KR20230146372A

KR20230146372A - Touch driving circuit and touch display device

Info

Publication number: KR20230146372A
Application number: KR1020220045323A
Authority: KR
Inventors: 박재규; 김형환; 이홍주
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2022-04-12
Filing date: 2022-04-12
Publication date: 2023-10-19

Abstract

본 개시의 실시예들은, 터치 구동 회로 및 터치 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 터치 센싱 신호가 전달되는 경로로 유입 또는 유출되는 전류의 제어를 통해 터치 센싱 신호에 따른 전하의 양을 조절하여, 기생 커패시턴스에 의한 영향을 감소 또는 제거하며 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있다. 또한, 타이밍과 펄스 폭의 조절이 용이한 전류 제어 클럭 신호에 의해 터치 센싱 신호에 따른 전하의 양을 조절하여, 전류 제어에 의한 터치 센싱 신호의 노이즈 제거의 정확도와 성능을 향상시킬 수 있다.Embodiments of the present disclosure relate to a touch driving circuit and a touch display device, where the amount of charge according to the touch sensing signal is adjusted through control of the current flowing in or out of the path through which the touch sensing signal is transmitted, thereby reducing parasitic capacitance. It can reduce or eliminate the impact of touch sensing and improve touch sensing performance. In addition, the amount of charge according to the touch sensing signal can be adjusted using a current control clock signal whose timing and pulse width can be easily adjusted, thereby improving the accuracy and performance of noise removal of the touch sensing signal by current control.

Description

Touch driving circuit and touch display device {TOUCH DRIVING CIRCUIT AND TOUCH DISPLAY DEVICE}

본 개시의 실시예들은, 터치 구동 회로 및 터치 디스플레이 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present disclosure relate to a touch driving circuit and a touch display device.

디스플레이 장치는, 사용자에게 다양한 기능을 제공하기 위하여, 디스플레이 패널에 대한 사용자의 터치를 인식하고, 인식된 터치를 기반으로 입력 처리를 수행하는 기능을 제공한다.In order to provide various functions to the user, the display device recognizes the user's touch on the display panel and provides a function to perform input processing based on the recognized touch.

디스플레이 장치는, 일 예로, 디스플레이 패널에 배치된 다수의 터치 전극과 다수의 터치 라인을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치는, 터치 구동 회로에 의해 다수의 터치 전극을 구동하고, 사용자의 터치에 의한 커패시턴스의 변화를 검출하여 디스플레이 패널에 대한 사용자의 터치를 센싱할 수 있다.As an example, a display device may include a plurality of touch electrodes and a plurality of touch lines disposed on a display panel. The display device can sense the user's touch on the display panel by driving a plurality of touch electrodes using a touch driving circuit and detecting a change in capacitance due to the user's touch.

디스플레이 장치는, 터치 센싱을 위한 구성 이외에 디스플레이 구동 등을 위한 각종 신호 라인을 포함할 수 있다. 터치 센싱이 수행되는 경로와 주변에 위치한 구성 간의 기생 커패시턴스가 형성될 수 있으며, 기생 커패시턴스로 인해 터치 센싱의 정확도가 저하될 수 있는 문제점이 존재한다.A display device may include various signal lines for display driving, etc. in addition to a configuration for touch sensing. Parasitic capacitance may be formed between the path where touch sensing is performed and components located nearby, and there is a problem in that the accuracy of touch sensing may be reduced due to the parasitic capacitance.

본 개시의 실시예들은, 터치 센싱 신호가 수신되는 라인과 주변에 위치하는 라인 간의 기생 커패시턴스에 의한 영향성을 감소시켜 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있는 방안을 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure can provide a method for improving touch sensing performance by reducing the influence of parasitic capacitance between a line on which a touch sensing signal is received and lines located nearby.

본 개시의 실시예들은, 디스플레이 패널에 배치된 다수의 터치 전극들, 다수의 터치 전극들의 적어도 하나와 전기적으로 연결된 다수의 터치 라인들, 및 다수의 터치 라인들을 구동하도록 구성된 터치 구동 회로를 포함하고, 터치 구동 회로는, 다수의 터치 라인들의 적어도 하나로 터치 구동 신호를 출력하고 터치 센싱 신호를 수신하는 센싱 유닛, 터치 센싱 신호가 수신되는 경로와 제1 전류 제어 전압의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제1 전류 제어 클럭 신호에 의해 작동하는 제1 전류 제어 트랜지스터, 및 터치 센싱 신호가 수신되는 경로와 제2 전류 제어 전압의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제1 전류 제어 클럭 신호와 상이한 제2 전류 제어 클럭 신호에 의해 작동하는 제2 전류 제어 트랜지스터를 포함하는 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure include a plurality of touch electrodes disposed on a display panel, a plurality of touch lines electrically connected to at least one of the plurality of touch electrodes, and a touch driving circuit configured to drive the plurality of touch lines, , the touch driving circuit is electrically connected between a sensing unit that outputs a touch driving signal and receives a touch sensing signal through at least one of the plurality of touch lines, a path through which the touch sensing signal is received, and an input terminal of the first current control voltage, and a second 1 A first current control transistor operated by a current control clock signal, and a second current control clock electrically connected between the path through which the touch sensing signal is received and the input terminal of the second current control voltage and different from the first current control clock signal. A touch display device including a second current control transistor that operates by a signal can be provided.

본 개시의 실시예들은, 터치 센싱 신호가 수신되는 신호 라인과 전기적으로 연결된 센싱 유닛, 신호 라인과 제1 전류 제어 전압의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제1 전류 제어 클럭 신호에 따라 턴-온 되는 제1 전류 제어 트랜지스터, 제1 전류 제어 트랜지스터와 제1 전류 제어 전압의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제1 전류 제어 트랜지스터가 턴-온 된 기간을 포함하는 기간에 턴-온 상태를 유지하는 제1 전류량 결정 트랜지스터, 신호 라인과 제2 전류 제어 전압의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제2 전류 제어 클럭 신호에 따라 턴-온 되는 제2 전류 제어 트랜지스터, 및 제2 전류 제어 트랜지스터와 제2 전류 제어 전압의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제2 전류 제어 트랜지스터가 턴-온 된 기간을 포함하는 기간에 턴-온 상태를 유지하는 제2 전류량 결정 트랜지스터를 포함하는 터치 구동 회로를 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure include a sensing unit electrically connected to a signal line through which a touch sensing signal is received, electrically connected between the signal line and the input terminal of the first current control voltage, and turned on according to the first current control clock signal. A first current control transistor, electrically connected between the first current control transistor and the input terminal of the first current control voltage and maintaining the turned-on state for a period including the period in which the first current control transistor is turned on. A current amount determination transistor, a second current control transistor electrically connected between the signal line and the input terminal of the second current control voltage and turned on according to the second current control clock signal, and the second current control transistor and the second current control voltage. It is possible to provide a touch driving circuit including a second current amount determination transistor that is electrically connected between the input terminals and maintains a turn-on state during a period including a period in which the second current control transistor is turned on.

본 개시의 실시예들에 의하면, 터치 센싱 신호가 수신되는 라인에 형성되는 기생 커패시턴스에 의한 전하량을 조절하여 터치 센싱 신호의 노이즈를 감소시키고 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있다.According to embodiments of the present disclosure, noise in the touch sensing signal can be reduced and touch sensing performance can be improved by adjusting the amount of charge caused by parasitic capacitance formed in the line on which the touch sensing signal is received.

도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에 포함된 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로의 개략적인 구성의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로의 구체적인 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 4 내지 도 6은 도 3에 도시된 터치 구동 회로의 구동 방식의 예시를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로의 구체적인 구조의 다른 예시를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 터치 구동 회로의 구동 방식의 예시를 나타낸 도면이다.
도 9 및 도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로를 구동하는 신호의 타이밍의 예시를 나타낸 도면이다.
도 11 및 도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로의 센싱 유닛에 의해 출력되는 신호의 예시를 나타낸 도면이다.1 is a diagram schematically showing the configuration included in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a schematic configuration of a touch driving circuit according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a specific structure of a touch driving circuit according to embodiments of the present disclosure.
Figures 4 to 6 are diagrams showing examples of driving methods of the touch driving circuit shown in Figure 3.
FIG. 7 is a diagram illustrating another example of a specific structure of a touch driving circuit according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 8 is a diagram showing an example of a driving method of the touch driving circuit shown in FIG. 7.
9 and 10 are diagrams illustrating examples of timing of signals driving a touch driving circuit according to embodiments of the present disclosure.
11 and 12 are diagrams showing examples of signals output by a sensing unit of a touch driving circuit according to embodiments of the present disclosure.

이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to illustrative drawings. In adding reference numerals to components in each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, in describing the present disclosure, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present disclosure, the detailed description may be omitted. When “comprises,” “has,” “consists of,” etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless “only” is used. When a component is expressed in the singular, it can also include the plural, unless specifically stated otherwise.

또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.Additionally, in describing the components of the present disclosure, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the components are not limited by the term.

구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.In the description of the positional relationship of components, when two or more components are described as being “connected,” “coupled,” or “connected,” the two or more components are directly “connected,” “coupled,” or “connected.” ", but it should be understood that two or more components and other components may be further "interposed" and "connected," "combined," or "connected." Here, other components may be included in one or more of two or more components that are “connected,” “coupled,” or “connected” to each other.

구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the description of temporal flow relationships related to components, operation methods, production methods, etc., for example, temporal precedence relationships such as “after”, “after”, “after”, “before”, etc. Or, when a sequential relationship is described, non-continuous cases may be included unless “immediately” or “directly” is used.

한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.On the other hand, when a numerical value or corresponding information (e.g., level, etc.) for a component is mentioned, even if there is no separate explicit description, the numerical value or corresponding information is related to various factors (e.g., process factors, internal or external shocks, It can be interpreted as including the error range that may occur due to noise, etc.).

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에 포함된 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a diagram schematically showing the components included in the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure.

도 1을 참조하면, 터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 패널(110)과, 디스플레이 패널(110)을 구동하기 위한 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 및 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the touch display device 100 includes a display panel 110, a gate driving circuit 120, a data driving circuit 130, and a controller 140 for driving the display panel 110. It can be included.

디스플레이 패널(110)은, 다수의 서브픽셀(SP)이 배치되는 액티브 영역(AA)과, 액티브 영역(AA)의 외측에 위치하는 논-액티브 영역(NA)을 포함할 수 있다. The display panel 110 may include an active area (AA) in which a plurality of subpixels (SP) are arranged, and a non-active area (NA) located outside the active area (AA).

디스플레이 패널(110)에는, 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)이 배치되고, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 서브픽셀(SP)이 위치할 수 있다.In the display panel 110, a plurality of gate lines (GL) and a plurality of data lines (DL) are arranged, and a subpixel (SP) is located in the area where the gate line (GL) and the data line (DL) intersect. You can.

또한, 터치 디스플레이 장치(100)는, 터치 센싱을 위해 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 터치 전극(TE)을 포함할 수 있다. 터치 디스플레이 장치(100)는, 터치 전극(TE)을 구동하는 적어도 하나의 터치 구동 회로(150)를 포함할 수 있다.Additionally, the touch display device 100 may include a plurality of touch electrodes (TE) disposed on the display panel 110 for touch sensing. The touch display device 100 may include at least one touch driving circuit 150 that drives the touch electrode TE.

다수의 터치 전극(TE)은, 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다. 다수의 터치 전극(TE) 각각은, 둘 이상의 서브픽셀(SP)과 대응하는 영역에 배치될 수 있다.A plurality of touch electrodes TE may be disposed in the active area AA. Each of the plurality of touch electrodes TE may be disposed in an area corresponding to two or more subpixels SP.

디스플레이 패널(110)에는, 터치 전극(TE)과 전기적으로 연결되는 다수의 터치 라인(TL)이 배치될 수 있다.A plurality of touch lines TL electrically connected to the touch electrode TE may be disposed on the display panel 110 .

터치 디스플레이 장치(100)에서 디스플레이 구동을 위한 구성을 먼저 설명하면, 게이트 구동 회로(120)는, 컨트롤러(140)에 의해 제어되며, 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 출력하여 다수의 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 제어한다.First, the configuration for display driving in the touch display device 100 will be described. The gate driving circuit 120 is controlled by the controller 140 and is connected to a plurality of gate lines GL disposed on the display panel 110. The driving timing of multiple subpixels (SP) is controlled by sequentially outputting scan signals.

게이트 구동 회로(120)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있으며, 구동 방식에 따라 디스플레이 패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고 양 측에 위치할 수도 있다.The gate driving circuit 120 may include one or more gate driver integrated circuits (GDIC: Gate Driver Integrated Circuit) and may be located on only one side or both sides of the display panel 110 depending on the driving method. It may be possible.

각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 디스플레이 패널(110)의 본딩 패드에 연결될 수 있다. 또는, 각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 디스플레이 패널(110)에 직접 배치될 수도 있다. 또는, 각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 디스플레이 패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또는, 각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 디스플레이 패널(110)과 연결된 필름 상에 실장되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.Each gate driver integrated circuit (GDIC) may be connected to a bonding pad of the display panel 110 using a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) method. Alternatively, each gate driver integrated circuit (GDIC) may be implemented as a Gate In Panel (GIP) type and placed directly on the display panel 110. Alternatively, each gate driver integrated circuit (GDIC) may be integrated and disposed on the display panel 110. Alternatively, each gate driver integrated circuit (GDIC) may be implemented using a chip on film (COF) method mounted on a film connected to the display panel 110.

데이터 구동 회로(130)는, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터를 수신하고, 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환한다. 데이터 구동 회로(130)는, 게이트 라인(GL)을 통해 스캔 신호가 인가되는 타이밍에 맞춰 데이터 전압을 각각의 데이터 라인(DL)으로 출력하여 각각의 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 따른 밝기를 표현하도록 한다.The data driving circuit 130 receives image data from the controller 140 and converts the image data into an analog data voltage. The data driving circuit 130 outputs a data voltage to each data line DL in accordance with the timing at which the scan signal is applied through the gate line GL, so that each subpixel SP adjusts the brightness according to the image data. Let it be expressed.

데이터 구동 회로(130)는, 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The data driving circuit 130 may include one or more source driver integrated circuits (SDICs).

각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 시프트 레지스터, 래치 회로, 디지털 아날로그 컨버터, 출력 버퍼 등을 포함할 수 있다.Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital-to-analog converter, an output buffer, etc.

각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 디스플레이 패널(110)의 본딩 패드에 연결될 수 있다. 또는, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 디스플레이 패널(110)에 직접 배치될 수 있다. 또는, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 디스플레이 패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또는, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 디스플레이 패널(110)에 연결된 필름 상에 실장되고, 필름 상의 배선들을 통해 디스플레이 패널(110)과 전기적으로 연결될 수 있다.Each source driver integrated circuit (SDIC) may be connected to a bonding pad of the display panel 110 using a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) method. Alternatively, each source driver integrated circuit (SDIC) may be placed directly on the display panel 110. Alternatively, each source driver integrated circuit (SDIC) may be integrated and disposed on the display panel 110. Alternatively, each source driver integrated circuit (SDIC) may be implemented in a chip-on-film (COF) method. In this case, each source driver integrated circuit (SDIC) may be mounted on a film connected to the display panel 110 and electrically connected to the display panel 110 through wires on the film.

컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)로 각종 제어 신호를 공급하며, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)의 동작을 제어할 수 있다.The controller 140 supplies various control signals to the gate driving circuit 120 and the data driving circuit 130, and can control the operations of the gate driving circuit 120 and the data driving circuit 130.

컨트롤러(140)는, 인쇄 회로 기판, 또는 가요성 인쇄 회로 등 상에 실장되고, 인쇄 회로 기판, 또는 가요성 인쇄 회로 등을 통해 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)와 전기적으로 연결될 수 있다.The controller 140 is mounted on a printed circuit board, a flexible printed circuit, etc., and is electrically connected to the gate driving circuit 120 and the data driving circuit 130 through a printed circuit board, a flexible printed circuit, etc. You can.

컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 설정된 타이밍에 따라 게이트 구동 회로(120)가 스캔 신호를 출력하도록 하며, 외부에서 수신한 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 변환하여 변환된 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)로 출력한다.The controller 140 causes the gate driving circuit 120 to output a scan signal according to the timing set in each frame, and converts the externally received image data to fit the data signal format used by the data driving circuit 130. The converted image data is output to the data driving circuit 130.

컨트롤러(140)는, 영상 데이터와 함께 수직 동기 신호(VSYNC), 수평 동기 신호(HSYNC), 입력 데이터 인에이블 신호(DE: Data Enable), 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호를 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다.The controller 140 sends various timing signals including video data, a vertical synchronization signal (VSYNC), a horizontal synchronization signal (HSYNC), an input data enable signal (DE: Data Enable), and a clock signal (CLK) to an external device. Receive from (e.g. host system).

컨트롤러(140)는, 외부로부터 수신한 각종 타이밍 신호를 이용하여 각종 제어 신호를 생성하고 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.The controller 140 may generate various control signals using various timing signals received from the outside and output them to the gate driving circuit 120 and the data driving circuit 130.

일 예로, 컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 시프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS)를 출력한다.As an example, in order to control the gate driving circuit 120, the controller 140 generates a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), and a gate output enable signal (GOE: Outputs various gate control signals (GCS) including Gate Output Enable.

게이트 스타트 펄스(GSP)는, 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 시프트 클럭(GSC)은, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호의 시프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)의 타이밍 정보를 지정하고 있다.The gate start pulse (GSP) controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits (GDIC) constituting the gate driving circuit 120. The gate shift clock (GSC) is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits (GDIC), and controls the shift timing of the scan signal. The gate output enable signal (GOE) specifies timing information of one or more gate driver integrated circuits (GDIC).

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS)를 출력한다.In addition, the controller 140 uses a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), and a source output enable signal (SOE) to control the data driving circuit 130. Outputs various data control signals (DCS) including Output Enable.

소스 스타트 펄스(SSP)는, 데이터 구동 회로(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)의 데이터 샘플링 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은, 소스 드라이버 집적 회로(SDIC) 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는, 데이터 구동 회로(130)의 출력 타이밍을 제어한다.The source start pulse (SSP) controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits (SDICs) constituting the data driving circuit 130. The source sampling clock (SSC) is a clock signal that controls the sampling timing of data in each source driver integrated circuit (SDIC). The source output enable signal SOE controls the output timing of the data driving circuit 130.

터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 패널(110), 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나, 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 관리 집적 회로를 더 포함할 수 있다.The touch display device 100 includes a power management integrated circuit that supplies various voltages or currents to the display panel 110, the gate driving circuit 120, and the data driving circuit 130, or controls the various voltages or currents to be supplied. More may be included.

터치 디스플레이 장치(100)에서 터치 센싱을 위한 구성을 설명하면, 터치 구동 회로(150)는, 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 터치 전극(TE)을 구동할 수 있다. 터치 구동 회로(150)는, 터치 라인(TL)을 통해 터치 구동 신호(TDS)를 터치 전극(TE)으로 공급하고, 터치 전극(TE)으로부터 터치 센싱 신호를 수신할 수 있다.When explaining the configuration for touch sensing in the touch display device 100, the touch driving circuit 150 can drive a plurality of touch electrodes (TE) disposed on the display panel 110. The touch driving circuit 150 may supply a touch driving signal (TDS) to the touch electrode (TE) through the touch line (TL) and receive a touch sensing signal from the touch electrode (TE).

터치 전극(TE)은, 디스플레이 패널(110) 외부에 위치할 수도 있고, 디스플레이 패널(110) 내부에 위치할 수도 있다.The touch electrode TE may be located outside the display panel 110 or inside the display panel 110.

터치 전극(TE)이 디스플레이 패널(110) 내부에 위치하는 경우, 터치 전극(TE)은 디스플레이 구동을 위한 전극과 별도로 배치된 전극일 수 있다. 또는, 터치 전극(TE)은, 디스플레이 구동을 위한 전극 중 하나일 수 있다.When the touch electrode TE is located inside the display panel 110, the touch electrode TE may be an electrode disposed separately from the electrode for driving the display. Alternatively, the touch electrode TE may be one of the electrodes for display driving.

일 예로, 터치 전극(TE)은, 디스플레이 구동을 위한 공통 전극(또는 캐소드 전극)이 분할되어 배치된 전극일 수 있다. 이러한 경우, 터치 전극(TE)은, 터치 센싱을 위한 전극과 디스플레이 구동을 위한 전극의 기능을 수행할 수 있다.As an example, the touch electrode TE may be an electrode in which a common electrode (or cathode electrode) for display driving is divided and arranged. In this case, the touch electrode TE can perform the functions of an electrode for touch sensing and an electrode for display driving.

일 예로, 터치 전극(TE)은, 시간적으로 분할된 기간에 터치 전극(TE)과 공통 전극으로서 구동할 수 있다.As an example, the touch electrode TE may be driven as a common electrode with the touch electrode TE in temporally divided periods.

이러한 경우, 터치 센싱이 수행되는 기간에 터치 구동 신호(TDS)가 터치 전극(TE)으로 공급될 수 있다. 터치 센싱이 수행되는 기간과 구별되는 기간에 디스플레이 구동을 위한 전압이 터치 전극(TE)으로 공급되며 디스플레이 구동이 수행될 수 있다.In this case, the touch driving signal (TDS) may be supplied to the touch electrode (TE) while touch sensing is performed. A voltage for display driving may be supplied to the touch electrode (TE) in a period distinct from the period in which touch sensing is performed, and display driving may be performed.

또는, 터치 전극(TE)은, 터치 전극(TE)의 기능과 공통 전극의 기능을 동시에 수행할 수 있다. 이러한 경우, 디스플레이 구동 기간에 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호(TDS)가 인가되므로, 디스플레이 구동을 위한 신호(예, 데이터 전압, 스캔 신호 등)가 터치 구동 신호(TDS)에 기초하여 변조된 형태로 공급될 수 있다.Alternatively, the touch electrode TE may simultaneously perform the function of the touch electrode TE and the function of the common electrode. In this case, since the touch driving signal (TDS) is applied to the touch electrode (TE) during the display driving period, signals for display driving (e.g., data voltage, scan signal, etc.) are modulated based on the touch driving signal (TDS). It can be supplied in the form

터치 구동 회로(150)는, 전술한 바와 같이, 디스플레이 구동 기간 또는 디스플레이 구동 기간과 시간적으로 분할된 기간에 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호(TDS)를 공급하여 터치 센싱을 수행할 수 있다.As described above, the touch driving circuit 150 may perform touch sensing by supplying the touch driving signal TDS to the touch electrode TE during the display driving period or a period temporally divided from the display driving period.

터치 구동 회로(150)는, 터치 센싱 신호를 디지털 형태의 터치 센싱 데이터로 변환한 후 터치 컨트롤러로 전송할 수 있다. 터치 컨트롤러는, 터치 센싱 데이터에 기초하여 터치 유무와 터치 좌표를 검출할 수 있다.The touch driving circuit 150 may convert the touch sensing signal into digital touch sensing data and then transmit it to the touch controller. The touch controller can detect the presence or absence of a touch and touch coordinates based on touch sensing data.

도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로(150)의 개략적인 구성의 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a schematic configuration of the touch driving circuit 150 according to embodiments of the present disclosure.

도 2를 참조하면, 터치 구동 회로(150)는, 액티브 영역(AA)에 배치된 터치 전극(TE)과 터치 라인(TL)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 터치 구동 회로(150)는, 액티브 영역(AA)의 외측에 해당하는 논-액티브 영역(NA)에 위치할 수 있다. 경우에 따라, 터치 구동 회로(150)는, 액티브 영역(AA)과 중첩하는 영역에 위치할 수도 있다.Referring to FIG. 2 , the touch driving circuit 150 may be electrically connected to the touch electrode TE disposed in the active area AA through the touch line TL. The touch driving circuit 150 may be located in the non-active area (NA) outside the active area (AA). In some cases, the touch driving circuit 150 may be located in an area that overlaps the active area AA.

터치 구동 회로(150)는, 센싱 유닛(151)과 전하 조절부(152)를 포함할 수 있다.The touch driving circuit 150 may include a sensing unit 151 and a charge control unit 152.

센싱 유닛(151)은, 터치 구동 회로(150) 내부에 위치하는 내부 신호 라인(ISL)을 통해 터치 라인(TL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 내부 신호 라인(ISL)을 터치 라인(TL)의 일부라 할 수도 있다.The sensing unit 151 may be electrically connected to the touch line TL through an internal signal line ISL located inside the touch driving circuit 150. The internal signal line (ISL) may be considered a part of the touch line (TL).

센싱 유닛(151)은, 일 예로, 프리앰프(PAMP), 피드백 커패시터(Cfb) 및 리셋 스위치(SWrst)를 포함할 수 있다.The sensing unit 151 may include, for example, a preamplifier (PAMP), a feedback capacitor (Cfb), and a reset switch (SWrst).

프리앰프(PAMP)의 (+) 입력단으로 터치 구동 신호(TDS)가 입력될 수 있다. 터치 구동 신호(TDS)는, 프리앰프(PAMP)의 (-) 입력단을 통해 내부 신호 라인(ISL)과 터치 라인(TL)으로 인가될 수 있다. 터치 센싱 신호가 터치 라인(TL)과 내부 신호 라인(ISL)을 통해 프리앰프(PAMP)의 (-) 입력단으로 수신될 수 있다.The touch driving signal (TDS) may be input to the (+) input terminal of the preamplifier (PAMP). The touch driving signal (TDS) may be applied to the internal signal line (ISL) and the touch line (TL) through the (-) input terminal of the preamplifier (PAMP). A touch sensing signal can be received at the (-) input terminal of the preamplifier (PAMP) through the touch line (TL) and the internal signal line (ISL).

터치 센싱 신호의 수신에 따라 피드백 커패시터(Cfb)에 전하가 축적될 수 있다. 리셋 스위치(SWrst)의 동작에 의해 피드백 커패시터(Cfb)에 축적된 전하가 방전될 수 있다. 센싱 출력 신호(Vout)가 프리앰프(PAMP)의 출력단으로 출력될 수 있다.Charge may be accumulated in the feedback capacitor Cfb according to reception of the touch sensing signal. The charge accumulated in the feedback capacitor (Cfb) may be discharged by the operation of the reset switch (SWrst). The sensing output signal (Vout) may be output to the output terminal of the preamplifier (PAMP).

센싱 출력 신호(Vout)는, 일 예로, 적분기로 전달될 수 있다. 적분기에 의해 출력되는 신호는 디지털 형태의 센싱 데이터로 변환되어 터치 컨트롤러로 전달될 수 있다.As an example, the sensing output signal (Vout) may be transmitted to an integrator. The signal output by the integrator can be converted into digital sensing data and transmitted to the touch controller.

프리앰프(PAMP)로 터치 센싱 신호가 수신되는 경로에 전하 조절부(152)가 전기적으로 연결될 수 있다.The charge control unit 152 may be electrically connected to the path through which the touch sensing signal is received by the preamplifier (PAMP).

일 예로, 전하 조절부(152)는, 터치 구동 회로(150) 내부에 위치하는 내부 신호 라인(ISL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 전하 조절부(152)는, 내부 신호 라인(ISL)을 통해 프리앰프(PAMP)로 전달되는 터치 센싱 신호의 전하량을 조절할 수 있다.As an example, the charge control unit 152 may be electrically connected to the internal signal line (ISL) located inside the touch driving circuit 150. The charge control unit 152 can adjust the amount of charge of the touch sensing signal transmitted to the preamplifier (PAMP) through the internal signal line (ISL).

일 예로, 전하 조절부(152)는, 내부 신호 라인(ISL)을 통해 전달되는 터치 센싱 신호의 전하의 일부를 제거할 수 있다. 전하 조절부(152)에 의해 터치 라인(TL)에 형성된 기생 커패시턴스(Cpara)가 감소되거나 제거될 수 있다.As an example, the charge control unit 152 may remove a portion of the charge of the touch sensing signal transmitted through the internal signal line (ISL). The parasitic capacitance Cpara formed in the touch line TL may be reduced or eliminated by the charge control unit 152.

전하 조절부(152)에 의해 기생 커패시턴스(Cpara)의 영향성이 감소 또는 제거된 터치 센싱 신호가 프리앰프(PAMP)로 입력될 수 있다. 이러한 터치 센싱 신호에 기반한 센싱 출력 신호(Vout)가 프리앰프(PAMP)에 의해 출력되므로, 노이즈가 감소 또는 제거된 센싱 출력 신호(Vout)가 출력될 수 있다.A touch sensing signal in which the influence of the parasitic capacitance (Cpara) is reduced or eliminated by the charge control unit 152 may be input to the preamplifier (PAMP). Since the sensing output signal (Vout) based on this touch sensing signal is output by the preamplifier (PAMP), the sensing output signal (Vout) with noise reduced or removed can be output.

노이즈가 감소 또는 제거된 센싱 출력 신호(Vout)에 기반한 센싱 데이터를 이용하여 터치 센싱이 수행되므로, 터치 센싱의 정확도가 개선될 수 있다.Since touch sensing is performed using sensing data based on the sensing output signal (Vout) from which noise has been reduced or removed, the accuracy of touch sensing can be improved.

전하 조절부(152)는, 적어도 하나의 트랜지스터나 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 전하 조절부(152)에 포함된 다수의 회로 소자가 터치 구동 신호(TDS)의 타이밍에 기초하여 구동하며, 터치 센싱 신호의 전하량을 조절할 수 있다.The charge control unit 152 may include at least one transistor or at least one capacitor. A plurality of circuit elements included in the charge control unit 152 are driven based on the timing of the touch driving signal (TDS) and can adjust the amount of charge of the touch sensing signal.

도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로(150)의 구체적인 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 도 4 내지 도 6은 도 3에 도시된 터치 구동 회로(150)의 구동 방식의 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a specific structure of the touch driving circuit 150 according to embodiments of the present disclosure. FIGS. 4 to 6 are diagrams showing examples of driving methods of the touch driving circuit 150 shown in FIG. 3 .

도 3을 참조하면, 터치 구동 회로(150)는, 센싱 유닛(151), 전하 조절부(152) 및 로컬 바이어스(153)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the touch driving circuit 150 may include a sensing unit 151, a charge control unit 152, and a local bias 153.

센싱 유닛(151)은, 프리앰프(PAMP), 피드백 커패시터(Cfb) 및 리셋 스위치(SWrst)를 포함할 수 있다. 센싱 유닛(151)은, 내부 신호 라인(ISL)을 통해 터치 라인(TL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 내부 신호 라인(ISL)은, 터치 센싱 신호가 수신되는 경로일 수 있다. 내부 신호 라인(ISL)에 전하 조절부(152)가 전기적으로 연결될 수 있다.The sensing unit 151 may include a preamplifier (PAMP), a feedback capacitor (Cfb), and a reset switch (SWrst). The sensing unit 151 may be electrically connected to the touch line (TL) through the internal signal line (ISL). The internal signal line (ISL) may be a path through which a touch sensing signal is received. The charge control unit 152 may be electrically connected to the internal signal line (ISL).

전하 조절부(152)는, 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1), 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1), 제2 전류 전류 제어 트랜지스터(Tcc2) 및 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 포함할 수 있다.The charge control unit 152 may include a first current amount determining transistor (Tcad1), a first current control transistor (Tcc1), a second current amount determining transistor (Tcc2), and a second current amount determining transistor (Tcad2).

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)는, 제1 전류 제어 전압(VCC1)의 입력단과 내부 신호 라인(ISL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전류 제어 전압(VCC1)은, 일 예로, 고전위 전압일 수 있다.The first current control transistor Tcc1 may be electrically connected between the input terminal of the first current control voltage VCC1 and the internal signal line ISL. The first current control voltage VCC1 may be, for example, a high potential voltage.

제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)는, 제2 전류 제어 전압(VCC2)의 입력단과 내부 신호 라인(ISL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전류 제어 전압(VCC2)은, 일 예로, 저전위 전압일 수 있다.The second current control transistor Tcc2 may be electrically connected between the input terminal of the second current control voltage VCC2 and the internal signal line ISL. For example, the second current control voltage VCC2 may be a low-potential voltage.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)는, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)에 의해 제어될 수 있다. 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)는, 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)에 의해 제어될 수 있다.The first current control transistor Tcc1 may be controlled by the first current control clock signal CC_CLK1. The second current control transistor Tcc2 may be controlled by the second current control clock signal CC_CLK2.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)는, 일 예로, 펄스 형태의 신호일 수 있다. 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 펄스 폭과 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭은 클럭 단위로 조절될 수 있다. 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)는, 상이한 신호일 수 있다.For example, the first current control clock signal (CC_CLK1) and the second current control clock signal (CC_CLK2) may be signals in the form of pulses. The pulse width of the first current control clock signal (CC_CLK1) and the pulse width of the second current control clock signal (CC_CLK2) may be adjusted on a clock basis. The first current control clock signal (CC_CLK1) and the second current control clock signal (CC_CLK2) may be different signals.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)는, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)에 따라 턴-온 될 수 있다.The first current control transistor Tcc1 may be turned on according to the first current control clock signal CC_CLK1.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간에 제1 전류 제어 전압(VCC1)의 입력단으로부터 내부 신호 라인(ISL)으로 전류가 흐를 수 있다. 즉, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간에 터치 센싱 신호가 수신되는 내부 신호 라인(ISL)으로 전하가 유입될 수 있다.While the first current control transistor Tcc1 is turned on, current may flow from the input terminal of the first current control voltage VCC1 to the internal signal line ISL. That is, charge may flow into the internal signal line (ISL) where the touch sensing signal is received while the first current control transistor (Tcc1) is turned on.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간에 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)는 턴-오프 될 수 있다.The second current control transistor Tcc2 may be turned off while the first current control transistor Tcc1 is turned on.

제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간에 내부 신호 라인(ISL)으로부터 제2 전류 제어 전압(VCC2)의 입력단으로 전류가 흐를 수 있다. 즉, 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간에 터치 센싱 신호가 수신되는 내부 신호 라인(ISL)으로부터 전하가 제거될 수 있다.While the second current control transistor Tcc2 is turned on, current may flow from the internal signal line ISL to the input terminal of the second current control voltage VCC2. That is, charge may be removed from the internal signal line (ISL) where the touch sensing signal is received while the second current control transistor (Tcc2) is turned on.

제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간에 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)는 턴-오프 될 수 있다.The first current control transistor Tcc1 may be turned off while the second current control transistor Tcc2 is turned on.

터치 센싱이 수행되는 기간에 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)의 제어에 의해 내부 신호 라인(ISL)을 통해 수신되는 터치 센싱 신호의 전하량을 조절할 수 있다. 터치 센싱 신호의 전하량을 조절함에 의해 터치 센싱 신호에 포함된 기생 커패시턴스(Cpapa)가 감소 또는 제거될 수 있다.During the period when touch sensing is performed, the amount of charge of the touch sensing signal received through the internal signal line (ISL) can be adjusted by controlling the first and second current control transistors (Tcc1) and Tcc2. By adjusting the amount of charge of the touch sensing signal, the parasitic capacitance (Cpapa) included in the touch sensing signal can be reduced or eliminated.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)는, 제1 전류 제어 전압(VCC1)의 입력단으로부터 내부 신호 라인(ISL)의 방향으로 전류가 흐르는 것을 제어하며 P 타입의 트랜지스터일 수 있다. 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)는, 내부 신호 라인(ISL)으로부터 제2 전류 제어 전압(VCC2)의 입력단으로 전류가 흐르는 것을 제어하며 N 타입의 트랜지스터일 수 있다.The first current control transistor Tcc1 controls the flow of current from the input terminal of the first current control voltage VCC1 to the internal signal line ISL and may be a P-type transistor. The second current control transistor Tcc2 controls the flow of current from the internal signal line ISL to the input terminal of the second current control voltage VCC2 and may be an N-type transistor.

제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)는, 제1 전류 제어 전압(VCC1)의 입력단과 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.The first current amount determining transistor Tcad1 may be electrically connected between the input terminal of the first current control voltage VCC1 and the first current control transistor Tcc1.

제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)는, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간과 턴-오프 된 기간의 적어도 일부를 포함하는 기간에 턴-온 상태를 유지할 수 있다. 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)는, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)로 유입되는 전류의 양을 고정시켜줄 수 있다.The first current amount determination transistor Tcad1 may maintain the turn-on state during a period including at least a portion of the turn-on period and the turn-off period of the first current control transistor Tcc1. The first current amount determining transistor Tcad1 can fix the amount of current flowing into the first current control transistor Tcc1.

고정된 전류의 양이 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)를 통해 내부 신호 라인(ISL)으로 유입되며, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간에 의해 내부 신호 라인(ISL)으로 유입되는 전류의 총량이 결정될 수 있다.A fixed amount of current flows into the internal signal line (ISL) through the first current control transistor (Tcc1), and flows into the internal signal line (ISL) during the turn-on period of the first current control transistor (Tcc1). The total amount of current can be determined.

제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)는, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 같이 P 타입일 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다.The first current amount determining transistor Tcad1 may be of the P type like the first current control transistor Tcc1, but is not limited thereto.

제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)는, 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)와 제2 전류 제어 전압(VCC2)의 입력단 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.The second current amount determination transistor Tcad2 may be electrically connected between the second current control transistor Tcc2 and the input terminal of the second current control voltage VCC2.

제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)는, 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간과 턴-오프 된 기간의 적어도 일부를 포함하는 기간에 턴-온 상태를 유지할 수 있다. 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)는, 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)를 통해 제거되는 전류의 양을 고정시켜줄 수 있다.The second current amount determination transistor Tcad2 may maintain the turn-on state during a period including at least a portion of the turn-on period and the turn-off period of the second current control transistor Tcc2. The second current amount determining transistor Tcad2 can fix the amount of current removed through the second current control transistor Tcc2.

고정된 전류의 양이 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)를 통해 제거되며, 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간에 의해 내부 신호 라인(ISL)에서 제거되는 전류의 총량이 결정될 수 있다.A fixed amount of current is removed through the second current control transistor (Tcc2), and the total amount of current removed from the internal signal line (ISL) can be determined by the period that the second current control transistor (Tcc2) is turned on. there is.

제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)는, 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)와 같이 N 타입일 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다.The second current amount determining transistor Tcad2 may be of the N type like the second current control transistor Tcc2, but is not limited thereto.

제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)는, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 동작하는 기간에 턴-온 상태를 유지할 수 있다. 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)는, 로컬 바이어스(153)와 전기적으로 연결되며 내부 신호 라인(ISL)으로 유입 또는 내부 신호 라인(ISL)에서 제거되는 전류량의 범위를 고정시켜줄 수 있다.The first current amount determining transistor Tcad1 and the second current amount determining transistor Tcad2 may maintain a turn-on state while the first current control transistor Tcc1 and the second current control transistor Tcc2 are operating. The first current amount determining transistor (Tcad1) and the second current amount determining transistor (Tcad2) are electrically connected to the local bias 153 and have a range of current flowing into or removed from the internal signal line (ISL). can be fixed.

일 예로, 로컬 바이어스(153)는, 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)와 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)를 포함할 수 있다. 로컬 바이어스(153)는, 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)와 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2) 이외에 다수의 트랜지스터와 같은 회로 소자를 포함할 수 있으며, 로컬 바이어스(153)에 포함된 회로 소자의 연결 구조는 다양할 수 있으므로 도 3과 이하 도면에서 생략하여 도시한다.As an example, the local bias 153 may include a first local bias transistor (Tlb1) and a second local bias transistor (Tlb2). The local bias 153 may include circuit elements such as a plurality of transistors in addition to the first local bias transistor Tlb1 and the second local bias transistor Tlb2, and the circuit elements included in the local bias 153 are connected. Since the structure may vary, it is omitted from Figure 3 and the drawings below.

로컬 바이어스(153)는, 터치 구동 회로(150)에 포함되는 다수의 센싱 유닛(151) 각각에 연결된 다수의 전하 조절부(152)에 공통적으로 연결될 수 있다. 즉, 터치 구동 회로(150)에 다수의 센싱 유닛(151)과 다수의 전하 조절부(152)가 배치되고, 하나의 로컬 바이어스(153)가 배치될 수 있다.The local bias 153 may be commonly connected to a plurality of charge control units 152 connected to each of the plurality of sensing units 151 included in the touch driving circuit 150. That is, a plurality of sensing units 151 and a plurality of charge control units 152 may be disposed in the touch driving circuit 150, and one local bias 153 may be disposed.

하나의 로컬 바이어스(153)가 다수의 전하 조절부(152)에 연결되어 각각의 전하 조절부(152)에 포함된 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 제어할 수 있다. 공통적인 로컬 바이어스(153)에 의해 다수의 전하 조절부(152)의 제어가 이루어지므로, 다수의 전하 조절부(152) 각각에서 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)를 통해 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)로 흐르거나, 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)에서 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 빠져나가는 전류의 고정된 양을 동일하게 제어할 수 있다.One local bias 153 is connected to a plurality of charge control units 152 to control the first current amount determination transistor (Tcad1) and the second current amount determination transistor (Tcad2) included in each charge control unit 152. You can. Since the plurality of charge control units 152 are controlled by the common local bias 153, each of the plurality of charge control units 152 operates the first current control transistor Tcc1 through the first current amount determination transistor Tcad1. ) or a fixed amount of current flowing out from the second current control transistor (Tcc2) through the second current amount determining transistor (Tcad2) can be controlled equally.

제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)의 게이트 노드는 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)의 게이트 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)가 턴-온 된 기간에 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)가 턴-온 될 수 있다. 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)에 의해 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)의 턴-온 상태가 제어될 수 있다.The gate node of the first local bias transistor Tlb1 may be electrically connected to the gate node of the first current amount determining transistor Tcad1. The first current amount determination transistor Tcad1 may be turned on during the period in which the first local bias transistor Tlb1 is turned on. The turn-on state of the first current amount determining transistor Tcad1 may be controlled by the first local bias transistor Tlb1.

제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)의 게이트 노드는 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 게이트 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)가 턴-온 된 기간에 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)가 턴-온 될 수 있다. 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)에 의해 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 턴-온 상태가 제어될 수 있다.The gate node of the second local bias transistor Tlb2 may be electrically connected to the gate node of the second current amount determination transistor Tcad2. The second current amount determination transistor Tcad2 may be turned on during the period in which the second local bias transistor Tlb2 is turned on. The turn-on state of the second current amount determining transistor Tcad2 may be controlled by the second local bias transistor Tlb2.

제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)와 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2) 각각은 둘 이상의 전하 조절부(152) 각각에 포함된 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1) 또는 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)와 연결될 수 있다. 터치 구동 회로(150)에 다수의 센싱 유닛(151)이 포함될 수 있으며, 다수의 센싱 유닛(151) 각각에 전하 조절부(152)가 연결될 수 있다. 둘 이상의 센싱 유닛(151) 각각에 연결된 둘 이상의 전하 조절부(152) 각각에 포함된 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)가 하나의 공통된 로컬 바이어스(153)에 의해 제어될 수 있다. 전하 조절부(152)에서 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1) 또는 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 흐르는 전류의 양을 로컬 바이어스(153)에 의해 일정하게 고정시켜줄 수 있다.Each of the first local bias transistor (Tlb1) and the second local bias transistor (Tlb2) is connected to the first current amount determining transistor (Tcad1) or the second current amount determining transistor (Tcad2) included in each of the two or more charge control units 152. You can. A plurality of sensing units 151 may be included in the touch driving circuit 150, and a charge control unit 152 may be connected to each of the plurality of sensing units 151. The first current amount determining transistor (Tcad1) and the second current amount determining transistor (Tcad2) included in each of the two or more charge control units 152 connected to each of the two or more sensing units 151 are controlled by one common local bias 153. It can be controlled. In the charge control unit 152, the amount of current flowing through the first current amount determining transistor (Tcad1) or the second current amount determining transistor (Tcad2) can be fixed to a constant level by the local bias 153.

제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 흐르는 전류의 양은 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)와 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)에 의해 결정될 수 있다.The amount of current flowing through the first current amount determining transistor Tcad1 and the second current amount determining transistor Tcad2 may be determined by the first local bias transistor Tlb1 and the second local bias transistor Tlb2.

일 예로, 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)의 채널의 폭과 길이는 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)의 채널의 폭과 길이와 동일할 수 있다. 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)를 통해 흐르는 전류의 양은 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)를 통해 흐르는 전류의 양과 동일할 수 있다.For example, the channel width and length of the first current amount determining transistor Tcad1 may be the same as the channel width and length of the first local bias transistor Tlb1. The amount of current flowing through the first current amount determining transistor Tcad1 may be the same as the amount of current flowing through the first local bias transistor Tlb1.

또한, 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 채널의 폭과 길이는 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)의 채널의 폭과 길이와 동일할 수 있다. 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 흐르는 전류의 양은 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)를 통해 흐르는 전류의 양과 동일할 수 있다.Additionally, the channel width and length of the second current amount determining transistor Tcad2 may be the same as the channel width and length of the second local bias transistor Tlb2. The amount of current flowing through the second current amount determining transistor Tcad2 may be the same as the amount of current flowing through the second local bias transistor Tlb2.

로컬 바이어스(153)에 포함된 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)와 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)에 의해 각각의 센싱 유닛(151)에 연결된 전하 조절부(152)에서 흐르는 전류의 양이 일정해질 수 있다. 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 흐르는 전류의 양이 일정한 상태에서, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)의 턴-온 기간을 조절하여, 내부 신호 라인(ISL)으로 유입 또는 제거되는 전하의 양을 조절해줄 수 있다.The amount of current flowing in the charge control unit 152 connected to each sensing unit 151 is constant by the first local bias transistor (Tlb1) and the second local bias transistor (Tlb2) included in the local bias 153. You can. In a state where the amount of current flowing through the first current amount determining transistor Tcad1 and the second current amount determining transistor Tcad2 is constant, the turn-on period of the first current control transistor Tcc1 and the second current control transistor Tcc2 By adjusting , the amount of charge flowing into or being removed from the internal signal line (ISL) can be adjusted.

도 4를 참조하면, 로컬 바이어스(153)에 포함된 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)를 통해 제1 기준 전류(Iref1)가 흐를 수 있다. 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)와 게이트 노드를 공유하는 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)를 통해 제1 출력 전류(Iout1)가 흐를 수 있다. 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)의 채널의 폭과 길이가 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)의 채널의 폭과 길이와 동일하므로, 제1 출력 전류(Iout1)의 크기는 제1 기준 전류(Iref1)의 크기와 동일할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the first reference current (Iref1) may flow through the first local bias transistor (Tlb1) included in the local bias 153. The first output current (Iout1) may flow through the first current amount determination transistor (Tcad1) that shares a gate node with the first local bias transistor (Tlb1). Since the width and length of the channel of the first current amount determining transistor (Tcad1) are the same as the width and length of the channel of the first local bias transistor (Tlb1), the size of the first output current (Iout1) is equal to the first reference current (Iref1) It may be the same as the size of .

제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)를 통해 제2 기준 전류(Iref2)가 흐를 수 있다. 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)와 게이트 노드를 공유하는 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 제2 출력 전류(Iout2)가 흐를 수 있다. 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 채널의 폭과 길이가 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)의 채널의 폭과 길이와 동일하므로, 제2 출력 전류(Iout2)의 크기는 제2 기준 전류(Iref2)의 크기와 동일할 수 있다.A second reference current (Iref2) may flow through the second local bias transistor (Tlb2). The second output current (Iout2) may flow through the second current amount determination transistor (Tcad2) that shares a gate node with the second local bias transistor (Tlb2). Since the width and length of the channel of the second current amount determining transistor (Tcad2) are the same as the channel width and length of the second local bias transistor (Tlb2), the size of the second output current (Iout2) is equal to the second reference current (Iref2) It may be the same as the size of .

도 4에 도시된 예시와 같이, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-오프 된 상태이면, 터치 센싱 신호가 수신되는 내부 신호 라인(ISL)으로 전하가 유입되거나, 내부 신호 라인(ISL)으로부터 전하가 제거되지 않는 상태일 수 있다.As an example shown in FIG. 4, when the first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2) are turned off, charge flows into the internal signal line (ISL) where the touch sensing signal is received. Alternatively, the charge may not be removed from the internal signal line (ISL).

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)의 동작에 따라, 내부 신호 라인(ISL)으로 전하가 유입되거나, 내부 신호 라인(ISL)에서 전하가 제거될 수 있다.Depending on the operation of the first current control transistor Tcc1 and the second current control transistor Tcc2, charge may flow into the internal signal line ISL or charge may be removed from the internal signal line ISL.

도 5를 참조하면, 전하 조절부(152)에 포함된 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 될 수 있다. 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)는, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)에 의해 제어될 수 있다.Referring to FIG. 5, the first current control transistor Tcc1 included in the charge control unit 152 may be turned on. The first current control transistor Tcc1 may be controlled by the first current control clock signal CC_CLK1.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 펄스 폭에 따라 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간이 결정될 수 있다.The period during which the first current control transistor Tcc1 is turned on may be determined according to the pulse width of the first current control clock signal CC_CLK1.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간에 내부 신호 라인(ISL)으로 전하가 유입될 수 있다. 내부 신호 라인(ISL)으로 유입되는 전하의 양은 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간에 따라 결정될 수 있다.Charge may flow into the internal signal line (ISL) while the first current control transistor (Tcc1) is turned on. The amount of charge flowing into the internal signal line (ISL) may be determined depending on the period during which the first current control transistor (Tcc1) is turned on.

내부 신호 라인(ISL)으로 전하가 유입되므로, 프리앰프(PAMP)로 입력되는 전하의 양이 증가할 수 있다. 프리앰프(PAMP)를 통해 출력되는 센싱 출력 신호(Vout)에 영향을 줄 수 있다.Since charge flows into the internal signal line (ISL), the amount of charge input to the preamplifier (PAMP) may increase. It can affect the sensing output signal (Vout) output through the preamplifier (PAMP).

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간에 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)는 턴-오프 된 상태일 수 있다. 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)는, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-오프 된 기간에 턴-온 될 수 있다.While the first current control transistor Tcc1 is turned on, the second current control transistor Tcc2 may be turned off. The second current control transistor Tcc2 may be turned on during the period in which the first current control transistor Tcc1 is turned off.

도 6을 참조하면, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-오프 된 기간에 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 될 수 있다.Referring to FIG. 6, the second current control transistor Tcc2 may be turned on while the first current control transistor Tcc1 is turned off.

제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)가 턴-온 된 상태이므로, 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 전류가 흐를 수 있다. 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)의 동작에 의해 내부 신호 라인(ISL)에서 전하가 제거될 수 있다.Since the second current amount determining transistor Tcad2 is turned on, current may flow through the second current control transistor Tcc2 and the second current amount determining transistor Tcad2. Charges may be removed from the internal signal line (ISL) by the operation of the second current control transistor (Tcc2).

제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)는, 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)에 의해 제어될 수 있다.The second current control transistor Tcc2 may be controlled by the second current control clock signal CC_CLK2.

제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간은, 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭에 따라 결정될 수 있다. 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭에 따라 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)를 통해 흐르는 전류의 총량이 결정될 수 있다.The period during which the second current control transistor Tcc2 is turned on may be determined according to the pulse width of the second current control clock signal CC_CLK2. The total amount of current flowing through the second current control transistor Tcc2 may be determined according to the pulse width of the second current control clock signal CC_CLK2.

제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)에 의해 내부 신호 라인(ISL)에서 제거되는 전하의 양이 조절될 수 있다.The amount of charge removed from the internal signal line (ISL) can be adjusted by the second current control clock signal (CC_CLK2).

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)의 동작에 의해 내부 신호 라인(ISL)으로 수신되는 터치 센싱 신호에서 전하가 유입 또는 제거되므로, 터치 센싱 신호에서 기생 커패시턴스(Cpara)의 성분을 제거하며 프리앰프(PAMP)에 의해 출력되는 센싱 출력 신호(Vout)의 정확도를 개선할 수 있다.Since charge is introduced or removed from the touch sensing signal received through the internal signal line (ISL) by the operation of the first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2), the parasitic capacitance (Cpara) in the touch sensing signal By removing the components, the accuracy of the sensing output signal (Vout) output by the preamplifier (PAMP) can be improved.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)를 통해 유입 또는 제거되는 전류의 총량은 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭에 의해 제어될 수 있다.The total amount of current flowing in or out through the first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2) is determined by the pulse width of the first current control clock signal (CC_CLK1) and the second current control clock signal (CC_CLK2). can be controlled by

제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)에 의해 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)로 공급되는 전류량이 고정되고, 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)에 의해 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)에서 일정한 시간 당 유출되는 전류량이 고정된 상태에서, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭에 의해 내부 신호 라인(ISL)으로 유입 또는 내부 신호 라인(ISL)에서 제거되는 전하의 양이 조절될 수 있다. 즉, 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)에 의해 단위 시간 당 공급 또는 유출되는 전류량이 고정된 상태에서, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간의 제어에 의해 내부 신호 라인(ISL)으로 유입 또는 제거되는 전하의 양이 조절될 수 있다.The amount of current supplied to the first current control transistor (Tcc1) is fixed by the first current amount determining transistor (Tcad1), and the amount of current flowing out from the second current control transistor (Tcc2) at a certain time by the second current amount determining transistor (Tcad2) is fixed. In a fixed current amount, charge flows into or is removed from the internal signal line (ISL) by the pulse width of the first current control clock signal (CC_CLK1) and the second current control clock signal (CC_CLK2) The amount can be adjusted. That is, in a state where the amount of current supplied or discharged per unit time by the first current amount determining transistor (Tcad1) and the second current amount determining transistor (Tcad2) is fixed, the first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor ( The amount of charge flowing into or being removed from the internal signal line (ISL) can be adjusted by controlling the turn-on period (Tcc2).

제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)에 의해 고정되는 전류량은 로컬 바이어스(153)에 포함된 로컬 바이어스 트랜지스터의 구조에 의해 조절될 수 있다.The amount of current fixed by the first current amount determining transistor (Tcad1) and the second current amount determining transistor (Tcad2) can be adjusted by the structure of the local bias transistor included in the local bias 153.

도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로(150)의 구체적인 구조의 다른 예시를 나타낸 도면이다. 도 8은 도 7에 도시된 터치 구동 회로(150)의 구동 방식의 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating another example of a specific structure of the touch driving circuit 150 according to embodiments of the present disclosure. FIG. 8 is a diagram showing an example of a driving method of the touch driving circuit 150 shown in FIG. 7.

도 7을 참조하면, 로컬 바이어스(153)에 포함된 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)가 3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23)로 구성된 경우를 예시적으로 나타낸다.Referring to FIG. 7 , an example is shown where the second local bias transistor Tlb2 included in the local bias 153 is composed of three second local bias transistors Tlb21, Tlb22, and Tlb23.

3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23) 중 하나의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21)의 게이트 노드는 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 게이트 노드와 직접 전기적으로 연결될 수 있다.The gate node of one of the three second local bias transistors Tlb21, Tlb22, and Tlb23 (Tlb21) may be directly electrically connected to the gate node of the second current amount determining transistor (Tcad2).

3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23) 중 적어도 하나의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb22, Tlb23)의 게이트 노드와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 게이트 노드 사이에 제1 스위치(SW22a, SW23a)가 전기적으로 연결될 수 있다. 적어도 하나의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb22, Tlb23)의 게이트 노드와 제2 전류 제어 전압(VCC2)의 입력단 사이에 제2 스위치(SW22b, SW23b)가 전기적으로 연결될 수 있다.A first switch (SW22a) between the gate node of at least one second local bias transistor (Tlb22, Tlb23) among the three second local bias transistors (Tlb21, Tlb22, Tlb23) and the gate node of the second current amount determination transistor (Tcad2) , SW23a) can be electrically connected. The second switches SW22b and SW23b may be electrically connected between the gate node of at least one second local bias transistor Tlb22 and Tlb23 and the input terminal of the second current control voltage VCC2.

3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23)와 제1 전류 제어 전압(VCC1)의 입력단 사이에 제3 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb3)가 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb3)가 턴-온 되면 제2 기준 전류(Iref2)가 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21)로 흐를 수 있다. 제3 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb3)에 의해 제2 기준 전류(Iref2)의 크기가 결정될 수 있다.A third local bias transistor (Tlb3) may be electrically connected between the three second local bias transistors (Tlb21, Tlb22, Tlb23) and the input terminal of the first current control voltage (VCC1). When the third local bias transistor Tlb3 is turned on, the second reference current Iref2 may flow to the second local bias transistor Tlb21. The size of the second reference current Iref2 may be determined by the third local bias transistor Tlb3.

제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)가 도 3에 도시된 예시와 같이 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 크기와 동일한 크기의 단일 트랜지스터로 배치된 경우, 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 흐르는 제2 출력 전류(Iout2)는 제2 기준 전류(Iref2)와 동일할 수 있다.When the second local bias transistor (Tlb2) is arranged as a single transistor with the same size as the second current amount determining transistor (Tcad2) as shown in the example shown in FIG. 3, the first current flowing through the second current amount determining transistor (Tcad2) 2 The output current (Iout2) may be equal to the second reference current (Iref2).

반면, 도 7에 도시된 예시와 같이, 3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23)가 병렬 연결되어 배치된 경우, 3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23) 중 일부 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb22, Tlb23)에 연결된 제1 스위치(SW22a, SW23a)와 제2 스위치(SW22b, SW23b)의 동작 상태에 따라 제2 출력 전류(Iout2)의 크기가 조절될 수 있다.On the other hand, as in the example shown in FIG. 7, when three second local bias transistors (Tlb21, Tlb22, Tlb23) are arranged in parallel connection, some of the three second local bias transistors (Tlb21, Tlb22, Tlb23) 2 The size of the second output current (Iout2) can be adjusted depending on the operating states of the first switches (SW22a, SW23a) and the second switches (SW22b, SW23b) connected to the local bias transistors (Tlb22, Tlb23).

일 예로, 도 8을 참조하면, 3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23) 중 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb22)의 게이트 노드에 연결된 제1 스위치(SW22a)는 턴-온 되고 제2 스위치(SW22b)는 턴-오프 될 수 있다. 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb23)의 게이트 노드에 연결된 제1 스위치(SW23a)는 턴-오프 되고 제2 스위치(SW23b)는 턴-온 될 수 있다.As an example, referring to FIG. 8, among the three second local bias transistors (Tlb21, Tlb22, Tlb23), the first switch (SW22a) connected to the gate node of the second local bias transistor (Tlb22) is turned on and the second switch (SW22a) is turned on. Switch SW22b can be turned off. The first switch (SW23a) connected to the gate node of the second local bias transistor (Tlb23) may be turned off and the second switch (SW23b) may be turned on.

3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23) 중 2개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22)는 턴-온 되고, 나머지 1개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tbl23)은 턴-오프 될 수 있다.Among the three second local bias transistors (Tlb21, Tlb22, Tlb23), two second local bias transistors (Tlb21, Tlb22) can be turned on, and the remaining one second local bias transistor (Tbl23) can be turned off. there is.

3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23)의 채널의 크기가 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 채널의 크기와 동일할 때, 2개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22)가 턴-온 되어 병렬 연결된 상태이므로, 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 흐르는 제2 출력 전류(Iout2)의 크기가 제2 기준 전류(Iref2)의 크기와 동일하지 않을 수 있다.When the size of the channel of the three second local bias transistors (Tlb21, Tlb22, Tlb23) is the same as the size of the channel of the second current amount determining transistor (Tcad2), the two second local bias transistors (Tlb21, Tlb22) turn on. - Since it is turned on and connected in parallel, the size of the second output current (Iout2) flowing through the second current amount determining transistor (Tcad2) may not be the same as the size of the second reference current (Iref2).

일 예로, 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 흐르는 제2 출력 전류(Iout2)의 크기는 아래 수학식 1과 같이 결정될 수 있다.As an example, the size of the second output current (Iout2) flowing through the second current amount determining transistor (Tcad2) may be determined as shown in Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

여기서, Wcad2와 Lcad2 각각은 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 채널의 폭과 길이를 의미한다. Wlb2와 Llb2 각각은 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)의 채널의 폭과 길이를 의미한다.Here, Wcad2 and Lcad2 each mean the width and length of the channel of the second current amount determining transistor (Tcad2). Wlb2 and Llb2 each mean the width and length of the channel of the second local bias transistor (Tlb2).

2개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22)가 병렬 연결된 상태이므로, 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)의 채널의 폭 Wlb2가 증가할 수 있고 제2 출력 전류(Iout2)의 크기는 제2 기준 전류(Iref2)보다 작아질 수 있다(예, 1/2배).Since the two second local bias transistors (Tlb21 and Tlb22) are connected in parallel, the channel width Wlb2 of the second local bias transistor (Tlb2) can be increased and the size of the second output current (Iout2) is equal to the second reference current. It can be smaller than (Iref2) (e.g., 1/2 times).

또한, 3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23) 중 2개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb22, Tlb23)의 게이트 노드에 연결된 제1 스위치(SW22a, SW23a)가 모두 턴-온 된 경우에는 제2 출력 전류(Iout2)가 제2 기준 전류(Iref2)의 1/3이 될 수도 있다.In addition, when the first switches (SW22a, SW23a) connected to the gate nodes of two of the three second local bias transistors (Tlb21, Tlb22, Tlb23) (Tlb22, Tlb23) are turned on, The second output current (Iout2) may be 1/3 of the second reference current (Iref2).

3개의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb21, Tlb22, Tlb23)이 병렬로 연결된 구조에서, 제1 스위치(SW22a, SW23a)와 제2 스위치(SW22b, SW23b)의 동작에 의해 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 흐르는 제2 출력 전류(Iout2)의 크기를 단계 별로 다양하게 조절할 수 있다.In a structure where three second local bias transistors (Tlb21, Tlb22, Tlb23) are connected in parallel, the second current amount determining transistor (Tcad2) is operated by the first switches (SW22a, SW23a) and the second switches (SW22b, SW23b). The size of the second output current (Iout2) flowing through can be variously adjusted for each stage.

제1 스위치(SW22a, SW23a)와 제2 스위치(SW22b, SW23b)의 동작 상태는, 일 예로, 레지스터의 설정으로 조절될 수 있다. 또한, 경우에 따라, 도 3에 도시된 예시에서, 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)도 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)와 같이 병렬로 연결되며, 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)를 통해 흐르는 제1 출력 전류(Iout1)의 크기를 다양하게 조절해 줄 수도 있다.The operating states of the first switches (SW22a, SW23a) and the second switches (SW22b, SW23b) may be adjusted, for example, by setting registers. In addition, in some cases, in the example shown in FIG. 3, the first local bias transistor (Tlb1) is also connected in parallel with the second local bias transistor (Tlb2), and the first current amount flowing through the first amount determining transistor (Tcad1) 1 The size of the output current (Iout1) can be adjusted in various ways.

로컬 바이어스(153)에 의해 고정된 전류량이 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 통해 흐르게 하고, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)에 의해 유입 또는 유출되는 전하의 양을 조절하여 터치 센싱 신호에서 기생 커패시턴스(Cpara)의 영향을 제거 또는 감소시킬 수 있다.A current amount fixed by the local bias 153 flows through the first current amount determining transistor (Tcad1) and the second current amount determining transistor (Tcad2), and the first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2) The effect of parasitic capacitance (Cpara) on the touch sensing signal can be removed or reduced by controlling the amount of charge flowing in or out.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2) 각각의 동작을 제어하는 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭과 인가 타이밍은 터치 구동 신호(TDS)에 기초하여 결정될 수 있다.The pulse width and application timing of the first current control clock signal (CC_CLK1) and the second current control clock signal (CC_CLK2) that control the operations of each of the first and second current control transistors (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2) are touched. It may be determined based on the driving signal (TDS).

도 9 및 도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로(150)를 구동하는 신호의 타이밍의 예시를 나타낸 도면이다.9 and 10 are diagrams illustrating examples of timing of signals driving the touch driving circuit 150 according to embodiments of the present disclosure.

도 9를 참조하면, 터치 구동 신호(TDS)는, 제1 레벨(예: 하이 레벨)과 제2 레벨(예: 로우 레벨)을 포함하는 펄스 형태의 신호일 수 있다. 터치 구동 신호(TDS)가 제1 레벨인 기간(P1, P3)과 제2 레벨인 기간(P2, P4)이 교번할 수 있다.Referring to FIG. 9 , the touch driving signal TDS may be a pulse-shaped signal including a first level (eg, high level) and a second level (eg, low level). Periods (P1, P3) when the touch driving signal (TDS) is at the first level and periods (P2, P4) when the touch driving signal (TDS) is at the second level may alternate.

터치 구동 신호(TDS)가 제1 레벨을 유지하는 기간과 제2 레벨을 유지하는 기간에 터치 센싱 신호가 검출될 수 있다. 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 변경되는 시점에 리셋 스위치(SWrst)가 턴-온 될 수 있다.A touch sensing signal may be detected during a period in which the touch driving signal TDS maintains the first level and a period in which the touch driving signal TDS maintains the second level. The reset switch (SWrst) may be turned on when the level of the touch driving signal (TDS) changes.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)가 터치 센싱 신호가 검출되는 기간에 인가될 수 있다.The first current control clock signal (CC_CLK1) and the second current control clock signal (CC_CLK2) may be applied during the period when the touch sensing signal is detected.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)는, 클럭 단위로 조절이 가능한 펄스 형태의 신호일 수 있다.The first current control clock signal (CC_CLK1) and the second current control clock signal (CC_CLK2) may be signals in the form of pulses that can be adjusted on a clock basis.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)는, 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 변경되는 시점 사이에 인가될 수 있다.The first current control clock signal CC_CLK1 and the second current control clock signal CC_CLK2 may be applied between times when the level of the touch driving signal TDS changes.

일 예로, 제1 기간(P1)에 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 하이 레벨일 수 있다. 제1 기간(P1)에 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)를 턴-온 시키는 레벨의 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)가 인가될 수 있다.For example, the level of the touch driving signal TDS may be high in the first period P1. In the first period (P1), the first current control clock signal (CC_CLK1) at a level that turns on the first current control transistor (Tcc1) may be applied.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 P 타입이므로, 로우 레벨의 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)가 인가될 수 있다.Since the first current control transistor Tcc1 is of the P type, the low level first current control clock signal CC_CLK1 can be applied.

제1 기간(P1)에 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)는, 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)를 턴-오프 시키는 레벨을 유지할 수 있다. 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 N 타입이므로, 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)는 로우 레벨을 유지할 수 있다.In the first period (P1), the second current control clock signal (CC_CLK2) may maintain a level that turns off the second current control transistor (Tcc2). Since the second current control transistor Tcc2 is N-type, the second current control clock signal CC_CLK2 can be maintained at a low level.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)는, 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 변경되는 시점으로부터 제1 시간(t1)만큼 지연되어 인가될 수 있다. 터치 센싱 신호의 검출이 되는 시점으로부터 일정한 시간이 지난 후에 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 될 수 있다.The first current control clock signal CC_CLK1 may be applied with a delay of a first time t1 from the time when the level of the touch driving signal TDS changes. The first current control transistor Tcc1 may be turned on after a certain period of time has passed from the point at which the touch sensing signal is detected.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 펄스 폭은 제1 폭(w1)일 수 있다. 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 펄스 폭에 따라 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 되는 기간이 결정될 수 있다.The pulse width of the first current control clock signal (CC_CLK1) may be the first width (w1). The period during which the first current control transistor Tcc1 is turned on may be determined according to the pulse width of the first current control clock signal CC_CLK1.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간에 프리앰프(PAMP)의 (-) 입력단으로 전하가 유입될 수 있다. 프리앰프(PAMP)의 (+) 입력단으로 입력되는 터치 구동 신호(TDS)가 하이 레벨이므로, 프리앰프(PAMP)에 의해 출력되는 센싱 출력 신호(Vout)에 기반한 로 데이터의 크기가 감소할 수 있다.Charges may flow into the (-) input terminal of the preamplifier (PAMP) while the first current control transistor (Tcc1) is turned on. Since the touch driving signal (TDS) input to the (+) input terminal of the preamplifier (PAMP) is high level, the size of raw data based on the sensing output signal (Vout) output by the preamplifier (PAMP) may be reduced. .

제2 기간(P2)에 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 로우 레벨일 수 있다. 제2 기간(P2)에 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)를 턴-온 시키는 레벨의 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)가 인가될 수 있다. 제2 기간(P2)에 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)는 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)를 턴-오프 시키는 레벨을 유지할 수 있다.In the second period P2, the level of the touch driving signal TDS may be at a low level. In the second period (P2), the second current control clock signal (CC_CLK2) at a level that turns on the second current control transistor (Tcc2) may be applied. In the second period P2, the first current control clock signal CC_CLK1 may be maintained at a level that turns off the first current control transistor Tcc1.

제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)는, 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 변경되는 시점으로부터 제2 시간(t2)만큼 지연되어 인가될 수 있다. 제2 시간(t2)은 제1 시간(t1)과 동일할 수 있다. 또는, 경우에 따라, 제2 시간(t2)은 제1 시간(t1)과 상이할 수 있다. 일 예로, 제1 시간(t1)과 제2 시간(t2)을 동일하게 유지하고 전하 조절부(152)에 의해 제거되는 전하의 양을 튜닝하는 과정에서, 제1 시간(t1) 또는 제2 시간(t2) 중 하나를 다르게 설정할 수도 있다.The second current control clock signal CC_CLK2 may be applied with a delay of a second time t2 from the point at which the level of the touch driving signal TDS changes. The second time (t2) may be the same as the first time (t1). Or, in some cases, the second time t2 may be different from the first time t1. For example, in the process of keeping the first time (t1) and the second time (t2) the same and tuning the amount of charge removed by the charge control unit 152, the first time (t1) or the second time (t2) One of (t2) can be set differently.

터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 변경되는 시점으로부터 일정한 시간이 지난 후에 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 될 수 있다.The second current control transistor Tcc2 may be turned on after a certain period of time elapses from the point at which the level of the touch driving signal TDS changes.

제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭은 제2 폭(w2)일 수 있다. 제2 폭(w2)은, 제1 폭(w1)과 동일할 수 있다. 경우에 따라, 제2 폭(w2)은, 제1 폭(w1)과 상이할 수 있다.The pulse width of the second current control clock signal (CC_CLK2) may be the second width (w2). The second width w2 may be the same as the first width w1. In some cases, the second width w2 may be different from the first width w1.

제1 폭(w1)과 제2 폭(w2)이 상이한 경우에도 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)는 터치 구동 신호(TDS)의 타이밍에 맞춰 인가되므로, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 주기는 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 주기와 동일할 수 있다. 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 펄스 폭 및 위상은 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭 및 위상과 상이하고, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 주기는 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 주기는 동일할 수 있다.Even when the first width w1 and the second width w2 are different, the first current control clock signal CC_CLK1 and the second current control clock signal CC_CLK2 are applied according to the timing of the touch driving signal TDS, The period of the first current control clock signal (CC_CLK1) may be the same as the period of the second current control clock signal (CC_CLK2). The pulse width and phase of the first current control clock signal (CC_CLK1) are different from the pulse width and phase of the second current control clock signal (CC_CLK2), and the period of the first current control clock signal (CC_CLK1) is the second current control clock signal. The period of the signal (CC_CLK2) may be the same.

이와 같이, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 펄스 폭과 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭 각각을 클럭 단위로 조절하여, 내부 신호 라인(ISL)을 통해 수신되는 터치 센싱 신호에서 전하의 증가 또는 감소되는 양을 조절할 수 있다.In this way, each pulse width of the first current control clock signal (CC_CLK1) and the pulse width of the second current control clock signal (CC_CLK2) is adjusted in clock units, so that the touch sensing signal received through the internal signal line (ISL) The amount of increase or decrease in charge can be adjusted.

제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간에 프리앰프(PAMP)의 (-) 입력단으로 입력되는 전하가 감소될 수 있다.While the second current control transistor Tcc2 is turned on, the charge input to the (-) input terminal of the preamplifier (PAMP) may be reduced.

프리앰프(PAMP)의 (+) 입력단으로 입력되는 터치 구동 신호(TDS)가 로우 레벨이므로, 터치 센싱 신호의 레벨이 터치 구동 신호(TDS)의 레벨보다 증가할 수 있다. 프리앰프(PAMP)에 의해 출력되는 센싱 출력 신호(Vout)에 기반한 로 데이터의 크기는 감소할 수 있다.Since the touch driving signal (TDS) input to the (+) input terminal of the preamplifier (PAMP) is low level, the level of the touch sensing signal may increase than the level of the touch driving signal (TDS). The size of raw data based on the sensing output signal (Vout) output by the preamplifier (PAMP) can be reduced.

다른 예로, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)가 인가되는 기간과 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)가 인가되는 기간이 상이하게 설정될 수 있다.As another example, the period during which the first current control clock signal CC_CLK1 is applied and the period during which the second current control clock signal CC_CLK2 is applied may be set differently.

도 10을 참조하면, 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 하이 레벨인 제1 기간(P1)에 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)를 턴-온 시키는 레벨의 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)가 인가될 수 있다. 제1 기간(P1)에 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)는 하이 레벨을 유지할 수 있다.Referring to FIG. 10, in the first period (P1) when the level of the touch driving signal (TDS) is high level, the second current control clock signal (CC_CLK2) is at a level that turns on the second current control transistor (Tcc2). may be approved. In the first period (P1), the first current control clock signal (CC_CLK1) may be maintained at a high level.

제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)는, 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 변경되는 시점으로부터 제2 시간(t2)만큼 지연되어 인가될 수 있다. 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭은 제2 폭(w2)일 수 있다. 제2 폭(w2)에 해당하는 기간 동안 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 될 수 있다.The second current control clock signal CC_CLK2 may be applied with a delay of a second time t2 from the time when the level of the touch driving signal TDS changes. The pulse width of the second current control clock signal (CC_CLK2) may be the second width (w2). The second current control transistor Tcc2 may be turned on for a period corresponding to the second width w2.

제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간에 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)를 통해 전류가 흐르므로, 프리앰프(PAMP)의 (-) 입력단으로 입력되는 전하가 감소될 수 있다.Since current flows through the second current control transistor (Tcc2) during the period when the second current control transistor (Tcc2) is turned on, the charge input to the (-) input terminal of the preamplifier (PAMP) may be reduced.

프리앰프(PAMP)의 (+) 입력단으로 입력되는 터치 구동 신호(TDS)가 하이 레벨이므로, 터치 센싱 신호의 레벨이 터치 구동 신호(TDS)의 레벨보다 증가할 수 있다. 프리앰프(PAMP)에 의해 출력되는 센싱 출력 신호(Vout)에 기반한 로 데이터의 크기는 증가할 수 있다.Since the touch driving signal (TDS) input to the (+) input terminal of the preamplifier (PAMP) is high level, the level of the touch sensing signal may increase than the level of the touch driving signal (TDS). The size of raw data based on the sensing output signal (Vout) output by the preamplifier (PAMP) can increase.

제2 기간(P2)에 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)는, 로우 레벨을 유지할 수 있다. 제2 기간(P2)에 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)를 턴-온 시키는 레벨의 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)가 인가될 수 있다.In the second period P2, the second current control clock signal CC_CLK2 may be maintained at a low level. In the second period (P2), the first current control clock signal (CC_CLK1) at a level that turns on the first current control transistor (Tcc1) may be applied.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)는, 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 변경되는 시점으로부터 제1 시간(t1)만큼 지연되어 인가될 수 있다. 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 펄스 폭은 제1 폭(w1)일 수 있다.The first current control clock signal CC_CLK1 may be applied with a delay of a first time t1 from the time when the level of the touch driving signal TDS changes. The pulse width of the first current control clock signal (CC_CLK1) may be the first width (w1).

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)에 의해 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 될 수 있다. 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간에 터치 센싱 신호가 수신되는 내부 신호 라인(ISL)으로 전하가 유입될 수 있다. 프리앰프(PAMP)의 (-) 입력단으로 입력되는 전하가 증가할 수 있다. 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 로우 레벨이므로, 프리앰프(PAMP)에 의해 출력되는 센싱 출력 신호(Vout)에 기반한 로 데이터의 크기가 증가할 수 있다.The first current control transistor (Tcc1) may be turned on by the first current control clock signal (CC_CLK1). While the first current control transistor Tcc1 is turned on, charge may flow into the internal signal line (ISL) where the touch sensing signal is received. The charge input to the (-) input terminal of the preamplifier (PAMP) may increase. Since the level of the touch driving signal (TDS) is low level, the size of raw data based on the sensing output signal (Vout) output by the preamplifier (PAMP) may increase.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2) 각각의 타이밍과 펄스 폭을 조절하여, 내부 신호 라인(ISL)을 통해 프리앰프(PAMP)로 입력되는 전하의 양을 조절함으로써, 디스플레이 패널(110) 내부의 기생 커패시턴스(Cpara)가 터치 센싱 신호에 미치는 영향을 제거 또는 감소시킬 수 있다.By adjusting the timing and pulse width of the first current control clock signal (CC_CLK1) and the second current control clock signal (CC_CLK2), the amount of charge input to the preamplifier (PAMP) through the internal signal line (ISL) is adjusted. By doing so, the influence of the parasitic capacitance Cpara inside the display panel 110 on the touch sensing signal can be removed or reduced.

도 11 및 도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로(150)의 센싱 유닛(151)에 의해 출력되는 신호의 예시를 나타낸 도면이다.11 and 12 are diagrams illustrating examples of signals output by the sensing unit 151 of the touch driving circuit 150 according to embodiments of the present disclosure.

도 11을 참조하면, 프리앰프(PAMP)를 통해 터치 라인(TL)으로 출력되는 터치 구동 신호(TDS)와 프리앰프(PAMP)로 입력되는 터치 센싱 신호에 기반한 센싱 출력 신호(Vout)를 비교한 예시를 나타낸다.Referring to FIG. 11, the touch driving signal (TDS) output to the touch line (TL) through the preamplifier (PAMP) is compared with the sensing output signal (Vout) based on the touch sensing signal input to the preamplifier (PAMP). Shows an example.

터치 센싱 신호가 수신되는 기간 중 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1) 또는 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간에 센싱 출력 신호(Vout)의 레벨이 감소될 수 있다.During the period in which the touch sensing signal is received, the level of the sensing output signal Vout may be reduced during the period in which the first current control transistor Tcc1 or the second current control transistor Tcc2 is turned on.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)에 의해 터치 센싱 신호에 따른 전하의 양을 조절하여, 터치 센싱 신호에서 기생 커패시턴스(Cpara) 성분을 제거 또는 감소시킬 수 있다.By adjusting the amount of charge according to the touch sensing signal using the first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2), the parasitic capacitance (Cpara) component in the touch sensing signal can be removed or reduced.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)는 클럭 단위로 조절 가능한 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)에 의해 제어되므로, 터치 센싱 신호에 따른 전하의 양이 조절되는 시기와 정도를 용이하게 조절할 수 있다.The first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2) are controlled by the first current control clock signal (CC_CLK1) and the second current control clock signal (CC_CLK2) that can be adjusted in clock units, so the touch sensing signal The timing and degree to which the amount of charge is adjusted can be easily adjusted.

또한, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)를 통해 흐르는 전류의 제어를 통해 터치 센싱 신호에 따른 전하의 양을 조절하므로, 터치 구동 회로(150) 내부의 전하 조절부(152)에 의한 전하 조절이 이루어지는 기간에 터치 구동 회로(150)의 구동 성능에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the amount of charge according to the touch sensing signal is adjusted by controlling the current flowing through the first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2), the charge control unit inside the touch driving circuit 150 It is possible to prevent the driving performance of the touch driving circuit 150 from being affected during the period when charge control by 152 is performed.

일 예로, 도 12를 참조하면, 터치 구동 회로(150)에 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 포함된 경우의 센싱 출력 신호(Vout (with Tcc))와 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 포함되지 않은 경우의 센싱 출력 신호(Vout (w/o Tcc))를 비교한 예시를 나타낸다.As an example, referring to FIG. 12, when the touch driving circuit 150 includes the first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2), the sensing output signal (Vout (with Tcc)) and the 1 shows an example of comparing the sensing output signal (Vout (w/o Tcc)) when the current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2) are not included.

도 12에 도시된 1201과 1202가 지시하는 부분과 같이, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1) 또는 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 작동하는 기간에 센싱 출력 신호(Vout)의 크기가 완만하게 감소될 수 있다.As indicated by numbers 1201 and 1202 shown in FIG. 12, the size of the sensing output signal (Vout) is gradually reduced during the period when the first current control transistor (Tcc1) or the second current control transistor (Tcc2) is operating. You can.

센싱 출력 신호(Vout)의 크기가 완만하게 감소되므로, 기생 커패시턴스(Cpara)가 터치 센싱 신호에 미치는 영향을 제거 또는 감소시키면서, 센싱 출력 신호(Vout)의 급격한 변동으로 인한 전자기 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Since the size of the sensing output signal (Vout) is gently reduced, the effect of the parasitic capacitance (Cpara) on the touch sensing signal is eliminated or reduced, while preventing electromagnetic interference from occurring due to rapid changes in the sensing output signal (Vout). can do.

이와 같이, 전류 제어를 통해 내부 신호 라인(ISL)으로 전달되는 터치 센싱 신호의 전하의 양을 조절하므로, 터치 센싱 신호에서 기생 커패시턴스(Cpara)의 영향성을 용이하게 제거하고, 노이즈 감소를 통해 터치 센싱의 성능을 향상시킬 수 있다.In this way, by adjusting the amount of charge of the touch sensing signal transmitted to the internal signal line (ISL) through current control, the influence of parasitic capacitance (Cpara) on the touch sensing signal is easily removed and the touch signal is reduced through noise reduction. Sensing performance can be improved.

이상에서 설명한 본 개시의 실시예들을 간략하게 설명하면 아래와 같다.The embodiments of the present disclosure described above are briefly described as follows.

본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 터치 전극들(TE), 다수의 터치 전극들(TE)의 적어도 하나와 전기적으로 연결된 다수의 터치 라인들(TL), 및 다수의 터치 라인들(TL)을 구동하도록 구성된 터치 구동 회로(150)를 포함하고, 터치 구동 회로(150)는, 다수의 터치 라인들(TL)의 적어도 하나로 터치 구동 신호(TDS)를 출력하고 터치 센싱 신호를 수신하는 센싱 유닛(151), 터치 센싱 신호가 수신되는 경로와 제1 전류 제어 전압(VCC1)의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)에 의해 작동하는 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1), 및 터치 센싱 신호가 수신되는 경로와 제2 전류 제어 전압(VCC2)의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)와 상이한 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)에 의해 작동하는 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)를 포함할 수 있다.The touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure includes a plurality of touch electrodes (TE) disposed on the display panel 110, a plurality of touch electrodes (TE) electrically connected to at least one of the touch electrodes (TE). Touch lines TL and a touch driving circuit 150 configured to drive the plurality of touch lines TL, wherein the touch driving circuit 150 is configured to touch at least one of the plurality of touch lines TL. A sensing unit 151 that outputs a driving signal (TDS) and receives a touch sensing signal, is electrically connected between the path through which the touch sensing signal is received and the input terminal of the first current control voltage (VCC1), and receives a first current control clock signal. A first current control transistor (Tcc1) operated by (CC_CLK1), and electrically connected between the path where the touch sensing signal is received and the input terminal of the second current control voltage (VCC2) and the first current control clock signal (CC_CLK1) It may include a second current control transistor (Tcc2) that operates by a second current control clock signal (CC_CLK2) different from the second current control clock signal (CC_CLK2).

터치 구동 회로(150)는, 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제1 전류 제어 전압(VCC1)의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 턴-온 상태를 유지하는 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1), 및 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)와 제2 전류 제어 전압(VCC2)의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 턴-온 상태를 유지하는 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 포함할 수 있다.The touch driving circuit 150 includes a first current amount determining transistor (Tcad1) that is electrically connected between the first current control transistor (Tcc1) and the input terminal of the first current control voltage (VCC1) and maintains a turn-on state, and It may include a second current amount determining transistor (Tcad2) that is electrically connected between the second current control transistor (Tcc2) and the input terminal of the second current control voltage (VCC2) and maintains a turn-on state.

터치 구동 회로(150)는, 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)의 게이트 노드와 전기적으로 연결된 게이트 노드를 갖는 적어도 하나의 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1), 및 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 게이트 노드와 전기적으로 연결된 게이트 노드를 갖는 적어도 하나의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)를 포함할 수 있다.The touch driving circuit 150 includes at least one first local bias transistor (Tlb1) having a gate node electrically connected to the gate node of the first current amount determining transistor (Tcad1), and the gate of the second current amount determining transistor (Tcad2). It may include at least one second local bias transistor Tlb2 having a gate node electrically connected to the node.

적어도 하나의 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)의 게이트 노드는 둘 이상의 제1 전류량 결정 트랜지스터들(Tcad1) 각각의 게이트 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 적어도 하나의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)의 게이트 노드는 둘 이상의 제2 전류량 결정 트랜지스터들(Tcad2)의 게이트 노드와 전기적으로 연결될 수 있다.The gate node of at least one first local bias transistor Tlb1 may be electrically connected to the gate node of each of the two or more first current amount determining transistors Tcad1. The gate node of at least one second local bias transistor Tlb2 may be electrically connected to the gate nodes of two or more second current amount determining transistors Tcad2.

적어도 하나의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)는 병렬 연결된 둘 이상의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터들(Tlb2)을 포함할 수 있다. 둘 이상의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터들(Tlb2)의 적어도 하나의 게이트 노드와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 게이트 노드 사이에 제1 스위치가 전기적으로 연결될 수 있다. 둘 이상의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터들(Tlb2)의 적어도 하나의 게이트 노드와 제2 전류 제어 전압(VCC2)의 입력단 사이에 제2 스위치가 전기적으로 연결될 수 있다.At least one second local bias transistor Tlb2 may include two or more second local bias transistors Tlb2 connected in parallel. A first switch may be electrically connected between at least one gate node of the two or more second local bias transistors Tlb2 and the gate node of the second current amount determination transistor Tcad2. A second switch may be electrically connected between at least one gate node of the two or more second local bias transistors Tlb2 and the input terminal of the second current control voltage VCC2.

제1 스위치 및 제2 스위치 중 하나는 턴-온 되고 다른 하나는 턴-오프 될 수 있다.One of the first switch and the second switch may be turned on and the other may be turned off.

둘 이상의 제2 로컬 바이어스 트랜지스터들(Tlb2) 중 적어도 하나의 게이트 노드는 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 게이트 노드와 직접 전기적으로 연결될 수 있다.At least one gate node of the two or more second local bias transistors Tlb2 may be directly electrically connected to the gate node of the second current amount determining transistor Tcad2.

제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)의 채널의 폭 및 길이는 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)의 채널의 폭 및 길이와 동일할 수 있다. 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)의 채널의 폭 및 길이는 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 채널의 폭 및 길이와 동일할 수 있다.The channel width and length of the first local bias transistor Tlb1 may be the same as the channel width and length of the first current amount determining transistor Tcad1. The channel width and length of the second local bias transistor Tlb2 may be the same as the channel width and length of the second current amount determining transistor Tcad2.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1), 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1) 및 제1 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb1)는 P 타입일 수 있다. 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2), 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2) 및 제2 로컬 바이어스 트랜지스터(Tlb2)는 N 타입일 수 있다.The first current control transistor (Tcc1), the first current amount determining transistor (Tcad1), and the first local bias transistor (Tlb1) may be of the P type. The second current control transistor (Tcc2), the second current amount determining transistor (Tcad2), and the second local bias transistor (Tlb2) may be N type.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 펄스 폭은 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭과 동일할 수 있다.The pulse width of the first current control clock signal (CC_CLK1) may be the same as the pulse width of the second current control clock signal (CC_CLK2).

또는, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 펄스 폭은 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭과 상이할 수 있다. 이러한 경우, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 위상은 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 위상과 상이하고, 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 주기는 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 주기와 동일할 수 있다.Alternatively, the pulse width of the first current control clock signal (CC_CLK1) may be different from the pulse width of the second current control clock signal (CC_CLK2). In this case, the phase of the first current control clock signal (CC_CLK1) is different from the phase of the second current control clock signal (CC_CLK2), and the period of the first current control clock signal (CC_CLK1) is the second current control clock signal (CC_CLK2). ) may be the same as the cycle.

제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)의 펄스 폭과 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)의 펄스 폭은 터치 구동 신호(TDS)의 펄스 폭보다 작을 수 있다.The pulse width of the first current control clock signal CC_CLK1 and the pulse width of the second current control clock signal CC_CLK2 may be smaller than the pulse width of the touch driving signal TDS.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 되는 시점과 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 되는 시점은 터치 구동 신호(TDS)의 레벨이 변경되는 시점과 상이할 수 있다.The time when the first current control transistor Tcc1 is turned on and the time when the second current control transistor Tcc2 is turned on may be different from the time when the level of the touch driving signal TDS is changed.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1) 및 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2) 중 하나는 터치 구동 신호(TDS)가 하이 레벨인 기간에 턴-온 되고, 다른 하나는 터치 구동 신호(TDS)가 로우 레벨인 기간에 턴-온 될 수 있다.One of the first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2) is turned on during a period when the touch driving signal (TDS) is at a high level, and the other is turned on when the touch driving signal (TDS) is at a low level. It can be turned on during the period.

제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1) 및 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2) 중 하나는 터치 구동 신호(TDS)가 하이 레벨인 기간에 턴-온 되고, 다른 하나는 터치 구동 신호(TDS)가 하이 레벨인 기간에 턴-오프 될 수 있다.One of the first current control transistor (Tcc1) and the second current control transistor (Tcc2) is turned on during the period when the touch driving signal (TDS) is at a high level, and the other is turned on when the touch driving signal (TDS) is at a high level. It can be turned off during the period.

본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로(150)는, 터치 센싱 신호가 수신되는 신호 라인과 전기적으로 연결된 센싱 유닛(151), 신호 라인과 제1 전류 제어 전압(VCC1)의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제1 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK1)에 따라 턴-온 되는 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1), 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)와 제1 전류 제어 전압(VCC1)의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제1 전류 제어 트랜지스터(Tcc1)가 턴-온 된 기간을 포함하는 기간에 턴-온 상태를 유지하는 제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1), 신호 라인과 제2 전류 제어 전압(VCC2)의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제2 전류 제어 클럭 신호(CC_CLK2)에 따라 턴-온 되는 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2), 및 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)와 제2 전류 제어 전압(VCC2)의 입력단 사이에 전기적으로 연결되고 제2 전류 제어 트랜지스터(Tcc2)가 턴-온 된 기간을 포함하는 기간에 턴-온 상태를 유지하는 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)를 포함할 수 있다.The touch driving circuit 150 according to embodiments of the present disclosure includes a sensing unit 151 electrically connected to a signal line through which a touch sensing signal is received, and an electrical connection between the signal line and the input terminal of the first current control voltage VCC1. connected to the first current control transistor (Tcc1) and turned on according to the first current control clock signal (CC_CLK1), electrically between the input terminal of the first current control transistor (Tcc1) and the first current control voltage (VCC1). A first current quantity determining transistor (Tcad1) connected and maintained in the turned-on state for a period including the period in which the first current control transistor (Tcc1) is turned on, a signal line, and an input terminal of the second current control voltage (VCC2) A second current control transistor (Tcc2) electrically connected between and turned on according to the second current control clock signal (CC_CLK2), and an input terminal of the second current control transistor (Tcc2) and the second current control voltage (VCC2) It may include a second current amount determining transistor Tcad2 that is electrically connected between the transistors and maintains a turned-on state during a period including a period in which the second current control transistor Tcc2 is turned on.

제1 전류량 결정 트랜지스터(Tcad1)의 게이트 노드와 제2 전류량 결정 트랜지스터(Tcad2)의 게이트 노드 각각은 로컬 바이어스(153)에 포함된 트랜지스터의 게이트 노드와 전기적으로 연결될 수 있다.Each of the gate node of the first current amount determining transistor (Tcad1) and the gate node of the second current amount determining transistor (Tcad2) may be electrically connected to the gate node of the transistor included in the local bias 153.

이상의 설명은 본 개시의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 개시의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 개시에 개시된 실시예들은 본 개시의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 개시의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 개시의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an illustrative explanation of the technical idea of the present disclosure, and those skilled in the art will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present disclosure. In addition, the embodiments disclosed in the present disclosure are not intended to limit the technical idea of the present disclosure, but rather are for explanation, and therefore the scope of the technical idea of the present disclosure is not limited by these embodiments. The scope of protection of this disclosure should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of this disclosure.

100: 터치 디스플레이 장치 110: 디스플레이 패널
120: 게이트 구동 회로 130: 데이터 구동 회로
140: 컨트롤러 150: 터치 구동 회로
151: 센싱 유닛 152: 전하 조절부
153: 로컬 바이어스100: touch display device 110: display panel
120: gate driving circuit 130: data driving circuit
140: Controller 150: Touch driving circuit
151: Sensing unit 152: Charge control unit
153: Local bias

Claims

A plurality of touch electrodes disposed on the display panel;
a plurality of touch lines electrically connected to at least one of the plurality of touch electrodes; and
A touch driving circuit configured to drive the plurality of touch lines,
The touch driving circuit is,
a sensing unit outputting a touch driving signal and receiving a touch sensing signal through at least one of the plurality of touch lines;
a first current control transistor electrically connected between a path through which the touch sensing signal is received and an input terminal of a first current control voltage, and operated by a first current control clock signal; and
A second current control transistor is electrically connected between the path where the touch sensing signal is received and the input terminal of the second current control voltage, and operates by a second current control clock signal different from the first current control clock signal. A touch display device.

According to paragraph 1,
The touch driving circuit is,
a first current quantity determination transistor electrically connected between the first current control transistor and the input terminal of the first current control voltage and maintaining a turn-on state; and
A touch display device further comprising a second current amount determination transistor electrically connected between the second current control transistor and the input terminal of the second current control voltage and maintaining a turn-on state.

According to paragraph 2,
The touch driving circuit is,
at least one first local bias transistor having a gate node electrically connected to the gate node of the first current amount determination transistor; and
The touch display device further includes at least one second local bias transistor having a gate node electrically connected to the gate node of the second current amount determination transistor.

According to paragraph 3,
The gate node of the at least one first local bias transistor is electrically connected to the gate node of each of the two or more first current amount determining transistors,
The gate node of the at least one second local bias transistor is electrically connected to the gate node of each of the two or more second current amount determining transistors.

According to paragraph 3,
The at least one second local bias transistor includes two or more second local bias transistors connected in parallel,
A first switch is electrically connected between the gate node of at least one of the two or more second local bias transistors and the gate node of the second current amount determination transistor,
A touch display device wherein a second switch is electrically connected between the gate node of at least one of the two or more second local bias transistors and the input terminal of the second current control voltage.

According to clause 5,
A touch display device in which one of the first switch and the second switch is turned on and the other is turned off.

According to clause 5,
The gate node of at least one of the two or more second local bias transistors is directly electrically connected to the gate node of the second current amount determination transistor.

According to paragraph 3,
The width and length of the channel of the first local bias transistor are the same as the width and length of the channel of the first current amount determining transistor, and the width and length of the channel of the second local bias transistor are the same as the channel width and length of the second current amount determining transistor. A touch display device with the same width and length.

According to paragraph 3,
The first current control transistor, the first current amount determining transistor, and the first local bias transistor are P type, and the second current control transistor, the second current amount determining transistor, and the second local bias transistor are N type. Display device.

According to paragraph 1,
A touch display device wherein the pulse width of the first current control clock signal is the same as the pulse width of the second current control clock signal.

According to paragraph 1,
A touch display device wherein the pulse width of the first current control clock signal is different from the pulse width of the second current control clock signal.

According to clause 11,
A touch display device wherein the phase of the first current control clock signal is different from the phase of the second current control clock signal, and the period of the first current control clock signal is the same as the period of the second current control clock signal.

According to paragraph 1,
A touch display device wherein the pulse width of the first current control clock signal and the pulse width of the second current control clock signal are smaller than the pulse width of the touch driving signal.

According to paragraph 1,
A touch display device where the time when the first current control transistor is turned on and the time when the second current control transistor is turned on are different from the time when the level of the touch driving signal is changed.

According to paragraph 1,
A touch display in which one of the first current control transistor and the second current control transistor is turned on when the touch driving signal is at a high level, and the other is turned on when the touch driving signal is at a low level. Device.

According to paragraph 1,
A touch display in which one of the first current control transistor and the second current control transistor is turned on when the touch driving signal is at a high level, and the other is turned off when the touch driving signal is at a high level. Device.

A sensing unit electrically connected to a signal line through which a touch sensing signal is received;
a first current control transistor electrically connected between the signal line and an input terminal of a first current control voltage and turned on according to a first current control clock signal;
A first amount of current electrically connected between the first current control transistor and the input terminal of the first current control voltage, and maintained in a turned-on state during a period including a period in which the first current control transistor is turned on. crystal transistor;
a second current control transistor electrically connected between the signal line and an input terminal of a second current control voltage and turned on according to a second current control clock signal; and
A second amount of current electrically connected between the second current control transistor and the input terminal of the second current control voltage, and maintained in a turned-on state during a period including a period in which the second current control transistor is turned on. Touch drive circuit including a crystal transistor.

According to clause 17,
A touch driving circuit wherein each of the gate node of the first current amount determining transistor and the gate node of the second current amount determining transistor is electrically connected to the gate node of the transistor included in the local bias.