동도
(cm2/Vs)
electron mobility
( cm2 /Vs)
ET01ET01 -6.14-6.14 -2.35-2.35 2.86 x 10-3 2.86 x 10 -3 7.58 x 10-4 7.58 x 10 -4 ET02ET02 -5.72-5.72 -2.34-2.34 8.46 x 10-4 8.46 x 10 -4 1.16 x 10-4 1.16 x 10 -4 ET03ET03 -5.92-5.92 -2.33-2.33 2.74 x 10-3 2.74 x 10 -3 7.98 x 10-4 7.98 x 10 -4 ET04ET04 -5.85-5.85 -2.32-2.32 2.43 x 10-3 2.43 x 10 -3 1.17 x 10-3 1.17 x 10 -3 ET05ET05 -5.90-5.90 -2.31-2.31 2.08 x 10-3 2.08 x 10 -3 7.05 x 10-4 7.05 x 10 -4 ET06ET06 -5.95-5.95 -2.30-2.30 2.72 x 10-3 2.72 x 10 -3 1.02 x 10-3 1.02 x 10 -3 ET07ET07 -5.87-5.87 -2.29-2.29 2.22 x 10-3 2.22 x 10 -3 1.12 x 10-3 1.12 x 10 -3 ET08ET08 -5.75-5.75 -2.28-2.28 2.09 x 10-3 2.09 x 10 -3 9.94 x 10-4 9.94 x 10 -4 ET09ET09 -5.95-5.95 -2.28-2.28 3.27 x 10-3 3.27 x 10 -3 1.35 x 10-3 1.35 x 10 -3 ET10ET10 -5.86-5.86 -2.28-2.28 2.39 x 10-3 2.39 x 10 -3 8.64 x 10-4 8.64 x 10 -4 R-ET1R-ET1 -6.18-6.18 -1.70-1.70 3.00 x 10-3 3.00 x 10 -3 6.68 x 10-5 6.68 x 10 -5 R-ET2R-ET2 -6.62-6.62 -2.44-2.44 3.47 x 10-4 3.47 x 10 -4 6.83 x 10-4 6.83 x 10 -4 BeBq2 BeBq 2 -5.28-5.28 -1.98-1.98 3.62 x 10-3 3.62 x 10 -3 1.77 x 10-5 1.77 x 10 -5

평가예 2Evaluation example 2

CH2Cl2 용액 중 PMMA 및 화합물 GD01(PMMA 대비 4wt%)를 혼합한 후, 이로부터 수득한 결과물을 스핀 코터를 이용하여 석영 기판 상에 코팅한 다음, 80℃의 오븐에서 열처리한 후, 실온으로 냉각시켜 40nm 두께의 필름 GD01을 제조하였다. 이어서, 화합물 GD01 대신, 화합물 GD02 내지 GD05, R-GD1, GD24 및 GD25 각각을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 필름 GD01의 제조 방법과 동일한 방법을 이용하여, 필름 GD02 내지 GD05, R-GD1, GD24, 및 GD25를 제조하였다.After mixing PMMA and compound GD01 (4 wt% compared to PMMA) in CH 2 Cl 2 solution, the resulting product was coated on a quartz substrate using a spin coater, heat treated in an oven at 80°C, and then cooled at room temperature. By cooling, a 40 nm thick film GD01 was manufactured. Then, using the same method as the method for producing the film GD01, except that instead of compound GD01, each of compounds GD02 to GD05, R-GD1, GD24 and GD25 was used, films GD02 to GD05 and R-GD1 were produced. , GD24, and GD25 were prepared.

상기 필름 PD01 내지 GD05, R-GD1, GD24, 및 GD25 각각의 발광 스펙트럼을 Hamamatsu社의 Quantaurus-QY Absolute PL quantum yield spectrometer(제논 광원(xenon light source), 모노크로메터(monochromator), 포토닉 멀티채널 분석기(photonic multichannel analyzer), 및 적분구(integrating sphere)가 장착되어 있고, PLQY measurement software (Hamamatsu Photonics, Ltd., Shizuoka, Japan)를 채용하였음)를 이용하여 측정하였다. 측정시에는 여기파장을 320nm에서 380nm까지 10nm 간격으로 스캔하여 측정하였고, 이 중에서 340nm의 여기파장에서 측정된 스펙트럼을 취하여, 이로부터 각 필름에 포함된 화합물의 최대 발광 파장(발광 피크 파장)을 구하여 하기 표 9에 요약하였다. The emission spectra of each of the films PD01 to GD05, R-GD1, GD24, and GD25 were measured using Hamamatsu's Quantaurus-QY Absolute PL quantum yield spectrometer (xenon light source, monochromator, photonic multichannel). It was equipped with a photonic multichannel analyzer and an integrating sphere, and was measured using PLQY measurement software (Hamamatsu Photonics, Ltd., Shizuoka, Japan). During measurement, the excitation wavelength was measured by scanning at 10 nm intervals from 320 nm to 380 nm. Among these, the spectrum measured at an excitation wavelength of 340 nm was taken, and from this, the maximum emission wavelength (emission peak wavelength) of the compound contained in each film was obtained. It is summarized in Table 9 below.

필름 No.Film No. 필름에 포함된 화합물
(4 wt% in PMMA)
Compounds contained in the film
(4 wt% in PMMA)
최대 발광 파장 (nm)Maximum emission wavelength (nm)
GD01GD01 GD01GD01 526526 GD02GD02 GD02GD02 543543 GD03GD03 GD03GD03 502502 GD04GD04 GD04GD04 528528 GD05GD05 GD05GD05 527527 R-GD1R-GD1 R-GD1
(Ir(ppy)3)
R-GD1
(Ir(ppy) 3 )
530530
GD24GD24 GD24GD24 532532 GD25GD25 GD25GD25 539539

실시예 1Example 1

애노드로서 15 Ω/cm2 (1200Å) ITO가 형성된 유리 기판(코닝(corning)사 제품)을 50mm x 50mm x 0.7 mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하여 진공 증착 장치에 설치하였다. A glass substrate (made by Corning) with 15 Ω/cm 2 (1200 Å) ITO as an anode was cut into 50 mm x 50 mm x 0.7 mm and ultrasonic cleaned for 5 minutes each using isopropyl alcohol and pure water. It was irradiated with ultraviolet rays for 30 minutes, cleaned by exposure to ozone, and installed in a vacuum evaporation device.

상기 애노드 상에 제3물질(HT01)를 진공 증착하여 1300Å 두께의 제3층을 형성하고, 상기 제3층 상에 제2물질(G'01)을 진공 증착하여 250Å 두께의 제2층을 형성한 다음, 상기 제2층 상에 제1물질(GI01)을 진공 증착하여 50Å 두께의 제1층을 형성하였다.A third material (HT01) was vacuum deposited on the anode to form a third layer with a thickness of 1300 Å, and a second material (G'01) was vacuum deposited on the third layer to form a second layer with a thickness of 250 Å. Then, the first material (GI01) was vacuum deposited on the second layer to form a first layer with a thickness of 50 Å.

상기 제1층 상에 제1호스트(Host1) 및 제1에미터(GD01)을 93 : 7의 중량비로 진공 증착하여 400Å 두께의 발광층을 형성하였다.On the first layer, the first host (Host1) and the first emitter (GD01) were vacuum deposited at a weight ratio of 93:7 to form a light emitting layer with a thickness of 400 Å.

상기 발광층 상에 버퍼층 재료(BF03)를 진공 증착하여 50Å 두께의 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 전자 수송층 재료(ET02)를 진공 증착하여 310Å 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자 수송층 상에 Yb를 진공 증착하여 15Å 두께의 전자 주입층을 형성한 다음, Ag 및 Mg을 진공 증착하여 800Å 두께의 캐소드를 형성한 후, 상기 캐소드 상에 하기 화합물 CP7을 진공 증착하여 600Å 두께의 캡핑층을 형성하였다.A buffer layer material (BF03) was vacuum deposited on the light emitting layer to form a buffer layer with a thickness of 50 Å, and an electron transport layer material (ET02) was vacuum deposited on the buffer layer to form an electron transport layer with a thickness of 310 Å. Next, Yb was vacuum deposited on the electron transport layer to form an electron injection layer with a thickness of 15 Å, then Ag and Mg were vacuum deposited to form a cathode with a thickness of 800 Å, and then the following compound CP7 was vacuum deposited on the cathode. A capping layer with a thickness of 600Å was formed.

실시예 2 내지 10, 비교예 1, 2 및 4Examples 2 to 10, Comparative Examples 1, 2 and 4

제3물질, 제2물질, 제1물질, 제1호스트, 제1에미터, 버퍼층 재료 및 전자 수송층 재료로서, 표 10에 기재된 화합물을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. The same as Example 1, except that the compounds listed in Table 10 were used as the third material, second material, first material, first host, first emitter, buffer layer material, and electron transport layer material. An organic light emitting device was manufactured using the method.

비교예 3Comparative Example 3

발광층 형성시 제1호스트로서 표 10에 기재된 화합물의 혼합물(1 : 1의 중량비)을 사용하였다는 점을 제외하고는, 비교예 2와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. An organic light-emitting device was manufactured using the same method as Comparative Example 2, except that a mixture of the compounds shown in Table 10 (1:1 weight ratio) was used as the first host when forming the light-emitting layer.

비교예 5Comparative Example 5

발광층 형성시 제1호스트로서 표 10에 기재된 화합물의 혼합물(1 : 1의 중량비)을 사용하였다는 점을 제외하고는, 비교예 4와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. An organic light-emitting device was manufactured using the same method as Comparative Example 4, except that a mixture of the compounds shown in Table 10 (weight ratio of 1:1) was used as the first host when forming the light-emitting layer.

비교예 6Comparative Example 6

제3층으로서, 650Å 두께의 2-TNATA층 및 650Å 두께의 NPB층을 진공 증착법을 이용하여 차례로 형성하고, 표 10에 기재된 제2물질, 제1물질, 제1호스트, 제1에미터, 버퍼층 재료 및 전자 수송층 재료를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. As a third layer, a 650Å thick 2-TNATA layer and a 650Å thick NPB layer were sequentially formed using vacuum deposition, and the second material, first material, first host, first emitter, and buffer layer listed in Table 10 An organic light-emitting device was manufactured using the same method as Example 1, except that the material and electron transport layer material were used.

평가예 3Evaluation example 3

상기 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 6에서 제작된 유기 발광 소자의 구동 전압, 최대 전력 효율 및 EL 스펙트럼의 최대 발광 파장을 Keithley MU 236 및 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 평가하고 그 결과를 표 11에 각각 정리하였다. 한편, 표 10 중 괄호 안의 숫자는 해당 화합물의 HOMO 에너지 레벨(eV)값을 정리한 것이다. The driving voltage, maximum power efficiency, and maximum emission wavelength of the EL spectrum of the organic light-emitting devices manufactured in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 6 were evaluated using Keithley MU 236 and a luminance meter (Minolta Cs-1000A) The results are summarized in Table 11. Meanwhile, the numbers in parentheses in Table 10 summarize the HOMO energy level (eV) values of the corresponding compounds.

제3물질third substance 제2물질secondary substance 제1물질first substance 제1호스트first host 제1에미터1st emitter 버퍼층
재료
buffer layer
ingredient
전자 수송층
재료
electron transport layer
ingredient
실시예
1
Example
One
HT01HT01 G'01G'01 GI01
(-4.94)
GI01
(-4.94)
Host1
(-4.97)
Host1
(-4.97)
GD01
(-4.98)
GD01
(-4.98)
BF03BF03 ET02ET02
실시예
2
Example
2
HT01HT01 G'02G'02 GI02
(-4.94)
GI02
(-4.94)
Host1
(-4.97)
Host1
(-4.97)
GD02
(-5.20)
GD02
(-5.20)
BF04BF04 ET03ET03
실시예
3
Example
3
HT02HT02 G'03G'03 GI03
(-4.94)
GI03
(-4.94)
Host2
(-4.84)
Host2
(-4.84)
GD03
(-5.45)
GD03
(-5.45)
BF01BF01 ET01ET01
실시예
4
Example
4
HT02HT02 G'04G'04 GI04
(-4.94)
GI04
(-4.94)
Host2
(-4.84)
Host2
(-4.84)
GD04
(-5.36)
GD04
(-5.36)
BF02BF02 ET01ET01
실시예
5
Example
5
HT03HT03 G'05G'05 GI05
(-4.94)
GI05
(-4.94)
Host3
(-4.88)
Host3
(-4.88)
GD05
(-5.35)
GD05
(-5.35)
BF05BF05 ET04ET04
실시예
6
Example
6
HT04HT04 G'06G'06 GI06
(-4.94)
GI06
(-4.94)
Host3
(-4.88)
Host3
(-4.88)
GD01
(-4.98)
GD01
(-4.98)
BF06BF06 ET05ET05
실시예
7
Example
7
HT05HT05 G'07G'07 GI07
(-4.94)
GI07
(-4.94)
Host3
(-4.88)
Host3
(-4.88)
GD02
(-5.20)
GD02
(-5.20)
BF07BF07 ET01ET01
실시예
8
Example
8
HT05HT05 G'01G'01 GI08
(-4.94)
GI08
(-4.94)
Host4
(-4.89)
Host4
(-4.89)
GD03
(-5.45)
GD03
(-5.45)
BF08BF08 ET01ET01
실시예
9
Example
9
HT06HT06 G'02G'02 GI09
(-4.94)
GI09
(-4.94)
Host4
(-4.89)
Host4
(-4.89)
GD04
(-5.36)
GD04
(-5.36)
BF09BF09 ET07ET07
실시예
10
Example
10
HT07HT07 G'09G'09 GI10
(-4.94)
GI10
(-4.94)
Host4
(-4.89)
Host4
(-4.89)
GD05
(-5.35)
GD05
(-5.35)
BF10BF10 ET01ET01
비교예
1
Comparative example
One
R-HT1R-HT1 R-G'1R-G'1 R-GI1
(-5.52)
R-GI1
(-5.52)
R-Host1
(-5.14)
R-Host1
(-5.14)
R-GD1
(-4.93)
R-GD1
(-4.93)
R-BF1R-BF1 R-ET1R-ET1
비교예 2Comparative Example 2 HATHAT NPBNPB R-GI2
(-4.98)
R-GI2
(-4.98)
R-Host2
(-5.36)
R-Host2
(-5.36)
R-GD2
(-4.95)
R-GD2
(-4.95)
R-BF2R-BF2 R-ET2R-ET2
비교예 3Comparative Example 3 HATHAT NPBNPB R-GI2
(-4.98)
R-GI2
(-4.98)
R-Host2
(-5.36)
R-Host2
(-5.36)
R-Host3
(-5.23)
R-Host3
(-5.23)
R-GD2
(-4.95)
R-GD2
(-4.95)
R-BF2R-BF2 R-ET2R-ET2
비교예 4Comparative Example 4 HATHAT NPBNPB R-GI2
(-4.98)
R-GI2
(-4.98)
R-Host2
(-5.36)
R-Host2
(-5.36)
R-GD3
(-4.89)
R-GD3
(-4.89)
R-BF2R-BF2 R-ET2R-ET2
비교예 5Comparative Example 5 HATHAT NPBNPB R-GI2
(-4.98)
R-GI2
(-4.98)
R-Host2
(-5.36)
R-Host2
(-5.36)
R-Host3
(-5.23)
R-Host3
(-5.23)
R-GD3
(-4.89)
R-GD3
(-4.89)
R-BF2R-BF2 R-ET2R-ET2
비교예 6Comparative Example 6 2-
TNATA
2-
TNATA
NPBNPB R-G'2R-G'2 R-GI3
(-5.14)
R-GI3
(-5.14)
CBP
(-5.59)
CBP
(-5.59)
Ir(ppy)3
(-4.93)
Ir(ppy) 3
(-4.93)
BAlqBAlq BeBq2 BeBq 2

구동 전압 (V)Driving voltage (V) 최대 전력 효율
(cd/W)
maximum power efficiency
(cd/W)
최대 발광 파장
(nm)
maximum emission wavelength
(nm)
실시예 1Example 1 3.423.42 58.9458.94 530530 실시예 2Example 2 3.493.49 58.9358.93 546546 실시예 3Example 3 3.523.52 58.8658.86 508508 실시예 4Example 4 3.603.60 58.2058.20 530530 실시예 5Example 5 3.373.37 58.1858.18 533533 실시예 6Example 6 3.313.31 58.0058.00 529529 실시예 7Example 7 3.413.41 57.8557.85 541541 실시예 8Example 8 3.533.53 57.5957.59 508508 실시예 9Example 9 3.603.60 57.5157.51 531531 실시예 10Example 10 3.483.48 57.3957.39 535535 비교예 1Comparative Example 1 3.593.59 45.8945.89 525525 비교예 2Comparative Example 2 3.63.6 50.4850.48 537537 비교예 3Comparative Example 3 3.573.57 52.4452.44 532532 비교예 4Comparative Example 4 3.623.62 48.4048.40 542542 비교예 5Comparative Example 5 3.593.59 51.2351.23 539539 비교예 6Comparative Example 6 3.573.57 48.1848.18 530530

상기 표 11로부터 실시예 1 내지 10의 구동 전압 및 최대 전력 효율은 비교예 1 내지 6의 구동 전압 및 최대 전력 효율 보다 향상됨을 확인할 수 있다. From Table 11, it can be seen that the driving voltage and maximum power efficiency of Examples 1 to 10 are improved than the driving voltage and maximum power efficiency of Comparative Examples 1 to 6.

10: 유기 발광 소자
110: 제1전극
130: 유기층
150: 제2전극
10: Organic light emitting device
110: first electrode
130: Organic layer
150: second electrode

Claims (20)

제1전극;
상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 중간층;
을 포함하고,
상기 중간층은 정공 수송 영역 및 발광층을 포함하고,
상기 정공 수송 영역은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 배치되고,
상기 정공 수송 영역은 제1층을 포함하고,
상기 제1층은 상기 발광층에 직접(directly) 접촉하고,
상기 발광층은 제1호스트 및 제1에미터를 포함하고,
상기 제1에미터는 제1발광 스펙트럼을 갖는 제1광을 방출하고,
상기 제1층은 제1물질을 포함하고,
상기 제1물질의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0eV 내지 0.20eV이고,
상기 제1에미터의 HOMO 에너지 레벨 절대값은 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 절대값보다 크고,
상기 제1물질, 제1호스트 및 제1에미터 각각의 HOMO 에너지 레벨은 순환전압전류법(Cyclic voltammetry)에 의하여 측정된 음수값인, 발광 소자.
first electrode;
a second electrode opposite the first electrode; and
an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode;
Including,
The intermediate layer includes a hole transport region and a light emitting layer,
The hole transport region is disposed between the first electrode and the light-emitting layer,
The hole transport region includes a first layer,
The first layer is in direct contact with the light emitting layer,
The light emitting layer includes a first host and a first emitter,
The first emitter emits first light having a first emission spectrum,
The first layer includes a first material,
The absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first material and the HOMO energy level of the first host is 0 eV to 0.20 eV,
The absolute value of the HOMO energy level of the first emitter is greater than the absolute value of the HOMO energy level of the first host,
The HOMO energy level of each of the first material, the first host, and the first emitter is a negative value measured by cyclic voltammetry.
제1항에 있어서,
상기 제1물질의 HOMO 에너지 레벨이 -5.60eV 내지 -4.80eV인, 발광 소자.
According to paragraph 1,
A light emitting device wherein the HOMO energy level of the first material is -5.60eV to -4.80eV.
제1항에 있어서,
상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨이 -5.10eV 내지 -4.50eV인, 발광 소자.
According to paragraph 1,
A light emitting device wherein the HOMO energy level of the first host is -5.10eV to -4.50eV.
제1항에 있어서,
상기 제1에미터의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제1호스트의 HOMO 에너지 레벨 간 차이의 절대값은 0.01eV 내지 1.0eV인, 발광 소자.
According to paragraph 1,
The absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first emitter and the HOMO energy level of the first host is 0.01 eV to 1.0 eV.
제1항에 있어서,
상기 정공 수송 영역이 제2층 및 제3층을 더 포함하고,
상기 제2층은 상기 제1전극과 상기 제1층 사이에 배치되고,
상기 제3층은 상기 제1전극과 상기 제2층 사이에 배치되고,
상기 제2층은 제2물질을 포함하고,
상기 제3층은 제3물질을 포함하고,
상기 제1물질, 제2물질 및 제3물질 각각은 서로 상이한, 발광 소자.
According to paragraph 1,
The hole transport region further includes a second layer and a third layer,
The second layer is disposed between the first electrode and the first layer,
The third layer is disposed between the first electrode and the second layer,
The second layer includes a second material,
The third layer includes a third material,
A light emitting device wherein the first material, second material, and third material are each different from each other.
제5항에 있어서,
제3물질의 HOMO 에너지 레벨 > 제2물질의 HOMO 에너지 레벨 > 제1물질의 HOMO 에너지 레벨, 또는
제3물질의 HOMO 에너지 레벨 > 제1물질의 HOMO 에너지 레벨 > 제2물질의 HOMO 에너지 레벨,
를 만족하고,
상기 제2물질 및 제3물질 각각의 HOMO 에너지 레벨은 순환전압전류법에 의하여 측정된 음수값인, 발광 소자.
According to clause 5,
HOMO energy level of the third substance > HOMO energy level of the second substance > HOMO energy level of the first substance, or
HOMO energy level of the third substance > HOMO energy level of the first substance > HOMO energy level of the second substance,
satisfies,
A light emitting device wherein the HOMO energy level of each of the second and third materials is a negative value measured by cyclic voltammetry.
제5항에 있어서,
상기 제2물질의 HOMO 에너지 레벨이 -5.40eV 내지 -4.70eV이고,
상기 제2물질의 HOMO 에너지 레벨은 순환전압전류법에 의하여 측정된 음수값인, 발광 소자.
According to clause 5,
The HOMO energy level of the second material is -5.40eV to -4.70eV,
The HOMO energy level of the second material is a negative value measured by cyclic voltammetry.
제5항에 있어서,
상기 제3물질의 HOMO 에너지 레벨이 -5.25eV 내지 -4.50eV이고,
상기 제3물질의 HOMO 에너지 레벨은 순환전압전류법에 의하여 측정된 음수값인, 발광 소자.
According to clause 5,
The HOMO energy level of the third material is -5.25eV to -4.50eV,
A light emitting device wherein the HOMO energy level of the third material is a negative value measured by cyclic voltammetry.
제1항에 있어서,
상기 정공 수송 영역이 p-도펀트를 더 포함한, 발광 소자.
According to paragraph 1,
A light emitting device, wherein the hole transport region further includes a p-dopant.
제1항에 있어서,
상기 제1에미터의 HOMO 에너지 레벨이 -5.50eV 내지 -4.00eV인, 발광 소자.
According to paragraph 1,
A light emitting device wherein the HOMO energy level of the first emitter is -5.50eV to -4.00eV.
제1항에 있어서,
상기 제1광의 발광 피크 파장은 510nm 내지 610nm인, 발광 소자.
According to paragraph 1,
A light emitting device wherein the peak emission wavelength of the first light is 510 nm to 610 nm.
제1항에 있어서,
상기 제1광의 반치폭이 15nm 내지 85nm인, 발광 소자.
According to paragraph 1,
A light emitting device wherein the half width of the first light is 15 nm to 85 nm.
제1항에 있어서,
상기 제1전극의 외측에 배치된 제1캡핑층 및 상기 제2전극의 외측에 배치된 제2캡핑층 중 적어도 하나를 더 포함하고,
상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는 589 nm 파장에서 1.6 이상의 굴절율을 갖는 물질을 포함하는, 발광 소자.
According to paragraph 1,
It further includes at least one of a first capping layer disposed outside the first electrode and a second capping layer disposed outside the second electrode,
At least one of the first capping layer and the second capping layer includes a material having a refractive index of 1.6 or more at a wavelength of 589 nm.
제13항에 있어서,
상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는 589 nm 파장에서 1.8 이상의 굴절율을 갖는 물질을 포함하는, 발광 소자.
According to clause 13,
At least one of the first capping layer and the second capping layer includes a material having a refractive index of 1.8 or more at a wavelength of 589 nm.
제1항에 있어서,
상기 제1에미터가 백금-함유 유기금속 화합물이고,
상기 제1에미터는 상기 백금에 결합된 제1리간드를 더 포함하고,
상기 제1에미터는 하기 <조건 A> 내지 <조건 C> 중 적어도 하나를 만족한, 발광 소자:
<조건 A>
상기 제1리간드는 4자리(tetradentate) 리간드이고,
상기 백금과 상기 제1리간드 간의 화학 결합에 의하여 형성된 시클로메탈레이티드 링(cyclometallated ring)은 3개임
<조건 B>
상기 제1리간드의 탄소, 질소 및 산소 각각이 상기 백금과 서로 화학 결합되어 있음
<조건 C>
상기 제1리간드는, 이미다졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 나프토이미다졸 그룹, 또는 이의 임의의 조합을 포함함
According to paragraph 1,
wherein the first emitter is a platinum-containing organometallic compound,
The first emitter further includes a first ligand bound to the platinum,
The first emitter is a light emitting device that satisfies at least one of the following <Condition A> to <Condition C>:
<Condition A>
The first ligand is a tetradentate ligand,
There are three cyclometallated rings formed by chemical bonds between the platinum and the first ligand.
<Condition B>
Each of the carbon, nitrogen, and oxygen of the first ligand is chemically bonded to the platinum.
<Condition C>
The first ligand comprises an imidazole group, a benzimidazole group, a naphthoimidazole group, or any combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 제1에미터가 이리듐-함유 유기금속 화합물이고,
상기 제1에미터는 상기 이리듐에 결합된 제1리간드, 제2리간드 및 제3리간드를 포함하고,
상기 제1리간드는, Y1-함유 고리 B1 및 Y2-함유 고리 B2를 포함한 2자리(bidentate) 리간드이고,
상기 제2리간드는, Y3-함유 고리 B3 및 Y4-함유 고리 B4를 포함한 2자리 리간드이고,
상기 제3리간드는, Y5-함유 고리 B5 및 Y6-함유 고리 B6를 포함한 2자리 리간드이고,
상기 Y1, Y3 및 Y5 각각은 질소(N)이고,
상기 Y2, Y4 및 Y6 각각은 탄소(C)이고,
상기 Y2-함유 고리 B2와 상기 Y4-함유 고리 B4가 서로 상이한, 발광 소자.
According to paragraph 1,
The first emitter is an iridium-containing organometallic compound,
The first emitter includes a first ligand, a second ligand, and a third ligand bound to the iridium,
The first ligand is a bidentate ligand including Y 1 -containing ring B 1 and Y 2 -containing ring B 2 ,
The second ligand is a bidentate ligand comprising Y 3 -containing ring B 3 and Y 4 -containing ring B 4 ,
The third ligand is a bidentate ligand comprising Y 5 -containing ring B 5 and Y 6 -containing ring B 6 ,
Each of Y 1 , Y 3 and Y 5 is nitrogen (N),
Each of Y 2 , Y 4 and Y 6 is carbon (C),
A light emitting device wherein the Y 2 -containing ring B 2 and the Y 4 -containing ring B 4 are different from each other.
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항의 발광 소자를 포함한, 전자 장치.An electronic device comprising the light emitting device of any one of claims 1 to 16. 제17항에 있어서,
컬러 필터, 색변환층, 터치스크린층, 편광층, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함한, 전자 장치.
According to clause 17,
An electronic device further comprising a color filter, a color conversion layer, a touch screen layer, a polarizing layer, or any combination thereof.
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항의 발광 소자를 포함한, 전자 기기.An electronic device comprising the light emitting device of any one of claims 1 to 16. 제19항에 있어서,
평면 패널 디스플레이, 곡면 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 롤러블(rollable) 디스플레이, 폴더블(foldable) 디스플레이, 스트레처블(stretchable) 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된(tiled) 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광선 요법 디바이스, 및 간판 중 하나인, 전자 기기.
According to clause 19,
Flat panel displays, curved displays, computer monitors, medical monitors, televisions, billboards, indoor or outdoor lighting and/or signal lights, head-up displays, fully or partially transparent displays, flexible displays, rollable displays, foldable ( foldable displays, stretchable displays, laser printers, phones, cell phones, tablets, phablets, personal digital assistants (PDAs), wearable devices, laptop computers, digital cameras, camcorders, viewfinders, micro displays, 3D displays. , an electronic device that is one of a virtual reality or augmented reality display, a vehicle, a video wall including multiple displays tiled together, a theater or stadium screen, a phototherapy device, and a sign.
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